JP2020142363A5 - - Google Patents
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Description
本発明の変形型によれば、前記仮基板を取り除く作業は、
－前記仮基板が製作される材料の中に、析出又は化学反応を生じさせる元素を拡散させるステップ、又は
－前記仮基板の中にイオンを注入するステップ
を含む。
－前記仮基板が製作される材料の中に、析出又は化学反応を生じさせる元素を拡散させるステップ、又は
－前記仮基板の中にイオンを注入するステップ
を含む。
具体的には、第一の例示的な方法のステップ１．９）は成長基板の化学的エッチングに基づく。成長基板がシリコンから製作されず、したがって化学的に溶解させることが難しい場合、又は時間を節約するために、薄化を研削及び化学機械研磨方式によって機械的に行うことが有利であり得る。しかしながら、依然として欠点があり、すなわち、そのプロセスは成長基板の消費及び、したがってその損失につながり、その結果、顕著にコストがかさむ。この問題を回避するために、成長基板を機械的に破砕することが有利であり得、これは、適当なリコンディショニングステップが実行されれば再使用できる。この破砕は様々な方法で行われてよい。以下に説明する：
－圧電層の成長中の脆弱な界面の生成。これは主として、析出又は化学反応を引き起こし、存在する包囲された材料のうちの１つの体積を増大させ、したがって機械的応力を加えることで自然に剥離することになる元素の拡散が支援されているときに生じ得る。
－他の方法は、圧電層の成長後に脆弱な界面を形成することである。この界面は、イオンを成長基板中に注入し、その後、熱アニーリングを行って、Ｓｍａｒｔ Ｃｕｔ（商標）プロセスと同様のプロセスを使って材料が破砕されるようにすることによって形成されてよい。これは、エピタキシャル層及び格子パラメータに対応するための副層群が、注入中にイオンフラックスが通過できるようにするために比較的薄い場合に可能である。
－圧電層の成長中の脆弱な界面の生成。これは主として、析出又は化学反応を引き起こし、存在する包囲された材料のうちの１つの体積を増大させ、したがって機械的応力を加えることで自然に剥離することになる元素の拡散が支援されているときに生じ得る。
－他の方法は、圧電層の成長後に脆弱な界面を形成することである。この界面は、イオンを成長基板中に注入し、その後、熱アニーリングを行って、Ｓｍａｒｔ Ｃｕｔ（商標）プロセスと同様のプロセスを使って材料が破砕されるようにすることによって形成されてよい。これは、エピタキシャル層及び格子パラメータに対応するための副層群が、注入中にイオンフラックスが通過できるようにするために比較的薄い場合に可能である。
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|---|---|
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