JP2020119617A - 磁気記憶装置 - Google Patents
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- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 61
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
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Landscapes
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
Description
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1に示すように、実施形態に係る磁気記憶装置1は、積層体10及び制御部50を含む。例えば、積層体10は、第1磁性層11、第2磁性層12、第3磁性層13、誘電層14、非磁性層15、第1電極21、及び第2電極22を含む。磁気記憶装置1は、例えば、電圧トルク駆動型の磁気抵抗メモリ(MRAM)である。
図2において、横軸は時間Tを表し、縦軸は電圧Vを表す。例えば、第1電極21は、基準電位に接続される。図2における電圧Vは、基準電位と第2電極22に印加される電位との差を表す。
積層体10に電圧が印加されていないとき、第1磁性層11及び第2磁性層12の磁化方向は、Z軸方向に沿う。「磁化方向がZ軸方向に沿う」とは、磁化方向とZ軸方向との間の角度が、磁化方向とX軸方向との間の角度よりも小さいことを指す。
図4〜図6において、横軸は、積層体10に印加されるパルス電圧のパルス幅PWを表す。図4において、縦軸は、第1磁性層11の磁化方向のスイッチング確率SPを表す。また、図5及び図6において、実線は、高周波HFの周波数を変化させたときの、各パルス幅PWにおけるスイッチング確率SPを表す。破線は、高周波HFの位相を表す。
図7(a)及び図7(b)は、高周波の周波数fが書き込み動作時における第1磁性層11の磁気共鳴周波数f0と同じときの様子を示す。f=f0のとき、図7(a)に示すように、第1磁性層11の磁化方向11Mが−Z方向へ歳差したときに、負電圧が最大となる。その後、図7(b)に示すように、磁化方向11Mが+Z方向へ歳差したときに、負電圧が最小となる。
図9では、図5及び図6と同様に、横軸はパルス電圧のパルス幅PWを表し、実線は、高周波の位相を+270度から+330度まで変化させたときの、各パルス幅PWにおけるスイッチング確率SPを示す。破線は、高周波の位相を示す。図9は、高周波の周波数を4.0GHzに設定したときの実験結果を表している。この実験では、パルス電圧の第1電圧から第2電圧への切り替え点において、正弦波の位相を+270度から+330度まで変化させた。
図10において、横軸は、パルス幅PWを示す。縦軸は、書き込みエラーレートWERを示す。白丸は、高周波の周波数を10GHzに設定したときの結果を表す。黒丸は、高周波の周波数を4GHz、切り替え点における正弦波の位相を+290度に設定したときの結果を表す。図10の結果から、高周波の周波数を適切に設定することで、特にパルス幅PWが1ns以上3ns以下の範囲において、書き込みエラーレートWERを大きく低減できることが分かる。
制御部50は、図11(a)に示すように、第1動作OP1及び第2動作OP2を実施する。第1動作OP1において、制御部50は、高周波を重畳させていないパルス電圧PV1を積層体10に印加する。第2動作OP2において、制御部50は、高周波HFを重畳させたパルス電圧PV2を積層体10に印加する。
Claims (9)
- 第1磁性層及び誘電層を含む積層体と、
前記積層体と電気的に接続され、前記誘電層を介して前記第1磁性層に高周波を重畳させたパルス電圧を印加する制御部と、
を備え、
前記高周波の周波数は、書き込み動作時における前記第1磁性層の磁気共鳴周波数の1.94倍以上2.35倍以下であることを特徴とする、磁気記憶装置。 - 前記制御部は、第1電圧と、前記第1電圧よりも絶対値が大きい第2電圧と、を切り替えることで前記パルス電圧を発生させ、
前記高周波の振幅は、前記第1電圧と前記第2電圧との差の5%以上20%以下であることを特徴とする、請求項1記載の磁気記憶装置。 - 前記制御部は、前記第2電圧に前記高周波を重畳させ、前記第1電圧には前記高周波を重畳させないことを特徴とする、請求項2記載の磁気記憶装置。
- 前記制御部は、
パルス幅が第1幅である前記パルス電圧を、前記誘電層を介して前記第1磁性層に印加する第1動作と、
パルス幅が前記第1幅と異なる第2幅である前記パルス電圧を、前記誘電層を介して前記第1磁性層に印加する第2動作と、
を実行可能であり、
前記制御部により前記第1動作が実行されると、前記第1磁性層に第1情報が書き込まれ、
前記制御部により前記第2動作が実行されると、前記第1磁性層に前記第1情報と異なる第2情報が書き込まれることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1つに記載の磁気記憶装置。 - 前記誘電層は、Mg、Si、Al、Ti、Zr、Hf、Ta、Zn、Sr、及びBaからなる群から選択された少なくとも1つを含む、酸化物、窒化物、又はフッ化物を含み、
前記誘電層の面積抵抗は、10Ωμm2以上であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1つに記載の磁気記憶装置。 - 前記第1磁性層は、Fe、Co、Ni、Cr、Mn、Gd、Nd、Sm、及びTbからなる群から選択された少なくとも1つを含むことを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1つに記載の磁気記憶装置。
- 前記積層体は、第2磁性層をさらに含み、
前記誘電層は、前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に設けられ、
前記制御部は、前記第1磁性層及び前記第2磁性層との間に、前記高周波を重畳させた前記パルス電圧を印加することを特徴とする、請求項1〜6のいずれか1つに記載の磁気記憶装置。 - 前記第1磁性層の磁化方向は、前記第1磁性層と前記誘電層とを結ぶ第1方向に沿うことを特徴とする、請求項1〜7のいずれか1つに記載の磁気記憶装置。
- 前記第1磁性層の磁化状態は、コーン磁化状態又は擬似コーン磁化状態であることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか1つに記載の磁気記憶装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2019007726A JP7246071B2 (ja) | 2019-01-21 | 2019-01-21 | 磁気記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019007726A JP7246071B2 (ja) | 2019-01-21 | 2019-01-21 | 磁気記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020119617A true JP2020119617A (ja) | 2020-08-06 |
JP7246071B2 JP7246071B2 (ja) | 2023-03-27 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2019007726A Active JP7246071B2 (ja) | 2019-01-21 | 2019-01-21 | 磁気記憶装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP7246071B2 (ja) |
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