JP2020145554A - 撮像素子及びその制御方法、撮像装置、及び、画像処理装置 - Google Patents

撮像素子及びその制御方法、撮像装置、及び、画像処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2020145554A
JP2020145554A JP2019039808A JP2019039808A JP2020145554A JP 2020145554 A JP2020145554 A JP 2020145554A JP 2019039808 A JP2019039808 A JP 2019039808A JP 2019039808 A JP2019039808 A JP 2019039808A JP 2020145554 A JP2020145554 A JP 2020145554A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pixels
voltage
pixel
voltage value
image pickup
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2019039808A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6949067B2 (ja
Inventor
典央 根岸
Norihisa Negishi
典央 根岸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2019039808A priority Critical patent/JP6949067B2/ja
Priority to US16/805,969 priority patent/US11122231B2/en
Publication of JP2020145554A publication Critical patent/JP2020145554A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6949067B2 publication Critical patent/JP6949067B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/50Control of the SSIS exposure
    • H04N25/53Control of the integration time
    • H04N25/533Control of the integration time by using differing integration times for different sensor regions
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/75Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/40Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
    • H04N25/44Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by partially reading an SSIS array
    • H04N25/445Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by partially reading an SSIS array by skipping some contiguous pixels within the read portion of the array
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/745Circuitry for generating timing or clock signals
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/766Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors comprising control or output lines used for a plurality of functions, e.g. for pixel output, driving, reset or power
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • H04N25/772Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising A/D, V/T, V/F, I/T or I/F converters
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/79Arrangements of circuitry being divided between different or multiple substrates, chips or circuit boards, e.g. stacked image sensors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14643Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14645Colour imagers
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/10Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
    • H04N25/17Colour separation based on photon absorption depth, e.g. full colour resolution obtained simultaneously at each pixel location

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

【課題】 フォトンカウンティング型の撮像素子において、フォトンをカウントする画素を選択できるようにすること。【解決手段】 アバランシェフォトダイオードをそれぞれが有する複数の画素と、前記複数の画素を複数の画素グループに分けた画素グループ毎に、前記アバランシェフォトダイオードの降伏電圧よりも大きい第1の電圧値と、前記降伏電圧よりも小さい第2の電圧値のいずれかが、前記アバランシェフォトダイオードの逆バイアス電圧として供給されるように制御する制御手段とを有する。【選択図】 図3

Description

本発明は、アバランシェフォトダイオードを用いた撮像素子の駆動方法の技術に関するものである。
近年、アバランシェフォトダイオード(APD)をガイガーモードで動作させた際に発生するアバランシェ現象を利用して、入射したフォトンの数そのものを計測してデジタル信号として出力するフォトンカウンティング型の撮像素子の検討がなされている。このようなガイガーモードで動作させるアバランシェフォトダイオードを用いたフォトンカウンティング型の撮像素子は、SPAD(Single Photon Avalanche Diode)と呼ばれている。
APDをガイガーモードで動作させる時、例えばAPDに1つのフォトンが入射するとアバランシェ現象によって大電流が発生する。この電流をパルス信号に変換し、そのパルス信号の数をカウントすることで、入射するフォトンの個数を直接計測することが可能となる。そのため、ノイズの影響を受けにくく、S/N比の向上が期待されている。SPADを用いたセンシングデバイスの一例として、特許文献1では複数画素のSPADから成る測距用センサが開示されている。
ここでAPDを用いた従来のフォトンカウンティング型の撮像素子の動作概要について図7を用いて説明する。図7(a)は、APDをガイガーモードで動作させる撮像素子の単位画素(以下、「画素」と呼ぶ。)の等価回路を示している。画素は、APD91、クエンチ抵抗92、コンパレータ93、抵抗R1,R2より構成される。
APD91のアノード端はGNDに接続されており、カソード端はクエンチ抵抗92に接続されている。そして、クエンチ抵抗92を介して、電圧VDDから逆バイアス電圧が印加される。このとき電圧VDDとGNDの電圧差はAPD91をガイガーモードにする為に降伏電圧以上となるように設定する。
図7(b)はフォトン入射待機状態からアバランシェ現象が発生し、また元のフォトン入射待機状態に戻るまでのAPD91のカソード端の電圧VAPDの推移を示している。時刻t90からt91の期間はフォトン入射待機状態であり、時刻t91でAPD91にフォトンが入射するとアバランシェ現象が発生する。アバランシェ現象が発生すると電流が流れて電圧VAPDが低下してアバランシェ現象が止まり(時刻t93)、また元のフォトン入射待機状態に戻る(時刻t95)。
図7(a)に示すようにコンパレータ93の一方の入力端子にはAPD91のカソード端の電圧VAPDが、もう一方の入力端子には基準電圧Vrefを抵抗R1と抵抗Rとで分圧した参照電圧Vthが入力されている。参照電圧Vthは、上記で説明したフォトンが入射した際の電圧VAPDの変化が検出できるように、V0とVminの間の電位に設定する。
コンパレータ93は、電圧VAPDがVthより小さくなり、再び電圧VAPDがVthより大きくなるまの期間(電圧VAPDがVthレベルを往復した期間)にパルス信号を1つ出力する。
図7(c)は、図7(b)に示すようにAPD91のカソード端の電圧VAPDが推移した場合のコンパレータ93の出力Voutを示している。時刻t92に電圧VAPDがVthより小さくなり、時刻t94に再びVAPDがVthより大きくなるため、t92〜t94の期間にパルス信号が一つ出力される。
このコンパレータ93にカウンタ94を接続しておけば、入射したフォトンの数をカウントすることができる。従って、フォトン入射待機状態からアバランシェ現象の発生、アバランシェ現象の停止、また元のフォトン入射待機状態へ戻るサイクルを繰り返すことで、APD91に入射したフォトンの数を計測することが可能となる。
特開2014−81253号公報
しかしながら、APDを用いたフォトンカウンティング型の撮像素子は露光期間中に高電界をかけるために電圧源VDDから高い電圧をかける必要がある。そのため、すべての画素が同時に露光する場合、露光期間に消費電力が急激に増加することとなる。
本発明は上記問題点を鑑みてなされたものであり、フォトンカウンティング型の撮像素子において、フォトンをカウントする画素を選択できるようにすることを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の撮像素子は、アバランシェフォトダイオードをそれぞれが有する複数の画素と、前記複数の画素を複数の画素グループに分けた画素グループ毎に、前記アバランシェフォトダイオードの降伏電圧よりも大きい第1の電圧値と、前記降伏電圧よりも小さい第2の電圧値のいずれかが、前記アバランシェフォトダイオードの逆バイアス電圧として供給されるように制御する制御手段とを有する。
本発明によれば、フォトンカウンティング型の撮像素子において、フォトンをカウントする画素を選択することが可能となる。
本発明の実施形態における撮像装置の概略構成を示すブロック図。 実施形態における撮像素子の構成を示す図。 実施形態における画素と画素演算部の一部の構成を示す図。 実施形態における論理回路の構成例及び入力信号の論理値を示す図。 実施形態における駆動方法を示すタイミングチャート。 実施形態における画素グループの配置の例を示した図。 従来技術におけるフォトンカウンティング型撮像素子に関する説明図。
以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。尚、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。
以下、図1〜図6を参照して、本実施形態におけるフォトンカウンティング型の撮像素子を用いた撮像装置について説明する。
図1は、本実施形態における撮像装置の概略構成を示すブロック図である。図1において、レンズ部201は、ズームレンズを含む複数枚のレンズにより構成され、レンズ駆動部202の制御により、Wide端からTele端まで、焦点距離を変化させることができる。
メカニカルシャッタ(以下、「メカシャッタ」と記す。)203と、その後段の絞り204(光量調節部材)は、撮像素子206へ入射する光の照射時間を機械的に制御する露光量調整機構である。メカシャッタ203及び絞り204は、シャッタ・絞り駆動部205によって駆動制御される。
ズームレンズを含むレンズ部201を通った被写体像は、メカニカルシャッタ203及び絞り204により適切な露光量に調整され、撮像素子206に結像される。撮像素子206内の複数の画素に結像した被写体像は、撮像素子206内で2次元のデジタルデータに変換され、撮像信号処理回路207に送られる。なお、撮像素子206の詳細については後述する。
撮像信号処理回路207は、ノイズを軽減するローパスフィルタ処理やシェーディング補正処理、WB調整処理などの各種の画像処理、さらにキズ補正処理やダークシェーディング補正処理、黒引き処理等の各種の補正、圧縮等を行って画像データを生成する。
全体制御演算部210は、撮像装置全体の制御と各種演算を行う。タイミング発生部(以下、「TG」と記す。)208は、全体制御演算部210からの制御信号に基づき、撮像素子206を駆動させるための駆動パルスを発生させる。第1メモリ部209は、画像データを一時的に記憶する。
記録媒体制御インターフェース(I/F)部211は、半導体メモリ等の着脱可能な記憶媒体である記録媒体213に対して画像データの記録及び読み出しを行う。表示部212は、画像データ等の表示を行う。外部インターフェース(I/F)部214は、外部コンピュータ等と通信を行う為のインターフェースである。
第2メモリ部215は、全体制御演算部210での演算結果や撮影条件等の各種パラメータを記憶する。操作部216によりユーザーが設定した撮像装置の駆動条件に関する情報は、全体制御演算部210に送られ、これらの情報に基づいて撮像装置全体の制御が行われる。
図2は、撮像素子206の概略構造を示しており、本実施形態では、一例として、センサ基板301と回路基板302とが電気的に接続されるとともに互いに積層された、積層構造を有する。
図2(a)において、センサ基板301には、複数の画素303が2次元状に配置された画素アレイが形成される。なお、画素303の詳細な構成については後述する。回路基板302には、画素演算部304及び信号処理回路305が構成される。
画素演算部304は、センサ基板301上の複数の画素303の各々とバンプ等で電気的に接続され、各画素303を駆動するための制御信号を出力すると共に、画素303からのコンパレータ出力を受け、各種処理を行う。
また、画素演算部304は、後述するように、対応する画素毎に入射したフォトンに応じて出力されるコンパレータからのパルス信号の数を計測するカウンタを有する。画素演算部304で計測されたカウント値は、信号処理回路305によって撮像素子206の外部へと出力される。
図2(b)は、撮像素子206で使用されるカラーフィルタアレイの一部を示しており、図2(a)の画素アレイに含まれる各画素303にいずれかのカラーフィルタが配置される。このカラーフィルタの配列は、ベイヤー配列と呼ばれ、第1の色フィルタを赤(R)、第2の色フィルタを緑(Gr)、第3の色フィルタを緑(Gb)、第4の色フィルタを青(B)として繰り返し配列されている。原色の色フィルタ配列の中でも、高い解像度と優れた色再現性を備えた色フィルタ配列である。
本実施形態では、複数の画素303をGrоup1〜Grоup9に分け、グループ単位で露光時間を制御できるように構成する。
次に、図3を参照して、画素303と画素演算部304の一部の構成について説明する。図3は、センサ基板301上の画素303及び画素303に対応する回路基板302上の画素演算部304の一部の等価回路を示している。
画素303は、クエンチ抵抗101、受光素子であるAPD102、コンパレータ103、参照電圧Vthを生成するための抵抗R1、R2、スイッチ106,107を含み、センサ基板301上に配置される。なお、画素アレイに含まれる他の画素も同様の構成を有する。画素演算部304は、各画素303に対応したカウンタ104及び論理回路105を含み、回路基板302上に配置される。
APD102のアノード端は接地(GND)されており、カソード端はクエンチ抵抗101に接続されている。そしてAPD102には、クエンチ抵抗101及びスイッチ106,107を介して逆バイアス電圧が印加される。本実施形態では、逆バイアス電圧として、電圧HVDDと、電圧HVDDより低い電圧LVDDが供給される。ここで、電圧LVDDは電圧HVDDより低い電圧であればよく、例えば電圧が供給されない状態(0V)も含まれる。スイッチ106,107は、クエンチ抵抗101の、APD102が接続されているノードと反対側のノードAが、電圧HVDDと電圧LVDDのいずれかの電圧供給源に接続されるよう切り替える。
スイッチ106及びスイッチ107には、論理回路105が接続されている。詳細は図4を参照して後述するが、本実施形態では、画素演算部304は、9種類の異なる構成を有する論理回路105を有し、各画素303は、Grоup1〜Grоup9のうち、画素303が属するグループに応じた構成の論理回路105が接続される。
論理回路105は5つの入力端子A〜Eを有し、TG208からそれぞれHighまたはLowのいずれかのレベルの信号が入力する。また、論理回路105は2つの出力端子F,Gを有し、入力端子A〜Eに入力されたレベルに応じて、互いに異なるレベルの信号を出力する。論理回路105の出力端子F,Gの出力により、スイッチ106,107のいずれか一方が、他方がOFFとなるように切り替えられる。
電圧HVDDとGNDの電圧差は、APD102をガイガーモードで駆動する為に降伏電圧(以下、「VBR」と記す。)以上となるように設定する。一方、電圧LVDDとGNDの電圧差は、VBRより小さくなるように設定する。
APD102のカソード端の電圧VAPD(出力電圧)はコンパレータ103の一方の入力端に入力される。また、コンパレータ103のもう一方の入力端には、基準電圧Vrefを、抵抗R1とR2により分圧した参照電圧Vthが入力される。コンパレータ103は、電圧VAPDが参照電圧Vthレベルを往復した場合にパルス信号を出力する。コンパレータ103から出力されたパルス信号は、カウンタ104に入力され、その数が計測される。
次に、図4を参照して、論理回路105の構成及び駆動パターンについて説明する。本実施形態の画素演算部304は、図4(a)〜(i)に示す9種類の異なる構成を有する論理回路105を有し、各論理回路105は複数のAND回路とNOT回路からなる。以下、図4(a)〜(i)に示す各構成の論理回路105を、それぞれ論理回路105(1)〜105(9)と記す。論理回路105(1)〜105(9)の出力端子F、Gは、それぞれ画素グループGrоup1〜Grоup9の画素のスイッチ106、107に接続されている。また、論理回路105(1)〜105(9)の入力端子A〜Eには、それぞれ同じレベルの信号が入力され、TG208により制御される。
図4(j)は、論理回路105(1)〜105(9)の入力端子A〜Eに入力される信号のレベルを示しており、信号のHレベルとLレベルのパターンは、パターン(1)からパターン(11)まであり、入力端子A〜Eへの入力信号はTG208から入力される。
パターン(1)では、論理回路105(1)のみ、出力端子FからHレベル、出力端子GからLレベルが出力され、それ以外の論理回路105(2)〜105(9)の出力端子FからはLレベル、出力端子GからHレベルが出力される。これにより、Group1の画素303のみ、スイッチ106がON、スイッチ107がOFFとなり、クエンチ抵抗101のノードAが電圧源HVVDに接続され、APD102がガイガーモードで駆動される。
一方、Grоup2〜Grоup9の画素303では、スイッチ106がOFF、スイッチ107がONとなり、クエンチ抵抗101のノードAは電圧源LVDDに接続されるため、APD102はガイガーモードで駆動されない。従って、Group1の画素303のみ、入射するフォトンの数を計数することができる。
以下、画素303のAPD102がガイガーモードで駆動される状態を、画素303がONとなる、と表現する。逆に、画素303のAPD102がガイガーモードで駆動されていない状態を、画素303がOFFとなる、と表現する。
パターン(2)〜パターン(9)では、それぞれ論理回路105(2)〜105(9)のいずれか1つのみ、出力端子FからHレベル、出力端子GからLレベルを出力し、それぞれGroup2〜Group9のいずれかに属する画素303がONとなる。
また、パターン(10)では、Grоup1〜Grоup9のすべての画素303の出力端子FからLレベル、出力端子GからHレベルが出力され、クエンチ抵抗101のノードAが電圧LVDDに接続され、すべての画素303がOFFとなる。
パターン(11)は、Grоup1〜Grоup9のすべての画素303の出力端子FからHレベル、出力端子GからLレベルが出力され、クエンチ抵抗101のノードAが電圧HVDDに接続され、すべての画素303がONとなる。
次に図5と図6を用いて、上記構成を利用した本実施形態における撮像素子206の駆動制御について説明する。ここでは一例として、水平方向と垂直方向に3画素加算または3画素間引きの動画モードで駆動させる場合について説明する。
図5(a)〜(d)は、Grоup1〜Grоup9の各画素のクエンチ抵抗101のノードAの電圧値VAの時間推移を示したものである。電圧値VAが電圧HVDDに接続された状態をHigh(VA≧VBR)、電圧LVDDに接続された状態をLow(VA<VBR)として表している。電圧値VAがHighである間、画素303はONとなる。
また、図6(a)は、本実施形態における画素グループの配置例を示している。各枠内に記載されているR、Gr、Gb、Bは各画素で用いられているカラーフィルタを示しており、また各枠内に記載されている1〜9の数字は、各画素が属するGrоup1〜Grоup9のいずれかを示している。当該配置において、水平方向と垂直方向の3画素加算または3画素間引き処理は、同色の1〜9の画素間で行うものとする。例えば、「R1」は、赤(R)の画素でGrоup1に属していることを示しており、R1〜R9の9画素の間で画素加算または間引き処理を行う。
<駆動方法1>
図5(a)は、Grоup1の画素のみをONにした場合を示している。図5(a)においては、時刻t0〜時刻t18にかけて、TG208から撮像素子206の論理回路105の入力端子A、B、C、D、Eに対して、図4(j)に示すパターン(1)の信号、即ち、すべてLowレベルの信号を入力する。
上記入力によりGrоup1の画素の電圧値VAのみHighになり、それ以外のGrоup2〜Grоup9の画素の電圧値VAはLоwになる。そのため、Grоup1の画素(図6(a)では、R1、Gr1、Gb1、B1)のみONとなり、フォトンがカウントされる。
そして時刻t18において、TG208から撮像素子206の論理回路105の入力端子A、B、C、D、Eに対して、パターン(10)の信号を入力する。これによりGrоup1〜Grоup9すべての画素の電圧値VAはLоwになり、Grоup1もOFFとなって、フォトンのカウントを終了する。
Group1の画素にON期間中に入射したフォトンに対し、コンパレータ103からのパルス信号が出力され、カウンタ104にてカウントされる。得られたカウント値は、信号処理回路305にて出力信号の無いGrоup2〜Grоup9の画素を間引いたデジタル2次元データに変換され、撮像信号処理回路207に送られる。撮像信号処理回路207では、各種の補正処理、画像処理、圧縮等を行って動画データを作成する。
上記動作により、撮像素子206上の画素のうち、1/9の画素のみONすることで、全画素同時にONする場合と比較して、撮影に係る電力を大幅に低減させることができる。
<駆動方法2>
図5(a)に示す駆動方法では、全画素の1/9の画素しかONとしないため、最終的な出力画像は1/9に間引かれた画像となり、画像のエッジや輪郭部分のガタツキ(以下、「ジャギー」と呼ぶ。)が生じる場合が想定される。そこで、最終出力画像にてジャギーが発生せず、かつ消費電力を低減する駆動方法の例を、図5(b)を用いて説明する。
図5(b)はGrоup1〜Grоup9の画素をグループ毎に順次ONにする場合を示している。図5(b)においては、時刻t0〜時刻t2にかけて、TG208から撮像素子206の論理回路105の入力端子A、B、C、D、Eに対して、パターン(1)の信号を入力する。これにより、Grоup1の画素の電圧値VAのみHighになり、それ以外の画素の電圧値VAはLоwになるため、時刻t0〜時刻t2の間はGrоup1の画素(図6(a)のR1、Gr1、Gb1、B1)のみONとなり、フォトンがカウントされる。
次に、時刻t2〜時刻t4にかけて、TG208から撮像素子206の論理回路105の入力端子A、B、C、D、Eに対して、パターン(2)の信号を入力する。これにより、Grоup2の画素の電圧値VAのみHighになり、それ以外の画素の電圧値VAはLоwになるため、時刻t2〜時刻t4の間はGrоup2の画素(図6(a)のR2、Gr2、Gb2、B2)のみONとなり、フォトンがカウントされる。
時刻t4〜時刻t18にかけても同様に、Grоup3からGrоup9まで、順次電圧値VAをHighとする。これにより、時刻t18までの間に、Grоup1〜Grоup9全ての画素を順次ONとして、一連の駆動制御を終了する。
ON期間中に各画素に入射したフォトンに対し、コンパレータ103からのパルス信号が出力され、カウンタ104にてカウントされる。得られたカウント値は、信号処理回路305にて、Grоup1〜Grоup9それぞれに属する隣接同色画素間で加算を行う。例えば、図6(a)のR画素については、R1〜R9の9画素のカウント値を加算する。加算されたカウント値は、さらにデジタル2次元データに変換され、撮像信号処理回路207に送られる。撮像信号処理回路207では、各種の補正処理、画像処理、圧縮等を行って動画データを作成する。
上記動作により、撮像素子206上の画素のうち、同時刻にONされているのは全体の1/9の画素のみとなるため、全画素同時にONする場合と比較して、撮影に係る電力を大幅に低減させることができる。また、図5(b)に示す駆動方法では、画素加算して信号を作成しているため、図5(a)に示す駆動方法と比較してジャギーが生じない。
<駆動方法3>
図5(b)の露光制御では9画素を加算するため、解像感が低下してしまう。そこで、さらに解像感にも配慮したうえで消費電力を低減する駆動方法の例を、図5(c)を用いて説明する。
図5(c)も図5(b)と同様に、Grоup1からGrоup9まで順次画素をONにして読み出す場合を示している。図5(b)に示す駆動方法との違いは、図5(c)では、注目画素グループのON時間を長く、そうでない画素グループのON時間を短くするように、画素グループ毎に重みづけを行っている点である。本実施形態では、注目画素グループをGrоup5として重み「4」に、Grоup5から近い距離にあるGrоup2、4、6、8は重み「2」に、Grоup5からの距離がやや遠いGrоup1、3、7、9は重み「1」として重みづけする。そして、重みに応じてON時間を設定する。
上述した重みづけを画素で表したものを図6(b)に示す。図6(b)において、左斜線パターンの画素(画素Grоup5)は、重み「4」の画素であり、ON時間が最も長い。右斜線パターンの画素(Grоup2、4、6、8)は、重み「2」の画素であり、左斜線パターンの画素の1/2のON時間となる。白塗りの画素(Grоup1、3、7、9)は、重み「1」の画素であり、左斜線パターンの画素の1/4のON時間となる。
図5(c)に示す様に、Grоup1の画素は、時刻t0’〜時刻t1’の間、パターン(1)の信号を用いてONにする。Grоup2の画素は、時刻t1’〜時刻t3’の間、パターン(2)の信号を用いてONにする。また、Grоup3の画素は、時刻t3’〜時刻t4’の間、パターン(3)の信号を用いてONにし、Grоup4の画素は、時刻t4’〜時刻t6’の間、パターン(4)の信号を用いてONにする。
Grоup5の画素は、時刻t6’〜時刻t10’の間、パターン(5)の信号を用いてONにし、Grоup6の画素は、時刻t10’〜時刻t12’の間、パターン(6)の信号を用いてONにする。Grоup7の画素は、時刻t12’〜時刻t13’の間、パターン(7)の信号を用いてONにし、Grоup8の画素は、時刻t13’〜時刻t15’の間、パターン(8)の信号を用いてONにする。
そして、Grоup9の画素は、時刻t15’〜時刻t16’の間、パターン(9)の信号を用いてONにする。このように、重みが「4」であるGrоup5の画素のON時間が、重みが「1」であるGrоup1、3、7、9の画素のON時間の4倍、重みが「2」であるGrоup2、4、6、8の画素のON時間の2倍となるように制御する。
以上の制御により得られるカウント値から動画データ生成までの処理は、図5(b)の場合と同様であるため、説明を省略する。
上記動作により、撮像素子206上の画素のうち、同時刻にONされているのは全体の1/9の画素のみとなるため、全画素同時にONする場合と比較して、撮影に係る電力を大幅に低減させることができる。
また、図5(b)の駆動方法に比べ、Grоup5からその周辺の画素グループにかけて重みづけして得られたカウント値を加算しているため、エッジ強調され、最終的な出力画像の解像感低下も緩和される。
<駆動方法4>
図5(b)及び図5(c)の動作方法では、Grоup1からGrоup9までの画素を順次ONしているため、被写体が動いている場合に被写体歪みが目立ちやすい。そこで、被写体歪みを低減する駆動方法の例を、図5(d)を用いて説明する。
図5(d)の動作において、各画素Grの重みづけは図5(c)の場合と同様である。そのため、各画素グループのON時間の合計は、図5(c)と同じであるが、図5(d)の動作では、各画素グループ内でも画素のON時間を離散的に配置すると共に、ONする順番も領域的に偏らないように制御している。
より詳細には、まず、時刻t0’〜時刻t1’の間、パターン(5)の信号を用いて、Grоup5の画素をONにする。次に、時刻t1’〜時刻t2’の間、パターン(2)の信号を用いて、Grоup2の画素をONにする。そして、時刻t2’〜時刻t3’の間は、パターン(8)の信号を用いて、Grоup8の画素をONにし、時刻t3’〜時刻t4’の間は、パターン(4)の信号を用いて、Grоup4の画素をONにする。
以下同様に、パターン(1)からパターン(9)の信号を用いて、Group6、5、1、9、3、7、5、8、2、6、4、5の順に、画素をONする。このように、重みが「4」であるGrоup5の画素は4回、重みが「2」であるGrоup2、4、6、8の画素は2回、重みが「1」であるGrоup1、3、7、9の画素は1回、ONとなるように、離散的に制御する。
以上の制御により得られるカウント値から動画データ生成までの処理は、図5(b)の場合と同様であるため、説明を省略する。
図5(d)のように駆動することで、図5(b)や図5(c)の駆動方法に比べ、移動する被写体を撮影する際のON時間のずれによる画像への影響(被写体歪)を抑えることができる。
上記動作により、撮像素子206上の画素のうち、同時刻にONされているのは全体の1/9の画素のみとなるため、全画素同時にONする場合と比較して、撮影に係る電力を大幅に低減させることができる。
また、画素をONする順番、ON時間の重みづけを工夫することで、ジャギーや解像度の低減、被写体歪にも考慮した駆動が可能となる。
なお、上述した例では、画素を9つの画素グループに分けて制御する場合について説明したが、本発明はこれに限られるものでは無い。例えば、4つの画素グループや、16の画素グループに分けることも可能である。
また、入力端子A、B、C、D、Eへの入力信号をTG208から入力するものとして説明したが、TG208からのタイミング信号に応じて、撮像素子206内で生成するようにしても良い。
また、上述した例では、Group1〜Group9のいずれかの画素か、またはGroup1〜Group9の全ての画素をONする場合について説明したが、本発明はこれに限られるものでは無い。上述した構成及び入力信号を利用して、Group1〜Group9の画素を画素グループ単位で選択する駆動方法であれば良く、目的の画像に必要な信号得られるように、様々な駆動方法により駆動することが可能である。
また、上述した例では、電圧HVDDと電圧LVDDを、スイッチ106,107のON/OFFにより切り替えて供給する場合について説明したが、異なる電圧を切り替えて供給可能であれば、図3に示す構成と異なる構成であっても構わない。例えば、電圧HVDDと電圧LVDDのいずれかに接続するスイッチにより、出力端子Fの出力がHighであれば電圧HVDD、Lowであれば電圧LVDDに接続するように構成しても良い。その場合には、論理回路105における出力端子Gの構成が不要になる。
<他の実施形態>
なお、本発明は、複数の機器(例えばホストコンピュータ、インターフェイス機器、カメラなど)から構成されるシステムに適用しても、一つの機器からなる装置に適用してもよい。
また、本発明は、上述の実施形態の1以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける1つ以上のプロセッサーがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、1以上の機能を実現する回路(例えば、ASIC)によっても実現可能である。
発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。
101:クエンチ抵抗、102:APD、103:コンパレータ、104:カウンタ、105:論理回路、106,107:スイッチ、201:レンズ、202:レンズ駆動部。203:メカニカルシャッタ、204:絞り、205:メカニカルシャッタ・絞り駆動部 206:撮像素子、207:撮像信号処理回路、208:タイミング発生部、209:第1メモリ部、210:全体制御演算部、211:記録媒体制御インターフェース部、212:表示部、213:記録媒体、214:外部インターフェース部、215:第2メモリ部、216:操作部、301:センサ基板、302:回路基板、303:画素、304:画素演算部、305:信号処理回路
しかしながら、APDを用いたフォトンカウンティング型の撮像素子は露光期間中に高電界をかけるために電圧源VDDから高い電圧をかける必要がある。そのため、すべての画素同時に露光する場合、露光期間に消費電力が急激に増加することとなる。

Claims (14)

  1. アバランシェフォトダイオードをそれぞれが有する複数の画素と、
    前記複数の画素を複数の画素グループに分けた画素グループ毎に、前記アバランシェフォトダイオードの降伏電圧よりも大きい第1の電圧値と、前記降伏電圧よりも小さい第2の電圧値のいずれかが、前記アバランシェフォトダイオードの逆バイアス電圧として供給されるように制御する制御手段と
    を有することを特徴とする撮像素子。
  2. 前記制御手段は、前記複数の画素グループの1つに属する画素に前記第1の電圧値を供給し、それ以外の画素に前記第2の電圧値を供給するように制御することにより、前記複数の画素から信号を間引いて読み出すことを特徴とする請求項1に記載の撮像素子。
  3. 前記制御手段は、前記複数の画素グループの1つに属する画素に前記第1の電圧値を供給し、それ以外の画素に前記第2の電圧値を供給する制御を、前記複数の画素グループに対して順次、行うことにより、前記複数の画素から順次、信号を読み出すことを特徴とする請求項1または2に記載の撮像素子。
  4. 前記制御手段は、前記複数の画素グループに対して重み付けを行い、前記第1の電圧値を供給する時間を、前記重み付けに応じて前記画素グループ毎に設定することを特徴とする請求項3に記載の撮像素子。
  5. 前記制御手段は、前記第1の電圧値を供給する時間を、離散的に設定することを特徴とする請求項4に記載の撮像素子。
  6. 前記第1の電圧値を供給する第1の供給手段と、前記第2の電圧値を供給する第2の供給手段とを更に有し、
    前記制御手段は、前記第1の供給手段と前記第2の供給手段のいずれかを選択することにより、前記第1の電圧値と前記第2の電圧値のいずれかが供給されるように制御することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の撮像素子。
  7. 前記複数の画素はそれぞれ、前記第1の供給手段を選択する第1のスイッチと、前記第2の電圧手段を選択する第2のスイッチとを有し、前記第1のスイッチと第2のスイッチは、前記制御手段により制御されることを特徴とする請求項6に記載の撮像素子。
  8. 前記アバランシェフォトダイオードの出力に基づいて生成されるパルス信号の数をカウントして、カウント値を出力するカウンタを更に有することを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の撮像素子。
  9. 前記制御手段は、前記複数の画素グループにそれぞれ対応し、複数の入力端子を有する互いに異なる構成を有する複数の論理回路を含み、前記複数の論理回路は、前記複数の入力端子に入力する同じ組み合わせの入力信号に対して、異なる出力信号を、前記逆バイアス電圧を制御するための制御信号として出力することを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の撮像素子。
  10. 請求項9に記載の撮像素子と、
    前記複数の論理回路それぞれの複数の入力端子に入力する前記入力信号を供給する手段と
    を有することを特徴とする撮像装置。
  11. 請求項8に記載の撮像素子と、
    前記撮像素子から出力されるカウント値を処理して、画像データを生成する処理手段と
    を有することを特徴とする画像処理装置。
  12. アバランシェフォトダイオードをそれぞれが有する複数の画素を含む撮像素子の制御方法であって、
    制御手段が、前記複数の画素を複数の画素グループに分けた画素グループ毎に、前記アバランシェフォトダイオードの降伏電圧よりも大きい第1の電圧値と、前記降伏電圧よりも小さい第2の電圧値のいずれかが、前記アバランシェフォトダイオードの逆バイアス電圧として供給されるように制御することを特徴とする撮像素子の制御方法。
  13. コンピュータに、請求項12に記載の制御方法を実行させるためのプログラム。
  14. 請求項13に記載のプログラムを記憶したコンピュータが読み取り可能な記憶媒体。
JP2019039808A 2019-03-05 2019-03-05 撮像素子及びその制御方法、撮像装置、及び、画像処理装置 Active JP6949067B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019039808A JP6949067B2 (ja) 2019-03-05 2019-03-05 撮像素子及びその制御方法、撮像装置、及び、画像処理装置
US16/805,969 US11122231B2 (en) 2019-03-05 2020-03-02 Image sensor and control method thereof, image capturing apparatus, and image processing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019039808A JP6949067B2 (ja) 2019-03-05 2019-03-05 撮像素子及びその制御方法、撮像装置、及び、画像処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020145554A true JP2020145554A (ja) 2020-09-10
JP6949067B2 JP6949067B2 (ja) 2021-10-13

Family

ID=72335550

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019039808A Active JP6949067B2 (ja) 2019-03-05 2019-03-05 撮像素子及びその制御方法、撮像装置、及び、画像処理装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11122231B2 (ja)
JP (1) JP6949067B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022034409A (ja) * 2020-08-18 2022-03-03 キヤノン株式会社 画像符号化装置及びその制御方法及びプログラム

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160284743A1 (en) * 2015-03-23 2016-09-29 Stmicroelectronics (Research & Development) Limited Circuit and method for controlling a spad array
JP2018198388A (ja) * 2017-05-24 2018-12-13 キヤノン株式会社 固体撮像素子、撮像装置及び撮像方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011107645A1 (de) * 2011-07-12 2013-01-17 Leica Microsystems Cms Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Detektieren von Licht
JP6017916B2 (ja) 2012-10-16 2016-11-02 株式会社豊田中央研究所 光検出器
US9312401B2 (en) * 2014-01-15 2016-04-12 Omnivision Technologies, Inc. Single photon avalanche diode imaging sensor for complementary metal oxide semiconductor stacked chip applications
FR3043797A1 (ja) * 2015-11-16 2017-05-19 Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas
US9997551B2 (en) * 2015-12-20 2018-06-12 Apple Inc. Spad array with pixel-level bias control
US10324171B2 (en) * 2015-12-20 2019-06-18 Apple Inc. Light detection and ranging sensor
EP3339886B1 (de) * 2016-12-22 2019-02-13 Sick AG Lichtempfänger mit einer vielzahl von lawinenphotodiodenelementen und verfahren zur versorgung mit einer vorspannung
US10340408B1 (en) * 2018-05-17 2019-07-02 Hi Llc Non-invasive wearable brain interface systems including a headgear and a plurality of self-contained photodetector units configured to removably attach to the headgear

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160284743A1 (en) * 2015-03-23 2016-09-29 Stmicroelectronics (Research & Development) Limited Circuit and method for controlling a spad array
JP2018198388A (ja) * 2017-05-24 2018-12-13 キヤノン株式会社 固体撮像素子、撮像装置及び撮像方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6949067B2 (ja) 2021-10-13
US20200288077A1 (en) 2020-09-10
US11122231B2 (en) 2021-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6961392B2 (ja) 固体撮像素子、撮像装置及び撮像方法
CN104869290B (zh) 摄像元件、摄像装置
JP6096243B2 (ja) 画像データの処理方法およびシステム
JP7170448B2 (ja) 撮像素子、撮像装置及び信号処理方法
TW201739042A (zh) 固體攝像元件、電子機器及固體攝像元件之控制方法
US9781366B2 (en) Image sensing system and method of driving the same
US20160316158A1 (en) Imaging apparatus and signal processing method
CN110266975A (zh) 摄像元件以及摄像装置
JP2020150377A (ja) 情報処理装置、撮像素子、撮像装置、及び情報処理方法
JP6949067B2 (ja) 撮像素子及びその制御方法、撮像装置、及び、画像処理装置
JP2019129338A (ja) 固体撮像素子、撮像装置及び撮像方法
US11025852B2 (en) Image capturing apparatus and control method thereof
JP2020025171A5 (ja) 撮像素子及び撮像装置
US11699717B2 (en) Image pickup element and image pickup apparatus
JP2020025171A (ja) 撮像素子及びその制御方法、及び撮像装置
JP7256661B2 (ja) 撮像デバイス、撮像手段の制御方法、プログラム及び記憶媒体
JP7361514B2 (ja) 撮像素子および撮像装置
JP2017194656A (ja) 撮像装置及びその制御方法、プログラム並びに記憶媒体
JP2021044782A (ja) 撮像素子及び撮像装置
JP2020010093A (ja) 撮像素子および撮像装置
JP2020202472A (ja) 撮像装置及びその制御方法
JP7379005B2 (ja) 撮像素子、撮像装置、および制御方法
JP7279746B2 (ja) 撮像ユニットおよび撮像装置
JP6980859B2 (ja) 撮像素子
JP2021057781A (ja) 撮像素子およびその制御方法、撮像装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191220

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20191220

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20201218

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20210103

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210113

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210212

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210408

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210823

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210921

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6949067

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151