JP2021018986A - 相分離された発光層でパターニングすることによって製造されるqled - Google Patents
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Abstract
【課題】光出力効率を向上させた複合型電荷輸送発光層(CCTEL)を含む発光デバイスを提供する。【解決手段】発光デバイス300は、第1電極302と第2電極306との間に配設されているCCTEL307とを含み、CCTEL307は、架橋された電荷輸送材料及び量子ドットを含む。量子ドットは、架橋された電荷輸送材料内で不均等に分布している。量子ドットは、架橋された電荷輸送材料から相分離することができ、それにより、量子ドットは、少なくとも部分的に、CCTEL307内で、第1電極302又は第2電極306に最も近いCCTEL307の外表面に、若しくは外表面に隣接して、層を形成する。【選択図】図3
Description
本出願は、発光デバイスに関し、特に、ナノ粒子を含有する架橋された発光層を含む、発光デバイスに関する。これらの発光デバイスは、ディスプレイ用途において、例えば、高解像度のマルチカラーディスプレイにおいて実装することができる。本出願は更に、そのような発光デバイスを製造する方法に関する。
発光デバイスに関する一般的アーキテクチャは、正孔注入器として機能するアノードと、アノード上に配設されている正孔輸送層と、正孔輸送層上に配設されている発光材料層と、発光材料層上に配設されている電子輸送層と、電子輸送層上に配設されている、電子注入器としても機能するカソードとを含む。アノードとカソードとの間に順方向バイアスが印加されると、正孔及び電子が、そのデバイス内で、それぞれ、正孔輸送層及び電子輸送層を介して輸送される。それらの正孔及び電子は、発光材料層内で再結合し、この発光材料層が、デバイスから出射される光を生成する。発光材料層が有機材料を含む場合、その発光デバイスは、有機発光ダイオード(OLED)と称される。発光材料層が、往々にして量子ドット(QD)として知られている、ナノ粒子を含む場合、そのデバイスは一般に、量子ドット発光ダイオード(QLED、QD−LED)又はエレクトロルミネッセンス量子ドット発光ダイオード(ELQLED、QDEL)と称される。
発光デバイスの層のそれぞれは、熱蒸着法及び溶液プロセス法を含めた一般的な方法を使用して、種々の方法によって堆積させることができる。熱蒸着法は、OLEDに関して広く使用されているが、溶液プロセス法と比較して、より複雑であり、より高い製造コストを有する。それゆえ、より安価で、より単純な製造方法として、溶液プロセス法が好ましい。しかしながら、これらの方法を使用してデバイスを製造する際には、特定の層の堆積の間に、そのプロセスが、従前に堆積された層を溶解するか又は他の方式で損傷を与えることがないように、適切な溶媒を見出すことが重要である。そのような非損傷性の溶媒は、典型的には、当該技術分野において、従前のものに対して「直交する」と称される(Organic Electronics 30(2016年)18e29;http://dx.doi.org/10.1016/j.orgel.2015.12.008を参照)。
マルチカラー高解像度ディスプレイ内にQLEDを含めるために、種々の製造方法が設計されてきた。これらの方法は、典型的には、基板の3つの異なる領域上に、3つの異なるタイプのQDを堆積させることを含み、それにより、各領域は、3つの異なる色、特に赤色(R)、緑色(G)、及び青色(B)の光を(電気的注入を介して、すなわち、エレクトロルミネッセンスによって)出射する。赤色光、緑色光、又は青色光をそれぞれ出射するサブ画素が、1つの画素を集合的に形成することができ、その画素もまた、ディスプレイの画素のアレイの一部となり得る。
そのようなデバイスの製造を改善するための、様々な処理方法が説明されてきた。米国特許第7,910,400号(Kwonら、2011年3月22日発行)は、特定の官能基(例えば、チオール、アミン、カルボキシル官能基)を両末端に有する有機配位子を使用してQDを互いに結合することが可能な、湿式膜交換配位子プロセスを使用して、より均一なQD膜を作製することができると説明している。米国特許出願公開第2017/0155051号(Torres Canoら、2017年6月1日公開)は、ポリチオール配位子でQDを合成することができ、それにより、堆積され、更に熱プロセスによって硬化された場合に、より良好なパッキングをもたらすことができると説明している。国際公開第2017/117994号(Liら、2017年7月13日公開)は、外部エネルギー刺激(例えば、圧力、温度、又はUV照射)を介して、異なる色を出射するQDを、結合表面に選択的に付着させることができると説明している。QDの表面及び配位子は、化学反応を介して、互いに選択的に強固に結合されるように、特定の末端官能基(例えば、アルケン、アルキン、チオール)を含有しなければならない。この構想は、国際公開第2017/121163号(Liら、2017年7月20日公開)において更に拡張されており、この場合、R、G、及びBの発光色を有するQDは、架橋性の配位子及び有機結合子を使用して、異なる単色波長で適用されるUV放射によって選択的に活性化される化学反応を介して、別個にパターニングすることができる。Parkらの、Alternative Patterning Process for Realization of Large−Area,Full−Color,Active Quantum Dot Display(Nano Letters、2016年、6946〜6953ページ)は、従来のフォトリソグラフィと層別組立とを組み合わせることによって、R、G、及びBの発光色を有するQDがパターニングされると説明している。QD層は、活性化(帯電)表面上に選択的に堆積される。
Coe−Sullivanらの、「Tuning the Performance of Hybrid Organic/Inorganic Quantum Dot Light−Emitting Devices」、Organic Electronics 4(2003年)123〜130(DOI:10.1016/j.orgel.2003.08.016)は、溶媒中のナノ結晶(QD)と有機ホスト材料(N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−(1,1’ビフェニル)−4,4’−ジアミン、TPD)との混合物が、スピンキャスティングによって基板上に堆積される、EML/CTM構造体を説明している。混合物は、このプロセスの間に、溶媒が乾燥するにつれて相凝離を示すことにより、ホスト材料の上にQDが単層として集結する、二層構造体を形成する。この構造体を使用して、実用的QLEDデバイスを製造する。Coe−Sullivanらの、「Large−Area Ordered Quantum−Dot Monolayers via Phase Separation During Spin−Casting」、Adv.Funct.Mater.2005年、15、1117〜1124(DOI:10.1002/adfm.200400468)は、種々の有機ホスト材料、溶媒、QD、及び基板を使用して、この構造体を更に拡張している。それらのCoe−Sullivan構造体は、Cd系QD、Pb系QD、及び金QDのみを使用して示されており、それゆえ、有用な用途に対する適用可能性は、限定的なものである。有機ホスト材料としては、小分子(例えば、TPD、NPD)及びポリマー(ポリ−TPDなど)のみが使用される。
そのようなプロセスをもってしても、ピーク発光効率に関して、発光層内での量子ドットの最適な分布を達成する方式で、様々なデバイス層をどのように製造及び堆積させるかについての問題が残されている。
(Organic Electronics 30(2016年)18e29;http://dx.doi.org/10.1016/j.orgel.2015.12.008を参照)
Alternative Patterning Process for Realization of Large−Area,Full−Color,Active Quantum Dot Display(Nano Letters、2016年、6946〜6953ページ)
「Tuning the Performance of Hybrid Organic/Inorganic Quantum Dot Light−Emitting Devices」、Organic Electronics 4(2003年)123〜130(DOI:10.1016/j.orgel.2003.08.016)
「Large−Area Ordered Quantum−Dot Monolayers via Phase Separation During Spin−Casting」、Adv.Funct.Mater.2005年、15、1117〜1124(DOI:10.1002/adfm.200400468)
本出願は、発光のピーク効率に関して、発光層内での量子ドットの最適な分布を達成する、改良されたQD−LED層構造体、及び、そのような構造体を製造する関連方法を説明する。従来の構成とは対照的に、本出願の実施形態に従って製造される発光デバイスは、電荷輸送層の特性と発光層の特性とを兼ね備える、複合型電荷輸送発光層(CCTEL)を含む。CCTELを使用することによって、追加的な電荷輸送層を不要なものにすることができ、結果的に、よりサイズが小さく、より製造が容易であり、層界面における相互作用によって引き起こされる欠陥がより少ない、構造体がもたらされる。
CCTELは、電荷輸送材料と、正孔と電子とが再結合して光を出射する発光量子ドットとを含む。電荷輸送材料は、化学的に架橋されている。例示的実施形態では、量子ドットは、CCTELの電荷輸送材料全体にわたって、不均等に分布している。好ましい実施形態では、量子ドットが、電荷輸送材料の下半分内又は上半分内などの、CCTELの特定の部分に主に分布するように、相分離プロセスが採用される。相分離法を採用することにより、少なくとも部分的に、CCTEL内で、CCTELの外表面に、若しくは外表面に隣接して位置する、量子ドットの凝離された単層を形成することができる。
それゆえ、本発明の一態様は、光出力効率を向上させるための、複合型電荷輸送発光層(CCTEL)を含む発光デバイスである。例示的実施形態では、この発光デバイスは、アノードと、カソードと、アノードとカソードとの間に配設されているCCTELとを含み、CCTELは、架橋された電荷輸送材料及び量子ドットを含む。量子ドットは、架橋された電荷輸送材料内で不均等に分布している。例えば、量子ドットは、架橋された電荷輸送材料から凝離することができ、それにより、量子ドットは、カソードに最も近いCCTELの半分内に位置し、特に、少なくとも部分的に、CCTEL内で、カソードに最も近いCCTELの外表面に、若しくは外表面に隣接して、量子ドットの層又は単層を形成することができる。別の実施例として、量子ドットは、架橋された電荷輸送材料から凝離することができ、それにより、量子ドットは、アノードに最も近いCCTELの半分内に位置し、特に、少なくとも部分的に、CCTEL内で、アノードに最も近いCCTELの外表面に、若しくは外表面に隣接して、量子ドットの層又は単層を形成することができる。複数の発光デバイスを、複数の発光デバイスのバンク構造体へと組み合わせることにより、画素構造体又は画素アレイを形成することができる。
本発明の別の態様は、発光デバイスの複合型電荷輸送発光層(CCTEL)を形成する方法であって、量子ドットと架橋性材料とを溶媒中に含む混合物を、ベース層上に堆積させるステップと、架橋性材料を架橋するために、混合物の少なくとも一部分を活性化刺激に曝すステップとを含む方法である。堆積させるステップ及び曝すステップのうちの少なくとも一方の間に、CCTELは、互いに連結されている第1部分及び第2部分を含むように相分離し、第1部分は、第2部分と比較して、架橋された材料を主に含み、第2部分は、架橋された材料から凝離している量子ドットを主に含む。量子ドットは、堆積プロセスの間に、量子ドットと架橋性材料とを含有する混合物中の溶媒が蒸発するにつれて、架橋される材料から少なくとも部分的に相分離し得る。更には、又は代替的に、量子ドットは、UV光への曝露に反応してなどの、活性化刺激に反応して、架橋される材料から少なくとも部分的に相分離し得る。したがって、凝離の厳密なタイミング及び性質は、変化し得る。ベース層は、基板、電極、及び/又は、正孔輸送層若しくは電子輸送層のうちの一方を含み得るものであり、かつ/あるいは、正孔輸送層が、架橋性の正孔輸送材料を有し、活性化刺激が、正孔輸送層とCCTELの第1部分とを架橋するか、又は、電子輸送層が、架橋性の電子輸送材料を有し、活性化刺激が、電子輸送層とCCTELの第1部分とを架橋するかのうちの一方である。
前述の目的及び関連する目的の達成のために、本発明は、以降で完全に説明され、特に特許請求の範囲において指摘される、特徴を含む。以下の説明及び添付図面は、本発明の特定の例示的実施形態を詳細に示すものである。しかしながら、これらの実施形態は、本発明の原理を採用することが可能な様々な方式のうちの、数例を示すものに過ぎない。本発明の他の目的、利点、及び新規の特徴は、図面と併せて考慮する場合、本発明の以下の詳細な説明から明らかとなるであろう。
ここで、図面を参照して本発明の実施形態を説明するものとし、同様の参照番号は、全体を通して同様の要素を指すために使用される。それらの図は必ずしも正確な縮尺ではない点が理解されるであろう。
図1A及び図1Bは、従来の発光層において採用され得るような、従来のコアシェルQDの2次元概略図を示す図面である。量子ドットは、ナノ粒子として構成することができる。ナノ結晶コア101が、適合性材料102のシェルと共結晶化され、次いで、このシェルは、コアシェルQDにおける結晶欠陥を不動態化し、かつ一般的な溶媒中での溶解性を可能にし、また改善する、配位子103によって包囲される。図1Bは、発光デバイス構造体内のQDの、より簡便な表現のために使用される、図1Aの概略的な簡略化バージョンであり、配位子103の領域によって包囲されている、全般的コアシェルQD構造体104を示している。
例示的な量子ドットのコア材料及びシェル材料は、InP、CdSe、CdS、CdSexS1−x、CdTe、CdxZn1−xSe、CdxZn1−xSeyS1−y、ZnSe、ZnS、ZnSxTe1−x、ZnSexTe1−x、ABX3の形態のペロブスカイト、ZnwCuzIn1−(w+z)S、及び炭素のうちの1つ以上を含み、式中、0≦w、x、y、z≦1である。例示的な配位子103としては、1〜30個の炭素原子を有するアルキル、アルケニル、アルキニル、又はアリール(直鎖、分枝鎖、又は環状)チオール、1〜30個の炭素原子を有するアルキル、アルケニル、アルキニル、又はアリール(直鎖、分枝鎖、又は環状)カルボン酸、1〜60個の炭素原子を有するトリアルキル、アルケニル、アルキニル、又はアリール(直鎖、分枝鎖、又は環状)ホスフィンオキシド、1〜30個の炭素原子を有するアルキル、アルケニル、アルキニル、又はアリール(直鎖、分枝鎖、又は環状)アミンが挙げられる。本開示は、主にコアシェル量子ドットとして量子ドットを説明しているが、一部の実施形態では、量子ドットは、コアシェル型のものではない場合もあり、又は、2つ以上のシェルを有する、コア/複数シェル型のものであり得る点が理解されるであろう。非コアシェル型の量子ドットは、上述の材料のうちの1種以上から作製することができ、本開示による量子ドットは、コアシェル構成を含まない場合もある。
図2は、従来のQD−LED200構造体の構成の断面を示す図面である。第1電極202、第2電極206、第1電極202と第2電極206との間に配設されている発光層(EML)204、第1電極202と発光層204との間に配設されている1つ以上の第1電荷輸送層(CTL)203、及び第2電極206と発光層204との間に配設されている1つ以上の第2電荷輸送層205を含めた、いくつかの平面層が、基板201上に配設されている。「従来構造」として周知の構造を有するQLEDは、第1電極202がアノードであり、1つ以上の第1電荷輸送層203が正孔輸送層であり、1つ以上の第2輸送層205が電子輸送層であり、第2電極206がカソードである、構造体を有し得る。「反転構造」として周知の構造を有するQLEDは、第1電極202がカソードであり、1つ以上の第1電荷輸送層203が電子輸送層であり、1つ以上の第2電荷輸送層205が正孔輸送層であり、第2電極206がアノードである、構造体を有し得る。動作中、アノードとカソードとの間にバイアスが印加される。カソードは、隣接するCTL内に電子を注入し、同様にアノードは、隣接するCTL内に正孔を注入する。それらの電子及び正孔は、CTLを通ってEMLに伝搬し、そこで、それらが放射的に再結合して、光が出射される。光が主に基板201側から出射される場合には、QLEDは、「ボトムエミッション型」として説明することができ、光が主に基板201とは反対側の第2電極206側から出射される場合には、QLEDは、「トップエミッション型」として説明することができる。
図3は、本出願の実施形態によるQD−LED発光デバイス構造体300の断面を示す図面である。図3に示されるように、発光デバイス300は、基板301、第1電極302、任意選択的な1つ以上の第1電荷輸送層303、任意選択的な1つ以上の第2電荷輸送層305、及び第2電極306を含む。そのような層は、図2の従来の構成の類似層と同等に、構成及び編成することができる。本出願の実施形態では、従来の構成とは対照的に、発光デバイス300は、複合型電荷輸送発光層(CCTEL)307を含み、この層は、以下で更に詳述されるように、電荷輸送層の特性と発光層の特性とを兼ね備えている。
基板301は、ガラス基板及びポリマー基板などの、発光デバイスにおいて典型的に使用されるような、任意の好適な材料から作製することができる。より具体的な基板材料の例としては、ポリイミド、ポリエテン、ポリエチレン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリプロピレン、及び/又はポリエーテルエーテルケトンが挙げられる。基板301は、任意の好適な形状及びサイズとすることができる。一部の実施形態では、基板の寸法は、その基板上に2つ以上の発光デバイスが設けられることを可能にするものである。一実施例では、基板の主表面は、複数の発光デバイスを画素のサブ画素として形成するための領域を提供することができ、各サブ画素は、赤色、緑色、及び青色などの、異なる波長の光を出射する。別の実施例では、基板の主表面は、その上に複数の画素を形成するための領域を提供することができ、各画素は、複数の発光デバイスのサブ画素配列を含む。
電極302及び電極306は、発光デバイスにおいて典型的に使用されるような、任意の好適な材料から作製することができる。電極のうちの少なくとも一方は、光出射用の透明電極又は半透明電極であり、他方の電極は、あらゆる内部光をデバイスの光出射側に向けて反射する、反射電極である。ボトムエミッション型デバイスの場合、第1電極302が、透明又は半透明となる。透明電極又は半透明電極用の典型的な材料としては、インジウムドープ酸化スズ(ITO)、フッ素ドープ酸化スズ(FTO)、又はインジウムドープ酸化亜鉛(IZO)、アルミニウムドープ酸化亜鉛(AZO)、インジウムドープ酸化カドミウムなどが挙げられる。トップエミッション型デバイスの場合、第1電極302は、銀などの任意の好適な反射金属で作製することができる。ボトムエミッション型デバイスでは、第2電極306が反射電極である。反射電極用に使用される典型的な材料としては、アルミニウム若しくは銀(従来構造に関するカソード)及び金若しくは白金(反転構造に関するアノード)などの金属が挙げられる。トップエミッション型の構造体は、薄い(<20nmの)銀、又はマグネシウム−銀合金などの、半透明の第2電極306を使用することになる。電極302、306はまた、任意の好適な配置構成で設けることもできる。一実施例として、電極302、306は、薄膜トランジスタ(TFT)回路に対処することができる。
以下で更に詳述されるように、本発明の一態様は、複合型電荷輸送発光層(CCTEL)を含む、発光デバイスである。例示的実施形態では、この発光デバイスは、アノードと、カソードと、アノードとカソードとの間に配設されているCCTELとを含み、CCTELは、架橋された電荷輸送材料及び量子ドットを含む。量子ドットは、架橋された電荷輸送材料内で不均等に分布している。例えば、量子ドットは、架橋された電荷輸送材料から凝離することができ、それにより、量子ドットは、カソードに最も近いCCTELの半分内に位置し、特に、少なくとも部分的に、CCTEL内で、カソードに最も近いCCTELの外表面に、若しくは外表面に隣接して、量子ドットの層又は単層を形成することができる。別の実施例として、量子ドットは、架橋された電荷輸送材料から凝離することができ、それにより、量子ドットは、アノードに最も近いCCTELの半分内に位置し、特に、少なくとも部分的に、CCTEL内で、アノードに最も近いCCTELの外表面に、若しくは外表面に隣接して、量子ドットの層又は単層を形成することができる。量子ドットは、堆積プロセスの間に、量子ドットと架橋性材料とを含有する混合物中の溶媒が蒸発するにつれて、架橋される材料から少なくとも部分的に相分離し得る。更には、又は代替的に、量子ドットは、UV光への曝露に反応してなどの、活性化刺激に反応して、架橋される材料から少なくとも部分的に相分離し得る。したがって、凝離又は相分離の厳密なタイミング及び性質は、状況に応じて変化し得る。
図を参照すると、CCTEL307は、電荷輸送材料と、正孔と電子とが再結合して光を出射する発光量子ドットとを含む。電荷輸送材料は、化学的に架橋されている。例示的実施形態では、量子ドットは、CCTEL307の電荷輸送材料全体にわたって、不均等に分布している。図4A〜図4E2は、本出願の実施形態による、図3からの例示的な複合型電荷輸送発光層(CCTEL)307の断面を示し、CCTEL内での不均等な量子ドット分布の変形例を示す図面である。そのような実施形態のそれぞれにおいて、CCTEL307は、図4A〜図4E2に示されるように、下地層403上に堆積させることができる。図4A〜図4E2のそれぞれにおいて、量子ドット401は、架橋された電荷輸送材料402内に配設されている。上記で参照されたように、架橋された電荷輸送材料内での量子ドット分布は、不均等であるが、このことは、特定の用途において、発光効率の向上をもたらし得る。架橋された電荷輸送材料402内での量子ドット401の分布は、任意の特定の用途に関して好適となり得るように、以下のように変化させることができる。
図4Aは、量子ドット401が、架橋された電荷輸送材料内で個別に分散されているのではなく、架橋された電荷輸送材料402によって包囲されているクラスタとして分布している、例示的なCCTEL307を示す。図4Bは、量子ドット401が、主にCCTELの上半分内に、すなわち、下地層403から最も遠いCCTEL層厚の半分内に分布している、例示的なCCTEL307を示す。図4Cは、量子ドット401が、少なくとも部分的に、CCTEL内で、主にCCTELの上部外表面、すなわち、下地層403から最も遠い表面に、又はその表面に隣接して分布している、例示的なCCTEL307を示す。図4C2に示される変形例では、好ましい実施形態において、量子ドット401は、少なくとも部分的に、CCTEL内で、CCTELの上述の上部外表面に、又は上部外表面に隣接して位置している、単層(すなわち、単一の層)を形成することができる。初期溶液中のQDの比率を、それらのQDが単一の層のみを形成するように制限されるために好適な量又は割合となるように設定することによって、単層の形成を制御又は決定することができる。図4Dは、量子ドット401が、主にCCTELの下半分内に、すなわち、下地層403に最も近いCCTEL層厚の半分内に分布している、例示的なCCTEL307を示す。図4Eは、量子ドット401が、少なくとも部分的に、CCTEL内で、主にCCTELの下部外表面、すなわち、下地層403との界面を形成している表面に、又はその表面に隣接して分布している、例示的なCCTEL307を示す。図4E2に示される変形例では、好ましい実施形態において、量子ドット401は、少なくとも部分的に、CCTEL内で、CCTELの上述の下部外表面に、又は下部外表面に隣接して位置している、単層を形成することができる。CCTEL内での量子ドットの分布は、好適な製造方法の以下の説明に関連して更に詳述されるように、CCTEL層を堆積させるために使用されるプロセス中の、相分離によって得ることができる。
図3に示された層状デバイス構造体を、図4A〜図4E2のCCTEL構造体と組み合わせて再び参照すると、発光デバイス300の一実施例は、正孔輸送特性を有するCCTEL307を備える、従来構造(すなわち、第1電極302がアノードであり、第2電極306がカソードである)として構成されている。CCTELを含むそのようなデバイスは、基板301、アノードである第1電極302、正孔輸送層である任意選択的な1つ以上の第1電荷輸送層303、電荷輸送材料が正孔輸送材料であり、量子ドットが図4B又は図4C又は図4C2に示されるように分布しているCCTEL307、電子輸送層である1つ以上の第2電荷輸送層305、及びカソードである第2電極306のように構成することができる。
CCTEL内の電荷輸送材料が、この実施例では正孔輸送特性を有するため、1つ以上の第1電荷輸送層303は、任意選択的である。それゆえ、有利には、使用される第1電荷輸送層303を少なくすること、又は全く使用しないことが可能であり、またそれゆえ、デバイスの製造の間に必要とされる層の数を削減することができる。更には、別個に堆積された層間の、界面の数がより少ないことにより、別個に堆積された層間の界面における欠陥(例えば、不純物、トラップ)に関連付けられる、発光デバイスの性能の欠陥を低減することができる。更には、CCTELの電荷輸送材料と量子ドットとの間の界面は、極めて高い品質(すなわち、より少ない欠陥、不純物、トラップ)を有し得るものであり、それにより、電荷輸送材料を介した量子ドット内への正孔の輸送が高効率で生じることにより、追加的な電荷(正孔)輸送層303の必要性を排除することができる。
量子ドットが図4C又は図4C2に示されるように分布している(すなわち、量子ドット401が主に、その後に電子輸送層との界面となる、CCTELの上面に分布している)CCTEL307は、量子ドット401が、CCTEL307の電荷輸送材料を介して輸送された正孔と、第2電荷輸送層305を介して輸送された電子とを受け取るために、最適な位置にあるという利点を有する。この方式で、量子ドット内への、電子及び正孔の双方の注入が有効であり、それゆえ、量子ドットからのエレクトロルミネッセンスは、代替的構成と比較して、より高い効率で、かつカソードとアノードとの間の低い印加電圧差に関して生じ得る。量子ドットが、図4C2に示されるように単層を形成する場合、効率は更に向上する。
発光デバイス300の別の実施例は、電子輸送特性を有するCCTELを備える、従来構造(すなわち、第1電極302がアノードであり、第2電極306がカソードである)として構成されている。CCTELを含むそのようなデバイスは、基板301、アノードである第1電極302、正孔輸送層である1つ以上の第1電荷輸送層303、電荷輸送材料が電子輸送材料であり、量子ドットが図4D又は図4E又は図4E2に示されるように分布しているCCTEL307、電子輸送層である任意選択的な1つ以上の第2電荷輸送層305、及びカソードである第2電極306のように構成することができる。
CCTEL内の電荷輸送材料が、電子輸送特性を有するため、1つ以上の第2電荷輸送層305は、任意選択的である。それゆえ、有利には、使用される第2電荷輸送層305を少なくすること、又は全く使用しないことが可能であり、またそれゆえ、デバイスの製造の間に必要とされる層の数を削減することができる。更には、異なる層間の界面の数が削減されることにより、別個に堆積された層間の界面における欠陥(例えば、不純物、トラップ)に関連付けられる、発光デバイスの性能の欠陥を低減することができる。更には、CCTELの電荷輸送材料と量子ドットとの間の界面は、極めて高い品質(すなわち、より少ない欠陥、不純物、トラップ)を有し得るものであり、それにより、電荷輸送材料から量子ドット内への電子の輸送が高効率で生じることにより、追加的な電荷(電子)輸送層305の必要性を排除することができる。
量子ドットが図4E又は図4E2のように分布している(すなわち、量子ドット401が主に、その後に正孔輸送層との界面となる、CCTELの下面に分布している)CCTEL307は、量子ドットが、CCTEL307の電荷輸送材料を介して輸送された電子と、第1電荷輸送層303を介して輸送された正孔とを受け取るために、最適な位置にあるという利点を有する。この方式で、量子ドット内への、電子及び正孔の双方の注入が有効であり、それゆえ、量子ドットからのエレクトロルミネッセンスは、高い効率で、かつカソードとアノードとの間の低い印加電圧差に関して生じ得る。量子ドットが、図4E2に示されるように単層を形成する場合、効率は更に向上する。
発光デバイス300の別の実施例は、電子輸送特性を有するCCTELを備える、反転された従来構造(すなわち、第1電極302がカソードであり、第2電極306がアノードである)として構成されている。CCTELを含むそのようなデバイスは、基板301、カソードである第1電極302、電子輸送層である任意選択的な1つ以上の第1電荷輸送層303、電荷輸送材料が電子輸送材料であり、量子ドットが図4B又は図4C又は図4C2のように分布しているCCTEL307、正孔輸送層である1つ以上の第2電荷輸送層305、及びアノードである第2電極306のように構成することができる。
CCTEL307内の電荷輸送材料が、電子輸送特性を有するため、1つ以上の第1電荷輸送層303は、任意選択的である。それゆえ、有利には、使用される第1電荷輸送層303を少なくすること、又は全く使用しないことが可能であり、またそれゆえ、デバイスの製造の間に必要とされる層の数を削減することができる。更には、異なる層間の界面の数が削減されることにより、別個に堆積された層間の界面における欠陥(例えば、不純物、トラップ)に関連付けられる、発光デバイスの性能の欠陥を低減することができる。更には、CCTELの電荷輸送材料と量子ドットとの間の界面は、極めて高い品質(すなわち、より少ない欠陥、不純物、トラップ)を有し得るものであり、それにより、電荷輸送材料から量子ドット内への電子の輸送が高効率で生じることにより、追加的な電荷(電子)輸送層303の必要性を排除することができる。
量子ドットが図4C又は図4C2のように分布している(すなわち、量子ドット401が主に、その後に正孔輸送層との界面となる、CCTELの上面に分布している)CCTEL307は、量子ドットが、CCTEL307の電荷輸送材料を介して輸送された電子と、第2電荷輸送層305を介して輸送された正孔とを受け取るために、最適な位置にあるという利点を有する。この方式で、量子ドット内への、電子及び正孔の双方の注入が有効であり、それゆえ、量子ドットからのエレクトロルミネッセンスは、高い効率で、かつカソードとアノードとの間の低い印加電圧差に関して生じ得る。この場合もまた、量子ドットが、図4C2に示されるように単層を形成する場合、効率は更に向上する。
発光デバイス300の別の実施例は、正孔輸送特性を有するCCTELを備える、反転構造(すなわち、第1電極302がカソードであり、第2電極306がアノードである)として構成されている。CCTELを含むそのようなデバイスは、基板301、カソードである第1電極302、電子輸送層である1つ以上の第1電荷輸送層303、電荷輸送材料が正孔輸送材料であり、量子ドットが図4D又は図4E又は図4E2のように分布しているCCTEL307、正孔輸送層である任意選択的な1つ以上の第2電荷輸送層305、及びアノードである第2電極306のように構成することができる。
CCTEL307内の電荷輸送材料が、正孔輸送特性を有するため、1つ以上の第2電荷輸送層305は、任意選択的である。それゆえ、有利には、使用される第2電荷輸送層305を少なくすること、又は全く使用しないことが可能であり、またそれゆえ、デバイスの製造の間に必要とされる層の数を削減することができる。更には、異なる層間の界面の数が削減されることにより、別個に堆積された層間の界面における欠陥(例えば、不純物、トラップ)に関連付けられる、発光デバイスの性能の欠陥を低減することができる。更には、CCTELの電荷輸送材料と量子ドットとの間の界面は、極めて高い品質(すなわち、より少ない欠陥、不純物、トラップ)を有し得るものであり、それにより、電荷輸送材料から量子ドット内への正孔の輸送が高効率で生じることにより、追加的な電荷(正孔)輸送層305の必要性を排除することができる。
量子ドットが図4E又は図4E2のように分布している(すなわち、量子ドット401が主に、その後に電子輸送層との界面となる、CCTELの下面に分布している)CCTEL307は、量子ドットが、CCTEL307の電荷輸送材料を介して輸送された正孔と、第1電荷輸送層303を介して輸送された電子とを受け取るために、最適な位置にあるという利点を有する。この方式で、量子ドット内への、電子及び正孔の双方の注入が有効であり、それゆえ、量子ドットからのエレクトロルミネッセンスは、高い効率で、かつカソードとアノードとの間の低い印加電圧差に関して生じ得る。この場合もまた、量子ドットが、図4E2に示されるように単層を形成する場合、効率は更に向上する。
以下では、本出願の実施形態に従って構成される、説明された発光デバイスの製造に関連して採用することが可能な、製造方法を説明する。この製造方法は、主に、「従来構造」を有する(この場合もまた、第1電極302がアノードであり、第2電極306がカソードである)QLEDの実施例に関連して説明される。同等の原理が、本出願で説明されている他のデバイスの実施例にも適用可能であり得る。
溶液プロセス法を使用して、典型的なQLED構造体内に複数の層を堆積させるためには、隣接する直交溶媒中の異なる材料の溶液を堆積させるべきである。溶液プロセス方法としては、限定するものではないが、ドロップキャスティング、スピンコーティング、ディップコーティング、スロットダイコーティング、及びインクジェット印刷の方法が挙げられる。本出願の方法は、1回の溶液処理堆積ステップのみを使用するCCTEL307の形成を特に含む、発光デバイス300を製造する方法を含む。
架橋性電荷輸送材料とQDとを溶媒中に含む混合物を堆積させて、1つのステップでCCTELを作り出すことにより、結果的に、不均一界面を伴うことなく、深く相互接続されて連結された、電荷輸送部分(架橋性電荷輸送材料)と発光部分(QD)とをもたらすことができる。2つの材料は、初期には、堆積された層内でランダムに分布しており、製造プロセスの間に、それらの材料は、2つの異なる相へと凝離(分離)して、例えば、下地層から最も遠いCCTELの外表面に量子ドットが層を形成する、図4C又は図4C2に示されるものなどの、又は、下地層に最も近いCCTELの外表面に量子ドットが層を形成する、図4E又は図4E2に示されるものなどの、明確な2層状の構造体を作り出す。そのような凝離又は分離は、例えば、異なる密度、粒径、並びに/あるいは、量子ドット及び配位子と架橋性電荷輸送材料との相互作用により生じ得る。量子ドットは、堆積プロセスの間に、QDを含む混合物溶媒が蒸発するにつれて、架橋される材料から少なくとも部分的に凝離し得る。更には、又は代替的に、量子ドットは、UV光への曝露の間などの、重合プロセスの間の活性化刺激に反応して、架橋される材料から少なくとも部分的に凝離し得る。したがって、凝離又は相分離の厳密なタイミング及び性質は、変化し得る。
相分離又は凝離を引き起こす相互作用は、様々な理由のうちの1つ以上によって生じ得る。有機/QD溶液は、恐らくはスピンコーティングの間に溶媒の大部分が蒸発すると、均質な液体混合物から、相分離した固体へと遷移する。この相分離は、界面の表面エネルギーの最小化によって駆動される可能性が高い。有機小分子は、QDよりも分極性であるため、基板上に優先的に堆積され、有機小分子は、それらが達成することが可能な平坦表面との接触面積が、より大きくなる。更には、有機材料は、溶媒の蒸発を遅延させることにより、表面上でQDが平衡に達するための時間を、より長くすることを可能にする。相分離が生じると、QDは、有機電荷輸送材料の表面上で移動可能となり、QDが、それらの平衡構造に向けて移行するにつれて、アレイへと自己組織化し、粗大化の段階及び初期のQD濃度に応じて、オストワルド熟成(小粒子は溶解して、より大きい粒子内に再堆積する傾向がある)とクラスタ拡散との組み合わせを介して粗大化する。相凝離は、CCTELが活性化源(例えば、UV光曝露)によって架橋される場合に、及び、いつ重合が実行されるかに応じて、更に増強される可能性が高い。相凝離は、溶媒が蒸発する前(スピンコーティング中)、溶媒の一部が蒸発した後(スピンコーティングの後ではあるがUV曝露の前、又は、スピンコーティングの後でありUV曝露の後)、又は、全ての溶媒が蒸発した後(熱アニーリングの後)に起こり得る。
架橋性電荷輸送材料の性質により、圧力、紫外(UV)光などの光、熱、及び/又はpHの変化などの、外部エネルギー刺激を介した重合の活性化を使用して、2つのCCTELを、基板上に並列にパターニングすることができる。そのようなプロセスは、「Crosslinked Emissive Layer Containing Quantum Dots For Light−Emitting Device and Method For Making Same」と題された、出願人の同時係属出願(2018年3月27日出願された、出願番号15/937,073(‘073出願))で説明されており、その内容は参照により本明細書に組み込まれる。この‘073出願の方法によれば、2つの材料の架橋性材料/QDの、全体の厚さ及び相対的な厚さは、その混合物の総濃度、及び混合物中の2つの材料の濃度比を変更することによって、単一のステップで調整することができる。電荷輸送材料は、正孔又は電子の輸送特性、注入特性、若しくは阻止特性を有することが可能であり、あるいは、正孔輸送特性及び電子輸送特性の双方を同時に有することも可能である。
図5Aは、本出願の実施形態による、架橋性電荷輸送材料とQDとを含む混合物からCCTELへの遷移を示す図面である。図5Bは、本出願の実施形態による、架橋性電荷輸送材料とQDとを含む混合物からCCTELへの遷移を示す図面であり、QDの単層が、上記で参照されたように形成されている。そのような図を参照すると、溶媒503中の架橋性材料501とQD502との混合物が、任意の好適なプロセス方法を使用して、基板(又は、電極若しくはCTLなどの、QD−LED構造体内の他の層)504の上に堆積される。堆積の間に、溶媒が蒸発するにつれて、相凝離が生じることにより、架橋された材料506の外表面(例えば、図の向きにおいて上面)に隣接して位置する、又は外表面に向けて位置する、QDの層505を形成することができ、これは、図4Cの例示的なCCTEL構成に対応するもの(図5A)、又は図4C2に対応するもの(図5B−QD単層)である。外部エネルギー刺激が、架橋性材料の重合を活性化させ、このことが更に、そのような相凝離を促進することができ、かつ/又は、従前の堆積プロセスの間に生じ得る、適所に固定化された相分離を維持する。
この製造方法の予期せぬ利点は、架橋された材料が、QD層を更なる溶媒洗浄に対して耐性にさせる、マトリクスを形成する点である。このようにして、上記で参照された‘073出願の方法Aで説明されているものと同様の手法で、UV光を使用して、パターニングされたQD−LEDデバイスを製造することができる。‘073出願で説明されている方法と比較すると、本出願の実施形態では、QDは、重合の間に、架橋された層506の外表面層505に凝離する。そのような手法を使用して、この製造方法を順次適用することによって、種々のサブ画素(例えば、R、G、及びB)を同じ基板上にパターニングすることができ、それにより、QLEDサブ画素構造体を構成する材料が堆積される領域が、画定される。
例示的なUV誘起架橋された電荷輸送材料としては、UV誘起架橋された正孔輸送材料、及び/又はUV誘起架橋された電子輸送材料が挙げられる。したがって、1種以上のUV誘起架橋された電荷輸送材料のマトリクスを、1つ以上のタイプの架橋性材料から形成することができる。そのような材料は、1種以上の正孔輸送材料、及び/又は1種以上の電子輸送材料を含み得る。一部の実施形態では、架橋性の正孔輸送材料は、架橋しない場合及び架橋する場合の双方において有効な正孔輸送体である材料とすることができる。他の実施形態では、架橋性の正孔輸送材料は、架橋された場合にのみ有効な正孔輸送体である材料とすることができる。一部の実施形態では、架橋性の電子輸送材料は、架橋しない場合及び架橋する場合の双方において有効な電子輸送体である材料とすることができる。他の実施形態では、架橋性の電子輸送材料は、架橋された場合にのみ有効な電子輸送体である材料とすることができる。一部の実施形態では、架橋された電荷輸送材料は、正孔注入材料、電子注入材料、正孔阻止材料、電子阻止材料、両極性材料、及び/又は相互接続材料(ICM)のうちの1つ以上を含み得る。材料は、正孔輸送特性及び電子輸送特性の双方を有する場合に、両極性と定義される。
一部の実施形態では、UV誘起架橋された電荷輸送材料を形成することが可能な架橋性材料は、異なる特性を有する少なくとも2つの部分を含む。一実施例として、分子の少なくとも2つの部分のうちの一方は、電荷輸送特性を提供することができ、分子の少なくとも2つの部分のうちのもう一方は、UV架橋能力を提供することができる。電荷輸送特性を提供することが可能な例示的部分としては、限定するものではないが、三級、二級、及び一級の芳香族若しくは脂肪族アミン、複素環式アミン、トリアリールホスフィン、及びキノリノラートが挙げられる。UV架橋能力を提供することが可能な例示的部分としては、限定するものではないが、オキセタン、エポキシ、チオール、アルケン、アルキン、ケトン、及びアルデヒド単位が挙げられる。一部の実施態様では、これら2つの部分は接続されてもよく、また、それらの間に、20nm未満の距離が存在してもよい。
一部の実施形態では、架橋性材料とQDとの混合物は、重合を可能にし得る小分子コモノマーを含み得る。このコモノマーは、架橋性材料の官能基Yと相互作用することが可能な、少なくとも1つの官能基Xを含有し得る。架橋性材料は、2つ以上の分子部位に、そのような官能基Yを含み得る。例えば、官能基Xは、コモノマーの2つの末端にあってもよく、官能基Yは、架橋性材料の2つの末端にあってもよい。一実施態様では、官能基Xは、チオールとすることができ、官能基Yは、アルケン又はアルキンとすることができ、あるいは、その逆とすることもできる。
混合物中に含まれる、QDの配位子、コモノマー、及び架橋性材料は、堆積溶媒中で均一な分散を生成するように選択することができる。堆積された混合物の均質性を確実にするために、類似した極性指数を有する材料を選択することができる。
上述の構造体を形成することが可能な架橋性材料の一例は、式1で以下に示される、N4,N4’−ビス(4−(6−((3−エチルオキセタン−3−イル)メトキシ)ヘキシル)フェニル)−N4,N4’−ジフェニルビフェニル−4,4’−ジアミン(OTPD)である。一部の実施形態では、式1で示される架橋性材料は、図5A及び図5Bに示されるマトリクスを形成する際に使用することができる。
上述の構造体を形成することが可能な架橋性材料の別の例は、式2で以下に示される、N4,N4’−ビス(4−(6−((3−エチルオキセタン−3−イル)メトキシ)ヘキシルオキシ)フェニル)−N4,N4’−ビス(4−メトキシフェニル))ビフェニル−4,4’−ジアミン(QUPD)である。一部の実施形態では、式2で示される架橋性材料は、図5A及び図5Bに示されるマトリクスを形成する際に使用することができる。
上述の構造体を形成することが可能な架橋性材料の別の例は、式3で以下に示される、N,N’−(4,4’−(シクロヘキサン−1,1−ジイル)ビス(4,1−フェニレン))ビス(N−(4−(6−(2−エチルオキセタン−2−イルオキシ)ヘキシル)フェニル)−3,4,5−トリフルオロアニリン)(X−F6−TAPC)である。一部の実施形態では、式3で示される架橋性材料は、図5A及び図5Bに示されるマトリクスを形成する際に使用することができる。
上述の構造体を形成することが可能な架橋性材料の一例は、式4で以下に示される、N4,N4’−ジ(ナフタレン−1−イル)−N4,N4’−ビス(4−ビニルフェニル)ビフェニル−4,4’−ジアミン(VNPB)である。一部の実施形態では、式4で示される架橋性材料は、図5A及び図5Bに示されるマトリクスを形成する際に使用することができる。
上述の構造体を形成することが可能な架橋性材料の別の例は、式5で以下に示される、9,9−ビス[4−[(4−エテニルフェニル)メトキシ]フェニル]−N2,N7−ジ−1−ナフタレニル−N2,N7−ジフェニル−9H−フルオレン−2,7−ジアミン(VB−FNPD)である。一部の実施形態では、式5で示される架橋性材料は、図5A及び図5Bに示されるマトリクスを形成する際に使用することができる。
一部の実施形態では、発光層は、1種以上の光開始剤を使用して形成される。それゆえ、発光層は、1種以上の光開始剤を含み得る。光開始剤は、光刺激に反応して重合を開始させる材料である。一部の実施形態では、光開始剤は、そのような重合を開始させることが可能な、1種以上のラジカル、イオン、酸、及び/又は化学種を生成し得る。
本出願の実施形態は、従来の構成に勝る、顕著な予期せぬ利点をもたらす。架橋された材料とQDとは、互いに深く相互接続されて連結され、結果的に、電荷輸送材料から量子ドット内への電荷輸送の改善をもたらす。QD−LEDの製造時間もまた、より短くなる。上記で参照されたように、電荷輸送材料とQDとを、CCTELの複合層へと組み合わせることにより、デバイス構造体において必要とされる層の数が更に削減され、その結果、通常であれば層界面の影響により生じ得る、性能の欠陥を低減することができる。
従来のプロセス及び構造体とは対照的に、例えば、上記の背景技術セクションで参照されたCoe−Sullivan論文などと比較して、本出願の実施形態は、少なくとも1つの重合性官能基と少なくとも1つの電荷輸送部分とを含む、特定の特徴を有する重合性有機ホスト材料を使用する。一部の実施形態では、光開始剤(又は、一般には開始剤)が含まれる。QDは、CCTELの対向部分のうちの一方において、又は中間位置において、相凝離することができる。従来の方法は、構造体のパターニングを一切使用しない。CCTELの重合により、層が耐溶剤性となり、電荷輸送材料とQDとの間には、その構造体を従来の構成と比較して特に有利なものにさせる、特定の相互作用が存在し得る。QDのパッキングは、特定の形態又は構造を達成することができるように、重合によって方向付け又は誘導することができる。QDは、電荷輸送材料がQDを連結しているため、代替位置が阻止されるという点で、CCTEL内で特定の位置を占有する。追加層を上に堆積させることにより、QDは、層内での位置変更、又は使用されている溶媒からの部分的洗浄を受けにくくなる。したがって、溶媒が、QDに対してのみ直交して、洗い流すことがより容易なものではなく、架橋されていることにより溶媒洗浄に対してより耐性である、CCTELに直交している限りは、より多くの溶媒組成物を使用して、CCTELの上に層を堆積させることができる。
重合プロセスの間に、QDの配位子は、電荷輸送材料で置換又は部分的に置換することができ、あるいは、電荷輸送材料は、QDの欠陥不動態化を改善するための共配位子として機能することができる。CCTEL内のQDは、電荷輸送材料によって部分的に覆われており、このことは、様々な利点を有し得る。例えば、正孔輸送材料及び電子輸送材料が、部分的に接触している。電子輸送材料は、正孔輸送材料よりも高い移動性を有するため、QDにおいて、正孔輸送が電子輸送よりも促進される。QDにおいて、より良好な正孔/電子のバランスを有するためには、正孔輸送材料に関して、より高い移動性が必要とされる。QDは、劣化を引き起こし得る外部汚染(水分、酸素、UV)から更に保護されていることにより、結果として得られるデバイスの長寿命化をもたらしている。
更なる具体的実施例及び変形例としては、以下が挙げられる。例示的一実施形態では、UV架橋性電荷輸送材料とQDとの混合物が、有機溶媒中に提供される。この混合物は、基板の上に、溶液処理可能な方法で堆積される。堆積された層の特定領域が、UV光に曝露される。架橋性材料が重合して、この混合物は、UV曝露された領域において不溶性となり、残余の材料は、溶媒で洗い流される。このプロセスの間に、架橋性材料とQDとの相分離が生じて、CCTEL構造体を形成する。このプロセス及び最終的な構造体は、図5A及び図5Bに図式化されており、結果として得られるQDの位置は、架橋された材料506の層の外表面上(例えば、上部)に、QD層505を形成することになり、それゆえ、QDを適所に保持するマトリクスを形成している。
溶媒503は、任意の好適な溶媒とすることができる。例えば、溶媒は、量子ドット(及び、含まれている場合には、光開始剤)が、その溶媒中で可溶性となるように選択することができる。例示的な溶媒としては、限定するものではないが、アセトン、ジクロロメタン、クロロホルム、直鎖又は分枝鎖アルキルアセテート(例えば、酢酸エチル、酢酸n−ブチル、酢酸2−ブチル)、3〜30個の炭素原子を有する直鎖又は分枝鎖アルカン(例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン)、1〜20個の炭素原子を有する直鎖又は分枝鎖アルコール(例えば、ブタノール、2−プロパノール、プロパノール、エタノール、メタノール)、2〜20個の炭素原子を有する直鎖又は分枝鎖アルコキシアルコール(例えば、2−メトキシエタノール、2−エトキシエタノール)、モノ、ジ、及びトリハロゲン置換ベンゼン(例えば、クロロベンゼン、1,2−ジブロモベンゼン、1,3−ジブロモベンゼン、1,4−ジブロモベンゼン、1,3,5−トリブロモベンゼン、1,2,4−トリブロモベンゼン)、2〜20個の炭素原子を有する直鎖又は分枝鎖エーテル、並びに/あるいは、モノ、ジ、及びトリアルキル置換ベンゼン(例えば、トルエン、1,2−ジメチルベンゼン、1,3−ジメチルベンゼン、1,4−ジメチルベンゼン)、ベンゼン、ジオキサン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、1−メトキシ−2−プロパノール、あるいは、これらを含む混合物が挙げられる。利用される特定の溶媒は、選択される特定の量子ドット、架橋性材料、及び光開始剤に応じて変化し得る。QD、QDの配位子、及び架橋性材料は、堆積溶媒中で均一な分散を生成するように選択することができる。堆積された混合物の均質性を確実にするために、類似した極性指数を有する材料を選択することができる。
別の例示的実施形態は、先行の実施形態と同様であるが、混合物中に光開始剤が添加されている。例示的な光開始剤としては、スルホニウム塩及びヨードニウム塩(例えば、トリフェニルスルホニウムトリフラート、ジフェニルヨードニウムトリフラート、ヨードニウム、[4−(オクチルオキシ)フェニル]フェニルヘキサフルオロホスフェート、ビス(4−メチルフェニル)ヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネートなど)、ベンゾイル基を含有する発色団(ベンゾインエーテル誘導体、ハロゲン化ケトン、ジアルコキシアセトフェノン、ジフェニルアセトフェノンなど)、ヒドロキシアルキル複素環式又は共役ケトン、ベンゾフェノン及びチオキサントン部分ベースの開裂可能な系(ベンゾフェノンフェニルスルフィド、ケトスルホキシドなど)、ベンゾイルホスフィンオキシド誘導体、ホスフィンオキシド誘導体、トリクロロメチルトリアジン、ビラジカル生成ケトン、過酸化物、ジケトン、アジド及び芳香族ビス−アジド、アゾ誘導体、ジスルフィド誘導体、ジシラン誘導体、ジセレニド及びジフェニルジテルリド誘導体、ダイジェルマン及びジスタンナン誘導体、パーエステル、バートンエステル誘導体、ヒドロキサム酸及びチオヒドロキサム酸及びエステル、オルガノボレート、チタノセン、クロム錯体、アルミン酸錯体、tempoベースのアルコキシアミン、オキシアミン、アルコキシアミン、及びシリルオキシアミンが挙げられる。
この実施形態では、堆積された層の特定領域がUV光に曝露されると、光開始剤が、架橋性材料の重合を開始させる。QD、QDの配位子、架橋性材料、及び光開始剤は、堆積溶媒中で均一な分散を生成するように選択することができる。堆積された混合物の均質性を確実にするために、類似した極性指数を有する材料を選択することができる。
図6A〜図6Eは、本出願の実施形態による、発光デバイスを製造する例示的な方法を構成しているステップの進行を示す図面である。上記で参照されたように、この製造方法は、主に、従来構造を有する(この場合もまた、第1電極302がアノードであり、第2電極306がカソードである)QLEDの実施例に関連して説明される。同等の原理が、本出願で説明されている他のデバイスの実施例にも適用可能であり得る。この例示的方法では、相分離されている架橋された発光層(又は、少なくともその一部)が製造される。この実施形態では、発光層は、堆積された層の所望の領域をUV曝露することによって、パターニングすることができる。パターニングされた発光層は、その場合、UV曝露された領域において不溶性とすることができ、残余の材料は、溶媒で洗い流すことなどによって、除去することができる。
図6A〜図6Eの進行を参照すると、図6Aに示されるように、最初のステップで、基板又は同等のベース層601が準備される。図6Bに示されるように、第1電極602が基板601上に堆積され、それゆえベース層は、電極を更に含み得る。他の実施形態に関して上述されたように、追加的な電荷輸送層を、電極及び他のベース層上に堆積させることができる。それゆえ、ベース層は、架橋性の正孔輸送材料を有する正孔輸送層を更に含み得るものであり、活性化刺激が、この正孔輸送層とCCTELの第1部分とを架橋するか、又は、電子輸送層が、架橋性の電子輸送材料を有し、活性化刺激は、この電子輸送層とCCTELの第1部分とを架橋する。電極602(又は、他のベース層構成要素)は、当該技術分野において既知であるような任意の好適な方法を使用して、基板601上に堆積させることができる。例示的な堆積方法としては、スパッタリング、蒸着コーティング、印刷、化学蒸着などが挙げられる。上述のように、堆積される電極は、任意の好適な形態で設けることができ、1つの例示的実施態様は、TFT回路用の電極である。図6Cに示されるように、架橋性材料605、量子ドット606、及び溶媒604を含む、混合物603が、第1電極602及び基板601上に堆積される。一部の実施形態では、混合物603は、上述のように、光開始剤を更に含む。図6Cのステップと図6D1/図6D2のステップとの間に、溶媒の一部が蒸発し得る。
図6D1及び図6D2に示されるように、次いで、紫外(UV)光608が、マスク607を介して適用され、このマスクは、混合物603の所望の領域をUV光608に曝露させる、形状又はパターンを提供する。UV光への混合物603の曝露は、結果的に架橋性材料605の架橋をもたらす。混合物が光開始剤もまた含む実施形態では、光開始剤は、架橋性材料の架橋を開始させることを支援し得る。図6Eに示されるように、このプロセスの結果は、相分離されたCCTEL層620であることにより、架橋性材料605の架橋は、結果としてQD606の相分離をもたらす。図6D1〜図6Eのプロセスの変形例では、QDは、堆積プロセスの間は、架橋性材料内に分布されたまま留まる傾向にあり、UV曝露が、相分離の最重要部分を引き起こす。図6D2〜図6Eのプロセスの変形例では、QDは、堆積プロセスの間に、溶媒が蒸発するにつれて相分離する傾向にある。これらの変形例は、ある程度組み合わされて生じ得る。全てのそのような変形例では、UV曝露は、架橋される材料を重合し、この重合により、結果としての図6Eに示されている相分離が固定化される。
したがって、相分離されたCCTEL層620において、QDは、CCTEL内で、外表面層(例えば、上面層)に隣接して、又は外表面層に位置決めされることにより、量子ドット層609を形成することになる。QDは、架橋される材料605の残部から構成されている、形成され架橋されるマトリクス610全体にわたって移動することから、量子ドット層609内に固定化されることになる。それゆえ、相分離されたCCTEL層620は、QDから主に構成されて、発光特性を有することにより、CCTEL層の発光部分を構成している、QDの単層とすることが可能な、第1部分609と、架橋された材料から主に構成されて、電荷輸送特性及び/又は電荷注入特性及び/又は電荷阻止特性を有する、第2部分610とから構成されている。したがって、第1部分はまた、CCTEL620の発光部分609とも称され、第2部分は、CCTEL620の電荷操作部分610と称される場合もある。
図6Eに更に示されるように、図6D1/図6D2のマスク607によってマスクされていた(またそれゆえ、UV光608に曝露されていない)残余の混合物603は、溶媒で洗い流すことができ、発光部分609と電荷操作(電荷輸送及び/又は電荷注入及び/又は電荷阻止)部分610とのCCTEL結合体620は、CCTEL620が、UV曝露の後には溶媒中で不溶性であるため、残存している。一部の実施形態では、この溶媒は、図6Cで堆積されている混合物603中で使用された溶媒と同じものである。他の実施形態では、この溶媒は、図6Cで堆積されている混合物603中で使用された溶媒と同様の溶媒、又は直交する溶媒である。したがって、図6Eに示されるように、発光部分609と電荷操作部分610との結合体が、第1電極602上に残存する。混合物603中で使用された溶媒、及び/又は、残余の混合物を洗い流すために使用された溶媒は、堆積された層のアニーリング(例えば、加熱)の間に蒸発させることができる。アニーリングは、溶媒の蒸発を有効に達成すると共に、量子ドット及び電荷輸送材料の完全性もまた維持する、任意の好適な温度で実行することができる。例示的実施形態では、アニーリングは、5℃〜150℃の範囲の温度で、又は30℃〜150℃の範囲の温度で、又は30℃〜100℃の範囲の温度で実行することができる。
例示的一実施形態では、図6D1/図6D2に示されるようなUV光の適用の後に、層をアニーリング(例えば、加熱)することにより、溶媒の蒸発及び除去を促進することができる。このアニーリングは、洗浄の前に、又は洗浄の後に実行することができる。アニーリングが洗浄の前に実行される実施態様では、後続のアニーリングを、洗浄後に実行することができる。別の実施例として、図6D1/図6D2に示されるようなUV光の適用と、アニーリング(例えば、加熱)とを、並行して実行することができる。このことにより、混合物603中で使用された溶媒を除去することができる。洗浄の後に、後続のアニーリングを実行することができる。更に別の実施例として、図6D1/図6D2に示されるようなUV光の適用の前に、アニーリングを実施することができ、また洗浄の後に、後続のアニーリングを実行することができる。
UV曝露時間、UV強度、光開始剤の量、QDと架橋性材料との比率、及び混合物の総濃度などの因子により、発光材料の形態の制御を可能にすることができる。例えば、UV曝露時間は、0.001秒〜15分の範囲とすることができ、及び/又は、UV曝露強度は、0.001〜100,000mJ/cm2の範囲とすることができる。光開始剤の量は、混合物の総濃度の0.001〜15重量%の範囲とすることができる。QDと架橋性材料との比率は、0.001〜1の範囲とすることができ、混合物の総濃度は、0.1〜20重量%の範囲とすることができる。例示的一実施態様では、UV曝露強度は、0.01〜200秒のUV曝露時間で1〜100mJ/cm2の範囲であり、混合物の総濃度は、0.5〜10重量%の範囲であり、QDと架橋性材料との比率は、0.1〜1の範囲であり、光開始剤濃度は、混合物の総濃度の0.1〜5重量%の範囲である。
上述のような手法を使用して、QLEDサブ画素構造体を構成する材料が堆積される領域を画定する方式で、種々のサブ画素(例えば、R、G、及びB)を、所与の基板上にパターニングすることができる。更には、他の例示的実施形態では、UVに加えて、又はUV以外の、1種以上の活性化刺激を使用することができる。例としては、圧力、熱、第2の露光(この露光は、UV範囲、又は可視域若しくはIRなどの他の範囲とすることが可能)、及びpHの変化が挙げられる。したがって、一部の実施形態では、図6A〜図6Eに関して説明されるような、架橋された発光層を製造する方法は、例えば図6D1/図6D2に示される相分離ステップに関して、修正することができる。例えば、活性化刺激としてのUV光の適用の代わりに、架橋するステップは、代わりに、あるいは更に、加圧、温度上昇、及び/又は、pHの変化をもたらすための混合物603への添加を含めた、1種以上の活性化刺激を含み得る。任意の活性化刺激、又はそれらの組み合わせの適用により、CCTEL620を構成する、相分離されたマトリクスの形成をもたらすことができる。
以下は、上記の方法に対する変形例を構成するものであり、それらは更に、任意の特定の用途に関して好適となり得るように、個別に、又は組み合わせて採用することができる。例示的一実施形態は、アノード及びカソードと、上述のような層状CCTEL307/620とを含み得る。そのような実施形態では、架橋性材料は、正孔注入/輸送特性を有し、アノードに隣接している。別の例示的実施形態では、架橋性材料は、電子注入/輸送特性を有し、カソードに隣接している。別の例示的実施形態では、CCTEL307/620とカソードとの間に、1つ以上の追加的な電子注入/輸送層が存在する。別の例示的実施形態では、CCTEL307/620とアノードとの間に、1つ以上の追加的な正孔注入/輸送層が存在する。
材料の例としては、限定するものではないが、以下のものが挙げられる。電子輸送層及び/又は電子注入層は、ZnO、8−キノリノラトリチウム(液体)、LiF、Cs2CO3、MgxZn1−xO、AlxZn1−xO、2,2’,2”−(1,3,5−ベンジントリイル)−トリス(1−フェニル−1−H−ベンゾイミダゾール)(TPBi)、TiO2、ZrO2、N4、N4’−ジ(ナフタレン−1−イル)−N4、N4’−ビス(4−ビニルフェニル)ビフェニル−4、4’−ジアミン(VNPB)、9,9−ビス[4−[(4−エテニルフェニル)メトキシ]フェニル]−N2,N7−ジ−1−ナフタレニル−N2,N7−ジフェニル−9H−フルオレン−2,7−ジアミン(VB−FNPD)を個別に、又は組み合わせて含み得るものであり、式中、0≦x≦1である。EMLは、QDナノ粒子を含み得るものであり、これらのQDナノ粒子は、InP、CdSe、CdS、CdSexS1−x、CdTe、CdxZn1−xSe、CdxZn1−xSeyS1−y、ZnSe、ZnS、ZnSTe、ZnSeTe、ABX3の形態のペロブスカイト、ZnwCuzIn1−(w+z)S、炭素のうちの1つ以上を含み、式中、0≦w、x、y、z≦1、及び(w+z)≦1である。正孔輸送層及び/又は正孔注入層は、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン):ポリ(スチレンスルホネート)(PEDOT:PSS)、ポリ(9,9−ジオクチルフルオレン−co−N−(4−sec−ブチルフェニル)−ジフェニルアミン)(TFB)、ポリ(9−ビニルカルバゾール)(PVK)、ポリ(N,N−ビス(4−ブチルフェニル)−N,N’−ビスフェニルフェニルベンジジン)(PolyTPD)、V2O5、NiO、CuO、WO3、MoO3、2,3,5,6−テトラフルオロ−7,7,8,8−テトラシアノキノジメタン(F4TCNQ)、1,4,5,8,9,11−ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリル(HATCN)、N4,N4’−ビス(4−(6−((3−エチルオキセタン−3−イル)メトキシ)ヘキシル)フェニル)−N4,N4’−ジフェニルビフェニル−4,4’−ジアミン(OTPD)、N4,N4’−ビス(4−(6−((3−エチルオキセタン−3−イル)メトキシ)ヘキシルオキシ)フェニル)−N4,N4’−ビス(4−メトキシフェニル)ビフェニル−4,4’−ジアミン(QUPD)、N,N’−(4,4’−(シクロヘキサン−1,1−ジイル)ビス(4,1−フェニレン))ビス(N−(4−(6−(2−エチルオキセタン−2−イルオキシ)ヘキシル)フェニル)−3,4,5−トリフルオロアニリン)(X−F6−TAPC)を個別に、又は組み合わせて含み得る。
上述の方法は、単一の発光デバイスを製造するものとして説明されている。マスクのパターニングは、基板の種々の領域内に形成される、複数の発光デバイスの製造を可能にすることができ、特に、発光デバイスのアレイを形成することができる点が理解されるであろう。更には、上述の方法のうちのいずれかを繰り返すことにより、例えば、マスクのパターニングによって決定されるような、基板の種々の領域内に、種々の色の光(例えば、R、G、B)を出射する種々のQDなどの、種々のQDを有する発光デバイスを形成することができる。発光デバイスの配置構成は、サブ画素の配置構成、及び、サブ画素から成る画素の配置構成を形成し得る。
例示的実施形態では、発光デバイスは、それらの発光デバイスが、1つ以上の絶縁材料によって少なくとも部分的に隔てられるように配置構成することができる。この配置構成はまた、「バンク構造体」と称される場合もある。図7A及び図7Bは、本出願の実施形態に従って形成された、複数の発光デバイスのバンク構造体700を示す図面であり、図7Aは断面図を示し、図7Bは上面図を示している。そのような図に示されるように、第1サブ画素700A及び第2サブ画素700Bが、同じ基板708上にパターニングされており、デバイス700A及びデバイス700BのQLEDサブ画素構造体を構成する材料が堆積されている領域を、絶縁材料704が画定している。図7A及び図7Bは、サブ画素として配置構成されている、2つの発光デバイスの例示的配置構成を示すものであるが、任意の好適な数の発光デバイスを、そのような配置構成で堆積させることができる。異なるサブ画素は、異なる色の光を出射するように構成することができる。例示的な絶縁材料704としては、限定するものではないが、ポリイミドが挙げられる。
一部の実施例では、絶縁材料は、その絶縁材料の濡れ性を修正するための、例えばフッ素などの、表面処理を含み得る。例えば、絶縁材料は、堆積された材料がバンク上に粘着することを防止して、サブ画素が適切に充填されることを確実にするように、親水性にすることができる。それゆえ、絶縁材料704は、ウェルを形成し、それらの底部は、各サブ画素に関する種々の電極(例えば、アノード)を含み得る。図示の実施形態では、この発光デバイスは、第1電極706A及び706Bと、バンク構造体内の双方の(又は、全ての)発光デバイスに共通とすることが可能な第2電極707と、CCTEL703A及び703Bと、第1電荷輸送層705A及び705Bと、第2電荷輸送層701A及び701Bとを含み、それにより、各発光デバイス700A及び700Bを、図3に示される実施形態と概ね同様に構成することができる。このバンク構造体は、実施形態のうちのいずれかに従って構成及び/又は製造された、発光デバイスを含み得る。
例示的一実施形態では、バンク構造体700の発光デバイスは、トップエミッション型デバイスであり、それゆえ、第1電極706A及び706Bはアノードであり、第2電極707はカソードである(また、この場合も同様に、カソードは、サブ画素700Aと700Bとで共通のものとすることができる)。第1電荷輸送層705A及び705Bは、好ましくは、共通して(すなわち、双方のサブ画素に対して、同時に、かつ同じ材料及び厚さで)堆積されるが、代替的には、異なるサブ画素に対して個別に堆積させる(すなわち、パターニングする)こともできる。CCTEL703Aは、第1の発光波長を有する第1の量子ドットタイプを含み、CCTEL703Bは、第1の発光波長とは異なる第2の発光波長を有する、第2の量子ドットタイプを含む。第2電荷輸送層701A及び701Bは、好ましくは、共通して(すなわち、双方のサブ画素に対して、同時に、かつ同じ材料及び厚さで)堆積されるが、代替的には、異なるサブ画素に対して個別に堆積させる(すなわち、パターニングする)こともできる。
反射電極(例えば、第1電極706A、706B)及び部分的反射電極(例えば、第2電極707)を含む、トップエミッション型デバイスに関しては、エレクトロルミネッセンスによって量子ドットから出射された光に関する、光学キャビティを確立することができる点が知られている。光を出射する量子ドットと第1電極との間の距離、及び、光を出射する量子ドットと第2電極との間の距離は、このキャビティの光学モードに有意な影響を及ぼし得るものであり、その結果、第2電極707を通って出射される光の特性に有意な影響を及ぼし得る。例えば、そのようなパラメータは、発光デバイスから抜け出る光の効率、並びに、発光方向に対する強度及び波長の依存性に影響を及ぼし得る。それゆえ、多くの場合、最適な光効率に関して良好な光学キャビティをもたらすように、量子ドットと電極との間に配設される層の厚さを選択することが好ましい。好適な厚さは、光の波長によって異なる(例えば、赤色光を出射するデバイスと緑色光を出射するデバイスとでは異なる)。
図4B、図4C、図4D、及び図4Eに関連して説明されたタイプのCCTELの、特に、図4C/図4C2及び図4E/図4B2におけるQDの層状分布に関する顕著な利点は、量子ドットと関連電極との間の距離を、CCTELの厚さに従って選択することができる点である。例えば、図7Aを参照すると、第1電極706A及び706Bはアノードであり、CCTEL703A及び703Bは、CCTELの電荷輸送材料が正孔輸送層である図4C又は図4C2のように構成されており、そのCCTELの全体の厚さを調節することによって、量子ドットと反射アノードとの間の距離を調節することができる。その結果、図7Aに示されるように、CCTEL703AとCCTEL703Bとに、異なる厚さが与えられることにより、CCTEL703A内の量子ドットから出射される光の波長と、CCTEL703B内の量子ドットから出射される光の波長とに関して、それぞれ個別に必要とされるような、量子ドットとアノードとの間の良好な距離をもたらすことができる。それゆえ、サブ画素間において、CCTELのみを個別に堆積させることによって、良好な光学キャビティ長さ及び異なる波長が達成される。量子ドットと反射電極との間に好適な距離をもたらすために、サブ画素間において他の電荷輸送層を個別に堆積させる必要はない。一実施例では、サブ画素間においてCCTELのみが個別に堆積され、全ての他の層は、2つのサブ画素に共通して堆積される。別の実施例では、バンク構造体700の発光デバイスは、発光量子ドットと反射電極との間の距離が、キャビティ効果により発光に影響を及ぼし得る、ボトムエミッション型デバイスである。それゆえ、ボトムエミッション型デバイスに関しては、同等の理由から、図4E又は図4E2に示されるタイプのCCTELが有利である。
本出願の別の実施形態に従って、発光デバイスの一実施例を以下のように製造することができる。厚さ1mmのガラス基板上に、シャドーマスクを介して、150nmのITOをスパッタリングすることにより、半透明のアノード領域を画定する。このアノードの上に、水溶液中のPEDOT:PSSを、スピンコーティングによって堆積させ、次いで150℃で焼成することにより、正孔注入層を形成する。InP量子ドット、正孔輸送特性を有する架橋性材料、及び光開始剤を、図6A〜図6Eで例示された上述の堆積方法によって堆積させ、パターニングする。この発光層の上に、MgZnOナノ粒子を、エタノールからスピンコーティングすることによって堆積させ、その後続いて80℃で焼成することにより、電子輸送層を形成する。この電子輸送層の上に、100nmのアルミニウムを熱蒸着させることにより、反射カソードを設ける。上述のプロセスにより、1mmのガラス基板と、150nmのITOアノードと、50nmのPEDOT:PSS正孔注入層と、正孔輸送層として機能する、架橋された正孔輸送材料から主に構成されている60nmの部分、及び発光層として機能する、QDから主に構成されている15nmの部分を含む、CCTELと、60nmのMgZnO電子輸送層と、100nmのAlカソードとを有する、発光デバイスが得られる。
それゆえ、本発明の一態様は、光出力効率を向上させるための、複合型電荷輸送発光層(CCTEL)を含む発光デバイスである。例示的実施形態では、この発光デバイスは、アノードと、カソードと、アノードとカソードとの間に配設されている複合型電荷輸送発光層(CCTEL)とを含み、CCTELは、架橋された電荷輸送材料及び量子ドットを含む。量子ドットは、架橋された電荷輸送材料内で不均等に分布している。この発光デバイスは、以下の特徴のうちの1つ以上を、個別に、又は組み合わせて含み得る。
発光デバイスの例示的一実施形態では、量子ドットは、架橋された電荷輸送材料から凝離されていることにより、量子ドットは、カソードに最も近いCCTELの半分内に位置している。
発光デバイスの例示的一実施形態では、量子ドットは、カソードに最も近いCCTELの外表面に、量子ドットの単層を形成するように、架橋された電荷輸送材料から凝離されている。
発光デバイスの例示的一実施形態では、量子ドットは、架橋された電荷輸送材料から凝離されていることにより、量子ドットは、アノードに最も近いCCTELの半分内に位置している。
発光デバイスの例示的一実施形態では、量子ドットは、アノードに最も近いCCTELの外表面に、量子ドットの単層を形成するように、架橋された電荷輸送材料から凝離されている。
発光デバイスの例示的一実施形態では、架橋された電荷輸送材料は、正孔輸送材料を含む。
発光デバイスの例示的一実施形態では、架橋された電荷輸送材料は、電子輸送材料を含む。
発光デバイスの例示的一実施形態では、発光デバイスは、アノードとCCTELとの間に配設されている、正孔輸送層を更に含む。
発光デバイスの例示的一実施形態では、正孔輸送層は、CCTELの架橋された材料と架橋されている。
発光デバイスの例示的一実施形態では、発光デバイスは、カソードとCCTELとの間に配設されている、電子輸送層を更に含む。
発光デバイスの例示的一実施形態では、電子輸送層は、CCTELの架橋された材料と架橋されている。
発光デバイスの例示的一実施形態では、CCTELは、1種以上の光開始剤を更に含む。
本発明の別の態様は、実施形態のうちのいずれかによる第1発光デバイスと、実施形態のうちのいずれかによる第2発光デバイスとを含む、複数の発光デバイスのバンク構造体である。このバンク構造体は、第1発光デバイスの少なくとも一部分を第2発光デバイスから隔てる、絶縁材料を更に含み、第1発光デバイスと第2発光デバイスとは、異なる色の波長を出射するように構成されている。第1発光デバイスと第2発光デバイスとは、異なるCCTELを有し得るものであり、第1発光デバイスと第2発光デバイスとは、CCTEL以外の少なくとも1つの層を共有することができる。
本発明の別の態様は、発光デバイスの複合型電荷輸送発光層(CCTEL)を形成する方法である。例示的実施形態では、この方法は、量子ドットと架橋性材料とを溶媒中に含む混合物を、ベース層上に堆積させるステップと、架橋性材料を架橋するために、混合物の少なくとも一部分を活性化刺激に曝すステップとを含む。堆積させるステップ及び曝すステップのうちの少なくとも一方の間に、CCTELは、互いに連結されている第1部分及び第2部分を含むように相分離し、第1部分は、第2部分と比較して、架橋された材料を主に含み、第2部分は、架橋された材料から凝離している量子ドットを主に含む。この方法は、以下の特徴のうちの1つ以上を、個別に、又は組み合わせて含み得る。
CCTELを形成する方法の例示的一実施形態では、相分離は、混合物の堆積の間に、溶媒が蒸発するにつれて、少なくとも部分的に生じる。
CCTELを形成する方法の例示的一実施形態では、相分離は、活性化刺激の適用の間に、少なくとも部分的に生じる。
CCTELを形成する方法の例示的一実施形態では、活性化刺激は、紫外(UV)光曝露、加熱、加圧、及びpH変化のうちの少なくとも1つを含む。
CCTELを形成する方法の例示的一実施形態では、混合物は、光開始剤を更に含み、活性化刺激は、UV光への曝露を含む。
CCTELを形成する方法の例示的一実施形態では、ベース層は、架橋性の正孔輸送材料を有する正孔輸送層を含み、活性化刺激が、この正孔輸送層とCCTELの第1部分とを架橋するか、又は、ベース層は、架橋性の電子輸送材料を有する電子輸送層を含み、活性化刺激が、この電子輸送層とCCTELの第1部分とを架橋する。
本発明は、特定の実施形態に関して示され説明されてきたが、当業者には、本明細書及び添付図面を読み込み理解することで、等価の変更及び修正が想起されることは明白である。特に、上述の要素(構成要素、組立品、デバイス、組成物など)によって実行される様々な機能に関して、そのような要素を説明するために使用される用語(「手段」への言及を含む)は、別段の指示がない限り、本明細書に例示されている本発明の例示的実施形態における機能を実行する、開示されている構造体と、構造的に等価ではない場合であっても、説明されている要素の指定された機能を実行する(すなわち、機能的に等価である)任意の要素に対応することが意図されている。更には、本発明の特定の特徴は、いくつかの例示されている実施形態のうちの1つ以上のみに関して上述されてきたが、そのような特徴は、任意の所与の用途又は特定の用途に関して所望され、かつ有利となり得るように、他の実施形態の1つ以上の他の特徴と組み合わせることができる。
本発明は、例えば、ディスプレイデバイス内の発光素子のために使用することが可能な、QD−LEDデバイスに関する。本発明の実施形態は、高解像度かつ高画質のディスプレイデバイスを可能にするために、多くのディスプレイデバイスに適用可能である。そのようなデバイスの例としては、テレビ、携帯電話、携帯情報端末(PDA)、タブレット及びラップトップコンピュータ、デスクトップモニタ、デジタルカメラ、並びに、高解像度ディスプレイが望ましい同様のデバイスが挙げられる。
101−QDコア
102−QDシェル
103−QD配位子
104−QDコア+シェル
200−QD−LED構造体
201−基板
202−第1電極
203−第1電荷輸送層
204−発光層
205−第2電荷輸送層
206−第2電極
300−QD−LED発光デバイス構造体
301−基板
302−第1電極
303−第1電荷輸送層
305−第2電荷輸送層
306−第2電極
307−複合型電荷輸送発光層(CCTEL)
401−量子ドット
402−電荷輸送材料
403−下地層
501−架橋性材料
502−QD
503−溶媒
504−基板
505−QDの層
506−架橋された材料
601−基板
602−第1電極
603−堆積混合物
604−溶媒
605−架橋性材料
606−量子ドット
607−マスク
608−紫外光
609−量子ドット層
610−架橋されたマトリクス
620−CCTEL層
700−バンク構造体
700A−第1サブ画素
700B−第2サブ画素
701A−第2電荷輸送層A
701B−第2電荷輸送層B
703A−CCTEL A
703B−CCTEL B
704−絶縁材料
705A−第1電荷輸送層A
705B−第1電荷輸送層B
706A−第1電極A
706B−第1電極B
707−第2電極
708−基板
102−QDシェル
103−QD配位子
104−QDコア+シェル
200−QD−LED構造体
201−基板
202−第1電極
203−第1電荷輸送層
204−発光層
205−第2電荷輸送層
206−第2電極
300−QD−LED発光デバイス構造体
301−基板
302−第1電極
303−第1電荷輸送層
305−第2電荷輸送層
306−第2電極
307−複合型電荷輸送発光層(CCTEL)
401−量子ドット
402−電荷輸送材料
403−下地層
501−架橋性材料
502−QD
503−溶媒
504−基板
505−QDの層
506−架橋された材料
601−基板
602−第1電極
603−堆積混合物
604−溶媒
605−架橋性材料
606−量子ドット
607−マスク
608−紫外光
609−量子ドット層
610−架橋されたマトリクス
620−CCTEL層
700−バンク構造体
700A−第1サブ画素
700B−第2サブ画素
701A−第2電荷輸送層A
701B−第2電荷輸送層B
703A−CCTEL A
703B−CCTEL B
704−絶縁材料
705A−第1電荷輸送層A
705B−第1電荷輸送層B
706A−第1電極A
706B−第1電極B
707−第2電極
708−基板
Claims (20)
- 発光デバイスであって、
アノードと、
カソードと、
前記アノードと前記カソードとの間に配設されている複合型電荷輸送発光層(CCTEL)であって、架橋された電荷輸送材料及び量子ドットを含む、CCTELと、を備え、
前記量子ドットが、前記架橋された電荷輸送材料内で不均等に分布している、発光デバイス。 - 前記量子ドットが、前記架橋された電荷輸送材料から凝離されていることにより、前記量子ドットが、前記カソードに最も近い前記CCTELの半分内に位置している、請求項1に記載の発光デバイス。
- 前記量子ドットが、前記カソードに最も近い前記CCTELの外表面に、量子ドットの単層を形成するように、前記架橋された電荷輸送材料から凝離されている、請求項2に記載の発光デバイス。
- 前記量子ドットが、前記架橋された電荷輸送材料から凝離されていることにより、前記量子ドットが、前記アノードに最も近い前記CCTELの半分内に位置している、請求項1に記載の発光デバイス。
- 前記量子ドットが、前記アノードに最も近い前記CCTELの外表面に、量子ドットの単層を形成するように、前記架橋された電荷輸送材料から凝離されている、請求項4に記載の発光デバイス。
- 前記架橋された電荷輸送材料が、正孔輸送材料を含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の発光デバイス。
- 前記架橋された電荷輸送材料が、電子輸送材料を含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の発光デバイス。
- 前記アノードと前記CCTELとの間に配設されている、正孔輸送層を更に備える、請求項1〜7のいずれか一項に記載の発光デバイス。
- 前記正孔輸送層が、前記CCTELの前記架橋された材料と架橋されている、請求項8に記載の発光デバイス。
- 前記カソードと前記CCTELとの間に配設されている、電子輸送層を更に備える、請求項1〜9のいずれか一項に記載の発光デバイス。
- 前記電子輸送層が、前記CCTELの前記架橋された材料と架橋されている、請求項10に記載の発光デバイス。
- 前記CCTELが、1種以上の光開始剤を更に含む、請求項1〜11のいずれか一項に記載の発光デバイス。
- 複数の発光デバイスのバンク構造体であって、
請求項1〜12のいずれか一項に記載の第1発光デバイスと、
請求項1〜12のいずれか一項に記載の第2発光デバイスと、
前記第1発光デバイスの少なくとも一部分を前記第2発光デバイスから隔てる、絶縁材料と、を備え、
前記第1発光デバイスと前記第2発光デバイスとが、異なる色の波長を出射するように構成されている、バンク構造体。 - 前記第1発光デバイスと前記第2発光デバイスとが、異なるCCTELを有し、前記第1発光デバイスと前記第2発光デバイスとが、前記CCTEL以外の少なくとも1つの層を共有している、請求項13に記載のバンク構造体。
- 発光デバイスの複合型電荷輸送発光層(CCTEL)を形成する方法であって、
量子ドットと架橋性材料とを溶媒中に含む混合物を、ベース層上に堆積させるステップと、
前記架橋性材料を架橋するために、前記混合物の少なくとも一部分を活性化刺激に曝すステップと、を含み、
前記堆積させるステップ及び前記曝すステップのうちの少なくとも一方の間に、前記CCTELが、互いに連結されている第1部分及び第2部分を含むように相分離し、前記第1部分が、前記第2部分よりも、架橋された前記材料を多く含み、前記第2部分が、前記第1部分よりも、前記架橋された材料から凝離している量子ドットを多く含む、CCTELを形成する方法。 - 前記相分離が、前記混合物の前記堆積の間に、前記溶媒が蒸発するにつれて、少なくとも部分的に生じる、請求項15に記載のCCTELを形成する方法。
- 前記相分離が、前記活性化刺激の適用の間に、少なくとも部分的に生じる、請求項15又は16に記載のCCTELを形成する方法。
- 前記活性化刺激が、紫外(UV)光曝露、加熱、加圧、及びpH変化のうちの少なくとも1つを含む、請求項15〜17のいずれか一項に記載のCCTELを形成する方法。
- 前記混合物が、光開始剤を更に含み、前記活性化刺激が、UV光への曝露を含む、請求項15〜17のいずれか一項に記載のCCTELを形成する方法。
- 前記ベース層が、架橋性の正孔輸送材料を含む正孔輸送層を含み、前記活性化刺激が、前記正孔輸送層と前記CCTELの前記第1部分とを架橋するか、又は、前記ベース層が、架橋性の電子輸送材料を含む電子輸送層を含み、前記活性化刺激が、前記電子輸送層と前記CCTELの前記第1部分とを架橋する、請求項15〜19のいずれか一項に記載のCCTELを形成する方法。
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