JP2020136485A - 配線基板 - Google Patents
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Abstract
【課題】配線基板の品質の向上。【解決手段】実施形態の配線基板1は、アンテナ2を構成する第1放射素子21を含む第1導体層31と、第1放射素子21と共にアンテナ2を構成する第2放射素子22を含む第2導体層32と、第1放射素子21と第2放射素子22との間に介在する2以上の層間絶縁層4aと、2以上の層間絶縁層4aの相互の間にそれぞれ介在する内層の導体層3aと、を備えている。そして、内層の導体層3aそれぞれは、第1放射素子21及び第2放射素子22と平面視において重ならない領域だけに導体パターン3a1を有し、配線基板1は、アンテナ2を含むアンテナ領域Aと、平面視におけるアンテナ領域Aの周囲の領域である周辺領域Pと、を有し、第2放射素子22の厚さは、第2導体層32において周辺領域Pに形成されている導体パターン32aの厚さよりも厚い。【選択図】図1
Description
本発明は配線基板に関する。
特許文献1には、一方の表面にアンテナ素子を備えた電子部品モジュールが開示されている。電子部品モジュールは、積層構造の第1の誘電体基板と、第1の誘電体基板に対して積層方向に配置された第2の誘電体基板とを備えている。アンテナ素子は第2の誘電体基板側の表面に設けられており、第1の誘電体基板側の表面には高周波デバイスが実装されている。
アンテナを備える特許文献1の電子部品モジュールでは、構造及び材料の異なる2つの誘電体基板が積層されているため、電子部品モジュール全体に反りが生じ易いと考えられる。電子部品モジュールに反りが生じると、誘電体基板上に実装されている電子部品などと誘電体基板との接続部にストレスが加わると推定される。電子部品モジュールの表面に設けられているアンテナの特性が低下するおそれもある。
本発明の配線基板は、アンテナを構成する第1放射素子を含む第1導体層と、前記第1放射素子と共に前記アンテナを構成する第2放射素子を含む第2導体層と、前記第1放射素子と前記第2放射素子との間に介在する2以上の層間絶縁層と、前記2以上の層間絶縁層の相互の間にそれぞれ介在する内層の導体層と、を備えている。そして、前記内層の導体層それぞれは、前記第1放射素子及び前記第2放射素子と平面視において重ならない領域だけに導体パターンを有し、前記配線基板は、前記アンテナを含むアンテナ領域と、平面視における前記アンテナ領域の周囲の領域である周辺領域と、を有し、前記第2放射素子の厚さは、前記第2導体層において前記周辺領域に形成されている導体パターンの厚さよりも厚い。
本発明の実施形態によれば、アンテナを備える配線基板における反りの発生を抑制して品質の向上に寄与することができると考えられる。
つぎに、本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図1には、一実施形態の配線基板の一例である配線基板1の断面図が示されている。図1に示されるように、配線基板1は、互いに同数の導体層を含んでいる2つのビルドアップ層(第1ビルドアップ層11及び第2ビルドアップ層12)と、第1及び第2のビルドアップ層11、12に挟まれているコア基板10とを含んでいる。第1ビルドアップ層11は、第1導体層31及び第2導体層32、並びに、第1導体層31と第2導体層32との間の2つの内層の導体層3aを含んでいる。第1ビルドアップ層11は、アンテナ2を構成する第1放射素子21及び第2放射素子22を含んでいる。第2ビルドアップ層12は、第3導体層33、及び、第3導体層33の上方に設けられた3つの導体層3bを含んでいる。なお、配線基板1の説明では、配線基板1の厚さ方向においてコア基板10から遠い側は「上側」もしくは「上方」、又は単に「上」とも称され、コア基板10に近い側は「下側」もしくは「下方」、又は単に「下」とも称される。さらに、各導体層及び各絶縁層において、コア基板10と反対側を向く表面は「上面」とも称され、コア基板10側を向く表面は「下面」とも称される。
第1ビルドアップ層11は、第1及び第2の導体層31、32の間に介在する3つの層間絶縁層4aを含んでいる。2つの内層の導体層3aそれぞれは、3つの層間絶縁層4aそれぞれの間に介在している。第1ビルドアップ層11は、さらに、第1導体層31に関して層間絶縁層4a側と反対側に設けられている第1絶縁層41を含んでいる。第1絶縁層41は、コア基板10と第1導体層31との間に介在する層間絶縁層である。なお、第1導体層31と第2導体層32との間の層間絶縁層4aの数は3つに限定されず、第1導体層31と第2導体層32との間には、2以上の任意の数の層間絶縁層4aが設けられ得る。また、内層の導体層3aは、必ずしも、2以上の層間絶縁層4aそれぞれの間全てに介在していなくてもよい。内層の導体層3aは、2以上の層間絶縁層4aのうちの積層方向において隣り合う少なくとも一組の間に設けられていればよい。すなわち、配線基板1は、少なくとも1つの内層の導体層3aを備え得る。
第2ビルドアップ層12は、第3導体層33及び3つの導体層3bそれぞれの間に介在する3つの層間絶縁層4b、及び、コア基板10と第3導体層33との間に介在する第2絶縁層42を含んでいる。第2ビルドアップ層12にも、3つ以外の任意の数の層間絶縁層4bが設けられてもよい。
コア基板10は、絶縁層(コア層)40と、絶縁層40の両面にそれぞれ形成されている導体層3c及び導体層3dとを含んでいる。絶縁層40には、導体層3cと導体層3dとを接続するスルーホール導体10aが形成されている。
各導体層(第1〜第3の導体層31〜33、内層の導体層3a、及び導体層3b〜3d)は、図1において単層構造を有するように示されているが、2つ又は3つなどの複数の層を有し得る。これら各導体層は、例えば、金属箔層、無電解めっき膜層、及び、電解めっき膜層を有し得る。各導体層は、例えば、銅、ニッケル、銀、パラジウムなどの任意の金属を単独で又は組み合わせて用いて形成され得る。
第1及び第2の絶縁層41、42、絶縁層40、並びに各層間絶縁層4a、4bは、任意の絶縁性材料を用いて形成される。絶縁性材料としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂(BT樹脂)又はフェノール樹脂などが例示される。これらの樹脂を用いて形成される各絶縁層は、ガラス繊維又はアラミド繊維などの補強材、及び/又は、シリカなどの無機フィラーを含んでいてもよい。
各絶縁層は、それぞれの上面側及び下面側の導体層同士を接続するビア導体5a、5bを含んでいる。第1絶縁層41及び絶縁層4aは、それぞれビア導体5aを含み、第2絶縁層42及び絶縁層4bは、それぞれビア導体5bを含んでいる。ビア導体5a、5bは、各絶縁層それぞれを貫く貫通孔を導電体で埋めることによって形成された、所謂フィルドビアである。ビア導体5a、5bは、それぞれの上側の導体層と一体的に形成されている。従ってビア導体5a、5bは、例えば、銅又はニッケルなどからなる無電解めっき膜及び電解めっき膜によって形成されている。スルーホール導体10aも、銅又はニッケルなどからなる無電解めっき膜及び電解めっき膜によって形成されている。
図1の例の配線基板1は、さらに、第1ビルドアップ層11上に形成されているソルダーレジスト層6a、及び、第2ビルドアップ層12上に形成されているソルダーレジスト層6bを含んでいる。ソルダーレジスト層6a、6bは、例えばエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを用いて形成される。ソルダーレジスト層6aは、第2導体層32を覆っている。
第2ビルドアップ層12の最も外側の導体層3bは、電子部品(図示せず)がその上に実装されるべき接続パッド3b1を含んでいる。ソルダーレジスト層6bは、接続パッド3b1を露出させる開口を有している。
第1導体層31は、第1放射素子21を含んでいる。第2導体層32は、第2放射素子22を含んでいる。第2導体層32は、さらに第2放射素子22の周囲に形成された導体パターン32aを含んでいる。第1放射素子21は第1導体層31に形成されている導体パターンによって構成されている。第2放射素子22は第2導体層32に形成されている導体パターンによって構成されている。第2放射素子22はソルダーレジスト層6aに覆われている。第1放射素子21と第2放射素子22との間には層間絶縁層4aが介在している。第1放射素子21と第2放射素子22とは、アンテナ2を構成すべく、層間絶縁層4aを介して対向している。第1放射素子21及び第2放射素子22は、互いに電磁的に結合することによってアンテナ2を構成している。第2放射素子22を含む第2導体層32は、配線基板1が有する導体層のうち、第1ビルドアップ層11側の最も外側(上側)に配置されている表層(最外層)の導体層である。層間絶縁層4aのような絶縁層に第2放射素子22が覆われている場合と比べて、アンテナ2による電波の送信及び/又は受信における影響が少ないと考えられる。
第1放射素子21は、第2放射素子22を向く表面21aに凹み21bを有している。第1絶縁層41は、第1放射素子21の下面(第1絶縁層41側の表面)に接続され、第1放射素子21と導体層3cとを接続するビア導体(第1ビア導体51)を含んでいる。第1ビア導体51は、第1絶縁層41に含まれる1以上のビア導体5aのうちの1つである。表面21aの凹み21bは、第1ビア導体51上に形成されている。凹み21bによって第1放射素子21と絶縁層4aとの接触面積を増加させることができ、両者の密着性を向上させ得ることがある。第1放射素子21の表面21aの凹み21bは、表面21a上に複数形成されていてもよい。
第1放射素子21には、アンテナ2から送信されるべき信号又はアンテナ2によって受信されるべき外来の信号が伝えられる。このように、第1放射素子21は、アンテナ2において電気信号が供給されるべき、又は、外来電波に基づく電気信号を誘起させるべき給電素子であってもよい。
第2放射素子22は、第2放射素子22以外の導電体から絶縁されており、第2放射素子22には、他の導電体からの通電は行われ得ない。第2放射素子22は、図1の例のように、アンテナ2の使用時に通電されない無給電素子であってもよい。
図1の例において給電素子である第1放射素子21は、第1ビルドアップ層11に含まれており、アンテナ2によって送信されるべき信号は第2ビルドアップ層12から第1放射素子21へと伝送される。また、アンテナ2によって受信された信号は、第1放射素子21から第2ビルドアップ層12へと伝送される。第2ビルドアップ層12に含まれる第3導体層33は、アンテナ2の送受信信号を伝える信号伝送路331を含んでいる。信号伝送路331は、好ましくは、第2ビルドアップ層12内の導体層3bとの間で、ストリップ線路を構成する。
第2絶縁層42は、信号伝送路331と導体層3dとを接続する第2ビア導体52を含んでいる。第2ビア導体52は、第2絶縁層42に含まれる1以上のビア導体5bのうちの1つである。第1ビア導体51と第2ビア導体52とは、スルーホール導体10aを介して電気的に接続されている。その結果、第1放射素子21と信号伝送路331とが電気的に接続されている。信号伝送路331と第1放射素子21との間で、第2ビア導体52、スルーホール導体10a、及び第1ビア導体51を介して、例えば高周波信号が双方向に伝送され得る。
図示されていないが、信号伝送路331は、第2ビルドアップ層12内のビア導体5bを介して接続パッド3b1に接続されていてもよい。その場合、接続パッド3b1に実装される電子部品(図示せず)で生成される信号が、アンテナ2から送信され得る。また、アンテナ2によって受信された信号が、接続パッド3b1に実装される電子部品に入力され、且つ、この電子部品によって処理され得る。
第1放射素子21は、第1導体層31の他の導体パターンと分離されている。すなわち、平面視において第1放射素子21の周囲には、第1導体層31において導体パターンの無い領域が設けられている。第2放射素子22も、第2導体層32の他の導体パターンと分離されており、平面視において第2導体層32の第2放射素子22の周囲には、導体パターンの無い領域が設けられている。なお、「平面視」は、配線基板1を外部から見るときの見方に関し、配線基板1の厚さ方向と平行な視線で配線基板1を見ることを意味している。
配線基板1は、アンテナ2を含むアンテナ領域Aと、アンテナ領域Aの周囲の領域である周辺領域Pとを有している。第1放射素子21と第2放射素子22とは、アンテナ領域Aにおいて、層間絶縁層4aを介して対向している。なお「アンテナ領域A」は、平面視において、第1及び第2の放射素子21、22が占める領域と、第1及び第2の導体層31、32における第1及び第2の放射素子21、22の周囲の離隔領域とによって構成される領域である。「離隔領域」は、第1及び第2の導体層31、32における第1及び第2の放射素子21、22の周囲の領域であって導体パターンが設けられていない領域である。
図1に示されるように、内層の導体層3aは、いずれも、第1放射素子21及び第2放射素子22の間には介在していない。すなわち、内層の導体層3aそれぞれは、第1放射素子21及び第2放射素子22と平面視で重なる領域には導体パターンを有さず、第1放射素子21及び第2放射素子22と平面視において重ならない領域だけに導体パターン3a1を有している。このように第1放射素子21と第2放射素子22との間に導電体を配さないことによって、アンテナ2において所望の特性が得られることがある。図1の例では、内層の導体層3aは、いずれも、第1放射素子21及び第2放射素子22と重なる領域を含むアンテナ領域A内において導体パターンを有していない。内層の導体層3aそれぞれに含まれる導体パターン3a1は、周辺領域Pに形成されている。
一方、図1の例では、周辺領域Pに設けられている導体パターン3a1の影響で、3つの層間絶縁層4aのうちの上側(第2導体層32側)の2つの上面それぞれには、アンテナ領域Aと周辺領域Pとの境界付近に段差が生じている。そのため、3つの層間絶縁層4aのうちの上側の2つの上面(第2導体層32側を向く表面)の高さ(例えば絶縁層40における第1ビルドアップ層11側の表面からの高さ)に関して、アンテナ領域Aは周辺領域Pよりも低い。すなわち、第2導体層32を除く配線基板1の厚さに関して、アンテナ領域Aは周辺領域Pよりも薄い。これに対して、本実施形態では、第2導体層32のアンテナ領域Aに形成されている第2放射素子22の厚さは、第2導体層32の周辺領域Pに形成されている導体パターン32aの厚さよりも厚い。
導体層と絶縁層との積層構造を有する配線基板では、例えば配線基板の構造的な特徴に起因して反りが生じ得る。例えば、配線基板に厚さの薄い領域が部分的に存在したり、いずれかの導体層において導体パターンの粗密のムラがあったりすると反りが生じ易い。従って、図1の例のように、例えば所望の電気的特性を得るべく、いずれかの導体層において導体パターンの無い領域が設けられたり、その結果、配線基板の厚さが一様でなかったりすると、反りの発生リスクが高まることがある。
本実施形態では、前述したように、第2導体層32に含まれる第2放射素子22の厚さは、同じく第2導体層32に含まれていて周辺領域Pに設けられている導体パターン32aの厚さよりも厚い。そのため、第2導体層32を除く配線基板1の厚さに関してアンテナ領域Aが周辺領域Pよりも薄くても、配線基板1全体では、その厚さの差を少なくすることができる。また、内層の導体層4aそれぞれにおいて導体パターンが設けられていないアンテナ領域Aの剛性を高めることができると考えられる。従って、本実施形態によれば、配線基板1の反りを抑制し得ることがある。その結果、図示されない電子部品などと配線基板1との接続部に加わり得るストレスが軽減されることがある。また、意図したアンテナ特性が得られ易いと考えられる。
図2には、図1のII部の拡大図が示されている。図2に示されるように、3つの層間絶縁層4aのうちの最も上側の1つの上面4a1には、内層の導体層3aの厚さT1の2倍の厚さに応じた大きさの段差SD1が、アンテナ領域Aと周辺領域Pとの境界部分に生じている。また、3つの層間絶縁層4aの中央の層間絶縁層4aの上面4a2には、内層の導体層3aの厚さT1そのものに応じた大きさの段差SD2が、アンテナ領域Aと周辺領域Pとの境界部分に生じている。
アンテナ領域Aは、第2導体層32を除く第1ビルドアップ層11の厚さに関して周辺領域Pよりも段差SD1だけ薄い。一方、第2導体層32の第2放射素子22と導体パターン32aとでは、アンテナ領域A内の第2放射素子32の方が、周辺領域P内の導体パターン32aよりも厚い。そのため、第2導体層32を含む第1ビルドアップ層11全体の厚さに関するアンテナ領域Aと周辺領域Pとの差異DBは、段差SD1よりも小さい。換言すると、第1ビルドアップ層11の厚さに関して、アンテナ領域Aにおける最大の厚さと周辺領域Pにおける最大の厚さとの差異DBは、アンテナ領域Aにおける最小の厚さと周辺領域Pにおける最小の厚さとの差異(段差SD1)よりも小さい。なお、「第1ビルドアップ層11の厚さ」は、第1樹脂絶縁層41の下面(コア基板10側の表面)から、第2導体層32の上面(第2導体層32の導体パターンが設けられていない領域では、最も上側の層間絶縁層4aの上面4a1)までの距離である。従って、第1ビルドアップ層11の「最大の厚さ」は、第2導体層32の導体パターンが設けられている領域での第1ビルドアップ層11の厚さであり。その「最小の厚さ」は、第2導体層32の導体パターンが設けられていない領域での第1ビルドアップ層11の厚さである。
第2放射素子22の厚さは、第2導体層32の周辺領域Pに設けられている導体パターン32aの厚さの、例えば、1.1倍以上、2.0倍以下であり、好ましくは、1.1倍以上、1.6倍以下である。また、第2放射素子22の厚さと導体パターン32aの厚さとの差は、アンテナ領域Aに導体パターンを含まない1以上の内層の導体層3aの厚さT1の合計値に略等しくてもよい。
図3には、図1の配線基板1におけるアンテナ領域A、及び周辺領域Pの一部の平面図が示されている。図1は、図3に示されるI−I線での断面を含む断面図である。なお、図3では、図1のソルダーレジスト層6aの図示は省略されている。また、明確さのために、第1放射素子21を示す破線は第2放射素子22の僅かに内側に描かれている。図3の例において、導体パターン32aは、アンテナ領域Aと周辺領域Pとの境界を画定している。また、導体パターン32aは、第2放射素子22の周囲全周に亘って第2放射素子22を囲んでおり、周辺領域Pはアンテナ領域Aを囲んでいる。アンテナ領域Aには、内層の導体層3a(図1参照)それぞれにおいて導体パターンは設けられていない。なお、図3は、アンテナ領域Aの一例を示しているに過ぎない。アンテナ領域A及び周辺領域Pの形状などは、図3の例に限定されない。
図3の例において、第1放射素子21の表面の凹み21bは、第1放射素子21の平面形状における一辺の近傍に設けられている。前述したように、凹み21bは、第1ビア導体51(図1参照)上に形成されており、第1ビア導体51を介して、第1放射素子21に又は第1放射素子21から送受信信号が伝送される。図3の例のような凹み21bの配置の場合、第1放射素子21における給電点(第1ビア導体51)と、この給電点から第1放射素子21の最遠の縁部との間の距離を長く確保することができる。そうすることによって、アンテナ2の送受信帯域の選択に関して第1放射素子21が有する面積を有効に利用することができると考えられる。
周辺領域Pとアンテナ領域Aとの境界を画定する導体パターン32aは、必ずしも全周に亘ってアンテナ2を囲んでいなくてもよい。アンテナ2の周囲において導体パターン32aに不連続部がある場合は、例えば、導体パターン32aにおけるアンテナ2に隣接する内縁、及び、その内縁の外挿補間及び/又は内挿補間によって得られる延長線によって周辺領域Pとアンテナ領域Aとの境界が画定され得る。また、配線基板1は、アンテナ2の周囲において周方向の一部の領域にのみ周辺領域Pを有していてもよい。例えば図3の例において、配線基板1は、第2放射素子22の右側、左側、上側、及び下側のいずか1つ乃至3つだけに周辺領域Pを有していてもよい。
図4に示される平面図には、配線基板1におけるアンテナ領域Aの他の例が示されている。図4の例では、第1導体層31(図1参照)の導体パターン31aにおける第1放射素子21を囲む内縁31bは、導体パターン32aにおける第2放射素子22を囲む内縁32bの外側に位置している。このように、第1導体層31及び第2導体層32それぞれにおいてアンテナ2を囲む、導体パターン31aの内縁31bと導体パターン32aの内縁32bとは、平面視において重なっていなくてもよい。図4の例では、導体パターン31aの内縁31bが周辺領域Pとアンテナ領域Aとの境界を画定している。このように、導体パターン31a、32aそれぞれの内縁が平面視において重なっていない場合は、導体パターン31a、32aそれぞれの内縁のうちアンテナ2から遠い方の内縁によってアンテナ領域Aが画定される。
また、図4の例では、導体パターン31aの内縁31bは、楕円の円周を描いている。従って、アンテナ領域Aは平面視で楕円の形状を有している。このように、アンテナ領域Aの平面形状は矩形に限定されず、アンテナ領域Aは任意の平面形状を有し得る。同様に、導体パターン32aの内縁32bも、任意の形状の輪郭を描き得る。また、図4の例と異なり、平面視において、導体パターン32aの内縁32bが、導体パターン31aの内縁31bの外側に位置していてもよい。
図5A及び図5Bには、配線基板1における第2放射素子22及び周辺領域P内の導体パターン32aの他の例が示されている。図5A及び図5Bは、図3が示す部分と同様の部分を示す断面図である。
図5Aにおいて、第2放射素子22の上面は周辺領域P内の導体パターン32aの上面と略面一である。配線基板1の反りが、図2に示される例と比べて更に生じ難いことがある。図5Aの例では、第1導体層31と第2導体層32との間には、2つの層間絶縁層4aが介在し、1つの内層の導体層3aが2つの層間絶縁層4aの間に介在している。2つの層間絶縁層4aのうちの上側の層間絶縁層4aの上面4a1には、1つの内層の導体層3aの厚さT1に応じた大きさの段差SD3が、アンテナ領域Aと周辺領域Pとの境界部分に生じている。第2放射素子22が、段差SD3と導体パターン32aの厚さとの合計と略等しい厚さを有しているため、第2放射素子22の上面と導体パターン32aの上面とが略面一である。
図5Bの例では、第2放射素子22の上面は、導体パターン32aの上面よりも上側(コア基板10から遠い側)に位置している。導体パターン32aの電位の変化などによって形成され得る電界及び磁界による、アンテナ2において送受信される電波への影響が少ないと考えられる。図5Bの例においても、第1導体層31と第2導体層32との間には、2つの層間絶縁層4aが介在し、1つの内層の導体層3aが2つの層間絶縁層4aの間に介在している。
一方、図5Bの例では、内層の導体層3aの厚さT1bが、図5Aの例における内層の導体層3aの厚さT1よりも薄い。そのため、上側の層間絶縁層4aの上面4a1に生じている段差SD4は、図5Aの例における段差SD3よりも小さい。加えて、図5Bの例では、導体パターン32aも、内層の導体層3aの厚さT1bと略同じ厚さに形成されている。第2放射素子22が、段差SD4と導体パターン32aの厚さとの合計よりも大きな厚さを有しているため、第2放射素子22の上面は、導体パターン32aの上面よりも上側に位置している。
本実施形態では、周辺領域Pの導体パターン32aよりも厚い第2放射素子22の上面は、図3、図5B及び図5Aに示されるように、導体パターン32aの上面よりも下側でも上側でもよく、また、これら2つの上面は面一であってもよい。また、第2放射素子22の上面と周辺領域Pの導体パターン32aの上面との相対的な位置は、2以上の層間絶縁層4aの数及び1以上の内層の導体層3aの数だけに依存しない。
図6には、本実施形態の配線基板の他の例である配線基板1aの断面図が示されている。配線基板1aは、図1の配線基板1と同様の構造を有しており、第2放射素子22の厚さは、第2導体層32において周辺領域Pに設けられている導体パターン32aの厚さよりも厚い。しかし、配線基板1aでは、第1絶縁層41の上面及び3つの層間絶縁層4aそれぞれの上面が平坦ではなく、各絶縁層の上面は、アンテナ領域Aと周辺領域Pとの境界部分からアンテナ領域Aの中央部にかけて、コア基板10側に向って湾曲している。すなわち、図1の配線基板1のように層間絶縁層4aの表面(上面)に段差は形成されず、各絶縁層の上面は、アンテナ領域Aにおいて全体的にコア基板10に向って凹んでいる。
具体的には、アンテナ領域Aにおいてコア基板10の導体層3cの大半に導体パターンが設けられていないため、第1絶縁層41の上面がコア基板10側に向って湾曲している。第1導体層31上の層間絶縁層4aの上面は、(第1導体層31に第1放射素子21が設けられているが、)第1絶縁層41の上面の湾曲の影響を受けて湾曲している。3つの層間絶縁層4aの他の2つそれぞれの上面は、アンテナ領域Aにおいて2つの内層の導体層3aに導体パターンが設けられていないため、第1絶縁層41の上面よりもさらに湾曲している。しかし本実施形態では、第2放射素子22の厚さが、周辺領域Pの導体パターン32aの厚さよりも厚いため、配線基板1aの全体的な反りが抑制されることがある。
つぎに、図1に示される配線基板1の製造方法の一例が、図7A〜図7Eを参照して説明される。
図7Aに示されるように、コア基板10を構成する絶縁層40、及び絶縁層40の両面に設けられた金属箔3eを有する積層板が用意される。例えば、銅からなる金属箔3eを有する両面銅張積層板が用意される。
図7Bに示されるように、貫通孔10bが、炭酸ガスレーザー光の照射などによって形成され、例えばセミアディティブ法を用いて、銅箔、銅の無電解めっき膜、及び電解めっき膜を含んでいて所望の導体パターンを有する導体層3c、3dが形成される。また、この無電解めっき膜及び電解めっき膜が貫通孔10b内に埋め込まれることによってスルーホール導体10aが形成される。
図7Cに示されるように、第1及び第2の絶縁層41、42が形成される。また、第1放射素子21を含む第1導体層31が第1絶縁層41上に形成される。第1導体層31の形成と共に、信号伝送路331を含む第3導体層33が第2絶縁層42上に形成される。第1導体層31の形成において、第1ビア導体51を含む1以上のビア導体5aが第1絶縁層41内に形成される。また、第3導体層33の形成において、第2絶縁層42内に第2ビア導体52を含む1以上のビア導体5bが形成される。
第1及び第2の絶縁層41、42は、例えば、半硬化状態のエポキシ樹脂及びガラス繊維などの補強材を含むプリプレグ、又は、フィルム状のエポキシ樹脂をコア基板10の両面に積層し、熱圧着することによって形成される。プリプレグの積層の際に、例えば銅からなる金属箔がプリプレグ上に重ねられ、プリプレグと共に圧着されてもよい。その後、例えば炭酸ガスレーザー光の照射によって、ビア導体5a、5bを形成するための貫通孔5a1、5b1が、第1及び第2の絶縁層41、42それぞれに形成される。
そして、例えば、セミアディティブ法を用いて、第1放射素子21及び信号伝送路331などの所望の導体パターンを有する第1及び第2の導体層31、32、並びに、第1及び第2のビア導体51、52などのビア導体5a、5bが形成される。
第1導体層31の形成において、第1放射素子21の上面(第1絶縁層41と反対方向を向く面)に凹み21bが設けられる。凹み21bは、第1ビア導体51上に設けられる。凹み21bは、例えば、第1ビア導体51の形成における電解めっきの条件の最適化などによって形成され得る。例えば、一般的なフィルドビアの形成時にめっき液に適用される添加剤と比較して、貫通孔5a1などの穴内の電流量の増加に寄与するブライトナーなどの含有量を削減することによって凹み21bを意図的に設けることができる。
図7Dに示されるように、第1導体層31上に3つの層間絶縁層4aが形成される。3つの層間絶縁層4aそれぞれにはビア導体5aが形成される。また、3つの層間絶縁層4aそれぞれの間には内層の導体層3aが形成され、全部で2つの内層の導体層3aが形成される。2つの内層の導体層3aそれぞれは、アンテナ領域Aに導体パターンを有さないように形成及び/又はパターニングされる。図7Dの例では、さらに、第2導体層32の一部を構成すべき金属箔32cが、3つの層間絶縁層4aのうちの最上層の層間絶縁層4aの上に積層されている。3つの層間絶縁層4aの形成において、少なくとも上側の2つは、2つの内層の導体層3aそれぞれにおけるアンテナ領域Aに導体パターンが形成されていないので、アンテナ領域Aと周辺領域Pとの間に段差を生じさせる。そのため、金属箔32cも、アンテナ領域Aと周辺領域Pとの間に段差を含み得る。3つの層間絶縁層4a及び2つの内層の導体層3aは、例えばセミアディティブ法を用いる一般的なビルドアップ配線板の製造方法を用いて形成され得る。
第3導体層33上にも、3つの層間絶縁層4a、並びに、2つの内層の導体層3a及びビア導体5aの形成と同様の方法で、3つの層間絶縁層4b、並びに、2つの導体層3b及びビア導体5bが形成される。最も上側の層間絶縁層4bの上には、最表層の導体層3bを構成すべき金属箔3b2が積層される。
その後、例えばセミアディティブ法を用いて金属箔32c、3b2それぞれの上にめっき膜が形成されることによって、図7Eに示されるように、第2導体層32が形成され、3つの層間絶縁層4bの上に最表層の導体層3bが形成される。第2導体層32は、第1放射素子21と共にアンテナ2を構成する第2放射素子22を含むように形成及び/又はパターニングされる。最表層の導体層3bは、接続パッド3b1を含むように形成及び/又はパターニングされる。これら導体層及び絶縁層の形成の結果、第1ビルドアップ層11及び第2ビルドアップ層12が形成される。
セミアディティブ法のようなパターンめっき法を用いて、所望の導体パターン含むべく第2導体層32を形成すると共にパターニングすることによって、導体パターン32aよりも厚い第2放射素子22が形成され得る。例えば、周囲の導体パターンから独立すべく形成される第2放射素子22の形成箇所には電解めっき時のめっき電流が集中し易い。そのため、第2放射素子22の形成箇所では、導体パターン32aなどの第2導体層32の他の導体パターンの形成箇所と比べてめっき膜の形成速度が速く、その結果、導体パターン32aよりも厚い第2放射素子22を形成することができる。また、第2放射素子22を、第2導体層32以外の導体層と接続されないように設計することによって、導体パターン32aよりも厚い第2放射素子22を形成することができる。すなわち、電解めっき中に、第2導体層32の他の導体パターンの形成箇所においてビア導体が形成されている間にも、第2放射素子22の形成箇所において、析出される金属を第2放射素子22の厚さ方向に堆積させることができる。例えば、このようにして、導体パターン32aよりも厚い第2放射素子22を形成することができる。
その後、第1ビルドアップ層11上にソルダーレジスト層6aが形成され、第2ビルドアップ層12上にソルダーレジスト層6bが形成される。ソルダーレジスト層6a、6bは、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを含む樹脂層の形成と、適切なパターンを有するマスクを用いた露光、及び現像とによって形成される。
ソルダーレジスト層6bの開口に露出する接続パッド3b1には、必要に応じて、無電解めっき、半田レベラ、又はスプレーコーティングなどによって、Au、Ni/Au、Ni/Pd/Au、はんだ、又は耐熱性プリフラックスなどからなる表面保護膜(図示せず)が形成されてもよい。以上の工程を経ることによって、図1の例の配線基板1が完成する。
実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示された構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。例えば、第1放射素子21の表面21aの凹み21bは設けられていなくてもよく、凹み21bは平面視で第1放射素子21の中央部に設けられていてもよい。第1及び第2の放射素子21、22並びに信号伝送路331は、全て、第1ビルドアップ層11及び第2ビルドアップ層12の一方に形成されていてもよい。また、第1ビア導体51などの各ビア導体は、コア基板10側に向って縮径する形状を有していなくてもよい。第2放射素子22は、ソルダーレジスト層6aの開口に露出していてもよく、ソルダーレジスト層6a、6bそのものが設けられなくてもよい。さらに、配線基板1は、必ずしもコア基板10を有していなくてもよく、ビルドアップ層だけで構成されるコアレスビルドアップ基板であってもよい。
1 配線基板
10 コア基板
11 第1ビルドアップ層
12 第2ビルドアップ層
2 アンテナ
21 第1放射素子
22 第2放射素子
31 第1導体層
32 第2導体層
32a 導体パターン
331 信号伝送路
3a 内層の導体層
4a、4b 層間絶縁層
51 第1ビア導体
6a、6b ソルダーレジスト層
A アンテナ領域
P 周辺領域
10 コア基板
11 第1ビルドアップ層
12 第2ビルドアップ層
2 アンテナ
21 第1放射素子
22 第2放射素子
31 第1導体層
32 第2導体層
32a 導体パターン
331 信号伝送路
3a 内層の導体層
4a、4b 層間絶縁層
51 第1ビア導体
6a、6b ソルダーレジスト層
A アンテナ領域
P 周辺領域
Claims (7)
- アンテナを構成する第1放射素子を含む第1導体層と、
前記第1放射素子と共に前記アンテナを構成する第2放射素子を含む第2導体層と、
前記第1放射素子と前記第2放射素子との間に介在する2以上の層間絶縁層と、
前記2以上の層間絶縁層の相互の間にそれぞれ介在する内層の導体層と、
を備える配線基板であって、
前記内層の導体層それぞれは、前記第1放射素子及び前記第2放射素子と平面視において重ならない領域だけに導体パターンを有し、
前記配線基板は、前記アンテナを含むアンテナ領域と、平面視における前記アンテナ領域の周囲の領域である周辺領域と、を有し、
前記第2放射素子の厚さは、前記第2導体層において前記周辺領域に形成されている導体パターンの厚さよりも厚い。 - 請求項1記載の配線基板であって、前記第2導体層において前記周辺領域に形成されている導体パターンの厚さに対する前記第2放射素子の厚さの比は、1.1以上、1.6以下である。
- 請求項1記載の配線基板であって、前記第2導体層は前記配線基板の表層の導体層である。
- 請求項1記載の配線基板であって、前記第1放射素子と前記第2放射素子とは、前記アンテナ領域において前記2以上の層間絶縁層を介して対向している。
- 請求項1記載の配線基板であって、前記第1放射素子は、前記アンテナにおける送受信信号が伝えられるべき給電素子であり、前記第2放射素子は、前記第2放射素子以外の導電体から絶縁されている無給電素子である。
- 請求項5記載の配線基板であって、前記配線基板は、互いに同数の導体層を含む2つのビルドアップ層と前記2つのビルドアップ層に挟まれているコア基板とを備える構造を有しており、
前記第1放射素子は前記2つのビルドアップ層の一方に含まれており、
前記2つのビルドアップ層の他方は、前記送受信信号を伝える信号伝送路を含んでいる。 - 請求項1記載の配線基板であって、前記配線基板は、互いに同数の導体層を含む2つのビルドアップ層と前記2つのビルドアップ層に挟まれているコア基板とを備える構造を有しており、
前記2つのビルドアップ層のうちの前記第2放射素子を含むビルドアップ層の厚さに関して、前記アンテナ領域における最大の厚さと前記周辺領域における最大の厚さとの差は、前記アンテナ領域における最小の厚さと前記周辺領域における最小の厚さとの差よりも小さい。
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