JP2020145554A - 撮像素子及びその制御方法、撮像装置、及び、画像処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図5(a)は、Grоup1の画素のみをONにした場合を示している。図5(a)においては、時刻t0〜時刻t18にかけて、TG208から撮像素子206の論理回路105の入力端子A、B、C、D、Eに対して、図4(j)に示すパターン(1)の信号、即ち、すべてLowレベルの信号を入力する。
図5(a)に示す駆動方法では、全画素の1/9の画素しかONとしないため、最終的な出力画像は1/9に間引かれた画像となり、画像のエッジや輪郭部分のガタツキ(以下、「ジャギー」と呼ぶ。)が生じる場合が想定される。そこで、最終出力画像にてジャギーが発生せず、かつ消費電力を低減する駆動方法の例を、図5(b)を用いて説明する。
図5(b)の露光制御では9画素を加算するため、解像感が低下してしまう。そこで、さらに解像感にも配慮したうえで消費電力を低減する駆動方法の例を、図5(c)を用いて説明する。
図5(b)及び図5(c)の動作方法では、Grоup1からGrоup9までの画素を順次ONしているため、被写体が動いている場合に被写体歪みが目立ちやすい。そこで、被写体歪みを低減する駆動方法の例を、図5(d)を用いて説明する。
なお、本発明は、複数の機器(例えばホストコンピュータ、インターフェイス機器、カメラなど)から構成されるシステムに適用しても、一つの機器からなる装置に適用してもよい。
Claims (14)
- アバランシェフォトダイオードをそれぞれが有する複数の画素と、
前記複数の画素を複数の画素グループに分けた画素グループ毎に、前記アバランシェフォトダイオードの降伏電圧よりも大きい第1の電圧値と、前記降伏電圧よりも小さい第2の電圧値のいずれかが、前記アバランシェフォトダイオードの逆バイアス電圧として供給されるように制御する制御手段と
を有することを特徴とする撮像素子。 - 前記制御手段は、前記複数の画素グループの1つに属する画素に前記第1の電圧値を供給し、それ以外の画素に前記第2の電圧値を供給するように制御することにより、前記複数の画素から信号を間引いて読み出すことを特徴とする請求項1に記載の撮像素子。
- 前記制御手段は、前記複数の画素グループの1つに属する画素に前記第1の電圧値を供給し、それ以外の画素に前記第2の電圧値を供給する制御を、前記複数の画素グループに対して順次、行うことにより、前記複数の画素から順次、信号を読み出すことを特徴とする請求項1または2に記載の撮像素子。
- 前記制御手段は、前記複数の画素グループに対して重み付けを行い、前記第1の電圧値を供給する時間を、前記重み付けに応じて前記画素グループ毎に設定することを特徴とする請求項3に記載の撮像素子。
- 前記制御手段は、前記第1の電圧値を供給する時間を、離散的に設定することを特徴とする請求項4に記載の撮像素子。
- 前記第1の電圧値を供給する第1の供給手段と、前記第2の電圧値を供給する第2の供給手段とを更に有し、
前記制御手段は、前記第1の供給手段と前記第2の供給手段のいずれかを選択することにより、前記第1の電圧値と前記第2の電圧値のいずれかが供給されるように制御することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の撮像素子。 - 前記複数の画素はそれぞれ、前記第1の供給手段を選択する第1のスイッチと、前記第2の電圧手段を選択する第2のスイッチとを有し、前記第1のスイッチと第2のスイッチは、前記制御手段により制御されることを特徴とする請求項6に記載の撮像素子。
- 前記アバランシェフォトダイオードの出力に基づいて生成されるパルス信号の数をカウントして、カウント値を出力するカウンタを更に有することを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の撮像素子。
- 前記制御手段は、前記複数の画素グループにそれぞれ対応し、複数の入力端子を有する互いに異なる構成を有する複数の論理回路を含み、前記複数の論理回路は、前記複数の入力端子に入力する同じ組み合わせの入力信号に対して、異なる出力信号を、前記逆バイアス電圧を制御するための制御信号として出力することを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の撮像素子。
- 請求項9に記載の撮像素子と、
前記複数の論理回路それぞれの複数の入力端子に入力する前記入力信号を供給する手段と
を有することを特徴とする撮像装置。 - 請求項8に記載の撮像素子と、
前記撮像素子から出力されるカウント値を処理して、画像データを生成する処理手段と
を有することを特徴とする画像処理装置。 - アバランシェフォトダイオードをそれぞれが有する複数の画素を含む撮像素子の制御方法であって、
制御手段が、前記複数の画素を複数の画素グループに分けた画素グループ毎に、前記アバランシェフォトダイオードの降伏電圧よりも大きい第1の電圧値と、前記降伏電圧よりも小さい第2の電圧値のいずれかが、前記アバランシェフォトダイオードの逆バイアス電圧として供給されるように制御することを特徴とする撮像素子の制御方法。 - コンピュータに、請求項12に記載の制御方法を実行させるためのプログラム。
- 請求項13に記載のプログラムを記憶したコンピュータが読み取り可能な記憶媒体。
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