JP2020161641A - Multilayer substrate and manufacturing method thereof - Google Patents

Multilayer substrate and manufacturing method thereof Download PDF

Info

Publication number
JP2020161641A
JP2020161641A JP2019059388A JP2019059388A JP2020161641A JP 2020161641 A JP2020161641 A JP 2020161641A JP 2019059388 A JP2019059388 A JP 2019059388A JP 2019059388 A JP2019059388 A JP 2019059388A JP 2020161641 A JP2020161641 A JP 2020161641A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
island
insulating layer
main body
metal
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2019059388A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
杉山　裕一
Yuichi Sugiyama
裕一 杉山
宮崎　政志
Masashi Miyazaki
政志 宮崎
豊 秦
Yutaka Hata
豊 秦
小林　浩之
Hiroyuki Kobayashi
浩之 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiyo Yuden Co Ltd
Original Assignee
Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiyo Yuden Co Ltd filed Critical Taiyo Yuden Co Ltd
Priority to JP2019059388A priority Critical patent/JP2020161641A/en
Priority to US16/809,122 priority patent/US10939562B2/en
Publication of JP2020161641A publication Critical patent/JP2020161641A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

To provide a multilayer substrate provided with an island part at a desired position in the opening of a body part, and to provide a manufacturing method thereof.SOLUTION: A manufacturing method of a multilayer substrate comprises a step of forming a metal core layer 10 including a body part 10a, a substantially rectangular island part 10b provided in a rectangular opening 30 provided in the body part, and four connections connecting lateral faces of substantially rectangular four corners of the island part or a vicinity thereof, a step of forming a first isolation layer 12 on the metal core layer and in the opening, and a step of electrically separating the body part and the island part, by forming a hole communicating with the connections in the first isolation layer, and removing at least a part of the connections via the hole.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は多層基板およびその製造方法に関し、例えばコア層を有する多層基板およびその製造方法に関する。 The present invention relates to a multilayer substrate and a method for producing the same, for example, a multilayer substrate having a core layer and a method for producing the same.

金属コア層を含む複数の金属層と絶縁層とが積層された多層基板が知られている（例えば特許文献１）。 A multilayer substrate in which a plurality of metal layers including a metal core layer and an insulating layer are laminated is known (for example, Patent Document 1).

特開２００９−３０２５６３号公報JP-A-2009-302563

コア層の本体に開口を設け、開口内にコア層の島部を設けることがある。しかしながら、島部を開口内の所望の位置に設けることが難しい。 An opening may be provided in the main body of the core layer, and an island portion of the core layer may be provided in the opening. However, it is difficult to provide the islands at desired positions within the opening.

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、島部を本体部の開口内の所望の位置に設けることを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide an island portion at a desired position in an opening of a main body portion.

本発明は、本体部と、前記本体部に設けられた略矩形の開口内に設けられた略矩形の島部と、前記島部の前記略矩形の４つの角部の側面またはその近傍と前記本体部の側面とを接続する４つの接続部と、を含む金属コア層を形成する工程と、前記金属コア層上および前記開口内に第１絶縁層を形成する工程と、前記第１絶縁層に前記接続部に通じる穴を形成し、前記穴を介し前記接続部の少なくとも一部を除去することで前記本体部と前記島部とを電気的に分離する工程と、を含む多層基板の製造方法である。 In the present invention, the main body portion, the substantially rectangular island portion provided in the substantially rectangular opening provided in the main body portion, the side surface of the four corner portions of the substantially rectangular portion of the island portion, or the vicinity thereof, and the above. A step of forming a metal core layer including four connecting portions connecting the side surfaces of the main body portion, a step of forming a first insulating layer on the metal core layer and in the opening, and a step of forming the first insulating layer. Manufacture of a multilayer substrate including a step of forming a hole leading to the connection portion and electrically separating the main body portion and the island portion by removing at least a part of the connection portion through the hole. The method.

上記構成において、前記接続部の少なくとも一部が除去された領域に第２絶縁層を形成する工程を含む構成とすることができる。 In the above configuration, the configuration may include a step of forming a second insulating layer in a region where at least a part of the connecting portion is removed.

上記構成において、前記金属コア層下に第３絶縁層を形成する工程と、前記第１絶縁層上に設けられ前記島部と複数の第１金属ピラーを介し接続される第１金属層を形成する工程と、前記第３絶縁層下に設けられ前記島部と複数の第２金属ピラーを介し接続される第２金属層を形成する工程と、を含む構成とすることができる。 In the above configuration, a step of forming a third insulating layer under the metal core layer and a first metal layer provided on the first insulating layer and connected to the island portion via a plurality of first metal pillars are formed. The configuration can include a step of forming a second metal layer provided under the third insulating layer and connected to the island portion via a plurality of second metal pillars.

上記構成において、前記接続部を除去する工程は、前記島部の側面の角を鈍角とする工程を含む構成とすることができる。 In the above configuration, the step of removing the connecting portion may include a step of making the angle of the side surface of the island portion obtuse.

本発明は、本体部と、前記本体部に設けられた略矩形の開口内に設けられ前記本体部と電気的に分離された略矩形の島部と、を含む金属コア層と、前記金属コア層上および前記開口内に設けられ、前記島部の前記略矩形の４つの角部またはその近傍と前記開口の前記略矩形の４つの頂点またはその近傍との間の４つの領域に、前記本体部の側面および前記島部の側面が露出し表面に通じる４つの穴が形成された第１絶縁層と、前記４つの穴を埋め込む第２絶縁層と、を備える多層基板である。 The present invention comprises a metal core layer including a main body portion, a substantially rectangular island portion provided in a substantially rectangular opening provided in the main body portion and electrically separated from the main body portion, and the metal core. The main body is provided on the layer and in the opening in four regions between the four corners of the substantially rectangle of the island and the vicinity thereof and the four vertices of the substantially rectangle of the opening or the vicinity thereof. It is a multilayer substrate including a first insulating layer in which the side surface of the portion and the side surface of the island portion are exposed and four holes leading to the surface are formed, and a second insulating layer in which the four holes are embedded.

上記構成において、前記本体部および前記島部の少なくとも一方は前記４つの穴に側面が露出する凸部を有する構成とすることができる。 In the above configuration, at least one of the main body portion and the island portion may have a convex portion whose side surface is exposed in the four holes.

上記構成において、前記島部の側面の角は鈍角である構成とすることができる。 In the above configuration, the angle of the side surface of the island portion may be an obtuse angle.

上記構成において、前記穴に露出する前記金属コア層の側面の領域は、前記金属コア層の他の表面より平坦である構成とすることができる。 In the above configuration, the side area of the metal core layer exposed to the holes may be flatter than the other surfaces of the metal core layer.

上記構成において、前記金属コア層下に設けられた第３絶縁層と、前記第１絶縁層上に設けられ前記島部と複数の第１金属ピラーを介し接続される第１金属層と、前記第３絶縁層下に設けられ前記島部と複数の第２金属ピラーを介し接続される第２金属層と、を備える構成とすることができる。 In the above configuration, the third insulating layer provided under the metal core layer, the first metal layer provided on the first insulating layer and connected to the island portion via a plurality of first metal pillars, and the above. The configuration may include a second metal layer provided under the third insulating layer and connected to the island portion via a plurality of second metal pillars.

本発明は、本体部と、前記本体部の表面から裏面に渡り設けられた略矩形の開口内に設けられ、前記本体部と電気的に分離された略矩形の島部と、を含む金属コア層と、前記金属コア層上および前記開口内に設けられ、前記島部の前記略矩形の４つの角部またはその近傍と、または前記開口の前記略矩形の４つの角部またはその近傍との間の４つの領域に、前記本体部と前記島部とを接続する接続部の痕跡である凸部が設けられ、前記本体部の側面、前記島部の側面および前記凸部の側面の間に充填された第１絶縁層と、を備える多層基板である。 The present invention is a metal core including a main body portion and a substantially rectangular island portion provided in a substantially rectangular opening provided from the front surface to the back surface of the main body portion and electrically separated from the main body portion. The layer and the four corners of the substantially rectangular shape of the island or the vicinity thereof provided on the metal core layer and in the opening, or the four corners of the substantially rectangular shape of the opening or the vicinity thereof. In the four regions between them, convex portions that are traces of the connecting portion connecting the main body portion and the island portion are provided, and between the side surface of the main body portion, the side surface of the island portion, and the side surface of the convex portion. It is a multilayer substrate including a filled first insulating layer.

上記構成において、前記島部上に設けられた第２絶縁層と、前記第２絶縁層上に設けられた第１金属層と、前記第２絶縁層を貫通し前記島部と前記第１金属層とを機械的に接続する複数の第１金属ピラーと、前記島部下に設けられた第３絶縁層と、前記第３絶縁層下に設けられた第２金属層と、前記第３絶縁層を貫通し前記島部と前記第２金属層とを機械的に接続する複数の第２金属ピラーと、を備える構成とすることができる。 In the above configuration, the island portion and the first metal penetrate the second insulating layer, the second insulating layer provided on the island portion, the first metal layer provided on the second insulating layer, and the second insulating layer. A plurality of first metal pillars that mechanically connect the layers, a third insulating layer provided under the island portion, a second metal layer provided under the third insulating layer, and the third insulating layer. It can be configured to include a plurality of second metal pillars that penetrate the island and mechanically connect the island portion and the second metal layer.

本発明によれば、島部を本体部の開口内の所望の位置に設けることができる。 According to the present invention, the island portion can be provided at a desired position in the opening of the main body portion.

図１（ａ）は、実施例１に係る多層基板の平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。1 (a) is a plan view of the multilayer substrate according to the first embodiment, and FIG. 1 (b) is a sectional view taken along the line AA of FIG. 1 (a). 図２（ａ）から図２（ｃ）は実施例１に係る多層基板の製造方法を示す断面図（その１）である。2 (a) to 2 (c) are cross-sectional views (No. 1) showing a method for manufacturing a multilayer substrate according to the first embodiment. 図３（ａ）から図３（ｃ）は実施例１に係る多層基板の製造方法を示す断面図（その２）である。3 (a) to 3 (c) are cross-sectional views (No. 2) showing a method for manufacturing a multilayer substrate according to the first embodiment. 図４（ａ）から図４（ｃ）は実施例１に係る多層基板の製造方法を示す断面図（その３）である。4 (a) to 4 (c) are cross-sectional views (No. 3) showing a method for manufacturing a multilayer substrate according to the first embodiment. 図５（ａ）および図５（ｂ）は、実施例１に係る多層基板の製造方法を示す図（その１）である。5 (a) and 5 (b) are views (No. 1) showing a method for manufacturing a multilayer substrate according to the first embodiment. 図６（ａ）および図６（ｂ）は、実施例１に係る多層基板の製造方法を示す図（その２）である。6 (a) and 6 (b) are views (No. 2) showing a method for manufacturing a multilayer substrate according to the first embodiment. 図７（ａ）および図７（ｂ）は、実施例１に係る多層基板の製造方法を示す図（その３）である。7 (a) and 7 (b) are views (No. 3) showing a method for manufacturing a multilayer substrate according to the first embodiment. 図８（ａ）および図８（ｂ）は、実施例１に係る多層基板の製造方法を示す図（その４）である。8 (a) and 8 (b) are diagrams (No. 4) showing a method for manufacturing a multilayer substrate according to the first embodiment. 図９（ａ）から図９（ｃ）は、比較例１、２および実施例１の島部付近の平面図である。9 (a) to 9 (c) are plan views of the vicinity of the islands of Comparative Examples 1 and 2 and Example 1. 図１０（ａ）および図１０（ｂ）は、実施例１の島部付近の平面図である。10 (a) and 10 (b) are plan views of the vicinity of the island portion of Example 1. 図１１（ａ）から図１１（ｃ）は、実施例１における頂点付近の平面図である。11 (a) to 11 (c) are plan views of the vicinity of the apex in the first embodiment. 図１２は、実施例１における島部を流れる電流密度を示す図である。FIG. 12 is a diagram showing the current density flowing through the island portion in the first embodiment. 図１３（ａ）から図１３（ｃ）は、実施例１の変形例１における頂点付近の平面図である。13 (a) to 13 (c) are plan views of the vicinity of the apex in the first modification of the first embodiment. 図１４（ａ）から図１４（ｃ）は、実施例１の変形例１における頂点付近の平面図である。14 (a) to 14 (c) are plan views of the vicinity of the apex in the first modification of the first embodiment. 図１５（ａ）から図１５（ｃ）は、実施例１の変形例２における頂点付近の拡大図である。15 (a) to 15 (c) are enlarged views of the vicinity of the apex in the modified example 2 of the first embodiment.

以下、図面を参照し本発明の実施例について説明する。 Hereinafter, examples of the present invention will be described with reference to the drawings.

図１（ａ）は、実施例１に係る多層基板の平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図１（ａ）は主に、コア層１０、ビア１３、１７、開口３０、３２および電子部品３４を図示している。 1 (a) is a plan view of the multilayer substrate according to the first embodiment, and FIG. 1 (b) is a sectional view taken along the line AA of FIG. 1 (a). FIG. 1A mainly illustrates the core layer 10, vias 13, 17, openings 30, 32 and electronic components 34.

図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、多層基板１００では、コア層１０は本体部１０ａと島部１０ｂを有している。本体部１０ａには開口３０および３２が形成されている。開口３０内に島部１０ｂが設けられている。本体部１０ａと島部１０ｂとは絶縁されている。島部１０ｂおよび開口３０の平面形状は略矩形である。略矩形の４つの頂点の島部１０ｂの側面（角部およびその近傍）に凸部１０ｃが設けられ、開口３０の側面（角部およびその近傍）に凸部１０ｄが設けられている。凸部１０ｃと１０ｄとは対向して設けられている。開口３２内に電子部品３４が埋め込まれている。または、開口３２が設けられず、電子部品３４は埋め込まれなくてもよい。開口３０および３２内には絶縁層１１が埋め込まれている。凸部１０ｃと１０ｄとの間には絶縁層３６が埋め込まれている。 As shown in FIGS. 1A and 1B, in the multilayer substrate 100, the core layer 10 has a main body portion 10a and an island portion 10b. The main body 10a is formed with openings 30 and 32. An island portion 10b is provided in the opening 30. The main body portion 10a and the island portion 10b are insulated from each other. The planar shapes of the island portion 10b and the opening 30 are substantially rectangular. The convex portion 10c is provided on the side surface (corner portion and its vicinity) of the island portion 10b at the four apex of the substantially rectangular shape, and the convex portion 10d is provided on the side surface (corner portion and its vicinity) of the opening 30. The convex portions 10c and 10d are provided so as to face each other. An electronic component 34 is embedded in the opening 32. Alternatively, the opening 32 may not be provided and the electronic component 34 may not be embedded. The insulating layer 11 is embedded in the openings 30 and 32. An insulating layer 36 is embedded between the convex portions 10c and 10d.

コア層１０上に絶縁層１２が設けられ、絶縁層１２上に金属層１４が設けられている。金属層１４および絶縁層１２上に絶縁層２２が設けられ、絶縁層２２上に金属層２４が設けられている。複数のビア１３は絶縁層１２を貫通し、島部１０ｂと金属層１４とを電気的に接続する。複数のビア２３は絶縁層２２を貫通し、金属層１４と２４とを電気的に接続する。絶縁層２２上の金属層２４上に開口を有する絶縁層２５が設けられている。 An insulating layer 12 is provided on the core layer 10, and a metal layer 14 is provided on the insulating layer 12. The insulating layer 22 is provided on the metal layer 14 and the insulating layer 12, and the metal layer 24 is provided on the insulating layer 22. The plurality of vias 13 penetrate the insulating layer 12 and electrically connect the island portion 10b and the metal layer 14. The plurality of vias 23 penetrate the insulating layer 22 and electrically connect the metal layers 14 and 24. An insulating layer 25 having an opening is provided on the metal layer 24 on the insulating layer 22.

コア層１０下に絶縁層１６が設けられ、絶縁層１６下に金属層１８、１８ａおよび１８ｂが設けられている。金属層１８、１８ａ、１８ｂおよび絶縁層１６下に絶縁層２６が設けられ、絶縁層２６下に金属層２８、２８ａおよび２８ｂが設けられている。複数のビア１７、１７ａおよび１７ｂは絶縁層１６を貫通し、複数のビア２７、２７ａおよび２７ｂは絶縁層２６を貫通する。ビア１７は金属層１８と島部１０ｂとを電気的に接続する。ビア２７は金属層１８と金属層２８とを電気的に接続する。金属層２８ａは、ビア２７ａ、金属層１８ａおよびビア１７ａを介し本体部１０ａに電気的に接続されている。金属層２８ａにグランド電位を供給することで、本体部１０ａは接地される。金属層２８ｂは、ビア２７ｂ、金属層１８ｂおよびビア１７ｂを介し電子部品３４に電気的に接続されている。金属層２８、２８ａおよび２８ｂはランド等の端子として機能する。絶縁層２６下に金属層２８、２８ａおよび２８ｂ下に開口を有する絶縁層２９が設けられている。 An insulating layer 16 is provided under the core layer 10, and metal layers 18, 18a and 18b are provided under the insulating layer 16. The insulating layer 26 is provided under the metal layers 18, 18a, 18b and the insulating layer 16, and the metal layers 28, 28a, 28b are provided under the insulating layer 26. The plurality of vias 17, 17a and 17b penetrate the insulating layer 16, and the plurality of vias 27, 27a and 27b penetrate the insulating layer 26. The via 17 electrically connects the metal layer 18 and the island portion 10b. The via 27 electrically connects the metal layer 18 and the metal layer 28. The metal layer 28a is electrically connected to the main body 10a via the via 27a, the metal layer 18a, and the via 17a. By supplying the ground potential to the metal layer 28a, the main body 10a is grounded. The metal layer 28b is electrically connected to the electronic component 34 via the via 27b, the metal layer 18b, and the via 17b. The metal layers 28, 28a and 28b function as terminals for lands and the like. An insulating layer 29 having an opening under the metal layers 28, 28a and 28b is provided under the insulating layer 26.

なお、上層の金属層１４、２４、下層の金属層１８および２８は、一般に導電パターンと呼ばれ、電極、電極と一体の配線（再配線）、ビアやピラーなどとコンタクトし、その上をカバーするパッド、またはパッドと一体の配線などからなるものである。 The upper metal layers 14 and 24 and the lower metal layers 18 and 28 are generally called conductive patterns, and are in contact with electrodes, wiring integrated with electrodes (rewiring), vias, pillars, etc., and cover the electrodes. It consists of a pad to be used, or wiring integrated with the pad.

コア層１０は、例えば銅、銅を主成分とする金属材料、銅合金、鉄または鉄合金等の金属層である。絶縁層１１、１２、１６、２２、２６および３６は、例えば合成樹脂であり、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂またはポリイミド樹脂であり、合成樹脂にガラス繊維等のフィラーが混合されていてもよい。絶縁層２５および２９は例えばエポキシ樹脂等のソルダーレジストである。金属層１４、１８、１８ａ、１８ｂ、２４、２８、２８ａ、２８ｂ、ビア１３、１７、１７ａ、１７ｂ、２３、２７、２７ａおよび２７ｂは、例えば銅、金または銀を主成分とする金属層であり、バリア層および／または密着層を含んでもよい。電子部品３４は、例えばチップコンデンサ、チップインダクタまたはチップ抵抗等のチップ部品でもよく、集積回路またはトランジスタ等の半導体装置である。半導体装置は、ベアチップでもよいし、ベアチップが実装されたパッケージでもよい。 The core layer 10 is, for example, a metal layer such as copper, a metal material containing copper as a main component, a copper alloy, iron, or an iron alloy. The insulating layers 11, 12, 16, 22, 26 and 36 are, for example, synthetic resins, epoxy resins, bismaleimide triazine resins or polyimide resins, and the synthetic resins may be mixed with a filler such as glass fiber. The insulating layers 25 and 29 are solder resists such as epoxy resin. The metal layers 14, 18, 18a, 18b, 24, 28, 28a, 28b, vias 13, 17, 17a, 17b, 23, 27, 27a and 27b are, for example, metal layers mainly composed of copper, gold or silver. Yes, it may include a barrier layer and / or an adhesion layer. The electronic component 34 may be a chip component such as a chip capacitor, a chip inductor or a chip resistor, and is a semiconductor device such as an integrated circuit or a transistor. The semiconductor device may be a bare chip or a package on which the bare chip is mounted.

コア層１０の厚さＴ１は、一例として３４０μｍであり、例えば３５μｍから５００μｍである。絶縁層１２および１６の各々の厚さＴ２は、一例として３４μｍであり、例えば５μｍから１００μｍである。金属層１４および１８の各々の厚さＴ３は、一例として２３μｍであり、例えば５μｍから１００μｍである。絶縁層２２および２６の各々の厚さＴ４は、一例として２９μｍであり、例えば５μｍから１００μｍである。金属層２４および２８の各々の厚さＴ５は、一例として２３μｍであり、例えば５μｍから１００μｍである。絶縁層２５および２９の各々の厚さＴ６は、一例として１５μｍであり、例えば２μｍから５０μｍである。多層基板１００の厚さＴは、一例として５８８μｍである。接続部１０ｅの厚さＴ７は例えばコア層１０の厚さＴ１の１／１０から１倍である。 The thickness T1 of the core layer 10 is, for example, 340 μm, for example, 35 μm to 500 μm. The thickness T2 of each of the insulating layers 12 and 16 is, for example, 34 μm, for example, 5 μm to 100 μm. The respective thicknesses T3 of the metal layers 14 and 18 are, for example, 23 μm, for example 5 μm to 100 μm. The thickness T4 of each of the insulating layers 22 and 26 is, for example, 29 μm, for example, 5 μm to 100 μm. The thickness T5 of each of the metal layers 24 and 28 is, for example, 23 μm, for example, 5 μm to 100 μm. The thickness T6 of each of the insulating layers 25 and 29 is, for example, 15 μm, for example, 2 μm to 50 μm. The thickness T of the multilayer board 100 is 588 μm as an example. The thickness T7 of the connecting portion 10e is, for example, 1/10 to 1 times the thickness T1 of the core layer 10.

図２（ａ）から図４（ｃ）は実施例１に係る多層基板の製造方法を示す断面図である。断面は、図１（ａ）のＡ−Ａ断面に相当する。図２（ａ）に示すように、コア層１０となる金属箔を準備する。図２（ｂ）に示すように、コア層１０に開口３０および３２を形成する。開口３０および３２は、例えばエッチング法を用い形成する。本体部１０ａと島部１０ｂとは接続部１０ｅ（ブリッジ）により接続される。接続部１０ｅは、平面視において、島部１０ｂの４頂点の側面に設けられ、断面視において、コア層１０の上部（または下部）からコア層１０の真ん中あたりまで構成されている。ここでは、いわゆる、ハーフエッチングで上半分または下半分が取り除かれて形成されている。島部１０ｂと本体部１０ａとは接続部１０ｅにより接続されているため、コア層１０をハンドリングしても島部１０ｂが本体部１０ａから分離することを抑制できる。図２（ｃ）に示すように、コア層１０を支持層５０に貼り付ける。支持層５０は、例えば上面に接着剤が塗布された樹脂シートである。 2 (a) to 4 (c) are cross-sectional views showing a method of manufacturing a multilayer substrate according to the first embodiment. The cross section corresponds to the AA cross section of FIG. 1 (a). As shown in FIG. 2A, a metal foil to be the core layer 10 is prepared. As shown in FIG. 2B, openings 30 and 32 are formed in the core layer 10. The openings 30 and 32 are formed, for example, by using an etching method. The main body portion 10a and the island portion 10b are connected by a connecting portion 10e (bridge). The connecting portion 10e is provided on the side surface of the four vertices of the island portion 10b in a plan view, and is configured from the upper part (or lower part) of the core layer 10 to the center of the core layer 10 in a cross-sectional view. Here, it is formed by removing the upper half or the lower half by so-called half etching. Since the island portion 10b and the main body portion 10a are connected by the connecting portion 10e, it is possible to prevent the island portion 10b from separating from the main body portion 10a even when the core layer 10 is handled. As shown in FIG. 2C, the core layer 10 is attached to the support layer 50. The support layer 50 is, for example, a resin sheet having an adhesive coated on its upper surface.

図３（ａ）に示すように、開口３２内の支持層５０上に電子部品３４を搭載する。図３（ｂ）に示すように、開口３０および３２内に絶縁層１１となる樹脂を充填する。図３（ｃ）に示すように、支持層５０をコア層１０から剥離する。コア層１０の上面および下面に絶縁層１２および１６を形成する。絶縁層１２および１６を貫通する貫通孔３３および３７を形成する。 As shown in FIG. 3A, the electronic component 34 is mounted on the support layer 50 in the opening 32. As shown in FIG. 3B, the openings 30 and 32 are filled with the resin to be the insulating layer 11. As shown in FIG. 3C, the support layer 50 is peeled from the core layer 10. Insulating layers 12 and 16 are formed on the upper surface and the lower surface of the core layer 10. Through holes 33 and 37 penetrating the insulating layers 12 and 16 are formed.

図４（ａ）に示すように、貫通孔３３および３７内にビア１３および１７を形成する。絶縁層１２上に金属層１４を形成し、絶縁層１６下に金属層１８を形成する。図４（ｂ）に示すように、接続部１０ｅを切断する。これにより、島部１０ｂの側面および本体部１０ａの側面に凸部１０ｃおよび１０ｄが形成される。凸部１０ｃおよび１０ｄ間に絶縁層３６として樹脂を充填する。金属層１４および１８を所望の形状に加工する。図３（ｃ）において、絶縁層１２の形成後、貫通孔３３および３７を形成する前に、接続部１０ｅの切断を行ってもよい。 As shown in FIG. 4A, vias 13 and 17 are formed in the through holes 33 and 37. The metal layer 14 is formed on the insulating layer 12, and the metal layer 18 is formed under the insulating layer 16. As shown in FIG. 4B, the connection portion 10e is disconnected. As a result, the convex portions 10c and 10d are formed on the side surface of the island portion 10b and the side surface of the main body portion 10a. Resin is filled as an insulating layer 36 between the convex portions 10c and 10d. The metal layers 14 and 18 are processed into a desired shape. In FIG. 3C, the connecting portion 10e may be cut after the insulating layer 12 is formed and before the through holes 33 and 37 are formed.

図４（ｃ）に示すように、絶縁層１２および金属層１４上に絶縁層２２を形成する。絶縁層１６および金属層１８下に絶縁層２６を形成する。絶縁層２２および２６を貫通するビア２３および２７を形成する。絶縁層２２上に金属層２４を形成する。これにより、第２層目の電極や配線などの導電パターンが形成される。絶縁層２６下に金属層２８を形成する。その後、図１（ｂ）のように、ソルダーレジストである絶縁層２５および２９を形成する。 As shown in FIG. 4C, the insulating layer 22 is formed on the insulating layer 12 and the metal layer 14. The insulating layer 26 is formed under the insulating layer 16 and the metal layer 18. Vias 23 and 27 are formed through the insulating layers 22 and 26. A metal layer 24 is formed on the insulating layer 22. As a result, a conductive pattern such as electrodes and wiring of the second layer is formed. A metal layer 28 is formed under the insulating layer 26. After that, as shown in FIG. 1 (b), the insulating layers 25 and 29 which are solder resists are formed.

図４（ａ）と図４（ｂ）との間、または図３（ｃ）における貫通孔３３および３７の形成前に、接続部１０ｅを切断する工程を詳細に説明する。図５（ａ）から図８（ｂ）は、実施例１に係る多層基板の製造方法を示す図である。図５（ａ）、図６（ａ）および図７（ａ）は、開口３０付近の主にコア層を示す平面図である。図５（ｂ）、図６（ｂ）および図７（ｂ）から図８（ｂ）は、図５（ａ）、図６（ａ）および図７（ａ）のＡ−Ａ断面に相当する図である。 The step of cutting the connection portion 10e between FIGS. 4 (a) and 4 (b) or before forming the through holes 33 and 37 in FIG. 3 (c) will be described in detail. 5 (a) to 8 (b) are diagrams showing a method for manufacturing a multilayer substrate according to the first embodiment. 5 (a), 6 (a) and 7 (a) are plan views showing mainly the core layer near the opening 30. 5 (b), 6 (b) and 7 (b) to 8 (b) correspond to the AA cross sections of FIGS. 5 (a), 6 (a) and 7 (a). It is a figure.

図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、図４（ａ）の状態では、島部１０ｂと本体部１０ａとは接続部１０ｅにより接続されている。接続部１０ｅは、平面視において略矩形状の４つの頂点およびその近傍に設けられ、断面視において、側面の上部または下部に設けられている。接続部１０ｅ下の開口３０内には絶縁層１１が充填されている。 As shown in FIGS. 5 (a) and 5 (b), in the state of FIG. 4 (a), the island portion 10b and the main body portion 10a are connected by the connecting portion 10e. The connection portion 10e is provided at four vertices having a substantially rectangular shape in a plan view and in the vicinity thereof, and is provided at an upper portion or a lower portion of a side surface in a cross-sectional view. The insulating layer 11 is filled in the opening 30 below the connecting portion 10e.

図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、接続部１０ｅ上に金属層１４および絶縁層１２に開口５２を形成する。開口５２の形成には、例えばエッチング法、サンドブラスト法またはレーザ光照射法を用いる。開口５２の平面形状は略長方形（または矩形状）であり、長方形の長辺は接続部１０ｅの延伸方向にほぼ直交する。開口５２の接続部１０ｅの延伸方向の幅は接続部１０ｅの長さより短く、開口５２の接続部１０ｅの延伸方向に直交する方向の幅は接続部１０ｅより短い。 As shown in FIGS. 6A and 6B, openings 52 are formed in the metal layer 14 and the insulating layer 12 on the connecting portion 10e. For the formation of the opening 52, for example, an etching method, a sandblasting method, or a laser beam irradiation method is used. The planar shape of the opening 52 is substantially rectangular (or rectangular), and the long side of the rectangle is substantially orthogonal to the extending direction of the connecting portion 10e. The width of the connecting portion 10e of the opening 52 in the extending direction is shorter than the length of the connecting portion 10e, and the width of the connecting portion 10e of the opening 52 in the direction orthogonal to the extending direction is shorter than that of the connecting portion 10e.

図７（ａ）および図７（ｂ）に示すように、接続部１０ｅを開口５２からエッチング液を導入するウエットエッチング法を用い除去する。これにより、接続部１０ｅから凸部１０ｃおよび１０ｄが形成される。ウエットエッチング法では接続部１０ｅは等方的にエッチングされる。このため、接続部１０ｅが除去された開口５４は開口５２より大きくなる。凸部１０ｃおよび１０ｄの側面および平面は円弧状となる。凸部１０ｃおよび１０ｄの角は鋭角となる（別の言い方をすれば、凸部に２つのツノが形成される）。凸部１０ｃおよび１０ｄは、本体部１０ａと島部１０ｂとを接続する接続部１０ｅの痕跡である。 As shown in FIGS. 7 (a) and 7 (b), the connection portion 10e is removed by a wet etching method in which an etching solution is introduced from the opening 52. As a result, the convex portions 10c and 10d are formed from the connecting portion 10e. In the wet etching method, the connecting portion 10e is isotropically etched. Therefore, the opening 54 from which the connecting portion 10e is removed is larger than the opening 52. The side surfaces and planes of the protrusions 10c and 10d are arcuate. The corners of the convex portions 10c and 10d are acute angles (in other words, two horns are formed on the convex portions). The convex portions 10c and 10d are traces of the connecting portion 10e that connects the main body portion 10a and the island portion 10b.

図８（ａ）に示すように、開口５２および５４内に樹脂を充填し、硬化させる。これにより、開口５２および５４内に絶縁層３６が形成される。絶縁層３６の形成には、例えば印刷法またはポッティング法を用いる。絶縁層３６は絶縁層１１および１２と同じ材料でもよいし、異なる材料でもよい。絶縁層３６は、表面が盛り上がって形成されることもある。この場合、図８（ｂ）に示すように、絶縁層３６の上面と金属層１４の上面とが平坦となるように、絶縁層３６の上面を研磨または研削する。その後、金属層１４および１８を所望の形状に加工することで、図４（ｂ）の状態となる。 As shown in FIG. 8A, the openings 52 and 54 are filled with resin and cured. As a result, the insulating layer 36 is formed in the openings 52 and 54. For the formation of the insulating layer 36, for example, a printing method or a potting method is used. The insulating layer 36 may be made of the same material as the insulating layers 11 and 12, or may be made of a different material. The surface of the insulating layer 36 may be raised. In this case, as shown in FIG. 8B, the upper surface of the insulating layer 36 is polished or ground so that the upper surface of the insulating layer 36 and the upper surface of the metal layer 14 are flat. After that, the metal layers 14 and 18 are processed into a desired shape to obtain the state shown in FIG. 4 (b).

実施例１によれば、図２（ｂ）において、本体部１０ａと、本体部１０ａに設けられた略矩形状の開口３０内に設けられた略矩形状の島部１０ｂと、島部１０ｂと本体部１０ａとを接続する４つの接続部１０ｅを含むコア層１０（金属コア層）が形成されている。そして、図３（ｂ）および図３（ｃ）のように、コア層１０上および開口３０内に絶縁層１１および１２（第１絶縁層）を形成する。さらには、図６（ａ）および図６（ｂ）のように、絶縁層１１および１２に接続部１０ｅに通じる開口５２（穴）を形成する。図７（ａ）および図７（ｂ）のように、開口５２を介し接続部１０ｅを除去することで本体部１０ａと島部１０ｂとを電気的に分離する。このように、絶縁層１１および１２を形成するときに接続部１０ｅが存在することで、島部１０ｂの平坦性を維持し、島部１０ｂの位置を維持しながら開口３０内に島部１０ｂが形成される。その後接続部１０ｅを除去する。 According to the first embodiment, in FIG. 2B, the main body portion 10a, the substantially rectangular island portion 10b provided in the substantially rectangular opening 30 provided in the main body portion 10a, and the island portion 10b. A core layer 10 (metal core layer) including four connecting portions 10e connecting the main body portion 10a is formed. Then, as shown in FIGS. 3 (b) and 3 (c), the insulating layers 11 and 12 (first insulating layer) are formed on the core layer 10 and in the opening 30. Further, as shown in FIGS. 6A and 6B, openings 52 (holes) leading to the connection portion 10e are formed in the insulating layers 11 and 12. As shown in FIGS. 7A and 7B, the main body portion 10a and the island portion 10b are electrically separated by removing the connecting portion 10e through the opening 52. In this way, the presence of the connecting portion 10e when forming the insulating layers 11 and 12 maintains the flatness of the island portion 10b, and the island portion 10b is formed in the opening 30 while maintaining the position of the island portion 10b. It is formed. After that, the connecting portion 10e is removed.

接続部１０ｅを設ける位置について検討する。図９（ａ）から図９（ｃ）は、比較例１、２および実施例１の島部付近の平面図である。図９（ａ）の比較例１のように接続部１０ｅが２本の場合、矢印６７のように横から力が加わると、島部１０ｂが回転してしまう。図９（ｂ）の比較例２のように、４本の接続部１０ｅが島部１０ｂの４辺の真ん中付近に設けられている場合、矢印６７のように島部１０ｂの角に力が加わると、島部１０ｂが回転、本体部１０ａから分離および／または変形してしまう。 Consider the position where the connecting portion 10e is provided. 9 (a) to 9 (c) are plan views of the vicinity of the islands of Comparative Examples 1 and 2 and Example 1. When there are two connecting portions 10e as in Comparative Example 1 of FIG. 9A, the island portion 10b rotates when a force is applied from the side as shown by the arrow 67. When the four connecting portions 10e are provided near the center of the four sides of the island portion 10b as in Comparative Example 2 of FIG. 9B, a force is applied to the corners of the island portion 10b as shown by the arrow 67. Then, the island portion 10b rotates, separates from the main body portion 10a, and / or deforms.

図９（ｃ）に示すように、実施例１では、４つの接続部１０ｅは、平面的にみたとき、島部１０ｂの略矩形状の４頂点（角部）およびその近傍であり、断面的に見た場合、島部１０ｂの側面と本体部１０ａの側面を接続する。これにより、図２（ｂ）から図３（ｂ）の間において、島部１０ｂに力が加わっても、島部１０ｂが回転、分離および／または変形することを抑制できる。なお、実施例１では、ハーフエッチングにより側面の上半分に接続部１０ｅが形成されるが、接続部１０ｅは側面の下半分に形成されていてもよく、さらには接続部１０ｅは側面の上から下まで形成されていてもよい。 As shown in FIG. 9C, in the first embodiment, the four connecting portions 10e are the four substantially rectangular vertices (corners) of the island portion 10b and their vicinity when viewed in a plane, and are cross-sectional. When viewed in the above, the side surface of the island portion 10b and the side surface of the main body portion 10a are connected. Thereby, between FIGS. 2 (b) and 3 (b), even if a force is applied to the island portion 10b, it is possible to prevent the island portion 10b from rotating, separating and / or deforming. In the first embodiment, the connecting portion 10e is formed in the upper half of the side surface by half etching, but the connecting portion 10e may be formed in the lower half of the side surface, and the connecting portion 10e is further formed from above the side surface. It may be formed to the bottom.

図３（ｃ）のように、コア層１０下に絶縁層１６（第３絶縁層）を形成する。図４（ａ）のように、絶縁層１２上に設けられ島部１０ｂと複数のビア１３（第１金属ピラー）を介し機械的に接続される金属層１４（第１金属層）を形成する。絶縁層１６下に島部１０ｂとビア１７（第２金属ピラー）を介し機械的に接続される金属層１８（第２金属層）を形成する。ビア１３および１７を多く設けることにより、金属層１４と１８との間の電気抵抗および熱抵抗を低減できる。島部１０ｂは、例えばヒートシンクのように、金属層１４と１８とを接続する用途以外のために設けられてもよい。 As shown in FIG. 3C, an insulating layer 16 (third insulating layer) is formed under the core layer 10. As shown in FIG. 4A, a metal layer 14 (first metal layer) provided on the insulating layer 12 and mechanically connected to the island portion 10b via a plurality of vias 13 (first metal pillars) is formed. .. A metal layer 18 (second metal layer) mechanically connected to the island portion 10b via a via 17 (second metal pillar) is formed under the insulating layer 16. By providing a large number of vias 13 and 17, the electrical resistance and thermal resistance between the metal layers 14 and 18 can be reduced. The island portion 10b may be provided for purposes other than connecting the metal layers 14 and 18, such as a heat sink.

絶縁層１２および１６の厚さＴ２をコア層１０の厚さＴ１の１／５以下とすることが好ましい。これにより、金属層１４と１８との間の電気抵抗および熱抵抗を低減できる。ビア１３が島部１０ｂに接続する面における断面積の合計は、島部１０ｂの平面面積の１％以上が好ましく、２％以上がより好ましく、５％以上がさらに好ましい。ビア１７が島部１０ｂに接続する面における断面積の合計は、島部１０ｂの平面面積の１％以上が好ましく、２％以上がより好ましく、５％以上がさらに好ましい。これにより、金属層１４と１８との間の電気抵抗および熱抵抗を低くできる。 It is preferable that the thickness T2 of the insulating layers 12 and 16 is 1/5 or less of the thickness T1 of the core layer 10. Thereby, the electric resistance and the thermal resistance between the metal layers 14 and 18 can be reduced. The total cross-sectional area of the plane where the via 13 connects to the island portion 10b is preferably 1% or more, more preferably 2% or more, still more preferably 5% or more of the plane area of the island portion 10b. The total cross-sectional area of the plane where the via 17 connects to the island portion 10b is preferably 1% or more, more preferably 2% or more, still more preferably 5% or more of the plane area of the island portion 10b. This makes it possible to reduce the electrical and thermal resistance between the metal layers 14 and 18.

このようにして製造された多層基板では、絶縁層１１および１２は、以下の部分に設けられる。まずは、島部１０ｂの略矩形状の４つの頂点と開口３０の略矩形状の４つの頂点との間の４つの領域（空間）、島部１０ｂを囲むリング状の空間に設けられる。さらに言えば、本体部１０ａの側面および島部１０ｂの側面が露出し絶縁層１２の表面に通じる４つの開口５２および５４（穴）が形成されている。絶縁層３６（第２絶縁層）は、この４つの開口５２および５４を埋め込む。さらに、コア層１０の表面と裏面に絶縁層１２および１６が被覆される。また、本体部１０ａおよび島部１０ｂの少なくとも一方は４つの開口５４に側面が露出する凸部１０ｃ（ツノの部分）を有する。 In the multilayer substrate manufactured in this manner, the insulating layers 11 and 12 are provided in the following portions. First, it is provided in four regions (spaces) between the four substantially rectangular vertices of the island portion 10b and the four substantially rectangular vertices of the opening 30, and in a ring-shaped space surrounding the island portion 10b. Further, the side surface of the main body portion 10a and the side surface of the island portion 10b are exposed, and four openings 52 and 54 (holes) leading to the surface of the insulating layer 12 are formed. The insulating layer 36 (second insulating layer) embeds the four openings 52 and 54. Further, the front surface and the back surface of the core layer 10 are coated with the insulating layers 12 and 16. Further, at least one of the main body portion 10a and the island portion 10b has a convex portion 10c (horn portion) whose side surface is exposed in the four openings 54.

島部１０ｂは樹脂等の絶縁層１１、１２、１６および３６に覆われている。絶縁層１１、１２、１６および３６と島部１０ｂとは線膨張係数が異なる。これにより、島部１０ｂに応力が加わり、島部１０ｂが上にまたは下に反ることがある。これにより、島部１０ｂとビア１３および１７とが剥がれることがある。そこで、凸部１０ｃおよび１０ｄを設けることで、アンカー効果により絶縁層１１、１２および３６と島部１０ｂとの密着性を向上させることができる。これにより、島部１０ｂの反りを抑制し、島部１０ｂと上下のビア１３および１７との良好なコンタクトを維持できる。 The island portion 10b is covered with insulating layers 11, 12, 16 and 36 such as resin. The linear expansion coefficients of the insulating layers 11, 12, 16 and 36 and the island portion 10b are different. As a result, stress is applied to the island portion 10b, and the island portion 10b may warp upward or downward. As a result, the island portion 10b and the vias 13 and 17 may be peeled off. Therefore, by providing the convex portions 10c and 10d, the adhesion between the insulating layers 11, 12 and 36 and the island portion 10b can be improved by the anchor effect. As a result, the warp of the island portion 10b can be suppressed, and good contact between the island portion 10b and the upper and lower vias 13 and 17 can be maintained.

島部１０ｂおよび開口３０が略矩形とは、比較例１、２に比べ島部１０ｂの変形が抑制できる程度を意味する。例えば、島部１０ｂおよび開口３０の平面形状は、島部１０ｂおよび開口３０を形成する工程（例えばエッチングする工程）において、矩形から変形することを許容する程度に略矩形であればよく、接続部１０ｅ、凸部１０ｃおよび１０ｄが設けられることを許容する程度に略矩形であればよい。 The fact that the island portion 10b and the opening 30 are substantially rectangular means that the deformation of the island portion 10b can be suppressed as compared with Comparative Examples 1 and 2. For example, the planar shape of the island portion 10b and the opening 30 may be substantially rectangular to the extent that it is allowed to be deformed from the rectangle in the step of forming the island portion 10b and the opening 30 (for example, the step of etching). It may be substantially rectangular to the extent that 10e, the convex portions 10c and 10d are provided.

開口５４をウエットエッチング法を用い形成すると、開口５４の大きさの制御が難しい。開口５４が大きくなりすぎると島部１０ｂの面積が小さくなってしまう。そこで、接続部１０ｅは１つの島部１０ｂに４本のみ設けられていることが好ましい。また、接続部１０ｅの幅Ｄ２は島部１０ｂの短辺の幅Ｄ３の１／５以下が好ましく、１／１０以下がより好ましい。さらに、幅Ｄ２は、島部１０ｂの厚さＴ１の２倍以下が好ましい。接続部１０ｅの厚さＴ７は、島部１０ｂの厚さＴ１の２／３以下が好ましく、１／２以下がより好ましい。接続部１０ｅの強度を確保するため、接続部１０ｅの幅Ｄ２は幅Ｄ３の１／１００以上が好ましい。接続部１０ｅの厚さＴ７は島部１０ｂの厚さＴ１の１／１０以上が好ましい。 When the opening 54 is formed by the wet etching method, it is difficult to control the size of the opening 54. If the opening 54 becomes too large, the area of the island portion 10b becomes small. Therefore, it is preferable that only four connecting portions 10e are provided on one island portion 10b. Further, the width D2 of the connecting portion 10e is preferably 1/5 or less, more preferably 1/10 or less of the width D3 of the short side of the island portion 10b. Further, the width D2 is preferably twice or less the thickness T1 of the island portion 10b. The thickness T7 of the connecting portion 10e is preferably 2/3 or less, more preferably 1/2 or less of the thickness T1 of the island portion 10b. In order to secure the strength of the connecting portion 10e, the width D2 of the connecting portion 10e is preferably 1/100 or more of the width D3. The thickness T7 of the connecting portion 10e is preferably 1/10 or more of the thickness T1 of the island portion 10b.

島部１０ｂの４つの辺と開口３０の４つの辺との距離Ｄ１は互いに略等しいことが好ましい。これにより、４本の接続部１０ｅにより島部１０ｂをバランスよく保持することができる。距離Ｄ１は、島部１０ｂの幅Ｄ３の１／５以下が好ましく、１／１０以下がより好ましい。これにより、小型化が可能となる。４本の接続部１０ｅと島部１０ｂの辺とのなす角度θは鈍角であることが好ましい。これにより、４本の接続部１０ｅにより島部１０ｂをバランスよく保持することができる。 It is preferable that the distances D1 between the four sides of the island portion 10b and the four sides of the opening 30 are substantially equal to each other. As a result, the island portion 10b can be held in a well-balanced manner by the four connecting portions 10e. The distance D1 is preferably 1/5 or less, more preferably 1/10 or less of the width D3 of the island portion 10b. This enables miniaturization. The angle θ formed by the sides of the four connecting portions 10e and the island portions 10b is preferably an obtuse angle. As a result, the island portion 10b can be held in a well-balanced manner by the four connecting portions 10e.

図１０（ａ）および図１０（ｂ）は、実施例１の島部付近の平面図である。接続部１０ｅのうち凸部１０ｃおよび１０ｄとなる箇所を破線で示している。図１０（ａ）に示すように、接続部１０ｅは島部１０ｂの頂点６４ａの近傍と開口３０の頂点６５ａの近傍を接続する。図１０（ｂ）のように、接続部１０ｅは島部１０ｂの辺に対し直交する方向に延伸してもよい。 10 (a) and 10 (b) are plan views of the vicinity of the island portion of Example 1. Of the connecting portions 10e, the portions where the convex portions 10c and 10d are formed are indicated by broken lines. As shown in FIG. 10A, the connecting portion 10e connects the vicinity of the apex 64a of the island portion 10b and the vicinity of the apex 65a of the opening 30. As shown in FIG. 10B, the connecting portion 10e may extend in a direction orthogonal to the side of the island portion 10b.

接続部１０ｅが島部１０ｂの頂点６４ａの近傍と開口３０の頂点６５ａの近傍に設けられた場合、凸部１０ｃは頂点６４ａの近傍に設けられ、凸部１０ｄは頂点６５ａの近傍に設けられる。頂点６４ａおよび６５ａの近傍とは、比較例２に比べ島部１０ｂの変形が抑制できる程度を意味する。頂点６４ａの近傍とは、例えば島部１０ｂの辺の中点６４ｂと頂点６４ａとの中点６４ｃより頂点６４ａ側である。頂点６５ａの近傍とは、例えば開口３０の辺の中点６５ｂと頂点６５ａとの中点６５ｃより頂点６５ａ側である。 When the connecting portion 10e is provided near the apex 64a of the island portion 10b and near the apex 65a of the opening 30, the convex portion 10c is provided near the apex 64a and the convex portion 10d is provided near the apex 65a. The vicinity of the vertices 64a and 65a means a degree to which the deformation of the island portion 10b can be suppressed as compared with Comparative Example 2. The vicinity of the apex 64a is, for example, the apex 64a side of the midpoint 64c of the side of the island portion 10b and the apex 64a. The vicinity of the apex 65a is, for example, the apex 65a side of the midpoint 65b of the side of the opening 30 and the apex 65a.

このように、４つの接続部１０ｅは、島部１０ｂの略矩形状の４頂点またはその近傍の側面と本体部１０ａの側面を接続すればよい。島部１０ｂの頂点６４ａまたはその近傍と開口３０の頂点６５ａまたはその近傍との間の４つの領域において開口５２および５４が形成されていればよい。 In this way, the four connecting portions 10e may connect the side surfaces of the substantially rectangular four vertices of the island portion 10b or its vicinity to the side surfaces of the main body portion 10a. The openings 52 and 54 may be formed in four regions between the apex 64a of the island portion 10b or its vicinity and the apex 65a or its vicinity of the opening 30.

図１１（ａ）から図１１（ｃ）は、実施例１における頂点付近の平面図である。図１１（ａ）に示すように、開口５２をマスクにウエットエッチング法を用い接続部１０ｅを除去すると、開口５４に露出し絶縁層３６に接する凸部１０ｃおよび１０ｄの側面６２は中央が遠ざかり端が近づく曲面となる。このように、凸部１０ｃおよび１０ｄにツノ６０が形成され、ツノ６０の角度が鋭角となる。 11 (a) to 11 (c) are plan views of the vicinity of the apex in the first embodiment. As shown in FIG. 11A, when the connecting portion 10e is removed by using a wet etching method with the opening 52 as a mask, the side surfaces 62 of the convex portions 10c and 10d exposed to the opening 54 and in contact with the insulating layer 36 are far from the center and end. Becomes a curved surface that approaches. In this way, the horn 60 is formed on the convex portions 10c and 10d, and the angle of the horn 60 becomes an acute angle.

図１１（ｂ）に示すように、開口５２が島部１０ｂ寄りに設けられると、島部１０ｂの側面には凸部１０ｃは形成されず島部１０ｂの凸部１０ｄに対向する側面６２は曲面となる。凸部１０ｄおよび島部１０ｂの側面６２のツノ６０が鋭角となる。図１１（ｃ）に示すように、開口５２が本体部１０ａ寄りに設けられると、本体部１０ａの側面には凸部１０ｄは形成されず本体部１０ａの凸部１０ｃに対向する側面６２は曲面となる。凸部１０ｃおよび本体部１０ａの側面６２のツノ６０が鋭角となる。 As shown in FIG. 11B, when the opening 52 is provided closer to the island portion 10b, the convex portion 10c is not formed on the side surface of the island portion 10b, and the side surface 62 facing the convex portion 10d of the island portion 10b is a curved surface. It becomes. The horn 60 on the side surface 62 of the convex portion 10d and the island portion 10b has an acute angle. As shown in FIG. 11C, when the opening 52 is provided closer to the main body 10a, the convex portion 10d is not formed on the side surface of the main body 10a, and the side surface 62 facing the convex portion 10c of the main body 10a is a curved surface. It becomes. The horn 60 on the side surface 62 of the convex portion 10c and the main body portion 10a has an acute angle.

図１１（ａ）から図１１（ｃ）のように、凸部１０ｃおよび１０ｄは、４つの頂点６４ａまたはその近傍と開口３０の略矩形状の４つの頂点６５ａまたはその近傍との間の４つの領域において島部１０ｂの側面および本体部１０ａの側面の少なくとも一方に設けられていればよい。 As shown in FIGS. 11 (a) to 11 (c), the convex portions 10c and 10d have four vertices 64a or their vicinity and four vertices 65a or their vicinity having a substantially rectangular shape of the opening 30. It suffices if it is provided on at least one of the side surface of the island portion 10b and the side surface of the main body portion 10a in the region.

実施例１において、島部１０ｂ内を金属層１４から金属層１８に流れる電流密度をシミュレーションした。
シミュレーションの条件は以下である。
コア層１０、金属層１４および１８の材料：銅
コア層１０の厚さＴ１：３４０μｍ
ビア１３および１７の厚さＴ２：６８μｍ
ビア１３および１７の直径：５０μｍ
ビア１３および１７の個数：２１個×２１個 In Example 1, the current density flowing from the metal layer 14 to the metal layer 18 in the island portion 10b was simulated.
The conditions of the simulation are as follows.
Material of core layer 10, metal layers 14 and 18: thickness of copper core layer 10 T1: 340 μm
Thickness of vias 13 and 17 T2: 68 μm
Diameters of vias 13 and 17: 50 μm
Number of vias 13 and 17: 21 x 21

図１２は、実施例１における島部を流れる電流密度を示す図である。図１２において、領域７０ａにおける電流密度が最も高く、領域７０ｂ、７０ｃ、７０ｄおよび７０ｅに従い電流密度が低い。図１２に示すように、島部１０ｂの中央部を流れる電流密度が高く、頂点（角部）付近の電流密度が低い。 FIG. 12 is a diagram showing the current density flowing through the island portion in the first embodiment. In FIG. 12, the current density in the region 70a is the highest, and the current density is lower according to the regions 70b, 70c, 70d and 70e. As shown in FIG. 12, the current density flowing through the central portion of the island portion 10b is high, and the current density near the apex (corner portion) is low.

実施例１およびその変形例のように、島部１０ｂの頂点付近に接続部１０ｅを設ける。これにより、接続部１０ｅを除去するときに、図１１（ｂ）のように、島部１０ｂの一部が除去されたとしても、島部１０ｂの電流密度が低い領域が除去される。よって、島部１０ｂの抵抗への影響が小さい。 As in the first embodiment and its modifications, the connecting portion 10e is provided near the apex of the island portion 10b. As a result, when the connecting portion 10e is removed, as shown in FIG. 11B, even if a part of the island portion 10b is removed, the region where the current density of the island portion 10b is low is removed. Therefore, the influence of the island portion 10b on the resistance is small.

［実施例１の変形例１］
図１３（ａ）から図１３（ｃ）は、実施例１の変形例１における頂点付近の平面図である。図１３（ａ）から図１３（ｃ）に示すように、開口５２の形状を３角形の頂点を接続した形状とする。図１３（ａ）では、開口５２は接続部１０ｅの島部１０ｂと本体部１０ａとの中間付近に設けられている。図１３（ｂ）では、開口５２は接続部１０ｅの島部１０ｂ寄りに設けられている。図１２（ｃ）では、開口５２は接続部１０ｅの本体部１０ａ寄りに設けられている。 [Modification 1 of Example 1]
13 (a) to 13 (c) are plan views of the vicinity of the apex in the first modification of the first embodiment. As shown in FIGS. 13 (a) to 13 (c), the shape of the opening 52 is a shape in which the vertices of a polygon are connected. In FIG. 13A, the opening 52 is provided near the middle between the island portion 10b of the connecting portion 10e and the main body portion 10a. In FIG. 13B, the opening 52 is provided near the island portion 10b of the connecting portion 10e. In FIG. 12C, the opening 52 is provided near the main body portion 10a of the connecting portion 10e.

図１４（ａ）から図１４（ｃ）は、実施例１の変形例１における頂点付近の平面図である。図１４（ａ）に示すように、図１３（ａ）の開口５２を用い接続部１０ｅをエッチングすると、開口５４に露出する凸部１０ｃおよび１０ｄの側面６２は中央部が近づき端部が遠ざかる局面となる。これにより、凸部１０ｃおよび１０ｄの側面に鋭角な角は形成されない。 14 (a) to 14 (c) are plan views of the vicinity of the apex in the first modification of the first embodiment. As shown in FIG. 14 (a), when the connection portion 10e is etched using the opening 52 of FIG. 13 (a), the side surfaces 62 of the convex portions 10c and 10d exposed to the opening 54 are in a phase in which the central portion approaches and the end portion moves away. It becomes. As a result, no acute angles are formed on the side surfaces of the convex portions 10c and 10d.

図１４（ｂ）に示すように、図１３（ｂ）の開口５２を用い接続部１０ｅをエッチングすると、凸部１０ｃは設けられず、凸部１０ｄが設けられる。凸部１０ｄの側面および島部１０ｂの側面に鋭角な角は形成されない。図１４（ｃ）に示すように、図１３（ｃ）の開口５２を用い接続部１０ｅをエッチングすると、凸部１０ｄは設けられず、凸部１０ｃが設けられる。凸部１０ｃの側面および本体部１０ａ側面に鋭角な角は形成されない。 As shown in FIG. 14 (b), when the connecting portion 10e is etched using the opening 52 of FIG. 13 (b), the convex portion 10c is not provided and the convex portion 10d is provided. No acute angles are formed on the side surface of the convex portion 10d and the side surface of the island portion 10b. As shown in FIG. 14 (c), when the connecting portion 10e is etched using the opening 52 of FIG. 13 (c), the convex portion 10d is not provided, but the convex portion 10c is provided. No acute angles are formed on the side surface of the convex portion 10c and the side surface of the main body portion 10a.

実施例１の図１１（ａ）から図１１（ｃ）のように、側面６２のツノ６０が鋭角となると、絶縁層１１および３６に熱衝撃等によりクラックが発生しやすくなる。さらに、島部１０ｂと本体部１０ａとの間に高電圧がかかると、ツノ６０の鋭角さと、クラック等により島部１０ｂと本体部１０ａとの間に放電が発生することがある。実施例１の変形例１では、島部１０ｂの側面のツノは丸められて側面は全てが鈍角である。これにより、絶縁層１１および３６等のクラックが抑制され、島部１０ｂと本体部１０ａとの間の放電等をなくすことができる。 As shown in FIGS. 11 (a) to 11 (c) of the first embodiment, when the horn 60 on the side surface 62 has an acute angle, cracks are likely to occur in the insulating layers 11 and 36 due to thermal shock or the like. Further, when a high voltage is applied between the island portion 10b and the main body portion 10a, a discharge may be generated between the island portion 10b and the main body portion 10a due to the acute angle of the horn 60 and cracks or the like. In the first modification of the first embodiment, the horns on the side surface of the island portion 10b are rounded and all the side surfaces are obtuse. As a result, cracks in the insulating layers 11 and 36 and the like are suppressed, and discharge and the like between the island portion 10b and the main body portion 10a can be eliminated.

［実施例１の変形例２］
実施例１の変形例２では、図２（ｂ）の後に、コア層１０の表面を粗化する。粗化は例えばエッチングまたはブラスト処理により行う。これにより、絶縁層１１、１２および１６とコア層１０との密着性が向上する。一方、実施例１の図１１（ａ）から図１１（ｃ）並びに図１４（ａ）から図１４（ｃ）の側面６２は粗化工程の後に形成される。このため、側面６２は粗化されていない。 [Modification 2 of Example 1]
In the second modification of the first embodiment, the surface of the core layer 10 is roughened after FIG. 2B. Roughing is performed, for example, by etching or blasting. As a result, the adhesion between the insulating layers 11, 12 and 16 and the core layer 10 is improved. On the other hand, the side surfaces 62 of FIGS. 11 (a) to 11 (c) and 14 (a) to 14 (c) of Example 1 are formed after the roughening step. Therefore, the side surface 62 is not roughened.

図１５（ａ）から図１５（ｃ）は、実施例１の変形例２における頂点付近の拡大図である。図１５（ａ）から図１５（ｃ）のように、開口５４に露出するコア層１０の側面６２は粗化されていない。側面６２以外のコア層１０の表面６６は粗化されている。開口５４に露出するコア層１０の側面６２は、コア層１０の他の表面６６より平坦となる。実施例１およびその変形例１にいて表面６６を粗化すると、粗化されていない側面６２は、島部１０ｂの側面に４か所となる。島部１０ｂの側面全体に対する側面６２の面積は５０％以下となる。 15 (a) to 15 (c) are enlarged views of the vicinity of the apex in the modified example 2 of the first embodiment. As shown in FIGS. 15 (a) to 15 (c), the side surface 62 of the core layer 10 exposed to the opening 54 is not roughened. The surface 66 of the core layer 10 other than the side surface 62 is roughened. The side surface 62 of the core layer 10 exposed to the opening 54 is flatter than the other surface 66 of the core layer 10. When the surface 66 is roughened in the first embodiment and the first modification thereof, there are four unroughened side surfaces 62 on the side surface of the island portion 10b. The area of the side surface 62 with respect to the entire side surface of the island portion 10b is 50% or less.

以上のように、実施例１およびその変形例では、島部１０ｂの４つの角部にツノを残し、このツノのアンカー効果によって、島部１０ｂの反りを抑制し、その結果ビア１３および１７（ピラー）と島部１０ｂとのコンタクト不良を抑制することができる。また、ツノは放電を発生しやすくするため、実施例１の変形例１のように、このツノを丸めることにより、放電を抑止し、回路の破壊を抑制することができる。また、接続部１０ｅを４つの角部およびその近傍に設けることで、島部１０ｂの平坦性を維持し、ビア１３および１７（ピラー）の均一な充填を可能とする。島部１０ｂが傾くことにより、あるものはメッキの深さが深く、あるものはメッキの深さが浅くなるからである。 As described above, in Example 1 and its modifications, horns are left at the four corners of the island 10b, and the anchor effect of the horns suppresses the warp of the island 10b, resulting in vias 13 and 17 ( Poor contact between the pillar) and the island portion 10b can be suppressed. Further, since the horn is likely to generate an electric discharge, the electric discharge can be suppressed and the destruction of the circuit can be suppressed by rounding the horn as in the modified example 1 of the first embodiment. Further, by providing the connecting portions 10e in and near the four corner portions, the flatness of the island portions 10b is maintained, and the vias 13 and 17 (pillars) can be uniformly filled. This is because the inclination of the island portion 10b makes the plating depth deeper for some and the plating depth shallower for some.

また、図１２のように、この４つの角部は、電流密度分布を見てみると、電流が流れにくい部分であり、ここに接続部１０ｅを設け、後の工程で取り除いても、電流容量自体は、大きく減少することはない。 Further, as shown in FIG. 12, these four corners are portions where current does not easily flow when looking at the current density distribution, and even if a connecting portion 10e is provided here and removed in a later step, the current capacity In itself, it does not decrease significantly.

また、島部１０ｂのサイズ、つまり体積が大きい、または平面視の表面の面積が大きいほど、抵抗値が低く形成され、大電流が流せる。その結果、本多層基板の裏から表、表から裏への電流通路として有効となる。 Further, the larger the size of the island portion 10b, that is, the larger the volume or the larger the surface area in a plan view, the lower the resistance value is formed and a large current can flow. As a result, it becomes effective as a current passage from the back to the front and from the front to the back of the multilayer board.

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。 Although the examples of the present invention have been described in detail above, the present invention is not limited to such specific examples, and various modifications and modifications are made within the scope of the gist of the present invention described in the claims. It can be changed.

１０ コア層
１０ａ 本体部
１０ｂ 島部
１０ｃ、１０ｄ 凸部
１０ｅ 接続部
１１、１２、１６、２２、２５、２６、２９、３６ 絶縁層
１３、１７ ビア
１４、１８、２４、２８ 金属層
６０ ツノ
６２ 側面
６４ａ、６５ａ 頂点 10 Core layer 10a Main body 10b Island 10c 10d Convex 10e Connection 11, 12, 16, 22, 25, 26, 29, 36 Insulation layer 13, 17 Via 14, 18, 24, 28 Metal layer 60 Tsuno 62 Sides 64a, 65a vertices

Claims (11)

本体部と、前記本体部に設けられた略矩形の開口内に設けられた略矩形の島部と、前記島部の前記略矩形の４つの角部の側面またはその近傍と前記本体部の側面とを接続する４つの接続部と、を含む金属コア層を形成する工程と、
前記金属コア層上および前記開口内に第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層に前記接続部に通じる穴を形成し、前記穴を介し前記接続部の少なくとも一部を除去することで前記本体部と前記島部とを電気的に分離する工程と、
を含む多層基板の製造方法。 The main body, the substantially rectangular island portion provided in the substantially rectangular opening provided in the main body portion, the side surface of the four corner portions of the substantially rectangular portion of the island portion or its vicinity, and the side surface of the main body portion. A process of forming a metal core layer including four connecting portions for connecting to and
A step of forming a first insulating layer on the metal core layer and in the opening,
A step of forming a hole leading to the connection portion in the first insulating layer and removing at least a part of the connection portion through the hole to electrically separate the main body portion and the island portion.
A method for manufacturing a multilayer substrate including. 前記接続部の少なくとも一部が除去された領域に第２絶縁層を形成する工程を含む請求項１に記載の多層基板の製造方法。 The method for manufacturing a multilayer substrate according to claim 1, further comprising a step of forming a second insulating layer in a region from which at least a part of the connecting portion has been removed. 前記金属コア層下に第３絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層上に設けられ前記島部と複数の第１金属ピラーを介し接続される第１金属層を形成する工程と、
前記第３絶縁層下に設けられ前記島部と複数の第２金属ピラーを介し接続される第２金属層を形成する工程と、
を含む請求項１または２に記載の多層基板の製造方法。 A step of forming a third insulating layer under the metal core layer and
A step of forming a first metal layer provided on the first insulating layer and connected to the island portion via a plurality of first metal pillars.
A step of forming a second metal layer provided under the third insulating layer and connected to the island portion via a plurality of second metal pillars.
The method for manufacturing a multilayer substrate according to claim 1 or 2. 前記接続部を除去する工程は、前記島部の側面の角を鈍角とする工程を含む請求項１から３のいずれか一項に記載の多層基板の製造方法。 The method for manufacturing a multilayer substrate according to any one of claims 1 to 3, wherein the step of removing the connecting portion includes a step of making the corner of the side surface of the island portion an obtuse angle. 本体部と、前記本体部に設けられた略矩形の開口内に設けられ前記本体部と電気的に分離された略矩形の島部と、を含む金属コア層と、
前記金属コア層上および前記開口内に設けられ、前記島部の前記略矩形の４つの角部またはその近傍と前記開口の前記略矩形の４つの頂点またはその近傍との間の４つの領域に、前記本体部の側面および前記島部の側面が露出し表面に通じる４つの穴が形成された第１絶縁層と、
前記４つの穴を埋め込む第２絶縁層と、
を備える多層基板。 A metal core layer including a main body portion and a substantially rectangular island portion provided in a substantially rectangular opening provided in the main body portion and electrically separated from the main body portion.
Provided on the metal core layer and in the opening, in four regions between the four corners of the substantially rectangular shape of the island or the vicinity thereof and the four vertices of the substantially rectangular shape of the opening or the vicinity thereof. A first insulating layer in which the side surface of the main body and the side surface of the island are exposed and four holes leading to the surface are formed.
The second insulating layer that embeds the four holes and
Multilayer board with. 前記本体部および前記島部の少なくとも一方は前記４つの穴に側面が露出する凸部を有する請求項５に記載の多層基板。 The multilayer substrate according to claim 5, wherein at least one of the main body portion and the island portion has a convex portion whose side surface is exposed in the four holes. 前記島部の側面の角は鈍角である請求項５または６に記載の多層基板。 The multilayer substrate according to claim 5 or 6, wherein the angle of the side surface of the island portion is an obtuse angle. 前記穴に露出する前記金属コア層の側面の領域は、前記金属コア層の他の表面より平坦である請求項６に記載の多層基板。 The multilayer substrate according to claim 6, wherein the side region of the metal core layer exposed to the holes is flatter than the other surface of the metal core layer. 前記金属コア層下に設けられた第３絶縁層と、
前記第１絶縁層上に設けられ前記島部と複数の第１金属ピラーを介し接続される第１金属層と、
前記第３絶縁層下に設けられ前記島部と複数の第２金属ピラーを介し接続される第２金属層と、
を備える請求項５から８のいずれか一項に記載の多層基板。 A third insulating layer provided under the metal core layer and
A first metal layer provided on the first insulating layer and connected to the island via a plurality of first metal pillars.
A second metal layer provided under the third insulating layer and connected to the island via a plurality of second metal pillars.
The multilayer substrate according to any one of claims 5 to 8. 本体部と、前記本体部の表面から裏面に渡り設けられた略矩形の開口内に設けられ、前記本体部と電気的に分離された略矩形の島部と、を含む金属コア層と、
前記金属コア層上および前記開口内に設けられ、前記島部の前記略矩形の４つの角部またはその近傍と、または前記開口の前記略矩形の４つの角部またはその近傍との間の４つの領域に、前記本体部と前記島部とを接続する接続部の痕跡である凸部が設けられ、
前記本体部の側面、前記島部の側面および前記凸部の側面の間に充填された第１絶縁層と、
を備える多層基板。 A metal core layer including a main body portion and a substantially rectangular island portion provided in a substantially rectangular opening provided from the front surface to the back surface of the main body portion and electrically separated from the main body portion.
4 provided on the metal core layer and in the opening and between the four corners of the island and the vicinity thereof, or the four corners of the opening and the vicinity thereof. A convex portion, which is a trace of a connecting portion connecting the main body portion and the island portion, is provided in one region.
A first insulating layer filled between the side surface of the main body portion, the side surface of the island portion, and the side surface of the convex portion,
Multilayer board with. 前記島部上に設けられた第２絶縁層と、
前記第２絶縁層上に設けられた第１金属層と、
前記第２絶縁層を貫通し前記島部と前記第１金属層とを機械的に接続する複数の第１金属ピラーと、
前記島部下に設けられた第３絶縁層と、
前記第３絶縁層下に設けられた第２金属層と、
前記第３絶縁層を貫通し前記島部と前記第２金属層とを機械的に接続する複数の第２金属ピラーと、
を備える請求項１０に記載の多層基板。 The second insulating layer provided on the island and
The first metal layer provided on the second insulating layer and
A plurality of first metal pillars that penetrate the second insulating layer and mechanically connect the island portion and the first metal layer.
With the third insulating layer provided under the island
A second metal layer provided under the third insulating layer and
A plurality of second metal pillars that penetrate the third insulating layer and mechanically connect the island portion and the second metal layer.
10. The multilayer substrate according to claim 10.
JP2019059388A 2019-03-26 2019-03-26 Multilayer substrate and manufacturing method thereof Pending JP2020161641A (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019059388A JP2020161641A (en) 2019-03-26 2019-03-26 Multilayer substrate and manufacturing method thereof
US16/809,122 US10939562B2 (en) 2019-03-26 2020-03-04 Multilayer board and manufacturing method of the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019059388A JP2020161641A (en) 2019-03-26 2019-03-26 Multilayer substrate and manufacturing method thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2020161641A true JP2020161641A (en) 2020-10-01

Family

ID=72639881

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019059388A Pending JP2020161641A (en) 2019-03-26 2019-03-26 Multilayer substrate and manufacturing method thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2020161641A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7173634B1 (en) 2021-08-18 2022-11-16 板橋精機株式会社 Substrate and substrate manufacturing method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7173634B1 (en) 2021-08-18 2022-11-16 板橋精機株式会社 Substrate and substrate manufacturing method
JP2023028162A (en) * 2021-08-18 2023-03-03 板橋精機株式会社 Substrate and substrate manufacturing method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2701802B2 (en) Printed circuit board for bare chip mounting
US6930257B1 (en) Integrated circuit substrate having laminated laser-embedded circuit layers
KR100945285B1 (en) Electronic components embedded PCB and method for manufacturing thereof
KR100819278B1 (en) Printed circuit board and fabricating method thereof
TWI694612B (en) Semiconductor module
JP2012191204A (en) Manufacturing method of printed wiring board
JP5219276B2 (en) Manufacturing method of printed circuit board with built-in electronic elements
JP2008028376A (en) Circuit board, semiconductor module and method of manufacturing circuit board
TW201712766A (en) Package carrier and manufacturing method thereof
JP5173758B2 (en) Manufacturing method of semiconductor package
US8826531B1 (en) Method for making an integrated circuit substrate having laminated laser-embedded circuit layers
US11222791B2 (en) Printed wiring board and method for manufacturing printed wiring board
TW200304346A (en) Wiring board and method for producing the same
US10211119B2 (en) Electronic component built-in substrate and electronic device
US10134693B2 (en) Printed wiring board
JP2020161641A (en) Multilayer substrate and manufacturing method thereof
JP5660462B2 (en) Printed wiring board
JP7145067B2 (en) Wiring board and its manufacturing method
US7171744B2 (en) Substrate frame
JP2020107860A (en) Wiring board and manufacturing method therefor
TWI590397B (en) Thermally enhanced semiconductor assembly with heat spreader and integrated dual build-up circuitries and method of making the same
TWI691243B (en) Manufacturing method for printed circuit board
JP2019029622A (en) Heat dissipation substrate and method for manufacturing heat dissipation substrate
JP2017069446A (en) Printed wiring board and method of manufacturing the same
JP5375537B2 (en) Printed wiring board and manufacturing method thereof