JP2020152974A - モータコアの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
〈1〉遷移金属元素を含有する軟磁性板を準備すること、
R−M系合金(Rは希土類元素であり、MはR−M系合金の融点を前記軟磁性板の融点よりも低下させる元素である)を含有する改質部材を準備すること、
前記軟磁性板の板面の一部に前記改質部材を接触させること、及び
前記軟磁性板と前記改質部材の接触面から前記軟磁性板の内部に前記改質部材を拡散浸透させて、前記軟磁性板の一部に硬磁性相含有部を形成すること、
を含む、モータコアの製造方法。
〈2〉前記拡散浸透の後に、複数の前記軟磁性板を互いに積層する、〈1〉項に記載の方法。
〈3〉前記接触の後、かつ前記拡散浸透の前に、複数の前記軟磁性板を互いに積層する、〈1〉項に記載の方法。
〈4〉前記軟磁性板の板面方向で、少なくとも一枚の前記軟磁性板における前記改質部材の接触位置を、他の前記軟磁性板における前記改質部材の接触位置と異ならせ、少なくとも一枚の前記軟磁性板における前記硬磁性相含有部の形成位置が、他の前記軟磁性板における前記硬磁性相含有部の形成位置と異なる、〈2〉又は〈3〉項に記載の方法。
〈5〉少なくとも一枚の前記軟磁性板に接触させる前記改質部材の組成を、他の前記軟磁性板に接触させる前記改質部材の組成と異ならせ、少なくとも一枚の軟磁性板における前記硬磁性相含有部中の硬磁性相の組成が、他の前記軟磁性板における前記硬磁性相含有部中の硬磁性相の組成と異なる、〈2〉〜〈4〉項のいずれか一項に記載の方法。
〈6〉少なくとも一枚の前記軟磁性板の組成を、他の前記軟磁性板の組成と異ならせ、少なくとも一枚の軟磁性板における前記硬磁性相含有部中の硬磁性相の組成が、他の前記軟磁性板における前記硬磁性相含有部中の硬磁性相の組成と異なる、〈2〉〜〈5〉項のいずれか一項に記載の方法。
〈7〉前記改質部材の接触を伴わず、さらに、少なくとも一枚の追加軟磁性板を積層する、〈2〉〜〈6〉項のいずれか一項に記載の方法。
〈8〉前記R−M系合金の融点以上、前記軟磁性板の融点未満の温度で、前記軟磁性板及び前記改質部材を熱処理して、前記軟磁性板の内部に前記改質部材を拡散浸透する、〈1〉〜〈7〉項のいずれか一項に記載の方法。
〈9〉マイクロ波照射室内に前記改質部材を接触させた軟磁性板を装入し、前記改質部材の位置にマイクロ波を共振させて、前記R−M系合金の融点以上、前記軟磁性板の融点未満の温度に前記改質部材を加熱し、前記軟磁性板の内部に前記改質部材を拡散浸透する、〈1〉〜〈7〉項のいずれか一項に記載の方法。
〈10〉マイクロ波照射室内に前記改質部材を接触させた軟磁性板を装入し、前記軟磁性板の位置と前記改質部材の位置の両方にマイクロ波を共振させて、前記R−M系合金の融点以上、前記軟磁性板の融点未満の温度に前記軟磁性板及び前記改質部材を加熱し、前記軟磁性板の内部に前記改質部材を拡散浸透する、〈1〉〜〈7〉項のいずれか一項に記載の方法。
〈11〉前記改質部材に電熱線を接触させ、前記電熱線に電流を流して、前記R−M系合金の融点以上、前記軟磁性板の融点未満の温度に前記改質部材を加熱し、前記軟磁性板の内部に前記改質部材を拡散浸透する、〈1〉〜〈7〉項のいずれか一項に記載の方法。
〈12〉前記Rが、Nd、La、Ce、Pr、Sm、Gd、Tb、及びDyからなる群より選ばれる一種以上の元素である、〈1〉〜〈11〉項のいずれか一項に記載の方法。
〈13〉前記Mが、Ga、Zn、Si、Al,Fe、Co、Ni、Cu、Cr、Mg、Ag、及びAuからなる群より選ばれる一種以上の元素である、〈1〉〜〈12〉項のいずれか一項に記載の方法。
〈14〉前記R−M系合金が、Nd−Cu系合金を含有する、〈1〉〜〈11〉項のいずれか一項に記載の方法。
〈15〉前記軟磁性板が、T−B系軟磁性合金、T−N系軟磁性合金(Tは遷移金属元素である)、及び軟磁性遷移金属からなる群より選ばれる一種以上の合金又は金属を含有する、〈1〉〜〈14〉項のいずれか一項に記載の方法。
〈16〉前記Tが、Fe、Co、及びNiからなる群より選ばれる一種以上の元素である、〈15〉項に記載の方法。
〈17〉前記軟磁性遷移金属が、Fe及びCoからなる群より選ばれる一種以上の金属である、〈15〉項に記載の方法。
〈18〉前記軟磁性板が、Fe−B系合金を含有する、〈15〉項に記載の方法。
〈19〉前記硬磁性相含有部が、R2Fe14B相を含有する、〈18〉項に記載の方法。
遷移金属元素を含有する軟磁性板(以下、単に「軟磁性板」ということがある。)を準備する。後述する拡散浸透工程において、軟磁性板中の遷移金属元素と、軟磁性材料中に拡散浸透した希土類元素とが、硬磁性相含有部を形成する。硬磁性相含有部の形成の観点からは、軟磁性板が含有する遷移金属元素は、Fe、Co、及びNiからなる群より選ばれる一種以上の元素が好ましく、Fe及びCoからなる群より選ばれる一種以上の元素がより好ましく、Feがより一層好ましいが、これらに限られない。
T−B系軟磁性合金は、主成分として、B、及びBと合金化して軟磁性を示す遷移金属元素を含有する。T−B系軟磁性合金中のTは、後述する拡散浸透工程で形成される硬磁性相含有部において、硬磁性相として、R(希土類元素)とともに、R−T−B系の相を形成する。R−T−B系の相としては、例えば、R2T14B相などが挙げられる。T−B系軟磁性合金中のBの含有量が少ない場合には、R−T系の硬磁性相を含有してもよい。R−T系の硬磁性相としては、例えば、RT5相、R2T17相、及びRT12相などが挙げられる。
T−N系軟磁性合金は、主成分として、N、及びNと合金化して軟磁性を示す遷移金属元素を含有する。T−N系軟磁性合金中のTは、後述する拡散浸透工程で形成される硬磁性相含有部において、硬磁性相として、R(希土類元素)及びNとともに、R−T−N系の相を形成する。R−T−N系の相としては、例えば、R2T17N3相などが挙げられる。T−N系軟磁性合金中のNの含有量が少ない場合には、R−T系の硬磁性相を含有してもよい、R−T系の硬磁性相としては、例えば、RT5相、R2T17相、及びRT12相などが挙げられる。
軟磁性遷移金属とは、純度が97質量%以上、98質量%以上、又は99質量%以上である軟磁性遷移金属ことを意味する。純度が100質量%でなくてもよいのは、不可避的不純物の含有を許容するためである。不可避的不純物とは、軟磁性遷移金属の原材料に含まれる不純物、あるいは、軟磁性遷移金属の製造工程で混入してしまう不純物等、その含有を回避することができない、あるいは、回避するためには著しい製造コストの上昇を招くような不純物のことをいう。
次に軟磁性板の厚さについて説明する。以下の説明は、特に断りのない限り、軟磁性板中の合金種類(軟磁性遷移金属を含む)に依らない。
次に軟磁性板の製造方法について説明する。以下の説明は、特に断りのない限り、軟磁性板中の合金種類(軟磁性遷移金属を含む)に依らない。
R−M系合金を含有する改質部材(本明細書において、単に「改質部材」ということがある。)を準備する。Rは希土類元素であり、MはR−M系合金の融点を軟磁性板の融点より低下させる元素である。本明細書において、希土類元素は、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、及びLuの17元素である。Scはスカンジウム、Yはイットリウム、Laはランタン、Ceはセリウム、Prはプラセオジム、Ndはネオジム、Pmはプロメチウム、Smはサマリウム、Euはユウロビウム、Gdはガドリニウム、Tbはテルビウム、Dyはジスプロシウム、Hoはホルミウム、Erはエルビウム、Tmはツリウム、Ybはイッテルビウム、そして、Luはルテニウムである。
軟磁性板の板面の一部に改質部材を接触させる。改質部材が軟磁性板の全面を覆ってしまうと、後述する拡散浸透工程において、軟磁性板の全部に改質部材が拡散浸透して、軟磁性板の全領域が硬磁性相含有部になってしまい、モータコアとして機能しなくなる。したがって、軟磁性板の板面の一部に改質部材を接触させる。なお、軟磁性板の板面とは、軟磁性板の厚さ方向に垂直な面を意味する。
随意に、複数の軟磁性板11を互いに積層する。積層の態様としては、改質部材21を拡散浸透した軟磁性板11を複数準備し、その複数の軟磁性板11を互いに積層することが挙げられる。この態様を、以下、「改質部材21の拡散浸透後に複数の軟磁性板11を互いに積層する態様」ということがある。積層の別の態様としては、改質部材21を接触させた軟磁性板11を複数枚準備し、改質部材21の拡散浸透の前に、その複数の軟磁性板11を互いに積層することが挙げられる。この態様を、以下、「改質部材21の拡散浸透前に複数の軟磁性板11を互いに積層する態様」ということがある。
軟磁性板11の内部に改質部材21を拡散浸透させて、軟磁性板11の一部に硬磁性相含有部16を形成する。軟磁性板11の内部へ改質部材21を拡散浸透させることができれば、その方法は特に制限されないが、典型的には、例えば、改質部材21を加熱する。
本開示の製造方法で得られたモータコアは、軟磁性相と硬磁性相の両方を備えるモータコアとして、使用することができる。
これまでの説明は、本開示のモータコアの製造方法の実施形態を例示したものにすぎず、特許請求の範囲の記載範囲内において種々の変形を加えることができる。例えば、硬磁性相含有部16を形成する前又は後に、硬磁性相含有部16の少なくとも一部を残して軟磁性板11に空洞部を設け、空洞部が軟磁性及び硬磁性のいずれも有さないようにすることができる。あるいは、空洞部に永久磁石を挿入して、本開示のモータコアの製造方法の効果とともに、永久磁石の効果を享受してもよい。
11 軟磁性板
15、16 硬磁性相含有部
20 改質材料
21 改質部材
30 モータコア
32a 第一単位コア
32b 第二単位コア
32c 追加軟磁性板
50 回転軸
60 永久磁石
70 貫通孔
100 回転子
Claims (19)
- 遷移金属元素を含有する軟磁性板を準備すること、
R−M系合金(Rは希土類元素であり、MはR−M系合金の融点を前記軟磁性板の融点よりも低下させる元素である)を含有する改質部材を準備すること、
前記軟磁性板の板面の一部に前記改質部材を接触させること、及び
前記軟磁性板と前記改質部材の接触面から前記軟磁性板の内部に前記改質部材を拡散浸透させて、前記軟磁性板の一部に硬磁性相含有部を形成すること、
を含む、モータコアの製造方法。 - 前記拡散浸透の後に、複数の前記軟磁性板を互いに積層する、請求項1に記載の方法。
- 前記接触の後、かつ前記拡散浸透の前に、複数の前記軟磁性板を互いに積層する、請求項1に記載の方法。
- 前記軟磁性板の板面方向で、少なくとも一枚の前記軟磁性板における前記改質部材の接触位置を、他の前記軟磁性板における前記改質部材の接触位置と異ならせ、少なくとも一枚の前記軟磁性板における前記硬磁性相含有部の形成位置が、他の前記軟磁性板における前記硬磁性相含有部の形成位置と異なる、請求項2又は3に記載の方法。
- 少なくとも一枚の前記軟磁性板に接触させる前記改質部材の組成を、他の前記軟磁性板に接触させる前記改質部材の組成と異ならせ、少なくとも一枚の軟磁性板における前記硬磁性相含有部中の硬磁性相の組成が、他の前記軟磁性板における前記硬磁性相含有部中の硬磁性相の組成と異なる、請求項2〜4のいずれか一項に記載の方法。
- 少なくとも一枚の前記軟磁性板の組成を、他の前記軟磁性板の組成と異ならせ、少なくとも一枚の軟磁性板における前記硬磁性相含有部中の硬磁性相の組成が、他の前記軟磁性板における前記硬磁性相含有部中の硬磁性相の組成と異なる、請求項2〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記改質部材の接触を伴わず、さらに、少なくとも一枚の追加軟磁性板を積層する、請求項2〜6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記R−M系合金の融点以上、前記軟磁性板の融点未満の温度で、前記軟磁性板及び前記改質部材を熱処理して、前記軟磁性板の内部に前記改質部材を拡散浸透する、請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法。
- マイクロ波照射室内に前記改質部材を接触させた軟磁性板を装入し、前記改質部材の位置にマイクロ波を共振させて、前記R−M系合金の融点以上、前記軟磁性板の融点未満の温度に前記改質部材を加熱し、前記軟磁性板の内部に前記改質部材を拡散浸透する、請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法。
- マイクロ波照射室内に前記改質部材を接触させた軟磁性板を装入し、前記軟磁性板の位置と前記改質部材の位置の両方にマイクロ波を共振させて、前記R−M系合金の融点以上、前記軟磁性板の融点未満の温度に前記軟磁性板及び前記改質部材を加熱し、前記軟磁性板の内部に前記改質部材を拡散浸透する、請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法。
- 前記改質部材に電熱線を接触させ、前記電熱線に電流を流して、前記R−M系合金の融点以上、前記軟磁性板の融点未満の温度に前記改質部材を加熱し、前記軟磁性板の内部に前記改質部材を拡散浸透する、請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法。
- 前記Rが、Nd、La、Ce、Pr、Sm、Gd、Tb、及びDyからなる群より選ばれる一種以上の元素である、請求項1〜11のいずれか一項に記載の方法。
- 前記Mが、Ga、Zn、Si、Al,Fe、Co、Ni、Cu、Cr、Mg、Ag、及びAuからなる群より選ばれる一種以上の元素である、請求項1〜12のいずれか一項に記載の方法。
- 前記R−M系合金が、Nd−Cu系合金を含有する、請求項1〜11のいずれか一項に記載の方法。
- 前記軟磁性板が、T−B系軟磁性合金、T−N系軟磁性合金(Tは遷移金属元素である)、及び軟磁性遷移金属からなる群より選ばれる一種以上の合金又は金属を含有する、請求項1〜14のいずれか一項に記載の方法。
- 前記Tが、Fe、Co、及びNiからなる群より選ばれる一種以上の元素である、請求項15に記載の方法。
- 前記軟磁性遷移金属が、Fe及びCoからなる群より選ばれる一種以上の金属である、請求項15に記載の方法。
- 前記軟磁性板が、Fe−B系合金を含有する、請求項15に記載の方法。
- 前記硬磁性相含有部が、R2Fe14B相を含有する、請求項18に記載の方法。
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