JP2021019194A - 発光素子駆動装置および光測距装置 - Google Patents

Abstract

【課題】配線の寄生インダクタンスによって発光素子が２次発光することを抑制する。【解決手段】発光素子２１を駆動する発光素子駆動装置１００は、電源Ｖ１によって充電され、発光素子に電流を供給するためのコンデンサＣ１と、コンデンサから発光素子に電流を流すための第１配線Ｗ１と、発光素子から出力された電流が流れる第２配線Ｗ２と、コンデンサに電源から充電を行わせる充電状態と、コンデンサから発光素子に電流を供給する放電状態とのいずれかにコンデンサの状態を切り替えるための第１スイッチＳＷ１と、発光素子と並列的に、第１配線と第２配線とに逆接続されたダイオードＤ１と、ダイオードに直列的に接続された抵抗体Ｒ２と、を備える。【選択図】図５

Description

本開示は、発光素子駆動装置および光測距装置に関する。

短パルスの発光を発光素子に行わせるため、電源からコンデンサに充電した電荷によって、発光素子を発光させる駆動装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１７−２８２３５号公報

ＬｉＤＡＲ（Light Detection and Ranging）装置などの光測距装置に用いられる発光素子には、対象物までの距離の測定精度を高めるため、短時間で大電流を流すことが求められている。短時間で大電流をコンデンサから発光素子に流すと、配線の寄生インダクタンスの影響により、発光後にサージ電圧が発光素子に印加され、発光素子が劣化する可能性がある。このため、発光素子に対して並列的にダイオードを逆接続することが考えられるが、ダイオードの逆接続によって形成される共振回路によって、発光素子に２次発光が発生する可能性があるという課題を本願発明者らは見出した。このような課題は、数十ｎｓ程度のパルス幅による発光では生じなかった課題であり、例えば、数ｎｓのパルス幅で１００Ａ程度の大電流を流すという、これまでとは全く異なる発光条件により発光素子を駆動することによって顕在化する新たな課題である。

本開示は、以下の形態として実現することが可能である。

本開示の第１の形態によれば、発光素子（２１）を駆動する発光素子駆動装置（１００）が提供される。この発光素子駆動装置は、電源（Ｖ１）によって充電され、前記発光素子に電流を供給するためのコンデンサ（Ｃ１）と、前記コンデンサから前記発光素子に前記電流を流すための第１配線（Ｗ１）と、前記発光素子から出力された電流が流れる第２配線（Ｗ２）と、前記コンデンサに前記電源から充電を行わせる充電状態と、前記コンデンサから前記発光素子に前記電流を供給する放電状態とのいずれかに前記コンデンサの状態を切り替えるための第１スイッチ（ＳＷ１）と、前記発光素子と並列的に、前記第１配線と前記第２配線とに逆接続されたダイオード（Ｄ１）と、前記ダイオードに直列的に接続された抵抗体（Ｒ２）と、を備える。

この形態の発光素子駆動装置によれば、発光素子と並列的にダイオードが接続されているので、第２配線の寄生インダクタンスによってサージ電圧が発生したとしても、発光素子に逆方向に電流が流れることを抑制できる。そのため、サージ電圧の発生によって発光素子が劣化することを抑制できる。また、ダイオードには直列的に抵抗体が接続されているので、サージ電圧によってコンデンサが再充電されることを抑制できる。この結果、サージ電圧の発生に伴って、発光素子に２次発光が発生することを抑制できる。

本開示の第２の形態によれば、発光素子（２１）を駆動する発光素子駆動装置（１００ｂ）が提供される。この発光素子駆動装置は、電源（Ｖ１）によって充電され、前記発光素子に電流を供給するためのコンデンサ（Ｃ１）と、前記コンデンサから前記発光素子に前記電流を流すための第１配線（Ｗ１）と、前記発光素子から出力された電流が流れる第２配線（Ｗ２）と、前記コンデンサに前記電源から充電を行わせる充電状態と、前記コンデンサから前記発光素子に前記電流を供給する放電状態とのいずれかに前記コンデンサの状態を切り替えるための第１スイッチ（ＳＷ１）と、前記発光素子と並列的に、前記第１配線と前記第２配線とに逆接続されたダイオード（Ｄ１）と、前記コンデンサの端子間に接続され、前記コンデンサを放電させるための第２スイッチ（ＳＷ２）と、を備える。

この形態の発光素子駆動装置によれば、発光素子と並列的にダイオードが接続されているので、第２配線の寄生インダクタンスによってサージ電圧が発生したとしても、発光素子に逆方向に電流が流れることを抑制できる。そのため、サージ電圧の発生によって発光素子が劣化することを抑制できる。また、コンデンサの端子間には、コンデンサを放電させるための第２スイッチが設けられているので、サージ電圧の発生によってコンデンサが再充電されたとしても、第２スイッチをオンすることによって、コンデンサを放電させることができる。この結果、サージ電圧の発生に伴って、発光素子に２次発光が発生することを抑制できる。

本開示は、発光素子駆動装置以外の種々の形態で実現することも可能である。例えば、発光素子の駆動方法や、発光素子駆動装置を備える光測距装置等の形態で実現できる。

光測距装置の概略構成を示す図。 光測距装置のより具体的な構成を示す図。 受光面の構成を示す図。 ヒストグラムの例を示す図。 第１実施形態における発光素子駆動装置の構成図。 第１実施形態におけるタイミングチャート。 光出力の実験結果を示すグラフ。 第２実施形態における発光素子駆動装置の構成図。 第２実施形態におけるフローチャート。 第２実施形態におけるタイミングチャート。

Ａ．第１実施形態：
図１に示すように、本開示の一形態としての光測距装置１０は、筐体１５と、照射部２０と、受光部３０と、測定部４０と、を備える。照射部２０は、空間中の所定の測定範囲ＭＲに対して照射光ＩＬを射出する。本実施形態では、照射部２０は、照射光ＩＬを走査方向ＳＤに走査する。照射光ＩＬは、走査方向ＳＤに直交する方向が長手方向となる矩形状に形成される。受光部３０は、照射光ＩＬの照射に応じた測定範囲ＭＲを含む範囲から反射光を受光する。測定部４０は、受光部３０が受光した反射光の強度に応じて、測定範囲ＭＲ内に存在する物体までの距離を測定する。光測距装置１０は、例えば、車両に搭載され、障害物の検出や障害物までの距離を測定するために使用される。

図２には、光測距装置１０のより具体的な構成を示している。図２に示すように、光測距装置１０は、図１に示した照射部２０と受光部３０と測定部４０とに加えて、制御部５０を備えている。制御部５０は、ＣＰＵおよびメモリを備えるコンピュータとして構成されており、照射部２０、受光部３０、測定部４０を制御する。

照射部２０は、発光素子２１と発光素子駆動装置１００とを備える。本実施形態における発光素子２１は、半導体レーザダイオードである。発光素子２１は、発光素子駆動装置１００によって駆動され、パルスレーザ光を照射光として照射する。発光素子駆動装置１００の具体的な構成については後述する。発光素子２１から射出された照射光は、図示していない光学系によって図１に示した縦長の照射光ＩＬに形成される。照射部２０は、走査部２２を備えている。走査部２２は、回転軸２２１を中心にミラー２２２を回動させることよって、照射光ＩＬの一次元走査を測定範囲ＭＲに亘って行う。ミラー２２２は、例えば、ＭＥＭＳミラーによって構成される。ミラー２２２の回動は、制御部５０によって制御される。

照射部２０によって照射された照射光は、測定範囲ＭＲ内の物体ＯＢによって反射される。物体ＯＢによって反射された反射光は、受光部３０によって受光される。

図２および図３に示すように、受光部３０は、物体からの反射光が照射される受光面３２に複数の画素３１を二次元配列状に備えている。図３に示すように、各画素３１は、物体ＯＢからの反射光を受光する受光素子３１１を複数有する。本実施形態において、各画素３１は、横９個×縦５個の計４５個の受光素子３１１を有しており、受光した光の強度に応じて、０〜４５個のパルス信号を出力する。受光部３０の受光面３２は、例えば、画素３１が、縦方向に６４個、横方向に２５６個、配置されることにより構成される。

受光部３０には、強度信号出力部４１が接続されている。強度信号出力部４１は、受光素子３１１によって検出された反射光の強度を表す強度信号を出力する回路である。強度信号出力部４１は、各画素３１に含まれる複数の受光素子３１１から略同時に出力されるパルス信号の数を画素毎に加算する。そして、その加算値を各画素３１において受光された反射光の強度を表す強度信号として出力する。本実施形態では、上記のとおり、各画素は４５個の受光素子３１１を備えているため、強度信号出力部４１からは、画素３１毎に、０〜４５の値を有する強度信号が出力される。

測定部４０は、強度信号出力部４１から逐次出力される強度信号からピーク信号を検出し、照射部２０による光の照射からピーク信号が検出されるまでの時間に応じて物体ＯＢまでの距離を測定する機能を備える。測定部４０は、この機能を実現するため、ヒストグラム生成部４２と、信号処理部４３と、距離演算部４４とを備えている。これらは、例えば、１または２以上の集積回路として構成される。なお、これらは、ＣＰＵがプログラムを実行することによってソフトウェア的に実現される機能部であってもよい。

ヒストグラム生成部４２は、強度信号出力部４１から出力された強度信号に基づき、画素３１毎にヒストグラムを生成する回路である。図４には、ヒストグラムの例を示している。横軸に示したヒストグラムの階級は、照射部２０から照射光ＩＬが照射されてから反射光が画素３１によって受光されるまでの光の飛行時間を示している。以下、この時間のことを、ＴＯＦ（ＴＯＦ：Ｔｉｍｅ Ｏｆ Ｆｌｉｇｈｔ）という。一方、縦軸に示したヒストグラムの度数は、強度信号出力部４１から出力された強度信号の値であり、物体から反射された光の強度を表している。ヒストグラム生成部４２は、強度信号出力部４１から出力された強度信号をＴＯＦ毎に記録することによってヒストグラムを生成する。測定範囲ＭＲに物体ＯＢが存在する場合、その物体ＯＢから光が反射され、その物体ＯＢまでの距離に応じたＴＯＦの階級に強度信号が記録される。

信号処理部４３は、ヒストグラムの中で最も大きな度数となった階級の部分をピーク信号として検出する回路である。ヒストグラム中のピーク信号は、そのピーク信号に対応するＴＯＦに応じた位置（距離）に物体が存在することを表している。ピーク信号以外の信号は、例えば、外乱光の影響による信号である。なお、信号処理部４３は、予め定めた閾値以上となる度数の階級の部分をピーク信号として検出してもよい。

距離演算部４４は、信号処理部４３によって検出されたピーク信号に対応するＴＯＦから距離値Ｄを求める回路である。ピーク信号に対応するＴＯＦを「Δｔ」、光速を「ｃ」、距離値を「Ｄ」とすると、距離演算部４４は、以下の式（１）により、距離値Ｄを算出する。距離演算部４４は、すべてのヒストグラム、すなわち、すべての画素３１について距離値Ｄを算出する。
Ｄ＝（ｃ×Δｔ）／２ ・・・（１）

測定部４０によって測定された各画素３１の距離値Ｄは、光測距装置１０から車両のＥＣＵ等に出力される。車両のＥＣＵは、光測距装置１０から取得した画素３１毎の距離値を用いることで、測定範囲ＭＲ内における障害物の検出や障害物までの距離の測定を行うことができる。

図５に示すように、発光素子２１を駆動する発光素子駆動装置１００は、コンデンサＣ１と、第１スイッチＳＷ１と、ダイオードＤ１と、を備える。

コンデンサＣ１は、第１抵抗体Ｒ１を介して電源Ｖ１に接続されている。電源Ｖ１は、例えば、１００〜２００Ｖの一定の電圧を有する直流電源である。第１抵抗体Ｒ１の抵抗値は、例えば、１０ｋ〜１００ｋΩである。コンデンサＣ１は、第１抵抗体Ｒ１を介して、電源Ｖ１によって充電される。充電に要する時間は、コンデンサＣ１の容量と第１抵抗体Ｒ１の抵抗値とに応じて定まる。コンデンサＣ１は、１つに限らず、複数のコンデンサが並列的に接続されて構成されてもよい。

コンデンサＣ１は、発光素子２１に電流を供給する。コンデンサＣ１と発光素子２１とは、第１配線Ｗ１によって接続されている。第１配線Ｗ１は、コンデンサＣ１から発光素子２１に電流を流す。第１配線Ｗ１は、発光素子２１のアノード端子に接続されている。コンデンサＣ１から発光素子２１へは、例えば、数ｎｓの間に、１００Ａ程度の大電流が流れる。コンデンサＣ１から発光素子２１への電流の供給期間（パルス幅）および電流値は、これに限らず、例えば、供給期間を２〜１０ｎｓ、電流値を５０〜２５０Ａとすることが可能である。

発光素子２１は、第２配線Ｗ２を介して、グランドに接続されている。第２配線Ｗ２は、発光素子２１のカソード端子に接続されている。第２配線Ｗ２には、発光素子２１から出力された電流が流れる。第２配線Ｗ２は、その配線長に応じた寄生インダクタンスＬ１を有する。本実施形態では、第２配線Ｗ２に、第１スイッチＳＷ１が設けられている。本実施形態では、第１スイッチＳＷ１は、半導体スイッチング素子により構成されている。第１スイッチＳＷ１は、制御部５０からの指示に応じて第１ゲートドライバＧＤ１によってスイッチングされる。

第１スイッチＳＷ１は、コンデンサＣ１に電源Ｖ１から充電を行わせる充電状態と、コンデンサＣ１から発光素子２１に電流を供給する放電状態とのいずれかにコンデンサＣ１の充放電状態を切り替える。本実施形態では、第１スイッチＳＷ１がオフにされると、電源Ｖ１がグランドから切断され、コンデンサＣ１は充電状態となる。一方、オンにされると、コンデンサＣ１が発光素子２１を介してグランドと接続され、放電状態になる。本明細書において、スイッチをオンにするとは、そのスイッチの上流側の配線と下流側の配線を導通させることをいい、スイッチをオフにするとは、そのスイッチの上流側の配線と下流側の配線とを切断することをいう。

ダイオードＤ１は、発光素子２１と並列的に、第１配線Ｗ１と第２配線Ｗ２とに逆接続されている。つまり、ダイオードＤ１のカソード端子が第１配線Ｗ１に接続され、ダイオードＤ１のアノード端子が配線Ｗ２に接続されている。より具体的には、本実施形態では、ダイオードＤ１のカソード端子は、ダイオードＤ１のカソード端子に直列的に接続された第２抵抗体Ｒ２を介して第１配線Ｗ１に接続されている。ダイオードＤ１のアノード端子は、第２配線Ｗ２の、発光素子２１と第１スイッチＳＷ１との間の部分に接続されている。第２抵抗体Ｒ２としては、抵抗器やフェライトビーズインダクタを用いることができる。

図６に示すタイミングチャートのように、第１ゲートドライバＧＤ１によって第１スイッチＳＷ１がオンにされると、発光素子２１とグランドとの間が導通し、コンデンサＣ１に充電された電荷が発光素子２１に流れ、発光素子２１が発光する。第１ゲートドライバＧＤ１による第１スイッチＳＷ１のオン期間は、例えば、３０〜６０ｎｓである。発光素子２１の発光期間は、例えば、３〜６ｎｓである。発光素子２１が発光した後には、第２配線Ｗ２に存在する寄生インダクタンスＬ１の影響により、第２配線Ｗ２にサージ電圧が発生する可能性がある。サージ電圧は、電流が大きくなるほど増大し、また、パルス幅が短くなるほど増大する。本実施形態では、発光素子２１に並列的にダイオードＤ１が逆接続されているため、サージ電圧が発生したとしても、そのサージ電圧によって生じる電流はダイオードＤ１を流れ、発光素子２１には流れない。ダイオードＤ１に電流が流れると、その電流によりコンデンサＣ１が充電される。そして、コンデンサＣ１の電圧が発光素子２１の順方向電圧を超えると、コンデンサＣ１から、再度、発光素子２１に電流が流れ、図６に破線で示すように、発光素子２１が意図しないタイミングで発光するおそれがある。このような発光のことを、二次発光ともいい、このような現象のことを共振現象ともいう。しかし、本実施形態では、ダイオードＤ１に直列的に第２抵抗体Ｒ２が接続されているので、ダイオードＤ１を流れた電流は、第２抵抗体Ｒ２を流れることで減衰する。従って、上述したような共振現象が抑制され、二次発光の発生が抑制される。

第２抵抗体Ｒ２の抵抗値は、大きくしすぎると、サージ電圧発生時に、ダイオードＤ１と第２抵抗体Ｒ２とに電流が流れにくくなり、発光素子２１に逆方向に電流が流れる可能性が高くなる。そのため、第２抵抗体Ｒ２の抵抗値は、例えば、３〜６Ωであることが好ましい。図７には、第２抵抗体Ｒ２として、３Ωの抵抗素子を設けた場合における光出力の実験結果を示している。図７の横軸は第１スイッチＳＷ１がオンされてからの経過時間を示し、縦軸は、発光素子２１の光出力の大きさを示している。図７に示すように、発光素子駆動装置１００に第２抵抗体Ｒ２を設けた場合には、発光素子２１の一次発光後に、二次発光が発生することを抑制できる。

以上で説明したように、第１実施形態における発光素子駆動装置１００によれば、発光素子２１に並列的にダイオードＤ１を逆接続することで、寄生インダクタンスＬ１によってサージ電圧が生じた場合に、そのサージ電圧から発光素子２１を保護することができ、更に、ダイオードＤ１に直列的に第２抵抗体Ｒ２を接続することで、サージ電圧の発生に伴って、発光素子２１が二次発光することも抑制することができる。

なお、本実施形態では、第２抵抗体Ｒ２は、ダイオードＤ１のカソード端子に直列的に接続されているが、ダイオードＤ１のアノード端子に直列的に接続されてもよい。

また、本実施形態では、第１スイッチＳＷ１が第２配線Ｗ２に設けられているが、第１スイッチＳＷ１は第１配線Ｗ１に設けられてもよい。具体的には、第１スイッチＳＷ１は、第１配線Ｗ１の、ダイオードＤ１との接続部分よりも上流側の部分に設けられてもよい。

また、本実施形態では、電源Ｖ１の下流に第１抵抗体Ｒ１を設けているが、第１抵抗体Ｒ１に代えて、他の素子あるいは回路を設けてもよい。例えば、第１抵抗体Ｒ１に代えて、コイルを設けてもよいし、ダイオードとコイルとを直列的に設けてもよい。また、コンデンサＣ１の放電時にオフされるスイッチを設けてもよい。

Ｂ．第２実施形態：
図８に示すように、第２実施形態における発光素子駆動装置１００ｂは、第２スイッチＳＷ２を備えている。第２スイッチＳＷ２は、コンデンサＣ１の端子間、すなわち、第１配線Ｗ１とグランドとの間に接続されている。発光素子駆動装置１００ｂのその他の構成は、図５に示した第１実施形態の発光素子駆動装置１００と同じである。本実施形態において、第２スイッチＳＷ２は、半導体スイッチング素子により構成されている。第２スイッチＳＷ２は、制御部５０からの指示に応じて第２ゲートドライバＧＤ２によってスイッチングされる。

図９に示すように、まず、ステップＳ１０において、電源Ｖ１からコンデンサＣ１に充電が行われると、引き続き、ステップＳ２０において、第１スイッチＳＷ１がオンにされ、発光素子２１が一次発光する。すると、上述したように、寄生インダクタンスＬ１によるサージ電圧の発生により、コンデンサＣ１が再充電される場合がある。そこで、本実施形態では、一次発光後、ステップＳ３０において、二次発光が生じる前に、第２スイッチＳＷ２をオンにして、再充電されたコンデンサＣ１を放電させる。すると、図１０に示すように、第２スイッチＳＷ２が存在しない場合には、二次発光が生じる可能性があるものの、第２スイッチＳＷ２を設けて一次発光後にオンすることにより、コンデンサＣ１が放電され、二次発光が生じることを抑制できる。

図１０には、第１スイッチＳＷ１と第２スイッチＳＷ２とをオンにする期間の長さが一致した例を示している。しかし、これらの期間は一致していなくてもよい。例えば、第２スイッチＳＷ２は、一次発光の終了直後にオンし、二次発光が生じる時間をカバーするようにオン時間が設定されていればよい。また、第１スイッチＳＷ１は、一次発光が終了するまでオンにされていれば、オフのタイミングは任意である。ただし、二次発光が発生するまでに、第１スイッチＳＷ１はオフされることが好ましい。

図８に示した本実施形態の発光素子駆動装置１００ｂの構成では、ダイオードＤ１には第２抵抗体Ｒ２は接続されていない。しかし、本実施形態においても、ダイオードＤ１に対して、第１実施形態と同様に、第２抵抗体Ｒ２を直列的に接続してもよい。こうすることにより、より確実に二次発光が生じることを抑制できる。

Ｃ．他の実施形態：
（Ｃ−１）図５および図８に示したダイオードＤ１として、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）等に備えられたボディダイオードを用いてもよい。ＦＥＴは、Ｎチャネル型であってもＰチャネル型であってもよい。

（Ｃ−２）発光素子駆動装置１００を備える装置は、光測距装置１０に限られない。例えば、発光素子２１を備える画像表示装置に発光素子駆動装置１００が備えられてもよい。また、発光素子２１としては、発光素子駆動装置１００が備えられる装置の用途に応じて、半導体レーザダイオードに限らず、発光ダイオードなど、他の素子が採用されてもよい。

（Ｃ−３）上記実施形態では、光測距装置１０は、投光における光軸と受光における光軸とが異なる異軸型の光学系を採用している。これに対して、光測距装置１０は、投光における光軸と受光における光軸とが一致する同軸型の光学系を採用してもよい。また、上記実施形態では、画素は、鉛直方向および水平方向に平面的に配列されているが、画素３１は、所定の方向に１列に並んでいるものであってもよい。また、上記実施形態では、光測距装置１０は、走査方式として、短冊状の光を一方向に走査する１Ｄスキャン方式を採用しているが、点状の光を２次元方向に走査する２Ｄスキャン方式を採用してもよい。また、光測距装置１０は、光を走査せず、広範囲に光を照射するフラッシュ方式の装置であってもよい。

（Ｃ−４）上記実施形態において、受光部３０に備えられた各画素３１は、ピンフォトダイオードやアバランシェフォトダイオード、ＳＰＡＤ（シングルフォトンアバランシェダイオード）などの受光素子によって構成できる。この場合、その受光素子が、受光した反射光の強度に応じた無段階あるいは多段階のレベルの信号を出力可能であれば、ヒストグラムを生成することなく、その信号のレベルを用いて距離を測定することも可能である。

本開示は、上述の実施形態に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現することができる。例えば、各実施形態中の技術的特徴は、上述の課題の一部又は全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部又は全部を達成するために、適宜、差し替えや、組み合わせを行うことが可能である。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することが可能である。

１０ 光測距装置、１５ 筐体、２０ 照射部、２１ 発光素子、２２ 走査部、３０ 受光部、３１ 画素、３２ 受光面、４０ 測定部、４１ 強度信号出力部、４２ ヒストグラム生成部、４３ 信号処理部、４４ 距離演算部、５０ 制御部、１００，１００ｂ 発光素子駆動装置、２２１ 回転軸、２２２ ミラー、３１１ 受光素子、Ｃ１ コンデンサ、Ｄ１ ダイオード、ＧＤ１ 第１ゲートドライバ、ＧＤ２ 第２ゲートドライバ、Ｌ１ 寄生インダクタンス、Ｒ１ 第１抵抗体、Ｒ２ 第２抵抗体、ＳＷ１ 第１スイッチ、ＳＷ２ 第２スイッチ、Ｖ１ 電源、Ｗ１ 第１配線、Ｗ２ 第２配線

Claims (4)

1. 発光素子（２１）を駆動する発光素子駆動装置（１００）であって、
   電源（Ｖ１）によって充電され、前記発光素子に電流を供給するためのコンデンサ（Ｃ１）と、
   前記コンデンサから前記発光素子に前記電流を流すための第１配線（Ｗ１）と、
   前記発光素子から出力された電流が流れる第２配線（Ｗ２）と、
   前記コンデンサに前記電源から充電を行わせる充電状態と、前記コンデンサから前記発光素子に前記電流を供給する放電状態とのいずれかに前記コンデンサの状態を切り替えるための第１スイッチ（ＳＷ１）と、
   前記発光素子と並列的に、前記第１配線と前記第２配線とに逆接続されたダイオード（Ｄ１）と、
   前記ダイオードに直列的に接続された抵抗体（Ｒ２）と、
   を備える発光素子駆動装置。
2. 発光素子（２１）を駆動する発光素子駆動装置（１００ｂ）であって、
   電源（Ｖ１）によって充電され、前記発光素子に電流を供給するためのコンデンサ（Ｃ１）と、
   前記コンデンサから前記発光素子に前記電流を流すための第１配線（Ｗ１）と、
   前記発光素子から出力された電流が流れる第２配線（Ｗ２）と、
   前記コンデンサに前記電源から充電を行わせる充電状態と、前記コンデンサから前記発光素子に前記電流を供給する放電状態とのいずれかに前記コンデンサの状態を切り替えるための第１スイッチ（ＳＷ１）と、
   前記発光素子と並列的に、前記第１配線と前記第２配線とに逆接続されたダイオード（Ｄ１）と、
   前記コンデンサの端子間に接続され、前記コンデンサを放電させるための第２スイッチ（ＳＷ２）と、
   を備える発光素子駆動装置。
3. 請求項２に記載の発光素子駆動装置（１００ｂ）であって、
   前記第２スイッチは、前記第１スイッチにより前記コンデンサが放電状態とされて前記コンデンサから前記発光素子に前記電流が流れた後に、オンされる、発光素子駆動装置。
4. 請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載された発光素子駆動装置（１００，１００ｂ）と、
   前記発光素子によって光が照射された物体から反射光を受光する受光素子（３１１）と、
   前記受光素子によって受光された前記反射光の強度を表す強度信号を出力する強度信号出力部（４１）と、
   前記強度信号出力部から逐次出力される前記強度信号からピーク信号を検出し、前記発光素子による光の照射から前記ピーク信号が検出されるまでの時間に応じて前記物体までの距離を測定する測定部（４０）と、
   を備える光測距装置（１０）。

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