JP7269038B2 - Method for manufacturing plated parts - Google Patents

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Description

本発明は、メッキ部品の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing plated parts.

近年、回路やアンテナパターンを形成する基板としてガラス基材、セラミックス基材等の無機基材が注目されており、このような無機基材の表面に金属皮膜パターンを形成する試みがなされている(例えば、特許文献1及び2)。ガラス基材、セラミックス基材等の無機基材は、高い絶縁性と放熱性を有する。無機基材上の金属皮膜パターンは、例えば、無電解メッキ膜によって、又は無電解メッキ膜と電解メッキ膜とを組み合わせて形成できる。 In recent years, inorganic substrates such as glass substrates and ceramic substrates have attracted attention as substrates for forming circuits and antenna patterns, and attempts have been made to form metal film patterns on the surfaces of such inorganic substrates ( For example, Patent Documents 1 and 2). Inorganic substrates such as glass substrates and ceramic substrates have high insulating properties and heat dissipation properties. A metal film pattern on an inorganic substrate can be formed, for example, by an electroless plated film or a combination of an electroless plated film and an electrolytic plated film.

特許第6080873号Patent No. 6080873 特開2019-9147号公報JP 2019-9147 A

無電解メッキ膜は、回路やアンテナパターンの所定領域のみに形成する必要がある。例えば、回路パターンを形成する場合、配線間に無電解メッキ膜が析出すると、配線の短絡が生じてしまう。また、メッキ膜によりアンテナを形成する場合も、所定領域以外にメッキ膜が析出すると、十分なアンテナ特性が得られない。したがって、ガラス、セラミックス等の無機基材上において、メッキ膜を有する部分と、メッキ膜を有さない部分とのコントラストを十分に得られる技術が求められていた。 The electroless plated film must be formed only on predetermined regions of the circuit and antenna patterns. For example, when forming a circuit pattern, if an electroless plated film is deposited between wirings, a short circuit will occur in the wirings. Also, when forming an antenna with a plated film, sufficient antenna characteristics cannot be obtained if the plated film is deposited in a region other than a predetermined region. Therefore, there has been a demand for a technique capable of obtaining sufficient contrast between a portion having a plated film and a portion not having a plated film on an inorganic substrate such as glass or ceramics.

本発明は、これらの課題を解決するものであり、無機基材上において、所定領域以外での無電解メッキ膜の析出を抑制して、所定領域のみに無電解メッキ膜を形成できるメッキ部品の製造方法を提供する。 The present invention solves these problems, and provides a plated component capable of forming an electroless plated film only on a predetermined region by suppressing deposition of an electroless plated film on an inorganic base material other than the predetermined region. A manufacturing method is provided.

本発明に従えば、メッキ部品の製造方法であって、表面粗さ(Ra)が1μm以下である平滑面を有する無機基材の前記平滑面上に、触媒失活剤を含む触媒活性妨害層を形成することと、前記基材上の前記触媒活性妨害層の一部にレーザー光を照射することと、前記レーザー光を照射した無機基材の表面に無電解メッキ触媒を付与することと、前記無電解メッキ触媒を付与した無機基材の表面に無電解メッキ液を接触させ、前記レーザー光を照射した領域に無電解メッキ膜を形成することを含む、メッキ部品の製造方法が提供される。 According to the present invention, there is provided a method for producing a plated component, wherein a catalytic activity hindering layer containing a catalyst deactivator is formed on the smooth surface of an inorganic substrate having a surface roughness (Ra) of 1 μm or less. irradiating a part of the catalytic activity hindering layer on the substrate with a laser beam; applying an electroless plating catalyst to the surface of the inorganic substrate irradiated with the laser beam; Provided is a method for producing a plated component, comprising contacting an electroless plating solution to the surface of the inorganic base material to which the electroless plating catalyst has been applied, and forming an electroless plating film on the region irradiated with the laser beam. .

前記無電解メッキ膜を形成した後に、前記無機基材の表面に溶剤を接触させて、前記無機基材の表面から前記触媒活性妨害層を除去してもよい。また、前記無機基材が、その表面に、前記平滑面を形成する平滑層を有してもよい。 After forming the electroless plating film, the surface of the inorganic substrate may be brought into contact with a solvent to remove the catalytic activity hindering layer from the surface of the inorganic substrate. Moreover, the inorganic substrate may have a smooth layer forming the smooth surface on its surface.

前記メッキ部品の製造方法は、前記触媒活性妨害層を形成する前に、前記無機基材の前記平滑面上にカップリング剤を付与することを更に含んでもよい。前記カップリング剤が、エポキシ基、アクリロキシ基、メタクリロキシ基又はスチリル基を含むシランカップリング剤であってもよい。 The method of manufacturing the plated component may further comprise applying a coupling agent onto the smooth surface of the inorganic substrate prior to forming the catalytic activity hindering layer. The coupling agent may be a silane coupling agent containing an epoxy group, an acryloxy group, a methacryloxy group or a styryl group.

前記触媒失活剤が、アミド基、アミノ基及びジチオカルバメート基からなる群から選択される少なくとも1つを有するポリマーであってもよい。また、前記触媒失活剤が、下記式(1)で表されるハイパーブランチポリマーであってもよい。 The catalyst deactivator may be a polymer having at least one selected from the group consisting of amide groups, amino groups and dithiocarbamate groups. Further, the catalyst deactivator may be a hyperbranched polymer represented by the following formula (1).

Figure 0007269038000001

式(1)において、Aは芳香環を含む基であり、Aはアミド基を含む基であり、Aは硫黄を含む基であり、Rは、水素又は炭素数1~10個の置換若しくは無置換の炭化水素基であり、m1は0.5~11であり、n1は5~100である。
Figure 0007269038000001

In formula (1), A 1 is a group containing an aromatic ring, A 2 is a group containing an amide group, A 3 is a group containing sulfur, R 0 is hydrogen or has 1 to 10 carbon atoms is a substituted or unsubstituted hydrocarbon group, m1 is 0.5-11, and n1 is 5-100.

前記レーザー光の波長が、200~380nmであってもよい。また、前記無電解メッキ膜が前記無機基材上で電気回路又はアンテナパターンを形成してもよい。 The wavelength of the laser light may be 200-380 nm. Also, the electroless plated film may form an electric circuit or an antenna pattern on the inorganic substrate.

本発明の製造方法は、無機基材上において、所定領域以外での無電解メッキ膜の析出を抑制し、所定領域のみに無電解メッキ膜を形成できる。 The production method of the present invention can suppress deposition of an electroless plated film in areas other than a predetermined area on an inorganic substrate, and form an electroless plated film only in a predetermined area.

第1の実施形態のメッキ部品の製造方法を示すフローチャートである。It is a flow chart which shows a manufacturing method of plated parts of a 1st embodiment. 第2の実施形態のメッキ部品の製造方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing method of the plated components of 2nd Embodiment.

[第1の実施形態]
図1に示すフローチャートに従って、本実施形態のメッキ部品の製造方法について説明する。本実施形態の製造方法は、表面粗さ(Ra)が1μm以下である平滑面を有する無機基材の平滑面上に、触媒失活剤を含む触媒活性妨害層を形成することと(図1のステップS1)、触媒活性妨害層の一部にレーザー光を照射することと(図1のステップS2)、レーザー光を照射した無機基材の表面に無電解メッキ触媒を付与することと(図1のステップS3)、無電解メッキ触媒を付与した無機基材の表面に無電解メッキ液を接触させ、レーザー光を照射した領域に無電解メッキ膜を形成すること(図1のステップS4)を含む。
[First embodiment]
A method for manufacturing a plated component according to the present embodiment will be described according to the flowchart shown in FIG. The production method of the present embodiment includes forming a catalytic activity hindering layer containing a catalyst deactivator on a smooth surface of an inorganic substrate having a smooth surface having a surface roughness (Ra) of 1 μm or less (FIG. 1 step S1), irradiating a part of the catalytic activity hindering layer with a laser beam (step S2 in FIG. 1), and applying an electroless plating catalyst to the surface of the inorganic substrate irradiated with the laser beam (FIG. 1 step S3), the electroless plating solution is brought into contact with the surface of the inorganic substrate to which the electroless plating catalyst is applied, and an electroless plating film is formed in the region irradiated with the laser light (step S4 in FIG. 1). include.

(1)触媒活性妨害層の形成
まず、表面粗さ(Ra)が1μm以下である平滑面を有する無機基材の平滑面上に、触媒失活剤を含む触媒活性妨害層を形成する(図1のステップS1)。
(1) Formation of catalytic activity hindering layer First, a catalytic activity hindering layer containing a catalyst deactivator is formed on a smooth surface of an inorganic substrate having a surface roughness (Ra) of 1 μm or less (Fig. 1 step S1).

<無機基材>
無機基材(以下、適宜、単に「基材」と記載する場合がある)は、無機材料を主成分とする基材であれば特に限定されないが、無電解メッキ膜により回路やアンテナパターンを形成する場合には、絶縁性と放熱性に優れるガラス基材、セラミックス基材が好ましい。
<Inorganic substrate>
The inorganic substrate (hereinafter sometimes simply referred to as "substrate" as appropriate) is not particularly limited as long as it is a substrate containing an inorganic material as a main component, and a circuit or antenna pattern is formed by an electroless plating film. In this case, glass substrates and ceramic substrates are preferable because they have excellent insulating properties and heat dissipation properties.

ガラス基材は、ガラスを含む基材であれば特に限定されず、メッキ部品の用途に応じて適宜選択できる。例えば、ガラス基材としては、ソーダ石灰ガラス(ソーダガラス)、ホウ珪酸塩ガラス、無アルカリガラス、石英ガラス等のガラス基材が挙げられる。ガラス基材は、可視光に対して透明であってもよいし、また、添加物を包含することにより着色していてもよい。ガラス基材が可視光に対して透明であるとは、例えば、ガラス基材の波長400nm~800nm(可視光域)の光の透過率が60%以上であることを意味する。ガラス基材の透明性を重要視する場合、ガラス基材の波長400nm~800nm(可視光域)の光の透過率は65%以上が好ましく、85%以上がより好ましい。ガラス基材は、市販品であってもよい。また、ガラス基材は、レンズ、プリズム等のガラス製光学部品、スマートフォン等の電子機器のガラス製筐体であってもよい。 The glass substrate is not particularly limited as long as it contains glass, and can be appropriately selected according to the application of the plated part. Examples of glass substrates include glass substrates such as soda lime glass (soda glass), borosilicate glass, alkali-free glass, and quartz glass. The glass substrate may be transparent to visible light, or may be colored by including additives. The fact that the glass substrate is transparent to visible light means, for example, that the glass substrate has a transmittance of 60% or more for light with a wavelength of 400 nm to 800 nm (visible light region). When the transparency of the glass substrate is important, the transmittance of the glass substrate for light with a wavelength of 400 nm to 800 nm (visible light region) is preferably 65% or more, more preferably 85% or more. The glass substrate may be a commercially available product. Further, the glass substrate may be glass optical components such as lenses and prisms, and glass housings of electronic devices such as smartphones.

セラミックス基材は、セラミックスを含む基材であれば特に限定されず、メッキ部品の用途に応じて適宜選択できる。例えば、セラミックス基材としては、アルミナ、窒化アルミ、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)、チタン酸バリウム、シリコンウエハ等のセラミックス基材が挙げられる。 The ceramic substrate is not particularly limited as long as it contains ceramics, and can be appropriately selected according to the application of the plated part. Examples of ceramic substrates include ceramic substrates such as alumina, aluminum nitride, lead zirconate titanate (PZT), barium titanate, and silicon wafers.

ガラス基材は、ガラスのみから形成されてもよいし、ガラスが主成分であれば、汎用の添加剤等を含有してもよい。また、セラミックス基材は、セラミックスのみから形成されてもよいし、セラミックスが主成分であれば、汎用の添加剤等を含有してもよい。 The glass substrate may be made of glass only, or may contain general-purpose additives and the like as long as glass is the main component. Further, the ceramic base material may be formed only from ceramics, or may contain general-purpose additives and the like as long as ceramics is the main component.

無機基材は、表面粗さ(Ra)が1μm以下である平滑面を有する。平滑面は、無機基材の全表面であってもよいし、無機基材の表面の一部であってもよい。本実施形態で製造されるメッキ部品では、無電解メッキ膜は、無機基材の平滑面上に形成される。ここで、「表面粗さ」とは、算術表面粗さ(Ra)を意味する。無機基材上において、所定領域以外での無電解メッキ膜の析出を抑制する観点から、平滑面の表面粗さは、0.7μm以下が好ましい。また、平滑面の表面粗さの下限値は、特に限定されないが、実質的な観点から、例えば、0.005μm以上、又は0.01μm以上である。 The inorganic substrate has a smooth surface with a surface roughness (Ra) of 1 μm or less. The smooth surface may be the entire surface of the inorganic substrate or a portion of the surface of the inorganic substrate. In the plated component manufactured in this embodiment, the electroless plated film is formed on the smooth surface of the inorganic substrate. Here, "surface roughness" means arithmetic surface roughness (Ra). The surface roughness of the smooth surface is preferably 0.7 μm or less from the viewpoint of suppressing deposition of the electroless plating film on the inorganic base material other than the predetermined area. Moreover, the lower limit of the surface roughness of the smooth surface is not particularly limited, but from a practical point of view, it is, for example, 0.005 μm or more, or 0.01 μm or more.

無機基材は、それ自体の表面が平滑面を形成してもよい。また、無機基材は、その表面に平滑層を有し、平滑層が平滑面を形成してもよい。例えば、セラミックス材料の中には、それ自体の表面粗さが大きいものがある。表面粗さ(Ra)が1μmより大きい材料であっても、その表面に平滑層を設けることで、その表面を平滑にして、本実施形態の無機基材として用いることができる。即ち、平滑層が平滑面を形成する場合、本実施形態の無機基材は、無機材料である原基材と、原基材上に形成される平滑層と、を有する。原基材の表面粗さは1μmより大きくてもよいため、無機基材の材料選択の幅を広げることができる。 The inorganic substrate itself may form a smooth surface. Moreover, the inorganic substrate may have a smooth layer on its surface, and the smooth layer may form a smooth surface. For example, some ceramic materials themselves have large surface roughness. Even a material having a surface roughness (Ra) of more than 1 μm can be used as the inorganic base material of the present embodiment by providing a smooth layer on the surface to make the surface smooth. That is, when the smooth layer forms a smooth surface, the inorganic base material of the present embodiment has an original base material that is an inorganic material and a smooth layer formed on the original base material. Since the surface roughness of the original substrate may be greater than 1 μm, the range of material selection for the inorganic substrate can be widened.

平滑層は、原基材の絶縁性、放熱性に影響を与えないように、無機材料から形成される薄膜であることが好ましい。例えば、酸化ケイ素、酸化チタン等の薄膜が挙げられる。平滑層の膜厚は、例えば、0.01μm~1μm、又は0.02μm~0.3μmである。本実施形態では、平滑面上に触媒活性妨害層を形成する前に、原基材上に平滑層を形成して、無機基材を製造してもよい。平滑層は、例えば、ゾルゲル法により形成できる。 The smooth layer is preferably a thin film made of an inorganic material so as not to affect the insulating properties and heat dissipation properties of the original substrate. Examples thereof include thin films of silicon oxide, titanium oxide, and the like. The film thickness of the smooth layer is, for example, 0.01 μm to 1 μm, or 0.02 μm to 0.3 μm. In this embodiment, the inorganic substrate may be produced by forming a smooth layer on the original substrate before forming the catalytic activity hindering layer on the smooth surface. The smooth layer can be formed, for example, by a sol-gel method.

<触媒失活剤>
触媒失活剤(触媒活性妨害剤)としては、無電解メッキ触媒が触媒能を発揮することを妨げ、結果として、無電解メッキの反応を抑制する物質であれば、任意の物質を用いることができる。触媒失活剤は、無電解メッキ触媒と直接反応して無電解メッキ触媒を被毒するか、又は無電解メッキ触媒と直接反応せずとも、触媒付与工程のいずれかの段階において、無電解メッキ触媒が触媒能を発揮することを妨げると推測される。
<Catalyst deactivator>
As the catalyst deactivator (catalytic activity inhibitor), any substance can be used as long as it prevents the electroless plating catalyst from exhibiting its catalytic ability and, as a result, suppresses the electroless plating reaction. can. The catalyst deactivator reacts directly with the electroless plating catalyst to poison the electroless plating catalyst, or even if it does not react directly with the electroless plating catalyst, the catalyst deactivator may be used in the electroless plating process at any stage of the catalyst application process. It is presumed that this prevents the catalyst from exhibiting its catalytic ability.

触媒失活剤としては、例えば、亜鉛(Zn)、鉛(Pb)、錫(Sn)、ビスマス(Bi)、アンチモン(Sb)等のメッキ触媒毒となる重金属及びその化合物、ヨウ素及びその化合物、過酸化物等の酸化剤等の国際公開第2016/013464号に開示される触媒失活剤を用いてもよい。これらの触媒失活剤は、バインダ樹脂と混合等して、無機基材上に触媒活性妨害層を形成できる。 The catalyst deactivator includes, for example, zinc (Zn), lead (Pb), tin (Sn), bismuth (Bi), antimony (Sb) and other heavy metals and their compounds that poison the plating catalyst, iodine and its compounds, Catalyst deactivators disclosed in WO2016/013464 such as oxidizing agents such as peroxides may also be used. These catalyst deactivators can be mixed with a binder resin to form a catalytic activity hindering layer on the inorganic substrate.

また、触媒失活剤として、触媒活性を妨害するポリマーを用いてもよい。触媒失活剤がポリマーである場合、バインダ樹脂を用いずとも、それ自身で無機基材上に触媒活性妨害層を形成できる。触媒失活剤としては、アミド基、アミノ基、又はジチオカルバメート基を有するポリマーが好ましい。これらの官能基が無電解メッキ触媒となる金属イオンに作用し、触媒能が発揮することを妨げると推測される。触媒失活剤であるポリマーは、これらの官能基を側鎖に含む分岐ポリマーであることが好ましく、デンドリマー、ハイパーブランチポリマー等のデンドリティックポリマーであることがより好ましい。 Also, a polymer that interferes with catalyst activity may be used as a catalyst deactivator. When the catalyst deactivator is a polymer, it can form a catalytic activity hindering layer on the inorganic substrate by itself without using a binder resin. A polymer having an amide group, an amino group, or a dithiocarbamate group is preferred as the catalyst deactivator. It is presumed that these functional groups act on the metal ions that serve as electroless plating catalysts and prevent their catalytic activity from being exhibited. The polymer that is the catalyst deactivator is preferably a branched polymer containing these functional groups in its side chains, and more preferably a dendritic polymer such as a dendrimer or a hyperbranched polymer.

触媒失活剤(触媒活性妨害剤)としては、例えば、国際公開第2018/131492号に記載されている、下記式(1)で表されるハイパーブランチポリマーを用いてもよい。

Figure 0007269038000002
式(1)において、Aは芳香環を含む基であり、Aはアミド基を含む基であり、Aは硫黄を含む基であり、Rは、水素又は炭素数1~10個の置換若しくは無置換の炭化水素基であり、m1は0.5~11であり、n1は5~100である。 As the catalyst deactivator (catalytic activity hindrance), for example, a hyperbranched polymer represented by the following formula (1) described in WO 2018/131492 may be used.
Figure 0007269038000002
In formula (1), A 1 is a group containing an aromatic ring, A 2 is a group containing an amide group, A 3 is a group containing sulfur, R 0 is hydrogen or has 1 to 10 carbon atoms is a substituted or unsubstituted hydrocarbon group, m1 is 0.5-11, and n1 is 5-100.

式(1)で表されるハイパーブランチポリマーが、無電解メッキ触媒の触媒活性を妨げるメカニズムは定かではないが、以下のように推測される。ハイパーブランチポリマーのアミド基は、無電解メッキ触媒に吸着、配位、反応等して複合体を形成し、これにより無電解メッキ触媒は、ハイパーブランチポリマーにトラップされる。ハイパーブランチポリマーのアミド基は、側鎖に含まれるため自由度が高く、また、ハイパーブランチポリマー1分子中には、多数のアミド基が含まれる。このため、ハイパーブランチポリマーは、複数のアミド基により、無電解メッキ触媒を効率的且つ強力にトラップできる。例えば、ハイパーブランチポリマーは多座配位子として作用し、複数のアミド基が無電解メッキ触媒に配位してキレート構造を形成できる。この様にトラップされた無電解メッキ触媒は、触媒活性を発揮できない。例えば、パラジウムを無電解メッキ触媒として用いた場合、ハイパーブランチポリマーのアミド基はパラジウムをパラジウムイオンの状態でトラップする。パラジウムイオンは還元されて金属パラジウムとなり、無電解メッキ触媒活性を発揮する。しかし、ハイパーブランチポリマーにトラップされたパラジウムイオンは還元剤によっても還元されず、触媒活性を発揮できない。これにより、式(1)で表されるハイパーブランチポリマーが付与された基材の表面では、無電解メッキ膜の形成が抑制される。ただし、このメカニズムは推定に過ぎず、本発明はこれに限定されない。 Although the mechanism by which the hyperbranched polymer represented by formula (1) hinders the catalytic activity of the electroless plating catalyst is not clear, it is presumed as follows. The amide groups of the hyperbranched polymer are adsorbed, coordinated, reacted, etc. with the electroless plating catalyst to form a complex, whereby the electroless plating catalyst is trapped in the hyperbranched polymer. The amide group of the hyperbranched polymer is contained in the side chain, so the degree of freedom is high, and one molecule of the hyperbranched polymer contains a large number of amide groups. Therefore, the hyperbranched polymer can efficiently and strongly trap the electroless plating catalyst with a plurality of amide groups. For example, a hyperbranched polymer can act as a multidentate ligand, with multiple amide groups coordinating to an electroless plating catalyst to form a chelate structure. The electroless plating catalyst trapped in this manner cannot exhibit catalytic activity. For example, when palladium is used as an electroless plating catalyst, the amide group of the hyperbranched polymer traps palladium in the form of palladium ions. Palladium ions are reduced to metallic palladium, which exhibits electroless plating catalytic activity. However, the palladium ions trapped in the hyperbranched polymer are not reduced even by the reducing agent, and cannot exhibit catalytic activity. As a result, formation of an electroless plated film is suppressed on the surface of the substrate to which the hyperbranched polymer represented by formula (1) is applied. However, this mechanism is only a guess, and the present invention is not limited to this.

は、芳香環を含む基であれば、任意のものを用いることができるが、例えば、下記式(2)で表される基であることが好ましい。

Figure 0007269038000003
Any group can be used for A 1 as long as it contains an aromatic ring, but for example, a group represented by the following formula (2) is preferable.
Figure 0007269038000003

が、式(2)で表される基である場合、本実施形態のハイパーブランチポリマーのハイパーブランチ構造は、スチレン骨格を有する。ハイパーブランチ構造がスチレン骨格を有すると、ハイパーブランチポリマーの耐候性、耐熱性が向上する。 When A 1 is a group represented by formula (2), the hyperbranched structure of the hyperbranched polymer of the present embodiment has a styrene skeleton. When the hyperbranched structure has a styrene skeleton, the hyperbranched polymer has improved weather resistance and heat resistance.

ハイパーブランチポリマーは、複数の末端基を有する。上記式(1)で表されるハイパーブランチポリマーの末端基において、Aは、アミド基を含む基であり、Aは、硫黄を含む基である。また、m1は、各末端基におけるアミド基を含む基(A)の数(繰り返し数)mの平均値である。したがって、m1は整数でなくてもよい。本実施形態のハイパーブランチポリマーは、平均値であるm1が0.5~11であればよく、アミド基を含む基(A)を有さない末端基を有してもよい。各末端基におけるアミド基を含む基(A)の数(繰り返し数)mは、例えば、0~11である。式(1)のm1は、分子内におけるアミド基を含む基(A)の総数(分子内におけるmの合計)を末端基の数で除した商である。m1の値は、NMR法や元素分析法により定量できる。 A hyperbranched polymer has multiple end groups. In the terminal group of the hyperbranched polymer represented by formula (1) above, A2 is a group containing an amide group, and A3 is a group containing sulfur. In addition, m1 is the average value of the number (repeating number) m of groups (A 2 ) containing an amide group in each terminal group. Therefore, m1 does not have to be an integer. The hyperbranched polymer of the present embodiment may have an average m1 of 0.5 to 11, and may have a terminal group that does not have an amide group-containing group (A 2 ). The number (repeating number) m of groups (A 2 ) containing an amide group in each terminal group is, for example, 0-11. m1 in formula (1) is the quotient obtained by dividing the total number of groups (A 2 ) containing an amide group in the molecule (the total number of m in the molecule) by the number of terminal groups. The value of m1 can be quantified by NMR method or elemental analysis method.

上記式(1)において、Aはアミド基を含む基であれば特に限定されず、また、Aに含まれるアミド基は、1級アミド基、2級アミド基、3級アミド基のいずれであってもよい。また、Aは、アミド基を1個含む基であってもよいし、2個以上含む基であってもよい。Aは下記式(3)で表される基であることが好ましい。Aが下記式(3)で表される基であると、本実施形態のハイパーブランチポリマーは、金属捕捉能力がより向上する。これにより、無電解メッキ抑制効果がより高まる。 In the above formula (1), A 2 is not particularly limited as long as it contains an amide group, and the amide group contained in A 2 is any of a primary amide group, a secondary amide group, and a tertiary amide group. may be In addition, A2 may be a group containing one amide group, or may be a group containing two or more amide groups. A 2 is preferably a group represented by the following formula (3). When A2 is a group represented by the following formula (3), the hyperbranched polymer of the present embodiment has improved metal-trapping ability. As a result, the effect of suppressing electroless plating is enhanced.

Figure 0007269038000004
式(3)において、R1は炭素数が1~5である置換若しくは無置換のアルキレン基、又は単結合であり、R2及びR3は、それぞれ、炭素数が1~10である置換若しくは無置換のアルキル基又は水素である。また、式(3)において、R1は単結合であることが好ましく、R2は水素であることが好ましく、Rはイソプロピル基であることが好ましい。
Figure 0007269038000004
In formula (3), R 1 is a substituted or unsubstituted alkylene group having 1 to 5 carbon atoms or a single bond, and R 2 and R 3 are each a substituted or unsubstituted alkylene group having 1 to 10 carbon atoms. It is an unsubstituted alkyl group or hydrogen. In formula (3), R 1 is preferably a single bond, R 2 is preferably hydrogen, and R 3 is preferably an isopropyl group.

上記式(1)において、Aは、硫黄を含む基であれば特に限定されず、例えば、ジチオカルバメート基、トリチオカーボネート基、スルフィド基、チオシアン基等が挙げられ、中ででも、ジチオカルバメート基であることが好ましい。A3がジチオカルバメート基であると、本実施形態のハイパーブランチポリマーは、合成が容易となり、また、金属捕捉能力が向上する。更に、Aは、下記式(4)で表される基であることが好ましい。 In the above formula (1), A3 is not particularly limited as long as it is a sulfur-containing group, and examples thereof include a dithiocarbamate group, a trithiocarbonate group, a sulfide group, a thiocyanate group, etc. Among them, dithiocarbamate It is preferably a group. When A 3 is a dithiocarbamate group, the hyperbranched polymer of the present embodiment is easy to synthesize and has improved metal trapping ability. Furthermore, A 3 is preferably a group represented by the following formula (4).

Figure 0007269038000005
式(4)において、R及びRは、それぞれ、炭素数が1~5である置換若しくは無置換のアルキル基、又は水素である。また、式(4)において、R及びRはエチル基であることが好ましい。
Figure 0007269038000005
In formula (4), R 4 and R 5 are each a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or hydrogen. Moreover, in formula (4), R 4 and R 5 are preferably ethyl groups.

上記式(1)において、Rは、水素又は炭素数1~10個の置換若しくは無置換の炭化水素基であれば、任意の炭化水素基を用いることができる。上記炭化水素基は、鎖状若しくは環状の飽和脂肪族炭化水素基、鎖状若しくは環状の不飽和脂肪族炭化水素基、又は芳香族炭化水素基であってもよい。Rが、置換の炭化水素基である場合の置換基は、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、ビニル基、アリル基、アリール基、アルコキシ基、ハロゲン基、ヒドロキシ基、アミノ基、イミノ基、ニトロ基、シリル基又はエステル基等であってもよい。また、Rは、無置換の炭化水素基であってもよく、例えば、ビニル基又はエチル基であってもよい。 In the above formula (1), R 0 can be any hydrocarbon group as long as it is hydrogen or a substituted or unsubstituted hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms. The hydrocarbon group may be a chain or cyclic saturated aliphatic hydrocarbon group, a chain or cyclic unsaturated aliphatic hydrocarbon group, or an aromatic hydrocarbon group. When R 0 is a substituted hydrocarbon group, the substituents include, for example, an alkyl group, a cycloalkyl group, a vinyl group, an allyl group, an aryl group, an alkoxy group, a halogen group, a hydroxy group, an amino group, an imino group, It may be a nitro group, a silyl group, an ester group, or the like. R 0 may also be an unsubstituted hydrocarbon group, such as a vinyl group or an ethyl group.

本実施形態のハイパーブランチポリマーは、式(1)において、Rが異なるハイパーブランチポリマーの混合物であってもよい。例えば、Rが不飽和結合を有する場合、ハイパーブランチポリマーの合成過程において、不飽和結合の一部に何らかの付加反応が生じて飽和結合となる場合がある。この場合、上記式(1)において、Rが不飽和炭化水素基のハイパーブランチポリマーと、Rが飽和炭化水素基のハイパーブランチポリマーとの混合物が得られる。本実施形態のハイパーブランチポリマーは、上記式(1)において、Rがビニル基のハイパーブランチポリマーと、Rがエチル基のハイパーブランチポリマーとの混合物であってもよい。 The hyperbranched polymer of the present embodiment may be a mixture of hyperbranched polymers with different R 0 in formula (1). For example, when R 0 has an unsaturated bond, a part of the unsaturated bond may undergo some addition reaction to become a saturated bond in the process of synthesizing the hyperbranched polymer. In this case, in the above formula (1), a mixture of a hyperbranched polymer in which R 0 is an unsaturated hydrocarbon group and a hyperbranched polymer in which R 0 is a saturated hydrocarbon group is obtained. The hyperbranched polymer of the present embodiment may be a mixture of a hyperbranched polymer in which R 0 is a vinyl group and a hyperbranched polymer in which R 0 is an ethyl group in the above formula (1).

本実施形態のハイパーブランチポリマーは、数平均分子量が、3,000~30,000であり、重量平均分子量が、10,000~300,000であることが好ましく、数平均分子量が、5,000~30,000であり、重量平均分子量が、14,000~200,000であることがより好ましい。尚、ハイパーブランチポリマーの重量平均分子量及び数平均分子量は、例えば、ゲル浸透クロマトグラフィー(GPC)によるポリスチレン換算で測定できる。 The hyperbranched polymer of the present embodiment preferably has a number average molecular weight of 3,000 to 30,000, a weight average molecular weight of 10,000 to 300,000, and a number average molecular weight of 5,000. ~30,000, and more preferably a weight average molecular weight of 14,000 to 200,000. The weight-average molecular weight and number-average molecular weight of the hyperbranched polymer can be measured in terms of polystyrene by gel permeation chromatography (GPC), for example.

本実施形態のハイパーブランチポリマーの合成方法は、特に限定されず、任意の方法により合成できる。例えば、市販のハイパーブランチポリマーを出発物質として、本実施形態のハイパーブランチポリマーを合成してもよい。また、モノマーの合成、モノマーの重合、末端基修飾等を順に行って、本実施形態のハイパーブランチポリマーを合成してもよい。尚、本実施形態のハイパーブランチポリマーの重量平均分子量及び数平均分子量、式(1)中のm1及びn1は、合成に用いる試薬の比率、合成条件等を任意の方法で調整することにより、所定の範囲内に調整できる。 The method for synthesizing the hyperbranched polymer of the present embodiment is not particularly limited, and any method can be used for synthesis. For example, the hyperbranched polymer of the present embodiment may be synthesized using a commercially available hyperbranched polymer as a starting material. Alternatively, the hyperbranched polymer of the present embodiment may be synthesized by sequentially performing monomer synthesis, monomer polymerization, terminal group modification, and the like. The weight-average molecular weight and number-average molecular weight of the hyperbranched polymer of the present embodiment, m1 and n1 in formula (1) can be determined by adjusting the ratio of reagents used for synthesis, synthesis conditions, etc. by any method. can be adjusted within the range of

<触媒活性妨害層の形成>
触媒活性妨害層(以下適宜、単に「妨害層」と記載する場合がある)は、触媒失活剤を含む。触媒活性妨害層を形成する方法は特に限定されず、例えば、以下に説明するように、国際公開第2017/154470号、国際公開第2018/131492号に開示される方法を用いることができる。
<Formation of catalytic activity hindering layer>
The catalytic activity hindrance layer (hereinafter sometimes simply referred to as "interference layer") contains a catalyst deactivator. The method for forming the catalytic activity impeding layer is not particularly limited, and for example, methods disclosed in WO2017/154470 and WO2018/131492 can be used as described below.

触媒活性妨害層は、触媒失活剤をバインダとなる樹脂と混合して無機基材の表面に付与して形成してもよい。または、触媒失活機能を有さない樹脂からなる樹脂層を無機基材上に形成し、形成した樹脂層に触媒失活剤を接触させてもよい。樹脂層に触媒失活剤が浸透、吸着等により担持され、触媒活性妨害層が形成される。 The catalytic activity hindering layer may be formed by mixing a catalyst deactivator with a binder resin and applying the mixture to the surface of the inorganic substrate. Alternatively, a resin layer made of a resin having no catalyst deactivation function may be formed on the inorganic substrate, and the formed resin layer may be brought into contact with the catalyst deactivator. The catalyst deactivator is supported by permeation, adsorption, etc. in the resin layer to form a catalyst activity hindering layer.

触媒失活剤がポリマーである場合、バインダ樹脂を用いずに、それ自身で触媒活性妨害層を形成できる。例えば、まず、溶剤に触媒失活剤である樹脂を溶解又は分散させた溶液を調整する。その溶液を基材に塗布する、又は、その溶液に基材を浸漬することによって、触媒活性妨害層を形成してもよい。具体的な形成方法としては、ディップコート、スクリーンコート、スプレーコート等が挙げられる。 When the catalyst deactivator is a polymer, it can form a catalytic activity hindering layer by itself without using a binder resin. For example, first, a solution is prepared by dissolving or dispersing a resin, which is a catalyst deactivator, in a solvent. The catalytically active impeding layer may be formed by applying the solution to the substrate or by immersing the substrate in the solution. Specific forming methods include dip coating, screen coating, spray coating, and the like.

触媒活性妨害層は、少なくとも、無機基材の平滑面上に形成する。更に、触媒活性妨害層は、後述する無電解メッキ工程において、無電解メッキ液と接触する無機基材表面の領域に形成することが好ましく、無機基材の表面全面に形成することがより好ましい。 The catalytic activity hindrance layer is formed at least on the smooth surface of the inorganic substrate. Further, the catalytic activity hindering layer is preferably formed on a region of the surface of the inorganic substrate that comes into contact with the electroless plating solution in the electroless plating step described later, and more preferably formed on the entire surface of the inorganic substrate.

触媒活性妨害層は無機基材の絶縁性、放熱性に影響を与えないように、薄い方が好ましい。例えば、5μm以下が好ましく、1μm以下がより好ましく、0.3μm以下が更により好ましい。一方で、無電解メッキ触媒の触媒活性を妨害する観点からは、例えば、0.01μm以上が好ましく、0.03μm以上がより好ましく、0.05μm以上が更により好ましい。 The catalytic activity hindrance layer is preferably thin so as not to affect the insulating properties and heat dissipation properties of the inorganic substrate. For example, it is preferably 5 µm or less, more preferably 1 µm or less, and even more preferably 0.3 µm or less. On the other hand, from the viewpoint of interfering with the catalytic activity of the electroless plating catalyst, for example, it is preferably 0.01 μm or more, more preferably 0.03 μm or more, and even more preferably 0.05 μm or more.

(2)レーザー光照射
次に、触媒活性妨害層の一部にレーザー光を照射する(図1のステップS2)。レーザー光の照射方法は、特に限定されず、例えば、レーザー光を所定パターンに従って照射するレーザー描画であってもよい。
(2) Laser Light Irradiation Next, a part of the catalytic activity hindering layer is irradiated with laser light (step S2 in FIG. 1). The method of irradiating the laser beam is not particularly limited, and may be, for example, laser drawing in which the laser beam is irradiated according to a predetermined pattern.

照射するレーザー光は、特に限定されず、COレーザー、YVOレーザー、YAGレーザー等の汎用のレーザー装置を用いて照射できる。レーザー光の波長、強度等は、基材の種類、メッキ部品の用途等に基づいて決定できる。例えば、無電解メッキ膜の高い密着強度が要求される用途では、レーザー光照射部分の粗度は大きい(高い)方が好ましい。レーザー光照射部分の粗度を高めるため、例えば、無機基材の吸収が大きい波長のレーザー光を選択してもよい。一方、例えば、無電解メッキ膜でアンテナパターン等を形成する場合、アンテナ特性を向上させるため、レーザー光照射部分の粗度は小さい方が好ましい。ガラス基材上に比較的粗度の小さいレーザー光照射部分を形成するには、基材に照射するレーザー光は、波長200nm~380nmの紫外線レーザー光が好ましく、その波長は、例えば、355nmである。例えば、式(1)で表されるハイパーブランチポリマー等を含む触媒活性妨害層は、上記範囲の波長の光(例えば、紫外光)を吸収するが、ガラスは吸収し難い。このため、上記範囲の波長のレーザー光は、ガラス基材上に形成された式(1)で表されるハイパーブランチポリマー層(触媒活性妨害層)を除去するが、ガラス基材を粗化し難い。 The laser beam to be irradiated is not particularly limited, and a general-purpose laser device such as a CO2 laser, a YVO4 laser, and a YAG laser can be used for irradiation. The wavelength, intensity, etc. of the laser light can be determined based on the type of base material, the application of the plated part, and the like. For example, in applications where high adhesion strength of the electroless plated film is required, it is preferable that the roughness of the laser beam irradiated portion is large (high). In order to increase the roughness of the laser beam irradiated portion, for example, a laser beam having a wavelength that is highly absorbed by the inorganic substrate may be selected. On the other hand, for example, when an antenna pattern or the like is formed of an electroless plating film, it is preferable that the roughness of the laser beam irradiated portion is small in order to improve the antenna characteristics. In order to form a laser beam irradiated portion with a relatively small roughness on a glass substrate, the laser beam irradiated to the substrate is preferably an ultraviolet laser beam with a wavelength of 200 nm to 380 nm, and the wavelength is, for example, 355 nm. . For example, a catalytic activity hindering layer containing a hyperbranched polymer represented by formula (1) absorbs light (eg, ultraviolet light) of wavelengths in the above range, but glass does not easily absorb it. Therefore, laser light with a wavelength in the above range removes the hyperbranched polymer layer (catalytic activity hindering layer) represented by the formula (1) formed on the glass substrate, but hardly roughens the glass substrate. .

基材の表面の一部にレーザー光を照射することにより、光が熱に変換され、基材の表面は加熱される。これにより、レーザー光照射部分において、妨害層は除去される。ここで、「妨害層の除去」とは、例えば、レーザー光照射部分の妨害層が、蒸発又は分解により消失することを意味する。妨害層が付与された基材の表面に、所定パターンのレーザー描画を行うことにより、所定パターンの妨害層除去部分と、妨害層が残存している妨害層残存部分とを形成できる。尚、レーザー光照射部分である妨害層除去部分では、妨害層と共に基材の表層部分が蒸発又は分解して消失してもよい。また、「妨害層の除去」とは、妨害層が完全に消失するだけでなく、後工程の無電解メッキ処理の進行に影響がない程度に妨害層が残存する場合も含む。妨害層が残存していても、後工程の無電解メッキ処理に影響なければ、無電解メッキ触媒の触媒活性を妨害する作用が消失したことになる。更に、本実施形態では、妨害層の加熱部分が変性又は変質して妨害層として作用しなくなる場合も、「妨害層の除去」に含める。例えば、式(1)で表されるハイパーブランチポリマーのアミド基が変性又は変質し、その結果、ハイパーブランチポリマーが無電解メッキ触媒をトラップできない場合が挙げられる。この場合、妨害層の加熱部分は完全に消失するのではなく、変性物(変質物)が残存する。この変性物は、触媒活性を妨害しない。このため、妨害層が変性又は変質した部分も、妨害層が消失した妨害層除去部分と同様に作用する。 By irradiating a part of the surface of the base material with laser light, the light is converted into heat and the surface of the base material is heated. As a result, the interfering layer is removed in the laser beam irradiated portion. Here, "removal of the interfering layer" means, for example, the disappearance of the interfering layer in the laser beam irradiated portion due to evaporation or decomposition. By performing laser drawing of a predetermined pattern on the surface of the base material provided with the interference layer, it is possible to form a predetermined pattern of the interference layer-removed portion and the interference layer-remaining portion where the interference layer remains. In addition, in the interference layer-removed portion, which is the laser beam irradiation portion, the surface layer portion of the base material may be evaporated or decomposed to disappear together with the interference layer. "Removal of the interfering layer" includes not only complete disappearance of the interfering layer, but also the case where the interfering layer remains to such an extent that it does not affect the progress of the electroless plating process in the subsequent step. Even if the interfering layer remains, if it does not affect the subsequent electroless plating process, it means that the effect of interfering with the catalytic activity of the electroless plating catalyst has disappeared. Furthermore, in the present embodiment, "removal of the interference layer" also includes the case where the heated portion of the interference layer is denatured or deteriorated and no longer acts as the interference layer. For example, there is a case where the amide group of the hyperbranched polymer represented by Formula (1) is denatured or modified, and as a result, the hyperbranched polymer cannot trap the electroless plating catalyst. In this case, the heated portion of the interference layer does not disappear completely, but a modified substance (degraded substance) remains. This modification does not interfere with catalytic activity. Therefore, the portion where the interference layer is denatured or degraded acts in the same manner as the portion where the interference layer has disappeared.

(3)無電解メッキ触媒の付与
次に、レーザー光を照射した無機基材の表面に無電解メッキ触媒を付与する(図1のステップS3)。無電解メッキ触媒を基材の表面に付与する方法は、特に限定されない。例えば、センシタイザー・アクチベータ法、キャタライザー・アクセラレータ法等、汎用の方法により、無電解メッキ触媒を基材に付与してもよい。また、例えば、特開2017-036486号公報に開示されている塩化パラジウム等の金属塩を含むメッキ触媒液を用いて、基材の表面に無電解メッキ触媒を付与してもよい。尚、金属塩を含むメッキ触媒液としては、市販のアクチベータ処理液を用いてもよい。
(3) Application of Electroless Plating Catalyst Next, an electroless plating catalyst is applied to the surface of the inorganic substrate irradiated with the laser beam (step S3 in FIG. 1). The method of applying the electroless plating catalyst to the surface of the substrate is not particularly limited. For example, the electroless plating catalyst may be applied to the substrate by a general-purpose method such as a sensitizer-activator method or a catalyzer-accelerator method. Further, for example, an electroless plating catalyst may be applied to the surface of the substrate using a plating catalyst solution containing a metal salt such as palladium chloride disclosed in JP-A-2017-036486. A commercially available activator treatment liquid may be used as the plating catalyst liquid containing the metal salt.

金属塩を含むメッキ触媒液を用いる場合、触媒付与の前処理として、基材にポリエチレンイミン等のポリマーを付与してもよい。金属塩由来の金属イオンである触媒は、イオン化していない金属触媒(酸化数が0(ゼロ))と比較して基材に吸着し難い。ポリエチレンイミン等のポリマーは金属イオンを吸着するので、ポリエチレンイミン等を基材に先に付与しておくことで、金属塩由来の金属イオン(無電解メッキ触媒)の基材への吸着が促進される。尚、基材に吸着した金属イオンは、例えば、後工程の無電解メッキにおいて、無電解メッキ液中の還元剤によって還元されて無電解メッキ触媒活性(無電解メッキ触媒能)を発現する。 When using a plating catalyst solution containing a metal salt, a polymer such as polyethyleneimine may be applied to the substrate as a pretreatment for applying the catalyst. A catalyst that is a metal ion derived from a metal salt is less likely to be adsorbed on a substrate than a non-ionized metal catalyst (having an oxidation number of 0 (zero)). Since polymers such as polyethyleneimine adsorb metal ions, the adsorption of metal ions derived from metal salts (electroless plating catalyst) to the substrate is promoted by adding polyethyleneimine or the like to the substrate in advance. be. The metal ions adsorbed on the substrate are reduced by the reducing agent in the electroless plating solution in the subsequent electroless plating process, for example, to exhibit electroless plating catalytic activity (electroless plating catalytic activity).

(4)無電解メッキ
次に、無機基材に無電解メッキ液を接触させる(図1のステップS4)。無機基材表面には、妨害層が残存している妨害層残存部分と、加熱等により妨害層が除去された、所定パターンの妨害層除去部分が存在する。この基材表面に無電解メッキ触媒を付与して、無電解メッキ液を接触させることにより、所定パターンの妨害層除去部分のみに、無電解メッキ膜を形成できる。
(4) Electroless Plating Next, the inorganic substrate is brought into contact with an electroless plating solution (step S4 in FIG. 1). On the surface of the inorganic substrate, there are an interference layer remaining portion where the interference layer remains and an interference layer removed portion with a predetermined pattern where the interference layer is removed by heating or the like. By applying an electroless plating catalyst to the surface of the substrate and contacting the substrate with an electroless plating solution, an electroless plating film can be formed only on the portion of the predetermined pattern from which the interfering layer has been removed.

無電解メッキ液としては、目的に応じて任意の汎用の無電解メッキ液を使用しできるが、触媒活性が高く液が安定であるという点から、無電解ニッケルリンメッキ液、無電解銅メッキ液、無電解ニッケルメッキ液が好ましい。 As the electroless plating solution, any general-purpose electroless plating solution can be used according to the purpose. , an electroless nickel plating solution is preferred.

無電解メッキ膜上には、更に、異なる種類の無電解メッキ膜を形成してもよいし、電解メッキにより電解メッキ膜を形成してもよい。基材上のメッキ膜の総厚みを厚くすることにより、所定パターンのメッキ膜を電気回路として用いた場合に電気抵抗を小さくできる。メッキ膜の電気抵抗を下げる観点から、無電解メッキ膜上に積層するメッキ膜は、無電解銅メッキ膜、電解銅メッキ膜、電解ニッケルメッキ膜等が好ましい。また、電気的に孤立した回路には電解メッキを行えないため、このような場合は、無電解メッキにより、基材上のメッキ膜の総厚みを厚くすることが好ましい。また、ハンダリフローに対応できるようメッキ膜パターンのハンダ濡れ性を向上させるために、錫、金、銀等のメッキ膜をメッキ膜パターンの最表面に形成してもよい。 A different type of electroless plated film may be formed on the electroless plated film, or an electrolytic plated film may be formed by electroplating. By increasing the total thickness of the plated film on the substrate, the electrical resistance can be reduced when the plated film with a predetermined pattern is used as an electric circuit. From the viewpoint of lowering the electrical resistance of the plated film, the plated film laminated on the electroless plated film is preferably an electroless copper plated film, an electrolytic copper plated film, an electrolytic nickel plated film, or the like. In addition, since electroplating cannot be applied to an electrically isolated circuit, it is preferable to increase the total thickness of the plated film on the substrate by electroless plating in such a case. Also, in order to improve the solder wettability of the plated film pattern so as to be compatible with solder reflow, a plated film of tin, gold, silver, or the like may be formed on the outermost surface of the plated film pattern.

(5)触媒活性妨害層の除去
無電解メッキ膜を形成した後に、無機基材の表面から触媒活性妨害層を除去してもよい。触媒活性妨害層を除去することで、触媒活性妨害層を有さないメッキ部品を製造できる。例えば、無機基材が透明である場合、触媒活性妨害層を除去することで、メッキ部品は無機基材の透明性を維持できる。また、触媒活性妨害層が基材から剥離すると、コンタミネーション(汚染)となり、周囲を汚染する虞がある。触媒活性妨害層を除去することで、コンタミネーションの発生を防止できる。
(5) Removal of Catalytic Activity Hindering Layer After forming the electroless plating film, the catalytic activity hindering layer may be removed from the surface of the inorganic substrate. By removing the catalytically active impeding layer, a plated part without the catalytically active impeding layer can be produced. For example, if the inorganic substrate is transparent, removal of the catalytic activity hindering layer allows the plated part to maintain the transparency of the inorganic substrate. In addition, if the catalytic activity hindering layer peels off from the base material, contamination may occur, which may contaminate the surroundings. By removing the catalytic activity hindrance layer, the occurrence of contamination can be prevented.

無機基材から式(1)で表されるハイパーブランチポリマーを除去する方法としては、例えば、溶剤(洗浄液)を接触させ、無機基材を洗浄する方法が挙げられる。溶剤は、式(1)で表されるハイパーブランチポリマーを溶解又は分散でき、かつ無機基材を変質させない溶剤であれば特に限定されない。例えば、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、又はプロピレングリコールモノメチルエーテル等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよいし、2種類以上混合して用いてもよい。また、溶剤(洗浄液)は、必要に応じて、界面活性剤等の汎用の添加剤を含んでもよい。 A method for removing the hyperbranched polymer represented by formula (1) from the inorganic substrate includes, for example, a method of contacting with a solvent (cleaning liquid) to wash the inorganic substrate. The solvent is not particularly limited as long as it can dissolve or disperse the hyperbranched polymer represented by formula (1) and does not alter the inorganic substrate. Examples include methyl ethyl ketone, tetrahydrofuran, propylene glycol monomethyl ether, and the like. These may be used alone or in combination of two or more. In addition, the solvent (cleaning liquid) may contain general-purpose additives such as surfactants, if necessary.

以上説明した本実施形態の製造方法によって製造されるメッキ部品は、無電解メッキ膜が無機基材上で電気回路又はアンテナパターンを形成する電子部品であってもよい。 The plated component manufactured by the manufacturing method of this embodiment described above may be an electronic component in which an electroless plated film forms an electric circuit or an antenna pattern on an inorganic substrate.

本実施形態のメッキ部品の製造方法は、例えば、以下の効果を奏する。本実施形態のメッキ部品の製造方法では、触媒失活剤を用いることで、所定領域以外(妨害層が残存している妨害層残存部分)での無電解メッキ膜の析出を抑制して、所定領域(レーザー光照射部分、妨害層除去部分)のみに無電解メッキ膜を形成できる。上述したように、触媒活性妨害層は無機基材の物性に影響を与えないように、薄い方が好ましい。しかし、触媒活性妨害層が形成される無機基材の表面の表面粗さが大きい場合、その表面上には、薄い触媒活性妨害層は均一に形成され難い。触媒活性妨害層には、基材表面が露出する欠陥が生じ、欠陥には無電解メッキ膜が析出する虞がある。本実施形態では、触媒活性妨害層は、表面粗さ(Ra)の小さい平滑面上に形成される。このため、膜厚が薄い触媒活性妨害層であっても均一に覆うことができ、無電解メッキ膜の析出を十分に抑制できる。これにより、本実施形態のメッキ部品の製造方法では、メッキ膜を有する部分と、メッキ膜を有さない部分とのコントラストが明確なメッキ部品を製造できる。 The method for manufacturing a plated component according to this embodiment has, for example, the following effects. In the method for manufacturing a plated component according to the present embodiment, the catalyst deactivator is used to suppress the deposition of the electroless plating film in areas other than the predetermined area (the remaining portion of the interference layer where the interference layer remains). An electroless plated film can be formed only in the regions (laser light irradiated portions, interference layer removed portions). As described above, the catalytic activity hindering layer is preferably thin so as not to affect the physical properties of the inorganic substrate. However, when the surface roughness of the inorganic substrate on which the catalytic activity impeding layer is formed is large, it is difficult to uniformly form a thin catalytic activity impeding layer on the surface. Defects that expose the surface of the base material may occur in the catalytic activity hindering layer, and an electroless plating film may be deposited on the defects. In this embodiment, the catalytic activity hindering layer is formed on a smooth surface with a small surface roughness (Ra). Therefore, even a thin catalytic activity hindering layer can be uniformly covered, and the deposition of an electroless plating film can be sufficiently suppressed. As a result, in the method of manufacturing a plated component according to the present embodiment, a plated component with a clear contrast between the portion having the plated film and the portion not having the plated film can be manufactured.

特に、触媒失活剤として式(1)で表されるハーパーブランチポリマーを用いる場合、触媒活性妨害層の膜厚を薄くしても、ハーパーブランチポリマーは、十分に無電解メッキ触媒の触媒能を失活させる能力を有する。このため、触媒活性妨害層は、より薄く形成される傾向がある。本実施形態の製造方法は、触媒失活剤として式(1)で表されるハーパーブランチポリマーを用いる場合であっても、触媒活性妨害層は基材表面(平滑面)を均一に覆うことができ、メッキ膜を有する部分と、メッキ膜を有さない部分とのコントラストが明確なメッキ部品を製造できる。 In particular, when the hyperbranched polymer represented by formula (1) is used as the catalyst deactivator, the hyperbranched polymer sufficiently enhances the catalytic activity of the electroless plating catalyst even if the film thickness of the catalytic activity hindering layer is reduced. It has the ability to inactivate. Therefore, the catalytic activity hindering layer tends to be formed thinner. In the production method of the present embodiment, even when the hyperbranched polymer represented by formula (1) is used as the catalyst deactivator, the catalytic activity hindering layer can uniformly cover the substrate surface (smooth surface). It is possible to manufacture a plated part with a clear contrast between a portion with a plated film and a portion without a plated film.

尚、以上説明したメッキ部品の製造方法では、無機基材に触媒活性妨害層を形成し(図1のステップS1)、その後、触媒活性妨害層の表面の一部にレーザー光を照射する(図1のステップS2)。しかし、本実施形態は、これに限定されず、例えば、基材の平滑面の一部にレーザー光を照射し(図1のステップS2)、その後、基材に触媒活性妨害層を付与してもよい(図1のステップS1)。レーザー描画した基材の表面は粗化されるため、無電解メッキを抑制するのに十分な妨害層が形成され難い。このため、レーザー描画部分に、選択的にメッキ膜を形成できる。 In the method of manufacturing a plated component described above, a catalytic activity hindering layer is formed on an inorganic substrate (step S1 in FIG. 1), and then a part of the surface of the catalytic activity hindering layer is irradiated with a laser beam (FIG. 1 step S2). However, the present embodiment is not limited to this, for example, a part of the smooth surface of the substrate is irradiated with laser light (step S2 in FIG. 1), and then a catalytic activity hindering layer is applied to the substrate. (Step S1 in FIG. 1). Since the surface of the laser-written substrate is roughened, it is difficult to form an interference layer sufficient to suppress electroless plating. Therefore, a plated film can be selectively formed on the laser drawn portion.

[第2の実施形態]
図2に示すフローチャートに従って、本実施形態のメッキ部品の製造方法について説明する。本実施形態の製造方法は、基材の平滑面上に触媒活性妨害層を形成する前に、平滑面上にカップリング剤を付与する(図2のステップS11)。それ以外は、上述した第1の実施形態と同様である。即ち、本実施形態の製造方法は、無機基材の表面粗さ(Ra)が1μm以下である平滑面上にカップリング剤を付与することと(図2のステップS11)、カップリング剤を付与した無機基材に、触媒失活剤を含む触媒活性妨害層を形成することと(図2のステップS1)、触媒活性妨害層の一部にレーザー光を照射することと(図2のステップS2)、レーザー光を照射した無機基材の表面に無電解メッキ触媒を付与することと(図2のステップS3)、無電解メッキ触媒を付与した無機基材の表面に無電解メッキ液を接触させ、レーザー光を照射した領域に無電解メッキ膜を形成すること(図2のステップS4)を含む。
[Second embodiment]
A method of manufacturing a plated component according to the present embodiment will be described according to the flowchart shown in FIG. In the production method of the present embodiment, a coupling agent is applied onto the smooth surface of the substrate before forming the catalytic activity hindering layer on the smooth surface (step S11 in FIG. 2). Otherwise, it is the same as the first embodiment described above. That is, the manufacturing method of the present embodiment includes applying a coupling agent onto a smooth surface of an inorganic substrate having a surface roughness (Ra) of 1 μm or less (step S11 in FIG. 2), and applying a coupling agent. Forming a catalytic activity hindering layer containing a catalyst deactivator on the inorganic substrate (step S1 in FIG. 2), irradiating a part of the catalytic activity hindering layer with laser light (step S2 in FIG. 2 ), applying an electroless plating catalyst to the surface of the inorganic substrate irradiated with laser light (step S3 in FIG. 2), and bringing an electroless plating solution into contact with the surface of the inorganic substrate to which the electroless plating catalyst has been applied. , forming an electroless plated film in the region irradiated with the laser light (step S4 in FIG. 2).

以下に、基材の平滑面にカップリング剤を付与する工程(図2のステップS11)についてのみ、説明する。その他の工程(図2のステップS1~S4)は、第1の実施形態と同様であり、説明を省略する。 Only the step of applying the coupling agent to the smooth surface of the substrate (step S11 in FIG. 2) will be described below. Other steps (steps S1 to S4 in FIG. 2) are the same as in the first embodiment, and descriptions thereof are omitted.

本実施形態で用いるカップリング剤は特に限定されず、例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミネート系カップリング剤を用いることができ、中でも、シランカップリング剤が好ましい。 The coupling agent used in this embodiment is not particularly limited, and for example, a silane coupling agent, a titanate coupling agent, or an aluminate coupling agent can be used, and among these, the silane coupling agent is preferable.

シランカップリング剤は、その分子内に、無機材料と反応又は相互作用する構造(以下、単に「無機材料と反応する構造」と記載する)と、有機材料と反応又は相互作用する構造(以下、単に「有機材料と反応する構造」と記載する)との両方を有する有機ケイ素化合物である。 A silane coupling agent has, in its molecule, a structure that reacts or interacts with an inorganic material (hereinafter simply referred to as "a structure that reacts with an inorganic material") and a structure that reacts or interacts with an organic material (hereinafter, It is an organosilicon compound having both a structure that reacts with an organic material).

シランカップリング剤の無機材料と反応する構造は、加水分解によりシラノール基を生成する構造(加水分解性シリル基を含む構造)が好ましい。生成したシラノール基が、無機基材と反応又は相互作用する。無機材料と反応する構造は、例えば、ケイ素元素にアルコキシ基、アセトキシ基、塩素原子等のハロゲン原子が結合した構造を含むことが好ましい。 The structure of the silane coupling agent that reacts with the inorganic material is preferably a structure that generates a silanol group by hydrolysis (a structure containing a hydrolyzable silyl group). The generated silanol groups react or interact with the inorganic substrate. The structure that reacts with the inorganic material preferably includes, for example, a structure in which a halogen atom such as an alkoxy group, an acetoxy group, or a chlorine atom is bonded to a silicon element.

シランカップリング剤の有機材料と反応する構造は、エポキシ基、アクリロキシ基、メタクリロキシ基又はスチリル基を有する構造が好ましく、エポキシ基を有する構造がより好ましい。特に、触媒活性妨害剤が式(1)で表されるハイパーブランチポリマーである場合、上記官能基を有するシランカップリング剤は、無機基材と、触媒活性妨害層との密着強度をより高められる。このメカニズムは不明であるが、これらの官能基と、ハイパーブランチポリマーのスチレン骨格が何らかの相互作用をすると推測される。 The structure of the silane coupling agent that reacts with the organic material is preferably a structure having an epoxy group, an acryloxy group, a methacryloxy group, or a styryl group, and more preferably a structure having an epoxy group. In particular, when the catalytic activity hindering agent is a hyperbranched polymer represented by formula (1), the silane coupling agent having the above functional group can further increase the adhesion strength between the inorganic substrate and the catalytic activity hindering layer. . Although this mechanism is unknown, it is speculated that these functional groups interact with the styrene skeleton of the hyperbranched polymer.

シランカップリング剤において、無機材料と反応する構造と有機材料と反応する構造とは、単結合で連結されてもよいし、炭化水素鎖で連結されてもよい。無機材料と反応する構造と有機材料と反応する構造とが、比較的長い炭化水素鎖で連結されると、無機基材と触媒活性妨害層との密着強度をより高め、それを長期間に亘って維持できる。炭化水素鎖は、例えば、炭素数1~12個のアルキレン基であり、炭素数3~8個のアルキレン基が好ましく、炭素数6~8個のアルキレン基がより好ましい。 In the silane coupling agent, the structure that reacts with the inorganic material and the structure that reacts with the organic material may be linked by a single bond or by a hydrocarbon chain. When the structure that reacts with the inorganic material and the structure that reacts with the organic material are linked by a relatively long hydrocarbon chain, the adhesion strength between the inorganic substrate and the catalytic activity hindering layer is increased, and the adhesion strength is maintained over a long period of time. can be maintained The hydrocarbon chain is, for example, an alkylene group having 1 to 12 carbon atoms, preferably an alkylene group having 3 to 8 carbon atoms, and more preferably an alkylene group having 6 to 8 carbon atoms.

シランカップリング剤としては、例えば、下記式(S)で表されるシランカップリング剤を用いてもよい。式(S)で表されるシランカップリング剤は、無機材料と反応する構造(X1~3Si-)と、有機材料と反応する構造(-Y)を有し、これらは、単結合又は炭化水素鎖(-R-)で連結される。

Figure 0007269038000006
式(S)において、
~Xは、全てがアルコキシ基であるか、又は、2つがアルコキシ基であり、残りの1つがアルキル基であり、
Yは、グリシドキシ基、アクリロキシ基(アクリル基)、メタクリロキシ基(メタクリル基)又はスチリル基であり、
Rは、単結合又は炭素数1~12個のアルキレン基である。 As the silane coupling agent, for example, a silane coupling agent represented by the following formula (S) may be used. The silane coupling agent represented by the formula (S) has a structure (X 1-3 Si-) that reacts with an inorganic material and a structure (-Y) that reacts with an organic material, and these are single bonds or Linked by a hydrocarbon chain (-R-).
Figure 0007269038000006
In formula (S),
all of X 1 to X 3 are alkoxy groups, or two are alkoxy groups and the remaining one is an alkyl group;
Y is a glycidoxy group, an acryloxy group (acryl group), a methacryloxy group (methacryl group) or a styryl group;
R is a single bond or an alkylene group having 1 to 12 carbon atoms.

式(S)において、X~Xは、全てがアルコキシ基であることが好ましく、全てがメトキシ基であることがより好ましい。また、Yは、グリシドキシ基であることが好ましく、Rは、炭素数3~8個又は6~8個のアルキレン基であることが好ましい。 In formula (S), all of X 1 to X 3 are preferably alkoxy groups, more preferably all methoxy groups. Y is preferably a glycidoxy group, and R is preferably an alkylene group having 3 to 8 or 6 to 8 carbon atoms.

カップリング剤を付与する方法は特に限定されず、汎用の方法を用いることができる。例えば、溶剤にカップリング剤を溶解させたカップリング剤液を調製し、それを無機基材に塗布してもよし、又は、それに無機基材を浸漬してもよい。具体的な方法としては、ディップコート、スクリーンコート、スプレーコート等が挙げられる。 A method for applying the coupling agent is not particularly limited, and a general-purpose method can be used. For example, a coupling agent solution may be prepared by dissolving a coupling agent in a solvent and applied to the inorganic substrate, or the inorganic substrate may be immersed in it. Specific methods include dip coating, screen coating, spray coating, and the like.

以上説明した本実施形態では、第1の実施形態と同様に、メッキ膜を有する部分と、メッキ膜を有さない部分とのコントラストが明確なメッキ部品を製造できる。また、本実施形態では、カップリング剤を無機基材の平滑面上に付与することで、無機基材(無機材料)と、触媒活性妨害層(有機材料)との密着強度を高められる。これにより、レーザー光を照射していない領域(妨害層が残存している妨害層残存部分)での無電解メッキ膜の析出をより効率的に抑制できる。 In the present embodiment described above, similarly to the first embodiment, a plated component with a clear contrast between the portion having the plating film and the portion not having the plating film can be manufactured. In addition, in the present embodiment, the adhesion strength between the inorganic substrate (inorganic material) and the catalytic activity hindering layer (organic material) can be increased by applying the coupling agent onto the smooth surface of the inorganic substrate. As a result, it is possible to more efficiently suppress the deposition of the electroless plated film in the region not irradiated with the laser beam (interfering layer residual portion where the interfering layer remains).

また、触媒失活剤として、式(1)で表されるハイパーブランチポリマーを用い、カップリング剤がエポキシ基、アクリロキシ基、メタクリロキシ基又はスチリル基を有するシランカップリング剤である場合、シランカップリング剤は、後工程の無電解メッキ工程において(図2のステップS4)、式(1)で表されるハイパーブランチポリマー(触媒活性妨害層)上に無電解メッキ膜が析出することを抑制できる。このメカニズムは以下のように推測される。発明者らの検討によれば、使用するシランカップリング剤の種類によっては、触媒失活剤であるハイパーブランチポリマー上に無電解メッキ膜が析出することがわかった。例えば、アミノ基を含むシランカップリング剤を用いると、無機基材と式(1)で表されるハイパーブランチポリマーとの密着強度は高まるが、触媒失活剤であるハイパーブランチポリマー上に無電解メッキ膜が析出する。これは、シランカップリング剤中のアミノ基がハイパーブランチポリマーと反応し、更に、ハイパーブランチポリマーを介して、その上に付与される無電解メッキ触媒を補足する(トラップする)ためだと考えられる。触媒失活剤であるハイパーブランチポリマーは無電解メッキ触媒を強力に捕捉することにより、無電解メッキ触媒(例えば、パラジウムイオン)が還元されて触媒活性が発現することを阻止する。これに対し、シランカップリング剤中のアミノ基は、比較的弱い力で無電解メッキ触媒を捕捉する。このため、シランカップリング剤に捕捉された無電解メッキ触媒は還元されて、触媒活性が発現し、そこに無電解メッキ膜が析出すると推測される。本発明者らは、シランカップリング剤の有機材料(式(1)で表されるハイパーブランチポリマー)と反応する構造が、エポキシ基、アクリロキシ基、メタクリロキシ基又はスチリル基を含む構造であれば、ハイパーブランチポリマーとは反応するが、無電解メッキ触媒を捕捉し難いことを見出した。このようなシランカップリング剤を用いることにより、無機基材と、式(1)で表されるハイパーブランチポリマーとの密着強度を高めると共に、ハイパーブランチポリマー上に無電解メッキ膜が析出することを抑制できる。尚、以上説明したメカニズムは推測であり、本発明を何ら限定するものではない。また、ハイパーブランチポリマー上に無電解メッキ膜が析出することを抑制する観点から、シランカップリング剤はアミノ基を含まないことが好ましい。 Further, when the hyperbranched polymer represented by the formula (1) is used as the catalyst deactivator, and the coupling agent is a silane coupling agent having an epoxy group, an acryloxy group, a methacryloxy group, or a styryl group, the silane coupling The agent can suppress deposition of an electroless plating film on the hyperbranched polymer (catalytic activity hindering layer) represented by formula (1) in the subsequent electroless plating step (step S4 in FIG. 2). This mechanism is presumed as follows. According to the studies of the inventors, it has been found that an electroless plating film is deposited on the hyperbranched polymer, which is a catalyst deactivator, depending on the type of silane coupling agent used. For example, when a silane coupling agent containing an amino group is used, the adhesion strength between the inorganic substrate and the hyperbranched polymer represented by formula (1) increases, but electroless A plating film is deposited. This is presumably because the amino group in the silane coupling agent reacts with the hyperbranched polymer and further traps (traps) the electroless plating catalyst applied thereon via the hyperbranched polymer. . The hyperbranched polymer, which is a catalyst deactivator, strongly traps the electroless plating catalyst, thereby preventing the electroless plating catalyst (for example, palladium ions) from being reduced and exhibiting catalytic activity. On the other hand, the amino group in the silane coupling agent traps the electroless plating catalyst with a relatively weak force. Therefore, it is presumed that the electroless plating catalyst captured by the silane coupling agent is reduced, the catalytic activity is developed, and an electroless plating film is deposited there. The present inventors have found that if the structure of the silane coupling agent that reacts with the organic material (hyperbranched polymer represented by formula (1)) contains an epoxy group, an acryloxy group, a methacryloxy group or a styryl group, It was found that although it reacts with the hyperbranched polymer, it hardly captures the electroless plating catalyst. By using such a silane coupling agent, the adhesion strength between the inorganic substrate and the hyperbranched polymer represented by formula (1) is increased, and the electroless plating film is prevented from being deposited on the hyperbranched polymer. can be suppressed. It should be noted that the mechanism described above is an assumption, and does not limit the present invention in any way. Moreover, from the viewpoint of suppressing deposition of an electroless plating film on the hyperbranched polymer, the silane coupling agent preferably does not contain an amino group.

以下、実施例及び比較例により本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例及び比較例により制限されない。 EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples and comparative examples, but the present invention is not limited to the following examples and comparative examples.

試料1~34(メッキ部品)を以下のように製造した。尚、試料1~23、33及び34の製造方法は本発明の実施例に相当し、試料24~32の製造方法は本発明の比較例に相当する。 Samples 1-34 (plated parts) were prepared as follows. The methods for producing samples 1 to 23, 33 and 34 correspond to examples of the present invention, and the methods for producing samples 24 to 32 correspond to comparative examples of the present invention.

[試料1]
(1)シランカップリング剤の付与
無機基材として、平板形状の大型スライドガラス(松浪硝子工業株式会社製、S9111、76mm×52mm×厚み0.8~1.0mm)を用意した。レーザー顕微鏡(キーエンス製、VK―9700)を用いて、無機基材の表面の表面粗さ(Ra)を測定した。表面粗さ(Ra)は0.015μmであった。尚、これ以降に記載する、本試料及び他の試料における表面粗さの値は、全て同様の測定方法により測定した値である。
[Sample 1]
(1) Application of Silane Coupling Agent As an inorganic substrate, a large plate-shaped slide glass (manufactured by Matsunami Glass Industry Co., Ltd., S9111, 76 mm×52 mm×thickness 0.8 to 1.0 mm) was prepared. The surface roughness (Ra) of the surface of the inorganic substrate was measured using a laser microscope (Keyence VK-9700). The surface roughness (Ra) was 0.015 μm. The surface roughness values of this sample and other samples described hereinafter are all values measured by the same measuring method.

シランカップリング剤(信越化学工業株式会社製、KBM‐4803)を、エタノール:水=1:1の混合溶剤に添加した。続けて酢酸を添加した。その後、1時間撹拌を実施し、シランカップリング剤液を調製した。調製したシランカップリング剤液に、無機基材を室温で5秒間浸漬し(ディッピング)、その後、110℃の乾燥機中で10分間乾燥した。用いたシランカップリング剤は、式(S)で表されるシランカップリング剤である。 A silane coupling agent (KBM-4803, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was added to a mixed solvent of ethanol:water=1:1. Acetic acid was added subsequently. After that, the mixture was stirred for 1 hour to prepare a silane coupling agent liquid. The inorganic substrate was immersed in the prepared silane coupling agent solution at room temperature for 5 seconds (dipping), and then dried in a dryer at 110° C. for 10 minutes. The silane coupling agent used is a silane coupling agent represented by formula (S).

(2)触媒活性妨害層の形成
シランカップリング剤を付与した基材の表面に、触媒失活剤(触媒活性妨害剤)である下記式(5)で表されるハイパーブランチポリマーの層(触媒活性妨害層)を形成した。式(5)で表されるハイパーブランチポリマーは、国際公開第2018/131492号に開示される方法により合成した。
(2) Formation of catalytic activity hindering layer A hyperbranched polymer layer (catalyst active blocking layer) was formed. A hyperbranched polymer represented by formula (5) was synthesized by the method disclosed in WO2018/131492.

Figure 0007269038000007
Figure 0007269038000007

式(5)で表されるハイパーブランチポリマーは、式(1)で表されるポリマーであり、式(1)において、Aが式(2)で表される基であり;Aが式(3)で表される基であって、R1が単結合であり、R2が水素であり、Rがイソプロピル基であり;Aが式(4)で表されるジチオカルバメート基であり、R及びRがエチル基であり、Rがビニル基又はエチル基である。 The hyperbranched polymer represented by formula (5) is a polymer represented by formula (1), in which A 1 is a group represented by formula ( 2 ); a group represented by (3), wherein R 1 is a single bond, R 2 is hydrogen, and R 3 is an isopropyl group; and A 3 is a dithiocarbamate group represented by formula (4); and R 4 and R 5 are ethyl groups, and R 0 is a vinyl group or an ethyl group.

合成したハイパーブランチポリマーの分子量をGPC(ゲル浸透クロマトグラフィー)で測定した。分子量は、数平均分子量(Mn)=9,946、重量平均分子量(Mw)=24,792であり、ハイパーブランチ構造独特の数平均分子量(Mn)と重量平均分子量(Mw)とが大きく異なった値であった。 The molecular weight of the synthesized hyperbranched polymer was measured by GPC (gel permeation chromatography). The molecular weights were number average molecular weight (Mn) = 9,946 and weight average molecular weight (Mw) = 24,792. was value.

合成した式(5)で表されるポリマーをメチルエチルケトンに溶解して、ポリマー濃度0.5重量%のポリマー溶液を調製した。室温のポリマー溶液に、基材を5秒間浸漬し、その後、100℃乾燥機中で10分間乾燥した。これにより、基材の表面に触媒活性妨害層を形成した。触媒活性妨害層の厚さは、100nmであった。 A polymer solution having a polymer concentration of 0.5% by weight was prepared by dissolving the synthesized polymer represented by the formula (5) in methyl ethyl ketone. The substrate was immersed in the room temperature polymer solution for 5 seconds and then dried in a 100° C. dryer for 10 minutes. This formed a catalytic activity impeding layer on the surface of the substrate. The thickness of the catalytically active impeding layer was 100 nm.

(3)レーザー光照射
触媒活性妨害層を形成した無機基材に、レーザー描画装置(キーエンス製、MD―U1000C、YVOレーザー、波長355nm)を用いて、レーザー強度80%、描画速度300mm/sec、周波数40kHzで、所定のパターン上を1回走査するレーザー描画を行った。本実施例でレーザー描画したパターンは、以下の3種類のパターンである。尚、レーザー描画部の表面粗さ(Ra)は0.016μmであった。
(3) Laser light irradiation Using a laser lithography device (manufactured by Keyence, MD-U1000C, YVO 4 laser, wavelength 355 nm) on an inorganic substrate on which a catalytic activity hindering layer is formed, a laser intensity of 80% and a drawing speed of 300 mm / sec. , and a frequency of 40 kHz, laser drawing was performed by scanning once over a predetermined pattern. The patterns drawn by laser in this embodiment are the following three types of patterns. The surface roughness (Ra) of the laser drawn portion was 0.016 μm.

<レーザー描画パターン>
パターン1:2cm×3cmの長方形のパターン。0.05μm間隔ピッチの直線で塗り潰すようにレーザー描画した。
パターン2:ピッチ100μm、線幅50μm、長さ4cmの複数の直線からなるパターン(即ち、パターンのライン・アンド・スペース(L/S)は、50μm/50μm)
パターン3:ピッチ400μm、線幅200μm、長さ4cmの複数の直線からなるパターン(即ち、パターンのライン・アンド・スペース(L/S)は、200μm/200μm)
<Laser drawing pattern>
Pattern 1: 2 cm x 3 cm rectangular pattern. Laser drawing was performed so as to fill in straight lines with a pitch of 0.05 μm.
Pattern 2: A pattern consisting of a plurality of straight lines with a pitch of 100 μm, a line width of 50 μm, and a length of 4 cm (that is, the line and space (L/S) of the pattern is 50 μm/50 μm).
Pattern 3: A pattern consisting of a plurality of straight lines with a pitch of 400 μm, a line width of 200 μm, and a length of 4 cm (that is, the line and space (L/S) of the pattern is 200 μm/200 μm)

(4)触媒付与の前処理
前処理液として、重量平均分子量70,000のポリエチレンイミン(PEI)(和光純薬製)の水溶液を調製した(ポリエチレンイミンの配合量(固形分濃度):30g/L)。室温の前処理液に、無機基材を5分間浸漬し、その後、十分に水洗した。
(4) Pretreatment for Catalyst Application As a pretreatment liquid, an aqueous solution of polyethyleneimine (PEI) (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) having a weight average molecular weight of 70,000 was prepared (polyethyleneimine content (solid concentration): 30 g/ L). The inorganic substrate was immersed in the pretreatment liquid at room temperature for 5 minutes, and then thoroughly washed with water.

(5)無電解メッキ触媒の付与
室温の塩化パラジウム(PdCl)水溶液(奥野製薬工業製、アクチベータ)に無機基材を2分浸漬し、その後、十分に水洗した。
(5) Application of Electroless Plating Catalyst An inorganic substrate was immersed in a room temperature palladium chloride (PdCl 2 ) aqueous solution (manufactured by Okuno Chemical Industry Co., Ltd., Activator) for 2 minutes, and then thoroughly washed with water.

(6)無電解メッキ
65℃に調整した無電解ニッケルリンメッキ液(奥野製薬工業製、トップニコロンLTN)に、無電解メッキ触媒を付与した無機基材を15分浸漬して、無機基材の表面に無電解ニッケルリンメッキ膜を1μm成長させた。以上説明した製造方法により、試料1(メッキ部品)を得た。
(6) Electroless plating An inorganic substrate provided with an electroless plating catalyst is immersed in an electroless nickel phosphorous plating solution (manufactured by Okuno Chemical Industry Co., Ltd., Top Nicolon LTN) adjusted to 65°C for 15 minutes. An electroless nickel phosphorous plating film was grown to a thickness of 1 μm on the surface of the substrate. Sample 1 (plated component) was obtained by the manufacturing method described above.

[試料2]~[試料7]
レーザー光照射条件(レーザー描画条件)を表1に示すように変更した以外は、試料1と同様の方法により試料2~7を製造した。尚、試料6及び7の製造には、レーザー描画装置(パナソニックデバイスSUNX製、LP-300、波長:10.6μm)を用いてレーザー描画を行った。
[Sample 2] to [Sample 7]
Samples 2 to 7 were produced in the same manner as Sample 1, except that the laser beam irradiation conditions (laser drawing conditions) were changed as shown in Table 1. In the production of Samples 6 and 7, laser drawing was performed using a laser drawing apparatus (LP-300, manufactured by Panasonic Devices SUNX, wavelength: 10.6 μm).

[無電解メッキの評価1]
試料1~7の表面に形成されたメッキ膜パターンを目視により観察し、以下の評価基準に基づいて評価した。評価結果を表1に示す。
[Evaluation 1 of electroless plating]
The plating film patterns formed on the surfaces of samples 1 to 7 were visually observed and evaluated according to the following evaluation criteria. Table 1 shows the evaluation results.

<評価基準>
◎:レーザー描画パターン1~3のみに無電解メッキ膜が形成されており、それ以外の領域では無電解メッキ膜は析出しなかった。
○:レーザー描画パターン1~3に加えて、パターン2及び3の細線の間及び周囲に部分的に無電解メッキ膜が析出していた。
△:レーザー描画パターン1~3に加えて、パターン2及び3の細線の間及び周囲に部分的に無電解メッキ膜が析出し、更に、その他の非レーザー描画部にも部分的に(飛び地的に)無電解メッキ膜が析出していた。
×:無機基材の全面にメッキ膜が析出した。
<Evaluation Criteria>
⊚: An electroless plating film was formed only in the laser drawing patterns 1 to 3, and no electroless plating film was deposited in the other regions.
◯: In addition to the laser-drawn patterns 1 to 3, the electroless plating film was partially deposited between and around the fine lines of the patterns 2 and 3.
△: In addition to the laser-drawn patterns 1 to 3, the electroless plated film is partially deposited between and around the fine lines of the patterns 2 and 3, and also partially in other non-laser-drawn parts (outliers 2) An electroless plating film was deposited.
x: A plating film was deposited on the entire surface of the inorganic substrate.

Figure 0007269038000008
*試料1~7に用いたシランカップリング剤:信越化学工業株式会社製、KBM‐4803、グリシドキシオクチルトリメトキシシラン、式(S)において、Yがグリシドキシ基(エポキシ基を含む基)、Rが炭素数8個のアルキレン基
Figure 0007269038000008
* Silane coupling agent used for samples 1 to 7: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM-4803, glycidoxyoctyltrimethoxysilane, in formula (S), Y is a glycidoxy group (group containing an epoxy group), R is an alkylene group having 8 carbon atoms

[試料8]~[試料10]
シランカップリング剤の種類を表2に示すものに変更した以外は、試料1と同様の方法により、試料8~10を製造した。用いたシランカップリング剤は、式(S)で表されるシランカップリング剤である。製造した試料8~10について、試料1と同様に、無電解メッキの評価1を行った。結果を表2に示す。
[Sample 8] to [Sample 10]
Samples 8 to 10 were produced in the same manner as Sample 1, except that the type of silane coupling agent was changed to those shown in Table 2. The silane coupling agent used is a silane coupling agent represented by Formula (S). Electroless plating evaluation 1 was performed on the manufactured samples 8 to 10 in the same manner as sample 1. Table 2 shows the results.

Figure 0007269038000009
*試料8~10のレーザー描画条件は、試料1と同様(レーザー光波長:355nm)
1)信越化学工業株式会社製、p‐スチリルトリメトキシシラン
2)信越化学工業株式会社製、3‐メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン
3)信越化学工業株式会社製、3‐グリシドキシプロピルトリエトキシシラン
Figure 0007269038000009
* Laser drawing conditions for samples 8 to 10 are the same as for sample 1 (laser light wavelength: 355 nm)
1) p-styryltrimethoxysilane, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 2) 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 3) 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

[試料11]~[試料17]
無機基材として、アルミナ製セラミックスプレート(株式会社廣杉計器製、CRP-0505-10)を用い、レーザー光照射条件(レーザー描画条件)を表3に示すように変更した以外は、試料1と同様の方法により、試料11~17を製造した。試料11~17に用いた無機基材の表面の表面粗さ(Ra)は、0.421μmであった。製造した試料11~17について、試料1と同様に、無電解メッキの評価1を行った。結果を表3に示す。
[Sample 11] to [Sample 17]
As an inorganic substrate, an alumina ceramic plate (manufactured by Hirosugi Keiki Co., Ltd., CRP-0505-10) was used, and the laser light irradiation conditions (laser drawing conditions) were changed as shown in Table 3. Sample 1 and Samples 11-17 were produced in a similar manner. The surface roughness (Ra) of the surfaces of the inorganic substrates used for Samples 11 to 17 was 0.421 μm. Electroless plating evaluation 1 was performed on the manufactured samples 11 to 17 in the same manner as sample 1. Table 3 shows the results.

Figure 0007269038000010
*試料11~17に用いたシランカップリング剤:信越化学工業株式会社製、KBM‐4803、グリシドキシオクチルトリメトキシシラン、式(S)において、Yがグリシドキシ基(エポキシ基を含む基)、Rが炭素数8個のアルキレン基
Figure 0007269038000010
* Silane coupling agent used for samples 11 to 17: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM-4803, glycidoxyoctyltrimethoxysilane, in formula (S), Y is a glycidoxy group (group containing an epoxy group), R is an alkylene group having 8 carbon atoms

[試料18]~[試料20]
無機基材として、アルミナ製セラミックスプレート(株式会社廣杉計器製、CRP-0505-10)を用い、シランカップリング剤の種類を表4に示すものに変更した以外は、試料1と同様の方法により、試料18~20を製造した。用いたシランカップリング剤は、式(S)で表されるシランカップリング剤である。製造した試料18~20について、試料1と同様に、無電解メッキの評価1を行った。結果を表4に示す。
[Sample 18] to [Sample 20]
As the inorganic substrate, an alumina ceramic plate (manufactured by Hirosugi Keiki Co., Ltd., CRP-0505-10) was used, and the type of silane coupling agent was changed to those shown in Table 4. The same method as in sample 1. Samples 18-20 were produced by. The silane coupling agent used is a silane coupling agent represented by Formula (S). Electroless plating evaluation 1 was performed on the manufactured samples 18 to 20 in the same manner as sample 1. Table 4 shows the results.

[試料21]
無機基材として、アルミナ製セラミックスプレート(株式会社廣杉計器製、CRP-0505-10)を用い、カップリング剤として、チタネート系カップリング剤(味の素ファインテクノ製、プレンアクト338X)を用いた以外は、試料1と同様の方法により、試料21を製造した。
[Sample 21]
As an inorganic base material, an alumina ceramic plate (manufactured by Hirosugi Keiki Co., Ltd., CRP-0505-10) was used, and as a coupling agent, a titanate-based coupling agent (manufactured by Ajinomoto Fine-Techno, Plenact 338X) was used. , Sample 21 was prepared in the same manner as Sample 1.

(1)カップリング剤の付与
チタネート系カップリング剤を、メチルエチルケトンに添加して1時間撹拌し、カップリング剤液を調製した。調製したカップリング剤液に、無機基材(アルミナ)を室温で5秒間浸漬し(ディッピング)、その後、110℃の乾燥機中で10分間乾燥した。
(1) Application of Coupling Agent A titanate-based coupling agent was added to methyl ethyl ketone and stirred for 1 hour to prepare a coupling agent liquid. An inorganic substrate (alumina) was immersed in the prepared coupling agent solution at room temperature for 5 seconds (dipping), and then dried in a drier at 110° C. for 10 minutes.

(2)その後、試料1と同様の方法により、触媒活性妨害層の形成、レーザー光照射、触媒付与の前処理、無電解メッキ触媒の付与、及び無電解メッキを行い、試料21を製造した。製造した試料21について、試料1と同様に、無電解メッキの評価1を行った。結果を表4に示す。 (2) Then, in the same manner as in sample 1, formation of a catalytic activity hindering layer, laser light irradiation, pretreatment for catalyst application, electroless plating catalyst application, and electroless plating were performed to produce sample 21. Electroless plating evaluation 1 was performed on the manufactured sample 21 in the same manner as the sample 1. Table 4 shows the results.

Figure 0007269038000011
*試料18~21のレーザー描画条件は、試料1と同様(レーザー光波長:355nm)
1)信越化学工業株式会社製、p‐スチリルトリメトキシシラン
2)信越化学工業株式会社製、3‐メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン
3)信越化学工業株式会社製、3‐グリシドキシプロピルトリエトキシシラン
4)味の素ファインテクノ製、チタネート系カップリング剤
Figure 0007269038000011
* Laser drawing conditions for samples 18 to 21 are the same as for sample 1 (laser light wavelength: 355 nm)
1) p-styryltrimethoxysilane, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 2) 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 3) 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 4) Ajinomoto Fine-Techno Co., Ltd. Titanate Coupling Agent

[試料22]
無機基材として、硼珪酸ガラス時計皿(ショット社製、DURAN、直径80mm)を用い、レーザー描画パターンを変更した以外は、試料1と同様の方法により、試料22を製造した。試料22では、無機基材の立体的な面上にメッキ膜を形成した。
[Sample 22]
Sample 22 was produced in the same manner as Sample 1, except that a borosilicate glass watch glass (manufactured by Schott, DURAN, diameter 80 mm) was used as the inorganic substrate, and the laser drawing pattern was changed. In sample 22, a plated film was formed on the three-dimensional surface of the inorganic substrate.

(1)試料1と同様の方法により、シランカップリング剤の付与、及び触媒活性妨害層の形成を行った。 (1) By the same method as sample 1, a silane coupling agent was applied and a catalytic activity hindering layer was formed.

(2)レーザー光照射
試料22では、無機基材の立体的な面上にレーザー描画をするため、描画パターンの平面図を無機基材の立体図形データを合わせて、3次元描画用データを作成した。作成した3次元描画用データを用いて、無機基材上をレーザー描画した。レーザー描画に用いた装置、レーザー描画条件は、試料1と同様である。また、試料22で用いた描画パターンの平面図は、試料1の描画パターンと同様である。
(2) Laser Light Irradiation In Sample 22, since laser drawing is performed on the three-dimensional surface of the inorganic base material, three-dimensional drawing data is created by combining the plan view of the drawing pattern with the three-dimensional figure data of the inorganic base material. bottom. Laser drawing was performed on the inorganic base material using the created three-dimensional drawing data. The device and laser drawing conditions used for laser drawing are the same as those for Sample 1. Also, the plan view of the drawing pattern used for the sample 22 is the same as the drawing pattern for the sample 1. FIG.

(3)その後、試料1と同様の方法により、触媒付与の前処理、無電解メッキ触媒の付与、及び無電解メッキを行い、試料22を製造した。製造した試料22について、試料1と同様に、無電解メッキの評価1を行った。結果を表5に示す。 (3) After that, pretreatment for catalyst application, electroless plating catalyst application, and electroless plating were performed in the same manner as for sample 1, and sample 22 was manufactured. Electroless plating evaluation 1 was performed on the manufactured sample 22 in the same manner as the sample 1. Table 5 shows the results.

[試料23]
原基材上に平滑層を設けた無機基材を製造し、製造した無機基材を用いて試料23(メッキ部品)を製造した。
[Sample 23]
An inorganic base material was produced by providing a smooth layer on an original base material, and Sample 23 (plated part) was produced using the produced inorganic base material.

(1)無機基材の製造
原基材として、アルミナ板(アズワン株式会社製)を用意した。現基材の表面粗さ(Ra)は、1.12μmであった。
(1) Production of Inorganic Substrate An alumina plate (manufactured by AS ONE Corporation) was prepared as a raw substrate. The surface roughness (Ra) of the current substrate was 1.12 μm.

次に、アルミナ板上に、以下に説明するゾルゲル法により、平滑層を形成した。まず、オルトケイ酸テトラエチル(東京化成工業製)25gをエタノール37.6mLに滴下し、撹拌した。更に、撹拌しつつ、水23.8g、酢酸0.3gを順に滴下した。その後、3時間撹拌し、オルトケイ酸テトラエチル溶液を得た。原基材を調製した溶液に室温で5秒間ディッピングし、その後、110℃乾燥機中で30分間乾燥した。これにより、原基材(アルミナ)表面に、平滑層(SiO)を形成した。平滑層の表面(平滑面)の表面粗さ(Ra)は、0.326μmであった。 Next, a smooth layer was formed on the alumina plate by the sol-gel method described below. First, 25 g of tetraethyl orthosilicate (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) was added dropwise to 37.6 mL of ethanol and stirred. Furthermore, while stirring, 23.8 g of water and 0.3 g of acetic acid were added dropwise in order. After that, the mixture was stirred for 3 hours to obtain a tetraethyl orthosilicate solution. The original substrate was dipped in the prepared solution at room temperature for 5 seconds and then dried in a 110° C. dryer for 30 minutes. As a result, a smooth layer (SiO 2 ) was formed on the surface of the raw substrate (alumina). The surface roughness (Ra) of the smooth layer surface (smooth surface) was 0.326 μm.

(2)その後、試料1と同様の方法により、シランカップリング剤の付与、触媒活性妨害層の形成を行った。 (2) Thereafter, a silane coupling agent was applied and a catalytic activity hindering layer was formed in the same manner as in Sample 1.

(3)レーザー光照射
触媒活性妨害層を形成した無機基材に、レーザー描画装置(キーエンス製、MD―U1000C、YVOレーザー、波長355nm)を用いて、レーザー強度80%、描画速度150mm/sec、周波数40kHzで、所定のパターン上を1回走査するレーザー描画を行った。描画したパターンは、試料1と同様である。
(3) Laser light irradiation Using a laser drawing device (manufactured by Keyence, MD-U1000C, YVO 4 laser, wavelength 355 nm) on an inorganic substrate formed with a catalytic activity hindering layer, the laser intensity is 80% and the drawing speed is 150 mm / sec. , and a frequency of 40 kHz, laser drawing was performed by scanning once over a predetermined pattern. The drawn pattern is the same as that of Sample 1.

(4)その後、試料1と同様に方法により、触媒付与の前処理、無電解メッキ触媒の付与、及び無電解メッキを行い、試料23を製造した。製造した試料23について、試料1と同様に、無電解メッキの評価1を行った。結果を表5に示す。 (4) After that, pretreatment for applying a catalyst, applying an electroless plating catalyst, and electroless plating were performed in the same manner as for sample 1, and sample 23 was manufactured. Electroless plating evaluation 1 was performed on the manufactured sample 23 in the same manner as the sample 1. Table 5 shows the results.

Figure 0007269038000012
5)信越化学工業株式会社製、グリシドキシオクチルトリメトキシシラン、式(S)において、Yがグリシドキシ基(エポキシ基を含む基)、Rが炭素数8個のアルキレン基
Figure 0007269038000012
5) Glycidoxyoctyltrimethoxysilane manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. In formula (S), Y is a glycidoxy group (group containing an epoxy group), and R is an alkylene group having 8 carbon atoms.

[試料24]~[試料27]
無機基材として、アルミナ板(アズワン株式会社製)を用い、レーザー光照射条件(レーザー描画条件)を表6に示すように変更した以外は、試料1と同様の方法により、試料24~27を製造した。試料24~27に用いた無機基材の表面の表面粗さ(Ra)は、1.12μmであった。製造した試料24~27について、試料1と同様に、無電解メッキの評価1を行った。結果を表6に示す。
[Sample 24] to [Sample 27]
Samples 24 to 27 were prepared in the same manner as Sample 1, except that an alumina plate (manufactured by AS ONE Corporation) was used as the inorganic substrate, and the laser light irradiation conditions (laser drawing conditions) were changed as shown in Table 6. manufactured. The surface roughness (Ra) of the surface of the inorganic base material used for Samples 24 to 27 was 1.12 μm. Electroless plating evaluation 1 was performed on the manufactured samples 24 to 27 in the same manner as sample 1. Table 6 shows the results.

Figure 0007269038000013
*試料24~27に用いたシランカップリング剤:信越化学工業株式会社製、KBM‐4803、グリシドキシオクチルトリメトキシシラン、式(S)において、Yがグリシドキシ基(エポキシ基を含む基)、Rが炭素数8個のアルキレン基
Figure 0007269038000013
* Silane coupling agent used for samples 24 to 27: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM-4803, glycidoxyoctyltrimethoxysilane, in formula (S), Y is a glycidoxy group (group containing an epoxy group), R is an alkylene group having 8 carbon atoms

[試料28]~[試料30]
無機基材として、アルミナ板(アズワン株式会社製)を用い、シランカップリング剤の種類を表7に示すものに変更した以外は、試料1と同様の方法により、試料28~30を製造した。試料28~30に用いた無機基材の表面の表面粗さ(Ra)は、1.12μmであった。試料28~30に用いたシランカップリング剤は、式(S)で表されるシランカップリング剤である。製造した試料28~30について、試料1と同様に、無電解メッキの評価1を行った。結果を表7に示す。
[Sample 28] to [Sample 30]
Samples 28 to 30 were produced in the same manner as Sample 1 except that an alumina plate (manufactured by AS ONE Corporation) was used as the inorganic substrate and the type of silane coupling agent was changed to those shown in Table 7. The surface roughness (Ra) of the surface of the inorganic base material used for Samples 28-30 was 1.12 μm. The silane coupling agent used for Samples 28 to 30 is a silane coupling agent represented by formula (S). Electroless plating evaluation 1 was performed on the manufactured samples 28 to 30 in the same manner as sample 1. Table 7 shows the results.

[試料31]
無機基材として、アルミナ板(アズワン株式会社製)を用い、カップリング剤として、チタネート系カップリング剤(味の素ファインテクノ製、プレンアクト338X)を用いた以外は、試料1と同様の方法により、試料31を製造した。試料31に用いた無機基材の表面の表面粗さ(Ra)は、1.12μmであった。
[Sample 31]
A sample was prepared in the same manner as in Sample 1, except that an alumina plate (manufactured by AS ONE Co., Ltd.) was used as the inorganic substrate and a titanate-based coupling agent (Plenact 338X, manufactured by Ajinomoto Fine-Techno Co., Ltd.) was used as the coupling agent. 31 was produced. The surface roughness (Ra) of the inorganic substrate used for Sample 31 was 1.12 μm.

(1)カップリング剤の付与
試料21と同様の方法により、チタネート系カップリング剤を無機基材に付与した。
(1) Application of Coupling Agent A titanate-based coupling agent was applied to the inorganic substrate in the same manner as in Sample 21.

(2)その後、試料1と同様の方法により、触媒活性妨害層の形成、レーザー光照射、触媒付与の前処理、無電解メッキ触媒の付与、及び無電解メッキを行い、試料31を製造した。製造した試料31について、試料1と同様に、無電解メッキの評価1を行った。結果を表7に示す。 (2) After that, in the same manner as for sample 1, formation of a catalytic activity hindering layer, laser light irradiation, pretreatment for catalyst application, electroless plating catalyst application, and electroless plating were performed to produce sample 31. Electroless plating evaluation 1 was performed on the manufactured sample 31 in the same manner as the sample 1. Table 7 shows the results.

Figure 0007269038000014
*試料28~31のレーザー描画条件は、試料1と同様(レーザー光波長:355nm)
1)信越化学工業株式会社製、p‐スチリルトリメトキシシラン
2)信越化学工業株式会社製、3‐メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン
3)信越化学工業株式会社製、3‐グリシドキシプロピルトリエトキシシラン
4)味の素ファインテクノ製、チタネート系カップリング剤
Figure 0007269038000014
* Laser drawing conditions for samples 28 to 31 are the same as for sample 1 (laser light wavelength: 355 nm)
1) p-styryltrimethoxysilane, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 2) 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 3) 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 4) Ajinomoto Fine-Techno Co., Ltd. Titanate Coupling Agent

[試料32]
触媒活性妨害層を設けなかった以外は、試料1と同様の方法により、試料32を製造した。製造した試料32について、試料1と同様に、無電解メッキの評価1を行った。評価結果は、不良であった(評価結果:△)。
[Sample 32]
Sample 32 was produced in the same manner as Sample 1, except that no catalytic activity hindering layer was provided. Electroless plating evaluation 1 was performed on the manufactured sample 32 in the same manner as the sample 1. The evaluation result was unsatisfactory (evaluation result: Δ).

[試料1~32についての考察]
表1~5に示すように、基材の平滑面の表面粗さが1μm以下である試料1~23は、無電解メッキの評価1の結果が良好であった。即ち、試料1~23では、所定領域以外での無電解メッキ膜の析出を抑制し、所定領域のみに無電解メッキ膜を形成できた。試料1~23では、表面粗さ(Ra)の小さい平滑面上に触媒活性妨害層が形成されるため、膜厚が薄い触媒活性妨害層であっても基材表面を均一に覆うことができ、無電解メッキ膜の析出を十分に抑制できたと推測される。一方、表6~7に示すように、基材の表面の表面粗さが1μmを超える試料24~試料31では、無電解メッキの評価結果1が不良であり、基材全面にメッキが析出してしまった。試料24~31では、無機基材の表面の表面粗さが大きいため、触媒活性妨害層に基材表面が露出する欠陥が生じ、欠陥に無電解メッキ膜が析出したと推測される。
[Discussion on Samples 1 to 32]
As shown in Tables 1 to 5, Samples 1 to 23, in which the smooth surface of the substrate had a surface roughness of 1 μm or less, gave good results in evaluation 1 of electroless plating. That is, in samples 1 to 23, deposition of the electroless plated film was suppressed in areas other than the predetermined area, and the electroless plated film could be formed only in the predetermined area. In samples 1 to 23, the catalytic activity hindering layer is formed on a smooth surface with a small surface roughness (Ra), so even with a thin catalytic activity hindering layer, the substrate surface can be uniformly covered. , it is presumed that the deposition of the electroless plating film could be sufficiently suppressed. On the other hand, as shown in Tables 6 and 7, in samples 24 to 31 in which the surface roughness of the substrate surface exceeds 1 μm, the evaluation result 1 of electroless plating is poor, and plating is deposited on the entire surface of the substrate. It's gone. In Samples 24 to 31, since the surface roughness of the inorganic base material was large, it is presumed that the catalyst activity hindering layer had a defect that exposed the base material surface, and the electroless plating film was deposited on the defect.

また、触媒活性妨害層を設けなった試料32は、無電解メッキの評価1の結果が不良であった。この原因は次のように推測される。試料32において、シランカップリング剤が付与された無機基材表面は疎水性となるため、水性であるメッキ触媒液、メッキ液と馴染みが悪い。このため、無機基材全面に無電解メッキ膜が形成されることはなかった。しかし、シランカップリング剤のみでは、無電解メッキ膜の析出を十分に抑制することは困難であり、パターン2及び3の細線の間やその周囲、更に、その他の非レーザー描画部にも部分的に(飛び地的に)無電解メッキ膜が析出したと推測される。 In addition, Sample 32, in which no catalytic activity hindering layer was provided, gave a poor result in evaluation 1 of electroless plating. The reason for this is presumed as follows. In Sample 32, the surface of the inorganic base material to which the silane coupling agent was applied is hydrophobic, so it is not compatible with water-based plating catalyst liquids and plating liquids. Therefore, no electroless plating film was formed on the entire surface of the inorganic substrate. However, with only the silane coupling agent, it is difficult to sufficiently suppress the deposition of the electroless plating film, and it is partially found between and around the fine lines of the patterns 2 and 3, and also in other non-laser drawing areas. It is presumed that an electroless plated film was deposited on the surface (in an enclave).

レーザー描画条件が異なり、その他の条件が同一である試料1~7を比較する。試料1~7は、ガラス基材を用いている。表1に示すように、レーザー光波長が200nm~380nm(紫外光、355nm)である試料1~5は、レーザー光波長が上記範囲外である試料6及び7と比較して、レーザー描画部の表面粗さが小さかった。この原因は、上記範囲の波長の光(例えば、紫外光)を式(1)で表されるハイパーブランチポリマーは吸収するが、ガラスは吸収し難いためだと推測される。試料1~5では、ガラス基材をあまり粗化することなく、ハイパーブランチポリマー層(触媒活性妨害層)を除去することができた。 Samples 1 to 7 having different laser drawing conditions and the same other conditions are compared. Samples 1 to 7 use glass substrates. As shown in Table 1, Samples 1 to 5 with laser light wavelengths of 200 nm to 380 nm (ultraviolet light, 355 nm) had higher laser-drawn portions than Samples 6 and 7 with laser light wavelengths outside the above range. The surface roughness was small. The reason for this is presumed to be that the hyperbranched polymer represented by the formula (1) absorbs light (for example, ultraviolet light) having a wavelength in the above range, whereas glass hardly absorbs it. In samples 1 to 5, the hyperbranched polymer layer (catalytic activity hindering layer) could be removed without significantly roughening the glass substrate.

カップリング剤の種類が異なり、その他の条件が同一の試料18~21を比較する。シランカップリング剤を用いた試料18~20は、チタネート系カップリング剤を用いた試料21よりも、無電解メッキの評価1の結果が良好であった。 Samples 18 to 21 having different types of coupling agents and having the same other conditions are compared. Samples 18 to 20 using the silane coupling agent gave better results in evaluation 1 of electroless plating than sample 21 using the titanate coupling agent.

[無電解メッキ評価2]
シランカップリング剤の種類が異なり、それ以外の条件が同一である試料1及び10に対して、以下の評価を行った。試料1及び10に用いたシランカップリング剤は共に、式(S)で表されるシランカップリング剤である。試料1で用いたシランカップリング剤は、式(S)におけるRが、炭素数8個のアルキレン基であり、試料10で用いたシランカップリング剤は、式(S)におけるRが、炭素数3個のアルキレン基である。
[Evaluation of electroless plating 2]
Samples 1 and 10 having different types of silane coupling agents and having the same other conditions were evaluated as follows. The silane coupling agents used for samples 1 and 10 are both silane coupling agents represented by formula (S). In the silane coupling agent used in sample 1, R in formula (S) is an alkylene group having 8 carbon atoms, and in the silane coupling agent used in sample 10, R in formula (S) is a carbon number 3 alkylene groups.

<評価試料の作製>
試料1及び10の製造過程において、無機基材上に触媒活性妨害層を形成した状態で、室温で1週間放置した。放置後、レーザー光の照射、触媒付与の前処理、無電解メッキ触媒の付与、及び無電解メッキを行い、試料1及び10それぞれに対応する、評価試料を製造した。
<Preparation of evaluation sample>
In the process of manufacturing Samples 1 and 10, the inorganic substrate was allowed to stand at room temperature for one week with the catalytic activity hindering layer formed thereon. After the standing, laser light irradiation, pretreatment for catalyst application, electroless plating catalyst application, and electroless plating were performed to produce evaluation samples corresponding to samples 1 and 10, respectively.

<評価方法>
評価試料の表面に形成されたメッキ膜パターンを目視により観察し、無電解メッキの評価1と同様の評価基準に基づいて評価した。無電解メッキの評価1の結果と併せて、無電解メッキの評価2の結果を表8に示す。
<Evaluation method>
The plating film pattern formed on the surface of the evaluation sample was visually observed and evaluated based on the same evaluation criteria as evaluation 1 of electroless plating. Table 8 shows the results of evaluation 2 of electroless plating together with the results of evaluation 1 of electroless plating.

Figure 0007269038000015
5)信越化学工業株式会社製、グリシドキシオクチルトリメトキシシラン
3)信越化学工業株式会社製、3‐グリシドキシプロピルトリエトキシシラン
Figure 0007269038000015
5) Glycidoxyoctyltrimethoxysilane, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 3) 3-Glycidoxypropyltriethoxysilane, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

表8に示すように、試料1は、無電解メッキの評価1及び2共に結果が良好であった(評価結果:○)。試料1で用いたシランカップリング剤は、無機材料と反応する構造と、有機材料と反応する構造とを連結する炭化水素鎖(式(S)におけるR)が比較的長いため、無機基材と触媒活性妨害層との密着強度がより高まり、且つそれを長期間に亘って維持できたと推測される。 As shown in Table 8, sample 1 had good results in both evaluations 1 and 2 of electroless plating (evaluation result: ◯). The silane coupling agent used in Sample 1 has a relatively long hydrocarbon chain (R in the formula (S)) connecting the structure that reacts with the inorganic material and the structure that reacts with the organic material. It is presumed that the strength of adhesion to the catalytic activity hindrance layer was increased and that it could be maintained for a long period of time.

一方、試料10は、パターン2及び3の細線の間やその周囲、更に、その他の非レーザー描画部にも部分的に(飛び地的に)無電解メッキ膜が析出した(評価結果:△)。試料10で用いたシランカップリング剤は、式(S)におけるRが試料1と比較して短い。このため、試料10は、試料1と比較すると無機基材と触媒活性妨害層との密着強度がやや弱く、触媒活性妨害層の形成から時間が経過すると、十分な密着強度が維持できなかった推測される。 On the other hand, in sample 10, an electroless plating film was deposited partially (in an enclave) between and around the fine lines of patterns 2 and 3, and also on other non-laser-drawn portions (evaluation result: Δ). The silane coupling agent used in sample 10 has a shorter R in formula (S) than sample 1. For this reason, in sample 10, the adhesion strength between the inorganic substrate and the catalytic activity hindering layer was slightly weaker than in sample 1, and it is presumed that sufficient adhesion strength could not be maintained as time passed after the formation of the catalytic activity hindering layer. be done.

[試料33]
製造したメッキ部品から、触媒活性妨害層を除去して、試料33を製造した。まず、試料1と同様の方法によりメッキ部品を製造した。製造したメッキ部品をメチルエチルケトン(洗浄液)に浸漬し、超音波を15分印加し洗浄した。これにより、触媒活性妨害層は除去された試料33を得た。
[Sample 33]
Sample 33 was produced by removing the catalytically active impeding layer from the produced plated part. First, a plated part was manufactured in the same manner as for Sample 1. The manufactured plated parts were immersed in methyl ethyl ketone (cleaning liquid) and cleaned by applying ultrasonic waves for 15 minutes. This gave sample 33 from which the catalytic activity hindering layer was removed.

[試料34]
製造したメッキ部品から、触媒活性妨害層を除去して、試料34を製造した。触媒活性妨害剤を除去するための洗浄液として、プロピレングリコールモノメチルエーテルを用いた以外は、試料33と同様の方法により、試料34を製造した。
[Sample 34]
Sample 34 was produced by removing the catalytically active impeding layer from the produced plated part. A sample 34 was produced in the same manner as the sample 33, except that propylene glycol monomethyl ether was used as a cleaning liquid for removing the catalytic activity inhibitor.

[試料33及び34の評価]
走査型電子顕微鏡‐エネルギー分散型X線分光法(SEM-EDX)により、触媒活性妨害層を除去する前後において、試料33及び34における、式(1)で表されるハイパーブランチポリマー中に含まれる硫黄元素の検出を行った。この結果、試料33及び34において、洗浄前に検出された硫黄元素が洗浄後には検出されなかった。これにより、洗浄により、ハイパーブランチポリマー(触媒活性妨害層)が除去されたことが確認できた。
[Evaluation of Samples 33 and 34]
contained in the hyperbranched polymer represented by formula (1) in samples 33 and 34 before and after removing the catalytic activity hindering layer by scanning electron microscopy-energy dispersive X-ray spectroscopy (SEM-EDX) Sulfur element was detected. As a result, in Samples 33 and 34, elemental sulfur detected before cleaning was not detected after cleaning. This confirmed that the hyperbranched polymer (catalytic activity hindering layer) was removed by washing.

本発明のメッキ部品の製造方法によれば、ガラス、セラミックス等の無機基材において、所定領域以外での無電解メッキ膜の析出を抑制し、所定領域のみに無電解メッキ膜を形成できる。本発明のメッキ部品の製造方法により、高い絶縁性と放熱性を有する電子部品を製造できる。 According to the method of manufacturing a plated component of the present invention, deposition of an electroless plated film on an inorganic base material such as glass or ceramics can be suppressed in areas other than a predetermined area, and an electroless plated film can be formed only in a predetermined area. Electronic parts having high insulation and heat dissipation properties can be produced by the method for producing plated parts of the present invention.

Claims (8)

メッキ部品の製造方法であって、
表面粗さ(Ra)が1μm以下である平滑面を有する無機基材の前記平滑面上に、触媒失活剤を含む触媒活性妨害層を形成することと、
前記基材上の前記触媒活性妨害層の一部にレーザー光を照射することと、
前記レーザー光を照射した無機基材の表面に無電解メッキ触媒を付与することと、
前記無電解メッキ触媒を付与した無機基材の表面に無電解メッキ液を接触させ、前記レーザー光を照射した領域に無電解メッキ膜を形成することと
前記触媒活性妨害層を形成する前に、前記無機基材の前記平滑面上にカップリング剤を付与することとを含む、メッキ部品の製造方法。
A method for manufacturing a plated component,
forming a catalytic activity hindering layer containing a catalyst deactivator on the smooth surface of an inorganic substrate having a smooth surface with a surface roughness (Ra) of 1 μm or less;
irradiating a portion of the catalytic activity hindering layer on the substrate with a laser beam;
Applying an electroless plating catalyst to the surface of the inorganic substrate irradiated with the laser beam;
bringing an electroless plating solution into contact with the surface of the inorganic substrate to which the electroless plating catalyst has been applied to form an electroless plating film on the region irradiated with the laser light ;
and applying a coupling agent onto the smooth surface of the inorganic substrate prior to forming the catalytically active impeding layer.
前記無電解メッキ膜を形成した後に、前記無機基材の表面に溶剤を接触させて、前記無機基材の表面から前記触媒活性妨害層を除去することを更に含む、請求項1に記載のメッキ部品の製造方法。 2. The plating according to claim 1, further comprising, after forming the electroless plating film, contacting the surface of the inorganic substrate with a solvent to remove the catalytic activity hindering layer from the surface of the inorganic substrate. How the parts are made. 前記無機基材が、その表面に、前記平滑面を形成する平滑層を有する、請求項1又は2に記載のメッキ部品の製造方法。 3. The method of manufacturing a plated component according to claim 1, wherein the inorganic substrate has a smooth layer forming the smooth surface on its surface. 前記カップリング剤が、エポキシ基、アクリロキシ基、メタクリロキシ基又はスチリル基を含むシランカップリング剤である、請求項1~3のいずれか一項に記載のメッキ部品の製造方法。 The method for producing a plated component according to any one of claims 1 to 3 , wherein the coupling agent is a silane coupling agent containing an epoxy group, an acryloxy group, a methacryloxy group, or a styryl group. 前記触媒失活剤が、アミド基、アミノ基及びジチオカルバメート基からなる群から選択される少なくとも1つを有するポリマーである、請求項1~のいずれか一項に記載のメッキ部品の製造方法。 The method for manufacturing a plated part according to any one of claims 1 to 4 , wherein the catalyst deactivator is a polymer having at least one selected from the group consisting of an amide group, an amino group and a dithiocarbamate group. . 前記触媒失活剤が、下記式(1)で表されるハイパーブランチポリマーである、請求項1~のいずれか一項に記載のメッキ部品の製造方法。
Figure 0007269038000016
式(1)において、Aは芳香環を含む基であり、Aはアミド基を含む基であり、Aは硫黄を含む基であり、Rは、水素又は炭素数1~10個の置換若しくは無置換の炭化水素基であり、m1は0.5~11であり、n1は5~100である。
The method for producing a plated part according to any one of claims 1 to 5 , wherein the catalyst deactivator is a hyperbranched polymer represented by the following formula (1).
Figure 0007269038000016
In formula (1), A 1 is a group containing an aromatic ring, A 2 is a group containing an amide group, A 3 is a group containing sulfur, R 0 is hydrogen or has 1 to 10 carbon atoms is a substituted or unsubstituted hydrocarbon group, m1 is 0.5-11, and n1 is 5-100.
前記レーザー光の波長が、200~380nmである、請求項1~のいずれか一項に記載のメッキ部品の製造方法。 The method for manufacturing a plated component according to any one of claims 1 to 6 , wherein the laser beam has a wavelength of 200 to 380 nm. 前記無電解メッキ膜が前記無機基材上で電気回路又はアンテナパターンを形成する、請求項1~のいずれか一項に記載のメッキ部品の製造方法。 The method for manufacturing a plated component according to any one of claims 1 to 7 , wherein the electroless plating film forms an electric circuit or an antenna pattern on the inorganic substrate.
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