JP2021042100A - SiC基複合材料、BN被覆SiC繊維、およびSiC基複合材料の製造方法 - Google Patents
SiC基複合材料、BN被覆SiC繊維、およびSiC基複合材料の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
Description
まず、本発明の第1実施形態として、図1のSiC基複合材料100について説明する。
SiC基複合材料100は、SiCを主成分とする繊維10の繊維と、SiCを主成分とするマトリックス40と、を含み、SiC繊維10表面に形成された結晶性BN層20と、マトリックス40と、の間に、結晶性カーボン層30を含む。すなわち、結晶性BN層20と、マトリックス40と、の間に、結晶性カーボン層30が形成されている。
r:繊維10の半径、t:試料厚さ、である。
次に、本発明の第2実施形態として、第1実施形態のSiC基複合材料100を容易に製造可能なBN被覆SiC繊維200、すなわち、延性と強度の高いSiC基複合材料を、容易に製造可能なBN被覆SiC繊維200と、それを用いたSiC基複合材料100の製造方法について説明する。
まず、前記した成膜方法により作製したBN被覆SiC繊維200束を製織して2次元あるいは3次元の織物を作製する。次に、前記織物を構成するBN被覆SiC繊維200の間に、SiCを主成分とするマトリックスを形成する。
第2の実施形態に基づきSiC基複合材料100を作製し、室温での曲げ特性および引張特性を評価した。
サンプルは、本発明の結晶化度および酸素含有量の異なる2層構造のBN層被覆SiC繊維200からなる繊維束を製織して三次元織物(幅70mm×長さ70mm×厚さ4mm、XY方向の繊維配列ピッチ:3mm、繊維配向比X:Y:Z=1:1.1:0.2、繊維体積率=29%)にし、繊維束間および繊維間の空隙にCVI法によりSiCマトリックス20を形成して、SiC基複合材100とした。なお、BN被覆SiC繊維200のBN層(1)202とBN層(2)203は、前記連続成膜装置301により形成した。BN層全体の厚さを約400nm以下とし、BN層全体の厚さと曲げ特性および引張特性の関係を調査した。
また、比較サンプルとして、高結晶化度かつ酸素含有量の低いBN層(2)203のみを被覆したSiC繊維とSiCマトリクス40からなるSiC基複合材400を作製した。ここで、高結晶化度かつ低い酸素含有量のBN層(2)203のみをSiC繊維表面へ形成するため、低結晶化度かつ高い酸素含有量のBN層(1)202の成膜を防止した。具体的には、図9に示すように、プロセスガス導入側のCVD炉309端とプロセスガス導入口307の間に、繊維がプロセスガスへ暴露されるのを防止するための保護チューブ310を設けて成膜した。次に、高結晶化度かつ低酸素含有のBN層のみを被覆したSiC繊維からなる繊維束を製織して三次元織物(幅70mm×長さ70mm×厚さ4mm、XY方向の繊維配列ピッチ:3mm、繊維配向比X:Y:Z=1:1.1:0.2、繊維体積率=29%)にし、繊維束間および繊維間の空隙にCVI法によりSiCマトリックス20を形成して、SiC基複合材400とした。BN層全体の厚さを約200nm以下とし、BN層全体の厚さと曲げ特性および引張特性の関係を調査した。
比較サンプル400に用いたBN層(2)203のみを被覆したSiC繊維の断面TEM像およびEDX成分分析結果を図10に示す。BN層(2)203領域の(c)高分解能TEM像において明瞭な格子像が現れているとともに、(b)BN層の制限視野電子回折図形においても微細斑点からなるデバイリングが現れており、結晶化度が高いことを確認した。また、表3に示す通り、BN層(2)203領域のEDX成分分析結果からも酸素含有量が3原子パーセント未満と十分低いことを確認した。
比較サンプル400におけるSiC繊維10/結晶性BN層20/SiCマトリックス40界面部のTEM像を図11に示す。また、EDX成分分析結果を表4に示す。(c)結晶性BN層20領域の高分解能TEM像において明瞭な格子像が現れていると伴に、(b)結晶性BN層20の制限視野電子回折図形においても微細斑点からなるデバイリングが現れていることから、マトリクス形成後も高結晶化度が維持されていることを確認した。一方、SiCマトリックス40と結晶性BN層20の間には、図2で示したような結晶性カーボン層の存在は認められなかった。
本発明のSiC基複合材100と比較サンプル400について、SHIMADZU AG−IS 10KNを用いて、試験規格ASTM C1341−13にて評価した。その室温曲げ応力−変位曲線を図12に示す。なお、SiCマトリクス形成前のBN層全体厚さを約200nmとした。本発明のSiC基複合材100の曲げ破断強度が533MPaであり、比較サンプル400の297MPaに比べて高い曲げ強度を示すことを確認した。また、各複合材の曲げ試験後の破断面のSEM像を図13に示す。本発明のSiC基複合材100の破断面(a)において、SiCマトリックス30との間に滑りが発生した証拠である「繊維の引抜け」が多数確認できた。この滑りにより、強度と伸びが高い、SiC基複合材100になっていることが確認された。一方、比較サンプルの破断面(b)においては、「繊維の引抜け」が余り生じていなかった。特に、点線で囲んだ部分においては繊維の引抜けが殆ど確認できなかった。
本発明のSiC基複合材100と前記比較サンプル400について、INSTRON 5982を用いて、試験規格ASTM C1275−16にて評価した。その室温引張応力−歪み曲線を図14に示す。なお、SiCマトリクス形成前のBN層全体厚さを約200nmとし、試験片サイズは70mm×10mm×1mmとした。本発明のSiC基複合材100は、引張強度が249MPa、破断歪みが0.5%と、比較サンプルの引張強度:55MPa、破断歪み:0.04%に比べて高い強度と伸びを示すことを確認した。また、各サンプルの引張試験後の破断面のSEM像を図15に示す。本発明のSiC基複合材100の破断面(a)において、SiCマトリックス30との間に滑りが発生した証拠である「繊維の引抜け」が多数確認できた。この滑りにより、強度と伸びが高い、SiC基複合材100になっていることが確認できた。一方、比較サンプルの破断面(b)においては、「繊維の引抜け」が余り生じていなかった。
本発明と比較サンプルのSiC基複合材におけるSiCマトリクス形成前のBN層全体厚さと、繊維とマトリクス間の界面せん断強度、曲げ強度および引張特性の関係を表5に纏めた。本発明のSiC基複合材においては、BN膜厚が230nm程度で繊維とマトリクス間の界面せん断強度が最小となり、曲げ強度および引張強度は最大となった。
203:第2のBN層
10、201:SiC繊維
20:結晶性BN層
30:結晶性カーボン層
40:SiCマトリックス
50:界面層
60:ナノインデンター
100:SiC基複合材料
200:BN被覆SiC繊維
400:比較サンプルのSiC基複合材料
301:連続式成膜装置
302:巻き出し室
303:サイジング除去室
304:成膜室
305:巻取り室
306:排気口
307:プロセスガス導入口
308:加熱ヒーター
309:CVD炉
Claims (6)
- SiCを主成分とする繊維と、SiCを主成分とするマトリックスと、を含むSiC基複合材料であって、
前記繊維表面に形成された結晶性BN層と、前記マトリックスと、の間に、結晶性カーボン層を含むことを特徴とするSiC基複合材料。 - SiCを主成分とする繊維表面に、最外層となる第1のBN被覆層と前記第1のBN被覆層の内側の第2のBN被覆層とを備え、前記第1のBN被覆層に含まれる酸素量が、前記第2のBN被覆層に含まれる酸素量よりも高いことを特徴とするBN被覆SiC繊維。
- 前記第1のBN被覆層の結晶化度が、前記第2のBN被覆層の結晶化度よりも低いことを特徴とする請求項2に記載のBN被覆SiC繊維。
- 前記第1のBN被覆層に含まれる酸素量が、3原子パーセント以上であることを特徴とする請求項2または請求項3に記載のBN被覆SiC繊維。
- 請求項2ないし請求項4のいずれか一項に記載のBN被覆SiC繊維を製造する工程と、
前記BN被覆SiC繊維にSiCを主成分とするマトリックスを形成する間に、結晶性カーボン層を形成する工程と、
を有することを特徴とするSiC基複合材料の製造方法。 - 前記SiCを主成分とするマトリックスを形成する方法が、化学気相含浸(CVI)法であることを特徴とする請求項5に記載のSiC基複合材料の製造方法。
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