JP2020161588A - Peeling tape application device - Google Patents
Peeling tape application device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020161588A JP2020161588A JP2019058046A JP2019058046A JP2020161588A JP 2020161588 A JP2020161588 A JP 2020161588A JP 2019058046 A JP2019058046 A JP 2019058046A JP 2019058046 A JP2019058046 A JP 2019058046A JP 2020161588 A JP2020161588 A JP 2020161588A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stamp
- tape
- release tape
- spring
- plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 96
- 238000002788 crimping Methods 0.000 claims description 47
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 71
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 230000009975 flexible effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
- H01L2221/68386—Separation by peeling
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
Abstract
Description
本発明は、剥離テープ圧着装置に関する。 The present invention relates to a release tape crimping device.
ウェーハを研削する際、研削面ではない方の面に保護テープを貼着して、保護テープをチャックテーブルによって保持し、研削砥石によって所定の厚みとなるようにウェーハを研削する。その後、保護テープを剥離する。 When grinding a wafer, a protective tape is attached to a surface other than the grinding surface, the protective tape is held by a chuck table, and the wafer is ground to a predetermined thickness by a grinding wheel. Then, the protective tape is peeled off.
この際、まず、ウェーハの研削面と、ウェーハを囲むように配されたリングフレームとにダイシングテープを貼着して、これらを一体化する。その後、特許文献1に開示のように、帯状の剥離テープの一方の端部を保護テープに圧着し、剥離テープの他方の端部を引っ張ることにより、ウェーハから保護テープを剥離する。 At this time, first, a dicing tape is attached to the ground surface of the wafer and the ring frame arranged so as to surround the wafer, and these are integrated. Then, as disclosed in Patent Document 1, one end of the strip-shaped release tape is crimped to the protective tape, and the other end of the release tape is pulled to peel the protective tape from the wafer.
剥離テープとしては、多くの場合、熱を加えると糊が解けるヒートシールが使用される。そこで、加温されたスタンプを、保護テープ上の剥離テープに押し付けることによって、剥離テープを保護テープに圧着している。保護テープには、表面にバンプを備えるバンプウェーハ用と、デバイスウェーハ用とがある。 As the release tape, a heat seal that melts when heat is applied is often used. Therefore, by pressing the heated stamp against the release tape on the protective tape, the release tape is pressed against the protective tape. Protective tapes include those for bump wafers having bumps on the surface and those for device wafers.
バンプウェーハ用の保護テープは、バンプを保護するために厚い糊層を有しているので、剥離テープを圧着しにくい。このため、剥離テープに対するスタンプの押圧力が強くされる。一方、デバイスウェーハ用の保護テープは、薄い糊層を有し、ウェーハも薄い。このため、ウェーハが割れないように、剥離テープに対するスタンプの押圧力は弱くされる。 Since the protective tape for bump wafers has a thick glue layer to protect the bumps, it is difficult to crimp the release tape. Therefore, the pressing force of the stamp on the release tape is increased. On the other hand, the protective tape for a device wafer has a thin glue layer, and the wafer is also thin. Therefore, the pressing force of the stamp on the release tape is weakened so that the wafer does not crack.
このように、保護テープの種類に応じて、剥離テープに対するスタンプの押圧力が変更される。
しかし、従来、押圧を変更するためには、押圧力を測定するための高価なセンサ、および、押圧力を調整するための制御手段などが用いられている。このため、剥離テープを保護テープに圧着するための装置が高価になってしまうという問題がある。
In this way, the pressing force of the stamp on the release tape is changed according to the type of the protective tape.
However, conventionally, in order to change the pressing force, an expensive sensor for measuring the pressing force, a control means for adjusting the pressing force, and the like have been used. Therefore, there is a problem that the device for crimping the release tape to the protective tape becomes expensive.
本発明の目的は、剥離テープに対するスタンプの押圧力を、容易に切り換えることにある。 An object of the present invention is to easily switch the pressing force of a stamp on a release tape.
本発明の剥離テープ圧着装置(本剥離テープ圧着装置)は、保持テーブルに保持されたウェーハの一方の面に貼着される保護テープに、剥離テープを圧着する剥離テープ圧着装置であって、該保護テープの上に準備された該剥離テープを該保護テープに押し付けるスタンプと、該剥離テープに接近および離間する方向に該スタンプを移動させる移動手段と、該スタンプと該移動手段とを連結し、該スタンプが該剥離テープを該保護テープに押し付ける力である押圧力を、強い押圧力と弱い押圧力との間で切り換えるための切換機構と、制御手段と、を備え、該切換機構は、該移動手段に支持されるプレートと、該プレートと該スタンプとの間に配設され、該プレートが該スタンプに近づくことによって収縮すると、第1の反力を発揮する第1のバネと、該プレートと該スタンプとの間に配設され、該プレートが該スタンプに近づくことによって収縮すると、該第1の反力よりも強い第2の反力を発揮する第2のバネと、を備え、該制御手段は、該移動手段を制御して、該プレートと該スタンプとの距離を第1の範囲とすることによって、該スタンプに、該第1のバネによる第1の反力を作用させ、該剥離テープを該スタンプによって弱い押圧力で押圧して該保護テープに圧着する第1の制御部と、該移動手段を制御して、該プレートと該スタンプとの距離を、該第1の範囲よりも短い距離に対応する第2の範囲に位置づけ、該スタンプに、該第2のバネによる第2の反力を作用させ、該剥離テープを該スタンプによって強い押圧力で押圧して該保護テープに圧着する第2の制御部と、を備えている。 The release tape crimping device of the present invention (the present release tape crimping device) is a release tape crimping device that presses a release tape onto a protective tape attached to one surface of a wafer held on a holding table. A stamp prepared on the protective tape to press the release tape against the protective tape, a moving means for moving the stamp in a direction approaching and separating from the release tape, and the stamp and the moving means are connected. The stamp comprises a switching mechanism and a control means for switching between a strong pressing force and a weak pressing force, which is a force for pressing the release tape against the protective tape, and the switching mechanism comprises the switching mechanism. A plate supported by the means of transportation, a first spring that is disposed between the plate and the stamp, and when the plate contracts as it approaches the stamp, a first spring that exerts a first reaction force and the plate. A second spring, which is disposed between the stamp and the stamp and exerts a second reaction force stronger than the first reaction force when the plate contracts by approaching the stamp. The control means controls the moving means to set the distance between the plate and the stamp as the first range, thereby causing the stamp to act on the first reaction force by the first spring. The distance between the plate and the stamp is set from the first range by controlling the moving means and the first control unit that presses the release tape with the stamp with a weak pressing force and crimps the protective tape. Also positioned in the second range corresponding to a short distance, the stamp is subjected to a second reaction force by the second spring, and the release tape is pressed by the stamp with a strong pressing force onto the protective tape. It includes a second control unit for crimping.
本剥離テープ圧着装置では、プレートとスタンプとの距離、すなわち、プレートの移動距離を変えるだけで、剥離テープに対するスタンプの押圧力を切り換えることができる。したがって、本剥離テープ圧着装置では、保護テープの種類に応じて、剥離テープに対するスタンプの押圧力を容易に変更することが可能となる。また、押圧力を検知する高価なセンサも、押圧力を制御するための複雑な制御装置も不要であるため、押圧力を切り換えるためのコストを抑えることもできる。 In this release tape crimping device, the pressing force of the stamp on the release tape can be switched only by changing the distance between the plate and the stamp, that is, the moving distance of the plate. Therefore, in this release tape crimping device, it is possible to easily change the pressing force of the stamp against the release tape according to the type of the protective tape. Further, since an expensive sensor for detecting the pressing force and a complicated control device for controlling the pressing force are not required, the cost for switching the pressing force can be suppressed.
[第1の実施形態]
第1の実施形態にかかる剥離装置は、図1に示すようなウェーハWから保護テープT2を剥離する。
ウェーハWは、たとえば、円形状の外形を有する半導体ウェーハである。ウェーハWの一方の面Wa上には、多数のデバイスが形成されており、その上に、円形状の保護テープT2が貼着されている。
[First Embodiment]
The peeling device according to the first embodiment peels the protective tape T2 from the wafer W as shown in FIG.
The wafer W is, for example, a semiconductor wafer having a circular outer shape. A large number of devices are formed on one surface Wa of the wafer W, and a circular protective tape T2 is attached thereto.
保護テープT2は、たとえば、ウェーハWと同等の外径を有する円形のフィルムである。保護テープT2は、露出面となる保護テープ基材T2aと、接着性のある粘着糊層を備える保護テープ糊層T2bとを備える。 The protective tape T2 is, for example, a circular film having an outer diameter equivalent to that of the wafer W. The protective tape T2 includes a protective tape base material T2a as an exposed surface and a protective tape glue layer T2b having an adhesive adhesive glue layer.
また、図1に示すように、ウェーハWは、リングフレームFおよびダイシングテープT1とともに、ワークセットを形成する。
ワークセットの形成では、まず、開口Faを有する環状のリングフレームFに、その開口Faを塞ぐようにして、円形状のダイシングテープT1の外周部が貼着される。
Further, as shown in FIG. 1, the wafer W forms a work set together with the ring frame F and the dicing tape T1.
In forming the work set, first, the outer peripheral portion of the circular dicing tape T1 is attached to the annular ring frame F having the opening Fa so as to close the opening Fa.
その後、ウェーハWの中心がリングフレームFの開口Faの中心に位置するように、ウェーハWの他方の面Wbに対して、開口FaのダイシングテープT1の粘着面を押し付ける。これにより、ウェーハWの他方の面Wbに、ダイシングテープT1が貼着される。ウェーハWは、リングフレームFの開口FaのダイシングテープT1に貼着されることで、ダイシングテープT1を介してリングフレームFに支持された状態となる。 Then, the adhesive surface of the dicing tape T1 of the opening Fa is pressed against the other surface Wb of the wafer W so that the center of the wafer W is located at the center of the opening Fa of the ring frame F. As a result, the dicing tape T1 is attached to the other surface Wb of the wafer W. The wafer W is attached to the dicing tape T1 at the opening Fa of the ring frame F, so that the wafer W is supported by the ring frame F via the dicing tape T1.
このようウェーハWは、図2に示す剥離装置1の保持手段3に保持される。保持手段3は、ウェーハWの他方の面Wb側を保持する保持テーブル30と、リングフレームFを保持するリングフレーム保持部31とを備える。
In this way, the wafer W is held by the holding means 3 of the peeling device 1 shown in FIG. The holding means 3 includes a holding table 30 that holds the other surface Wb side of the wafer W, and a ring
剥離装置1に備えられる保持テーブル30は、たとえば、円形状の外形を有し、ウェーハWを吸着する吸着部300と、吸着部300を支持する枠体301とを備える。吸着部300は、保持面300aを有する。保持面300aは、吸着部300の露出面であり、枠体301の上面と面一に形成されている。保持面300aは、図示しない吸引源に連通され、ウェーハWを吸引保持する。保持テーブル30は、保持テーブル30の底面に連結された連結部材302を介して、移動手段11によって支持されている。
The holding table 30 provided in the peeling device 1 includes, for example, a
移動手段11は、連結部材302を支持する可動板110と、ガイドレール111とを備えている。可動板110が、ガイドレール111上をスライドしながら、X軸方向に往復移動することで、保持テーブル30を含む保持手段3を、X軸方向に一体的に往復移動させることができる。
The moving
保持テーブル30の周囲には、たとえば4つのリングフレーム保持部31が、均等に配設されている(図2では、2つのみを示している)。リングフレーム保持部31は、挟持クランプ310と、挟持クランプ310をZ軸方向に昇降させる昇降手段311とを備えている。挟持クランプ310は、互いに接近および離間可能な一対の挟持部材310a・310bを有しており、これらによってリングフレームFを挟み込むことができる。
For example, four ring
昇降手段311は、たとえばエアシリンダであり、シリンダチューブ311aと、ピストンロッド311bとを備える。シリンダチューブ311aは、図示しないピストンを内部に備え、基端側(−Z方向側)に底のある有底円筒状を有している。ピストンロッド311bは、シリンダチューブ311aに挿入され、一端がピストンに取り付けられている。ピストンロッド311bの他端は、挟持クランプ310に固定されている。また、シリンダチューブ311aの基端側は、可動板110の上面に固定されている。シリンダチューブ311aにエアが供給または排出されることにより、シリンダチューブ311aの内部の圧力が変化する。これにより、ピストンロッド311bがZ軸方向に移動し、それに応じて挟持クランプ310がZ軸方向に移動する。
The elevating
ウェーハWを剥離装置1の保持手段3に固定する際、ウェーハWは、その中心が保持テーブル30の保持面300aの中心におおよそ位置するように、保持面300a上に載置される。これにより、ウェーハWの他方の面Wbが、ダイシングテープT1を介して、保持テーブル30の保持面300aに接触する。また、開いた状態となっている挟持クランプ310の挟持部材310b上に、リングフレームFが接触する。
When the wafer W is fixed to the holding means 3 of the peeling device 1, the wafer W is placed on the holding
次いで、図示しない吸引源の吸引力が保持面300aに伝達されることにより、保持テーブル30が、保持面300a上で、ダイシングテープT1を介してウェーハWの他方の面Wb側を吸引保持する。また、挟持クランプ310の挟持部材310aが、矢印R1方向に向かって回動し、挟持部材310bとともにリングフレームFを挟み込む。さらに、昇降手段311が、リングフレームFを挟み込んだ挟持クランプ310を、−Z方向に下降させる。これにより、図3に示すように、リングフレームFがリングフレーム保持部31によって保持される。
Next, the suction force of the suction source (not shown) is transmitted to the holding
また、図3に示すように、剥離装置1は、保持手段3の上部に配置され、ウェーハWの保護テープT2に帯状の剥離テープT3を圧着する剥離テープ貼着手段4、および、剥離テープT3を把持する把持手段2を有している。
Further, as shown in FIG. 3, the peeling device 1 is arranged above the holding means 3, and the peeling tape attaching means 4 for crimping the strip-shaped peeling tape T3 to the protective tape T2 of the wafer W, and the peeling tape T3. It has a
把持手段2は、Z軸方向に沿って互いに接近および離間可能な、一対の挟持板20を備えている。把持手段2は、水平面上を平行移動可能であり、かつ、Z軸方向に沿って上下動可能である。剥離テープT3をウェーハWの保護テープT2に貼着する工程では、把持手段2は、+X方向側のリングフレーム保持部31の上方に位置付けられる。
The gripping means 2 includes a pair of holding
剥離テープ貼着手段4は、剥離テープT3を供給する剥離テープ供給手段40、剥離テープT3を切断する切断部41、および、剥離テープ圧着部42を備えている。
剥離テープT3は、基材からなる剥離テープ基材T3aと、剥離テープ粘着層T3bとを備える。剥離テープ粘着層T3bは、保護テープT2の保護テープ糊層T2bよりも強い粘着力を有する。また、第1の実施形態においては、剥離テープT3は、保護テープT2よりも柔軟な性質を有している。
The release tape attaching means 4 includes a release tape supply means 40 for supplying the release tape T3, a cutting
The release tape T3 includes a release tape base material T3a made of a base material and a release tape adhesive layer T3b. The release tape adhesive layer T3b has a stronger adhesive force than the protective tape glue layer T2b of the protective tape T2. Further, in the first embodiment, the release tape T3 has a more flexible property than the protective tape T2.
剥離テープ供給手段40は、図示しない剥離テープロールと、支持ローラ400と、Z軸方向に並んで配設される一対の駆動ローラ401とを備えている。支持ローラ400および一対の駆動ローラ401は、たとえば、Y軸方向に延在する円柱状の外形を有している。
剥離テープ供給手段40では、剥離テープT3は、支持ローラ400に架けられ、一対の駆動ローラ401に挟持される。そして、剥離テープT3の先端T3dが、把持手段2の一対の挟持板20によって挟持されて引き出される。
The release tape supply means 40 includes a release tape roll (not shown), a
In the release tape supply means 40, the release tape T3 is hung on the
剥離テープ圧着部42は、Z軸方向に沿って移動可能な可動押圧部61、可動押圧部61を移動させる移動手段63、および、電流を流すことで発熱するヒータ62を有している。
The release
可動押圧部61は、移動手段63によってZ軸方向に昇降可能となっており、その下端により、剥離テープT3を保護テープT2に押圧することができる。ヒータ62は、可動押圧部61の側部に取り付けられている。このため、第1の実施形態では、剥離テープT3と保護テープT2との接触部位を、可動押圧部61によって押圧しながら加熱することができる。
The movable
切断部41は、鋭利な刃先を有するカッター411を有している。カッター411は、鋭利な刃先を下端として、Y軸方向に直線的に延在しており、Z軸方向に移動可能となっている。切断部41は、さらに、カッター移動部412を有している。カッター移動部412は、カッター411をZ軸方向に沿って移動させる。
The cutting
図4に示すように、剥離テープT3の貼着では、まず、剥離テープ供給手段40から、剥離テープT3が、所定の長さだけ供給される。そして、剥離テープT3の先端T3dが、把持手段2によって把持される。次いで、剥離テープ圧着部42が下降して、剥離テープT3を下方に押し動かし、剥離テープT3の剥離テープ粘着層T3bを保護テープT2の保護テープ基材T2aに接触させ、押圧していく。さらに、ヒータ62が通電されてヒータ62が発熱する。これにより、剥離テープT3と保護テープT2との接触部位が、剥離テープ圧着部42により、加熱されながら押圧される。その結果、剥離テープT3の剥離テープ粘着層T3bの糊が溶けて、この剥離テープ粘着層T3bが、保護テープT2の保護テープ基材T2aに良好に圧着される。
As shown in FIG. 4, when attaching the release tape T3, first, the release tape T3 is supplied by the release tape supply means 40 by a predetermined length. Then, the tip T3d of the release tape T3 is gripped by the gripping
次いで、図5に示すように、切断部41のカッター411が下降して、カッター411の刃先が剥離テープT3に切り込み、剥離テープT3を切断し帯状にする。これにより、図6に示すように、ウェーハWに貼着された保護テープT2の外周縁T2dに、帯状の剥離テープT3の一端T3c側が貼着された状態となる。カッター411が剥離テープT3を切断した後、剥離テープ供給手段40、切断部41および剥離テープ圧着部42は、+Z方向に上昇して剥離テープT3から退避する。その後、把持手段2が剥離テープT3を把持したまま、剥離装置1の可動板110が、ガイドレール111に沿って+X方向に移動する。これにより、ウェーハWから、剥離テープT3に圧着された保護テープT2が剥離されていく。
Next, as shown in FIG. 5, the
ここで、剥離テープ貼着手段4における剥離テープ圧着部42を含む剥離テープ圧着装置について、より詳細に説明する。
図7に、剥離テープ圧着部42を含む剥離テープ圧着装置50を示している。剥離テープ圧着装置50は、保持テーブル30に保持されたウェーハWに貼着されている保護テープT2に、剥離テープT3を圧着する。
図7に示すように、剥離テープ圧着装置50は、剥離テープ圧着部42に加えて、剥離装置1の図示しない筐体内に設けられた制御手段51を含むものである。
Here, the peeling tape crimping device including the peeling
FIG. 7 shows a peeling
As shown in FIG. 7, the release
上述したように、剥離テープ圧着部42は、Z軸方向に沿って移動可能な可動押圧部61、可動押圧部61を移動させる移動手段63を含んでいる。剥離テープ圧着部42のヒータ62は、図7等では省略されている。
As described above, the release
移動手段63は、可動押圧部61を移動させることにより、剥離テープT3に接近および離間する方向に、可動押圧部61の下端に設けられたスタンプ81を移動させるものである。
図7に示すように、移動手段63は、支持板71、支持板71に支持された固定軸73、固定軸73の表面において摺動可能な連結器75およびシリンダ77、ボールネジ78、ならびにモータ79を備えている。
The moving means 63 moves the
As shown in FIG. 7, the moving
ボールネジ78は、支持板71に支持されており、モータ79によって回転される。連結器75は、ボールネジ78に螺合されたネジ孔、および、固定軸73が貫通する挿入孔を有している。ボールネジ78が回転することによって、連結器75が、Z軸方向に沿って、固定軸73の表面上を、Z軸方向に沿って摺動する。
The ball screw 78 is supported by a
シリンダ77は、連結器75に固定されているとともに、その下端に可動押圧部61が取り付けられている。シリンダ77は、ボールネジ78の回転にしたがって、連結器75とともに、Z軸方向に沿って、固定軸73の表面を摺動する。これにより、シリンダ77の下端に取り付けられた可動押圧部61が、Z軸方向に沿って移動する。
The
可動押圧部61は、スタンプ81および切換機構82を有している。
スタンプ81は、保護テープT2の上に準備された剥離テープT3を保護テープT2に押し付けるための部材である。スタンプ81は、たとえば板形状を有し、可動押圧部61の下端に設けられている。
また、スタンプ81は、その下面に、突部81aを有している。スタンプ81が剥離テープT3を保護テープT2に押し付ける際には、スタンプ81の突部81aが、剥離テープT3に接触する。また、スタンプ81または突部81aの内部に突部81aを加温するヒータを配設してもよい。
The movable
The
Further, the
切換機構82は、スタンプ81と、移動手段63のシリンダ77とを連結する。切換機構82は、スタンプ81が剥離テープT3を保護テープT2に押し付ける力である押圧力を、強い押圧力と弱い押圧力との間で切り換えるために設けられている。
The
切換機構82は、移動手段63のシリンダ77に支持されるプレート83、その下方に配置された中間台座85、および4本のガイド87を有している(図7等では、2本のガイド87が示されている)。
The
プレート83および中間台座85は、たとえば、スタンプ81と同様の板形状を有している。ガイド87は、その下端がスタンプ81の外周付近に等間隔に固定されており、スタンプ81から+Z方向に延びている。
The
また、ガイド87の上端は、プレート83の貫通孔(図示せず)を貫いた状態で、プレート83の貫通孔に対して摺動可能に、プレート83に支持されている。中間台座85は、スタンプ81とプレート83との間に配置されている。中間台座85には、プレート83と同様の貫通孔(図示せず)が設けられている。この貫通孔を、ガイド87が摺動可能に貫通している。
Further, the upper end of the
また、切換機構82は、4本の第1のバネ84および4本の第2のバネ86を備えている(図7では、それぞれ2本のみを示している)。これら第1のバネ84および第2のバネ86は、スタンプ81とプレート83との間の所定の位置に配置されている。
Further, the
すなわち、第1のバネ84は、その下端がスタンプ81の上面に固定されているとともに、上端が中間台座85の下面に固定されている。また、第2のバネ86は、その下端が中間台座85の上面に固定されているとともに、上端がプレート83の下面に固定されている。
That is, the lower end of the
したがって、スタンプ81および切換機構82を含む可動押圧部61は、図7に示すようなスタンプ81に剥離テープT3が触れていない状態(無負荷状態)では、中間台座85は、その両面に配された第1のバネ84および第2のバネ86に支えられた状態で、ガイド87の略中間に位置している。また、スタンプ81は、第1のバネ84に支えられた状態となっている。
Therefore, in the movable pressing
また、切換機構82は、中間台座85の下面に、たとえば4本のストッパ88を備えている。ストッパ88は、中間台座85の下面から−Z方向に延びている。ストッパ88の長さは、図7に示す無負荷状態では、ストッパ88の下端とスタンプ81の上面との間に所定の間隔が設けられるように、設定されている。
Further, the
また、移動手段63によって可動押圧部61を−Z方向に移動させて、スタンプ81によって剥離テープT3を保護テープT2に押圧すると、スタンプ81と中間台座85との間に配された第1のバネ84が収縮されて、プレート83がスタンプ81に近づく。すなわち、中間台座85とスタンプ81との間隔が狭くなる。
Further, when the movable pressing
第1のバネ84は、プレート83がスタンプ81に近づき、中間台座85とスタンプ81との間隔が狭くなることによって収縮すると、比較的に弱い第1の反力(弾性力)を発揮する。
一方、第2のバネ86は、第1のバネ84よりも大きいバネ定数を有している。したがって、第2のバネ86は、プレート83がスタンプ81に近づき、プレート83と中間台座85との間隔が狭くなることによって収縮すると、第1の反力よりも強い第2の反力を発揮する。
The
On the other hand, the
制御手段51は、移動手段63を用いて可動押圧部61をZ軸方向に沿って移動させることによって、保護テープT2への剥離テープT3の圧着を行う。
特に、制御手段51は、剥離テープT3をスタンプ81によって弱い押圧力で押圧して保護テープT2に圧着する第1の制御部53と、剥離テープT3をスタンプ81によって強い押圧力で押圧して保護テープT2に圧着する第2の制御部55と、を備えている。
The control means 51 crimps the release tape T3 to the protective tape T2 by moving the movable pressing
In particular, the control means 51 protects the release tape T3 by pressing the release tape T3 with a
次に、剥離テープ圧着装置50による、保護テープT2への剥離テープT3の圧着動作について、より詳細に説明する。
まず、図8および図9に示すように、第1の実施形態において用いられるウェーハWとしては、研削装置等によって薄化されたデバイスウェーハW1、および、表面にバンプを備えるバンプウェーハW2が挙げられる。
Next, the crimping operation of the peeling tape T3 to the protective tape T2 by the peeling
First, as shown in FIGS. 8 and 9, examples of the wafer W used in the first embodiment include a device wafer W1 thinned by a grinding device and the like, and a bump wafer W2 having bumps on the surface. ..
図8に示すデバイスウェーハW1では、保護テープT2として、デバイスウェーハ用の保護テープT2Dが用いられる。デバイスウェーハ用の保護テープT2Dは、比較的に薄い保護テープ糊層T2b1を有している。このため、デバイスウェーハ用の保護テープT2Dは、比較的に、剥離テープT3を圧着しやすい構成となっている。また、デバイスウェーハW1は、バンプウェーハW2に比して、薄く形成されている。このため、デバイスウェーハW1が割れないように、スタンプ81によって剥離テープT3を保護テープT2Dに押圧する力は、比較的に弱くされることが好ましい。
In the device wafer W1 shown in FIG. 8, the protective tape T2D for the device wafer is used as the protective tape T2. The protective tape T2D for the device wafer has a relatively thin protective tape glue layer T2b1. Therefore, the protective tape T2D for the device wafer has a configuration in which the release tape T3 is relatively easy to be crimped. Further, the device wafer W1 is formed thinner than the bump wafer W2. Therefore, it is preferable that the force of pressing the release tape T3 against the protective tape T2D by the
剥離テープ圧着装置50では、デバイスウェーハW1の保護テープT2Dに対して剥離テープT3の圧着する際、制御手段51の第1の制御部53が、移動手段63を制御して、可動押圧部61を−Z方向に移動させて、スタンプ81によって剥離テープT3を保護テープT2Dに押圧する。この際、第1の制御部53は、プレート83とスタンプ81との距離を、第1の範囲に位置づける。この第1の範囲は、切換機構82からスタンプ81に伝達される押圧力が、主に第1のバネ84による第1の反力となるような範囲である。すなわち、この第1の範囲は、第1の実施形態では、中間台座85の下面に設けられたストッパ88が、スタンプ81の上面に触れないような範囲である。そして、この第1の範囲は、プレート83と中間台座85との距離が変わらない範囲である。
In the release
ここで、切換機構82では、第1のバネ84と第2のバネ86とは、中間台座85を介して直列に接続されている。このため、ストッパ88がスタンプ81の上面に触れない程度に、スタンプ81が剥離テープT3を保護テープT2Dに押圧した場合、大きいバネ定数を有する第2のバネ86は収縮しない。一方、小さいバネ定数を有する第1のバネ84は、収縮する。
このため、切換機構82からスタンプ81に伝達される押圧力は、第1のバネ84の比較的に弱い第1の反力からなる。したがって、剥離テープT3は、比較的に弱い押圧力で、スタンプ81によって保護テープT2Dに押圧される。
Here, in the
Therefore, the pressing force transmitted from the
すなわち、この場合、第1の制御部53は、プレート83とスタンプ81との距離を第1の範囲とすることによって、スタンプ81に、第1のバネ84による第1の反力を作用させ、剥離テープT3を、スタンプ81によって弱い押圧力で押圧して、保護テープT2Dに圧着することができる。
That is, in this case, the
一方、図9に示すバンプウェーハW2では、保護テープT2として、バンプウェーハ用の保護テープT2Bが用いられる。バンプウェーハ用の保護テープT2Bは、バンプを保護するために、比較的に厚い保護テープ糊層T2b2を有している。このため、バンプウェーハ用の保護テープT2Bは、比較的に剥離テープT3を圧着しにくい構成となっている。このため、スタンプ81によって剥離テープT3を保護テープT2Bに押圧する力は、比較的に強くされることが好ましい。
On the other hand, in the bump wafer W2 shown in FIG. 9, the protective tape T2B for the bump wafer is used as the protective tape T2. The protective tape T2B for the bump wafer has a relatively thick protective tape glue layer T2b2 in order to protect the bumps. Therefore, the protective tape T2B for the bump wafer has a structure in which it is relatively difficult to crimp the release tape T3. Therefore, it is preferable that the force of pressing the release tape T3 against the protective tape T2B by the
剥離テープ圧着装置50では、バンプウェーハW2の保護テープT2Bに対して剥離テープT3の圧着する際、制御手段51の第2の制御部55が、移動手段63を制御して、可動押圧部61を−Z方向に移動させて、スタンプ81によって剥離テープT3を保護テープT2Dに押圧する。この際、第2の制御部55は、プレート83とスタンプ81との距離を、第1の範囲よりも短い距離に対応する第2の範囲に位置づける。この第2の範囲は、切換機構82からスタンプ81に伝達される押圧力が、第2のバネ86による第2の反力となるような範囲である。すなわち、この第2の範囲は、第1の実施形態では、ストッパ88が、スタンプ81の上面に触れて、この面を押すような範囲である。このときには、スタンプ81の上面と中間台座85の下面とが、ストッパ88によって連結される。
In the release
この場合、第2のバネ86は、移動手段63からの−Z方向への力を受けて収縮し、第2の反力を発揮する。
In this case, the
このため、切換機構82からスタンプ81に伝達される押圧力は、第2のバネ86の比較的に強い第2の反力からなる。したがって、剥離テープT3は、比較的に強い力で、スタンプ81によって保護テープT2Bに押圧される。
Therefore, the pressing force transmitted from the
すなわち、この場合、第2の制御部55は、プレート83とスタンプ81との距離を第2の範囲とすることによって、スタンプ81に、第2のバネ86による第2の反力を作用させ、剥離テープT3を、スタンプ81によって強い押圧力で押圧して、保護テープT2Bに圧着することができる。
That is, in this case, the
以上のように、第1の実施形態では、ウェーハWがデバイスウェーハW1である場合、第1の制御部53が、移動手段63を制御して、プレート83とスタンプ81との距離を、切換機構82からスタンプ81に伝達される押圧力が、第1のバネ84による第1の反力となるような第1の範囲とする。これにより、スタンプ81に、第1のバネ84による第1の反力を作用させ、剥離テープT3をスタンプ81によって弱い押圧力で押圧して、保護テープT2Dに圧着する。
As described above, in the first embodiment, when the wafer W is the device wafer W1, the
一方、ウェーハWがバンプウェーハW2である場合、第2の制御部55が、移動手段63を制御して、プレート83とスタンプ81との距離を、切換機構82からスタンプ81に伝達される押圧力が、第2のバネ86による第2の反力となるような第2の範囲とする。これにより、スタンプ81に、第2のバネ86による第2の反力を作用させ、剥離テープT3をスタンプ81によって強い押圧力で押圧して、保護テープT2Bに圧着する。
On the other hand, when the wafer W is the bump wafer W2, the
このように、第1の実施形態では、プレート83とスタンプ81との間隔、すなわち、プレート83の移動距離を変えるだけで、剥離テープT3に対するスタンプ81の押圧力を切り換えることができる。したがって、第1の実施形態では、たとえば押圧力を切り換えるためにバネを交換するような装置に比して、保護テープT2の種類に応じて、剥離テープT3に対するスタンプ81の押圧力を容易に変更することが可能となる。また、押圧力を検知する高価なセンサも、押圧力を制御するための複雑な制御装置も不要であるため、押圧力を切り換えるためのコストを抑えることもできる。
As described above, in the first embodiment, the pressing force of the
[第2の実施形態]
第2の実施形態にかかる研削装置は、第1の実施形態に示した剥離装置1において、剥離テープ圧着装置50に代えて、図10に示す剥離テープ圧着装置50aを備えた構成を有する。
[Second Embodiment]
The grinding device according to the second embodiment has a configuration in which the peeling device 1 shown in the first embodiment is provided with the peeling
剥離テープ圧着装置50aも、剥離テープ圧着装置50と同様に、保持テーブル30に保持されたウェーハWの一方の面Waに貼着されている保護テープT2に、剥離テープT3を圧着するものであり、図10に示すように、剥離テープ圧着装置50(図7)の構成において、剥離テープ圧着部42に代えて剥離テープ圧着部42aを備えている。
Similar to the peeling
剥離テープ圧着部42aは、図10に示すように、剥離テープ圧着部42(図7)の構成において、可動押圧部61に代えて可動押圧部61aを備えている。さらに、可動押圧部61aは、可動押圧部61の構成において、切換機構82に代えて切換機構82aを備えている。
すなわち、剥離テープ圧着装置50aは、剥離テープ圧着装置50の構成において、切換機構82に代えて切換機構82aを備えているものである。
As shown in FIG. 10, the release
That is, the release
切換機構82aは、切換機構82と同様に、スタンプ81と、移動手段63のシリンダ77とを連結し、スタンプ81が剥離テープT3を保護テープT2に押し付ける力である押圧力を、強い押圧力と弱い押圧力との間で切り換えるために設けられている。
Similar to the
切換機構82aは、図7に示したものと同様の、移動手段63のシリンダ77に支持されるプレート83、および、ガイド87を有している。すなわち、ガイド87は、その下端がスタンプ81の外周付近に等間隔に固定されており、スタンプ81から+Z方向に延びている。また、ガイド87の上端は、プレート83の貫通孔(図示せず)を貫いた状態で、プレート83の貫通孔に対して摺動可能に、プレート83に支持されている。
The
また、切換機構82aは、切換機構82と同様に、4本の第1のバネ84、および、第1のバネ84よりも大きいバネ定数を有する4本の第2のバネ86を備えている(図10では、それぞれ2本のみを示している)。また切換機構82では、第2のバネ86は、第1のバネ84よりも短くなっている。
Further, the
切換機構82aでは、第1のバネ84は、その上端がプレート83の下面に固定されているとともに、下端がスタンプ81の上面に固定されている。また、第1のバネ84よりも短い第2のバネ86は、その上端がプレート83の下面に固定されている一方、その下端が自由端となっている。
In the
したがって、スタンプ81および切換機構82aを含む可動押圧部61aは、図10に示すようなスタンプ81に剥離テープT3が触れていない状態(無負荷状態)では、スタンプ81は、第1のバネ84に支えられた状態となっている。
Therefore, in the movable
このように、切換機構82aは、切換機構82(図7)とは異なり、中間台座85およびストッパ88を備えず、第1のバネ84と第2のバネ86とが並列に接続されている。
As described above, unlike the switching mechanism 82 (FIG. 7), the
第2の実施形態では、図11に示すように、デバイスウェーハW1の保護テープT2Dに対して剥離テープT3を圧着する際、制御手段51の第1の制御部53が、移動手段63を制御して、可動押圧部61aを−Z方向に移動させて、スタンプ81によって剥離テープT3を保護テープT2Dに押圧する。
In the second embodiment, as shown in FIG. 11, when the release tape T3 is crimped to the protective tape T2D of the device wafer W1, the
この際、第1の制御部53は、プレート83とスタンプ81との距離を、第1の範囲に位置づける。この第1の範囲は、切換機構82aからスタンプ81に伝達される押圧力が、第1のバネ84による第1の反力となるような範囲である。すなわち、この第1の範囲は、第2の実施形態では、第2のバネ86が、スタンプ81の上面に触れないような範囲である。
At this time, the
この場合、第2のバネ86はスタンプ81に触れていないため、第2のバネ86における第2の反力は発揮されず、プレート83とスタンプ81との双方に固定されている第1のバネ84における第1の反力のみが発揮される。
このため、切換機構82aからスタンプ81に伝達される押圧力は、第1のバネ84の比較的に弱い第1の反力からなる。したがって、剥離テープT3は、比較的に弱い押圧力で、スタンプ81によって保護テープT2Dに押圧される。
In this case, since the
Therefore, the pressing force transmitted from the
すなわち、この場合、第1の制御部53は、プレート83とスタンプ81との距離を第1の範囲とすることによって、スタンプ81に、第1のバネ84による第1の反力を作用させ、剥離テープT3を、スタンプ81によって弱い押圧力で押圧して、保護テープT2Dに圧着することができる。
That is, in this case, the
一方、図12に示すように、バンプウェーハW2の保護テープT2Bに対して剥離テープT3の圧着する際、制御手段51の第2の制御部55が、移動手段63を制御して、可動押圧部61aを−Z方向に移動させて、スタンプ81によって剥離テープT3を保護テープT2Dに押圧する。この際、第2の制御部55は、プレート83とスタンプ81との距離を、第1の範囲よりも短い距離に対応する第2の範囲に位置づける。この第2の範囲は、切換機構82aからスタンプ81に伝達される押圧力が、第2のバネ86による第2の反力を含むような範囲である。すなわち、この第2の範囲は、第2の実施形態では、第2のバネ86が、スタンプ81の上面に触れて、この面を押すような範囲である。
On the other hand, as shown in FIG. 12, when the release tape T3 is crimped to the protective tape T2B of the bump wafer W2, the
この場合、第1のバネ84が第1の反力を発揮するとともに、第2のバネ86が第2の反力を発揮する。このため、切換機構82aからスタンプ81に伝達される押圧力は、第1の反力と、第1の反力よりも強い第2の反力との合力となる。このため、剥離テープT3は、比較的に強い力で、スタンプ81によって保護テープT2Bに押圧される。
In this case, the
すなわち、この場合、第2の制御部55は、プレート83とスタンプ81との距離を第2の範囲とすることによって、スタンプ81に、第2のバネ86による第2の反力を作用させ、剥離テープT3を、スタンプ81によって強い押圧力で押圧して、保護テープT2Bに圧着することができる。
That is, in this case, the
このように、図10〜図12に示した第2の実施形態でも、プレート83とスタンプ81との間隔、すなわち、プレート83の移動距離を変えるだけで、剥離テープT3に対するスタンプ81の押圧力を切り換えることができる。したがって、保護テープT2の種類に応じて、剥離テープT3に対するスタンプ81の押圧力を容易に変更することが可能となる。また、センサ等も不要であるため、押圧力を切り換えるためのコストを抑えることもできる。
As described above, even in the second embodiment shown in FIGS. 10 to 12, the pressing force of the
なお、この第2の実施形態では、第2のバネ86のバネ定数を第1のバネ84よりも顕著に大きくすることによって、プレート83とスタンプ81との距離が第2の範囲となったときに、切換機構82aからスタンプ81に伝達される押圧力を、主に第2のバネ86による第2の反力とすることもできる。
In this second embodiment, when the spring constant of the
また、第1の実施形態および第2の実施形態では、第1のバネ84および第2のバネ86が、4本ずつ備えられている。これら第1のバネ84および第2のバネ86の数は、4本に限らず、任意の数とすることが可能である。
また、図10等に示した第2の実施形態では、プレート83とスタンプ81との間において、第1のバネ84が、第2のバネ86の内部(螺旋の内部)を通るように配置されてもよい。
Further, in the first embodiment and the second embodiment, four
Further, in the second embodiment shown in FIG. 10 and the like, the
1:剥離装置、2:把持手段、
3:保持手段、30:保持テーブル、31:リングフレーム保持部、
4:剥離テープ貼着手段、40:剥離テープ供給手段、41:切断部、
42,42a:剥離テープ圧着部、50,50a:剥離テープ圧着装置、
51:制御手段、53:第1の制御部、55:第2の制御部、
61,61a:可動押圧部、62:ヒータ、63:移動手段、
81:スタンプ、82,82a:切換機構、
83:プレート、85:中間台座、87:ガイド、88:ストッパ、
84:第1のバネ、86:第2のバネ、
F:リングフレーム、Fa:開口、
T1:ダイシングテープ、T2:保護テープ、T3:剥離テープ、
W:ウェーハ、W1:デバイスウェーハ、W2:バンプウェーハ
1: Peeling device, 2: Gripping means,
3: Holding means, 30: Holding table, 31: Ring frame holding part,
4: Release tape attaching means, 40: Release tape supply means, 41: Cutting part,
42, 42a: Release tape crimping part, 50, 50a: Release tape crimping device,
51: Control means, 53: First control unit, 55: Second control unit,
61, 61a: movable pressing part, 62: heater, 63: means of transportation,
81: Stamp, 82, 82a: Switching mechanism,
83: Plate, 85: Intermediate pedestal, 87: Guide, 88: Stopper,
84: 1st spring, 86: 2nd spring,
F: ring frame, Fa: opening,
T1: Dicing tape, T2: Protective tape, T3: Release tape,
W: Wafer, W1: Device wafer, W2: Bump wafer
Claims (1)
該保護テープの上に準備された該剥離テープを該保護テープに押し付けるスタンプと、
該剥離テープに接近および離間する方向に該スタンプを移動させる移動手段と、
該スタンプと該移動手段とを連結し、該スタンプが該剥離テープを該保護テープに押し付ける力である押圧力を、強い押圧力と弱い押圧力との間で切り換えるための切換機構と、
制御手段と、を備え、
該切換機構は、
該移動手段に支持されるプレートと、
該プレートと該スタンプとの間に配設され、該プレートが該スタンプに近づくことによって収縮すると、第1の反力を発揮する第1のバネと、
該プレートと該スタンプとの間に配設され、該プレートが該スタンプに近づくことによって収縮すると、該第1の反力よりも強い第2の反力を発揮する第2のバネと、を備え、
該制御手段は、
該移動手段を制御して、該プレートと該スタンプとの距離を第1の範囲とすることによって、該スタンプに、該第1のバネによる該第1の反力を作用させ、該剥離テープを該スタンプによって弱い押圧力で押圧して該保護テープに圧着する第1の制御部と、
該移動手段を制御して、該プレートと該スタンプとの距離を、該第1の範囲よりも短い距離に対応する第2の範囲に位置づけ、該スタンプに、該第2のバネによる該第2の反力を作用させ、該剥離テープを該スタンプによって強い押圧力で押圧して該保護テープに圧着する第2の制御部と、を備えている、
剥離テープ圧着装置。 A release tape crimping device that presses a release tape onto a protective tape attached to one surface of a wafer held on a holding table.
A stamp that presses the release tape prepared on the protective tape against the protective tape,
A moving means for moving the stamp in the direction of approaching and separating from the release tape, and
A switching mechanism for connecting the stamp and the moving means and switching the pressing force, which is the force by which the stamp presses the release tape against the protective tape, between a strong pressing force and a weak pressing force.
With control means,
The switching mechanism is
A plate supported by the means of transportation and
A first spring that is disposed between the plate and the stamp and exerts a first reaction force when the plate contracts as it approaches the stamp.
A second spring, which is disposed between the plate and the stamp and exerts a second reaction force stronger than the first reaction force when the plate contracts by approaching the stamp. ,
The control means
By controlling the moving means and setting the distance between the plate and the stamp as the first range, the stamp is subjected to the first reaction force by the first spring, and the release tape is applied. A first control unit that is pressed by the stamp with a weak pressing force and crimped to the protective tape,
By controlling the moving means, the distance between the plate and the stamp is positioned in a second range corresponding to a distance shorter than the first range, and the stamp is subjected to the second by the second spring. A second control unit is provided, which exerts a reaction force of the above and presses the release tape with a strong pressing force by the stamp to crimp the protective tape.
Peeling tape crimping device.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019058046A JP7235551B2 (en) | 2019-03-26 | 2019-03-26 | Peeling tape crimping device |
CN202010180252.2A CN111755372A (en) | 2019-03-26 | 2020-03-16 | Stripping tape crimping device |
TW109109692A TWI813866B (en) | 2019-03-26 | 2020-03-23 | Peeling film crimping device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019058046A JP7235551B2 (en) | 2019-03-26 | 2019-03-26 | Peeling tape crimping device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020161588A true JP2020161588A (en) | 2020-10-01 |
JP7235551B2 JP7235551B2 (en) | 2023-03-08 |
Family
ID=72639822
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019058046A Active JP7235551B2 (en) | 2019-03-26 | 2019-03-26 | Peeling tape crimping device |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7235551B2 (en) |
CN (1) | CN111755372A (en) |
TW (1) | TWI813866B (en) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010028061A (en) * | 2008-07-24 | 2010-02-04 | Lintec Corp | Sheet peeling device and peeling method |
JP2010114244A (en) * | 2008-11-06 | 2010-05-20 | Lintec Corp | Sheet peeling device and method |
JP2010157543A (en) * | 2008-12-26 | 2010-07-15 | Nitto Denko Corp | Protection tape peeling device |
JP2010219265A (en) * | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Lintec Corp | Sheet peeling apparatus and sheet peeling method |
JP2011023606A (en) * | 2009-07-16 | 2011-02-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | Protection tape peeling apparatus |
-
2019
- 2019-03-26 JP JP2019058046A patent/JP7235551B2/en active Active
-
2020
- 2020-03-16 CN CN202010180252.2A patent/CN111755372A/en active Pending
- 2020-03-23 TW TW109109692A patent/TWI813866B/en active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010028061A (en) * | 2008-07-24 | 2010-02-04 | Lintec Corp | Sheet peeling device and peeling method |
JP2010114244A (en) * | 2008-11-06 | 2010-05-20 | Lintec Corp | Sheet peeling device and method |
JP2010157543A (en) * | 2008-12-26 | 2010-07-15 | Nitto Denko Corp | Protection tape peeling device |
JP2010219265A (en) * | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Lintec Corp | Sheet peeling apparatus and sheet peeling method |
JP2011023606A (en) * | 2009-07-16 | 2011-02-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | Protection tape peeling apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111755372A (en) | 2020-10-09 |
JP7235551B2 (en) | 2023-03-08 |
TW202036761A (en) | 2020-10-01 |
TWI813866B (en) | 2023-09-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7886798B2 (en) | Expanding method and expanding device | |
US7887665B2 (en) | Expanding method and expanding device | |
JP5589045B2 (en) | Semiconductor wafer mounting method and semiconductor wafer mounting apparatus | |
JP5216472B2 (en) | Method and apparatus for attaching protective tape to semiconductor wafer | |
TWI803650B (en) | Wafer processing method | |
KR102327469B1 (en) | Adhesive tape attaching method and adhesive tape attaching apparatus | |
JP3005786B2 (en) | Chip bonding method and apparatus | |
JP2004047976A (en) | Method and device for bonding protective tape | |
KR20170138039A (en) | Tape separation device | |
JPH0311749A (en) | Bonding of adhesive tape to semiconductor wafer | |
JP2017191810A (en) | Peeling method of protective tape | |
CN110571132B (en) | Wafer processing method | |
JP2020161588A (en) | Peeling tape application device | |
JP2012028541A (en) | Holding table for adhesive sheet attachment/detachment | |
CN110709971A (en) | Electronic component packaging device | |
JP5259116B2 (en) | Die bonder | |
JP2010147123A (en) | Apparatus for peeling sheet and method for peeling | |
US4099660A (en) | Apparatus for and method of shaping interconnect leads | |
TW202147506A (en) | Method for joining adhesive sheet, apparatus for joining adhesive sheet, and manufacturing method of semiconductor products | |
JP2011066102A (en) | Device and method for peeling sheet | |
WO2017065005A1 (en) | Adhesive tape affixing method and adhesive tape affixing device | |
CN114787979A (en) | Packaging device and packaging method | |
CN106531677B (en) | Supporting device and supporting method | |
KR20220073647A (en) | Apparatus for separating tape | |
JP2010028063A (en) | Sheet peeling device and method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220121 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230124 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230131 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230224 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7235551 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |