JPH09217234A - 炭化ケイ素系セラミツクス繊維 - Google Patents
炭化ケイ素系セラミツクス繊維Info
- Publication number
- JPH09217234A JPH09217234A JP4537496A JP4537496A JPH09217234A JP H09217234 A JPH09217234 A JP H09217234A JP 4537496 A JP4537496 A JP 4537496A JP 4537496 A JP4537496 A JP 4537496A JP H09217234 A JPH09217234 A JP H09217234A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic fiber
- oxygen
- fiber
- carbon
- silicon carbide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Inorganic Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 還元性雰囲気で熱処理することにより、セラ
ミツクス繊維の表層部の酸素量を低減し、耐酸化性およ
び耐熱分解性を向上させた炭化ケイ素系セラミツクス繊
維を得る。 【解決手段】 ケイ素、チタンまたはジルコニウム、炭
素、酸素からなる炭化ケイ素系セラミツクス繊維、また
はケイ素、炭素、酸素からなる炭化ケイ素系セラミツク
ス繊維において、同一断面上で表面から内部にかけて酸
素量が減少し、かつ表面の酸素量および炭素量と、表面
からの深さが０．１μｍ以上の中心部の酸素量および炭
素量との差がそれぞれ５wt％以内になるようにする。炭
化ケイ素系セラミツクス繊維は、非晶質の物質と、結晶
子の大きさが５０ｎｍ以下の結晶質の炭化物とから構成
される。
ミツクス繊維の表層部の酸素量を低減し、耐酸化性およ
び耐熱分解性を向上させた炭化ケイ素系セラミツクス繊
維を得る。 【解決手段】 ケイ素、チタンまたはジルコニウム、炭
素、酸素からなる炭化ケイ素系セラミツクス繊維、また
はケイ素、炭素、酸素からなる炭化ケイ素系セラミツク
ス繊維において、同一断面上で表面から内部にかけて酸
素量が減少し、かつ表面の酸素量および炭素量と、表面
からの深さが０．１μｍ以上の中心部の酸素量および炭
素量との差がそれぞれ５wt％以内になるようにする。炭
化ケイ素系セラミツクス繊維は、非晶質の物質と、結晶
子の大きさが５０ｎｍ以下の結晶質の炭化物とから構成
される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は繊維強化セラミツク
ス複合体などに用いるセラミツクス繊維、例えばデイー
ゼル機関の排気微粒子を濾過するフイルタなどに用いる
耐熱性に優れた炭化ケイ素系セラミツクス繊維に関する
ものである。
ス複合体などに用いるセラミツクス繊維、例えばデイー
ゼル機関の排気微粒子を濾過するフイルタなどに用いる
耐熱性に優れた炭化ケイ素系セラミツクス繊維に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】高温で使用するセラミツクス繊維や高温
で焼結する繊維強化セラミツクス複合体には、炭素、窒
化ホウ素、炭化ケイ素などをコーテイングした炭化ケイ
素系セラミツクス繊維が使用されている。従来の炭化ケ
イ素系セラミツクス繊維は、高温の酸化雰囲気では、セ
ラミツクス繊維に含まれる過剰炭素および過剰酸素が原
因でセラミツクス繊維の表面に二酸化ケイ素（SiO2）が
形成され、基材との熱膨張差により割れや剥離が生じ、
強度の低下を来す。また、高温の不活性雰囲気では、熱
分解により炭化ケイ素が生成し、成長に伴なつて強度が
低下する。
で焼結する繊維強化セラミツクス複合体には、炭素、窒
化ホウ素、炭化ケイ素などをコーテイングした炭化ケイ
素系セラミツクス繊維が使用されている。従来の炭化ケ
イ素系セラミツクス繊維は、高温の酸化雰囲気では、セ
ラミツクス繊維に含まれる過剰炭素および過剰酸素が原
因でセラミツクス繊維の表面に二酸化ケイ素（SiO2）が
形成され、基材との熱膨張差により割れや剥離が生じ、
強度の低下を来す。また、高温の不活性雰囲気では、熱
分解により炭化ケイ素が生成し、成長に伴なつて強度が
低下する。
【０００３】また、従来の有機ケイ素ポリマーを原料に
し、紡糸・焼成を行つて作製する炭化ケイ素系セラミツ
クス繊維には、工程上１２〜２０wt％の酸素が含まれ、
特にセラミツクス繊維の内心部ないし中心部に比べて表
層部に含まれる酸素量が多くなる特性を有していた。
し、紡糸・焼成を行つて作製する炭化ケイ素系セラミツ
クス繊維には、工程上１２〜２０wt％の酸素が含まれ、
特にセラミツクス繊維の内心部ないし中心部に比べて表
層部に含まれる酸素量が多くなる特性を有していた。
【０００４】炭化ケイ素系セラミツクス繊維の表層部に
含まれる酸素量を少なくし、耐熱性を向上するために、
紡糸に続く不融化時に電子線を照射してセラミツクス繊
維に含まれる酸素量を低減する方法は、製造経費が非常
に高くなる。また、CVD 法（CHEMICAL VAPOR DEPOSITIO
N） によりセラミツクス繊維の表面に炭化ケイ素の被膜
を形成する方法は、１３００℃以上の熱処理温度を必要
とするために、セラミツクス繊維の強度が著しく低下し
てしまう。
含まれる酸素量を少なくし、耐熱性を向上するために、
紡糸に続く不融化時に電子線を照射してセラミツクス繊
維に含まれる酸素量を低減する方法は、製造経費が非常
に高くなる。また、CVD 法（CHEMICAL VAPOR DEPOSITIO
N） によりセラミツクス繊維の表面に炭化ケイ素の被膜
を形成する方法は、１３００℃以上の熱処理温度を必要
とするために、セラミツクス繊維の強度が著しく低下し
てしまう。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は上述の
問題に鑑み、還元性雰囲気で熱処理することにより、セ
ラミツクス繊維の表層部の酸素量を低減し、耐酸化性お
よび耐熱分解性を向上させた炭化ケイ素系セラミツクス
繊維を提供することにある。
問題に鑑み、還元性雰囲気で熱処理することにより、セ
ラミツクス繊維の表層部の酸素量を低減し、耐酸化性お
よび耐熱分解性を向上させた炭化ケイ素系セラミツクス
繊維を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の構成はケイ素、チタンまたはジルコニウ
ム、炭素、酸素からなる炭化ケイ素系セラミツクス繊
維、またはケイ素、炭素、酸素からなる炭化ケイ素系セ
ラミツクス繊維において、同一断面上で表面から内部に
かけて酸素量が減少し、かつ表面の酸素量および炭素量
と、表面からの深さが０．１μｍ以上の中心部の酸素量
および炭素量との差が、それぞれ５wt％以内であること
を特徴とする。
に、本発明の構成はケイ素、チタンまたはジルコニウ
ム、炭素、酸素からなる炭化ケイ素系セラミツクス繊
維、またはケイ素、炭素、酸素からなる炭化ケイ素系セ
ラミツクス繊維において、同一断面上で表面から内部に
かけて酸素量が減少し、かつ表面の酸素量および炭素量
と、表面からの深さが０．１μｍ以上の中心部の酸素量
および炭素量との差が、それぞれ５wt％以内であること
を特徴とする。
【０００７】
【発明の実施の形態】Si-C-O（ニカロン）繊維、Si-Ti-
C-O （チラノ）繊維またはSi-Zr-C-O 繊維を水素、一酸
化炭素などの還元性雰囲気で熱処理することにより、繊
維の構成元素量、結晶相、結晶子の大きさ（サイズ）
が、繊維の内心部ないし中心部から表面に至るまでほぼ
均質な断面組織を有し、耐酸化性と耐熱分解性を有する
炭化ケイ素系セラミツクス繊維を得る。
C-O （チラノ）繊維またはSi-Zr-C-O 繊維を水素、一酸
化炭素などの還元性雰囲気で熱処理することにより、繊
維の構成元素量、結晶相、結晶子の大きさ（サイズ）
が、繊維の内心部ないし中心部から表面に至るまでほぼ
均質な断面組織を有し、耐酸化性と耐熱分解性を有する
炭化ケイ素系セラミツクス繊維を得る。
【０００８】
【実施例】本発明による炭化ケイ素系セラミツクス繊維
は、市販のSi-C-O（商品名ニカロン）繊維、Si-Ti-C-O
（商品名チラノ）繊維、またはSi-Zr-C-O 繊維を、温度
９００〜１１００℃の水素、一酸化炭素などの還元性ガ
ス気流中で０．５〜１０時間加熱処理したものである。
は、市販のSi-C-O（商品名ニカロン）繊維、Si-Ti-C-O
（商品名チラノ）繊維、またはSi-Zr-C-O 繊維を、温度
９００〜１１００℃の水素、一酸化炭素などの還元性ガ
ス気流中で０．５〜１０時間加熱処理したものである。
【０００９】本発明によるセラミツクス繊維の断面を観
察した結果、変質相や被覆層は特に見られず、また繊維
強化セラミツクス複合体における、基材とセラミツクス
繊維との界面も認められなかつた。
察した結果、変質相や被覆層は特に見られず、また繊維
強化セラミツクス複合体における、基材とセラミツクス
繊維との界面も認められなかつた。
【００１０】本発明によるセラミツクス繊維と従来のセ
ラミツクス繊維（つまり熱処理前のセラミツクス繊維）
とについて、走査型オージエ電子分析装置により、繊維
に含まれる酸素と炭素の量をそれぞれ分析した。図１に
破線で示すように、従来のセラミツクス繊維では、セラ
ミツクス繊維に含まれる酸素量がセラミツクス繊維の中
心部から表面に向かつて次第に増加し、逆に炭素量が次
第に減少している。これに対し、本発明によるセラミツ
クス繊維では、図１に実線で示すように、セラミツクス
繊維に含まれる酸素と炭素の量は、セラミツクス繊維の
中心部から表面まで、大きな変化は見られず、組成が均
質なものになつている。特に、本発明によるセラミツク
ス繊維の表面から深さ０．１μｍまでの表層部に含まれ
る酸素量（１９wt％）および炭素量（５５wt％）と、セ
ラミツクス繊維の中心部（繊維の表面からの深さが０．
１μｍ以上）に含まれる酸素量（１５wt％）および炭素
量（６０wt％）との差は、それぞれ５wt％以内である。
ラミツクス繊維（つまり熱処理前のセラミツクス繊維）
とについて、走査型オージエ電子分析装置により、繊維
に含まれる酸素と炭素の量をそれぞれ分析した。図１に
破線で示すように、従来のセラミツクス繊維では、セラ
ミツクス繊維に含まれる酸素量がセラミツクス繊維の中
心部から表面に向かつて次第に増加し、逆に炭素量が次
第に減少している。これに対し、本発明によるセラミツ
クス繊維では、図１に実線で示すように、セラミツクス
繊維に含まれる酸素と炭素の量は、セラミツクス繊維の
中心部から表面まで、大きな変化は見られず、組成が均
質なものになつている。特に、本発明によるセラミツク
ス繊維の表面から深さ０．１μｍまでの表層部に含まれ
る酸素量（１９wt％）および炭素量（５５wt％）と、セ
ラミツクス繊維の中心部（繊維の表面からの深さが０．
１μｍ以上）に含まれる酸素量（１５wt％）および炭素
量（６０wt％）との差は、それぞれ５wt％以内である。
【００１１】本発明によるセラミツクス繊維と従来のセ
ラミツクス繊維とについてのＸ線回析の結果では、熱処
理を施さなかつた従来のセラミツクス繊維には非晶質の
二酸化ケイ素（SiO2）のピークが見られたが、本発明に
よるセラミツクス繊維には、非晶質の二酸化ケイ素（Si
O2）のピークは見られなかつた。また、本発明によるセ
ラミツクス繊維の炭化ケイ素（SiC ）のピークについて
は、従来のセラミツクス繊維との差は見られなかつた。
これはセラミツクス繊維の表層部の二酸化ケイ素（Si
O2）が還元されて、酸素は二酸化炭素（CO2 ）ガスにな
つた放散され、ケイ素は炭化ケイ素になつて表層部に残
つたことによるものと考えられる。
ラミツクス繊維とについてのＸ線回析の結果では、熱処
理を施さなかつた従来のセラミツクス繊維には非晶質の
二酸化ケイ素（SiO2）のピークが見られたが、本発明に
よるセラミツクス繊維には、非晶質の二酸化ケイ素（Si
O2）のピークは見られなかつた。また、本発明によるセ
ラミツクス繊維の炭化ケイ素（SiC ）のピークについて
は、従来のセラミツクス繊維との差は見られなかつた。
これはセラミツクス繊維の表層部の二酸化ケイ素（Si
O2）が還元されて、酸素は二酸化炭素（CO2 ）ガスにな
つた放散され、ケイ素は炭化ケイ素になつて表層部に残
つたことによるものと考えられる。
【００１２】本発明による炭化ケイ素系セラミツクス繊
維についての、Ｘ線回折の回折強度およびピーク幅か
ら、シエラーの式により求めた炭化ケイ素の結晶子の大
きさ（サイズ）ｔの値から判断すると、セラミツクス繊
維の表層部と中心部との間には、結晶化度に差はないと
いえる。
維についての、Ｘ線回折の回折強度およびピーク幅か
ら、シエラーの式により求めた炭化ケイ素の結晶子の大
きさ（サイズ）ｔの値から判断すると、セラミツクス繊
維の表層部と中心部との間には、結晶化度に差はないと
いえる。
【００１３】ｔ＝０．９λ／Ｂｃｏｓθ ただし、ｔ：結晶子の大きさ（サイズ） λ：Ｘ線の波長 Ｂ：半値幅 ２θ：回折角度 本発明によるセラミツクス繊維に含まれる結晶質微粒子
（結晶子）の大きさｔについても、セラミツクス繊維の
表層部と中心部とにおける平均的なばらつきが同等であ
り、平均的なばらつきは５０ｎｍ以下であることが分か
つた。
（結晶子）の大きさｔについても、セラミツクス繊維の
表層部と中心部とにおける平均的なばらつきが同等であ
り、平均的なばらつきは５０ｎｍ以下であることが分か
つた。
【００１４】さらに、本発明によるセラミツクス繊維と
従来のセラミツクス繊維とについて、透過型電子顕微鏡
で観察した結果、本発明によるセラミツクス繊維は表層
部も中心部も、非晶質の物質と結晶子の大きさが５０ｎ
ｍ以下の結晶質の炭化物（炭化ケイ素、炭化チタンな
ど）とから構成されていることが分かつた。
従来のセラミツクス繊維とについて、透過型電子顕微鏡
で観察した結果、本発明によるセラミツクス繊維は表層
部も中心部も、非晶質の物質と結晶子の大きさが５０ｎ
ｍ以下の結晶質の炭化物（炭化ケイ素、炭化チタンな
ど）とから構成されていることが分かつた。
【００１５】従来のセラミツクス繊維であるチラノ繊維
やニカロン繊維は、非晶質の物質と結晶子の大きさが５
０ｎｍ以下の結晶質の炭化物とから構成されているた
め、高強度を有することが知られており、本発明による
セラミツクス繊維も同様の組織であり、図２にＡで示す
ように、本発明によるセラミツクス繊維も従来のセラミ
ツクス繊維と同等の引張強度を有し、熱処理による強度
の低下は見られない。
やニカロン繊維は、非晶質の物質と結晶子の大きさが５
０ｎｍ以下の結晶質の炭化物とから構成されているた
め、高強度を有することが知られており、本発明による
セラミツクス繊維も同様の組織であり、図２にＡで示す
ように、本発明によるセラミツクス繊維も従来のセラミ
ツクス繊維と同等の引張強度を有し、熱処理による強度
の低下は見られない。
【００１６】本発明によるセラミツクス繊維の耐熱強度
と、CVD 法により温度１３００℃で炭化ケイ素の被膜を
形成した従来のセラミツクス繊維の耐熱強度とを比較す
るために、次の熱負荷試験を行つた。すなわち、本発明
によるセラミツクス繊維と従来のセラミツクス繊維と
を、温度８００℃の大気に１００時間暴露したものと、
温度１５００℃のアルゴンに１０時間暴露したものとに
ついて、それぞれ引張強度を測定した。図２にＢ，Ｃで
示すように、本発明によるセラミツクス繊維１６，１７
は従来のセラミツクス繊維１３，１４に比べて、熱負荷
試験による引張強度の低下が少ない。
と、CVD 法により温度１３００℃で炭化ケイ素の被膜を
形成した従来のセラミツクス繊維の耐熱強度とを比較す
るために、次の熱負荷試験を行つた。すなわち、本発明
によるセラミツクス繊維と従来のセラミツクス繊維と
を、温度８００℃の大気に１００時間暴露したものと、
温度１５００℃のアルゴンに１０時間暴露したものとに
ついて、それぞれ引張強度を測定した。図２にＢ，Ｃで
示すように、本発明によるセラミツクス繊維１６，１７
は従来のセラミツクス繊維１３，１４に比べて、熱負荷
試験による引張強度の低下が少ない。
【００１７】本発明によるセラミツクス繊維と従来のセ
ラミツクス繊維とについて、熱負荷試験後にＸ線回折に
より分析した。温度８００℃の大気に１００時間暴露し
た結果では、従来のセラミツクス繊維１３には二酸化ケ
イ素（SiO2）が生成したが、本発明によるセラミツクス
繊維１６には二酸化ケイ素（SiO2）は生成していなかつ
た。また、温度１５００℃のアルゴンに１０時間暴露し
た結果では、従来のセラミツクス繊維１４には炭化ケイ
素の生成が見られたが、本発明によるセラミツクス繊維
１７には暴露前後で顕著な変化は見られなかつた。本発
明によるセラミツクス繊維は繊維の表層部に含まれる酸
素が少いため、炭化ケイ素に近い組成になり、耐酸化性
が向上したものと考えられる。また、酸化ケイ素や一酸
化炭素の発生が少なく、熱分解が抑制されたものと考え
られる。
ラミツクス繊維とについて、熱負荷試験後にＸ線回折に
より分析した。温度８００℃の大気に１００時間暴露し
た結果では、従来のセラミツクス繊維１３には二酸化ケ
イ素（SiO2）が生成したが、本発明によるセラミツクス
繊維１６には二酸化ケイ素（SiO2）は生成していなかつ
た。また、温度１５００℃のアルゴンに１０時間暴露し
た結果では、従来のセラミツクス繊維１４には炭化ケイ
素の生成が見られたが、本発明によるセラミツクス繊維
１７には暴露前後で顕著な変化は見られなかつた。本発
明によるセラミツクス繊維は繊維の表層部に含まれる酸
素が少いため、炭化ケイ素に近い組成になり、耐酸化性
が向上したものと考えられる。また、酸化ケイ素や一酸
化炭素の発生が少なく、熱分解が抑制されたものと考え
られる。
【００１８】図３は本発明によるセラミツクス繊維につ
いて、上述した熱負荷試験後の、繊維の表面から深さ
０．１μｍまでの表層部に含まれる酸素量と中心部（繊
維の表面からの深さが０．１μｍ以上）に含まれる酸素
量との差に対する引張強度の関係を表す。本発明による
セラミツクス繊維は表層部と中心部にそれぞれ含まれる
酸素量の差が５wt％以内であれば、優れた耐熱性を有す
ることが分かつた。また、本発明によるセラミツクス繊
維の表層部と中心部にそれぞれ含まれる炭素量の差は、
酸素量の差とほぼ比例する関係にあるので、炭素量の差
も５wt％以内であれば、同様に優れた耐熱性を有するこ
とが分かつた。
いて、上述した熱負荷試験後の、繊維の表面から深さ
０．１μｍまでの表層部に含まれる酸素量と中心部（繊
維の表面からの深さが０．１μｍ以上）に含まれる酸素
量との差に対する引張強度の関係を表す。本発明による
セラミツクス繊維は表層部と中心部にそれぞれ含まれる
酸素量の差が５wt％以内であれば、優れた耐熱性を有す
ることが分かつた。また、本発明によるセラミツクス繊
維の表層部と中心部にそれぞれ含まれる炭素量の差は、
酸素量の差とほぼ比例する関係にあるので、炭素量の差
も５wt％以内であれば、同様に優れた耐熱性を有するこ
とが分かつた。
【００１９】さらに、本発明によるセラミツクス繊維
（太さ約 900 nm ）と従来のセラミツクス繊維を巻軸に
螺旋状に巻き付けるという巻付け試験を行つた。図４に
破線で示すように、本発明によるセラミツクス繊維は、
図４に実線で示すCVD 法により炭化ケイ素の被膜を形成
した従来のセラミツクス繊維に比べて、クラツクの発生
が見られず、柔軟性に優れていることが分かつた。
（太さ約 900 nm ）と従来のセラミツクス繊維を巻軸に
螺旋状に巻き付けるという巻付け試験を行つた。図４に
破線で示すように、本発明によるセラミツクス繊維は、
図４に実線で示すCVD 法により炭化ケイ素の被膜を形成
した従来のセラミツクス繊維に比べて、クラツクの発生
が見られず、柔軟性に優れていることが分かつた。
【００２０】
【発明の効果】本発明は上述のように、ケイ素、チタン
またはジルコニウム、炭素、酸素からなる炭化ケイ素系
セラミツクス繊維、またはケイ素、炭素、酸素からなる
炭化ケイ素系セラミツクス繊維において、同一断面上で
表面から内部にかけて酸素量が次第に減少し、かつ表面
ないし表層部の酸素量および炭素量と、表面からの深さ
が０．１μｍ以上の中心部の酸素量および炭素量との差
が、それぞれ５wt％以内になるようにしたものであり、
還元性雰囲気で熱処理することで各構成元素量、結晶
相、結晶子の大きさ（サイズ）がセラミツクス繊維の中
心から表面に至るまでほぼ均質な断面組織を有する炭化
ケイ素系セラミツクス繊維を得ることができ、耐酸化、
耐熱分解性を向上できる。
またはジルコニウム、炭素、酸素からなる炭化ケイ素系
セラミツクス繊維、またはケイ素、炭素、酸素からなる
炭化ケイ素系セラミツクス繊維において、同一断面上で
表面から内部にかけて酸素量が次第に減少し、かつ表面
ないし表層部の酸素量および炭素量と、表面からの深さ
が０．１μｍ以上の中心部の酸素量および炭素量との差
が、それぞれ５wt％以内になるようにしたものであり、
還元性雰囲気で熱処理することで各構成元素量、結晶
相、結晶子の大きさ（サイズ）がセラミツクス繊維の中
心から表面に至るまでほぼ均質な断面組織を有する炭化
ケイ素系セラミツクス繊維を得ることができ、耐酸化、
耐熱分解性を向上できる。
【図１】本発明に係る炭化ケイ素系セラミツス繊維と従
来の炭化ケイ素系セラミツス繊維の、各組成の断面変化
を表す線図である。
来の炭化ケイ素系セラミツス繊維の、各組成の断面変化
を表す線図である。
【図２】同セラミツクス繊維の熱負荷試験による引張強
度の変化を表す線図である。
度の変化を表す線図である。
【図３】同セラミツクス繊維について、繊維の表層部と
中心部にそれぞれ含まれる酸素量の差に対する耐熱強度
の関係を表す線図である。
中心部にそれぞれ含まれる酸素量の差に対する耐熱強度
の関係を表す線図である。
【図４】同セラミツクス繊維の巻付け試験の結果を表す
線図である。
線図である。
１５，１６，１７：本発明に係る炭化ケイ素系セラミツ
ス繊維
ス繊維
Claims (2)
- 【請求項１】ケイ素、チタンまたはジルコニウム、炭
素、酸素からなる炭化ケイ素系セラミツクス繊維、また
はケイ素、炭素、酸素からなる炭化ケイ素系セラミツク
ス繊維において、同一断面上で表面から内部にかけて酸
素量が減少し、かつ表面の酸素量および炭素量と、表面
からの深さが０．１μｍ以上の中心部の酸素量および炭
素量との差が、それぞれ５wt％以内であることを特徴と
する、炭化ケイ素系セラミツクス繊維。 - 【請求項２】前記セラミツクス繊維は非晶質の物質と、
結晶子の大きさが５０ｎｍ以下の結晶質の炭化物とから
構成されていることを特徴とする、炭化ケイ素系セラミ
ツクス繊維。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4537496A JPH09217234A (ja) | 1996-02-07 | 1996-02-07 | 炭化ケイ素系セラミツクス繊維 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4537496A JPH09217234A (ja) | 1996-02-07 | 1996-02-07 | 炭化ケイ素系セラミツクス繊維 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09217234A true JPH09217234A (ja) | 1997-08-19 |
Family
ID=12717501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4537496A Pending JPH09217234A (ja) | 1996-02-07 | 1996-02-07 | 炭化ケイ素系セラミツクス繊維 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09217234A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021042100A (ja) * | 2019-09-11 | 2021-03-18 | 日立金属株式会社 | ＳｉＣ基複合材料、ＢＮ被覆ＳｉＣ繊維、およびＳｉＣ基複合材料の製造方法 |
-
1996
- 1996-02-07 JP JP4537496A patent/JPH09217234A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021042100A (ja) * | 2019-09-11 | 2021-03-18 | 日立金属株式会社 | ＳｉＣ基複合材料、ＢＮ被覆ＳｉＣ繊維、およびＳｉＣ基複合材料の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6040008A (en) | Silicon carbide fibers with boron nitride coatings | |
| Dong et al. | Characterization of nearly stoichiometric SiC ceramic fibres | |
| Takeda et al. | Thermal stability of the low-oxygen-content silicon carbide fiber, Hi-NicalonTM | |
| Yang et al. | Ultra‐long single‐crystalline α‐Si3N4 nanowires: derived from a polymeric precursor | |
| Takeda et al. | Microstructure and oxidation behavior of silicon carbide fibers derived from polycarbosilane | |
| 岡村清人 et al. | SiC-based ceramic fibers prepared via organic-to-inorganic conversion process-a review | |
| Cao et al. | High-temperature behavior and degradation mechanism of SiC fibers annealed in Ar and N 2 atmospheres | |
| Cao et al. | Formation mechanism of large SiC grains on SiC fiber surfaces during heat treatment | |
| Sacks | Effect of composition and heat treatment conditions on the tensile strength and creep resistance of SiC-based fibers | |
| Hochet et al. | Microstructural evolution of the latest generation of small‐diameter SiC‐based fibres tested at high temperatures | |
| Shimoo et al. | Thermal stability of low‐oxygen silicon carbide fiber (Hi‐Nicalon) subjected to selected oxidation treatment | |
| Zhang et al. | Oxidation resistance and thermal stability of the SiC‐ZrB2 composite ceramic fibers | |
| Lipowitz et al. | Polycrystalline SiC fibers from organosilicon polymers | |
| US6187705B1 (en) | Creep-resistant, high-strength silicon carbide fibers | |
| US4929472A (en) | Surface-coated SiC whiskers, processes for preparing the same, ceramic reinforced with the same, and process for preparing said reinforced ceramic | |
| Shimoo et al. | Oxidation behavior of Si‐C‐O fibers (Nicalon) under oxygen partial pressures from 102 to 105 Pa at 1773 K | |
| JPH09217234A (ja) | 炭化ケイ素系セラミツクス繊維 | |
| Gan et al. | Preparation and characterization of near-stoichiometric silicon carbon fibres | |
| Ghanem et al. | Paper derived SiC–Si3N4 ceramics for high temperature applications | |
| JP2003113537A (ja) | 窒化ホウ素層を繊維表面に有する炭化珪素繊維及びその製造方法 | |
| JP3279134B2 (ja) | 高耐熱セラミックス繊維及びその製造方法 | |
| JP2660346B2 (ja) | セラミックス複合材料 | |
| Bhatt et al. | Microstructural and strength stability of CVD SiC fibers in argon environments | |
| JPH02160922A (ja) | ケイ素および炭素を含有するセラミック繊維の熱処理法および積層構造を有する同じ種類の繊維 | |
| Yu et al. | Continuous Si–C–O–Al fiber derived from aluminum-containing polycarbosilane precursor |