JP2021043404A5 - - Google Patents

Claims (16)

1. 透明基板上に、透光部、遮光部、及び半透光部を含む転写用パターンを備えたフォトマスクであって、
   前記転写用パターンは、前記透明基板上に形成された、位相制御膜、及び透過制御膜がそれぞれパターニングされることによって形成され、
   前記位相制御膜は、前記フォトマスクの露光光に含まれる代表波長の光に対して、透過率Ｔｐ（％）（但しＴｐ≧２）、及び略１８０度の位相シフト量を有し、
   前記透過制御膜は、前記代表波長の光に対し、透過率Ｔｈ（％）（但し、Ｔｈ≧２０）、及び、位相シフト量φｈ（度）（但しφｈ＜９０）を有し、
   前記透光部は、前記透明基板が露出してなり、
   前記半透光部は、前記透明基板上に前記透過制御膜が形成されてなり、
   前記遮光部は、
   前記透光部と隣接するエッジに沿って所定幅Ｄ１（μｍ）（但し０．５≦Ｄ１）で配置され、前記透明基板上に前記位相制御膜が形成されてなるエッジ部、及び、
   前記エッジ部以外の領域に配置され、前記透明基板上に前記位相制御膜と前記透過制御膜が積層する、積層部、
   を有する、フォトマスク。
2. 前記半透光部は、前記遮光部と隣接する部分を有し、かつ、前記半透光部と前記遮光部の前記代表波長の光に対する位相差φｐが、略１８０度である、請求項１に記載のフォトマスク。
3. 前記積層部は、前記透明基板上に前記位相制御膜及び前記透過制御膜が、この順に、直接又は間接に積層されている、請求項１又は２に記載のフォトマスク。
4. 前記位相制御膜と前記透過制御膜は、互いにエッチング選択性を有する材料からなる、請求項１～３のいずれか１項に記載のフォトマスク。
5. 前記積層部は、前記位相制御膜と前記透過制御膜に加え、遮光膜が積層する領域を含み、
   前記遮光膜は、光学濃度ＯＤが３以上である、請求項１～４のいずれか１項に記載のフォトマスク。
6. 前記積層部は、前記透明基板上に、前記位相制御膜、前記遮光膜、及び前記透過制御膜が、この順に積層された領域を含む、請求項５に記載のフォトマスク。
7. 前記遮光部は、前記積層部と前記エッジ部の間に挟まれて配置され、所定幅Ｍ （μｍ）（但し０＜Ｍ≦０．８）で形成されたマージン部を更に有し、
   前記マージン部は、前記遮光膜の表面が露出するとともに、該遮光膜の表面から膜厚の一部が失われたものである、請求項６に記載のフォトマスク。
8. 透明基板上に、透光部、遮光部、及び半透光部を含む転写用パターンを備えたフォトマスクの製造方法であって、
   前記透光部は、前記透明基板が露出してなり、
   前記半透光部は、前記透明基板上に透過制御膜が形成されてなり、
   前記遮光部は、
   前記透光部と隣接するエッジに沿って所定幅Ｄ１（μｍ）（但し０．５≦Ｄ１）で配置され、前記透明基板上に位相制御膜が形成されてなるエッジ部、及び、
   前記エッジ部以外の領域に配置され、前記透明基板上に前記位相制御膜と前記透過制御膜が積層されてなる積層部、
   を有するフォトマスクの製造方法において、
   前記透明基板上に、前記位相制御膜が形成されたフォトマスクブランクを用意する工程と、
   前記位相制御膜をパターニングし、位相制御膜パターンを形成する第１パターニング工程と、
   前記位相制御膜パターン上及び前記透明基板上に形成された前記透過制御膜上にレジスト膜を形成し、該レジスト膜に描画、現像を施すことによって形成されたレジストパターンを用いて、前記透過制御膜をパターニングする、第２パターニング工程と、を有し、
   前記第２パターニング工程において、
   前記レジストパターンは、前記透光部に対応する領域の寸法に対して、隣接する前記遮光部側に、片側あたりＤ１分拡張した開口を有し、該レジストパターンをマスクとして前記透過制御膜をパターニングすることにより、前記エッジ部が形成される、
   フォトマスクの製造方法。
9. 前記位相制御膜は、前記フォトマスクの露光光に含まれる代表波長の光に対して、透過率Ｔｐ（％）（但しＴｐ≧２）、及び略１８０度の位相シフト量を有し、
   前記透過制御膜は、前記代表波長の光に対し、透過率Ｔｈ（％）（但し、Ｔｈ≧２０）、及び、位相シフト量φｈ（度）（但しφｈ＜９０）を有する、
   請求項８に記載のフォトマスクの製造方法。
10. 前記位相制御膜と前記透過制御膜は、互いにエッチング選択性のある材料からなる、請求項８又は９に記載のフォトマスクの製造方法。
11. 透明基板上に、透光部、遮光部、及び半透光部を含む転写用パターンを備えたフォトマスクの製造方法であって、
    前記透光部は、前記透明基板が露出してなり、
    前記半透光部は、前記透明基板上に透過制御膜が形成されてなり、
    前記遮光部は、
    前記透光部と隣接するエッジに沿って所定幅Ｄ１（μｍ）（但し０．５≦Ｄ１）で配置され、前記透明基板上に前記位相制御膜が形成されてなるエッジ部、
    前記エッジ部以外の領域に配置され、前記透明基板上に前記位相制御膜及び前記透過制御膜が直接又は間接に積層されたなる積層部、及び、
    前記エッジ部と前記積層部に挟まれて配置された所定幅Ｍ（μｍ）（但し０＜Ｍ≦０．８）のマージン部、
    を有するフォトマスクの製造方法において、
    前記透明基板上に、前記位相制御膜、遮光膜、及び第１レジスト膜がこの順に形成されたフォトマスクブランクを用意する工程と、
    前記第１レジスト膜に描画、及び現像を施して、第１レジストパターンを形成する工程と、
    前記第１レジストパターンを用い、前記遮光膜をパターニングし、次いで前記位相制御膜をパターニングして、位相制御膜パターンを形成する第１パターニング工程と、
    前記第１レジストパターンを用いて、前記遮光膜をサイドエッチングして、遮光膜パターンを形成するサイドエッチング工程と、
    前記位相制御膜パターン上、前記遮光膜パターン上及び前記透明基板上に形成された前記透過制御膜上に、第２レジスト膜を形成し、該第２レジスト膜に描画、現像を施して形成された第２レジストパターンを用いて、前記透過制御膜をパターニングする、第２パターニング工程と、を有し、
    前記第２パターニング工程において、
    前記第２レジストパターンは、前記透光部に対応する領域の寸法に対して、隣接する前記遮光部側に、片側あたり（Ｄ１＋Ｍ）分拡張した開口を有し、該第２レジストパターンをマスクとして前記透過制御膜をパターニングすることにより、前記エッジ部及び前記マージン部が形成される、
    フォトマスクの製造方法。
12. 前記位相制御膜と前記透過制御膜は、互いにエッチング選択性のある材料からなる、請求項１１に記載のフォトマスクの製造方法。
13. 前記遮光膜と前記透過制御膜は、互いに共通のエッチング剤によってエッチング可能な材料からなる、請求項１１又は１２に記載のフォトマスクの製造方法。
14. 前記位相制御膜は、前記フォトマスクの露光光に含まれる代表波長の光に対して、透過率Ｔｐ（％）（但しＴｐ≧２）、及び略１８０度の位相シフト量を有し、
    前記透過制御膜は、前記代表波長の光に対し、透過率Ｔｈ（％）（但し、Ｔｈ≧２０）、及び、位相シフト量φｈ（度）（但しφｈ＜９０）を有する、
    請求項１１に記載のフォトマスクの製造方法。
15. 前記マージン部は、前記透過制御膜上に積層する前記遮光膜の表面が露出するとともに、該遮光膜の表面から膜厚の一部が失われたものである、請求項１１～ １４のいずれか１項に記載のフォトマスクの製造方法。
16. 請求項１～８のいずれか１ 項に記載のフォトマスクを用意する工程と、
    露光装置を用いて、前記フォトマスクを露光する工程と、
    を有する、表示装置の製造方法。