WO2023032505A1 - レーザ発光装置および光測距装置 - Google Patents

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正人 中島
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株式会社デンソー
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Definitions

  • the present disclosure relates to a laser light emitting device and an optical rangefinder.
  • a distance measuring device measures the distance to an object by irradiating the object with a laser beam, receiving the reflected light from the object, and measuring the time from irradiation to light reception. .
  • it is required to irradiate a high-power laser beam.
  • it is necessary to apply a high voltage to the laser diode that emits the laser beam.
  • a booster circuit may be used to apply a high voltage to the laser diode.
  • Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2002-200002 describes a laser light emitting device having a chopper booster circuit.
  • the parasitic inductance of the wiring may cause the laser diode to emit light unintentionally after the target emission. This is because the body diode of the switching transistor for switching the energization/non-energization of the coil of the chopper booster circuit forms a path through which the current flows to the laser diode. If the laser diode emits light unintentionally, there is a risk that the accuracy of distance measurement will be degraded.
  • a laser light emitting device is provided in a first form of the present disclosure.
  • This laser light emitting device is a booster circuit for boosting a DC voltage supplied by a DC power supply, and includes a coil, a first switch for switching between energization and non-energization of the coil, and a forward-connected first diode. , a capacitor, a laser diode to which the voltage boosted by the boost circuit is supplied, a second switch for switching between energization and non-energization of the laser diode; A forward-connected second diode connected in series with the first switch, and a light emission driving section for controlling the booster circuit and the driving circuit.
  • the second diode in the laser light emitting device, when light is emitted unintentionally after the target light emission, which is caused by the parasitic inductance of the wiring, the second diode are connected in the opposite direction. Therefore, the second diode blocks the current flow in the current path, so that unintended light emission of the laser diode can be suppressed. Therefore, it is possible to suppress a decrease in distance measurement accuracy.
  • an optical ranging device is provided.
  • This optical distance measuring device is a booster circuit for boosting a DC voltage supplied by a DC power supply, and includes a coil, a first switch for switching between energization and non-energization of the coil, and a forward-connected first diode. and a capacitor, a laser diode to which the voltage boosted by the boost circuit is supplied, and a second switch for switching between energization and non-energization of the laser diode; a laser light emitting device comprising: a forward-connected second diode connected in series with the first switch; and a light emission drive section for controlling the booster circuit and the drive circuit; and a laser emitted from the laser diode.
  • a light receiving unit that receives light reflected by an object, and a calculation unit that calculates the distance to the object using the time from when the laser light is emitted until when the reflected light is received.
  • optical distance measuring device of this embodiment it is possible to provide an optical distance measuring device with improved distance measuring accuracy by using a laser light emitting device in which unintended light emission of a laser diode is suppressed.
  • FIG. 1 is a diagram showing the configuration of an optical rangefinder
  • FIG. 2 is a diagram showing the circuit configuration of the laser light emitting device
  • FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of a booster circuit and a drive circuit for explaining secondary light emission
  • FIG. 4 is a timing chart of light emission processing
  • FIG. 5 is a diagram showing the circuit configuration of a laser light emitting device according to the second embodiment
  • FIG. 6 is a diagram showing the circuit configuration of a laser light emitting device according to the third embodiment.
  • the optical distance measuring device 100 is used by being mounted on a vehicle, for example.
  • the optical ranging device 100 is LiDAR (Light Detection And Ranging).
  • the optical distance measuring device 100 includes a laser light emitting device 10 , a scanning section 20 , a light receiving section 30 and a control section 60 .
  • the laser light emitting device 10 emits laser light IL for distance measurement.
  • the control unit 60 is configured as a computer including a CPU and memory.
  • the control unit 60 controls operations of the laser light emitting device 10 , the scanning unit 20 and the light receiving unit 30 .
  • the controller 60 further includes a calculator 62 .
  • the calculator 62 calculates the distance to the object OB.
  • the calculation unit 62 may be implemented by the CPU executing a program stored in the memory, or may be implemented by an electronic circuit.
  • the laser light emitting device 10 includes a laser diode LD, which will be described later, that emits pulsed laser light IL.
  • a laser beam IL emitted from the laser diode LD is collimated by a collimating lens (not shown) and enters the scanning unit 20 .
  • the scanning unit 20 scans the laser light IL within a predetermined measurement range MR.
  • the scanning unit 20 includes a mirror 21 that reflects the laser beam IL and a rotary solenoid (not shown) that drives the mirror 21 .
  • the laser beam IL is scanned within the measurement range MR by repeating forward and reverse rotation of the rotary solenoid within a predetermined angular range.
  • the light receiving unit 30 receives the reflected light RL which is the laser light IL emitted from the laser diode LD and reflected by the object OB.
  • the light receiving section 30 outputs a detection signal corresponding to the intensity of the received light to the calculating section 62 .
  • the calculation unit 62 uses the detection signal input from the light receiving unit 30 to calculate the distance to the object OB. Specifically, the calculator 62 calculates the distance to the object OB using a time of flight (TOF), which is the time from when the laser light IL is emitted until when the reflected light RL is received. calculate.
  • TOF time of flight
  • the laser light emitting device 10 has a DC power supply V1, a booster circuit 11, a drive circuit 12, a second diode D2, and a light emission driver 13. As shown in FIG.
  • the booster circuit 11 boosts the DC voltage supplied from the DC power supply V1.
  • the booster circuit 11 has a coil L1, a first diode D1, a first switch Q1, and a capacitor C1.
  • the first switch Q1 switches between energization and non-energization of the coil L1.
  • the first diode D1 is forward-connected to the DC power supply V1.
  • the coil L1 and the first diode D1 are connected in series to constitute a first series connection body DC1.
  • the coil L1 and the first diode D1 are connected in the order of the coil L1 and the first diode D1 from the positive electrode of the DC power supply V1 toward the negative electrode.
  • One end of the first series connection body DC1 is connected to the positive electrode of the DC power supply V1.
  • a capacitor C1 is connected between the other end of the first series connection DC1 and the negative electrode of the DC power supply V1.
  • the second diode D2 is connected in series with the first switch Q1 and forward-connected to the DC power supply V1.
  • a connected body in which the second diode D2 and the first switch Q1 are connected in series is connected in parallel to the capacitor C1. That is, the second diode D2 and the first switch Q1 are connected between the other end of the first series connection body DC1 and the negative electrode of the DC power supply V1.
  • the second diode D2 and the first switch Q1 are connected in the order of the second diode D2 and the first switch Q1 from the positive terminal of the DC power supply V1 toward the negative terminal.
  • the drive circuit 12 has a laser diode LD to which the voltage boosted by the booster circuit 11 is supplied, and a second switch Q2 for switching between energization and non-energization of the laser diode LD.
  • a connection body in which the laser diode LD and the second switch Q2 are connected in series is connected in parallel to the capacitor C1.
  • the second switch Q2 and the laser diode LD are connected in the order of the second switch Q2 and the laser diode LD from the positive terminal to the negative terminal of the DC power source V1.
  • a negative electrode of the DC power supply V1 is connected to the ground.
  • the light emission driving section 13 is realized by an electronic circuit, and controls the booster circuit 11 and the driving circuit 12 .
  • the second switch Q2 and the first switch Q1 are N-channel IGFETs (Insulated Gate Field Effect Transistors).
  • a first gate signal SG1 output from the light emission driving section 13 is input to the gate of the first switch Q1.
  • a second gate signal SG2 output from the light emission driving section 13 is input to the gate of the second switch Q2.
  • the first switch Q1 switches between conduction and non-conduction of the coil L1, so that the capacitor voltage VC, which is the voltage of the capacitor C1, becomes higher than the DC voltage of the DC power supply V1. Then, by turning on the second switch Q2, the charge accumulated in the capacitor C1 is supplied to the laser diode LD, and the laser diode LD emits light.
  • the coil L1 and the first diode D1 may be connected in the order of the first diode D1 and the coil L1 from the positive pole to the negative pole of the DC power supply V1.
  • the second switch Q2 and the laser diode LD may be connected in the order of the laser diode LD and the second switch Q2 from the positive pole to the negative pole of the DC power supply V1.
  • the second diode D2 and the first switch Q1 may be connected in the order of the first switch Q1 and the second diode D2 from the positive terminal of the DC power supply V1 toward the negative terminal.
  • the second switch Q2 and the first switch Q1 may be FETs (Field Effect Transistors) other than IGFETs.
  • FETs other than IGFETs include HEMTs (High Electron Mobility Transistors) using gallium nitride (GaN).
  • HEMT is also called HFET (Heterostructure Field-Effect Transistor).
  • the first switch Q1 and the second switch Q2 may be bipolar transistors or may be configured by an integrated circuit.
  • the first switch Q1 and the second switch Q2 may be P-channel IGFETs.
  • the second diode D2 and the first switch Q1 should be connected in the order of the first switch Q1 and the second diode D2 from the positive electrode to the negative electrode of the DC power supply V1.
  • the wiring that connects the elements of the laser light emitting device 10 has a parasitic inductance Lp.
  • the second switch Q2 and the first switch Q1 are IGFETs, a body diode Db is formed. Therefore, if the laser light emitting device 10 does not have the second diode D2, a current path CP is formed that passes through the laser diode LD, the body diode Db of the first switch Q1, and the on-state second switch Q2. Therefore, after the second switch Q2 is turned on to cause the laser diode LD to emit light, as the charge accumulated in the capacitor C1 disappears, current flow through the laser diode LD ceases.
  • a current flows through the current path CP due to the electromagnetic induction of the parasitic inductance Lp.
  • unintended light emission occurs after the target light emission.
  • This unintended emission is also called secondary emission, whereas the target emission is also called primary emission.
  • the current flowing through the laser diode LD is smaller than in the primary emission. Therefore, in this embodiment, the second diode D2 is inserted in the current path CP in the direction opposite to the flow of the current emitted by the laser diode LD. Thereby, secondary light emission can be suppressed.
  • a method of inserting a damping resistor in the current path CP is also conceivable in order to suppress secondary light emission.
  • the following problem may occur because the current flowing in the boosting operation is large.
  • heat generation due to damping resistance is a problem.
  • a problem arises in that it becomes necessary to arrange a plurality of damping resistors according to the current value, resulting in an increase in size.
  • kickback causes the first switch Q1 to fail.
  • the problem caused by inserting the damping resistor can be avoided.
  • the light emission driving section 13 performs the light emission processing shown in FIG. In the first step S1, the light emission driving section 13 outputs the first boost-on signal SBN1 to the first switch Q1 while outputting the drive-off signal SDF to the second switch Q2. A first boost off signal SBF1 is output to Q1.
  • the gate of the second switch Q2 is supplied with the first gate signal SG1 of low level L as the drive-off signal SDF from time t1 to time t3. Then, after the second gate signal SG2 of high level H as the first boost-on signal SBN1 is input to the gate of the first switch Q1 from time t1 to time t2, from time t2 to time t3, the first gate signal SG2 is input to the gate of the first switch Q1. A low level L second gate signal SG2 is input as the boost off signal SBF1.
  • the first switch Q1 is in the ON state, so current flows through the coil L1.
  • the first switch Q1 is turned off, the current path passing through the first switch Q1 is cut off, so current flows through the coil L1 according to the inductance of the coil L1.
  • the capacitor voltage VC rises to the target voltage Va higher than the DC voltage of the DC power supply V1.
  • the light emission driving section 13 outputs the first drive ON signal SDN1 to the second switch Q2 while the second boost OFF signal SBF2 is being output to the first switch Q1.
  • the first gate signal SG1 at low level L as the second boost off signal SBF2 is output to the first switch Q1.
  • the second gate signal SG2 of high level H is output to the second switch Q2 as the first drive-on signal SDN1.
  • a voltage corresponding to the target voltage Va is applied to the laser diode LD.
  • the charge accumulated in the capacitor C1 flows to the ground through the second switch Q2 and the laser diode LD which are in the ON state. Accordingly, the laser diode LD emits light for a period corresponding to the charge accumulated in the capacitor C1. As a result, the laser diode LD emits pulsed laser light IL.
  • the capacitor C1 is discharged and the capacitor voltage VC becomes 0V.
  • the current flowing through the laser diode LD is approximately 10 A or more and 100 A or less.
  • the pulse width is about 1 ns or more and 10 ns or less.
  • the optical output is about several tens of W or more and several hundred W or less.
  • the light emission driving section 13 outputs the first gate signal SG1 of high level H to the gate of the first switch Q1, and outputs the first gate signal SG1 of high level H to the second switch Q2. 2 gate signal SG2 is output.
  • both the second switch Q2 and the first switch Q1 are turned on.
  • the first step S1 to the third step S3 are performed within the unit period UP.
  • the first step S1 to the third step S3 are repeated until the control unit 60 finishes the distance measurement process.
  • the unit period UP is approximately several microseconds.
  • the laser light emitting device 10 includes the booster circuit 11, the drive circuit 12 having the laser diode LD supplied with the voltage boosted by the booster circuit 11, the second diode D2, A light emission drive section 13 for controlling the booster circuit 11 and the drive circuit 12 is provided.
  • the second diode D2 is connected in series with the first switch Q1 of the booster circuit 11 .
  • the second diode D2 is connected in a direction opposite to the direction of current flow in the current path CP of the secondary light emission that is emitted after the target light emission, which is generated by the parasitic inductance Lp of the wiring of the laser light emitting device 10. .
  • the current flow in the current path CP that causes the secondary light emission is blocked by the second diode D2, so that the secondary light emission of the laser diode LD can be suppressed. Therefore, the distance measurement performance of the laser light emitting device 10 can be improved.
  • the first switch Q1 and the second diode D2 are connected between the other end of the first series connection body DC1 in which the coil L1 and the first diode D1 are connected in series and the negative electrode of the DC power supply V1. .
  • the light emission drive unit 13 performs the first step S1 for charging the capacitor C1 and the second step S2 for causing the laser diode LD to emit light once within the unit period UP.
  • the light emission driving section 13 outputs the first boost-on signal SBN1 to the first switch Q1 while outputting the drive-off signal SDF to the second switch Q2, and then turns off the first boost. It outputs signal SBF1.
  • the light emission driving section 13 outputs the first drive ON signal SDN1 to the second switch Q2 while the second boost OFF signal SBF2 is being output to the first switch Q1.
  • the capacitor voltage VC can be boosted by the first step S1.
  • the second step S2 by turning on the second switch Q2, the electric charge in the capacitor C1 flows to the laser diode LD, and the laser diode LD can be caused to emit light.
  • the optical distance measuring device 100 includes a light receiving section 30 for receiving reflected light RL obtained by reflecting the laser light IL emitted from the laser diode LD by the object OB, and a light receiving section 30 for receiving the reflected light RL after the laser light IL is emitted. and a calculator 62 that calculates the distance to the object OB using the time until the object OB.
  • connection positions of the first switch Q1 and the second diode D2 are different from those of the first embodiment. Specifically, the first switch Q1 and the second diode D2 are connected between the connection point between the coil L1 and the first diode D1 and the negative electrode of the DC power supply V1. Since other circuit configurations are the same as those of the first embodiment, the same configurations are denoted by the same reference numerals, and descriptions thereof are omitted.
  • the second switch Q2 and the laser diode LD may be connected in the order of the laser diode LD and the second switch Q2 from the positive electrode to the negative electrode of the DC power supply V1.
  • the second diode D2 and the first switch Q1 may be connected in the order of the first switch Q1 and the second diode D2 from the positive terminal of the DC power supply V1 toward the negative terminal.
  • the laser light emitting device 10 is driven by the same driving method as the driving method according to the first embodiment.
  • the second step S2 may be performed after the first step S1 is performed multiple times.
  • the capacitor voltage VC is boosted to the target voltage Va by executing the plurality of first steps S1.
  • the first switch Q1 and the second diode D2 are connected to the connection point between the coil L1 of the booster circuit 11 and the first diode D1 of the booster circuit 11 and the negative electrode of the DC power supply V1.
  • the light emission drive unit 13 executes the first step S1 for charging the capacitor C1 at least once and the second step S2 for causing the laser diode LD to emit light once within the unit period UP.
  • the capacitor voltage VC can be boosted by the first step S1.
  • the second step S2 by turning on the second switch Q2, the electric charge in the capacitor C1 flows to the laser diode LD, and the laser diode LD can be caused to emit light.
  • the laser light emitting device 10 according to the third embodiment differs from the laser light emitting device 10 according to the first embodiment in that it has a second series connection body DC2 connected in parallel to the laser diode LD. Since other circuit configurations are the same as those of the first embodiment, the same configurations are denoted by the same reference numerals, and descriptions thereof are omitted.
  • the second series connection body DC2 is configured by connecting a third diode D3 as a rectifying section and a resistor R1 in series. In this embodiment, one end of the resistor R1 is connected to the anode of the laser diode LD. A cathode of a third diode D3 is connected to the other end of the resistor R1.
  • the anode of the third diode D3 is connected to the cathode of the laser diode LD.
  • the third diode D3 has a rectifying action to flow current from the cathode to the anode of the laser diode LD.
  • the resistor R1 limits the current value of the current passing through the third diode D3 due to the surge voltage generation. This suppresses the charging of the capacitor C1, thereby suppressing the secondary emission of the laser diode LD.
  • a reverse conducting portion formed in a transistor may be used as the rectifying portion.
  • the body diode of the IGFET may be used as the reverse conducting portion.
  • GaN gallium nitride
  • an internal structure in which current flows from the source to the drain may be used as the reverse conducting portion.
  • the transistor connected instead of the third diode D3 may be a transistor that constitutes the light emission driving section 13 or the control section 60.
  • the laser light emitting device 10 has the second series connection body DC2 connected in parallel to the laser diode LD.
  • the second series connection body DC2 is configured by connecting in series a third diode D3, which is connected in the opposite direction, and a resistor R1. Therefore, by connecting the third diode D3, it is possible to suppress the application of the surge voltage generated by the parasitic inductance Lp to the cathode of the laser diode LD. Furthermore, since the resistor R1 suppresses the charging of the capacitor C1 by the surge voltage, secondary light emission can be suppressed.
  • the light emission drivers and techniques described in this disclosure can be performed by a dedicated computer provided by configuring a processor and memory programmed to perform one or more functions embodied by a computer program. may be implemented. Alternatively, the light emission drivers and techniques described in this disclosure may be implemented by a dedicated computer provided by configuring a processor with one or more dedicated hardware logic circuits. Alternatively, the light emission drivers and techniques described in this disclosure are a combination of a processor and memory programmed to perform one or more functions and a processor configured by one or more hardware logic circuits. may be implemented by one or more dedicated computers configured by The computer program may also be stored as computer-executable instructions on a computer-readable non-transitional tangible recording medium.

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Abstract

レーザ発光装置(10)は、昇圧回路(11)と、駆動回路(12)と、第2ダイオード(D2)と、発光駆動部(13)と、を備える。昇圧回路は、直流電源(V1)により供給される直流電圧を昇圧し、コイル(L1)と、コイルの通電・非通電を切り替えるための第1スイッチ(Q1)と、順方向接続の第1ダイオード(D1)と、コンデンサ(C1)と、を有する。駆動回路は、昇圧回路と、昇圧回路により昇圧された電圧が供給されるレーザダイオード(LD)と、レーザダイオードの通電・非通電を切り替えるための第2スイッチ(Q2)と、を有する。第2ダイオードは、第1スイッチと直列に接続される。発光駆動部(13)は、昇圧回路と駆動回路とを制御する。

Description

レーザ発光装置および光測距装置 関連出願の相互参照
 本出願は、2021年8月31日に出願された日本出願番号2021-140693号に基づくもので、ここにその記載内容を援用する。
 本開示は、レーザ発光装置および光測距装置に関する。
 レーザ光を対象物に向けて照射して、対象物からの反射光を受光し、照射から受光までの時間を計測することで、対象物までの距離を測定する測距装置が知られている。測距性能を向上させるためには、高出力のレーザ光を照射することが求められる。そして、高出力のレーザ光を照射させるためには、レーザ光を発光するレーザダイオードに高い電圧を印加する必要がある。レーザダイオードに高い電圧を印加するために、昇圧回路を用いることが考えられる。特許文献1には、チョッパ昇圧回路を備えるレーザ発光装置が記載されている。
特開2012-114338号公報
 レーザダイオードに短時間で大電流を流すと、配線の寄生インダクタンスにより、レーザダイオードが目標とする発光の後に、意図せず発光する場合がある。チョッパ昇圧回路が有するコイルの通電・非通電を切り替えるためのスイッチ用トランジスタのボディダイオードにより、レーザダイオードに電流が流れる経路が形成されるためである。レーザダイオードが意図せず発光すると測距精度が低下するおそれがある。
 本開示は、以下の形態として実現することが可能である。
 本開示の第1の形態において、レーザ発光装置が提供される。このレーザ発光装置は、直流電源により供給される直流電圧を昇圧する昇圧回路であって、コイルと、前記コイルの通電・非通電を切り替えるための第1スイッチと、順方向接続の第1ダイオードと、コンデンサと、を有する昇圧回路と、前記昇圧回路により昇圧された電圧が供給されるレーザダイオードと、前記レーザダイオードの通電・非通電を切り替えるための第2スイッチと、を有する駆動回路と、前記第1スイッチと直列に接続される順方向接続の第2ダイオードと、前記昇圧回路と前記駆動回路とを制御する発光駆動部と、を備える。
 この形態のレーザ発光装置によれば、レーザ発光装置において、配線の寄生インダクタンスにより発生する、目標の発光の後に、意図せず発光する場合の電流経路の電流の流れる向きに対して、第2ダイオードは、逆方向に接続されている。このため、第2ダイオードにより、電流経路における電流の流れは遮られるため、レーザダイオードの意図しない発光を抑制することができる。よって、測距精度の低下を抑制することができる。
 本開示の第2の形態において、光測距装置が提供される。この光測距装置は、直流電源により供給される直流電圧を昇圧する昇圧回路であって、コイルと、前記コイルの通電・非通電を切り替えるための第1スイッチと、順方向接続の第1ダイオードと、コンデンサと、を有する昇圧回路と、前記昇圧回路により昇圧された電圧が供給されるレーザダイオードと、前記レーザダイオードの通電・非通電を切り替えるための第2スイッチと、を有する駆動回路と、前記第1スイッチと直列に接続される順方向接続の第2ダイオードと、前記昇圧回路と前記駆動回路とを制御する発光駆動部と、を備えるレーザ発光装置と、前記レーザダイオードから発光されたレーザ光が対象物により反射された反射光を受光する受光部と、前記レーザ光が発光されてから前記反射光が受光されるまでの時間を用いて前記対象物までの距離を算出する算出部と、を備える。
 この形態の光測距装置によれば、レーザダイオードの意図しない発光が抑制されたレーザ発光装置を用いることにより、測距精度が向上した光測距装置を提供することができる。
 本開示についての上記目的およびその他の目的、特徴や利点は、添付の図面を参照しながら下記の詳細な記述により、より明確になる。その図面は、
図1は、光測距装置の構成を示す図であり、 図2は、レーザ発光装置の回路構成を示す図であり、 図3は、2次発光を説明するための昇圧回路および駆動回路の等価回路図であり、 図4は、発光処理のタイミングチャートであり、 図5は、第2実施形態に係るレーザ発光装置の回路構成を示す図であり、 図6は、第3実施形態に係るレーザ発光装置の回路構成を示す図である。
A.第1実施形態:
A1.光測距装置の構成:
 図1に示す光測距装置100は、レーザ光ILを発光し、対象物OBによって反射された反射光RLを受光することによって、対象物OBまでの距離を検出する。光測距装置100は、例えば、車両に搭載されて用いられる。本実施形態において、光測距装置100は、LiDAR(Light Detection And Ranging)である。光測距装置100は、レーザ発光装置10と、走査部20と、受光部30と、制御部60とを備える。レーザ発光装置10は、測距のためのレーザ光ILを発光する。
 制御部60は、CPUおよびメモリを備えるコンピュータとして構成されている。制御部60は、レーザ発光装置10と、走査部20と、受光部30との動作を制御する。制御部60は、さらに、算出部62を備える。算出部62は、対象物OBまでの距離を算出する。算出部62は、メモリに記憶されたプログラムをCPUが実行することにより実現されてもよく、電子回路により実現されてもよい。
 レーザ発光装置10は、パルス状のレーザ光ILを発光する後述のレーザダイオードLDを備える。レーザダイオードLDから発せられたレーザ光ILは、図示しないコリメートレンズにより平行光にされ、走査部20に入る。
 走査部20は、予め定められた測定範囲MR内でレーザ光ILを走査する。走査部20は、レーザ光ILを反射するミラー21と、ミラー21を駆動する図示しないロータリソレノイドとを備える。ロータリソレノイドが、予め定められた角度範囲内で正転および逆転を繰り返すことにより、レーザ光ILは、測定範囲MR内で走査される。
 受光部30は、レーザダイオードLDから発光されたレーザ光ILが対象物OBにより反射された反射光RLを受光する。受光部30は、受光した光の強度に応じた検出信号を算出部62に出力する。
 算出部62は、受光部30から入力された検出信号を用いて、対象物OBまでの距離を算出する。具体的には、算出部62は、レーザ光ILが発光されてから反射光RLが受光されるまでの時間である飛行時間(TOF:Time of Flight)を用いて、対象物OBまでの距離を算出する。
A2.レーザ発光装置の回路構成:
 図2に示すように、レーザ発光装置10は、直流電源V1と、昇圧回路11と、駆動回路12と、第2ダイオードD2と、発光駆動部13とを有する。昇圧回路11は、直流電源V1により供給される直流電圧を昇圧する。昇圧回路11は、コイルL1と、第1ダイオードD1と、第1スイッチQ1と、コンデンサC1とを有する。第1スイッチQ1は、コイルL1の通電・非通電を切り替える。第1ダイオードD1は、直流電源V1に対して順方向接続されている。本実施形態では、コイルL1と第1ダイオードD1とが直列に接続されて、第1直列接続体DC1を構成している。本実施形態では、コイルL1および第1ダイオードD1は、直流電源V1の正極から負極に向かってコイルL1、第1ダイオードD1の順に接続されている。第1直列接続体DC1の一端は、直流電源V1の正極に接続されている。第1直列接続体DC1の他端と、直流電源V1の負極との間に、コンデンサC1が接続されている。
 第2ダイオードD2は、第1スイッチQ1と直列に接続されると共に、直流電源V1に対して順方向接続されている。本実施形態では、第2ダイオードD2と、第1スイッチQ1とが直列に接続された接続体が、コンデンサC1に並列接続されている。つまり、第1直列接続体DC1の他端と、直流電源V1の負極との間に、第2ダイオードD2と第1スイッチQ1とが接続されている。本実施形態では、第2ダイオードD2および第1スイッチQ1は、直流電源V1の正極から負極に向かって、第2ダイオードD2、第1スイッチQ1の順に接続されている。
 駆動回路12は、昇圧回路11により昇圧された電圧が供給されるレーザダイオードLDと、レーザダイオードLDの通電・非通電を切り替えるための第2スイッチQ2とを有する。具体的には、レーザダイオードLDと、第2スイッチQ2とが直列に接続された接続体が、コンデンサC1に並列接続されている。本実施形態では、第2スイッチQ2およびレーザダイオードLDは、直流電源V1の正極から負極に向かって第2スイッチQ2、レーザダイオードLDの順に接続されている。直流電源V1の負極は、グランドに接続されている。発光駆動部13は、電子回路により実現されており、昇圧回路11と駆動回路12とを制御する。
 本実施形態において、第2スイッチQ2および第1スイッチQ1は、NチャネルIGFET(Insulated Gate Field Effect Transistor)である。第1スイッチQ1のゲートには、発光駆動部13から出力される第1ゲート信号SG1が入力される。第2スイッチQ2のゲートには、発光駆動部13から出力される第2ゲート信号SG2が入力される。
 後述するように、第1スイッチQ1により、コイルL1の導通・非導通が切り替えられることにより、コンデンサC1の電圧であるコンデンサ電圧VCは、直流電源V1の直流電圧よりも高くなる。そして、第2スイッチQ2がオン状態となることにより、コンデンサC1に蓄積された電荷がレーザダイオードLDに供給され、レーザダイオードLDは発光する。
 他の実施形態として、コイルL1および第1ダイオードD1は、直流電源V1の正極から負極に向かって第1ダイオードD1、コイルL1の順に接続されてもよい。第2スイッチQ2およびレーザダイオードLDは、直流電源V1の正極から負極に向かってレーザダイオードLD、第2スイッチQ2の順に接続されてもよい。第2ダイオードD2および第1スイッチQ1は、直流電源V1の正極から負極に向かって、第1スイッチQ1、第2ダイオードD2の順に接続されてもよい。第2スイッチQ2および第1スイッチQ1は、IGFET以外のFET(Field Effect Transistor)でもよい。IGFET以外のFETとして、例えば、窒化ガリウム(GaN)を用いたHEMT(High Electron Mobility Transistor)を挙げることができる。なお、HEMTは、HFET(Heterostructure Field-Effect Transistor)とも呼ばれる。さらに、第1スイッチQ1および第2スイッチQ2は、バイポーラトランジスタでもよく、集積回路により構成されてもよい。第1スイッチQ1および第2スイッチQ2は、PチャネルIGFETでもよい。なお、第1スイッチQ1がPチャネルIGFETの場合、第2ダイオードD2および第1スイッチQ1は、直流電源V1の正極から負極に向かって、第1スイッチQ1、第2ダイオードD2の順に接続するとよい。
 図3に示すように、レーザ発光装置10の各素子を接続する配線には、寄生インダクタンスLpがある。また、第2スイッチQ2および第1スイッチQ1は、IGFETであるためボディダイオードDbが形成されている。このため、レーザ発光装置10が第2ダイオードD2を有さない場合には、レーザダイオードLD、第1スイッチQ1のボディダイオードDb、オン状態の第2スイッチQ2を通る電流経路CPが形成される。したがって、レーザダイオードLDを発光させるために第2スイッチQ2がオン状態となった後、コンデンサC1に蓄積されていた電荷が無くなるのに伴い、レーザダイオードLDを通る電流の流れが無くなると、急激な電流変化に伴い、寄生インダクタンスLpの電磁誘導により、電流経路CPに電流が流れる。電流経路CPに電流が流れると、目標の発光の後に、意図しない発光が行われる。目標の発光を1次発光とも呼ぶのに対して、この意図しない発光を2次発光とも呼ぶ。2次発光は、1次発光に対してレーザダイオードLDに流れる電流は小さい。そこで、本実施形態では、電流経路CPに、レーザダイオードLDが発光する電流の流れとは逆向きに第2ダイオードD2が挿入されている。これにより、2次発光を抑制することができる。なお、2次発光を抑制するために、電流経路CPにダンピング抵抗を挿入する方法も考えられる。しかし、この場合、昇圧動作において流れる電流が大きいため、以下の課題が生じ得る。例えば、ダンピング抵抗による発熱が課題となる。電流値に応じて、複数のダンピング抵抗を配置する必要が生じ、体格が大きくなってしまう点が課題となる。ダンピング抵抗が焼損した場合には、キックバックにより第1スイッチQ1が波及故障する課題がある。この点、本実施形態によれば、ダンピング抵抗を挿入することによる課題を回避することができる。
A3.レーザ発光装置の駆動方法:
 発光駆動部13は、制御部60が行う対象物OBまでの距離を測定する測距処理に合わせて、図4に示す発光処理を行う。発光駆動部13は、第1ステップS1にて、第2スイッチQ2に、駆動オフ信号SDFを出力している期間に、第1スイッチQ1に第1昇圧オン信号SBN1を出力した後、第1スイッチQ1に第1昇圧オフ信号SBF1を出力する。
 第1ステップS1では、具体的には、第2スイッチQ2のゲートには、時刻t1から時刻t3まで、駆動オフ信号SDFとしてのロウレベルLの第1ゲート信号SG1が入力される。そして、第1スイッチQ1のゲートには、時刻t1から時刻t2まで、第1昇圧オン信号SBN1としてのハイレベルHの第2ゲート信号SG2が入力された後、時刻t2から時刻t3まで、第1昇圧オフ信号SBF1としてのロウレベルLの第2ゲート信号SG2が入力される。
 時刻t1から時刻t2までの期間では、第1スイッチQ1はオン状態となるため、コイルL1に電流が流れる。そして、時刻t2で、第1スイッチQ1がオフ状態となると、第1スイッチQ1を通る電流経路は遮断されるため、コイルL1のインダクタンスに応じて、コイルL1に電流が流れる。また、コンデンサC1には、コイルL1を流れる電流により電荷が蓄積されるため、コンデンサ電圧VCは、直流電源V1の直流電圧よりも高い目標電圧Vaまで上昇する。
 発光駆動部13は、第2ステップS2にて、第1スイッチQ1に第2昇圧オフ信号SBF2を出力している期間に、第2スイッチQ2に第1駆動オン信号SDN1を出力する。
 第2ステップS2では、具体的には、時刻t3から時刻t4まで、第1スイッチQ1には、第2昇圧オフ信号SBF2としてのロウレベルLの第1ゲート信号SG1が出力される。そして、第2スイッチQ2には、第1駆動オン信号SDN1としてのハイレベルHの第2ゲート信号SG2が出力される。時刻t3にて、第2スイッチQ2がオン状態となると、レーザダイオードLDには、目標電圧Vaに応じた電圧が印加される。
 コンデンサC1に蓄積された電荷は、オン状態の第2スイッチQ2およびレーザダイオードLDを介してグランドに流れる。これに伴い、レーザダイオードLDは、コンデンサC1に蓄積された電荷に応じた期間、発光する。これにより、レーザダイオードLDは、パルス状のレーザ光ILを発光する。コンデンサC1は、放電され、コンデンサ電圧VCは、0Vとなる。レーザダイオードLDに流れる電流は、10A以上、100A以下程度である。パルス幅は、1ns以上10ns以下程度である。光出力は、数10W以上、数100W以下程度である。
 第3ステップS3では、発光駆動部13は、時刻t4から時刻t5まで、第1スイッチQ1のゲートにハイレベルHの第1ゲート信号SG1を出力すると共に、第2スイッチQ2にハイレベルHの第2ゲート信号SG2が出力される。これにより、第2スイッチQ2および第1スイッチQ1は共にオン状態となる。第1ステップS1から第3ステップS3までが、単位期間UP内に行われる。制御部60が測距処理を終了するまで、第1ステップS1~第3ステップS3が繰り返し行われる。単位期間UPは、数μs程度である。
 以上説明した第1実施形態によれば、レーザ発光装置10は、昇圧回路11と、昇圧回路11により昇圧された電圧が供給されるレーザダイオードLDを有する駆動回路12と、第2ダイオードD2と、昇圧回路11と駆動回路12とを制御する発光駆動部13とを備える。第2ダイオードD2は、昇圧回路11が有する第1スイッチQ1に直列に接続されている。レーザ発光装置10の配線の寄生インダクタンスLpにより発生する、目標の発光の後に発光する2次発光の電流経路CPにおける電流の流れる向きに対して、第2ダイオードD2は、逆方向に接続されている。このため、2次発光を生じさせる電流経路CPにおける電流の流れは第2ダイオードD2により遮られるため、レーザダイオードLDのニ次発光を抑制することができる。よって、レーザ発光装置10の測距性能を向上させることができる。
 第1スイッチQ1と第2ダイオードD2とは、コイルL1と第1ダイオードD1とが直列に接続された第1直列接続体DC1の他端と、直流電源V1の負極との間に接続されている。発光駆動部13は、コンデンサC1を充電するための第1ステップS1と、レーザダイオードLDを発光させるための第2ステップS2とを単位期間UP内に、それぞれ1回実行する。第1ステップS1にて、発光駆動部13は、第2スイッチQ2に駆動オフ信号SDFを出力している期間に、第1スイッチQ1に第1昇圧オン信号SBN1を出力した後、第1昇圧オフ信号SBF1を出力する。第2ステップS2では、発光駆動部13は、第1スイッチQ1に第2昇圧オフ信号SBF2を出力している期間に、第2スイッチQ2に第1駆動オン信号SDN1を出力する。これにより、第1ステップS1により、コンデンサ電圧VCを昇圧させることができる。そして、第2ステップS2では、第2スイッチQ2がオン状態とされることにより、コンデンサC1の電荷はレーザダイオードLDに流れ、レーザダイオードLDを発光させることができる。
 光測距装置100は、レーザダイオードLDから発光されたレーザ光ILが対象物OBにより反射された反射光RLを受光する受光部30と、レーザ光ILが発光されてから反射光RLが受光されるまでの時間を用いて対象物OBまでの距離を算出する算出部62とを備える。2次発光を抑制したレーザ発光装置10を用いることにより、測距精度が向上した光測距装置100を提供することができる。
B.第2実施形態:
 図5に示すように、第2実施形態に係るレーザ発光装置10では、第1スイッチQ1および第2ダイオードD2の接続位置が、第1実施形態とは異なる。具体的には、第1スイッチQ1と第2ダイオードD2は、コイルL1と第1ダイオードD1との接続点と、直流電源V1の負極との間に接続されている。その他の回路構成は、第1実施形態と同様であるため、同じ構成には同じ符号を付し、説明は省略する。
 他の実施形態として、第2スイッチQ2およびレーザダイオードLDは、直流電源V1の正極から負極に向かってレーザダイオードLD、第2スイッチQ2の順に接続されてもよい。第2ダイオードD2および第1スイッチQ1は、直流電源V1の正極から負極に向かって、第1スイッチQ1、第2ダイオードD2の順に接続されてもよい。
 本実施形態でも、レーザ発光装置10は、第1実施形態に係る駆動方法と同じ駆動方法により駆動される。他の実施形態として、単位期間UPにおいて、第1ステップS1が複数回実行された後に、第2ステップS2が実行されてもよい。この場合、複数の第1ステップS1の実行により、コンデンサ電圧VCは、目標電圧Vaにまで昇圧される。
 以上説明した第2実施形態によれば、第1スイッチQ1と第2ダイオードD2とは、昇圧回路11のコイルL1と昇圧回路11の第1ダイオードD1との接続点と、直流電源V1の負極との間に接続されている。発光駆動部13は、単位期間UP内に、コンデンサC1を充電するための第1ステップS1を少なくとも1回実行し、レーザダイオードLDを発光させるための第2ステップS2を1回実行する。これにより、第1ステップS1により、コンデンサ電圧VCを昇圧させることができる。そして、第2ステップS2では、第2スイッチQ2がオン状態とされることにより、コンデンサC1の電荷はレーザダイオードLDに流れ、レーザダイオードLDを発光させることができる。
C.第3実施形態:
 図6に示すように、第3実施形態に係るレーザ発光装置10は、レーザダイオードLDに並列接続される第2直列接続体DC2を有する点が第1実施形態に係るレーザ発光装置10と異なる。その他の回路構成は、第1実施形態と同様であるため、同じ構成には同じ符号を付し、説明は省略する。第2直列接続体DC2は、整流部としての第3ダイオードD3と、抵抗R1とが直列に接続されて構成されている。本実施形態では、レーザダイオードLDのアノードに抵抗R1の一端が接続されている。抵抗R1の他端に第3ダイオードD3のカソードが接続されている。第3ダイオードD3のアノードは、レーザダイオードLDのカソードと接続されている。第3ダイオードD3は、レーザダイオードLDのカソードからアノードに向けて電流を流す整流作用を有する。第2直列接続体DC2を有することにより、レーザダイオードLDの2次発光の抑制効果を向上させることができる。
 上記の様に、レーザダイオードLDを発光させるために第2スイッチQ2がオン状態となった後、コンデンサC1に蓄積されていた電荷が無くなるのに伴い、レーザダイオードLDを通る電流の流れが無くなると、寄生インダクタンスLpによりレーザダイオードLDのカソードにサージ電圧が発生する場合がある。そこで、レーザダイオードLDと並列に、かつ逆方向に第3ダイオードD3が接続されていることにより、レーザダイオードLDのカソードへのサージ電圧の印加を回避することができる。さらに、抵抗R1が接続されていることにより、第3ダイオードD3を流れる電流の電流値は制限されるため、レーザダイオードLDの2次発光を抑制することができる。仮に、レーザ発光装置10が抵抗R1を有さない場合、サージ電圧により、第3ダイオードD3およびオン状態の第2スイッチQ2を介して流れた電流により、コンデンサC1が充電されてしまう。そして、コンデンサC1のレーザダイオードLDを介した放電に伴い、レーザダイオードLDが2次発光してしまう。この点、本実施形態では、抵抗R1により、サージ電圧の発生に伴う第3ダイオードD3を通る電流の電流値は制限される。これにより、コンデンサC1の充電は抑制されるため、レーザダイオードLDの2次発光を抑制することができる。
 他の実施形態として、第3ダイオードD3に代えて、トランジスタに形成された逆導通部が、整流部として用いられてもよい。具体的には、IGFETの場合には、逆導通部として、IGFETのボディダイオードを用いてもよい。また、窒化ガリウム(GaN)を用いたHEMTの場合では、ソースからドレインに電流が流れる内部構造を、逆導通部として用いてもよい。第3ダイオードD3に代えて接続されるトランジスタは、発光駆動部13または制御部60を構成するトランジスタでもよい。
 以上説明した第3実施形態によれば、レーザ発光装置10は、レーザダイオードLDに並列接続される第2直列接続体DC2を有する。第2直列接続体DC2は、逆方向接続される第3ダイオードD3と、抵抗R1とが直列に接続されて構成されている。よって、第3ダイオードD3が接続されていることにより、寄生インダクタンスLpにより発生するサージ電圧のレーザダイオードLDのカソードへの印加を抑制することができる。さらに、抵抗R1により、サージ電圧によるコンデンサC1の充電は抑制されるため、2次発光を抑制することができる。
D.他の実施形態:
 本開示は、上述の実施形態や変形例に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現することができる。例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する実施形態、変形例中の技術的特徴は、上述の課題の一部又は全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部又は全部を達成するために、適宜、差し替えや、組み合わせを行うことが可能である。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することが可能である。
 本開示に記載の発光駆動部及びその手法は、コンピュータプログラムにより具体化された一つ乃至は複数の機能を実行するようにプログラムされたプロセッサ及びメモリを構成することによって提供された専用コンピュータにより、実現されてもよい。あるいは、本開示に記載の発光駆動部及びその手法は、一つ以上の専用ハードウエア論理回路によってプロセッサを構成することによって提供された専用コンピュータにより、実現されてもよい。もしくは、本開示に記載の発光駆動部及びその手法は、一つ乃至は複数の機能を実行するようにプログラムされたプロセッサ及びメモリと一つ以上のハードウエア論理回路によって構成されたプロセッサとの組み合わせにより構成された一つ以上の専用コンピュータにより、実現されてもよい。また、コンピュータプログラムは、コンピュータにより実行されるインストラクションとして、コンピュータ読み取り可能な非遷移有形記録媒体に記憶されていてもよい
 本開示は、実施例に準拠して記述されたが、本開示は当該実施例や構造に限定されるものではないと理解される。本開示は、様々な変形例や均等範囲内の変形をも包含する。加えて、様々な組み合わせや形態、さらには、それらに一要素のみ、それ以上、あるいはそれ以下、を含む他の組み合わせや形態をも、本開示の範疇や思想範囲に入るものである。

Claims (6)

  1.  直流電源(V1)により供給される直流電圧を昇圧する昇圧回路(11)であって、コイル(L1)と、前記コイルの通電・非通電を切り替えるための第1スイッチ(Q1)と、順方向接続の第1ダイオード(D1)と、コンデンサ(C1)と、を有する昇圧回路と、
     前記昇圧回路により昇圧された電圧が供給されるレーザダイオード(LD)と、前記レーザダイオードの通電・非通電を切り替えるための第2スイッチ(Q2)と、を有する駆動回路(12)と、
     前記第1スイッチと直列に接続される順方向接続の第2ダイオード(D2)と、
     前記昇圧回路と前記駆動回路とを制御する発光駆動部(13)と、を備える、レーザ発光装置(10)。
  2.  請求項1に記載のレーザ発光装置であって、
     一端が前記直流電源の正極に接続された、前記コイルと前記第1ダイオードとが直列に接続された第1直列接続体(DC1)の他端と、前記直流電源の負極との間に、前記第1スイッチと前記第2ダイオードとが接続されており、
     前記発光駆動部は、
     前記コンデンサを充電するための第1ステップ(S1)であって、前記第2スイッチに駆動オフ信号(SDF)を出力している期間に、前記第1スイッチに第1昇圧オン信号(SBN1)を出力した後、第1昇圧オフ信号(SBF1)を出力する第1ステップと、
     前記レーザダイオードを発光させるための第2ステップ(S2)であって、前記第1スイッチに第2昇圧オフ信号(SBF2)を出力している期間に、前記第2スイッチに第1駆動オン信号(SDN1)を出力する第2ステップと、を単位期間(UP)内に、それぞれ1回実行する、レーザ発光装置。
  3.  請求項1に記載のレーザ発光装置であって、
     前記コイルと前記第1ダイオードとの接続点と、前記直流電源の負極との間に、前記第1スイッチと前記第2ダイオードとが接続されており、
     前記発光駆動部は、
     前記コンデンサを充電するための第1ステップ(S1)であって、前記第2スイッチに駆動オフ信号(SDF)を出力している期間に、前記第1スイッチに第1昇圧オン信号(SBN1)を出力した後、第1昇圧オフ信号(SBF1)を出力する第1ステップを単位期間(UP)内に少なくとも1回実行し、
     前記レーザダイオードを発光させるための第2ステップ(S2)であって、前記第1スイッチに第2昇圧オフ信号(SBF2)を出力している期間に、前記第2スイッチに第1駆動オン信号(SDN1)を出力する第2ステップを前記単位期間内に1回実行する、レーザ発光装置。
  4.  請求項1から3の何れか一項に記載のレーザ発光装置であって、さらに、
     前記レーザダイオードに並列接続される第2直列接続体(DC2)であって、前記レーザダイオードのカソードからアノードに向けて電流を流す整流作用を有する整流部(D3)と、抵抗(R1)とが直列に接続された第2直列接続体を有する、レーザ発光装置。
  5.  請求項4に記載のレーザ発光装置であって、
     前記整流部は、トランジスタの逆導通部である、レーザ発光装置。
  6.  直流電源(V1)により供給される直流電圧を昇圧する昇圧回路(11)であって、コイル(L1)と、前記コイルの通電・非通電を切り替えるための第1スイッチ(Q1)と、順方向接続の第1ダイオード(D1)と、コンデンサ(C1)と、を有する昇圧回路(11)と、前記昇圧回路により昇圧された電圧が供給されるレーザダイオード(LD)と、前記レーザダイオードの通電・非通電を切り替えるための第2スイッチ(Q2)と、を有する駆動回路(12)と、前記第1スイッチと直列に接続される順方向接続の第2ダイオード(D2)と、前記昇圧回路と前記駆動回路とを制御する発光駆動部(13)と、を備えるレーザ発光装置(10)と、
     前記レーザダイオードから発光されたレーザ光(IL)が対象物(OB)により反射された反射光(RL)を受光する受光部(30)と、
     前記レーザ光が発光されてから前記反射光が受光されるまでの時間を用いて前記対象物までの距離を算出する算出部(62)と、を備える、光測距装置(100)。
PCT/JP2022/028335 2021-08-31 2022-07-21 レーザ発光装置および光測距装置 WO2023032505A1 (ja)

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