JP2020204050A - 透明導電膜の製造方法、透明導電膜、及びスパッタリングターゲット - Google Patents
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Abstract
Description
放電ガスとして水蒸気が含まれる放電ガスが用いられる。
上記放電ガス中の水分圧を調整しながら、上記スパッタリングターゲットをスパッタリングして、基板に上記透明導電層の成分を含む透明導電膜が形成される。
放電ガス:アルゴン(Ar)/水蒸気(H2O)
放電電力:11〜12kW(交流)
周波数:50kHz、61.3kHz
ガス全圧:0.1Pa以上1.0Pa以下、好ましくは、0.2Pa
水蒸気分圧:1×10−3Pa以上1×10−2Pa以下、好ましくは、2×10−3Pa以上1×10−2Pa以下、より好ましくは、2×10−3Pa
基板温度:25℃設定
10…基板
11…透明基板
11a、11b…表面
12…透明導電膜
14…カラーフィルタ基板
15…カラーフィルタ
20…対向基板
21…透明基板
21a、21b…表面
22…機能層
40…液晶
41…スペーサ
50、51…偏光板
60…カバーガラス
70…指
Claims (7)
- シート抵抗が1×1010Ω/sq.以上の透明導電層をターゲット材とするスパッタリングターゲットを用いて、
放電ガスとして水蒸気が含まれる放電ガスを用い、
前記放電ガス中の水分圧を調整しながら、前記スパッタリングターゲットをスパッタリングして、基板に前記透明導電層の成分を含む透明導電膜を形成する
透明導電膜の製造方法。 - 請求項1に記載された透明導電膜の製造方法であって、
前記基板に、シート抵抗が1×1010Ω/sq.以上の前記透明導電膜が形成される
透明導電膜の製造方法。 - 請求項1または2に記載された透明導電膜の製造方法であって、
前記水分圧が2×10−3Pa以上に調整される
透明導電膜の製造方法。 - 請求項1〜3のいずれか1つに記載された透明導電膜の製造方法であって、
前記透明導電層は、主成分である酸化インジウムスズと、副成分である酸化ケイ素とを含む透明導電層、または、主成分である酸化スズと、副成分である酸化ニオブとを含む透明導電層である
透明導電膜の製造方法。 - 請求項4に記載された透明導電膜の製造方法であって、
前記透明導電層に前記副成分が15wt%以上含まれる
透明導電膜の製造方法。 - 基板に形成され、シート抵抗が1×1010Ω/sq.以上であり、主成分である酸化インジウムスズと、副成分である酸化ケイ素とを含むか、または、主成分である酸化スズと、副成分である酸化ニオブとを含む
透明導電膜。 - 基体と、
前記基体に形成され、シート抵抗が1×1010Ω/sq.以上であり、主成分である酸化インジウムスズと、副成分である酸化ケイ素とを有する透明導電層、または、主成分である酸化スズと、副成分である酸化ニオブとを含む透明導電層と
を具備するスパッタリングターゲット。
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WO2023207857A1 (zh) * | 2022-04-28 | 2023-11-02 | 华为技术有限公司 | 显示模组及电子设备 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2013142194A (ja) * | 2012-01-12 | 2013-07-22 | Geomatec Co Ltd | 透明導電膜,透明導電膜付き基板,ips液晶セル,静電容量型タッチパネル及び透明導電膜付き基板の製造方法 |
WO2018047977A1 (ja) * | 2016-09-12 | 2018-03-15 | 株式会社アルバック | 透明導電膜付き基板の製造方法、透明導電膜付き基板の製造装置、及び透明導電膜付き基板 |
-
2019
- 2019-06-14 JP JP2019110798A patent/JP2020204050A/ja active Pending
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