JP2020167345A - 成形装置、成形装置を用いた物品製造方法 - Google Patents

成形装置、成形装置を用いた物品製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2020167345A
JP2020167345A JP2019068855A JP2019068855A JP2020167345A JP 2020167345 A JP2020167345 A JP 2020167345A JP 2019068855 A JP2019068855 A JP 2019068855A JP 2019068855 A JP2019068855 A JP 2019068855A JP 2020167345 A JP2020167345 A JP 2020167345A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mold
substrate
molding apparatus
light emitting
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2019068855A
Other languages
English (en)
Inventor
聡 岩谷
Satoshi Iwatani
聡 岩谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2019068855A priority Critical patent/JP2020167345A/ja
Priority to KR1020200034198A priority patent/KR20200115203A/ko
Priority to US16/829,302 priority patent/US20200307036A1/en
Publication of JP2020167345A publication Critical patent/JP2020167345A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C35/00Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
    • B29C35/002Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C35/00Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
    • B29C35/02Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
    • B29C35/08Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation
    • B29C35/0805Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C43/00Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
    • B29C43/02Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles
    • B29C43/021Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles characterised by the shape of the surface
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/002Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/16Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by wave energy or particle radiation, e.g. infrared heating
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/08Mirrors
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/18Diffraction gratings
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008Production of exposure light, i.e. light sources
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274Photolithographic processes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/308Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
    • H01L21/3083Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/3086Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C35/00Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
    • B29C35/02Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
    • B29C35/08Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation
    • B29C35/0805Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
    • B29C2035/0827Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation using UV radiation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Oral & Maxillofacial Surgery (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)

Abstract

【課題】 簡易な構造で、成形のための光照射量を得るのに有利な成形装置を提供することを目的とする。【解決手段】 基板を保持する基板保持部と、基板保持部を支持する支持台と、型を保持する型保持部と、基板保持部に保持されている基板上に塗布された光硬化性の成形可能材料と、型保持部に保持されている型とを接触させる駆動部と、駆動部により成形可能材料と型とを接触させた状態で、成形可能材料に成形可能材料を硬化させる光を照射する照射部と、を備え、照射部は、支持台または前記基板保持部に配置され、2次元に配列された複数の発光素子を有する発光素子アレイと、型保持部の上方に配置され、複数の発光素子からの光を基板上の成形可能材料に向けて導光する光学部材と、を備えることを特徴とする。【選択図】 図1

Description

本発明は、型を用いて光硬化性の成形可能材料を成形する成形装置に関する。また、本発明は、成形装置を用いた物品製造方法に関する。
従来から、型を用いて光硬化性の成形可能材料を成形する成形装置が知られている。このような成形装置は、例えば、半導体デバイスや微細構造体の製造工程において利用される。
特許文献1は、平坦な表面を有する型を用いて、基板上に平坦層を形成するための成形装置を開示している。特許文献2や特許文献3は、凹凸パターンを有する型を用いて、基板上にパターン層を形成するための成形装置を開示している。後者の成形装置は、インプリント装置と呼ばれることもある。
特許文献1は、エネルギー供給源が生じさせた広帯域の紫外線放射を用いて、成形可能材料を固化させることを開示している。しかしながら、エネルギー供給源について詳細は記載されていない。
典型的には、高輝度の紫外線放射手段としてUVランプが使われるが、特許文献2には、LED発光素子を用いて紫外線を発生させることが記載されている。
特表2011−529626号公報 特表2012−505544号公報
UVランプは、高輝度の紫外線を得やすいが、発熱量が大きいことや、照射システムの構成が大型化・複雑化してしまうという問題があった。それに対して、LED発光素子はUVランプに比べて輝度が低いため、光路距離を短くするための工夫が必要となる。
特許文献2は、型保持部の斜め上方にLED発光素子を並べる構成であり、光路の距離を短くするうえで不利となる。また、光ファイバーを設けて型保持部の筐体に導光することが記載されているが、光ファイバーは光の損失が大きいため、光照射量あるいは効率の面で不利となる。
本発明は、上述の点に鑑みてなされたものであり、簡易な構造で、成形のための光照射量を得るのに有利な成形装置を提供することを目的とする。
本発明の成形装置は、基板を保持する基板保持部と、基板保持部を支持する支持台と、型を保持する型保持部と基板保持部に保持されている基板上に塗布された光硬化性の成形可能材料と、型保持部に保持されている型とを接触させる駆動部と、駆動部により成形可能材料と型とを接触させた状態で、成形可能材料に成形可能材料を硬化させる光を照射する照射部と、を備え、照射部は、支持台または基板保持部に配置され、2次元に配列された複数の発光素子を有する発光素子アレイと、型保持部の上方に配置され、複数の発光素子からの光を基板上の成形可能材料に向けて導光する光学部材と、を備えることを特徴としている。
本発明によれば、簡易な構造で、成形のための光照射量を得るのに有利な成形装置を提供することを目的とする。
成形装置の成形処理部を示す図 成形処理部の光学部材20を示す図 成形処理部の光学部材30を示す図 光学部材20と光学部材30の領域を示す図 成形装置による成形動作を示す図 成形処理部の変形例1を示す図 成形処理部の変形例2を示す図 成形処理部の変形例3を示す図
[実施例1]
以下、本発明を実施するための形態を、図面を用いながら説明する。
図1に、成形装置の成形処理部の一例を示す。成形装置は、光硬化性の成形可能材料を成形する。ここでは、紫外線の照射によって硬化させる装置の例で説明するが、これに限られない。また、基板として半導体製造において使用されるウエハの例で説明するがこれに限られない。典型的なウエハは、直径300mmあるいは200mmの円形の外周形状を有する。また、型SSとしてウエハと同サイズの円形の外周形状の例で説明するが、これに限られない。
図1に示す成形装置100は、成形処理部101を有する。成形処理部101は、基板W上に塗布された成形可能材料MLを硬化させる光を照射する照射部10として、複数の発光素子を有する発光素子アレイ11と、発光素子アレイ11からの光を成形可能材料MLに導光する光学部材20、30を有する。ステージ(支持台)40は基板Wを保持するためのチャック(基板保持部)41を支持する。ヘッド50は、型SSを保持するためのチャック51(型保持部)と、チャック51を駆動する駆動部52と、駆動部52を支持する支持部53を有する。基板W上に塗布された成形可能材料MLに型SSを接触させ、この状態で成形可能材料MLに照射部10から光を照射し、成形可能材料MLを硬化させる。型SSは平坦な表面を有し、硬化後に型SSを上方に移動させると、硬化された成形可能材料MLの表面には型SSの表面に応じた面が形成される。このようにして、成形可能材料を成形する。
ステージ40は、基板Wをチャック41に保持させた状態で、ベースBS上を移動可能である。基板Wをチャック41上に搬入または搬出する際に、ヘッド50の下方から離れた位置にステージ40を移動させることで、搬送ハンドとヘッド50との干渉(物理的接触)の回避が容易となる。また、基板W上の成形可能材料MLと型SSとを接触させる前にステージ40を微小量で移動させることで、型SSと基板Wとの相対位置を微調整することができる。ステージを駆動する機構については公知の技術を適用しうる。ステージ40は、天板と、天板に連結された板状部材と、を含みうる。
チャック41は、ステージ40に締結あるいは吸着により固定される。チャック41は基板Wを保持する保持面を有する。チャック41による基板Wの保持方式として、真空吸着方式、静電吸着方式などの公知の技術を適用しうる。真空吸着方式の場合には、チャック41の表面に形成された溝と負圧発生装置と連通させ、基板Wが保持面に載置された状態で溝の内部を負圧にすることで基板Wを保持することができる。チャック41には、基板Wを搬入および搬出する際にピンを保持面から突出させるための孔が形成されていてもよい。ピンを上下に駆動する機構を用いてピンを保持面から突出させることで、保持面から離間させた状態でピンに支持された基板Wを搬送ハンドに受け渡すことができる。また、ステージ41は、型SSを搬送ハンドに受け渡す際に使用されてもよい。ステージ40とチャック41の材質は公知の技術を適用しうる。例えば、セラミックス、金属、合金、ガラスなどの材質であってもよい。
つづいてヘッド50について説明する。チャック51は型SSを保持する保持面を有する。チャック51による型SSの保持方式として、真空吸着方式、静電吸着方式などの公知の技術を適用しうる。真空吸着方式の場合には、チャック51の表面に形成された溝と負圧発生装置と連通させ、基板SSが保持面に載置された状態で溝の内部を負圧にすることで型SSを保持することができる。
チャック51は、型SSの直径よりも大きな直径の円形の外周形状を有する。チャック51は、型SSを保持した状態で、チャック51の上方からの光を成形可能材料MLに照射可能に構成される。そのために、チャック51の材質の少なくとも一部を、紫外光の透過率が60%以上の材質としうる。より好適には、紫外光の透過率を70%以上あるいは80%以上の材質としうる。本実施例では、チャック51のうち、型SSと接触しない領域の材質も型SSと接触する領域と同様に紫外光の透過率が高い材質としている。また、透過率が高い材質を配置する代わりに、チャック51の一部に凹部(空間)を形成して、光の照射を妨げないようにしてもよい。
駆動部52は支持部53に支持される。駆動部52は、支持部53に対するチャック51の上下方向(Z方向)の相対位置を変化させるようにチャック51を駆動する。駆動部52として、例えば、ピエゾアクチュエータやボイスコイルモータなどのアクチュエータを用いることができる。要求される仕様(応答性など)によっては空圧を利用したものであってもよい。チャック51をチルト方向(θx、θy方向)に駆動可能なように複数のアクチュエータを設けてもよい。チャック51をチルト方向に駆動することで、型SSと成形可能材料MLとを接触させる際に型SSと基板Wとの相対的な傾きを調整することができる。駆動部52は、チャック51をXY方向に移動可能であってもよい。例えば、基板W上の成形可能材料MLと型SSとを接触させる前にXY方向にチャック51を微小量で移動させることで、型SSと基板Wとの相対位置を微調整することができる。
支持部53は不図示の支持構造体に例えば締結により固定される。駆動部52と支持部53は、筐体に収納されていてもよい。この場合、駆動部52と支持部53は筐体を介して支持構造体に固定されてもよい。また、支持部53が筐体を兼ねていてもよい。
ヘッド50は、さらに、チャック51に保持された型SSを基板Wに向けて湾曲させるための機構を有してもよい。例えば、チャック51に凹部を形成し、保持された型SSと凹部とで囲まれた局所空間を圧力制御装置に連通させて、局所空間の圧力を陽圧にすることで、型SSを湾曲させることができる。
成形処理部101は、型SSと接触させている成形可能材料MLを観察する観察部60を有する。観察部60は、観察光を照射するための光源と、撮像素子(撮像手段)とを有する。光源の波長は、成形可能材料の硬化に用いる光の波長とは異なることが好ましく、本実施例では可視光線である450nm〜750nmの波長域のLEDを用いる。光源からの観察光はレンズ61を介してチャック51の上方から成形可能材料に照射される。本実施例ではレンズ61によりテレセントリック光学系を構成している。このような構成で、成形動作中の型SSと成形可能材料MLの状態を観察することができる。観察部60は成形される領域全域で観察することが好ましい。
次に、図1〜図3を参照しながら照射部10について説明する。図2は、ステージ40を上方から見た図である。図3は光学部材30の上面図である。
発光素子アレイ10は、XY平面に沿って2次元に配列された複数の発光素子を有し、ステージ40上に配置される。本実施例では、発光素子アレイ10は、チャック41の外周に沿って並べられた複数のLEDモジュール11を含む。各LEDモジュールは、矩形の電気プリント基板と、電気プリント基板に2次元に配列された複数のLED素子(発光素子)12とを含む。発光素子アレイ10は、ステージ40に形成された凹部の内側に配置され、発光素子アレイ10の上方にはマイクロレンズアレイ12が配置されている。マイクロレンズアレイ12は、複数のマイクロレンズを含む。マイクロレンズアレイ12は、各LED素子12から広角で射出された光を集光し、マイクロレンズアレイ12の上方に配置された光学部材20に向けて導光する。
光学部材20は、発光素子アレイ10からのマイクロレンズアレイ12を介した光を光学部材30に向けて導光する。ここでは、発光素子アレイ10から上方に向かう光が、チャック41の中心側に向かうように、光学部材30は光の向きを変える。光学部材20として、好適には、平板状の回折光学素子が用いられる。
本実施例では光学部材20は環状であるが、各LEDモジュールの上方にそれぞれ光学部材を離間させて配置させてもよい。
本実施例において、発光素子アレイはチャック41の両側に配置されており、さらに発光素子アレイはチャック41の周囲を囲むように配置されている。このような配置は、チャック41の片側に配置した場合に比べて、光を強度や均一性の面で有利である。また、複数のLED素子がチャック41の中心をとおる線(例えば、図2のX方向あるいはY方向)に対して対称であることは、光の均一性の面で有利である。
光学部材30は、チャック51の上方に配置され、支持部53あるいは不図示の筐体に複数の載置部31を介して支持される。光学部材30は、発光素子アレイ10からの光を型SSに接触している成形可能材料MLに向けて導光する。光学部材30は、好適には、基板Wに対向する面を反射面とする凹面ミラーであり、楕円ミラーを用いても良い。光学部材30の材質として、観察部60からの観察光(本実施例では可視光)を透過可能な材質が用いられる。すなわち、光学部材30の少なくとも一部の材質は、紫外光を反射可能で、可視光を透過可能な材質であることが好ましい。好適には、観察光の透過率が60%以上の材質としうる。より好適には、観察光の透過率を70%以上あるいは80%以上の材質としうる。また、光学部材30の反射面に光を拡散させるための構造を形成してもよい。
複数の載置部31は、光学部材30の外周に沿って3箇所に離れて設けられる。載置部31は、光学部材30の中心から120°異なる方向に配置されることが好ましい。支持体53との間に、接着剤、フレクシャ構造を介していてもよい。また、公知のキネマティックマウントを適用しうる。接着剤、フレクシャ構造、またはキネマティックマウントの採用により、支持体53から伝わる力による光学部材30の変形を抑制できる。
図4を参照しながら、光学部材20と光学部材30の好適な例を説明する。図4は、光学部材20と光学部材30の領域毎の光学特性の違いを説明するための図である。図4(a)に示すように、光学部材30は、光学部材30の中心を含む中心領域30aと、光学部材30の外周を含む外周領域30cと、中心領域30aと外周領域30cの間に位置する中間領域30bと、を含む。
光学部材30は、中心領域30aの反射率が中間領域30bの反射率よりも高く、中間領域30bの反射率が外周領域30cの反射率よりも高くなるように構成される。反射率を領域に応じて異ならせるために、例えば誘電体多層膜のような反射膜を設けてもよい。上述のように反射率を径方向の位置に応じて異ならせる(中心側の反射率を高く、外周側の反射率を低くする)ことで、全領域で反射率が同じである場合に比べて照度をより均一化することができる。反射率は80%以上(100%未満)の範囲で選択することが好ましい。
光学部材30の反射率を領域に応じて異ならせる代わりに、拡散のし易さを領域に応じて異ならせてもよい。光学部材30は、中心領域30aの拡散角が中間領域30bの拡散角よりも小さく(狭角度)、中間領域30bの拡散角が外周領域30cの拡散角よりも小さく(狭角度)なるように構成される。
図4(b)に示すように、光学部材20は、内側領域20aと、外側領域20bとを含む。光学部材20は回折光学素子であり、内側領域20aの回折ピッチを、外側領域20bの回折ピッチよりも大きく(粗く)している。このような構成により、外側領域20bにおいて内側領域20aよりも光を拡散しやすくすることで、基板Wへの照度をより均一化することができる。また、回折ピッチを異ならせるのに代えて、回折格子の形状を異ならせてもよい。
図4(c)を参照しながら、上述の光学部材20、30による効果を説明する。図4(c)においてILa、ILbは光線を示す。図からわかるように、光線ILaの方が光線ILbよりもLED素子から基板Wまでの導光距離が長い。発光素子アレイ10の発光面が均一であったとしても、この導光距離の違いによって照度分布が生じてしまう。本実施形態に、発光素子アレイ10から基板Wへ照射される光の照度分布が均一になるように、光学部材20、30の少なくともいずれかの光学特性を領域(例えば、チャック41の中心側と外側の領域)によって異ならせている。
成形処理部101を用いた成形動作について図5を参照しながら説明する。本実施例では、平坦な表面を有する型を用いて成形を行う装置について説明をする。
まず、成形可能材料MLが塗布された基板Wをチャック41に搭載する。次に、チャック41に保持された基板Wをチャック51に保持された型SSに対向させる。さらに、駆動部52により型SSを下方(基板Wの方向)に降下させて(図5(a)の状態)、型SSと成形可能材料MLを接触させる。その後、照射部10から光を照射し、光学部材20、30、および型SSを介した光を成形可能材料MLに照射する(図5(b)の状態)。この結果、成形可能材料MLの光硬化反応が発生し、成形可能材料MLが硬化する。最後に、硬化した成形可能材料MLから、駆動部52により型SSを剥離させる(図5(c)の状態)。以上のような工程で、基板W上に成形された成形可能材料MLを形成することができる。このような成形処理は、基板Wの全面に対して一括で行われる。
ここで、本実施例では型SSとして、厚さ0.3以上1.0mm以下、より好適には、厚さ0.5以上0.7以下の部材を用いている。型SSは、紫外光を透過可能な材質であり、石英などが好適に用いられる。型SSは回路パターンのようなデバイス用途のパターンを有さず、平坦な面を有する。このような型は、平坦化部材あるいはスーパーストレートと称されることもある。型SSは、デバイス用途ではなく位置合わせ用途のパターン(マーク)を有していてもよい。このようなパターン(マーク)は、例えば成形処理において型SSと基板Wとの相対位置を調整するために用いられ、アライメントマークと称されることがある。
図5からわかるように、成形可能材料と接触した際に基板全体のうねりに対して型SSは基板のうねりに倣うが、局所的な領域において、下地パターンの凹凸を平坦にしている。本明細書で「平坦化装置」という用語は、このような局所的な領域を平坦にする装置を含む意味で用いられる。
平坦化装置は、基板上に形成された第1層(図5の斜線パターン層)の上に、平坦な面を有する型を用いて成形可能材料を成形することにより、第1層の上に第1層よりも平坦性が高い第2層を形成する。なお、本明細書における「第1層」は、厳密にベースから1番目にある層を意味するものではない。例えば半導体デバイスの製造においては、数十〜数百の層を形成する場合もあり、この場合において「第1層」はベースから1番目以外の層を含む。
成形可能材料MLとして、好適には光硬化性の樹脂が用いられる。また、成形可能材料MLは、重合性化合物と光重合開始材を含んでいてもよい。成形可能材料は、非重合性化合物または溶剤を含んでいてもよい。非重合性化合物として、例えば増感剤、水素供与体、内添型離型材、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分の少なくともいずれかを含んでいてもよい。
成形可能材料MLは使用されるデバイス製造プロセスに依存することがある。本実施例では、例えば、成形可能材料としては波長300〜350nmの光に対する感度が他の波長に比べて高い材料が使用される。成形可能材料MLの波長300〜350nmの光に対する感度は、波長350〜400nmの光に対する感度の5倍以上、より好適には8倍以上であってもよい。
LEDモジュール11のLED素子12は、超高圧水銀ランプとは異なり単一波長であり、発光強度は波長に依存する。一般に、365nm以上の波長のLED素子に比べて、300〜350nmの波長のLED素子の発光強度は大幅に小さい。本実施例によれば、ヘッド側に比べてレイアウト制約が少ないステージ41に発光素子アレイ10を配置することで、成形可能材料への硬化光の照度を向上させることが容易となる。また、ステージ41上に発光素子アレイ10を配置することで、LED素子の交換といったメンテナンス性を向上させることができる。
成形装置は、成形の位置精度によっては、型と成形可能材料が塗布された基板との間の(接触前の)間隔が小さいことが要求される。そこで、本実施形態は、発光素子アレイの上端がチャック41の保持面よりも低い位置にあるように、ステージ40の凹部の内側に配置されている。
本実施例では、ステージ40に発光素子アレイ10を配置している。そのため、チャック41を交換したとしても、発光素子アレイ10をそのまま使用し続けることができる。さらに、チャック41の加工・製造時における保持面の平坦度の低下を抑制できる。しかしながら、加工技術や要求される精度によっては、ステージ40ではなくチャック41に発光素子アレイ10を配置してもよい。この場合、保持面に沿う方向(ここではXY方向)におけるチャック41の寸法を大きくして、チャック41の保持面よりも外側(端部側)に発光素子アレイ10を配置させてもよい。
また、好適な例として、発光素子アレイ10は、波長が異なる複数のLED素子を有していてもよい。ユーザーが装置を使用する際に、成形可能材料を変更する、あるいは、成形可能材料の品質のばらつきがあった場合であっても、各波長のLED素子の照射を制御することによって効率よく成形可能材料を硬化させることができる。
また、所定の複数のLED素子の波長を、当該LED素子よりもチャック41から離れたLED素子の波長よりも光感度の波長としてもよい。
一般に、超高圧水銀ランプは、高輝度の紫外線を得やすいという利点があるが、発熱量が大きいことや、照射システムの構成が大型化、複雑化してしまうという点で不利となる。本実施例によれば、より簡易な構成で、成形可能材料への照射量を得ることができる。
制御部CONは、CPU等のプロセッサと、RAM、ROM、HDD等の記憶部と、外部デバイスとプロセッサとをインターフェースするインターフェース部と、を含む。インターフェース部には、ホストコンピュータとの通信を行う通信インターフェースも含まれる。ホストコンピュータは、例えば、成形装置100が配置された工場全体または一領域を制御するコンピュータである。プロセッサは記憶部に記憶されたプログラムを実行し、成形処理部110の動作を制御する。制御部CONは、複数の回路基板を有していてもよい。また、制御部CONの全部あるいは一部は、成形処理部が配置されるチャンバ(筐体)内のラックに配置されてもよく、チャンバ外に配置されてもよい。
(変形例1)
図6は、図1の光学部材30の変形例1を示す図である。図1と同様の部分については説明を省略する。
成形装置200の成形処理部201は、図1の光学部材30に代えて、チャック51の上面に配置させた反射膜32を有する。
反射膜32は、図4で説明したように、領域に応じて反射率を異ならせることが好ましい。
(変形例2)
図7は、図1の光学部材30の変形例2を示す図である。図1と同様の部分については説明を省略する。
成形装置300の成形処理部301は、図1の光学部材30に代えて、ヘッドの筐体の内面に配置された反射膜33を有する。本変形例では、支持部53が筐体を兼ねており、支持部53は環状(円に限らず、多角形でもよい)に構成される。
さらに、本実施例では、光学素子アレイ10に加えて、支持部53の側方に光学素子アレイ70を配置している。支持部53の側面には光学部材80が支持されており、光学素子アレイ70からの光が光学部材80を介して成形可能材料MLに照射される。本実施例において、光学素子アレイ10よりも光学素子アレイ70は小型であり、光学素子アレイ70は補助として用いられる。
(変形例3)
図8は、図1の照射部の変形例3を示す図である。図1と同様の部分については説明を省略する。
成形装置400の成形処理部401では、発光素子アレイ10は、チャック41の保持面に対してチャック41の中心側を向くように傾けて配置されている。
成形装置は、成形の位置精度によっては、型と成形可能材料が塗布された基板との間の(接触前の)間隔が小さいことが要求される。そこで、本実施形態は、発光素子アレイ10の上端がチャック41の保持面よりも低い位置にあるように、ステージ40の凹部の内側に配置されている。
このように、発光素子アレイ10を傾けて配置することで、光学部材20を省略することが可能となる。
上述の実施例および変形例1〜3では、デバイス用途のパターンが形成されていない型を用いて成形可能材料を成形する装置を説明した。このような装置は平坦化装置と称されることがある。しかしながら、本発明は、平坦化装置に限られるものではない。例えば、デバイス用途の凹凸パターンが形成された型を用いて成形可能材料を成形する装置にも適用できる。このような装置はインプリント装置やパターン転写装置と呼ばれることがあり、「型」は、マスク、モールド、テンプレートと呼ばれることがある。また、本発明は、型を複製するためのレプリカ装置にも適用されうる。本明細書において、「基板」は、転写先のブランク状態の型を含む。このような型は、ブランクマスク、ブランクテンプレートと呼ばれることがある。
本実施例の成形装置をインプリント装置に適用する場合、特に、基板の全面に一括でパターンを押印転写する装置において有利である。このような一括転写では、基板上のショット(フィールド)領域毎に押印する装置に比べて硬化のために必要な光量が大きいためである。しかしながら、一括転写に限定されるものではなく、例えば、複数のショット領域を同時に転写する装置においても有利である。
(デバイス製造方法の例1)
物品としてのデバイス(半導体デバイス、磁気記憶媒体、液晶表示素子等)の製造方法について説明する。かかる製造方法は、成形装置100を用いて基板(ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等)の表面に平坦化処理をする工程を含む。
かかる製造方法は、パターンを形成された基板を処理する工程を更に含む。当該処理ステップは、平坦化処理がされた層の上にデバイスパターンを形成するステップと、当該パターンの残膜を除去するステップを含みうる。また、当該パターンをマスクとして基板をエッチングするステップなどの周知の他のステップを含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性及び生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
(デバイス製造方法の例2)
物品としてのデバイス(半導体デバイス、磁気記憶媒体、液晶表示素子等)の製造方法について説明する。かかる製造方法は、成形装置100を用いて基板(ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等)の表面に型のパターンを転写する工程を含む。
かかる製造方法は、パターンを形成された基板を処理する工程を更に含む。当該処理ステップは、当該パターンの残膜を除去するステップを含みうる。また、当該パターンをマスクとして基板をエッチングするステップなどの周知の他のステップを含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性及び生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
W 基板
ML 成形可能材料
100、200、300、400 成形装置
101、201、301、401 成形処理部
40 ステージ(支持台)
41 チャック(基板保持部)
51 チャック(型保持部)
52 駆動部
10 発光素子アレイ
20 光学部材
30 光学部材
53 支持部
60 観察部

Claims (14)

  1. 基板を保持する基板保持部と、
    前記基板保持部を支持する支持台と、
    型を保持する型保持部と、
    前記基板保持部に保持されている前記基板上に塗布された光硬化性の成形可能材料と、前記型保持部に保持されている前記型とを接触させる駆動部と、
    前記駆動部により前記成形可能材料と前記型とを接触させた状態で、前記成形可能材料に前記成形可能材料を硬化させる光を照射する照射部と、を備え、
    前記照射部は、
    前記支持台または前記基板保持部に配置され、2次元に配列された複数の発光素子を有する発光素子アレイと、
    前記型保持部の上方に配置され、前記複数の発光素子からの光を前記基板上の前記成形可能材料に向けて導光する光学部材と、を備えることを特徴とする成形装置。
  2. 前記発光素子アレイは、前記基板保持部の保持面の両側に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の成形装置。
  3. 前記発光素子アレイは、前記基板保持部の保持面の周囲を囲むように、前記保持面の外周に沿って配置されていることを特徴とする請求項1または2に記載の成形装置。
  4. 前記光学部材は、基板Wに対向する面を反射面とする凹面ミラーであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の成形装置。
  5. 前記光学部材は少なくとも2つの領域を含み、前記成形可能材料に照射される光の照度が均一になるように、前記2つの領域の光学特性が異なることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の成形装置。
  6. 前記光学部材は第1の光学部材であり、さらに、前記照射部は、前記支持台に配置され、前記発光素子アレイからの光を前記第1の光学部材に向けて導光する第2の光学部材を備えることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の成形装置。
  7. 前記第2の光学部材は、回折光学素子を含むことを特徴とする請求項6に記載の成形装置。
  8. 前記第2の光学部材は少なくとも2つの領域を含み、前記成形可能材料に照射される光の照度が均一になるように、前記2つの領域の光学特性が異なることを特徴とする請求項6または7に記載の成形装置。
  9. 前記支持台は凹部を有し、前記基板保持部の保持面よりも前記発光素子アレイの上端の方が低い位置にあるように、前記発光素子アレイは前記凹部の内側に配置されていることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の成形装置。
  10. 前記複数の発光素子の少なくとも1つの発光素子は、UV−LEDであることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の成形装置。
  11. 前記成形装置は、前記基板の全面を一括で成形処理することを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の成形装置。
  12. 前記型と接触させている前記成形可能材料を前記型保持部の上方から観察する観察部を備えることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載の成形装置。
  13. 前記成形装置は、前記基板上に形成された第1層の上に、平坦な面を有する前記型を用いて前記成形可能材料を成形することにより、前記第1層の上に前記第1層よりも平坦性が高い第2層を形成することを特徴とする請求項1乃至12のいずれか1項に記載の成形装置。
  14. 請求項1乃至12のいずれか1項に記載の成形装置を用いて基板上の層を成形するステップと、成形された層あるいは成形された層の上に配置されたパターンをマスクとしてエッチングするステップと、を含むことを特徴とする物品の製造方法。
JP2019068855A 2019-03-29 2019-03-29 成形装置、成形装置を用いた物品製造方法 Pending JP2020167345A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019068855A JP2020167345A (ja) 2019-03-29 2019-03-29 成形装置、成形装置を用いた物品製造方法
KR1020200034198A KR20200115203A (ko) 2019-03-29 2020-03-20 성형 장치 및 성형 장치를 사용해서 물품을 제조하는 방법
US16/829,302 US20200307036A1 (en) 2019-03-29 2020-03-25 Forming apparatus and method for manufacturing article by using forming apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019068855A JP2020167345A (ja) 2019-03-29 2019-03-29 成形装置、成形装置を用いた物品製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2020167345A true JP2020167345A (ja) 2020-10-08

Family

ID=72606915

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019068855A Pending JP2020167345A (ja) 2019-03-29 2019-03-29 成形装置、成形装置を用いた物品製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20200307036A1 (ja)
JP (1) JP2020167345A (ja)
KR (1) KR20200115203A (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102350258B1 (ko) * 2020-11-04 2022-01-12 주식회사 이랜텍 입체 표면 패턴형성 장치 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
US11972976B2 (en) * 2021-04-29 2024-04-30 Canon Kabushiki Kaisha Planarization system, planarization process, and method of manufacturing an article

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200115203A (ko) 2020-10-07
US20200307036A1 (en) 2020-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11249394B2 (en) Imprint methods for forming a pattern of an imprint material on a substrate-side pattern region of a substrate by using a mold, and related device manufacturing methods
JP5754965B2 (ja) インプリント装置、および、物品の製造方法
KR101977437B1 (ko) 임프린트 장치, 조명 광학계 및 물품 제조 방법
JP5868215B2 (ja) インプリント装置およびインプリント方法、それを用いた物品の製造方法
KR101777905B1 (ko) 임프린트 장치 그리고 물품을 제조하는 방법
US8734702B2 (en) Original and article manufacturing method using same
TW201311425A (zh) 壓印設備及物件製造方法
KR102243223B1 (ko) 임프린트 장치 및 물품 제조 방법
US20200307036A1 (en) Forming apparatus and method for manufacturing article by using forming apparatus
US20130234371A1 (en) Imprint apparatus, and article manufacturing method using same
JP2017139268A (ja) インプリント装置及び物品の製造方法
JP2017112230A (ja) インプリント装置および物品製造方法
JP2019216143A (ja) 型を用いて基板上の組成物を成形する成形装置、および物品の製造方法
US20170210036A1 (en) Mold replicating method, imprint apparatus, and article manufacturing method
WO2017047073A1 (en) Imprint apparatus and method of manufacturing article
JP5328495B2 (ja) インプリント装置及び物品の製造方法
US20210187797A1 (en) Imprint apparatus, imprint method, and method of manufacturing article
JP7263152B2 (ja) 成形装置、成形装置を用いた物品製造方法
KR20210052293A (ko) 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품 제조 방법
US11415882B2 (en) Template for imprint and imprint method using template
KR20180044819A (ko) 임프린트 방법, 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법
JP2021068846A (ja) インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法
JP6938247B2 (ja) インプリント方法、インプリント装置および、物品製造方法
JP2021174831A (ja) インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法
KR20240037848A (ko) 클리닝 장치, 클리닝 방법, 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법