KR20210031826A - 포토마스크, 포토마스크의 제조 방법 및 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은, 피전사체 상에, 우수한 상승의 프로파일을 갖는 레지스트 패턴을 형성할 수 있는 포토마스크를 제공한다. 투명 기판(3) 상에 투광부(6), 차광부(7) 및 반투광부(8)를 포함하는 전사용 패턴을 구비한 포토마스크이며, 투광부(6)는 투명 기판(3)이 노출되어 이루어지고, 반투광부(8)는 투명 기판(3) 상에 투과 제어막(5)이 형성되어 이루어지고, 차광부(7)는, 투광부(6)와 인접하는 에지를 따라 소정 폭(D1(㎛))(단 0.5≤D1)으로 배치되고, 투명 기판(3) 상에 위상 제어막(4)이 형성되어 이루어지는 에지부(7a), 및 에지부(7a) 이외의 영역에 배치되고, 투명 기판(3) 상에 위상 제어막(4)과 투과 제어막(5)이 적층되어 이루어지는 적층부(7b)를 갖는다.

Description

포토마스크, 포토마스크의 제조 방법 및 표시 장치의 제조 방법{PHOTOMASK, METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOMASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY DEVICE}

본 발명은, 전자 디바이스를 제조하기 위한 포토마스크이며, 특히 표시 장치 제조용에 적합한 포토마스크, 그 제조 방법, 및 그것을 사용한 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.

노광광을 차광하는 차광부와, 노광광을 투과하는 투광부와, 노광광의 일부를 투과하는 반투광부를 갖는 전사 패턴을 구비함으로써, 노광광의 광 강도를 영역에 따라 다르게 하는 포토마스크(이하, 다계조 포토마스크라고도 함)가 알려져 있다. 이 다계조 포토마스크를 사용해서 노광·현상을 행함으로써, 피전사체 상에 적어도 3종류의 잔막 두께(두께 제로인 경우를 포함함)를 갖는 레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 이 때문에, 액정 표시 장치나 유기 EL 표시 장치 등의 표시 장치를 포함하는 전자 디바이스의 제조 시에 있어서, 사용하는 포토마스크의 매수를 감소시켜, 생산 효율의 향상이 가능하게 되므로 유용하다.

특허문헌 1에는, 측벽에 있어서 급준한 상승 형상의 프로파일을 갖는 레지스트 패턴을 얻을 수 있는, 다계조 포토마스크가 기재되어 있다.

구체적으로는, 특허문헌 1에는, 투명 기판 상에, 각각 소정의 광투과율을 갖는 제1 반투광 막 및 제2 반투광 막을 각각 형성하여, 각각 소정의 패터닝을 실시함으로써, 투광부, 제1 반투광부, 및 상기 제1 반투광부와 인접하는 부분을 갖는 제2 반투광부를 포함하는 전사 패턴을 형성해서 이루어지는 다계조 포토마스크가 기재되어 있다. 특허문헌 1에는 또한, i선 내지 g선의 범위 내의 광의 대표 파장에 대하여, 상기 제2 반투광부와 투광부의 사이의 위상차가 90도 미만이고, 상기 대표 파장에 대하여, 상기 제1 반투광부와 제2 반투광부의 사이의 위상차가 90도를 초과하고 있고, 상기 대표 파장에 대하여, 상기 제1 반투광부의 투과율이 10％ 미만이고, 상기 제2 반투광부의 투과율이 20％ 이상인 것이 기재되어 있다.

일본 특허 공개 제2009-258250호 공보

특허문헌 1에 의하면, 종래의 다계조 포토마스크를 사용하여, 전사 패턴을 피전사체 상의 레지스트막에 전사하면, 반투광부와 차광부의 경계 등의 패턴 경계에 있어서, 노광광의 회절이 생기기 때문에, 투과광의 강도 분포가 완만한 곡선으로 된다. 즉, 광 강도 분포 곡선의 상승, 하강이 급준하지 않게 된다. 이러한 다계조 포토마스크를 사용해서 레지스트 패턴 전사를 행하면, 피전사체 상의 레지스트막에 형성되는, 레지스트 패턴의 측벽의 상승의 프로파일이 완만해져, 레지스트 패턴의 측벽이 테이퍼 형상으로 된다. 그 결과, 해당 레지스트 패턴을 마스크로 하여, 박막의 가공을 행할 때, 가공 선 폭의 제어가 곤란해져서, 표시 패널 등의 제조 프로세스에 있어서, 가공 조건의 마진이 좁아져, 양산 상의 문제를 초래한다.

그래서, 특허문헌 1에 기재된 발명에서는, 상기한 바와 같이, 2종류의 반투광부를 갖는 다계조 포토마스크를 제안하고 있다. 즉, 특허문헌 1에 기재된 다계조 포토마스크는, 노광광의 대표 파장에 대하여, 제2 반투광부와 투광부의 사이의 위상차가 90도 미만이고, 제1 반투광부와 제2 반투광부의 사이의 위상차가 90도를 초과하고 있고, 상기 대표 파장에 대하여, 상기 제1 반투광부의 투과율이 10％ 미만이고, 상기 제2 반투광부의 투과율이 20％ 이상이다.

이렇게 함으로써, 제1 반투광부와 제2 반투광부의 경계에서, 노광광 강도가 상쇄되어, 콘트라스트가 강조되고, 또한 투광부와 제2 반투광부의 사이에서 콘트라스트가 강조되지 않는다. 이 때문에, 특허문헌 1에 기재된 다계조 포토마스크는, 제2 반투광부와 투광부의 사이의 경계 부분에서 암선이 나타나는 것을 방지하면서, 제1 반투광부와 제2 반투광부의 경계에 의해, 피전사체 상에 형성되는 레지스트 패턴의 측벽에 급준한 상승의 프로파일을 갖는 형상을 얻을 수 있다.

도 1의 (a)에는, 특허문헌 1에 기재된 다계조 포토마스크(특허문헌 1의 도 1의 (a) 참조)의 일부를 나타낸다. 이 다계조 포토마스크는, 투광부(11)와 제2 반투광부(13)의 사이의 노광광에 대한 위상차가 90도 미만, 바람직하게는 60도 미만이고, 또한 제1 반투광부(12)와 제2 반투광부(13)의 사이의 노광광에 대한 위상차가 90도를 초과하고, 바람직하게는 180±30도이다. 이 설정에 의해, 제1 반투광부(12)와 제2 반투광부(13)의 경계에서는 반전 위상의 광이 서로 간섭하여, 그 광 강도를 상쇄하는, 소위 위상 시프트 효과가 얻어지고, 투광부(11)와 제2 반투광부(13)의 사이에서는, 해당 위상 시프트 효과에 의한 광 강도의 상쇄가 실질적으로 생기지 않는다. 이 때문에, 제2 반투광부(13)와 투광부(11)의 사이의 경계 부분에 대응하는 피전사체 상의 위치에, 암선이 나타나는 것을 방지하면서, 제1 반투광부(12)와 제2 반투광부(13)의 경계 부분에 대응하는 피전사체 상의 위치에서는, 광 강도의 변화가 급준해진다. 이 때문에, 측벽에 급준한 상승의 프로파일을 갖는 레지스트 패턴이 얻어진다고 생각된다.

단, 점점 고정밀의 표시 성능이 요구되는 표시 장치의 분야에서는, 특허문헌 1에 기재된 다계조 포토마스크에 의해서도, 충분히 요구를 충족하고 있다고는 할 수 없고, 또한 표시 장치 등의 전자 디바이스 생산의 치수 정밀도나 수율을 향상시킬 여지가 있음을, 본 발명자가 알아내었다.

도 1의 (a)에 도시하는 다계조 포토마스크에 있어서, 제1 반투광부(12)와 제2 반투광부(13)의 경계에서는, 양자를 투과하는 노광광의 위상차가 180도에 가까운 것이라고 생각되기 때문에, 서로 투과광의 간섭이 생겨서, 소위 위상 시프트 작용이 얻어진다고 보여진다. 이것은, 피전사체 상의 광 강도 분포 커브의 기울기를 급준하게 하는 작용을 가져, 유리한 효과가 얻어지는 것을 어느 정도 기대할 수 있다. 또한, 제1 반투광부(12)와 투광부(11)의 경계에서도, 양자를 투과하는 광이 갖는 위상차는 180도에 가까운 것이 되어, 상호의 투과광의 간섭이 생기고, 여기에서도, 위상 시프트 작용이 어느 정도 얻어진다고 생각된다.

한편, 제1 반투광부(12)의 영역 중, 에지로부터 먼 부분(영역의 중심 부근)은, 상기 위상 시프트 작용의 장점은 실질적으로 얻어지지 않고, 또한 노광광을 소정의 투과율(10％ 이하)로 투과해버리기 때문에, 이 부분의 광 강도 분포의 보텀이 충분히 내려가지 않는(충분한 차광성이 얻어지지 않는)다는 점에서, 종래의 다계조 포토마스크(특허문헌 1에서는 도 10으로서 개시)에서는 생기지 않았던 문제가 생겨버릴 우려가 있다.

또한, 제1 반투광부(12)는, 제2 반투광 막과 제1 반투광 막을 적층해서 구성하고, 제2 반투광부(13)는 제2 반투광 막의 단층 막으로 구성하면, 제1 반투광부(12), 제2 반투광부(13)의 위상 시프트량을 원하는 값으로 설정하는 것이 용이하지 않다. 또한, 각 영역의 에지에서의 위상차를, 정확하게 180도로 제어하는 것이 곤란해진다. 예를 들어, 제1 반투광부(적층을 포함함)(12)와 투광부(11)의 상호 위상차를 180도로 하면, 제1 반투광부(12)와 제2 반투광부(13)의 상호 위상차는, 그것보다 작은 값(제2 반투광 막이 갖는 위상 시프트량 분을 감한 값)이 된다. 따라서, 상기 각각의 경계에 있어서, 위상 시프트 작용을 효과적으로 생기게 할 수 없다.

또한, 제1 반투광부(12)와 제2 반투광부(13)를 각각, 제1 반투광 막, 제2 반투광 막의 단층막으로 구성하는 경우에는, 양자의 인접 부분에 있어서, 패터닝 시의 얼라인먼트 어긋남이 발생할 리스크가 있어, 양자간에 간극이 생기거나, 반대로 중복에 의한 암선이 생기거나 할 우려가 있다.

특허문헌 1에 기재된 다른 포토마스크를, 도 1의 (b)에 도시한다. 이 포토마스크는, 상기 도 1의 (a)의 제1 반투광부(12)이었던 부분의 일부에 차광막에 의한 차광부(14)가 형성되어 있다.

이 포토마스크는, 상기한 문제 중, 충분한 차광성이 얻어지지 않는다는 점에 대하여, 개선을 가져오는 것이라고 보여진다. 그러나, 이 경우에는, 차광부(14)와 투광부(11)의 사이의 위상 시프트 작용은 생기지 않기 때문에, 피전사체 상에 형성되는 레지스트 패턴의 측벽의 상승의 프로파일을 향상시키는 효과가 저감되어버린다.

그래서, 본 발명의 과제의 하나는, 피전사체 상에, 우수한 상승의 프로파일을 갖는 레지스트 패턴을 형성할 수 있는 포토마스크를 제공하는 데 있다.

본 발명의 다른 과제의 하나는, 상기 포토마스크의 제조 방법 및 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 데 있다.

(제1 양태)

본 발명의 제1 양태는,

투명 기판 상에, 투광부, 차광부 및 반투광부를 포함하는 전사용 패턴을 구비한 포토마스크이며,

상기 전사용 패턴은, 상기 투명 기판 상에 형성된, 위상 제어막, 및 투과 제어막이 각각 패터닝됨으로써 형성되고,

상기 위상 제어막은, 상기 포토마스크의 노광광에 포함되는 대표 파장의 광에 대하여, 투과율(Tp(％))(단 Tp≥2) 및 대략 180도의 위상 시프트량을 갖고,

상기 투과 제어막은, 상기 대표 파장의 광에 대하여, 투과율(Th(％))(단, Th≥20) 및 위상 시프트량(φh(도))(단φh<90)을 갖고,

상기 투광부는, 상기 투명 기판이 노출되어 이루어지고,

상기 반투광부는, 상기 투명 기판 상에 상기 투과 제어막이 형성되어 이루어지고,

상기 차광부는,

상기 투광부와 인접하는 에지를 따라 소정 폭(D1(㎛))(단 0.5≤D1)으로 배치되고, 상기 투명 기판 상에 상기 위상 제어막이 형성되어 이루어지는 에지부, 및

상기 에지부 이외의 영역에 배치되고, 상기 투명 기판 상에 상기 위상 제어막과 상기 투과 제어막이 적층되어 이루어지는 적층부

를 갖는 포토마스크이다.

(제2 양태)

본 발명의 제2 양태는,

상기 반투광부는, 상기 차광부와 인접하는 부분을 갖고, 또한 상기 반투광부와 상기 차광부의 상기 대표 파장의 광에 대한 위상차(φp)가, 대략 180도인, 상기 제1 양태에 기재된 포토마스크이다.

(제3 양태)

본 발명의 제3 양태는,

상기 적층부는, 상기 투명 기판 상의 상기 위상 제어막 상에, 상기 투과 제어막이, 직접 또는 간접적으로 적층되어 있는, 상기 제1 또는 제2 양태에 기재된 포토마스크이다.

(제4 양태)

본 발명의 제4 양태는,

상기 위상 제어막과 상기 투과 제어막은, 서로 에칭 선택성을 갖는 재료를 포함하는, 상기 제1 내지 제3 중 어느 한 양태에 기재된 포토마스크이다.

(제5 양태)

본 발명의 제5 양태는,

상기 적층부는, 상기 위상 제어막과 상기 투과 제어막에 더하여, 차광막이 적층되는 영역을 포함하고,

상기 차광막은, 광학 농도(OD)가 3 이상인, 상기 제1 내지 제4 중 어느 한 양태에 기재된 포토마스크이다.

(제6 양태)

본 발명의 제6 양태는,

상기 적층부는, 상기 투명 기판 상에, 상기 위상 제어막, 상기 차광막, 및 상기 투과 제어막이, 이 순서대로 적층된 영역을 포함하는, 상기 제5 양태에 기재된 포토마스크이다.

(제7 양태)

본 발명의 제7 양태는,

상기 차광부는, 상기 적층부와 상기 에지부의 사이에 끼워져서 배치되어, 소정 폭(M(㎛))(단 0<M≤0.8)으로 형성된 마진부를 더 갖고,

상기 마진부는, 상기 차광막의 표면이 노출됨과 함께, 해당 차광막의 표면으로부터 막 두께의 일부가 소실된 것인, 상기 제6 양태에 기재된 포토마스크이다.

(제8 양태)

본 발명의 제8 양태는,

투명 기판 상에, 투광부, 차광부 및 반투광부를 포함하는 전사용 패턴을 구비한 포토마스크의 제조 방법이며,

상기 투광부는, 상기 투명 기판이 노출되어 이루어지고,

상기 반투광부는, 상기 투명 기판 상에 투과 제어막이 형성되어 이루어지고,

상기 차광부는,

상기 투광부와 인접하는 에지를 따라 소정 폭(D1(㎛))(단 0.5≤D1)으로 배치되고, 상기 투명 기판 상에 위상 제어막이 형성되어 이루어지는 에지부, 및

상기 에지부 이외의 영역에 배치되고, 상기 투명 기판 상에 상기 위상 제어막과 상기 투과 제어막이 적층되어 이루어지는 적층부

를 갖는 포토마스크의 제조 방법에 있어서,

상기 투명 기판 상에, 상기 위상 제어막이 형성된 포토마스크 블랭크를 준비하는 공정과,

상기 위상 제어막을 패터닝하여, 위상 제어막 패턴을 형성하는 제1 패터닝 공정과,

상기 위상 제어막 패턴 상 및 상기 투명 기판 상에 형성된 상기 투과 제어막 상에 레지스트막을 형성하고, 해당 레지스트막에 묘화, 현상을 실시함으로써 형성된 레지스트 패턴을 사용하여, 상기 투과 제어막을 패터닝하는, 제2 패터닝 공정을 갖고,

상기 제2 패터닝 공정에서,

상기 레지스트 패턴은, 상기 투광부에 대응하는 영역의 치수에 대하여, 인접하는 상기 차광부측에, 편측당 D1만큼 확장한 개구를 갖고, 해당 레지스트 패턴을 마스크로 해서 상기 투과 제어막을 패터닝함으로써 상기 에지부가 형성되는 포토마스크의 제조 방법이다.

(제9 양태)

본 발명의 제9 양태는,

상기 위상 제어막은, 상기 포토마스크의 노광광에 포함되는 대표 파장의 광에 대하여, 투과율(Tp(％))(단 Tp≥2), 및 대략 180도의 위상 시프트량을 갖고,

상기 투과 제어막은, 상기 대표 파장의 광에 대하여, 투과율(Th(％))(단, Th≥20), 및 위상 시프트량(φh(도))(단 φh<90)을 갖는, 상기 제8 양태에 기재된 포토마스크의 제조 방법이다.

(제10 양태)

본 발명의 제10 양태는,

상기 위상 제어막과 상기 투과 제어막은, 서로 에칭 선택성이 있는 재료를 포함하는, 상기 제8 또는 제9 양태에 기재된 포토마스크의 제조 방법이다.

(제11 양태)

본 발명의 제11 양태는,

투명 기판 상에, 투광부, 차광부 및 반투광부를 포함하는 전사용 패턴을 구비한 포토마스크의 제조 방법이며,

상기 투광부는, 상기 투명 기판이 노출되어 이루어지고,

상기 반투광부는, 상기 투명 기판 상에 투과 제어막이 형성되어 이루어지고,

상기 차광부는,

상기 투광부와 인접하는 에지를 따라 소정 폭(D1(㎛))(단 0.5≤D1)으로 배치되고, 상기 투명 기판 상에 상기 위상 제어막이 형성되어 이루어지는 에지부,

상기 에지부 이외의 영역에 배치되고, 상기 투명 기판 상의 상기 위상 제어막 상에 상기 투과 제어막이 직접 또는 간접적으로 적층되어 이루어지는 적층부, 및

상기 에지부와 상기 적층부 사이에 끼워져서 배치된 소정 폭(M(㎛))(단 M≤0.8)의 마진부

를 갖는 포토마스크의 제조 방법에 있어서,

상기 투명 기판 상에, 상기 위상 제어막, 차광막 및 제1 레지스트막이 이 순서대로 형성된 포토마스크 블랭크를 준비하는 공정과,

상기 제1 레지스트막에 묘화 및 현상을 실시하여, 제1 레지스트 패턴을 형성하는 공정과,

상기 제1 레지스트 패턴을 사용하여, 상기 차광막을 패터닝하고, 이어서 상기 위상 제어막을 패터닝하여, 위상 제어막 패턴을 형성하는 제1 패터닝 공정과,

상기 제1 레지스트 패턴을 사용하여, 상기 차광막을 사이드 에칭하여, 차광막 패턴을 형성하는 사이드 에칭 공정과,

상기 위상 제어막 패턴 및 상기 차광막 패턴 상과 상기 투명 기판 상에 형성된 상기 투과 제어막 상에, 제2 레지스트막을 형성하고, 해당 제2 레지스트막에 묘화, 현상을 실시해서 형성된 제2 레지스트 패턴을 사용하여, 상기 투과 제어막을 패터닝하는, 제2 패터닝 공정을 갖고,

상기 제2 패터닝 공정에서,

상기 제2 레지스트 패턴은, 상기 투광부에 대응하는 영역의 치수에 대하여, 인접하는 상기 차광부측에, 편측당 (D1+M)만큼 확장한 개구를 갖고, 해당 제2 레지스트 패턴을 마스크로 해서 상기 투과 제어막을 패터닝함으로써, 상기 에지부 및 상기 마진부가 형성되는, 포토마스크의 제조 방법이다.

(제12 양태)

본 발명의 제12 양태는,

상기 위상 제어막과 상기 투과 제어막은, 서로 에칭 선택성이 있는 재료를 포함하는, 상기 제11 양태에 기재된 포토마스크의 제조 방법이다.

(제13 양태)

본 발명의 제13 양태는,

상기 차광막과 상기 투과 제어막은, 서로 공통의 에칭제에 의해 에칭 가능한 재료를 포함하는, 상기 제11 또는 제12 양태에 기재된 포토마스크의 제조 방법이다.

(제14 양태)

본 발명의 제14 양태는,

상기 위상 제어막은, 상기 포토마스크의 노광광에 포함되는 대표 파장의 광에 대하여, 투과율(Tp(％))(단 Tp≥2), 및 대략 180도의 위상 시프트량을 갖고,

상기 투과 제어막은, 상기 대표 파장의 광에 대하여, 투과율(Th(％))(단, Th≥20) 및 위상 시프트량(φh(도))(단φh<90)을 갖는, 상기 제11 양태 또는 상기 제12 양태에 기재된 포토마스크의 제조 방법이다.

(제15 양태)

본 발명의 제15 양태는,

상기 마진부는, 상기 투과 제어막 상에 적층하는 상기 차광막의 표면이 노출됨과 함께, 해당 차광막의 표면으로부터 막 두께의 일부가 소실된 것인, 상기 제11 내지 제14 중 어느 한 양태에 기재된 포토마스크의 제조 방법이다.

(제16 양태)

본 발명의 제16 양태는,

상기 제1 내지 제7 중 어느 한 양태에 기재된 포토마스크, 또는 상기 제8 내지 제15 중 어느 한 양태에 기재된 제조 방법에 의한 포토마스크를 준비하는 공정과,

노광 장치를 사용하여, 상기 포토마스크를 노광하는 공정

을 갖는 표시 장치의 제조 방법이다.

본 발명에 따르면, 투광부, 차광부 및 반투광부를 갖는 다계조 포토마스크로서 유용한 포토마스크이며, 전사에 의해, 피전사체 상에 우수한 상승의 프로파일을 갖는 레지스트 패턴을 형성할 수 있는 포토마스크를 제공할 수 있다.

도 1은 종래의 다계조 포토마스크의 주요부를 예시하는 설명도이며, (a)는 일 구성예를 도시하는 도면, (b)는 다른 구성예를 도시하는 도면이다.
도 2는 시뮬레이션에 사용한 포토마스크의 전사용 패턴(참고예 1)을 도시하는 설명도이며, (a)는 평면으로 본 도면, (b)는 그 종단면도, (c)는 다른 구성예의 종단면도이다.
도 3은 시뮬레이션에 사용한, 다른 형태의 포토마스크의 전사용 패턴(참고예 2)을 도시하는 설명도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 포토마스크를 도시하는 설명도이며, (a)는 평면으로 본 도면, (b)는 (a) 중의 일점쇄선 부분의 종단면을 도시하는 도면이다.
도 5는 광학 시뮬레이션에 의해 구한 피전사체 상에 얻어지는 광 강도 분포를 도시하는 설명도이며, (a)는 참고예 1의 경우의 광 강도 분포를 도시하는 도면, (b)는 참고예 2의 경우의 광 강도 분포를 도시하는 도면, (c)는 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 포토마스크의 경우의 광 강도 분포를 도시하는 도면이다.
도 6은 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 포토마스크의 제조 방법을 도시하는 설명도이며, (a) 내지 (h)는 해당 제조 방법에서의 각 공정에서의 마스크 단면을 도시하는 도면이다.
도 7은 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 포토마스크를 도시하는 설명도이며, (a)는 평면으로 본 도면, (b)는 (a) 중의 일점쇄선 부분의 종단면을 도시하는 도면이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 포토마스크의 제조 방법을 도시하는 설명도(그 1)이며, (a) 내지 (e)는 해당 제조 방법에서의 각 공정에서의 마스크 단면을 도시하는 도면이다.
도 9는 도 8의 (e)에 이어지는, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 포토마스크의 제조 방법을 도시하는 설명도(그 2)이며, (f) 내지 (j)는 해당 제조 방법에서의 각 공정에서의 마스크 단면을 도시하는 도면이다.
도 10은 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 포토마스크의 제조 방법의 변형예를 도시하는 설명도이며, (i') 및 (j')는 도 9의 (i), (j) 대신에 실행되는 공정에서의 마스크 단면을 도시하는 도면이다.

이하, 본 발명에 따른 포토마스크, 포토마스크의 제조 방법 및 표시 장치의 제조 방법의 실시 형태에 대해서 설명한다.

본 발명자는, 상기 특허문헌 1에 기재된 다계조 포토마스크에서의 과제를 고찰하여, 이하의 전사 시뮬레이션을 실시하였다. 전사 시뮬레이션은, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 포토마스크(이하, 포토마스크(1)라고도 함)와, 제2 실시 형태에 따른 포토마스크(이하, 포토마스크(2)라고도 함)에 더하여, 참고예 1 및 참고예 2에 따른 포토마스크에 대해서도 실시하였다.

<참고예 1의 포토마스크>

도 2에는, 시뮬레이션에 사용한 포토마스크의 전사용 패턴(참고예 1)을 도시한다. 도 2의 (a)는 평면으로 본 도면, 도 2의 (b)는 그 종단면이다. 해당 전사용 패턴은, 투광부(101), 차광부(102) 및 반투광부(103)를 갖고, 투명 기판(104) 상에서, 위상 제어막(105) 및 투과 제어막(106)이 각각 패터닝되어 형성된 것이다.

투광부(101)는, 투명 기판(104)이 노출되어 이루어지고, 차광부(102)는, 투명 기판(104) 상에 적어도 위상 제어막(105)이 형성되어 이루어진다. 또한, 반투광부(103)는, 투명 기판(104) 상에 투과 제어막(106)이 형성되어 이루어진다. 본원 발명의 포토마스크를 표시 장치 제조용으로서 사용하는 경우에는, 주표면의 한 변이 300mm 이상(예를 들어, 해당 한 변이 300 내지 2000mm)인 사각형의 기판을 적용할 수 있다.

이 전사용 패턴은, 예를 들어 표시 장치를 제조하기 위한, TFT(Thin Film Transistor) 제조용 포토마스크에 적용할 수 있다. 여기에서는, 반투광부(103)에 인접하며 또한 해당 반투광부(103)를 양측 사이에 끼우는 차광부(102)가 배치되어 있다.

여기서, 포토마스크를 노광할 때, i선 내지 g선을 포함하는 파장 영역을 갖는 노광광의 광원을 사용하는 것으로 한다. 투과 제어막(106)은, 이 범위 내의 대표 파장(예를 들어 h선)에 대하여, 투과율(Tr1)이 40％(투명 기판(104)의 투과율을 100％로 함)이며, 위상 시프트량(φ1)이 10도인 것으로 한다. 한편, 위상 제어막(105)은, 상기 대표 파장에 대하여, 투과율(Tr2)이 5％, 위상 시프트량(φ2)이 180도인 것으로 한다.

또한, 도 2의 (a)에 도시하는 포토마스크는, 도 2의 (b)에 도시하는 단면 구조 외에, 위상 제어막(105)과 투과 제어막(106)의 성막 순서와 패터닝 공정을 변경함으로써, 도 2의 (c)에 도시하는 단면 구조와 같이 구성할 수도 있다.

상기 도 2의 (a)의 포토마스크를 상기 광원에 의해 노광했을 때, 피전사체 상에 얻어지는 광 강도 분포를, 광학 시뮬레이션에 의해 구하였다. 도 2의 (a) 중의 파선 L1에 대응하는 위치의 광 강도 분포를, 도 5의 (a)에 도시하였다. 차광부(102)에 대응하는 위치의 광 강도 분포의 보텀(도 5의 (a)에 도시한 (A)의 부분)이 들떠 있어, 차광부(102)의 에지로부터 이격된 위치에서의 차광성이 불충분한 것을 알 수 있다.

<참고예 2의 포토마스크>

도 3은, 시뮬레이션에 사용한, 다른 형태의 포토마스크의 전사용 패턴(참고예 2)을 도시한다. 도 3의 단면도는, 도 2의 (b), 또는 도 2의 (c)와 마찬가지로 간주할 수 있다. 단, 여기에서는, 위상 제어막(105) 대신에, 노광광에 대하여 OD(광학 밀도) 3 이상을 갖는 차광막(107)을 사용하고 있다.

도 3에 도시하는 포토마스크를, 상기 도 2의 (a)의 포토마스크에 대하여 행한 것과 마찬가지로 노광했을 때, 피전사체 상에 형성되는 광 강도 분포를 도 5의 (b)에 도시하였다. 여기에서도, 도 3에 도시하는 파선 L2의 위치에 대응하는 피전사체 상의 광 강도 분포를 나타낸다.

도 5의 (b)에서는, 차광부(102)가 갖는 차광성은 충분해서, 보텀 부분의 들뜸은 보이지 않는다. 단, 보텀 양쪽 사이드의 경사가, 도 5의 (a)의 경우에 비하면, 완만하다(도 5의 (a), 도 5의 (b)의 경사각을 각각 θ1, θ2로 하면 θ1>θ2). 이 경우, 포토마스크를 사용해서 피전사체 상에 형성한 레지스트막에 노광을 행하여, 현상했을 때 형성되는 레지스트 패턴의 측벽의 단면 형상이 보다 경사가 큰 경향으로 되어, 해당 레지스트 패턴을 에칭 마스크로 해서 행하는, 후속의 에칭 프로세스에 있어서, CD(패턴 폭) 제어의 정밀도가 불충분해지기 쉽다.

<제1 실시 형태에 따른 포토마스크(1)>

도 4의 (a)에, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 포토마스크(1)를 도시한다. 도 4의 (b)는 도 4의 (a)의 일점쇄선 부분의 종단면을 나타낸다.

이 포토마스크는, 투명 기판(3) 상에서, 위상 제어막(4)과 투과 제어막(5)이 각각 패터닝되어 형성된 것이며, 투광부(6), 차광부(7) 및 반투광부(8)를 갖는다. 참고예 1의 포토마스크와 마찬가지로, 반투광부(8)에 인접하고, 반투광부(8)를 그 양측 사이에 끼우는 차광부(7)가 포함되어 있다.

투명 기판(3)은, 석영 등의 투명 재료를 포함하는 판재이며, 주표면을 평탄하면서 또한 평활하게 연마한 것으로 할 수 있다.

위상 제어막(4)은, 상기 대표 파장의 광에 대하여, 투과율(Tp(％))이 2≤Tp를 충족하고, 또한 위상 시프트량(φ4)이 대략 180도이다. 여기서, 대략 180도란, 180±20도의 범위, 즉, 160≤φ4≤200이다. 투과율(Tp)은, 바람직하게는 2≤Tp<15, 보다 바람직하게는 3<Tp<10이다. 투과율(Tp)의 수치가 과도하게 작으면, 위상 시프트 작용이 충분히 얻어지지 않고, 또한 투과율(Tp)이 과대하면, 후술하는 적층부에서의 차광성이 불충분해질 리스크가 생긴다.

투과 제어막(5)은, 상기 대표 파장의 광에 대하여, 투과율(Th(％))이, Th≥20을 충족하고, 바람직하게는 20≤Th<60이다. 또한 위상 시프트량(φ5)(φh의 일례에 상당)은, φ5<90도를 충족하고, 바람직하게는 0<φ5<90도, 보다 바람직하게는 5<φ5<60도이다.

포토마스크(1)의 전사용 패턴에 있어서, 도 4의 (a)에 도시하는 바와 같이, 투광부(6)는 투명 기판(3)의 표면이 노출되어 이루어진다.

차광부(7)는, 투명 기판(3) 상에 적어도 위상 제어막(4)이 형성되어 이루어지는 영역이다. 단, 참고예 1의 포토마스크와 달리, 차광부(7)는 에지부(7a)와 적층부(7b)를 갖는다. 즉, 차광부(7)는, 인접하는 투광부(6)와의 경계(즉, 투광부(6)와 인접하는 차광부(7)의 에지)를 따라, 소정 폭(D1(㎛))의 영역이며, 투명 기판(3) 상에 위상 제어막(4)만이 형성된 에지부(7a)를 갖는다. 또한, 차광부(7)에서 에지부(7a)를 제외한 영역은, 위상 제어막(4)과 투과 제어막(5)이 적층된, 적층부(7b)로 되어 있다. 도 4의 (b)에서는, 투과 제어막(5)은, 위상 제어막(4) 상에 직접 적층되어 있지만, 위상 제어막(4) 상에 다른 막을 개재해서 간접적으로 적층되어 있어도 된다.

따라서, 에지부(7a)와 투광부(6)는 서로 인접하고, 노광광의 대표 파장에 대한 위상차(φp)는, φ4(즉 대략 180도)이다. 이 위상차에 의해, 에지부(7a)와 투광부(6)를 각각 투과하는 투과광이 서로 간섭하여 광 강도를 상쇄하는, 소위 위상 시프트 효과가 얻어지고, 피전사체 상에서, 이 위치에서의 광 강도 분포의 프로파일이 향상된다(광 강도 분포의 경사가 억제된다).

한편, 차광부(7)에서 에지부(7a) 이외(에지로부터 이격된 부분)는, 위상 제어막(4)과 투과 제어막(5)의 적층 구조로 되어 있기 때문에, 노광광의 투과율(Tr6(％))이 낮게 억제된다. 적층부(7b)의 광투과율(Tr6)은, 바람직하게는 Tr6<5, 보다 바람직하게는 Tr6<3이다.

에지부(7a)의 폭(D1(㎛))은, 예를 들어 0.5≤D1<5.0으로 할 수 있다. 폭(D1)이 너무 작으면, 에지부(7a)와 투광부(6)의 경계에서, 후술하는 위상 시프트 효과가 충분히 발휘되지 않을 리스크가 있다. 한편, 폭(D1)이 너무 크면, 차광부(7)의 차광성이 불충분해져서, 도 5에서 설명한 광 강도 분포에서, 보텀의 수치가 올라가버릴 리스크가 생긴다. 폭(D1)은, 보다 바람직하게는 0.5≤D1≤2.0으로 할 수 있다.

또한, 도 4의 (a)에 도시하는 바와 같이, 차광부(7)가 투광부(6)에 인접하고, 또한 양쪽 사이드(도 4의 (a)에서는 상하 방향)로부터 투광부(6) 사이에 끼워진 디자인일 때, 폭(D1)은, 차광부(7)의 폭(W)의 1/2 미만일 필요가 있다. 또한, 차광부(7)의 차광성을 확보하는 관점에서, 폭(D1)은, 차광부(7)의 폭(W(㎛))에 대하여 1/4 이하인 것이 바람직하다.

반투광부(8)는, 투명 기판(3) 상에 투과 제어막(5)만이 형성되어 이루어진다. 투과 제어막(5)의, 상기 대표 파장의 광에 대한 위상 시프트량(φ5(도))은, 상기한 바와 같이 0<φ5<90이며, 보다 바람직하게는 5<φ5<60이다. 즉, 반투광부(8)는 투광부(6)와 인접하지만, 그 경계에서의 상기 대표 파장의 광에 대한 위상차는 90도 미만이기 때문에, 피전사체 상에 암선이 생기지 않는다.

반투광부(8)는, 차광부(7)와도 인접하는 부분을 갖는데, 그 경계에서의 투과광의 (상기 대표 파장의 광에 대한)위상차(φp)는, φ4 (즉, 대략 180도)이기 때문에, 이 부분에서도 상기와 마찬가지 위상 시프트 효과가 얻어져, 광 강도 분포가 보다 급준해지는 장점이 얻어진다.

도 4의 (a)에 도시하는 바와 같이, 차광부(7)의 폭(W)과, 반투광부(8)의 폭(V(㎛))은, 여기에서는 W<V로 되어 있다.

또한, 폭(V)의 투과 제어막(5)의 부분과 위상 제어막(4)의 겹침 폭(D2(㎛))은, 0.5≤D2<2인 것이 바람직하다. 이 범위이면, 후술하는 포토마스크(1)의 제조 방법에 있어서, 위상 제어막(4)과 투과 제어막(5)의 얼라인먼트 오차를 흡수할 수 있어, 막끼리의 간극이 생기지 않는다.

여기서, 폭(W)이나 폭(V)은, 반투광부(8)와, 해당 반투광부(8)를 양측 사이에 끼우는 차광부(7)의 배열 방향에 대하여 수직인 방향의 폭이다.

이상과 같이 구성된 포토마스크(1)를 노광하여, 피전사체 상에 형성하고자 하는 레지스트 패턴에 있어서, 그 측벽의 단면 형상을 보다 샤프하게 세우는 것이 가능하게 되어, 해당 포토마스크를 사용해서 얻고자 하는 전자 디바이스의 치수 정밀도나 수율을 향상시킬 수 있다.

포토마스크(1)에서의 전사용 패턴은, 투명 기판(3) 상에 각각 패터닝된, 위상 제어막(4) 및 투과 제어막(5)이 배치되어 형성되어 있다. 그 밖의 막, 또는 막 패턴이 부가적으로 투명 기판(3) 상에 형성되어 있어도 된다.

위상 제어막(4)과 투과 제어막(5)은, 모두 습식 에칭 가능한 재료인 것이 바람직하다.

위상 제어막(4)의 재료는, Cr 또는 그 화합물(산화물, 질화물, 탄화물, 산화질화물, 또는 산화질화탄화물)이어도 되고, 또는 Mo, W, Ta, Ti를 포함하는 금속 화합물이어도 된다. 금속 화합물로서는, 금속의 실리사이드 또는 해당 실리사이드의 상기 화합물이어도 된다. 또한, Zr, Nb, Hf, Ta, Mo, Ti의 어느 것과 Si를 포함하는 재료, 또는 이들 재료의 산화물, 질화물, 산화질화물, 탄화물, 또는 산화질화탄화물을 포함하는 재료를 포함하는 것으로 할 수 있고, 또한 Si의 상기 화합물이어도 된다.

투과 제어막(5)의 재료는, Cr 또는 그 화합물(산화물, 질화물, 탄화물, 산화질화물, 또는 산화질화탄화물)이어도 되고, 또는 Mo, W, Ta, Ti를 포함하는 금속 화합물이어도 된다. 금속 화합물로서는, 금속 실리사이드 또는 해당 실리사이드의 상기 화합물이어도 된다.

위상 제어막(4)과 투과 제어막(5)은, 서로 에칭 선택성을 갖는 재료를 포함하는 것이 바람직하다. 즉, 위상 제어막(4)의 에칭제에 대하여 투과 제어막(5)은 내성을 갖고, 투과 제어막(5)의 에칭제에 대하여 위상 제어막(4)이 내성을 갖는 것이 바람직하다.

포토마스크(1)는 다계조 포토마스크로서 사용할 수 있다. 즉, 피전사체 상에, 레지스트의 잔막 두께가 다른 복수의 영역을 갖는 레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토마스크로 할 수 있다. 여기서 레지스트란, 포지티브 또는 네가티브의 포토레지스트일 수 있다.

해당 다계조 포토마스크는, 예를 들어 표시 장치 제조 시에, 바이너리 마스크만을 사용하는 경우에 비하여, 필요한 포토마스크의 매수를 감소시키는 효과를 갖는 기능성 포토마스크이다.

단, 상기 레지스트 패턴은, 전자 디바이스 제조의 과정에서 에칭 마스크로서 사용되고, 그 후 제거되는 것 외에, 감광 재료를 포함하는 입체 구성물로서, 표시 장치 등의 전자 디바이스 내에 잔존하는 것도 포함한다.

해당 포토마스크(1)를 사용하여, 상기와 마찬가지의 광학 시뮬레이션을 행한 결과, 도 5의 (c)에 도시하는 바와 같이, 광 강도 분포의 보텀에 해당하는 (B) 부분이, 도 5의 (a)의 경우보다도 저감되어 있고, 또한 보텀 양측의 경사가 억제되어, 경사각(θ3)이 도 5의 (a)의 경사각(θ1)과 마찬가지로 되어 있다.

따라서, 포토마스크(1)를 사용하여, FPD(Flat Panel display)용 노광 장치에 의해 노광했을 때, 피전사체 상에 형성되는 레지스트 패턴 형상이 양호해지는 것을 알 수 있다.

<포토마스크(1)의 제조 방법>

도 6을 참조하여, 포토마스크(1)의 제조 방법 예에 대해서 설명한다.

(a) 투명 기판(3)의 주표면 상에 위상 제어막(4)이 성막되고, 또한 제1 레지스트막(21)이 형성된, 레지스트 구비 포토마스크 블랭크를 준비한다. 제1 레지스트막(21)은 포지티브형 포토레지스트로 한다. 위상 제어막(4)의 성막에는 스퍼터법 등 공지된 방법을 적용할 수 있다. 후술하는 투과 제어막(5), 차광막(9)도 마찬가지이다.

(b) 제1 레지스트막(21)에 대하여, 묘화 장치에 의해, 얻고자 하는 디바이스 패턴에 기초하는 패턴 데이터를 사용해서 묘화를 행하여, 현상함으로써, 제1 레지스트 패턴(21')을 얻는다. 여기에서는 레이저 묘화 장치를 적용할 수 있다.

(c) 상기 제1 레지스트 패턴(21')을 에칭 마스크로 해서 위상 제어막(4)을 습식 에칭하여, 위상 제어막 패턴(4')을 형성한다(차광부(7)의 영역이 획정됨). 위상 제어막(4)이 금속 실리사이드(예를 들어 MoSi)를 포함하는 것이라면, 불소계의 에칭제를 사용할 수 있다.

(d) 제1 레지스트 패턴(21')을 제거한 뒤, 투과 제어막(5)을 투명 기판(3)의 주표면 전체면에 형성한다. 투과 제어막(5)의 재료는 Cr 화합물을 포함하는 것으로 할 수 있어, 위상 제어막(4)과의 사이에서 에칭 선택성을 확보한다.

(e) 투과 제어막(5) 상에 제2 레지스트막(22)을 형성한다.

(f) 제2 레지스트막(22)에 대하여 묘화 및 현상을 행하여, 제2 레지스트 패턴(22')을 형성한다. 이 제2 레지스트 패턴(22')은, 반투광부(8)가 되는 영역을 피복하고, 또한 차광부(7)가 되는 영역 중, 에지부(7a)가 되는 영역을 제외하고 피복한다.

(g) 제2 레지스트 패턴(22')을 에칭 마스크로 해서, 노출되어 있는 투과 제어막(5)을 에칭하여, 투과 제어막 패턴(5')을 형성한다. 투과 제어막(5)이 Cr계 막이라면, 공지된 Cr용 에칭제를 사용할 수 있다. 이 에칭에 의해, 에지부(7a) 및 반투광부(8)가 형성된다.

(h) 제2 레지스트 패턴(22')을 제거하여, 포토마스크(1)가 완성된다.

상기 제조 방법에서는, 위상 제어막 패턴(4')을 형성하는 공정, 및 투과 제어막 패턴(5')을 형성하는 공정의 어느 경우든, 각각 단일한 막을 에칭 대상으로 한다. 즉, 2층 이상의 적층을 동일한 에칭제로 연속적으로 에칭하는 공정을 적용하지 않으므로, 각각의 에칭을 단시간에 종료 가능하여, 사이드 에칭의 진행을 억제할 수 있다. 이에 의해, 포토마스크 면 내의 CD(Critical Dimension, 패턴 폭)의 변동을 억제할 수 있어, 우수한 CD 정밀도를 얻을 수 있다.

또한, (b) 공정의 묘화와, (f) 공정의 묘화에 있어서, 서로 얼라인먼트 어긋남이 생긴 경우에는, 에지부(7a)의 폭이 면 내에서 균일해지기 어려운 경향이 있다. 이 점에 대해서는, 포토마스크(2)에 대한 설명에서 후술한다.

<제2 실시 형태에 따른 포토마스크(2)>

도 7의 (a)에, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 포토마스크(2)를 도시한다. 도 7의 (b)는 도 7의 (a)의 일점쇄선 부분의 종단면을 나타낸다.

포토마스크(2)가 포토마스크(1)와 서로 다른 점은, 위상 제어막(4)과 투과 제어막(5) 외에, 차광막(9)을 사용하고 있는 점이다.

이 포토마스크(2)는, 투명 기판(3) 상에서, 위상 제어막(4), 차광막(9) 및 투과 제어막(5)이 각각 패터닝되어 형성된 것이며, 투광부(6), 차광부(7) 및 반투광부(8)를 갖는다. 포토마스크(1)와 마찬가지로, 반투광부(8)에 인접하며 또한 해당 반투광부(8)를 양측 사이에 끼우는 차광부(7)가 포함되어 있다.

투명 기판(3)은, 포토마스크(1)와 마찬가지의 것을 적용할 수 있다.

위상 제어막(4)도, 포토마스크(1)와 마찬가지의 것을 적용할 수 있다. 즉, 상기 대표 파장의 광에 대하여, 투과율(Tp(％))이 Tp≥2를 충족하고, 바람직하게는 2≤Tp<15이다. 투과율(Tp)은, 보다 바람직하게는 3<Tp<10이다. 또한, 위상 시프트량(φ4)이 대략 180도이다. 여기서, 대략 180도란, 180±20도의 범위, 즉, 160≤φ4≤200이다.

차광막(9)은, 노광광을 실질적으로 차광한다(바람직하게는 광학 농도(OD)≥3). 차광막(9)은, 그 표면측, 및/또는 이면측에, 광의 반사를 제어하는 반사 제어층(단 도시하지 않음)을 마련한 것이어도 된다.

투과 제어막(5)은, 상기 대표 파장의 광에 대하여, 투과율(Th(％))이 Th≥20을 충족하고, 바람직하게는 20≤Th<60이다. 또한 위상 시프트량(φ5)은, 0<φ5<90도, 보다 바람직하게는 5<φ5<60도이다.

포토마스크(1)와 마찬가지로, 포토마스크(2)의 전사용 패턴에 있어서, 도 7의 (a)에 도시하는 바와 같이, 투광부(6)는 투명 기판(3)의 표면이 노출되어 이루어진다.

차광부(7)는 투명 기판(3) 상에 적어도 위상 제어막(4)이 형성되어 이루어지는 영역이다. 단, 포토마스크(1)와는 달리, 차광부(7)는 에지부(7a), 마진부(7c) 및 적층부(7b)를 갖는다.

즉, 차광부(7)는, 인접하는 투광부(6)와의 경계(즉, 투광부(6)와 인접하는 차광부(7)의 에지)를 따라, 소정 폭(D1(㎛))의 영역이며, 투명 기판(3) 상에 위상 제어막(4)만이 형성된 에지부(7a)를 갖는다. 폭(D1)의 크기는, 포토마스크(1)와 마찬가지이다.

또한, 차광부(7)는, 에지부(7a)와 인접(투광부(6)와 인접하는 경계와는 반대측의 인접)하는, 소정 폭(M(㎛))의 마진부(7c)를 갖는다. 마진부(7c)는, 위상 제어막(4)과 차광막(9)의 적층에 의해 이루어진다. M의 치수는, (W/2-D1)>M을 충족하면 특별히 제약은 없다. 그러나, 0<M≤0.8인 것이 바람직하다. 이 점에 대해서는 또한 후술한다.

여기에서도, 투과 제어막(5)이 위상 제어막(4) 상에 직접 또는 간접적으로 적층되는 부분이 적층부(7b)이다. 도 7에서는, 적층부(7b)는, 투과 제어막(5)이, 차광막(9)을 개재하여 위상 제어막(4) 상에 적층되어 이루어진다. 차광부(7)에서 에지부(7a)를 제외한 영역에는, 마진부(7c)와 적층부(7b)가 배치되어 있다.

이러한 포토마스크(2)에서도, 포토마스크(1)와 마찬가지로, 에지부(7a)와 투광부(6)는 서로 인접하고, 노광광의 대표 파장에 대한 위상차(φp)는, φ4(즉 대략 180도)이다. 이 위상차에 의해, 에지부(7a)와 투광부(6)를 각각 투과하는 투과광이 서로 간섭하여 광 강도를 상쇄하는, 소위 위상 시프트 효과가 얻어지고, 피전사체 상에서, 이 위치에서의 광 강도 분포의 프로파일이 향상된다(광 강도 분포의 경사가 억제됨).

한편, 차광부(7)에서 에지부(7a) 이외(에지로부터 이격된 부분)는, 위상 제어막(4)과 투과 제어막(5)의 적층 구조를 포함하고, 또한 에지부(7a)와 마진부(7c) 이외의 영역(중앙 영역이라고도 함)에는 차광막(9)이 적층되어 있기 때문에, 차광성이 우수하여, 노광광의 투과에 의한 영향은 실질적으로 생기지 않는다.

에지부(7a)의 폭(D1(㎛))은, 포토마스크(1)의 경우와 마찬가지로, 0.5≤D1<5.0으로 할 수 있다. 보다 바람직하게는 0.5≤D1≤2.0으로 할 수 있다.

반투광부(8)는, 투명 기판(3) 상에 투과 제어막(5)만이 형성되어 이루어진다. 투과 제어막(5)의, 상기 대표 파장의 광에 대한 위상 시프트량(φ5(도))은, 상기한 바와 같이 0<φ5<90이며, 보다 바람직하게는 5<φ5<60이다. 즉, 반투광부(8)는 투광부(6)와 인접하는데, 그 경계에서의 위상차(φh)는 90도 미만이기 때문에, 피전사체 상에 암선이 생기지 않는다.

반투광부(8)는, 차광부(7)와도 인접하는 부분을 갖지만, 그 경계에서의 투과광의 위상차(상기 대표 파장의 광에 대한)(φp)는, φ4(즉 대략 180도)이기 때문에, 이 부분에서도 상기와 마찬가지 위상 시프트 효과가 얻어져, 광 강도 분포가 보다 급준해지는 장점이 얻어진다.

도 7의 (a)에서, 폭(V)의 투과 제어막(5)의 부분과 위상 제어막(4)의 겹침 폭(D2(㎛))은, 상기 포토마스크(1)와 마찬가지이다.

이상과 같이 구성된 포토마스크(2)도, 이것을 노광하여, 피전사체 상에 형성하고자 하는 레지스트 패턴에 있어서, 그 측벽의 단면 형상을 보다 샤프하게 세우는 것이 가능하게 되어, 해당 포토마스크를 사용해서 얻고자 하는 전자 디바이스의 치수 정밀도나 수율을 향상시킬 수 있다.

포토마스크(2)에서의 전사용 패턴은, 투명 기판(3) 상에 각각 패터닝된, 위상 제어막(4), 차광막(9), 및 투과 제어막(5)이 배치되어 형성되어 있다. 그 밖의 막, 또는 막 패턴이 부가적으로 투명 기판(3) 상에 형성되어 있어도 된다.

위상 제어막(4), 차광막(9) 및 투과 제어막(5)은, 모두 습식 에칭 가능한 재료인 것이 바람직하다.

위상 제어막(4)의 재료는, 상기 포토마스크(1)의 재료 후보와 마찬가지의 것에서 선택할 수 있다. 또한, 투과 제어막(5)도 마찬가지이다.

또한, 위상 제어막(4)과 투과 제어막(5)은, 서로 에칭 선택성을 갖는 재료를 포함하는 것이 바람직하다. 즉, 위상 제어막(4)의 에칭제에 대하여 투과 제어막(5)은 내성을 갖고, 투과 제어막(5)의 에칭제에 대하여 위상 제어막(4)이 내성을 갖는 것이 바람직하다.

차광막(9)은, 위상 제어막(4), 투과 제어막(5)의 재료의 한쪽, 또는 양쪽에 대하여 에칭 선택성을 가져도 된다. 단, 차광막(9)은, 투과 제어막(5)과 공통의 에칭 특성을 갖고 있어도 된다. 후술하는 포토마스크(2)의 제조 방법(2)에서는, 차광막(9)과 투과 제어막(5)이 모두 Cr을 함유하여, 공통의 에칭제에 의해 에칭 가능한 경우에 대해서 설명한다.

포토마스크(2)는, 포토마스크(1)와 마찬가지로, 다계조 포토마스크로서 사용할 수 있다. 즉, 피전사체 상에, 레지스트의 잔막 두께가 다른 복수의 영역을 갖는 레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토마스크이다. 여기서 레지스트란, 포지티브 또는 네가티브의 포토레지스트일 수 있다.

단, 상기 레지스트 패턴은, 전자 디바이스 제조의 과정에서 에칭 마스크로서 사용되고, 그 후 제거되는 것 외에, 감광 재료를 포함하는 입체 구성물로서, 표시 장치 등의 전자 디바이스 내에 잔존하는 것도 포함한다.

포토마스크(2)는, 포토마스크(1)와 마찬가지로, FPD용 노광 장치에 의해 노광했을 때, 피전사체 상에 형성되는 레지스트 패턴의 측벽에서의 단면의 경사가 억제되는 것 외에, 차광부(7)에 의한 차광성이 더 높은 것으로 된다.

<포토마스크(2)의 제조 방법>

도 8 및 도 9를 참조하여, 포토마스크(2)의 제조 방법 예에 대해서 설명한다.

(a) 투명 기판(3)의 주표면 상에 위상 제어막(4)과 차광막(9)이 이 순서대로 형성되고, 또한 제1 레지스트막(21)이 형성된, 레지스트 구비 포토마스크 블랭크를 준비한다. 제1 레지스트막(21)은 포지티브형 포토레지스트로 한다.

(b) 제1 레지스트막(21)에 대하여, 묘화 장치에 의해, 얻고자 하는 디바이스 패턴에 기초하는 패턴 데이터를 사용해서 묘화를 행하고, 현상함으로써, 제1 레지스트 패턴(21')을 얻는다. 여기에서는 레이저 묘화 장치를 적용할 수 있다.

(c) 상기 제1 레지스트 패턴(21')을 에칭 마스크로 해서 차광막(9)을 습식 에칭하여, 차광막 패턴(9')을 형성한다. 여기서, 차광막(9)은 Cr을 함유하는 재료를 포함하는 것으로 하여, Cr용 에칭제(질산 제2세륨암모늄 등)를 사용한다. 계속해서, 해당 차광막 패턴(9')을 에칭 마스크로 해서 위상 제어막(4)을 습식 에칭한다(차광부(7)의 영역이 획정됨). 위상 제어막(4)은, 여기에서는, 금속 실리사이드(예를 들어 MoSi)를 포함하는 것으로 하고, 에칭에는 불소계의 에칭제를 사용한다.

(d) 다시 Cr용 에칭제를 적용하여, 제1 레지스트 패턴(21') 및 위상 제어막 패턴(4')을 에칭 마스크로 해서, 차광막(9)을 사이드 에칭한다. 사이드 에칭 폭은, D1(㎛)로 하고, 에칭을 정지한다.

(e) 제1 레지스트 패턴(21')을 제거한다.

(f) 투과 제어막(5)을 투명 기판(3)의 주표면의 전체면에 형성한다. 투과 제어막(5)의 재료는, Cr 화합물을 포함하는 것으로 할 수 있다. 투과 제어막(5)과 차광막(9)은 동일한 에칭제로 에칭 가능하다. 단, 해당 에칭제에 대하여, 해당 막 두께 분을 에칭 제거하기 위한 소요 시간은, (차광막(9)의 소요 시간:투과 제어막(5)의 소요 시간)을 (5:1) 내지 (20:1)의 범위로 하는 것이 바람직하다. 이 에칭 소요 시간은, 막 재료와 막 두께에 의해 정해진다.

(g) 투과 제어막(5) 상에 제2 레지스트막(22)을 형성한다.

(h) 제2 레지스트막(22)에 대하여, 묘화 및 현상을 행하여, 제2 레지스트 패턴(22')을 형성한다. 이 제2 레지스트 패턴(22')은, 반투광부(8)가 되는 영역을 피복하고 또한 차광부(7)가 되는 영역 중, 에지부(7a) 및 마진부(7c)가 되는 영역을 제외하고 피복한다. 즉, 제2 레지스트 패턴(22')은, 투광부(6)에 대응하는 영역의 치수에 대하여, 인접하는 차광부(7)측에, 편측당 (D1+M)만큼 확장한 개구를 갖는다. 그 때문에, 후술하는 바와 같이, 해당 제2 레지스트 패턴(22')을 마스크로 해서 투과 제어막(5)을 패터닝함으로써, 에지부(7a) 및 마진부(7b)가 형성되게 된다.

(i) 제2 레지스트 패턴(22')을 에칭 마스크로 해서, 노출되어 있는 투과 제어막(5)을 에칭하여, 투과 제어막 패턴(5')을 형성한다. 투과 제어막(5)이 에칭 제거된 시점에서 에칭을 정지한다. 또한, 투과 제어막(5)의 에칭 종료 후, 마진부(7c)가 되는 영역에서 차광막(9)이 노출되고, 해당 차광막(9)은 투과 제어막(5)과 에칭 특성이 공통되기 때문에, 차광막(9) 표면이 대미지를 받아, 막 두께의 일부가 에칭 제거되는 경우가 생길 수 있다. 즉, 마진부(7c)가 되는 영역에 잔존하는 차광막(9)의 막 두께는, 차광부(7)(에지부(7a) 및 마진부(7c)를 제외한 영역, 중앙 영역)에서의 차광막(9)의 막 두께보다 약간 작은 것으로 된다. 환언하면, 마진부(7c)는, 차광막(9)의 표면이 노출됨과 함께, 해당 차광막(9)의 표면으로부터 막 두께의 일부가 소실된 것으로 된다.

차광막(9)이 표면측에 반사 방지층을 갖는 경우에는, 해당 반사 방지층이 일부 또는 전부 제거되는 경우가 있을 수 있다. 그러나, 차광부(9)의 차광성에 실질적으로 영향을 주지는 않고, 또한 반사 특성이 마진 부분에서 변화하는 경우가 있어도, 반사 방지 기능을 필요로 하는 묘화 공정은 이미 끝났기 때문에, 단점은 생기지 않는다.

(j) 제2 레지스트 패턴(22')을 제거하여, 포토마스크(2)가 완성된다.

상기 제조 방법은, 위상 제어막 패턴(4')과 차광막 패턴(9')을 형성하는 과정에서, 묘화 공정을 1회밖에 갖지 않는다. 즉, (b)의 공정의 묘화에 의해 형성된 제1 레지스트 패턴(21')을 사용하여, 위상 제어막 패턴(4')을 패터닝함과 함께, 또한 사이드 에칭을 이용함으로써, 차광막 패턴(9')을 패터닝한다. 따라서, 얻어진 포토마스크(2)가 갖는 에지부(7a)의 폭(D1)은, 사이드 에칭폭과 동일해져, 면 내에서 균일한 폭이 된다. 바꾸어 말하면, 포토마스크(1)의 제조 방법에서, 2회의 묘화 동안에 생길 수 있는 얼라인먼트 어긋남의 영향을 해소할 수 있어, 포토마스크 면 내에서의 에지부(7a)의 폭(D1)에 변동이 생기지 않는다. 그리고, 에지부(7a)의 폭이 면 내에서 균일하면, 그 부분에 의해 얻어지는 위상 시프트 효과, 즉, 광 강도 분포의 향상 효과가 면내 균일하게 되기 때문에, 포토마스크(2)를 사용해서 얻고자 하는 전자 디바이스에 있어서, CD 정밀도가 높아지고, 수율이 향상된다는 우수한 작용이 얻어진다.

또한, 마진부(7c)의 폭(M(㎛))이 너무 크면, 차광막(9) 표면에서 상기 대미지의 영역이 넓어지는 리스크가 생긴다. 이 점을 고려하여, 마진부(7c)의 폭(M)의 바람직한 범위는, 0<M≤0.8이다.

상기 제조 방법에서는, 위상 제어막 패턴(4')을 형성하는 공정, 차광막 패턴(9')을 형성하는 공정, 및 투과 제어막 패턴(5')을 형성하는 공정의 어느 경우든, 각각 단일한 막을 에칭 대상으로 한다. 즉, 2층 이상의 적층을 동일한 에칭제에 의해 연속적으로 에칭하는 공정을 적용하지 않으므로, 각각의 에칭을 단시간에 종료 가능하다. 그 결과, 사이드 에칭의 진행을 억제할 수 있으므로, 포토마스크 면 내의 CD의 변동을 억제할 수 있어, 우수한 CD 정밀도를 얻을 수 있다.

또한, 포토마스크(2)의 차광부(7)는, 에지부(7a), 마진부(7c)를 제외한 영역(중심 영역이라고도 함)에, 3층이 적층되므로, 그 차광성이 매우 우수하여, 바람직하게는 OD 4 이상으로 할 수 있다.

도 10에, 포토마스크(2)의 제조 방법의 변형예에 의해, 포토마스크(2')를 제조하는 공정을 나타낸다. 여기에서는, 도 9의 (h) 후, 도 10의 (i') 및 (j')를 참조한다.

(i') 제2 레지스트 패턴(22')을 에칭 마스크로 해서, 노출되어 있는 투과 제어막(5)을 에칭하여, 투과 제어막 패턴(5')을 형성한다. 또한 에칭을 계속해서, 노출되어 있는 부분의 차광막(9)을 에칭한다. 상기 에칭 종료 후, 폭(D3)의 위상 제어막(4)이 노출되어, 에지부(7a)를 형성한다.

(j') 제2 레지스트 패턴(22')을 제거하여, 포토마스크(2')가 완성된다.

포토마스크(2')에서도, 에지부(7a)의 폭(D3)은, 면 내에서 균일해진다. 따라서, 그 부분에 의해 얻어지는 위상 시프트 효과, 즉, 광 강도 분포의 향상 효과가 면내 균일하게 되기 때문에, 포토마스크(2')를 사용해서 얻고자 하는 전자 디바이스에 있어서, CD 정밀도가 높아지고, 수율이 향상된다.

포토마스크(2')에 있어서, 에지부(7a)의 폭(D3(㎛))은 0.5≤D3<5.0으로 할 수 있다.

<표시 장치의 제조 방법>

포토마스크(1) 및 포토마스크(2, 2')에 공통되게, 본원 발명에 따른 포토마스크는, 표시 장치 제조용으로서 적합하게 사용된다. 표시 장치 제조를 위해서 사용되는 노광 장치로서는, FPD(Flat Panel Display)용의 것으로서, 등배의 투영 노광 방식(예를 들어 개구수(NA)가 0.08 내지 0.15)의 것으로 할 수 있다. 광원으로서는, i선, h선, g선의 어느 것을 포함하는 것으로 하고, 이들 중 복수를 포함하는 파장 또는 파장 영역을 포함하는 광이 유리하게 사용된다.

구체적으로는, 포토마스크(1) 또는 포토마스크(2, 2')의 어느 것을 준비하는 공정과, 노광 장치를 사용하여, 포토마스크(1) 또는 포토마스크(2, 2')의 어느 것을 노광하는 공정을 갖고, 표시 장치를 제조할 수 있다. 이와 같이, 본원 발명에 따른 포토마스크는, 예를 들어 표시 장치(액정 표시 장치나 유기 EL 표시 장치)의 TFT(박막 트랜지스터) 기판의 제조에 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 본 명세서에서, 표시 장치란, 표시 장치를 구성하기 위한 전자 디바이스를 포함한다.

<변형예>

이상으로, 본 발명의 실시 형태를 구체적으로 설명했지만, 본 발명의 기술적 범위는 상술한 실시 형태에 한정되는 것은 아니고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경 가능하다.

본원 발명에 따른 포토마스크는, 표시 장치 제조용으로서 적합하게 사용되지만, 그 용도에 제한은 없다. 즉, 본원 발명에 따른 포토마스크의 용도, 구성이나 제법에 대해서는, 본 발명의 작용 효과를 손상시키지 않는 한, 상기에 예시한 것에 한정되지 않는다.

또한, 본 발명의 작용 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 본원 발명에 따른 포토마스크에는, 부가적인 광학 막이나 기능 막을 사용해도 된다.

3: 투명 기판
4: 위상 제어막
4': 위상 제어막 패턴
5: 투과 제어막
5': 투과 제어막 패턴
6: 투광부
7: 차광부
7a: 에지부
7b: 적층부
7c: 마진부
8: 반투광부
9: 차광막
9': 차광막 패턴
21: 제1 레지스트막
21': 제1 레지스트 패턴
22: 제2 레지스트막
22': 제2 레지스트 패턴

Claims (16)

1. 투명 기판 상에, 투광부, 차광부 및 반투광부를 포함하는 전사용 패턴을 구비한 포토마스크이며,
   상기 전사용 패턴은, 상기 투명 기판 상에 형성된, 위상 제어막 및 투과 제어막이 각각 패터닝됨으로써 형성되고,
   상기 위상 제어막은, 상기 포토마스크의 노광광에 포함되는 대표 파장의 광에 대하여, 투과율(Tp(％))(단 Tp≥2) 및 대략 180도의 위상 시프트량을 갖고,
   상기 투과 제어막은, 상기 대표 파장의 광에 대하여, 투과율(Th(％))(단, Th≥20) 및 위상 시프트량(φh(도))(단φh<90)을 갖고,
   상기 투광부는, 상기 투명 기판이 노출되어 이루어지고,
   상기 반투광부는, 상기 투명 기판 상에 상기 투과 제어막이 형성되어 이루어지고,
   상기 차광부는,
   상기 투광부와 인접하는 에지를 따라 소정 폭(D1(㎛))(단 0.5≤D1)으로 배치되고, 상기 투명 기판 상에 상기 위상 제어막이 형성되어 이루어지는 에지부, 및
   상기 에지부 이외의 영역에 배치되고, 상기 투명 기판 상에 상기 위상 제어막과 상기 투과 제어막이 적층되는, 적층부
   를 갖는 포토마스크.
2. 제1항에 있어서, 상기 반투광부는, 상기 차광부와 인접하는 부분을 갖고 또한 상기 반투광부와 상기 차광부의 상기 대표 파장의 광에 대한 위상차(φp)가, 대략 180도인, 포토마스크.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 적층부는, 상기 투명 기판 상의 상기 위상 제어막 상에, 상기 투과 제어막이, 직접 또는 간접적으로 적층되어 이루어지는, 포토마스크.
4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 위상 제어막과 상기 투과 제어막은, 서로 에칭 선택성을 갖는 재료를 포함하는, 포토마스크.
5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 적층부는, 상기 위상 제어막과 상기 투과 제어막에 더하여, 차광막이 적층되는 영역을 포함하고,
   상기 차광막은, 광학 농도(OD)가 3 이상인, 포토마스크.
6. 제5항에 있어서, 상기 적층부는, 상기 투명 기판 상에, 상기 위상 제어막, 상기 차광막 및 상기 투과 제어막이, 이 순서대로 적층된 영역을 포함하는, 포토마스크.
7. 제6항에 있어서, 상기 차광부는, 상기 적층부와 상기 에지부의 사이에 끼워져서 배치되고, 소정 폭(M(㎛))(단 0<M≤0.8)으로 형성된 마진부를 더 갖고,
   상기 마진부는, 상기 차광막의 표면이 노출됨과 함께, 해당 차광막의 표면으로부터 막 두께의 일부가 소실된 것인, 포토마스크.
8. 투명 기판 상에, 투광부, 차광부 및 반투광부를 포함하는 전사용 패턴을 구비한 포토마스크의 제조 방법이며,
   상기 투광부는, 상기 투명 기판이 노출되어 이루어지고,
   상기 반투광부는, 상기 투명 기판 상에 투과 제어막이 형성되어 이루어지고,
   상기 차광부는,
   상기 투광부와 인접하는 에지를 따라 소정 폭(D1(㎛))(단 0.5≤D1)으로 배치되고, 상기 투명 기판 상에 위상 제어막이 형성되어 이루어지는 에지부, 및
   상기 에지부 이외의 영역에 배치되고, 상기 투명 기판 상에 상기 위상 제어막과 상기 투과 제어막이 적층되어 이루어지는 적층부
   를 갖는 포토마스크의 제조 방법에 있어서,
   상기 투명 기판 상에, 상기 위상 제어막이 형성된 포토마스크 블랭크를 준비하는 공정과,
   상기 위상 제어막을 패터닝하여, 위상 제어막 패턴을 형성하는 제1 패터닝 공정과,
   상기 위상 제어막 패턴 상 및 상기 투명 기판 상에 형성된 상기 투과 제어막 상에 레지스트막을 형성하고, 해당 레지스트막에 묘화, 현상을 실시함으로써 형성된 레지스트 패턴을 사용하여 상기 투과 제어막을 패터닝하는, 제2 패터닝 공정을 갖고,
   상기 제2 패터닝 공정에서,
   상기 레지스트 패턴은, 상기 투광부에 대응하는 영역의 치수에 대하여, 인접하는 상기 차광부측에, 편측당 D1만큼 확장한 개구를 갖고, 해당 레지스트 패턴을 마스크로 해서 상기 투과 제어막을 패터닝함으로써 상기 에지부가 형성되는,
   포토마스크의 제조 방법.
9. 제8항에 있어서, 상기 위상 제어막은, 상기 포토마스크의 노광광에 포함되는 대표 파장의 광에 대하여, 투과율(Tp(％))(단 Tp≥2) 및 대략 180도의 위상 시프트량을 갖고,
   상기 투과 제어막은, 상기 대표 파장의 광에 대하여, 투과율(Th(％))(단, Th≥20) 및 위상 시프트량(φh(도))(단φh<90)을 갖는, 포토마스크의 제조 방법.
10. 제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 위상 제어막과 상기 투과 제어막은, 서로 에칭 선택성이 있는 재료를 포함하는, 포토마스크의 제조 방법.
11. 투명 기판 상에, 투광부, 차광부 및 반투광부를 포함하는 전사용 패턴을 구비한 포토마스크의 제조 방법이며,
    상기 투광부는, 상기 투명 기판이 노출되어 이루어지고,
    상기 반투광부는, 상기 투명 기판 상에 투과 제어막이 형성되어 이루어지고,
    상기 차광부는,
    상기 투광부와 인접하는 에지를 따라 소정 폭(D1(㎛))(단 0.5≤D1)으로 배치되고, 상기 투명 기판 상에 상기 위상 제어막이 형성되어 이루어지는 에지부,
    상기 에지부 이외의 영역에 배치되고, 상기 투명 기판 상의 상기 위상 제어막 상에 상기 투과 제어막이 직접 또는 간접적으로 적층되어 이루어지는 적층부, 및
    상기 에지부와 상기 적층부 사이에 끼워져서 배치된 소정 폭(M(㎛))(단 0<M≤0.8)의 마진부
    를 갖는 포토마스크의 제조 방법에 있어서,
    상기 투명 기판 상에, 상기 위상 제어막, 차광막 및 제1 레지스트막이 이 순서대로 형성된 포토마스크 블랭크를 준비하는 공정과,
    상기 제1 레지스트막에 묘화 및 현상을 실시하여, 제1 레지스트 패턴을 형성하는 공정과,
    상기 제1 레지스트 패턴을 사용하여, 상기 차광막을 패터닝하고, 이어서 상기 위상 제어막을 패터닝하여, 위상 제어막 패턴을 형성하는 제1 패터닝 공정과,
    상기 제1 레지스트 패턴을 사용하여, 상기 차광막을 사이드 에칭하여, 차광막 패턴을 형성하는 사이드 에칭 공정과,
    상기 위상 제어막 패턴 및 상기 차광막 패턴 상과 상기 투명 기판 상에 형성된 상기 투과 제어막 상에, 제2 레지스트막을 형성하고, 해당 제2 레지스트막에 묘화, 현상을 실시해서 형성된 제2 레지스트 패턴을 사용하여, 상기 투과 제어막을 패터닝하는 제2 패터닝 공정을 갖고,
    상기 제2 패터닝 공정에서,
    상기 제2 레지스트 패턴은, 상기 투광부에 대응하는 영역의 치수에 대하여, 인접하는 상기 차광부측에, 편측당 (D1+M)만큼 확장한 개구를 갖고, 해당 제2 레지스트 패턴을 마스크로 해서 상기 투과 제어막을 패터닝함으로써, 상기 에지부 및 상기 마진부가 형성되는,
    포토마스크의 제조 방법.
12. 제11항에 있어서, 상기 위상 제어막과 상기 투과 제어막은, 서로 에칭 선택성이 있는 재료를 포함하는, 포토마스크의 제조 방법.
13. 제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 차광막과 상기 투과 제어막은, 서로 공통의 에칭제에 의해 에칭 가능한 재료를 포함하는, 포토마스크의 제조 방법.
14. 제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 위상 제어막은, 상기 포토마스크의 노광광에 포함되는 대표 파장의 광에 대하여, 투과율(Tp(％))(단 Tp≥2) 및 대략 180도의 위상 시프트량을 갖고,
    상기 투과 제어막은, 상기 대표 파장의 광에 대하여, 투과율(Th(％))(단, Th≥20) 및 위상 시프트량(φh(도))(단φh<90)을 갖는, 포토마스크의 제조 방법.
15. 제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 마진부는, 상기 투과 제어막 상에 적층되는 상기 차광막의 표면이 노출됨과 함께, 해당 차광막의 표면으로부터 막 두께의 일부가 소실된 것인, 포토마스크의 제조 방법.
16. 제1항 또는 제2항에 기재된 포토마스크, 또는 제8항, 제9항, 제11항 또는 제12항에 기재된 제조 방법에 의한 포토마스크를 준비하는 공정과,
    노광 장치를 사용하여, 상기 포토마스크를 노광하는 공정
    을 갖는 표시 장치의 제조 방법.

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