JP2021018890A - ヒータおよびるつぼ - Google Patents
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- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 78
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 61
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 61
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 60
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 8
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 7
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 8
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AZFHXIBNMPIGOD-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxypent-3-en-2-one iridium Chemical compound [Ir].CC(O)=CC(C)=O.CC(O)=CC(C)=O.CC(O)=CC(C)=O AZFHXIBNMPIGOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002504 iridium compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- Resistance Heating (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【課題】加熱処理のコストを低減する。【解決手段】ヒータ100は、発熱体101と、表面保護膜102と、合金層103とを備える。発熱体101は、Mo、W、Taのいずれかまたはこれらの合金から構成されている。表面保護膜102は、発熱体101の表面を覆って形成されている。また、表面保護膜102は、IrおよびRuのいずれかまたはこれらの合金から構成されている。合金層103は、発熱体101と表面保護膜102との間に形成され、発熱体101を構成する金属と表面保護膜102を構成する金属との合金から構成されている。【選択図】 図1
Description
本発明は、ヒータおよびるつぼに関する。
最先端機能デバイス製造の過程では、多くの場合、高温かつクリーンな環境下での熱処理が必要とされる。例えば、発光ダイオード、有機EL(Electro Luminescence)デバイス、パワー半導体デバイスなど、次世代のエレクトロニクスを支える様々デバイス製造に用いられ、高温かつクリーンな環境を実現させるため、モリブデン(Mo)、タングステン(Wa)、タンタル(Ta)などの高融点金属が、加熱処理で用いられるヒータの発熱体の材料として用いられている。
例えば、熱処理炉の内部には、上述した高融点金属から構成された棒状の発熱体が張り巡らされている。ところで、Mo、W、Taは、非常に酸化劣化しやすく反応性に富む金属である。このため、これら金属から構成される発熱体は、熱処理において、処理対象の材料の酸化・蒸発や、無機、金属蒸着材との反応による損耗のため、寿命が短くなる。一般的に、タングステンの発熱体は、公称寿命が1000時間とされている。上述した発熱体の損耗により、使用中に徐々に到達温度が低下するため、歩留りの良い量産を維持するためには、例えば、3か月毎に、炉内の発熱体を全て交換することになり、コストの低減および量産性に限界が生じているのが現状である。
一方、酸化物単結晶は、現在様々な分野で応用されており、次世代スマート社会の普及・実現において、極めて重要な役割を担う。酸化物単結晶は、現在のエレクトロニクス分野、医療分野などには欠くことのできない機能性材料である。この酸化物結晶の育成には、一般的にイリジウム(Ir)などの貴金属(白金族)製のるつぼが使用されている(特許文献1参照)。Irなどの貴金属は、高価であり、Irなどの貴金属製のるつぼは、材料の低コスト化への大きな障壁となっていた。
以上に説明したように、現在、最先端機能デバイスの製造で用いられる発熱体は、加熱処理における損耗のためコストの低減および量産性に限界が生じている。また、酸化物単結晶の製造で用いられるるつぼは、高価な貴金属から構成しているため、製造におけるコストの低減の大きな障害となっている。このように、従来の技術では、加熱処理のコストの低減が大きな課題となっている。
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、加熱処理のコストの低減を目的とする。
本発明に係るヒータは、モリブデン、タングステン、タンタルのいずれかまたはこれらの合金から構成された発熱体と、発熱体の表面を覆って形成され、イリジウムおよびルテニウムのいずれかまたはこれらの合金から構成された表面保護膜と、発熱体と表面保護膜との間に形成され、発熱体を構成する金属と表面保護膜を構成する金属との合金からなる合金層とを備える。
上記ヒータの一構成例において、合金層は、発熱体を構成する金属と表面保護膜を構成する金属との組成比が、発熱体の側から表面保護膜の側にかけて変化している。
本発明に係るるつぼは、モリブデン、タングステン、タンタルのいずれかまたはこれらの合金から構成されたるつぼ本体と、るつぼ本体の表面を覆って形成され、イリジウムおよびルテニウムのいずれかまたはこれらの合金から構成された表面保護膜と、るつぼ本体と表面保護膜との間に形成され、るつぼ本体を構成する金属と表面保護膜を構成する金属との合金からなる合金層とを備える。
上記るつぼの一構成例において、合金層は、るつぼ本体を構成する金属と表面保護膜を構成する金属との組成比が、るつぼ本体の側から表面保護膜の側にかけて変化している。
以上説明したことにより、本発明によれば、加熱処理のコストの低減が低減できる。
[実施の形態1]
以下、本発明の実施の形態1に係るヒータ100について図1を参照して説明する。ヒータ100は、発熱体101と、表面保護膜102と、合金層103とを備える。例えば、図2に示すように、棒状(ロッド状)のヒータ100が、熱処理炉111の内周面に沿ってコイル状に布設されて用いられる。
以下、本発明の実施の形態1に係るヒータ100について図1を参照して説明する。ヒータ100は、発熱体101と、表面保護膜102と、合金層103とを備える。例えば、図2に示すように、棒状(ロッド状)のヒータ100が、熱処理炉111の内周面に沿ってコイル状に布設されて用いられる。
発熱体101は、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、タンタル(Ta)のいずれかまたはこれらの合金から構成されている。表面保護膜102は、発熱体101の表面を覆って形成されている。また、表面保護膜102は、イリジウム(Ir)およびルテニウム(Ru)のいずれかまたはこれらの合金から構成されている。合金層103は、発熱体101と表面保護膜102との間に形成され、発熱体101を構成する金属と表面保護膜102を構成する金属との合金から構成されている。
ここで、合金層103は、発熱体101を構成する金属と表面保護膜102を構成する金属との組成比が、発熱体101の側から表面保護膜102の側にかけて変化している。
ヒータの発熱体によく用いられるMo、W、Taは、大気中でも酸化が進行してしまうほど、酸化耐性が弱い。これに対し、白金族であるIrは、耐酸化性を持ち、数%程度の酸素雰囲気中であれば、2000℃程度の高温化でも酸化せずに存在できる。従って、例えば、Moからなる発熱体101の表面を、Irからなる表面保護膜102で覆うことで、耐酸化性を大きく向上させることができる。
また、発熱体101と表面保護膜102との間に合金層103を備えるので、この種のヒータ100として用いられる1800℃程度の温度域においても、表面保護膜102が発熱体101より剥がれることが無く、安定して使用することができる。このように、実施の形態1によれば、ヒータ100の寿命を大幅に長くすることが可能になり、ヒータ100を用いた熱処理炉111は、メンテナンスフリーの実現が可能になる。
次に、表面保護膜102の形成方法について説明する。表面保護膜102は、よく知られた熱CVD(Chemical Vapor Deposition)法により形成することができる。CVD法によれば、発熱体101の表面全域に対し、均一な表面保護膜102が形成できる。また、CVD法によれば、表面保護膜102を成長させている過程で、合金層103を形成することができる。
例えば、イリジウム(III)アセチルアセトナートなどの有機イリジウム化合物を原料とした熱CVD法で、表面保護膜102が形成できる。例えば、成膜装置の成長炉内に、発熱体101を配置する。次に、成長炉を密閉状態とし、発熱体101を890〜1100℃に加熱する。次に、キャリアガスとしてアルゴン、あるいは水素を添加したアルゴン、あるいは酸素を添加したアルゴンを用い、200sccm程度で炉内に原料ガスを導入し、発熱体101の表面に、表面保護膜102を成長させる。なお、sccmは流量の単位であり、0℃・1013hPaの流体が1分間に1cm3流れることを示す。この処理を60分程度継続することで、厚さ100μm程度の表面保護膜102を形成することができる。また、この熱CVD法による表面保護膜102の成長の過程で、合金層103が形成される。
例えば、発熱体101が、Moから構成され、Irからなる表面保護膜102を成長する場合、合金層103は、MoとIrとの合金から構成される。また、熱CVD法による表面保護膜102の成長の過程で形成される合金層103は、発熱体101の側から表面保護膜102の側にかけて変化している。例えば、合金層103は、発熱体101の側から表面保護膜102の側にかけて、Moの組成比が徐々に減少し、Irの組成比が徐々に増加する。
例えば、表面保護膜102を厚さ100μm程度に成長させる条件により、厚さ50μm程度の合金層103が形成される。表面保護膜102を厚さ100μm程度に形成し、また合金層103が厚さ50μm程度に形成されていれば、例えば、1800〜2000℃程度の温度域においても、表面保護膜102が発熱体101より剥がれることがない。
以上に説明したように、本発明に係るヒータによれば、Mo、W、Taのいずれかまたはこれらの合金から構成した発熱体の表面を、IrおよびRuのいずれかまたはこれらの合金からなる表面保護膜で覆い、これらの間には、合金層が形成されているようにしたので、加熱処理のコストが低減できるようになる。
[実施の形態2]
以下、本発明の実施の形態2に係るるつぼ200について図3を参照して説明する。るつぼ200は、るつぼ本体201と、表面保護膜202と、合金層203とを備える。るつぼ200は、例えば、図3に示すように、円筒形とされている。
以下、本発明の実施の形態2に係るるつぼ200について図3を参照して説明する。るつぼ200は、るつぼ本体201と、表面保護膜202と、合金層203とを備える。るつぼ200は、例えば、図3に示すように、円筒形とされている。
るつぼ本体201は、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、タンタル(Ta)のいずれかまたはこれらの合金から構成されている。表面保護膜202は、るつぼ本体201の表面を覆って形成されている。また、表面保護膜202は、イリジウム(Ir)およびルテニウム(Ru)のいずれかまたはこれらの合金から構成されている。合金層203は、るつぼ本体201と表面保護膜202との間に形成され、るつぼ本体201を構成する金属と表面保護膜202を構成する金属との合金から構成されている。
ここで、合金層203は、るつぼ本体201を構成する金属と表面保護膜202を構成する金属との組成比が、るつぼ本体201の側から表面保護膜202の側にかけて変化している。
融点が2000℃程度と高い、機能性酸化物単結晶の育成に用いられるるつぼの材料としては、主にIrが用いられる。しかしながら、貴金属であるIrは、地金が6000円/g程度と高価である。このため、開口径100mm、深さ100mm程度のるつぼで、1300万円程度になっている。これに対し、例えばMoは、地金が3円/gと桁違いに安価である。しかしながら、Moは、耐酸化性が劣るため、酸化物単結晶育成用のるつぼの材料としては用いることができない。
これら問題に対し、実施の形態2によれば、Mo、W、Taなどによるるつぼ本体201の表面を、IrやRuからなる表面保護膜202で覆うので、耐酸化性が向上し、酸化物単結晶育成に用いることが可能となる。また、るつぼ本体201と表面保護膜202との間に合金層203を備えるので、機能性酸化物単結晶の育成温度(2000℃程度)においても、表面保護膜202がるつぼ本体201より剥がれることが無く、安定して使用することができる。
次に、表面保護膜202の形成方法について説明する。表面保護膜202は、よく知られた熱CVD(Chemical Vapor Deposition)法により形成することができる。CVD法によれば、るつぼ本体201の表面全域に対し、均一な表面保護膜202が形成できる。また、CVD法によれば、表面保護膜202を成長させている過程で、合金層203を形成することができる。
例えば、イリジウム(III)アセチルアセトナートなどの有機イリジウム化合物を原料とした熱CVD法で、表面保護膜202が形成できる。例えば、成膜装置の成長炉内に、るつぼ本体201を配置する。次に、成長炉を密閉状態とし、るつぼ本体201を890〜1100℃に加熱する。次に、キャリアガスとしてアルゴン、あるいは水素を添加したアルゴン、あるいは酸素を添加したアルゴンを用い、200sccm程度で炉内に原料ガスを導入し、るつぼ本体201の表面に、表面保護膜202を成長させる。なお、sccmは流量の単位であり、0℃・1013hPaの流体が1分間に1cm3流れることを示す。この処理を60分程度継続することで、厚さ20μm〜200μm程度の表面保護膜202を形成することができる。また、この熱CVD法による表面保護膜202の成長の過程で、合金層203が形成される。
例えば、るつぼ本体201が、Moから構成され、Irからなる表面保護膜202を成長する場合、合金層203は、MoとIrとの合金から構成される。また、熱CVD法による表面保護膜202の成長の過程で形成される合金層203は、るつぼ本体201の側から表面保護膜202の側にかけて変化している。例えば、合金層203は、るつぼ本体201の側から表面保護膜202の側にかけて、Moの組成比が徐々に減少し、Irの組成比が徐々に増加する。
例えば、表面保護膜202を厚さ100μm程度に成長させる条件により、厚さ50μm程度の合金層203が形成される。表面保護膜202を厚さ100μm程度に形成し、また合金層203が厚さ50μm程度に形成されていれば、例えば、1800〜2000℃程度の温度域においても、表面保護膜202がるつぼ本体201より剥がれることがない。
以上に説明したように、本発明に係るるつぼによれば、Mo、W、Taのいずれかまたはこれらの合金から構成したるつぼ本体の表面を、IrおよびRuのいずれかまたはこれらの合金からなる表面保護膜で覆い、これらの間には、合金層が形成されているようにしたので、加熱処理のコストが低減できるようになる。
なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの変形および組み合わせが実施可能であることは明白である。
100…ヒータ、101…発熱体、102…表面保護膜、103…合金層、111…熱処理炉、200…るつぼ、201…るつぼ本体、202…表面保護膜、203…合金層。
Claims (4)
- モリブデン、タングステン、タンタルのいずれかまたはこれらの合金から構成された発熱体と、
前記発熱体の表面を覆って形成され、イリジウムおよびルテニウムのいずれかまたはこれらの合金から構成された表面保護膜と、
前記発熱体と前記表面保護膜との間に形成され、前記発熱体を構成する金属と前記表面保護膜を構成する金属との合金からなる合金層と
を備えるヒータ。 - 請求項1記載のヒータにおいて、
前記合金層は、前記発熱体を構成する金属と前記表面保護膜を構成する金属との組成比が、前記発熱体の側から前記表面保護膜の側にかけて変化していることを特徴とするヒータ。 - モリブデン、タングステン、タンタルのいずれかまたはこれらの合金から構成されたるつぼ本体と、
前記るつぼ本体の表面を覆って形成され、イリジウムおよびルテニウムのいずれかまたはこれらの合金から構成された表面保護膜と、
前記るつぼ本体と前記表面保護膜との間に形成され、前記るつぼ本体を構成する金属と前記表面保護膜を構成する金属との合金からなる合金層と
を備えるるつぼ。 - 請求項3記載のるつぼにおいて、
前記合金層は、前記るつぼ本体を構成する金属と前記表面保護膜を構成する金属との組成比が、前記るつぼ本体の側から前記表面保護膜の側にかけて変化していることを特徴とするるつぼ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019132931A JP2021018890A (ja) | 2019-07-18 | 2019-07-18 | ヒータおよびるつぼ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019132931A JP2021018890A (ja) | 2019-07-18 | 2019-07-18 | ヒータおよびるつぼ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021018890A true JP2021018890A (ja) | 2021-02-15 |
Family
ID=74563786
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019132931A Pending JP2021018890A (ja) | 2019-07-18 | 2019-07-18 | ヒータおよびるつぼ |
Country Status (1)
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---|---|
JP (1) | JP2021018890A (ja) |
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- 2019-07-18 JP JP2019132931A patent/JP2021018890A/ja active Pending
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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