JP2021012654A - 基板処理システム及びプロセスデータ監視方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】プロセスデータの挙動が異なる場合でも、プロセスデータの異常を精度よく検知する基板処理システム及びプロセスデータ監視方法を提供する。【解決手段】基板処理システムは、所定のプロセスに含まれる各ステップが異なる制御条件のもとで実行された場合の、各ステップのプロセスデータを取得する取得部４０１と、各ステップを、前記プロセスデータが変動する第１の区間と、前記プロセスデータの変動が収束する第２の区間とに分け、前記プロセスデータのうち、前記第１の区間に属する第１のデータと、第２の区間に属する第２のデータとを抽出する抽出部４０２と、前記第１のデータを評価する評価値と前記第２のデータを評価する評価値のいずれか一方または両方を、対応する上下限値と対比することで、前記プロセスデータを監視する監視部４１０とを有する。【選択図】図４

Description

本開示は、基板処理システム及びプロセスデータ監視方法に関する。
一般に、成膜システム等の基板処理システムでは、被処理基板（半導体ウエハ）を処理する際、処理容器内のガス圧力を目標ガス圧力に制御しながら所定のプロセスを実行する。かかる基板処理システムの場合、プロセスの実行中に取得したプロセスデータ（圧力データ、流量データ等）を監視することで、プロセスデータの異常を検知している。
一方で、基板処理システムのうち、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法による成膜プロセスを実行する成膜システムでは、１つの被処理基板に対して、複数のプロセス（ＡＬＤサイクル）を実行する。
このとき、当該成膜システムでは、各ＡＬＤサイクルに含まれる各ステップにおいて、異なる制御条件のもとで（目標ガス圧力や供給される処理ガスの流量等の条件が異なる中で）ガス圧力を制御しながら、ＡＬＤサイクルを実行する。このため、当該成膜システムがＡＬＤサイクルの実行中に取得するプロセスデータは、ステップごとに異なる挙動を示すことになる。
特開２０１２−２１６６９７号公報 特開２０１２−１８６２１３号公報
本開示は、プロセスデータの挙動が異なる場合でも、プロセスデータの異常を精度よく検知する基板処理システム及びプロセスデータ監視方法を提供する。
本開示の一態様による基板処理システムは、
所定のプロセスに含まれる各ステップが異なる制御条件のもとで実行された場合の、各ステップのプロセスデータを取得する取得部と、
各ステップを、前記プロセスデータが変動する第１の区間と、前記プロセスデータの変動が収束する第２の区間とに分け、前記プロセスデータのうち、前記第１の区間に属する第１のデータと、第２の区間に属する第２のデータとを抽出する抽出部と、
前記第１のデータを評価する評価値と前記第２のデータを評価する評価値のいずれか一方または両方を、対応する上下限値と対比することで、前記プロセスデータを監視する監視部とを有する。
本開示によれば、プロセスデータの挙動が異なる場合でも、プロセスデータの異常を精度よく検知する基板処理システム及びプロセスデータ監視方法を提供することができる。
成膜システムの一構成例を示す図である。 圧力制御器のコントローラの機能構成の一例及びＡＬＤ法による成膜プロセスを実行する場合のレシピの一例を示す図である。 圧力制御器のコントローラのハードウェア構成の一例を示す図である。 異常検知部の機能構成の詳細の一例を示す図である。 異常検知部による異常検知処理の具体例を示す第１の図である。 異常検知部による異常検知処理の流れを示す第１のフローチャートである。 異常検知部による異常検知処理の効果を説明するための図である。 異常検知部による異常検知処理の具体例を示す第２の図である。 異常検知部による異常検知処理の流れを示す第２のフローチャートである。 異常検知部による異常検知処理の流れを示す第３のフローチャートである。
以下、各実施形態の詳細について、添付の図面を参照しながら説明する。なお、以下の各実施形態では、基板処理システムとして、ＡＬＤ法による成膜プロセスを実行する成膜システム（枚葉式）を例に挙げて説明する。ただし、基板処理システムは、ＡＬＤ法による成膜プロセスを実行する成膜システムに限定されず、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法による成膜プロセスを実行する成膜システムであってもよい。あるいは、成膜プロセス以外のプロセスを実行する基板処理システムであってもよい。また、基板処理システムは、枚葉式に限定されず、バッチ式であってもよく、その場合、基板処理システムは縦型炉であっても、横型炉であってもよい。
また、以下の各実施形態では、ＡＬＤ法による成膜プロセスにおいて、ＡＬＤサイクルの実行中に監視するプロセスデータとして、圧力データを例に挙げて説明する。しかしながら、ＡＬＤサイクルの実行中に監視するプロセスデータは、圧力データに限定されず、流量データや温度データ等の他のプロセスデータであってもよい。
以下、各実施形態を説明するにあたり、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省略する。
［第１の実施形態］
＜成膜システムの構成＞
はじめに、ＡＬＤ法による成膜プロセスを実行する成膜システムの構成例について説明する。図１は、成膜システムの一構成例を示す図である。図１に示すように、成膜システム１００は、処理容器１と、載置台２と、シャワーヘッド３と、排気部４と、ガス供給機構５と、制御部６とを有する。
処理容器１は、アルミニウム等の金属により構成され、略円筒状を有している。処理容器１は、被処理基板である半導体ウエハ（以下「ウエハＷ」という。）を収容する。処理容器１の側壁にはウエハＷを搬入又は搬出するための搬入出口１１が形成され、搬入出口１１はゲートバルブ１２により開閉される。処理容器１の本体の上には、断面が矩形状をなす円環状の排気ダクト１３が設けられている。排気ダクト１３には、内周面に沿ってスリット１３ａが形成されている。排気ダクト１３の外壁には、排気口１３ｂが形成されている。排気ダクト１３の上面には、処理容器１の上部開口を塞ぐように天壁１４が設けられている。排気ダクト１３と天壁１４との間はシールリング１５で気密に封止されている。
載置台２は、処理容器１内でウエハＷを水平に支持する。載置台２は、ウエハＷに対応した大きさの円板状に形成されており、支持部材２３に支持されている。載置台２は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等のセラミックス材料や、アルミニウムやニッケル合金等の金属材料で形成されており、内部にウエハＷを加熱するためのヒータ２１が埋め込まれている。ヒータ２１は、ヒータ電源（図示せず）から給電されて発熱する。そして、載置台２の上面の近傍に設けられた熱電対（図示せず）の温度信号によりヒータ２１の出力を制御することで、ウエハＷが所定の温度に制御される。載置台２には、上面の外周領域及び側面を覆うようにアルミナ等のセラミックスにより形成されたカバー部材２２が設けられている。
載置台２の底面には、載置台２を支持する支持部材２３が設けられている。支持部材２３は、載置台２の底面の中央から処理容器１の底壁に形成された孔部を貫通して処理容器１の下方に延び、その下端が昇降機構２４に接続されている。昇降機構２４により載置台２が支持部材２３を介して、図１で示す処理位置と、その下方の二点鎖線で示すウエハＷの搬送が可能な搬送位置との間で昇降する。支持部材２３の処理容器１の下方には、鍔部２５が取り付けられており、処理容器１の底面と鍔部２５の間には、処理容器１内の雰囲気を外気と区画し、載置台２の昇降動作にともなって伸縮するベローズ２６が設けられている。
処理容器１の底面の近傍には、昇降板２７ａから上方に突出するように３本（２本のみ図示）のウエハ支持ピン２７が設けられている。ウエハ支持ピン２７は、処理容器１の下方に設けられた昇降機構２８により昇降板２７ａを介して昇降する。ウエハ支持ピン２７は、搬送位置にある載置台２に設けられた貫通孔２ａに挿通されて載置台２の上面に対して突没可能となっている。ウエハ支持ピン２７を昇降させることにより、搬送機構（図示せず）と載置台２との間でウエハＷの受け渡しが行われる。
シャワーヘッド３は、処理容器１内に処理ガスをシャワー状に供給する。シャワーヘッド３は、金属製であり、載置台２に対向するように設けられており、載置台２とほぼ同じ直径を有している。シャワーヘッド３は、処理容器１の天壁１４に固定された本体部３１と、本体部３１の下に接続されたシャワープレート３２とを有している。本体部３１とシャワープレート３２との間にはガス拡散空間３３が形成されており、ガス拡散空間３３には処理容器１の天壁１４及び本体部３１の中央を貫通するようにガス導入孔３６、３７が設けられている。シャワープレート３２の周縁部には下方に突出する環状突起部３４が形成されている。環状突起部３４の内側の平坦面には、ガス吐出孔３５が形成されている。載置台２が処理位置に存在した状態では、載置台２とシャワープレート３２との間に処理空間３８が形成され、カバー部材２２の上面と環状突起部３４とが近接して環状隙間３９が形成される。
排気部４は、処理容器１内のガスを排気する。排気部４は、排気口１３ｂに接続された排気配管４１と、排気配管４１に接続された排気機構４２とを有する。処理容器１内のガスはスリット１３ａを介して排気ダクト１３に至り、排気ダクト１３から排気配管４１を通って排気機構４２により排気される。排気機構４２は、圧力制御器４２＿１と真空ポンプ４２＿２とを有する。
ガス供給機構５は、処理容器１内に処理ガスを供給する。ガス供給機構５は、プリカーサ供給源５１ａ、Ｎ２ガス供給源５２ａ、Ｎ２ガス供給源５３ａ、還元ガス供給源５４ａ、還元ガス供給源５５ａ、Ｎ２ガス供給源５６ａ、及びＮ２ガス供給源５７ａを有する。
プリカーサ供給源５１ａは、ガス供給ライン５１ｂを介して塩化タングステンガスであるプリカーサを処理容器１内に供給する。ガス供給ライン５１ｂには、上流側から流量制御器５１ｃ、貯留タンク５１ｄ及びバルブ５１ｅが介設されている。ガス供給ライン５１ｂのバルブ５１ｅの下流側は、ガス導入孔３６に接続されている。プリカーサ供給源５１ａから供給されるプリカーサは処理容器１内に供給される前に貯留タンク５１ｄで一旦貯留され、貯留タンク５１ｄ内で所定の圧力に昇圧された後、処理容器１内に供給される。貯留タンク５１ｄから処理容器１へのプリカーサの供給及び停止は、バルブ５１ｅにより行われる。このように貯留タンク５１ｄへプリカーサを一旦貯留することで、比較的大きい流量で安定的にプリカーサを処理容器１内に供給することができる。
Ｎ２ガス供給源５２ａは、ガス供給ライン５２ｂを介してパージガスであるＮ２ガスを処理容器１内に供給する。ガス供給ライン５２ｂには、上流側から流量制御器５２ｃ、貯留タンク５２ｄ及びバルブ５２ｅが介設されている。ガス供給ライン５２ｂのバルブ５２ｅの下流側は、ガス供給ライン５１ｂに接続されている。Ｎ２ガス供給源５２ａから供給されるＮ２ガスは処理容器１内に供給される前に貯留タンク５２ｄで一旦貯留され、貯留タンク５２ｄ内で所定の圧力に昇圧された後、処理容器１内に供給される。貯留タンク５２ｄから処理容器１へのＮ２ガスの供給及び停止は、バルブ５２ｅにより行われる。このように貯留タンク５２ｄへＮ２ガスを一旦貯留することで、比較的大きい流量で安定的にＮ２ガスを処理容器１内に供給することができる。
Ｎ２ガス供給源５３ａは、ガス供給ライン５３ｂを介してキャリアガスであるＮ２ガスを処理容器１内に供給する。ガス供給ライン５３ｂには、上流側から流量制御器５３ｃ、バルブ５３ｅ及びオリフィス５３ｆが介設されている。ガス供給ライン５３ｂのオリフィス５３ｆの下流側は、ガス供給ライン５１ｂに接続されている。Ｎ２ガス供給源５３ａから供給されるＮ２ガスはウエハＷの成膜中に連続して処理容器１内に供給される。Ｎ２ガス供給源５３ａから処理容器１へのＮ２ガスの供給及び停止は、バルブ５３ｅにより行われる。貯留タンク５１ｄ、５２ｄによってガス供給ライン５１ｂ、５２ｂには比較的大きい流量でガスが供給されるが、オリフィス５３ｆによってガス供給ライン５１ｂ、５２ｂに供給されるガスがＮ２ガス供給ライン５３ｂに逆流することが抑制される。
還元ガス供給源５４ａは、還元ガス供給ライン５４ｂを介して還元ガスを処理容器１内に供給する。還元ガス供給ライン５４ｂには、上流側から流量制御器５４ｃ、バルブ５４ｅ及びオリフィス５４ｆが介設されている。還元ガス供給ライン５４ｂのオリフィス５４ｆの下流側は、ガス導入孔３７に接続されている。還元ガス供給源５４ａから供給される還元ガスはウエハＷの成膜中に連続して処理容器１内に供給される。還元ガス供給源５４ａから処理容器１への還元ガスの供給及び停止は、バルブ５４ｅにより行われる。後述する貯留タンク５５ｄ、５６ｄによってガス供給ライン５５ｂ、５６ｂには比較的大きい流量でガスが供給されるが、オリフィス５４ｆによってガス供給ライン５５ｂ、５６ｂに供給されるガスが還元ガス供給ライン５４ｂに逆流することが抑制される。
還元ガス供給源５５ａは、ガス供給ライン５５ｂを介して還元ガスを処理容器１内に供給する。ガス供給ライン５５ｂには、上流側から流量制御器５５ｃ、貯留タンク５５ｄ及びバルブ５５ｅが介設されている。ガス供給ライン５５ｂのバルブ５５ｅの下流側は、還元ガス供給ライン５４ｂに接続されている。還元ガス供給源５５ａから供給される還元ガスは処理容器１内に供給される前に貯留タンク５５ｄで一旦貯留され、貯留タンク５５ｄ内で所定の圧力に昇圧された後、処理容器１内に供給される。貯留タンク５５ｄから処理容器１への還元ガスの供給及び停止は、バルブ５５ｅにより行われる。このように貯留タンク５５ｄへ還元ガスを一旦貯留することで、比較的大きい流量で安定的に還元ガスを処理容器１内に供給することができる。
Ｎ２ガス供給源５６ａは、ガス供給ライン５６ｂを介してパージガスであるＮ２ガスを処理容器１内に供給する。ガス供給ライン５６ｂには、上流側から流量制御器５６ｃ、貯留タンク５６ｄ及びバルブ５６ｅが介設されている。ガス供給ライン５６ｂのバルブ５６ｅの下流側は、還元ガス供給ライン５４ｂに接続されている。Ｎ２ガス供給源５６ａから供給されるＮ２ガスは処理容器１内に供給される前に貯留タンク５６ｄで一旦貯留され、貯留タンク５６ｄ内で所定の圧力に昇圧された後、処理容器１内に供給される。貯留タンク５６ｄから処理容器１へのＮ２ガスの供給及び停止は、バルブ５６ｅにより行われる。このように貯留タンク５６ｄへＮ２ガスを一旦貯留することで、比較的大きい流量で安定的にＮ２ガスを処理容器１内に供給することができる。
Ｎ２ガス供給源５７ａは、ガス供給ライン５７ｂを介してキャリアガスであるＮ２ガスを処理容器１内に供給する。ガス供給ライン５７ｂには、上流側から流量制御器５７ｃ、バルブ５７ｅ及びオリフィス５７ｆが介設されている。ガス供給ライン５７ｂのオリフィス５７ｆの下流側は、還元ガス供給ライン５４ｂに接続されている。Ｎ２ガス供給源５７ａから供給されるＮ２ガスはウエハＷの成膜中に連続して処理容器１内に供給される。Ｎ２ガス供給源５７ａから処理容器１へのＮ２ガスの供給及び停止は、バルブ５７ｅにより行われる。貯留タンク５５ｄ、５６ｄによってガス供給ライン５５ｂ、５６ｂには比較的大きい流量でガスが供給されるが、オリフィス５７ｆによってガス供給ライン５５ｂ、５６ｂに供給されるガスがＮ２ガス供給ライン５７ｂに逆流することが抑制される。
制御部６は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１０５、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）１１０、ＲＯＭ（Read Only Memory）１１５、ＲＡＭ（Random Access Memory）１２０を有する。ＣＰＵ１０５、ＨＤＤ１１０、ＲＯＭ１１５、ＲＡＭ１２０は、バスＢを介して互いに接続されている。
制御部６は、ＡＬＤ法による成膜プロセスを実行する場合のレシピ（複数のＡＬＤサイクルを含むレシピ）を生成する生成部として機能する。また、制御部６は、生成したレシピをＨＤＤ１１０またはＲＡＭ１２０に設定する設定部として機能する。更に、制御部６は、設定したレシピに含まれる複数のＡＬＤサイクルを実行することで実行部として機能する。
＜圧力制御器のコントローラの機能構成及びレシピの一例＞
次に、排気機構４２に含まれる圧力制御器４２＿１の詳細について説明する。圧力制御器４２＿１には、操作端（例えば、圧力制御バルブ）や圧力センサ、圧力センサにより測定された圧力データと目標ガス圧力（目標値）との偏差に応じた制御データを出力するコントローラ等が含まれる。なお、ここでは、主に、コントローラの機能構成と、該コントローラが動作する際に参照するレシピについて説明する。
図２は、圧力制御器のコントローラの機能構成の一例及びＡＬＤ法による成膜プロセスを実行する場合のレシピの一例を示す図である。
コントローラ２００には、圧力制御プログラムがインストールされており、当該プログラムが実行されることで、コントローラ２００は、圧力制御部２１０及び異常検知部２２０として機能する。
圧力制御部２１０は、圧力制御器４２＿１に含まれる圧力センサ（不図示）により測定された圧力データを取得し、目標ガス圧力との偏差に応じた制御データを出力する。これにより、圧力制御器４２＿１に含まれる操作端（例えば、圧力制御バルブ）が制御され、処理容器１内のガス圧力が目標ガス圧力に制御される。
なお、目標ガス圧力は、レシピ２３０の各ＡＬＤサイクルに含まれるサイクルステップ（ｃｓ）ごとに規定されているものとする。また、圧力制御部２１０によるガス圧力の制御には、例えば、ＰＩＤ制御が用いられるものとする。
異常検知部２２０は、圧力制御器４２＿１に含まれる圧力センサにより測定された圧力データを取得し、レシピ２３０の各ＡＬＤサイクルに含まれるサイクルステップ（ｃｓ）ごとに、取得した圧力データを監視することで、圧力データの異常を検知する。
図２においてレシピ２３０は、ＡＬＤ法による成膜プロセスを実行する場合に制御部６に設定される。以下、図１の成膜システム１００と図２のレシピ２３０とを参照しながら、ＡＬＤ法による成膜プロセスを実行する場合の成膜システム１００の動作（主に、ガス供給機構５側の動作）について簡単に説明する。
＜成膜システムの動作＞
成膜システム１００では、ＡＬＤサイクル１（符号２３１）を実行開始する前に、最初に、バルブ５１ｅ〜５７ｅが閉じられた状態で、ゲートバルブ１２を開いて搬送機構によりウエハＷを処理容器１内に搬送し、搬送位置にある載置台２に載置する。更に、成膜システム１００では、搬送機構を処理容器１内から退避させた後、ゲートバルブ１２を閉じる。更に、成膜システム１００では、載置台２のヒータ２１によりウエハＷを所定の温度（例えば４５０〜６５０℃）に加熱するとともに載置台２を処理位置まで上昇させ、処理空間３８を形成する。更に、成膜システム１００では、排気機構４２の圧力制御バルブにより処理容器１内を所定の圧力（例えば１．３×１０３〜８．０×１０３Ｐａ）に調整する。
続いて、成膜システム１００では、ＡＬＤサイクル１（符号２３１）を実行開始する。具体的には、成膜システム１００は、サイクルステップｃｓ１において、バルブ５３ｅ、５７ｅを開き、Ｎ２ガス供給源５３ａ、５７ａから夫々ガス供給ライン５３ｂ、５７ｂに所定の流量（例えば１００〜３０００ｓｃｃｍ）のキャリアガス（Ｎ２ガス）を供給する。また、成膜システム１００は、サイクルステップｃｓ１において、バルブ５４ｅを開き、還元ガス供給源５４ａから還元ガス供給ライン５４ｂに所定の流量（例えば５００〜８０００ｓｃｃｍ）の還元ガスを供給する。また、成膜システム１００は、サイクルステップｃｓ１において、貯留タンク５２ｄ、５６ｄにそれぞれ貯留されたパージガスを処理容器１内に、所定の時間（例えば０．０５〜５秒）供給する。更に、成膜システム１００は、サイクルステップｃｓ１において、プリカーサ供給源５１ａ及び還元ガス供給源５５ａから夫々プリカーサ及び還元ガスをガス供給ライン５１ｂ、５５ｂに供給する。このとき、バルブ５１ｅ、５５ｅが閉じられているので、プリカーサ及び還元ガスは、貯留タンク５１ｄ、５５ｄに夫々貯留され、貯留タンク５１ｄ、５５ｄ内が昇圧する。
続いて、成膜システム１００は、サイクルステップｃｓ２において、バルブ５１ｅを開き、貯留タンク５１ｄに貯留されたプリカーサを処理容器１内に供給し、ウエハＷの表面に吸着させる。また、成膜システム１００は、サイクルステップｃｓ２において、処理容器１内へのプリカーサの供給に並行して、Ｎ２ガス供給源５２ａ、５６ａからガス供給ライン５２ｂ、５６ｂに夫々パージガス（Ｎ２ガス）を供給する。このとき、バルブ５２ｅ、５６ｅが閉じられたことにより、パージガスは貯留タンク５２ｄ、５６ｄに貯留され、５２ｄ、５６ｄ内が昇圧する。
バルブ５１ｅを開いてから所定の時間（例えば０．０５〜５秒）が経過した後、成膜システム１００は、サイクルステップｃｓ３において、バルブ５１ｅを閉じるとともにバルブ５２ｅ、５６ｅを開く。これにより、成膜システム１００では、処理容器１内へのプリカーサの供給を停止するとともに、貯留タンク５２ｄ、５６ｄに夫々貯留されたパージガスを処理容器１内に供給する。このとき、圧力が上昇した状態の貯留タンク５２ｄ、５６ｄから供給されるので、処理容器１内には比較的大きな流量、例えばキャリアガスの流量よりも大きい流量（例えば５００〜１００００ｓｃｃｍ）でパージガスが供給される。そのため、処理容器１内に残留するプリカーサが速やかに排気配管４１へ排出され、処理容器１内がプリカーサ雰囲気から還元ガス及びＮ２ガスを含む雰囲気に短時間で置換される。一方、バルブ５１ｅが閉じられたことにより、プリカーサ供給源５１ａからガス供給ライン５１ｂに供給されるプリカーサが貯留タンク５１ｄに貯留され、貯留タンク５１ｄ内が昇圧する。
バルブ５２ｅ、５６ｅを開いてから所定の時間（例えば０．０５〜５秒）が経過した後、成膜システム１００は、サイクルステップｃｓ４において、バルブ５２ｅ、５６ｅを閉じるとともにバルブ５５ｅを開く。これにより、成膜システム１００では、処理容器１内へのパージガスの供給を停止するとともに、貯留タンク５５ｄに貯留された還元ガスを処理容器１内に供給し、ウエハＷの表面に吸着したプリカーサを還元する。このとき、バルブ５２ｅ、５６ｅが閉じられたことにより、Ｎ２ガス供給源５２ａ、５６ａからガス供給ライン５２ｂ、５６ｂに夫々供給されるパージガスが貯留タンク５２ｄ、５６ｄに貯留され、貯留タンク５２ｄ、５６ｄ内が昇圧する。
バルブ５５ｅを開いてから所定の時間（例えば０．０５〜５秒）が経過した後、成膜システム１００は、サイクルステップｃｓ５において、バルブ５５ｅを閉じるとともにバルブ５２ｅ、５６ｅを開く。これにより、成膜システム１００では、処理容器１内への還元ガスの供給を停止するとともに、貯留タンク５２ｄ、５６ｄに夫々貯留されたパージガスを処理容器１内に供給する。このとき、圧力が上昇した状態の貯留タンク５２ｄ、５６ｄから供給されるので、処理容器１内には比較的大きな流量、例えばキャリアガスの流量よりも大きい流量（例えば５００〜１００００ｓｃｃｍ）でパージガスが供給される。そのため、処理容器１内に残留する還元ガスが速やかに排気配管４１へ排出され、処理容器１内が還元ガス雰囲気から還元ガス及びＮ２ガスを含む雰囲気に短時間で置換される。一方、バルブ５５ｅが閉じられたことにより、還元ガス供給源５５ａからガス供給ライン５５ｂに供給される還元ガスが貯留タンク５５ｄに貯留され、貯留タンク５５ｄ内が昇圧する。
バルブ５２ｅ、５６ｅを開いてから所定の時間（例えば、０．０５〜５秒）が経過すると、成膜システム１００では、再び、サイクルステップｃｓ１に戻る。そして、成膜システム１００では、上記サイクルステップｃｓ１〜サイクルステップｃｓ５を所定回数繰り返した後、次のＡＬＤサイクル（"ＡＬＤサイクル２"（符号２３２））に切り替える。このように、成膜システム１００では、サイクルステップ（ｃｓ）ごとに規定された流量の処理ガスが供給されるよう、バルブ５１ｅ、５５ｅ、５２ｅ、５６ｅの開閉を高速に制御しながら、ＡＬＤ法による成膜プロセスを実行する。
＜コントローラのハードウェア構成＞
次に、圧力制御器４２＿１のコントローラ２００のハードウェア構成について説明する。図３は、圧力制御器のコントローラのハードウェア構成の一例を示す図である。図３に示すように、コントローラ２００は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）３０１、ＲＯＭ（Read Only Memory）３０２、ＲＡＭ（Random Access Memory）３０３を有する。ＣＰＵ３０１、ＲＯＭ３０２、ＲＡＭ３０３は、いわゆるコンピュータを形成する。
また、コントローラ２００は、補助記憶部３０４、表示部３０５、入力部３０６、Ｉ／Ｆ（Interface）部３０７を有する。なお、コントローラ２００の各ハードウェアは、バス３０８を介して相互に接続されている。
ＣＰＵ３０１は、補助記憶部３０４にインストールされている各種プログラム（例えば、上述した圧力制御プログラム等）を実行するデバイスである。ＲＯＭ３０２は、不揮発性メモリである。ＲＯＭ３０２は、補助記憶部３０４にインストールされている各種プログラムをＣＰＵ３０１が実行するために必要な各種プログラムやデータ等を格納する、主記憶デバイスとして機能する。具体的には、ＲＯＭ３０２はＢＩＯＳ（Basic Input/Output System）やＥＦＩ（Extensible Firmware Interface）等のブートプログラム等を格納する。
ＲＡＭ３０３は、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）やＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）等の揮発性メモリである。ＲＡＭ３０３は、補助記憶部３０４にインストールされている各種プログラムがＣＰＵ３０１によって実行される際に展開される作業領域を提供する、主記憶デバイスとして機能する。
補助記憶部３０４は、各種プログラムや、各種プログラムが実行される際に用いられる情報を格納する補助記憶デバイスである。後述するデータ格納部は、補助記憶部３０４において実現される。
表示部３０５は、コントローラ２００の内部状態（例えば、圧力データの異常を検知したことを示す情報）を表示する表示デバイスである。入力部３０６は、コントローラ２００に対して、作業者が各種指示を入力するための入力デバイスである。
Ｉ／Ｆ部３０７は、圧力制御器４２＿１に含まれる操作端（例えば、圧力制御バルブ）や圧力センサ等と接続するための接続デバイスである。
＜異常検知部の機能構成の詳細＞
次に、異常検知部２２０の機能構成の詳細について説明する。図４は、異常検知部の機能構成の詳細を示す図である。図４に示すように、異常検知部２２０は、データ取得部４０１、区間抽出部４０２、監視部４１０、表示制御部４２１を有し、監視部４１０は、更に、動特性区間評価値算出部４１１、静特性区間評価値算出部４１２、評価部４１３を有する。
データ取得部４０１は取得部の一例であり、圧力制御器４２＿１に含まれる圧力センサにより測定された圧力データを、Ｉ／Ｆ部３０７を介して取得する。また、データ取得部４０１は、圧力制御部２１０より通知されるレシピ２３０のＡＬＤサイクルに含まれる各サイクルステップに基づいて、取得した圧力データを、サイクルステップ単位で抽出し、区間抽出部４０２に通知する。
区間抽出部４０２は抽出部の一例であり、サイクルステップ単位で通知された圧力データを処理し、各サイクルステップを、圧力データが変動する動特性区間（第１の区間）と、圧力データの変動が収束する静特性区間（第２の区間）とに分ける。
具体的には、区間抽出部４０２は、まず、サイクルステップ内の圧力データについて、サイクルステップの始点からサイクルステップの終点に向かって、順次、所定の時間長ずつ標準偏差を算出していく。
続いて、区間抽出部４０２は、サイクルステップの始点からサイクルステップの終点までの間のそれぞれの位置で算出した標準偏差の中から、所定の条件を満たす標準偏差を有する位置を、安定開始点として特定する。ここでいう所定の条件には、例えば、
・所定の閾値以下であること、
・所定の時間長以上、連続していること、
・上記２点を満たす最初の標準偏差であること、
等が含まれる。
続いて、区間抽出部４０２は、安定開始点から所定の時間長経過した位置を、動特性区間と静特性区間との境界（安定点と称す）と判定する。
なお、区間抽出部４０２は、サイクルステップの始点からサイクルステップの終点に向かって、安定点より手前の区間を、動特性区間と判定し、安定点より先の区間を、静特性区間と判定する。
区間抽出部４０２は、サイクルステップ内の圧力データのうち、動特性区間に属する圧力データ（第１のデータ）及び安定開始点を、動特性区間評価値算出部４１１に通知する。また、区間抽出部４０２は、サイクルステップ内の圧力データのうち、静特性区間に属する圧力データ（第２のデータ）を、静特性区間評価値算出部４１２に通知する。
動特性区間評価値算出部４１１は、区間抽出部４０２より通知された、動特性区間に属する圧力データを統計処理する。具体的には、動特性区間評価値算出部４１１は、動特性区間に属する圧力データと目標ガス圧力との差分を算出し、
・差分の最小値、
・差分の最大値、
・安定開始点における差分、
・サイクルステップの始点から安定開始点までの時間長、
を算出する（これらを動特性区間に属する圧力データを評価する動特性区間評価値と称する）。
また、動特性区間評価値算出部４１１は、算出した動特性区間評価値を、評価部４１３に通知する。
静特性区間評価値算出部４１２は、区間抽出部４０２より通知された、静特性区間に属する圧力データを統計処理する。具体的には、静特性区間評価値算出部４１２は、静特性区間に属する圧力データと目標ガス圧力との差分を算出し、
・差分の最大値、
・差分の最小値、
・差分の平均値、
・差分の標準偏差、
を算出する（これらを、静特性区間に属する圧力データを評価する静特性区間評価値と称する）。
また、静特性区間評価値算出部４１２は、算出した静特性区間評価値を、評価部４１３に通知する。
評価部４１３は、動特性区間評価値算出部４１１より通知された動特性区間評価値を評価する。評価部４１３は、動特性区間評価値を評価するためのパラメータとして、
・差分の最小値が正常か異常かを評価する上下限値、
・差分の最大値が正常か異常かを評価する上下限値、
・安定開始点における差分が正常か異常かを評価する上下限値、
・サイクルステップの始点から安定開始点までの時間長が正常か異常かを評価する上下限値、
を有する。評価部４１３は、対応する上下限値を用いて動特性区間評価値を評価し、圧力データが異常であると判定した場合に、表示制御部４２１に通知する。
また、評価部４１３は、静特性区間評価値算出部４１２より通知された静特性区間評価値を評価する。評価部４１３は、静特性区間評価値を評価するためのパラメータとして、
・差分の最大値が正常か異常かを評価する上下限値、
・差分の最小値が正常か異常かを評価する上下限値、
・差分の平均値が正常か異常かを評価する上下限値、
・差分の標準偏差が正常か異常かを評価する上下限値、
を有する。評価部４１３は、対応する上下限値を用いて静特性区間評価値を評価し、圧力データが異常であると判定した場合に、表示制御部４２１に通知する。
表示制御部４２１は、評価部４１３より圧力データが異常である旨の通知を受け取った場合、表示部３０５に、当該サイクルステップの圧力データにおいて異常が検知されたことを示す情報を表示する。なお、表示制御部４２１は、制御部６が、レシピ２３０に基づいてウエハＷを成膜するＡＬＤサイクルの実行中に、リアルタイムに、圧力データにおいて異常が検知されたことを示す情報を表示する。ただし、表示制御部４２１は、制御部６が、レシピ２３０に基づいてウエハＷを成膜する全てのＡＬＤサイクルについて実行完了後に、圧力データにおいて異常が検知されたことを示す情報を表示してもよい。
＜異常検知部による異常検知処理の具体例＞
次に、異常検知部２２０による異常検知処理の具体例について説明する。図５は、異常検知部による異常検知処理の具体例を示す第１の図である。
このうち、図５（ａ）は、データ取得部４０１により抽出された、１サイクルステップ分の圧力データの一例であり、横軸は時間を、縦軸は圧力を表している。また、符号５０１は、当該サイクルステップにおける目標ガス圧力を示しており、符号５０２は、当該サイクルステップにおいて測定された圧力データを示している。
また、図５（ｂ）は、区間抽出部４０２により、図５（ａ）に示すサイクルステップを、動特性区間と静特性区間とに分けた様子を示している。時間＝Ｔ４は、当該サイクルステップにおける安定点を表している。
また、図５（ｃ）は、動特性区間評価値算出部４１１により算出された動特性区間評価値と、静特性区間評価値算出部４１２により算出された静特性区間評価値とを表している。図５（ｃ）に示すように符号５０２の例の場合、動特性区間に属する圧力データと目標ガス圧力との差分の最大値は、動特性区間の始点位置の圧力データと目標ガス圧力との差分により算出される。また、動特性区間に属する圧力データと目標ガス圧力との差分の最小値は、安定点の圧力データと目標ガス圧力との差分により算出される。また、符号５０２の例の場合、静特性区間に属する圧力データと目標ガス圧力との差分の最大値、最小値、平均値は、概ね同じ値となる（なお、差分の標準偏差は概ねゼロとなる）。
＜異常検知処理の流れ＞
次に、異常検知部２２０による異常検知処理の流れについて説明する。図６は、異常検知部による異常検知処理の流れを示す第１のフローチャートである。
ステップＳ６０１において、データ取得部４０１は、制御部６が、レシピ２３０に含まれる複数のＡＬＤサイクルを実行中か否かを判定する。
ステップＳ６０１において、レシピ２３０に含まれる複数のＡＬＤサイクルを実行中でないと判定した場合には（ステップＳ６０１においてＮｏの場合には）、ステップＳ６０９に進む。一方、ステップＳ６０１において、レシピ２３０に含まれる複数のＡＬＤサイクルを実行中であると判定した場合には（ステップＳ６０１においてＹｅｓの場合には）、ステップＳ６０２に進む。
ステップＳ６０２において、データ取得部４０１は、制御部６が、レシピ２３０に含まれる複数のＡＬＤサイクルのうち、処理ガスを排気するサイクルステップ（例えば、サイクルステップｃｓ３、ｃｓ５）を処理中であるか否かを判定する。
ステップＳ６０２において、制御部６が、処理ガスを排気するサイクルステップを処理中でないと判定した場合には（ステップＳ６０２においてＮｏの場合には）、ステップＳ６０１に戻る。一方、ステップＳ６０２において、処理ガスを排気するサイクルステップ（例えば、サイクルステップｃｓ３、ｃｓ５）を処理中であると判定した場合には（ステップＳ６０２においてＹｅｓの場合には）、ステップＳ６０３に進む。
ステップＳ６０３において、データ取得部４０１は、制御部６が現在処理中のサイクルステップに含まれる圧力データを取得し、サイクルステップ単位で区間抽出部４０２に通知する。
ステップＳ６０４において、区間抽出部４０２は、データ取得部４０１よりサイクルステップ単位で通知された圧力データを処理し、現在処理中のサイクルステップを、動特性区間と静特性区間とに分ける。
ステップＳ６０５において、動特性区間評価値算出部４１１は、動特性区間に属する圧力データを統計処理し、動特性区間評価値を算出する。
ステップＳ６０６において、静特性区間評価値算出部４１２は、静特性区間に属する圧力データを統計処理し、静特性区間評価値を算出する。
ステップＳ６０７において、評価部４１３は、算出された動特性区間評価値が所定の上下限値内に含まれ、かつ、算出された静特性区間評価値が所定の上下限値内に含まれるか否かを判定する。
ステップＳ６０７において、動特性区間評価値が所定の上下限値内に含まれ、かつ、静特性区間評価値が所定の上下限値内に含まれると判定された場合には（ステップＳ６０７においてＹｅｓの場合には）、ステップＳ６０９に進む。
一方、ステップＳ６０７において、動特性区間評価値が所定の上下限値内に含まれないと判定された場合、あるいは、静特性区間評価値が所定の上下限値内に含まれないと判定された場合には（ステップＳ６０７においてＮｏの場合には）、ステップＳ６０８に進む。
ステップＳ６０８において、評価部４１３は、圧力データが異常であると判定し、表示制御部４２１に通知する。表示制御部４２１は、当該サイクルステップにおいて、圧力データにおいて異常が検知されたことを示す情報を表示することで、作業者に通知する。
ステップＳ６０９において、データ取得部４０１は、異常検知処理を終了するか否かを判定する。ステップＳ６０９において、異常検知処理を継続すると判定した場合には（ステップＳ６０９においてＮｏの場合には）、ステップＳ６０１に戻る。一方、ステップＳ６０９において、異常検知処理を終了すると判定した場合には（ステップＳ６０９においてＹｅｓの場合には）、異常検知処理を終了する。
＜異常検知部による異常検知処理の効果＞
次に、異常検知部２２０による異常検知処理の効果について説明する。図７は、異常検知部による異常検知処理の効果を説明するための図である。
このうち、図７（ａ）は、比較例の異常検知部による異常検知処理の一例を示している。比較例の異常検知部の場合、サイクルステップ単位で圧力データを処理する際、動特性区間と静特性区間とに分けることなく、圧力データと目標ガス圧力との差分の平均値を、評価値として算出するように構成されているものとする。図７（ａ）において、横軸は時間を、縦軸は圧力を表している。
図７（ａ）に示すように、動特性区間と静特性区間とに分けることなく、サイクルステップ単位で圧力データと目標ガス圧力との差分の平均値を算出した場合、サイクルステップ間の平均値の変動幅は大きくなる。これは、サイクルステップごとに、
・目標ガス圧力が異なる、あるいは、
・目標ガス圧力の変動幅（１つ前のサイクルステップの目標ガス圧力との差分）が異なる、あるいは、
・処理容器１に供給される処理ガスの流量が異なる、
等、異なる制御条件のもとでガス圧力が制御されているからである。サイクルステップごとに異なる制御条件のもとでガス圧力が制御された場合、圧力データが目標ガス圧力に収束するまでの間の挙動が、サイクルステップごとに大きく異なることになる。この結果、図７（ａ）に示すように、サイクルステップ単位で算出した平均値は変動幅が大きくなる。
このように、評価値の変動幅が大きいと、異常を検知するための上下限値を、矢印７１１で示す圧力範囲に基づいて設定することとなり、矢印７１０で示す圧力範囲に埋もれた異常を検知することができなくなる。反対に、評価値の変動幅が大きいにも関わらず、異常を検知するための上下限値を、矢印７１０で示す圧力範囲に基づいて設定すると、正常な圧力データを、異常な圧力データと誤検知することになる。
一方、図７（ｂ）は、異常検知部２２０が、サイクルステップ単位で圧力データを処理する際、動特性区間と静特性区間とに分け、静特性区間に属する圧力データと目標ガス圧力との差分の平均値を算出した結果を示している。図７（ｂ）において、横軸は時間を、縦軸は圧力を表している。ただし、図７（ｂ）の縦軸は、図７（ａ）の縦軸の１／１０程度のレンジとしている。図７（ａ）の矢印７１０で示す圧力範囲と、図７（ｂ）の矢印７２０で示す圧力範囲とは、概ね同じ圧力範囲を示している。
図７（ｂ）に示すように、サイクルステップを動特性区間と静特性区間とに分け、静特性区間に属する圧力データと目標ガス圧力との差分の平均値を算出した場合、サイクルステップ間の平均値の変動幅は小さくなる。このため、異常を検知するための上下限値を、矢印７２０で示す圧力範囲に基づいて設定することが可能となり、矢印７２０で示す圧力範囲に埋もれた異常を精度よく検知することができる。
つまり、異常検知部２２０によれば、サイクルステップごとに圧力データの挙動が大きく異なる場合であっても、圧力データの異常を精度よく検知することができる。
＜まとめ＞
以上の説明から明らかなように、第１の実施形態に係る成膜システム１００は、
・ＡＬＤ法による成膜プロセスにおいて、各サイクルステップが異なる制御条件のもとで実行された場合の圧力データを、サイクルステップごとに取得する。
・サイクルステップごとに取得した圧力データに基づいて、各サイクルステップを、動特性区間と静特性区間とに分け、動特性区間に属する圧力データと、静特性区間に属する圧力データとを抽出する。
・動特性区間に属する圧力データを評価する動特性区間評価値と、静特性区間に属する圧力データを評価する静特性区間評価値のいずれか一方または両方を、対応する上下限値と対比することで、圧力データを監視する。
このように、圧力データを動特性区間と静特性区間とに分けることで、動特性区間と静特性区間とに分けない場合と比較して、評価値の変動幅を小さくすることができる。これにより、当該変動幅に応じた上下限値に基づいて、圧力データを監視することが可能となる。
この結果、第１の実施形態によれば、ＡＬＤ法による成膜プロセスのように、各サイクルステップにおいて圧力データの挙動が異なる場合でも、圧力データの異常を精度よく検知することができる。
［第２の実施形態］
上記第１の実施形態では、区間抽出部４０２が、サイクルステップ単位で通知された圧力データを処理し、各サイクルステップを、動特性区間と静特性区間とに分けるものとして説明した。しかしながら、サイクルステップ単位で通知された圧力データの中には、サイクルステップ内に目標ガス圧力に収束しない圧力データも含まれ、区間抽出部４０２が、動特性区間と静特性区間とに分けることができない場合もある。この場合、動特性区間評価値算出部４１１及び静特性区間評価値算出部４１２では、動特性区間評価値及び静特性区間評価値を算出することができない。
そこで、第２の実施形態では、区間抽出部４０２が、動特性区間と静特性区間とに分けることができなかった場合に、動特性区間評価値算出部４１１が、サイクルステップの終点手前の所定の時間範囲に含まれる圧力データと目標ガス圧力との差分の平均値を算出する。そして、評価部４１３では、動特性区間評価値算出部４１１が算出した平均値に基づいて、当該サイクルステップの圧力データを監視する。
これにより、第２の実施形態によれば、動特性区間と静特性区間とに分けることができない圧力データが含まれていた場合であっても、当該圧力データの異常を検知することができる。以下、第２の実施形態について、上記第１の実施形態との相違点を中心に説明する。
＜異常検知部による異常検知処理の具体例＞
はじめに、第２の実施形態に係る異常検知部２２０による異常検知処理の具体例について説明する。図８は、異常検知部による異常検知処理の具体例を示す第２の図である。
図５との相違点は、図８（ａ）の場合、符号８０２で示す圧力データが、１サイクルステップ内で符号８０１で示す目標ガス圧力に収束していない点である。また、図８（ｂ）の場合、１サイクルステップを動特性区間と静特性区間とにわけることができていない点である。更に、図８（ｃ）の場合、動特性区間評価値及び静特性区間評価値が算出されることなく、サイクルステップの終点手前の所定の時間範囲（例えば、１０秒間）に含まれる圧力データと目標ガス圧力との差分の平均値が、評価値として算出される点である。
＜異常検知処理の流れ＞
次に、第２の実施形態に係る異常検知部２２０による異常検知処理の流れについて説明する。図９は、異常検知部による異常検知処理の流れを示す第２のフローチャートである。図６との相違点は、ステップＳ９０１からステップＳ９０３である。
ステップＳ９０１において、区間抽出部４０２は、データ取得部４０１よりサイクルステップ単位で通知された圧力データに基づいて、現在処理中のサイクルステップを、動特性区間と静特性区間とに分けることができたか否かを判定する。
ステップＳ９０１において、サイクルステップを動特性区間と静特性区間とに分けることができたと判定した場合には（ステップＳ９０１においてＹｅｓの場合には）、ステップＳ６０５に進む。一方、ステップＳ９０１において、動特性区間と静特性区間とに分けることができなかったと判定した場合には（ステップＳ９０１においてＮｏの場合には）、ステップＳ９０２に進む。
ステップＳ９０２において、動特性区間評価値算出部４１１は、サイクルステップの終点手前の所定の時間範囲に含まれる圧力データと目標ガス圧力との差分の平均値を、評価値として算出する。
ステップＳ９０３において、評価部４１３は、ステップＳ９０２において算出された評価値が所定の上下限値内に含まれるか否かを判定する。ステップＳ９０３において、所定の上下限値内に含まれると判定された場合には（ステップＳ９０３においてＹｅｓの場合には）、ステップＳ６０９に進む。
一方、ステップＳ９０３において、所定の上下限値内に含まれないと判定された場合には、ステップＳ６０８に進む。
＜まとめ＞
以上の説明から明らかなように、第２の実施形態に係る成膜システム１００は、上記第１の実施形態において説明した機能に加えて、更に、
・サイクルステップ単位で取得された圧力データに基づいて、各サイクルステップを、動特性区間と静特性区間とに分けることができるか否かを判定する。
・動特性区間と静特性区間とに分けることができないと判定した場合に、サイクルステップの終点手前の所定の時間範囲に含まれる圧力データと目標ガス圧力との差分の平均値を算出する。
・算出した平均値を上下限値と対比することで、圧力データを監視する。
このように、第２の実施形態によれば、動特性区間と静特性区間とに分けることができない場合であっても、圧力データの異常を検知することが可能となる。
［第３の実施形態］
上記第２の実施形態において、評価部４１３は、動特性区間評価値と、静特性区間評価値のいずれか一方または両方を、対応する上下限値と対比することで、圧力データを監視するものとして説明した。
これに対して、第３の実施形態では、まず、静特性区間評価値と対応する上下限値とを対比することで、圧力データの異常を検知する。続いて、圧力データの異常を検知した場合には、上下限値を超える静特性区間評価値の種類に応じた処置を作業者に促す。続いて動特性区間評価値と対応する上下限値とを対比し、上下限値を超える場合には、動特性区間評価値の種類に応じた処置を作業者に促す。
これにより、作業者は、圧力データにおいて異常が検知されたことを示す情報が通知された場合に、適切な処置を行うことができる。
以下、第３の実施形態について、上記第２の実施形態との相違点を中心に説明する。
＜異常検知処理の流れ＞
はじめに、第３の実施形態に係る異常検知部２２０による異常検知処理の流れについて説明する。図１０は、異常検知部による異常検知処理の流れを示す第３のフローチャートである。図９との相違点は、ステップＳ１００１からステップＳ１００５、ステップＳ１００６である。
ステップＳ１００１において、評価部４１３は、算出された静特性区間評価値が所定の上下限値内に含まれるか否かを判定する。
ステップＳ１００１において、静特性区間評価値が所定の上下限値内に含まれると判定された場合には（ステップＳ１００１においてＹｅｓの場合には）、ステップＳ６０９に進む。
一方、ステップＳ１００１において、静特性区間評価値が所定の上下限値内に含まれないと判定された場合には（ステップＳ１００１においてＮｏの場合には）、ステップＳ１００２に進む。
ステップＳ１００２において、評価部４１３は、圧力データが異常であると判定し、表示制御部４２１に通知する。表示制御部４２１は、当該サイクルステップにおいて、圧力データの異常が検知されたことを示す情報を表示することで、作業者に通知する。また、評価部４１３は、静特性区間評価値のうち、差分の平均値が上下限値を超えていた場合にあっては、膜厚への影響があると判断し、膜厚測定結果を確認するよう作業者に促す。
ステップＳ１００３において、動特性区間評価値算出部４１１は、動特性区間に属する圧力データを統計処理し、動特性区間評価値を算出する。
ステップＳ１００４において、評価部４１３は、算出された動特性区間評価値が所定の上下限値内に含まれるか否かを判定する。
ステップＳ１００４において、動特性区間評価値が所定の上下限値内に含まれると判定された場合には（ステップＳ１００４においてＹｅｓの場合には）、ステップＳ６０９に進む。
一方、ステップＳ１００４において、動特性区間評価値が所定上下限値内に含まれないと判定された場合には（ステップＳ１００４においてＮｏの場合には）、ステップＳ１００５に進む。
ステップＳ１００５において、評価部４１３は、動特性区間評価値のうち、差分の最大値が所定の上限値を上回っていた場合にあっては、異常の原因として、処理ガスが多い可能性があると判断し、ガス供給系の調査を作業者に促す。また、評価部４１３は、動特性区間評価値のうち、差分の最小値が所定の下限値を下回っていた場合にあっては、異常の原因として、圧力センサのゼロ点がずれていると判断し、圧力センサの校正を作業者に促す。更に、評価部４１３は、動特性区間評価値のうち、安定開始点までの時間が所定の上限値を上回っていた場合にあっては、圧力制御部２１０のＰＩＤパラメータが適切でないと判断し、時定数が小さくなるようにＰＩＤパラメータを調整することを作業者に促す。
ステップＳ１００６において、評価部４１３は、当該サイクルステップにおいて圧力データが安定しなかったことで膜厚への影響があると判断し、膜厚測定結果を確認するよう作業者に促す。
＜まとめ＞
以上の説明から明らかなように、第３の実施形態に係る成膜システム１００は、上記第２の実施形態において説明した機能に加えて、更に、
・上下限値を超える静特性区間評価値の種類に応じた処置を作業者に促す。
・上下限値を超える動特性区間評価値の種類に応じた処置を作業者に促す。
・上下限値を超える評価値の種類に応じた処置を作業者に促す。
このように、第３の実施形態によれば、圧力データにおいて異常が検知されたことを作業者に通知することに加えて、適切な処置を作業者に促すことができる。
［その他の実施形態］
上記第３の実施形態では、静特性区間評価値が所定の上下限値を超えていた場合に、動特性区間評価値を算出するものとして説明した。しかしながら、第１の実施形態と同様に、動特性区間評価値は、静特性区間評価値と並行して算出するように構成してもよい。
また、上記各実施形態では、基板処理システムとして、ＡＬＤ法による成膜プロセスを実行する成膜システム（枚葉式）を例に挙げて説明したが、例えば、ＣＶＤ法による成膜プロセスを実行する成膜システムにおいても同様に適用可能であることはいうまでもない。あるいは、成膜プロセス以外のプロセスを実行する基板処理システムにおいても同様に適用可能であることはいうまでもない。更には、枚葉式の基板処理システムに限定されず、バッチ式の基板処理システムにおいても同様に適用可能であり、その場合、縦型炉の基板処理システムにおいても、横型炉の基板処理システムにおいても同様に適用可能であることはいうまでもない。
また、上記各実施形態では、プロセスデータとして圧力データを例に挙げて説明したが、圧力データ以外のプロセスデータ（例えば、流量データ、温度データ）についても同様に適用可能であることはいうまでもない。例えば、ガス供給機構５が処理容器１内に処理ガスを供給する際の流量データをプロセスデータとし、当該プロセスデータにおける異常を検知するように構成してもよい。あるいは、処理容器１内の温度データをプロセスデータとして、当該プロセスデータにおける異常を検知するように構成してもよい。
また、上記各実施形態では、成膜システム１００が実行する成膜プロセスとしてＡＬＤ法による成膜プロセスについて説明した。しかしながら、成膜システム１００は、ＡＬＤ法による成膜プロセス以外の成膜プロセスを実行してもよい。あるいは、成膜システム１００以外の基板処理システムが、他の半導体プロセスを実行してもよい。
また、上記各実施形態では、異常検知部２２０をコントローラ２００において実現するものとして説明した。しかしながら、異常検知部２２０は、コントローラ２００とは別体の解析装置において実現するように構成してもよい。あるいは、異常検知部２２０が有する機能の一部を、コントローラ２００とは別体の解析装置において実現するように構成してもよい。
なお、上記実施形態に挙げた構成等に、その他の要素との組み合わせ等、ここで示した構成に本発明が限定されるものではない。これらの点に関しては、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で変更することが可能であり、その応用形態に応じて適切に定めることができる。
４ ：排気部
４２ ：排気機構
４２＿１ ：圧力制御器
４２＿２ ：真空ポンプ
１００ ：成膜システム
２００ ：コントローラ
２１０ ：圧力制御部
２２０ ：異常検知部
２３０ ：レシピ
４０１ ：データ取得部
４０２ ：区間抽出部
４１０ ：監視部
４１１ ：動特性区間評価値算出部
４１２ ：静特性区間評価値算出部
４１３ ：評価部
４２１ ：表示制御部

Claims (9)

  1. 所定のプロセスに含まれる各ステップが異なる制御条件のもとで実行された場合の、各ステップのプロセスデータを取得する取得部と、
    各ステップを、前記プロセスデータが変動する第１の区間と、前記プロセスデータの変動が収束する第２の区間とに分け、前記プロセスデータのうち、前記第１の区間に属する第１のデータと、第２の区間に属する第２のデータとを抽出する抽出部と、
    前記第１のデータを評価する評価値と前記第２のデータを評価する評価値のいずれか一方または両方を、対応する上下限値と対比することで、前記プロセスデータを監視する監視部と
    を有する基板処理システム。
  2. 前記抽出部は、前記プロセスデータについて、ステップの始点から終点に向かって、所定の時間長ずつ標準偏差を算出し、算出したそれぞれの標準偏差のうち、所定の条件を満たす標準偏差に対応する位置を境界として、各ステップを、前記第１の区間と前記第２の区間とに分ける、請求項１に記載の基板処理システム。
  3. 前記第１のデータの評価値には、前記各ステップの制御条件に含まれるプロセスデータの目標値と前記第１のデータとの差分の最小値、最大値、前記各ステップにおいて前記プロセスデータの変動が収束した位置における、前記第１のデータと前記目標値との差分、前記各ステップにおける始点から該収束した位置までの時間、が含まれ、
    前記第２のデータの評価値には、前記各ステップの制御条件に含まれるプロセスデータの目標値と前記第２のデータとの差分の最大値、最小値、平均値、標準偏差が含まれる、請求項２に記載の基板処理システム。
  4. 前記抽出部が、いずれかのステップを、前記第１の区間と前記第２の区間とに分けることができなかった場合、前記監視部は、該ステップの終点手前の所定の時間長の前記プロセスデータの評価値を、対応する上下限値と対比することで、前記プロセスデータを監視する、請求項２に記載の基板処理システム。
  5. 前記監視部は、前記第２のデータの評価値のいずれかが、対応する上下限値を超えた場合に、前記プロセスデータが異常であると判定し、前記プロセスデータが異常であると判定した場合に、前記第１のデータの評価値を、対応する上下限値と対比する、請求項３に記載の基板処理システム。
  6. 前記監視部は、前記プロセスデータが異常であると判定した場合に、上下限値を超えた評価値の種類に応じて、前記プロセスデータの異常による影響を判断する、請求項５に記載の基板処理システム。
  7. 前記監視部は、前記第１のデータの評価値のいずれかが、対応する上下限値を超えた場合に、対応する上下限値を超えた評価値の種類に応じて、前記プロセスデータの異常が検知された原因を判断する、請求項５に記載の基板処理システム。
  8. 前記監視部は、前記プロセスデータの評価値が、対応する上下限値を超えた場合に、前記プロセスデータが異常であると判定し、前記プロセスデータの異常による影響を判断する、請求項４に記載の基板処理システム。
  9. 所定のプロセスに含まれる各ステップが異なる制御条件のもとで実行された場合の、各ステップのプロセスデータを取得する取得工程と、
    各ステップを、前記プロセスデータが変動する第１の区間と、前記プロセスデータの変動が収束する第２の区間とに分け、前記プロセスデータのうち、前記第１の区間に属する第１のデータと、第２の区間に属する第２のデータとを抽出する抽出工程と、
    前記第１のデータを評価する評価値と前記第２のデータを評価する評価値のいずれか一方または両方を、対応する上下限値と対比することで、前記プロセスデータを監視する監視工程と
    を有するプロセスデータ監視方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230140546A (ko) 2022-03-23 2023-10-06 주식회사 히타치하이테크 진단 장치, 반도체 제조 장치 시스템, 반도체 장치 제조 시스템 및 진단 방법

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11972971B2 (en) * 2021-03-05 2024-04-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer lift pin system

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000311012A (ja) * 1999-04-27 2000-11-07 Toshiba Corp プロセスデータ評価方法および装置、静特性データ抽出方法および装置、ならびにプログラムを記憶した記憶媒体
JP2010236302A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Hitachi Constr Mach Co Ltd 作業機械の学習診断システム、状態診断装置及び状態学習装置
JP2019016209A (ja) * 2017-07-07 2019-01-31 株式会社東芝 診断装置、診断方法およびコンピュータプログラム
JP2019061995A (ja) * 2017-09-25 2019-04-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 異常検知装置、及び異常検知方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5774331B2 (ja) 2011-03-03 2015-09-09 株式会社日立国際電気 基板処理システム、管理装置、データ解析方法、及びデータ解析プログラム
JP5855841B2 (ja) * 2011-04-01 2016-02-09 株式会社日立国際電気 管理装置
JP6785699B2 (ja) * 2017-03-28 2020-11-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び制御装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000311012A (ja) * 1999-04-27 2000-11-07 Toshiba Corp プロセスデータ評価方法および装置、静特性データ抽出方法および装置、ならびにプログラムを記憶した記憶媒体
JP2010236302A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Hitachi Constr Mach Co Ltd 作業機械の学習診断システム、状態診断装置及び状態学習装置
JP2019016209A (ja) * 2017-07-07 2019-01-31 株式会社東芝 診断装置、診断方法およびコンピュータプログラム
JP2019061995A (ja) * 2017-09-25 2019-04-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 異常検知装置、及び異常検知方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230140546A (ko) 2022-03-23 2023-10-06 주식회사 히타치하이테크 진단 장치, 반도체 제조 장치 시스템, 반도체 장치 제조 시스템 및 진단 방법

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