JP2020117785A - ポリアリーレンスルフィド樹脂成形品に対するめっき方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ポリアリーレンスルフィド樹脂成形品に対し、熱によるダメージが抑制され、かつ、高い密着性を有するめっき層を形成可能なめっき方法を提供する。【解決手段】以下のステップＡ及びＢを含む、ポリアリーレンスルフィド樹脂成形品に対するめっき方法である。ステップＡ：耐圧チャンバ１内のプラズマ処理室２でポリアリーレンスルフィド樹脂と、オレフィン系樹脂とを含む樹脂組成物からなる成形品５０ａを高密度プラズマ発生源１５から離れた位置に配置してプラズマ処理を施した後、成形品を搬送機構３０により成膜処理室３内に搬送し、スパッタ電極３３によりシード層を形成する。次に耐圧チャンバから成形品を取り出して電解めっき装置に搬送する。ステップＢ：シード層を形成した成形品の表面の少なくとも一部に、電解めっき又は無電解めっきにより金属をめっきする。【選択図】図１

Description

本発明は、ポリアリーレンスルフィド樹脂成形品に対するめっき方法に関する。

ポリフェニレンスルフィド樹脂（以下「ＰＰＳ樹脂」とも呼ぶ）に代表されるポリアリーレンスルフィド樹脂（以下「ＰＡＳ樹脂」とも呼ぶ）は、高い耐熱性、バリア性、耐化学薬品性、電気絶縁性、耐湿熱性、難燃性等を有するエンジニアリングプラスチックである。このようなＰＡＳ樹脂は、各種電気・電子部品、機械部品および自動車部品等の分野において幅広く用いられている。

一方、従来は金属のみで形成されていた部材が、軽量化やコストダウン等を目的として金属膜で樹脂を被覆したものに置き換わることがある。ＰＡＳ樹脂は上記のような優れた性能を有することから、その成形品を金属膜で被覆することにより更なる有用性が期待される。ところが、ＰＡＳ樹脂と金属とは密着性が低い材料同士であることから、ＰＡＳ樹脂成形品に金属膜を形成するのは一筋縄ではいかず、種々の手法が提案されている（特許文献１〜３参照）。

特許文献１には、ＰＰＳ樹脂を含む樹脂製の基体表面にプラズマ処理を施して表面を改質した後、直接あるいは下地層を介してスパッタリング法等により金属薄膜たる磁性層を形成してなる磁気記録媒体が記載されている。また、特許文献２には、真空中にて、ＰＰＳの支持体の表面をＲＦアルゴンプラズマでエッチングする工程；真空を破ることなく、エッチングされた支持体表面上にチタンの層を接着促進用中間層としてスパッタリングし、そしてチタン中間層上に第１の銅層をスパッタリングする工程；及び第１の銅層上に第２の銅層を所望の厚さに電気めっきする工程；を含むＰＰＳ支持体上に銅をめっきする方法が記載されている。さらに、特許文献３には、ベース樹脂（ＰＰＳ樹脂含む）にゴム状弾性体を配合した樹脂組成物によって成形されてなる樹脂成形体の表面をプラズマ処理により活性化した後、スパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティングから選ばれる物理蒸着法で金属の被覆処理をなす樹脂成形体が記載されている。

特開昭６１−１６０８３０号公報 特開平６−２１２４０５号公報 特開２００２−２８３４９８号公報

特許文献１〜３の手法はいずれも、ＰＰＳ樹脂表面と金属膜との密着性の向上を図るため、ＰＰＳ樹脂表面に対し、前処理としてプラズマ処理を施して改質している。ところが、一般的なプラズマ処理は過度に高い温度下で行われるためＰＡＳ樹脂成形品は熱によるダメージを受ける傾向にある。耐熱性が高い樹脂として知られているＰＡＳ樹脂といえどもプラズマ処理による高温には耐えられず、熱劣化することがある。
特許文献３においては、ベース樹脂と金属膜との密着性をさらに向上させるため、ベース樹脂にゴム状弾性体を配合している。しかし、特許文献３においては、ゴム状弾性体を配合したＰＡＳ樹脂成形体にプラズマ処理を施すため、高温に晒され、ベース樹脂及びゴム状弾性体が熱劣化し、樹脂界面が脆化され密着強度が低下するため、めっきをするのは困難である。

本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされたものであり、その課題は、ポリアリーレンスルフィド樹脂成形品に対し、熱によるダメージが抑制され、かつ、高い密着性を有するめっき層を形成可能なめっき方法を提供することにある。

前記課題を解決する本発明の一態様は以下の通りである。
（１）以下のステップＡ及びステップＢを含む、ポリアリーレンスルフィド樹脂成形品に対するめっき方法。
ステップＡ：ポリアリーレンスルフィド樹脂と、オレフィン系樹脂とを含む樹脂組成物からなる成形品の表面に、下記工程（a）〜（ｃ）によりプラズマ処理を施した後、下記工程（ｄ）によりシード層を形成する。
（ａ）耐圧チャンバー内に設置されている、カソード及び前記カソードに対向して配置されている対極を含む、電子密度が１×１０^１０ｃｍ^-３以上で電子温度が１０ｅＶ以下のプラズマを形成可能な高密度プラズマ発生源に対し、前記カソード及び前記対極とは反対側に離れた位置に前記成形品を配置する。
（ｂ）前記耐圧チャンバー内を減圧する。
（ｃ）前記高密度プラズマ発生源に反応ガスを供給し、電力を印加してプラズマ状態を形成しつつ、前記成形品を前記反応ガスに晒す。
（ｄ）前記反応ガスに晒した前記成形品を大気に晒すことなく、前記成形品にシード層を形成する。
ステップＢ：シード層を形成した前記成形品の表面の少なくとも一部に、電解めっき又は無電解めっきにより金属をめっきする。

（２）前記ステップＡの工程（ｃ）において、前記高密度プラズマ発生源への反応ガスの供給及びプラズマ状態の形成を、下記工程（ｅ）及び工程（ｆ）により行う、前記（１）に記載のポリアリーレンスルフィド樹脂成形品に対するめっき方法。
（ｅ）前記高密度プラズマ発生源に、第１圧力の反応ガスを供給し、第１出力の電力を印加して、第１プラズマ状態を形成する。
（ｆ）前記第１プラズマ状態が形成された前記高密度プラズマ発生源に、前記第１圧力より高い第２圧力の反応ガスを供給し、前記第１出力の電力より低い第２出力の電力を印加して、第２プラズマ状態を形成する。

（３）前記樹脂組成物における前記オレフィン系樹脂の含有量が、ポリアリーレンスルフィド樹脂１００質量部に対して０．１〜５０質量部である、前記（１）又は（２）に記載のポリアリーレンスルフィド樹脂成形品に対するめっき方法。

（４）前記樹脂組成物がさらに無機フィラーを含有する、前記（１）〜（３）のいずれかに記載のポリアリーレンスルフィド樹脂成形品に対するめっき方法。

（５）前記無機フィラーが繊維状無機フィラーである、前記（４）に記載のポリアリーレンスルフィド樹脂成形品に対するめっき方法。

（６）前記無機フィラーが、繊維状無機フィラーと、板状無機フィラー及び／又は粉粒状無機フィラーとの組合せからなる、前記（４）に記載のポリアリーレンスルフィド樹脂成形品に対するめっき方法。

本発明によれば、ポリアリーレンスルフィド樹脂成形品に対し、電子密度が１×１０^１０ｃｍ^-３以上で電子温度が１０ｅＶ以下のプラズマを適用することで熱によるダメージが抑制され、かつ、高い密着性を有するめっき層を形成可能なめっき方法を提供することができる。

図１は、本実施形態のめっき方法で用いる成膜装置の一例を示す断面図である。 図２は、プラズマ処理における反応ガスの圧力及び投入する電力の時間変化を示す図である。図２（ａ）は、反応ガスの圧力の時間変化を示す図、図２（ｂ）は、プラズマ発生装置に投入する電力の時間変化を示す図である。 図３は、成形品の表面にシード層を形成する工程を示す図である。 図４は、シード層を形成した成形品の表面にめっきする工程を示す図である。

＜ＰＡＳ樹脂成形品に対するめっき方法＞
本実施形態のＰＡＳ樹脂成形品に対するめっき方法は、以下のステップＡ及びステップＢを含むことを特徴としている。
ステップＡ：ポリアリーレンスルフィド樹脂と、オレフィン系樹脂とを含む樹脂組成物からなる成形品の表面に、下記工程（a）〜（ｃ）によりプラズマ処理を施した後、下記工程（ｄ）によりシード層を形成する。
（ａ）耐圧チャンバー内に設置されている、カソード及びカソードに対向して配置されている対極を含む、電子密度が１×１０^１０ｃｍ^-３以上で電子温度が１０ｅＶ以下のプラズマを形成可能な高密度プラズマ発生源に対し、カソード及び対極とは反対側に離れた位置に成形品を配置する。
（ｂ）耐圧チャンバー内を減圧する。
（ｃ）高密度プラズマ発生源に反応ガスを供給し、電力を印加してプラズマ状態を形成しつつ、成形品を前記反応ガスに晒す。
（ｄ）反応ガスに晒した成形品を大気に晒すことなく、成形品にシード層を形成する。
ステップＢ：シード層を形成した成形品の表面の少なくとも一部に、電解めっき又は無電解めっきにより金属をめっきする。

本実施形態においては、ＰＡＳ樹脂成形品の表面に金属をめっきするに当たり、まず、ＰＡＳ樹脂成形品の表面に対して電子密度が１×１０^１０ｃｍ^-３以上で電子温度が１０ｅＶ以下のプラズマを形成可能な高密度プラズマ発生源を用いてプラズマ処理をし、その後シード層を形成する。高密度プラズマ発生源を用いたプラズマ処理であれば、高い電子密度（例えば１０^１１ｃｍ^-３オーダー）のラジカル放電を行うことができるため、過度に高温となることを抑制でき、処理対象物の高温下による温度ダメージを低減することができる。また、過度な高温への温度上昇を抑えられることから、解離に高エネルギーが必要なＯ_２を使用したプラズマＣＶＤが可能となる。そのため、放電を安定化させてＯ_２処理効果を高め、ＰＡＳ樹脂成形品の表面上に反応性官能基を効率的に形成して、その後、例えばスパッタリングにより形成されるシード層の密着性をより一層高めることができる。
また、特に、プラズマ処理とシード層の形成とを真空雰囲気下（減圧下）で連続処理にて行うことで、プラズマ処理後にＰＡＳ樹脂成形品を大気に曝すことなくシード層の形成に供することができる。そのため、ＰＡＳ樹脂成形品のプラズマ処理面の変質等を防止して処理面を安定化させることができる。その上に電解めっき又は無電解めっきすれば十分な密着性が得られると考えられる。

一方、上記の通り、ＰＡＳ樹脂成形品の表面とシード層との密着性を高めるために施す一般的なプラズマ処理は、電子密度が低い（例えば１０^９ｃｍ^−３オーダー以下）ため、イオン放電が主となり、荷電粒子が樹脂表面に直接照射される。そのため、樹脂表面が荷電粒子によって叩かれ、高温となりＰＡＳ樹脂成形品がダメージを受ける。

本実施形態においては、電子密度が１×１０^１０ｃｍ^-３以上で電子温度が１０ｅＶ以下のプラズマを形成可能な高密度プラズマ発生源を用いたプラズマ処理、すなわち低温で実行可能なプラズマ処理を採用しつつ、その処理に適した組成を有するＰＡＳ樹脂成形品を用いている。従って、本実施形態によると、ＰＡＳ樹脂成形品の表面に、高温によるダメージを受けることなく高い密着性を有するシード層の形成が可能となる。そして、ＰＡＳ樹脂成形品の表面に高い密着性を有するシード層が形成されれば、あとは電解めっき又は無電解めっきによってシード層上に金属がめっきされ、密着性が高いめっき層が得られる。特に、シード層の材料として導体を用いれば、導電性のシード層が高い密着性を有する状態で形成される。すなわち、電解めっきに適した導電性のシード層が形成される。そして、当該シード層上に電解めっきにより金属めっきをすれば、めっき層とシード層との密着性、及びシード層とＰＡＳ樹脂成形品との密着性のいずれも高く、ＰＡＳ樹脂成形品に対して高い密着性を有するめっき層が形成される。従って、本実施形態のＰＡＳ樹脂成形品に対するめっき方法は、電解めっきには特に有用である。
以下に、本実施形態のＰＡＳ樹脂成形品に対するめっき方法の各ステップについて説明する。

本実施形態において用いるＰＡＳ樹脂成形品は、ポリアリーレンスルフィド樹脂と、オレフィン系樹脂とを含む樹脂組成物からなることを特徴としている。
以下に、ＰＡＳ樹脂成形品を構成するＰＡＳ樹脂組成物の各成分について説明する。

［ポリアリーレンスルフィド樹脂］
ＰＡＳ樹脂は、機械的性質、電気的性質、耐熱性その他物理的・化学的特性に優れ、かつ加工性が良好であるという特徴を有する。
ＰＡＳ樹脂は、主として、繰返し単位として−（Ａｒ−Ｓ）−（但しＡｒはアリーレン基）で構成された高分子化合物であり、本実施形態では一般的に知られている分子構造のＰＡＳ樹脂を使用することができる。

上記アリーレン基としては、例えば、ｐ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基、ｏ−フェニレン基、置換フェニレン基、ｐ，ｐ’−ジフェニレンスルフォン基、ｐ，ｐ’−ビフェニレン基、ｐ，ｐ’−ジフェニレンエーテル基、ｐ，ｐ’−ジフェニレンカルボニル基、ナフタレン基等が挙げられる。ＰＡＳ樹脂は、上記繰返し単位のみからなるホモポリマーでもよいし、下記の異種繰返し単位を含んだコポリマーが加工性等の点から好ましい場合もある。

ホモポリマーとしては、アリーレン基としてｐ−フェニレン基を用いた、ｐ−フェニレンスルフィド基を繰返し単位とするポリフェニレンスルフィド樹脂が好ましく用いられる。また、コポリマーとしては、前記のアリーレン基からなるアリーレンスルフィド基の中で、相異なる２種以上の組み合わせが使用できるが、中でもｐ−フェニレンスルフィド基とｍ−フェニレンスルフィド基を含む組み合わせが特に好ましく用いられる。この中で、ｐ−フェニレンスルフィド基を７０モル％以上、好ましくは８０モル％以上含むものが、耐熱性、成形性、機械的特性等の物性上の点から適当である。また、これらのＰＡＳ樹脂の中で、２官能性ハロゲン芳香族化合物を主体とするモノマーから縮重合によって得られる実質的に直鎖状構造の高分子量ポリマーが、特に好ましく使用できる。尚、本実施形態に用いるＰＡＳ樹脂は、異なる２種類以上の分子量のＰＡＳ樹脂を混合して用いてもよい。

尚、直鎖状構造のＰＡＳ樹脂以外にも、縮重合させるときに、３個以上のハロゲン置換基を有するポリハロ芳香族化合物等のモノマーを少量用いて、部分的に分岐構造又は架橋構造を形成させたポリマーや、低分子量の直鎖状構造ポリマーを酸素等の存在下、高温で加熱して酸化架橋又は熱架橋により溶融粘度を上昇させ、成形加工性を改良したポリマーも挙げられる。

本実施形態に使用する基体樹脂としてのＰＡＳ樹脂の溶融粘度（３１０℃・せん断速度１２００ｓｅｃ^−１）は、上記混合系の場合も含め６００Ｐａ・ｓ以下が好ましく、中でも７〜３００Ｐａ・ｓの範囲にあるものは、機械的物性と流動性のバランスが優れており好ましく、７〜２５０Ｐａ・ｓの範囲にあるものがより好ましい。

ＰＡＳ樹脂の製造方法は、特に限定されず、従来公知の製造方法によって製造することができる。例えば、低分子量のＰＡＳ樹脂を合成後、公知の重合助剤の存在下で、高温下で重合して高分子量化することで製造することができる。

尚、本実施形態のＰＡＳ樹脂組成物は、その効果を損なわない範囲で、樹脂成分として、上述のＰＡＳ樹脂に加えて、その他の樹脂成分を含んでもよい。その他の樹脂成分としては、特に限定はなく、例えば、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアセタール樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリサルフォン樹脂、ポリエーテルサルフォン樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、液晶樹脂、弗素樹脂、環状オレフィン系樹脂（環状オレフィンポリマー、環状オレフィンコポリマー等）、熱可塑性エラストマー、シリコーン系ポリマー、各種の生分解性樹脂等が挙げられる。また、２種類以上の樹脂成分を併用してもよい。その中でも、機械的性質、電気的性質、物理的・化学的特性、加工性等の観点から、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリアセタール樹脂、液晶樹脂等が好ましく用いられる。

［オレフィン系樹脂］
本実施形態において、オレフィン系樹脂は、シード層との密着性向上の目的で使用される。オレフィン系樹脂としては、具体的には、ポリエチレンやエチレンオクテン等のポリオレフィン、エチレン−エチルアクリレート共重合体、エチレン−グリシジルメタクリレート共重合体（ＧＭＡ）等のオレフィン系共重合体が挙げられる。オレフィン系樹脂は、１種単独で使用することもでき、２種以上を併用することもできる。
以下、ポリオレフィンとオレフィン系共重合体について説明する。尚、以下、（メタ）アクリル酸エステルを（メタ）アクリレートともいう。例えば、（メタ）アクリル酸グリシジルエステルをグリシジル（メタ）アクリレートともいう。また、本明細書において、「（メタ）アクリル酸」は、アクリル酸とメタクリル酸との両方を意味し、「（メタ）アクリレート」は、アクリレートとメタクリレートとの両方を意味する。

（ポリオレフィン）
ポリオレフィンとしては、ポリエチレン；エチレン・１−ブテン共重合体、エチレン・１−へキセン共重合体、エチレン・１−オクテン共重合体、エチレン・４−メチル−１−ペンテン共重合体等のエチレン系重合体；ポリプロピレン；プロピレン・エチレン共重合体、プロピレン・１−ブテン共重合体等のプロピレン系重合体；ポリ１−ブテン、ポリ１−ヘキセン、ポリ４−メチル−１−ペンテン等が挙げられる。

（オレフィン系共重合体）
オレフィン系共重合体としては、例えば、α−オレフィン由来の構成単位と、（メタ）アクリル酸エステル由来の構成単位とを含むもの、α−オレフィン由来の構成単位と、α，β−不飽和酸グリシジルエステル由来の構成単位とを含むもの、α−オレフィン由来の構成単位と、α，β−不飽和酸グリシジルエステル由来の構成単位と、（メタ）アクリル酸エステル由来の構成単位とを含むもの等が挙げられる。以下に、各構成単位について説明する。

<α−オレフィン由来の構成単位>
α−オレフィンとしては、特に限定されず、例えば、エチレン、プロピレン、ブチレン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−ヘプテン、１−オクテン、４−メチル−１−ペンテン、４−メチル−１−ヘキセン等が挙げられる。α−オレフィンは、１種単独で使用することもでき、２種以上を併用することもできる。

<α，β−不飽和酸のグリシジルエステル由来の構成単位>
α，β−不飽和酸のグリシジルエステルとしては、特に限定されず、例えば、以下の一般式（１）に示される構造を有するものを挙げることができる。

（但し、Ｒ^１は、水素原子又は炭素原子数１以上１０以下のアルキル基を示す。）

上記一般式（１）で示される化合物としては、例えば、アクリル酸グリシジルエステル、メタクリル酸グリシジルエステル、エタクリル酸グリシジルエステル等が挙げられる。α，β−不飽和酸のグリシジルエステルは、１種単独で使用することもでき、２種以上を併用することもできる。

<（メタ）アクリル酸エステル由来の構成単位>
（メタ）アクリル酸エステルとしては、特に限定されず、例えば、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸−ｎ−プロピル、アクリル酸イソプロピル、アクリル酸−ｎ−ブチル、アクリル酸ｔ−ブチル、アクリル酸イソブチル、アクリル酸−ｎ−ヘキシル、アクリル酸−ｎ−アミル、アクリル酸−ｎ−オクチル、アクリル酸２エチルヘキシル、アクリル酸ヒドロキシエチル等のアクリル酸エステル；メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸−ｎ−プロピル、メタクリル酸イソプロピル、メタクリル酸−ｎ−ブチル、メタクリル酸ｔ−ブチル、メタクリル酸イソブチル、メタクリル酸−ｎ−ヘキシル、メタクリル酸−ｎ−アミル、メタクリル酸−ｎ−オクチル、メタクリル酸２エチルヘキシル、メタクリル酸ヒドロキシエチル等のメタクリル酸エステル等が挙げられる。（メタ）アクリル酸エステルは、１種単独で使用することもでき、２種以上を併用することもできる。

オレフィン系共重合体は、従来公知の方法で共重合を行うことにより製造することができる。例えば、通常よく知られたラジカル重合反応により共重合を行うことによって、上記エポキシ基含有オレフィン系共重合体を得ることができる。エポキシ基含有オレフィン系共重合体の種類は、特に問われず、例えば、ランダム共重合体であっても、ブロック共重合体であってもよい。

本実施形態に用いるオレフィン系共重合体は、その効果を害さない範囲で、他の共重合成分由来の構成単位を含有することができる。

より具体的には、オレフィン系共重合体としては、例えば、エチレン−メチルアクリレート共重合体、エチレン−エチルアクリレート共重合体、エチレン−メチルメタクリレート共重合体、エチレン−エチルメタクリレート共重合体等の、エチレンと（メタ）アクリル酸エステルとの共重合体；エチレン−グリシジルアクリレート共重合体、エチレン−グリシジルメタクリレート共重合体、エチレン−グリシジルエタクリレート共重合体等の、エチレンとα，β−不飽和酸のグリシジルエステルとの共重合体；エチレン−グリシジルメタクリレート−メチルアクリレート共重合体、エチレン−グリシジルメタクリレート−エチルアクリレート共重合体、エチレン−グリシジルメタクリレート−プロピルアクリレート共重合体、エチレン−グリシジルメタクリレート−ブチルアクリレート共重合体等の、エチレンとα，β−不飽和酸のグリシジルエステルと（メタ）アクリル酸エステルとの共重合体等が挙げられる。

本実施形態において、ＰＡＳ樹脂組成物におけるオレフィン系樹脂の含有量は、成形性、耐熱性、機械的強度等の観点から、ＰＡＳ樹脂１００質量部に対して０．１〜５０質量部が好ましく、０．１〜２５質量部がより好ましい。

［無機フィラー］
本実施形態において、ＰＡＳ樹脂組成物は、無機フィラーを含むことが好ましい。中でも、無機フィラーは、機械的強度、耐ヒートショック性、耐熱性等をより向上させることができるため、繊維状無機フィラーを含んでいることが好ましい。特に、断面形状が丸型形状の繊維状無機フィラーと断面形状が扁平形状の繊維状無機フィラーとを併用すると、めっきされたポリアリーレンスルフィド樹脂成形品の耐ヒートショック性をより向上させることができる。
また、無機フィラーは、繊維状無機フィラーと板状無機フィラー及び／又は粉粒状無機フィラーとの組合せからなると、めっきされたポリアリーレンスルフィド樹脂成形品の機械強度や平面度をより向上させることができる。
本実施形態において、「繊維状」とは、異径比が１以上４以下、かつ、平均繊維長（カット長）が０．０１〜３ｍｍの形状をいい、「板状」とは、異径比が４より大きく、かつ、アスペクト比が１以上５００以下の形状をいい、「粉粒状」とは、異径比が１以上４以下、かつ、アスペクト比が１以上２以下の形状（球状を含む。）をいう。いずれの形状も初期形状（溶融混練前の形状）である。異径比とは、「長手方向に直角の断面の長径（断面の最長の直線距離）／当該断面の短径（長径と直角方向の最長の直線距離）」であり、アスペクト比とは、「長手方向の最長の直線距離／長手方向に直角の断面の短径（当該断面における最長距離の直線と直角方向の最長の直線距離）」である。異径比及びアスペクト比は、いずれも、走査型電子顕微鏡及び画像処理ソフトを用いて算出することができる。また、平均繊維長（カット長）はメーカー値（メーカーがカタログなどにおいて公表している数値）を採用することができる。

繊維状無機フィラーの例としては、ガラス繊維、カーボン繊維、酸化亜鉛繊維、酸化チタン繊維、ウォラストナイト、シリカ繊維、シリカ−アルミナ繊維、ジルコニア繊維、窒化硼素繊維、窒化ケイ素繊維、硼素繊維、チタン酸カリ繊維、等の鉱物繊維、ステンレス繊維、アルミニウム繊維、チタン繊維、銅繊維、真鍮繊維等の金属繊維状物質等が挙げられ、これらを１種単独で使用することもでき、２種以上を併用することもできる。中でも、機械的強度向上やコストバランス等の観点からガラス繊維が好ましい。

ガラス繊維の上市品の例としては、日本電気硝子（株）製、チョップドガラス繊維（ＥＣＳ０３Ｔ−７９０ＤＥ、平均繊維径：６μｍ）、オーウェンスコーニング製造（株）製、チョップドガラス繊維(ＣＳ０３ＤＥ ４１６Ａ、平均繊維径：６μｍ)、日本電気硝子（株）製、チョップドガラス繊維（ＥＣＳ０３Ｔ−７４７Ｈ、平均繊維径：１０．５μｍ）、日本電気硝子（株）製、チョップドガラス繊維（ＥＣＳ０３Ｔ−７４７、平均繊維径：１３μｍ）、日東紡績（株）製、異形断面チョップドストランド ＣＳＧ ３ＰＡ−８３０（長径２８μｍ、短径７μｍ）、日東紡績（株）製、異形断面チョップドストランド ＣＳＧ ３ＰＬ−９６２（長径２０μｍ、短径１０μｍ）等が挙げられる。

繊維状無機フィラーは、一般的に知られているエポキシ系化合物、イソシアネート系化合物、シラン系化合物、チタネート系化合物、脂肪酸等の各種表面処理剤により表面処理されていてもよい。表面処理により、変性ＰＡＳ樹脂との密着性を向上させることができる。表面処理剤は、材料調製の前に予め繊維状無機フィラーに適用して表面処理又は収束処理を施しておくか、または材料調製の際に同時に添加してもよい。
繊維状無機フィラーの繊維径は、特に限定されないが、初期形状（溶融混練前の形状）において、例えば５μｍ以上３０μｍ以下とすることができる。ここで、繊維状無機フィラーの繊維径とは、繊維状無機フィラーの繊維断面の長径をいう。
繊維状無機フィラーの断面形状は、特に限定されないが丸型形状や扁平形状等を挙げることができる。また、断面形状の異なる繊維状無機フィラーを併用してもよい。断面形状が丸型形状の繊維状無機フィラーと断面形状が扁平形状の繊維状無機フィラーとを併用すると、めっきされたポリアリーレンスルフィド樹脂成形品の耐ヒートショック性をより向上させることができる。

板状無機フィラーとしては、例えば、ガラスフレーク、タルク（板状）、マイカ、カオリン、クレイ、アルミナ（板状）、各種の金属箔等が挙げられ、これらを１種単独で使用することもでき、２種以上を併用することもできる。中でも、ガラスフレーク、タルクが好ましい。
ガラスフレークの上市品の例としては、日本板硝子（株）製、ＲＥＦＧ−１０８（平均粒子径（５０％ｄ）：６２３μｍ）、(日本板硝子（株）製、ファインフレーク（平均粒子径（５０％ｄ）：１６９μｍ）、日本板硝子（株）製、ＲＥＦＧ−３０１（平均粒子径（５０％ｄ）：１５５μｍ）、日本板硝子（株）製、ＲＥＦＧ−４０１（平均粒子径（５０％ｄ）：３１０μｍ）等が挙げられる。
タルクの上市品の例としては、松村産業(株)製 クラウンタルクＰＰ、林化成(株)製 タルカンパウダーＰＫＮＮ等が挙げられる。
板状無機フィラーは、繊維状無機フィラーと同様に表面処理されていてもよい。

粉粒状無機フィラーとしては、カーボンブラック、シリカ、石英粉末、ガラスビーズ、ガラス粉、タルク（粒状）、ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、珪藻土等のケイ酸塩、酸化鉄、酸化チタン、酸化亜鉛、アルミナ（粒状）等の金属酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム等の金属炭酸塩、硫酸カルシウム、硫酸バリウム等の金属硫酸塩、その他炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化ホウ素、各種金属粉末等が挙げられ、これらを１種単独で使用することもでき、２種以上を併用することもできる。中でも、炭酸カルシウム、ガラスビーズが好ましい。
炭酸カルシウムの上市品の例としては、東洋ファインケミカル（株）製、ホワイトンＰ−３０（平均粒子径（５０％ｄ）：５μｍ）等が挙げられる。また、ガラスビーズの上市品の例としては、ポッターズ・バロティーニ（株）製、ＥＧＢ７３１Ａ（平均粒子径（５０％ｄ）：２０μｍ）、ポッターズ・バロティーニ（株）製、ＥＭＢ−１０（平均粒子径（５０％ｄ）：５μｍ）等が挙げられる。
粉粒状無機フィラーも、繊維状無機フィラーと同様に表面処理されていてもよい。

無機フィラーが、繊維状無機フィラーと板状無機フィラー及び／又は粉粒状無機フィラーとの組合せからなると、めっきされたポリアリーレンスルフィド樹脂成形品の機械強度や平面度をより向上させることができる。
繊維状無機フィラーと板状無機フィラー及び／又は粉粒状無機フィラーとの組合せの例としては、ガラス繊維とガラスフレーク、ガラス繊維と炭酸カルシウム、ガラス繊維とガラスビーズ、ガラス繊維とガラスフレークと炭酸カルシウム、ガラス繊維と異形断面（扁平形状）のガラス繊維と炭酸カルシウム、等の組合せが挙げられる。

ＰＡＳ樹脂組成物中における無機フィラーの含有量は、ＰＡＳ樹脂１００質量部に対して５〜７０質量部が好ましく、１０〜５０質量部がより好ましい。

［他の成分］
本実施形態において、ＰＡＳ樹脂組成物には、その効果を妨げない範囲で、滑剤、核剤、難燃剤、難燃助剤、酸化防止剤、金属不活性剤、その他老化防止剤、ＵＶ吸収剤、安定剤、可塑剤、顔料、染料、着色剤、帯電防止剤、発泡剤、有機フィラー等を含有していてもよい。

本実施形態において、ＰＡＳ樹脂組成物は、ＰＡＳ樹脂と、オレフィン系樹脂と、必要に応じて無機フィラー及び他の成分とを少なくとも含有する混合成分を溶融混練することにより製造することができる。当該ＰＡＳ樹脂組成物の製造方法は特に限定されず、当該技術分野で知られている各種方法を採用することができる。例えば、上述した各成分を混合した後、押出機に投入し、溶融混練し、ペレット化する方法が挙げられる。また、一旦組成の異なるペレットを調製し、そのペレットを所定量混合して成形に供し、成形後に目的組成の成形品を得る方法、成形機に各成分の１又は２以上を直接仕込む方法等を用いてもよい。

本実施形態において、ＰＡＳ樹脂組成物を用いて成形品を成形する方法としては特に限定はなく、当該技術分野で知られている各種方法を採用することができる。例えば、本実施形態のＰＡＳ樹脂組成物を押出機に投入して溶融混練してペレット化し、このペレットを所定の金型を装備した射出成形機に投入し、射出成形することで作製することができる。

ＰＡＳ樹脂成形品の形状は特に限定されず用途に応じて適宜選択することができる。例えば、シート状、板状、筒状、被膜状等の他、所望の形状の三次元成形体に成形することができる。

［ステップＡ］
ステップＡにおいては、ＰＡＳ樹脂成形品の表面に、上述の工程（a）〜（ｃ）によりプラズマ処理を施した後、工程（ｄ）によりシード層を形成する。以下にまず、ステップＡで使用する成膜装置の一例について図面を参照して説明する。

図１は、本実施形態において用いる成膜装置１００を示す断面図である。成膜装置１００は、耐圧チャンバー１と、耐圧チャンバー１内に設けられ、カソード１２及びカソード１２に対向して配置されている対極１４を含む高密度プラズマ発生源１５と、耐圧チャンバー１内の、カソード１２及び対極１４とは反対側に離れた位置に設けられ、成形品５０ａを保持する第１保持機構２３と、耐圧チャンバー１内に設けられ、成形品５０ｂに膜材料を供給するスパッタ電極（成膜源）３３と、耐圧チャンバー１内の圧力と、高密度プラズマ発生源１５に供給する反応ガスの流量と、高密度プラズマ発生源１５に印加する電力とを制御する制御装置７とを有している。成膜装置１００は、成膜手段としてスパッタリング法を採用している。

成膜装置１００は耐圧構造の耐圧チャンバー１を備え、耐圧チャンバー１の内部には、隔壁４により隔てられたプラズマ処理室２及び成膜処理室３を備えている。隔壁４には、プラズマ処理室２及び成膜処理室３をつなぐ開口部５が設けられ、開口部５は、開閉扉６により開閉可能となっている。開口部５と開閉扉６は、プラズマ処理室２と成膜処理室３との間を開閉する開閉機構成を構成している。
成膜装置１００はさらに制御装置７を備えている。

プラズマ処理室２内には、カソード１２及び対極１４と、カソード１２及び対極１４を保持し、それらの間に密閉空間２２を形成する枠部１３とを有する高密度プラズマ発生源１５が備えられている。

プラズマ処理室２内の高密度プラズマ発生源１５の反対側には、プラズマ処理の対象となる成形品５０ａを保持するための第１保持機構２３が設けられている。
また、プラズマ処理室２には、減圧用配管２６を介して第１減圧ポンプ２５が接続されており、減圧機構としての第１減圧ポンプ２５及び減圧用配管２６により、プラズマ処理室２の内部を減圧することができる。
第１減圧ポンプ２５は、制御装置７からの制御信号Ｓ３によって制御される。

カソード１２は、金属等の導体からなる平板を有する。特に、カソード１２として高密度プラズマ用電極を使用するのが望ましい。
カソード１２は電力供給線２０を介してプラズマ用電源１９と接続されている。プラズマ用電源１９は、たとえば、ＲＦ周波数（例えば１３.５６ＭＨｚ）の交流又は直流の電圧（主に負電圧）を発生するものが採用される。一方、対極１４は接地配線２１により接地されている。

成膜装置１００は、上記密閉空間２２に接続された反応ガス供給管１６と、耐圧チャンバー１の外側に延在している反応ガス供給管１６に接続されている反応ガス供給器１７と、反応ガス供給器１７から供給される反応ガスの流量を調節して密閉空間２２内の圧力を制御する制御弁１８とをさらに備えている。制御弁１８の開度の調整は、制御装置７からの制御信号Ｓ１によって制御される。図１の例では、制御弁１８は反応ガス供給器１７に設けられている。反応ガス供給器１７には、例えば工場配管２８を介して反応ガスが供給されるが、ガスボンベから供給されるものとしてもよい。なお、反応ガスとしては、酸素、窒素、アルゴン、水素、ヘリウム等が挙げられ、酸素、アルゴンが好ましい。また、反応ガスは、１種単独で使用することもでき、２種以上を併用することもできる。

耐圧チャンバー１の内部の成膜処理室３には、成形品５０ｂを保持するための第２保持機構３５、及び電極部３１とターゲット材料３２とからなるスパッタ電極３３が備えられている。ターゲット材料３２としては、一例として銅が使用される。ターゲット材料３２としては、アルミニウムや他の金属や上記の金属を含む合金を用いることもできる。スパッタ電極３３は、スパッタ用電源３４に接続されている。

スパッタ用電源３４は、スパッタ電極３３に対し１０ｋＷ以上、さらに望ましくは３０ｋＷ以上の電力を投入することができる。スパッタ用電源３４は、制御装置７からの制御信号Ｓ５によって制御される。
スパッタ電極３３又はその電極部３１は、成形品５０ｂ上に成膜する膜の材料を供給する成膜源と解釈することもできる。

成膜処理室３には、減圧用配管３７を介して第２減圧ポンプ３６が接続されており、減圧機構としての第２減圧ポンプ３６及び減圧用配管３７により、成膜処理室３の内部を減圧することができる。第２減圧ポンプ３６は、制御装置７からの制御信号Ｓ４によって制御される。
成膜装置１００はさらに、成膜処理室３内にアルゴン等の不活性ガスを供給する不活性ガス供給管４１と、不活性ガス供給管４１に接続されている不活性ガス供給器３８と、不活性ガス供給器３８から供給される不活性ガスの流量を調節して成膜処理室３内の圧力を制御する制御弁３９とを備えている。図１の例では、制御弁３９は不活性ガス供給器３８に設けられている。制御弁３９の開度の調整は、制御装置７からの制御信号Ｓ６によって制御される。不活性ガス供給器３８には、例えば工場配管４０を介して不活性ガスが供給されるが、ガスボンベから供給されるものとしてもよい。

成膜処理を行う際には、成膜すべき成形品５０ａは不図示の搬入機構によりプラズマ処理室２内に搬入されて第１保持機構２３に保持される。不図示の搬入機構は、ロードロック室を有するものであることが好ましい。成形品５０ａの搬入時には、プラズマ処理室２と成膜処理室３の間の開閉扉６は閉じておく。
制御装置７が第１減圧ポンプ２５に制御信号Ｓ３を送ることによりプラズマ処理室２内が減圧され、制御装置７が制御弁１８に制御信号Ｓ１を送ることにより高密度プラズマ発生源１５内の密閉空間２２に所定の圧力の反応ガスが供給される。

制御装置７がプラズマ用電源１９に制御信号Ｓ２を送ることにより、カソード１２にはプラズマ用電源１９により電力供給線２０を介してＲＦ周波数（例えば１３.５６ＭＨｚ）の交流又は直流の電圧（主に負電圧）が印加される。一方、対極１４は接地配線２１により接地電位とされている。これにより、カソード１２と対極１４の間で放電を発生させ、放電により生じた電子が反応ガスを電子密度が１×１０^１０ｃｍ^-３以上で電子温度が１０ｅＶ以下のプラズマにする。
プラズマ用電源１９は、制御装置７からの制御信号Ｓ２によって制御される。

成形品５０ａを保持する第１保持機構２３も、接地配線２４により接地電位とされる。ただし、カソード１２と対極１４の間の距離に比べて、成形品５０ａ及び第１保持機構２３とカソード１２との距離ｄは長いため、成形品５０ａ及び第１保持機構２３とカソード１２との間の電場は弱い。よって、カソード１２から放電される電子のほとんどは対極１４に流れ込むため、成形品５０ａ及び第１保持機構２３に電子が衝突してこれを加熱することは、ほとんど抑えられている。

高密度プラズマ発生源１５で発生したプラズマは、高密度プラズマ発生源１５の外部に放出される。そして、プラズマは、プラズマ処理室２内を図１中で右から左に距離ｄだけドリフトして、成形品５０ａに達する。
ここで、距離ｄは、カソード１２と成形品５０ａとの距離である。
高密度プラズマ発生源１５から放出された段階ではプラズマは高温であるが、プラズマ処理室２内をドリフト中に、プラズマ処理室２内に存在する反応ガスとの衝突等により熱エネルギーを失うため、成形品５０ａに達した時点ではプラズマの温度は低下している。

また、反応ガスとの衝突等により、プラズマの一部は、プラズマ（帯電状態）から活性化状態（ラジカル状態）に変化している。よって、成形品５０ａは、反応ガスのプラズマのみではなく、活性化状態（ラジカル状態）の反応ガスにも晒されることになる。
本明細書では、プラズマ状態の反応ガスと活性化状態（ラジカル状態）の反応ガスを、高反応性化された反応ガスと呼ぶ。また、プラズマ状態の反応ガスとラジカル状態の反応ガスにより、成形品５０ａの表面を活性化することをプラズマ処理と呼ぶ。

このように、成形品５０ａに到達する際にはプラズマの温度が低下し、ラジカル状態の反応ガスも到達するという効果は、成形品５０ａが、カソード１２及び対極１４とは反対側に離れた位置に設けられていることによるものである。換言すると、カソード１２と成形品５０ａとの距離ｄが、カソード１２と対極１４との距離よりも長く設定されるように、カソード１２を挟んで成形品５０ａと対極１４とが配置されている。

ところで、高密度プラズマ発生源１５と成形品５０ａとの距離を離すことにより、成形品５０ａに到達する高反応性化された反応ガスの濃度が低下してしまう恐れがある。
しかし、本実施形態におけるプラズマ処理室では、高密度プラズマ発生源１５と成形品５０ａとの間の空間を減圧するため、高密度プラズマ発生源１５で発生したプラズマが必要以上に気体分子（反応ガスの分子）と衝突することを防ぎ、高反応性化された反応ガスの濃度の低下を防止できる。

なお、上記の通り、高密度プラズマ発生源１５は、電子密度が１×１０^１０ｃｍ^-３以上で電子温度が１０ｅＶ以下のプラズマを形成可能なプラズマ発生源である。そのような高密度プラズマ発生源の装置構成は、上記構成に限定されることはなく、例えば特許第６０６５１１１号(段落［００３１］〜［００４３］に条件が記載されている)に開示されている装置等も用いることができる。

プラズマ処理により、成形品５０ａの表面は活性化され、金属原子との結合性が向上する。
プラズマ処理が終了した成形品５０ａは、プラズマ処理室２内に設けられている搬送機構３０によりプラズマ処理室２内の第１保持機構２３から、大気に晒されることなく成膜処理室３内の第２保持機構３５に搬送される。この搬送に先立って、制御装置７が第２減圧ポンプ３６に制御信号Ｓ４を送ることにより成膜処理室３内を減圧しておく。この搬送時には開閉扉６は開かれ、この搬送の終了後には開閉扉６は閉じられる。搬送され、成膜処理室３内の第２保持機構３５に保持された成形品５０ａを、成形品５０ｂと呼ぶ
。

成形品５０ｂが成膜処理室３内の第２保持機構３５に保持されると、制御装置７がスパッタ用電源３４に制御信号Ｓ５を送ることにより、スパッタ電極３３に大電力が投入される。この電力により成膜処理室３内のスパッタ電極３３近傍の不活性ガスがイオン化され、スパッタ電極３３の電場により加速されターゲット材料３２に衝突し、ターゲット材料３２を構成する銅又は他の金属の原子が成膜処理室３内に放出され、成形品５０ｂ上に堆積する。
すなわち、上述のプラズマ処理により活性化されている成形品５０ｂの表面に対し、その活性化された部分が大気中の水蒸気や酸素等により不活性化されることがないまま金属原子が成膜される。そのため、成形品５０ｂの表面に、成形品５０ｂとの結合性の高い、すなわち密着性の高い金属膜（シード層）が形成される。

従来のスパッタ装置では、成膜する膜の純度を高めるために、スパッタ装置内の圧力を０．１Ｐａ程度に減圧して成膜を行うのが一般的である。スパッタ装置内の圧力がこれより高いと、スパッタ装置内に残留する、あるいは成形品から放出される水等の不純物の除去が困難であり、その結果、不純物が膜に混入し膜の品質が低下するためである。
しかし、特に成形品５０ｂが樹脂である場合には、成形品５０ｂから放出される不純物の量が多く、かつ、長時間にわたって不純物を放出し続けるため、従来のスパッタ装置のように、０．１Ｐａ程度に減圧して成膜を行うことは困難である。

そこで、本実施形態において、成膜装置１００では、成形品５０ｂから放出される不純物の量が多くても高性能な膜を成膜可能とするために、スパッタ用電源３４として、スパッタ電極３３に対し１０ｋＷ以上、さらに好ましくは３０ｋＷ以上の電力を投入することができるものを備えている。

スパッタ電極３３に投入される電力が大電力であると、通常の電力が投入される場合に比べて、ターゲット材料３２から放出される銅等の金属原子の量が増大するとともに、金属原子の持つ運動エネルギーも増大する。この結果、本実施形態における成膜装置１００では、成膜処理室３内の不純物の濃度が金属原子の濃度に対して相対的に低下することで、成形品５０ｂに成膜される膜の純度が向上する。さらに、成形品５０ｂに衝突する金属原子の運動エネルギーが大きいことにより、成形品５０ｂを構成する分子と金属原子とが安定的に結合するため、成形品５０ｂに対する密着性がさらに高い膜を成膜することができる。

ターゲット材料３２から放出された金属原子は成膜処理室３内を直進するが、成膜処理室３内の不活性ガスとの衝突により、その進行方向が拡散（散乱）される。ただし、従来のスパッタ装置では、金属原子の運動エネルギーが低いため、不活性ガスと衝突し散乱して運動エネルギーを失った金属原子は、成形品に十分な強度で密着することができなかった。このため、成形品に凹凸形状があると、その凹凸形状の側面部分には散乱されて運動エネルギーを失った金属原子しか照射されないため、凹凸形状を有する成形品に均一な成膜を行うことは困難であった。

しかし、本実施形態における成膜装置１００では、ターゲット材料３２から放出される際の金属原子の運動エネルギーが大きいため、不活性ガスによる散乱後も金属原子は十分な運動エネルギーを有する。従って、成形品５０ｂには、散乱により種々の進行方向を有し、かつ、運動エネルギーの大きな金属原子が照射されるため、凹凸形状を有する成形品５０ｂに対しても、均一な膜を成膜させることが可能である。

凹凸形状を有する成形品に対しても均一な膜を成膜させるためには、成膜処理室３内の圧力は、０．５Ｐａから５Ｐａ程度とすることが好ましい。圧力が０．５Ｐａ以下では、ターゲット材料３２から放出される際の金属原子を十分に散乱させることが難しく、５Ｐａ程度以上では、成膜処理室３内の不純物の濃度が高くなり膜の質が低下する恐れがある。

シード層の形成が終了した成形品５０ｂは不図示の搬出機構により成膜処理室３から搬出される。不図示の搬出機構は、ロードロック室を有するものであることが好ましい。成形品５０ｂの搬出時には、プラズマ処理室２と成膜処理室３の間の開閉扉６は閉じておく。
なお、上記の実施形態においては、耐圧チャンバー１内にプラズマ処理室２及び成膜処理室３が設けられ、プラズマ処理室２と成膜処理室３とは、開閉扉を設置した隔壁４で仕切られているものとしたが、耐圧チャンバー１内の構成は、これに限られるものではない。
例えば、隔壁４を廃止してもよい。この場合にも、高密度プラズマ発生源１５、第１保持機構２３、第２保持機構３５、スパッタ電極３３等は、耐圧チャンバー１内に配置されることに変わりはない。

あるいは、プラズマ処理室２と成膜処理室３とを別々の耐圧チャンバーで形成することもできる。ただし、この場合には、プラズマ処理室２でプラズマ処理した成形品５０ａを、大気に晒すことなく成膜処理室３に搬送するために、プラズマ処理室２と成膜処理室３の間に、減圧可能又は不活性ガスによるガス置換が可能な搬送路を設けることが望ましい。なお、この別々の耐圧チャンバーとそれをつなぐ減圧又はガス置換可能な搬送路とは、一体として１つの耐圧チャンバーと解釈することができる。

プラズマ処理室２と成膜処理室３とを、隔壁４を介して、あるいは搬送路を介して別々の処理室とする場合には、それぞれの処理室内の圧力を独立して制御することができる点で好ましい。これにより、プラズマ処理室２でのプラズマ処理と、成膜処理室３での成膜処理を、並列して行うことが可能となり、成膜装置１００の処理能力を一層向上させることができる。また、プラズマ処理室２と成膜処理室３との間の相互のコンタミネーションを最小限とすることができるので、成膜される膜の品質を一層向上することができる。
なお、成膜源としては、上述のスパッタ電極３３に限らず、蒸着やＣＶＤを行うための成膜源を用いることもできる。膜の材料も、銅等の金属に限らず非金属材料であってもよい。

以上の成膜装置は、上記のような構成により、成膜の前処理として行なうプラズマ処理において、成形品５０ａが高温化することを防止し、かつ、高反応性化された反応ガスの濃度を高く維持することができるため高い処理能力を発揮することができる。そして、プラズマ処理後の成形品５０ｂを大気に晒すことなく成膜を行うことができるので、成形品５０ｂに対して密着性の良い膜を成膜することができる。

制御装置７は、高密度プラズマ発生源１５に第１圧力Ｐ１の反応ガスを供給し第１出力Ｅ１の電力を印加して第１プラズマ状態を形成した後に、高密度プラズマ発生源１５に、第１圧力Ｐ１より高い第２圧力Ｐ２の反応ガスを供給し第１出力Ｅ１の電力より低い第２出力Ｅ２の電力を印加して第２プラズマ状態を形成するように、減圧機構（第１減圧ポンプ２５）と、ガス供給機構（制御弁１８）と、電力供給機構（プラズマ用電源１９）とを制御することが好ましい。具体的には、高密度プラズマ発生源１５内の密閉空間２２内の反応ガスの圧力Ｐ、及び高密度プラズマ発生源１５に印加する電力Ｅを、時間の経過と共にそれぞれ図２（ａ）、図２（ｂ）に示すように制御することが好ましい。そのように制御することで、成膜装置１００の処理能力をさらに高めることができる。

制御装置７は、始め（時刻ｔ０）に制御弁１８、プラズマ用電源１９及び第１減圧ポンプ２５を制御して、高密度プラズマ発生源１５内に第１圧力Ｐ１の反応ガスを供給し、カソード１２に第１出力Ｅ１の電力を印加して、第１プラズマ状態を形成する。

この第１圧力Ｐ１及び第１出力Ｅ１は、使用するカソード１２の形状等に応じて、効率良くプラズマを形成できる条件に設定することが望ましい。これは、言い換えると、使用するカソード１２の形状等を、この第１圧力Ｐ１及び第１出力Ｅ１に応じて効率良くプラズマを形成できる条件に設定しておくことが好ましいとも言える。

次に、時刻ｔ１から時刻ｔ２において、制御装置７は、制御弁１８、プラズマ用電源１９及び第１減圧ポンプ２５を制御して、高密度プラズマ発生源１５内に第１圧力Ｐ１より高い第２圧力Ｐ２の反応ガスを供給し、第１出力Ｅ１の電力より低い第２出力Ｅ２の電力を印加して、第２プラズマ状態を形成する。

プラズマ処理の開始時には、高密度プラズマ発生源１５内の反応ガスの圧力が高いと、カソード１２と対極１４との間での放電が発生しにくいため、プラズマを生成することができない。そこで、プラズマ処理の開始時には、高密度プラズマ発生源１５内の反応ガスの圧力を比較的低圧の第１圧力Ｐ１とすることで放電を発生させ、プラズマを生成する。プラズマが発生した後は、電荷を有するプラズマや電子により放電が継続し易くなるため、制御装置７は、高密度プラズマ発生源１５内の反応ガスの圧力を第１圧力Ｐ１より高い第２圧力Ｐ２とする。これにより、高密度プラズマ発生源１５から高濃度のプラズマを発生させることができる。

以上の構成により、成形品５０ａを、より多量の高反応性化された反応ガスに晒すことができ、処理能力をさらに向上することができる。

なお、上記の第１圧力Ｐ１は、例えば、０．５Ｐａ以上、３Ｐａ以下の圧力であることが好ましい。０．５Ｐａより低圧であると、初期のプラズマの濃度が薄くなり、安定した放電を維持することが難しくなる。一方、３Ｐａより高圧であると、放電を行うことが難しくなる。

また、上記の第２圧力Ｐ２は、例えば、１０Ｐａ以上、５０Ｐａ以下の圧力であることが好ましい。１０Ｐａより低圧であると、プラズマの濃度が薄くなり高い処理能力を発揮することが難しくなる。一方、５０Ｐａより高圧であると、放電を維持することが難しくなる。

なお、第１プラズマ状態の形成時にカソード１２に印加する電力である第１出力Ｅ１は、カソード１２の単位面積当たり、２Ｗ／ｃｍ^２以上、５Ｗ／ｃｍ^２以下であることが好ましい。
第１出力Ｅ１が２Ｗ／ｃｍ^２より小さいと、高密度プラズマ発生源１５内で放電を発生させプラズマを形成することが困難になる。一方、第１出力Ｅ１が５Ｗ／ｃｍ^２より大きいと、高密度プラズマ発生源１５内で異常放電が発生する恐れがある。

また、第２プラズマ状態の形成時にカソード１２に印加する電力である第２出力Ｅ２は、カソード１２の単位面積当たり、０．５Ｗ／ｃｍ^２以上、２Ｗ／ｃｍ^２以下であることが好ましい。
第２出力Ｅ２が０．５Ｗ／ｃｍ^２より小さいと、高密度プラズマ発生源１５内での放電及びプラズマ形成を維持することが困難になる。一方、第１出力Ｅ１が２Ｗ／ｃｍ^２より大きいと、高密度プラズマ発生源１５内で異常放電が発生する恐れがある。

なお、上記の成膜装置において、カソード１２から成形品５０ａまでの距離ｄは、１００ｍｍ以上、２５０ｍｍ以下であることが好ましい。この距離ｄが、１００ｍｍより短いと成形品５０ａが高温化してしまう恐れがあり、２５０ｍｍより長いとプラズマの濃度が薄くなり高い処理能力を発揮することが難しくなる。

また、プラズマ用電源１９は、カソード１２に印加する電力を、少なくとも２段階に切り替え可能な可変出力電源であってもよい。
また、プラズマ処理室２内で成形品５０ａを保持する第１保持機構２３、及び成膜処理室３内で成形品５０ｂを保持する第２保持機構３５の少なくとも一方は、成形品５０ａ，５０ｂへの処理が均一になるように、処理中に成形品５０ａ、５０ｂを回転させる回転機構を有していてもよい。

また、第１保持機構２３は、プラズマ処理室２内の、高密度プラズマ発生源１５と反対側の側面２９に設けてもよい。
なお、耐圧チャンバー１内を減圧する機構は、上述の第１減圧ポンプ２５、第２減圧ポンプ３６に限らず、例えば、減圧用配管２６、３７に、調圧弁を介して真空等の低圧が供給される工場用力配管を接続したものであってもよい。この場合には、制御装置７は、調圧弁に対して開閉指令を行うことにより、プラズマ処理室２及び成膜処理室３内の圧力を制御する。

次いで、以上の成膜装置を使用して実行されるステップＡについて、図１及び図２を参照して説明する。
上記の通り、本実施形態におけるステップＡは、（ａ）耐圧チャンバー１内に設置されている、電子密度が１×１０^１０ｃｍ^-３以上で電子温度が１０ｅＶ以下のプラズマを形成可能な高密度プラズマ発生源１５に対しカソード１２及び対極１４とは反対側に離れた位置に成形品５０ａを配置する工程、（ｂ）耐圧チャンバー１内を減圧する工程、（ｃ）高密度プラズマ発生源に反応ガスを供給し、電力を印加してプラズマ状態を形成しつつ、成形品５０ａを反応ガスに晒す工程、及び（ｄ）反応ガスに晒した成形品５０ａ、すなわち５０ｂを大気に晒すことなく、成形品５０ｂにシード層を形成する工程、を含んでいる。
また、本実施形態におけるステップＡの工程（ｃ）において、成形品に晒す反応ガスをさらに高反応性化するため、高密度プラズマ発生源１５への反応ガスの供給及びプラズマ状態の形成を、下記工程（ｅ）及び工程（ｆ）により行うことが好ましい。すなわち、工程（ｅ）高密度プラズマ発生源１５に第１圧力Ｐ１の反応ガスを供給し第１出力Ｅ１の電力を印加して第１プラズマ状態を形成する工程、工程（ｆ）第１プラズマ状態が形成された高密度プラズマ発生源１５に、第１圧力Ｐ１より高い第２圧力Ｐ２の反応ガスを供給し第１出力Ｅ１より低い第２出力Ｅ２の電力を印加して第２プラズマ状態を形成する工程、である。

（成形品の搬入）
耐圧チャンバー１内のプラズマ処理室２に設置されている上述の高密度プラズマ発生源１５に対し、カソード１２及び対極１４とは反対側に離れた位置に、成形品５０ａを配置する。このとき、カソード１２から成形品５０ａまでの距離を、距離ｄとする。
プラズマ処理室２内に成形品５０ａを搬入する際には、プラズマ処理室２と成膜処理室３の間の開閉扉６は閉じておく。

（プラズマ処理室内の減圧）
プラズマ処理室２内を、減圧機構としての第１減圧ポンプ２５及び減圧用配管２６により、減圧する。このとき、第１減圧ポンプ２５は制御装置７からの制御信号Ｓ３により制御される。
なお、プラズマ処理室２に、上述のように不図示のロードロック室及び搬入機構が設けられている場合には、このプラズマ処理室２内の減圧は、上述の成形品の配置よりも、前に行われることになる。

（反応ガスの供給〜プラズマ処理）
反応ガス供給器１７から反応ガス供給管１６を介して高密度プラズマ発生源１５内に反応ガスを供給する。その後、上述のように、高密度プラズマ発生源１５に電力を印加してカソード１２と対極１４の間で放電を発生させ、放電により生じた電子が反応ガスをプラズマ化してプラズマ処理をする。上記の通り、反応ガスをさらに高反応性化するため、高密度プラズマ発生源１５への反応ガスの供給及びプラズマ状態の形成を、上記工程（ｅ）及び工程（ｆ）により行うことが好ましい。すなわち、以下に示す第１プラズマ状態及び第２のプラズマ状態を形成することが好ましい。

<第１プラズマ状態の形成>
反応ガス供給器１７から反応ガス供給管１６を介して高密度プラズマ発生源１５内に反応ガスを供給後、プラズマ用電源１９からカソード１２に電力を印加することで、電子密度が１×１０^１０ｃｍ^-３以上で電子温度が１０ｅＶ以下のプラズマを形成可能である。
図２（ａ）は、プラズマ発生源１５内の反応ガスの圧力Ｐの時間変化を示す図であり、図２（ｂ）は、カソード１２に印加する電力Ｅの時間変化を示す図である。

第１プラズマ状態の形成開始時（時刻ｔ０）に、制御装置７は、制御信号Ｓ１により反応ガス供給器１７内に設けられた制御弁１８の開度を調整し、高密度プラズマ発生源１５内の反応ガスの圧力を第１圧力Ｐ１になるように設定する。制御装置７は、制御信号Ｓ２によりプラズマ用電源１９を調整し、カソード１２に第１出力Ｅ１の電力を印加する。これにより、カソード１２と対極１４の間に放電が発生し、高密度プラズマ発生源１５に第１プラズマ状態が形成される。

この第１圧力Ｐ１及び第１出力Ｅ１は、使用するカソード１２の形状等に応じて、効率良くプラズマを形成できる条件に設定することが望ましい。これは、言い換えると、使用するカソード１２の形状等を、この第１圧力Ｐ１及び第１出力Ｅ１に応じて効率良くプラズマを形成できる条件に設定しておくことが好ましいとも言える。

<第２プラズマ状態の形成>
上述のように第１プラズマ状態が形成された後、時刻ｔ１において制御装置７は制御弁１８に、開度を開き（大きくし）高密度プラズマ発生源１５内の反応ガスの圧力Ｐを上述の第１圧力Ｐ１より高い第２圧力Ｐ２に設定する制御信号Ｓ１を送る。同時に、制御装置７は、プラズマ用電源１９にカソード１２に印加する電力Ｅを、上述の第１出力Ｅ１より低い第２出力Ｅ２に低下させる制御信号Ｓ２を送る。

これにより、時刻ｔ２において、高密度プラズマ発生源１５内の反応ガスの圧力Ｐは第２圧力Ｐ２となり、カソード１２に印加する電力は第２出力Ｅ２に設定される。
なお、高密度プラズマ発生源１５内にプラズマが形成されていない状態では、この第２圧力Ｐ２及び第２出力Ｅ２の条件では、第２圧力Ｐ２が高過ぎるために放電が発生せず、高密度プラズマ発生源１５内に新たにプラズマが形成されることはない。しかし、既に第１プラズマ状態が形成されており、高密度プラズマ発生源１５内にプラズマ及び電子が存在するため、高い第２圧力Ｐ２の下でも放電を持続でき、高密度の第２プラズマ状態を形成することができる。

上記の第１プラズマ状態及び第２プラズマ状態で生成されたプラズマ状態の反応ガス及び活性化状態（ラジカル状態）の反応ガスからなる高反応性化された反応ガスに成形品５０ａを晒すことにより、成形品５０ａのプラズマ処理を行う。
そして、時刻ｔ３において制御装置７は、高密度プラズマ発生源１５内への反応ガスの供給を停止又は供給量の削減を行うとともに、カソード１２への電力の印加を中止し、プラズマ処理を終了する。

（成形品の搬送）
プラズマ処理された成形品５０ａは、搬送機構３０により、プラズマ処理室２から成膜処理室３に搬送される。搬送に先立って、プラズマ処理室２と成膜処理室３の間の開閉扉６が開けられ、搬送後には開閉扉６は閉められる。
成形品５０ａは、成膜処理室３内の第２保持機構３５に保持される。搬送され、成膜処理室３内の第２保持機構３５に保持された成形品５０ａを、成形品５０ｂと呼ぶ。

（シード層の形成）
不活性ガス供給器３８から不活性ガス供給管４１を介して成膜処理室３内に不活性ガスを供給するとともに、スパッタ用電源３４からスパッタ電極３３に電力を供給することで、成形品５０ｂに対してスパッタリングしてシード層を形成する。
スパッタリングに際して、スパッタ用電源３４からスパッタ電極３３に１０ｋＷ以上、より好ましくは３０ｋＷ以上の電力が供給される。また、第２減圧ポンプ３６の排気出力又は制御弁３９の開度を調整して、成膜処理室３内の圧力を０．５Ｐａから５Ｐａの範囲に設定することが好ましい。
成膜（シード層の形成）が終了した成形品５０ｂは、成膜処理室３から搬出される。この搬出を、不図示の搬出機構により行うこともできる。また、不図示の搬出機構はロードロック室を有していてもよい。

なお、上記の実施形態においては、共に耐圧チャンバー１内にあって隔壁４で仕切られているプラズマ処理室２及び成膜処理室３において、それぞれプラズマ処理とシード層の形成（スパッタリング）を行うとしたが、各処理を行う場所はこれに限られるものではない。
例えば、隔壁４のない耐圧チャンバー１内でプラズマ処理とシード層の形成を行ってもよい。
あるいは、プラズマ処理とシード層の形成とを別々の耐圧チャンバー内で行うこともできる。この場合には、プラズマ処理室２でプラズマ処理した成形品５０ａを、大気に晒すことなく成膜処理室３に搬送するために、プラズマ処理室２と成膜処理室３の間に、減圧可能又は不活性ガスにガス置換可能な搬送路を設けることが好ましい。
上記の実施形態においては、成膜はスパッタリングにより行うものとしたが、これに限らず、蒸着やＣＶＤ等を用いて成膜を行うこともできる。

本実施形態においては、以上のような構成としたので、成形品５０ａが高温化することを防止し、かつ、高反応性化された反応ガスの濃度を高く維持することができるため高い処理能力を発揮することができる。そして、プラズマ処理後の成形品５０ａ、すなわち５０ｂを大気に晒すことなく成膜を行うことができるので、成形品５０ｂに対して密着性の良いシード層を形成することができる。
以上の処理手順は、予め制御装置７に格納したプログラムを実行して行うことができる。あるいは、制御装置７にシーケンス回路を実装して行うこともできる。
なお、第１圧力Ｐ１、第２圧力Ｐ２、第１圧力Ｐ１の継続時間、第１出力Ｅ１、第２出力Ｅ２等を、成形品に応じて設定変更するように構成することが好ましい。

本実施形態において、上述のプラズマ処理で使用する反応ガスは、一例として酸素とすることができる。
上述した通り、本実施形態におけるプラズマ処理方法は、プラズマ状態の反応ガスのみでなく、活性化状態（ラジカル状態）の反応ガスをも使用して、成形品５０ａのプラズマ処理を行うことができる特徴を有する。従って、本実施形態におけるプラズマ処理方法での反応ガスとして、ラジカル状態において強力な反応性を有する酸素を使用することで、プラズマ処理の効率を一層向上させることができる。
なお、反応ガスは、窒素とすることもできる。

本実施形態において、成形品の材料たるＰＡＳ樹脂は耐熱性が高い樹脂として知られているが、上述の通り、ＰＡＳ樹脂といえども従来のプラズマ処理における高温には耐えることができない。しかし、本実施形態においては、上述の通り、成形品５０ａの高温化を防止できるので、ＰＡＳ樹脂が受けるダメージを抑えることができる。

なお、上述の成膜方法の実施形態において、第２プラズマ状態の継続時間（時刻ｔ２から時刻ｔ３までの時間）は、第１プラズマ状態の継続時間（時刻ｔ０から時刻ｔ１までの時間）の、１０倍以上であることが好ましい。
第２プラズマ状態は、第１プラズマ状態よりも、高い濃度の高反応性化された反応ガスを生成することができるので、第２プラズマ状態を長くすることで、より効率の良い、すなわち生産性の高い成膜方法を実現できる。

上述の成膜方法の実施形態の中のスパッタリング（成膜）処理においては、スパッタ電極３３に対して、スパッタ用電源３４から１０ｋＷ以上、さらに好ましくは３０ｋＷ以上の電力を投入することにより、通常程度の電力（数ｋＷ）を投入する場合に比べ、ターゲット材料３２から放出される銅等の金属原子の量が増大するとともに、金属原子の持つ運動エネルギーを増大させることができる。その結果、上述の通り、純度が高く、かつ、成形品５０ｂとの密着性の高いシード層を形成することができる。

さらに、成膜（スパッタリング）処理時の成膜処理室３内の圧力を、０．５〜５Ｐａ程度とすることができる。
従来のスパッタリング処理においては、このような低真空下で成膜を行うと、膜内に不純物が混入して膜の品質が低下する恐れがあった。また、成形品５０ｂが樹脂の場合、成形品５０ｂからのアウトガスにより、成膜時の圧力を０．５Ｐａ程度以下に減圧することは難しかった。

しかし、スパッタ電極３３に１０ｋＷ以上の大電力を投入することにより上述の通り膜内への不純物の混入が防止されるので、０．５〜５Ｐａ程度の圧力下でも、純度が高く、かつ、成形品５０ｂとの密着性の高いシード層を形成することができる。
さらに、成膜（スパッタリング）処理時の成膜処理室３内の圧力を、０．５〜５Ｐａ程度とすることにより、上述の通り凹凸形状を有する成形品５０ｂに対しても均一な膜厚のシード層を形成することができる。

また、成形品５０ａを保持する第１保持機構２３、及び成形品５０ｂを保持する第２保持機構３５に成形品５０ａ、５０ｂを回転させる回転機能を持たせ、成形品５０ａ，５０ｂの処理が均一になるように、処理中に成形品５０ａ，５０ｂを回転させてもよい。

次いで、図３を参照して、成形品に対するプラズマ処理からシード層の形成までについて説明する。

図３（ａ）は、成形品５０のおもて面５０ｃに対して、上述のプラズマ処理を行っている状態を表す。酸素ラジカルＯ＊によるプラズマ処理は、図１に示した成膜装置１００のプラズマ処理室２内で行う。成形品５０は一例としてＰＡＳ樹脂からなる基板であり、おもて面５０ｃと裏面５０ｄをつなぐ貫通孔５０ｈが複数形成されている。
次に、成形品５０を反転させ、図３（ｂ）に示す通り、裏面５０ｄをプラズマ処理する。酸素ラジカルＯ＊は、成形品５０のおもて面５０ｃ及び裏面５０ｄのみでなく、貫通孔５０ｈの内側面にも照射され、これらの部分を活性化する。

その後、成形品５０を、図１に示した成膜装置１００のプラズマ処理室２から成膜処理室３に移動させ、図３（ｃ）に示す通り、おもて面５０ｃに対して、スパッタリングにより銅（Ｃｕ）等の金属を成膜し、シード層を形成する。上述の実施形態のスパッタリングにおいては、成形品５０には、散乱により種々の進行方向を有し、かつ、運動エネルギーの大きな銅原子が照射されるため、貫通孔５０ｈの内側面にも、高い密着性をもって金属を成膜させることができる。

次に、成形品５０を反転させ、図３（ｄ）に示す通り、裏面５０ｄ及び貫通孔５０ｈの内側面に、金属を成膜する。
プラズマ処理及び成膜処理における、おもて面５０ｃと裏面５０ｄの処理順は、それぞれ上述の順とは逆であってもよい。

以上の工程により、図３（ｅ）に示す通り、成形品５０のおもて面５０ｃ、裏面５０ｄ、及び貫通孔５０ｈの内側面には、シード層（シード層５１ｃ、５１ｄ）が成形品５０と高い密着性をもって形成される。図３（ｅ）に示す成形品５０及びシード層５１ｃ、５１ｄの状態を、シード層付成形品６０と呼ぶ。

シード層５１ｃ、５１ｄの金属膜の厚さは、１００〜５００ｎｍ程度であることが好ましい。１００ｎｍより薄い場合には電気抵抗が大きくシード層としての機能が十分に得られない恐れがあり、５００ｎｍより厚い場合には成膜に時間を要し、製造コストが上昇する問題がある。
また、貫通孔５０ｈの直径は、おもて面５０ｃ及び裏面５０ｄにおいて２０〜５０μｍとし、おもて面５０ｃと裏面５０ｄとの中間部分においては、１５〜２０μｍとする。すなわち、おもて面５０ｃ及び裏面５０ｄ付近では内径が大きく、内部では内径を相対的に小さくすることが好ましい。

以上の実施形態では、成形品５０のおもて面５０ｃ、裏面５０ｄ、及び貫通孔５０ｈの内側面の全ての部分にシード層（シード層５１ｃ、５１ｄ）を形成するとしているが、これに限られるものではない。例えば、成膜処理に先立って、成形品５０の表面（おもて面５０ｃ、裏面５０ｄ）の一部をマスキングすることで、マスキングした部分にはシード層５１ｃ、５１ｄを形成せず、それ以外の面にシード層５１ｃ、５１ｄを形成するようにしてもよい。
また、形成するシード層５１ｃ、５１ｄの材料としては、銅に限らず、銅を含む合金や、アルミニウム、クロム、ニッケル等の他の金属及びそれらを含む合金であってもよい。

以上の構成により、成形品５０の表面上に、密着性の高いシード層を形成することができる。

［ステップＢ］
ステップＢにおいては、シード層を形成した成形品の表面の少なくとも一部に、電解めっき又は無電解めっきにより金属をめっきする。以下、図４を参照して電解めっきの工程について説明する。

本実施形態において、電解めっきの工程は、上述のように形成されたシード層付成形品６０に対して、そのシード層５１ｃ、５１ｄの表面の少なくとも一部に、電解めっきにより金属をめっきするものである。

図４（ａ）は、この電解めっきの工程を表す図であり、シード層付成形品６０は電解めっき装置４５の電解液４６中に浸され、シード層５１ｃ、５１ｄの表面には、電源４７に接続されている導線４９ａが接続されている。電解液４６中には、対向電極４８が設置されており、対向電極４８には、電源４７に接続されている導線４９ｂが接続されている。

電解液４６は一例として銅イオンを含み、導線４９ａに導線４９ｂよりも所定の電位差だけ低い電位を印加することにより、シード層付成形品６０のシード層５１ｃ、５１ｄの表面に銅が析出して、電解めっきが行われる。対向電極４８としては、一例として銅板を使用する。電解液４６は貫通孔５０ｈの内部にも浸透し、また貫通孔５０ｈの内側面にもシード層が形成されているので、貫通孔５０ｈの内部にも銅がめっきされる。
なお、めっき工程に際しても、事前にシード層５１ｃ、５１ｄの表面の一部をマスキングすることにより、シード層５１ｃ、５１ｄの表面に部分的にめっきを施すこともできる。

図４（ｂ）に、めっき工程が終了した完成品７０を示す。
成形品５０のおもて面５０ｃ、裏面５０ｄの少なくとも一部には、銅めっき層（めっき層）５２ｃ、５２ｄが形成され、複数の貫通孔５０ｈの少なくとも一部にもめっきにより銅５２ｅが充填されている。なお、図４（ｂ）では、シード層５１ｃ、５１ｄは図示を省略している。

以上の構成により、成形品５０の表面上に、密着性の高いめっき層を形成することができる。

なお、以上はめっきする金属を銅としたが、銅の他に、ニッケル、チタン、チタン銅系合金とすることもできる。
また、以上は電解めっきにより金属をめっきする工程について説明したが、無電解めっきにより金属をめっきしてもよい。無電解めっきを採用すれば、シード層の材料は導体でなくてもよい。
めっき方法は、電解めっき及び無電解めっきのどちらでもよいが、環境負荷が低いことや工程数が少ないこと等の観点から、特に電解めっきが好ましい。

上記では、本実施形態において、種々の内容を説明したが、以上の内容に限定されるものではない。また、各実施形態は、それぞれ単独で適用してもよいし、組み合わせて用いてもよい。

＜ポリアリーレンスルフィド樹脂成形品＞
本実施形態のＰＡＳ樹脂成形品は、上述の本実施形態のＰＡＳ樹脂成形品に対するめっき方法により、表面に金属がめっきされてなる。
本実施形態のＰＡＳ樹脂成形品は、本実施形態のＰＡＳ樹脂成形品に対するめっき方法によりめっきされているため、当該成形品はめっき層の密着層が高いし、熱によるダメージを受けていない。そのため、ＰＡＳ樹脂成形品の本来の性質が保たれており、かつ、めっき層が剥離し難い。

本実施形態のＰＡＳ樹脂成形品の用途としては、特に制限はなく、金属装飾を目的としたり、金属部材の代替品として使用したり、電磁波シールド材として使用したりすることができる。

以下に、実施例により本実施形態をさらに具体的に説明するが、本実施形態は以下の実施例に限定されるものではない。

［実施例１〜３、比較例１〜３］
各実施例・比較例において、下記表１に示す各原料成分を、シリンダー温度３２０℃の二軸押出機の原料供給部（ホッパー）より投入し（ガラス繊維は押出機のサイドフィード部より別添加）、押出量３０ｋｇ/Ｈｒ、スクリュー回転数２５０ｒｐｍの条件で溶融混練し、ペレット化した。

（１）ＰＡＳ樹脂成分
・ＰＰＳ樹脂１：（株）クレハ製、フォートロンＫＰＳ（溶融粘度：２８Ｐａ・ｓ（せん断速度：１２００ｓｅｃ^−１、３１０℃））
・ＰＰＳ樹脂２：（株）クレハ製、フォートロンＫＰＳ（溶融粘度：１３０Ｐａ・ｓ（せん断速度：１２００ｓｅｃ^−１、３１０℃））
・ＰＰＳ樹脂３：（株）クレハ製、フォートロンＫＰＳ（溶融粘度：２２０Ｐａ・ｓ（せん断速度：１２００ｓｅｃ^−１、３１０℃））

（ＰＰＳ樹脂の溶融粘度の測定）
上記ＰＰＳ樹脂の溶融粘度は以下のようにして測定した。
東洋精機製作所製キャピログラフを用い、キャピラリーとして１ｍｍφ×２０ｍｍＬのフラットダイを使用し、バレル温度３１０℃、せん断速度１２００ｓｅｃ^−１での溶融粘度を測定した。

（２）オレフィン系樹脂
・オレフィン系共重合体：日油（株）製、モディパーＡ４３００（エチレン−グリシジルメタクリレート共重合体７０質量部にメチルメタクリレート／ブチルアクリレート共重合体３０質量部をグラフト重合させた共重合体、上記エチレン−グリシジルメタクリレート共重合体におけるグリシジルメタクリレート由来の構成単位含有量：１５質量％）
・ポリオレフィン：ダウ・ケミカル日本（株）製、Ｅｎｇａｇｅ８４４０（エチレンオクテン共重合体）

（３）無機フィラー
・ガラス繊維：日本電気硝子（株）製、ＥＣＳ０３Ｔ７１７、繊維径１３μｍ、長さ３ｍｍ
・炭酸カルシウム：東洋ファインケミカル（株）製、ホワイトン Ｐ−３０、平均粒子径（５０％ｄ）：５μｍ

得られた各実施例及び比較例のペレットを用い、射出成形機（株）日本製鋼所製Ｊ１８０ＡＤにより、１００ｍｍ×１００ｍｍ×３ｍｍの平板状の成形品を得た。

得られた実施例１及び各比較例の成形品を図１に示す成形機の第１保持機構２３に保持させた。次いで、プラズマ処理、スパッタリングによるシード層の形成を順次行った。プラズマ処理条件及びシード層の形成条件は以下の通りである。なお、プラズマ処理時において成形品が晒された温度は最高で２６０℃であった。また、カソードから成形品までの距離ｄは１８０ｍｍであった。
（プラズマ処理条件）
反応ガス：酸素
（１）第１プラズマ状態
第１圧力：０．５Ｐａ以上１０Ｐａ以下
処理時間（ｔ０〜ｔ１）：１０秒以下
（２）第２プラズマ状態
第２圧力：１０Ｐａ以上５０Ｐａ以下
処理時間（ｔ１〜ｔ２）：３００秒以下
（シード層の形成条件（スパッタリングの条件））
ターゲット材料：銅
シード層の厚み：３００ｎｍ
成膜処理室の圧力：０．５Ｐａ以上１０Ｐａ以下
スパッタ電極に対する投入電力：４０ｋＷ以下

上記のようにして成形品に対してシード層を形成した後、図４に示す電解めっき装置４５を用いて電解めっきを行い、めっき層を形成した。以下に電解めっきの条件を示す。
（電解めっきの条件）
電解液：硫酸銅めっき液
めっき層の厚み：２０μｍ
（電解めっきのフロー）
シード層を形成した成形品を、純水洗浄(シャワー)した。このとき、脱脂・酸化膜除去は行わなかった。次いで、ブロー乾燥した後、以下に示す電解めっき処理により硫酸銅めっき液を用いて電解めっきを行った。電解めっき終了後、電源をオフにし、その後直ちに純水により成形品を洗浄した。
（硫酸銅めっき液を用いた電解めっき処理）
成形品を、導線を介して電源に接続した状態で、硫酸銅めっき液が満たされた電解めっき装置に投入する。そして、電源をオンにして通電し、１〜５Ｖの電圧を印加する。電圧を印加した状態で、１０分間に１０％ずつ電流を上昇させる。具体的には、最初の１０分は１０％、１０〜２０分は２０％、…９０〜１００分は１００％とする。

［評価］
（１）密着性
得られた成形品のめっき層の密着力を、ＪＩＳ Ｈ８６３０：２００６の付属書１（規定）密着力試験方法に従って測定した。そして、３Ｎ/ｃｍ以上の場合を「○」とし、３Ｎ/ｃｍ未満の場合を「×」として評価した。評価結果を表１に示す。
（２）外観
得られた成形品について、熱によるダメージの有無を目視観察した。いずれも、変形等の熱劣化は見られず、熱によるダメージを受けていなかった。

表１より、オレフィン系樹脂を含む成形品を用いた実施例１〜３は高い密着性が得られたことが分かる。しかも、成形品が高温に晒されないプラズマ処理をしていることから、成形品の熱劣化が見られなかった。すなわち、本実施形態のめっき方法によると、熱によるダメージが抑制でき、かつ、高い密着性を有するめっき層の形成が可能であることが分かる。
成形品を構成する樹脂組成のみが実施例１とは異なる比較例１〜３においては、熱劣化は見られなかったがいずれも密着性に劣っていた。すなわち、密着性を向上させるにはプラズマ処理のみでは不十分であり、成形品を構成する樹脂組成を考慮する必要があることが分かる。

１００：成膜装置、１：耐圧チャンバー、２：プラズマ処理室、３：成膜処理室、７：制御装置、１２：カソード、１４：対極、１５：高密度プラズマ発生源、１６：反応ガス供給管、１７：反応ガス供給器、１８：制御弁、１９：プラズマ用電源、２３：第１保持機構、２５：第１減圧ポンプ、３３：プラズマ電極、３４：スパッタ用電源、３５：第２保持機構、３６：第２減圧ポンプ、５０，５０ａ，５０ｂ：成形品、５１ｃ，５１ｄ：シード層、５２ｃ，５２ｄ：金属めっき層

Claims (6)

1. 以下のステップＡ及びステップＢを含む、ポリアリーレンスルフィド樹脂成形品に対するめっき方法。
   ステップＡ：ポリアリーレンスルフィド樹脂と、オレフィン系樹脂とを含む樹脂組成物からなる成形品の表面に、下記工程（a）〜（ｃ）によりプラズマ処理を施した後、下記工程（ｄ）によりシード層を形成する。
   （ａ）耐圧チャンバー内に設置されている、カソード及び前記カソードに対向して配置されている対極を含む、電子密度が１×１０^１０ｃｍ^-３以上で電子温度が１０ｅＶ以下のプラズマを形成可能な高密度プラズマ発生源に対し、前記カソード及び前記対極とは反対側に離れた位置に前記成形品を配置する。
   （ｂ）前記耐圧チャンバー内を減圧する。
   （ｃ）前記高密度プラズマ発生源に反応ガスを供給し、電力を印加してプラズマ状態を形成しつつ、前記成形品を前記反応ガスに晒す。
   （ｄ）前記反応ガスに晒した前記成形品を大気に晒すことなく、前記成形品にシード層を形成する。
   ステップＢ：シード層を形成した前記成形品の表面の少なくとも一部に、電解めっき又は無電解めっきにより金属をめっきする。
2. 前記ステップＡの工程（ｃ）において、前記高密度プラズマ発生源への反応ガスの供給及びプラズマ状態の形成を、下記（ｅ）及び（ｆ）の工程により行う、請求項１に記載のポリアリーレンスルフィド樹脂成形品に対するめっき方法。
   （ｅ）前記高密度プラズマ発生源に、第１圧力の反応ガスを供給し、第１出力の電力を印加して、第１プラズマ状態を形成する。
   （ｆ）前記第１プラズマ状態が形成された前記高密度プラズマ発生源に、前記第１圧力より高い第２圧力の反応ガスを供給し、前記第１出力の電力より低い第２出力の電力を印加して、第２プラズマ状態を形成する。
3. 前記樹脂組成物における前記オレフィン系樹脂の含有量が、ポリアリーレンスルフィド樹脂１００質量部に対して０．１〜５０質量部である、請求項１又は２に記載のポリアリーレンスルフィド樹脂成形品に対するめっき方法。
4. 前記樹脂組成物がさらに無機フィラーを含有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載のポリアリーレンスルフィド樹脂成形品に対するめっき方法。
5. 前記無機フィラーが繊維状無機フィラーである、請求項４に記載のポリアリーレンスルフィド樹脂成形品に対するめっき方法。
6. 前記無機フィラーが、繊維状無機フィラーと、板状無機フィラー及び／又は粉粒状無機フィラーとの組合せからなる、請求項４に記載のポリアリーレンスルフィド樹脂成形品に対するめっき方法。

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