JP2020188183A - Light-emitting device - Google Patents

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Abstract

To provide a light-emitting device with high luminance including a wavelength converter that emits light having a difference in luminance from a light emitting surface.SOLUTION: A light-emitting device includes a board 11, a light emitting element that is formed on the board, and a wavelength converter 40 that is arranged on the light emitting element, performs wavelength conversion on light emitted from the light emitting element, and includes an inclined portion 42 including a bottom surface extending along the board 11, a first side surface 42A inclined outward from the bottom surface, and a second side surface 42B inclined inward from the bottom surface.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、例えば発光ダイオードなどの発光素子を含む発光装置に関する。 The present invention relates to a light emitting device including a light emitting element such as a light emitting diode.

発光装置は、例えば、端子や配線などが設けられた基板と、当該基板上に実装された少なくとも1つの発光素子とを含む。例えば、特許文献1には、発光素子と、当該発光素子から出射された光を透過させつつ外部に放出する透光性部材と、を有する発光装置が開示されている。 The light emitting device includes, for example, a substrate provided with terminals, wiring, and the like, and at least one light emitting element mounted on the substrate. For example, Patent Document 1 discloses a light emitting device having a light emitting element and a translucent member that transmits light emitted from the light emitting element and emits it to the outside.

特開2010-272847号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2010-272847

発光装置に要求される特性としては、例えば、高輝度であること、波長特性や配光特性などの光学特性が安定していること、及び高品質であることなどが挙げられる。また、発光装置に要求される光学特性としては、例えば、所望の波長(発光色)の光が取り出されること、またその取り出される光の波長にムラがないこと、及び取り出される光が所望の強度特性を有すること(例えば配光領域内で所望の強度分布を有すること)などが挙げられる。 The characteristics required for the light emitting device include, for example, high brightness, stable optical characteristics such as wavelength characteristics and light distribution characteristics, and high quality. The optical characteristics required for the light emitting device include, for example, that light of a desired wavelength (emission color) is extracted, that the wavelength of the extracted light is uniform, and that the extracted light has a desired intensity. It has characteristics (for example, having a desired intensity distribution in the light distribution region) and the like.

例えば、所定の波長の光を放出する発光素子及び当該発光素子から放出された光の波長を変換する波長変換体を組み合わせて発光装置を構成し、当該波長変換体から光を出射させることで、当該発光装置から所望の波長の光を取り出すことができる。この場合、波長変換体は、所望の輝度特性で光を出射するように構成されることで、要求される種々の光学特性の光を発光装置から取り出すことができる。 For example, a light emitting device that emits light having a predetermined wavelength and a wavelength converter that converts the wavelength of the light emitted from the light emitting element are combined to form a light emitting device, and light is emitted from the wavelength converter. Light of a desired wavelength can be extracted from the light emitting device. In this case, the wavelength converter is configured to emit light with desired luminance characteristics, so that light having various required optical characteristics can be extracted from the light emitting device.

ここで、用途によっては、配光領域内において意図的に強度分布を持たせることが要求される場合がある。この場合、波長変換体は、例えば、光が出射される領域内で輝度が高い部分と低い部分とが形成されるように構成されていることが好ましい。 Here, depending on the application, it may be required to intentionally have an intensity distribution in the light distribution region. In this case, it is preferable that the wavelength converter is configured so that, for example, a portion having high brightness and a portion having low brightness are formed in a region where light is emitted.

本発明は上記した点に鑑みてなされたものであり、光出射面から輝度の差を有する光を出射する波長変換体を有し、高輝度な発光装置を提供することを目的としている。 The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a high-luminance light emitting device having a wavelength converter that emits light having a difference in brightness from a light emitting surface.

本発明による発光装置は、基板と、基板上に形成された発光素子と、発光素子上に配置されて発光素子から放出された光に対して波長変換を行う波長変換体であって、基板に沿って延びる底面、底面から外側に傾斜する第1の側面及び底面から内側に傾斜する第2の側面を有する傾斜部を有する波長変換体と、を有することを特徴としている。 The light emitting device according to the present invention is a substrate, a light emitting element formed on the substrate, and a wavelength converter arranged on the light emitting element and performing wavelength conversion on the light emitted from the light emitting element. It is characterized by having a bottom surface extending along it, a wavelength converter having an inclined portion having a first side surface inclined outward from the bottom surface and a second side surface inclined inward from the bottom surface.

また、本発明による発光装置は、基板と、基板上の上面上に形成された発光素子と、発光素子上に配置されて発光素子から放出された光に対して波長変換を行い、基板に沿って延びる光入射面及び光入射面とは反対側に面する光出射面と、を有する波長変換体と、を有し、波長変換体の光出射面は、光出射面に垂直な方向から見たとき、光入射面の外側に延在する領域を有することを特徴としている。 Further, the light emitting device according to the present invention performs wavelength conversion on the substrate, the light emitting element formed on the upper surface of the substrate, and the light emitted from the light emitting element arranged on the light emitting element, and along the substrate. It has a light incident surface extending along the line and a light emitting surface facing the side opposite to the light incident surface, and a wavelength converter having the light incident surface, and the light emitting surface of the wavelength converter is viewed from a direction perpendicular to the light emitting surface. At that time, it is characterized by having a region extending outside the light incident surface.

実施例1に係る発光装置の斜視図である。It is a perspective view of the light emitting device which concerns on Example 1. FIG. 実施例1に係る発光装置の上面図である。It is a top view of the light emitting device which concerns on Example 1. FIG. 実施例1に係る発光装置の断面図である。It is sectional drawing of the light emitting device which concerns on Example 1. FIG. 実施例1に係る発光装置における波長変換体の拡大断面図である。FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of a wavelength converter in the light emitting device according to the first embodiment. 実施例1に係る発光装置の波長変換体から出射される光の輝度特性を示す図である。It is a figure which shows the luminance characteristic of the light emitted from the wavelength converter of the light emitting device which concerns on Example 1. FIG. 実施例2に係る発光装置の断面図である。It is sectional drawing of the light emitting device which concerns on Example 2. FIG. 実施例3に係る発光装置の断面図である。It is sectional drawing of the light emitting device which concerns on Example 3. FIG.

以下、本発明の実施例について詳細に説明する。 Hereinafter, examples of the present invention will be described in detail.

図1は、実施例1に係る発光装置10の模式的な斜視図である。図1を用いて、発光装置10の概略的な構成について説明する。本実施例においては、発光装置10は、実装用基板(第1の基板、以下、単に基板と称する)11と、基板11上に実装された2つの発光素子20と、を有する。 FIG. 1 is a schematic perspective view of the light emitting device 10 according to the first embodiment. A schematic configuration of the light emitting device 10 will be described with reference to FIG. In this embodiment, the light emitting device 10 includes a mounting substrate (first substrate, hereinafter simply referred to as a substrate) 11 and two light emitting elements 20 mounted on the substrate 11.

基板11は、例えば、絶縁性を有する基材11A及び基材11A上に形成された配線電極11Bを有する。基板11は、発光素子20を実装する実装面を有する。本実施例においては、基材11Aは、平板形状を有し、その主面の一方である上面を当該実装面として有する。例えば、基材11Aは、高い熱伝導性を有する材料、例えばAlNからなる。配線電極11Bは、例えばパターニングされて基材11A上に形成された銅膜からなる。 The substrate 11 has, for example, an insulating base material 11A and a wiring electrode 11B formed on the base material 11A. The substrate 11 has a mounting surface on which the light emitting element 20 is mounted. In this embodiment, the base material 11A has a flat plate shape, and has an upper surface, which is one of the main surfaces thereof, as the mounting surface. For example, the base material 11A is made of a material having high thermal conductivity, for example, AlN. The wiring electrode 11B is made of, for example, a copper film that is patterned and formed on the base material 11A.

発光素子20の各々は、例えば、発光ダイオードなどの半導体発光素子である。発光素子20は、例えば、支持基板(第2の基板、以下、単に基板と称する)21と、基板21に支持された半導体発光層(以下、単に半導体層と称する)22と、を含む。例えば、基板21は、平板形状を有し、Siからなる。また、半導体層22は、例えば、窒化物半導体からなる。 Each of the light emitting elements 20 is a semiconductor light emitting element such as a light emitting diode. The light emitting element 20 includes, for example, a support substrate (second substrate, hereinafter simply referred to as a substrate) 21 and a semiconductor light emitting layer (hereinafter, simply referred to as a semiconductor layer) 22 supported by the substrate 21. For example, the substrate 21 has a flat plate shape and is made of Si. Further, the semiconductor layer 22 is made of, for example, a nitride semiconductor.

また、発光素子20は、基板21上における半導体層22の側方に設けられたパッド電極23と、基板21における半導体層22とは反対側(基板11側)の面上に設けられた裏面電極24と、を有する。例えば、半導体層22は、n型半導体層(図示せず)及びp型半導体層(図示せず)を有する。例えば、パッド電極23は、半導体層22のp型半導体層に接続されている。また、裏面電極24は、半導体層22のn型半導体層に接続されている。 Further, the light emitting element 20 has a pad electrode 23 provided on the side of the semiconductor layer 22 on the substrate 21 and a back electrode provided on the surface of the substrate 21 opposite to the semiconductor layer 22 (on the substrate 11 side). 24 and. For example, the semiconductor layer 22 has an n-type semiconductor layer (not shown) and a p-type semiconductor layer (not shown). For example, the pad electrode 23 is connected to the p-type semiconductor layer of the semiconductor layer 22. Further, the back surface electrode 24 is connected to the n-type semiconductor layer of the semiconductor layer 22.

また、本実施例においては、パッド電極23は、ボンディングワイヤを介して基板11の配線電極11Bに接続されている。また、基板11の基材11Aは、その主面間を貫通するビア(図示せず)を有する。裏面電極24は、当該ビアを介して、基材11Aの配線電極11Bとは反対側の面上に設けられた配線電極(図示せず)に接続されている。 Further, in this embodiment, the pad electrode 23 is connected to the wiring electrode 11B of the substrate 11 via a bonding wire. Further, the base material 11A of the substrate 11 has vias (not shown) penetrating between the main surfaces thereof. The back surface electrode 24 is connected to a wiring electrode (not shown) provided on a surface of the base material 11A opposite to the wiring electrode 11B via the via.

本実施例においては、発光素子20は、矩形の上面形状を有する。具体的には、本実施例においては、基板21及び半導体層22の各々は、矩形の上面形状を有する。例えば、半導体層22の上面は、一辺が約1mmの正方形の形状を有する。また、発光素子20の各々は、基板11上においてそれぞれの基板21の1つの側面が互いに対向するように、全体として整列して配置されている。 In this embodiment, the light emitting element 20 has a rectangular upper surface shape. Specifically, in this embodiment, each of the substrate 21 and the semiconductor layer 22 has a rectangular upper surface shape. For example, the upper surface of the semiconductor layer 22 has a square shape with a side of about 1 mm. Further, each of the light emitting elements 20 is arranged so as to be aligned as a whole on the substrate 11 so that one side surface of each substrate 21 faces each other.

なお、本実施例においては、発光装置10が2つの発光素子20を有する場合について説明するが、発光素子20の構成はこれに限定されない。例えば、発光装置10が1つの発光素子20のみを有していてもよいし、3つ以上の発光素子20を有していてもよい。また、発光素子20の上面形状は、矩形に限定されず、例えば多角形状又は円形状を有していてもよい。 In this embodiment, the case where the light emitting device 10 has two light emitting elements 20 will be described, but the configuration of the light emitting element 20 is not limited to this. For example, the light emitting device 10 may have only one light emitting element 20, or may have three or more light emitting elements 20. Further, the upper surface shape of the light emitting element 20 is not limited to a rectangle, and may have, for example, a polygonal shape or a circular shape.

発光装置10は、発光素子20上に形成され、接着層30を介して発光素子20に接着された波長変換体40を有する。接着層30は、例えば発光素子20の基板21上において半導体層22を埋設するように層状に形成されている。また、接着層30は、発光層20から放出される光及び波長変換体40から出射される光に対して透光性を有する。例えば、接着層30は、透明な樹脂層からなる。 The light emitting device 10 has a wavelength converter 40 formed on the light emitting element 20 and adhered to the light emitting element 20 via an adhesive layer 30. The adhesive layer 30 is formed in a layered manner so as to embed the semiconductor layer 22 on the substrate 21 of the light emitting element 20, for example. Further, the adhesive layer 30 has translucency with respect to the light emitted from the light emitting layer 20 and the light emitted from the wavelength converter 40. For example, the adhesive layer 30 is made of a transparent resin layer.

本実施例においては、波長変換体40は、2つの発光素子20間に跨って形成されている。例えば、本実施例においては、波長変換体40は、発光素子20の各々における半導体層22の上面全体を覆い、基板11における隣接する半導体層22の間に跨って一体的に形成されている。波長変換体40は、例えば、YAG蛍光体及びアルミナを焼結して形成された蛍光体プレートからなる。 In this embodiment, the wavelength converter 40 is formed so as to straddle between the two light emitting elements 20. For example, in this embodiment, the wavelength converter 40 covers the entire upper surface of the semiconductor layer 22 in each of the light emitting elements 20, and is integrally formed so as to straddle between the adjacent semiconductor layers 22 in the substrate 11. The wavelength converter 40 is composed of, for example, a phosphor plate formed by sintering a YAG phosphor and alumina.

発光装置10は、基板11上に形成され、発光素子20を封止し、かつ波長変換体40の一部を覆う光反射体50を有する。図1においては、発光装置10の光反射体50の内側の構造を図示するため、光反射体50の外縁のみを破線で示し、その図示を省略している。 The light emitting device 10 has a light reflector 50 formed on the substrate 11 and sealing the light emitting element 20 and covering a part of the wavelength converter 40. In FIG. 1, in order to illustrate the inner structure of the light reflector 50 of the light emitting device 10, only the outer edge of the light reflector 50 is shown by a broken line, and the illustration is omitted.

光反射体50は、発光素子20から放出される光及び波長変換体40から出射される光に対して反射性を有する。例えば、光反射体50は、光散乱性の粒子(例えば酸化チタン粒子)を含有する樹脂体からなる。 The light reflector 50 has reflectivity with respect to the light emitted from the light emitting element 20 and the light emitted from the wavelength converter 40. For example, the light reflector 50 is made of a resin body containing light-scattering particles (for example, titanium oxide particles).

図2は、発光装置10の上面図である。また、図3は、発光装置10の断面図であり、図2における3−3線に沿った断面図である。図2及び図3を用いて、発光装置10における波長変換体40及び光反射体50の詳細な構造について説明する。 FIG. 2 is a top view of the light emitting device 10. Further, FIG. 3 is a cross-sectional view of the light emitting device 10, and is a cross-sectional view taken along the line 3-3 in FIG. The detailed structure of the wavelength converter 40 and the light reflector 50 in the light emitting device 10 will be described with reference to FIGS. 2 and 3.

まず、光反射体50は、波長変換体40の一部を露出させつつ波長変換体40を覆うように、基板11上に形成されている。本実施例においては、光反射体50は、波長変換体40の上面を露出させつつ波長変換体40の側面を覆うように、基板11上に形成されている。 First, the light reflector 50 is formed on the substrate 11 so as to cover the wavelength converter 40 while exposing a part of the wavelength converter 40. In this embodiment, the light reflector 50 is formed on the substrate 11 so as to cover the side surface of the wavelength converter 40 while exposing the upper surface of the wavelength converter 40.

次に、波長変換体40は、接着層30を介して発光素子20(半導体層22)に対向し、基板11に沿って延びる面を発光素子20から放出された光が入射する光入射面40Pとして有し、光入射面40Pから入射した光に対して波長変換を行う。 Next, the wavelength converter 40 faces the light emitting element 20 (semiconductor layer 22) via the adhesive layer 30, and the light incident surface 40P on which the light emitted from the light emitting element 20 is incident on the surface extending along the substrate 11. The wavelength is converted with respect to the light incident from the light incident surface 40P.

また、波長変換体40は、光反射体50に覆われていない表面、本実施例においては上面を波長変換体40内の光が出射する光出射面40Qとして有する。本実施例においては、光出射面40Qは、発光装置10における光取り出し面である。また、本実施例においては、波長変換体40の光出射面40Qは、光入射面40Pよりも小さな平面サイズを有する。 Further, the wavelength converter 40 has a surface not covered by the light reflector 50, and in this embodiment, an upper surface as a light emitting surface 40Q from which the light in the wavelength converter 40 is emitted. In this embodiment, the light emitting surface 40Q is a light extracting surface in the light emitting device 10. Further, in this embodiment, the light emitting surface 40Q of the wavelength converter 40 has a plane size smaller than that of the light incident surface 40P.

本実施例においては、波長変換体40は、基板11から垂直に延びる側面41A及び41Bと、光入射面40Pとして機能する底面41Cと、を有し、柱形状を有する柱状部(第1の柱状部)41を有する。 In this embodiment, the wavelength converter 40 has side surfaces 41A and 41B extending vertically from the substrate 11 and a bottom surface 41C functioning as a light incident surface 40P, and has a columnar portion (first columnar portion) having a columnar shape. Part) 41.

本実施例においては、柱状部41の底面41Cは、その全体が接着層30に接しており、かつ半導体層22(基板11)に沿って延びている。また、本実施例においては、柱状部41の底面41C及び底面41Cとは反対側の上面の各々は、矩形の平面形状を有する。すなわち、本実施例においては、柱状部41は、四角柱の形状を有する。 In this embodiment, the bottom surface 41C of the columnar portion 41 is entirely in contact with the adhesive layer 30 and extends along the semiconductor layer 22 (board 11). Further, in this embodiment, each of the bottom surface 41C of the columnar portion 41 and the top surface of the columnar portion 41 opposite to the bottom surface 41C has a rectangular planar shape. That is, in this embodiment, the columnar portion 41 has the shape of a quadrangular prism.

また、柱状部41の底面41C、すなわち本実施例における波長変換体40の光入射面40Pは、半導体層22よりも大きな平面サイズを有する。また、本実施例においては、接着層30は、半導体層22の側面を覆うように基板21上に形成されている。 Further, the bottom surface 41C of the columnar portion 41, that is, the light incident surface 40P of the wavelength converter 40 in this embodiment has a plane size larger than that of the semiconductor layer 22. Further, in this embodiment, the adhesive layer 30 is formed on the substrate 21 so as to cover the side surface of the semiconductor layer 22.

また、波長変換体40は、柱状部41の上面が底面となるように柱状部41上において柱状部41に一体的に形成され、かつ底面に対して傾斜する側面42A及び42Bを有する傾斜部42を有する。本実施例においては、傾斜部42は、底面から上面に向かって外側に傾斜する側面(第1の側面)42Aと、底面から上面に向かって内側に傾斜する側面(第2の側面)42Bと、を有する。 Further, the wavelength converter 40 is formed integrally with the columnar portion 41 on the columnar portion 41 so that the upper surface of the columnar portion 41 is the bottom surface, and has the inclined portions 42A and 42B inclined with respect to the bottom surface. Has. In this embodiment, the inclined portion 42 includes a side surface (first side surface) 42A that inclines outward from the bottom surface toward the upper surface and a side surface (second side surface) 42B that inclines inward from the bottom surface toward the upper surface. Have.

本実施例においては、傾斜部42の側面42A及び42Bは、それぞれ、矩形の底面及び上面間に形成された4つの側面のうち、互いに対向する側面の一方及び他方である。すなわち、傾斜部42は、底面に対して鈍角をなして傾斜する側面42Aと、底面に対して鋭角をなして傾斜しかつ側面42Aとは反対側の側面42Bと、を有する。 In this embodiment, the side surfaces 42A and 42B of the inclined portion 42 are one and the other side surfaces facing each other among the four side surfaces formed between the rectangular bottom surface and the upper surface surface, respectively. That is, the inclined portion 42 has a side surface 42A that is inclined at an obtuse angle with respect to the bottom surface and a side surface 42B that is inclined at an acute angle with respect to the bottom surface and is opposite to the side surface 42A.

また、本実施例においては、傾斜部42の側面42A及び42Bは、傾斜部42の矩形の底面における互いに平行な2つの辺から底面に対して傾斜して延びる表面部分である。傾斜部42の側面42A及び42Bは、それぞれ、柱状部41の側面41A及び41Bの端部から延びる波長変換体40の側面部分である。 Further, in the present embodiment, the side surfaces 42A and 42B of the inclined portion 42 are surface portions extending inclined with respect to the bottom surface from two sides parallel to each other on the rectangular bottom surface of the inclined portion 42. The side surfaces 42A and 42B of the inclined portion 42 are side surface portions of the wavelength converter 40 extending from the ends of the side surfaces 41A and 41B of the columnar portion 41, respectively.

なお、本実施例においては、傾斜部42における他の2つの側面の各々は、底面に対して垂直に延びている(傾斜していない)。しかし、傾斜部42の側面の構成はこれに限定されない。例えば、傾斜部42の全ての側面が傾斜していてもよい。 In this embodiment, each of the other two side surfaces of the inclined portion 42 extends perpendicularly to the bottom surface (not inclined). However, the configuration of the side surface of the inclined portion 42 is not limited to this. For example, all sides of the inclined portion 42 may be inclined.

また、本実施例においては、傾斜部42の上面は、傾斜部42の底面に平行に延びている。傾斜部42の上面及び底面は、柱状部41の底面41Cである波長変換体40の光入射面40Pに沿って延びている。 Further, in this embodiment, the upper surface of the inclined portion 42 extends parallel to the bottom surface of the inclined portion 42. The upper and lower surfaces of the inclined portion 42 extend along the light incident surface 40P of the wavelength converter 40, which is the bottom surface 41C of the columnar portion 41.

また、波長変換体40は、傾斜部42の上面が底面となるように傾斜部42上において傾斜部42に一体的に形成され、かつ柱形状を有する柱状部(第2の柱状部)43を有する。柱状部43は、底面に対して垂直に延びる側面43A及び42Bを有する。本実施例においては、柱状部43の側面43A及び43Bは、それぞれ、傾斜部42の側面42A及び42Bの端部から延びる波長変換体40の側面部分である。 Further, the wavelength converter 40 has a columnar portion (second columnar portion) 43 that is integrally formed with the inclined portion 42 on the inclined portion 42 so that the upper surface of the inclined portion 42 is the bottom surface and has a pillar shape. Have. The columnar portion 43 has side surfaces 43A and 42B extending perpendicular to the bottom surface. In this embodiment, the side surfaces 43A and 43B of the columnar portion 43 are side surface portions of the wavelength converter 40 extending from the ends of the side surfaces 42A and 42B of the inclined portion 42, respectively.

また、本実施例においては、柱状部43の上面43Cは、光反射体50から露出している。本実施例においては、柱状部43の上面43Cは、波長変換体40の光出射面40Qとして機能する。また、本実施例においては、柱状部43の上面43Cは、柱状部41の底面41Cよりも小さい。すなわち、波長変換体40は、光入射面40Pよりも小さな光出射面40Qを有する。 Further, in this embodiment, the upper surface 43C of the columnar portion 43 is exposed from the light reflector 50. In this embodiment, the upper surface 43C of the columnar portion 43 functions as the light emitting surface 40Q of the wavelength converter 40. Further, in this embodiment, the upper surface 43C of the columnar portion 43 is smaller than the bottom surface 41C of the columnar portion 41. That is, the wavelength converter 40 has a light emitting surface 40Q smaller than the light incident surface 40P.

本実施例においては、波長変換体40は、一方の主面を光入射面40Pとし、他方の主面を光出射面40Qとする全体として板状の形状を有する。また、柱状部41の側面41A及び41B、傾斜部42の側面42A及び42B並びに柱状部43の側面43A及び43Bの全体は、波長変換体40の側面を構成する。例えば、波長変換体40における光入射面40Pから光出射面40Qまでの距離、すなわち波長変換体40の厚さは、約50〜500μmである。 In this embodiment, the wavelength converter 40 has a plate-like shape as a whole, with one main surface as the light incident surface 40P and the other main surface as the light emitting surface 40Q. Further, the side surfaces 41A and 41B of the columnar portion 41, the side surfaces 42A and 42B of the inclined portion 42, and the side surfaces 43A and 43B of the columnar portion 43 as a whole constitute the side surface of the wavelength converter 40. For example, the distance from the light incident surface 40P to the light emitting surface 40Q in the wavelength converter 40, that is, the thickness of the wavelength converter 40 is about 50 to 500 μm.

また、本実施例においては、柱状部41の側面41A、傾斜部42の側面42A及び柱状部43の側面43Aは、連続して一体的に形成されている。また、柱状部41の側面41B、傾斜部42の側面42B及び柱状部43の側面43Bは、連続して一体的に形成されている。すなわち、各部分の側面は、その端部において隣接する他の部分の側面に接している。 Further, in this embodiment, the side surface 41A of the columnar portion 41, the side surface 42A of the inclined portion 42, and the side surface 43A of the columnar portion 43 are continuously and integrally formed. Further, the side surface 41B of the columnar portion 41, the side surface 42B of the inclined portion 42, and the side surface 43B of the columnar portion 43 are continuously and integrally formed. That is, the side surface of each portion is in contact with the side surface of another adjacent portion at its end.

波長変換体40は、例えば、柱状部41の底面41C及び柱状部43の上面43Cとなる主面を有する蛍光体プレートを以下の4つのステップで切削することによって形成することができる。 The wavelength converter 40 can be formed, for example, by cutting a phosphor plate having a main surface serving as a bottom surface 41C of the columnar portion 41 and an upper surface 43C of the columnar portion 43 in the following four steps.

例えば、第1のステップにおいては、柱状部41の側面41Aと同一形状の平坦部、及び傾斜部42の側面42Aと同一形状の傾斜部を有するブレード面のダイシングブレード(第1のブレード)を用いて、蛍光体プレートを切削して当該蛍光体プレートの主面の一方(光入射面40P側の主面)に溝を形成する。これによって、蛍光体プレートには、側面41A及び42Aとなる部分が形成される。 For example, in the first step, a dicing blade (first blade) having a flat portion having the same shape as the side surface 41A of the columnar portion 41 and an inclined portion having the same shape as the side surface 42A of the inclined portion 42 is used. Then, the phosphor plate is cut to form a groove on one of the main surfaces of the phosphor plate (the main surface on the light incident surface 40P side). As a result, portions to be the side surfaces 41A and 42A are formed on the phosphor plate.

次に、第2のステップにおいては、蛍光体プレートの他方の主面側(光出射面40Q側)から、柱状部43の側面43Bと同一形状の平坦部、及び傾斜部42の側面42Bと同一形状の傾斜部を有するブレード面のダイシングブレード(第2のブレード)を用いて、蛍光体プレートを切削して当該蛍光体プレートの他方の主面に溝を形成する。これによって、蛍光体プレートには、側面43B及び42Bとなる部分が形成される。 Next, in the second step, from the other main surface side (light emitting surface 40Q side) of the phosphor plate, the flat portion having the same shape as the side surface 43B of the columnar portion 43 and the same as the side surface 42B of the inclined portion 42. A dicing blade (second blade) on the blade surface having an inclined portion of the shape is used to cut the phosphor plate to form a groove on the other main surface of the phosphor plate. As a result, portions to be the side surfaces 43B and 42B are formed on the phosphor plate.

次に、第3のステップにおいては、当該蛍光体プレートの当該他方の主面に垂直なブレード面を有するブレード(第3のブレード)を用いて、当該蛍光体プレートにおける第23のステップで形成した溝の底部に凹部又は貫通孔を形成する。これによって、蛍光体プレートには、側面41Bとなる部分が形成される。 Next, in the third step, a blade having a blade surface perpendicular to the other main surface of the phosphor plate (third blade) was used to form the phosphor plate in the 23rd step. A recess or through hole is formed at the bottom of the groove. As a result, a portion to be the side surface 41B is formed on the phosphor plate.

次に、第4のステップにおいては、当該蛍光体プレートの当該主面に垂直なブレード面を有するブレード(第3のブレード)を用いて、当該蛍光体プレートにおける第1のステップで形成した溝の底部に凹部又は貫通孔を形成する。これによって、蛍光体プレートには、側面43Aとなる部分が形成される。 Next, in the fourth step, a blade having a blade surface perpendicular to the main surface of the phosphor plate (third blade) is used to form a groove in the phosphor plate in the first step. A recess or through hole is formed at the bottom. As a result, a portion to be the side surface 43A is formed on the phosphor plate.

なお、例えば、この他の当該蛍光体プレートの主面を研削することで、柱状部41の底面41C及び柱状部43の上面43Cの面形状及び面品質を安定させることができる。 In addition, for example, by grinding the main surface of the other phosphor plate, the surface shape and surface quality of the bottom surface 41C of the columnar portion 41 and the upper surface 43C of the columnar portion 43 can be stabilized.

例えばこのようにして、波長変換体40を作製することができる。なお、波長変換体40の形成方法はこれに限定されない。例えば、波長変換体40は、成型加工によって形成されることもできる。 For example, the wavelength converter 40 can be manufactured in this way. The method for forming the wavelength converter 40 is not limited to this. For example, the wavelength converter 40 can also be formed by molding.

次に、光反射体50は、基板11上において、発光素子20(基板21、半導体層22、パッド電極23及び裏面電極24)及び基板11上の各配線電極を封止する。これによって、発光素子20を電気的に保護する。また、光反射体50は、波長変換体40の側面を覆う。これによって、波長変換体40から出射される光の方向が制限される。 Next, the light reflector 50 seals the light emitting element 20 (the substrate 21, the semiconductor layer 22, the pad electrode 23 and the back surface electrode 24) and each wiring electrode on the substrate 11 on the substrate 11. As a result, the light emitting element 20 is electrically protected. Further, the light reflector 50 covers the side surface of the wavelength converter 40. This limits the direction of the light emitted from the wavelength converter 40.

本実施例においては、波長変換体40は、接着層30を介して発光素子20に接着され、柱状部41、傾斜部42及び柱状部43がそれぞれの上面及び底面を共有するように順に積層された構造を有する。また、波長変換体40の光入射面40Pは、半導体層22よりも大きな平面サイズを有する。また、接着層30は、半導体層22の側面を覆うように基板21上に形成されている。 In this embodiment, the wavelength converter 40 is adhered to the light emitting element 20 via the adhesive layer 30, and the columnar portion 41, the inclined portion 42, and the columnar portion 43 are laminated in order so as to share the upper surface and the bottom surface thereof. Has a structure. Further, the light incident surface 40P of the wavelength converter 40 has a plane size larger than that of the semiconductor layer 22. Further, the adhesive layer 30 is formed on the substrate 21 so as to cover the side surface of the semiconductor layer 22.

図4は、波長変換体40の拡大断面図である。図4は、図3の2点鎖線で囲まれた部分を拡大して示す断面図である。図4を用いて、本実施例における波長変換体40の構成について説明する。 FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view of the wavelength converter 40. FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view showing a portion surrounded by the alternate long and short dash line in FIG. The configuration of the wavelength converter 40 in this embodiment will be described with reference to FIG.

まず、図4に示すように、傾斜部42の側面42Aは、傾斜部42の底面に対して90°よりも大きな傾斜角θ1をなして傾斜している。一方、傾斜部42の側面42Bは、傾斜部42の底面に対して90°未満の傾斜角θ2をなして傾斜している。また、本実施例においては、傾斜角θ1及びθ2は、(θ1+θ2)<180°の関係を満たすように構成されている。 First, as shown in FIG. 4, the side surface 42A of the inclined portion 42 is inclined with an inclination angle θ1 larger than 90 ° with respect to the bottom surface of the inclined portion 42. On the other hand, the side surface 42B of the inclined portion 42 is inclined with an inclination angle θ2 of less than 90 ° with respect to the bottom surface of the inclined portion 42. Further, in the present embodiment, the inclination angles θ1 and θ2 are configured to satisfy the relationship of (θ1 + θ2) <180 °.

具体的には、傾斜部42における側面42Aと底面とがなす角度のうち傾斜部42の内側の角度を傾斜角θ1とし、側面42Bと底面とがなす角度のうち傾斜部42の内側の角度を傾斜角θ2とした場合、傾斜角θ1及びθ2は、θ1>90°、θ2<90°、及び(θ1+θ2)<180°の関係を満たす。 Specifically, the angle formed by the side surface 42A and the bottom surface of the inclined portion 42 is defined as the inclination angle θ1, and the angle formed by the side surface 42B and the bottom surface is defined as the inside angle of the inclined portion 42. When the inclination angle θ2 is set, the inclination angles θ1 and θ2 satisfy the relations of θ1> 90 °, θ2 <90 °, and (θ1 + θ2) <180 °.

また、本実施例においては、柱状部43の側面43Aは、傾斜部42の側面42Aの上端部から柱状部43の上面に垂直に延びている。また、柱状部43の側面43Bは、傾斜部42の側面43Bの上端部から柱状部43の上面に垂直に延びている。 Further, in this embodiment, the side surface 43A of the columnar portion 43 extends vertically from the upper end portion of the side surface 42A of the inclined portion 42 to the upper surface of the columnar portion 43. Further, the side surface 43B of the columnar portion 43 extends vertically from the upper end portion of the side surface 43B of the inclined portion 42 to the upper surface of the columnar portion 43.

図5は、光出射面40Q内における光の強度特性を示す図である。図4及び図5を用いて、波長変換体40から出射される光の輝度特性について説明する。 FIG. 5 is a diagram showing the intensity characteristics of light in the light emitting surface 40Q. The luminance characteristics of the light emitted from the wavelength converter 40 will be described with reference to FIGS. 4 and 5.

図4のように形成された波長変換部40の光出射面40Qにおいて、柱状部43の側面43Aの上端部に対応する第1の端部領域P1は、最も輝度が小さい領域となる。一方、光出射面40Qにおける柱状部43の側面43Bの上端部に対応する第2の端部領域P2は、最も輝度が大きい領域となる。また、波長変換部40は、光出射面40Q内において第1の端部領域P1から第2の端部領域P2に向かって徐々に輝度が大きくなるような特性を有する光を出射する。 In the light emitting surface 40Q of the wavelength conversion unit 40 formed as shown in FIG. 4, the first end region P1 corresponding to the upper end portion of the side surface 43A of the columnar portion 43 is the region having the lowest brightness. On the other hand, the second end region P2 corresponding to the upper end of the side surface 43B of the columnar portion 43 on the light emitting surface 40Q is the region having the highest brightness. Further, the wavelength conversion unit 40 emits light having a characteristic that the brightness gradually increases from the first end region P1 to the second end region P2 in the light emitting surface 40Q.

より具体的には、光出射面40Qに垂直な方向から見たとき、第1の端部領域P1は、光入射面40Pに重ならない領域である。従って、光入射面40Pから入射した光は、第1の端部領域P1には到達しにくいか、又は波長変換体40内において何回か反射されるなど比較的長い光路を進んだ上で第1の端部領域P1に到達する。従って、第1の端部領域P1は、光出射面40Q内において比較的輝度の低い領域となる。 More specifically, when viewed from a direction perpendicular to the light emitting surface 40Q, the first end region P1 is a region that does not overlap the light incident surface 40P. Therefore, the light incident from the light incident surface 40P is difficult to reach the first end region P1, or is reflected several times in the wavelength converter 40 and travels on a relatively long optical path before the first. Reach the end region P1 of 1. Therefore, the first end region P1 is a region having relatively low brightness in the light emitting surface 40Q.

さらに、柱状部43における側面43Aの近傍の領域は、光反射体50に食い込むように設けられている。従って、柱状部43における側面43Aの近傍の領域の下部には、光反射体50が存在する。 Further, the region of the columnar portion 43 in the vicinity of the side surface 43A is provided so as to bite into the light reflector 50. Therefore, the light reflector 50 exists in the lower part of the region near the side surface 43A in the columnar portion 43.

これによって、柱状部43の側面43Aの近傍の領域は、波長変換体40内において他の領域よりも放熱性能が低い領域となる。従って、発光素子20を駆動した場合、柱状部43の側面43Aの近傍の領域は、他の領域よりも温度が高い領域(熱が逃げにくい領域)となる。従って、第1の端部領域P1における波長変換体40の波長変換効率はより低くなる。これによって、第1の端部領域P1は、光出射面40Q内において比較的輝度が低い領域となる。 As a result, the region near the side surface 43A of the columnar portion 43 becomes a region in the wavelength converter 40 having lower heat dissipation performance than the other regions. Therefore, when the light emitting element 20 is driven, the region near the side surface 43A of the columnar portion 43 becomes a region having a higher temperature than the other regions (a region where heat does not easily escape). Therefore, the wavelength conversion efficiency of the wavelength converter 40 in the first end region P1 becomes lower. As a result, the first end region P1 becomes a region having relatively low brightness in the light emitting surface 40Q.

一方、第2の端部領域P2は、光出射面40Qに垂直な方向から見たときに光入射面40Pに重なる領域である。従って、光入射面40Pから入射した光の多くは第2の端部領域P2に達することとなる。また、傾斜角θ2などを調節することで、第2の端部領域P2は、光入射面40Pの中央領域の上部に配置されることができる。これによって、第2の端部領域P2は、光入射面40Q内において最も輝度が高い領域となる。 On the other hand, the second end region P2 is a region that overlaps the light incident surface 40P when viewed from a direction perpendicular to the light emitting surface 40Q. Therefore, most of the light incident from the light incident surface 40P reaches the second end region P2. Further, by adjusting the inclination angle θ2 or the like, the second end region P2 can be arranged above the central region of the light incident surface 40P. As a result, the second end region P2 becomes the region having the highest brightness in the light incident surface 40Q.

さらに、柱状部43の側面43Bの近傍の領域の下部には波長変換体40の他の部分である傾斜部42が設けられている。従って、柱状部43の側面43Bの近傍の領域において発生した熱は、容易に波長変換体40内を伝搬する。従って、柱状部43の側面43Bの近傍の領域は、他の領域よりも放熱性能が高い領域であり、他の領域よりも波長変換効率が高い領域となる。これによって、第2の端部領域P2は、他の領域よりもさらに輝度が高い領域となる。 Further, an inclined portion 42, which is another portion of the wavelength converter 40, is provided in the lower part of the region near the side surface 43B of the columnar portion 43. Therefore, the heat generated in the region near the side surface 43B of the columnar portion 43 easily propagates in the wavelength converter 40. Therefore, the region near the side surface 43B of the columnar portion 43 is a region having higher heat dissipation performance than other regions, and is a region having higher wavelength conversion efficiency than other regions. As a result, the second end region P2 becomes a region having a higher brightness than the other regions.

このように、本実施例においては、波長変換谷40は、底面から外側に傾斜する側面42A及び内側に傾斜する側面42Bを有する傾斜部42を有する。従って、光出射面40Qから大きな輝度傾斜(輝度変化)を持った光が出射するような波長変換体40となる。また、例えば傾斜角θ1及びθ2などを調節することで、高い自由度で安定した輝度特性の光を出射する波長変換体40を構成することができる。 As described above, in this embodiment, the wavelength conversion valley 40 has an inclined portion 42 having a side surface 42A inclined outward from the bottom surface and a side surface 42B inclined inward. Therefore, the wavelength converter 40 is such that light having a large luminance gradient (luminance change) is emitted from the light emitting surface 40Q. Further, for example, by adjusting the inclination angles θ1 and θ2, it is possible to configure the wavelength converter 40 that emits light having stable luminance characteristics with a high degree of freedom.

また、本実施例においては、傾斜部42は、傾斜角θ1及びθ2が(θ1+θ2)<180°の関係を満たすように構成されている。これによって、傾斜部42の上面が傾斜部42の底面よりも小さくなる。従って、光入射面40Pよりも光入射面40Qの方が小さくなるように波長変換体40を構成することができる。 Further, in the present embodiment, the inclined portion 42 is configured so that the inclination angles θ1 and θ2 satisfy the relationship of (θ1 + θ2) <180 °. As a result, the upper surface of the inclined portion 42 becomes smaller than the bottom surface of the inclined portion 42. Therefore, the wavelength converter 40 can be configured so that the light incident surface 40Q is smaller than the light incident surface 40P.

これによって、光入射面40Pから入射した光を集光しつつ光出射面40Qから出射することができる。従って、例えば、十分な光量の光が放出されるようなサイズの発光素子20(半導体層22)を構成した上で、この発光素子20からの放出光を発光領域よりも小さな領域に集めることができる。これによって、例えば、波長変換体40の光出射面40Qからは、高輝度な光を出射させることができる。 As a result, the light incident from the light incident surface 40P can be focused and emitted from the light emitting surface 40Q. Therefore, for example, after configuring the light emitting element 20 (semiconductor layer 22) having a size such that a sufficient amount of light is emitted, the light emitted from the light emitting element 20 can be collected in a region smaller than the light emitting region. it can. Thereby, for example, high-luminance light can be emitted from the light emitting surface 40Q of the wavelength converter 40.

また、波長変換体40が最も発光素子20側に柱状部41を有することで、発光素子20から放出された光が波長変換体40内に留まりやすくなる。従って、発光素子20から放出された光に対する高い波長変換効率を維持することができる。 Further, since the wavelength converter 40 has the columnar portion 41 closest to the light emitting element 20, the light emitted from the light emitting element 20 tends to stay in the wavelength converter 40. Therefore, high wavelength conversion efficiency for the light emitted from the light emitting element 20 can be maintained.

また、一様な厚みの柱状部41に光が入射することで、柱状部41の面内での波長変換ムラが抑制される。従って、柱状部41から傾斜部42に向かう光における柱状部41の面内での強度ムラ、及び色ムラを抑制することができる。 Further, when the light is incident on the columnar portion 41 having a uniform thickness, the in-plane wavelength conversion unevenness of the columnar portion 41 is suppressed. Therefore, it is possible to suppress in-plane intensity unevenness and color unevenness of the columnar portion 41 in the light directed from the columnar portion 41 to the inclined portion 42.

また、波長変換体40が傾斜部42上に柱状部43を有することで、傾斜部42内で波長が変換された光または傾斜部42を伝搬した光の光量を柱状部43の面内で安定させることができる。従って、傾斜部42内で形成した輝度分布が光出射面40Qにおいても維持されることができる。 Further, since the wavelength converter 40 has the columnar portion 43 on the inclined portion 42, the amount of light whose wavelength is converted in the inclined portion 42 or the light propagating through the inclined portion 42 is stabilized in the plane of the columnar portion 43. Can be made to. Therefore, the luminance distribution formed in the inclined portion 42 can be maintained even on the light emitting surface 40Q.

なお、本実施例においては、波長変換体40は、矩形の上面形状を有する。これによって、種々の用途に容易に適用可能な形状の配光特性を得ることができる。例えば、発光装置10は、車両用灯具を構成することができる。具体的には、車両用灯具は、照射領域内で輝度の高い領域と低い領域とを形成することが求められる灯具である。従って、波長変換体40を用いることで、容易にこのような配光特性を得ることができる。例えば、波長変換体40が矩形の上面形状を有することで、例えばこのような用途など、すなわち照明用途に好適な構成となる。 In this embodiment, the wavelength converter 40 has a rectangular upper surface shape. As a result, it is possible to obtain light distribution characteristics having a shape that can be easily applied to various applications. For example, the light emitting device 10 can form a vehicle lamp. Specifically, the vehicle lamp is a lamp that is required to form a high brightness region and a low brightness region in the irradiation region. Therefore, by using the wavelength converter 40, such light distribution characteristics can be easily obtained. For example, when the wavelength converter 40 has a rectangular upper surface shape, the configuration is suitable for, for example, such an application, that is, a lighting application.

なお、上記した波長変換体40の構成は、一例に過ぎない。例えば、本実施例においては、波長変換体40は、一体的に形成された柱状部41、傾斜部42及び柱状部43を有する場合について説明した。また、上下に隣接する各部分の上面及び底面の形状が一致する場合について説明した。しかし、波長変換体40は、例えば互いに分離可能なように形成された柱状部41、傾斜部42及び柱状部43を有していてもよい。また、上下に隣接する各部分の上面及び底面は互いに光学的に結合していればよく、その形状は一致しなくてもよく、また、互いに離間していてもよい。 The configuration of the wavelength converter 40 described above is only an example. For example, in this embodiment, the case where the wavelength converter 40 has the columnar portion 41, the inclined portion 42, and the columnar portion 43 formed integrally has been described. Further, a case where the shapes of the upper surface and the lower surface of the vertically adjacent portions match has been described. However, the wavelength converter 40 may have, for example, a columnar portion 41, an inclined portion 42, and a columnar portion 43 formed so as to be separable from each other. Further, the upper surface and the lower surface of the vertically adjacent portions may be optically coupled to each other, and their shapes may not match or may be separated from each other.

また、本実施例においては、波長変換体40の傾斜部42において傾斜する側面42A及び42Bが互いに向かい合うように配置される場合について説明した。しかし、傾斜部40の側面形状はこれに限定されない。例えば、傾斜部42は、矩形の互いに直交する2つ側面の一方を側面42Aとして有し、他の側面を側面42Bとして有していてもよい。すなわち、傾斜部42は、隣接して傾斜する側面42A及び42Bを有していてもよい。 Further, in this embodiment, a case where the inclined side surfaces 42A and 42B are arranged so as to face each other in the inclined portion 42 of the wavelength converter 40 has been described. However, the side surface shape of the inclined portion 40 is not limited to this. For example, the inclined portion 42 may have one of two rectangular side surfaces orthogonal to each other as the side surface 42A and the other side surface as the side surface 42B. That is, the inclined portion 42 may have side surfaces 42A and 42B which are inclined adjacent to each other.

また、本実施例においては、基板11上に波長変換体40の側面を覆う光反射体50が形成されている場合について説明した。しかし、光反射体50は、設けられていなくてもよい。 Further, in this embodiment, the case where the light reflector 50 covering the side surface of the wavelength converter 40 is formed on the substrate 11 has been described. However, the light reflector 50 may not be provided.

例えば、波長変換体40の側面は、光学的に露出されている場合でも、ある程度の反射機能を有する。これは、例えば、波長変換体40の内部から側面に入射する光は、例えば全反射によって波長変換体40内に留まるからである。また、本実施例のように波長変換体40を板状に形成するなど、波長変換体40の側面に対して底面又は上面を比較的大きくすることで、大部分の光は光出射面40Qから出射する。従って、光反射体50が設けられていなくても、波長変換体40から出射される光の輝度特性や配光特性を維持することができる。 For example, the side surface of the wavelength converter 40 has a certain degree of reflection function even when it is optically exposed. This is because, for example, the light incident on the side surface from the inside of the wavelength converter 40 stays in the wavelength converter 40 due to total reflection, for example. Further, by making the bottom surface or the upper surface relatively large with respect to the side surface of the wavelength converter 40, such as forming the wavelength converter 40 in a plate shape as in this embodiment, most of the light is emitted from the light emitting surface 40Q. Exit. Therefore, even if the light reflector 50 is not provided, the luminance characteristic and the light distribution characteristic of the light emitted from the wavelength converter 40 can be maintained.

このように、本実施例においては、発光装置10は、基板11と、基板11上に形成された発光素子20と、発光素子20上に配置されて発光素子20から放出された光に対して波長変換を行う波長変換体40と、波長変換体40の側面を覆う光反射体50と、を有する。 As described above, in this embodiment, the light emitting device 10 refers to the substrate 11, the light emitting element 20 formed on the substrate 11, and the light emitted from the light emitting element 20 arranged on the light emitting element 20. It has a wavelength converter 40 that performs wavelength conversion, and a light reflector 50 that covers the side surface of the wavelength converter 40.

また、本実施例においては、波長変換体40は、発光素子20から放出された光が入射する光入射面40Pをなす底面41Cを有する柱状部41と、柱状部41上に形成されかつ傾斜する側面42A及び側面42Bを有する傾斜部42と、傾斜部42上に形成されかつ光が外部に出射される光出射面40Qをなす上面43Cを有する柱状部43と、を有する。従って、光出射面40Qから輝度の差を有する光を出射する波長変換体40を有し、高輝度な発光装置10を提供することができる。 Further, in the present embodiment, the wavelength converter 40 is formed and inclined on the columnar portion 41 having a bottom surface 41C forming a light incident surface 40P on which the light emitted from the light emitting element 20 is incident. It has an inclined portion 42 having a side surface 42A and a side surface 42B, and a columnar portion 43 having an upper surface 43C formed on the inclined portion 42 and forming a light emitting surface 40Q from which light is emitted to the outside. Therefore, it is possible to provide a high-luminance light emitting device 10 having a wavelength converter 40 that emits light having a difference in brightness from the light emitting surface 40Q.

図6は、実施例2に係る発光装置10Aの断面図である。発光装置10Aは、波長変換体40Aの構成を除いては、発光装置10と同様の構成を有する。波長変換体40Aは、傾斜部42のみからなる点を除いては、波長変換体40と同様の構成を有する。本実施例においては、波長変換体40Aは、波長変換体40から柱状部41及び43を除いた場合に相当する構成を有する。 FIG. 6 is a cross-sectional view of the light emitting device 10A according to the second embodiment. The light emitting device 10A has the same configuration as the light emitting device 10 except for the configuration of the wavelength converter 40A. The wavelength converter 40A has the same configuration as the wavelength converter 40 except that it is composed of only the inclined portion 42. In this embodiment, the wavelength converter 40A has a configuration corresponding to the case where the columnar portions 41 and 43 are removed from the wavelength converter 40.

本実施例においては、傾斜部42の底面42Cは、接着層30に接している。また、傾斜部42の底面42Cは、波長変換体40Bにおける光入射面40Pとして機能する。また、傾斜部42の上面42Dは、光反射体50から露出している。傾斜部42の上面42Dは、波長変換体40Aの光出射面40Qとして機能する。 In this embodiment, the bottom surface 42C of the inclined portion 42 is in contact with the adhesive layer 30. Further, the bottom surface 42C of the inclined portion 42 functions as a light incident surface 40P in the wavelength converter 40B. Further, the upper surface 42D of the inclined portion 42 is exposed from the light reflector 50. The upper surface 42D of the inclined portion 42 functions as a light emitting surface 40Q of the wavelength converter 40A.

本実施例のように、波長変換体40Aは、少なくとも傾斜部42を有していればよい。波長変換体40Aが傾斜部42を有することで、光出射面40Qの面内において輝度の傾斜を形成することができる。 As in this embodiment, the wavelength converter 40A may have at least an inclined portion 42. Since the wavelength converter 40A has the inclined portion 42, it is possible to form an inclined brightness in the plane of the light emitting surface 40Q.

換言すれば、本実施例においては、発光装置10Aは、基板11と、基板11上に形成された発光素子20と、発光素子20上に配置されて発光素子20から放出された光に対して波長変換を行う波長変換体40であって、基板11に沿って延びる底面、当該底面に対して鈍角をなして傾斜する側面42A及び当該底面に対して鋭角をなして傾斜する側面42Bを有する傾斜部42を有する波長変換体40と、を有する。従って、光出射面40Qから輝度の差を有する光を出射する波長変換体40Aを有し、高輝度な発光装置10Aを提供することができる。 In other words, in the present embodiment, the light emitting device 10A refers to the substrate 11, the light emitting element 20 formed on the substrate 11, and the light emitted from the light emitting element 20 arranged on the light emitting element 20. A wavelength converter 40 that performs wavelength conversion and has a bottom surface extending along the substrate 11, a side surface 42A that inclines at an obtuse angle with respect to the bottom surface, and a side surface 42B that inclines at an acute angle with respect to the bottom surface. It has a wavelength converter 40 having a part 42, and a wavelength converter 40. Therefore, it is possible to provide a high-luminance light emitting device 10A having a wavelength converter 40A that emits light having a difference in brightness from the light emitting surface 40Q.

図7は、実施例3に係る発光装置10Bの断面図である。発光装置10Bは、波長変換体40Bの構成を除いては、発光装置10と同様の構成を有する。波長変換体40Bは、波長変換板44と、波長変換板44上に設けられかつ透光性を有する柱状部41T、傾斜部42T及び柱状部43Tと、を有する。 FIG. 7 is a cross-sectional view of the light emitting device 10B according to the third embodiment. The light emitting device 10B has the same configuration as the light emitting device 10 except for the configuration of the wavelength converter 40B. The wavelength converter 40B has a wavelength converter 44, and a columnar portion 41T, an inclined portion 42T, and a columnar portion 43T provided on the wavelength converter plate 44 and having translucency.

本実施例においては、波長変換体40Bは、基板11に垂直に延びる側面44A及び44Bと、光入射面40Pをなす底面44Cとを有し、発光素子20から放出された光に対して波長変換を行う波長変換部44を有する。また、波長変換体40Bは、波長変換部44の他の部分においては、透光機能のみを有する。 In this embodiment, the wavelength converter 40B has side surfaces 44A and 44B extending perpendicular to the substrate 11 and a bottom surface 44C forming the light incident surface 40P, and wavelength-converts the light emitted from the light emitting element 20. It has a wavelength conversion unit 44 that performs the above. Further, the wavelength converter 40B has only a light transmitting function in other parts of the wavelength converter 44.

具体的には、上記した実施例1においては、波長変換体40は、一体的に形成された蛍光体プレートからなり、その全体において波長変換機能を有する場合について説明した。しかし、波長変換体40の構成はこれに限定されない。 Specifically, in Example 1 described above, the case where the wavelength converter 40 is composed of an integrally formed phosphor plate and has a wavelength conversion function as a whole has been described. However, the configuration of the wavelength converter 40 is not limited to this.

例えば、波長変換体40は、蛍光体プレートと、当該蛍光体プレート上に形成された透光プレートと、からなっていてもよい。すなわち、波長変換体40は、複数の部材を組み合わせた構造を有していてもよいし、またその一部のみに波長変換機能をなす部材を有していてもよい。 For example, the wavelength converter 40 may include a phosphor plate and a translucent plate formed on the phosphor plate. That is, the wavelength converter 40 may have a structure in which a plurality of members are combined, or may have a member having a wavelength conversion function only in a part thereof.

本実施例においては、波長変換体40Bは、波長変換体40における柱状部41の最も基板11側の部分のみを波長変換部として構成し、その他の部分を透光部として構成した場合に対応する構成を有する。 In this embodiment, the wavelength converter 40B corresponds to a case where only the portion of the columnar portion 41 on the columnar portion 41 on the substrate 11 side of the wavelength converter 40 is configured as the wavelength converter and the other portions are configured as the translucent portion. Has a configuration.

本実施例のように、波長変換体40Bは、少なくともその一部のみに波長変換機能を有していてもよい。この場合でも、所望の波長の光を所望の輝度分布を設けた上で出射することが可能な波長変換体40Bを形成することができる。 As in this embodiment, the wavelength converter 40B may have a wavelength conversion function at least only a part thereof. Even in this case, it is possible to form the wavelength converter 40B capable of emitting light having a desired wavelength after providing a desired luminance distribution.

なお、発光素子20の構成や、発光装置10の用途によっては、波長変換体40の全体が波長変換機能を有していなくてもよい。例えば、単色(単一波長)の光のみを用いて通信や分析などを行う用途に用いられる場合、発光素子20から放出された光がその波長特性を維持したまま取り出されればよい場合がある。この場合、波長変換体40は、波長変換機能を有する必要はなく、例えば、単純な透光体として機能すればよい。この場合でも、当該透光体が例えば上記したような種々の実施例のような構成を有することで、所望の輝度差を設けた光を出射することができる。 Depending on the configuration of the light emitting element 20 and the application of the light emitting device 10, the entire wavelength converter 40 may not have the wavelength conversion function. For example, when it is used for communication or analysis using only monochromatic (single wavelength) light, the light emitted from the light emitting element 20 may be taken out while maintaining its wavelength characteristics. In this case, the wavelength converter 40 does not need to have a wavelength conversion function, and may function as a simple translucent body, for example. Even in this case, if the translucent body has a configuration as described in various examples as described above, it is possible to emit light having a desired luminance difference.

このように、本実施例においては、例えば、波長変換体40Bは、光入射面40Pをなす底面を有する柱形状の波長変換部44を有する。また、波長変換体40Bの柱状部41T、傾斜部42T及び柱状部43Tは、発光素子20及び波長変換部44によって生成された光に対して透光性を有する。従って、光出射面40Qから輝度の差を有する光を出射する波長変換体40Bを有し、高輝度な発光装置10Bを提供することができる。 As described above, in this embodiment, for example, the wavelength converter 40B has a pillar-shaped wavelength converter 44 having a bottom surface forming the light incident surface 40P. Further, the columnar portion 41T, the inclined portion 42T, and the columnar portion 43T of the wavelength converter 40B have translucency with respect to the light generated by the light emitting element 20 and the wavelength converter 44. Therefore, it is possible to provide a high-luminance light emitting device 10B having a wavelength converter 40B that emits light having a difference in brightness from the light emitting surface 40Q.

なお、波長変換体40Bの光出射面40Qに輝度傾斜を設けることを考慮すると、波長変換体40Bは上記した形状を有する必要はない。例えば、図2に示すように、波長変換体40Bの光出射面40Qが、光出射面40Qに垂直な方向から見たときに、光入射面40Pの外側に延在する領域を有していればよい。これによって、当該光入射面40Pの外側にずれた光出射面40Qの領域は輝度が低い領域となり、全体としては輝度傾斜を設けることができる。 Considering that the light emitting surface 40Q of the wavelength converter 40B is provided with a brightness gradient, the wavelength converter 40B does not need to have the above-mentioned shape. For example, as shown in FIG. 2, the light emitting surface 40Q of the wavelength converter 40B may have a region extending outside the light incident surface 40P when viewed from a direction perpendicular to the light emitting surface 40Q. Just do it. As a result, the region of the light emitting surface 40Q displaced to the outside of the light incident surface 40P becomes a region having low brightness, and a brightness inclination can be provided as a whole.

換言すれば、例えば、発光装置10Bは、基板11と、基板11上の上面上に形成された発光素子20と、発光素子20上に配置されて発光素子20から放出された光に対して波長変換を行い、基板11に沿って延びる光入射面40P及び光入射面40Pとは反対側に面する光出射面40Qと、を有する波長変換体40Bと、を有し、波長変換体40の光出射面40Qは、光出射面40Qに垂直な方向から見たとき、光入射面40Pの外側に延在する領域を有していればよい。従って、光出射面40Qから輝度の差を有する光を出射する波長変換体40Bを有し、高輝度な発光装置10Bを提供することができる。 In other words, for example, the light emitting device 10B has a wavelength with respect to the substrate 11, the light emitting element 20 formed on the upper surface of the substrate 11, and the light disposed on the light emitting element 20 and emitted from the light emitting element 20. The light of the wavelength converter 40, which has a wavelength converter 40B having a light incident surface 40P extending along the substrate 11 and a light emitting surface 40Q facing the side opposite to the light incident surface 40P after conversion. The exit surface 40Q may have a region extending outside the light incident surface 40P when viewed from a direction perpendicular to the light emission surface 40Q. Therefore, it is possible to provide a high-luminance light emitting device 10B having a wavelength converter 40B that emits light having a difference in brightness from the light emitting surface 40Q.

10、10A、10B 発光装置
20 発光素子
40、40A、40B 波長変換体
10, 10A, 10B light emitting device 20 light emitting element 40, 40A, 40B wavelength converter

Claims (6)

基板と、
前記基板上に形成された発光素子と、
前記発光素子上に配置されて前記発光素子から放出された光に対して波長変換を行う波長変換体であって、前記基板に沿って延びる底面、前記底面から外側に傾斜する第1の側面及び前記底面から内側に傾斜する第2の側面を有する傾斜部を有する波長変換体と、を有することを特徴とする発光装置。
With the board
The light emitting element formed on the substrate and
A wavelength converter that is arranged on the light emitting element and performs wavelength conversion on the light emitted from the light emitting element, and has a bottom surface extending along the substrate, a first side surface inclined outward from the bottom surface, and the like. A light emitting device comprising a wavelength converter having an inclined portion having a second side surface inclined inward from the bottom surface.
前記傾斜部における前記第1の側面と前記底面とがなす角度のうち前記傾斜部の内側の角度を傾斜角θ1とし、前記第2の側面と前記底面とがなす角度のうち前記傾斜部の内側の角度を傾斜角θ2とした場合、前記傾斜角θ1及びθ2は、(θ1+θ2)<180°の関係を満たすことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。 Of the angles formed by the first side surface and the bottom surface of the inclined portion, the angle inside the inclined portion is defined as the inclination angle θ1, and the inside of the inclined portion among the angles formed by the second side surface and the bottom surface. The light emitting device according to claim 1, wherein the inclination angles θ1 and θ2 satisfy the relationship of (θ1 + θ2) <180 °, where the angle of tilt is θ2. 前記波長変換体は、前記発光素子から放出された光が入射する光入射面をなす底面及び前記傾斜部の前記底面に一致する上面を有しかつ柱形状を有する第1の柱状部と、前記傾斜部の上面に一致する底面及び当該波長が変換された光が外部に出射される光出射面をなす上面を有しかつ柱形状を有する第2の柱状部と、を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の発光装置。 The wavelength converter has a bottom surface forming a light incident surface on which light emitted from the light emitting element is incident, a first columnar portion having a top surface corresponding to the bottom surface of the inclined portion and having a pillar shape, and the above-mentioned It is characterized by having a bottom surface corresponding to the upper surface of the inclined portion and a second columnar portion having a pillar shape and having an upper surface forming a light emitting surface from which light having the wavelength converted is emitted to the outside. The light emitting device according to claim 1 or 2. 前記波長変換体は、前記発光素子から放出された光が入射する光入射面をなす底面を有し、柱形状を有し、かつ前記波長変換を行う波長変換部を有し、
前記傾斜部は、前記発光素子及び前記波長変換部によって生成された光に対して透光性を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1つに記載の発光装置。
The wavelength converter has a bottom surface forming a light incident surface on which light emitted from the light emitting element is incident, has a pillar shape, and has a wavelength conversion unit that performs the wavelength conversion.
The light emitting device according to any one of claims 1 to 3, wherein the inclined portion has translucency with respect to the light generated by the light emitting element and the wavelength conversion unit.
前記波長変換体の側面を覆いかつ前記発光素子及び前記波長変換体によって生成された光に対して反射性を有する光反射体を有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1つに記載の発光装置。 One of claims 1 to 4, wherein the light emitting element and a light reflector having a reflectivity to light generated by the wavelength converter are provided, which covers the side surface of the wavelength converter. The light emitting device described. 基板と、
前記基板上の上面上に形成された発光素子と、
前記発光素子上に配置されて前記発光素子から放出された光に対して波長変換を行い、前記基板に沿って延びる光入射面及び前記光入射面とは反対側に面する光出射面と、を有する波長変換体と、を有し、
前記波長変換体の前記光出射面は、前記光出射面に垂直な方向から見たとき、前記光入射面の外側に延在する領域を有することを特徴とする発光装置。
With the board
A light emitting element formed on the upper surface of the substrate and
A light incident surface that is arranged on the light emitting element and undergoes wavelength conversion on the light emitted from the light emitting element, extends along the substrate, and a light emitting surface that faces the side opposite to the light incident surface. With a wavelength converter,
A light emitting device, characterized in that the light emitting surface of the wavelength converter has a region extending outside the light incident surface when viewed from a direction perpendicular to the light emitting surface.
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