JP2021032607A - アプタマー固定化半導体センシングデバイス及び非荷電分子の検出方法 - Google Patents
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Abstract
Description
1.半導体上に反応ゲート絶縁部としてシリコン酸化物又は無機酸化物を含む第1の絶縁層が形成された電界効果トランジスタの前記第1の絶縁層の上に、反応性官能基を有する有機単分子膜からなる第1の有機単分子膜を形成し、該第1の有機単分子膜に、あらかじめターゲット分子を結合させたプローブ分子であるアプタマーを、前記反応性官能基を介して直接又は架橋分子を用いて結合させ、その後、該ターゲット分子を該アプタマーから脱離させてなる、アプタマー/有機単分子膜/絶縁層/半導体構造を検出部として備えるアプタマー固定化半導体センシングデバイス。
2.前記アプタマーが、DNAアプタマーである1のアプタマー固定化半導体センシングデバイス。
3.前記半導体上に、更に、参照ゲート絶縁部としてシリコン酸化物又は無機酸化物を含む第2の絶縁層が形成され、該第2の絶縁層の上に、前記アプタマー及び非荷電分子のいずれとも反応しない有機分子で構成された第2の有機単分子膜を形成してなる、有機単分子膜/絶縁層/半導体構造を参照部として備える1又は2のアプタマー固定化半導体センシングデバイス。
4.1〜3のいずれかのアプタマー固定化半導体センシングデバイス上に固定化されたアプタマーと非荷電分子とを相互作用させる工程と、
該相互作用によるゲート電極上の表面電位変化を検出する工程と
を含む非荷電分子の検出方法。
5.前記非荷電分子が、ステロイド骨格を有する化合物である4の非荷電分子の検出方法。
本発明のアプタマー固定化半導体センシングデバイスは、半導体上に反応ゲート絶縁部としてシリコン酸化物又は無機酸化物を含む第1の絶縁層が形成された電界効果トランジスタの前記第1の絶縁層の上に、反応性官能基を有する有機単分子膜からなる第1の有機単分子膜を形成し、該第1の有機単分子膜に、あらかじめターゲット分子を結合させたプローブ分子であるアプタマーを、前記反応性官能基を介して直接又は架橋分子を用いて結合させ、その後、該ターゲット分子を該アプタマーから脱離させてなる、アプタマー/有機単分子膜/絶縁層/半導体構造を検出部として備えるものである。
本発明の非荷電分子の検出方法は、前記アプタマー固定化半導体センシングデバイス上に固定化されたアプタマーと非荷電分子とを相互作用させる工程と、該相互作用によるゲート電極上の表面電位変化を検出する工程とを含む。
[実施例1]アプタマー固定化半導体センシングデバイスの構築1
(1)有機単分子膜の形成
凸版印刷(株)製の10μm長、1,000μm幅のn型FETからアセトンを用いて超音波処理することでフォトレジストを除去した。ゲート表面にヒドロキシ基を導入して活性部位を作製するため、プラズマリアクターPR301(ヤマト科学(株)製)を用いて、200WのO2プラズマに1分間暴露した。
アミノプロピルトリエトキシシラン(APS、Sigma-Aldrich社製)を1質量%含むトルエン中にデバイスを浸漬し、アルゴン雰囲気下、60℃で7分間静置することで、ゲート上へ単分子膜を成膜した。単分子膜を形成したFETをメタノール/トルエン混合溶媒(質量比1:1)を用いて超音波洗浄し、エタノールでリンスし、ゲート表面にAPSの単分子膜が形成されたFETを作製した。
前記単分子膜のアミノ基とアプタマーとを架橋するための架橋分子として、グルタルアルデヒドを反応させた。反応は、2.5質量%のグルタルアルデヒドを含むリン酸緩衝生理食塩水(137mM NaCl、2.7mM KCl、8.1mM Na2HPO4・12H2O、1.5mM KH2PO4、pH7.4、以下1×PBSともいう。)10μLを前記単分子膜が形成されたデバイスの検出部に滴下し、室温で30分間静置することにより行った。
C−A複合体を含む1×PBSKのかわりに、100nMのアプタマーを含む1×PBSを用いた以外は、実施例1と同様の方法で、アプタマー固定化デバイス2を構築した。
[実施例2]
デバイス1を洗浄後、ホルダーに設置し、デバイスの検出部を0.04×PBSK0.5mLに3分間浸漬した。浸漬後、室温で、アプタマー固定化デバイスの電流−電圧曲線を、Ag/AgCl参照電極を用い、デジタルソースメータ(ケースレー社製、2612)で測定した。測定条件は、ゲート電圧(Vg)を−3.0〜0.5V、ドレイン電圧(Vd)を0.1Vとした。続けて1mMコルチゾールを含む1×PBS20μLをアプタマー固定化デバイスのゲート表面上に添加し、30分間静置した後、1×PBS3mL及び0.04×PBSK3mLを用いてリンスを行った。その後、ゲート表面上に0.04×PBSKを0.5mL添加して3分間静置した後、コルチゾール吸着デバイスの電流−電圧曲線を測定し、コルチゾール添加前後でのゲート電圧シフトΔVgを評価した。結果を図4に示す。
デバイス1のかわりにデバイス2を用いた以外は、実施例2と同様の方法でコルチゾール吸着デバイスの電流−電圧曲線を測定し、コルチゾール添加前後でのゲート電圧シフトΔVgを評価した。結果を図5に示す。
2 絶縁層
3 第1の有機単分子膜
4 ゲート電極
5 ソース電極
6 ドレイン電極
7 ドープ領域
8 参照部
9 検出部
10 テンプレート部
11 アプタマー(プローブ分子)
12 非荷電分子
Claims (5)
- 半導体上に反応ゲート絶縁部としてシリコン酸化物又は無機酸化物を含む第1の絶縁層が形成された電界効果トランジスタの前記第1の絶縁層の上に、反応性官能基を有する有機単分子膜からなる第1の有機単分子膜を形成し、該第1の有機単分子膜に、あらかじめターゲット分子を結合させたプローブ分子であるアプタマーを、前記反応性官能基を介して直接又は架橋分子を用いて結合させ、その後、該ターゲット分子を該アプタマーから脱離させてなる、アプタマー/有機単分子膜/絶縁層/半導体構造を検出部として備えるアプタマー固定化半導体センシングデバイス。
- 前記アプタマーが、DNAアプタマーである請求項1記載のアプタマー固定化半導体センシングデバイス。
- 前記半導体上に、更に、参照ゲート絶縁部としてシリコン酸化物又は無機酸化物を含む第2の絶縁層が形成され、該第2の絶縁層の上に、前記アプタマー及び非荷電分子のいずれとも反応しない有機分子で構成された第2の有機単分子膜を形成してなる、有機単分子膜/絶縁層/半導体構造を参照部として備える請求項1又は2記載のアプタマー固定化半導体センシングデバイス。
- 請求項1〜3のいずれか1項記載のアプタマー固定化半導体センシングデバイス上に固定化されたアプタマーと非荷電分子とを相互作用させる工程と、
該相互作用によるゲート電極上の表面電位変化を検出する工程と
を含む非荷電分子の検出方法。 - 前記非荷電分子が、ステロイド骨格を有する化合物である請求項4記載の非荷電分子の検出方法。
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