JP2020113639A - パワーモジュールおよびその製造方法、電力変換装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】レーザ接合時のスパッタの発生を防止して、信頼性の高いパワーモジュールを提供する。【解決手段】セラミック基板上に回路パターンを有する絶縁基板と、前記絶縁基板における前記回路パターン上に実装された電力用半導体装置と、前記回路パターン上に接合され、前記電力用半導体装置の主電流を外部に出力する外部接続端子と、を備え、前記外部接続端子は、前記回路パターンに接合される端部において、前記回路パターンとは反対側の面にセラミック被膜を有し、前記回路パターンと前記外部接続端子との接合部は、硬ろう材によってレーザろう付されている。【選択図】図1
Description
本発明はパワーモジュールに関し、特に、信頼性を向上したパワーモジュールに関する。
パワーモジュールは、絶縁基板上にスイッチングデバイス、ダイオードデバイスなどの電力用半導体装置を搭載し、電力用半導体装置の主電流を絶縁基板上の回路パターンから、外部接続端子を介して装置外部に出力する構成を有することが一般的である。
ここで、外部接続端子および回路パターンは銅(銅合金、黄銅および軟銅含む)であり、銅どうしの接合にはレーザ溶接が用いられている。
例えば、特許文献1においては、レーザ照射面を有する第1部材と、レーザ照射面と反対側に配置され、かつ第1部材よりもレーザ吸収率が高い第2部材とで構成される接合構造体において、第1部材のレーザ照射面には、第1部材よりもレーザ吸収率が高い第1被膜を配設し、第1部材と第2部材との間には、第1部材よりもレーザ吸収率が高い第3被膜と、第3被膜より第2部材側に配設され、第2部材よりもレーザ吸収率が低い第2被膜とで構成される接合層を設けた構成が開示されている。第1部材、第2部材、第1被膜、第2被膜および第3被膜は、銅、銅合金、黄銅および軟銅で構成され、これらはレーザ溶接により溶接されることが開示されている。
このような構造を採ることで、レーザ出力を調整しながら溶接を行うことで、爆飛およびスパッタを防ぐといったメリットがあるとされている。
特許文献1のレーザ溶接は、例えば図2の溶接部の形状から、キーホール溶接であることが判るが、キーホール溶接ではスパッタが発生する可能性がある。すなわち、銅の場合、レーザ照射で温度が上がると、溶融池が発生する。溶融池に更にレーザを照射するとキーホールと呼ばれる窪みが形成される。これは溶融池の液体金属を更にレーザ光で加熱することで金属蒸気が大量に発生し、窪みが形成され、窪み内ではレーザ光が斜めに反射して互いに対向する窪みの壁面に当たり、そこで液体金属に吸収され、かつ吸収されなかったレーザ光が反射されて反対側の壁面を更に加熱するという多重反射が起こる。多重反射によりエネルギー吸収率が増大し、更に金属蒸気の発生が活発化し、窪みが深くなり、急角度の穿孔が形成される。入射角度が90°に近づくと、反射光はほぼ全部が反対側の壁面に当たるので、レーザ光の吸収率が非常に高まった状態となる。
このような場合に、金属蒸気が多く生成される。金属蒸気の量はレーザによるエネルギーで気化した銅の量により変動するが、先に述べたように、キーホールの形状などでレーザの吸収量は変動する。そのため金属蒸気の発生量は一定ではない。金属蒸気がキーホールの外に出ていく際に、キーホールの壁面にある液体金属(溶融池)を巻き込んで噴出することがある。これがスパッタと呼称される現象である。スパッタが発生すると、パワーモジュールの内部に金属粒子が固着することがある。金属粒子が固着すると、パワーモジュールの信頼性が低下するので、金属粒子の固着の有無を確認する必要があるが、その確認は人間が目視で行う必要があり、時間がかかっていた。
本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、レーザ接合時のスパッタの発生を防止して、信頼性の高いパワーモジュールを提供することを目的とする。
本発明に係るパワーモジュールは、セラミック基板上に回路パターンを有する絶縁基板と、前記絶縁基板における前記回路パターン上に実装された電力用半導体装置と、前記回路パターン上に接合され、前記電力用半導体装置の主電流を外部に出力する外部接続端子と、を備え、前記外部接続端子は、前記回路パターンに接合される端部において、前記回路パターンとは反対側の面にセラミック被膜を有し、前記回路パターンと前記外部接続端子との接合部は、硬ろう材によってレーザろう付されている。
外部接続端子の回路パターンに接合される端部において、回路パターンとは反対側の面にセラミック被膜を有することで、レーザ接合により外部接続端子を回路パターンに接合する場合であっても、安定に加熱ができ、温度を任意に制御できる。このため、セラミック被膜にスパッタが発生することがないように温度制御しながら加熱することがで、スパッタの発生を防止して、パワーモジュールの内部にスパッタに起因する金属粒子が固着することを防止して、信頼性の高いパワーモジュールを提供することができる。
<実施の形態1>
<装置構成>
図1は、本発明に係る実施の形態1のパワーモジュール100の構成を示す断面図である。なお、図1においては、絶縁基板9上に搭載される電力用半導体デバイス1以外の部品および封止材であるゲル等は、簡略化のため図示を省略している。
<装置構成>
図1は、本発明に係る実施の形態1のパワーモジュール100の構成を示す断面図である。なお、図1においては、絶縁基板9上に搭載される電力用半導体デバイス1以外の部品および封止材であるゲル等は、簡略化のため図示を省略している。
図1に示すように、パワーモジュール100は、例えば、銅板などの金属板で構成されるベース板11の上面に絶縁基板103が、はんだ材などの接合材10により接合され、絶縁基板9の上面に、スイッチングデバイスおよびダイオードデバイスなどの電力用半導体デバイス1(電力用半導体装置)が接合材2により接合されている。
絶縁基板9は、主材となるセラミック基板8の上面に回路パターン7aおよび7bが形成され、下面に回路パターン7cが形成されている。電力用半導体デバイス1は、回路パターン7a上に接合材2により接合されている。回路パターン7aには、外部接続端子41が接合材5により接合されている。また、回路パターン7bには、外部接続端子42が接合材5により接合されている。回路パターン7cにはベース板11が接合材10により接合されている。
ベース板11は、上面側および底面側が開口部となった箱状のケース12の底面側の開口部を覆うように配設され、ベース板11がケース12の底面を構成している。なお、ベース板11とケース12とは、シリコーン系の接着剤13で接合されている。ケース12はインサート成型で作製されており、外部接続端子41および42は、その一部がケース12に埋め込まれるように配設され、ケース12の上面側の端面で端部が露出して、外部配線と接続される。なお、外部配線との接続口等は図示を省略している。
電力用半導体デバイス1は、下面側の主電極が接合材2を介して回路パターン7aに電気的に接続され、回路パターン7aおよび接合材5を介して外部接続端子41に電気的に接続されている。接合材2には、Ag(銀)ナノ粒子またはCu(銅)ナノ粒子を用いた焼結接合材を用いており、接合材5には硬ろう材を用いている。
電力用半導体デバイス1の上面側の主電極(上面電極)は、接続配線3を介して回路パターン7bに電気的に接続され、回路パターン7bおよび接合材5を介して外部接続端子42に電気的に接続されている。接続配線3は、アルミニウム(Al)または銅のワイヤであり、超音波ボンディングにより電力用半導体デバイス1および回路パターン7bに接続されている。
ここで、電力用半導体デバイス1としては、例えばSiC(炭化珪素)のMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)およびSBD(Schottky Barrier Diode)などが使用される。SiCは、Siより広いワイドバンドギャップを有し、SiCを用いたSiC半導体装置は、Siを用いたSi半導体装置と比較して、耐圧性に優れ、許容電流密度も高く、また耐熱性も高いため高温動作も可能である。また、SiCに限定されず、他のワイドバンドギャップ半導体、例えば窒化ガリウム(GaN)で構成しても良い。また、ワイドバンドギャップ半導体に代えて、例えば珪素(Si)を用いても良い。Siを用いる場合には、スイッチングデバイスとしてIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)を用いても良い。また、ダイオードデバイスとしては、SBD以外に、例えば、pn接合ダイオードまたはJBS(Junction Barrier Schottky:ジャンクションバリアショットキー)ダイオードであっても良い。
なお、電力用半導体デバイス1がMOSFETなどのスイッチングデバイスである場合は、上面には主電極の他に制御電極が設けられ、制御電極は制御用接続配線を介して制御端子に電気的に接続されることになるが、これらについては図示および説明は省略する。
<製造方法>
次に、図2〜図7を用いて、パワーモジュール100の製造方法について説明する。まず、図2を用いて外部接続端子41および42にセラミック被膜18を形成する方法について説明する。
次に、図2〜図7を用いて、パワーモジュール100の製造方法について説明する。まず、図2を用いて外部接続端子41および42にセラミック被膜18を形成する方法について説明する。
図1を用いて説明したように、外部接続端子41および42は、それぞれ接合材5により回路パターン7aおよび7bに接合されるが、それに先立って、図2に示すように、外部接続端子41および42のレーザが照射される部分に、例えばプラズマ溶射におけるプラズマPLを照射することでセラミック被膜18を形成する。
プラズマ溶射により形成されたプラズマ溶射膜であるセラミック被膜18は、耐熱性があるため、炭化珪素半導体装置が搭載された高耐熱モジュールにおいても、熱による変形などがなく、安定した被膜を得ることができる。なお、プラズマ溶射によるセラミック皮膜の形成は公知技術であり、説明は省略する。また、外部接続端子42へのセラミック被膜18の形成は、外部接続端子41と同じなので図示は省略する。
セラミック被膜18は例えばアルミナで構成されている。ここで、アルミナの線膨張係数は約7.2×10−6/℃、外部接続端子41および42の主材である銅の線膨張係数は約16.8×10−6/℃であり線膨張係数に差がある。そこで、形成するアルミナ膜の厚さを数十〜百μmにすることによって、外部接続端子41および42とセラミック被膜18との線膨張係数差による熱応力を緩和し、セラミック被膜18を形成することに起因して、外部接続端子41および42に歪みが生じることを抑制できる。
次に、図3に示す工程において、絶縁基板9上の回路パターン7aおよび7bの外部接続端子41および42をレーザろう付する部分に、予め、板状の硬ろう材6をレーザで接合する。そして、硬ろう材6を用いて外部接続端子41および42をレーザろう付することで、絶縁基板9上の回路パターン7aおよび7bと、外部接続端子41および42のろう付される面の両方にフィレットが形成され、良好な接合部が得られることが、発明者達の実験で確認されている。
この仕組みについて説明すると、硬ろう材6を絶縁基板9上の回路パターン7aおよび7b上でレーザを用いて溶融させることで、回路パターン7aおよび7b上にフィレットが形成される。その後、溶融して回路パターン7aおよび7b上に接合された硬ろう材6上に外部接続端子41および42を接触させた状態で外部接続端子41および42の上面にレーザを照射することで、硬ろう材6が外部接続端子41および42の下面に広がり、フィレットが形成される。これは、硬ろう材6が、溶融すると熱の高い方に広がるためである。なお、絶縁基板9上の回路パターン7aおよび7bに硬ろう材6を予め接合しないで、板状のままで回路パターン7aおよび7b上に置き、その上に外部接続端子41および42を接触させた状態でレーザを照射した場合、温度の高い方、つまり外部接続端子41および42の方にのみフィレットが形成される。これは、絶縁基板9が3次元的(X、Y、Z方向)に高い放熱性を持っているため、すぐに硬ろう材6の温度が下がって広がらないためである。
次に、図4に示す工程において、絶縁基板9の回路パターン7aに、電力用半導体デバイス1を接合材2を用いて接合する。電力用半導体デバイス1の下部は、パワーモジュール100のオン、オフによる熱負荷を受けやすく、Sn(すず)系のはんだ材などでは、縦割れまたは横割れによる劣化が激しい。そのため、接合材2には、Agナノ粒子またはCuナノ粒子を用いた焼結接合材が用いられる。
例えば、Agナノ粒子を用いた焼結接合材を例に挙げると、焼結温度は250℃程度であるが、焼結後のAg接合部の融点はAgの融点である約960℃であり、高耐熱ダイボンド材として有用である。
次に、図5に示す工程において、電力用半導体デバイス1を搭載した絶縁基板9とベース板11とをはんだ付けした後、電力用半導体デバイス1上の上面電極と絶縁基板9の回路パターン7bとを接続配線3により接続する。この接続配線3は、例えばAlワイヤまたはCuワイヤであり、超音波ボンディングによって接合される。
次に、図6に示す工程において、ベース板11にケース12を例えばシリコーン系の接着剤13を用いて接合する。接着剤13は、ケース12の下側の開口部の内側と、ベース板11の絶縁基板9が取り付けられた側の端縁部とを接着するように塗布される。
ここで、ケース12には外部接続端子41および42が取り付けられており、ベース板11にケース12を接合すると、外部接続端子41および42の端部が、ベース板11上の所定の位置に一義的に位置決めされる。この所定の位置とは、回路パターン7aおよび7bに硬ろう材6が接合された位置である。
その後、絶縁基板9の回路パターン7aおよび7b上の硬ろう材6に外部接続端子41および42の端部の下面を接触させた状態で、硬ろう材6の直上の外部接続端子41および42の上面に形成したセラミック被膜18にレーザを照射する。
このレーザ照射は、図7に示すように、例えばファイバーレーザ・ガルバノスキャナシステム14を用いて行う。ファイバーレーザ・ガルバノスキャナシステム14は、2軸(X/Y)または3軸(X/Y/Z)に取り付けたレーザ反射鏡141の角度をモータ142で制御して、レーザファイバーから出力されるレーザを任意の位置に照射できるシステムである。
レーザを照射された外部接続端子41および42は、硬ろう材6の融点以上まで加熱され、硬ろう材6が溶融する。レーザの照射後、硬ろう材6は凝固して接合材5となり、外部接続端子41および42と、絶縁基板9の回路パターン7aおよび7bがそれぞれろう付される。接合材5は、回路パターン7aおよび7bの上面と、外部接続端子41および42のろう付される下面の両方にフィレットが形成され、良好な接合部が得られる。なお、レーザの照射は、回路パターン7a上の外部接続端子41、回路パターン7b上の外部接続端子42の順で行っても良いが、逆の順番で行っても良い。
ここで、外部接続端子41および42と絶縁基板9の回路パターン7a、7b、7cには、銅が用いられる。また、銅をろう付するための硬ろう材6には、セラミック基板8と回路パターン7cとを接合する接合材10の活性金属ろう材よりも融点の低いりん銅ろうが用いられる。また、りん銅ろうを用いることによって、りんがフラックスの役割を果たすため、フラックスが不要になるメリットがある。
ここで、外部接続端子41および42に銅を用いる場合、2つの課題がある。1つは、長期信頼性の課題である。絶縁基板9の主材となるセラミック基板8は、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミニウムなどで構成され、セラミック基板8の上下の主面に回路パターン7a〜7cとなる銅箔を例えばろう付けで接合して絶縁基板9が構成される。
セラミック基板8の厚みは0.3〜1mm程度、銅箔の厚みは0.25〜1mm程度が用いられ、セラミック基板8の線膨張係数はセラミックがアルミナの場合は7.2×10−6/℃程度、セラミックが窒化珪素の場合は3〜4×10−6/℃程度、外部接続端子41および42、回路パターン7aおよび7bの銅の線膨張係数は16.8×10−6/℃程度である。なお、セラミック基板8に銅箔、すなわち回路パターン7aおよび7bを接合することで、セラミック基板8のみかけの線膨張係数は10×10−6/℃程度となっている。
この銅箔で構成された回路パターン7aおよび7bに、外部接続端子41および42を接合する場合、Cuとセラミック基板8の線膨張係数の差が大きいためパワーモジュール100の使用時に生じる温度変化により、接合部には大きな熱応力が生じ、接合材および端子主材に亀裂が生じて進展し、断線する可能性がある。このため外部接続端子41および42に屈曲部を設けるなどのストレスリリーフ構造を形成し、熱応力を下げるなどの工夫が必要となり、設計工数の増大を招くだけでなく、保証できる温度範囲、耐久サイクル数に制約を受け、長期信頼性の確保の点での課題があった。
もう1つの課題は、先に説明した溶接時のスパッタの発生である。絶縁基板9上の回路パターン7aおよび7bに、外部接続端子41および42をレーザろう付するには、外部接続端子41および42の銅が溶融しないと接合できない。銅は、比較的普及している波長1μm程度のレーザ光に対して、固体の場合は吸収率が8%、液体になると吸収率が30%と倍以上に高くなる性質がある。このため同じレーザ光を照射していても、被加工物が受け取るエネルギー量は、銅が溶けたか溶けなかったかで大きく変動してしまう。このため、波長1μm程度のレーザ光で銅を溶融させるのは困難であった。そして銅の場合、レーザ照射で温度が上がると溶融池が発生し、溶融池に更にレーザを照射するとキーホールが形成され、先に説明したメカニズムによりキーホール壁面にある液体金属(溶融池)を巻き込んで噴出するスパッタが発生する。スパッタが発生すると、パワーモジュールの内部に金属粒子が固着しているか否かを確認する必要が生じ、確認には時間がかかることは先に説明した通りである。
これに対し、本実施の形態では、図2を用いて説明したように、外部接続端子41および42のレーザが照射される部分に、予めセラミック被膜18を形成している。アルミナ、窒化珪素、窒化アルミニウムなどのセラミックは、レーザ光に対する吸収率が一定して高いという性質があるため、銅のようにレーザ光照射装置から同じエネルギーのレーザ光を照射していたとしても、被照射部が受け取るエネルギー量が数倍程度ばらつくという問題がなくなり、安定に加熱ができる。そのため、温度を任意に制御でき、セラミック被膜18にスパッタが発生しないように温度制御しながら加熱することができるので、スパッタの発生を防止して、パワーモジュール100の内部に金属粒子が固着することを防止できる。なお、セラミック被膜18にアルミナを用いた場合、安価で高耐熱な被膜を形成することができる。
また、先に説明したように、形成するセラミック被膜18の厚さを数十〜百μmにすることによって、外部接続端子41および42とセラミック被膜18との線膨張係数差による熱応力を緩和して外部接続端子41および42に歪みが生じることを抑制できる。また、セラミック被膜18、外部接続端子41および42、接合材5および絶縁基板9の線膨張係数差が小さくできるので、パワーモジュール100の使用時の温度変化により、外部接続端子41および42と、絶縁基板9の表面の回路パターン7aおよび7bとの接合部に生じる熱応力が小さくなり、信頼性の高い接合部を得ることができる。
ここで、電力用半導体デバイス1として用いるSiC半導体装置は、Si半導体装置と比較して耐熱性も高いことは先に説明した。例えば、Si半導体装置では主電流を流した場合の表面温度の最高温度Tjmaxは125℃程度であるが、SiC半導体装置では主電流を流した場合の表面温度の最高温度Tjmaxは200℃以上となる。
このため、使用する絶縁基板9のセラミック基板8も、放熱性が高く絶縁性の高いSiN(窒化珪素)基板を用いるなど、熱応力、放熱性を考慮したパワーモジュール100の設計が必要となる。
電力用半導体デバイス1としてSiC半導体装置を用いて高い温度範囲で使用した場合、外部接続端子41および42と絶縁基板9上の回路パターン7aおよび7bには、Si半導体装置を用いた場合よりも強い熱応力が加わる。そのため、これまで外部接続端子41および42と絶縁基板9上の回路パターン7aおよび7bとの接合に、はんだ付けまたは超音波ボンディングを用いると熱応力に起因した接合部の劣化が発生する可能性がある。劣化を発生させないためには、設計へのフィードバックを行うなどの措置が必要となり、コストの増加を招いていた。
しかし、本実施の形態によれば、外部接続端子41および42のレーザが照射される部分に、予めセラミック被膜18を形成することでスパッタの発生を防止できるので、外部接続端子41および42と回路パターン7aおよび7bとの接合に、強固なろう付けを用いることができ、電力用半導体デバイス1としてSiC半導体装置を用いて高い温度範囲で使用した場合でも、外部接続端子41および42と回路パターン7aおよび7bとのそれぞれの接合部に劣化が発生することを防止でき、信頼性の高い接合部を得ることができる。このため、長期信頼性を確保した半導体モジュールを得ることができる。
<実施の形態2>
以上説明した本発明に係る実施の形態1においては、外部接続端子41および42のレーザが照射される部分に、予めセラミック被膜18を形成する構成を説明したが、外部接続端子41および42上にセラミック被膜18を直接形成するのではなく、中間層を間に介して形成しても良い。
以上説明した本発明に係る実施の形態1においては、外部接続端子41および42のレーザが照射される部分に、予めセラミック被膜18を形成する構成を説明したが、外部接続端子41および42上にセラミック被膜18を直接形成するのではなく、中間層を間に介して形成しても良い。
以下、図8〜図10を用いて、本発明に係る実施の形態2のパワーモジュール200の製造方法について説明する。まず、図8を用いて外部接続端子41に中間層19を形成する方法について説明する。なお、外部接続端子42への中間層19の形成は、外部接続端子41と同じなので図示は省略する。
図8に示すように、外部接続端子41および42のレーザが照射される部分に、中間層19を配置し、中間層19にレーザLSを照射してろう付する。
中間層19は、銅と銅の間に合金の一種であるインバーが挟まれて接合されているCIC(Cu/Inver/Cu)合金である。銅の厚さとインバーの厚さとの比率を変えることによって、線膨張係数を変えることができる。中間層19にCIC合金を用いることで、外部接続端子41およぶ42とセラミック被膜18とが強固に接合できる。
例えば、セラミック被膜18がアルミナの場合の線膨張係数は約7.2×10−6/℃、外部接続端子41および42の主材である銅の線膨張係数が約16.8×10−6/℃であれば、厚さ比率が1:1:1で線膨張係数が約11×10−6/℃のCIC合金を選択すれば良い。レーザLSを照射することでCIC合金の外部接続端子41側の銅が溶融して接合材51となり、外部接続端子41にろう付けされることとなる。
次に、図9に示す工程において、外部接続端子41上に搭載した中間層19上に、例えばプラズマ溶射を用いてセラミック被膜18を形成する。なお、プラズマ溶射によるセラミック皮膜の形成は公知技術であり、説明は省略する。また、外部接続端子42へのセラミック被膜18の形成は、外部接続端子41と同じなので図示は省略する。セラミック被膜18は、例えばアルミナで構成されている。
以下、図3〜図5を用いて説明した工程を経て、絶縁基板9上の回路パターン7a、7bへの硬ろう材6の接合、絶縁基板9上の回路パターン7aへの電力用半導体デバイス1の接合、および電力用半導体デバイス1上の上面電極から絶縁基板9の回路パターン7bへの配線接続を行うが、重複する説明は省略する。
その後、絶縁基板9の回路パターン7aおよび7b上の硬ろう材6に外部接続端子41および42の端部の下面を接触させた状態で、硬ろう材6の直上の外部接続端子41および42の上面の中間層19上に形成したセラミック被膜18にレーザを照射することで、パワーモジュール200を得る。
このレーザ照射は、図10に示すように、例えばファイバーレーザ・ガルバノスキャナシステム14を用いて行う。ファイバーレーザ・ガルバノスキャナシステム14の構成は、図7に示したものと同じであるので、説明は省略する。
レーザを照射された外部接続端子41および42は、硬ろう材6の融点以上まで加熱され、硬ろう材6が溶融する。レーザの照射後、硬ろう材6は凝固して接合材5となり、外部接続端子41および42と、絶縁基板9の回路パターン7aおよび7bがそれぞれろう付される。接合材5は、回路パターン7aおよび7bと、外部接続端子41および42のろう付される下面の両方にフィレットが形成され、良好な接合部が得られる。なお、レーザの照射は、回路パターン7a上の外部接続端子41、回路パターン7b上の外部接続端子42の順で行っても良いが、逆の順番で行っても良い。
外部接続端子41および42の線膨張整数とセラミック被膜18の線膨張係数の中間の線膨張係数を有する中間層19を形成することによって、外部接続端子41および41とセラミック被膜の線膨張係数差による熱応力を更に低減できる。外部接続端子41および42にセラミック被膜18を形成することによって、外部接続端子41および42上のセラミック被膜18、外部接続端子41および42、接合材5、絶縁基板9の線膨張係数が見かけ上同じとなり、信頼性の高い接合部を得ることができる。このため、長期信頼性を確保した半導体モジュールを得ることができる。
<実施の形態3>
本実施の形態は、上述した実施の形態1および2のパワーモジュールを電力変換装置に適用したものである。実施の形態1および2に係るパワーモジュールの適用は特定の電力変換装置に限定されるものではないが、以下、実施の形態3として、三相のインバータに実施の形態1および2に係るパワーモジュールを適用した場合について説明する。
本実施の形態は、上述した実施の形態1および2のパワーモジュールを電力変換装置に適用したものである。実施の形態1および2に係るパワーモジュールの適用は特定の電力変換装置に限定されるものではないが、以下、実施の形態3として、三相のインバータに実施の形態1および2に係るパワーモジュールを適用した場合について説明する。
図11は、本実施の形態に係るパワーモジュールを適用した電力変換システムの構成を示すブロック図である。
図11に示す電力変換システムは、電源1000、電力変換装置2000、負荷3000で構成される。電源1000は、直流電源であり、電力変換装置2000に直流電力を供給する。電源1000は種々のもので構成することが可能であり、例えば、直流系統、太陽電池、蓄電池で構成することができるし、交流系統に接続された整流回路およびAC/DCコンバータで構成することとしても良い。また、電源1000を、直流系統から出力される直流電力を所定の電力に変換するDC/DCコンバータによって構成することとしても良い。
電力変換装置2000は、電源1000と負荷3000の間に接続された三相のインバータであり、電源1000から供給された直流電力を交流電力に変換し、負荷3000に交流電力を供給する。電力変換装置2000は、図11に示すように、直流電力を交流電力に変換して出力する主変換回路201と、主変換回路201を制御する制御信号を主変換回路201に出力する制御回路202とを備えている。
負荷3000は、電力変換装置2000から供給された交流電力によって駆動される三相の電動機である。なお、負荷3000は特定の用途に限られるものではなく、各種電気機器に搭載された電動機であり、例えば、ハイブリッド自動車や電気自動車、鉄道車両、エレベーター、もしくは、空調機器向けの電動機として用いられる。
以下、電力変換装置2000の詳細を説明する。主変換回路201は、スイッチングデバイスと還流ダイオードを備えており(図示せず)、スイッチングデバイスがスイッチングすることによって、電源1000から供給される直流電力を交流電力に変換し、負荷3000に供給する。主変換回路201の具体的な回路構成は種々のものがあるが、本実施の形態に係る主変換回路201は、2レベルの三相フルブリッジ回路であり、6つのスイッチングデバイスとそれぞれのスイッチングデバイスに逆並列された6つの還流ダイオードで構成することができる。主変換回路201の各スイッチングデバイスおよび各還流ダイオードは、例えば、上述した実施の形態1に相当するパワーモジュール100によって構成する。6つのスイッチングデバイスは2つのスイッチングデバイスごとに直列接続され上下アームを構成し、各上下アームはフルブリッジ回路の各相(U相、V相、W相)を構成する。そして、各上下アームの出力端子、すなわち主変換回路201の3つの出力端子は、負荷3000に接続される。
また、主変換回路201は、各スイッチングデバイスを駆動する駆動回路(図示なし)を備えているが、駆動回路はパワーモジュール100に内蔵されていても良いし、パワーモジュール100とは別に駆動回路を備える構成であっても良い。駆動回路は、主変換回路201のスイッチングデバイスを駆動する駆動信号を生成し、主変換回路201のスイッチングデバイスの制御電極に供給する。具体的には、後述する制御回路202からの制御信号に従い、スイッチングデバイスをオン状態にする駆動信号とスイッチングデバイスをオフ状態にする駆動信号とを各スイッチングデバイスの制御電極に出力する。スイッチングデバイスをオン状態に維持する場合、駆動信号はスイッチングデバイスの閾値電圧以上の電圧信号(オン信号)であり、スイッチングデバイスをオフ状態に維持する場合、駆動信号はスイッチングデバイスの閾値電圧以下の電圧信号(オフ信号)となる。
制御回路202は、負荷3000に所望の電力が供給されるよう主変換回路201のスイッチングデバイスを制御する。具体的には、負荷3000に供給すべき電力に基づいて主変換回路201の各スイッチングデバイスがオン状態となるべき時間(オン時間)を算出する。例えば、出力すべき電圧に応じてスイッチングデバイスのオン時間を変調するPWM制御によって主変換回路201を制御することができる。そして、各時点においてオン状態となるべきスイッチングデバイスにはオン信号を、オフ状態となるべきスイッチングデバイスにはオフ信号が出力されるよう、主変換回路201が備える駆動回路に制御指令(制御信号)を出力する。駆動回路は、この制御信号に従い、各スイッチングデバイスの制御電極にオン信号またはオフ信号を駆動信号として出力する。
本実施の形態に係る電力変換装置では、主変換回路201のスイッチングデバイスと還流ダイオードとして実施の形態1および2に係るパワーモジュール100および200を適用するため、長期信頼性を確保した半導体モジュールを得ることができる。
本実施の形態では、2レベルの三相インバータに実施の形態1および2に係るパワーモジュールを適用する例を説明したが、実施の形態1および2に係るパワーモジュールの適用は、これに限られるものではなく、種々の電力変換装置に適用することができる。本実施の形態では、2レベルの電力変換装置としたが3レベルやマルチレベルの電力変換装置であっても構わないし、単相負荷に電力を供給する場合には単相のインバータに適用しても構わない。また、直流負荷等に電力を供給する場合にはDC/DCコンバータやAC/DCコンバータに実施の形態1および2に係るパワーモジュールを適用することも可能である。
また、実施の形態1および2に係るパワーモジュールを適用した電力変換装置は、上述した負荷が電動機の場合に限定されるものではなく、例えば、放電加工機およびレーザ加工機、または誘導加熱調理器および非接触器給電システムの電源装置として用いることもでき、更に太陽光発電システムおよび蓄電システム等のパワーコンディショナーとして用いることも可能である。
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
1 電力用半導体デバイス、2 接合材、3 接続配線、41,42 外部接続端子、7a,7b 回路パターン、8 セラミック基板、9 絶縁基板、18 セラミック被膜、19 中間層、100,200 パワーモジュール。
Claims (10)
- セラミック基板上に回路パターンを有する絶縁基板と、
前記絶縁基板における前記回路パターン上に実装された電力用半導体装置と、
前記回路パターン上に接合され、前記電力用半導体装置の主電流を外部に出力する外部接続端子と、を備え、
前記外部接続端子は、
前記回路パターンに接合される端部において、前記回路パターンとは反対側の面にセラミック被膜を有し、
前記回路パターンと前記外部接続端子との接合部は、硬ろう材によってレーザろう付されている、パワーモジュール。 - 前記セラミック被膜は、アルミナ、窒化珪素および窒化アルミニウムの何れかで構成される、請求項1記載のパワーモジュール。
- 前記セラミック被膜は、プラズマ溶射膜で構成される、請求項2記載のパワーモジュール。
- 前記セラミック被膜の厚さは、数十〜百μmである、請求項1記載のパワーモジュール。
- 前記外部接続端子と前記セラミック被膜の間に設けられた中間層を更に有し、
前記中間層は、
前記外部接続端子の線膨張係数と前記セラミック被膜の線膨張係数の中間の線膨張係数を有する、請求項1記載のパワーモジュール。 - 前記中間層は、CIC(Cu/Inver/Cu)合金で構成される、請求項5記載のパワーモジュール。
- 請求項1記載のパワーモジュールの製造方法であって、
(a)前記外部接続端子の前記回路パターンに接合される端部において、前記回路パターンとは反対側の面にプラズマ溶射で前記セラミック被膜を形成する工程と、
(b)前記回路パターンの前記外部接続端子が接合される部分に、板状の硬ろう材を搭載し、前記板状の硬ろう材にレーザを照射して、前記回路パターンに前記板状の硬ろう材を接合する工程と、
(c)前記回路パターンに接合された前記板状の硬ろう材上に、前記セラミック被膜が形成された前記外部接続端子を、前記セラミック被膜の形成面とは反対側の面が接するように配置し、前記セラミック被膜にレーザを照射して、前記外部接続端子と前記回路パターンとをレーザろう付する工程、とを備える、パワーモジュールの製造方法。 - 請求項5記載のパワーモジュールの製造方法であって、
(a)前記外部接続端子の前記回路パターンに接合される端部において、前記回路パターンとは反対側の面に前記中間層を搭載し、前記中間層にレーザを照射して、前記外部接続端子に前記中間層を接合する工程と、
(b)前記外部接続端子に接合された前記中間層にプラズマ溶射で前記セラミック被膜を形成する工程と、
(c)前記回路パターンの前記外部接続端子が接合される部分に、板状の硬ろう材を搭載し、前記板状の硬ろう材にレーザを照射して、前記回路パターンに前記板状の硬ろう材を接合する工程と、
(d)前記回路パターンに接合された前記板状の硬ろう材上に、前記中間層および前記セラミック被膜が形成された前記外部接続端子を、前記中間層および前記セラミック被膜の形成面とは反対側の面が接するように配置し、前記セラミック被膜にレーザを照射して、前記外部接続端子と前記回路パターンとをレーザろう付する工程、とを備える、パワーモジュールの製造方法。 - 前記中間層は、CIC(Cu/Inver/Cu)合金で構成される、請求項8記載のパワーモジュールの製造方法。
- 請求項1記載のパワーモジュールを有し、入力される電力を変換して出力する主変換回路と、
前記主変換回路を制御する制御信号を前記主変換回路に出力する制御回路と、を備えた電力変換装置。
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JP2019003353A JP2020113639A (ja) | 2019-01-11 | 2019-01-11 | パワーモジュールおよびその製造方法、電力変換装置 |
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