JP2020155109A - 電極構造体及びそのタッチパネル - Google Patents

Abstract

【課題】電極構造体及び当該電極構造体を含むタッチパネルを提供する。【解決手段】タッチパネル１００は、金属ナノワイヤ１４０を有する金属ナノワイヤ層１４０Ａと、膜層１２０と、を含む。金属ナノワイヤ層の第１の部分（周辺領域ＰＡ）は、膜層によって覆われ、金属ナノワイヤ層の第２の部分（視覚領域ＶＡ）は、膜層から露出される。膜層は、異なる官能基を有する２種以上の材料を混合することによって形成されたコポリマーからなり、成分Ａと成分Ｂとを含む。成分Ａは、炭化水素基、カルボキシル基、スルホン酸基、アミン基、炭化水素基、カルボキシル基、スルホン酸基若しくはアミン基の少なくとも１つに由来する官能基又はそれらの誘導体を有する化合物を含む。成分Ｂは、アクリレート官能基、芳香族官能基、脂肪族官能基又はそれらの誘導体を有する化合物を含む。【選択図】図８Ａ

Description

（関連出願との相互参照）
本出願は、２０１９年２月２５日に出願された中国特許出願第２０１９１０１３７４５１．２号の優先権を主張する。

（背景）
（開示分野）
本発明は、電極構造体及びそのタッチパネルに関する。

透明導電体は、良好な透過率および適切な導電率を同時に有するので、ディスプレイパネルまたはタッチパネルに関連するデバイスに適用することができる。一般に、透明導電体は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、カドミウム錫酸化物（ＣＴＯ）、アルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）などの各種金属酸化物であってもよい。しかしながら、これらの金属酸化物の特定の特徴は、柔軟性の欠如などの課題に直面している。ある状況下では、パターニングされた金属酸化物薄膜をユーザが容易に観察できるという問題がある。その結果、ナノワイヤなどを含む材料から作製される透明導電体など、様々な透明導電体が最近開発されている。

中国特許出願公開第１０８６４１０３０号明細書（ＣＮ，Ａ） 中国特許出願公開第１０３３０９５１０号明細書（ＣＮ，Ａ）

しかしながら、タッチ電極がナノワイヤによって製造される場合に克服する必要があるプロセスおよび材料に関する多くの問題が依然として存在する。例えば、ナノワイヤを保護するためにナノワイヤ上に保護層を配置することが必要である。しかしながら、保護層は、画像表示のための応答シナリオ（application scenarios）の状況下では、出力光学品質に影響を及ぼす可能性がある。

（概要）
本出願のいくつかの実施形態において、電極構造体が提供され、金属ナノワイヤ層及び膜層を含み、金属ナノワイヤ層の第１の部分は、膜層によって覆われ、金属ナノワイヤ層の第２の部分は、膜層から露出され、膜層は、異なる官能基を有する２つ以上の材料を混合することによって形成されたコポリマーからなる。

本出願のいくつかの実施形態において、膜層は、成分Ａと成分Ｂとを含み、成分Ａは、炭化水素基、カルボキシル基、スルホン酸基、アミン基、これらの基に由来する官能基又はそれらの誘導体官能基を有する誘導体／組成物／化合物を含み、成分Ｂは、アクリレート、芳香族又は脂肪族官能基を有する誘導体／組成物／化合物を含む。

本出願のいくつかの実施形態において、成分Ａとコポリマー中の成分Ｂとの比は１：１〜１：５である。本開示のいくつかの実施形態において、コポリマー中の成分Ａの比率は、コポリマー中の成分Ｂの比率（重量比または体積比）以下である。

本出願のいくつかの実施形態において、膜層は、塩基性溶媒に溶解され得る。塩基性溶媒のｐＨは７以上である。

本出願のいくつかの実施形態において、金属ナノワイヤ層の第１の部分の金属ナノワイヤは、複合導電層を形成するために膜層に埋め込まれる。

本出願のいくつかの実施形態において、電極構造体が提供され、基板と、金属ナノワイヤを有する金属ナノワイヤ層と、異なる官能基を有する２つ以上の材料を混合することによって形成されるコポリマーからなる膜層と、周辺配線と、を含み、金属ナノワイヤ層の第１の部分は膜層によって覆われ、金属ナノワイヤ層の第２の部分は膜層から露出され、タッチセンシング電極を形成し、周辺配線は、周辺回路、膜層、及び金属ナノワイヤ層の第１の部分を含み、タッチセンシング電極は、周辺配線に電気的に接続される。

本出願のいくつかの実施形態では、タッチセンシング電極は複数のセンシング電極を含み、非導電性領域は隣接するセンシング電極の間にある。

本出願のいくつかの実施形態において、非導電性領域は、間隙である。

本出願のいくつかの実施形態において、センシング電極は、基板の第１の表面上及び第２の表面上に配置される。

本願のいくつかの実施形態では、タッチセンシング電極は、第１の方向に沿って配置された第１のタッチセンシング電極と、第２の方向に沿って配置された第２のタッチセンシング電極と、隣接する第１のタッチセンシング電極に電気的に接続された接続電極と、接続電極上に配置された絶縁ブロックと、絶縁ブロック上に配置されたブリッジ導体と、を含み、ブリッジ導体は、隣接する第２のタッチセンシング電極に接続される。

本出願のいくつかの実施形態において、膜層は、視覚領域ではなく周辺領域に形成される。

本発明は、最近の技術と比較して、製造効率が高く、フレームが狭く、視覚領域の光学的および電気的特性が良好なタッチパネルおよびその製造方法を提供する。

上記の要約は、読者が本開示の基本的な理解を得ることができるように、本開示の簡略化された要約を提供することを意図している。本要約は、本開示の包括的な概要ではなく、本開示の実施形態の重要／重要な特徴を示すこと、または本開示の範囲を定義することを意図していない。

上記および本開示の他の目的、特徴、利点および実施形態をより理解しやすくするために、図面の説明は以下の通りである。
本開示のいくつかの実施形態によるタッチパネルの製造方法の第１工程の概略図である。 本開示のいくつかの実施形態によるタッチパネルの製造方法の第２工程の概略図である。 本開示のいくつかの実施形態によるタッチパネルの製造方法の第３工程の概略図である。 本開示のいくつかの実施形態によるタッチパネルの製造方法の第４工程の概略図である。 本開示のいくつかの実施形態によるタッチパネルの製造方法の第５工程の概略図である。 本開示のいくつかの実施形態によるタッチパネルの製造方法の第６工程の概略図である。 本開示のいくつかの実施形態によるタッチパネルの製造方法の第７工程の概略図である。 本開示の一実施形態によるタッチパネルの概略図である。 図８Ａは、線Ａ−Ａに沿った図８の概略断面図である。 図９は、本開示の別の実施形態による概略図である。 図１０は、本開示の別の実施形態による概略図である。 図１１は、本開示の別の実施形態による概略図である。 図１２は、本開示の別の実施形態による概略図である。

（詳細な説明）
以下の出願の実施形態は、図面によって開示される。以下の説明では、出願を明確に説明するために、多数の特定の詳細を詳細に説明する。しかしながら、本出願は、本明細書に記載される特定の詳細に限定されないことに留意されたい。すなわち、本開示の実施形態は、これらの特定の詳細なしに実施することができる。また、図面を簡略化するために、周知の構造および装置は、図面に概略的に示すのみである。

本明細書で使用される場合、「約」は通常、約２０％以内、好ましくは約１０％以内、より好ましくは約５％以内の数値の誤差または範囲である。文中に明示されていない限り、記載されている数値は近似値、つまり「約」で示される誤差または範囲を示す。その他の点では、本明細書で使用される「パターン（pattern）」、「図（figure）」および「写真（picture）」は、同一または類似の意味とみなされ、便宜上、当該用語は文脈において交換可能に使用され得ることを説明する必要がある。

本出願の実施形態において、タッチパネル１００が提供され、基板１１０と、金属ナノワイヤ層１４０Ａ及び膜層１２０を含む電極構造体とを含み、金属ナノワイヤ層１４０Ａの第１の部分は、膜層１２０によって覆われ、金属ナノワイヤ層１４０Ａの第２の部分は、膜層１２０から露出しており、膜層１２０は、成分Ａ及び成分Ｂを含む化合物／混合物を含む。成分Ａは、炭化水素基、カルボキシル基、スルホン酸基、アミン基、またはこれらの基に由来する官能基を有する組成物／化合物／誘導体を含み得、成分Ｂは、アクリレート、脂肪族、または芳香族官能基を有する組成物／化合物／誘導体などを含む。

成分Ａおよび成分Ｂを含む化合物は、以下の実施形態のタッチパネルの製造方法に適用することができる。まず、図１に示す構造を形成する。特定の工程は、以下を含み得る：基板１１０が提供される；基板１１０上には、金属ナノワイヤ１４０からなる金属ナノワイヤ層１４０Ａが配置されている；膜層１２０は、金属ナノワイヤ層１４０Ａ上に配置される；そして、膜層１２０は、導電層１３０Ａ上に配置される。図１に示す構造は、上記工程を終了した後に形成することができる。

図１に示される構造は、任意のプロセスによって製造することができ、本明細書に記載される工程に限定されない。

一実施形態では、基板１１０上に金属ナノワイヤ層１４０Ａを製造する方法は、以下の工程を含み得る：金属ナノワイヤ１４０を含む分散剤またはインクが、コーティング方法によって基板１１０上に成形され、金属ナノワイヤ１４０が、乾燥によって基板１１０の表面上に付着される。換言すると、金属ナノワイヤ１４０は、上記の乾燥および固定工程により、基板１１０上に配置された金属ナノワイヤ層１４０Ａとなるように成形される。基板１１０上に視覚領域ＶＡと周辺領域ＰＡを形成し、周辺領域ＰＡを視覚領域ＶＡの側縁に配置して、周辺領域ＰＡが視覚領域ＶＡの左領域と右領域に配置されるようにしてもよい。他の実施形態では、周辺領域ＰＡは視覚領域ＶＡの周囲の枠領域（すなわち、右側、左側、上側、および下側を含む）に配置されるか、又は、視覚領域ＶＡの２つの側に隣接するＬ字領域に配置される。

いくつかの実施形態において、基板１１０は、好ましくは透明基板であり、より具体的には、基板１１０は、硬質透明基板又は可撓性透明基板であり得、材料は、ガラス、強化ガラス、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリスチレン（ＰＳ）等を含む透明材料から選択される。

本出願の実施形態において、金属ナノワイヤ１４０を含む分散剤／インクは、水、アルコール、ケトン、エーテル、炭化水素などの溶媒又は芳香族溶媒（ベンゼン、トルエン、キシレン等）を含む。分散剤／インクは、カルボキシメチルセルロース（ＣＭＣ）、ヒドロキシエチルセルロース（ＨＥＣ）、ヒドロキシプロピルメチルセルロース（ＨＰＭＣ）、スルホネート、硫酸エステル、ジスルホン酸塩、スルホサクシネート、リン酸エステルフッ素化界面活性剤などの添加剤、界面活性剤、または結合剤を含むことができる。金属ナノワイヤ層１４０Ａは、銀ナノワイヤ層、金ナノワイヤ層、または銅ナノワイヤ層で構成され得るが、これらに限定されない。より具体的には、本明細書で使用される「金属ナノワイヤ」は、複数の元素金属、金属合金、または金属化合物（金属酸化物を含む）を含む金属ワイヤの集合体を指す総称であり、その中に含まれる金属ナノワイヤの数は、クレームされた本出願の範囲に影響を及ぼさず、かつ単一金属ナノワイヤの少なくとも１つの断面サイズ（すなわち、断面の直径）は、５００ｎｍ未満、好ましくは１００ｎｍ未満、より好ましくは５０ｎｍ未満である。本願において「ワイヤ」と呼ばれる金属ナノ構造は、１０〜１００，０００の間などの高いアスペクト比を有する。より具体的には、金属ナノワイヤのアスペクト比（長さ：断面の直径）は、１０よりも大きく、好ましくは５０よりも大きく、より好ましくは１００よりも大きくし得る。金属ナノワイヤは、（これらに限らないが）銀、金、銅、ニッケル、および金メッキ銀を含む任意の金属から形成され得る。シルク、ファイバー、チューブ等のような他のアイテムが上記のサイズおよび高アスペクト比を有する場合、それらも本出願の範囲に含まれる。

本出願のいくつかの実施形態において、金属ナノワイヤ１４０は、銀ナノワイヤ又は銀ナノファイバーとすることができ、約２０〜１００ｎｍの平均直径及び約２０〜１００μｍの平均長さ、好ましくは約２０〜７０ｎｍの平均直径及び約２０〜７０μｍの平均長さを有することができる（すなわち、アスペクト比は１０００）。いくつかの実施形態では、金属ナノワイヤ１４０は、７０ｎｍ〜８０ｎｍの直径および約８ｎｍの長さを有する。

金属ナノワイヤ１４０を含む分散剤またはインクは、これらに限定されないが、例えばスクリーン印刷、ノズルコーティング、ローラーコーティングなどのプロセスによって、任意の方法で基板１１０の表面に成形することができる。一実施形態では、ロールツーロール法を使用して、金属ナノワイヤ１４０を含む分散剤またはインクが連続的に供給され、基板１１０の表面を被覆することができる。上記固定／乾燥工程の後、溶媒等の物質を乾燥して揮発させ、金属ナノワイヤ１４０を基板１１０の表面にランダムに分布させる。好ましくは、金属ナノワイヤ１４０は、金属ナノワイヤ層１４０Ａを形成するため、脱落を避けるために基板１１０上に固定されて形成され、金属ナノワイヤ１４０は、導電性ネットワークを形成するための連続的な電流経路を提供するために、互いに接触可能である。金属ナノワイヤ層１４０Ａは、一種の導電性構造層を形成することもできる。

次に、膜層１２０を金属ナノワイヤ層１４０Ａ上に配置する。コーティング方法により金属ナノワイヤ層１４０Ａ上に適切なポリマー材料／混合物を形成し、固定工程の後に、金属ナノワイヤ層１４０Ａ上に膜層１２０を形成することができる。膜層１２０を製造するために使用される材料は、異なる官能基を有する２つ以上の材料を混合することによって形成されるコポリマーであり、好ましくは、アルカリ溶解性と改善された材料特性（例えば、限定されるものではないが、耐酸性、金属ナノワイヤ層１４０Ａの基板への接着の増加、耐摩耗性など）との両方を有する機能を有する。より具体的には、膜層１２０の材料は、成分Ａと成分Ｂとを含有する化合物を含む。成分Ａには、炭化水素基、カルボキシル基、スルホン酸基、アミン基等を有する組成物／化合物／誘導体、または上記基に由来する官能基が含まれ、主にアルカリ溶解性があり、このアルカリ溶解性とは、膜層１２０をアルカリ現像液やアルカリ離型剤等のアルカリ（ｐＨ＞７）溶媒に溶解可能であり、後工程において除去できることを意味する。成分Ｂは、主に、アクリレート類（すなわち、アクリリル（acrylyl）基を含有する化合物）、脂肪族化合物（例えば、限定されるものではないが、アルカン、アルケン、またはアルキンなど）、芳香族化合物（例えば、限定されるものではないが、単一の芳香族環、複数の環またはヘテロ原子環など）などを有する組成物／化合物／誘導体を含む物理的／機械的特性を提供する。成分ＡまたはＢは、プロセスの実際の要件を満たすように任意に選択およびマッチングすることができる。成分Ａ中の１種以上の化合物と成分Ｂ中の１種以上の化合物とを混合することにより、コポリマーを形成することができる。好ましくは、コポリマー中の成分Ｂの割合（例えば、限定されるものではないが、重量比または体積比）は、コポリマー中の成分Ａの割合以上であり、例えば、成分Ａと成分Ｂの割合は、約１：１〜１：５とすることができる。さらに、上記コポリマーと、アルコール類、ケトン類、エステル類、エーテル類等の溶媒とを単独で、または２種以上の溶媒を組み合わせて混合することができ、そのため、コポリマーはコーティング工程に有利である。また、架橋剤、重合禁止剤、安定剤（例えば、限定されるものではないが、酸化防止剤、ＵＶ安定剤など）、界面活性剤、又はこれらの類似体若しくは混合物を、上記コポリマー又は混合物に添加してもよい。他の実施形態では、上記のコポリマーは、１種以上の腐食防止剤をさらに含むことができる。

一実施形態において、膜層１２０は、成分Ａとして酸無水物（例えば、限定されるものではないが、無水酢酸またはギ酸無水酢酸（formic acetic anhydride）など）が選択された成分Ａと、酸無水物が同じ酸素原子に結合した２つのアシル基を有する有機化合物であり、アシル基が水酸基に由来する官能基またはカルボン酸に由来する官能基である、アクリル系高分子材料（例えば、限定されるものではないが、ポリ（メチルメタメタクリレート（methylmethmethacrylate））（ＰＭＭＡ）など）の成分Ｂと、を混合して調製することができる。コポリマー中の成分Ａと成分Ｂの重量比を１：１に調整した場合、ｐＨ＝６〜６．５の酸性溶液の溶解度は約２５〜７０ｍｇ／ｍｉｎ／ｇである。コポリマー中の成分Ａと成分Ｂの重量比を１：２に調整した場合、ｐＨ≦７．０の酸性溶液の溶解度は約０ｍｇ／ｍｉｎ／ｇである。したがって、耐酸性を考慮すると、コポリマー中の成分Ｂの重量比は、コポリマー中の成分Ａの重量比以上である。好ましくは、成分Ａと成分Ｂの重量比は１：１〜１：３の範囲とすることができる。より好ましくは、成分Ａと成分Ｂの重量比は、１：１．５〜１：２とすることができる。

一実施形態において、膜層１２０は、成分Ａから選択される２種類の官能基を有する化合物と成分Ｂから選択される１つの官能基を有する化合物とのコポリマーにより調製される。具体的には、成分Ａを形成するために、炭化水素官能基（例えば、限定されるものではないが、メタクリル酸など）を有する化合物と、カルボキシル官能基（例えば、限定されるものではないが、マレイン酸など）を有する化合物とを混合し、２つの化合物の比は約１：１〜１：３とすることができる。成分Ｂとして、アクリレート化合物／誘導体（例えば、限定されるものではないが、ポリアクリレートまたはポリアクリロニトリルなど）が選択される。前述の実施形態と同様に、成分Ａと成分Ｂの重量比は１：１〜１：３とすることができる。好ましくは、成分Ａと成分Ｂの重量比は、１：１．５〜１：２とすることができる。また一方で、膜層１２０は、上記２成分を必要に応じて適切な割合で混合したコポリマーによって調整してもよい。

一実施形態において、膜層１２０は、ヒドロカルビル官能基（例えば、限定されるものではないが、メタクリル酸など）を有する化合物が選択される成分Ａと、フェノールメタン（ビスフェノールＡ、ＢＰＡ（商品名はＥＰＯＮ２００２））が選択される成分Ｂと、が混合されたコポリマーによって調製される。上記のように、耐酸性を考慮して、コポリマー中の成分Ｂの重量比は、コポリマー中の成分Ａの重量比以上である。好ましくは、成分Ａと成分Ｂの重量比は１：１〜１：３の範囲とすることができる。より好ましくは、成分Ａと成分Ｂの重量比は１：１．５〜１：２とすることができる。

一実施形態において、膜層１２０は、成分Ａとして炭化水素官能基（例えば、限定されるものではないが、メタクリル酸など）を有する化合物が選択される成分Ａと、成分Ｂとして炭化水素オレフィン／フルオロ−オレフィンコポリマー（商品名Ｌｕｍｉｆｌｏｎ）が選択される成分Ｂと、を混合して調製することができる。上記のように、耐酸性を考慮して、コポリマー中の成分Ｂの重量比は、コポリマー中の成分Ａの重量比以上である。好ましくは、成分Ａと成分Ｂの重量比の範囲は、約１：１〜１：３とすることができる。より好ましくは、成分Ａと成分Ｂの重量比は約１：１．５〜１：２とすることができる。

この工程では、コポリマーまたはそれらの混合物はコーティング方法によって金属ナノワイヤ層１４０Ａ上に成形することができ、フィラーは金属ナノワイヤ１４０間をコポリマーが浸透することによって形成することができ、また、固定工程は、オーバーコートまたはマトリクスとも呼ばれ得る膜層１２０を形成するために行われる。換言すると、金属ナノワイヤ１４０は膜層１２０に埋め込まれているとみなすこともできる。特定の一実施形態では、固定工程は、以下の工程を含むことができる：上記のコポリマーまたはそれらの混合物を加熱および焼成（温度は約６０℃〜約１５０℃である）することによって、金属ナノワイヤ層１４０Ａ上に膜層１２０を形成すること。しかしながら、本出願は、膜層１２０と金属ナノワイヤ層１４０Ａとの間の前述の物理的構造に限定されない。例えば、膜層１２０と金属ナノワイヤ層１４０Ａとは、２層構造を規定するための２層スタックであってもよく、又は、膜層１２０と金属ナノワイヤ層１４０Ａとを積層することによって複合層が形成されてもよい（すなわち、複合型の導電性構造層）。明確な説明のために、膜層１２０および金属ナノワイヤ層１４０Ａは、本出願における２層構造を規定するために、２層スタックとして描かれる。

次に、導電層１３０Ａを膜層１２０上に配置する。導電層１３０Ａは、主に周辺領域ＰＡに用いられ、周辺回路１３０（図４参照）を形成する。具体的な方法は、導電層１３０Ａの形成は、銅層等の金属層を膜層１２０の上にコーティングすることによって行われる。他の具体的な方法としては、限定されるものではないが、導電層１３０Ａの形成は、銀ペースト材料を周辺領域ＰＡにコーティングした後、銀ペースト材料を固定することができる。特定の一実施形態では、銀ペースト材料固定工程の温度は約９０℃〜１１０℃であり、固定時間は約１０〜２０分である。

次に、図１に示す構造に基づいて、以下の工程を行う：感光材料（例えば、フォトレジストなど）をコーティングしてフォトレジスト層１５０を形成する工程、フォトレジスト層１５０をパターニングしてパターニングされたフォトレジストを形成する工程、及び、導電層１３０Ａ、膜層１２０および金属ナノワイヤ層１４０Ａをパターニングしてタッチパネル１００を完成させる工程。この方法は、例えば、限定されるものではないが、次の工程である：図２を参照すると、フォトレジスト層１５０が導電層１３０Ａ上に形成される。より具体的には、スクリーン印刷、ノズルコーティング、ローラーコーティング等の方法により、感光材料を導電層１３０Ａ上にコーティングした後、約８０℃〜約１２０℃に加熱して固定し、フォトレジスト層１５０を形成することができる。この方法で使用されるフォトレジストは、ポジ型又はネガ型の感光性材料であってもよい。本実施形態では、ポジ型感光材料を用いて説明する。

次に、図３を参照すると、フォトレジスト層１５０がパターニングされる。具体的には、第１のリソグラフィ工程では、フォトレジスト層１５０を覆うためにフォトマスクを使用し、約２００ｍｊ／ｃｍ^２〜約５０００ｍｊ／ｃｍ^２の露光エネルギーを有する露光源（紫外線など）を使用して、フォトレジスト層１５０にフォトマスクのパターンを転写することにより、視覚領域ＶＡ及び周辺領域ＰＡにフォトレジスト層１５０のパターンを画定する。以下の実施形態では、適切な現像液（developing solution）を用いて露光領域のフォトレジスト層１５０を除去する。具体的には、露光領域のフォトレジスト層１５０をＴＭＡＨ、ＫＯＨ、ＮａＯＨ等を用いて除去してもよい。リソグラフィプロセス（例えば、露光、現像などの工程）は一般的なプロセスであり、ここでは説明しない。

次に、図４を参照すると、導電層１３０Ａがパターニングされる。一実施形態では、導電層１３０Ａは銅層である。この工程では、フォトレジスト層１５０をエッチングマスクとして銅層をパターニングする。特定の一実施形態では、銅エッチング液（すなわち、第１のエッチング液）の主成分はＣＨ_３ＣＯＯＨとＮＨ_４ＯＨであり、このエッチング工程で周辺領域ＰＡに位置する銅層から周辺回路１３０が形成される。さらに、視覚領域ＶＡの銅層は、次の工程で除去される。また、銅層をパターニングすることで膜層１２０の一部が露出し、その後の工程で現像液と接触させることで露出した膜層１２０を除去することができる。

次に、図５を参照すると、フォトレジスト層１５０の一部および膜層１２０の一部が除去される。具体的には、この工程において視覚領域ＶＡのフォトレジスト層１５０を除去し、また、導電層１３０Ａ／周辺回路１３０（すなわち、図４を参照して言及される工程で露出される膜層１２０）に覆われていない視覚領域ＶＡ及び周辺領域ＰＡの膜層１２０もこの工程において除去する。より具体的には、まず、露光工程により視覚領域ＶＡのフォトレジスト層１５０を除去した後、現像液を用いて視覚領域ＶＡのフォトレジスト層１５０を除去する。一方、膜層１２０の材料に含まれる成分Ａのアルカリ溶解性により、膜層１２０は現像液に溶解し、除去される。すなわち、第２のリソグラフィ工程において、現像液は、フォトレジスト層１５０の一部及び膜層１２０の一部を除去することができる。フォトレジスト層１５０の一部および膜層１２０の一部は、ＴＭＡＨ、ＫＯＨ、ＮａＯＨなどの塩基性（ｐＨ＞７）現像液を用いて特異的に除去される。さらに、膜層１２０がパターン化されるため、金属ナノワイヤ層１４０Ａは部分的に露出される。

次に、図６を参照すると、導電層１３０Ａの一部および金属ナノワイヤ層１４０Ａの一部が除去される。具体的には、本工程では、視覚領域ＶＡにおける導電層１３０Ａを除去するとともに、視覚領域ＶＡにおける金属ナノワイヤ層１４０Ａ及び膜層１２０に覆われていない周辺領域ＰＡ（すなわち、図５に関して言及される工程において露出される金属ナノワイヤ層１４０Ａ）も、本工程において除去される。より具体的には、本工程では、金属ナノワイヤ層１４０Ａと導電層１３０Ａとを同時にエッチング可能な銅エッチング液（すなわち、第２のエッチング液）が、視覚領域ＶＡに位置する導電層１３０Ａと、視覚領域ＶＡおよび周辺領域ＰＡから露出する金属ナノワイヤ層１４０Ａとを同一工程で除去するために用いられる。

特定の一実施形態によれば、金属ナノワイヤ層１４０Ａがナノ銀層であり、導電層１２０Ａが銅層であるとしても、Ｈ_３ＰＯ_４（比率は５％〜１５％の間）およびＨＮＯ_３（比率は５５％〜７０％の間）などのエッチング液を用いて銅および銀をエッチングし、銅および銀の材料を同じプロセスで除去することができる。別の特定の実施形態では、銅および銀のエッチング比を調整するために、エッチング選択比の調整剤などの添加剤をエッチング液の主成分に添加することができる。例えば、主成分であるＨ_３ＰＯ_４（比率は５％〜１５％の間）及びＨＮＯ_３（比率は５５％〜７０％）に、５％〜１０％のベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）を添加して、銅のオーバーエッチングの問題を解決してもよい。

上記エッチング工程の後、パターニングされた金属ナノワイヤ層１４０Ａが形成される。視覚領域ＶＡにおいて、センシング電極は、パターン化された金属ナノワイヤ層１４０Ａ（すなわち、後述するタッチセンシング電極ＴＥ）で構成されてもよく、非導電性領域１３６（エッチング領域とも呼ばれる）は、隣接するセンシング電極間にある。周辺領域ＰＡにおいて、パターニングされた金属ナノワイヤ層１４０Ａは、周辺回路１３０に対応する。具体的には、周辺領域ＰＡにおける金属ナノワイヤ層１４０Ａは、周辺回路１３０と同じパターンを有し、これにより、複数の位置合わせに起因する歩留まりの低下という従来の問題を回避し、周辺回路１３０の幅を、ディスプレイの狭いフレームの要件を可能な限り満たすよう減少させるように、位置合わせプロセスの際に必要とされる指定された位置合わせ（reserved alignment）を減らす。好ましくは、周辺領域ＰＡにおいて、パターニングされた金属ナノワイヤ層１４０Ａ、周辺回路１３０、および膜層１２０の側面は、互いに整列されて、同一平面上の表面を形成する。金属ナノワイヤ層１４０Ａおよび膜層１２０は、実質的に複合透明導電構造を形成することは注目に値する。したがって、周辺回路１３０は、透明導電構造と後述するタッチセンシング電極ＴＥとを電気的に接続することにより、信号伝送の効果を得ることができる。この実施形態では、非導電性領域１３６は間隙であり、これは、固体材料が非導電性領域１３６内に位置しないことを意味する。換言すると、非導電性領域１３６における金属ナノワイヤ１４０の濃度はゼロであり、そのようなエッチング工程は、フルエッチングまたはオーバーエッチングと呼ばれ得る。

一実施形態では、上述のエッチングプロセスは、非導電性領域１３６内の金属ナノワイヤ１４０を完全に除去しない。換言すると、金属ナノワイヤ１４０は、非導電性領域１３６内に残るが、残りの金属ナノワイヤ１４０の濃度は、パーコレーション閾値よりも低い。このようなエッチング工程は、不完全エッチングまたは部分エッチングと呼ばれ得る。金属ナノワイヤ１４０の導電性は、主に、以下の要因によって制御され得る：ａ）単一の金属ナノワイヤ１４０の導電性、ｂ）金属ナノワイヤ１４０の数、及びｃ）これらの金属ナノワイヤ１４０の接続性（connectivity）（接触（contact）とも呼ばれる）。金属ナノワイヤ１４０の濃度がパーコレーション閾値よりも低い場合、金属ナノワイヤ層の全体的な導電率は、非常に低いか、またはゼロですらあるが、これは、金属ナノワイヤ１４０間の間隔が遠すぎるためであり、それは、非導電性領域１３６の金属ナノワイヤ１４０内に連続的な電流経路が提供されないことを意味する。したがって、導電性ネットワークを形成することができない。すなわち、非導電性領域１３６の金属ナノワイヤ１４０に形成されるものは、非導電性のネットワークである。一実施形態では、領域または構造のシート抵抗は、以下の範囲で非導電性であると考えることができる：シート抵抗は、１０８オーム／スクエアより大きい、１０４オーム／スクエアより大きい、３０００オーム／スクエアより大きい、１０００オーム／スクエアより大きい、３５０オーム／スクエアより大きい、または１００オーム／スクエアより大きい。換言すれば、本実施形態では、隣接する導電回路（例えば、タッチセンシング電極ＴＥまたは周辺回路１３０）間の非導電性領域１３６を、隣接する導電回路間の絶縁を達成するように、非導電性ネットワークを形成するパーコレーション閾値よりも低い濃度を有する金属ナノワイヤ１４０で充填してもよい。

次に、図７を参照すると、フォトレジスト層１５０の一部および膜層１２０の一部が除去される。具体的には、この工程では、周辺領域ＰＡのフォトレジスト層１５０（すなわち、図６に関して言及した工程の後に残るフォトレジスト）を除去し、視覚領域ＶＡの膜層１２０（すなわち、図６に関して言及された露出した膜層１２０）も除去する。具体的には、まず、露光工程を用いて周辺領域ＰＡのフォトレジスト層１５０を除去可能にした後、現像液を用いて周辺領域ＰＡのフォトレジスト層１５０を除去する。一方、膜層１２０の材料に含まれる成分Ａのアルカリ溶解性により、膜層１２０は現像液に溶解除去される。すなわち、第３のリソグラフィ工程では、フォトレジスト層１５０の一部及び膜層１２０の一部を現像液により除去することができる。ＴＭＡＨ、ＫＯＨ、ＮａＯＨなどの塩基性（ｐＨ＞７）現像液を用いて、周辺領域ＰＡのフォトレジスト層１５０および視覚領域ＶＡの膜層１２０を除去し、膜層１２０がパターニングされているために視覚領域ＶＡの金属ナノワイヤ層１４０Ａ（すなわち、後述するタッチセンシング電極ＴＥ）が露出する場合にも、上記と同様の工程を行うことができる。

これまでのところ、膜層１２０は、視覚領域ＶＡ内の金属ナノワイヤ層１４０Ａ上にない。すなわち、上述した金属ナノワイヤ層１４０Ａの第２の部分は、タッチセンシング電極ＴＥを形成し、周辺領域ＰＡの金属ナノワイヤ層１４０Ａは、膜層１２０によって覆われる。すなわち、上述した金属ナノワイヤ層１４０Ａの第１の部分と、周辺領域ＰＡにおける金属ナノワイヤ層１４０Ａ、膜層１２０および周辺回路１３０とが、互いに周辺配線を形成していると考えることができる。本実施形態の電極構造体は、上記構成からなる。視覚領域ＶＡにおける金属ナノワイヤ層１４０Ａは、膜層１２０によって覆われていないので、膜層１２０による視覚効果の光学的な影響を低減することができる。

上記の各プロセスは、製造の例示的な説明「膜層１２０によって覆われる金属ナノワイヤ層１４０Ａの第１の部分、および膜層１２０から露出される金属ナノワイヤ層１４０Ａの第２の部分」を記述するためにのみ使用され、本出願を限定することを意図しない。

図８は、基板１１０、周辺配線、およびタッチセンシング電極ＴＥを含む、本出願の一実施形態によるタッチパネル１００を示す。周辺領域ＰＡは、周辺回路１３０、膜層１２０、および周辺回路１３０の下にある金属ナノワイヤ層１４０Ａを有し、周辺配線は、対応する周辺回路１３０、膜層１２０、および金属ナノワイヤ層１４０Ａで構成される。視覚領域ＶＡは、金属ナノワイヤ層１４０Ａからなるタッチセンシング電極ＴＥを有し、タッチセンシング電極ＴＥ上には膜層１２０が存在しないため、より良好な視覚効果を得ることができる。さらに、タッチセンシング電極ＴＥは、周辺配線／周辺回路１３０に電気的に接続されて、制御信号およびタッチセンシング信号を送信してもよい。

また、図８および図８Ａに示すように、この実施形態におけるタッチセンシング電極ＴＥは、通常、視覚領域ＶＡに配置され、非千鳥配置に置かれる。換言すると、タッチセンシング電極ＴＥは、同じ方向（例えば、第１の方向Ｄ１）に沿って延在する複数の帯状センシング電極を含むことができ、第２の方向Ｄ２における各センシング電極のサイズは増大または減少し、エッチング除去領域は、非導電性領域１３６として規定することができ、非導電性領域１３６は、隣接するセンシング電極間に配置されて、隣接するセンシング電極を電気的に絶縁する。本実施形態では、基板１１０の周辺領域ＰＡに合計８組の周辺回路１３０が配置されている。非導電性領域１３６は、各スタック構造（すなわち、周辺回路１３０、膜層１２０、および金属ナノワイヤ層１４０Ａからなる周辺配線）の間にあり、隣接する周辺回路１３０を電気的に絶縁する。この実施形態では、非導電性領域１３６は、隣接する周辺回路１３０または隣接するセンシング電極を分離するための間隙である。一実施形態では、上記エッチング方法を用いて上記間隙を作製することができ、上記エッチング工程により、金属ナノワイヤ層１４０Ａの側面（すなわち、エッチングされた表面）から金属ナノワイヤが突出しないようにする。また、周辺領域ＰＡにおける周辺回路１３０、膜層１２０および金属ナノワイヤ層１４０Ａは、同一または類似のパターン、長く直線状のパターンなどのサイズ、および同一または類似の幅を有する。

図９は、本出願の別の実施形態によるタッチパネル１００を示し、この実施形態と図８／図８Ａに示す実施形態との相違点は、少なくとも、タッチパネル１００が保護層１６０をさらに含むことができることである。保護層１６０は、タッチセンシング電極ＴＥ／周辺領域ＰＡにおける周辺回路１３０、膜層１２０、金属ナノワイヤ層１４０Ａを覆っており、タッチパネルの傷や磨耗に対する表面保護性が向上している。この場合、保護層１６０はハードコートとも呼ばれ、ポリアクリレート、エポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリシラン、ポリシロキサン、ポリ（シリコン−アクリル）等を用いることにより、表面強度が高くなり、耐擦傷性が向上する。さらに、保護層１６０にＵＶ安定剤を添加して、タッチパネルのＵＶ耐性を高めてもよい。

本願の一実施形態は、さらに、両面／両面（dual-sided/double-sided）タッチパネル１００を提供する。図１０に示されるように、金属ナノワイヤ層１４０Ａ、膜層１２０、および導電層１３０Ａは、上述の各プロセスに従って、基板１１０の第１の表面（上面等）上および第２の表面（下面）上に製造される。前述の説明を参照し、ここでは説明を省略する。具体的には、視覚領域ＶＡにおいて、基板１１０の第１の表面上に第１のタッチセンシング電極ＴＥ１が形成され、基板１１０の第２の表面上に第２のタッチセンシング電極ＴＥ２が形成される。周辺領域ＰＡにおいても、基板１１０の第１及び第２の表面上に、周辺回路１３０、膜層１２０及び金属ナノワイヤ層１４０Ａを有する周辺配線が配置され、周辺回路１３０が第１のタッチセンシング電極ＴＥ１及び第２のタッチセンシング電極ＴＥ２に接続されている。一実施形態では、第１のタッチセンシング電極ＴＥ１は、視覚領域ＶＡに略位置しており、同じ方向（第１の方向Ｄ１など）に沿って延びる複数の長い帯状のセンシング電極を含むことができ、エッチングによって除去された領域は、隣接する第１のタッチセンシング電極ＴＥ１を電気的に絶縁するための非導電性領域１３６として規定することができる。同様に、第２のタッチセンシング電極ＴＥ２は、視覚領域ＶＡに略位置しており、同じ方向（第２の方向Ｄ２など）に沿って延びる長い帯状の複数のセンシング電極を含むことができ、エッチングによって除去された領域は、隣接する第２のタッチセンシング電極ＴＥ２を電気的に絶縁するための非導電性領域１３６として規定することができる。

第１のタッチセンシング電極ＴＥ１と第２のタッチセンシング電極ＴＥ２とは、構造中に千鳥状に配置されており、２つのタッチセンシング電極ＴＥ１、ＴＥ２がタッチセンシング電極ＴＥとして機能し、デバイス上のタッチや制御のジェスチャーを感知する。第１のタッチセンシング電極ＴＥ１及び第２のタッチセンシング電極ＴＥ２はいずれも膜層１２０に覆われていないので、視覚／光学効果及び品質を向上させることができる。

本願の一実施形態では、タッチパネル１００がさらに提供される。図１１に示すように、第１の基板１１０Ａ上及び第２の基板１１０Ｂ上に、金属ナノワイヤ層１４０Ａ、膜層１２０及び導電層１３０Ａを製造した後、上記工程によるパターニング等を含む各工程を行う。詳細は前述の説明を参照し、ここでは説明を省略する。具体的には、視覚領域ＶＡでは、第１の基板１１０Ａ上に、第１のタッチセンシング電極ＴＥ１と、周辺回路１３０、膜層１２０、金属ナノワイヤ層１４０Ａからなる周辺配線とが形成され、第２の基板１１０Ｂ上に、第２のタッチセンシング電極ＴＥ２と、周辺回路１３０、膜層１２０、金属ナノワイヤ層１４０Ａを有する周辺配線とが形成される。一実施形態では、第１の基板１１０Ａと第２の基板１１０Ｂとは互いに結合することができる。例えば、光学的に透明な接着剤（図に示されていないＯＣＡ）を用いて２枚の基板を貼り合わせて固定し、第１のタッチセンシング電極ＴＥ１と第２のタッチセンシング電極ＴＥ２とを構造中に千鳥状に配置されてさらにタッチセンシング電極ＴＥを構成する。さらに、図１１に示すように、第１の基板１１０Ａと第２の基板１１０Ｂとを互いに反対方向に貼り合わせる。また一方、２つの基板を同じ方向に貼り合わせてアセンブルすることもできる。

図１２は、本出願のタッチパネル１００の別の実施形態を示し、片面ブリッジタッチパネルである。本願のいくつかの実施形態において、本実施形態と上記実施形態との相違点は、少なくとも、上記パターニング工程後の基板１１０に形成されたタッチセンシング電極ＴＥ（すなわち、金属ナノワイヤ層１４０Ａ）が、第１の方向Ｄ１に沿って配置された第１のタッチセンシング電極と、第２の方向Ｄ２に沿って配置された第２のタッチセンシング電極と、隣接する第１のタッチセンシング電極に電気的に接続された接続電極ＣＥとを有していてもよいことである。また、接続電極ＣＥ上に例示的に二酸化シリコンからなる絶縁ブロック１６４を配置し、絶縁ブロック１６４上に例示的にＣｕからなるブリッジ導体１６２をさらに配置し、接続電極ＣＥとブリッジ導体１６２とを電気的に絶縁するために、接続電極ＣＥとブリッジ導体１６２との間に絶縁ブロック１６４を置いた、第２の方向Ｄ２において隣接する２つの第２のタッチセンシング電極ＴＥ２にブリッジ導体１６２を接続し、第１の方向Ｄ１及び第２の方向Ｄ２のタッチ電極を互いに電気的に絶縁してもよい。

さらに、図１２に示される実施形態では、金属ナノワイヤ層１４０Ａ、膜層１２０、および周辺回路１３０を有する周辺配線は、周辺領域ＰＡに置かれてもよく、ボンディングパッド１７０は、周辺回路１３０の端にある。詳細なプロセスについては、前述の説明を参照し、ここでは説明を省略する。上述した実施形態と同様に、第１のタッチセンシング電極ＴＥ１及び第２のタッチセンシング電極ＴＥ２は、膜層１２０で覆われていないので、撮像表示の品質及び光学性能を向上させることができる。

一実施形態では、本出願のタッチパネル１００（例えば、前述の片面タッチパネル１００、両面／両面（dual-sided/double-sided）タッチパネル１００等）は、光学的に透明な接着剤（ＯＣＡ）を用いて外側カバーガラス（保護ガラスとも呼ばれるが、図には示されていない）に接着することができ、また、タッチ機能を有するディスプレイを形成するために他の電子デバイス（液晶表示素子又は有機発光ダイオード表示素子等）とアセンブルすることもできる。

一実施形態では、形成された金属ナノワイヤ１４０の導電性は、後処理を行うことによってさらに改善され得る。後処理は、加熱、プラズマ、コロナ放電、ＵＶオゾン、または圧力などの各プロセスまたは各工程を含むことができる。例えば、金属ナノワイヤ層１４０Ａを形成するために固定する工程の後、ローラを使用して、その上に圧力を与えることができる。一実施形態では、１つまたは複数のローラによって提供される金属ナノワイヤ層１４０Ａに５０〜３４００ｐｓｉを適用することができ、好ましくは、提供される圧力は、１００〜１０００ｐｓｉ、２００〜８００ｐｓｉ、または３００〜５００ｐｓｉである。一部の実施形態では、後処理の加熱および圧力を同時に行うことができる。詳細には、上述のような１つまたは複数のローラによって提供される圧力および加熱は、同時に、形成された金属ナノワイヤ１４０に加えられ得る。例えば、ローラによって提供される圧力は、１０〜５００ｐｓｉ、又は４０〜１００ｐｓｉである。一方、ローラは、約７０℃〜２００℃、または約１００℃〜１７５℃に加熱され、これにより、金属ナノワイヤ層１４０Ａの導電性を高めることができる。一部の実施形態では、金属ナノワイヤ１４０は、好ましくは後処理用の還元剤に曝され、例えば、銀ナノワイヤからなる金属ナノワイヤ１４０は、好ましくは後処理用の銀還元剤に曝され、銀還元剤は、水素化ホウ素ナトリウムなどのボロハイドライド、ジメチルアミノボラン（ＤＭＡＢ）などのホウ素窒素化合物、または水素（Ｈ_２）などのガス還元剤を含む。曝露時間は、約１０秒〜約３０分、又は約１分〜約１０分である。上記の加圧工程は、実際の需要に応じた適切な工程で実施することができる。

本願の異なる実施形態における構造、材料、およびプロセスは、相互に参照することができ、上記の特定の実施形態に限定されない。

本出願のいくつかの実施形態において、視覚領域（可視領域とも呼ばれる）内の金属ナノワイヤ層を膜層から露出させ、タッチセンシング電極を形成する。したがって、全体として、膜層の光学特性の損失を低減し、特に、表示素子に適用される撮像の出力品質を向上させるのに役立つ。

本願のいくつかの実施形態では、周辺回路の複合構造層は、導電性の良好な上層の金属と外部回路基板の半田パッドとを用いて低インピーダンスの導電回路を形成して、タッチ信号の伝送を改善し、それによって、タッチ信号の伝送の損失および歪みを低減することができる。

本願のいくつかの実施形態では、周辺回路の複合構造層を、位置合わせなしでエッチングプロセスによって形成することができ、したがって、位置合わせ工程における誤差を回避して、プロセス歩留まりを改善することができる。同時に、指定された位置合わせの誤差スペースを減少させることができ、周辺領域の幅を効果的に減少させ、狭幅／超狭幅フレームを形成することができる。

本出願のいくつかの実施形態では、プロセスをロールツーロール製造技術と組み合わせて、片面／両面電極構造体を有するタッチパネルを連続的かつ多数のバッチで形成することができる。

本出願を例として、好ましい実施形態の観点から説明したが、本出願は開示された実施形態に限定されないことを理解されたい。
反対に、本発明は、（当業者に明らかなように）様々な修正および同様の構成をカバーすることを意図している。したがって、添付の特許請求の範囲は、そのようなすべての修正および類似の構成を包含するように、最も広い解釈を与えられるべきである。

Claims (14)

1. 金属ナノワイヤを有する金属ナノワイヤ層と、
   膜層と、を含み、
   前記金属ナノワイヤ層の第１の部分は、前記膜層によって覆われ、
   前記金属ナノワイヤ層の第２の部分は、前記膜層から露出され、
   前記膜層は、異なる官能基を有する２種以上の材料を混合することによって形成されたコポリマーからなる、
   電極構造体。
2. 前記膜層は成分Ａと成分Ｂとを含み、
   前記成分Ａは、炭化水素基、カルボキシル基、スルホン酸基、アミン基、前記炭化水素基、前記カルボキシル基、前記スルホン酸基若しくは前記アミン基の少なくとも１つに由来する官能基、又はそれらの誘導体を有する化合物を含み、
   前記成分Ｂは、アクリレート官能基、芳香族官能基、脂肪族官能基、又はそれらの誘導体を有する化合物を含む、請求項１に記載の電極構造体。
3. 前記コポリマー中の前記成分Ａと前記成分Ｂの比が１：１〜１：５である、請求項２に記載の電極構造体。
4. 前記膜層が塩基性溶媒に溶解されている、請求項１に記載の電極構造体。
5. 前記金属ナノワイヤ層の前記第１の部分の前記金属ナノワイヤは、複合導電層を形成するために前記膜層に埋め込まれる、請求項１に記載の電極構造体。
6. 基板と、
   金属ナノワイヤを有する金属ナノワイヤ層と、
   異なる官能基を有する２種以上の材料を混合することによって形成されるコポリマーからなる膜層と、
   周辺配線と、を含み、
   前記金属ナノワイヤ層の第１の部分は、前記膜層によって覆われ、
   前記金属ナノワイヤ層の第２の部分は、前記膜層から露出され、
   タッチセンシング電極は、前記金属ナノワイヤ層の前記第２の部分を含み、
   前記周辺配線は、周辺回路と、前記膜層と、前記金属ナノワイヤ層の前記第１の部分とを含み、
   前記タッチセンシング電極は周辺配線に電気的に接続される、
   タッチパネル。
7. 前記膜層は成分Ａと成分Ｂとを含み、
   前記成分Ａは、炭化水素基、カルボキシル基、スルホン酸基、アミン基、前記炭化水素基、前記カルボキシル基、前記スルホン酸基若しくは前記アミン基の少なくとも１つに由来する官能基、又はそれらの誘導体を有する化合物を含み、
   前記成分Ｂは、アクリレート官能基、芳香族官能基、脂肪族官能基、又はそれらの誘導体を有する化合物を含む、請求項６に記載のタッチパネル。
8. 前記コポリマー中の前記成分Ａと前記成分Ｂとの比率が１：１〜１：５である、請求項７に記載のタッチパネル。
9. 前記膜層が塩基性溶媒に溶解されている、請求項６に記載のタッチパネル。
10. 前記金属ナノワイヤ層の前記第１の部分の前記金属ナノワイヤは、複合導電層を形成するために前記膜層に埋め込まれる、請求項６に記載のタッチパネル。
11. 前記タッチセンシング電極は、複数のセンシング電極を備え、非導電性領域が、前記複数のセンシング電極の２つの隣接するセンシング電極の間にある、請求項６に記載のタッチパネル。
12. 前記非導電性領域は間隙である、請求項１１に記載のタッチパネル。
13. 前記複数のセンシング電極は、前記基板の第１の表面上および第２の表面上に配置される、請求項１１に記載のタッチパネル。
14. 前記タッチセンシング電極は、
    第１の方向に沿って配列された複数の第１のタッチセンシング電極と、
    第２の方向に沿って配列された複数の第２のタッチセンシング電極と、
    前記複数の第１のタッチセンシング電極の２つの隣接する第１のタッチセンシング電極に電気的に接続された接続電極と、
    前記接続電極上に配置された絶縁ブロックと、
    前記絶縁ブロック上に配置されたブリッジ導体と、を含み、前記ブリッジ導体は、前記複数の第２のタッチセンシング電極の隣接する２つの第２のタッチセンシング電極に接続される、請求項６に記載のタッチパネル。

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