JP2021009877A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、処理チャンバ内で基板に所定の処理を実行する基板処理装置および基板処理方法に関するものであり、特に処理チャンバに対する基板の搬入および搬出に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for performing a predetermined process on a substrate in a processing chamber, and more particularly to carrying in and out of a substrate to the processing chamber.
半導体基板、表示装置用ガラス基板等の各種基板の処理工程には、基板が処理チャンバに収容された状態で行われる処理が含まれる場合がある。この場合、処理の前後で、チャンバと外部との間での基板の受け渡しが必然的に生じる。このような基板の受け渡しをスムーズに行うために、基板を平板状のトレイに載置した状態で処理チャンバ内に搬入するように構成された装置がある。 The processing process of various substrates such as a semiconductor substrate and a glass substrate for a display device may include processing performed in a state where the substrate is housed in a processing chamber. In this case, the transfer of the substrate between the chamber and the outside inevitably occurs before and after the processing. In order to smoothly deliver such a substrate, there is an apparatus configured to carry the substrate into the processing chamber in a state of being placed on a flat tray.
例えば、特許文献1に記載の基板処理装置は、超臨界流体を用いて基板の乾燥処理を行うための装置である。この装置では、処理チャンバの側面に設けられたスリット状の開口を介して基板の出し入れを行うために、基板が平板トレイ状の保持板に載置された状態でチャンバ内に搬入される。
For example, the substrate processing apparatus described in
処理チャンバ内での処理には、基板の温度上昇を伴うものがある。例えば特許文献1に記載の超臨界乾燥処理においても、超臨界状態を実現するためにチャンバ内を高温・高圧状態にする必要がある。そのため、処理直後においては基板や処理チャンバ内の構成部品が高温となっている。このことは、複数の基板を連続的に処理する場合に問題となり得る。というのは、先の基板の処理直後に未処理の基板が装置に搬入されると、高温状態の構成部品に触れるまたは接近することで基板の温度が上昇してしまい、このことが処理プロセスに悪影響を及ぼすことがあるからである。特に、未処理基板が何らかの液体または固体の表面層で覆われた状態で搬入される場合、表面層が温められることで変質したり、揮発して基板表面が露出したりすることがある。
Some processing in the processing chamber involves an increase in the temperature of the substrate. For example, even in the supercritical drying treatment described in
この問題を解決するために、例えば特許文献2に記載されたように、処理後の基板を冷却するための機構を処理チャンバ内に設けることも考えられる。しかしながら、この場合には、処理後の基板が冷却されてから外部へ搬出されることとなるため、1枚の基板に対する処理時間が長くなり、処理のスループットが低下するという問題が生じる。
In order to solve this problem, for example, as described in
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、基板の温度上昇を伴う処理であっても、スループットの低下を生じさせず、複数の基板を効率よく処理することのできる技術を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and provides a technique capable of efficiently processing a plurality of substrates without causing a decrease in throughput even in a process involving a temperature rise of the substrate. The purpose.
この発明の一の態様は、上記目的を達成するため、基板を処理するための処理空間を形成し、側部に前記処理空間と連通する開口を有する処理チャンバと、上面が処理対象の前記基板を水平姿勢に支持する支持面となった平板形状を有し、前記開口を介して前記処理空間に対し挿抜可能な支持トレイと、前記処理チャンバ外に設けられて、前記処理チャンバから引き出された前記支持トレイとの間で前記基板を受け渡す移載機構とを備える基板処理装置である。ここで、前記移載機構は、前記支持トレイに設けられた貫通孔を介して上端部が前記支持面よりも上方に突出して前記基板の下面に当接することで、前記基板を下方から支持可能な複数のリフトピンと、前記複数のリフトピンが取り付けられたベース部と、前記ベース部を昇降させる昇降部とを有し、前記昇降部が、前記ベース部の上面が前記支持トレイの下面に近接または当接する位置まで上昇し前記リフトピンの前記上端部が前記支持面よりも上方に突出する上部位置と、前記リフトピンの前記上端部が前記支持面よりも下方に退避する下部位置との間で前記ベース部を昇降させる。 In one aspect of the present invention, in order to achieve the above object, a processing chamber for processing a substrate is formed, a processing chamber having an opening communicating with the processing space on a side surface, and the substrate whose upper surface is a processing target. A support tray having a flat plate shape as a support surface for supporting the vehicle in a horizontal posture and being able to be inserted into and removed from the processing space through the opening, and a support tray provided outside the processing chamber and pulled out from the processing chamber. It is a substrate processing apparatus including a transfer mechanism for transferring the substrate to and from the support tray. Here, the transfer mechanism can support the substrate from below by having the upper end portion projecting upward from the support surface and abutting against the lower surface of the substrate through a through hole provided in the support tray. It has a plurality of lift pins, a base portion to which the plurality of lift pins are attached, and a lifting portion for raising and lowering the base portion, and the upper surface of the base portion is close to or lower than the lower surface of the support tray. The base is located between an upper position where the upper end of the lift pin rises to an abutting position and the upper end of the lift pin protrudes above the support surface and a lower position where the upper end of the lift pin retracts below the support surface. Move the part up and down.
また、この発明の他の一の態様は、上記目的を達成するため、処理チャンバ内で基板を処理する基板処理方法において、移載機構が、未処理の前記基板を、上面が前記基板を水平姿勢に支持する支持面となった平板形状を有する支持トレイに載置する工程と、前記支持トレイが前記処理チャンバの側部に設けられた開口を介して前記処理チャンバ内に進入することで前記基板を前記処理チャンバ内に搬入する工程と、前記処理チャンバ内で前記基板に対し所定の処理を実行する工程と、前記移載機構が、前記処理チャンバから取り出された前記支持トレイに載置されている処理済みの前記基板を前記支持トレイから外部へ払い出す工程とを備えている。ここで、前記移載機構は、前記支持トレイに設けられた貫通孔を介して複数のリフトピンを昇降させることで前記支持トレイとの間で前記基板を受け渡し、前記複数のリフトピンは共通のベース部に取り付けられて前記ベース部と一体的に昇降し、前記処理済みの基板を払い出す際、前記ベース部の上面が前記支持トレイの下面に近接または当接して前記支持トレイを冷却する。 Further, in another aspect of the present invention, in order to achieve the above object, in a substrate processing method for processing a substrate in a processing chamber, the transfer mechanism makes the unprocessed substrate horizontal to the upper surface of the substrate. The step of placing the support tray on a support tray having a flat plate shape as a support surface for supporting the posture and the support tray entering the processing chamber through an opening provided on a side portion of the processing chamber. The step of bringing the substrate into the processing chamber, the step of executing a predetermined process on the substrate in the processing chamber, and the transfer mechanism are placed on the support tray taken out from the processing chamber. It is provided with a step of ejecting the processed substrate from the support tray to the outside. Here, the transfer mechanism transfers the substrate to and from the support tray by raising and lowering the plurality of lift pins through the through holes provided in the support tray, and the plurality of lift pins have a common base portion. When the treated substrate is discharged, the upper surface of the base portion approaches or comes into contact with the lower surface of the support tray to cool the support tray.
このように構成された発明では、基板が平板状の支持トレイに載置された状態で処理チャンバへの出し入れが行われる。具体的には、基板を支持可能な複数のリフトピンが共通のベース部に取り付けられており、ベース部の昇降によりリフトピンが一体的に昇降することで、支持トレイ上で基板が上下する。これにより外部装置と支持トレイとの間でリフトピンを介した基板の受け渡しが行われる。複数のリフトピンが一体のベース部に取り付けられることで、リフトピンを機械的に安定して保持することができる。また複数のリフトピンが一体的に昇降するため、細長いリフトピンを個別に昇降させる場合よりも安定した姿勢で基板を昇降させることが可能である。 In the invention configured in this way, the substrate is placed in and out of the processing chamber while being placed on the flat plate-shaped support tray. Specifically, a plurality of lift pins capable of supporting the substrate are attached to a common base portion, and the lift pins are integrally raised and lowered by raising and lowering the base portion, so that the substrate moves up and down on the support tray. As a result, the substrate is transferred between the external device and the support tray via the lift pin. By attaching a plurality of lift pins to the integrated base portion, the lift pins can be mechanically and stably held. Further, since the plurality of lift pins are integrally raised and lowered, the substrate can be raised and lowered in a more stable posture than when the elongated lift pins are raised and lowered individually.
そして、処理後の基板が処理チャンバから外部へ払い出されるとき、これと併行して支持トレイの冷却を行うことが可能である。具体的には、移載機構がリフトピンを上昇させて支持トレイから基板を受け取る際、リフトピンが取り付けられたベース部材がリフトピンと一体的に上昇して支持トレイの下面に近接もしくは当接することで、処理後の支持トレイが持つ熱エネルギーを放散させ支持トレイを冷却する。ベース部は、複数のリフトピンおよびこれに支持される基板を安定的に保持するための機械的強度を有する構造とされる。そのような構造は必然的に比較的大きな熱容量を有するため、処理後の温められた支持トレイから熱エネルギーを奪う能力を有している。 Then, when the processed substrate is discharged from the processing chamber to the outside, it is possible to cool the support tray in parallel with this. Specifically, when the transfer mechanism raises the lift pin and receives the substrate from the support tray, the base member to which the lift pin is attached rises integrally with the lift pin and approaches or comes into contact with the lower surface of the support tray. The heat energy of the support tray after processing is dissipated to cool the support tray. The base portion has a structure having mechanical strength for stably holding a plurality of lift pins and a substrate supported by the lift pins. Since such a structure necessarily has a relatively large heat capacity, it has the ability to deprive the warmed support tray after processing of heat energy.
すなわち、本発明では、処理チャンバから引き出された支持トレイからリフトピンへ基板を受け渡すための動作が、同時に支持トレイを冷却する動作にもなっている。このため、処理において支持トレイの温度が上昇していたとしても、基板が払い出される間にその温度を下げておくことができる。したがって、処理済みの基板が払い出された後、直ちに未処理の基板を受け入れることが可能である。 That is, in the present invention, the operation for delivering the substrate from the support tray drawn out from the processing chamber to the lift pin is also an operation for cooling the support tray at the same time. Therefore, even if the temperature of the support tray rises in the process, the temperature can be lowered while the substrate is discharged. Therefore, it is possible to accept the untreated substrate immediately after the treated substrate is dispensed.
上記のように、本発明では、共通のベース部に取り付けられた複数のリフトピンで基板を安定的に支持して外部との基板の受け渡しを行うことができる。支持トレイからの基板の払い出しと併行して支持トレイの冷却が行われるため、払い出し後には直ちに新たな基板を受け入れることができる。そのため、処理によって支持トレイの温度が上昇する場合であっても、その温度上昇による悪影響を回避し、しかも、処理のスループットを低下させることなく効率よく複数の基板を処理することが可能である。 As described above, in the present invention, the substrate can be stably supported by a plurality of lift pins attached to the common base portion, and the substrate can be transferred to and from the outside. Since the support tray is cooled in parallel with the ejection of the substrate from the support tray, a new substrate can be accepted immediately after the ejection. Therefore, even when the temperature of the support tray rises due to the processing, it is possible to avoid the adverse effect of the temperature rise and efficiently process the plurality of substrates without lowering the processing throughput.
図1は本発明に係る基板処理装置の一実施形態の概略構成を示す図である。この基板処理装置1は、例えば半導体基板のような各種基板の表面を超臨界流体を用いて処理するための装置である。以下の各図における方向を統一的に示すために、図1に示すようにXYZ直交座標系を設定する。ここで、XY平面は水平面であり、Z方向は鉛直方向を表す。より具体的には、(−Z)方向が鉛直下向きを表す。
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of an embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention. The
ここで、本実施形態における「基板」としては、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板などの各種基板を適用可能である。以下では主として半導体ウエハの処理に用いられる基板処理装置を例に採って図面を参照して説明するが、上に例示した各種の基板の処理にも同様に適用可能である。 Here, the "board" in the present embodiment includes a semiconductor wafer, a glass substrate for a photomask, a glass substrate for a liquid crystal display, a glass substrate for plasma display, a substrate for FED (Field Emission Display), a substrate for an optical disk, and a magnetic disk. Various substrates such as substrates and substrates for photomagnetic disks can be applied. In the following, a substrate processing apparatus mainly used for processing a semiconductor wafer will be described as an example with reference to the drawings, but the same applies to the processing of various substrates illustrated above.
基板処理装置1は、処理ユニット10、移載ユニット30、供給ユニット50および制御ユニット90を備えている。処理ユニット10は、超臨界乾燥処理の実行主体となるものであり、移載ユニット30は、図示しない外部の搬送装置により搬送されてくる未処理基板を受け取って処理ユニット10に搬入し、また処理後の基板を処理ユニット10から外部の搬送装置に受け渡す。供給ユニット50は、処理に必要な化学物質および動力を処理ユニット10および移載機構30に供給する。
The
制御ユニット90は、これら装置の各部を制御して所定の処理を実現する。この目的のために、制御ユニット90には、各種の制御プログラムを実行するCPU91、処理データを一時的に記憶するメモリ92、CPU91が実行する制御プログラムを記憶するストレージ93、およびユーザや外部装置と情報交換を行うためのインターフェース94などを備えている。後述する装置の動作は、CPU91が予めストレージ93に書き込まれた制御プログラムを実行し装置各部に所定の動作を行わせることにより実現される。
The
処理ユニット10は、台座11の上に処理チャンバ12が取り付けられた構造を有している。処理チャンバ12は、いくつかの金属ブロックの組み合わせにより構成され、その内部が空洞となって処理空間SPを構成している。処理対象の基板Sは処理空間SP内に搬入されて処理を受ける。処理チャンバ12の(−Y)側側面には、X方向に細長く延びるスリット状の開口121が形成されており、開口121を介して処理空間SPと外部空間とが連通している。
The
処理チャンバ12の(−Y)側側面には、開口121を閉塞するように蓋部材13が設けられている。蓋部材13の(+Y)側側面には平板状の支持トレイ15が水平姿勢で取り付けられており、支持トレイ15の上面は基板Sを載置可能な支持面となっている。蓋部材13は図示を省略する支持機構により、Y方向に水平移動自在に支持されている。
A
蓋部材13は、供給ユニット50に設けられた進退機構53により、処理チャンバ12に対して進退移動可能となっている。具体的には、進退機構53は、例えばリニアモータ、直動ガイド、ボールねじ機構、ソレノイド、エアシリンダ等の直動機構を有しており、このような直動機構が蓋部材13をY方向に移動させる。進退機構53は制御ユニット90からの制御指令に応じて動作する。
The
蓋部材13が(−Y)方向に移動することにより、支持トレイ15が処理空間SPから開口121を介して外部へ引き出されると、支持トレイ15へのアクセスが可能となる。すなわち、支持トレイ15への基板Sの載置、および支持トレイ15に載置されている基板Sの取り出しが可能となる。一方、蓋部材13が(+Y)方向に移動することにより、支持トレイ15は処理空間SP内へ収容される。支持トレイ15に基板Sが載置されている場合、基板Sは支持トレイ15とともに処理空間SPに搬入される。
By moving the
蓋部材13が(+Y)方向に移動し開口121を塞ぐことにより、処理空間SPが密閉される。なお、図示を省略しているが、蓋部材13の(+Y)側側面と処理チャンバ12の(−Y)側側面との間にはシール部材が設けられ、処理空間SPの気密状態が保持される。また、図示しないロック機構により、蓋部材13は処理チャンバ12に対して固定される。このようにして処理空間SPの気密状態が確保された状態で、処理空間SP内で基板Sに対する処理が実行される。
The processing space SP is sealed by the
この実施形態では、供給ユニット50に設けられた流体供給部57から、超臨界処理に利用可能な物質の流体、例えば二酸化炭素を気体または液体の状態で処理ユニット10に供給する。二酸化炭素は比較的低温、低圧で超臨界状態となり、また基板処理に多用される有機溶剤をよく溶かす性質を有するという点で、超臨界乾燥処理に好適な化学物質である。
In this embodiment, a
流体は処理空間SPに充填され、処理空間SP内が適当な温度および圧力に到達すると、流体は超臨界状態となる。こうして基板Sが処理チャンバ12内で超臨界流体により処理される。供給ユニット50には流体回収部55が設けられており、処理後の流体は流体回収部55により回収される。流体供給部57および流体回収部55は制御ユニット90により制御されている。
The fluid is filled in the processing space SP, and when the inside of the processing space SP reaches an appropriate temperature and pressure, the fluid is in a supercritical state. In this way, the substrate S is processed by the supercritical fluid in the
移載ユニット30は、外部の搬送装置と支持トレイ15との間における基板Sの受け渡しを担う。この目的のために、移載ユニット30は、本体31と、昇降部材33と、ベース部材35と、複数のリフトピン37とを備えている。昇降部材33はZ方向に延びる柱状の部材であり、図示しない支持機構により、Z方向に移動自在に支持されている。昇降部材33の上部には略水平の上面を有するベース部材35が取り付けられており、ベース部材35の上面から上向きに、複数のリフトピン37が立設されている。後述するように、リフトピン37の各々は、その上端部が基板Sの下面に当接することで基板Sを下方から水平姿勢に支持する。基板Sを安定的に支持するために、上端部の高さが互いに等しい3以上のリフトピン37が設けられることが望ましい。
The
昇降部材33は、供給ユニット50に設けられた昇降機構51により昇降移動可能となっている。具体的には、昇降機構51は、例えばリニアモータ、直動ガイド、ボールねじ機構、ソレノイド、エアシリンダ等の直動機構を有しており、このような直動機構が昇降部材33をZ方向に移動させる。昇降機構51は制御ユニット90からの制御指令に応じて動作する。
The elevating
昇降部材33の昇降によりベース部材35が上下動し、これと一体的に複数のリフトピン37が上下動する。これにより、次に説明するように、移載ユニット30と支持トレイ15との間での基板Sの受け渡しが実現される。
The
図2は基板の受け渡しの様子を模式的に示す図である。また、図3は受け渡しに関与する各部の形状および位置関係を示す図である。より具体的には、図3(a)は基板Sの受け渡しに関与する構成を示す斜視図であり、図3(b)は支持トレイ15の部分拡大断面図である。なお、図3(a)では、各部の構造を明示するため、部材間のZ方向の距離を実際より拡大している。これらの図に示すように、基板Sの受け渡しは、支持トレイ15が処理チャンバ12から引き出された状態で実行される。このために、移載ユニット30は、引き出された状態の支持トレイ15の下方に当たる位置に配置されている。
FIG. 2 is a diagram schematically showing a state of delivery of the substrate. Further, FIG. 3 is a diagram showing the shape and positional relationship of each part involved in delivery. More specifically, FIG. 3A is a perspective view showing a configuration involved in the delivery of the substrate S, and FIG. 3B is a partially enlarged cross-sectional view of the
図2(a)ないし図2(d)を参照し、基板Sの受け渡しにおける各部の動作について説明する。装置の初期状態は図1に示されている。この状態から、外部から搬入される基板Sを受け取るとき、図2(a)に示すように、蓋部材13が(−Y)側に移動して支持トレイ15が処理チャンバ12から引き出される。このときの支持トレイ15の位置を、以下では「引き出し位置」と称する。また、昇降部材33が上昇することでリフトピン27が支持トレイ15の上面(支持面)151より突出した状態となる。
The operation of each part in the delivery of the substrate S will be described with reference to FIGS. 2 (a) to 2 (d). The initial state of the device is shown in FIG. From this state, when the substrate S carried in from the outside is received, as shown in FIG. 2A, the
図3(a)に示すように、支持トレイ15のうち水平方向におけるリフトピン27の配設位置に対応する位置には、上下方向に貫通する貫通孔152が設けられている。昇降部材33の上昇によってベース部材35が上昇するとき、リフトピン37は貫通孔152を通して支持面151よりも上方に突出する。
As shown in FIG. 3A, a through
図3(b)に示すように、貫通孔152内には例えばゴム製、シリコン樹脂製またはフッ素樹脂(例えばPTFE;poly-tetrafluoroethylene)製の環状のシール部材153が装着されている。シール部材153は、リフトピン37と貫通孔152との隙間をシールする。後述するように、基板Sは上面に液膜が形成された状態で搬入されてくるが、仮に一部の液体が基板Sからこぼれ落ちることがあったとしても、それが貫通孔152を介して下方へ落下することは防止される。なお、図を見やすくするため、他の各図においてはシール部材153の図示を省略している。
As shown in FIG. 3B, an
図2(a)に示すように、基板Sは外部の搬送装置に設けられたハンドHにより保持された状態で搬送されてくる。リフトピン37がハンドHの上面よりも上方まで突出することで、基板SはハンドHからリフトピン37に受け渡される。ハンドHとリフトピン37とは互いに干渉しないように形状および配置が定められる。この状態で、ハンドHは側方へ退避することができる。図2(b)に示すように、昇降部材33が下降することで、リフトピン37により支持される基板Sが下降する。
As shown in FIG. 2A, the substrate S is conveyed in a state of being held by a hand H provided in an external conveying device. When the
最終的には図2(c)に示すように、基板Sの下面が支持面151に当接し、リフトピン37が支持面151よりも下方まで下降することで、基板Sはリフトピン37から支持トレイ15へ受け渡される。このようにして、外部搬送装置から支持トレイ15へ基板Sが受け渡される。その後、図2(d)に示すように、蓋部材13が(+Y)方向へ移動することで、支持トレイ15とともに基板Sが処理チャンバ12の処理空間SPに収容される。
Finally, as shown in FIG. 2C, the lower surface of the substrate S comes into contact with the
処理後の基板Sの搬出は、上記とは逆の動きとなる。すなわち、図2(c)に示すように、処理後の基板Sが支持トレイ15とともに処理チャンバ12から引き出された後、昇降部材33が上昇することで、リフトピン27が基板Sを支持トレイ15から持ち上げる。そして、図2(a)に示すように、外部から進入してくるハンドHにリフトピン37から基板Sを受け渡すことで、基板SはハンドHにより保持されることとなる。ハンドHが基板Sを外部へ搬出することで、基板Sは基板処理装置1から払い出される。
The removal of the substrate S after the treatment is the reverse of the above. That is, as shown in FIG. 2C, after the processed substrate S is pulled out from the
なお、処理チャンバ12に搬入される基板Sはその上面が液体または固体に覆われている場合がある。例えば基板Sの表面に微細パターンが形成されている場合、基板Sに残留付着している液体の表面張力によってパターンの倒壊が生じるおそれがある。また、不完全な乾燥によって基板Sの表面にウォーターマークが残留する場合がある。また、基板S表面が外気に触れることで酸化等の変質を生じる場合がある。このような問題を未然に回避するために、基板Sの表面を液体または固体の表面層で覆った状態で搬送することがある。
The upper surface of the substrate S carried into the
したがって、上記した基板Sの受け渡しプロセスのうち、外部から搬入された基板Sが移載ユニット30を介して処理チャンバ12に収容されるプロセスは、基板Sの上面が表面層で覆われた状態で実行されることがある。例えば表面に微細パターンが形成された半導体基板に対しては、基板に対する腐食性が低く比較的低い表面張力を有する液体、例えばIPA(イソプロピルアルコール)やアセトン等により液膜を形成した状態で搬送が実行される。一方、処理チャンバ12から基板Sが搬出されるプロセスにおいては、基板Sは乾燥した状態となっている。
Therefore, in the above-mentioned transfer process of the substrate S, in the process in which the substrate S carried in from the outside is accommodated in the
図4は支持トレイおよびベース部材の構造をより詳細に示す側面断面図である。このうち図4(a)は、上記した基板Sの受け渡しの際の上下動においてベース部材35が最も低い位置まで下降した状態を示している。このときのベース部材35の位置を「下部位置」と称することとする。またこのときのリフトピン37の上端部のZ方向位置を「受け渡し位置」と称する。
FIG. 4 is a side sectional view showing the structure of the support tray and the base member in more detail. Of these, FIG. 4A shows a state in which the
また、図4(b)は、該上下動においてベース部材35が最も高い位置まで上昇した状態を示している。このときのベース部材35の位置を「上部位置」と称することとする。またこのときのリフトピン37の上端部のZ方向位置を「退避位置」と称する。したがって、ベース部材35は上部位置と下部位置との間を上下方向に往復移動することになる。これに伴い、リフトピン37の上端部は受け渡し位置と退避位置との間を上下方向に往復移動する。
Further, FIG. 4B shows a state in which the
概略平板状の支持トレイ15の上面には、部分的に窪んだ凹部が設けられており、凹部の底が平坦な支持面151となっている。この凹部に基板Sが載置される。なお、このような凹部が設けられず、支持トレイ15の上面が平坦面であっても基板Sの支持は可能である。
The upper surface of the substantially flat plate-shaped
一方、ベース部材35も平板状の部材であり、その上面は略平坦であるが、中央部に対して周縁部が盛り上がった表面形状となっている。言い換えれば、ベース部材35の上面は中央部分が窪んだ凹面となっている。したがってベース部材35の上面は一定量の液体を保持可能となっている。このようにする理由は、基板Sの上面に表面層が形成されているとき、受け渡しの際の振動によってその一部が基板Sからこぼれ落ちたとしても、ベース部材35によってそれを受け止め周囲に飛散するのを防止するためである。つまり、ベース部材35は、基板Sからこぼれ落ちる液体または固体を受け止める受け皿としての機能を有する。このような落下物は主として貫通孔151およびリフトピン37を伝わって下方へ流下するが、リフトピン37の下端はベース部材35の上面に取り付けられているのでベース部材37によって確実に受け止めることができる。
On the other hand, the
そして、複数のリフトピン37はいずれも単一のベース部材35に取り付けられており、ベース部材35の上下動に伴って一体的に上下動する。このような構造では、細長いリフトピンを剛性の高いベース部材35に取り付けることにより、機械的強度を高めることができる。また、複数のリフトピン37が一体的に昇降するため、それらの上端部の相対的な高さが変化せず、各リフトピンが個別に昇降する場合よりも基板Sを安定的に水平姿勢に維持することが可能である。このことは、特に基板Sの上面が液膜で覆われているときに、それを維持するという点で大きな意味を持つ。
The plurality of lift pins 37 are all attached to a
図4(a)に示すように、ベース部材35が下部位置にあるとき、リフトピン37の上端部は支持プレート15よりも大きく下方へ後退した状態となっている。図に破線で示される、蓋部材13の下端位置よりも下方へ後退していることがより好ましい。このようにすると、基板Sを処理チャンバ12に収容するために蓋部材13が(+Y)方向へ移動する際に、蓋部材13とリフトピン37とが干渉するのを回避することができる。
As shown in FIG. 4A, when the
一方、図4(b)に示すベース部材35の上部位置では、破線で示される蓋部材13の上端位置よりもさらに上方までリフトピン37が達することで、蓋部材13の上方を通って基板Sの下部へハンドHを進入させることができる。これにより、ハンドHとリフトピン37との間での基板Sの受け渡しが可能となる。
On the other hand, at the upper position of the
またこのとき、ベース部材35の上面が支持トレイ15の下面に当接する。両者をよりよく密着させるために、支持トレイ15の下面がベース部材35の上面の曲面に倣う形状に加工されているが、このことは必須ではない。このように、上部位置においてベース部材35を支持トレイ15の下面に当接させるのは、以下の理由による。
At this time, the upper surface of the
処理チャンバ12において、本実施形態の超臨界乾燥処理のように基板Sの温度上昇を伴うような処理が行われる場合、処理直後に搬出される基板Sおよび支持トレイ15は高温になっている。処理済み基板の搬出後に新たな基板を受け入れて処理を実行する場合、未処理基板が高温の支持トレイ15に載置されることにより問題が生じるおそれがある。例えば未処理の基板Sが表面に液膜あるいは揮発性固体の膜が形成された状態で搬入される場合、基板Sが温められることでこれらが揮発し基板表面が露出してしまうことがある。これを防止するために、新たな基板Sの搬入に先立って、支持トレイ15の温度をできるだけ下げておくことが求められる。
In the
処理チャンバ12内で冷却処理を行うことや、引き出された支持トレイ15が自然冷却により十分に温度が低下するまで待機することも考えられるが、その間新たな基板Sへの処理開始が遅れることになり、処理のスループットが低下してしまう。
It is conceivable to perform cooling processing in the
そこで、この実施形態では、処理済みの基板Sを払い出す際にベース部材35を支持トレイ15の下面に当接させることで、支持トレイ15が持つ熱エネルギーをベース部材35に移動させることにより支持トレイ15を冷却する。この目的のために、ベース部材35については熱伝導性に優れた物質、例えばアルミニウム、真鍮、ステンレス等の金属材料により、しかも支持トレイ15よりも大きな熱容量を有するように構成されることが望ましい。こうすることで、自然冷却の場合よりも十分に早く支持トレイ15の温度が低下し、より早期に次の基板Sへの処理を開始することができる。
Therefore, in this embodiment, when the processed substrate S is discharged, the
支持トレイ15の冷却のために特別な時間を取る必要はなく、基板Sを支持トレイ15から取り出し外部の搬送装置に受け渡すためのリフトピン37の昇降動作自体が、ベース部材35を当接させて支持トレイ15を冷却するための動作ともなっている。このため、処理のスループットの低下を招くことなく支持トレイ15を冷却することが可能である。
It is not necessary to take a special time to cool the
ベース部材35が支持トレイ15に当接して熱エネルギーを奪うことで支持トレイ15の温度は低下するが、ベース部材35の温度が上昇してしまう。このような温度上昇については、支持トレイ15への基板Sの受け渡しの終了後から処理チャンバ12内での処理が終了するまでの間、ベース部材35が周囲雰囲気に触れて自然冷却されることである程度解消されるものと期待される。したがって、ベース部材35を積極的に冷却することは不要であるとも言える。しかしながら、次に説明するように、ベース部材35を積極的に冷却するための構成が設けられてもよい。なお、以下の変形例では、上記実施形態と同一のまたは対応する機能を有する構成には同一符号を付して説明を省略する。
When the
図5は移載ユニットの変形例を示す図である。図5(a)に示すように、下部位置にあるベース部材35の下面に当接してベース部材35を冷却する冷却機構38が移載ユニット30に設けられてもよい。図5(b)に示すように、冷却機構38は移載ユニット30の本体31の上面に取り付けられており、ベース部材35が上昇するとベース部材35からは離間するため冷却作用を失う。このような構成では、冷却機構38により予め冷却されたベース部材35が上昇して支持トレイ15の下面に当接することで、支持トレイ15をより効果的に冷却することができる。また、上部位置で支持トレイ15との当接により温度が上昇したベース部材35が、下部位置で冷却機構38により冷却されることにより、冷却機能を継続的に維持することが可能となる。
FIG. 5 is a diagram showing a modified example of the transfer unit. As shown in FIG. 5A, the
冷却機構38としては、例えば冷媒を用いた熱交換器、ヒートポンプ方式のもの、ペルチェ素子を利用したもの等を適用可能である。なお、冷却機構38はベース部材35の下面に直接取り付けられて、ベース部材35とともに上下動する構成であってもよい。このような構成では、冷却機構38によりベース部材35を常時冷却しておくことが可能となる。
As the
また、冷却機構がベース部材の内部に埋め込まれた構造や、図5(c)に示すように冷却機構39がベース部材35の上面に取り付けられ直接支持トレイ15を冷却する構成であってもよい。
Further, the cooling mechanism may be embedded inside the base member, or the
図6は移載ユニットの他の変形例を示す図である。図6(a)に示す変形例では、ベース部材35の上面から支持トレイ15の下面に向けて冷却用ガスGが吹き出される。冷却用ガスGとしては、例えば常温または熱交換器を通すことで冷却された乾燥空気または不活性ガスを用いることができる。このような構成では、ベース部材35から支持トレイ15の下面に向けて冷却用ガスGが吹き付けられることにより、支持トレイ15が冷却される。したがってこの場合、上部位置でベース部材35が支持トレイ15の下面に当接する必要は必ずしもなく、両者が十分に近接した状態であればよい。
FIG. 6 is a diagram showing another modification of the transfer unit. In the modified example shown in FIG. 6A, the cooling gas G is blown out from the upper surface of the
また、図6(b)に示す変形例では、本体31の上面から冷却用ガスGが吹き出される。このような構成では、ベース部材35が下部位置にあるとき、つまり基板Sの受け渡しに関与してないときにその下面に冷却用ガスGが吹き付けられることにより、ベース部材35が冷却される。こうして冷却されたベース部材35が上部位置で支持トレイ15の下面に当接することで、上記実施形態と同様に支持トレイ15を冷却することが可能となる。また、当接による冷却と気体吹き付けによる冷却とが併用されてもよい。
Further, in the modified example shown in FIG. 6B, the cooling gas G is blown out from the upper surface of the
図7はこの基板処理装置の概略動作を示すフローチャートである。各工程における装置各部の動作についてはこれまでに説明した通りである。最初に、図2(a)に示されるように、蓋部材13が(−Y)側に移動することで支持トレイ15が処理チャンバ12から引き出され、移載ユニット30のアクセスが可能な引き出し位置へ位置決めされる(ステップS101)。続いて、昇降機構51が作動することで、リフトピン37が上昇し、その上端部の位置が支持トレイ15の上面よりも上方に突出する受け渡し位置に位置決めされる(ステップS102)。
FIG. 7 is a flowchart showing a schematic operation of this substrate processing apparatus. The operation of each part of the device in each process is as described above. First, as shown in FIG. 2A, the
この状態で、外部の搬送装置のハンドHに保持される基板Sをリフトピン37による支持に切り替える。これにより基板SはハンドHからリフトピン37へ受け渡される(ステップS103)。基板Sを支持するリフトピン37が下降することで、基板Sは下降し、最終的に支持トレイ15に受け渡される(ステップS104)。
In this state, the substrate S held by the hand H of the external transport device is switched to the support by the
リフトピン37が蓋部材13と干渉しない退避位置まで下降した後、蓋部材13が(+Y)側へ移動して、基板Sを支持する支持トレイ15が処理チャンバ12内に格納される(ステップS105)。処理チャンバ12内では、搬入された基板Sに対して超臨界乾燥処理が実行される(ステップS106)。超臨界処理の内容は公知であるのでここでは説明を省略する。
After the
処理の終了後、蓋部材13が(−Y)側へ移動することで、基板Sが支持トレイ15とともに外部へ引き出され、移載ユニット30のアクセスが可能な引き出し位置へ位置決めされる(ステップS107)。続いて、昇降機構51が作動することで、ベース部材35が上部位置まで上昇する(ステップS108)。リフトピン37はベース部材35と一体的に上昇し、基板Sが蓋部材13の上端位置よりも上方に位置することで、基板Sは搬送装置のハンドHによる搬出が可能になる。こうして基板Sが外部へ払い出される(ステップS109)。また、ベース部材35が支持トレイ15の下面に当接することにより、支持トレイ15が冷却される。
After the processing is completed, the
次に処理すべき基板Sがある場合(ステップS110においてYES)、ステップS103に戻って新たな基板Sを受け入れ、上記処理が繰り返される。このとき、ベース部材35の当接により支持トレイ15下面が冷却されているため、高温の支持トレイ15に載置された基板Sの温度上昇に起因する各種のトラブルを未然に回避することができる。全ての基板Sについて処理が終了していれば(ステップS109においてNO)、リフトピン37が退避位置まで下降し(ステップS111)、支持トレイ15が処理チャンバ12内に格納されて(ステップS112)、全ての処理が終了する。
If there is a substrate S to be processed next (YES in step S110), the process returns to step S103 to accept a new substrate S, and the above processing is repeated. At this time, since the lower surface of the
上記実施形態の移載ユニット30では、外部から搬入される未処理の基板Sのハンドリングと、処理後に搬出される基板Sのハンドリングとが同じリフトピン37を用いて行われる。これに代えて、以下に説明するように、未処理の基板と処理済みの基板とを異なるリフトピンによりハンドリングする構成とすることも可能である。なお、以下の説明においては、上記実施形態の構成と同一のまたは対応する構成には同一符号を付し、詳しい説明を省略する。
In the
図8および図9は移載ユニットの変形例を示す図である。これらの変形例では、未処理の基板を支持するためのリフトピンと、処理済みの基板を支持するためのリフトピンとが個別に用意されている。主として処理の前後でリフトピンを共用することに起因する処理済み基板の汚染を防止するために、このような使い分けが行われる。 8 and 9 are diagrams showing a modified example of the transfer unit. In these modifications, a lift pin for supporting the untreated substrate and a lift pin for supporting the treated substrate are individually prepared. Such proper use is performed mainly in order to prevent contamination of the treated substrate mainly due to sharing the lift pin before and after the treatment.
図8に示す変形例では、未処理基板S1を支持するためのリフトピン37aと、処理済み基板S2を支持するためのリフトピン37bとがそれぞれ設けられる。なお、図ではリフトピン37bがリフトピン37aの間に配置されているが、これは両者の区別を明示するための便宜的なものであり、平面視におけるリフトピンの配置を示すものではない。実際の装置においては、例えばリフトピン37a,37bが基板の周縁部を支持するように、かつリフトピン37aとリフトピン37bとが基板の周方向に互いに位置を異ならせて配置されるようにすることができる。
In the modified example shown in FIG. 8, a
複数のリフトピン37aは、ベース部材35aに取り付けられている。また、複数のリフトピン37bは、ベース部材35aとは別体に構成されたリフトピン35bに取り付けられている。昇降機構51は、制御ユニット90からの制御指令に応じてこれらの昇降動作を実現する。
The plurality of
図8(a)に示すように、ベース部材35aはベース部材35bの下方に配置されており、未処理基板用のリフトピン37aは処理済み基板用のリフトピン37bよりも長く、かつその上端部は、初期状態において処理済み基板用のリフトピン37bの上端部よりも上方となるように形成されている。上記実施形態の支持トレイ15に対応する支持トレイ150には、リフトピン37aに対応する貫通孔155と、リフトピン37bに対応する貫通孔156とがそれぞれ設けられている。
As shown in FIG. 8A, the
図8(b)は外部から未処理基板S1を受け取るときの動作を示す。このとき、ベース部材35aとベース部材35bとが一体的に上昇する。これによりリフトピン37a,37bも上昇するが、リフトピン37aの上端部がリフトピン37bの上端部よりも上方にあるため、搬入される未処理基板S1はリフトピン37aによって支持される。リフトピン37bは基板S1に当接しないため、処理前の基板S1の付着物によりリフトピン37bが汚染されることは回避される。この状態からベース部材35aとベース部材35bとが一体的に下降することで、基板S1はリフトピン37aから支持トレイ150に受け渡される。
FIG. 8B shows an operation when the unprocessed substrate S1 is received from the outside. At this time, the
一方、処理済み基板S2が払い出される際には、図8(c)に示すように、処理済み基板用のリフトピン37bが取り付けられたベース部材35bのみが上昇する。したがって、処理済み基板S2はリフトピン37bのみによって支持され、最終的に外部へ払い出される。このときリフトピン37aは基板S2に当接しないので、仮にリフトピン37aに未処理基板S1から移行した付着物があったとしても、それが処理済み基板S2に再移行することは防止される。
On the other hand, when the processed substrate S2 is discharged, only the
処理済み基板S2の払い出しと併行して、支持トレイ150の冷却を行う必要がある。この目的のために、ベース部材35bの上面が支持トレイ150の下面に密着することで熱エネルギーを奪う。前記したように、近接位置から冷却用ガスを吹き付ける態様であってもよい。未処理基板S1を受け取るリフトピン37aを支持するベース部材35aについては、特に冷却のための構成を必要としない。
It is necessary to cool the support tray 150 in parallel with the dispensing of the processed substrate S2. For this purpose, the upper surface of the
図9に示す変形例では、未処理基板S1を支持するためのリフトピン37cと、処理済み基板S2を支持するためのリフトピン37dとがそれぞれ設けられる。この例においても、図ではリフトピン37cがリフトピン37dの間に配置されているが、これは両者の区別を明示するための便宜的なものであり、平面視におけるリフトピンの配置を示すものではない。
In the modified example shown in FIG. 9, a
未処理基板S1に対応して設けられた複数のリフトピン37cは、リング状のベース部材35cに取り付けられている。また、処理済み基板S2に対応して設けられた複数のリフトピン37dは、ベース部材35cとは別体に構成され、ベース部材35cのリング内に配置されたベース部材35dに取り付けられている。昇降機構51は、制御ユニット90からの制御指令に応じてこれらの独立した昇降動作を実現する。支持トレイ150の構造は図8のものと同じである。なお、リング状のベース部材35cは基板からの落下物を受け止める機能を持たないため、別途受け皿部材36がベース部材35cの下方に設けられることが望ましい。
A plurality of
図9(b)は外部から未処理基板S1を受け取るときの動作を示す。このとき、ベース部材35cのみが上昇することでリフトピン37cが上昇して、搬入される未処理基板S1を支持する。この状態からベース部材35cが下降することで、基板S1はリフトピン37cから支持トレイ150に受け渡される。
FIG. 9B shows an operation when the unprocessed substrate S1 is received from the outside. At this time, the
一方、処理済み基板S2が払い出される際には、図9(c)に示すように、処理済み基板用のリフトピン37dが取り付けられたベース部材35dのみが上昇する。したがって、処理済み基板S2はリフトピン37dによって支持され、最終的に外部へ払い出される。ベース部材37c,37dを平面視において互いに重ならない形状および配置とすることによって、このように2種類のリフトピンを互いに独立して昇降させることができ、これによりリフトピンの使い分けが実現される。なお、必要な昇降範囲での個別の昇降動作に干渉しないという条件が満たされる限り、ベース部材37c,37dの形状はこれに限定されるものでなく任意である。
On the other hand, when the processed substrate S2 is discharged, as shown in FIG. 9C, only the
この場合においても、処理済み基板S2に対応するリフトピン37dを支持するベース部材35dを支持トレイ150の下面に当接させることによって、温められた支持トレイ150の温度を低下させることができる。
Also in this case, the temperature of the warmed support tray 150 can be lowered by bringing the
以上のように、本実施形態の基板処理装置1では、基板Sを支持する支持トレイ15が処理チャンバ12内で温められることにより新たな基板Sを受け入れるのに支障を来すという問題を解消するため、基板Sの払い出し動作と併行して支持トレイ15を冷却するための構成を有している。具体的には、払い出しの際に基板Sを支持する複数のリフトピン37が取り付けられこれらを一括して支持するベース部材35が、支持トレイ15の下面に近接または当接することによって、支持トレイ15に蓄積された熱エネルギーを放散させる。
As described above, in the
これにより支持トレイ15の温度が低下し、速やかに次の基板Sを受け入れることが可能になる。また、基板Sを払い出すためのリフトピン37の昇降動作自体が同時に支持トレイ15を冷却するための動作にもなっているため、冷却を行うために処理のスループットが低下することは避けられる。このように、本実施形態では、処理後の基板Sの払い出しと支持トレイ15の冷却とが併行して実施されるため、温められた支持トレイ15に基板Sが載置されることによる問題点を解消し、しかもそのためにスループットを低下させることがないという優れた効果が得られる。
As a result, the temperature of the
以上説明したように、上記実施形態においては、移載ユニット30が本発明の「移載部」に相当し、リフトピン37を支持する支持機構(不図示)および昇降機構51が本発明の「昇降部」として機能している。また、ベース部材37が本発明の「ベース部」として機能している。また、冷却機構38,39が本発明の「冷却部」として機能している。また、図8および図9の変形例において、リフトピン37a,37cが本発明の「搬入用リフトピン」に相当し、リフトピン37b,37dが本発明の「搬出用リフトピン」」に相当している。
As described above, in the above embodiment, the
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態の処理チャンバ12は内部の処理空間SPで超臨界乾燥処理を実行するものである。しかしながら、本発明の技術思想はこれ以外の基板処理に対しても適用可能なものである。特に、処理対象の基板を支持トレイに載置して処理チャンバ内に搬入し、処理において支持トレイが温度上昇を伴うものに、本発明は有効である。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications other than those described above can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, the
また、上記実施形態では、リフトピン37の支持機能および支持トレイ15の冷却機能を有するベース部材35が、基板Sからの落下物を受け止める受け皿としての機能をさらに有するものとなっている。しかしながら、このような落下物を受け止める機能については省かれてもよく、また別途受け皿を設けてベース部材35の機能とは分離してもよい。また、ベース部材の上面に集められた落下物を排出するための構成がさらに設けられてもよい。
Further, in the above embodiment, the
また、上記実施形態における基板Sの受け渡しでは、外部の搬送装置が基板SをY方向に搬送する。このため、リフトピン37は蓋部材13の上端部よりも上方で基板Sを支持する必要がある。これに代えて、例えば基板がX方向に搬送される構成とすれば、基板Sが蓋部材13の上方を通る必要がなくなり、リフトピン37はより低い位置で基板Sを支持することができれば足りる。
Further, in the delivery of the substrate S in the above embodiment, the external transfer device conveys the substrate S in the Y direction. Therefore, the
また、上記実施形態では、支持トレイ15が蓋部材13の側面に取り付けられておりこれらが一体的に移動するが、これに限定されない。例えば、蓋部材とは独立して支持トレイが移動可能な構成であってもよい。この場合、蓋部材は処理チャンバの開口に対して開閉自在に取り付けられる扉状の部材であってもよい。
Further, in the above embodiment, the
また、上記実施形態の処理で使用される各種の化学物質は一部の例を示したものであり、上記した本発明の技術思想に合致するものであれば、これに代えて種々のものを使用することが可能である。 In addition, the various chemical substances used in the treatment of the above-described embodiment show some examples, and if they are consistent with the above-mentioned technical idea of the present invention, various chemical substances may be used instead. It is possible to use.
以上、具体的な実施形態を例示して説明してきたように、本発明に係る基板処理装置は、上部位置において、ベース部の上面が支持トレイの下面に当接する構成であってよい。また、本発明に係る基板処理方法は、冷却されたベース部を支持トレイに当接させて支持トレイを冷却する構成であってよい。このような構成によれば、処理後の支持トレイに対して相対的に低温であるベース部に熱エネルギーを移行させて、支持トレイの温度を低下させることができる。これによるベース部の温度上昇は、処理に影響を及ぼさない。 As described above by exemplifying a specific embodiment, the substrate processing apparatus according to the present invention may have a configuration in which the upper surface of the base portion abuts on the lower surface of the support tray at the upper position. Further, the substrate processing method according to the present invention may have a configuration in which the cooled base portion is brought into contact with the support tray to cool the support tray. According to such a configuration, the temperature of the support tray can be lowered by transferring the thermal energy to the base portion whose temperature is relatively low with respect to the support tray after the treatment. The temperature rise of the base portion due to this does not affect the treatment.
また、本発明に係る基板処理装置において、移載機構は、ベース部を冷却する冷却部を有するものであってよい。例えば冷却部が下部位置にあるベース部を冷却するものであってもよく、また冷却部がベース部に設けられたものであってもよい。このような構成によれば、予めベース部を冷却して支持トレイに対する冷却効果を高めたり、支持トレイとの当接によって温められたベース部を冷却したりすることができる。 Further, in the substrate processing apparatus according to the present invention, the transfer mechanism may have a cooling portion for cooling the base portion. For example, the cooling unit may cool the base portion at the lower position, or the cooling portion may be provided on the base portion. According to such a configuration, the base portion can be cooled in advance to enhance the cooling effect on the support tray, or the base portion warmed by the contact with the support tray can be cooled.
また、ベース部は、支持トレイの下面に近接配置された状態で該下面に向けて冷却用気体を吹き出す構成であってよい。このような構成によれば、温められた支持トレイに気体を吹き付けて熱エネルギーを放散させ、温度を低下させることができる。 Further, the base portion may be configured to blow out the cooling gas toward the lower surface of the support tray in a state of being arranged close to the lower surface. According to such a configuration, gas can be blown onto the warmed support tray to dissipate heat energy and lower the temperature.
また、ベース部の上面は、液体を保持可能な凹面となっていてよい。このような構成によれば、処理対象の基板が表面を液体で覆われた状態で搬入される場合であっても、搬送時の振動等で基板から落下する液体をベース部で受け止め、周囲への飛散を防止することができる。 Further, the upper surface of the base portion may be a concave surface capable of holding the liquid. According to such a configuration, even when the substrate to be processed is carried in with the surface covered with liquid, the liquid falling from the substrate due to vibration during transportation is received by the base portion and moved to the surroundings. Can be prevented from scattering.
また、複数のリフトピンは、処理チャンバ内での処理を受ける前の基板を支持する複数の搬入用リフトピンと、処理後の基板を支持する複数の搬出用リフトピンとを含み、搬出用リフトピンがベース部に取り付けられてベース部と一体的に昇降する一方、搬入用リフトピンはベース部とは独立して昇降可能であってよい。このような構成によれば、処理前後の基板を別のリフトピンで支持することで、処理前の基板に付着した付着物が処理後の基板に再付着するのを防止することができる。したがって処理の品質を向上させることができる。 Further, the plurality of lift pins include a plurality of carry-in lift pins that support the substrate before being processed in the processing chamber, and a plurality of carry-out lift pins that support the substrate after the treatment, and the carry-out lift pin is a base portion. The lift pin for carrying in may be able to be raised and lowered independently of the base portion while being attached to the base portion and being integrally raised and lowered. According to such a configuration, by supporting the substrate before and after the treatment with another lift pin, it is possible to prevent the deposits adhering to the substrate before the treatment from re-adhering to the substrate after the treatment. Therefore, the quality of processing can be improved.
また、本発明に係る基板処理方法では、処理チャンバ内で処理が行われている間に、ベース部を冷却することができる。このような構成によれば、ベース部の冷却を行うことによる処理のスループット低下を回避することが可能である。 Further, in the substrate processing method according to the present invention, the base portion can be cooled while the processing is performed in the processing chamber. According to such a configuration, it is possible to avoid a decrease in processing throughput due to cooling of the base portion.
また、所定の処理は、基板の温度上昇を伴う処理であってよく、例えば超臨界流体を用いた処理であってよい。このような構成によれば、基板とともに高温状態となる支持トレイが、処理後の基板の払い出しのための動作と併行して冷却される。このため、複数の基板が連続的に処理される際、高温のままの支持トレイに新たな基板が載置されることによって生じる問題を未然に回避することが可能である。また、そのために処理のスループットを低下させることもない。 Further, the predetermined treatment may be a treatment involving an increase in the temperature of the substrate, and may be, for example, a treatment using a supercritical fluid. According to such a configuration, the support tray, which is in a high temperature state together with the substrate, is cooled in parallel with the operation for dispensing the substrate after processing. Therefore, when a plurality of substrates are continuously processed, it is possible to avoid the problem caused by placing a new substrate on the support tray that remains at a high temperature. In addition, this does not reduce the processing throughput.
また、未処理の基板は、上面に液膜が形成された状態で処理チャンバに搬入されるものであってよい。このような構成によれば、高温の支持トレイに基板が載置されることで基板が温められ、これにより液体が蒸発してしまうことが回避される。 Further, the untreated substrate may be carried into the processing chamber with a liquid film formed on the upper surface. According to such a configuration, the substrate is heated by placing the substrate on the high temperature support tray, which prevents the liquid from evaporating.
この発明は、基板を支持トレイによって支持した状態で処理チャンバに収容し処理を行う技術全般に適用可能である。特に、基板の温度上昇を伴う処理や、基板表面に液膜が形成された状態で搬入される処理、例えば超臨界乾燥処理に好適である。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be applied to all techniques for processing by accommodating a substrate in a processing chamber while being supported by a support tray. In particular, it is suitable for a treatment involving an increase in the temperature of the substrate, a treatment carried in with a liquid film formed on the surface of the substrate, for example, a supercritical drying treatment.
1 基板処理装置
10 処理ユニット
12 処理チャンバ
15 支持トレイ
30 移載ユニット
35,35b,35d ベース部材
37 リフトピン
37a,37c 搬入用リフトピン
37b,37d 搬出用リフトピン
38,39 冷却機構
51 昇降機構
121 開口
S 基板
SP 処理空間
1
Claims (14)
上面が処理対象の前記基板を水平姿勢に支持する支持面となった平板形状を有し、前記開口を介して前記処理空間に対し挿抜可能な支持トレイと、
前記処理チャンバ外に設けられて、前記処理チャンバから引き出された前記支持トレイとの間で前記基板を受け渡す移載機構と
を備え、
前記移載機構は、
前記支持トレイに設けられた貫通孔を介して上端部が前記支持面よりも上方に突出して前記基板の下面に当接することで、前記基板を下方から支持可能な複数のリフトピンと、
前記複数のリフトピンが取り付けられたベース部と、
前記ベース部を昇降させる昇降部と
を有し、
前記昇降部が、前記ベース部の上面が前記支持トレイの下面に近接または当接する位置まで上昇し前記リフトピンの前記上端部が前記支持面よりも上方に突出する上部位置と、前記リフトピンの前記上端部が前記支持面よりも下方に退避する下部位置との間で前記ベース部を昇降させる、基板処理装置。 A processing chamber that forms a processing space for processing the substrate and has an opening on the side that communicates with the processing space.
A support tray having a flat plate shape whose upper surface serves as a support surface for supporting the substrate to be processed in a horizontal posture and which can be inserted into and removed from the processing space through the opening.
A transfer mechanism provided outside the processing chamber to transfer the substrate to and from the support tray drawn out of the processing chamber is provided.
The transfer mechanism is
A plurality of lift pins capable of supporting the substrate from below by projecting the upper end portion upward from the support surface and abutting the lower surface of the substrate through the through holes provided in the support tray.
The base part to which the plurality of lift pins are attached and
It has an elevating part that elevates and elevates the base part.
The elevating portion rises to a position where the upper surface of the base portion approaches or abuts on the lower surface of the support tray, and the upper end portion of the lift pin protrudes upward from the support surface, and the upper end of the lift pin. A substrate processing device that raises and lowers the base portion with and from a lower position where the portion retracts below the support surface.
前記搬出用リフトピンが前記ベース部に取り付けられて前記ベース部と一体的に昇降する一方、前記搬入用リフトピンは前記ベース部とは独立して昇降可能である請求項1ないし7のいずれかに記載の基板処理装置。 The plurality of lift pins include a plurality of carry-in lift pins that support the substrate before being processed in the processing chamber, and a plurality of carry-out lift pins that support the substrate after the treatment.
7. Substrate processing equipment.
移載機構が、未処理の前記基板を、上面が前記基板を水平姿勢に支持する支持面となった平板形状を有する支持トレイに載置する工程と、
前記支持トレイが前記処理チャンバの側部に設けられた開口を介して前記処理チャンバ内に進入することで前記基板を前記処理チャンバ内に搬入する工程と、
前記処理チャンバ内で前記基板に対し所定の処理を実行する工程と、
前記移載機構が、前記処理チャンバから取り出された前記支持トレイに載置されている処理済みの前記基板を前記支持トレイから外部へ払い出す工程と
を備え、
前記移載機構は、前記支持トレイに設けられた貫通孔を介して複数のリフトピンを昇降させることで前記支持トレイとの間で前記基板を受け渡し、前記複数のリフトピンは共通のベース部に取り付けられて前記ベース部と一体的に昇降し、
前記処理済みの基板を払い出す際、前記ベース部の上面が前記支持トレイの下面に近接または当接して前記支持トレイを冷却する、基板処理方法。 In a substrate processing method for processing a substrate in a processing chamber,
The transfer mechanism mounts the untreated substrate on a support tray having a flat plate shape in which the upper surface serves as a support surface for supporting the substrate in a horizontal posture.
A step of carrying the substrate into the processing chamber by allowing the support tray to enter the processing chamber through an opening provided on the side of the processing chamber.
A step of performing a predetermined process on the substrate in the process chamber, and
The transfer mechanism includes a step of ejecting the processed substrate placed on the support tray taken out from the processing chamber from the support tray to the outside.
The transfer mechanism transfers the substrate to and from the support tray by raising and lowering a plurality of lift pins through through holes provided in the support tray, and the plurality of lift pins are attached to a common base portion. To move up and down integrally with the base
A substrate processing method in which an upper surface of the base portion approaches or abuts on the lower surface of the support tray to cool the support tray when the treated substrate is discharged.
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