JP2020520887A - 低温で気密真空継手を製造する方法および装置 - Google Patents

Abstract

物品（１００）は、レーザービーム（ＬＢ１）で第１の断片（１１０）を第２の断片（１２０）に溶接することにより製造される。この方法は、開口キャビティ（ＯＣＡ１）および第１のシール面（ＳＲＦ１）を備えた第１の断片（１１０）を用意し、第２のシール面（ＳＲＦ２）を備えた第２の断片（１２０）を用意し、制御可能な内圧（ｐ２）を持つチャンバー（２００）を用意し、チャンバー（２００）を閉じて、第１の断片（１１０）および第２の断片（１２０）が、閉じられたチャンバー（２００）の内側にあるようにし、チャンバー（２００）の内圧（ｐ２）を変化させて、開口キャビティ（ＯＣＡ１）からのガス（ＧＡＳ１）の流れ（Ｆ１）を引き起こし、断片（１１０、１２０）の少なくとも１つを移動させることにより開口キャビティ（ＯＣＡ１）を閉じて、第１のシール面（ＳＲＦ１）が第２のシール面（ＳＲＦ２）と一緒に部分的に気密な仮接合（Ｓ０）を形成するとともに第１の断片（１１０）および第２の断片（１２０）が界面（ＩＦ１）を画定するようにし、仮接合（Ｓ０）が形成された後にチャンバー（２００）を開き、チャンバー（２００）が開かれた後にレーザービーム（Ｂ１）の焦点を界面（ＩＦ１）に集束することにより溶接シール（Ｊ１）を形成するものであり、第１のシール面（ＳＲＦ１）および第２のシール面（ＳＲＦ２）は実質的に平坦である。【選択図】図５

Description

いくつかの実施の形態は、耐密状に密封されたキャビティ（空洞）を形成することに関する。

光学的または電気的な物品（品物）は、敏感な電気部品を収容する耐密状の密封キャビティを備えてもよい。耐密状の密封キャビティが、例えば、敏感な電気部品を大気湿度から保護してもよい。第１のガラス断片と第２のガラス断片との間に充填材（フィラー材）の層を配置することにより、および、オーブン内でそのような結合体を加熱することにより、耐密状の密封キャビティが形成され得ることが知られている。充填材は、オーブン内で溶融され、その後に第１のガラス断片を第２のガラス断片に気密的に接合するために冷却されてもよい。

いくつかの実施の形態は、耐密状の密封キャビティを備えた物品を形成する方法に関するかもしれない。いくつかの実施の形態は、耐密状の密封キャビティを備えた物品を形成するための装置に関する場合がある。いくつかの実施の形態は、耐密状の密封キャビティを備えた物品に関するかもしれない。

一態様によれば、第１の断片（１１０）を第２の断片（１２０）に溶接することにより物品（１００）を製造する方法が提供され、この方法は、
開口キャビティ（ＯＣＡ１）と第１のシール面（ＳＲＦ１）を備えた第１の断片（１１０）を用意（提供）し、
第２のシール面（ＳＲＦ２）を備えた第２の断片（１２０）を用意（提供）し、
制御可能な内圧（ｐ_２）を持つチャンバー（２００）を用意（提供）し、
チャンバー（２００）を閉じて、第１の断片（１１０）および第２の断片（１２０）が、閉じられたチャンバー（２００）の内側にあるようにし、
チャンバー（２００）の内圧（ｐ_２）を変化させて、開口キャビティ（ＯＣＡ１）からガス（ＧＡＳ１）の流れ（Ｆ１）を引き起こし（発生させ）、
断片（１１０、１２０）の少なくとも１つを移動することにより開口キャビティ（ＯＣＡ１）を閉じて、第１のシール面（ＳＲＦ１）が第２のシール面（ＳＲＦ２）と一緒に仮接合（Ｓ０）を形成するとともに第１の断片（１１０）および第２の断片（１２０）が界面（ＩＦ１）を画定（定義）するようにし、
仮接合（Ｓ０）が形成された後に、チャンバー（２００）を開き、
チャンバー（２００）が開いた後にレーザービーム（Ｂ１）の焦点を界面（ＩＦ１）に集束させることにより溶接シーム（Ｊ１）を形成する、
ことからなる。

一態様によれば、第１の断片（１１０）および第２の断片（１２０）から物品（１００）を製造するための装置（７００）が提供され、第１の断片（１１０）は開口キャビティ（ＯＣＡ１）および第１のシール面（ＳＲＦ１）を備え、第２の断片（１２０）は第２のシール面（ＳＲＦ２）を備え、装置（７００）はチャンバー（２００）およびレーザー溶接ユニット（５００）を備え、装置（７００）は、
断片（１１０、１２０）が、閉じられたチャンバー（２００）内に配置（設置）されたときに、チャンバー（２００）の内圧（ｐ_２）を変化させる（変更する）ことにより、開口キャビティ（ＯＣＡ１）からのガス（ＧＡＳ１）の流れ（Ｆ１）を引き起こし（発生させ）、
閉じられたチャンバー（２００）内の断片（１１０、１２０）の少なくとも１つを移動して、第１のシール面（ＳＲＦ１）が第２のシール面（ＳＲＦ２）と一緒に仮接合（Ｓ０）を形成するとともに第１の断片（１１０）および第２の断片（１２０）が界面（ＩＦ１）を画定するように開口キャビティ（ＯＣＡ１）を閉じるようにし、
チャンバー（２００）が開かれた後に、レーザービーム（Ｂ１）の焦点を界面（ＩＦ１）に集束させることにより、溶接シーム（Ｊ１）を形成する、
ように構成される。

第１のシール面および第２のシール面は実質的に平坦（平面）であってもよい。

第１のシール面は、第２のシール面と一緒に部分的に気密な仮接合（仮継手）を形成してもよい。

キャビティの圧力は、チャンバーを使用することにより低減（低下）されてもよい。チャンバーは、例えば真空チャンバーとして呼ばれることもある。真空チャンバーが断片に対してレーザー溶接ユニットの配置（位置決め）を制限しないように真空チャンバーが開かれた後に、レーザー溶接が行われてもよい。特に、真空チャンバーの外側でレーザー溶接が行われることもある。この方法は、断片の共通界面の所望の点へのレーザービームの焦点の集束を容易にするかもしれない。これらの断片は、レーザービームを真空チャンバーに導く（案内する）必要がないように、集束されたレーザービームに合わせて溶接されてもよい。この方法は、密封シームの形成中に半製造の物品に対してレーザー溶接ユニットを移動する実質的な自由を提供するかもしれない。例えば、チャンバーの壁を介してレーザービームを導く（案内する）必要はない。

物品は、キャビティの表面を実質的に加熱することなく形成されてもよい。これにより、例えばキャビティ内の敏感な部品の密閉カプセル化が容易にされるかもしれない。これにより、キャビティ内にカプセル化された部品の動作信頼性が向上（改善）されるかもしれない。キャビティの表面の温度は、例えば部品を損傷する可能性を低減するために、例えばシームの形成中に８０℃より低いままであってもよい。キャビティの表面の温度は、部品の動作信頼性を向上させるために、シームの形成中に、８０℃より低いままであってもよい。キャビティの表面の温度は、シームの形成中に、通常の室温（例えば２５℃付近）とほぼ等しいままであってもよい。

断片を加熱および／または冷却するために時間を費やす必要はない。この方法は、高率（高速）で物品の生産を可能にするかもしれない。キャビティの温度を所定の限界より低く保つことにより、有害な物質を断片から耐密状に密封されたキャビティに放出するリスクが低減または最小限にされるかもしれない。

断片の少なくとも１つは、レーザービームの波長で実質的に透明であってもよい。断片の少なくとも１つは、赤外線、可視、および／または紫外線の波長範囲で実質的に透明であってもよいので、断片を介して界面にレーザービームを透過させることが可能になる。

第１の断片の材料は、例えばガラス、シリコン、サファイア、またはセラミックであってもよい。第２の断片の材料は、例えばガラス、シリコン、サファイア、またはセラミックであってもよい。これらの材料を使用すると、寸法的に安定するとともに気密に密封した構造が提供（用意）されるかもしれない。ガスに対するガラスの透過性は、例えば、プラスチックの透過性またはエポキシ樹脂の透過性よりも実質的に低くてもよい。

ガラス、シリコン、サファイア、および／またはセラミックを使用し、断片の温度を所定の限界より低く保つと、有害物質を断片の材料から耐密状の密封されたキャビティへおよび／またはキャビティ内に取り囲まれた部品へ放出するリスクが低減または最小限にされるかもしれない。ガラス、シリコン、サファイア、および／またはセラミックを使用し、断片の温度を所定の限界より低く保つと、密封されたキャビティから外へ有害物質を放出するリスクが低減または最小限にされるかもしれない。ガラス、シリコン、サファイア、および／またはセラミックを使用し、断片の温度を所定の限界より低く保つと、キャビティ内に取り囲まれた部品から外へ有害物質を放出するリスクが低減（減少）または最小限にされるかもしれない。ガス放出が減少されまたは完全に取り除かれることもあり得る。

溶接シームは、断片間に充填材を使用せずに、第１の断片の材料と第２の断片の材料とから形成されてもよい。物品は、材料の数を減らして使用することにより製造されるかもしれない。溶接シームは、耐密状の密封された構造を提供するために、キャビティを完全に取り囲んでもよい。

レーザービームは、溶接中に断片の合わせ面のうち大きい部分が固体のままであり得るように、断片の合わせ面の局所的な融合を引き起こすかもしれない。合わせ面のうち大きい部分は、物品の寸法が溶接により変化されないように、溶接中に固体のままであってもよい。その結果、物品の最終的な厚さは、断片の初期寸法によって正確に定義（画定）されるかもしれない。

物品の外部と内部との圧力差により、レーザー溶接中に第２の断片が適切な位置に保持されて、レーザー溶接中に第２の断片を第１の断片に押し付け治具で押し付けることが必要でなくなるようにしてもよい。押し付け治具なしで溶接を実行すると、断片に対してレーザー溶接ユニットの位置を選択するさらに高い自由度が提供されるかもしれない。前記圧力差はまた、物品の内部応力を低減または最小限にすることも可能であり、それにより、製造された物品の動作信頼性を増大させる。

レーザー溶接中に断片の温度を物品の意図された動作温度の近くに維持すると、断片の内部応力が減少されることもあり、例えば第１の断片の材料の熱膨張係数が第２の断片の材料の熱膨張係数と実質的に異なるときに、物品の動作信頼性が向上されることもある。第１の断片の材料の熱膨張係数と第２の断片の材料の熱膨張係数との比は、例えば１／３より小さくまたは３より大きくてもよい。意図された動作温度は、例えば室温にほぼ等しい（例えば２５℃）。

次の例では、添付の図面を参照して、いくつかのバリエーションをより詳細に説明する。
一例として、耐密状に密閉（閉塞）されたキャビティを備えた物品を示す断面図である。 一例として、その物品の断片における開口キャビティの圧力を変える装置を示す断面図である。 一例として、その断片の開口キャビティからのガスの除去を示す断面図である。 一例として、その断片のキャビティの閉鎖（密閉）を示す断面図である。 一例として、その物品の第１の断片と第２の断片との間に形成された仮接合を示す断面図である。 一例として、チャンバー（部屋）の開口後における半製造の物品を示す断面図である。 一例として、レーザー溶接によって第１の断片と第２の断片との間の継ぎ目（シーム）の形成を示す断面図である。 一例として、レーザー溶接装置を示す断面図である。 一例として、耐密状に密閉された（耐密状の密閉）キャビティ内にカプセル化された部品を備えた物品を示す断面図である。 一例として、耐密状の密閉キャビティを製造する方法のステップを示す図である。 一例として、外圧の時間的展開（進展）とキャビティ圧力の時間的展開（進展）とを示す図である。 一例として、耐密状の密閉キャビティを備えた物品を示す三次元的な図である。 一例として、外圧と内圧との差によって引き起こされる変形を示す断面図である。 一例として、レーザー溶接によって第１の断片と第２の断片との間の継ぎ目の形成を示す断面図である。 一例として、耐密状の密閉キャビティ内に囲まれた部品を含む物品を示す三次元的な図である。 一例として、管状断片の開口キャビティからのガスの除去を示す断面図である。 一例として、レーザー溶接によって管状断片のキャビティの閉鎖（密閉）を示す断面図である。 一例として、耐密状の密閉キャビティを備えた物品を示す三次元的な図である。

図１ａを参照すると、製造された物品１００は、耐密状に密閉（閉鎖）されたキャビティＣＡＶ１を備えてもよい。物品１００は、第１の断片（パーツ、ピース）１１０を第２の断片（パーツ、ピース）１２０にレーザービームで溶接することにより製造されてもよい。第１の断片１１０は、溶接シーム（継ぎ目）Ｊ１によって第２の断片１２０に接合されてもよい。ｐ_１は、キャビティＣＡＶ１の内圧（内部圧力）を示すこともある。ｐ_２は、物品１００の外面上のガスの外圧（外部圧力）を示すこともある。圧力ｐ_２は、周囲圧力ｐ_０に等しくてもよく、例えば１００ｋＰａにほぼ等しくてもよい。

物品１００はデバイス（装置）であってもよい。物品１００は、例えば、光学デバイスおよび／または電子デバイスであるかもしれない。

ＳＸ、ＳＹ、およびＳＺは直交方向を示す。

図１ｂを参照すると、製造装置７００は、真空チャンバーの内圧を変えることにより、および、レーザー溶接を使用することにより、物品１００を製造するように配置（構成）されてもよい。

装置７００は、第１の断片１１０を第２の断片１２０に溶接することにより物品１００を製造するように配置（構成）されてもよい。第１の断片１１０は、第１のシール面ＳＲＦ１を有してもよく、第２の断片１２０は、第２のシール面ＳＲＦ２を有してもよい。第１の断片１１０は、例えば、ガラス、シリコン、サファイア、および／またはセラミック材料を含んでもよい。第２の断片１２０は、例えば、ガラス、シリコン、サファイア、および／またはセラミック材料を含んでもよい。シール面ＳＲＦ１は、本質的に、ガラス、シリコン、サファイア、および／またはセラミック材料からなっていてもよい。シール面ＳＲＦ２は、本質的に、ガラス、シリコン、サファイア、および／またはセラミック材料からなっていてもよい。

装置７００は、例えば、ベース２１０とカバー２２０とを備えてもよい。ベース２１０は、低圧チャンバー２００の一部として動作し得る。低圧チャンバー２００はまた、例えば、真空チャンバーとして呼ばれることがある。

物品１００は、第１の断片（ピース）１１０と第２の断片（ピース）１２０とを備えてもよい。第１の断片１１０は、第１のシール面ＳＲＦ１を有してもよく、第２の断片１２０は、第２のシール面ＳＲＦ２を有してもよい。断片１１０および／または１２０は、最初に１つ以上の開口した（開いた）キャビティＯＣＡ１を備えてもよい。第１の断片１１０は、第２の断片１２０が第１の断片１１０に押し付けられたときに、閉鎖した（閉じた）キャビティＣＡＶ１を少なくとも部分的に画定し得る凹状部を有してもよい。第２の断片１２０は、キャビティが最初に開口するように、第１の断片１１０に対して配置（位置決め）されてもよい。開口キャビティＯＣＡ１は、開口キャビティＯＣＡ１を閉じることにより閉じた（閉鎖）キャビティＣＡＶ１に切り換えられてもよい。断片１１０、１２０の形状寸法は、第１の断片１１０の第１のシール面ＳＲＦ１を第２の断片の第２のシール面ＳＲＦ２と接触させることによって開口キャビティＯＣＡ１を閉鎖キャビティに切り換えできるように選択されてもよい。第２のシール面ＳＲＦ２は、例えば第１の断片１１０に対して第２の断片１２０を移動させることによって、第１のシール面ＳＲＦ１にもたれて（押し付けて）配置されてもよい。

Ｇ０は、第１のシール面ＳＲＦ１と第２のシール面ＳＲＦ２との間の隙間（間隙、ギャップ）を示す。ｄ０は隙間Ｇ０の高さを示す。隙間Ｇ０は、開口キャビティＯＣＡ１から隙間Ｇ０を介してガスＧＡＳ１（またはＧＡＳ０）の流れＦ１を可能にし得る（図１ｃ）。第２の断片１２０の初期位置は、チャンバーの圧力が低下されたときにキャビティＯＣＡ１が開くように選択されてもよい。第２の断片１２０の初期位置は、第１のシール面ＳＲＦ１の一部と第２のシール面ＳＲＦ２の一部との間に隙間Ｇ０が存在するように選択されてもよい。高さｄ０は、ゼロより大きくてもよい。高さｄ０は、例えば、１ｍｍより大きくまたは１０ｍｍよりさらに大きくてもよい。

ｐ_１は、断片１２０の第１の側におけるキャビティＯＣＡ１、ＣＡＶ１のガス圧を示してもよい。ｐ_２は、断片１２０の第２の（他の）側におけるガス圧を示してもよい。圧力ｐ_１は例えばキャビティ圧力と呼ばれてもよく、および、圧力ｐ_２は例えば外圧（外部圧力）と呼ばれてもよい。ｐ_０は周囲圧力を示してもよい。外圧ｐ_２は、真空チャンバーが開いているときの周囲圧力ｐ_０とほぼ等しくてもよい。周囲圧力ｐ_０は、例えば９０ｋＰａから１１０ｋＰａの範囲内であってもよい。周囲圧力ｐ_０は、大気圧にほぼ等しくてもよい。周囲圧力ｐ_０は、例えば１００ｋＰａにほぼ等しくてもよい。

断片１１０、１２０は、最初はガスＧＡＳ１で囲まれていてもよい。キャビティＯＣＡ１は、最初にガスＧＡＳ１で満たされていてもよい。ガスＧＡＳ１は例えば空気であってもよい。ガスＧＡＳ１はまた、例えば不活性ガス、例えばアルゴンまたは窒素であってもよい。断片１１０、１２０は、最初は不活性ガスＧＡＳ１で囲まれていてもよい。例えば、装置７００は、不活性ガスＧＡＳ１で満たされた部屋内または限られた空間内で動作するように構成されてもよい。

第１の断片１１０は、例えばベース２１０によって支持されてもよい。第１の断片１１０の位置は、例えば１つ以上の位置決め要素３５０を使用することにより、ベース２１０に対して任意に規定されてもよい。１つ以上の位置決め要素３５０は、クランプ（締め具）として動作するように任意に配置されてもよい。断片１１０は、例えば１つ以上のクランプ要素３５０によって、ベース２１０に任意にクランプ（締め付け）されてもよい。ベース２１０は、例えば、ベース２１０に対して断片１１０の横方向位置を規定する凹部（図示せず）を任意に備えてもよい。クランプ要素または凹部（凹み）の使用は必要（必須）ではない。第１の断片１１０は、第１の断片１１０をクランプすることなく、ベース２１０に対して静止状態に維持されてもよい。断片１１０はまた、例えば重力おび摩擦によって、所定の位置に保持されてもよい。

装置７００は、１つ以上のアクチュエータ３１０を備えてもよい。１つ以上のアクチュエータ３１０は、第１の断片１１０を移動させることにより、および／または、第２の断片１２０を移動させることにより、キャビティを閉じるように配置され得る。１つ以上のアクチュエータ３１０は、チャンバー２００が閉じられたときに第１の断片１１０と第２の断片１２０との間に相対運動を引き起こすように配置されてもよい。第２の断片１２０は、１つ以上の支持要素３１１によって一時的に支持されてもよい。支持要素３１１はまた、例えば接触要素として呼ばれることもある。キャビティＣＡＶ１は、１つ以上の接触要素３１１を動かすことにより閉じられてもよい。第２の断片１２０は、１つ以上の接触要素３１１を動かすことにより、第１の断片１１０と接触させることができる。装置７００は、接触要素３１１を移動させるための１つ以上のアクチュエータ３１０を備えてもよい。アクチュエータ３１０は、第２の断片１２０と接触するための接触要素３１１を備えてもよい。断片１２０は、１つ以上の接触要素３１１により、支持されてもよい。第２の断片１２０は、１つ以上の接触要素３１１を使用することにより、一時的にクランプされてもよい。断片は、２つ以上の接触要素３１１の間にクランプされてもよい。

第１の断片１１０は、１つ以上の開口キャビティＯＣＡ１を備えてもよく、および／または、第２の断片１１０は、１つ以上の開口キャビティＯＣＡ１を備えてもよい。第１の断片１１０および／または第２の断片１２０は、１つ以上の開口キャビティＯＣＡ１を画定するために１つ以上の凹状部を備えてもよい。

チャンバー２００は、ベース２１０およびカバー２２０を備えてもよい。チャンバー２００は、例えばベース２１０に対してカバー２２０を移動させることにより、閉じられてもよい。チャンバー２００は、第１の断片１１０および第２の断片１２０がチャンバー２００内に残るように閉じられてもよい。

チャンバー２００は、チャンバー２００から外へガスを導くための１つ以上の開口部２５０、２５１を備えてもよい。チャンバー２００は、ガスをチャンバー２００の中へ導くための１つ以上の開口部２５０、２５１を任意に備えてもよい。

装置７００は、チャンバー２００からガスを除去するためのポンプＰＵＭＰ１を備えてもよい。ポンプＰＵＭＰ１は、チャンバー２００から外へガス流Ｑ_ＰＵＭＰを引き起こしてもよい。ポンプＰＵＭＰ１は、周囲圧力ｐ_０に対してチャンバー２００の内圧ｐ_２を低減（低下）させるように配置（構成）されてもよい。

装置７００は、チャンバー２００内の圧力を監視するための圧力センサＭ１を備えてもよい。

製造装置７００は、チャンバー２００内に案内されたガスの第１のガス流量（流速）Ｑ_ＧＡＳ０を制御するためのバルブ（弁）ＣＶ１を任意に備えてもよい。例えば、バルブＣＶ１は、不活性フラッシングガスＧＡＳ０の流量を制御してもよい。キャビティＯＣＡ１を閉じる前に、チャンバー２００がフラッシングガスＧＡＳ０で任意にフラッシ（荒い流）されてもよい。フラッシングガスの組成は、物品１００の閉じたキャビティ内に所望のガス組成を提供するように選択されてもよい。チャンバー２００は、例えば不活性ガスでフラッシされてもよい。不活性ガスは、例えば窒素（Ｎ_２）またはアルゴン（Ａｒ）であってもよい。ガスは、例えばバルブＣＶ１を介したガスボンベから提供されてもよい。キャビティＯＣＡ１内のガスの組成は、フラッシするガス流量Ｑ_ＧＡＳ０のガスＧＡＳ０の組成とほぼ類似してもよい。

装置７００は、チャンバー２００の中へ案内されたガスの第２のガス流量を制御するためのバルブＣＶ２を任意に備えてもよい。例えば、バルブＣＶ１は、キャビティを閉じた後でチャンバーを開く前に、チャンバーの圧力が増加されるときに流量を制御してもよい。

装置７００は、バルブＣＶ１、ＣＶ２の動作を制御し、かつ、ポンプＰＵＭＰ１の動作を制御するための制御ユニットＣＮＴ１を備えてもよい。装置７００は、バルブＣＶ１、ＣＶ２およびポンプＰＵＭＰ１の動作の時間を計るための制御ユニットＣＮＴ１を備えてもよい。装置７００は、例えばチャンバー２００の測定された内圧に基づいて、バルブＣＶ１、ＣＶ２およびポンプＰＵＭＰ１の動作を制御するための制御ユニットＣＮＴ１を備えてもよい。装置７００は、チャンバー２００を開くおよび／または閉じるための１つ以上のアクチュエータを任意に備えてもよい。

チャンバー２００は、チャンバー２００が閉じられたときにベース２１０とカバー２２０との間に圧力密封シールを形成するためにシーリング材（封止剤）ＳＥＡＬ１を備えてもよい。

図１ｃを参照すると、チャンバー２００の内圧ｐ_２を変化させるため、および、開口キャビティＯＣＡ１からガスを除去するために、ガスＧＡＳ１（またはＧＡＳ０）をチャンバー２００から外へ取り出してもよい。ポンプＰＵＭＰ１は、ガスＧＡＳ１をチャンバー２００から外へ取り出してもよい。ガスＧＡＳ１は、開口キャビティＯＣＡ１から、および、チャンバー２００の内部から、同時に引き（取り）出されてもよい。開口キャビティＯＣＡ１の内部は、例えば隙間ＧＡＰ１を介して、チャンバー２００の内部と流体連通（連結）していてもよい。開口キャビティＯＣＡ１の内部は、チャンバー２００の内部と流体連通していてもよい。チャンバー２００の内圧ｐ_２は、周囲圧力ｐ_０よりも実質的に低くてもよい。開口キャビティＯＣＡ１の圧力ｐ_２は、チャンバー２００の内圧ｐ_１にほぼ等しくてもよい。キャビティの圧力ｐ_１は、チャンバー２００の内圧ｐ_２を変えることにより、変えられてもよい。

チャンバー２００の内部寸法は、物品１００の外部寸法に従って選択されてもよい。小さい物品１００を製造する場合、チャンバー２００の内部容積は小さくてもよい。その結果、チャンバー２００の内圧は、高率（高速）で低下されるかもしれない。

物品１００の横方向の寸法（例えば、方向ＳＸまたはＳＹ）は、例えば０．５ｍｍから５００ｍｍの範囲内であってもよい。例えば、物品１００の横方向の寸法は、例えば１ｍｍｍ×１ｍｍのオーダーの範囲内であってもよい。例えば、円形シリコンウエハーを断片１１０、１２０のうち１つとして使用してもよい。ウエハーの直径は、例えば５０から３０５ｍｍ（2インチから１２インチ）の範囲内であってもよい。第２の断片１２０の（方向ＳＺの）厚さは、例えば３０μｍ以上であってもよい。物品１００の全体の厚さは、例えば１００μｍから１０ｍの範囲内であってもよい。

図１ｄを参照すると、隙間Ｇ０は、１つ以上のアクチュエータ３１０を使用することによって閉じられてもよい。例えば、アクチュエータ３１０は、第１の断片１１０に対して第２の断片１２０を移動させてもよい。ＭＶ１は、断片１２０の動きを示すこともある。開口キャビティＯＣＡ１の圧力ｐ_１は、キャビティが閉じているときのチャンバー２００の内圧ｐ_２にほぼ等しくてもよい。チャンバー２００の内圧ｐ_２は、隙間Ｇ０が閉じられているときの周囲圧力ｐ_０よりも実質的に低くてもよい。開口キャビティＯＣＡ１は、断片１２０で開口キャビティＯＣＡ１を覆うことにより、閉鎖キャビティＣＡＶ１に切り換えられてもよい。隙間Ｇ０を閉じることにより、開口キャビティＯＣＡ１を閉鎖キャビティＣＡＶ１に切り換えてもよい。

図１ｅを参照すると、チャンバー２００の内圧ｐ_２は、キャビティが閉じられた後に増加されてもよい。チャンバー２００の開口（開放）を容易にするために、チャンバーを開口する前にチャンバー２００の内圧ｐ_２を増加させてもよい。例えば、ガス流量Ｑ_ＥＱは、例えばバルブＣＶ２を介して、チャンバーの中へ誘導（案内）されてもよい。チャンバー２００の内圧ｐ_２は、周囲圧力ｐ_０と等しくされてもよい。チャンバー２００の内圧ｐ_２は、チャンバー２００の内圧ｐ_２が周囲圧力ｐ_０とほぼ等しくなるように、増加されてもよい。

断片１１０のシール面ＳＲＦ１は、仮接合Ｓ０を形成するように、断片１２０のシール面ＳＲＦ２と接触していてもよい。シール面ＳＲＦ１の三次元形状は、仮接合Ｓ０が或る程度まで気密になり得るように、シール面ＳＲＦ２の三次元形状とほぼ一致してもよい。仮接合Ｓ０は、キャビティＣＡＶ１を取り巻いて（丸く囲んで）もよい。面ＳＲＦ１の形状および／または面ＳＲＦ２の形状は、第１の面ＳＲＦ１が第２の面ＳＲＦ２に押し付けられたときに面ＳＲＦ１、ＳＲＦ２がほぼ気密かつ一時的な（仮の）接合を形成し得るように、平面（平坦）であってもよい。

面ＳＲＦ１の形状は、第１の面ＳＲＦ１が第２の面ＳＲＦ２に押し付けられたときに面ＳＲＦ１、ＳＲＦ２が一緒に一時的かつほぼ気密な接合を形成し得るように、面ＳＲＦ２の形状と一致してもよい。面ＳＲＦ１は、例えば平面、球面、または円錐形であってもよい。面ＳＲＦ２は、例えば平面、球面または円錐形であってもよい。第１の面ＳＲＦ１は、例えば、第２の面ＳＦＲ２の凹形状とマッチする（つり合う）凸形状を有してもよい。第１の面ＳＲＦ１は、例えば、第２の面ＳＲＦ２の凸形状とマッチする（つり合う）凹形状を有してもよい。

例えば、断片間の閉じた隙間のＲＭＳ高さは１．０μｍより小さく、有利には０．２μｍより小さくてもよい。ＲＭＳは二乗平均平方根を意味する。例えば、面ＳＲＦ１および／または面ＳＲＦ２は平面であってもよい。例えば、面ＳＲＦ１、ＳＲＦ２の平坦（平面）度は、１．０μｍよりも良く（小さく）、有利には０．２μｍよりも良い（小さい）かもしれない。

断片１１０、１２０間の仮接合Ｓ０は、溶接せずおよび接着剤を使用せずに形成されてもよい。

シール面ＳＲＦ２はシール面ＳＲＦ１と接触していてもよく、ファンデルワールス力によっても第２の断片１２０が第１の断片１１０に対して保持され得るように面ＳＲＦ２の形状は面ＳＲＦ１の形状と一致してもよい。

仮接合Ｓ０は、面ＳＲＦ２に対する面ＳＲＦ１の小さな相対運動を可能にしてもよい。例えば、面ＳＲＦ２は、面ＳＲＦ１に対して横方向に数マイクロメートルだけスライド（摺動）してもよい。面ＳＲＦ２は、面ＳＲＦ２に対して垂直な横方向に数マイクロメートルだけスライド（摺動）してもよい。

原則として、断片１２０は、断片１１０、１２０のうち少なくとも１つに視覚的に検出可能な損傷を引き起こすことなく、仮接合を開く（開放する）ために断片１１０から引き離されることもできるだろう。仮接合Ｓ０は、チャンバー２００を開いた後、第２のシール面ＳＲＦ２に対する第１のシール面ＳＲＦ１の相対運動を可能にしてもよい。仮接合Ｓ０は、溶接シームＪ１を形成する前に、第２のシール面ＳＲＦ２に対する第１のシール面ＳＲＦ１の相対運動を可能にしてもよい。

仮接合Ｓ０は、或る程度まで気密であってもよい。チャンバー２００の内圧ｐ_２が増加されてもよく、その場合にはキャビティＣＡＶ１の圧力ｐ_１は、チャンバー２００の圧力ｐ_２よりも低いままであってもよい。その結果、圧力差Ｐ_２−Ｐ_１により引き起こされた空気圧Ｆ_２１によっても第２の断片１２０は第１の断片１１０に対して保持されてもよい。

仮接合Ｓ０は、溶接を実行する前にチャンバーを開いた後でも、面ＳＲＦ１に対する面ＳＲＦ２の小さな相対運動を可能にしてもよい。ほぼ平坦な面ＳＲＦ１、ＳＲＦ２の場合、面ＳＲＦ１は、例えば、方向ＳＸおよびＳＹで規定される平面内であってもよく、面ＳＲＦ２は、平坦な面ＳＲＦ１に沿って、例えば方向ＳＸにスライド（摺動）してもよい。平坦な面ＳＲＦ２は、面ＳＲＦ２が平坦な面ＳＲＦ１に沿って、例えば方向ＳＸに、移動され得るように、主に圧力差ｐ_２−ｐ_１によって平坦な面ＳＲＦ１に対して保持されてもよい。平坦な面ＳＲＦ２は、面ＳＲＦ２が平坦な面ＳＲＦ１に沿って、例えば数マイクロメートルだけ、例えば方向ＳＸに（チャンバーを開いた後で、溶接を実行する前に）移動可能であるように、圧力差ｐ_２−ｐ_１によって平坦な面ＳＲＦ１に対して保持されてもよい。

図１ｆを参照すると、断片１１０、１２０の間に仮接合Ｓ０を形成することによってキャビティＣＡＶ１が閉じられた後に、チャンバー２００を開い（開口し）てもよい。半製造の物品１００′の外側の外圧ｐ_２は、周囲圧力ｐ_０にほぼ（実質的に）等しくてもよい。半製造の物品１００′は、断片１１０、１２０の積み重ねられた組み合わせを備えてもよい。

仮接合Ｓ０は、溶接を実行する前にチャンバー２００が開かれた後に、第１の断片１１０に対する断片１２０の小さな相対運動を可能にしてもよい。

図１ｇおよび図２を参照すると、第２の断片１２０は、レーザービームＢ１を使用することによって第１の断片１１０に溶接されてもよい。装置７００は、溶接された密封シーム（継ぎ目）Ｊ１を第１の断片１１０と第２の断片１２０との間に形成するためのレーザー溶接ユニット５００を備えてもよい。第１の断片１１０および第２の断片１２０は、共通界面ＩＦ１を備えてもよい。特に、第１のシール面ＳＲＦ１は、第１の断片１１０と第２の断片１２０との間に共通界面ＩＦ１を画定するように、第２のシール面ＳＲＦ２と接触していてもよい。レーザー溶接ユニット５００は、レーザービームＢ１の焦点を共通界面ＩＦ１に合わせるための集束光学系５１０を備えてもよい。集束光学系５１０は、一次ビームＢ０の光を集束することにより、集束レーザービームＢ１を提供してもよい。一次ビームＢ０は、例えばファイバーレーザーの光を使うことによって、提供されてもよい。一次ビームＢ０の焦点は、例えば断片１１０を介しておよび／または断片１２０を介して、界面ＩＦ１に合わせられてもよい。断片１１０および／または断片１２０は、レーザービームＢ１の波長で実質的に（ほぼ）透明であってもよい。レーザービームＢ１は、例えば焦点に瞬間的に大きな光強度を提供するために、および／または、焦点の範囲外では材料の加熱を最小限にするために、パルス化されてもよい。

密封シームＪ１の形成には、レーザービームＢ１の焦点で第１の断片１１０の材料を局所的に溶か（溶融）し、レーザービームＢ１の焦点で第２の断片１２０の材料を局所的に溶かす（溶融する）ことが含まれてもよい。レーザービームＢ１は、界面ＩＦ１で両方の断片の局所的な融合を引き起こしてもよい。シーム（継ぎ目）Ｊ１は、断片１１０、１２０の材料の再凝固により形成されてもよい。レーザービームＢ１の強度が大きい（高い）と、焦点で非線形吸収が引き起こされる可能性がある。

レーザービームＢ１の焦点は、シームＪ１がキャビティＣＡＶ１を丸く囲むことができるように、半製造の物品１００′に対して移動されてもよい。レーザーユニット５００、そのユニット５００の光学部品、および／または物品１００′は、焦点の相対的な移動を引き起こすように動かされてもよい。シームＪ１は破れていなく（連続してい）てもよい。１つ以上のシームＪ１は同時に、キャビティＣＡＶ１を丸く囲んでもよい。１つ以上のシームＪ１は同時に、キャビティＣＡＶ１の周囲に閉ループを形成してもよい。

第２の断片１２０は、レーザー溶接中に第２の断片１２０を第１の断片１１０に押し付けるための接触要素を使用することが必要ないように、空気力Ｆ_２１によって第１の断片１１０に対して保持されてもよい。例えば、接触要素３１１は、第２の断片１２０から離れて任意に移動されてもよい。これにより、レーザー溶接中にレーザー溶接ユニット５００に対して半製造の物品１００′を実質的に自由に移動可能にしてもよい。レーザービームＢ１は、界面ＩＦ１のほぼ全ての点への妨げられていないアクセスを行ってもよい（制限なく利用できるかもしれない）。レーザービームＢ１で界面ＩＦ１を溶接することが、例えばチャンバー２００が開かれた後にのみ、開始されてもよい。

第２の断片１２０は、断片１１０、１２０の少なくとも一方に対して視覚的に検出可能な損傷を引き起こすことなく第２の断片１２０を第１の断片１１０から分離できないように、レーザー溶接のほぼ開始直後にシームＪ１の一部を使って第１の断片１１０に永久に締結され（取り付けられ）てもよい。シームＪ１の形成には、第２のシール面ＳＲＦ２に対する第１のシール面ＳＲＦ１の相対的な動き（移動）を実質的に防止することが含まれてもよい。シームＪ１の形成には、断片１１０、１２０の少なくとも一方に対して視覚的に検出可能な損傷を引き起こすことなく第２の断片１２０を第１の断片１１０から分離できないように、第２の断片１２０を第１の断片１１０に永久的に固定（締結）することが含まれてもよい。

アクチュエータ６００は、レーザー溶接ユニット５００に対して半製造の物品１００′を動かすように配置されてもよい。アクチュエータ６００は、例えば並進移動ステージまたはロボットであってもよい。アクチュエータ６００は、半製造の物品１００′に対してレーザービームＢ１を動かすように配置されてもよい。アクチュエータ６００は、例えば、ロボット、並進運動ステージ、および／または走査光学素子を備えていてもよい。

半製造の物品１００′は、例えば、レーザー溶接中にベース２１０によって、支持されてもよい。あるいは、溶接を開始する前に、半製造の物品１００′を異なる支持要素に移動させてもよい。

図２を参照すると、物品１００は、溶接シームＪ１を形成することにより半製造の物品１００′から形成されてもよい。物品１００のキャビティＣＡＶ１は、シームＪ１が形成された後に、耐密状に密閉された状態になってもよい。物品１００におけるキャビティＣＡＶ１の絶対圧ｐ_１は、例えば、５０ｋＰａ未満、１ｋＰａ未満、１Ｐａ未満、または、さらに１０^−３Ｐａ未満であってもよい。

溶接シームＪ１は、第１の断片１１０を第２の断片１２０に気密的に接合してもよい。溶接シームＪ１は、第１の断片と第２の断片との間で気密接合（気密継手）として機能することもある。溶接シームＪ１は、恒久的な気密接合として機能することもある。溶接シームＪ１は、恒久的な気密真空接合として機能することもある。この方法には、第１の断片１１０と第２の断片１２０との間に気密接合Ｊ１を形成することが含まれてもよい。装置は、第１の断片１１０と第２の断片１２０との間に気密接合Ｊ１を形成するように配置（構成）されてもよい。

図３を参照すると、製造された物品１００は、キャビティＣＡＶ１内に位置する１つ以上の部品（パーツ）１３０を任意に含んでもよい。耐密状に密閉されたキャビティは、例えば、大気湿度から、オゾン（酸素）から、および／またはエアロゾル粒子から、部品１３０を保護し得る。部品１３０は、キャビティＣＡＶ１内に搭載（装着）または形成されてもよい。物品１００は、例えば、図１から図２に示されたチャンバー２００を使用することによって、保護されてもよい。部品１３０は、キャビティＯＣＡ１が閉じられる前に、開口したキャビティＯＣＡ１内に装着または形成されてもよい。部品１３０は、例えば、電気部品、光学部品、および／または機械部品であってもよい。部品１３０は電気回路を備えてもよい。部品１３０は、例えば、半導体部品であってもよい。部品は、例えば、光検出器を備えていてもよい。部品は、例えば、レーザーダイオードおよび／または発光ダイオードを備えていてもよい。部品はアンテナを備えていてもよい。チャンバー２００が閉じられる前に、１つ以上の構成部品１３０がキャビティＯＣＡ１内に装着または形成されてもよい。

密閉されたキャビティＣＡＶ１はまた、密閉されたキャビティＣＡＶ１内に含まれる有害物質から他の外部構成部品を保護するように配置されてもよい。例えば、キャビティには、腐食性物質を含有する可能性のあるバッテリー（電池）を含んでもよい。

部品１３０は、密封シームＪ１がレーザー溶接によって形成された後に、耐密状の密閉キャビティＣＡＶ１のままであってもよい。物品１００におけるキャビティＣＡＶ１の絶対圧ｐ_１は、例えば、５０ｋＰａ未満、１ｋＰａ未満、１Ｐａ未満、または、さらに１０^−３Ｐａ未満であってもよい。

溶接シームＪ１の位置は、仮接合Ｓ０の位置と実質的に（ほぼ）一致してもよい。溶接シームＪ１は、仮接合Ｓ０の位置に隣接していてもよい。完成された物品１００は、１つ以上の溶接シームＪ１を含んでもよい。完成された物品１００は、２つ以上の溶接シームＪ１を含んでもよい。

溶接後の物品１００の厚さｄ１００は、半製造の物品１００′の厚さとほぼ等しくてもよい。

図４は、物品１００を製造するための方法ステップを示している。断片１１０、１２０が用意（提供）されてもよい（ステップ９１０）。チャンバー２００は、両方の断片１１０、１２０がチャンバー２００の内側に位置（設置）されるように、閉じられてもよい（ステップ９２０）。キャビティを閉じる前にチャンバーを閉じた後で、開口キャビティＯＣＡ１の圧力が低下されてもよい（ステップ９３０）。仮接合Ｓ０は、圧力が低下された後に、シール面ＳＲＦ１、ＳＲＦ２の合わせ部分を互いに接触させることにより、形成されてもよい（ステップ９４０）。チャンバー２００の圧力は、キャビティが閉じられた後に増加されてもよい（ステップ９５０）。チャンバー２００は開口されるかもしれない（ステップ９６０）。チャンバー２００が開かれた後に、密封シームＪ１は、レーザー溶接によって形成されてもよい（ステップ９７０）。

その製造方法は、
開口キャビティ（ＯＣＡ１）を具備する第１の断片（１１０）を提供（用意）し、
第２の断片（１２０）を提供（用意）し、
チャンバー（２００）を閉じて、第１の断片（１１０）と第２の断片（１２０）が、密閉されたチャンバー（２００）の内側にあるようにし、
第１の断片（１１０）と第２の断片（１２０）との間に隙間（Ｇ０）を設け、
チャンバー（２００）の圧力（ｐ_２）を変化させて、隙間（Ｇ０）を介して開口キャビティ（ＯＣＡ１）からのガス（ＧＡＳ１）の流れ（Ｆ１）を発生させるようにし、
第１の断片（１１０）の第１のシール面（ＳＲＦ１）を第２の断片（１２０）の第２のシール面（ＳＲＦ２）と接触させることにより開口キャビティ（ＯＣＡ１）を閉じて、第１のシール面（ＳＲＦ１）が第２のシール面（ＳＲＦ２）と一緒に仮接合（Ｓ０）を形成するとともに第１の断片（１１０）と第２の断片（１２０）とが界面（ＩＦ１）を画定するようにし、
仮接合（Ｓ０）が形成された後に、チャンバー（２００）を開き、
第２の断片（１２０）を介して界面（ＩＦ１）にレーザービーム（Ｂ１）の焦点を合わせることにより、溶接シーム（Ｊ１）を形成する、
ことを含んでもよい。

その方法は、チャンバー２００を開くこと（ステップ９６０）とレーザー溶接を実行すること（ステップ９７０）との間に１つ以上の追加的な方法ステップを任意に含んでもよい。例えば、その方法には、チャンバーを開いた後であるがレーザー溶接を開始する前に、断片１１０、１２０の外面から保護フィルム（保護膜）を除去することが含まれてもよい。

図５は、一例として、物品１００の製造中に、キャビティ圧力ｐ_１の時間的展開と外圧ｐ_２の時間的展開とを示している。

開口キャビティＯＣＡ１の圧力ｐ_１および外圧ｐ_２は、最初は、周囲圧力ｐ_０に等しくてもよい。チャンバー２００は、時間ｔ_０に閉じられてもよい。チャンバー圧ｐ_２の減圧は、時間ｔ_１で開始されてもよい。圧ｐ_２は、チャンバー２００が密閉状態である期間中にチャンバー２００の内圧を表す（指し示す）かもしれない。

外圧ｐ_２は、例えば時間ｔ_２で、最小値ｐ_ＭＩＮに達することもある。ガス（ＧＡＳ０またはＧＡＳ１）は、ｔ_１からｔ_２の期間中に開口キャビティＯＣＡ１から除去されて、キャビティの圧力ｐ_１が時間ｔ_２で外圧ｐ_２にほぼ等しくなるようにしてもよい。キャビティ圧ｐ_１の最小値はまた、ｐ_ＭＩＮにほぼ等しくてもよい。隙間Ｇ０は、時間ｔ_２で閉じられてもよい。仮接合Ｓ０は、時間ｔ_２で形成されてもよい。圧ｐ_２は、仮接合Ｓ０が形成された後に、ｔ_３からｔ_４までの期間中に形成されてもよい。チャンバー２００は、時間ｔ_５で開かれてもよい。レーザー溶接は、チャンバー２００が開かれた後にｔ_６からｔ_７までの期間中に実行されてもよい。密封シームＪ１は、時間ｔ_７で完全に完成されてもよい。ｐ_Ｆは、耐密性の密閉キャビティＣＡＶ１の最終内圧を示してもよい。

第２の断片１１０は、ファンデルワールス力によっておよび／または圧力差ｐ_０−ｐ_１により引き起こされる空気力Ｆ_２１によって第１の断片１２０に対して保持されてもよい。

外圧（ｐ_０）とキャビティ（ＣＡＶ１）の圧（ｐ_１）との間の相対圧力差（（ｐ_０−ｐ_１）／ｐ_０）は、例えばチャンバー（２００）が開いているときに５０％より大きくてもよい。第２の断片１２０の外面と内面との間の圧力差（ｐ_２−ｐ_１）は、例えば溶接シームＪ１の形成中に５０ｋＰａより大きくてもよい。

仮接合Ｓ０は或る程度まで気密であるが、仮接合Ｓ０は気密（密封）されていない。仮接合Ｓ０は、チャンバー２００が開かれたときに密閉キャビティＣＡＶ１内への周囲ガスのわずかな漏れを許容するかもしれない。仮接合Ｓ０は、ｔ_３からｔ_７までの期間中に密閉キャビティＣＡＶ１への周囲ガスのわずかな漏れを許容するかもしれない。最終圧ｐ_Ｆと最小圧ｐ_ＭＩＮとの差ｐ_Ｆ−ｐ_ＭＩＮは、例えば、周囲圧ｐ_０の１％未満、または、さらに０．０１％未満であってもよい。

仮接合Ｓ０は、溶接シームＪ１を形成する前の部分的気密接合であってもよく、密閉キャビティ（ＣＡＶ１）の圧（ｐ_１）の相対変化率（Δｐ_１／Δｔ）／（ｐ_０−ｐ_１）が、例えば、チャンバー（２００）が開かれた直後に０．０１／ｓより小さくなるようにしている。シール面ＳＲＦ１、ＳＲＦ２の形状は、仮接合Ｓ０が部分的気密接合であるように選択されてもよい。

チャンバー２００の開口および／またはレーザー溶接は、周囲圧ｐ_０で実行されてもよい。特に、耐密状の溶接シームが完全に完成される前に、不活性ガスのみが密閉キャビティＣＡＶ１内に漏れ込むのを許容することを確実にするために、チャンバー２００の開口および／またはレーザー溶接は、周囲圧ｐ_０かつ不活性ガス雰囲気で実行されてもよい。

溶接は、仮接合Ｓ０を介して漏れを減少または最小限にするために、チャンバー２００が開かれた直後に実行されてもよい。チャンバー２００の開口から密封シームＪ１の形成までの期間（ｔ_７−ｔ_５）は、例えば１０時間より短く、１時間より短く、または、１０００秒より短くてもよい。期間（ｔ_７−ｔ_５）は、例えば漏れを最小限にするために１００秒未満、１０秒未満、さらには１秒未満であってもよい。圧力上昇の開始と密封シームＪ１の完了との間の期間（ｔ_７−ｔ_３）は、例えば、１０時間より短くまたは１０００秒より短くてもよい。期間（ｔ_７−ｔ_３）は、例えば、漏れを最小限にするために、１００秒未満、１０秒未満、または、さらには１秒未満であってもよい。

断片の温度は、例えばガス放出と内部応力とを低下させるために、レーザー溶接中に物品の意図した動作温度近くに維持されてもよい。キャビティの温度は、レーザー溶接中に所定の温度範囲に維持されてもよい。キャビティの表面の温度は、例えば、溶接中に８０℃未満に維持されてもよい。キャビティの表面の温度は、例えば、溶接中に０℃から５０℃の範囲内に維持されてもよい。キャビティの表面の温度は、レーザー溶接中に意図した動作温度近くに維持されてもよい。意図した動作温度は、例えば、室温にほぼ等しくてもよい（例えば２５℃）。

第１の断片の空間的に平均化された温度と第２の断片の空間的に平均化された温度とは、溶接中に８０℃未満にとどまってもよい。第１の断片の空間的に平均化された温度と第２の断片の空間的に平均化された温度とは、溶接中に０℃から５０℃の範囲内にとどまってもよい。第１の断片の空間的に平均化された温度と第２の断片の空間的に平均化された温度とは、溶接中に２５℃にほぼ等しいままであってもよい。第１の断片の空間的に平均化された温度の変化と第２の断片の空間的に平均化された温度の変化とは、例えば、レーザービームでの溶接中に５℃未満であってもよい。

意図した動作温度付近で溶接を実行すると、第１の断片の材料の熱膨張係数が第２の断片の材料の熱膨張係数と実質的に異なる場合にも、物品の動作信頼性が向上されるかしもれない。第１の断片の材料の熱膨張係数と第２の断片の材料の熱膨張係数との比は、例えば、１／３より小さくまたは３より大きくてもよい。

物品１００の使用中の内部応力を低下させるために、断片１１０、１２０の熱膨張係数もまた一致させてもよい。物品１００は、例えば物品１００が熱サイクリングを被る条件で、使用されてもよい。断片の熱膨張係数を一致させると、物品１００の動作信頼性がさらに改善されるかもしれない。

図６は、一例として、図１ａから図５を参照して説明された方法ステップにより製造された物品１００を示している。

図７は、一例として、圧力差ｐ_０−ｐ_１によって引き起こされた物品１００の幾何学的変形を示している。圧力差ｐ_０−ｐ_１は、断片１１０、１２０をわずかに曲げることもある空気力Ｆ_２１を引き起こすかもしれない。断片１２０を曲げると、第１の断片１１０に対して第２の断片１２０の微視的な横方向変位（例えば、方向ＳＸ）が引き起こされるかもしれない。変形した状態でレーザー溶接を行うと、物品１００の内部応力を最小限にすることが容易されるかもしれない。溶接中にキャビティ圧力ｐ_１が外圧ｐ_２よりも低くなるようにレーザー溶接を実行すると、物品１００の材料の残留内部応力を減少または最小限にすることが容易にされるかもしれない。実質的に周囲圧（ｐ_０＝１００ｋＰａ）で溶接を行うとともに溶接中に圧力差ｐ_０−ｐ_１を利用することにより、物品１００が前記周囲圧（ｐ_０＝１００ｋＰａ）を被るだろう動作条件に関して物品１００の動作信頼性が改善（向上）されるかもしれない。

物品１００は、２つ以上の断片から形成されてもよい。図８ａは、一例として、３つの断片１１０、１２０ａ、１２０ｂをレーザー溶接によって一緒に（同時に）接合することにより物品１００を形成することを示している。物品１００は、断片１１０、１２０ａ、１２０ｂおよび構成部品１３０を備えていてもよい。第１の断片１１０は、例えばスペーサ片であってもよい。スペーサ片は、１つ以上の開口部、すなわち開口したキャビティを有していてもよい。第２の断片１２０ａは、例えば第１のカバーであってもよい。第３の断片１２０ｂは、例えば第２のカバーであってもよい。１つ以上の構成部品１３０は、開口キャビティ内に取り付けられて（装着されて）もよい。断片１１０の開口キャビティは、断片１１０、１２０ａ、１２０ｂがチャンバー２００内に配置された後に、および、ガスが開口キャビティから取り除かれた後に閉じることもある。第１の仮接合は、第２の断片１２０ａのシール面を断片１１０の第１のシール面と接触させることにより形成されてもよい。第２の仮接合は、第３の断片１２０ｂのシール面を断片１１０の第２のシール面と接触させることにより形成されてもよい。キャビティが閉じられた後に、チャンバー２００が開かれてもよい。第１のシーム（継ぎ目）Ｊ１ａは、第２の断片１２０ａを第１の断片１１０に永久に接合するためにレーザー溶接によって形成されてもよい。第２のシーム（継ぎ目）Ｊ１ｂは、第３の断片１２０ｂを第１の断片１１０に永久に接合するためにレーザー溶接によって形成されてもよい。

１つ以上の断片は、電子フィードスルーＦＥＥＤ１を備えてもよい。フィードスルーＦＥＥＤ１は、物品１００の外側から気密的に封止された構成物品１３０へのガルバニック（電流を生じる）電気接続を提供するかもしれない。

図８ｂは、例えば図８ａに示す方法によって形成される可能性のある物品１００を示している。物品１００は、物品１００のキャビティＣＡＶ１内に気密的に取り囲まれた（密封された）１つ以上の構成部品１３０を備えてもよい。キャビティＣＡＶ１の圧力は、例えば５０ｋＰａ未満であってもよい。キャビティＣＡＶ１は、不活性ガスを任意に含んでもよい。物品１００は、レーザー溶接によってスペーサ片１１０に接合された実質的に平坦（平面）なカバー１２０ａ、１２０ｂを備えてもよい。

物品１００は、例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）のアレイを含むディスプレイ（表示装置）であってもよい。構成部品１３０は、発光ダイオードのアレイを備えてもよい。構成物品１３０は、２つ以上の断片１１０、１２０ａ、１２０ｂを一緒に接合することにより密封カプセル化されてもよい。

図９ａから図９ｃを参照して、物品１００は、細長いおよび／または円筒形の物体であってもよい。物品１００は、２つ以上の断片１１０、１２０ａ、１２０ｂをレーザー溶接によって一緒に接合することにより製造されてもよい。第１の断片１１０は、例えば管部分であってもよく、断片１２０ａ、１２０ｂはプレート（平板）であってもよい。管１１０の内部ＯＣＡ１からガスＧＡＳ１、ＧＡＳ０を除去するために、断片１１０、１２０ａ、１２０ｂをチャンバー２００内に配置してもよい。管１１０の内部ＯＣＡ１は、不活性ガスＧＡＳ０で任意にフラッシ（洗い流）されてもよい。

キャビティＯＣＡ１は、チャンバー２００の減圧で閉じられてもよい。第１のアクチュエータ３１０ａおよび第１の支持要素３１１ａは、管１１０の第１の端部を閉じるように断片１２０ａを移動させてもよい。第２のアクチュエータ３１０ｂおよび第２の支持要素３１１ｂは、管１１０の第２の端部を閉じるように断片１２０ｂを移動させてもよい。

チャンバー２００は、２つ以上の部分２１０、２２０ａ、２２０ｂを備えてもよい。例えば、チャンバー２００のベース部分２１０は第１の端部分２２０ａおよび第２の端部分２２０ｂによって閉じられてもよい。密閉されたチャンバー２００は、例えばシールＳＥＡＬ１ａ、ＳＥＡＬ１ｂによってシール（密閉）されてもよい。管１１０のキャビティＯＣＡ１が閉じられた後に、チャンバー２００が開かれてもよい。管１１０は、例えば位置決め要素３５０によって、適切な位置に保持されてもよい。

チャンバー２００を開いた後に、半製造の物品１００′は、第１の界面ＩＦ１ａおよび第２の界面ＩＦ１ｂを備えてもよい。第１の界面ＩＦ１ａは、断片１１０、１２０ａの接触面を合せることにより画定されてもよい。第２の界面ＩＦ１ａは、断片１１０、１２０ｂの接触面を合せることにより画定されてもよい。断片１１０、１２０ａは、一緒に第１の仮接合を形成してもよい。断片１１０、１２０ｂは、一緒に第２の仮接合を形成してもよい。

図９ｂを参照すると、第１のシームＪ１ａは、第２の断片１２０ａを第１の断片１１０に永久に接合するためにレーザー溶接によって形成されてもよい。第２のシームＪ１ｂは、第３の断片１２０ｂを第１の断片１１０に永久に接合するためにレーザー溶接によって形成されてもよい。

図９ｃを参照すると、物品１００は、例えば（長い）円筒形の物体であってもよい。物品１００は、例えば図９ａと図９ｂに従って成形されてもよい。物品１００は、例えばガラス管１１０の両端を円形プレート１２０ａ、１２０ｂで閉じることにより製造されてもよく、その場合には、ガラス管は第１の断片として使用され、かつ、円形プレートは第２の断片として使用されてもよい。

物品１００は、キャビティが閉じられる前に、断片１１０の内側に配置される可能性がある構成部品１３０を任意に備えてもよい。

第２の円形プレート１２０ｂは、管１１０がチャンバー２００に挿入される前にも、管１１０の端に溶接されてもよい。一実施の形態において、断片１１０は、断片１１０がチャンバー２００内に配置される前に既に閉端を有していてもよい。

一般に、断片１１０の開口キャビティＯＣＡ１は、断片１１０、１２０のうちの少なくとも１つを動かすことにより閉じられてもよい。例えば、キャビティは、第２の断片１２０を第１の断片の上に下げるかまたは落とすかによって閉じられてもよい。例えば、キャビティは、断片１１０を持ち上げて第２の断片１２０と接触させることにより閉じられてもよい。例えば、キャビティは、断片１１０および／または１２０を傾けることにより閉じられてもよい。

物品１００は、例えば光学デバイスおよび／または電気デバイスであってもよい。物品は、例えば太陽電池であってもよい。物品１００は、例えばＯＬＥＤディスプレイであってもよい。

レーザービームＢ１の焦点スポットのサイズは、例えば１から１０μｍの範囲内であってもよい。シームＪ１の高さ寸法は、例えば１から５００μｍの範囲内であってもよく（面ＳＲＦ１に垂直な方向）、シームＪ１の横寸法は、例えば１から１００μｍの範囲内であってもよい。

この方法は、複数の物品の大量生産に使用されることもある。例えば、複数の物品を形成するための断片は、チャンバーが開閉されるときに、同じチャンバー２００に同時に配置されてもよい。例えば、ガスは、第１の（以前の）物品１００のレーザー溶接中に、真空チャンバー２００内の第２の物品１００のキャビティＯＣＡ１から除去されてもよい。

断片１１０、１２０は実質的に均質であってもよく、または、断片１１０、１２０は２つ以上の異なる材料を含んでもよい。断片１１０、１２０は、シール面ＳＲＦ１、ＳＲＦ２が本質的に（事実上）ガラスからなるように、２つ以上の異なる材料を含んでもよい。

第１の断片１１０はガラスを含んでもよい。第２の断片１２０はガラスを含んでもよい。第１の断片１１０および／または第２の断片１２０は、本質的にガラスからなっていてもよい。第１の断片１１０および第２の断片１２０は本質的にガラスからなっていてもよい。ガラスは、例えば溶融水晶（石英ガラス）またはホウケイ酸ガラスであってもよい。ガラスは、非結晶の無定形（アモルファス状）固体からなってもよい。ガラスの軟化温度（軟化点）は、例えば５００℃より高くてもよい。

ガラス断片１１０、１２０は、シール面ＳＲＦ１、ＳＲＦ２の合わせ表面領域の９５％以上が本質的にガラスからなるように、２つ以上の異なる材料を含んでもよい。例えば、シール面ＳＲＦ１、ＳＲＦ２の合わせ表面領域の９５％以上は、シール面ＳＲＦ１および／またはＳＲＦ２の残りの合わせ領域が本質的にガラスからなり得るように、本質的にガラスからなってもよい。溶接シームＪ１は、ガラスが金属に溶接される１つ以上の部分を備えてもよい。金属は、例えば金または銀であってもよい。

第１のシール面ＳＲＦ１の材料は、ガラス、シリコン、サファイア、およびセラミックからなる群（グループ）から選択されてもよい。第２のシール面ＳＲＦ２の材料は、ガラス、シリコン、サファイア、およびセラミックからなる群（グループ）から選択されてもよい。

第１の断片の材料は、ガラス、シリコン、サファイア、またはセラミックであってもよい。第２の断片の材料は、ガラス、シリコン、サファイア、またはセラミックであってもよい。シーム（継ぎ目）は、第１の断片の前記材料および第２の断片の前記材料から形成されてもよい。

物品１００の１つ以上の外面および／またはキャビティの内面は、ガラス以外の他の材料をさらに含んでもよい。物品１００の外面および／またはキャビティの内面は、例えば金属材料を含んでもよい。

この方法により製造された物品１００はまた、互いから気密に隔離された２つ以上のキャビティを含んでもよい。

断片１１０および／または断片１２０はまた、例えば基質として呼ばれることもある。

物品１００は、例えば光学デバイスおよび／または電気デバイスであってもよい。物品１００は、例えば太陽電池であってもよい。物品１００は、例えばディスプレイ（表示装置）であってもよい。構成部品１３０は、発光ダイオードのアレイを含んでもよい。物品１００は、例えば、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）のアレイを含むディスプレイであってもよい。物品１００は、例えばＯＬＥＤディスプレイであってもよい。構成部品１３０は、２つ以上の断片１１０、１２０、１２０ａ、１２０ｂを一緒（同時）に接合することにより密閉カプセル化されてもよい。

構成部品１３０は、１つ以上の発光素子を備えてもよい。構成部品１３０は、単一の発光素子または複数の発光素子を備えてもよい。構成部品１３０は、発光素子のアレイを備えてもよい。１つまたは複数の発光素子は、例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）またはレーザーエミッター（レーザー発光器）であってもよい。レーザーエミッターは、例えば半導体レーザーであってもよい。レーザーエミッターは、例えば垂直共振器面発光レーザー（ＶＣＳＥＬ）であってもよい。発光ダイオードは、例えば有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）であってもよい。

物品１００は、例えば画像（イメージ）センサであってもよい。デジタルカメラは、デジタル画像を取り込むための画像センサ１００を備えてもよい。画像センサ１００は、光学画像をデジタル画像に変換し得るカプセル化された構成部品１３０を備えていてもよい。構成部品１３０は、例えばＣＭＯＳ検出器のアレイ（配列）またはＣＣＤ検出器のアレイ（配列）を備えていてもよい。ＣＭＯＳは相補型金属酸化膜半導体を意味する。ＣＣＤは電荷結合素子を意味する。

物品１００は、例えば温度測定デバイス、ＭＥＭＳデバイス、原子時計デバイス、および／または埋め込み型医療デバイスであってもよい。ＭＥＭＳは微小電気機械システムを意味する。

カプセル化された構成部品１３０は、例えば光学素子であってもよい。光学素子は、例えば１つ以上の反射層、１つ以上の波長選択層、１つ以上の回折微細構造、および／または、１つ以上の光学多層コーティングを備えていてもよい。

断片１１０および／または断片１２０は、１つ以上の反射層、１つ以上の波長選択層、１つ以上の回折微細構造、および／または、１つ以上の光学多層コーティングを備えてもよい。

物品１００は、例えば圧力測定デバイスであってもよい。物品１００は、外圧ｐ（ｔ）の時間的変化を監視するように構成されてもよい。記号ｔは時間を示す。物品１００は、物品１００が製造された後に、外圧ｐ（ｔ）を監視するための圧力センサとして使用されてもよい。断片１１０および／または１２０は、外圧ｐ（ｔ）にさらされると、わずかに変形されるかもしれない。断片１１０および／または１２０の曲げの程度は、外圧ｐ（ｔ）と内圧ｐ_１との間の圧力差ｐ（ｔ）−ｐ_１に依存していてもよい。断片１１０または１２０の表面の相対位置は、圧力差ｐ（ｔ）−ｐ_１に依存してもよく、その場合には、相対位置は、例えば他の断片（１２０または１１０）に対して決定されてもよい。物品１００は、断片１１０または１２０の圧力依存位置を監視するように構成され得る構成部品１３０を備えてもよい。構成部品１３０は、圧力差ｐ（ｔ）−ｐ_１を示す電気信号、光学信号、および／または無線周波数電磁信号を形成するように構成されてもよい。構成部品１３０は、物品１００の内部にカプセル化されてもよい。本方法に従って物品１００を製造することにより、断片１１０、１２０の内部応力が減少されることもあり、および／または、物品１００の動作信頼性が改善されることもある。

次の例でさまざまな態様を説明する。

例１．第１の断片（１１０）を第２の断片（１２０）に溶接することにより物品（１００）を製造する方法は、
開口キャビティ（ＯＣＡ１）および第１のシール面（ＳＲＦ１）を備えた第１の断片（１１０）を用意し、
第２のシール面（ＳＲＦ２）を備えた第２の断片（１２０）を用意し、
制御可能な内圧（ｐ_２）を有するチャンバー（２００）を用意し、
チャンバー（２００）を閉じて、第１の断片（１１０）と第２の断片（１２０）が、閉じられたチャンバー（２００）の内側にあるようにし、
チャンバー（２００）の内圧（ｐ_２）を変化させて、開口キャビティ（ＯＣＡ１）からのガス（ＧＡＳ１）の流れ（Ｆ１）を生じさせ（引き起こし）、
断片（１１０、１２０）の少なくとも１つを移動することにより開口キャビティ（ＯＣＡ１）を閉じて、第１のシール面（ＳＲＦ１）が第２のシール面（ＳＲＦ２）と一緒に仮接合（Ｓ０）を形成するとともに第１の断片（１１０）および第２の断片（１２０）が界面（ＩＦ１）を画定するようにし、
仮接合（Ｓ０）が形成された後に、チャンバー（２００）を開き、
チャンバー（２００）が開いた後に、レーザービーム（Ｂ１）の焦点を界面（ＩＦ１）に集束させることにより溶接シーム（Ｊ１）を形成する、
ことを備える。

例２．例１の方法において、第２の断片（１２０）の外面と内面との間の圧力差（ｐ_２−ｐ_１）が、溶接シーム（Ｊ１）の形成中に５０ｋＰａより大きい。

例３．例１または２の方法であって、仮接合（Ｓ０）が、溶接シーム（Ｊ１）を形成する前に、第２のシール面（ＳＲＦ２）に対する第１のシール面（ＳＲＦ１）の相対運動を可能に（許容）する。

例４．例１から３の何れかの方法において、仮接合（Ｓ０）は、溶接シーム（Ｊ１）を形成する前には部分的気密接合であって、チャンバー（２００）が開いた直後に、閉じられたキャビティ（ＣＡＶ１）の圧力（ｐ_１）の相対変化率（Δｐ_１／Δｔ）／（ｐ_０−ｐ_１）が０．０１／ｓより小さくなるようにする。

例５．例１から４の何れかの方法において、チャンバー（２００）を開き密封シーム（Ｊ１）を形成する間の期間（ｔ_７−ｔ_５）が１００ｓより短く、有利には１０ｓより短く、好ましくは１ｓより短い。

例６．例１から５の何れかの方法において、第１のシール面（ＳＲＦ１）および第２のシール面（ＳＲＦ２）が実質的に平坦（平面）である。

例７．例１から６の何れかの方法において、外圧（ｐ_０）と閉じられたキャビティ（ＣＡＶ１）の圧力（ｐ_１）との間の相対圧力差（（ｐ_０−ｐ_１）／ｐ_０）は、チャンバー（２００）が開かれたときに、９０％より大きい。

例８．例１から８の何れかの方法において、キャビティ（ＣＡＶ１）の表面の温度が、溶接シーム（Ｊ１）の形成中に８０℃より低いままである。

例９．例１から９の何れかの方法において、第１の断片（１１０）の材料はガラス、シリコン、サファイア、およびセラミックからなる群から選択され、第２の断片（１２０）の材料はガラス、シリコン、サファイア、およびセラミックからなる群から選択され、シームは、第１の断片（１１０）の材料および第２の断片（１２０）の材料から形成される。

例１０．例１から９の何れかの方法において、物品（１００）は、閉じられたキャビティ（ＣＡＶ１）内に設置さ（置か）れた１つ以上の構成部品（１３０）を備える。

例１１．例１から９の何れかの方法において、レーザービーム（ＬＢ１）が、第１の断片（１１０）および／または第２の断片（１２０）を介して界面（ＩＦ１）に集束される。

例１２．第１の断片（１１０）および第２の断片（１２０）から物品（１００）を製造するための装置（７００）であって、第１の断片（１１０）は開口キャビティ（ＯＣＡ１）および第１のシール面（ＳＲＦ１）を備え、第２の断片（１２０）は第２のシール面（ＳＲＦ２）を備え、装置（７００）はチャンバー（２００）およびレーザー溶接ユニット（５００）を備えるものであり、その装置（７００）は、
断片（１１０、１２０）が、閉じられたチャンバー（２００）内に設置されたときにチャンバー（２００）の内圧（ｐ_２）を変化させることにより、開口キャビティ（ＯＣＡ１）からのガス（ＧＡＳ１）の流れ（Ｆ１）を引き起こし、
開口キャビティ（ＯＣＡ１）を閉じるために、閉じられたチャンバー（２００）内の断片（１１０、１２０）の少なくとも１つを移動させて、第１のシール面（ＳＲＦ１）が第２のシール面（ＳＲＦ２）と一緒に仮接合（Ｓ０）を形成するとともに第１の断片（１１０）および第２の断片（１２０）が界面（ＩＦ１）を画定（規定）するようにし、
チャンバー（２００）を開いた後に、レーザービーム（Ｂ１）の焦点を界面（ＩＦ１）に集束させることにより、溶接シーム（Ｊ１）を形成する、
ように構成される。

当業者にとって、本発明による方法および装置の変更および変形（バリエーション）が認識可能であることは明らかであろう。図は概略図である。添付の図面を参照して上記で説明した特定の実施の形態は、単なる例示であり、添付の特許請求の範囲によって定義される本発明の範囲を限定するように意味されない。

Claims (11)

1. 第１の断片（１１０）を第２の断片（１２０）に溶接することにより物品（１００）を製造する方法であって、
   開口キャビティ（ＯＣＡ１）および第１のシール面（ＳＲＦ１）を備えた前記第１の断片（１１０）を用意し、
   第２のシール面（ＳＲＦ２）を備えた前記第２の断片（１２０）を用意し、
   制御可能な内圧（ｐ_２）を有するチャンバー（２００）を用意し、
   前記チャンバー（２００）を閉じて、前記第１の断片（１１０）および前記第２の断片（１２０）が、前記閉じられたチャンバー（２００）の内側にあるようにし、
   前記チャンバー（２００）の内圧（ｐ_２）を変化させて、前記開口キャビティ（ＯＣＡ１）からのガス（ＧＡＳ１）の流れ（Ｆ１）を引き起こすようにし、
   前記断片（１１０、１２０）の少なくとも１つを移動して前記開口キャビティ（ＯＣＡ１）を閉じて、前記第１のシール面（ＳＲＦ１）が前記第２のシール面（ＳＲＦ２）と一緒に部分的に気密な仮接合（Ｓ０）を形成するとともに前記第１の断片（１１０）と前記第２の断片（１２０）が界面（ＩＦ１）を画定するようにし、
   前記仮接合（Ｓ０）が形成された後に、前記チャンバー（２００）を開き、
   前記チャンバー（２００）が開かれた後に、レーザービーム（Ｂ１）の焦点を前記界面（ＩＦ１）に集束させることにより溶接シーム（Ｊ１）を形成し、
   前記第１のシール面（ＳＲＦ１）および前記第２のシール面（ＳＲＦ２）は実質的に平坦である、方法。
2. 請求項１に記載の方法において、前記第２の断片（１２０）の外面と内面との間の圧力差（ｐ_２−ｐ_１）が、前記溶接シーム（Ｊ１）の形成中に５０ｋＰａより大きい、方法。
3. 請求項１または２に記載の方法において、前記仮接合（Ｓ０）が、前記溶接シーム（Ｊ１）を形成する前に、前記第２のシール面（ＳＲＦ２）に対する第１のシール面（ＳＲＦ１）の相対運動を可能にする、方法。
4. 請求項１から３の何れか一項に記載の方法において、前記仮接合（Ｓ０）は、前記溶接シーム（Ｊ１）を形成する前には部分的気密接合であって、前記閉じられたキャビティ（ＣＡＶ１）の圧力（ｐ_１）の相対変化率（Δｐ／Δｔ）／（ｐ_０−ｐ_１）が、前記チャンバー（２００）が開かれた直後に０．０１／ｓより小さくなるようにする、方法。
5. 請求項１から４の何れか一項に記載の方法において、前記チャンバー（２００）の開口と密封シーム（Ｊ１）の形成との間の期間（ｔ_７−ｔ_５）が１００ｓより短く、有利には１０ｓより短く、好ましくは１ｓより短い、方法。
6. 請求項１から５の何れか一項に記載の方法において、外圧（ｐ_０）と前記閉じられたキャビティ（ＣＡＶ１）の前記圧力（ｐ_１）との間の相対圧力差（（ｐ_０−ｐ_１）／ｐ_０）が、前記チャンバー（２００）が開かれたときに９０％より大きい、方法。
7. 請求項１から６の何れか一項に記載の方法において、前記キャビティ（ＣＡＶ１）の表面の温度が、前記溶接シーム（Ｊ１）の形成中に、８０℃より低いままである、方法。
8. 請求項１から７の何れか一項に記載の方法において、前記第１の断片の材料がガラス、シリコン、サファイア、およびセラミックからなる群から選択され、前記第２の断片の材料がガラス、シリコン、サファイア、およびセラミックからなる群から選択され、
   前記シームは、前記第１の断片（１１０）の前記材料および前記第２の断片（１２０）の前記材料から形成される、方法。
9. 請求項１から８の何れか一項に記載の方法において、前記物品（１００）は、前記閉じられたキャビティ（ＣＡＶ１）内に配置された１つ以上の構成部分（１３０）を備える、方法。
10. 請求項１から９の何れか一項に記載の方法において、前記レーザービーム（ＬＢ１）が、前記第１の断片（１１０）および／または前記第２の断片（１２０）を介して前記界面（ＩＦ１）に集束される、方法。
11. 第１の断片（１１０）および第２の断片（１２０）から物品（１００）を製造するための装置（７００）であって、
    前記第１の断片（１１０）は開口キャビティ（ＯＣＡ１）および第１の実質的に平坦なシール面（ＳＲＦ２）を備え、前記第２の断片（１２０）は第２の実質的に平坦なシール面（ＳＲＦ２）を備え、前記装置（７００）はチャンバー（２００）およびレーザー溶接ユニット（５００）を備えており、
    前記装置（７００）は、
    前記断片（１１０、１２０）が前記閉じられたチャンバー（２００）内に設置されたときに、前記チャンバー（２００）の内圧（ｐ_２）を変化させることにより、前記開口キャビティ（ＯＣＡ１）からのガス（ＧＡＳ１）の流れ（Ｆ１）を引き起こし、
    前記開口キャビティ（ＯＣＡ１）を閉じるために前記閉じられたチャンバー（２００）内の前記断片（１１０、１２０）の少なくとも１つを移動させて、前記第１のシール面（ＳＲＦ１）が前記第２のシール面（ＳＲＦ２）と一緒に部分的に気密な仮接合（Ｓ０）を形成するととともに前記第１の断片（１１０）と前記第２の断片（１２０）が界面（ＩＦ１）を画定するようにし、
    前記チャンバー（２００）が開かれた後に、レーザービーム（Ｂ１）を前記界面（ＩＦ１）に集束させることにより溶接シーム（Ｊ１）を形成する、
    ように構成される、装置。

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