JP2020153756A - α線検出装置およびα線検出方法 - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は上述した事情に鑑みてなされたものであり、α線を高精度に計測できるα線検出装置およびα線検出方法を提供することを目的とする。
〈第1実施形態の構成および動作〉
図1は、本発明の第1実施形態によるα線検出装置1のブロック図である。α線検出装置1は、α線とγ線とが混在した放射線200の中から、α線の計数率等を計測しようとするものである。図示のように、α線検出装置1は、半導体放射線検出器10と、バイアス印加装置20と、信号処理装置30と、表示装置40と、を備えている。
A=1−exp(−μ・ρ・Ld) ・・・式(1)
なお、expは、e(ネイピア数)のべき乗である。
ここで、十分小さな空乏層厚Ldに対して式(1)は下式(2)のように近似される。
A≒μ・ρ・Ld ・・・式(2)
B=X・S/β ・・・式(3)
式(2)および式(3)により、半導体放射線検出器10の計数率C[count/h]は式(4)の通りになる。
C=A・B=μ・ρ・Ld・X・S/β ・・・式(4)
μ=8.047x10-2
ρ=3.52
β=2.84(ICRP Publication74(1997)より)
以上のように本実施形態のα線検出装置(1)によれば、バイアス電圧(Vb)が印加されると、バイアス電圧(Vb)に応じた空乏層厚(Ld)を有する空乏層(101)が発生する半導体放射線検出器(10)と、空乏層(101)に入射したα線が正孔−電子対を形成し、かつ、空乏層(101)に入射したγ線が空乏層(101)を透過するレベルのバイアス電圧(Vb)を半導体放射線検出器(10)に印加するバイアス印加装置(20)と、半導体放射線検出器(10)の出力信号に基づいて、α線とγ線とが含まれる放射線(200)からα線の量を計測する信号処理装置(30)と、を備える。
なお、本実施形態においては、エネルギー計測を行うことは必須ではないが、エネルギー計測を行うことによって、更なるノイズ低減や、線種評価等を実現することも可能であり、これによって一層高精度なα線計測を実現することもできる。
〈第2実施形態の構成および動作〉
次に、本発明の第2実施形態について説明する。なお、以下の説明において、第1実施形態の各部に対応する部分には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。
図3は、第2実施形態によるα線検出装置2のブロック図である。図示のように、α線検出装置2は、半導体放射線検出器10と、バイアス印加装置20と、信号処理装置30と、表示装置40と、を備えており、これらは第1実施形態のもの(図1参照)と同様である。α線検出装置2は、さらに、計測制御装置50と、補正処理装置60と、を備えている。
図4に実線で示す特性210は、放射線200がγ線のみである場合の特性である。式(4)および図4の特性210に示すように、測定環境が固定されている場合は、γ線の計数率は空乏層厚Ldに正比例する。一方、破線で示す特性220は、
(A)放射線200にα線が含まれており、かつ、
(B)空乏層厚Ldが0の場合であっても、空乏層101が充分にα線を吸収する
と仮定した場合の特性である。上記(B)の条件によれば、放射線200にα線が含まれる場合は、図示のように空乏層厚Ld=0に対してオフセットカウントCfが発生する。
・手順2−1:信号処理装置30およびバイアス印加装置20が、半導体放射線検出器10に対して、バイアス電圧Vb1を印加することにより、空乏層厚Ldを例えば30[μm]に設定し、放射線200の計数率(図4における計数率C1)を測定する。
・手順2−2:信号処理装置30およびバイアス印加装置20が、半導体放射線検出器10に対して、バイアス電圧Vb2を印加することにより、空乏層厚Ldを例えば20[μm]に設定し、放射線200の計数率(図4における計数率C2)を測定する。
・手順2−3:補正処理装置60が、計測点222,224における電圧レベルVb1,Vb2および計数率C1,C2を外挿することによって、仮想計測点226におけるオフセットカウントCfを求める。このオフセットカウントCfがα線の計数率になる。
なお、上記手順2−1と手順2−2の順序は入れ替えてもよい。
以上のように、本実施形態のα線検出装置(2)は、バイアス電圧(Vb)が印加されると、バイアス電圧(Vb)に応じた空乏層厚(Ld)を有する空乏層(101)が発生する半導体放射線検出器(10)と、指定されたバイアス電圧(Vb)を半導体放射線検出器(10)に印加するバイアス印加装置(20)と、半導体放射線検出器(10)の出力信号に基づいて、半導体放射線検出器(10)に入射する放射線(200)の量を計測する信号処理装置(30)と、バイアス電圧(Vb)として、複数の空乏層厚(Ld)に対応する複数の電圧レベル(Vb1,Vb2)をバイアス印加装置(20)に指令する計測制御装置(50)と、複数の電圧レベル(Vb1,Vb2)における信号処理装置(30)の出力信号に基づいて、α線とγ線とが含まれる放射線(200)からα線の量を出力する補正処理装置(60)と、を備える。
〈第3実施形態の構成および動作〉
次に、本発明の第3実施形態について説明する。なお、以下の説明において、上述した他の実施形態の各部に対応する部分には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。
図5は、第3実施形態によるα線検出装置3のブロック図である。図示のように、α線検出装置3は、第2実施形態のα線検出装置2(図3参照)における半導体放射線検出器10に代えて、半導体放射線検出器10Aを備えている。半導体放射線検出器10Aは、半導体放射線検出器10と比較して、放射線250の入射方向が逆方向になっている。また、半導体放射線検出器10Aとして、素子厚30μm以下のダイヤモンド半導体素子を適用してもよい。また、α線検出装置3は、バイアス印加装置20と、信号処理装置30と、表示装置40と、計測制御装置50と、補正処理装置60と、を備えており、これらの構成は第2実施形態のものと同様である。
また、図7は、バックグラウンド計測モードにおける半導体放射線検出器10Aの半導体構造の模式図である。このモードにおいては、シグナル計測モードよりも空乏層厚Ldが狭く、空乏層101に隣接して不感層102が形成されている。放射線250は、この不感層102の側である面112から入射する。
図8は、本実施形態における計測例を示す図である。
図中の計数率曲線230のように、不感層厚Leがα線の飛程Lαよりも厚い場合は、α線はほとんど計測されず、逆に不感層厚Leがα線の飛程Lαよりも薄くなるとα線は有意に計測されるようになる。そして、図示のように、不感層厚Leがα線の飛程Lα程度のところで計数率が急激に変動する。従って、この有意なα線計数結果の有無による変動点を見つけることにより、α線の飛程を同定して、飛程により一意的に決定されるα線のエネルギーを同定することが出来る。
・手順3−1:信号処理装置30およびバイアス印加装置20が、半導体放射線検出器10に対して、シグナル計測モード(図6参照)を実現するバイアス電圧Vb3を印加することにより、放射線250の計数率C3(図示せず)を測定する。
・手順3−2:信号処理装置30およびバイアス印加装置20が、半導体放射線検出器10に対して、バックグラウンド計測モード(図7参照)を実現するバイアス電圧Vb4を印加することにより、放射線250の計数率C4(図示せず)を測定する。
・手順3−4:補正処理装置60が、補正後の計数率C3,C4の差分をα線の計数率として求める。
なお、上記手順3−1と手順3−2の順序を入れ替えてもよい。また、手順3−3は省略してもよい。
・手順3−5:信号処理装置30およびバイアス印加装置20が、半導体放射線検出器10に対して、α線の飛程Lα程度(飛程Lα前後)の不感層厚Leを実現する複数のバイアス電圧Vb5〜Vb9を印加することにより、放射線250の計数率C5〜C9を測定する。ここでは測定点数を5点としたがもちろんそれに限定されない。
・手順3−7:補正処理装置60が、導出した変動点のバイアス電圧(Vb7)から不感層厚Leを導出し、この不感層厚Leがα線の飛程Lαとなっていることからα線のエネルギーを導出する。
以上のように、本実施形態の計測制御装置(50)は、バイアス電圧(Vb)として、入射するα線の飛程よりも薄い不感層厚(Le)を有する不感層(102)を形成し、または不感層(102)が無い状態にする第1の電圧レベル(Vb3)を指定する第1の計測モード(シグナル計測モード)と、バイアス電圧(Vb)として、入射するα線の飛程よりも厚い不感層厚(Le)を有する不感層(102)を形成する第2の電圧レベル(Vb4)を指定する第2の計測モード(バックグラウンド計測モード)と、を有するものであり、半導体放射線検出器(10)は、不感層(102)が形成される側の面(112)を放射線(250)の入射面とすることを特徴とする。
これにより、簡素で安価な構成によってα線検出装置3が実現でき、半導体放射線検出器10Aとして、様々な材質の半導体を適用することが可能になり、様々な実フィールドでの適用が可能になる。
換言すれば、計測制御装置(50)は、バイアス電圧(Vb)として、入射するα線の飛程前後の不感層厚(Le)を有する不感層(102)を形成する複数の電圧レベル(Vb5〜Vb9)を設定し、補正処理装置(60)は、複数の電圧レベル(Vb5〜Vb9)における信号処理装置(30)の出力信号に基づいて、α線のエネルギーを出力する。従って、本実施形態によれば、α線のエネルギーを特定することが可能となり、より高精度なα線計測を実現する。
次に、本発明の第4実施形態について説明する。なお、以下の説明において、上述した他の実施形態の各部に対応する部分には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。
図9は第4実施形態によるα線検出装置5のブロック図である。図示のように、α線検出装置5は、第2実施形態のα線検出装置2(図3参照)における半導体放射線検出器10に代えて、半導体放射線検出器10Bを備えている。また、α線検出装置5は、バイアス印加装置20と、信号処理装置30と、表示装置40と、計測制御装置50と、補正処理装置60と、を備えており、これらの構成は第2実施形態のものと同様である。
次に、本発明の第5実施形態について説明する。なお、以下の説明において、上述した他の実施形態の各部に対応する部分には同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。
図10は第5実施形態によるα線検出装置6のブロック図である。図示のように、α線検出装置6は、第2実施形態のα線検出装置2(図3参照)における半導体放射線検出器10に代えて、半導体放射線検出器10Cを備えている。
10,10A,10B,10C 半導体放射線検出器
12 P型半導体
14 N型半導体
16 半導体素子
18 ショットキー電極
20 バイアス印加装置
30 信号処理装置
40 表示装置
50 計測制御装置
60 補正処理装置
101 空乏層
102 不感層
111,112 面
200,250 放射線
C1 計数率(第1の計測値)
C2 計数率(第2の計測値)
C5 計数率(第5の計測値)
C6 計数率(第6の計測値)
C7 計数率(第7の計測値)
C8 計数率(第8の計測値)
C9 計数率(第9の計測値)
Ld 空乏層厚
Le 不感層厚
Vb バイアス電圧
Vb1 バイアス電圧(第1の電圧レベル)
Vb2 バイアス電圧(第2の電圧レベル)
Vb5 バイアス電圧(第5の電圧レベル)
Vb6 バイアス電圧(第6の電圧レベル)
Vb7 バイアス電圧(第7の電圧レベル)
Vb8 バイアス電圧(第8の電圧レベル)
Vb9 バイアス電圧(第9の電圧レベル)
Claims (11)
- バイアス電圧が印加されると、前記バイアス電圧に応じた空乏層厚を有する空乏層が発生する半導体放射線検出器と、
前記空乏層に入射したα線が正孔−電子対を形成し、かつ、前記空乏層に入射したγ線が前記空乏層を透過するレベルの前記バイアス電圧を前記半導体放射線検出器に印加するバイアス印加装置と、
前記半導体放射線検出器の出力信号に基づいて、α線とその他の放射線とが含まれる放射線からα線の量を計測する信号処理装置と、を備える
ことを特徴とするα線検出装置。 - バイアス電圧が印加されると、前記バイアス電圧に応じた空乏層厚を有する空乏層が発生する半導体放射線検出器と、
指定された前記バイアス電圧を前記半導体放射線検出器に印加するバイアス印加装置と、
前記半導体放射線検出器の出力信号に基づいて、前記半導体放射線検出器に入射する放射線の量を計測する信号処理装置と、
前記バイアス電圧として、複数の前記空乏層厚に対応する複数の電圧レベルを前記バイアス印加装置に指令する計測制御装置と、
複数の前記電圧レベルにおける前記信号処理装置の出力信号に基づいて、α線とその他の放射線とが含まれる放射線からα線の量を出力する補正処理装置と、を備える
ことを特徴とするα線検出装置。 - 前記計測制御装置は、前記バイアス電圧として、入射するα線の飛程よりも厚い不感層厚を有する不感層を形成する第1の電圧レベルを指定する第1の計測モードと、前記バイアス電圧として、入射するα線の飛程よりも薄い不感層厚を有する不感層を形成し、または不感層が無い状態にする第2の電圧レベルを指定する第2の計測モードと、を有するものであり、
前記半導体放射線検出器は、不感層が形成される側の面を放射線の入射面とする
ことを特徴とする請求項2に記載のα線検出装置。 - 前記計測制御装置は、前記バイアス電圧として、入射するα線の飛程前後の不感層厚を有する不感層を形成する複数の電圧レベルを設定し、
前記補正処理装置は、複数の前記電圧レベルにおける前記信号処理装置の出力信号に基づいて、α線のエネルギーを出力する
ことを特徴とする請求項3に記載のα線検出装置。 - 前記半導体放射線検出器は、ワイドギャップ半導体素子を適用したものである
ことを特徴とする請求項1〜4の何れか一項に記載のα線検出装置。 - 前記半導体放射線検出器は、素子厚30μm以下のダイヤモンド半導体素子を適用したものであることを特徴とする請求項5に記載のα線検出装置。
- 前記半導体放射線検出器は、半導体素子と、前記半導体素子の一面に形成されたショットキー電極と、を有する
ことを特徴とする請求項5または6に記載のα線検出装置。 - 半導体放射線検出器に対して、第1の電圧レベルのバイアス電圧を印加することによって前記第1の電圧レベルに応じた空乏層厚を有する空乏層を形成し、前記半導体放射線検出器の出力信号に基づいて、α線とその他の放射線とが含まれる放射線の量に対応する第1の計測値を取得する過程と、
前記半導体放射線検出器に対して、第2の電圧レベルの前記バイアス電圧を印加することによって前記第2の電圧レベルに応じた空乏層厚を有する空乏層を形成し、前記半導体放射線検出器の出力信号に基づいて、前記放射線の量に対応する第2の計測値を取得する過程と、
前記第1の計測値と前記第2の計測値とに基づいて、放射線に含まれるα線の量を導出する過程と、
を有することを特徴とするα線検出方法。 - 前記第1の電圧レベルは、前記半導体放射線検出器に対して、入射するα線の飛程よりも厚い不感層厚を有する不感層を形成する電圧レベルであり、
前記第2の電圧レベルは、は、前記半導体放射線検出器に対して、入射するα線の飛程よりも薄い不感層厚を有する不感層を形成し、または不感層が無い状態にする電圧レベルであり、
前記半導体放射線検出器は、不感層が形成される側の面を放射線の入射面とする
ことを特徴とする請求項8に記載のα線検出方法。 - 前記第1の電圧レベルにおける空乏層厚と、前記第2の電圧レベルにおける空乏層厚と、に応じて、前記第1の計測値または前記第2の計測値を補正する過程をさらに有する
ことを特徴とする請求項9に記載のα線検出方法。 - 半導体放射線検出器に対して、複数の電圧レベルのバイアス電圧を印加することによって、入射するα線の飛程前後の不感層厚を有する不感層を複数回形成し前記半導体放射線検出器の出力信号に基づいて、複数の前記電圧レベルと入射するα線の飛程とに応じた複数の計測値を取得する過程と、
複数の前記計測値に基づいて、α線のエネルギーを導出する過程と、
を有することを特徴とするα線検出方法。
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