JP2020084253A - 処理方法及び処理装置 - Google Patents
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
Abstract
【課題】成膜処理の再現性を向上させることができる技術を提供する。【解決手段】本開示の一態様による処理方法は、有機金属化合物を用いたALD法又はCVD法により処理容器内に収容された基板の上に金属膜を形成する成膜処理を実行する処理装置における処理方法であって、前記処理装置の待機時間が予め設定した設定時間以上であるか否かを判定するステップと、前記待機時間が前記設定時間以上である場合に前記処理容器に対してコンディショニング処理を実行するステップと、を有する。【選択図】図2
Description
本開示は、処理方法及び処理装置に関する。
成膜処理と、還元ガスプラズマによるコンディショニング処理と、を交互に所定回数行った後、成膜処理によってチャンバ内に付着した堆積物をプラズマエッチングで除去するクリーニング処理を行う技術が知られている(例えば、特許文献1参照)。
本開示は、成膜処理の再現性を向上させることができる技術を提供する。
本開示の一態様による処理方法は、有機金属化合物を用いたALD法又はCVD法により処理容器内に収容された基板の上に金属膜を形成する成膜処理を実行する処理装置における処理方法であって、前記処理装置の待機時間が予め設定した設定時間以上であるか否かを判定するステップと、前記待機時間が前記設定時間以上である場合に前記処理容器に対してコンディショニング処理を実行するステップと、を有する。
本開示によれば、成膜処理の再現性を向上させることができる技術を提供する。
以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。
〔処理装置〕
一実施形態の処理方法を実施するのに好適な処理装置について、減圧可能な処理容器内で原子層堆積(ALD)法又は化学気相堆積(CVD)法によりTaN膜を形成する装置を例に挙げて説明する。ただし、処理装置は、以下で説明するTaN膜を形成する装置に限定されるものではない。図1は、一実施形態の処理方法を実施するのに好適な処理装置の構成例を示す概略図である。
一実施形態の処理方法を実施するのに好適な処理装置について、減圧可能な処理容器内で原子層堆積(ALD)法又は化学気相堆積(CVD)法によりTaN膜を形成する装置を例に挙げて説明する。ただし、処理装置は、以下で説明するTaN膜を形成する装置に限定されるものではない。図1は、一実施形態の処理方法を実施するのに好適な処理装置の構成例を示す概略図である。
図1に示されるように、処理装置100は、処理容器1と、載置台2と、シャワーヘッド3と、排気部4と、ガス供給機構5と、制御部9とを有する。
処理容器1は、アルミニウム等の金属により構成され、略円筒状を有している。処理容器1は、基板の一例である半導体ウエハ(以下「ウエハW」という。)を収容する。処理容器1の側壁にはウエハWを搬入又は搬出するための搬入出口11が形成されている。搬入出口11は、ゲートバルブ12により開閉される。処理容器1の本体の上には、断面が矩形状をなす円環状の排気ダクト13が設けられている。排気ダクト13には、内周面に沿ってスリット13aが形成されている。排気ダクト13の外壁には、排気口13bが形成されている。排気ダクト13の上面には、処理容器1の上部開口を塞ぐように天壁14が設けられている。排気ダクト13と天壁14との間は、シールリング15で気密に封止されている。
載置台2は、処理容器1内でウエハWを水平に支持する。載置台2は、ウエハWに対応した大きさの円板状に形成されている。載置台2は、AlN等のセラミックス材料や、アルミニウムやニッケル合金等の金属材料で形成されており、内部にウエハWを加熱するためのヒータ21が埋め込まれている。ヒータ21は、ヒータ電源(図示せず)から給電されて発熱する。そして、載置台2の上面の近傍に設けられた熱電対(図示せず)の温度信号によりヒータ21の出力を制御することで、ウエハWが所定の温度に制御される。載置台2には、上面の外周領域及び側面を覆うようにアルミナ(Al2O3)等のセラミックス材料により形成されたカバー部材22が設けられている。
載置台2の底面には、載置台2を支持する支持部材23が設けられている。支持部材23は、載置台2の底面の中央から処理容器1の底壁に形成された孔部を貫通して処理容器1の下方に延び、その下端が昇降機構24に接続されている。昇降機構24は、支持部材23を介して載置台2を、図1で示す処理位置と、その下方の二点鎖線で示すウエハWの搬送が可能な搬送位置との間で昇降させる。支持部材23の処理容器1の下方には、鍔部25が取り付けられており、処理容器1の底面と鍔部25の間には、処理容器1内の雰囲気を外気と区画し、載置台2の昇降動作にともなって伸縮するベローズ26が設けられている。
処理容器1の底面の近傍には、昇降板27aから上方に突出するように3本(2本のみ図示)のウエハ支持ピン27が設けられている。ウエハ支持ピン27は、処理容器1の下方に設けられた昇降機構28により昇降板27aを介して昇降する。ウエハ支持ピン27は、搬送位置にある載置台2に設けられた貫通孔2aに挿通されて載置台2の上面に対して突没可能となっている。ウエハ支持ピン27を昇降させることにより、搬送機構(図示せず)と載置台2との間でウエハWの受け渡しが行われる。
シャワーヘッド3は、処理容器1内に処理ガスをシャワー状に供給する。シャワーヘッド3は、金属により形成されている。シャワーヘッド3は、載置台2に対向するように設けられており、載置台2とほぼ同じ直径を有している。シャワーヘッド3は、処理容器1の天壁14に固定された本体部31と、本体部31の下に接続されたシャワープレート32とを有する。本体部31とシャワープレート32との間にはガス拡散空間33が形成されており、ガス拡散空間33には処理容器1の天壁14及び本体部31の中央を貫通するようにガス導入孔36,37が設けられている。シャワープレート32の周縁部には、下方に突出する環状突起部34が形成されている。環状突起部34の内側の平坦面には、ガス吐出孔35が形成されている。載置台2が処理位置に存在した状態では、載置台2とシャワープレート32との間に処理空間38が形成され、カバー部材22の上面と環状突起部34とが近接して環状隙間39が形成される。
排気部4は、処理容器1の内部を排気する。排気部4は、排気口13bに接続された排気配管41と、排気配管41に接続された真空ポンプや圧力制御バルブ等を有する排気機構42とを有する。処理に際しては、処理容器1内のガスがスリット13aを介して排気ダクト13に至り、排気ダクト13から排気配管41を通って排気機構42により排気される。
ガス供給機構5は、処理容器1内に処理ガスを供給する。ガス供給機構5は、Ta原料ガス供給源51a、N2ガス供給源53a、NH3ガス供給源55a、N2ガス供給源57aを有する。
Ta原料ガス供給源51aは、ガス供給ライン51bを介して有機金属化合物ガスであるTa原料ガスを処理容器1内に供給する。ガス供給ライン51bには、上流側から流量制御器51c、貯留タンク51d及びバルブ51eが介設されている。ガス供給ライン51bのバルブ51eの下流側は、ガス導入孔36に接続されている。Ta原料ガス供給源51aから供給されるTa原料ガスは処理容器1内に供給される前に貯留タンク51dで一旦貯留され、貯留タンク51d内で所定の圧力に昇圧された後、処理容器1内に供給される。貯留タンク51dから処理容器1へのTa原料ガスの供給及び停止は、バルブ51eの開閉により行われる。このように貯留タンク51dへTa原料ガスを一旦貯留することで、比較的大きい流量のTa原料ガスを処理容器1内に安定して供給できる。
N2ガス供給源53aは、ガス供給ライン53bを介してキャリアガスであるN2ガスを処理容器1内に供給すると共に、パージガスとしての機能を有する。ガス供給ライン53bには、上流側から流量制御器53c、バルブ53e及びオリフィス53fが介設されている。ガス供給ライン53bのオリフィス53fの下流側は、ガス供給ライン51bに接続されている。N2ガス供給源53aから供給されるN2ガスは、ウエハWの成膜中に連続して処理容器1内に供給される。N2ガス供給源53aから処理容器1へのN2ガスの供給及び停止は、バルブ53eの開閉により行われる。貯留タンク51dによってガス供給ライン51bには比較的大きい流量でガスが供給されるが、オリフィス53fによってガス供給ライン51bに供給されるガスがN2ガス供給ライン53bに逆流することが抑制される。なお、パージガス供給ラインとキャリアガス供給ラインを別々に設けてもよい。
NH3ガス供給源55aは、ガス供給ライン55bを介して還元ガスであるNH3ガスを処理容器1内に供給する。ガス供給ライン55bには、上流側から流量制御器55c、貯留タンク55d及びバルブ55eが介設されている。ガス供給ライン55bのバルブ55eの下流側は、ガス導入孔37に接続されている。NH3ガス供給源55aから供給されるNH3ガスは処理容器1内に供給される前に貯留タンク55dで一旦貯留され、貯留タンク55d内で所定の圧力に昇圧された後、処理容器1内に供給される。貯留タンク55dから処理容器1へのNH3ガスの供給及び停止は、バルブ55eの開閉により行われる。このように貯留タンク55dへNH3ガスを一旦貯留することで、比較的大きい流量のNH3ガスを処理容器1内に安定して供給できる。
N2ガス供給源57aは、ガス供給ライン57bを介してキャリアガスであるN2ガスを処理容器1内に供給すると共に、パージガスとしての機能を有する。ガス供給ライン57bには、上流側から流量制御器57c、バルブ57e及びオリフィス57fが介設されている。ガス供給ライン57bのオリフィス57fの下流側は、ガス供給ライン55bに接続されている。N2ガス供給源57aから供給されるN2ガスは、ウエハWの成膜中に連続して処理容器1内に供給される。N2ガス供給源57aから処理容器1へのN2ガスの供給及び停止は、バルブ57eの開閉により行われる。貯留タンク55dによってガス供給ライン55bには比較的大きい流量でガスが供給されるが、オリフィス57fによってガス供給ライン55bに供給されるガスがN2ガス供給ライン57bに逆流することが抑制される。なお、パージガス供給ラインとキャリアガス供給ラインを別々に設けてもよい。
制御部9は、例えばコンピュータであり、CPU(Central Processing Unit)、RAM(Random Access Memory)、ROM(Read Only Memory)、補助記憶装置等を備える。CPUは、ROM又は補助記憶装置に格納されたプログラムに基づいて動作し、処理装置100の動作を制御する。制御部9は、処理装置100の内部に設けられていてもよく、外部に設けられていてもよい。制御部9が処理装置100の外部に設けられている場合、制御部9は、有線又は無線等の通信手段によって、処理装置100を制御できる。
〔処理方法〕
一実施形態の処理方法について、前述の処理装置100における処理方法を例に挙げて説明する。以下では、成膜処理が終了した後、所定の時間(例えば1分)が経過しても処理装置100が次の成膜処理を開始する信号(以下「成膜開始信号」という。)を受信しない場合、処理装置100が待機状態に移行するものとして説明する。なお、待機状態とは、成膜開始信号を受信した場合に直ちに成膜処理を開始できる状態であり、例えば処理容器1内に常時N2ガス、Arガス等の不活性ガスを供給している状態である。ただし、待機状態は、例えば処理容器1内を真空に維持した状態であってもよい。
一実施形態の処理方法について、前述の処理装置100における処理方法を例に挙げて説明する。以下では、成膜処理が終了した後、所定の時間(例えば1分)が経過しても処理装置100が次の成膜処理を開始する信号(以下「成膜開始信号」という。)を受信しない場合、処理装置100が待機状態に移行するものとして説明する。なお、待機状態とは、成膜開始信号を受信した場合に直ちに成膜処理を開始できる状態であり、例えば処理容器1内に常時N2ガス、Arガス等の不活性ガスを供給している状態である。ただし、待機状態は、例えば処理容器1内を真空に維持した状態であってもよい。
図2は、一実施形態の処理方法を示すフローチャートである。以下の処理方法は、制御部9によって所定の時間ごとに繰り返し実行される。
まず、制御部9は、処理装置100の待機時間を取得する(ステップS1)。待機時間は、処理装置100において成膜処理及びコンディショニング処理のうち最後に実行された処理が終了した時点からの経過時間である。なお、成膜処理及びコンディショニング処理については後述する。
続いて、制御部9は、ステップS1で取得した待機時間が予め設定した設定時間以上であるか否かを判定する(ステップS2)。設定時間は、成膜処理において形成する膜の種類に応じて定めることができ、例えばTaN膜を形成する場合には1時間〜4時間の範囲内とすることができる。
ステップS2において待機時間が設定時間未満であると判定した場合、制御部9は、成膜開始信号を受信したか否かを判定する(ステップS3)。
ステップS3において成膜開始信号を受信していない場合、制御部9は、処理を終了する。一方、ステップS3において成膜開始信号を受信した場合、制御部9は、処理装置100の各部の動作を制御することにより、成膜処理を実行する(ステップS4)。成膜処理は、有機金属化合物を用いたALD法又はCVD法により処理容器1内に収容されたウエハWの上に金属膜を形成する処理である。ALD法の一例としては、有機金属化合物ガスの供給と還元ガスの供給とをパージを挟んで交互に繰り返す処理が挙げられる。有機金属化合物を構成する金属としては、例えばチタン(Ti)、タンタル(Ta)、タングステン(W)が挙げられる。還元ガスとしては、例えばアンモニア(NH3)ガス等の窒素含有ガスが挙げられる。成膜処理が終了した後、制御部9は処理を終了する。
ステップS2において待機時間が設定時間以上であると判定した場合、制御部9は、処理装置100の各部の動作を制御することにより、コンディショニング処理を実行する(ステップS5)。コンディショニング処理は、処理容器1内にウエハWを収容していない状態で、処理容器1内に予め定めた設定膜厚の膜を形成する処理である。設定膜厚は、例えば2nm以上、望ましくは10nm以上であることが好ましい。コンディショニング処理は、成膜処理と同じ温度で実行されることが好ましい。これにより、コンディショニング処理を実行した直後に成膜処理を実行する場合であっても、温度変更が不要であるので、コンディショニング処理から成膜処理に短時間で移行できる。また、コンディショニング処理の条件は、成膜処理の条件と同一又は略同一であることがより好ましい。成膜処理の条件と略同一とは、成膜処理に対して処理の時間のみが異なる処理を意味し、例えば成膜処理の時間よりも長い時間の処理を意味する。例えば、成膜処理が有機金属化合物ガスの供給と還元ガスの供給とをパージを挟んで交互に繰り返す処理である場合、コンディショニング処理は有機金属化合物ガスの供給と還元ガスの供給とをパージを挟んで交互に繰り返す処理であることが好ましい。このようにコンディショニング処理が成膜処理と同一の処理又は略同一の処理であることにより、コンディショニング処理専用のプロセスレシピが不要となるので、レシピ管理が容易となる。コンディショニング処理が終了した後、制御部9は処理を終了する。
(成膜処理)
次に、成膜処理について、図1を参照して説明した処理装置100を用いてウエハWの上にTaN膜を形成する場合を例に挙げて説明する。
次に、成膜処理について、図1を参照して説明した処理装置100を用いてウエハWの上にTaN膜を形成する場合を例に挙げて説明する。
まず、バルブ51e,53e,55e,57eが閉じられた状態で、ゲートバルブ12を開いて搬送機構(図示せず)によりウエハWを処理容器1内に搬送し、搬送位置にある載置台2に載置する。搬送機構を処理容器1内から退避させた後、ゲートバルブ12を閉じる。載置台2のヒータ21によりウエハWを所定の温度に加熱すると共に載置台2を処理位置まで上昇させ、処理空間38を形成する。また、排気機構42の圧力制御バルブ(図示せず)により処理容器1内を所定の圧力に調整する。
次いで、バルブ53e,57eを開き、N2ガス供給源53a,57aから夫々ガス供給ライン53b,57bにキャリアガス(N2ガス)を供給する。また、Ta原料ガス供給源51aからTa原料ガスをガス供給ライン51bに供給し、NH3ガス供給源55aからNH3ガスをガス供給ライン55bに供給する。このとき、バルブ51e,55eが閉じられているので、Ta原料ガス及びNH3ガスは、貯留タンク51d,55dに夫々貯留され、貯留タンク51d,55d内が昇圧する。
次いで、バルブ51eを開き、貯留タンク51dに貯留されたTa原料ガスを処理容器1内に供給し、ウエハWの表面に吸着させる。
バルブ51eを開いてから所定の時間が経過した後、バルブ51eを閉じることにより、処理容器1内へのTa原料ガスの供給を停止する。このとき、処理容器1内にはキャリアガスが供給されているため、処理容器1内に残留するTa原料ガスが排気配管41へと排出され、処理容器1内がTa原料ガス雰囲気からN2ガス雰囲気に置換される。一方、バルブ51eが閉じられたことにより、Ta原料ガス供給源51aからガス供給ライン51bに供給されるTa原料ガスが貯留タンク51dに貯留され、貯留タンク51d内が昇圧する。
バルブ51eを閉じてから所定の時間が経過した後、バルブ55eを開く。これにより、貯留タンク55dに貯留されたNH3ガスを処理容器1内に供給し、ウエハWの表面に吸着したTa原料ガスを還元する。
バルブ55eを開いてから所定の時間が経過した後、バルブ55eを閉じることにより、処理容器1内へのNH3ガスの供給を停止する。このとき、処理容器1内にはキャリアガスが供給されているため、処理容器1内に残留するNH3ガスが排気配管41へと排出され、処理容器1内がNH3ガス雰囲気からN2ガス雰囲気に置換される。一方、バルブ55eが閉じられたことにより、NH3ガス供給源55aからガス供給ライン55bに供給されるNH3ガスが貯留タンク55dに貯留され、貯留タンク55d内が昇圧する。
上記のサイクルを1回実施することにより、ウエハWの表面に薄いTaN単位膜を形成する。そして、上記のサイクルを複数回繰り返すことにより所望の膜厚のTaN膜を形成する。その後、処理容器1内への搬入時とは逆の手順でウエハWを処理容器1から搬出する。
(コンディショニング処理)
次に、図1を参照して説明した処理装置100を用いて、処理容器1に対してコンディショニング処理を実行する場合を例に挙げて説明する。以下、載置台2にウエハWが載置されていない状態で、載置台2の温度が成膜処理の温度に維持され、処理容器1内にN2ガス供給源53a,57aから夫々N2ガスが供給されている状態からコンディショニング処理を開始する場合を説明する。また、コンディショニング処理の条件が成膜処理の条件と同一である場合を説明する。
次に、図1を参照して説明した処理装置100を用いて、処理容器1に対してコンディショニング処理を実行する場合を例に挙げて説明する。以下、載置台2にウエハWが載置されていない状態で、載置台2の温度が成膜処理の温度に維持され、処理容器1内にN2ガス供給源53a,57aから夫々N2ガスが供給されている状態からコンディショニング処理を開始する場合を説明する。また、コンディショニング処理の条件が成膜処理の条件と同一である場合を説明する。
まず、載置台2にウエハWが載置されていない状態で、載置台2を処理位置まで上昇させ、処理空間38を形成する。また、排気機構42の圧力制御バルブ(図示せず)により処理容器1内を所定の圧力に調整する。
次いで、バルブ53e,57eを開き、N2ガス供給源53a,57aから夫々ガス供給ライン53b,57bにキャリアガス(N2ガス)を供給する。また、Ta原料ガス供給源51aからTa原料ガスをガス供給ライン51bに供給し、NH3ガス供給源55aからNH3ガスをガス供給ライン55bに供給する。このとき、バルブ51e,55eが閉じられているので、Ta原料ガス及びNH3ガスは、貯留タンク51d,55dに夫々貯留され、貯留タンク51d,55d内が昇圧する。
次いで、バルブ51eを開き、貯留タンク51dに貯留されたTa原料ガスを処理容器1内に供給し、処理容器1内の表面に吸着させる。
バルブ51eを開いてから所定の時間が経過した後、バルブ51eを閉じることにより、処理容器1内へのTa原料ガスの供給を停止する。このとき、処理容器1内にはキャリアガスが供給されているため、処理容器1内に残留するTa原料ガスが排気配管41へと排出され、処理容器1内がTa原料ガス雰囲気からN2ガス雰囲気に置換される。一方、バルブ51eが閉じられたことにより、Ta原料ガス供給源51aからガス供給ライン51bに供給されるTa原料ガスが貯留タンク51dに貯留され、貯留タンク51d内が昇圧する。
バルブ51eを閉じてから所定の時間が経過した後、バルブ55eを開く。これにより、貯留タンク55dに貯留されたNH3ガスを処理容器1内に供給し、処理容器1内の表面に吸着したTa原料ガスを還元する。
バルブ55eを開いてから所定の時間が経過した後、バルブ55eを閉じることにより、処理容器1内へのNH3ガスの供給を停止する。このとき、処理容器1内にはキャリアガスが供給されているため、処理容器1内に残留するNH3ガスが排気配管41へと排出され、処理容器1内がNH3ガス雰囲気からN2ガス雰囲気に置換される。一方、バルブ55eが閉じられたことにより、NH3ガス供給源55aからガス供給ライン55bに供給されるNH3ガスが貯留タンク55dに貯留され、貯留タンク55d内が昇圧する。
上記のサイクルを1回実施することにより、処理容器1内の表面に薄いTaN単位膜を形成する。そして、上記のサイクルを複数回繰り返すことにより設定膜厚のTaN膜を形成する。
以上に説明した一実施形態の処理方法によれば、処理装置100の待機時間が予め設定した設定時間以上である場合に処理容器1に対してコンディショニング処理を実行する。これにより、処理容器1内に堆積しているTaN膜の変質を抑制し、且つ、処理容器1内に滞在するアウトガス(脱ガス)成分を有機金属化合物ガス、還元ガス等の成膜処理で使用するガスで置換でき、処理容器1内の環境を整えることができる。その結果、成膜処理の再現性を向上させることができる。
ところで、従来では、長い待機時間の後に成膜処理を実行することにより形成される金属膜において、膜厚の面内バラツキが大きくなるといった膜厚異常が生じる場合があった。図3は、待機時間とTaN膜の膜厚の面内バラツキとの関係の一例を示す図である。図3中、待機時間[h]を横軸に示し、TaN膜の膜厚の面内バラツキσ/平均[%]を縦軸に示す。
図3に示されるように、待機時間が0〜4時間の場合にはTaN膜の膜厚の面内バラツキσ/平均は2〜3%程度と低い値を維持しているが、待機時間が7時間以上の場合にはTaN膜の膜厚の面内バラツキσ/平均が10%程度と高い値となっている。このような待機時間が長くなることを原因とする膜厚異常は、TaN膜以外の金属膜においても生じ得る。
そして、待機時間が長くなることを原因とする膜厚異常が発生した場合、従来では、ClF3ガス等のエッチングガスを用いたドライクリーニング及び膜厚が500nm以上のプリコート膜の成膜を行っていた。このようにドライクリーニング及びプリコート膜の成膜を行うと、成膜処理ができない時間であるダウンタイムが8時間以上発生する。
これに対し、一実施形態の処理方法では、処理装置100の待機時間が予め設定した設定時間以上である場合に処理容器1に対してコンディショニング処理を実行するので、処理装置100が待機状態にあることを原因とする膜厚異常の発生を未然に防止できる。その結果、膜厚の面内バラツキを低く抑えることができる。また、処理装置100のダウンタイムが低減するので、装置稼働率が向上する。
〔実施例〕
次に、一実施形態の処理方法の効果を確認した実施例について説明する。図4は、一実施形態の処理方法による効果の説明図である。図4中、稼働日数[日]を横軸に示し、TaN膜の膜厚の面内バラツキσ/平均[%]を縦軸に示す。なお、図4においては、装置立上時の稼働日数を0日とし、菱形印が示されていない期間は処理装置が待機状態であることを示す。
次に、一実施形態の処理方法の効果を確認した実施例について説明する。図4は、一実施形態の処理方法による効果の説明図である。図4中、稼働日数[日]を横軸に示し、TaN膜の膜厚の面内バラツキσ/平均[%]を縦軸に示す。なお、図4においては、装置立上時の稼働日数を0日とし、菱形印が示されていない期間は処理装置が待機状態であることを示す。
実施例では、稼働日数が20日、90日、120日、185日及び254日であるとき(図4中の一点鎖線を参照)に、ClF3ガスを用いたドライクリーニング及び膜厚が500nm以上のプリコート膜の成膜を行った。また、実施例では、稼働日数が0日〜120日の期間については、待機時間が予め設定した設定時間以上になってもコンディショニング処理を実行しない運用期間とした。一方、稼働日数が120日〜300日の期間については、待機時間が1時間以上になった場合にコンディショニング処理を実行する運用期間とした。なお、コンディショニング処理の条件は、成膜処理の条件と略同一とし、処理の時間のみを変更して処理容器1内に膜厚が10nmのTaN膜を形成した。
図4に示されるように、コンディショニング処理を実行しなかった0日〜120日の期間では、装置立上時の直後においては、TaN膜の膜厚の面内バラツキが5%以下であるが、稼働日数が長くなるとTaN膜の膜厚の面内バラツキが5〜30%に悪化した。また、面内バラツキが悪化した後にClF3ガスを用いたドライクリーニング及び膜厚が500nm以上のプリコート膜の成膜を行った場合、その直後においては、TaN膜の膜厚の面内バラツキは5%程度に回復した。しかしながら、稼働日数が長くなるとTaN膜の膜厚の面内バラツキが悪化した。
これに対して、コンディショニング処理を実行した120日〜300日の期間では、ClF3ガスを用いたドライクリーニング及び膜厚が500nm以上のプリコート膜の成膜の後、稼働日数が長くなってもTaN膜の膜厚の面内バラツキは5%程度でほとんど変動せずに安定していた。
以上の結果から、処理装置100の待機時間が1時間経過するごとに処理容器1に対してコンディショニング処理を実行することにより、成膜処理の再現性を向上させることができると言える。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
上記の実施形態では、ウエハを1枚ずつ処理する枚葉式の装置を例に挙げて説明したが、これに限定されない。例えば、一度に複数のウエハに対して処理を行うバッチ式の装置であってもよい。
上記の実施形態では、基板として半導体ウエハを例に挙げて説明したが、半導体ウエハはシリコンウエハであってもよく、GaAs、SiC、GaN等の化合物半導体ウエハであってもよい。また、基板は半導体ウエハに限定されず、液晶表示装置等のFPD(フラットパネルディスプレイ)に用いるガラス基板や、セラミック基板等であってもよい。
1 処理容器
5 ガス供給機構
9 制御部
100 処理装置
W ウエハ
5 ガス供給機構
9 制御部
100 処理装置
W ウエハ
Claims (11)
- 有機金属化合物を用いたALD法又はCVD法により処理容器内に収容された基板の上に金属膜を形成する成膜処理を実行する処理装置における処理方法であって、
前記処理装置の待機時間が予め設定した設定時間以上であるか否かを判定するステップと、
前記待機時間が前記設定時間以上である場合に前記処理容器に対してコンディショニング処理を実行するステップと、
を有する、
処理方法。 - 前記待機時間は、前記成膜処理及び前記コンディショニング処理のうち最後に実行された処理が終了した時点からの経過時間である、
請求項1に記載の処理方法。 - 前記コンディショニング処理は、前記処理容器内に基板を収容していない状態で、前記処理容器内に予め定めた設定膜厚の膜を形成する処理である、
請求項1又は2に記載の処理方法。 - 前記設定膜厚は、10nm以上である、
請求項3に記載の処理方法。 - 前記成膜処理及び前記コンディショニング処理は、有機金属化合物ガスの供給と還元ガスの供給とをパージを挟んで交互に繰り返す処理である、
請求項1乃至4のいずれか一項に記載の処理方法。 - 前記コンディショニング処理は、前記成膜処理と同じ温度で実行される、
請求項1乃至5のいずれか一項に記載の処理方法。 - 前記コンディショニング処理の時間は、前記成膜処理の時間よりも長い、
請求項1乃至6のいずれか一項に記載の処理方法。 - 前記設定時間は、1時間〜4時間の範囲内である、
請求項1乃至7のいずれか一項に記載の処理方法。 - 前記有機金属化合物は、Ti、Ta、Wの少なくともいずれかの金属を含む、
請求項1乃至8のいずれか一項に記載の処理方法。 - 前記金属膜は、TaN膜である、
請求項1乃至9のいずれか一項に記載の処理方法。 - 有機金属化合物を用いたALD法又はCVD法により処理容器内に収容された基板の上に金属膜を形成する成膜処理を実行する処理装置であって、
減圧可能な処理容器と、
前記処理容器内に有機金属化合物ガスを供給するガス供給部と、
制御部と、
を有し、
前記制御部は、
前記処理装置の待機時間が予め設定した設定時間以上であるか否かを判定し、前記待機時間が前記設定時間以上である場合に前記処理容器に対してコンディショニング処理を実行する、
処理装置。
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WO2009119627A1 (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 金属系膜の成膜方法および記憶媒体 |
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