JP2020145318A - 高周波パッケージ - Google Patents
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Abstract
【課題】アンダーフィル材によるシールド用はんだバンプのシールド性低下を防止することができる高周波パッケージを得ること。【解決手段】高周波パッケージ100は、第1配線基板1と、高周波デバイス3と、アンダーフィル材6と、シールド用はんだバンプ5と、第2配線基板2とを備える。高周波デバイス3は、第1配線基板1にはんだバンプ4を介して電気的に接続される。アンダーフィル材6は、高周波デバイス3と第1配線基板1との間に充填される。シールド用はんだバンプ5は、第1配線基板1上における高周波デバイス3の周囲に配置される。第2配線基板2は、シールド用はんだバンプ5を介して第1配線基板1と電気的に接続される。第1配線基板1には、シールド用はんだバンプ5とアンダーフィル材6との間にレジストの開口であるレジスト開口10が形成される。【選択図】図1
Description
本発明は、高周波デバイスを備える高周波パッケージに関する。
従来、MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit)などのようにマイクロ波帯またはミリ波帯などの高周波信号を扱う高周波デバイスを備える高周波パッケージが知られている。かかる高周波パッケージでは、例えば、高周波デバイスがWLCSP(Wafer Level Chip Size Package)などである場合、フリップチップ実装によって高周波デバイスが配線基板に実装される。
フリップチップ実装では、配線基板と高周波デバイスとがはんだバンプで接続されるため、リード端子を用いた場合に比べ、機械的強度が弱い。そのため、例えば、配線基板と高周波デバイスとの間に発生する部材同士の線膨張係数差により発生する応力によって高周波デバイスと配線基板とを接続するはんだバンプの破断などが発生する場合がある。そこで、特許文献1に記載されているように、フリップチップ実装では、はんだバンプの破断などを防止するために、配線基板と高周波デバイスとの間にアンダーフィル材が充填されることがある。
上述した高周波パッケージにおいて、外部への不要輻射を防ぐために高周波デバイスの周囲にシールド用はんだバンプを実装する場合、かかるシールド用はんだバンプにアンダーフィル材が付着してしまう可能性がある。シールド用はんだバンプにアンダーフィル材が付着すると、その後のリフロー工程において、はんだ不濡れが生じ、シールド用はんだバンプによってシールド性が低下する問題が生じる場合がある。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、アンダーフィル材によるシールド用はんだバンプのシールド性低下を防止することができる高周波パッケージを得ることを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の高周波パッケージは、第1配線基板と、高周波デバイスと、アンダーフィル材と、シールド用はんだバンプと、第2配線基板とを備える。高周波デバイスは、第1配線基板にはんだバンプを介して電気的に接続される。アンダーフィル材は、高周波デバイスと第1配線基板との間に充填される。シールド用はんだバンプは、第1配線基板上における高周波デバイスの周囲に配置される。第2配線基板は、シールド用はんだバンプを介して第1配線基板と電気的に接続される。第1配線基板には、シールド用はんだバンプとアンダーフィル材との間にレジストの開口が形成される。
本発明によれば、アンダーフィル材によるシールド用はんだバンプのシールド性低下を防止することができる、という効果を奏する。
以下に、本発明の実施の形態にかかる高周波パッケージを図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
実施の形態1.
図1は、本発明の実施の形態1にかかる高周波パッケージの断面図である。図1に示すように、実施の形態1にかかる高周波パッケージ100は、第1配線基板1と、第2配線基板2と、高周波デバイス3と、シールド用はんだバンプ5と、アンダーフィル材6とを備える。
図1は、本発明の実施の形態1にかかる高周波パッケージの断面図である。図1に示すように、実施の形態1にかかる高周波パッケージ100は、第1配線基板1と、第2配線基板2と、高周波デバイス3と、シールド用はんだバンプ5と、アンダーフィル材6とを備える。
第1配線基板1および第2配線基板2は、2層以上の積層基板である。第1配線基板1の表面側には金属導体層11が形成される。第1配線基板1の表面には、金属導体層11を覆うレジスト7が形成される。レジスト7は、第1配線基板1の表面の大部分を覆っており、金属導体層11の一部の金属導体膜からなるパッド部および一部の信号線路などが露出するように一部が開口している。同様に、第2配線基板2の表面には金属導体層21が形成される。第2配線基板2の表面には、金属導体層21を覆うレジスト8が形成される。レジスト8は、第2配線基板2の表面の大部分を覆っており、金属導体層21の一部の金属導体膜からなるパッド部および一部の信号線路などが露出するように一部が開口している。
高周波デバイス3は、マイクロ波帯またはミリ波帯などの高周波信号を扱うIC(Integrated Circuit)などの半導体デバイスであり、例えば、MMICである。高周波デバイス3は、フリップチップ実装によってはんだバンプ4を介して第1配線基板1に電気的に接続される。なお、第1配線基板1のうち高周波デバイス3がフリップチップ実装される表面におけるシールド用はんだバンプ5の実装される領域は、レジスト7が付着しておらず、例えば金属導体層11の一部の金属導体膜が矩形状に露出したパッド部が形成されている。当該パッド部上に高周波デバイス3がフリップチップ実装される。
シールド用はんだバンプ5は、高周波デバイス3を取り囲むように第1配線基板1上における高周波デバイス3の周囲に複数配置されており、第1配線基板1と第2配線基板2とを電気的に接続する。かかるシールド用はんだバンプ5によって、高周波パッケージ100の外部への不要輻射が低減または防止される。なお、第1配線基板1の表面にシールド用はんだバンプ5が実装される領域は、レジスト7が付着しておらず、例えば金属導体層11の一部の金属導体膜が円形状に露出したパッド部が形成されている。当該パッド部上にシールド用はんだバンプ5が接合する。
アンダーフィル材6は、第1配線基板1と高周波デバイス3との間に充填される。これにより、第1配線基板1と高周波デバイス3との間に加わる応力が緩和され、第1配線基板1と高周波デバイス3とを接続するはんだバンプ4の破断などが防止される。アンダーフィル材6は、例えば、液状硬化性樹脂である。
第1配線基板1には、複数のシールド用はんだバンプ5の少なくとも一部とアンダーフィル材6との間に、レジスト7に形成された開口であるレジスト開口10が形成される。レジスト開口10は、例えば第1配線基板1の表面のレジスト7に、細長い隙間のスリット形状もしくは細長い長方形状開口が形成されて、例えば金属導体層11の一部の金属導体膜がスリット形状もしくは細長い長方形状に露出している。レジスト開口10は、その開口の長手方向が複数のシールド用はんだバンプ5の配列方向に沿うように配置される。かかるレジスト開口10によってアンダーフィル材6の塗布工程において、アンダーフィル材6がシールド用はんだバンプ5に付着することが防止される。
かかるレジスト開口10が形成されていない場合、アンダーフィル材6の塗布工程において、アンダーフィル材6がシールド用はんだバンプ5に付着する場合がある。以下、レジスト開口10が形成されていない高周波パッケージについて説明する。図2は、実施の形態1にかかるレジスト開口が形成されていない高周波パッケージの断面図である。図3は、図2に示す高周波パッケージにおけるアンダーフィル材の塗布工程を説明するための図である。
図2に示すように、高周波パッケージ100’は、図1に示すレジスト開口10が形成されていない。高周波パッケージ100’におけるアンダーフィル材6の塗布工程では、図3に示すように、第1配線基板1に高周波デバイス3がはんだバンプ4によって実装されている状態において、アンダーフィル材6がアンダーフィル塗布位置9に滴下される。アンダーフィル塗布位置9に滴下されたアンダーフィル材6は、第1配線基板1上を濡れ広がり、第1配線基板1と高周波デバイス3との間に浸透する。これにより、アンダーフィル材6が第1配線基板1と高周波デバイス3との間に充填される。
また、アンダーフィル材6の一部は、シールド用はんだバンプ5へ向けても濡れ広がり、図3に示すようにシールド用はんだバンプ5に付着する場合がある。この場合、シールド用はんだバンプ5に第2配線基板2を接続するためのリフロー工程において、シールド用はんだバンプ5に付着したアンダーフィル材6により、シールド用はんだバンプ5が第2配線基板2に未接続になるはんだ不濡れが発生する場合がある。そして、かかる不濡れによって、シールド用はんだバンプ5によるシールド性が低下し、EMI(Electro-Magnetic Interference)特性が劣化することがある。
次に、レジスト開口10が形成された高周波パッケージ100におけるアンダーフィル材6の塗布工程について説明する。図4は、実施の形態1にかかる高周波パッケージにおけるアンダーフィル材の塗布工程を説明するための図である。図4に示すように、アンダーフィル材6の塗布工程では、第1配線基板1に高周波デバイス3がはんだバンプ4によって実装されている状態において、アンダーフィル材6がアンダーフィル塗布位置9に滴下される。アンダーフィル塗布位置9に滴下されたアンダーフィル材6は、第1配線基板1上を濡れ広がり、第1配線基板1と高周波デバイス3との間に浸透する。これにより、アンダーフィル材6が第1配線基板1と高周波デバイス3との間に充填される。
また、アンダーフィル材6は、シールド用はんだバンプ5へ向けても濡れ広がるが、第1配線基板1には、アンダーフィル塗布位置9とシールド用はんだバンプ5との間にレジスト開口10が形成される。そのため、シールド用はんだバンプ5へ向けて濡れ広がるアンダーフィル材6は、レジスト開口10での表面張力によってレジスト開口10を越える濡れ広がりが遮断される。これにより、アンダーフィル材6の塗布工程においてアンダーフィル材6がシールド用はんだバンプ5に付着することを防止することができる。したがって、アンダーフィル材6によってシールド用はんだバンプ5のシールド性が低下することを防止することができる。
図4に示す例では、レジスト開口10は、高周波デバイス3の対向する方向であるX軸方向と直交するY軸方向に延伸している。これにより、レジスト開口10の大きさを抑えつつも、アンダーフィル塗布位置9に滴下されるアンダーフィル材6がシールド用はんだバンプ5に付着することを防止することができる。
また、図4に示す例では、レジスト開口10は、Y軸正方向およびY軸負方向のいずれにおいても、高周波デバイス3よりも長い位置まで形成される。換言すれば、X軸方向から見た場合に、レジスト開口10の一部が高周波デバイス3の全体と重複する。そのため、アンダーフィル塗布位置9に滴下されるアンダーフィル材6がシールド用はんだバンプ5に付着することを精度よく防止することができる。
なお、レジスト開口10の形状および数は図4に示す例に限定されない。例えば、レジスト開口10は、高周波デバイス3を囲むように枠状または環状に形成されていてもよい。これにより、アンダーフィル塗布位置9が図4に示す位置と異なる場合であっても、アンダーフィル材6がシールド用はんだバンプ5に付着することを精度よく防止することができる。
以上のように、実施の形態1にかかる高周波パッケージ100は、第1配線基板1と、高周波デバイス3と、アンダーフィル材6と、シールド用はんだバンプ5と、第2配線基板2とを備える。高周波デバイス3は、第1配線基板1にはんだバンプ4を介して電気的に接続される。アンダーフィル材6は、第1配線基板1と高周波デバイス3との間に充填される。シールド用はんだバンプ5は、第1配線基板1上における高周波デバイス3の周囲に配置される。第2配線基板2は、シールド用はんだバンプ5を介して第1配線基板1と電気的に接続される。第1配線基板1には、シールド用はんだバンプ5とアンダーフィル材6との間にレジスト7の開口であるレジスト開口10が形成される。これにより、アンダーフィル材6によるシールド用はんだバンプ5のシールド性低下を防止することができる。
また、レジスト開口10は、アンダーフィル材6の第1配線基板1上への滴下位置であるアンダーフィル塗布位置9とシールド用はんだバンプ5との間に形成される。これにより、アンダーフィル材6が濡れ広がる可能性が高い位置にレジスト開口10が形成されるため、アンダーフィル材6によるシールド用はんだバンプ5のシールド性低下を効果的に防止することができる。
以上の実施の形態に示した構成は、本発明の内容の一例を示すものであり、別の公知の技術と組み合わせることも可能であるし、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、構成の一部を省略、変更することも可能である。
1 第1配線基板、2 第2配線基板、3 高周波デバイス、4 はんだバンプ、5 シールド用はんだバンプ、6 アンダーフィル材、7,8 レジスト、9 アンダーフィル塗布位置、10 レジスト開口、11,21 金属導体層、100,100’ 高周波パッケージ。
Claims (2)
- 第1配線基板と、
前記第1配線基板にはんだバンプを介して電気的に接続される高周波デバイスと、
前記高周波デバイスと前記第1配線基板との間に充填されるアンダーフィル材と、
前記第1配線基板上における前記高周波デバイスの周囲に配置されるシールド用はんだバンプと、
前記シールド用はんだバンプを介して前記第1配線基板と電気的に接続される第2配線基板と、を備え、
前記第1配線基板には、
前記シールド用はんだバンプと前記アンダーフィル材との間にレジストの開口が形成される
ことを特徴とする高周波パッケージ。 - 前記レジストの前記開口は、
前記アンダーフィル材の前記第1配線基板上への滴下位置と前記シールド用はんだバンプとの間に形成される
ことを特徴とする請求項1に記載の高周波パッケージ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2019040918A JP2020145318A (ja) | 2019-03-06 | 2019-03-06 | 高周波パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2019040918A JP2020145318A (ja) | 2019-03-06 | 2019-03-06 | 高周波パッケージ |
Publications (1)
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JP2020145318A true JP2020145318A (ja) | 2020-09-10 |
Family
ID=72354482
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2019040918A Pending JP2020145318A (ja) | 2019-03-06 | 2019-03-06 | 高周波パッケージ |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2021048333A (ja) * | 2019-09-20 | 2021-03-25 | 日本電産コパル株式会社 | 回路基板及び撮像装置 |
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2019
- 2019-03-06 JP JP2019040918A patent/JP2020145318A/ja active Pending
Cited By (2)
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