JP2021032762A - 測距システム及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】光源（ドット）のアレイドット配置において、光源の数を増やすことなく、被写体までの距離情報を得るための距離画像の解像度を上げることができる測距システムを提供する。【解決手段】本開示の測距システムは、被写体に所定のパターンの光を投影する面発光半導体レーザ、被写体で反射された光を受光し、画素の輝度変化が所定の閾値を超えたことをイベントとして検出するイベント検出センサ、及び、面発光半導体レーザ及びイベント検出センサの制御を行う制御部を備えている。面発光半導体レーザの光源の配置は、光源をアレイ状に２次元配置したアレイドット配置である。制御部は、アレイドット配置において隣接する２つの光源を駆動の単位とし、２つの光源をそれぞれ独立に点灯駆動する間の期間において、２つの光源を同時に点灯駆動する。【選択図】 図３

Description

本開示は、測距システム及び電子機器に関する。

三次元（３Ｄ）画像（物体表面の奥行き情報／深度情報）を取得したり、被写体までの距離を測定したりするシステムとして、動的プロジェクタ及び動的視覚カメラを用いるストラクチャード・ライト方式の技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。ストラクチャード・ライト方式では、あらかじめ定められたパターンの光を、動的プロジェクタから測定対象物／被写体に投影し、動的視覚カメラによる撮像結果を基に、パターンのひずみ具合を解析して奥行き情報／距離情報を取得することになる。

特許文献１には、光源である動的プロジェクタとして、垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Vertical Cavity Surface Emitting Laser）を用い、受光部である動的視覚カメラとして、ＤＶＳ（Dynamic Vision Sensor）と呼ばれるイベント検出センサを用いる技術が開示されている。イベント検出センサは、入射光を光電変換する画素の輝度変化が所定の閾値を超えたことをイベントとして検出するセンサである。

ＵＳ ２０１９／００４５１７３ Ａ１

ところで、垂直共振器型面発光レーザの光源（所謂、点光源）の配置としては、光源（ドット）を繰り返しのない特異な配置にし、空間方向に特徴を持たせたランダムドット配置が知られている。しかし、ランダムドット配置の場合、光源同定のための光源の配置パターンの特異性を維持したまま、光源の数を増やすことが困難であるため、光源の数で決まる距離画像の解像度を上げることができない。解像度の観点からすると、垂直共振器型面発光レーザの光源の配置としては、ランダムドット配置よりも、光源を一定のピッチでアレイ状（行列状）に２次元配置したアレイドット配置の方が優れている。しかし、アレイドット配置の場合であっても、距離画像の解像度については、光源の数で決まることになるため、解像度を上げるにも限界がある。

そこで、本開示は、光源（ドット）のアレイドット配置において、光源の数を増やすことなく、被写体までの距離情報を得るための距離画像の解像度を上げることができる測距システム、及び、当該測距システムを有する電子機器を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するための本開示の測距システムは、
被写体に所定のパターンの光を投影する面発光半導体レーザ、
被写体で反射された光を受光し、画素の輝度変化が所定の閾値を超えたことをイベントとして検出するイベント検出センサ、及び、
面発光半導体レーザ及びイベント検出センサの制御を行う制御部を備えている。
面発光半導体レーザの光源の配置は、光源をアレイ状に２次元配置したアレイドット配置である。
制御部は、アレイドット配置において隣接する２つの光源を駆動の単位とし、２つの光源をそれぞれ独立に点灯駆動する間の期間において、２つの光源を同時に点灯駆動する。
また、上記の目的を達成するための本開示の電子機器は、上記の構成の測距システムを有する。

図１Ａは、本開示の実施形態に係る測距システムの構成の一例を示す概略図であり、図１Ｂは、回路構成の一例を示すブロック図である。 図２Ａは、本開示の実施形態に係る測距システムにおける垂直共振器型面発光レーザの光源のランダムドット配置を示す図であり、図２Ｂは、垂直共振器型面発光レーザの光源のアレイドット配置を示す図である。 図３Ａは、アレイドット配置における２つの光源の組み合わせを示す図であり、図３Ｂは、実施例１に係る光源の駆動について説明する図である。 図４は、実施例２に係る光源の駆動について説明する図である。 図５は、実施例３に係る光源の駆動について説明する図である。 図６は、本開示の実施形態に係る測距システムにおけるイベント検出センサの構成の一例を示すブロック図である。 図７は、回路構成例１に係る画素の回路構成を示す回路図である。 図８は、回路構成例２に係る画素の回路構成を示す回路図である。 図９は、回路構成例３に係る画素の回路構成を示す回路図である。 図１０は、回路構成例４に係る画素の回路構成を示す回路図である。 図１１は、本開示の電子機器の具体例に係るスマートフォンの正面側から見た外観図である。

以下、本開示の技術を実施するための形態（以下、「実施形態」と記述する）について図面を用いて詳細に説明する。本開示の技術は実施形態に限定されるものではない。以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。尚、説明は以下の順序で行う。
１．本開示の測距システム及び電子機器、全般に関する説明
２．実施形態に係る測距システム
２−１．システム構成
２−２．垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）
２−２−１．ランダムドット配置
２−２−２．アレイドット配置
２−３．実施例１（２つの光源の中間位置に強度ピークを作る例）
２−４．実施例２（イベント検出センサの感度調整を併用する例）
２−５．実施例３（２つの光源を同時駆動する際に、強度ピークが一定になるように双方の発光強度を異ならせつつ、ピーク位置を移動させる例）
２−６．イベント検出センサ（ＤＶＳ）
２−６−１．イベント検出センサの構成例
２−６−２．画素の回路構成例
２−６−２−１．回路構成例１（コンパレータを１つ用いて、オンイベント及びオフイベントの検出を時分割で行う例）
２−６−２−２．回路構成例２（コンパレータを２つ用いて、オンイベント及びオフイベントの検出を並行して行う例）
２−６−２−３．回路構成例３（コンパレータを１つ用いて、オンイベントのみについて検出を行う例）
２−６−２−４．回路構成例４（コンパレータを１つ用いて、オフイベントのみについて検出を行う例）
３．変形例
４．応用例
５．本開示の電子機器（スマートフォンの例）
６．本開示がとることができる構成

＜本開示の測距システム及び電子機器、全般に関する説明＞
本開示の測距システム及び電子機器にあっては、制御部について、２つの光源を同じ発光強度で駆動する制御を行う構成とすることができる。このとき、制御部について、２つの光源の間の区間における中間位置で２つの光源を同時に点灯駆動する制御を行う構成とすることが好ましい。

上述した好ましい構成を含む本開示の測距システム及び電子機器にあっては、制御部について、２つの光源を同時に点灯駆動する期間では、イベント検出センサの感度を、光源の単独点灯のときの感度よりも下げる制御を行う構成とすることができる。また、制御部について、２つの光源を同時に点灯駆動した後、光源を単独で点灯駆動するとき、イベント検出センサの感度を上げる制御を行う構成とすることができる。このとき、制御部について、２つの光源を同時に点灯駆動した後、光源を単独で点灯駆動するとき、イベント検出センサの感度を、２つの光源を同時に点灯駆動する前の感度と同じ感度に上げる制御を行う構成とすることが好ましい。

また、上述した好ましい構成を含む本開示の測距システム及び電子機器にあっては、制御部について、２つの光源を異なる発光強度で駆動する制御を行う構成とすることができる。このとき、制御部について、強度ピークが一定になるように２つの光源の制御を行う構成とすることが好ましい。

また、上述した好ましい構成を含む本開示の測距システム及び電子機器にあっては、制御部について、２つの光源の間の区間において、強度ピークが所定量ずつ移動するように２つの光源の制御を行う構成とすることができる。このとき、制御部について、２つの光源の一方の発光強度を徐々に下げ、これに同期して、他方の発光強度を徐々に上げる制御を行う構成とすることが好ましい。

また、上述した好ましい構成を含む本開示の測距システム及び電子機器にあっては、２つの光源について、アレイドット配置において、行方向、列方向、又は、斜め方向で隣接する光源である構成とすることができる。また、面発光半導体レーザについては、垂直共振器型面発光レーザであることが好ましい。そして、垂直共振器型面発光レーザについては、被写体に所定のパターンの光を投影する構成とすることができる。

＜実施形態に係る測距システム＞
本開示の実施形態に係る測距システムは、ストラクチャード・ライト方式の技術を用いて、被写体までの距離を測定するためのシステムである。また、本開示の実施形態に係る測距システムは、三次元（３Ｄ）画像を取得するシステムとして用いることもでき、この場合には、三次元画像取得システムということができる。ストラクチャード・ライト方式では、点像の座標とその点像がどの光源（点光源）から投影されたものであるかをパターンマッチングで同定することによって測距が行われる。

［システム構成］
図１Ａは、本開示の実施形態に係る測距システムの構成の一例を示す概略図であり、図１Ｂは、回路構成の一例を示すブロック図である。

本実施形態に係る測距システム１は、光源部として面発光半導体レーザ、例えば垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）１０を用い、受光部として、ＤＶＳと呼ばれるイベント検出センサ２０を用いている。垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）１０は、被写体に対して所定のパターンの光を投影する。本実施形態に係る測距システム１は、垂直共振器型面発光レーザ１０及びイベント検出センサ２０の他に、システム制御部３０、光源駆動部４０、センサ制御部５０、光源側光学系６０、及び、カメラ側光学系７０を備えている。

垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）１０及びイベント検出センサ（ＤＶＳ）２０の詳細については後述する。システム制御部３０は、例えばプロセッサ（ＣＰＵ）によって構成されており、光源駆動部４０を介して垂直共振器型面発光レーザ１０を駆動し、センサ制御部５０を介してイベント検出センサ２０を駆動する。より具体的には、システム制御部３０は、垂直共振器型面発光レーザ１０とイベント検出センサ２０とを、例えば同期させて制御する。但し、垂直共振器型面発光レーザ１０とイベント検出センサ２０とを同期させて制御することは必須ではない。

上記の構成の本実施形態に係る測距システム１において、垂直共振器型面発光レーザ１０から出射される、あらかじめ定められたパターンの光は、光源側光学系４０を透して被写体（測定対象物）１００に対して投影される。この投影された光は、被写体１００で反射される。そして、被写体１００で反射された光は、カメラ側光学系７０を透してイベント検出センサ２０に入射する。イベント検出センサ２０は、被写体１００で反射される光を受光し、画素の輝度変化が所定の閾値を超えたことをイベントとして検出する。イベント検出センサ２０が検出したイベント情報は、測距システム１の外部のアプリケーションプロセッサ２００に供給される。アプリケーションプロセッサ２００は、イベント検出センサ２０が検出したイベント情報に対して所定の処理を行う。

［垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）］
（ランダムドット配置）
ストラクチャード・ライト方式では、点像の座標とその点像がどの光源（点光源）から投影されたものであるかを同定するために、アフィン変換を考慮したパターンマッチングが必要である。アフィン変換を考慮したパターンマッチングを可能にするために、垂直共振器型面発光レーザ１０の光源１１の配置について、図２Ａに示すように、光源１１を繰り返しのない特異な配置にし、空間方向に特徴を持たせた、所謂、ランダムドット配置としている。

但し、ランダムドット配置の場合、光源同定のための光源１１の配置パターンの特異性を維持したまま、光源１１の数を増やすことが困難である。そのため、光源１１の数で決まる距離画像の解像度を上げることができない。ここで、「距離画像」とは、被写体までの距離情報を得るための画像である。

（アレイドット配置）
そこで、本実施形態に係る測距システム１では、垂直共振器型面発光レーザ１０の光源１１の配置を、図２Ｂに示すように、光源１１を一定のピッチでアレイ状（行列状）に２次元配置した、所謂、アレイドット配置としている。垂直共振器型面発光レーザ１０及びイベント検出センサ２０の組み合わせから成る本実施形態に係る測距システム１では、光源１１をランダムに配置しなくても、垂直共振器型面発光レーザ１０の光源１１を順次点灯させてイベント検出センサ２０で記録したイベントのタイムスタンプ（時間情報）を見れば、どの光源１１から投影された像であるかを容易に同定できる。

アレイドット配置の場合、ランダムドット配置の場合よりも、光源１１の数を増やすことができるため、光源（ドット）１１の数で決まる距離画像の解像度を上げることができる。本実施形態に係る測距システム１では、アレイドット配置の垂直共振器型面発光レーザ１０の光源１１の駆動を工夫し、時間軸方向にも特徴を持たせることで、距離画像の解像度を、光源１１の数で決まる解像度から更に上げることができる。

以下に、光源のアレイドット配置において、光源の数を増やすことなく、距離画像の解像度を上げるための光源１１の駆動の具体的な実施例について説明する。

［実施例１］
垂直共振器型面発光レーザ１０のアレイドット配置における光源１１の駆動に当たっては、アレイドット配置において隣接する２つの光源１１，１１を駆動の単位とする。隣接する２つの光源１１，１１の組み合わせとしては、図３Ａに示すように、行方向（Ｘ方向）において隣接する２つの光源１１，１１の組み合わせＡ、列方向（Ｙ方向）において隣接する２つの光源１１，１１の組み合わせＢ、あるいは、斜め方向において隣接する２つの光源１１，１１の組み合わせＣを例示することができる。

実施例１では、行方向において隣接する２つの光源１１，１１の組み合わせＡにおける光源１１の駆動の場合を例に挙げて説明する。図３Ｂは、実施例１に係る光源の駆動について説明する図である。光源１１の駆動は、システム制御部３０による制御の下に、光源駆動部４０によって行われる。この点については、後述する各実施例においても同じである。

実施例１は、隣接する２つの光源１１，１１を同時に点灯駆動し、それぞれ独立に点灯駆動する間の区間の中間位置に強度ピークを作る例である。ここで、「中間位置」とは、厳密に中間位置である場合の他、実質的に中間位置である場合も含む意味であり、設計上あるいは製造上生ずる種々のばらつきの存在は許容される。また、実施例１では、２つの光源１１，１１の発光強度を同じとする。ここで、「同じ」とは、厳密に同じである場合の他、実質的に同じである場合も含む意味であり、設計上あるいは製造上生ずる種々のばらつきの存在は許容される。

行方向（Ｘ方向）において隣接する２つの光源１１，１１において、時刻ｔ₁で１つ目（図３Ａでは、左側）の光源１１を点灯（発光）駆動し、次に、時刻ｔ₂で２つの光源１１，１１を同時に点灯駆動し（２ドット点灯駆動）、次に、時刻ｔ₃で２つ目（図３Ａでは、右側）の光源１１を点灯駆動する。すなわち、システム制御部３０による制御の下に、２つの光源１１，１１をそれぞれ独立に点灯駆動する時刻ｔ₁と時刻ｔ₃との間の期間、換言すれば、２つの光源１１，１１の間の区間において、好ましくは、当該区間における中間位置で２つの光源１１，１１を同時に点灯駆動する（時刻ｔ₂）。

ここで、２つの光源１１，１１を同時に点灯駆動する時刻ｔ₂は、時刻ｔ₁と時刻ｔ₂との中間の時刻、換言すれば、行方向（Ｘ座標）において、１つ目の光源１１の強度ピークの位置と２つ目の光源１１の強度ピークの位置の中間位置になる時刻に設定される。これにより、１つ目の光源１１の点灯駆動時のピーク位置と２ドット点灯駆動時のピーク位置との間の間隔、及び、２ドット点灯駆動時のピーク位置と２つ目の光源１１の点灯駆動時のピーク位置との間の間隔が同じ間隔ｄとなる。

上述したように、実施例１では、隣接する２つの光源１１，１１を駆動の単位とし、２つの光源１１，１１をそれぞれ独立に点灯駆動する動作に加えて、２つの光源を同時に点灯駆動する動作（本例では、それぞれ独立に点灯駆動する間の期間において、２つの光源１１，１１を同時に点灯駆動する動作）を行う。これにより、２つの光源１１，１１をそれぞれ独立に点灯駆動する場合とは異なる位置（本例では、２つの光源１１，１１の間の区間の中間位置）に強度ピークを作ることができる。この駆動により、空間方向の他に、時間軸方向にも特徴を持たせることができるため、光源同定のための光源１１の配置パターンの特異性を維持したまま、光源１１の数を増やすことなく、被写体までの距離情報を得るための距離画像の解像度を上げることができる。

尚、実施例１では、駆動の単位となる２つの光源１１，１１の発光強度を同じに設定するとしたが、２つの光源１１，１１の一方、又は、両方の発光強度を調整可能とすることもできる。

また、実施例１では、２つの光源１１，１１の組み合わせＡの場合を例に挙げて説明したが、組み合わせＢ又は組み合わせＣの場合についても、基本的に、実施例１の場合と同様の駆動を行うことで、光源同定のための光源１１の配置パターンの特異性を維持したまま、光源１１の数を増やすことなく、距離画像の解像度を上げることができる。この点については、後述する各実施例においても同様である。

［実施例２］
実施例２は、２つの光源１１，１１の組み合わせＡの場合において、イベント検出センサ（ＤＶＳ）２０の感度調整を併用する例である。ここでは、説明の都合上、行方向（Ｘ方向）において隣接する２つの光源１１，１１のうち、１つ目（図３Ａでは、左側）の光源１１を光源１と記述し、２つ目（図３Ａでは、左側）の光源１１を光源２と記述することとする。

図４は、実施例２に係る光源の駆動について説明する図である。図４では、光源１の電流を破線で図示し、光源２の電流を点線で図示している。また、イベント検出センサ（ＤＶＳ）２０の感度を実線で図示している。実施例２でも実施例１と同様に、２つの光源１及び光源２の発光強度を同じとするが、２つの光源１及び光源２の一方、又は、両方の発光強度を調整可能とすることもできる。

実施例２では、期間Ｔ₁で光源１を点灯駆動し、次いで、期間Ｔ₂で光源２を点灯駆動する。これにより、期間Ｔ₂では、光源１及び光源２の同時点灯となる。光源１及び光源２の同時点灯により、期間Ｔ₂での強度ピークは、光源１の単独点灯の場合よりも上がる（この点については、駆動例１の場合と同じである）。

そして、期間Ｔ₂では、イベント検出センサ（ＤＶＳ）２０の感度を、光源１の単独点灯のとき（期間Ｔ₁）の感度よりも下げる制御を行う。イベント検出センサ２０の感度を調整する制御は、システム制御部３０（図１参照）による制御の下に行われる。ここで、イベント検出センサ２０の感度を下げるということは、より多くの光が入射したときにイベント検出センサ２０が反応するということである。

次に、期間Ｔ₃では、光源１を消灯駆動し、イベント検出センサ２０の感度を上げる。このとき、イベント検出センサ２０の感度を、光源１及び光源２を同時に点灯駆動する前の感度、即ち、光源１の単独点灯のとき（期間Ｔ₁）の感度と同じ感度に戻すことが好ましい。ここで、「同じ感度」とは、厳密に同じ感度である場合の他、実質的に同じ感度である場合も含む意味であり、設計上あるいは製造上生ずる種々のばらつきの存在は許容される。

上述したように、実施例２によれば、２つの光源１及び光源２を同時に点灯駆動する期間Ｔ₂では、イベント検出センサ２０の感度を、光源１の単独点灯のときよりも下げることにより、２つの光源１及び光源２の点灯駆動で、イベント検出センサ２０について３つの反応位置を作ることができる。この駆動により、空間方向の他に、時間軸方向にも特徴を持たせることができるため、光源同定のための光源１１の配置パターンの特異性を維持したまま、光源１１の数を増やすことなく、距離画像の解像度を上げることができる。

［実施例３］
実施例３は、２つの光源１１，１１の組み合わせＡの場合において、２つの光源１１，１１を同時駆動する際に、強度ピークが一定になるように双方の発光強度を異ならせつつ、ピーク位置を移動させる（ずらす）例である。ここで、「強度ピークが一定」とは、厳密に強度ピークが一定である場合の他、実質的に強度ピークが一定である場合も含む意味であり、設計上あるいは製造上生ずる種々のばらつきの存在は許容される。

実施例３においても、説明の都合上、行方向において隣接する２つの光源１１，１１のうち、１つ目（図３Ａでは、左側）の光源１１を光源１と記述し、２つ目（図３Ａでは、左側）の光源１１を光源２と記述することとする。

図５は、実施例３に係る光源の駆動について説明する図である。図５では、光源１の電流を破線で図示し、光源２の電流を点線で図示している。また、光源１及び光源２の単独点灯時、並びに、同時点灯時の強度波形を実線で図示している。実施例３の場合は、イベント検出センサ（ＤＶＳ）２０の感度については一定とする。

実施例３では、光源１の単独点灯後（消灯後）から光源２の単独点灯前までの期間において、光源１及び光源２を同時点灯したときの強度ピークが一定になるように、例えば、光源１の発光強度を徐々に下げ、これに同期して、光源２の発光強度を徐々に上げる駆動を行う。この駆動を行うことにより、強度ピークが一定のまま、ピーク位置を所定量ずつ（僅かずつ）移動させる（ずらす）ことができる。

上述したように、実施例３によれば、光源１及び光源２を同時点灯したときの強度ピークが一定になるように双方の発光強度を調整しつつ、ピーク位置が所定量ずつ移動するように制御を行うことにより、２つの光源１及び光源２の点灯駆動で、イベント検出センサ２０についてより多くの反応位置を作ることができる。この駆動により、空間方向の他に、時間軸方向にも特徴を持たせることができるため、光源同定のための光源１１の配置パターンの特異性を維持したまま、光源１１の数を増やすことなく、距離画像の解像度を上げることができる。

尚、実施例１乃至実施例３では、２つの光源１１，１１の組み合わせＡの場合において、光源１の単独点灯→光源１及び光源２の同時点灯→光源２の単独点灯の駆動の場合を例に挙げたが、それ以降も同様の繰り返しとなる。すなわち、光源２の単独点灯→光源２及び光源３の同時点灯→光源３の単独点灯→光源４及び光源４の同時点灯→光源４→・・・という具合に、点灯駆動が繰り返されることになる。

また、隣接する２つの光源１１，１１の組み合わせＡ、組み合わせＢ、及び、組み合わせＣのいずれを採用するかは任意であり、又、それらを組み合わせることも考えられる。組み合わせＡを採用することで、行方向（水平方向）の解像度を上げることができるし、組み合わせＢを採用することで、列方向（垂直方向）の解像度を上げることができるし、組み合わせＣを採用することで、斜め方向の解像度を上げることができる。

［イベント検出センサ（ＤＶＳ）］
続いて、イベント検出センサ２０について説明する。

（イベント検出センサの構成例）
図６は、上記の構成の本開示の実施形態に係る測距システム１におけるイベント検出センサ２０の構成の一例を示すブロック図である。

本例に係るイベント検出センサ２０は、複数の画素２１が行列状（アレイ状）に２次元配列されて成る画素アレイ部２２を有する。複数の画素２１のそれぞれは、光電変換によって生成される電気信号としての光電流に応じた電圧のアナログ信号を画素信号として生成し、出力する。また、複数の画素２１のそれぞれは、入射光の輝度に応じた光電流に、所定の閾値を超える変化が生じたか否かによって、イベントの有無を検出する。換言すれば、複数の画素２１のそれぞれは、輝度変化が所定の閾値を超えたことをイベントとして検出する。

イベント検出センサ２０は、画素アレイ部２２の他に、画素アレイ部２２の周辺回路部として、駆動部２３、アービタ部（調停部）２４、カラム処理部２５、及び、信号処理部２６を備えている。

複数の画素２１のそれぞれは、イベントを検出した際に、イベントの発生を表すイベントデータの出力を要求するリクエストをアービタ部２４に出力する。そして、複数の画素２１のそれぞれは、イベントデータの出力の許可を表す応答をアービタ部２４から受け取った場合、駆動部２３及び信号処理部２６に対してイベントデータを出力する。また、イベントを検出した画素２１は、光電変換によって生成されるアナログの画素信号をカラム処理部２５に対して出力する。

駆動部２３は、画素アレイ部２２の各画素２１を駆動する。例えば、駆動部２３は、イベントを検出し、イベントデータを出力した画素２１を駆動し、当該画素２１のアナログの画素信号を、カラム処理部２５へ出力させる。

アービタ部２４は、複数の画素２１のそれぞれから供給されるイベントデータの出力を要求するリクエストを調停し、その調停結果（イベントデータの出力の許可／不許可）に基づく応答、及び、イベント検出をリセットするリセット信号を画素２１に送信する。

カラム処理部２５は、例えば、画素アレイ部２２の画素列毎に設けられたアナログ−デジタル変換器の集合から成るアナログ−デジタル変換部を有する。アナログ−デジタル変換器としては、例えば、シングルスロープ型アナログ−デジタル変換器、逐次比較型アナログ−デジタル変換器、デルタ−シグマ変調型（ΔΣ変調型）アナログ−デジタル変換器などを例示することができる。

カラム処理部２５では、画素アレイ部２２の画素列毎に、その列の画素２１から出力されるアナログの画素信号をデジタル信号に変換する処理が行われる。カラム処理部２５では、デジタル化した画素信号に対して、ＣＤＳ（Correlated Double Sampling）処理を行うこともできる。

信号処理部２６は、カラム処理部２５から供給されるデジタル化された画素信号や、画素アレイ部２２から出力されるイベントデータに対して所定の信号処理を実行し、信号処理後のイベントデータ及び画素信号を出力する。

上述したように、画素２１で生成される光電流の変化は、画素２１に入射する光の光量変化（輝度変化）とも捉えることができる。従って、イベントは、所定の閾値を超える画素２１の光量変化（輝度変化）であるとも言うことができる。イベントの発生を表すイベントデータには、少なくとも、イベントとしての光量変化が発生した画素２１の位置を表す座標等の位置情報が含まれる。イベントデータには、位置情報の他、光量変化の極性を含ませることができる。

画素２１からイベントが発生したタイミングで出力されるイベントデータの系列については、イベントデータどうしの間隔がイベントの発生時のまま維持されている限り、イベントデータは、イベントが発生した相対的な時刻を表す時刻情報を暗示的に含んでいるということができる。

但し、イベントデータがメモリに記憶されること等により、イベントデータどうしの間隔がイベントの発生時のまま維持されなくなると、イベントデータに暗示的に含まれる時刻情報が失われる。そのため、信号処理部２６は、イベントデータどうしの間隔がイベントの発生時のまま維持されなくなる前に、イベントデータに、タイムスタンプ等の、イベントが発生した相対的な時刻を表す時刻情報を含める。

（画素の回路構成例）
続いて、画素２１の具体的な回路構成例について説明する。画素２１は、輝度変化が所定の閾値を超えたことをイベントとして検出するイベント検出機能を有する。

画素２１は、光電流の変化量が所定の閾値を超えたか否かにより、イベントの発生の有無を検出する。イベントは、例えば、光電流の変化量が上限の閾値を超えた旨を示すオンイベント、及び、その変化量が下限の閾値を下回った旨を示すオフイベントから成る。また、イベントの発生を表すイベントデータ（イベント情報）は、例えば、オンイベントの検出結果を示す１ビット、及び、オフイベントの検出結果を示す１ビットから成る。尚、画素２１については、オンイベントのみについて検出する機能を有する構成とすることもできるし、オフイベントのみについて検出する機能を有する構成とすることもできる。

≪回路構成例１≫
回路構成例１は、コンパレータを１つ用いて、オンイベントの検出、及び、オフイベントの検出を時分割で行う例である。回路構成例１に係る画素２１の回路図を図７に示す。回路構成例１に係る画素２１は、受光素子（光電変換素子）２１１、受光回路２１２、メモリ容量２１３、コンパレータ２１４、リセット回路２１５、インバータ２１６、及び、出力回路２１７を有する回路構成となっている。画素２１は、センサ制御部５０による制御の下に、オンイベント及びオフイベントの検出を行う。

受光素子２１１は、第１電極（アノード電極）が受光回路２１２の入力端に接続され、第２電極（カソード電極）が基準電位ノードであるグランドノードに接続されており、入射光を光電変換して光の強度（光量）に応じた電荷量の電荷を生成する。また、受光素子２１１は、生成した電荷を光電流Ｉ_photoに変換する。

受光回路２１２は、受光素子２１１が検出した、光の強度（光量）に応じた光電流Ｉ_photoを電圧Ｖ_prに変換する。ここで、光の強度に対する電圧Ｖ_prの関係は、通常、対数の関係である。すなわち、受光回路２１２は、受光素子２１１の受光面に照射される光の強度に対応する光電流Ｉ_photoを、対数関数である電圧Ｖ_prに変換する。但し、光電流Ｉ_photoと電圧Ｖ_prとの関係は、対数の関係に限られるものではない。

受光回路２１２から出力される、光電流Ｉ_photoに応じた電圧Ｖ_prは、メモリ容量２１３を経た後、電圧Ｖ_diffとしてコンパレータ２１４の第１入力である反転（−）入力となる。コンパレータ２１４は、通常、差動対トランジスタによって構成される。コンパレータ２１４は、センサ制御部５０から与えられる閾値電圧Ｖ_bを第２入力である非反転（＋）入力とし、オンイベントの検出、及び、オフイベントの検出を時分割で行う。また、オンイベント／オフイベントの検出後は、リセット回路２１５によって、画素２１のリセットが行われる。

センサ制御部５０は、閾値電圧Ｖ_bとして、時分割で、オンイベントを検出する段階では電圧Ｖ_onを出力し、オフイベントを検出する段階では電圧Ｖ_offを出力し、リセットを行う段階では電圧Ｖ_resetを出力する。電圧Ｖ_resetは、電圧Ｖ_onと電圧Ｖ_offとの間の値、好ましくは、電圧Ｖ_onと電圧Ｖ_offとの中間の値に設定される。ここで、「中間の値」とは、厳密に中間の値である場合の他、実質的に中間の値である場合も含む意味であり、設計上あるいは製造上生ずる種々のばらつきの存在は許容される。

また、センサ制御部５０は、画素２１に対して、オンイベントを検出する段階ではＯｎ選択信号を出力し、オフイベントを検出する段階ではＯｆｆ選択信号を出力し、リセットを行う段階ではグローバルリセット信号を出力する。Ｏｎ選択信号は、インバータ２１６と出力回路２１７との間に設けられた選択スイッチＳＷ_onに対してその制御信号として与えられる。Ｏｆｆ選択信号は、コンパレータ２１４と出力回路２１７との間に設けられた選択スイッチＳＷ_offに対してその制御信号として与えられる。

コンパレータ２１４は、オンイベントを検出する段階では、電圧Ｖ_onと電圧Ｖ_diffとを比較し、電圧Ｖ_diffが電圧Ｖ_onを超えたとき、光電流Ｉ_photoの変化量が上限の閾値を超えた旨を示すオンイベント情報Ｏｎを比較結果として出力する。オンイベント情報Ｏｎは、インバータ２１６で反転された後、選択スイッチＳＷ_onを通して出力回路２１７に供給される。

コンパレータ２１４は、オフイベントを検出する段階では、電圧Ｖ_offと電圧Ｖ_diffとを比較し、電圧Ｖ_diffが電圧Ｖ_offを下回ったとき、光電流Ｉ_photoの変化量が下限の閾値を下回った旨を示すオフイベント情報Ｏｆｆを比較結果として出力する。オフイベント情報Ｏｆｆは、選択スイッチＳＷ_offを通して出力回路２１７に供給される。

リセット回路２１５は、リセットスイッチＳＷ_RS、２入力ＯＲ回路２１５１、及び、２入力ＡＮＤ回路２１５２を有する構成となっている。リセットスイッチＳＷ_RSは、コンパレータ２１４の反転（−）入力端子と出力端子との間に接続されており、オン（閉）状態となることで、反転入力端子と出力端子との間を選択的に短絡する。

ＯＲ回路２１５１は、選択スイッチＳＷ_onを経たオンイベント情報Ｏｎ、及び、選択スイッチＳＷ_offを経たオフイベント情報Ｏｆｆを２入力とする。ＡＮＤ回路２１５２は、ＯＲ回路２１５１の出力信号を一方の入力とし、センサ制御部５０から与えられるグローバルリセット信号を他方の入力とし、オンイベント情報Ｏｎ又はオフイベント情報Ｏｆｆのいずれかが検出され、グローバルリセット信号がアクティブ状態のときに、リセットスイッチＳＷ_RSをオン（閉）状態とする。

このように、ＡＮＤ回路２１５２の出力信号がアクティブ状態となることで、リセットスイッチＳＷ_RSは、コンパレータ２１４の反転入力端子と出力端子との間を短絡し、画素２１に対して、グローバルリセットを行う。これにより、イベントが検出された画素２１だけについてリセット動作が行われる。

出力回路２１７は、オフイベント出力トランジスタＮＭ₁、オンイベント出力トランジスタＮＭ₂、及び、電流源トランジスタＮＭ₃を有する構成となっている。オフイベント出力トランジスタＮＭ₁は、そのゲート部に、オフイベント情報Ｏｆｆを保持するためのメモリ（図示せず）を有している。このメモリは、オフイベント出力トランジスタＮＭ₁のゲート寄生容量から成る。

オフイベント出力トランジスタＮＭ₁と同様に、オンイベント出力トランジスタＮＭ₂は、そのゲート部に、オンイベント情報Ｏｎを保持するためのメモリ（図示せず）を有している。このメモリは、オンイベント出力トランジスタＮＭ₂のゲート寄生容量から成る。

読出し段階において、オフイベント出力トランジスタＮＭ₁のメモリに保持されたオフイベント情報Ｏｆｆ、及び、オンイベント出力トランジスタＮＭ₂のメモリに保持されたオンイベント情報Ｏｎは、センサ制御部５０から電流源トランジスタＮＭ₃のゲート電極に行選択信号が与えられることで、画素アレイ部２２の画素行毎に、出力ラインｎＲｘＯｆｆ及び出力ラインｎＲｘＯｎを通して読出し回路８０に転送される。読出し回路８０は、例えば、信号処理部２６（図６参照）内に設けられる回路である。

上述したように、回路構成例１に係る画素２１は、１つのコンパレータ２１４を用いて、センサ制御部５０による制御の下に、オンイベントの検出、及び、オフイベントの検出を時分割で行うイベント検出機能を有する構成となっている。

≪回路構成例２≫
回路構成例２は、コンパレータを２つ用いて、オンイベントの検出、及び、オフイベントの検出を並行して（同時に）行う例である。回路構成例２に係る画素２１の回路図を図８に示す。

図８に示すように、回路構成例２に係る画素２１は、オンイベントを検出するためのコンパレータ２１４Ａ、及び、オフイベントを検出するためのコンパレータ２１４Ｂを有する構成となっている。このように、２つのコンパレータ２１４Ａ及びコンパレータ２１４Ｂを用いてイベント検出を行うことで、オンイベントの検出動作とオフイベントの検出動作とを並行して実行することができる。その結果、オンイベント及びオフイベントの検出動作について、より速い動作を実現できる。

オンイベント検出用のコンパレータ２１４Ａは、通常、差動対トランジスタによって構成される。コンパレータ２１４Ａは、光電流Ｉ_photoに応じた電圧Ｖ_diffを第１入力である非反転（＋）入力とし、閾値電圧Ｖ_bとしての電圧Ｖ_onを第２入力である反転（−）入力とし、両者の比較結果としてオンイベント情報Ｏｎを出力する。オフイベント検出用のコンパレータ２１４Ｂも、通常、差動対トランジスタによって構成される。コンパレータ２１４Ｂは、光電流Ｉ_photoに応じた電圧Ｖ_diffを第１入力である反転入力とし、閾値電圧Ｖ_bとしての電圧Ｖ_offを第２入力である非反転入力とし、両者の比較結果としてオフイベント情報Ｏｆｆを出力する。

コンパレータ２１４Ａの出力端子と出力回路２１７のオンイベント出力トランジスタＮＭ₂のゲート電極との間には、選択スイッチＳＷ_onが接続されている。コンパレータ２１４Ｂの出力端子と出力回路２１７のオフイベント出力トランジスタＮＭ₁のゲート電極との間には、選択スイッチＳＷ_offが接続されている。選択スイッチＳＷ_on及び選択スイッチＳＷ_offは、センサ制御部５０から出力されるサンプル信号によりオン（閉）／オフ（開）制御が行われる。

コンパレータ２１４Ａの比較結果であるオンイベント情報Ｏｎは、選択スイッチＳＷ_onを介して、オンイベント出力トランジスタＮＭ₂のゲート部のメモリに保持される。オンイベント情報Ｏｎを保持するためのメモリは、オンイベント出力トランジスタＮＭ₂のゲート寄生容量から成る。コンパレータ２１４Ｂの比較結果であるオンイベントＯｆｆは、選択スイッチＳＷ_offを介して、オフイベント出力トランジスタＮＭ₁のゲート部のメモリに保持される。オンイベントＯｆｆを保持するためのメモリは、オフイベント出力トランジスタＮＭ₁のゲート寄生容量から成る。

オンイベント出力トランジスタＮＭ₂のメモリに保持されたオンイベント情報Ｏｎ、及び、オフイベント出力トランジスタＮＭ₁のメモリに保持されたオフイベント情報Ｏｆｆは、センサ制御部５０から電流源トランジスタＮＭ₃のゲート電極に行選択信号が与えられることで、画素アレイ部２２の画素行毎に、出力ラインｎＲｘＯｎ及び出力ラインｎＲｘＯｆｆを通して読出し回路８０に転送される。

上述したように、回路構成例２に係る画素２１は、２つのコンパレータ２１４Ａ及びコンパレータ２１４Ｂを用いて、センサ制御部５０による制御の下に、オンイベントの検出と、オフイベントの検出とを並行して（同時に）行うイベント検出機能を有する構成となっている。

≪回路構成例３≫
回路構成例３は、オンイベントのみについて検出を行う例である。回路構成例３に係る画素２１の回路図を図９に示す。

回路構成例３に係る画素２１は、１つのコンパレータ２１４を有している。コンパレータ２１４は、光電流Ｉ_photoに応じた電圧Ｖ_diffを第１入力である反転（−）入力とし、センサ制御部５０から閾値電圧Ｖ_bとして与えられる電圧Ｖ_onを第２入力である非反転（＋）入力とし、両者を比較することによってオンイベント情報Ｏｎを比較結果として出力する。ここで、コンパレータ２１４を構成する差動対トランジスタとしてＮ型トランジスタを用いることで、回路構成例１（図７参照）で用いていたインバータ２１６を不要とすることができる。

コンパレータ２１４の比較結果であるオンイベント情報Ｏｎは、オンイベント出力トランジスタＮＭ₂のゲート部のメモリに保持される。オンイベント情報Ｏｎを保持するためのメモリは、オンイベント出力トランジスタＮＭ₂のゲート寄生容量から成る。オンイベント出力トランジスタＮＭ₂のメモリに保持されたオンイベント情報Ｏｎは、センサ制御部５０から電流源トランジスタＮＭ₃のゲート電極に行選択信号が与えられることで、画素アレイ部２２の画素行毎に、出力ラインｎＲｘＯｎを通して読出し回路８０に転送される。

上述したように、回路構成例３に係る画素２１は、１つのコンパレータ２１４を用いて、センサ制御部５０による制御の下に、オンイベント情報Ｏｎのみについて検出を行うイベント検出機能を有する構成となっている。

≪回路構成例４≫
回路構成例４は、オフイベントのみの検出を行う例である。回路構成例４に係る画素２１の回路図を図１０に示す。

回路構成例４に係る画素２１は、１つのコンパレータ２１４を有している。コンパレータ２１４は、光電流Ｉ_photoに応じた電圧Ｖ_diffを第１入力である反転（−）入力とし、センサ制御部５０から閾値電圧Ｖ_bとして与えられる電圧Ｖ_offを第２入力である非反転（＋）入力とし、両者を比較することによってオフイベント情報Ｏｆｆを比較結果として出力する。コンパレータ２１４を構成する差動対トランジスタとしては、Ｐ型トランジスタを用いることができる。

コンパレータ２１４の比較結果であるオフイベント情報Ｏｆｆは、オフイベント出力トランジスタＮＭ₁のゲート部のメモリに保持される。オフイベント情報Ｏｆｆを保持するメモリは、オフイベント出力トランジスタＮＭ₁のゲート寄生容量から成る。オフイベント出力トランジスタＮＭ₁のメモリに保持されたオフイベント情報Ｏｆｆは、センサ制御部５０から電流源トランジスタＮＭ₃のゲート電極に行選択信号が与えられることで、画素アレイ部２２の画素行毎に、出力ラインｎＲｘＯｆｆを通して読出し回路８０に転送される。

上述したように、回路構成例４に係る画素２１は、１つのコンパレータ２１４を用いて、センサ制御部５０による制御の下に、オフイベント情報Ｏｆｆのみについて検出を行うイベント検出機能を有する構成となっている。尚、図１０の回路構成では、ＡＮＤ回路２１５２の出力信号でリセットスイッチＳＷ_rsを制御するしているが、グローバルリセット信号で直接リセットスイッチＳＷ_rsを制御する構成とすることもできる。

＜変形例＞
以上、本開示の技術について、好ましい実施形態に基づき説明したが、本開示の技術は当該実施形態に限定されるものではない。上記の実施形態において説明した測距システムの構成、構造は例示であり、適宜、変更することができる。

＜応用例＞
以上説明した本開示の測距システムは、様々な用途に用いることができる。様々な用途としては、以下に列挙する装置等を例示することができる。
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置。
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、ＴＶや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置。
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置。

＜本開示の電子機器＞
以上説明した本開示の測距システムは、例えば、顔認証機能を備える種々の電子機器に搭載される三次元画像取得システム（顔認証システム）として用いることができる。顔認証機能を備える電子機器として、例えば、スマートフォン、タブレット、パーソナルコンピュータ等のモバイル機器を例示することができる。但し、本開示の測距システムを用いることができる電子機器としては、モバイル機器に限定されるものではない。

［スマートフォン］
ここでは、本開示の測距システムを用いることができる本開示の電子機器の具体例として、スマートフォンを例示する。本開示の電子機器の具体例に係るスマートフォンの正面側から見た外観図を図１１に示す。

本具体例に係るスマートフォン３００は、筐体３１０の正面側に表示部３２０を備えている。また、スマートフォン３００は、筐体３１０の正面側の上方部に、発光部３３０及び受光部３４０を備えている。尚、図１１に示す発光部３３０及び受光部３４０の配置例は、一例であって、この配置例に限られるものではない。

上記の構成のモバイル機器の一例であるスマートフォン３００において、発光部３３０として、先述した実施形態に係る測距システム１における光源（垂直共振器型面発光レーザ１０）を用い、受光部３４０としてイベント検出センサ２０を用いるこができる。すなわち、本具体例に係るスマートフォン３００は、三次元画像取得システムとして、先述した実施形態に係る測距システム１を用いることによって作製される。

先述した実施形態に係る測距システム１は、光源のアレイドット配置において、光源の数を増やすことなく、距離画像の解像度を上げることができる。従って、本具体例に係るスマートフォン３００は、三次元画像取得システム（顔認証システム）として、先述した実施形態に係る測距システム１を用いることにより、精度の高い顔認識機能を持つことができる。

＜本開示がとることができる構成＞
尚、本開示は、以下のような構成をとることもできる。

≪Ａ．測距システム≫
［Ａ−１］被写体に所定のパターンの光を投影する面発光半導体レーザ、
被写体で反射された光を受光し、画素の輝度変化が所定の閾値を超えたことをイベントとして検出するイベント検出センサ、及び、
面発光半導体レーザ及びイベント検出センサの制御を行う制御部を備え、
面発光半導体レーザの光源の配置は、光源をアレイ状に２次元配置したアレイドット配置であり、
制御部は、アレイドット配置において隣接する２つの光源を駆動の単位とし、２つの光源をそれぞれ独立に点灯駆動する間の期間において、２つの光源を同時に点灯駆動する、
測距システム。
［Ａ−２］制御部は、２つの光源を同じ発光強度で駆動する制御を行う、
上記［Ａ−１］に記載の測距システム。
［Ａ−３］制御部は、２つの光源の間の区間における中間位置で２つの光源を同時に点灯駆動する制御を行う、
上記［Ａ−２］に記載の測距システム。
［Ａ−４］制御部は、２つの光源を同時に点灯駆動する期間では、イベント検出センサの感度を、光源の単独点灯のときの感度よりも下げる制御を行う、
上記［Ａ−２］又は上記［Ａ−３］に記載の測距システム。
［Ａ−５］制御部は、２つの光源を同時に点灯駆動した後、光源を単独で点灯駆動するとき、イベント検出センサの感度を上げる制御を行う、
上記［Ａ−４］に記載の測距システム。
［Ａ−６］制御部は、２つの光源を同時に点灯駆動した後、光源を単独で点灯駆動するとき、イベント検出センサの感度を、２つの光源を同時に点灯駆動する前の感度と同じ感度に上げる制御を行う、
上記［Ａ−５］に記載の測距システム。
［Ａ−７］制御部は、２つの光源を異なる発光強度で駆動する制御を行う、
上記［Ａ−１］に記載の測距システム。
［Ａ−８］制御部は、強度ピークが一定になるように２つの光源の制御を行う、
上記［Ａ−７］に記載の測距システム。
［Ａ−９］制御部は、２つの光源の間の区間において、強度ピークが所定量ずつ移動するように２つの光源の制御を行う、
上記［Ａ−８］に記載の測距システム。
［Ａ−１０］制御部は、２つの光源の一方の発光強度を徐々に下げ、これに同期して、他方の発光強度を徐々に上げる制御を行う、
上記［Ａ−９］に記載の測距システム。
［Ａ−１１］２つの光源は、アレイドット配置において、行方向、列方向、又は、斜め方向で隣接する光源である、
上記［Ａ−１］乃至上記［Ａ−１０］のいずれかに記載の測距システム。
［Ａ−１２］面発光半導体レーザは、垂直共振器型面発光レーザである、
上記［Ａ−１］乃至上記［Ａ−１１］のいずれかに記載の測距システム。

≪Ｂ．電子機器≫
［Ｂ−１］被写体に所定のパターンの光を投影する面発光半導体レーザ、
被写体で反射された光を受光し、画素の輝度変化が所定の閾値を超えたことをイベントとして検出するイベント検出センサ、及び、
面発光半導体レーザ及びイベント検出センサの制御を行う制御部を備え、
面発光半導体レーザの光源の配置は、光源をアレイ状に２次元配置したアレイドット配置であり、
制御部は、アレイドット配置において隣接する２つの光源を駆動の単位とし、２つの光源をそれぞれ独立に点灯駆動する間の期間において、２つの光源を同時に点灯駆動する、
測距システムを有する電子機器。
［Ｂ−２］制御部は、２つの光源を同じ発光強度で駆動する制御を行う、
上記［Ｂ−１］に記載の電子機器。
［Ｂ−３］制御部は、２つの光源の間の区間における中間位置で２つの光源を同時に点灯駆動する制御を行う、
上記［Ｂ−２］に記載の電子機器。
［Ｂ−４］制御部は、２つの光源を同時に点灯駆動する期間では、イベント検出センサの感度を、光源の単独点灯のときの感度よりも下げる制御を行う、
上記［Ｂ−２］又は上記［Ｂ−３］に記載の電子機器。
［Ｂ−５］制御部は、２つの光源を同時に点灯駆動した後、光源を単独で点灯駆動するとき、イベント検出センサの感度を上げる制御を行う、
上記［Ｂ−４］に記載の電子機器。
［Ｂ−６］制御部は、２つの光源を同時に点灯駆動した後、光源を単独で点灯駆動するとき、イベント検出センサの感度を、２つの光源を同時に点灯駆動する前の感度と同じ感度に上げる制御を行う、
上記［Ｂ−５］に記載の電子機器。
［Ｂ−７］制御部は、２つの光源を異なる発光強度で駆動する制御を行う、
上記［Ｂ−１］に記載の電子機器。
［Ｂ−８］制御部は、強度ピークが一定になるように２つの光源の制御を行う、
上記［Ｂ−７］に記載の電子機器。
［Ｂ−９］制御部は、２つの光源の間の区間において、強度ピークが所定量ずつ移動するように２つの光源の制御を行う、
上記［Ｂ−８］に記載の電子機器。
［Ｂ−１０］制御部は、２つの光源の一方の発光強度を徐々に下げ、これに同期して、他方の発光強度を徐々に上げる制御を行う、
上記［Ｂ−９］に記載の電子機器。
［Ｂ−１１］２つの光源は、アレイドット配置において、行方向、列方向、又は、斜め方向で隣接する光源である、
上記［Ｂ−１］乃至上記［Ｂ−１０］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｂ−１２］面発光半導体レーザは、垂直共振器型面発光レーザである、
上記［Ｂ−１］乃至上記［Ｂ−１１］のいずれかに記載の電子機器。

１・・・測距システム、１０・・・垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）、１１・・・光源（点光源）、２０・・・イベント検出センサ（ＤＶＳ）、２１・・・画素、２２・・・画素アレイ部、２３・・・駆動部、２４・・・アービタ部、２５・・・カラム処理部、２６・・・信号処理部、３０・・・システム制御部、４０・・・光源駆動部、５０・・・センサ制御部、６０・・・光源側光学系、７０・・・カメラ側光学系、１００・・・被写体、２００・・・アプリケーションプロセッサ

Claims (14)

1. 被写体に光を照射する面発光半導体レーザ、
   被写体で反射された光を受光し、画素の輝度変化が所定の閾値を超えたことをイベントとして検出するイベント検出センサ、及び、
   面発光半導体レーザ及びイベント検出センサの制御を行う制御部を備え、
   面発光半導体レーザの光源の配置は、光源をアレイ状に２次元配置したアレイドット配置であり、
   制御部は、アレイドット配置において隣接する２つの光源を駆動の単位とし、２つの光源をそれぞれ独立に点灯駆動する動作に加えて、２つの光源を同時に点灯駆動する動作を行う、
   測距システム。
2. 制御部は、２つの光源を同じ発光強度で駆動する制御を行う、
   請求項１に記載の測距システム。
3. 制御部は、２つの光源の間の区間における中間位置で２つの光源を同時に点灯駆動する制御を行う、
   請求項２に記載の測距システム。
4. 制御部は、２つの光源を同時に点灯駆動する期間では、イベント検出センサの感度を、光源の単独点灯のときの感度よりも下げる制御を行う、
   請求項２に記載の測距システム。
5. 制御部は、２つの光源を同時に点灯駆動した後、光源を単独で点灯駆動するとき、イベント検出センサの感度を上げる制御を行う、
   請求項４に記載の測距システム。
6. 制御部は、２つの光源を同時に点灯駆動した後、光源を単独で点灯駆動するとき、イベント検出センサの感度を、２つの光源を同時に点灯駆動する前の感度と同じ感度に上げる制御を行う、
   請求項５に記載の測距システム。
7. 制御部は、２つの光源を異なる発光強度で駆動する制御を行う、
   請求項１に記載の測距システム。
8. 制御部は、強度ピークが一定になるように２つの光源の制御を行う、
   請求項７に記載の測距システム。
9. 制御部は、２つの光源の間の区間において、強度ピークが所定量ずつ移動するように２つの光源の制御を行う、
   請求項８に記載の測距システム。
10. 制御部は、２つの光源の一方の発光強度を徐々に下げ、これに同期して、他方の発光強度を徐々に上げる制御を行う、
    請求項９に記載の測距システム。
11. ２つの光源は、アレイドット配置において、行方向、列方向、又は、斜め方向で隣接する光源である、
    請求項１に記載の測距システム。
12. 面発光半導体レーザは、垂直共振器型面発光レーザである、
    請求項１に記載の測距システム。
13. 垂直共振器型面発光レーザは、被写体に所定のパターンの光を投影する、
    請求項１２に記載の測距システム。
14. 被写体に光を照射する面発光半導体レーザ、
    被写体で反射された光を受光し、画素の輝度変化が所定の閾値を超えたことをイベントとして検出するイベント検出センサ、及び、
    面発光半導体レーザ及びイベント検出センサの制御を行う制御部を備え、
    面発光半導体レーザの光源の配置は、光源をアレイ状に２次元配置したアレイドット配置であり、
    制御部は、アレイドット配置において隣接する２つの光源を駆動の単位とし、２つの光源をそれぞれ独立に点灯駆動する動作に加えて、２つの光源を同時に点灯駆動する動作を行う、
    測距システムを有する電子機器。

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