JP2020120115A - Wafer peeling and cleaning device - Google Patents

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代三 宮成
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Abstract

To reduce the time for transporting a wafer to a sheet cleaning unit from peeling work by means of a delivery device and improve overall efficiency without damaging the wafer.SOLUTION: In a wafer peeling and cleaning device, a wafer peeling slicing unit 100 has first and second suctioning pads 200, 201 for peeling, an overturn prevention plate 214, and a two-sheet pick-up preventing plate 216 having a slit 216a formed in an upper portion of the overturn prevention plate 214. A delivery device 118 has a suctioning pad 300 for delivery, and a pressure switch that detects that a wafer W has been suctioned and held by the suctioning pad 300 for delivery. In response to a detection signal from the pressure switch, the vacuum suctioning of the first and second suctioning pads 200, 201 for peeling is released and the retraction of the suctioning pad 300 for delivery and the lowering of the first and second suctioning pads 200, 201 for peeling are started.SELECTED DRAWING: Figure 7

Description

本発明はウェーハ剥離洗浄装置に係り、特にワイヤソーで多数枚に同時切断され、バッチ状態(束ねられた)とされたウェーハをスライスベースから剥離して枚葉化し、洗浄するウェーハ剥離洗浄装置に関する。 The present invention relates to a wafer peeling/cleaning apparatus, and more particularly to a wafer peeling/cleaning apparatus for peeling wafers batch-cut (bundled) simultaneously with a wire saw from a slice base to separate them into single wafers for cleaning.

ワイヤソーでインゴットを切断すると、ウェーハは全てスライスベースに接着された状態で切り出される。このため、ウェーハはスライスベースから剥離して枚葉化する必要がある。また、ワイヤソーで切断された直後のウェーハには、加工液等が付着しているため、洗浄して加工液を除去する必要がある。 When the ingot is cut with a wire saw, all the wafers are cut out while being bonded to the slice base. Therefore, it is necessary to separate the wafer from the slice base to form a single wafer. Further, since the working liquid and the like are attached to the wafer immediately after being cut with the wire saw, it is necessary to wash and remove the working liquid.

従来、このウェーハの剥離作業と洗浄作業は、一台のウェーハ剥離洗浄装置で行っていた。また、ウェーハ剥離洗浄装置は、粗洗浄部、ウェーハ剥離枚葉部、洗浄部及び回収部で構成されており、切断直後のウェーハは、まず、粗洗浄部に搬送されて粗洗浄される。そして、粗洗浄されたバッチ状態のウェーハは、ウェーハ剥離枚葉部に搬送されて、そこで1枚ずつスライスベースから剥離されて枚葉化される。スライスベースから剥離されたウェーハは、受渡装置によって枚葉洗浄部に搬送される。そして、枚葉洗浄され、回収部において1枚ずつ回収されてカセットに収納される。 Conventionally, the wafer stripping and cleaning operations have been performed by a single wafer stripping and cleaning apparatus. The wafer peeling/cleaning device is composed of a rough cleaning unit, a wafer peeling sheet unit, a cleaning unit, and a recovery unit. The wafer immediately after cutting is first transported to the rough cleaning unit for rough cleaning. Then, the batch-wise roughly cleaned wafers are conveyed to the wafer separation sheet-fed portion, where they are separated one by one from the slice base to be separated into individual sheets. The wafer separated from the slice base is transferred to the single-wafer cleaning unit by the delivery device. Then, the sheet is washed separately, collected one by one in the collection unit, and stored in the cassette.

ウェーハ剥離枚葉部では、効率良くウェーハを剥離するため、所定の間隔をもって一対の剥離用吸着パッドを配設し、一対の剥離用吸着パッドによってウェーハを真空吸着して保持する。そして、剥離用吸着パットを前後方向に揺動し、昇降用ロータリーアクチュエータによって、昇降移動して所定の受渡位置で停止することが知られ、特許文献1に記載されている。 In the wafer separation sheet unit, in order to efficiently separate the wafer, a pair of separation suction pads are arranged at a predetermined interval, and the pair of separation suction pads holds the wafer by vacuum suction. It is known that the peeling suction pad is oscillated in the front-rear direction, and is vertically moved by a lifting rotary actuator to stop at a predetermined delivery position, which is described in Patent Document 1.

特開平11−288902号公報JP, 11-288902, A

特許文献1に記載のものでは、単に、一対の剥離用吸着パッドによってウェーハを真空吸着して前後方向に揺動し、昇降移動するので、効率良くウェーハを剥離する点では望ましいが、剥離されたウェーハを持ち上げてから受渡位置で受渡用吸着パッドに確実に受け渡すには十分でない。特に、効率向上のために昇降移動の速度を上げると、途中でウェーハを落下、あるいはウェーハの姿勢が不安定になって傷つける恐れがある。
また、ウェーハが傾いていたとき、剥離用吸着パッドでうまく吸着できないという課題もあった。
In the one described in Patent Document 1, the wafer is simply vacuum-adsorbed by the pair of peeling suction pads, swings in the front-rear direction, and moves up and down, which is desirable in terms of efficiently peeling the wafer, but peeled off. It is not enough to reliably lift the wafer to the delivery suction pad at the delivery position. In particular, if the speed of the vertical movement is increased to improve the efficiency, the wafer may be dropped or the posture of the wafer may become unstable and the wafer may be damaged.
In addition, when the wafer is tilted, there is a problem that it cannot be adsorbed well by the exfoliation adsorption pad.

本発明の目的は、上記従来技術の課題を解決し、ウェーハが傾いていたとしても剥離用吸着パッドで確実にウェーハを吸着し、ウェーハを小さな力で簡単に1枚ずつ剥離すると共に、剥離したウェーハを受渡装置、あるいは枚葉洗浄部に確実に搬送することで、時間を短縮して全体として効率を向上したウェーハ剥離洗浄装置を得ることにある。 The object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, and even if the wafer is tilted, the wafer is reliably sucked by the suction pad for peeling, and the wafers are easily peeled one by one with a small force and peeled. It is an object to obtain a wafer peeling/cleaning device that shortens the time and improves the efficiency as a whole by reliably transporting the wafer to the delivery device or the single wafer cleaning unit.

上記課題を解決するため、本発明は、多数枚同時に切断されたバッチ状態のウェーハをウェーハ剥離枚葉部において1枚ずつスライスベースから剥離して枚葉化し、剥離した前記ウェーハを枚葉洗浄部に搬送して枚葉洗浄し、洗浄後、回収部でカセットに回収するウェーハ剥離洗浄装置において、前記ウェーハ剥離枚葉部は、矩形の箱型に形成され熱水が貯留される熱水槽と、前記熱水槽内に設置され前記ウェーハを保持するワーク保持部と、該ワーク保持部に前記ウェーハが保持された状態で、中心軸が前記ウェーハの中心軸と一致するように配置された第1剥離用吸着パッドと、該第1剥離用吸着パッドより下側に配置され、軸方向に伸縮する第2剥離用吸着パッドと、前記熱水槽の長手方向に沿って配設された第1ガイドレールと、前記第1ガイドレールに沿って前記第1及び第2剥離用吸着パッドを前記熱水槽の長手方向に沿って移動させる第1送りモータと、前記第1及び第2剥離用吸着パッドを鉛直上方に昇降移動する昇降用ロータリーアクチュエータと、を備えたものである。 In order to solve the above-mentioned problems, the present invention separates a large number of wafers in a batch state, which are simultaneously cut, from a slice base one by one in a wafer separation sheet-fed portion, and separates the separated wafers into a single-wafer cleaning section. In the wafer stripping and cleaning apparatus for transporting the wafer to single-wafer cleaning and cleaning, and then collecting in a cassette in the collecting unit, the wafer-peeling single-wafer portion is a hot water tank in which hot water is stored and formed in a rectangular box shape, A work holder installed in the hot water tank for holding the wafer, and a first holder arranged such that the central axis thereof coincides with the central axis of the wafer in a state where the wafer is held by the workpiece holder. A peeling suction pad, a second peeling suction pad which is arranged below the first peeling suction pad and expands and contracts in the axial direction, and a first guide rail which is arranged along the longitudinal direction of the hot water tank. A first feed motor for moving the first and second peeling adsorption pads along the first guide rail along the longitudinal direction of the hot water tank, and the first and second peeling adsorption pads vertically. And a rotary actuator for vertically moving up and down.

また、上記において、前記第2剥離用吸着パッドは、ベローズ型真空吸着パッドとされたことが望ましい。 Further, in the above, it is preferable that the second peeling suction pad is a bellows type vacuum suction pad.

さらに、前記第1剥離用吸着パッドは、表面がフラットな平形真空パッドとされ、前記第2剥離用吸着パッドより吸着力が強いことが望ましい。 Further, it is preferable that the first peeling suction pad is a flat vacuum pad having a flat surface, and has a stronger suction force than the second peeling suction pad.

さらに、バッチ状態の前記ウェーハから1枚ずつ剥離して枚葉化する際、前記ウェーハの吸着保持は、前記ウェーハの端面に前記第2剥離用吸着パッドが当接して引き寄せ、その後、前記第1剥離用吸着パッドにより前記ウェーハの中心軸を吸着することで行われることが望ましい。 Further, when the wafers in a batch state are peeled one by one to be separated into single wafers, the wafers are sucked and held by bringing the second peeling suction pads into contact with the end faces of the wafers and then pulling the wafers. It is preferable that the peeling suction pad is used to suck the central axis of the wafer.

さらに、バッチ状態の前記ウェーハから1枚ずつ剥離して枚葉化する際に前記ウェーハが前方に倒れるのを防止する倒止板を有し、前記第2剥離用吸着パッドはバッチ状態の前記ウェーハの接着部近傍を中心として前記ウェーハを前記倒止板側へ引き寄せることが望ましい。 Further, the wafer in the batch state has a stop plate for preventing the wafers from falling forward when the wafers in the batch state are peeled one by one to be separated into single wafers. It is desirable to pull the wafer toward the fall-off plate side with the vicinity of the bonding portion of the center as the center.

さらに、前記第1及び第2剥離用吸着パッドを前記ウェーハの軸線に沿った方向に揺動させる揺動用ロータリーアクチュエータを設け、前記揺動用ロータリーアクチュエータを駆動して前記第1及び第2剥離用吸着パッドを揺動させることにより、前記ウェーハを前記スライスベースから剥離することが望ましい。 Further, a swinging rotary actuator for swinging the first and second peeling suction pads in a direction along the axis of the wafer is provided, and the swinging rotary actuator is driven to drive the first and second peeling suction pads. It is desirable to peel the wafer from the slice base by rocking the pad.

さらに、前記ウェーハの鉛直上方に水供給ノズルを設け、前記ウェーハを1枚ずつ剥離する際に、前記ウェーハの鉛直上方で中心付近から熱水又は水を供給することが望ましい。 Further, it is preferable that a water supply nozzle is provided above the wafer vertically and hot water or water is supplied from near the center above the wafer vertically when the wafers are separated one by one.

さらに、前記ウェーハの両側面に設けられたエアノズルを有し、前記熱水槽にセットされた前記ウェーハの端面を前記第1及び第2剥離用吸着パッドで吸着保持して前記ウェーハを1枚ずつ剥離する際に、前記エアノズルにより前記ウェーハの側面にエアーをブロー供給することが望ましい。 Further, it has air nozzles provided on both side surfaces of the wafer, and the end surfaces of the wafer set in the hot water tank are suction-held by the first and second suction pads for peeling to separate the wafers one by one. In doing so, it is desirable to blow and supply air to the side surface of the wafer by the air nozzle.

さらに、前記エアノズルは、前記ウェーハの下側から上側に向かってエアーをブロー供給することが望ましい。 Further, it is preferable that the air nozzle blow-supply air from the lower side to the upper side of the wafer.

さらに、前記エアノズルは、前記ウェーハを1枚剥離する際に、バッチ状態の複数枚に対してエアーをブロー供給することが望ましい。 Further, it is desirable that the air nozzle blow-supply air to a plurality of wafers in a batch state when peeling one wafer.

本発明によれば、ウェーハが傾いていたとしても剥離用吸着パッドで確実にウェーハを吸着し、剥離作業から受渡装置によって枚葉洗浄部に搬送するまでの時間を短縮して全体として効率を向上したウェーハ剥離洗浄装置を得ることができる。 According to the present invention, even if the wafer is tilted, the wafer is reliably sucked by the peeling suction pad, and the time from the peeling work to transfer to the single wafer cleaning unit by the transfer device is shortened to improve the efficiency as a whole. The wafer peeling cleaning device can be obtained.

ウェーハ剥離洗浄装置の全体構成を示す平面図Plan view showing the overall configuration of the wafer peeling cleaning device ウェーハ剥離枚葉部の構成を示す平面図Plan view showing the configuration of the wafer separation sheet-fed portion 剥離装置の構成を示す平面図The top view which shows the structure of a peeling apparatus. 受渡装置の構成を示す平面部分断面図Plane partial cross-sectional view showing the configuration of the delivery device 剥離装置の構成を示す正面図Front view showing the configuration of the peeling device 剥離装置の構成を示す側面図Side view showing the configuration of the peeling device ウェーハ剥離枚葉部の構成を示す正面図Front view showing the structure of the wafer separation sheet-fed part 受渡装置の構成を示す正面図Front view showing the configuration of the delivery device 受渡装置の構成を示す側面部分断面図Side view partial cross-sectional view showing the configuration of the delivery device 剥離用吸着部の詳細を示す要部の拡大側面図Enlarged side view of the main part showing the details of the adsorption part for peeling 剥離用吸着部の詳細を示す要部の拡大正面図Enlarged front view of essential parts showing details of adsorption section for peeling 剥離作業の作用の説明図Explanatory diagram of action of peeling 枚葉洗浄部の構成を示す側面図Side view showing the structure of the single-wafer cleaning unit 搬送ユニットの構成を示す平面図Plan view showing the configuration of the transport unit 回収部の構成を示す平面図The top view which shows the structure of a collection part

以下、本発明の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明に係るウェーハ剥離洗浄装置1の構成を示す平面図、図2は、ウェーハ剥離枚葉部100の構成を示す平面図である。図1に示すように、本実施の形態のウェーハ剥離洗浄装置1は、粗洗浄部10、ウェーハ剥離枚葉部100、搬送部310、枚葉洗浄部350、検出部400及び回収部500を主要部として構成されている。各主要部の概要を説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view showing the configuration of a wafer stripping and cleaning apparatus 1 according to the present invention, and FIG. 2 is a plan view showing the configuration of a wafer stripping single-wafer unit 100. As shown in FIG. 1, the wafer peeling/cleaning apparatus 1 of the present embodiment mainly includes a rough cleaning unit 10, a wafer peeling single-wafer unit 100, a transfer unit 310, a single-wafer cleaning unit 350, a detection unit 400, and a recovery unit 500. It is organized as a section. The outline of each main part is explained.

粗洗浄部10は、ワイヤソーで切断された直後のバッチ状態のウェーハW(スライスベースSに接着されたウェーハW)をシャワー洗浄して切断時に付着したスラリを除去する。粗洗浄部10は、ウェーハWの洗浄を行う粗洗浄装置12を備えている。粗洗浄装置12では、マウンティングプレートMを上側にして、スライス溝を下側にして浸漬し、洗浄する洗浄工程を有する。洗浄する際に上下にゆすりながら、溝内に水流を起こして洗浄する。洗浄が終了すると、粗洗浄部10から搬出されたウェーハは、そのままリフターによって次のウェーハ剥離枚葉部100に搬送される。 The rough cleaning unit 10 shower-cleans the wafers W (wafers W adhered to the slice base S) in a batch state immediately after being cut with a wire saw to remove the slurry attached at the time of cutting. The rough cleaning unit 10 includes a rough cleaning device 12 that cleans the wafer W. The rough cleaning device 12 has a cleaning step of immersing the mounting plate M on the upper side and the slice groove on the lower side for cleaning. When shaking, shake it up and down to create a water flow in the groove for cleaning. When the cleaning is completed, the wafer carried out from the rough cleaning unit 10 is directly conveyed to the next wafer separation sheet-fed unit 100 by the lifter.

ウェーハ剥離枚葉部100では、バッチ状態のウェーハWをスライスベースSから1枚ずつ剥離して枚葉化する。そして、ウェーハ剥離枚葉部100は、図2に示すように熱水槽112、剥離装置114、受渡装置118を主要装置として構成されている。受渡装置118は、剥離装置114によってスライスベースSから剥離されたウェーハを受け取り、搬送部310のシャトルコンベア312に受け渡す装置である。 In the wafer-separating sheet-by-wafer unit 100, the wafers W in a batch state are separated from the slice base S one by one to be separated into individual sheets. Then, the wafer separation sheet unit 100 is configured with a hot water tank 112, a separation device 114, and a delivery device 118 as main devices, as shown in FIG. The transfer device 118 is a device that receives the wafer separated from the slice base S by the separation device 114 and transfers it to the shuttle conveyor 312 of the transfer unit 310.

搬送部310は、ウェーハ剥離枚葉部100で剥離、枚葉化したウェーハWを受け取り、次の枚葉洗浄部350に搬送する。そして、搬送部310に備えられたシャトルコンベア312によってウェーハWを枚葉洗浄部350に搬送する。 The transport unit 310 receives the wafer W that has been separated and separated into single wafers by the wafer separation single-wafer unit 100, and transfers the wafer W to the next single-wafer cleaning unit 350. Then, the wafer W is transferred to the single wafer cleaning unit 350 by the shuttle conveyor 312 provided in the transfer unit 310.

枚葉洗浄部350は、ウェーハ剥離枚葉部100で剥離枚葉されたウェーハWを1枚ずつ枚葉洗浄する。枚葉洗浄部350は、枚葉ブラシ洗浄部352と枚葉プレリンス部354と枚葉リンス部356とから構成されている。枚葉ブラシ洗浄部352は、搬送されてきたウェーハWの裏表面に洗浄液をかけながらブラシ洗浄する。洗浄後は、洗浄液を次工程に持ち込まないようにするために、圧縮エアーを噴射して液切りする。そして、ブラシ洗浄が終了したウェーハWは、次工程の枚葉プレリンス部354に搬送される。 The single-wafer cleaning unit 350 performs single-wafer cleaning of the wafers W that have been separated and separated by the wafer separation and separation unit 100. The single-wafer cleaning unit 350 includes a single-wafer brush cleaning unit 352, a single-wafer pre-rinse unit 354, and a single-wafer rinse unit 356. The single-wafer brush cleaning unit 352 performs brush cleaning while applying a cleaning liquid to the back surface of the transferred wafer W. After the cleaning, in order to prevent the cleaning liquid from being brought into the next step, compressed air is sprayed to drain the cleaning liquid. Then, the wafer W for which the brush cleaning has been completed is transferred to the single-wafer pre-rinsing unit 354 in the next step.

枚葉プレリンス部354は、搬送されてきたウェーハの裏表面にプレリンス液ノズルからプレリンス液をかけながら回転ブラシによってブラシ洗浄する。洗浄後は、圧縮エアーを噴射して液切りする。そして、次工程の枚葉リンス部356に搬送する。 The single-wafer pre-rinse unit 354 performs brush cleaning with a rotating brush while applying the pre-rinse liquid from the pre-rinse liquid nozzle to the back surface of the conveyed wafer. After cleaning, the compressed air is jetted to drain the liquid. Then, it is conveyed to the single-wafer rinse unit 356 in the next step.

枚葉リンス部356は、ウェーハの裏表面にリンス液ノズルからリンス液をかけながら回転ブラシによってブラシ洗浄する。洗浄後は、液切りされたウェーハWは、検出部400の丸ベルトコンベア411上に移送され、検出部400の所定の受取位置に搬送される。 The single-wafer rinse unit 356 cleans the back surface of the wafer with a rotary brush while applying the rinse liquid from the rinse liquid nozzle. After the cleaning, the drained wafer W is transferred onto the round belt conveyor 411 of the detection unit 400 and conveyed to a predetermined receiving position of the detection unit 400.

検出部400は、洗浄が終了したウェーハWについて1枚1枚、割れ、欠け、及び接着剤残りの有無を検出すると共に、1枚1枚厚さを測定する。そして、検出が終了したウェーハWを回収部500のウェーハ搬送ロボット508に受け渡す。 The detection unit 400 detects the presence or absence of cracks, chips, and adhesive residue for each wafer W that has been cleaned, and measures the thickness of each wafer W. Then, the wafer W that has been detected is delivered to the wafer transfer robot 508 of the recovery unit 500.

ウェーハ搬送ロボット508は、多関節形のロボットであり、先端に、旋回自在なハンド部520が設けられ、ウェーハWは、そのハンド部520の先端に設けられた吸着パッド522で吸着保持されて搬送される。回収部500は、接着剤残りウェーハと不良ウェーハ(割れウェーハ、欠けウェーハ、厚さ不良ウェーハ、端材)を分別するため、正常なウェーハを回収する二つのウェーハ回収部502A、502Bと、不良ウェーハを回収する不良ウェーハ回収部504と、接着剤残りウェーハを回収する接着剤残りウェーハ回収部506とで構成される。 The wafer transfer robot 508 is an articulated robot, and has a rotatable hand unit 520 provided at the tip thereof, and the wafer W is sucked and held by a suction pad 522 provided at the tip of the hand unit 520 to be transferred. To be done. The recovery unit 500 separates the adhesive remaining wafers and defective wafers (cracked wafers, defective wafers, defective wafers, and scraps), so that two normal wafer recovery units 502A and 502B and a defective wafer are collected. And a residual adhesive wafer recovery unit 506 for recovering adhesive residual wafers.

そして、ウェーハ搬送ロボット508は、検出部400からウェーハWを受け取り、その検出結果に基づいてウェーハWを各ウェーハ回収部502、504、506のカセットに分別して収納する。 Then, the wafer transfer robot 508 receives the wafer W from the detection unit 400, and sorts and stores the wafer W in the cassettes of the wafer recovery units 502, 504, and 506 based on the detection result.

次に、ウェーハ剥離枚葉部100の詳細について説明する。図2はウェーハ剥離枚葉部100の構成を示す平面図、図3は剥離装置114の構成を示す平面図、図4は受渡装置118の構成を示す平面部分断面図、図5は剥離装置114の構成を示す正面図、図6は剥離装置114の構成を示す側面図、図7はウェーハ剥離枚葉部100の構成を示す正面図、図8は受渡装置118の構成を示す正面図、図9は受渡装置118の構成を示す側面部分断面図である。ウェーハ剥離枚葉部100は、熱水槽112、剥離装置114、受渡装置118を主要装置として構成されている。 Next, the details of the wafer separation sheet-by-sheet unit 100 will be described. 2 is a plan view showing the structure of the wafer separation sheet-fed portion 100, FIG. 3 is a plan view showing the structure of the separation device 114, FIG. 4 is a plan partial sectional view showing the structure of the delivery device 118, and FIG. 6 is a side view showing the configuration of the stripping device 114, FIG. 7 is a front view showing the configuration of the wafer stripping single-wafer unit 100, and FIG. 8 is a front view showing the configuration of the delivery device 118. 9 is a partial side sectional view showing the structure of the delivery device 118. The wafer-peeling single-wafer unit 100 is mainly composed of a hot water tank 112, a peeling device 114, and a delivery device 118.

熱水槽112の構成について説明する。熱水槽112は矩形の箱型に形成されており、その内部に熱水120が貯留されている。スライスベースSから剥離するウェーハWは、熱水槽112内に設けられたワーク保持部122にセットされる。そして、ウェーハWがワーク保持部122にセットされることにより、ウェーハWに接着されたスライスベースSが熱水120中に浸漬される。このとき、熱水120中には、ウェーハWすべてが浸漬されるのでは無く、ウェーハWのうちワックスで固定された部分から2〜3cm上まで浸漬されることが好ましい。 The configuration of the hot water tank 112 will be described. The hot water tank 112 is formed in a rectangular box shape, and the hot water 120 is stored therein. The wafer W separated from the slice base S is set in the work holding part 122 provided in the hot water tank 112. Then, the wafer W is set on the work holding part 122, so that the slice base S bonded to the wafer W is immersed in the hot water 120. At this time, it is preferable that not all of the wafer W is immersed in the hot water 120 but up to 2-3 cm above the portion of the wafer W fixed with wax.

剥離装置114の概略構成について、主に図3にしたがって説明する。剥離装置114は、熱水槽112内にセットされたウェーハWをスライスベースSから1枚ずつ剥離する装置である。図2及び図5、図7に示すように、熱水槽112の右側部近傍には、熱水槽112の長手方向に沿って一対の第1ガイドレール136、136が配設されている。この第1ガイドレール136、136上には、リニアガイド138、138(図5)を介して第1スライドテーブル(走行体)140がスライド自在に支持されている。 A schematic configuration of the peeling device 114 will be described mainly with reference to FIG. The peeling device 114 is a device that peels the wafers W set in the hot water tank 112 from the slice base S one by one. As shown in FIG. 2, FIG. 5, and FIG. 7, a pair of first guide rails 136, 136 are arranged near the right side portion of the hot water tank 112 along the longitudinal direction of the hot water tank 112. A first slide table (traveling body) 140 is slidably supported on the first guide rails 136 and 136 via linear guides 138 and 138 (FIG. 5).

第1スライドテーブル140の下面にはナット部材142(図5)が固着されており、ナット部材142は、一対の第1ガイドレール136、136の間に配設されたネジ棒144に螺合されている。ネジ棒144の両端部は、軸受部材146、146によって回動自在に支持されており、また、ネジ棒144の一方端には、第1ガイドレール136、136の一方端に設置された第1送りモータ148(図6)が連結されている。ネジ棒144は、第1送りモータ148を駆動することにより回動し、この結果、第1スライドテーブル140が第1ガイドレール136、136に沿って移動する。 A nut member 142 (FIG. 5) is fixed to the lower surface of the first slide table 140, and the nut member 142 is screwed to a screw rod 144 arranged between the pair of first guide rails 136, 136. ing. Both ends of the screw rod 144 are rotatably supported by bearing members 146 and 146, and one end of the screw rod 144 is provided with a first guide rail 136 or a first guide rail 136. The feed motor 148 (FIG. 6) is connected. The screw rod 144 is rotated by driving the first feed motor 148, and as a result, the first slide table 140 moves along the first guide rails 136, 136.

第1スライドテーブル140上には、スライスベースSからウェーハWを剥離するための剥離ユニット150が設けられている。剥離ユニット150は、図3、5、6に示すように、第1スライドテーブル140上に軸受ブロック152が設けられている。軸受ブロック152には、揺動フレーム154の基端部に設けられた支軸156が揺動自在に支持されている。 A peeling unit 150 for peeling the wafer W from the slice base S is provided on the first slide table 140. As shown in FIGS. 3, 5, and 6, the peeling unit 150 has a bearing block 152 provided on the first slide table 140. A support shaft 156 provided at the base end of the swing frame 154 is swingably supported by the bearing block 152.

第1スライドテーブル140上にはブラケット158を介して揺動用ロータリーアクチュエータ160が設置されており、揺動用ロータリーアクチュエータ160の出力軸には駆動ギア162が固着されている。駆動ギア162には、従動ギア164が噛合されており、従動ギア164は回転軸168の先端部に固着されている。回転軸168は軸受部材170によって回動自在に支持されており、軸受部材170は、揺動用ロータリーアクチュエータ160に固定された支持プレート172に支持されている。 A swing rotary actuator 160 is installed on the first slide table 140 via a bracket 158, and a drive gear 162 is fixed to the output shaft of the swing rotary actuator 160. A driven gear 164 is meshed with the drive gear 162, and the driven gear 164 is fixed to the tip of the rotary shaft 168. The rotating shaft 168 is rotatably supported by a bearing member 170, and the bearing member 170 is supported by a support plate 172 fixed to the swing rotary actuator 160.

従動ギア164には、円盤状に形成された回転プレート174(図5、6)が同軸上に固着されており、回転プレート174には、コネクティングロッド176の一方端がピン178によって連結されている。そして、コネクティングロッド176の他方端は、揺動フレーム154にピン180によって連結されている。 A rotary plate 174 (FIGS. 5 and 6) formed in a disk shape is coaxially fixed to the driven gear 164, and one end of a connecting rod 176 is connected to the rotary plate 174 by a pin 178. .. The other end of the connecting rod 176 is connected to the swing frame 154 by a pin 180.

以上の構成により、揺動フレーム154は揺動用ロータリーアクチュエータ160を駆動することにより、その基端部に設けられた支軸156を中心に揺動する。すなわち、揺動用ロータリーアクチュエータ160を駆動すると回転プレート174が180°の範囲で往復回転し、その往復回転がコネクティングロッド176を介して揺動フレーム154に伝達され、揺動フレーム154が揺動する。 With the above configuration, the swing frame 154 swings around the support shaft 156 provided at the base end portion thereof by driving the swing rotary actuator 160. That is, when the swinging rotary actuator 160 is driven, the rotating plate 174 rotates reciprocally within the range of 180°, and the reciprocating rotation is transmitted to the swinging frame 154 via the connecting rod 176, and the swinging frame 154 swings.

揺動フレーム154の上端部には、軸受ユニット182が設けられており、軸受ユニット182には二本の回転軸186、188が回動自在に支持されている。回転軸186、188の先端部には、それぞれアーム190、192が固着されており、アーム190、192の先端は、互いにピン194、196を介してパッド支持プレート198に連結されている。パッド支持プレート198には、所定の間隔をもって一対の第1及び第2剥離用吸着パッド200、201が配設されており、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201はウェーハWを真空吸着して保持する。 A bearing unit 182 is provided on the upper end portion of the swing frame 154, and two rotary shafts 186 and 188 are rotatably supported by the bearing unit 182. Arms 190 and 192 are fixed to the tip ends of the rotary shafts 186 and 188, respectively, and the tip ends of the arms 190 and 192 are connected to the pad support plate 198 via pins 194 and 196, respectively. A pair of first and second peeling suction pads 200 and 201 are arranged on the pad support plate 198 at a predetermined interval. The first and second peeling suction pads 200 and 201 vacuum-chuck the wafer W. And hold.

揺動フレーム154の背面部には、支持プレート202が取り付けられており、支持プレート202には昇降用ロータリーアクチュエータ204が設置されている。昇降用ロータリーアクチュエータ204の出力軸には、扇形状に形成された回転プレート206が固着されており、回転プレート206にはコネクティングロッド208の一方端がピン210によって連結されている。そして、コネクティングロッド208の他方端は、一方のアーム190にピン212によって連結されている。 A support plate 202 is attached to the back surface of the swing frame 154, and a lift rotary actuator 204 is installed on the support plate 202. A fan-shaped rotating plate 206 is fixed to the output shaft of the lifting rotary actuator 204, and one end of a connecting rod 208 is connected to the rotating plate 206 by a pin 210. The other end of the connecting rod 208 is connected to the one arm 190 by a pin 212.

以上の構成により、パッド支持プレート198に設けられた第1及び第2剥離用吸着パッド200、201は、昇降用ロータリーアクチュエータ204を駆動することにより鉛直上方に昇降移動する。すなわち、昇降用ロータリーアクチュエータ204を駆動すると回転プレート206が180°の範囲で往復回転し、その往復回転がコネクティングロッド208を介してアーム190に伝達され、一方のアーム190が上下方向に往復角運動を行う。アーム190が往復角運動を行うと、他方側のアーム192も搖動テコとなって往復角運動を行い、この結果、パッド支持プレート198に設けられた第1及び第2剥離用吸着パッド200、201が鉛直上方に持ち上げられる。 With the above-described configuration, the first and second peeling suction pads 200 and 201 provided on the pad support plate 198 are moved vertically upward and downward by driving the vertical rotary actuator 204. That is, when the lifting rotary actuator 204 is driven, the rotary plate 206 reciprocally rotates in the range of 180°, and the reciprocal rotation is transmitted to the arm 190 via the connecting rod 208, and one arm 190 moves vertically in a reciprocal angular motion. I do. When the arm 190 makes a reciprocating angular motion, the arm 192 on the other side also performs a reciprocating angular motion to make a reciprocating angular motion, and as a result, the first and second peeling suction pads 200, 201 provided on the pad support plate 198. Is lifted vertically upwards.

ウェーハWを吸着保持する第1及び第2剥離用吸着パッド200、201は、昇降用ロータリーアクチュエータ204が駆動することにより昇降移動する。また、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201が設けられているパッド支持プレート198は、アーム190、192を介して揺動フレーム154に接続されているので、揺動フレーム154が揺動することにより前後方向に揺動する。 The first and second peeling suction pads 200 and 201 for sucking and holding the wafer W are moved up and down by driving the lifting rotary actuator 204. Further, since the pad supporting plate 198 provided with the first and second peeling suction pads 200, 201 is connected to the swing frame 154 via the arms 190, 192, the swing frame 154 swings. By doing so, it swings back and forth.

すなわち、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201は、揺動用ロータリーアクチュエータ160が駆動することにより前後方向に揺動し、昇降用ロータリーアクチュエータ204が駆動することにより昇降移動する。そして、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201でスライスベースSからウェーハWを次のように剥離する。 That is, the first and second peeling suction pads 200 and 201 swing in the front-rear direction when the swing rotary actuator 160 drives, and move up and down when the lift rotary actuator 204 drives. Then, the wafer W is peeled from the slice base S by the first and second peeling suction pads 200 and 201 as follows.

熱水槽112内にセットされたウェーハWの端面を第1及び第2剥離用吸着パッド200、201で吸着保持する。次いで、揺動用ロータリーアクチュエータ160を駆動して第1及び第2剥離用吸着パッド200、201を前後方向(ウェーハの軸線に沿った方向)に揺動させる。ここで、ウェーハWとスライスベースSとを接着している接着剤は、熱水120中に浸漬されているため十分に熱軟化している。このため、ウェーハWは、複数回揺動が与えられることでスライスベースSから剥離される。 The end surface of the wafer W set in the hot water tank 112 is sucked and held by the first and second peeling suction pads 200 and 201. Then, the swing rotary actuator 160 is driven to swing the first and second peeling suction pads 200, 201 in the front-rear direction (direction along the axis of the wafer). Here, since the adhesive that bonds the wafer W and the slice base S is immersed in the hot water 120, the adhesive is sufficiently softened. Therefore, the wafer W is separated from the slice base S by being shaken a plurality of times.

ウェーハWがスライスベースSから剥離されると、昇降用ロータリーアクチュエータ204が駆動され、剥離したウェーハWを保持した状態で第1及び第2剥離用吸着パッド200、201が上方に向かって移動する。そして、所定の受渡位置で停止する。受渡位置に移送されたウェーハWは受渡装置118に受け渡されたのち、受渡装置118によってシャトルコンベア312に移送され、該シャトルコンベア312によって次工程に搬送されていく。 When the wafer W is peeled from the slice base S, the lift rotary actuator 204 is driven, and the first and second peeling suction pads 200 and 201 move upward while holding the peeled wafer W. Then, it stops at a predetermined delivery position. The wafer W transferred to the transfer position is transferred to the transfer device 118, then transferred to the shuttle conveyor 312 by the transfer device 118, and transferred to the next process by the shuttle conveyor 312.

一方、ウェーハWの受け渡しが終了した第1及び第2剥離用吸着パッド200、201は、昇降用ロータリーアクチュエータ204に駆動されて下方に移動し、元の剥離作業位置に復帰する。ウェーハWは、その端面を第1及び第2剥離用吸着パッド200、201によって揺動を与えることによりスライスベースSから剥離されるが、ウェーハWの中には第1及び第2剥離用吸着パッド200、201で揺動を与えられる前から、スライスベースSから剥離してしまっているものもある。 On the other hand, the first and second peeling suction pads 200, 201 for which the transfer of the wafer W has been completed are driven by the lifting rotary actuator 204 to move downward and return to the original peeling work position. The wafer W is peeled from the slice base S by swinging the end surface of the wafer W by the first and second peeling suction pads 200 and 201. In the wafer W, the first and second peeling suction pads are included. Some of them have been peeled off from the slice base S before being rocked by 200 and 201.

この場合、ウェーハWが前方に倒れて回収不能になるおそれがある。このため、剥離するウェーハWの前方位置には、ウェーハWが前方に倒れるのを防止するための倒止板214が配設されている。倒止板214は、昇降用ロータリーアクチュエータ204が設置された支持プレート202に設けられており、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201と共に揺動する。 In this case, the wafer W may fall forward and cannot be recovered. For this reason, a fall stop plate 214 for preventing the wafer W from falling forward is disposed at a position in front of the wafer W to be peeled off. The fall prevention plate 214 is provided on the support plate 202 on which the lifting rotary actuator 204 is installed, and swings together with the first and second peeling suction pads 200, 201.

第1及び第2剥離用吸着パッド200、201は、倒止板214に形成された通路214aを通って昇降移動する。また、倒止板214の上部には、2枚取り防止板216が固着されており、スライスベースSから剥離されたウェーハWは、2枚取り防止板216に形成されたスリット216aを通って所定の受渡位置まで移送される。スリット216aは、ウェーハWが丁度1枚通れる幅(例えば、ウェーハWの厚さの1.1〜1.5倍の幅)で形成されており、これにより、ウェーハが2枚同時に剥離されたような場合に、その2枚のウェーハが互いに貼りついて2枚同時に受渡位置まで移送されることを防止することができる。具体的には、スリット216aの幅は、ウェーハWの厚さの1.1〜1.5倍の幅とすることで、2枚同時の移送を防ぐと共に、表面の傷付き防止を図ることができる。 The first and second adsorption pads 200 and 201 for peeling move up and down through a passage 214a formed in the fall plate 214. Further, a two-piece prevention plate 216 is fixed to the upper part of the fall prevention plate 214, and the wafer W separated from the slice base S passes through a slit 216 a formed in the two-piece prevention plate 216 and is predetermined. Will be transferred to the delivery position. The slit 216a is formed with a width that allows exactly one wafer W to pass therethrough (for example, a width of 1.1 to 1.5 times the thickness of the wafer W), so that two wafers are separated at the same time. In such a case, it is possible to prevent the two wafers from sticking to each other and being simultaneously transferred to the delivery position. Specifically, the width of the slit 216a is 1.1 to 1.5 times the thickness of the wafer W to prevent simultaneous transfer of two wafers and prevent damage to the surface. it can.

ここで、倒止板214は、その表面がフッ素樹脂加工等による撥水加工がされていることが好ましい。倒止板214が、撥水加工されていない場合、その表面に水膜が形成され、ウェーハWが倒止板214張り付くことにより、ウェーハWをスリット216aを通って受渡位置まで移送する際、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201からずれたり、はずれたりして、移送が困難になる場合があるからである。倒止板214の表面に撥水加工を施すことにより、水膜が形成されないので、ウェーハWが倒止板214に張り付くことを防止することができる。 Here, it is preferable that the surface of the fall stop plate 214 be subjected to water repellent processing such as fluororesin processing. When the fall prevention plate 214 is not water-repellent processed, a water film is formed on the surface thereof, and the wafer W sticks to the fall prevention plate 214, so that when the wafer W is transferred to the delivery position through the slit 216a, This is because the first and second suction pads 200 and 201 for peeling may be displaced from or separated from each other, which makes it difficult to transfer. Since the water film is not formed by subjecting the surface of the stop plate 214 to the water repellent process, it is possible to prevent the wafer W from sticking to the stop plate 214.

また、倒止板214の表面を鏡面状態にせず、少し粗い面にしておくことにより、ウェーハWが倒止板214に吸着することを抑制または防止することができ、これと撥水加工とを併用することにより、より確実に倒止板214へのウェーハWの張り付きを防止することができる。 Further, by making the surface of the fall stop plate 214 not a mirror-finished surface but a slightly rough surface, it is possible to suppress or prevent the wafer W from adsorbing to the fall stop plate 214, and this and the water repellent treatment are performed. By using them together, it is possible to more reliably prevent the wafer W from sticking to the stop plate 214.

これにより、スライスベースから2枚のウェーハが同時に剥離され、互いに貼りついた場合であっても、2枚取り防止板216のスリット216aを通過する際に、その1枚目のウェーハに貼りついた2枚目のウェーハが、スリット216aを通過できずに落下するので、常に1枚ずつ受渡位置に移送することができる。なお、この場合、スリット216aを通過できずに落下したウェーハは、倒止板214によって前方に倒れるのを防止されるので、次回の剥離時に確実に回収することができる。 As a result, even when two wafers are simultaneously peeled from the slice base and adhered to each other, the two wafers are adhered to the first wafer when passing through the slit 216a of the two-piece prevention plate 216. Since the second wafer cannot pass through the slit 216a and falls, it can always be transferred one by one to the delivery position. In this case, since the wafer which cannot pass through the slit 216a and is dropped is prevented from falling forward by the stop plate 214, the wafer can be reliably collected at the next peeling.

次に、受渡装置118の概略構成について説明する。受渡装置118は、剥離装置114の第1剥離用吸着パッド200によってスライスベースSから剥離されたウェーハWを第1剥離用吸着パッド200から受け取り、シャトルコンベア312に受け渡す装置である。受渡装置118は、図2、4及び図7、8、9に示すように、駆動ユニット222の第2スライドテーブル240上に設けられており、第2送りモータ248を駆動することにより、第2ガイドレール236、236に沿って移動する。 Next, a schematic configuration of the delivery device 118 will be described. The delivery device 118 is a device that receives the wafer W peeled from the slice base S by the first peeling suction pad 200 of the peeling device 114 from the first peeling suction pad 200 and delivers it to the shuttle conveyor 312. The delivery device 118 is provided on the second slide table 240 of the drive unit 222 as shown in FIGS. 2, 4 and 7, 8, and 9, and drives the second feed motor 248 to move the second device. It moves along the guide rails 236, 236.

駆動ユニット222の第2スライドテーブル240上には、支柱274が垂直に立設されている。この支柱274の頂部には、支持フレーム276が垂直に立設されており、支持フレーム276には旋回用ロータリーアクチュエータ278が水平に設置されている。旋回用ロータリーアクチュエータ278の出力軸には駆動ギア280が噛合されており、駆動ギア280には旋回軸284に固着された従動ギア282が噛合されている。旋回軸284は、支持フレーム276の頂部に設置された軸受ユニット286に回動自在に支持されており、旋回用ロータリーアクチュエータ278を駆動することにより180°の範囲で回動する。 On the second slide table 240 of the drive unit 222, a column 274 is erected vertically. A support frame 276 is vertically installed upright on the top of the column 274, and a rotary rotary actuator 278 is horizontally installed on the support frame 276. A drive gear 280 is meshed with the output shaft of the rotary rotary actuator 278, and a driven gear 282 fixed to the rotary shaft 284 is meshed with the drive gear 280. The swivel shaft 284 is rotatably supported by a bearing unit 286 installed on the top of the support frame 276, and swivels in a range of 180° by driving a swiveling rotary actuator 278.

旋回軸284の基端部には、旋回フレーム288が固着されており、旋回フレーム288には回転軸290が回動自在に支持されている。回転軸290の基端部には、旋回フレーム288に設置された方向転換用ロータリーアクチュエータ292の出力軸が固着されており、方向転換用ロータリーアクチュエータ292を駆動することにより、90°の範囲で回動する。 A swivel frame 288 is fixed to the base end of the swivel shaft 284, and a rotary shaft 290 is rotatably supported by the swivel frame 288. An output shaft of a direction changing rotary actuator 292 installed on the revolving frame 288 is fixed to a base end portion of the rotating shaft 290. By driving the direction changing rotary actuator 292, the rotation shaft is rotated within a range of 90°. Move.

回転軸290の先端部には、L字状に形成された旋回アーム294が固着されており、旋回アーム294の先端部には支持プレート296が固着されている。支持プレート296にはパッド進退用シリンダ298が設けられており、パッド進退用シリンダ298のロッド先端部には、受渡用吸着パッド300が設けられている。剥離装置114の第1及び第2剥離用吸着パッド200、201によって剥離されたウェーハWは、所定の受渡位置まで搬送されたのち、受渡用吸着パッド300に受け渡される。 An L-shaped swivel arm 294 is fixed to the tip of the rotary shaft 290, and a support plate 296 is fixed to the tip of the swivel arm 294. A pad advancing/retreating cylinder 298 is provided on the support plate 296, and a delivery suction pad 300 is provided at the tip of the rod of the pad advancing/retreating cylinder 298. The wafer W peeled by the first and second peeling suction pads 200 and 201 of the peeling device 114 is transferred to a predetermined transfer position and then transferred to the transfer suction pad 300.

受渡装置118において、受渡用吸着パッド300に吸着保持されたウェーハWは、旋回用ロータリーアクチュエータ278を駆動することにより、垂直面上を180°の範囲で旋回し、方向転換用ロータリーアクチュエータ292を駆動することにより、垂直状態から水平状態に方向転換される。 In the delivery device 118, the wafer W sucked and held by the delivery suction pad 300 is swung in the range of 180° on the vertical plane by driving the swiveling rotary actuator 278 to drive the direction changing rotary actuator 292. By doing so, the direction is changed from the vertical state to the horizontal state.

剥離装置114で剥離したウェーハWの受け取り、及び、その受け取ったウェーハWのシャトルコンベア312上への受け渡しは、次のように行う。スライスベースSから剥離されたウェーハWは、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201に吸着保持された状態で上昇して所定の受渡位置に移送される。受渡位置には、すでに受渡用吸着パッド300が待機しており、ウェーハWは、受渡用吸着パッド300の軸心と同軸上に位置する。 The reception of the wafer W separated by the separation device 114 and the transfer of the received wafer W onto the shuttle conveyor 312 are performed as follows. The wafer W separated from the slice base S is lifted while being sucked and held by the first and second peeling suction pads 200 and 201, and is transferred to a predetermined delivery position. The delivery suction pad 300 is already on standby at the delivery position, and the wafer W is located coaxially with the axis of the delivery suction pad 300.

ウェーハWが受渡位置に移送されると、次いで、パッド進退用シリンダ298が駆動されて、受渡用吸着パッド300がウェーハWに向かって所定量前進する。この結果、ウェーハWの端面に受渡用吸着パッド300が密着する。次に、受渡用吸着パッド300が駆動され、受渡用吸着パッド300によってウェーハWが吸着保持される。受渡用吸着パッド300にウェーハWが吸着保持されたことが受渡用吸着パッド300側に設けられた圧力スイッチ(図示せず)によって検知される。
ここで、圧力スイッチは、受渡用吸着パッド300内の圧力を検知できる場所ならば、ウェーハW吸着に支障の無い位置のどこにでも設置することが可能である。例えば、旋回アーム294の中に配置されている、受渡用吸着パッド300を作動させるための空気吸引管(不図示)に圧力スイッチを設置することができるが、圧力スイッチの設置場所は、空気吸入管内の圧力を検出できるところならば旋回アーム294の内部に限らず、空気吸入管が旋回アーム294から外部に出て空気吸引ポンプ(不図示)と接続される部分との間のどこに設置しても良い。あるいは、受渡用吸着パッド300が接続されている旋回アーム294の部分の内部に、受渡用吸着パッド300内の圧力が直接検知できるように圧力スイッチを設置しても良い。
そして、この検知信号によって、第1剥離用吸着パッド200の真空吸着が解除、つまり空気が流入される。これにより、ウェーハWが第1剥離用吸着パッド200から受渡用吸着パッド300に受け渡される。なお、第2剥離用吸着パッド201の真空吸着の解除は、第1剥離用吸着パッド200の解除と同時でも良い。ただし、ウェーハWが上昇する前、あるいは受渡位置に移送される前に解除しても良く、その方がウェーハWの姿勢が安定する。
When the wafer W is transferred to the delivery position, the pad advancing/retreating cylinder 298 is then driven to advance the delivery suction pad 300 by a predetermined amount toward the wafer W. As a result, the delivery suction pad 300 comes into close contact with the end surface of the wafer W. Next, the delivery suction pad 300 is driven, and the wafer W is suction-held by the delivery suction pad 300. The fact that the wafer W is suction-held on the delivery suction pad 300 is detected by a pressure switch (not shown) provided on the delivery suction pad 300 side.
Here, the pressure switch can be installed at any position where the pressure in the delivery suction pad 300 can be detected and at a position where suction of the wafer W is not hindered. For example, a pressure switch can be installed in an air suction pipe (not shown) for operating the delivery suction pad 300, which is arranged in the swivel arm 294. It is not limited to the inside of the swivel arm 294 as long as the pressure in the pipe can be detected, and it may be installed anywhere between the part where the air suction pipe goes out of the swivel arm 294 and is connected to the air suction pump (not shown). Is also good. Alternatively, a pressure switch may be installed inside the part of the swivel arm 294 to which the delivery suction pad 300 is connected so that the pressure in the delivery suction pad 300 can be directly detected.
Then, according to this detection signal, the vacuum suction of the first peeling suction pad 200 is released, that is, air is flowed in. As a result, the wafer W is transferred from the first peeling suction pad 200 to the delivery suction pad 300. The vacuum suction of the second peeling suction pad 201 may be released at the same time as the release of the first peeling suction pad 200. However, it may be released before the wafer W is raised or transferred to the delivery position, and the posture of the wafer W is more stable in that case.

ウェーハWを受け取った受渡用吸着パッド300は、圧力スイッチによる検知信号によってパッド進退用シリンダ298の駆動を開始し、第1剥離用吸着パッド200から後退する。同様に、ウェーハWを受け渡した第1剥離用吸着パッド200は、圧力スイッチによる検知信号によって下降を開始して元の剥離作業位置に復帰する。受渡用吸着パッド300が後退すると、次いで、旋回用ロータリーアクチュエータ278が駆動されて、旋回アーム294が180°旋回する。この結果、ウェーハWがシャトルコンベア312の上方位置に移送される。なお、上記圧力スイッチの代わりにタッチセンサ等同様の機能を有するセンサ、デバイス等を使用することができる。 The delivery suction pad 300 that has received the wafer W starts driving the pad advancing/retreating cylinder 298 in response to the detection signal from the pressure switch, and retracts from the first peeling suction pad 200. Similarly, the first peeling suction pad 200 that has delivered the wafer W starts to descend by the detection signal from the pressure switch and returns to the original peeling work position. When the delivery suction pad 300 moves backward, the rotary rotary actuator 278 is driven, and the rotary arm 294 pivots 180°. As a result, the wafer W is transferred to the position above the shuttle conveyor 312. Note that a sensor, a device, or the like having a similar function such as a touch sensor can be used instead of the pressure switch.

シャトルコンベア312の上方に移送されたウェーハWは、シャトルコンベア312に対して直交した状態にあるので、移送後、方向転換用ロータリーアクチュエータ292が駆動されて、旋回アーム294が回転軸290を中心に90°回転する。この結果、ウェーハWがシャトルコンベア312から所定高さの位置に水平な状態で位置する。 Since the wafer W transferred above the shuttle conveyor 312 is orthogonal to the shuttle conveyor 312, the rotary actuator 292 for direction change is driven after the transfer so that the revolving arm 294 moves around the rotation axis 290. Rotate 90°. As a result, the wafer W is positioned horizontally from the shuttle conveyor 312 at a predetermined height.

方向転換用ロータリーアクチュエータ292の駆動後、パッド進退用シリンダ298が駆動されて、受渡用吸着パッド300がシャトルコンベア312に向かって所定量前進する。この結果、ウェーハWが、シャトルコンベア312上に載置される。ウェーハWが、シャトルコンベア312上に載置されると、受渡用吸着パッド300の駆動が停止される。そして、パッド進退用シリンダ298が駆動されて受渡用吸着パッド300がシャトルコンベア312から後退する。 After driving the direction changing rotary actuator 292, the pad advancing/retreating cylinder 298 is driven to advance the delivery suction pad 300 toward the shuttle conveyor 312 by a predetermined amount. As a result, the wafer W is placed on the shuttle conveyor 312. When the wafer W is placed on the shuttle conveyor 312, the driving of the delivery suction pad 300 is stopped. Then, the pad advancing/retreating cylinder 298 is driven, and the delivery suction pad 300 retreats from the shuttle conveyor 312.

ウェーハWの受渡作業の終了後、受渡用吸着パッド300は、上記と逆の動作で元の受渡位置に復帰する。一方、ウェーハWが受け渡されたシャトルコンベア312は、図示しない駆動手段に駆動されて、その受け渡されたウェーハWを次工程に搬送する。なお、このウェーハ剥離枚葉部100の駆動は、全て図示しない制御装置によって自動制御されており、この制御装置から出力される駆動信号に基づいて各構成装置が作動する。 After the delivery work of the wafer W is completed, the delivery suction pad 300 returns to the original delivery position by the operation reverse to the above. On the other hand, the shuttle conveyor 312 to which the wafer W has been transferred is driven by a driving unit (not shown) to transfer the transferred wafer W to the next process. Note that the drive of the wafer separation sheet unit 100 is all automatically controlled by a control device (not shown), and each component device operates based on a drive signal output from the control device.

次に、ウェーハ剥離枚葉部100におけるウェーハの剥離方法の詳細について説明する。始動前の状態において、剥離ユニット150が設置された第1スライドテーブル140は、第1ガイドレール136の一方端(図2において下端)に位置している(この位置を剥離作業開始位置という。)。一方、受渡装置118が設置された第2スライドテーブル240は、第2ガイドレール236の他方端(図2において上端)に位置している。 Next, the details of the wafer peeling method in the wafer peeling single-wafer unit 100 will be described. In the state before starting, the first slide table 140 on which the peeling unit 150 is installed is located at one end (lower end in FIG. 2) of the first guide rail 136 (this position is referred to as a peeling work start position). .. On the other hand, the second slide table 240 on which the delivery device 118 is installed is located at the other end (upper end in FIG. 2) of the second guide rail 236.

ワイヤソーでマルチ切断されたウェーハWを熱水槽112内に設けられたワーク保持部122にセットする。これにより、ウェーハWが接着されたスライスベースSが熱水槽112内に貯留された熱水120中に浸漬される。なお、ウェーハWのセッティングは、オペレータが手動で行ってもよいし、図示しないマニピュレータによって自動でワーク保持部122に搬送して、自動でセットするようにしてもよい。 The wafer W multi-cut with a wire saw is set in the work holding part 122 provided in the hot water tank 112. As a result, the slice base S to which the wafer W is bonded is immersed in the hot water 120 stored in the hot water tank 112. The wafer W may be set manually by an operator, or may be automatically conveyed to the work holding unit 122 by a manipulator (not shown) and automatically set.

ウェーハWが熱水槽112内にセットされると、制御装置は、まず、第2送りモータ248を駆動して第2スライドテーブル240を図2中で下側に向けて移動させる。次に、その第2スライドテーブル240を所定の受渡作業の開始位置に位置させる。そして、第2スライドテーブル240が受渡作業の開始位置に位置したところで、ウェーハWの剥離作業が開始される。 When the wafer W is set in the hot water tank 112, the control device first drives the second feed motor 248 to move the second slide table 240 downward in FIG. Next, the second slide table 240 is positioned at a predetermined start position of the delivery work. Then, when the second slide table 240 is located at the start position of the delivery work, the peeling work of the wafer W is started.

次に、制御装置は、第1送りモータ148と第2送りモータ248を同期させて駆動し、第1スライドテーブル140と第2スライドテーブル240を前進させる(図2中上方向に移動させる)。第1スライドテーブル140上に設けられた剥離装置114のパッド支持プレート198には、非接触式の位置センサ214Sが設けられており、位置センサ214Sは、ウェーハWの端面までの距離が所定距離に達すると作動する。 Next, the control device drives the first feed motor 148 and the second feed motor 248 in synchronization with each other to move the first slide table 140 and the second slide table 240 forward (move them upward in FIG. 2). A non-contact type position sensor 214S is provided on the pad supporting plate 198 of the peeling device 114 provided on the first slide table 140, and the position sensor 214S has a predetermined distance to the end surface of the wafer W. It works when it reaches.

制御装置は、位置センサ214Sの作動信号を入力することにより、第1送りモータ148と第2送りモータ248の駆動を停止し、第1スライドテーブル140と第2スライドテーブル240とを停止させる。この結果、第1スライドテーブル140上に設けられた剥離装置114の第1及び第2剥離用吸着パッド200、201がウェーハWの端面に当接する。制御装置は、ウェーハWの端面に当接した第1及び第2剥離用吸着パッド200、201を駆動し、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201にウェーハWを吸着保持させる。 The control device stops driving the first feed motor 148 and the second feed motor 248 by inputting the operation signal of the position sensor 214S, and stops the first slide table 140 and the second slide table 240. As a result, the first and second peeling suction pads 200 and 201 of the peeling device 114 provided on the first slide table 140 come into contact with the end surface of the wafer W. The control device drives the first and second peeling suction pads 200 and 201 that are in contact with the end surface of the wafer W, and causes the first and second peeling suction pads 200 and 201 to suck and hold the wafer W.

図10は、剥離用吸着部の詳細を示す要部の拡大側面図、図11は、拡大正面図である。倒止板214は、ウェーハWの端面側が基準面となり、表面を保護する樹脂製の押し当て板214−1、反対側が押し当て板214−1の平面度を確保するためステンレス製のステンレスプレート214−2となっている。ここで、ウェーハWが接触する側の面である、樹脂製の押し当て版214−1の表面は、前述したようにフッ素樹脂加工等の撥水加工がされているのが好ましく、撥水加工され、かつその表面が鏡面では無くウェーハWが吸着しない程度の表面粗さを有していることが更に好ましい。また、第1剥離用吸着パッド200は、その中心軸がウェーハWの中心軸と一致するように配置され、第2剥離用吸着パッド201は第1剥離用吸着パッド200より下側に配置される。なお、第1剥離用吸着パッド200は、表面がフラットなワークの搬送に適した平形真空パッドであり、第2剥離用吸着パッド201より吸着力が強くなっている。また、第2剥離用吸着パッド201は、軸方向に伸縮するじゃばら形状のベローズ型真空吸着パッドである。 FIG. 10 is an enlarged side view of an essential part showing the details of the peeling adsorption portion, and FIG. 11 is an enlarged front view. The tilting plate 214 has the end surface side of the wafer W as a reference surface, and the pressing plate 214-1 made of resin for protecting the surface and the stainless plate 214 made of stainless steel for ensuring flatness of the pressing plate 214-1 on the opposite side. It is -2. Here, it is preferable that the surface of the resin pressing plate 214-1, which is the surface on the side where the wafer W contacts, is subjected to water repellent treatment such as fluororesin treatment as described above. It is more preferable that the surface is not a mirror surface and has a surface roughness such that the wafer W is not adsorbed. Further, the first peeling suction pad 200 is arranged such that its central axis coincides with the central axis of the wafer W, and the second peeling suction pad 201 is arranged below the first peeling suction pad 200. .. The first peeling suction pad 200 is a flat vacuum pad suitable for transporting a work having a flat surface, and has a stronger suction force than the second peeling suction pad 201. The second peeling suction pad 201 is a bellows-type vacuum suction pad having a bellows shape that expands and contracts in the axial direction.

ウェーハWは、接着剤によりスライスベースSと接着され、マウンティングプレートMに対して上側になるように配置させられたのち、熱水槽112のワーク保持部122にセットされている。ここで、ウェーハWとスライスベースSとを接着している接着剤は、熱水120中に浸漬されているため十分に熱軟化している。スライスベースSの横にはエアー供給機構が設けられ、エアノズル80、81がウェーハWの下側両側面に設けられている。そして、エアノズル80、81は、ウェーハWの側面2方向より下側から上側に向かってエアーをブロー供給する、つまりエアーを勢いよく吹き付けるように設置されている。また、ウェーハWの鉛直上方でウェーハ中央部付近には水供給ノズル(図示せず)が設けられる。 The wafer W is bonded to the slice base S with an adhesive, and is arranged so as to be on the upper side of the mounting plate M, and then set on the work holding portion 122 of the hot water tank 112. Here, since the adhesive that bonds the wafer W and the slice base S is immersed in the hot water 120, the adhesive is sufficiently softened. An air supply mechanism is provided beside the slice base S, and air nozzles 80 and 81 are provided on both lower side surfaces of the wafer W. The air nozzles 80 and 81 are installed so as to blow air from the lower side to the upper side of the side surface 2 of the wafer W, that is, to blow the air vigorously. A water supply nozzle (not shown) is provided vertically above the wafer W near the center of the wafer.

第1及び第2剥離用吸着パッド200、201によるウェーハWの吸着保持は、次のように行われる。まず、ウェーハWの端面に第2剥離用吸着パッド201が当接する。第2剥離用吸着パッド201は、ウェーハWの中心軸より下側に位置するように配置され、例えばベローズ型真空吸着パッドのように軸方向に伸縮可能なため、軸方向に垂直な面から被吸着物の面がある程度傾いていたとしても、吸着パッドの吸着部が、ある程度被吸着物の面にならって傾くことができるタイプを用いている。 The suction holding of the wafer W by the first and second peeling suction pads 200 and 201 is performed as follows. First, the second peeling suction pad 201 contacts the end surface of the wafer W. The second peeling suction pad 201 is arranged below the central axis of the wafer W, and can be expanded and contracted in the axial direction like a bellows type vacuum suction pad. Even if the surface of the adsorbent is inclined to some extent, the adsorption part of the adsorption pad is of a type that can be inclined to the surface of the adsorbed object to some extent.

これにより、図12に示すようにウェーハWが傾いていたとしても、第2剥離用吸着パッド200は、その吸着部がウェーハWの傾きにならってウェーハWを確実に吸着することができ、ウェーハWの接着部近傍を中心としてウェーハWの根本を倒止板214側へ引き寄せることができる。これにより、剥離作業が確実に、かつ効率良く開始される。 As a result, even if the wafer W is tilted as shown in FIG. 12, the suction portion of the second peeling suction pad 200 can surely suck the wafer W by the inclination of the wafer W. The root of the wafer W can be pulled toward the fall stop plate 214 side with the vicinity of the bonded portion of W as the center. As a result, the peeling work is started reliably and efficiently.

図12は、剥離作業の作用の説明図であり、ウェーハWを1枚剥離する際に、複数枚に対してエアノズル80、81から矢印F、Gに示すようにウェーハWの両側面において、下側から上側に向かってエアーをブロー供給する。 FIG. 12 is an explanatory diagram of the operation of the peeling work. When peeling one wafer W, the air nozzles 80 and 81 are used to remove the wafer W from both sides as shown by arrows F and G. Air is blown from side to side.

具体的には図12で剥離する最左端の1枚目となるウェーハWに対して、少なくとも1枚目と2枚目との間にエアーをブロー供給する。なお、さらに2枚目と3枚目との間、3枚目と4枚目との間にもエアーをブロー供給することが効率良く剥離する上で望ましい。ただし、数枚の剥離作業を行っている内にウェーハWとスライスベースSとを接着している接着剤は、熱水120中に浸漬されているため十分に熱軟化して行くので、剥離作業の進行と共に、同時にブロー供給する枚数を減らしても良い。 Specifically, air is blown and supplied between at least the first and second wafers W, which are the leftmost first wafer W to be separated in FIG. In addition, it is desirable that the air is blown between the second and third sheets and between the third and fourth sheets in order to separate efficiently. However, since the adhesive agent that adheres the wafer W and the slice base S to each other while performing the peeling work of several sheets is sufficiently softened because it is immersed in the hot water 120, the peeling work is performed. It is also possible to reduce the number of sheets to be blow-fed at the same time as the above procedure.

一方、ウェーハWの鉛直上方で中心付近から矢印Hに示すように熱水又は水を供給することで、中央から水が供給され、中央は必ず一定の隙間を確保するようにできる。そして、ウェーハWの両側面からエアーを流すことで両サイドの隙間をバランス良く保つことができ、ウェーハ間をきれいに縁切りできる。 On the other hand, by supplying hot water or water from near the center above the wafer W in the vertical direction as shown by the arrow H, the water is supplied from the center, and it is possible to ensure a certain gap in the center. Then, by flowing air from both side surfaces of the wafer W, the gaps on both sides can be maintained in a well-balanced manner, and the edges of the wafer can be cut cleanly.

つまり、エアーを供給することで水膜が除去され、ウェーハW間が水の表面張力で貼りつくことを防いで縁切りし、1枚のウェーハWを持ち上げた際に次のウェーハが連れ立って持ち上げられることを防止することができる。また、複数枚に対してエアーをブロー供給、特に、1枚目と2枚目との間及び2枚目と3枚目との間にエアーをブロー供給することで、持ち上げたウェーハWの次の待機ウェーハW(2枚目)とその次にある待機ウェーハW(3枚目)の密着も回避できる。これにより、剥離作業を順次継続する上で、効率を向上することができる。 That is, the water film is removed by supplying air, the wafers W are prevented from sticking to each other due to the surface tension of water, the edge is cut off, and when one wafer W is lifted, the next wafer is lifted together. It can be prevented. Further, air is blow-supplied to a plurality of wafers, in particular, air is blown between the first wafer and the second wafer and between the second wafer and the third wafer, so that It is also possible to avoid the contact between the standby wafer W (second sheet) and the next standby wafer W (third sheet). As a result, the efficiency can be improved in continuing the peeling work in sequence.

第2剥離用吸着パッド201により、ウェーハWを倒止板214側へ引き寄せた後は、表面がフラットな平形真空パッドである第1剥離用吸着パッド200により、ウェーハWの中心軸をしっかりと吸着する。したがって、ウェーハWの搬送に適した状態、短時間でウェーハWのハンドリングが可能となり、途中で落下等の恐れも無くすことができる。 After pulling the wafer W toward the stop plate 214 by the second peeling suction pad 201, the central axis of the wafer W is firmly sucked by the first peeling suction pad 200 which is a flat vacuum pad having a flat surface. To do. Therefore, the wafer W can be handled in a short time in a state suitable for transporting the wafer W, and the risk of dropping or the like can be eliminated during the process.

次に、制御装置は、揺動用ロータリーアクチュエータ160を駆動して揺動フレーム154を前後に揺動させ、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201を前後(ウェーハの軸線に沿った方向)に揺動させる。また、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201は、ウェーハWとスライスベースSとの接着部近傍を揺動中心として揺動している。このため、ウェーハWは、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201によって複数回揺動が与えられ、簡単にスライスベースSから剥離される。また、引きはがし時に前後の揺動により、ウェーハWを根元から剥離し、全体として効率良く剥離することが可能となる。 Next, the control device drives the swinging rotary actuator 160 to swing the swinging frame 154 back and forth to move the first and second peeling suction pads 200 and 201 back and forth (direction along the axis of the wafer). Rock to. In addition, the first and second peeling suction pads 200 and 201 swing around the bonded portion between the wafer W and the slice base S as the swing center. Therefore, the wafer W is swung a plurality of times by the first and second suction pads 200 and 201 for peeling, and is easily peeled from the slice base S. Further, the wafer W can be peeled from the root by swinging back and forth during peeling, and the wafer W can be efficiently peeled as a whole.

制御装置は、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201を所定回数揺動させたところで揺動用ロータリーアクチュエータ160の駆動を停止する。次いで、昇降用ロータリーアクチュエータ204を駆動してアーム190、192を上方に旋回させ、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201を上方に移動させる。この際、第1剥離用吸着パッド200により、ウェーハWの中心軸がしっかりと固定されている。 The control device stops the drive of the swing rotary actuator 160 when the first and second peeling suction pads 200, 201 are swung a predetermined number of times. Next, the lifting rotary actuator 204 is driven to rotate the arms 190 and 192 upward, and the first and second peeling suction pads 200 and 201 are moved upward. At this time, the central axis of the wafer W is firmly fixed by the first peeling suction pad 200.

第1剥離用吸着パッド200に吸着保持されたウェーハWは、摺動性が良い樹脂製(例えば、フッ素樹脂)の押し当て板214−1にガイドされて、倒止板214の上部に固着された2枚取り防止板216のスリット216a(図3)を通過する。これにより、2枚取りが防止される。 The wafer W sucked and held by the first peeling suction pad 200 is guided by a pressing plate 214-1 made of resin (for example, fluorocarbon resin) having good slidability and fixed to the upper portion of the fall prevention plate 214. It also passes through the slit 216a (FIG. 3) of the two-sheet removal prevention plate 216. This prevents double picking.

すなわち、主に第1剥離用吸着パッド200で吸着保持したウェーハWに、次に剥離するウェーハWが貼りついてきた場合であっても、スリット216aを通過する際に、貼りついてきたウェーハWがスリット216aを通過する際に剥がされるので、常に第1剥離用吸着パッド200で吸着しているウェーハW1枚のみを取り出すことができる。 That is, even when the wafer W to be next peeled is adhered to the wafer W mainly sucked and held by the first peeling suction pad 200, the stuck wafer W is slit when passing through the slit 216a. Since it is peeled off when passing through 216a, it is possible to always take out only one wafer W that is adsorbed by the first exfoliation adsorption pad 200.

また、スリット216aを通過できずに落下したウェーハは、倒止板214によって前方に倒れるのを防止されるので、次回の剥離時に確実に回収される。このとき、ウェーハWの端面側は、非常に高い表面潤滑性を持った樹脂製(例えば、フッ素樹脂)の押し当て板214−1に当接するので、傷付きが防止される。 Further, the falling plate that cannot pass through the slit 216a is prevented from falling forward by the stop plate 214, so that the wafer is reliably collected at the next peeling. At this time, since the end surface side of the wafer W contacts the pressing plate 214-1 made of resin (for example, fluororesin) having very high surface lubricity, scratches are prevented.

上方に移動した第1及び第2剥離用吸着パッド200、201は、図8の鎖線位置を受渡位置として停止する。受渡位置には、受渡装置118の受渡用吸着パッド300が待機しており、ウェーハWの中心軸をしっかりと吸着した第1剥離用吸着パッド200に端面が吸着保持されたウェーハWは、受渡用吸着パッド300の軸心と同軸上に位置する。 The first and second peeling suction pads 200, 201 that have moved upward stop with the chain line position in FIG. 8 as the delivery position. At the delivery position, the delivery suction pad 300 of the delivery device 118 is on standby, and the wafer W whose end surface is suction-held by the first peeling suction pad 200 that firmly sucks the central axis of the wafer W is used for delivery. It is located coaxially with the axis of the suction pad 300.

受渡位置は、受渡用吸着パッド300が略水平(図8で旋回アーム294が水平となる位置)となる位置であり、かつウェーハWは鉛直状態のままであるので、重力によるウェーハたわみの影響を受け難い位置である。また、受け渡した後、吸着パッド200、201が次のウェーハWの引き剥がし動作にすぐ戻ることが可能で効率良い剥離作業が順次継続できる。 The delivery position is a position where the delivery suction pad 300 is substantially horizontal (the position where the revolving arm 294 is horizontal in FIG. 8) and the wafer W remains in the vertical state, so that the influence of wafer deflection due to gravity is exerted. It is a difficult position to receive. Further, after the transfer, the suction pads 200 and 201 can immediately return to the peeling operation of the next wafer W, and the efficient peeling work can be sequentially continued.

制御装置は、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201が所定の受渡位置で停止すると、パッド進退用シリンダ298を駆動して、受渡用吸着パッド300をウェーハWに向かって所定量前進させる。この結果、第1剥離用吸着パッド200に吸着されたウェーハWの端面に対して裏面に受渡用吸着パッド300が密着する。そして、ウェーハWは、第1剥離用吸着パッド200側の端面と共に裏面も受渡用吸着パッド300によってウェーハWが吸着保持される。 When the first and second peeling suction pads 200, 201 stop at a predetermined delivery position, the control device drives the pad advancing/retreating cylinder 298 to advance the delivery suction pad 300 toward the wafer W by a predetermined amount. .. As a result, the delivery suction pad 300 is in close contact with the back surface of the end surface of the wafer W sucked by the first peeling suction pad 200. Then, the wafer W is suction-held by the delivery suction pad 300 on the back surface as well as the end surface on the first peeling suction pad 200 side.

受渡用吸着パッド300にウェーハWが吸着保持されたことが受渡用吸着パッド300側に設けられた圧力スイッチ(図示せず)によって検知される。そしてこの検知信号によって、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201の真空吸着が解除、つまり空気が流入される。受渡用吸着パッド300は、第1剥離用吸着パッド200と同様に表面がフラットな平形真空パッドであり、ウェーハWの中心軸をしっかりと吸着する。これにより、ウェーハWは第1剥離用吸着パッド200から受渡用吸着パッド300に受け渡され、受渡用吸着パッド300でウェーハWの中心軸をしっかりと吸着する。したがって、ウェーハWの搬送に適した状態でハンドリングが可能となり、途中で落下等の恐れも無くすことができる。 The fact that the wafer W is suction-held on the delivery suction pad 300 is detected by a pressure switch (not shown) provided on the delivery suction pad 300 side. Then, according to this detection signal, the vacuum suction of the first and second peeling suction pads 200, 201 is released, that is, air is introduced. The delivery suction pad 300 is a flat vacuum pad having a flat surface like the first peeling suction pad 200, and firmly sucks the central axis of the wafer W. As a result, the wafer W is transferred from the first peeling suction pad 200 to the delivery suction pad 300, and the central axis of the wafer W is firmly sucked by the delivery suction pad 300. Therefore, it becomes possible to handle the wafer W in a state suitable for transporting the wafer W, and it is possible to eliminate the risk of dropping during the process.

次いで、制御装置は、パッド進退用シリンダ298を駆動して、受渡用吸着パッド300を第1剥離用吸着パッド200から後退させる。受渡用吸着パッド300の後退と共に、制御装置は、昇降用ロータリーアクチュエータ204を駆動してアーム190、192を下方に旋回させ、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201を下方に移動させて、元の剥離作業位置に復帰させる。 Next, the control device drives the pad advancing/retreating cylinder 298 to retract the delivery suction pad 300 from the first peeling suction pad 200. With the retraction of the delivery suction pad 300, the control device drives the elevating rotary actuator 204 to rotate the arms 190 and 192 downward to move the first and second peeling suction pads 200 and 201 downward. , Return to the original peeling work position.

一方、制御装置はパッド進退用シリンダ298の駆動後、旋回用ロータリーアクチュエータ278を駆動して、旋回アーム294を180°旋回させ、ウェーハWをシャトルコンベア312の上方位置に移送する。そして、移送後、方向転換用ロータリーアクチュエータ292を駆動する。旋回アーム294は、回転軸290を中心に90°回転する。 On the other hand, after driving the pad advancing/retreating cylinder 298, the control device drives the revolving rotary actuator 278 to revolve the revolving arm 294 by 180° and transfers the wafer W to a position above the shuttle conveyor 312. After the transfer, the direction changing rotary actuator 292 is driven. The swivel arm 294 rotates 90° about the rotation axis 290.

これにより、ウェーハWの両端面がシャトルコンベア312に対して平行な状態になる。制御装置は、パッド進退用シリンダ298を駆動して、受渡用吸着パッド300をシャトルコンベア312に向けて前進させる。この結果、ウェーハWが、シャトルコンベア312上に載置される。次いで、制御装置は、受渡用吸着パッド300の駆動を停止して、ウェーハWをシャトルコンベア312に受け渡す。 As a result, both end surfaces of the wafer W become parallel to the shuttle conveyor 312. The control device drives the pad advancing/retreating cylinder 298 to advance the delivery suction pad 300 toward the shuttle conveyor 312. As a result, the wafer W is placed on the shuttle conveyor 312. Next, the control device stops the driving of the transfer suction pad 300 and transfers the wafer W to the shuttle conveyor 312.

受渡用吸着パッド300の駆動を停止したのち、制御装置は、パッド進退用シリンダ298を駆動して受渡用吸着パッド300をシャトルコンベア312から後退させると共に、シャトルコンベア312を駆動してウェーハWを次工程に搬送する。また、制御装置は、パッド進退用シリンダ298を駆動後、方向転換用ロータリーアクチュエータ292及び旋回用ロータリーアクチュエータ278を駆動して受渡用吸着パッド300を元の受渡位置に復帰させる。 After stopping the driving of the delivery suction pad 300, the control device drives the pad advancing/retreating cylinder 298 to retract the delivery suction pad 300 from the shuttle conveyor 312, and drives the shuttle conveyor 312 to move the wafer W to the next position. Transfer to the process. After driving the pad advancing/retreating cylinder 298, the control device drives the direction changing rotary actuator 292 and the turning rotary actuator 278 to return the delivery suction pad 300 to the original delivery position.

受渡用吸着パッド300が受渡位置に復帰するまでに、吸着パッド200、201が次のウェーハWの引き剥がし動作を行っているので、2枚目のウェーハWの剥離作業が完了している。したがって、無駄な時間を少なくして効率良い剥離作業が順次継続される。 By the time the delivery suction pad 300 returns to the delivery position, the suction pads 200 and 201 are peeling off the next wafer W, so the peeling work of the second wafer W is completed. Therefore, the wasteful time is reduced and the efficient peeling work is sequentially continued.

つまり、一連の工程で1枚目のウェーハWの受け渡しが終了し、受渡用吸着パッド300の後退と共に、吸着パッド200、201を元の剥離作業位置に復帰させる。そして、制御装置は、第1送りモータ148と第2送りモータ248を同期させて駆動し、第1スライドテーブル140と第2スライドテーブル240を所定量前進させる。これにより、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201が、2枚目に剥離するウェーハWの端面に当接する。制御装置は、2枚目のウェーハWを上記同様の方法で剥離する。 That is, the delivery of the first wafer W is completed in a series of steps, the suction pads 200 for delivery are retracted, and the suction pads 200 and 201 are returned to the original peeling work positions. Then, the control device drives the first feed motor 148 and the second feed motor 248 in synchronization with each other to advance the first slide table 140 and the second slide table 240 by a predetermined amount. As a result, the first and second peeling suction pads 200, 201 come into contact with the end surface of the wafer W to be peeled off for the second sheet. The control device separates the second wafer W by the same method as described above.

以上のようにしてスライスベースSに接着されているウェーハWを順次剥離し、次工程に搬送して行き、1サイクルの剥離作業が終了する。次に、搬送部310は、ウェーハ剥離枚葉部100で剥離、枚葉したウェーハWを受け取り、次の枚葉洗浄部350に搬送する。そして、搬送部310には、シャトルコンベア312が備えられており、シャトルコンベア312によってウェーハWを枚葉洗浄部350に搬送する。 As described above, the wafer W adhered to the slice base S is sequentially peeled off and conveyed to the next step, and the one cycle peeling work is completed. Next, the transfer unit 310 receives the wafer W separated and separated by the wafer separation and separation unit 100, and conveys the wafer W to the next single-wafer cleaning unit 350. The transfer section 310 is provided with a shuttle conveyor 312, and the wafer W is transferred to the single-wafer cleaning section 350 by the shuttle conveyor 312.

枚葉洗浄部350は、ウェーハ剥離枚葉部100で剥離枚葉されたウェーハWを1枚ずつ枚葉洗浄する。この枚葉洗浄部350は、枚葉ブラシ洗浄部352と枚葉プレリンス部354と枚葉リンス部356とから構成されている。 The single-wafer cleaning unit 350 performs single-wafer cleaning of the wafers W that have been separated and separated by the wafer separation and separation unit 100. The single-wafer cleaning unit 350 includes a single-wafer brush cleaning unit 352, a single-wafer pre-rinsing unit 354, and a single-wafer rinsing unit 356.

図13は枚葉洗浄部350の構成を示す側面図であり、枚葉ブラシ洗浄部352は、チャンバー構造の洗浄槽を有しており(図示せず)、洗浄槽内には、図13に示すように、一対の回転ブラシ378、378と、洗浄液を流す一対の洗浄液ノズル380、380と、二対のウェーハ搬送用のローラコンベア382、382、382、382と、液切り用の一対のエアーナイフノズル384、384が配設されている。 FIG. 13 is a side view showing the structure of the single-wafer cleaning unit 350. The single-wafer brush cleaning unit 352 has a chamber-structured cleaning tank (not shown). As shown, a pair of rotating brushes 378, 378, a pair of cleaning liquid nozzles 380, 380 for flowing a cleaning liquid, two pairs of wafer conveying roller conveyors 382, 382, 382, 382, and a pair of liquid removing air. Knife nozzles 384, 384 are provided.

枚葉ブラシ洗浄部352では、搬送部310のシャトルコンベア312によって搬送されてきたウェーハWの裏表面に洗浄液ノズル380、380から洗浄液をかけながら回転ブラシ378、378によってブラシ洗浄する。洗浄後は、洗浄液を次工程に持ち込まないようにするために、エアーナイフノズル384、384から圧縮エアーを噴射して液切りする。そして、ブラシ洗浄が終了したウェーハWは、ローラコンベア382によって次工程の枚葉プレリンス部354に搬送する。 In the single-wafer brush cleaning unit 352, brush cleaning is performed by the rotating brushes 378 and 378 while applying the cleaning liquid from the cleaning liquid nozzles 380 and 380 to the back surface of the wafer W transferred by the shuttle conveyor 312 of the transfer unit 310. After the cleaning, in order to prevent the cleaning liquid from being brought into the next step, compressed air is jetted from the air knife nozzles 384 and 384 to drain the liquid. Then, the wafer W for which the brush cleaning has been completed is transferred to the single-wafer pre-rinse unit 354 in the next step by the roller conveyor 382.

枚葉プレリンス部354は、枚葉ブラシ洗浄部352と同様の構成を有している。枚葉プレリンス部354では、枚葉ブラシ洗浄部352のローラコンベア382によって搬送されてきたウェーハの裏表面にプレリンス液ノズルからプレリンス液をかけながら回転ブラシによってブラシ洗浄する。洗浄後は、圧縮エアーを噴射して液切りする。そして、ブラシ洗浄が終了したウェーハWは、ローラコンベアによって次工程の枚葉リンス部356に搬送される。 The single-wafer pre-rinsing unit 354 has the same configuration as the single-wafer brush cleaning unit 352. In the single-wafer pre-rinsing unit 354, brush cleaning is performed by the rotating brush while applying the pre-rinse liquid from the pre-rinse liquid nozzle to the back surface of the wafer conveyed by the roller conveyor 382 of the single-wafer brush cleaning unit 352. After cleaning, the compressed air is jetted to drain the liquid. Then, the wafer W after the brush cleaning is carried to the single-wafer rinse unit 356 in the next process by the roller conveyor.

枚葉リンス部356も枚葉ブラシ洗浄部352とほぼ同様の構成を有している。枚葉リンス部356では、枚葉リンス洗浄部のローラコンベアによって搬送されてきたウェーハの裏表面にリンス液ノズルからリンス液をかけながら回転ブラシによってブラシ洗浄する。洗浄後は、ウェーハWは、ローラコンベアによって次の検出部400に搬送される。 The single-wafer rinse unit 356 has substantially the same structure as the single-wafer brush cleaning unit 352. In the single-wafer rinsing unit 356, the back surface of the wafer conveyed by the roller conveyor of the single-wafer rinsing unit is brush-cleaned by the rotary brush while applying the rinsing liquid from the rinsing liquid nozzle. After cleaning, the wafer W is transported to the next detection unit 400 by the roller conveyor.

検出部400は、洗浄の終了したウェーハWについて1枚1枚、割れ、欠け、及び接着剤残りの有無を検出すると共に、1枚1枚厚さを測定する。検出部400は、枚葉洗浄部350で洗浄が終了したウェーハWを所定の受取位置まで搬送するための搬送ユニット402と、その受取位置に搬送されてきたウェーハWを所定の検出位置まで持ち上げて回転させる回転駆動ユニットと、回転駆動ユニットによって回転させられたウェーハWの厚さを測定する厚さ測定ユニットと、回転駆動ユニットによって回転させられたウェーハWの割れ、欠け、接着剤残りを検出する不良ウェーハ検出ユニットと、検出が終了したウェーハWを次の回収部500のウェーハ搬送ロボットに受け渡すための受渡ユニットとから構成されている。 The detection unit 400 detects the presence or absence of cracks, chips, and adhesive residue for each cleaned wafer W and measures the thickness of each wafer W. The detection unit 400 lifts the transfer unit 402 for transferring the wafer W, which has been cleaned by the single-wafer cleaning unit 350, to a predetermined receiving position and the wafer W transferred to the receiving position to a predetermined detection position. A rotary drive unit that rotates, a thickness measurement unit that measures the thickness of the wafer W that is rotated by the rotary drive unit, and a crack, a chip, or an adhesive residue on the wafer W that is rotated by the rotary drive unit. The defective wafer detection unit is composed of a defective wafer detection unit and a delivery unit for delivering the detected wafer W to the wafer transfer robot of the next recovery unit 500.

図14は、搬送ユニット402の構成を示す平面図であり、搬送ユニット402は、丸ベルトコンベア411を備えている。丸ベルトコンベア411は、枚葉洗浄部350の終端部に連設されている。この丸ベルトコンベア411の両側部には、一対のガイド部材411a、411aが配設されており、このガイド部材411a、411aによってウェーハWが直進するようにガイドされる。 FIG. 14 is a plan view showing the configuration of the transport unit 402, and the transport unit 402 includes a round belt conveyor 411. The round belt conveyor 411 is connected to the terminal end of the single-wafer cleaning unit 350. A pair of guide members 411a and 411a are provided on both sides of the round belt conveyor 411, and the wafer W is guided by the guide members 411a and 411a so as to move straight.

丸ベルトコンベア411の終端位置には、図14に示すように、5本の位置決めピン412、412、…が円弧をなすように配設されており、位置決めピン412、412、…に丸ベルトコンベア411によって搬送されてきたウェーハWが当接することにより、ウェーハWが所定の受取位置に位置決めされる。また、位置決めピン412、412…にウェーハWが当接すると、図示しないセンサが作動し、このセンサが作動することにより、丸ベルトコンベア411の駆動が停止される。そして、検出が終了したウェーハWは、回収部500のウェーハ搬送ロボット508に受け渡される。 At the end position of the round belt conveyor 411, five positioning pins 412, 412,... Are arranged so as to form an arc, as shown in FIG. 14, and the positioning pins 412, 412,. The wafer W conveyed by 411 is brought into contact with the wafer W so that the wafer W is positioned at a predetermined receiving position. Further, when the wafer W comes into contact with the positioning pins 412, 412,..., A sensor (not shown) is activated, and by driving this sensor, the driving of the round belt conveyor 411 is stopped. Then, the wafer W that has been detected is delivered to the wafer transfer robot 508 of the recovery unit 500.

図15は、回収部500の構成を示す平面図であり、ウェーハ回収部502A、502Bには、それぞれ上下二段式のカセットホルダーが備えられている(図示せず)。カセットホルダーは図示しないカセット位置決め機構によって昇降移動自在に支持されており、ウェーハWを回収するウェーハ回収カセット510A、510Bは、このカセットホルダーに二台ずつセットされる。 FIG. 15 is a plan view showing the configuration of the recovery unit 500. The wafer recovery units 502A and 502B are each provided with upper and lower two-stage cassette holders (not shown). The cassette holder is supported by a cassette positioning mechanism (not shown) so as to be movable up and down, and two wafer recovery cassettes 510A and 510B for recovering the wafer W are set in the cassette holder two by two.

不良ウェーハ回収部504及び接着剤残りウェーハ回収部506もウェーハ回収部502A、502Bと同様に、それぞれ図示しないカセットホルダーを備えており、カセットホルダーは、図示しないカセット位置決め機構によって昇降移動自在に支持されている。そして、このカセットホルダーに不良ウェーハWを回収する不良ウェーハ回収カセット512と、接着剤残りウェーハWを回収する接着剤残りウェーハ回収カセット514がセットされる。 Like the wafer recovery units 502A and 502B, the defective wafer recovery unit 504 and the adhesive remaining wafer recovery unit 506 each include a cassette holder (not shown), and the cassette holder is movably supported by a cassette positioning mechanism (not shown). ing. Then, a defective wafer recovery cassette 512 for recovering the defective wafer W and an adhesive residual wafer recovery cassette 514 for recovering the adhesive residual wafer W are set in the cassette holder.

また、ウェーハWが1枚収納されると、図示しないカセット位置決め機構が駆動されて、仕切一段分ウェーハ回収カセット510Aが上昇する。本実施の形態のウェーハ剥離洗浄装置1は、以上のように構成される。なお、このウェーハ剥離洗浄装置1を構成する各機器は、全て図示しない制御装置に駆動制御されており、この制御装置が出力する駆動信号に基づいて作動する。 Further, when one wafer W is stored, a cassette positioning mechanism (not shown) is driven to raise the wafer collecting cassette 510A for one partition. The wafer peeling/cleaning apparatus 1 of the present embodiment is configured as described above. It should be noted that each of the components of the wafer peeling/cleaning apparatus 1 is drive-controlled by a controller (not shown), and operates based on a drive signal output by the controller.

以上説明したウェーハ剥離洗浄装置1は、通常の切断方式(一回の切断に対して一本のインゴットのみを切断する方式)で切断されたスライスドウェーハの剥離、洗浄を行う場合である。ワイヤソーで切断されたバッチ状態のウェーハWは、図示しない搬送装置によって、ウェーハ剥離洗浄装置1まで搬送される。 The wafer peeling/cleaning apparatus 1 described above is a case of peeling and cleaning a sliced wafer cut by a normal cutting method (a method of cutting only one ingot for one cutting). Wafers W in a batch state cut by a wire saw are transferred to the wafer peeling/cleaning apparatus 1 by a transfer device (not shown).

そして、ウェーハ剥離洗浄装置1に備えられた図示しないリフターに搭載される。リフターに搭載されたウェーハWは、まず、リフターによって粗洗浄部10に搬送される。そして、そこでシャワー洗浄され、切断時に付着したスラリが除去される。粗洗浄部10におけるシャワー洗浄は、リフターに搭載されたまま行われ、シャワー洗浄が終了すると、ウェーハは、ウェーハ剥離枚葉部100に搬送される。 Then, the wafer peeling/cleaning apparatus 1 is mounted on a lifter (not shown). The wafer W mounted on the lifter is first transferred to the rough cleaning unit 10 by the lifter. Then, there is shower cleaning, and the slurry attached at the time of cutting is removed. The shower cleaning in the rough cleaning unit 10 is performed while being mounted on the lifter, and when the shower cleaning is completed, the wafer is transferred to the wafer-separated single-wafer unit 100.

ウェーハ剥離枚葉部100に搬送されたウェーハWは、まず、リフターに備えられた反転機構によって上下が反転させられたのち(ウェーハWがマウンティングプレートMに対して上側になるように配置させられたのち)、熱水槽112のワーク保持部122にセットされる。ワーク保持部122にセットされたウェーハWは、第1及び第2剥離用吸着パッド200、201によって1枚ずつスライスベースSから剥離され、剥離されたウェーハWは、順次、搬送部310のシャトルコンベア312に移送される。そして、このシャトルコンベア312によって枚葉洗浄部350に搬送される。 The wafer W transferred to the wafer separation sheet-by-sheet unit 100 is first inverted upside down by the inversion mechanism provided in the lifter (wafer W is placed above the mounting plate M). After that, it is set in the work holding part 122 of the hot water tank 112. The wafers W set in the work holding unit 122 are peeled from the slice base S one by one by the first and second peeling suction pads 200 and 201, and the peeled wafers W are sequentially transported by the shuttle conveyor of the transport unit 310. Transferred to 312. Then, it is conveyed to the single-wafer cleaning unit 350 by the shuttle conveyor 312.

上記の作業をスライスベースSから剥離したウェーハW1枚1枚に対して行い、全てのウェーハWがカセットに収納された時点で作業が終了する。終了後、各装置は、始動前の状態に復帰する。 The above operation is performed for each wafer W separated from the slice base S, and the operation ends when all the wafers W are stored in the cassette. After completion, each device returns to the state before starting.

ウェーハ剥離洗浄装置1は、マルチ切断方式(一回の切断に対して種類の異なるインゴットを同時に切断する方式)で切断されたスライスドウェーハの剥離、洗浄を行うことができる。マルチ切断方式によって切断されたウェーハの剥離、洗浄を行う場合について説明する。 The wafer peeling/cleaning apparatus 1 can peel and clean a sliced wafer cut by a multi-cutting method (a method of simultaneously cutting different types of ingots for one cutting). A case where a wafer cut by the multi-cutting method is peeled off and washed will be described.

マルチ切断方式によって切断されたウェーハは、ウェーハの種類ごとに回収する必要があるので、次のように処理される。なお、ウェーハ剥離枚葉部100に搬送されるまでの工程は、上述した通常の切断方式によって切断されたウェーハと同じである。 Wafers cut by the multi-cutting method need to be collected for each type of wafer, and thus are processed as follows. The steps until the wafer is transferred to the wafer separation sheet-fed portion 100 are the same as those of the wafer cut by the above-described normal cutting method.

マルチ切断されたウェーハWが、ウェーハ剥離枚葉部100のワーク保持部122にセットされると、各ウェーハWのロット間に仕切装置の仕切板(図示せず)がセットされる。そして、仕切板がセットされたところで、第1剥離用吸着パッド200による剥離作業が開始される。剥離作業は、まず、第1ロットのウェーハWから行われ、剥離されたウェーハWは、順次、搬送部310のシャトルコンベア312上に移送される。 When the multi-cut wafer W is set on the work holding unit 122 of the wafer separation sheet unit 100, a partition plate (not shown) of a partitioning device is set between lots of the wafers W. Then, when the partition plate is set, the peeling work by the first peeling suction pad 200 is started. The peeling operation is first performed from the first lot of wafers W, and the peeled wafers W are sequentially transferred onto the shuttle conveyor 312 of the transfer unit 310.

第1ロットのウェーハWの剥離が全て終了すると、第1ロットと第2ロット間に挿入された第1仕切板(図示せず)が検出される。第1仕切板が検出されると、制御装置は、以後剥離されるウェーハは、第2ロットのウェーハWと判断する。これにより、ロットごとにウェーハを分別することができ、種類の異なるウェーハを混入させることなくウェーハを回収することができる。 When the peeling of the wafers W of the first lot is completed, the first partition plate (not shown) inserted between the first lot and the second lot is detected. When the first partition plate is detected, the control device determines that the wafer to be subsequently peeled is the wafer W of the second lot. As a result, the wafers can be sorted for each lot, and the wafers can be collected without mixing different types of wafers.

また、第2ロットのウェーハWの剥離が全て終了すると、第2ロットと第3ロット間に挿入された第2仕切板(図示せず)が検出され、制御装置は、第2仕切板を検出する。以後、剥離されるウェーハは、第3ロットのウェーハWと判断する。 When the separation of the wafers W of the second lot is completed, the second partition plate (not shown) inserted between the second lot and the third lot is detected, and the control device detects the second partition plate. To do. After that, the wafer to be peeled is determined to be the wafer W of the third lot.

以上によれば、ウェーハ剥離枚葉部100において、ウェーハの端面を剥離用吸着パッドで吸着保持して1枚ずつ剥離する際に、エアノズルによりエアーをブロー供給するので、バッチ状態のウェーハの隙間をバランス良く確保し、ウェーハへのダメージをなくして、1枚だけを効率的に持ち上げることができる。そして、その後、搬送部310、枚葉洗浄部350、検出部400及び回収部500の工程を円滑に進行でき、効率の良いウェーハ剥離洗浄装置1を提供できる。 According to the above, in the wafer peeling single-wafer unit 100, when the end face of the wafer is sucked and held by the peeling suction pad and peeled one by one, the air is blown by the air nozzle, so that the gap between the wafers in the batch state A good balance can be secured, damage to the wafer can be eliminated, and only one wafer can be efficiently lifted. Then, after that, the steps of the transport unit 310, the single-wafer cleaning unit 350, the detection unit 400, and the recovery unit 500 can be smoothly progressed, and an efficient wafer peeling and cleaning apparatus 1 can be provided.

[付記A]
本発明には、以下のものも含む。
(付記A項1)
多数枚同時に切断されたバッチ状態のウェーハをウェーハ剥離枚葉部において1枚ずつスライスベースから剥離して枚葉化し、剥離した前記ウェーハを枚葉洗浄部に搬送して枚葉洗浄し、洗浄後、回収部でカセットに回収するウェーハ剥離洗浄装置において、
前記ウェーハ剥離枚葉部は、
矩形の箱型に形成され熱水が貯留される熱水槽と、
前記熱水槽内に設置され剥離対象の前記ウェーハを保持するワーク保持部と、
前記ウェーハの一方側の端面を吸着保持する剥離用吸着パッドと、
前記熱水槽の長手方向に沿って配設された第1ガイドレールと、
前記第1ガイドレールに沿って前記剥離用吸着パッドを前記熱水槽の長手方向に沿って移動させる第1送りモータと、
前記剥離用吸着パッドを鉛直上方に昇降移動する昇降用ロータリーアクチュエータと、
前記ウェーハの側面に設けられたエアノズルと、
を備え、前記熱水槽にセットされた前記ウェーハの端面を前記剥離用吸着パッドで吸着保持して前記ウェーハを1枚ずつ剥離する際に、前記エアノズルにより前記ウェーハの側面にエアーをブロー供給することを特徴とするウェーハ剥離洗浄装置。
[Appendix A]
The present invention also includes the following.
(Appendix A Item 1)
A large number of wafers in a batch state, which have been simultaneously cut, are separated from the slice base one by one in the wafer separation sheet-by-sheet separation section to be separated into single wafers, and the separated wafers are conveyed to a single-wafer cleaning section for single-wafer cleaning and after cleaning. , In the wafer peeling cleaning device that collects in the cassette in the collecting unit,
The wafer separation sheet-fed portion,
A hot water tank formed in a rectangular box shape and storing hot water,
A work holding unit installed in the hot water tank to hold the wafer to be peeled,
A peeling suction pad for sucking and holding one end surface of the wafer,
A first guide rail arranged along the longitudinal direction of the hot water tank;
A first feed motor for moving the peeling adsorption pad along the first guide rail along the longitudinal direction of the hot water tank;
A lifting rotary actuator that vertically moves the peeling suction pad vertically,
An air nozzle provided on the side surface of the wafer,
And blowing air to the side surface of the wafer by the air nozzle when peeling the wafers one by one by suction holding the end face of the wafer set in the hot water tank with the peeling suction pad. Wafer stripping and cleaning device.

(付記A項2)
前記エアノズルは、前記ウェーハの両側面に設けられることを特徴とする付記A項1に記載のウェーハ剥離洗浄装置。
(Appendix A Item 2)
The wafer peeling and cleaning apparatus according to appendix A, wherein the air nozzles are provided on both side surfaces of the wafer.

(付記A項3)
前記エアノズルは、前記ウェーハの下側に設けられることを特徴とする付記A項1又は2に記載のウェーハ剥離洗浄装置。
(Appendix A Item 3)
The wafer peeling and cleaning apparatus according to item A or 1 above, wherein the air nozzle is provided below the wafer.

(付記A項4)
前記エアノズルは、前記ウェーハの下側から上側に向かってエアーをブロー供給することを特徴とする付記A項1から3のいずれか1項に記載のウェーハ剥離洗浄装置。
(Appendix A Item 4)
4. The wafer peeling cleaning apparatus according to any one of appendices A to 1, wherein the air nozzle blows and supplies air from the lower side to the upper side of the wafer.

(付記A項5)
前記エアノズルは、前記ウェーハを1枚剥離する際に、バッチ状態の複数枚に対してエアーをブロー供給することを特徴とする付記A項1から4のいずれか1項に記載のウェーハ剥離洗浄装置。
(Appendix A Item 5)
5. The wafer peeling/cleaning apparatus according to any one of Supplementary Notes A to 4, wherein the air nozzle blows air to a plurality of wafers in a batch state when the wafer is peeled off. ..

(付記A項6)
前記エアノズルは、前記ウェーハを1枚剥離する際に、少なくとも1枚目と2枚目との間にエアーをブロー供給することを特徴とする付記A項1から5のいずれか1項に記載のウェーハ剥離洗浄装置。
(Appendix A Item 6)
6. The air nozzle blows and supplies air between at least the first and second wafers when peeling off one of the wafers, according to any one of Supplementary Notes A to 1-5. Wafer stripping and cleaning equipment.

(付記A項7)
前記エアノズルは、前記ウェーハを1枚剥離する際に、1枚目と2枚目との間及び2枚目と3枚目との間にエアーをブロー供給することを特徴とする付記A項1から6のいずれか1項に記載のウェーハ剥離洗浄装置。
(Appendix A Item 7)
Note A, wherein the air nozzle blows air between the first and second sheets and between the second and third sheets when peeling one of the wafers. 7. The wafer peeling cleaning apparatus according to any one of 1 to 6.

(付記A項8)
前記ウェーハの鉛直上方に水供給ノズルを設け、前記ウェーハを1枚ずつ剥離する際に、前記ウェーハの鉛直上方で中心付近から熱水又は水を供給することを特徴とする付記A項1から7のいずれか1項に記載のウェーハ剥離洗浄装置。
(Appendix A Item 8)
A water supply nozzle is provided above the wafer in the vertical direction, and when peeling the wafers one by one, hot water or water is supplied from near the center above the wafer in the vertical direction. The wafer peeling cleaning apparatus according to any one of 1.

(付記A項9)
前記剥離用吸着パッドを前記ウェーハの軸線に沿った方向に揺動させる揺動用ロータリーアクチュエータを設け、前記揺動用ロータリーアクチュエータを駆動して前記剥離用吸着パッドを揺動させることにより、前記ウェーハを前記スライスベースから剥離することを特徴とする付記A項1から8のいずれか1項に記載のウェーハ剥離洗浄装置。
(Appendix A Item 9)
A swing rotary actuator that swings the peeling suction pad in the direction along the axis of the wafer is provided, and the peeling suction pad is swung to swing the peeling suction pad to move the wafer. The wafer peeling/cleaning apparatus according to any one of appendices A to 1, which is peeled from the slice base.

(付記A項10)
前記揺動の中心を前記スライスベースと前記ウェーハとの接着部近傍に設定することを特徴とする付記A項9に記載のウェーハ剥離洗浄装置。
(Appendix A Item 10)
10. The wafer peeling cleaning apparatus according to appendix A, wherein the center of the swing is set in the vicinity of a bonded portion between the slice base and the wafer.

本発明に係るウェーハ剥離洗浄装置によれば、特許文献1に記載された発明の以下の課題を解決することができる。
・特許文献1に記載された発明では、軸線に沿った方向にウェーハを揺動するので、効率良くウェーハを剥離する点では望ましいが、ウェーハ剥離枚葉部でウェーハを持ち上げた際に次のウェーハが連れ立って持ち上げられる。
・持ち上げたウェーハの次の待機ウェーハとその次にある2番目の待機ウェーハが密着することもあり、これらのことにより、ウェーハに割れや欠け、チッピング、マイクロクラック等のダメージを却って与える恐れがある。
According to the wafer peeling cleaning apparatus of the present invention, the following problems of the invention described in Patent Document 1 can be solved.
In the invention described in Patent Document 1, since the wafer is rocked in the direction along the axis, it is desirable in terms of efficiently separating the wafer, but when the wafer is lifted at the wafer separation sheet-fed portion, the next wafer Can be lifted with him.
・The standby wafer next to the lifted wafer and the second standby wafer next to it may adhere to each other, which may cause damage such as cracks, chips, chipping, and microcracks on the wafer. ..

本発明に係るウェーハ剥離洗浄装置によれば、ウェーハの側面にエアノズルを設け、ウェーハの端面を剥離用吸着パッドで吸着保持して1枚ずつ剥離する際に、エアノズルによりエアーをブロー供給するので、バッチ状態のウェーハの隙間をバランス良く確保することができる。したがって、ウェーハを持ち上げた際に次のウェーハが連れ立って持ち上げられることはなく、ウェーハへのダメージをなくして、1枚だけを効率的に持ち上げることができる。 According to the wafer peeling/cleaning apparatus of the present invention, the air nozzle is provided on the side surface of the wafer, and when the edge surface of the wafer is sucked and held by the suction pad for peeling and peeled one by one, air is blown by the air nozzle. It is possible to secure a well-balanced gap between batch-shaped wafers. Therefore, when the wafer is lifted, the next wafer is not lifted up together, and it is possible to efficiently lift one wafer without damaging the wafer.

[付記B]
本発明には、更に以下のものも含む。
(付記B項1)
多数枚同時に切断されたバッチ状態のウェーハをウェーハ剥離枚葉部において1枚ずつスライスベースから剥離して枚葉化し、剥離した前記ウェーハを受渡位置で受渡装置に受け渡し、該受渡装置により枚葉洗浄部に搬送して枚葉洗浄し、洗浄後、回収部でカセットに回収するウェーハ剥離洗浄装置において、
前記ウェーハの端面を吸着保持する剥離用吸着パッドと、前記剥離用吸着パッドを鉛直上方に昇降移動する昇降用ロータリーアクチュエータと、前記昇降用ロータリーアクチュエータが設置された支持プレートに設けられた倒止板と、該倒止板の上部にスリットが形成され前記倒止板に固着された2枚取り防止板と、を有した前記ウェーハ剥離枚葉部と、
前記ウェーハ剥離枚葉部で剥離された前記ウェーハを前記剥離用吸着パッドから受け取る受渡用吸着パッドと、該受渡用吸着パッドに前記ウェーハが吸着保持されたこと検知する圧力スイッチと、を有した前記受渡装置と、
前記圧力スイッチによる検知信号によって、前記剥離用吸着パッドの真空吸着を解除すると共に、前記受渡用吸着パッドの前記剥離用吸着パッドから後退及び前記剥離用吸着パッドの下降を開始する制御装置と、
を備えたことを特徴とするウェーハ剥離洗浄装置。
[Appendix B]
The present invention also includes the following.
(Appendix B Item 1)
A large number of batch-cut wafers that have been cut at the same time are separated one by one from the slice base in the wafer separation sheet-feeding unit, and the separated wafers are delivered to a delivery device at a delivery position, and the delivery device performs single-wafer cleaning. In the wafer peeling and cleaning apparatus, in which the wafer is conveyed to the cleaning unit and washed single-wafer, and after cleaning, it is collected in the cassette in the collecting unit.
A peeling suction pad that sucks and holds the end face of the wafer, a lifting rotary actuator that vertically moves the peeling suction pad vertically, and a fall plate provided on a support plate on which the lifting rotary actuator is installed. And a wafer separation sheet-fed part having a two-piece removal prevention plate having a slit formed on the top of the stop plate and fixed to the stop plate,
A delivery suction pad that receives the wafer that has been stripped by the wafer stripping sheet from the stripping suction pad, and a pressure switch that detects that the wafer has been suction-held on the delivery suction pad, A delivery device,
With a detection signal from the pressure switch, the vacuum suction of the peeling suction pad is released, and a control device that starts retreating from the peeling suction pad of the delivery suction pad and lowering of the peeling suction pad,
A wafer peeling/cleaning apparatus comprising:

(付記B項2)
前記倒止板は、前記ウェーハの端面側に樹脂製の押し当て板を設けたことを特徴とする付記B項1に記載のウェーハ剥離洗浄装置。
(Appendix B Item 2)
The wafer peeling/cleaning apparatus according to Appendix B, wherein the fall prevention plate is provided with a resin pressing plate on the end face side of the wafer.

(付記B項3)
前記押し当て板の反対側にステンレス製のステンレスプレートを設けたことを特徴とする付記B項2に記載のウェーハ剥離洗浄装置。
(Appendix B Item 3)
The wafer stripping and cleaning apparatus as described in appendix B, wherein a stainless steel plate made of stainless is provided on the opposite side of the pressing plate.

(付記B項4)
前記剥離用吸着パッドに吸着保持された前記ウェーハは、前記押し当て板にガイドされて、前記スリットを通過して前記受渡位置で停止することを特徴とする付記B項1から3のいずれか1項に記載のウェーハ剥離洗浄装置。
(Appendix B, Item 4)
The wafer sucked and held by the peeling suction pad is guided by the pressing plate, passes through the slit, and stops at the delivery position. The wafer peeling cleaning device according to the item.

(付記B項5)
前記受渡用吸着パッド及び前記剥離用吸着パッドは平形真空パッドとされることを特徴とする付記B項1から4のいずれか1項に記載のウェーハ剥離洗浄装置。
(Appendix B, Item 5)
5. The wafer peeling cleaning apparatus according to any one of appendices B to 1 to 4, wherein the delivery suction pad and the peeling suction pad are flat vacuum pads.

(付記B項6)
前記スリットの幅は、前記ウェーハの厚さの1.1〜1.5倍の幅とされることを特徴とする付記B項1から5のいずれか1項に記載のウェーハ剥離洗浄装置。
(Appendix B, Item 6)
The width of the slit is 1.1 to 1.5 times the thickness of the wafer, and the wafer peeling cleaning apparatus according to any one of appendices B to 1-5.

(付記B項7)
前記受渡用吸着パッドを先端部に設けた旋回アームを有し、前記受渡位置は前記旋回アームが水平となる位置であることを特徴とする付記B項1から6のいずれか1項に記載のウェーハ剥離洗浄装置。
(Appendix B Item 7)
Item 7. The supplementary item B to any one of items 1 to 6, wherein the delivery suction pad has a swivel arm provided at its tip, and the delivery position is a position where the swivel arm is horizontal. Wafer stripping and cleaning equipment.

(付記B項8)
前記受渡位置において、前記ウェーハは前記受渡用吸着パッドの軸心と同軸上に位置することを特徴とする付記B項1から7のいずれか1項に記載のウェーハ剥離洗浄装置。
(Appendix B, Item 8)
8. The wafer peeling/cleaning apparatus according to any one of appendixes B to 1, wherein the wafer is positioned coaxially with the axis of the delivery suction pad at the delivery position.

本発明に係るウェーハ剥離洗浄装置では、特許文献1に記載された発明の以下の課題を解決することができる。
即ち、特許文献1に記載のものでは、ウェーハを剥離用吸着パッドで吸着して剥離用吸着パッドを上方に移動する速度を速めるとウェーハの表面を傷付ける恐れがある。また、受渡位置において、受渡用吸着パッドを剥離用吸着パッド位置から後退させてから剥離用吸着パッドを元の剥離作業位置に復帰させるので、剥離作業を開始するタイミングが遅れ、剥離作業を順次行う上で無駄な時間が生じる。さらに、ウェーハが受渡用吸着パッドに受け渡されるタイミングが明確でないため、剥離用吸着パッドを下方に移動するタイミングが早すぎると、却ってウェーハの表面を傷付けたり、割れや欠け、チッピング、マイクロクラック等のダメージを与える恐れが有る。
本発明によれば、ウェーハへのダメージを与えることなく、剥離作業から受渡装置によって枚葉洗浄部に搬送するまでの時間を短縮して全体として効率を向上したウェーハ剥離洗浄装置を得ることができる。
The wafer peeling cleaning apparatus according to the present invention can solve the following problems of the invention described in Patent Document 1.
That is, in the device described in Patent Document 1, if the wafer is sucked by the peeling suction pad and the speed of moving the peeling suction pad upward is increased, the surface of the wafer may be damaged. Further, at the delivery position, the delivery suction pad is retracted from the peeling suction pad position and then the peeling suction pad is returned to the original peeling work position. Therefore, the timing of starting the peeling work is delayed, and the peeling work is sequentially performed. There is wasted time above. Furthermore, since the timing at which the wafer is delivered to the delivery suction pad is not clear, if the timing of moving the peeling suction pad downward is too early, the surface of the wafer is rather scratched, or cracks or chips, chipping, microcracks, etc. There is a risk of causing damage.
According to the present invention, it is possible to obtain a wafer peeling/cleaning apparatus which improves the efficiency as a whole by shortening the time from the peeling operation to the time when the wafer is transferred to the single-wafer cleaning section without damaging the wafer. ..

1…ウェーハ剥離洗浄装置、10…粗洗浄部、12…粗洗浄装置、100…ウェーハ剥離枚葉部、310…搬送部、350…枚葉洗浄部、400…検出部、500…回収部
112…熱水槽、114…剥離装置、118…受渡装置、120 熱水、
122…ワーク保持部、312…シャトルコンベア、352…枚葉ブラシ洗浄部、354…枚葉プレリンス部、356…枚葉リンス部、402…搬送ユニット、508…ウェーハ搬送ロボット、
136…第1ガイドレール、138…リニアガイド、140…第1スライドテーブル、142…ナット部材、144…ネジ棒、148…第1送りモータ、
150…剥離ユニット
152…軸受ブロック、154…揺動フレーム、160…揺動用ロータリーアクチュエータ、162…駆動ギア、164…従動ギア、168…回転軸、170…軸受部材、172…支持プレート、174…回転プレート、176…コネクティングロッド、178、180、194、196、210,212…ピン、182…軸受ユニット、186、188…回転軸、190、192…アーム、198…パッド支持プレート、200…第1剥離用吸着パッド、201…第2剥離用吸着パッド、202…支持プレート、204…昇降用ロータリーアクチュエータ、206…回転プレート、208…コネクティングロッド、214…倒止板、214a…通路、214S…位置センサ、214−1…押し当て板、214−2…ステンレスプレート、80、81…エアノズル、216…2枚取り防止板、216a…スリット、
222…駆動ユニット、240…第2スライドテーブル、248…第2送りモータ、236…第2ガイドレール、274…支柱、276…支持フレーム、278…旋回用ロータリーアクチュエータ、280…駆動ギア、284…旋回軸、282…従動ギア、286…軸受ユニット、288…旋回フレーム、290…回転軸、292…方向転換用ロータリーアクチュエータ、294…旋回アーム、296…支持プレート、298…パッド進退用シリンダ、300…受渡用吸着パッド、
378…回転ブラシ、380…洗浄液ノズル、382…ローラコンベア、384…エアーナイフノズル、
402…搬送ユニット
411…丸ベルトコンベア、411a…ガイド部材、412…位置決めピン、
502,502A、502B…ウェーハ回収部、510A、510B…ウェーハ回収カセット、504…不良ウェーハ回収部、506…接着剤残りウェーハ回収部、514…接着剤残りウェーハ回収カセット、
M…マウンティングプレート、S…スライスベース、W…ウェーハ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Wafer peeling cleaning device, 10... Rough cleaning part, 12... Rough cleaning device, 100... Wafer peeling single-wafer part, 310... Conveying part, 350... Single-wafer cleaning part, 400... Detection part, 500... Collection part 112... Hot water tank, 114... Stripping device, 118... Delivery device, 120 Hot water,
122... Work holding part, 312... Shuttle conveyor, 352... Single-wafer brush cleaning part, 354... Single-wafer pre-rinsing part, 356... Single-wafer rinsing part, 402... Transfer unit, 508... Wafer transfer robot,
136... First guide rail, 138... Linear guide, 140... First slide table, 142... Nut member, 144... Screw rod, 148... First feed motor,
150... Peeling unit 152... Bearing block, 154... Oscillating frame, 160... Oscillating rotary actuator, 162... Drive gear, 164... Followed gear, 168... Rotating shaft, 170... Bearing member, 172... Support plate, 174... Rotation Plates, 176... Connecting rods, 178, 180, 194, 196, 210, 212... Pins, 182... Bearing units, 186, 188... Rotating shafts, 190, 192... Arms, 198... Pad support plates, 200... First peeling Suction pad, 201... Second peeling suction pad, 202... Support plate, 204... Lifting rotary actuator, 206... Rotating plate, 208... Connecting rod, 214... Falling plate, 214a... Passage, 214S... Position sensor, 214-1... Pressing plate, 214-2... Stainless steel plate, 80, 81... Air nozzle, 216... Two sheet picking prevention plate, 216a... Slit,
222... Drive unit, 240... Second slide table, 248... Second feed motor, 236... Second guide rail, 274... Post, 276... Support frame, 278... Rotating rotary actuator, 280... Drive gear, 284... Rotation Shaft, 282... Driven gear, 286... Bearing unit, 288... Revolving frame, 290... Rotating shaft, 292... Direction changing rotary actuator, 294... Revolving arm, 296... Support plate, 298... Pad advancing/retreating cylinder, 300... Delivery Suction pad,
378... Rotating brush, 380... Cleaning liquid nozzle, 382... Roller conveyor, 384... Air knife nozzle,
402... Transport unit 411... Round belt conveyor, 411a... Guide member, 412... Positioning pin,
502, 502A, 502B... Wafer collecting section, 510A, 510B... Wafer collecting cassette, 504... Defective wafer collecting section, 506... Adhesive remaining wafer collecting section, 514... Adhesive remaining wafer collecting cassette,
M...Mounting plate, S...Slice base, W...Wafer

Claims (10)

スライスベースに接着されているウェーハを1枚ずつ前記スライスベースから剥離させて洗浄するウェーハ剥離洗浄装置において、
中心軸が前記ウェーハの中心軸と一致するように配置された第1剥離用吸着パッドと、
該第1剥離用吸着パッドより前記スライスベース側に配置され、軸方向に伸縮する第2剥離用吸着パッドと、
を備えたことを特徴とするウェーハ剥離洗浄装置。
In a wafer peeling/cleaning apparatus for peeling and cleaning the wafers adhered to the slice base one by one from the slice base,
A first peeling suction pad arranged so that its central axis coincides with the central axis of the wafer;
A second peeling suction pad which is arranged closer to the slice base than the first peeling suction pad and expands and contracts in the axial direction;
A wafer peeling/cleaning apparatus comprising:
前記第2剥離用吸着パッドは、ベローズ型真空吸着パッドとされたことを特徴とする請求項1に記載のウェーハ剥離洗浄装置。 The wafer peeling cleaning apparatus according to claim 1, wherein the second peeling suction pad is a bellows type vacuum suction pad. 前記第1剥離用吸着パッドは、表面がフラットな平形真空パッドとされ、前記第2剥離用吸着パッドより吸着力が強いことを特徴とする請求項1又は2に記載のウェーハ剥離洗浄装置。 The wafer peeling cleaning apparatus according to claim 1 or 2, wherein the first peeling suction pad is a flat vacuum pad having a flat surface, and has a stronger suction force than the second peeling suction pad. 前記スライスベースに接着されている前記ウェーハを1枚ずつ剥離して枚葉化する際、前記ウェーハの吸着保持は、前記ウェーハの端面に前記第2剥離用吸着パッドが当接して引き寄せ、その後、前記第1剥離用吸着パッドにより前記ウェーハの中心軸を吸着することで行われることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載のウェーハ剥離洗浄装置。 When peeling the wafers, which are adhered to the slice base one by one, to make them into single wafers, suction holding of the wafers is brought into contact with the second peeling suction pads on the end faces of the wafers, and then, The wafer peeling cleaning apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the first peeling suction pad sucks the central axis of the wafer. バッチ状態の前記ウェーハから1枚ずつ剥離して枚葉化する際に前記ウェーハが前方に倒れるのを防止する倒止板を有し、
前記倒止板は、前記ウェーハが接触する面に撥水加工が施されており、
前記第2剥離用吸着パッドはバッチ状態の前記ウェーハの接着部近傍を中心として前記ウェーハを前記倒止板側へ引き寄せることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載のウェーハ剥離洗浄装置。
A separation plate for preventing the wafers from falling forward when separating the wafers one by one from the batch-stated wafers,
The inversion plate has a water-repellent finish on the surface that contacts the wafer,
The wafer peeling according to any one of claims 1 to 4, wherein the second peeling suction pad pulls the wafer toward the tilting plate side around a bonding portion of the wafer in a batch state. Cleaning device.
前記第1及び第2剥離用吸着パッドを前記ウェーハの軸線に沿った方向に揺動させる揺動用ロータリーアクチュエータを設け、前記揺動用ロータリーアクチュエータを駆動して前記第1及び第2剥離用吸着パッドを揺動させることにより、前記ウェーハを前記スライスベースから剥離することを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載のウェーハ剥離洗浄装置。 A swinging rotary actuator that swings the first and second peeling suction pads in a direction along the axis of the wafer is provided, and the swinging rotary actuator is driven to move the first and second peeling suction pads. The wafer peeling/cleaning apparatus according to claim 1, wherein the wafer is peeled from the slice base by rocking. 前記ウェーハの鉛直上方に水供給ノズルを設け、前記ウェーハを1枚ずつ剥離する際に、前記ウェーハの鉛直上方で中心付近から熱水又は水を供給することを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載のウェーハ剥離洗浄装置。 7. A water supply nozzle is provided above the wafer vertically, and when peeling the wafers one by one, hot water or water is supplied from near the center above the wafer vertically. The wafer peeling cleaning apparatus according to any one of claims 1 to 5. 前記ウェーハを前記スライスベースに接着させている接着物質を軟化させるための熱水槽と、
前記ウェーハの両側面側位置に設けられたエアノズルと、
を更に備え、
前記熱水槽にセットされた、前記スライスベースに接着された前記ウェーハの端面を前記第1及び第2剥離用吸着パッドで吸着保持して前記ウェーハを1枚ずつ剥離する際に、前記エアノズルにより前記ウェーハの側面にエアーをブロー供給することを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載のウェーハ剥離洗浄装置。
A hot water bath for softening the adhesive material that adheres the wafer to the slice base;
Air nozzles provided on both side surfaces of the wafer,
Further equipped with,
When peeling the wafers one by one by suction holding the end face of the wafer bonded to the slice base set in the hot water tank with the first and second peeling suction pads, the air nozzle is used to The wafer peeling cleaning apparatus according to claim 1, wherein air is blown to the side surface of the wafer.
前記エアノズルは、前記ウェーハの下側から上側に向かってエアーをブロー供給することを特徴とする請求項8に記載のウェーハ剥離洗浄装置。 9. The wafer peeling and cleaning apparatus according to claim 8, wherein the air nozzle blows air from the lower side to the upper side of the wafer. 前記エアノズルは、前記ウェーハを1枚剥離する際に、バッチ状態の複数枚に対してエアーをブロー供給することを特徴とする請求項8に記載のウェーハ剥離洗浄装置。 9. The wafer peeling/cleaning apparatus according to claim 8, wherein the air nozzle blows and supplies air to a plurality of wafers in a batch state when peeling one wafer.
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