JP2020188098A5 - - Google Patents
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- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 5
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019090851A JP7244348B2 (ja) | 2019-05-13 | 2019-05-13 | プラズマ処理装置、温度制御方法および温度制御プログラム |
| TW109114252A TWI842882B (zh) | 2019-05-13 | 2020-04-29 | 電漿處理裝置、溫度控制方法及溫度控制程式 |
| CN202010373310.3A CN111933508B (zh) | 2019-05-13 | 2020-05-06 | 等离子体处理装置、温度控制方法以及记录介质 |
| KR1020200053860A KR102773259B1 (ko) | 2019-05-13 | 2020-05-06 | 플라즈마 처리 장치, 온도 제어 방법, 및 온도 제어 프로그램 |
| US16/872,632 US11546970B2 (en) | 2019-05-13 | 2020-05-12 | Plasma processing apparatus and temperature control method |
| US18/072,438 US12063717B2 (en) | 2019-05-13 | 2022-11-30 | Plasma processing apparatus, and temperature control method |
| JP2023036144A JP7507914B2 (ja) | 2019-05-13 | 2023-03-09 | プラズマ処理装置、温度制御方法および温度制御プログラム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019090851A JP7244348B2 (ja) | 2019-05-13 | 2019-05-13 | プラズマ処理装置、温度制御方法および温度制御プログラム |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023036144A Division JP7507914B2 (ja) | 2019-05-13 | 2023-03-09 | プラズマ処理装置、温度制御方法および温度制御プログラム |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2020188098A JP2020188098A (ja) | 2020-11-19 |
| JP2020188098A5 true JP2020188098A5 (enExample) | 2022-04-21 |
| JP7244348B2 JP7244348B2 (ja) | 2023-03-22 |
Family
ID=73221900
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019090851A Active JP7244348B2 (ja) | 2019-05-13 | 2019-05-13 | プラズマ処理装置、温度制御方法および温度制御プログラム |
| JP2023036144A Active JP7507914B2 (ja) | 2019-05-13 | 2023-03-09 | プラズマ処理装置、温度制御方法および温度制御プログラム |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023036144A Active JP7507914B2 (ja) | 2019-05-13 | 2023-03-09 | プラズマ処理装置、温度制御方法および温度制御プログラム |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US11546970B2 (enExample) |
| JP (2) | JP7244348B2 (enExample) |
| KR (1) | KR102773259B1 (enExample) |
| CN (1) | CN111933508B (enExample) |
| TW (1) | TWI842882B (enExample) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102819447B1 (ko) * | 2018-10-16 | 2025-06-11 | 램 리써치 코포레이션 | 박막 증착을 위한 플라즈마 강화 웨이퍼 소킹 |
| TW202531282A (zh) * | 2018-11-30 | 2025-08-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 電漿處理裝置 |
| JP7244348B2 (ja) * | 2019-05-13 | 2023-03-22 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、温度制御方法および温度制御プログラム |
| JP7426915B2 (ja) * | 2020-09-14 | 2024-02-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、熱抵抗導出方法及び熱抵抗導出プログラム |
| JP7601511B2 (ja) * | 2021-06-25 | 2024-12-17 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| CN119522475A (zh) * | 2022-07-22 | 2025-02-25 | 东京毅力科创株式会社 | 监视方法和等离子体处理装置 |
| TWI839989B (zh) * | 2022-12-02 | 2024-04-21 | 緯創資通股份有限公司 | 包括監測警示模組之液冷系統、用於液冷系統之監測警示方法以及包括其之電子裝置 |
| TW202509701A (zh) * | 2023-04-17 | 2025-03-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 電腦程式、資訊處理裝置、及資訊處理方法 |
| KR102867331B1 (ko) * | 2023-06-21 | 2025-10-01 | 주식회사 뉴파워 프라즈마 | 정전척에 전달되는 고주파 전력 조절을 이용한 공정 균일도 향상 장치 |
| WO2025142536A1 (ja) * | 2023-12-27 | 2025-07-03 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、予測方法、予測プログラム、及び情報処理装置 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2680231B1 (fr) * | 1991-08-07 | 1993-11-19 | Nitruvid | Four de type puits a chauffage par resistance pour le traitement de pieces metalliques. |
| US6023038A (en) * | 1997-09-16 | 2000-02-08 | Applied Materials, Inc. | Resistive heating of powered coil to reduce transient heating/start up effects multiple loadlock system |
| TWI281833B (en) * | 2004-10-28 | 2007-05-21 | Kyocera Corp | Heater, wafer heating apparatus and method for manufacturing heater |
| US7956310B2 (en) * | 2005-09-30 | 2011-06-07 | Tokyo Electron Limited | Stage, substrate processing apparatus, plasma processing apparatus, control method for stage, control method for plasma processing apparatus, and storage media |
| JP4486135B2 (ja) * | 2008-01-22 | 2010-06-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度制御機構およびそれを用いた処理装置 |
| JP4515509B2 (ja) * | 2008-03-03 | 2010-08-04 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板表面温度計測方法、及び、これを用いた基板処理装置 |
| JP5433171B2 (ja) | 2008-06-16 | 2014-03-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 試料温度の制御方法 |
| JP2010050178A (ja) | 2008-08-20 | 2010-03-04 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JP2014158009A (ja) * | 2012-07-03 | 2014-08-28 | Hitachi High-Technologies Corp | 熱処理装置 |
| JP6313983B2 (ja) * | 2014-01-29 | 2018-04-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| JP6378942B2 (ja) | 2014-06-12 | 2018-08-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及びプラズマ処理装置 |
| JP6570894B2 (ja) * | 2015-06-24 | 2019-09-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度制御方法 |
| JP6688172B2 (ja) * | 2016-06-24 | 2020-04-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システムおよび方法 |
| JP6479713B2 (ja) * | 2016-07-11 | 2019-03-06 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、プログラムおよび基板処理装置 |
| JP2018063974A (ja) * | 2016-10-11 | 2018-04-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 温度制御装置、温度制御方法、および載置台 |
| JP7068971B2 (ja) | 2017-11-16 | 2022-05-17 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、温度制御方法および温度制御プログラム |
| SG11202010209PA (en) | 2018-05-24 | 2020-12-30 | Applied Materials Inc | Virtual sensor for spatially resolved wafer temperature control |
| KR102306371B1 (ko) * | 2018-11-27 | 2021-09-30 | 주식회사 히타치하이테크 | 플라스마 처리 장치 및 그것을 이용한 시료의 처리 방법 |
| JP7244348B2 (ja) * | 2019-05-13 | 2023-03-22 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、温度制御方法および温度制御プログラム |
-
2019
- 2019-05-13 JP JP2019090851A patent/JP7244348B2/ja active Active
-
2020
- 2020-04-29 TW TW109114252A patent/TWI842882B/zh active
- 2020-05-06 CN CN202010373310.3A patent/CN111933508B/zh active Active
- 2020-05-06 KR KR1020200053860A patent/KR102773259B1/ko active Active
- 2020-05-12 US US16/872,632 patent/US11546970B2/en active Active
-
2022
- 2022-11-30 US US18/072,438 patent/US12063717B2/en active Active
-
2023
- 2023-03-09 JP JP2023036144A patent/JP7507914B2/ja active Active
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