JP2020180318A5 - - Google Patents

Claims (3)

1. 成膜される基板が投入される成膜室と、
   前記成膜室を所定圧力に減圧する減圧機と、
   前記成膜室に放電ガスを導入する放電ガス導入機と、
   成膜材料となるターゲットが装着され、前記基板に対して対向するように設けられたスパッタ電極と、
   前記成膜室に反応ガスを導入する反応ガス導入機と、
   前記スパッタ電極に電力を供給する直流電源と、
   前記直流電源と前記スパッタ電極との間に接続され、前記スパッタ電極に印加する直流電圧をパルス波電圧に変換するパルス波変換スイッチと、
   前記反応ガス導入機から前記成膜室への反応ガスの導入を制御する反応ガス導入制御器と、
   前記スパッタ電極に供給するスパッタ目標電力と、前記反応ガスの目標導入タイミングとに応じたパルス制御信号パターンがプログラム可能とされ、プログラムされたパルス制御信号パターンにしたがって、前記パルス波変換スイッチと、前記反応ガス導入制御器とを制御するプログラマブル発信器と、を備える反応性スパッタ装置を用い、前記基板に成膜処理を施す金属化合物膜の成膜方法であって、
   前記成膜室に放電ガスを導入した状態で、前記ターゲットが装着されたスパッタ電極に、前記パルス制御信号パターンにより設定されたスパッタ目標電力を供給する１サイクルの間に、
   前記パルス制御信号パターンにより設定された目標導入タイミングだけ前記反応ガス導入機から前記成膜室へ反応ガスを導入しない金属モードで、前記基板に前記ターゲットの金属超薄膜を形成する第１の工程と、
   前記パルス制御信号パターンにより設定された目標導入タイミングだけ前記反応ガス導入機から前記成膜室へ反応ガスを導入する反応モードで、前記基板に前記ターゲットの金属超薄膜を形成する第２の工程と、を実施する金属化合物膜の成膜方法。
2. 前記第１の工程を実施した後に前記第２の工程を実施するか、又は、
   前記第２の工程を実施した後に前記第１の工程を実施する請求項１に記載の金属化合物膜の成膜方法。
3. 前記スパッタ電極は、第１ターゲットが装着される第１スパッタ電極と、第２ターゲットが装着される第２スパッタ電極とを含み、
   前記パルス変換スイッチは、前記第１スパッタ電極に印加する直流電圧をパルス波電圧に変換する第１パルス波変換スイッチと、前記第２スパッタ電極に印加する直流電圧をパルス波電圧に変換する第２パルス波変換スイッチとを含み、
   前記プログラマブル発信器は、前記第１スパッタ電極及び前記第２スパッタ電極に供給するそれぞれのスパッタ目標電力と、前記反応ガスの目標導入タイミングとに応じたパルス制御信号パターンがプログラム可能とされ、プログラムされたパルス制御信号パターンにしたがって、前記第１パルス波変換スイッチ及び前記第２パルス波変換スイッチのそれぞれと、前記反応ガス導入制御器とを制御する請求項１又は２に記載の金属化合物膜の成膜方法。