JP2021039356A

JP2021039356A - Light-emitting device

Info

Publication number: JP2021039356A
Application number: JP2020180201A
Authority: JP
Inventors: 幸二藤田; Koji Fujita
Original assignee: Tohoku Pioneer Corp; Pioneer Electronic Corp
Current assignee: Tohoku Pioneer Corp; Pioneer Corp
Priority date: 2020-10-28
Filing date: 2020-10-28
Publication date: 2021-03-11
Also published as: JP2023169211A; JP2022092623A

Abstract

To provide a light-emitting device for improving visibility in a light-emitting device for displaying a predetermined pattern.SOLUTION: A light shielding layer 200 is located between a plurality of light-emitting regions 101 when seen in a direction perpendicular to a substrate 100. The light shielding layer 200 includes a light reflection layer 202 and a light absorption layer 204. The light absorption layer 204 is located closer to the substrate 100 side in a thickness direction than the light reflection layer 202, and has light reflectance lower than that of the light reflection layer 202. Further, when seen in the direction perpendicular to the substrate 100, an end of the light reflection layer 202 is located further inside of the light shielding layer 200 than an end of the light absorption layer 204.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、発光装置に関する。 The present invention relates to a light emitting device.

所定のパターンを表示する発光装置に求められる特性の一つに、視認性、例えばパターンのエッジがはっきりしていたり、表示されているパターンのみ認識できるようにすることがある。特許文献１には、視認性を向上させるために、発光装置の光射出面に遮光層を設けることが記載されている。詳細には、特許文献１は、液晶パネルに関する技術である。そして、液晶パネルの光射出面側の面には、遮光層が設けられている。この遮光層には、画素を形成するための開口が複数設けられている。 One of the characteristics required for a light emitting device that displays a predetermined pattern is visibility, for example, the edge of the pattern is clear, or only the displayed pattern can be recognized. Patent Document 1 describes that a light-shielding layer is provided on the light emitting surface of the light emitting device in order to improve visibility. Specifically, Patent Document 1 is a technique relating to a liquid crystal panel. A light-shielding layer is provided on the surface of the liquid crystal panel on the light emitting surface side. The light-shielding layer is provided with a plurality of openings for forming pixels.

また、特許文献２には、有機ＥＬ素子を用いた光学装置において、遮光マスクを設けることが記載されている。詳細には、この光学装置は、透明基板上に有機ＥＬ素子を形成し、さらに透明基板のうち有機ＥＬ素子が形成されている面を、封止部材で封止したものである。遮光マスクは、封止部材のうち有機ＥＬ素子と重なる領域に形成されている。 Further, Patent Document 2 describes that a light-shielding mask is provided in an optical device using an organic EL element. Specifically, in this optical device, an organic EL element is formed on a transparent substrate, and a surface of the transparent substrate on which the organic EL element is formed is sealed with a sealing member. The light-shielding mask is formed in a region of the sealing member that overlaps with the organic EL element.

特開２００５−１２２１０１号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2005-122101 特開２００８−１２９０４２号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2008-129042

本発明者は、複数の発光領域を有する発光装置において、各発光領域からの発光の視認性を向上させることを検討した。このような発光装置の視認性を向上させる方法の一つに、発光装置の光射出面のうち複数の発光領域の間に位置する領域に、遮光層を設ける方法がある。しかし、遮光層として用いられる材料は、一般的に、可視光の反射率が高い場合が多い。このため、ある発光領域からの光の一部が遮光層に向かって斜めに進行した場合、その光は、遮光層で反射する。また、発光領域を有機ＥＬ素子で形成した場合、有機ＥＬ素子の電極の一方が反射率の高い金属電極、例えばアルミニウムで形成される。この反射光の少なくとも一部は、発光中の発光領域の隣の発光領域（例えば上記した反射率の高い金属電極）で反射して、外部に射出する。この隣の発光領域が本来発光していない発光領域である場合、このような反射が生じると、本来発光していない発光領域も発光しているように見える。この場合、各発光領域からの発光の視認性が低下してしまう。 The present inventor has studied to improve the visibility of light emitted from each light emitting region in a light emitting device having a plurality of light emitting regions. One of the methods for improving the visibility of such a light emitting device is to provide a light shielding layer in a region located between a plurality of light emitting regions on the light emitting surface of the light emitting device. However, the material used as the light-shielding layer generally has a high reflectance of visible light in many cases. Therefore, when a part of the light from a certain light emitting region travels diagonally toward the light-shielding layer, the light is reflected by the light-shielding layer. When the light emitting region is formed of an organic EL element, one of the electrodes of the organic EL element is formed of a metal electrode having high reflectance, for example, aluminum. At least a part of this reflected light is reflected by a light emitting region (for example, the above-mentioned metal electrode having high reflectance) adjacent to the light emitting region during light emission, and is emitted to the outside. When the light emitting region next to this is a light emitting region that does not originally emit light, when such reflection occurs, it seems that the light emitting region that does not originally emit light also emits light. In this case, the visibility of the light emitted from each light emitting region is lowered.

本発明が解決しようとする課題としては、所定のパターンを表示する発光装置において、視認性を向上させることが一例として挙げられる。 As an example of the problem to be solved by the present invention, improving visibility in a light emitting device displaying a predetermined pattern can be mentioned.

第１の発明は、基板と、
前記基板の第１面側に設けられた複数の発光領域と、
前記基板の第２面側に設けられ、前記基板に垂直な方向から見た場合において前記複数の発光領域の間に位置する遮光層と、
を備え、
前記遮光層は、
第１層と、
厚さ方向において前記第１層よりも前記基板側に位置する第２層と、
を有し、
前記第２層は、前記第１層よりも反射率が低く、
前記基板に垂直な方向から見た場合において、前記第１層の端部は、前記第２層の端部よりも、前記遮光層の内側に位置している発光装置である。 The first invention is a substrate and
A plurality of light emitting regions provided on the first surface side of the substrate, and
A light-shielding layer provided on the second surface side of the substrate and located between the plurality of light emitting regions when viewed from a direction perpendicular to the substrate.
With
The light-shielding layer is
First layer and
A second layer located closer to the substrate than the first layer in the thickness direction,
Have,
The second layer has a lower reflectance than the first layer.
When viewed from a direction perpendicular to the substrate, the end portion of the first layer is a light emitting device located inside the light-shielding layer with respect to the end portion of the second layer.

第２の発明は、基板と、
前記基板の第１面側に設けられた複数の発光領域と、
前記基板の第２面側に設けられ、前記基板に垂直な方向から見た場合において前記複数の発光領域の間に位置する遮光層と、
を備え、
前記遮光層は、
第１層と、
前記第１層よりも前記基板側に位置する第２層と、
前記第２層の端部の少なくとも一部を覆う第３層と、
を有し、
前記第２層及び前記第３層は、前記第１層よりも反射率が低い発光装置である。 The second invention is a substrate and
A plurality of light emitting regions provided on the first surface side of the substrate, and
A light-shielding layer provided on the second surface side of the substrate and located between the plurality of light emitting regions when viewed from a direction perpendicular to the substrate.
With
The light-shielding layer is
First layer and
A second layer located closer to the substrate than the first layer,
A third layer that covers at least a part of the end of the second layer,
Have,
The second layer and the third layer are light emitting devices having a lower reflectance than the first layer.

上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。 The above-mentioned objectives and other objectives, features and advantages will be further clarified by the preferred embodiments described below and the accompanying drawings below.

第１の実施形態に係る発光装置の平面図である。It is a top view of the light emitting device which concerns on 1st Embodiment. 図１のＡ−Ａ断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 図２の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of FIG. 遮光層の形成方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the method of forming a light-shielding layer. 遮光層の形成方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the method of forming a light-shielding layer. 比較例に係る発光装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the light emitting device which concerns on a comparative example. 第１の実施形態に係る発光装置における光吸収層の機能を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the function of the light absorption layer in the light emitting device which concerns on 1st Embodiment. 第２の実施形態に係る発光装置の断面図である。It is sectional drawing of the light emitting device which concerns on 2nd Embodiment. 第２の実施形態に係る遮光層の形成方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the method of forming a light-shielding layer which concerns on 2nd Embodiment. 図８の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of FIG. 実施例に係る発光装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the light emitting device which concerns on Example. 実施例における発光装置の製造方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the light emitting device in an Example. 実施例における発光装置の製造方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the light emitting device in an Example. 実施例における発光装置の製造方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the light emitting device in an Example.

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all drawings, similar components are designated by the same reference numerals, and description thereof will be omitted as appropriate.

（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る発光装置１０の平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ断面図である。発光装置１０は、例えば光学装置において文字や記号等を表示するために用いられ、基板１００、複数の発光領域１０１、及び遮光層２００を備えている。複数の発光領域１０１は、基板１００の第１面（例えば図２の下側の面）側に設けられている。遮光層２００は、基板１００の第２面側（例えば図２の上側の面）に設けられている。そして図２に示すように、遮光層２００は、基板１００に垂直な方向から見た場合において、複数の発光領域１０１の間に位置している。遮光層２００は、光反射層２０２（第１層）及び光吸収層２０４（第２層）を有している。光吸収層２０４は、厚さ方向において光反射層２０２よりも基板１００側に位置しており、光反射層２０２よりも光の反射率が低い。光吸収層２０４の好ましい例として、光を吸収する層であり、透明な層は含まない。さらに、基板１００に垂直な方向から見た場合において、光反射層２０２の端部は、光吸収層２０４の端部よりも、遮光層２００の内側に位置している。以下、詳細に説明する。 (First Embodiment)
FIG. 1 is a plan view of the light emitting device 10 according to the first embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. The light emitting device 10 is used for displaying characters, symbols, and the like in, for example, an optical device, and includes a substrate 100, a plurality of light emitting regions 101, and a light shielding layer 200. The plurality of light emitting regions 101 are provided on the first surface (for example, the lower surface of FIG. 2) side of the substrate 100. The light-shielding layer 200 is provided on the second surface side (for example, the upper surface of FIG. 2) of the substrate 100. As shown in FIG. 2, the light-shielding layer 200 is located between the plurality of light emitting regions 101 when viewed from a direction perpendicular to the substrate 100. The light-shielding layer 200 has a light-reflecting layer 202 (first layer) and a light-absorbing layer 204 (second layer). The light absorbing layer 204 is located closer to the substrate 100 than the light reflecting layer 202 in the thickness direction, and has a lower light reflectance than the light reflecting layer 202. A preferred example of the light absorbing layer 204 is a layer that absorbs light and does not include a transparent layer. Further, when viewed from a direction perpendicular to the substrate 100, the end portion of the light reflecting layer 202 is located inside the light shielding layer 200 with respect to the end portion of the light absorbing layer 204. Hereinafter, a detailed description will be given.

基板１００は、発光領域１０１が発光する光に対して透光性を有している材料によって形成されている。基板１００は、ガラス基板であってもよいし、樹脂基板であってもよい。また、基板１００がある程度薄い場合、基板１００は可撓性を有している。基板１００の厚さは、例えば３００μｍ以上６００μｍ以下である。 The substrate 100 is made of a material that is transparent to the light emitted by the light emitting region 101. The substrate 100 may be a glass substrate or a resin substrate. Further, when the substrate 100 is thin to some extent, the substrate 100 has flexibility. The thickness of the substrate 100 is, for example, 300 μm or more and 600 μm or less.

発光領域１０１には、例えばそれぞれが互いに独立した発光素子が形成されている。この発光素子は、例えば有機ＥＬ素子であるが、ＬＥＤなどの他の自発光素子であってもよい。発光領域１０１は、例えば図１に示すように、互いに異なる平面形状（例えば文字、数字、及び／又は記号）を有している。 In the light emitting region 101, for example, light emitting elements that are independent of each other are formed. This light emitting element is, for example, an organic EL element, but may be another self-luminous element such as an LED. The light emitting region 101 has different planar shapes (for example, letters, numbers, and / or symbols) as shown in FIG. 1, for example.

遮光層２００は、複数の層を積層したものである。これら複数の層には、光反射層２０２及び光吸収層２０４が含まれる。図２に示す例において、遮光層２００は、基板１００の第２面側に、光吸収層２０４及び光反射層２０２をこの順に積層させた構成を有している。光反射層２０２は、可視光（例えば発光領域１０１が発光する光）を遮光する機能を有している。光反射層２０２は、例えばＣｒなどの金属によって形成されており、その厚さは、例えば５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。光吸収層２０４は、発光領域１０１が発光する光の反射率が光反射層２０２よりも低い材料によって形成されている。光反射層２０２が金属によって形成されている場合、光吸収層２０４は、この金属の酸化物（例えば酸化クロム）によって形成されている。なお、光吸収層２０４は、光反射層２０２よりも薄く形成されている。光吸収層２０４の厚さは、例えば３０ｎｍ以上７０ｎｍ以下である。光吸収層２０４の厚さは、例えば光反射層２０２の厚さ以下である。ただし光吸収層２０４の厚さは、光反射層２０２の厚さ以上であってもよい。 The light-shielding layer 200 is a stack of a plurality of layers. These plurality of layers include a light reflecting layer 202 and a light absorbing layer 204. In the example shown in FIG. 2, the light-shielding layer 200 has a configuration in which the light absorbing layer 204 and the light reflecting layer 202 are laminated in this order on the second surface side of the substrate 100. The light reflecting layer 202 has a function of blocking visible light (for example, light emitted by the light emitting region 101). The light reflecting layer 202 is formed of a metal such as Cr, and its thickness is, for example, 50 nm or more and 200 nm or less. The light absorption layer 204 is made of a material having a lower reflectance than the light reflection layer 202 for the light emitted by the light emitting region 101. When the light reflecting layer 202 is formed of a metal, the light absorbing layer 204 is formed of an oxide of this metal (for example, chromium oxide). The light absorbing layer 204 is formed thinner than the light reflecting layer 202. The thickness of the light absorption layer 204 is, for example, 30 nm or more and 70 nm or less. The thickness of the light absorbing layer 204 is, for example, less than or equal to the thickness of the light reflecting layer 202. However, the thickness of the light absorbing layer 204 may be greater than or equal to the thickness of the light reflecting layer 202.

上記したように、遮光層２００は、基板１００に垂直な方向から見た場合において複数の発光領域１０１の間に位置している。詳細には、遮光層２００は複数の開口２１０を有している。複数の開口２１０は、基板１００に垂直な方向から見た場合において、互いに異なる発光領域１０１と重なっており、かつ重なっている発光領域１０１と同様の形状を有している。このため、遮光層２００を設けることにより、発光領域１０１の発光によって示されるパターンのエッジはシャープになる。これによって発光装置１０が示すパターンの視認性は向上する。 As described above, the light-shielding layer 200 is located between the plurality of light emitting regions 101 when viewed from a direction perpendicular to the substrate 100. Specifically, the light-shielding layer 200 has a plurality of openings 210. The plurality of openings 210 overlap each other with different light emitting regions 101 when viewed from a direction perpendicular to the substrate 100, and have the same shape as the overlapping light emitting regions 101. Therefore, by providing the light-shielding layer 200, the edge of the pattern indicated by the light emission of the light emitting region 101 becomes sharp. This improves the visibility of the pattern shown by the light emitting device 10.

さらに、基板１００に垂直な方向から見たときに、光反射層２０２の端部は、光吸収層２０４の端部よりも、遮光層２００の内側に位置している。言い換えると、開口２１０の外形線は、光吸収層２０４の端部によって規定されている。そして、光反射層２０２の幅は、光吸収層２０４の幅よりも小さい。このため、発光領域１０１から見た場合において、光反射層２０２の端面の少なくとも一部は、光吸収層２０４によって覆われる。なお、光反射層２０２の端部から光吸収層２０４の端部まで距離は、例えば２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。また、遮光層２００の厚さをｔとした場合、光反射層２０２の端部から光吸収層２０４の端部まで距離は、例えば３ｔ以下である。 Further, when viewed from a direction perpendicular to the substrate 100, the end portion of the light reflecting layer 202 is located inside the light shielding layer 200 with respect to the end portion of the light absorbing layer 204. In other words, the outline of the opening 210 is defined by the end of the light absorbing layer 204. The width of the light reflecting layer 202 is smaller than the width of the light absorbing layer 204. Therefore, when viewed from the light emitting region 101, at least a part of the end face of the light reflecting layer 202 is covered with the light absorbing layer 204. The distance from the end of the light reflecting layer 202 to the end of the light absorbing layer 204 is, for example, 200 nm or more and 500 nm or less. When the thickness of the light-shielding layer 200 is t, the distance from the end of the light-reflecting layer 202 to the end of the light-absorbing layer 204 is, for example, 3 tons or less.

なお、基板１００に垂直な方向から見た場合において、開口２１０のそれぞれは、発光領域１０１よりも少し小さくても良い。この場合、開口２１０の縁は、発光領域１０１の内側に位置する。このようにすると、発光領域１０１と遮光層２００の間に位置ずれが生じていても、遮光層２００の縁は発光領域１０１に重なっているため、発光装置１０の視認性は低下しない。なお、遮光層２００と発光領域１０１の重なっている部分の幅は、例えば５μｍ以上４０μｍ以下である。 When viewed from a direction perpendicular to the substrate 100, each of the openings 210 may be slightly smaller than the light emitting region 101. In this case, the edge of the opening 210 is located inside the light emitting region 101. In this way, even if the position shift occurs between the light emitting region 101 and the light emitting layer 200, the visibility of the light emitting device 10 does not deteriorate because the edge of the light emitting layer 200 overlaps the light emitting region 101. The width of the overlapping portion of the light shielding layer 200 and the light emitting region 101 is, for example, 5 μm or more and 40 μm or less.

逆に、図３に示すように、開口２１０のそれぞれは、発光領域１０１よりも少し大きくしても良い。この場合、遮光層２００の端部から発光領域１０１の端部までの距離は、例えば０．５μｍ以上５０μｍ以下である。この場合、発光装置１０を少し斜めから見ても、発光装置１０からの光を認識できるようになる。 On the contrary, as shown in FIG. 3, each of the openings 210 may be slightly larger than the light emitting region 101. In this case, the distance from the end of the light-shielding layer 200 to the end of the light-emitting region 101 is, for example, 0.5 μm or more and 50 μm or less. In this case, the light from the light emitting device 10 can be recognized even if the light emitting device 10 is viewed from a slight angle.

図４及び図５は、遮光層２００の形成方法を説明するための断面図である。なお、本図において、発光領域１０１は図示されていない。ただし、遮光層２００を形成する前に、発光領域１０１のすべてが形成されていなくてもよいし、発光領域１０１の少なくとも一部の層が形成されていても良い。 4 and 5 are cross-sectional views for explaining a method of forming the light-shielding layer 200. In this figure, the light emitting region 101 is not shown. However, before forming the light-shielding layer 200, not all of the light-emitting region 101 may be formed, or at least a part of the light-emitting region 101 may be formed.

まず、図４（ａ）に示すように、基板１００の上に光吸収層２０４を形成する。光吸収層２０４は、例えばスパッタリング法、蒸着法、又はＣＶＤ法などの気相成膜法を用いて形成される。次いで光吸収層２０４の上にマスクパターン（例えばレジストパターン：図示せず）を形成し、このマスクパターンを介して光吸収層２０４をエッチングする。ここで行われるエッチングは、例えばウェットエッチングであるが、ドライエッチングであっても良い。これにより、光吸収層２０４のうち不要な部分は除去される。その後、図４（ｂ）に示すように、マスクパターンを除去する。 First, as shown in FIG. 4A, the light absorption layer 204 is formed on the substrate 100. The light absorption layer 204 is formed by using a vapor phase film forming method such as a sputtering method, a vapor deposition method, or a CVD method. Next, a mask pattern (for example, a resist pattern: not shown) is formed on the light absorption layer 204, and the light absorption layer 204 is etched through this mask pattern. The etching performed here is, for example, wet etching, but may be dry etching. As a result, an unnecessary portion of the light absorption layer 204 is removed. Then, as shown in FIG. 4B, the mask pattern is removed.

次いで、図５に示すように、光吸収層２０４の上及び基板１００の上に光反射層２０２を形成する。光吸収層２０４及び光反射層２０２は、例えばスパッタリング法、蒸着法、又はＣＶＤ法などの気相成膜法を用いて形成される。 Next, as shown in FIG. 5, a light reflecting layer 202 is formed on the light absorbing layer 204 and on the substrate 100. The light absorption layer 204 and the light reflection layer 202 are formed by using a vapor phase film forming method such as a sputtering method, a vapor deposition method, or a CVD method.

その後、光反射層２０２の上にマスクパターン（例えばレジストパターン：図示せず）を形成し、このマスクパターンをマスクとして光反射層２０２をエッチングする。ここで行われるエッチングは、例えばウェットエッチングであるが、ドライエッチングであっても良い。これにより、光反射層２０２のうち不要な部分は除去される。 After that, a mask pattern (for example, a resist pattern: not shown) is formed on the light reflecting layer 202, and the light reflecting layer 202 is etched using this mask pattern as a mask. The etching performed here is, for example, wet etching, but may be dry etching. As a result, an unnecessary portion of the light reflecting layer 202 is removed.

図６は、比較例に係る発光装置１０の構成を示す図であり、実施形態における図２に対応している。この発光装置１０は、遮光層２００が光吸収層２０４を有していない点を除いて、実施形態に係る発光装置１０と同様の構成である。ある発光領域１０１ａ（図６における左側の発光領域１０１）が発光していて、その隣の発光領域１０１ｂ（図６における右側の発光領域１０１）が発光していない場合を考える。一般的に、発光素子が発光した光は、ある程度の角度を持って広がる。このため、発光領域１０１ａから発光した光の一部は、光反射層２０２で反射し、さらに発光領域１０１ｂで反射されてから、発光装置１０の外部に放射される。この場合、発光領域１０１ｂは発光していないにもかかわらず、発光領域１０１ｂが少し光っているように見えてしまう。この場合、発光装置１０の視認性は低下してしまう。 FIG. 6 is a diagram showing the configuration of the light emitting device 10 according to the comparative example, and corresponds to FIG. 2 in the embodiment. The light emitting device 10 has the same configuration as the light emitting device 10 according to the embodiment, except that the light shielding layer 200 does not have the light absorbing layer 204. Consider a case where a certain light emitting region 101a (the left light emitting region 101 in FIG. 6) is emitting light, and the adjacent light emitting region 101b (the right light emitting region 101 in FIG. 6) is not emitting light. Generally, the light emitted by the light emitting element spreads at a certain angle. Therefore, a part of the light emitted from the light emitting region 101a is reflected by the light reflecting layer 202, further reflected by the light emitting region 101b, and then radiated to the outside of the light emitting device 10. In this case, although the light emitting region 101b does not emit light, the light emitting region 101b seems to shine a little. In this case, the visibility of the light emitting device 10 is lowered.

これに対して本実施形態では、遮光層２００のうち基板１００に対向している面には、光吸収層２０４が形成されている。光吸収層２０４は、光反射層２０２よりも光の反射率が低い。従って、図７に示すように、発光領域１０１ａから発光した光の一部が遮光層２００に入射しても、遮光層２００から発光領域１０１ｂに向けて反射する光は少なくなるか、又は、ほぼ無くなる。従って、発光装置１０の視認性は向上する。 On the other hand, in the present embodiment, the light absorption layer 204 is formed on the surface of the light shielding layer 200 facing the substrate 100. The light absorbing layer 204 has a lower light reflectance than the light reflecting layer 202. Therefore, as shown in FIG. 7, even if a part of the light emitted from the light emitting region 101a is incident on the light emitting region 200, the light reflected from the light emitting layer 200 toward the light emitting region 101b is reduced or almost. It disappears. Therefore, the visibility of the light emitting device 10 is improved.

また、図６に示した比較例において、さらに、発光領域１０１で発光した光の一部は、光反射層２０２の端面で反射する。この場合、発光領域１０１の縁はにじんでいるように見えてしまい、その結果、発光装置１０の視認性は低下してしまう。 Further, in the comparative example shown in FIG. 6, a part of the light emitted in the light emitting region 101 is reflected by the end face of the light reflecting layer 202. In this case, the edge of the light emitting region 101 seems to be blurred, and as a result, the visibility of the light emitting device 10 is lowered.

これに対して本実施形態では、基板１００に垂直な方向から見たときに、光反射層２０２の端部は、光反射層２０２の端部よりも、発光領域１０１から離れているこのため、発光領域１０１から見た場合において、光反射層２０２の端面の少なくとも一部は、光吸収層２０４によって覆われる。従って、発光領域１０１で発光した光が光反射層２０２の端面で反射されることを抑制できる。この効果は、光反射層２０２の端部と光吸収層２０４の端部の距離が大きくなるにつれて、大きくなる。 On the other hand, in the present embodiment, when viewed from the direction perpendicular to the substrate 100, the end portion of the light reflecting layer 202 is farther from the light emitting region 101 than the end portion of the light reflecting layer 202. When viewed from the light emitting region 101, at least a part of the end face of the light reflecting layer 202 is covered with the light absorbing layer 204. Therefore, it is possible to suppress the light emitted in the light emitting region 101 from being reflected by the end face of the light reflecting layer 202. This effect increases as the distance between the end of the light reflecting layer 202 and the end of the light absorbing layer 204 increases.

（第２の実施形態）
図８は、第２の実施形態に係る発光装置１０の構成を示す断面図であり、第１の実施形態における図２に対応している。本実施形態に係る発光装置１０は、遮光層２００が光吸収層２０６（第３層）を備えている点を除いて、第１の実施形態に係る発光装置１０と同様の構成である。 (Second Embodiment)
FIG. 8 is a cross-sectional view showing the configuration of the light emitting device 10 according to the second embodiment, and corresponds to FIG. 2 in the first embodiment. The light emitting device 10 according to the present embodiment has the same configuration as the light emitting device 10 according to the first embodiment, except that the light shielding layer 200 includes a light absorbing layer 206 (third layer).

光吸収層２０６は、光反射層２０２（第１層）を挟んで基板１００の逆側に位置している。言い換えると、遮光層２００は、光吸収層２０４、光反射層２０２、及び光吸収層２０６をこの順に積層した構成を有している。光吸収層２０６は、光反射層２０２よりも反射率が低い。そして、基板１００に垂直な方向から見た場合において、光反射層２０２の端部は、光吸収層２０６の端部よりも、遮光層２００の内側に位置している。光吸収層２０６は、光吸収層２０４と同様の材料によって形成されている。例えば光反射層２０２が金属によって形成されている場合、光吸収層２０４は、この金属の酸化物（例えば酸化クロム）によって形成されている。なお、光吸収層２０６は、光反射層２０２よりも薄く形成されている。光吸収層２０６の厚さは、例えば光反射層２０２の厚さ以下である。ただし光吸収層２０６の厚さは、光反射層２０２の厚さ以上であってもよい。 The light absorption layer 206 is located on the opposite side of the substrate 100 with the light reflection layer 202 (first layer) interposed therebetween. In other words, the light-shielding layer 200 has a structure in which the light absorbing layer 204, the light reflecting layer 202, and the light absorbing layer 206 are laminated in this order. The light absorbing layer 206 has a lower reflectance than the light reflecting layer 202. When viewed from the direction perpendicular to the substrate 100, the end portion of the light reflecting layer 202 is located inside the light shielding layer 200 with respect to the end portion of the light absorbing layer 206. The light absorption layer 206 is made of the same material as the light absorption layer 204. For example, when the light reflecting layer 202 is formed of a metal, the light absorbing layer 204 is formed of an oxide of this metal (for example, chromium oxide). The light absorbing layer 206 is formed thinner than the light reflecting layer 202. The thickness of the light absorbing layer 206 is, for example, equal to or less than the thickness of the light reflecting layer 202. However, the thickness of the light absorbing layer 206 may be greater than or equal to the thickness of the light reflecting layer 202.

図９は、本実施形態に係る遮光層２００の製造方法を説明するための断面図である。まず、図９（ａ）に示すように、基板１００の上に、光吸収層２０４、光反射層２０２、及び光吸収層２０６をこの順に形成する。光吸収層２０４、光反射層２０２、及び光吸収層２０６は、例えばスパッタリング法、蒸着法、又はＣＶＤ法などの気相成膜法を用いて形成される。なお、光吸収層２０４，２０６が光反射層２０２を形成する金属の酸化物で形成されている場合、光反射層２０２と光吸収層２０４，２０６は同一の処理室で形成されるのが好ましい。この場合、まず、処理室の中に酸化剤（例えば酸素ガス）を導入しながら成膜を行い、その後、成膜を継続しながら酸化剤の導入を止めて成膜を行い、さらにその後、酸化剤の導入を再開することにより、光吸収層２０４、光反射層２０２、及び光吸収層２０６をこの順に連続して形成することができる。 FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining a method of manufacturing the light-shielding layer 200 according to the present embodiment. First, as shown in FIG. 9A, the light absorption layer 204, the light reflection layer 202, and the light absorption layer 206 are formed on the substrate 100 in this order. The light absorbing layer 204, the light reflecting layer 202, and the light absorbing layer 206 are formed by using a vapor phase film forming method such as a sputtering method, a vapor deposition method, or a CVD method. When the light absorbing layers 204 and 206 are formed of metal oxides forming the light reflecting layer 202, it is preferable that the light absorbing layers 202 and the light absorbing layers 204 and 206 are formed in the same processing chamber. .. In this case, first, the film is formed while introducing an oxidizing agent (for example, oxygen gas) into the treatment chamber, then the introduction of the oxidizing agent is stopped while continuing the film forming, and then the film is formed, and then oxidation is performed. By restarting the introduction of the agent, the light absorbing layer 204, the light reflecting layer 202, and the light absorbing layer 206 can be continuously formed in this order.

次いで、図９（ｂ）に示すように、光吸収層２０６の上にマスクパターン（例えばレジストパターン：図示せず）を形成し、このマスクパターンを介して、光吸収層２０６、光反射層２０２、及び光吸収層２０４をエッチングする。ここで行われるエッチングは、例えばウェットエッチングであるが、ドライエッチングであっても良い。これにより、光吸収層２０４のうち不要な部分は除去される。このときのエッチング条件は、光反射層２０２のエッチング速度が、光吸収層２０４，光吸収層２０６のエッチング速度よりも速くなるように設定される。これにより、光反射層２０２の端部は、光吸収層２０４，光吸収層２０６の端部よりも遮光層２００の内側に位置する。その後、マスクパターンを除去する。この方法によれば、図８のように基板に垂直な方向から見た場合において、光反射層２０２（第１層）の端部は、光吸収層２０４（第２層）および光吸収層２０６（第３層）の端部よりも、遮光層２００の内側に位置するようになる。 Next, as shown in FIG. 9B, a mask pattern (for example, a resist pattern: not shown) is formed on the light absorption layer 206, and the light absorption layer 206 and the light reflection layer 202 are passed through the mask pattern. , And the light absorbing layer 204 is etched. The etching performed here is, for example, wet etching, but may be dry etching. As a result, an unnecessary portion of the light absorption layer 204 is removed. The etching conditions at this time are set so that the etching rate of the light reflecting layer 202 is faster than the etching rate of the light absorbing layer 204 and the light absorbing layer 206. As a result, the end portion of the light reflecting layer 202 is located inside the light shielding layer 200 with respect to the end portions of the light absorbing layer 204 and the light absorbing layer 206. After that, the mask pattern is removed. According to this method, when viewed from a direction perpendicular to the substrate as shown in FIG. 8, the ends of the light reflecting layer 202 (first layer) are the light absorbing layer 204 (second layer) and the light absorbing layer 206. It is located inside the light-shielding layer 200 from the end of the (third layer).

本実施形態によっても、第１の実施形態と同様に、従って、発光領域１０１で発光した光が光反射層２０２の端面で反射されることを抑制できるため、発光装置１０の視認性は向上する。 Similar to the first embodiment, the present embodiment also can suppress the light emitted in the light emitting region 101 from being reflected by the end face of the light reflecting layer 202, so that the visibility of the light emitting device 10 is improved. ..

また、光反射層２０２の上面には光吸収層２０６が形成されているため、発光装置１０の外部から発光装置１０に入射した光が、光反射層２０２によって反射されることを抑制できる。このため、発光装置１０の視認性はさらに向上する。 Further, since the light absorbing layer 206 is formed on the upper surface of the light reflecting layer 202, it is possible to suppress the light incident on the light emitting device 10 from the outside of the light emitting device 10 from being reflected by the light reflecting layer 202. Therefore, the visibility of the light emitting device 10 is further improved.

なお、図１０に示すように、光吸収層２０６の端部が自重によって変形し、光吸収層２０４の上に位置することがある。この場合、光吸収層２０６によって光反射層２０２の端部の少なくとも一部は覆われる。この場合、発光領域１０１で発光した光が光反射層２０２の端面で反射されることを、さらに抑制できる。特に本図に示すように、光吸収層２０６の一部が光吸収層２０４の上に位置する場合、光反射層２０２の端部の全部が光吸収層２０６によって覆われるため、発光領域１０１で発光した光が光反射層２０２の端面で反射されることを、さらに抑制できる。 As shown in FIG. 10, the end portion of the light absorption layer 206 may be deformed by its own weight and may be located above the light absorption layer 204. In this case, the light absorbing layer 206 covers at least a part of the end portion of the light reflecting layer 202. In this case, it is possible to further suppress that the light emitted in the light emitting region 101 is reflected by the end face of the light reflecting layer 202. In particular, as shown in this figure, when a part of the light absorbing layer 206 is located on the light absorbing layer 204, the entire end portion of the light reflecting layer 202 is covered by the light absorbing layer 206, so that the light emitting region 101 It is possible to further suppress that the emitted light is reflected by the end face of the light reflecting layer 202.

なお、光吸収層２０６の端面によって発光領域１０１からの光が反射されることを抑制することを意識した場合、光吸収層２０６は、光反射層２０２の側面にのみ形成されていてもよい。 The light absorption layer 206 may be formed only on the side surface of the light reflection layer 202 when it is conscious of suppressing the light from the light emitting region 101 from being reflected by the end surface of the light absorption layer 206.

図１１は、実施例に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。本実施例に係る発光装置１０は、以下の点を除いて、第２の実施形態に示した発光装置１０と同様の構成である。 FIG. 11 is a cross-sectional view showing the configuration of the light emitting device 10 according to the embodiment. The light emitting device 10 according to this embodiment has the same configuration as the light emitting device 10 shown in the second embodiment except for the following points.

まず、発光領域１０１は、有機ＥＬ素子によって形成されている。詳細には、発光領域１０１は、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０を有している。なお、各層の間には、他の層が形成されていても良い。 First, the light emitting region 101 is formed by an organic EL element. Specifically, the light emitting region 101 has a first electrode 110, an organic layer 120, and a second electrode 130. In addition, another layer may be formed between each layer.

第１電極１１０は、透光性の導電性材料、例えばＩＴＯ（Indium Thin Oxide）やＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）などの無機材料、またはポリチオフェン誘導体などの導電性高分子によって形成されている。そして、第２電極１３０は、光を反射する材料、例えばＡｌ電極などの金属によって形成されている。 The first electrode 110 is formed of a translucent conductive material, for example, an inorganic material such as ITO (Indium Thin Oxide) or IZO (indium zinc oxide), or a conductive polymer such as a polythiophene derivative. The second electrode 130 is made of a material that reflects light, for example, a metal such as an Al electrode.

有機層１２０は、例えば、正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層を積層したものである。正孔輸送層は第１電極１１０に接しており、電子輸送層は第２電極１３０に接している。このようにして、有機層１２０は第１電極１１０と第２電極１３０の間で挟持されている。そして有機層１２０の材料、例えば発光層の材料を選択することにより、発光領域１０１が発光する光の色を所望の色にすることができる。 The organic layer 120 is, for example, a laminate of a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer. The hole transport layer is in contact with the first electrode 110, and the electron transport layer is in contact with the second electrode 130. In this way, the organic layer 120 is sandwiched between the first electrode 110 and the second electrode 130. Then, by selecting the material of the organic layer 120, for example, the material of the light emitting layer, the color of the light emitted by the light emitting region 101 can be set to a desired color.

なお、第１電極１１０と正孔輸送層との間には正孔注入層が形成されても良いし、第２電極１３０と電子輸送層との間には電子注入層が形成されてもよい。また、上記した各層の全てが必要ということではない。例えば電子輸送層内でホールと電子の再結合が生じている場合、電子輸送層が発光層の機能を兼ねているため、発光層は不要となる。また、これら第１電極１１０、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、及び第２電極１３０のうち、少なくとも１つは、インクジェット法などの塗布法を用いて形成されていても良い。また、有機層１２０と第２電極１３０との間には、ＬｉＦなどの無機材料で構成される電子注入層を設けても構わない。 A hole injection layer may be formed between the first electrode 110 and the hole transport layer, or an electron injection layer may be formed between the second electrode 130 and the electron transport layer. .. Also, not all of the above layers are required. For example, when holes and electrons are recombined in the electron transport layer, the light emitting layer becomes unnecessary because the electron transport layer also functions as a light emitting layer. Further, at least one of the first electrode 110, the hole injection layer, the hole transport layer, the electron transport layer, the electron injection layer, and the second electrode 130 is formed by using a coating method such as an inkjet method. You may be. Further, an electron injection layer made of an inorganic material such as LiF may be provided between the organic layer 120 and the second electrode 130.

そして、基板１００に垂直な方向から見た場合において、第２電極１３０は、隣り合う発光領域１０１の間にも形成されている。すなわち第１電極１１０及び有機層１２０は、発光領域１０１別にパターニングされているが、第２電極１３０は、複数の第１電極１１０の間で共通する電極となっている。 When viewed from a direction perpendicular to the substrate 100, the second electrode 130 is also formed between adjacent light emitting regions 101. That is, the first electrode 110 and the organic layer 120 are patterned according to the light emitting region 101, but the second electrode 130 is a common electrode among the plurality of first electrodes 110.

なお、隣り合う発光領域１０１の間には、絶縁層１０２が形成されている。詳細には、隣り合う絶縁層１０２の間には、第１電極１１０及び有機層１２０が形成されている。有機層１２０の一部は絶縁層１０２の上に食み出していてもよい。そして第２電極１３０は、有機層１２０の上及び絶縁層１０２の上に連続的に形成されている。絶縁層１０２は、ポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。絶縁層１０２としては、例えば、ポジ型の感光性樹脂が用いられる。なお、絶縁層１０２はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂であっても良い。 An insulating layer 102 is formed between the adjacent light emitting regions 101. Specifically, the first electrode 110 and the organic layer 120 are formed between the adjacent insulating layers 102. A part of the organic layer 120 may protrude onto the insulating layer 102. The second electrode 130 is continuously formed on the organic layer 120 and the insulating layer 102. The insulating layer 102 is a photosensitive resin such as a polyimide resin, and is formed into a desired pattern by being exposed and developed. As the insulating layer 102, for example, a positive photosensitive resin is used. The insulating layer 102 may be a resin other than the polyimide resin, for example, an epoxy resin or an acrylic resin.

そして、有機層１２０及び第２電極１３０は、絶縁層１０２が形成された後に、この順に形成されている。 The organic layer 120 and the second electrode 130 are formed in this order after the insulating layer 102 is formed.

そして、基板１００のうち遮光層２００が形成されている面の上には、偏光層３００が形成されている。偏光層３００は、遮光層２００を覆っている。偏光層３００は、発光領域に入射した外光が、第２電極１３０によって反射することを防いだり、遮光層２００の上面で反射することを防ぐために設けられている。すなわち発光装置１０が非点灯のときの発光装置１０の外観品質を向上させることができる。偏光層３００を遮光層２００上に形成するときに、遮光層２００の膜厚を２００ｎｍ以下とすることが良い。遮光層２００の膜厚が大きくなると、偏光層３００を基板１００に貼り付ける際に、気泡等を巻き込んでしまい、外観品質が低下してしまうためである。 A polarizing layer 300 is formed on the surface of the substrate 100 on which the light-shielding layer 200 is formed. The polarizing layer 300 covers the light-shielding layer 200. The polarizing layer 300 is provided to prevent external light incident on the light emitting region from being reflected by the second electrode 130 or being reflected by the upper surface of the light shielding layer 200. That is, the appearance quality of the light emitting device 10 when the light emitting device 10 is not lit can be improved. When the polarizing layer 300 is formed on the light-shielding layer 200, the film thickness of the light-shielding layer 200 is preferably 200 nm or less. This is because if the film thickness of the light-shielding layer 200 becomes large, air bubbles or the like are involved when the polarizing layer 300 is attached to the substrate 100, and the appearance quality deteriorates.

また、遮光層２００の光反射層２０２のうち光吸収層２０４とは逆側の面には、被覆膜２２０が形成されている。被覆膜２２０は、たとえばレジストなどの樹脂、又は酸化シリコンなどの無機材料によって形成されている。本図に示す例では、被覆膜２２０は、光吸収層２０６の上に形成されている。後述する発光装置１０の製造工程において、基板１００の第２面に遮光層２００が形成された後、第２面側を下に向けて基板１００を搬送することがある。この場合において、被覆膜２２０は、遮光層２００に傷がつかないようにするために設けられている。 Further, a coating film 220 is formed on the surface of the light reflecting layer 202 of the light shielding layer 200 opposite to the light absorbing layer 204. The coating film 220 is formed of, for example, a resin such as a resist or an inorganic material such as silicon oxide. In the example shown in this figure, the coating film 220 is formed on the light absorption layer 206. In the manufacturing process of the light emitting device 10 described later, after the light-shielding layer 200 is formed on the second surface of the substrate 100, the substrate 100 may be conveyed with the second surface side facing downward. In this case, the coating film 220 is provided so as not to damage the light-shielding layer 200.

図１２〜図１４は、本実施例における発光装置１０の製造方法を説明するための図である。まず、図１２（ａ）に示すように、基板１００のうち発光領域１０１が形成される面に、第１電極１１０を形成する。この段階では、第１電極１１０はパターニングされていない。なお、第１電極１１０は、例えば蒸着法、スパッタリング法、又はＣＶＤ法を用いて形成される。 12 to 14 are diagrams for explaining the manufacturing method of the light emitting device 10 in this embodiment. First, as shown in FIG. 12A, the first electrode 110 is formed on the surface of the substrate 100 on which the light emitting region 101 is formed. At this stage, the first electrode 110 is not patterned. The first electrode 110 is formed by, for example, a vapor deposition method, a sputtering method, or a CVD method.

次いで、図１２（ｂ）に示すように、基板１００のうち第１電極１１０が形成されている面とは逆側の面に、光吸収層２０４、光反射層２０２、及び光吸収層２０６をこの順に形成する。次いで、光吸収層２０６上に被覆膜２２０を形成する。被覆膜２２０は、例えば塗布法を用いて形成される。 Next, as shown in FIG. 12B, the light absorbing layer 204, the light reflecting layer 202, and the light absorbing layer 206 are placed on the surface of the substrate 100 opposite to the surface on which the first electrode 110 is formed. It is formed in this order. Next, the coating film 220 is formed on the light absorption layer 206. The coating film 220 is formed, for example, by using a coating method.

次いで、図１３（ａ）に示すように、遮光層２００及び被覆膜２２０をパターニングし、開口２１０を形成する。このとき、光反射層２０２の端部は、第２の実施形態で説明したように、光吸収層２０４，光吸収層２０６の端部よりも、光反射層２０２の内側に位置する。 Next, as shown in FIG. 13A, the light-shielding layer 200 and the coating film 220 are patterned to form an opening 210. At this time, the end portion of the light reflecting layer 202 is located inside the light reflecting layer 202 with respect to the ends of the light absorbing layer 204 and the light absorbing layer 206, as described in the second embodiment.

次いで、図１３（ｂ）に示すように、第１電極１１０をパターニングする。この処理は、例えば第１電極１１０の上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして第１電極１１０をエッチングすることにより、行われる。また、このとき搬送面が遮光層２００となるために、遮光層２００は傷つきやすくなる。これに対して本実施例では、遮光層２００のうち基板１００とは逆側の面には被覆膜２２０が設けられている。このため、遮光層２００に傷がつくことを抑制できる。 Next, as shown in FIG. 13B, the first electrode 110 is patterned. This process is performed, for example, by forming a resist pattern on the first electrode 110 and etching the first electrode 110 using this resist pattern as a mask. Further, at this time, since the transport surface becomes the light-shielding layer 200, the light-shielding layer 200 is easily damaged. On the other hand, in this embodiment, the coating film 220 is provided on the surface of the light-shielding layer 200 opposite to the substrate 100. Therefore, it is possible to prevent the light-shielding layer 200 from being damaged.

次いで、図１４（ａ）に示すように、絶縁層１０２を形成し、絶縁層１０２をパターニングする。絶縁層１０２が感光性材料によって形成されている場合、絶縁層１０２は、露光及び現像によってパターニングされる。 Next, as shown in FIG. 14A, the insulating layer 102 is formed and the insulating layer 102 is patterned. When the insulating layer 102 is made of a photosensitive material, the insulating layer 102 is patterned by exposure and development.

次いで、図１４（ｂ）に示すように、有機層１２０を形成する。有機層１２０を構成する各層は、蒸着法を用いて形成されていても良いし、スプレー塗布、ディスペンサー塗布、インクジェット、又は印刷などの塗布法を用いて形成されていてもよい。また、有機層１２０を構成する複数の層の少なくとも一つは、他の層とは異なる方法によって形成されていても良い。 Next, as shown in FIG. 14 (b), the organic layer 120 is formed. Each layer constituting the organic layer 120 may be formed by using a vapor deposition method, or may be formed by a coating method such as spray coating, dispenser coating, inkjet, or printing. Further, at least one of the plurality of layers constituting the organic layer 120 may be formed by a method different from that of the other layers.

次いで、有機層１２０の上に第２電極１３０を形成する。第２電極１３０は、例えば蒸着法、スパッタリング法、又はＣＶＤ法を用いて形成される。その後、偏光層３００を形成する。 Next, the second electrode 130 is formed on the organic layer 120. The second electrode 130 is formed by using, for example, a vapor deposition method, a sputtering method, or a CVD method. After that, the polarizing layer 300 is formed.

本実施例によっても、実施形態と同様に、発光装置１０の視認性が低下することを抑制できる。 Also in this embodiment, it is possible to suppress the deterioration of the visibility of the light emitting device 10 as in the embodiment.

また本実施例では、基板１００に垂直な方向から見た場合において、発光領域１０１の間に位置する領域にも第２電極１３０が形成されている。このため、光反射層２０２が有機層１２０からの光を反射した場合、この反射光は第２電極１３０によって反射される確率は高くなる。この場合、発光装置１０の視認性は特に低下しやすくなる。これに対して本実施例では、光反射層２０２のうち基板１００に面する面には光吸収層２０４が形成されている。従って、第２電極１３０が隣り合う発光領域１０１の間に形成されていても、発光装置１０の視認性が低下することを抑制できる。 Further, in this embodiment, the second electrode 130 is also formed in the region located between the light emitting regions 101 when viewed from the direction perpendicular to the substrate 100. Therefore, when the light reflecting layer 202 reflects the light from the organic layer 120, the probability that the reflected light is reflected by the second electrode 130 is high. In this case, the visibility of the light emitting device 10 tends to be particularly deteriorated. On the other hand, in this embodiment, the light absorption layer 204 is formed on the surface of the light reflection layer 202 facing the substrate 100. Therefore, even if the second electrode 130 is formed between the adjacent light emitting regions 101, it is possible to suppress the deterioration of the visibility of the light emitting device 10.

なお本実施例において、遮光層２００の構成を第１の実施形態と同様の構成にしてもよい。 In this embodiment, the light-shielding layer 200 may be configured in the same manner as in the first embodiment.

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。 Although the embodiments and examples have been described above with reference to the drawings, these are examples of the present invention, and various configurations other than the above can be adopted.

Claims

With the board
A plurality of light emitting regions provided on the first surface side of the substrate, and
A light-shielding layer provided on the second surface side of the substrate and located between the plurality of light emitting regions when viewed from a direction perpendicular to the substrate.
With
The light-shielding layer is
First layer and
A second layer located closer to the substrate than the first layer in the thickness direction,
Have,
The second layer has a lower reflectance than the first layer.
A light emitting device in which the end portion of the first layer is located inside the light-shielding layer with respect to the end portion of the second layer when viewed from a direction perpendicular to the substrate.