JP2020109739A - Conductive particle, conductive material and connection structure using the same - Google Patents

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Abstract

To provide conductive particles for manufacturing an anisotropic conductive material and a connection structure which have a low initial electric resistance and a low temperature rise after high temperature/high humidity reliability test.SOLUTION: Conductive particles have an oxide film provided on a surface of at least one electrode among electrodes as particles between particles that are contained between the electrodes and electrically connect the electrodes. In the conductive particles, a deformation ratio of the conductive particles when the conductive particles are compressed at 25°C using a micro compression tester, including a conductive layer provided on surfaces of an insulation core and a core and a conductive layer having a projection on the surface of the core is defined as an x axis, and a ratio of an elastic part of push-in processing defined as the following expression 1 is defined as a y axis, in a plotted graph, the oxide film is penetrated or destroyed by the conductive layer or the conductive layer having the projection in ranges of the ratio of the elastic part of the push-in processing and the deformation ratio of the conductive particles between a section (a) where the ratio of the elastic part of the push-in processing is kept constant after a first non-continuous point and a section (b) where the ratio of the elastic part of the push-in processing is kept constant after a second non-continuous point.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、絶縁性コアの表面部に導電層を有する導電粒子に関し、より詳細には、電子機器の実装されるチップの電極と、基板の電極の間を電気的に接続する導電材料の導電体として使用される導電粒子、導電材料および接続構造体に関する。 The present invention relates to conductive particles having a conductive layer on the surface of an insulating core, and more specifically, to the conductivity of a conductive material that electrically connects an electrode of a chip on which an electronic device is mounted and an electrode of a substrate. The present invention relates to conductive particles used as a body, a conductive material, and a connection structure.

導電粒子は、硬化剤、接着剤および樹脂バインダーと混合して分散された形態で使われる異方性導電材料、例えば、異方性導電フィルム(Anisotropic Conductive Film)、異方性導電接着剤(Anisotropic Conductive Adhesive)、異方性導電ペースト(Anisotropic Conductive Paste)、異方性導電インク(Anisotropic Conductive Ink)、異方性導電シート(Anisotropic Conductive Sheet)、等として用いられる。 The conductive particles are an anisotropic conductive material used in the form of being mixed and mixed with a curing agent, an adhesive and a resin binder, for example, an anisotropic conductive film (Anisotropic Conductive Film), an anisotropic conductive adhesive (Anisotropic). Conductive Adhesive), anisotropic conductive paste (Anisotropic Conductive Paste), anisotropic conductive ink (Anisotropic Conductive Ink), anisotropic conductive sheet (Anisotropic Conductive Sheet), etc.

前記異方性導電材料は、フィルムオングラス(FOG;フレキシブル基板 - ガラス基板)、チップオンフィルム(COF;半導体チップ - フレキシブル基板)、チップオングラス(COG;半導体チップ - ガラス基板)、フィルムオンボード(FOB;フレキシブル基板 - ガラスエポキシ基板)等として用いられる。 The anisotropic conductive material includes film-on-glass (FOG; flexible substrate-glass substrate), chip-on-film (COF; semiconductor chip-flexible substrate), chip-on-glass (COG; semiconductor chip-glass substrate), film-on-board. (FOB; flexible substrate-glass epoxy substrate) etc.

前記異方成導電材料は、例えば、半導体チップとフレキシブル基板とが接合されていると仮定すれば、異方性導電材料をフレキシブル基板上に配置し、半導体チップを異方性導電材料上に配置した後、異方性導電材料を加圧・加熱状態で 硬化させることで導電粒子が半導体チップの電極と基板の電極とを電気的に接続するための接続構造体が実装される。 As for the anisotropically conductive material, for example, assuming that a semiconductor chip and a flexible substrate are bonded together, an anisotropic conductive material is arranged on the flexible substrate and a semiconductor chip is arranged on the anisotropic conductive material. After that, the anisotropic conductive material is cured under pressure and heat to mount the connection structure for the conductive particles to electrically connect the electrode of the semiconductor chip and the electrode of the substrate.

導電粒子は、前記異方性導電材料に使用される場合には、導電粒子に硬化剤、接着剤、樹脂バインダー等を 混合して使用され、加圧/加熱後の接続構造体となる場合には、異方性導電材料の硬化/接着により上部電極と下部電極との間の電気接続を維持することになる。 The conductive particles, when used in the anisotropic conductive material, is used by mixing the conductive particles with a curing agent, an adhesive, a resin binder, etc., and when it becomes a connection structure after pressurization/heating. Will maintain the electrical connection between the top and bottom electrodes by curing/bonding the anisotropic conductive material.

電極間の電気的接続を維持する際の電子機器のエネルギー効率の観点から、 初期に接続抵抗が低いことと高温高湿の評価、例えば85℃/ 85%信頼性評価後の抵抗増加が低いことが有利である。すなわち、異方性導電材料に用いられる導電粒子の性能にとって最も重要な点の一つは、低い初期抵抗と信頼性評価後の低い低抵抗増加である。 From the viewpoint of the energy efficiency of electronic devices when maintaining the electrical connection between electrodes, the connection resistance should be low initially and the increase in resistance should be low after high temperature and high humidity evaluation, for example, 85°C/85% reliability evaluation. Is advantageous. That is, one of the most important points for the performance of the conductive particles used for the anisotropic conductive material is low initial resistance and low low resistance increase after reliability evaluation.

例えば、日本特許第3581616号、同4052832号、同4113403号、同408137号、同3914206号などの特許は、低抵抗を実現するために、従来の導電層に抵抗が低い金属として、Ni − Ag、Ni − Cu、Ni − Au、Ni − B、Ni − Pなどを使用したり、または、導電層最外郭に信頼性に優れた金属として、Pt、Au、Pd、W、Co、Agなどを使用する方法を提示しており、 日本特許第4674096号、同4593302号、同4860163号、同3083535号、同4718926号、同4589810号などの特許は、電極の酸化皮膜を容易に突き抜け入っ抵抗を下げる方法を提案している。 For example, patents such as Japanese Patent Nos. 3581616, 4052832, 4113403, 408137, and 3914206 disclose Ni-Ag as a metal having low resistance in a conventional conductive layer in order to realize low resistance. , Ni-Cu, Ni-Au, Ni-B, Ni-P, or the like, or Pt, Au, Pd, W, Co, Ag, or the like is used as a highly reliable metal in the outermost periphery of the conductive layer. The method of use is presented. Patents such as Japanese Patent Nos. 4674096, 4593302, 4860163, 3083535, 4718926, and 4589810 easily penetrate the oxide film of the electrode to obtain resistance. Proposing a way to lower it.

また、日本特許3898510号、同4278374号、同4593302号、同4593302号、同4674119号、同5421982号、同6049461号などの特許は、導電粒子の強度と回復率を利用した方法を提示している。 しかしながら、これら方法は、 導電粒子の物理的性質の一部のみを用いる方法として有効な異方性導電材料の接合抵抗を達成するには限界がある。 Further, patents such as Japanese Patent Nos. 3898510, 4278374, 4593302, 4593302, 4674119, 5421982, and 6049461 provide methods utilizing the strength and recovery rate of conductive particles. There is. However, these methods have a limit in achieving the junction resistance of the anisotropic conductive material effective as a method using only a part of the physical properties of the conductive particles.

例えば、導電粒子の突起が存在し、圧縮時の強度が高ければ、電極の酸化皮膜を突き抜けて入ることが容易である。しかしながら、それだけでは突起がある導電粒子の強度が高ければ接続抵抗と信頼性の抵抗がすべて低くなるのは難しい。異方性導電材料の接合は、 通常、加圧/加熱条件下で 異方性導電材料の樹脂が時間を置いて硬化されるメカニズムを持つからである。 すなわち、瞬間的な硬化ではなくある程度の時間を要するため、異方性導電材料の樹脂が完全硬化するまでには、導電粒子の弾性変形が少なく接続抵抗が低い点が考慮されるべきで、優れた異方性導電材料を実装することができるからである。 For example, if there are projections of conductive particles and the strength during compression is high, it is easy to penetrate through the oxide film of the electrode and enter. However, if only the strength of the conductive particles having protrusions is high, it is difficult to reduce both the connection resistance and the reliability resistance. This is because the joining of anisotropic conductive materials usually has a mechanism in which the resin of anisotropic conductive materials is cured over time under pressure/heating conditions. In other words, since it takes a certain amount of time rather than instantaneous curing, it should be taken into consideration that the elastic resistance of the conductive particles is low and the connection resistance is low until the resin of the anisotropic conductive material is completely cured. This is because an anisotropic conductive material can be mounted.

日本特許第3581616号公報Japanese Patent No. 3581616 日本特許第3898510号公報Japanese Patent No. 3898510 日本特許第4052832号公報Japanese Patent No. 4052832 日本特許第4113403号公報Japanese Patent No. 4113403 日本特許第408137号公報Japanese Patent No. 408137 日本特許第3914206号公報Japanese Patent No. 3914206 日本特許第4674096号公報Japanese Patent No. 4674096 日本特許第4593302号公報Japanese Patent No. 4593302 日本特許第4860163号公報Japanese Patent No. 4860163 日本特許第3083535号公報Japanese Patent No. 3083535 日本特許第4718926号公報Japanese Patent No. 4718926 日本特許第4589810号公報Japanese Patent No. 4589810 日本特許第4278374号公報Japanese Patent No. 4278374 日本特許第4593302号公報Japanese Patent No. 4593302 日本特許第4674119号公報Japanese Patent No. 4674119 日本特許第5421982号公報Japanese Patent No. 5421982 日本特許第6049461号公報Japanese Patent No. 6049461

本発明の実施例が解決しようとする技術的課題は、前述した問題点に鑑みてなされたものであり、電極の酸化皮膜を 容易に突き抜け接続して、初期接続の抵抗値が低い、 弾性によって回復されず、高温/高湿下でも抵抗の増加も低く、信頼性に優れた導電粒子、異方性導電材料および接続構造体を提供することを目的とする。 The technical problems to be solved by the embodiments of the present invention have been made in view of the above-described problems, and the oxide film of the electrode can be easily penetrated to make a connection, and the resistance value of the initial connection is low. An object of the present invention is to provide a conductive particle, an anisotropic conductive material, and a connection structure which are not recovered and have a small increase in resistance even under high temperature/high humidity and which are excellent in reliability.

本発明の一態様に係る導電粒子は、
電極間に含まれてい前記電極同士を電気的に接続するための電極間粒子として、前記電極のうち少なくとも一方の電極の表面に酸化皮膜が備えられ、
前記導電粒子は、絶縁性コアと前記コアの表面に設けられた導電層、またはコアの表面に突起を有する導電層を含めて、
微小圧縮試験機を用いて前記導電粒子を25℃で圧縮したときの、導電粒子の変形率をx軸x軸とし、下記[1]として定められる押込加工の弾性部割合をy軸とする場合にプロットしたグラフにおいて、
第1の不連続点以後に 押込加工の弾性部割合が一定に保たれる区間(a)と、 第2の不連続点以後にx押込加工の弾性部割合(elastic part of indentation work)が一定に保たれる区間(b)との間の導電粒子の押込加工の弾性部割合と変形率の範囲で、前記導電層または前記突起を有する導電層によって前記酸化皮膜が貫通または破壊されることを特徴とする。
Conductive particles according to one embodiment of the present invention,
As inter-electrode particles for electrically connecting the electrodes contained between the electrodes, an oxide film is provided on the surface of at least one of the electrodes,
The conductive particles include an insulating core and a conductive layer provided on the surface of the core, or a conductive layer having a protrusion on the surface of the core,
When the conductive particles are compressed at 25° C. using a micro compression tester, the deformation rate of the conductive particles is x-axis and x-axis, and the elastic portion ratio of the indenting process defined as [1] below is the y-axis. In the graph plotted in
Section (a) in which the proportion of the elastic part of the indentation is kept constant after the first discontinuity, and the proportion of the elastic part of the indentation (x) is constant after the second discontinuity. The oxide film is penetrated or destroyed by the conductive layer or the conductive layer having the protrusions within the range of the elastic portion ratio and the deformation rate of the indentation process of the conductive particles between the section (b) kept at. Characterize.

前記区間bの以後の区間での変形率による押込加工の弾性部割合の平均変形量c(すなわち、傾き)は−1≦c≦4であり、前記区間bの以後の区間で押込加工の弾性部割合は区間aと区間bの間区間の最大押込加工の弾性部割合よりも小さい。 The average deformation amount c (that is, the slope) of the elastic portion ratio of the indenting process according to the deformation rate in the interval after the interval b is −1≦c≦4, and the elasticity of the indentation operation is in the interval after the interval b. The part ratio is smaller than the elastic part ratio of the maximum indentation between the sections a and b.

そして、前記導電粒子の変形率が17.4〜70.0%の範囲で、酸化皮膜を貫通または破断させることができる。 Then, the oxide film can penetrate or break when the deformation rate of the conductive particles is in the range of 17.4 to 70.0%.

そして、前記絶縁性コアの表面は活性化処理された面であることができる。 The surface of the insulating core may be an activation-treated surface.

そして、前記活性化処理された面は、オゾン処理、電子線処理、プラズマ処理およびコロナ処理からなる群から選択される処理によって処理された面であることができる。 The activation-treated surface may be a surface treated by a treatment selected from the group consisting of ozone treatment, electron beam treatment, plasma treatment and corona treatment.

そして、前記絶縁性コアは、前記活性化処理面に付着した触媒の下で、前記導電層がメッキされることができる。 The insulating core may be plated with the conductive layer under a catalyst attached to the activation surface.

そして、前記絶縁性コアは樹脂微粒子またはハイブリッド粒子であることができる。 The insulating core may be resin particles or hybrid particles.

また、前記樹脂微粒子は、ウレタン系、スチレン系、アクリレート系、ベンゼン系、エポキシ系、アミン系、イミド系から選ばれるモノマー、またはそれらの変性モノマー、あるいはこれらの混合モノマーの共重合体であってもよい。 The resin fine particles are monomers selected from urethane series, styrene series, acrylate series, benzene series, epoxy series, amine series, imide series, or modified monomers thereof, or copolymers of these mixed monomers. Good.

そして、前記ハイブリッド粒子は、有機コアと前記有機コアを取り囲む無機シェルとの構造を有する粒子、または無機コアと前記無機コアを取り囲む有機シェルとの構造を有する粒子であることができる。 The hybrid particles may be particles having a structure of an organic core and an inorganic shell surrounding the organic core, or particles having a structure of an inorganic core and an organic shell surrounding the inorganic core.

そして、 前記有機コアまたは有機シェルは、ウレタン系、スチレン系、アクリレート系、ベンゼン系、エポキシ系、アミン系 およびイミド系から選択されるモノマー、またはそれらの変性モノマー、または前記モノマーの混合モノマーから提供されるのができる。 The organic core or the organic shell is provided by a monomer selected from urethane series, styrene series, acrylate series, benzene series, epoxy series, amine series and imide series, or a modified monomer thereof, or a mixed monomer of the above monomers. Can be done.

そして、 前記無機コアまたは無機シェルは、Si、Ti、Al、Zr、BaおよびWから選択される金属の酸化物、窒化物または炭化物から提供されるのができる。 And, the inorganic core or the inorganic shell may be provided from an oxide, nitride or carbide of a metal selected from Si, Ti, Al, Zr, Ba and W.

そして、前記導電層上に、絶縁層または絶縁粒子をさらに含むことができる。 An insulating layer or insulating particles may be further included on the conductive layer.

そして、前記導電粒子は、導電粒子の最表面に防錆処理をさらに施すことができる。 The conductive particles may be further subjected to a rust preventive treatment on the outermost surface of the conductive particles.

本発明の他の態様に係る異方性導電材料は、前記導電粒子を含有する異方性導電材料である。 An anisotropic conductive material according to another aspect of the present invention is an anisotropic conductive material containing the conductive particles.

本発明の他の態様に係る異方性導電材料は、前記導電粒子を含む接続構造体である。 An anisotropic conductive material according to another aspect of the present invention is a connection structure containing the conductive particles.

本発明の他の態様に係る異方性導電材料は、前記導電粒子を含む 電気・電子部品である。 An anisotropic conductive material according to another aspect of the present invention is an electric/electronic component including the conductive particles.

本発明の実施形態に係る導電粒子は、初期の電気抵抗が低く、高温/高湿信頼性試験後に抵抗上昇が低い異方性導電材料と接続構造体を製造することができる。 The conductive particles according to the embodiment of the present invention have low initial electrical resistance, and can be used to manufacture an anisotropic conductive material and a connection structure having a low resistance increase after a high temperature/high humidity reliability test.

すなわち、本発明の実施形態に係る導電粒子は、酸化皮膜の破壊時点と異方性導電材料として樹脂の硬化度を考慮して、導電粒子を設計して、初期の電気抵抗が低く、接続信頼性を高める効果がある。 That is, the conductive particles according to the embodiment of the present invention are designed such that the conductive particles are designed in consideration of the time when the oxide film is destroyed and the curing degree of the resin as the anisotropic conductive material, and the initial electric resistance is low and the connection reliability is high. It has the effect of enhancing sex.

図1は、 押込加工の弾性部割合の概念を説明するグラフである。FIG. 1 is a graph for explaining the concept of the elastic portion ratio of indentation processing. 図2は、導電粒子の変形率の変化によるnIT値のグラフである。FIG. 2 is a graph of nIT values according to changes in the deformation rate of conductive particles.

以下、本発明を詳細に説明する前に、本明細書で使用される用語は 特定の実施形態を説明することのみを目的としており、特許請求の範囲によってのみ 定義されるように本発明の範囲を限定することを意図しない。 本明細書で使用されるすべての技術的および科学的用語は、違っ特定されない限り、 技術的には通常の技術を有する者に一般的に理解されているのと同じ意味を有する。 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Before describing the present invention in detail below, the terms used herein are for the purpose of describing particular embodiments only, and the scope of the present invention as defined only by the claims. Is not intended to be limiting. All technical and scientific terms used herein have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art, unless specified otherwise.

本明細書および特許請求の範囲を通して、違っ特定されない限り、「含む」、「備える」という単語は、記載された冠詞、ステップまたは冠詞の物建、ステップ、 または一群の物建、およびステップを含むことを 意味し、任意にいくつかの他の 物建、 ステップ、または一群の物建、およびステップを除外する 意味として使用されたものではない。 Throughout the specification and claims, unless otherwise specified, the words "comprising", "comprising" include the listed articles, steps or constructions of articles, steps, or groups of constructions and steps. It is not meant to exclude any other building, step, or group of building, and steps, arbitrarily.

一方、本発明の様々な実施形態は、明確な対応点がない限り、他の任意の実施形態と組み合わせることができる。 具体的にまたは有利であると示されている任意の特徴は、好ましいまたは有利であると示されている他の任意の特徴と組み合わせることができる。 On the other hand, various embodiments of the invention may be combined with any other embodiment, unless there is a clear correspondence. Any feature specifically or indicated as advantageous may be combined with any other feature or features indicated as preferred or advantageous.

以下の明細書で説明される押込加工の弾性部割合は、導電粒子の変形率に応じた押込加工の弾性部割合値(nIT)は、以下のように定義する: The elastic part ratio of indentation described in the following specification is defined as the elastic part ratio value (nIT) of indentation according to the deformation rate of the conductive particles as follows:

(ここで、Welastic :弾性部分の押込加工(Indentation work)、Wplastic :可塑性部分の押込加工、nIT : 押込加工の弾性部割合値) (Welastic: Indentation work of elastic part, Wplastic: Indentation of plastic part, nIT: Elastic part ratio value of indentation)

図1は、 押込加工の弾性部割合の概念を説明するグラフである。 押込加工の弾性部割合(nIT)は、微小圧縮試験機(MCT; Micro Compress Tester)を用いて測定することができる。印加荷重を変えて粒子の変形量を測定することにより、nIT値を得ることができる。このとき、変形量は圧子(indentor)の最大移動距離(hmax)を用いる。例えば、実施例3の場合、導電粒子を5mNで測定したとき、圧子の最大移動距離は1.397μmであり、このとき導電粒子の変形率は43.0%であり、Wtは2.593nJであり、Weは0.896nJであり、nITは34.6%である。したがって、測定率に応じたnITは測定される荷重を徐々に大きくすることにより、nIT値を得ることができる。 FIG. 1 is a graph for explaining the concept of the elastic portion ratio of indentation processing. The elastic portion ratio (nIT) of the indentation process can be measured using a micro compression tester (MCT). The nIT value can be obtained by changing the applied load and measuring the amount of deformation of the particles. At this time, the maximum movement distance (hmax) of the indentor is used as the deformation amount. For example, in the case of Example 3, when the conductive particles were measured at 5 mN, the maximum moving distance of the indenter was 1.397 μm, the deformation rate of the conductive particles was 43.0%, and Wt was 2.593 nJ. Yes, We is 0.896 nJ and nIT is 34.6%. Therefore, the nIT value according to the measurement rate can be obtained by gradually increasing the measured load.

前記nIT値は、微小圧縮試験機(FISHERSCOPE HM2000)および一辺の長さが50mの平面圧子を用いて測定される。前記導電粒子の変形率に応じたnIT値の測定条件は、25℃における圧子の下降速度が0.33mN /秒、上昇速度が10秒で0.1mNである。 このとき、粒子の変形量は圧子の最大移動距離(hmax)で測定される。 The nIT value is measured using a micro compression tester (FISHERSCOPE HM2000) and a plane indenter having a side length of 50 m. The measurement conditions of the nIT value according to the deformation rate of the conductive particles are as follows: the indenter descending speed at 25° C. is 0.33 mN/sec, and the ascending speed is 0.1 mN at 10 sec. At this time, the amount of deformation of the particles is measured by the maximum moving distance (hmax) of the indenter.

以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples.

本発明の実施形態に係る導電粒子は、電極間に介在し、電極間を電気的に接続する導電粒子であり、少なくとも一方の電極の表面には酸化皮膜が設けられている。前記導電粒子は、絶縁性コアと、前記コア表面に設けられた導電層とを含む。 The conductive particles according to the embodiment of the present invention are conductive particles that are interposed between the electrodes and electrically connect the electrodes, and an oxide film is provided on the surface of at least one of the electrodes. The conductive particles include an insulating core and a conductive layer provided on the surface of the core.

図1は、本発明の一実施形態に係る導電粒子を、微小圧縮試験機(FISHERSCOPE HM2000)を用いて25℃で圧縮した結果を示すグラフである。 このとき、導電粒子の変形率をx軸とし、前記式(1)で求められる押込加工の弾性部割合をy軸とする。 FIG. 1 is a graph showing the results of compressing conductive particles according to an embodiment of the present invention at 25° C. using a micro compression tester (FISHERSCOPE HM2000). At this time, the deformation rate of the conductive particles is taken as the x-axis, and the elastic portion ratio of the indentation obtained by the above equation (1) is taken as the y-axis.

これによれば、グラフは2つの不連続点、すなわち第1の不連続点および第2の不連続点を有し、各不連続点の後でnITが一定のままである2つの区間を有する。第1の不連続後にnITが一定に保たれる期間を間隔aと呼び、第2の不連続後にnITが一定に保たれる期間を間隔bと呼ぶ。 第一不連続点は、導電粒子の導電層が破壊された支点であり、第二不連続点は、絶縁性コアの 破壊された支点である。 このとき、説明の都合上一定としているが、実際の実験では多少異なる場合がある。 According to this, the graph has two discontinuities, namely the first discontinuity and the second discontinuity, and after each discontinuity the two intervals in which nIT remains constant. .. The period during which nIT is kept constant after the first discontinuity is called interval a, and the period during which nIT is kept constant after the second discontinuity is called interval b. The first discontinuity is the fulcrum at which the conductive layer of the conductive particles is destroyed, and the second discontinuity is the fulcrum at which the insulating core is destroyed. At this time, although it is constant for convenience of explanation, it may be slightly different in an actual experiment.

このとき、間隔aと間隔bとの間に電極の酸化皮膜の破断が生じる。 すなわち、チップの電極および基板の電極と接触する導電粒子の導電層または突起を有する導電層は、導電層の破壊が生じる間隔aの後に酸化皮膜を突き抜けて入るならない。 導電層が破壊する前に酸化皮膜が貫通していると、導電粒子の硬度が強すぎるため、導電粒子の変形が小さい状態で接続が行われ接続信頼性が弱くなり、通常、導電粒子の変形の60〜80%の変形で電気的接続が行われるようにする電子製品の設計仕様に合わなくなる。 At this time, the oxide film of the electrode is broken between the space a and the space b. That is, the conductive layer of the conductive particles or the conductive layer having the protrusions, which is in contact with the electrode of the chip and the electrode of the substrate, should not penetrate through the oxide film after the interval a at which the destruction of the conductive layer occurs. If the oxide film penetrates before the conductive layer is destroyed, the hardness of the conductive particles is too strong, so the connection is made in a state where the deformation of the conductive particles is small and the connection reliability becomes weak. With 60% to 80% of the deformation, it becomes impossible to meet the design specifications of the electronic product that makes the electrical connection.

したがって、導電粒子は、導電層が破壊された後、変形率の増加に応じて、 押込加工の弾性部割合が大きくなる状態で、導電層または突起状の導電層が電極の酸化皮膜を貫通できる力を発現できるように設計する必要がある。 Therefore, after the conductive layer is destroyed, the conductive particles can penetrate the oxide film of the electrode by the conductive layer or the protruding conductive layer in a state where the elastic portion ratio of the indenting process increases in accordance with the increase in the deformation rate. It must be designed so that it can exert force.

このとき、酸化皮膜が破断した時点における導電粒子の変形率は、17.4〜70.0%、好ましくは24.6〜67.1%、より好ましくは30.0〜65.0%、さらに好ましくは50.0〜60.3%である。 At this time, the deformation rate of the conductive particles at the time when the oxide film is broken is 17.4 to 70.0%, preferably 24.6 to 67.1%, more preferably 30.0 to 65.0%, and further It is preferably 50.0 to 60.3%.

本発明の実施形態に係る導電粒子を異方性導電材料の電気的接続材料として使用する場合には、異方性導電フィルムを 接合しようとする電極間に 位置させて、 異方性導電フィルムの樹脂を加熱/加圧下で 硬化させて上下の電極を導電粒子で接続する方法を使用する。 When the conductive particles according to the exemplary embodiment of the present invention are used as an electrical connecting material for an anisotropic conductive material, the anisotropic conductive film is placed between electrodes to be bonded, The method of curing the resin under heat/pressure and connecting the upper and lower electrodes with conductive particles is used.

異方性導電材料の樹脂が硬化することにより、内部の導電粒子が一緒に固定されて、電気的な接続状態がそのまま維持され、接続安定性が確保される。 By curing the resin of the anisotropic conductive material, the conductive particles inside are fixed together, the electrical connection state is maintained as it is, and the connection stability is secured.

このとき、異方性導電フィルム樹脂の75〜95%の硬化反応は加熱/加圧条件下で行われるが、残りの5〜25%は加熱/加圧条件を解除した後に行われる。このように、加熱/加圧条件を解除した後の導電粒子の押込加工の弾性部割合が大きいと、まだ完全に硬化されていない異方性導電材料と上下電極間の間隔をボルリゲされる原因となって、これ以降の接続抵抗を大幅に増加する原因として作用する。 At this time, the curing reaction of 75 to 95% of the anisotropic conductive film resin is performed under heating/pressurizing conditions, and the remaining 5 to 25% is performed after releasing the heating/pressurizing conditions. In this way, if the elastic part ratio of the indentation process of the conductive particles after releasing the heating/pressurizing condition is large, the gap between the upper and lower electrodes and the anisotropic conductive material that has not been completely cured may be borliged. And acts as a cause for greatly increasing the connection resistance thereafter.

したがって、本発明の実施形態に係る導電粒子は、区間bを超えるのひずみによる押込加工の弾性部割合(nIT)の増加が非常に制限的に行われるように設計される。すなわち、区間b以降の区間における変形率の変化に応じた押込加工の弾性部割合の平均変形量c(すなわち傾き)は、−1≦c≦4、好ましくは−0.5≦c≦3.0が好ましく、−0.3≦c≦2.5がより好ましく、−0.2≦c≦2.0がさらに好ましい。 また、区間b以降の区間では、圧痕の弾性部分が働き、区間aと区間bとの間の区間では、圧痕の最大弾性部分は小さくなる。 Therefore, the conductive particles according to the embodiment of the present invention are designed so that the increase in the elastic portion ratio (nIT) of the indentation processing due to the strain beyond the section b is extremely limited. That is, the average deformation amount c (that is, the slope) of the elastic portion ratio of the indentation processing in accordance with the change in the deformation rate in the section after the section b is −1≦c≦4, preferably −0.5≦c≦3. 0 is preferable, -0.3≤c≤2.5 is more preferable, and -0.2≤c≤2.0 is further preferable. Further, the elastic portion of the indentation works in the section after the section b, and the maximum elastic portion of the indentation becomes small in the section between the section a and the section b.

この場合、区間aおよび区間bでは、圧痕加工の弾性部が高いため、酸化皮膜を貫通するのに適しており、また、区間b以降の圧痕加工の弾性部の変形率が低いため、好適である。異方性導電フィルム樹脂が完全硬化する前であっても、導電粒子の弾性が高いために接続が不安定になることはない。 In this case, in the sections a and b, the elastic portion of the indentation process is high, so that it is suitable for penetrating the oxide film, and since the deformation rate of the elastic portion of the indentation process after the section b is low, it is preferable. is there. Even before the anisotropic conductive film resin is completely cured, the elasticity of the conductive particles is high, so that the connection does not become unstable.

前記導電粒子の絶縁性コアは特に限定されない。例えば、樹脂微粒子や有機/無機ハイブリッド粒子を用いてもよい。 The insulating core of the conductive particles is not particularly limited. For example, resin fine particles or organic/inorganic hybrid particles may be used.

前記樹脂微粒子は、ウレタン系、スチレン系、アクリレート系、ベンゼン系、エポキシ系、アミン系、イミド系などのモノマー、それらの変性モノマー、またはこれらの混合モノマーを用いて調製することができる。それらは、シード重合、分散重合、懸濁重合、乳化重合などによって重合することができる。 The resin fine particles can be prepared using urethane-based, styrene-based, acrylate-based, benzene-based, epoxy-based, amine-based, imide-based monomers, modified monomers thereof, or mixed monomers thereof. They can be polymerized by seed polymerization, dispersion polymerization, suspension polymerization, emulsion polymerization and the like.

前記有機/無機ハイブリッド粒子は、コアが有機材料の場合はシェルが無機材料であり、コアが無機材料の場合はシェルが有機材料であるコアシェル構造を有する。有機材料としては、上述のモノマーもしくはその変性モノマー、または混合モノマーを用いることができる。無機材料としては、SiO、TiO、Al、ZrOなどの酸化物、-AlN、Si、TiN、BaN-などの窒化物、WC、TiC、SiCなどの炭化物を用いることができる。 The organic/inorganic hybrid particles have a core-shell structure in which the shell is an inorganic material when the core is an organic material and the shell is an organic material when the core is an inorganic material. As the organic material, the above-mentioned monomers, modified monomers thereof, or mixed monomers can be used. As the inorganic material, oxides such as SiO 2 , TiO 2 , Al 2 O 3 and ZrO 2 ; nitrides such as —AlN, Si 3 N 4 , TiN and BaN −; and carbides such as WC, TiC and SiC are used. be able to.

シェルは、化学的塗布法、ゾル - ゲル法、スプレー塗布法、CVD(化学的気相成長)法、PVD(物理的気相成長)法、メッキ法などにより形成することができる。粒子は、無機粒子が有機マトリックス中に分散しているタイプ、または有機粒子が無機マトリックス中に分散しているタイプ、または有機粒子と無機粒子とが50:50の比率にあるタイプも可能である。 The shell can be formed by a chemical coating method, a sol-gel method, a spray coating method, a CVD (chemical vapor deposition) method, a PVD (physical vapor deposition) method, a plating method, or the like. The particles can also be of the type in which the inorganic particles are dispersed in the organic matrix, or of the type in which the organic particles are dispersed in the inorganic matrix, or of the type in which the ratio of organic particles to inorganic particles is 50:50. ..

前記導電粒子の導電層の材料は特に限定されない。一般的な金属、例えば、金、銀、ニッケル、銅、スズ、亜鉛、チタンなどの単一金属、およびスズ - 鉛、スズ - 銅、スズ - 亜鉛、ニッケル - などの二種合金リン、ニッケル - ホウ素およびニッケル - タングステン、銅 - 亜鉛 - スズ、ニッケル - リン - タングステン、ニッケル - ホウ素 - タングステンおよびニッケル - リン - コバルトなどの3種以上の合金を使用することができる。あるいは、単一の金属層の上に2種類または3種類の合金の導電層を形成する。 The material of the conductive layer of the conductive particles is not particularly limited. Common metals, for example, single metals such as gold, silver, nickel, copper, tin, zinc, titanium, and binary alloys such as tin-lead, tin-copper, tin-zinc, nickel-phosphorus, nickel- Three or more alloys such as boron and nickel-tungsten, copper-zinc-tin, nickel-phosphorus-tungsten, nickel-boron-tungsten and nickel-phosphorus-cobalt can be used. Alternatively, a conductive layer of two or three kinds of alloys is formed on a single metal layer.

前記導電粒子の導電層の厚さは、30〜300nm程度が適当である。導電層の厚さが薄いと抵抗値が高くなる。導電層の厚みが大きすぎると、異方性導電材料との加熱/加圧の圧着条件で導電粒子がわずかに変形しても導電層と絶縁性コアとが剥離が起き製品の信頼性が低下する。好ましい厚さは80〜200nmである。 The thickness of the conductive layer of the conductive particles is preferably about 30 to 300 nm. If the conductive layer is thin, the resistance value becomes high. If the thickness of the conductive layer is too large, the conductive layer and the insulating core will peel off even if the conductive particles are slightly deformed under the pressure condition of heating/pressurizing with the anisotropic conductive material, and the product reliability will decrease. To do. The preferred thickness is 80-200 nm.

場合によっては、導電粒子の導電層の表面層は、金、銀、白金、またはパラジウムなどの貴金属を含有する。導電粒子の導電性が高まり、酸化防止の効果も得られるからである。前記層の形成方法は特に限定されない。一般的なスパッタリング法、めっき法、蒸着法などの従来公知の技術を用いることができる。 In some cases, the surface layer of the conductive layer of the conductive particles contains a noble metal such as gold, silver, platinum, or palladium. This is because the conductivity of the conductive particles is increased and the effect of preventing oxidation is also obtained. The method for forming the layer is not particularly limited. Conventionally known techniques such as a general sputtering method, a plating method, and a vapor deposition method can be used.

前記導電粒子の突起の材質は特に限定されない。本発明の導電粒子を異方性導電材料に用いる場合には、圧着接合工程において樹脂バインダーと金属酸化物膜とを破壊するのに十分な硬度を有していればよい。 The material of the protrusions of the conductive particles is not particularly limited. When the conductive particles of the present invention are used as the anisotropic conductive material, it is sufficient that the conductive particles have a hardness sufficient to destroy the resin binder and the metal oxide film in the pressure bonding step.

最も効果的な材料は金属です。金属は特に限定されない。例えば、金、銀、銅、ニッケル、チタン、タングステン、コバルト、ビスマス、パラジウムもしくはアンチモンのような単一金属、または銅 - 亜鉛、銅 - スズ、ニッケル - リン、ニッケル - タングステンもしくはニッケルのような2種の合金、銅 - 亜鉛 - スズ、ニッケル - リン - タングステン、ニッケル - ホウ素 - タングステン、ニッケル - リン - コバルト、ニッケル - リン - パラジウムおよびニッケル - ホウ素 - パラジウムのような3種以上の合金を使用することができる。 The most effective material is metal. The metal is not particularly limited. For example, a single metal such as gold, silver, copper, nickel, titanium, tungsten, cobalt, bismuth, palladium or antimony, or two such as copper-zinc, copper-tin, nickel-phosphorus, nickel-tungsten or nickel. Alloys of three or more, such as copper-zinc-tin, nickel-phosphorus-tungsten, nickel-boron-tungsten, nickel-phosphorus-cobalt, nickel-phosphorus-palladium and nickel-boron-palladium. be able to.

前記突起の大きさは特に限定されない。突起の好ましい大きさは、50nm〜500nmの凸形状である。突起の大きさが小さすぎても大きすぎても、金属酸化物層とバインダー樹脂とを破壊する効果が弱くなる。したがって、突起の大きさは100〜300nmがより好ましい。 The size of the protrusion is not particularly limited. A preferable size of the protrusion is a convex shape of 50 nm to 500 nm. If the size of the protrusion is too small or too large, the effect of destroying the metal oxide layer and the binder resin becomes weak. Therefore, the size of the protrusion is more preferably 100 to 300 nm.

本発明の実施形態に係る導電粒子の製造方法は、特に限定されない。例えば、触媒材料を絶縁性コアの表面に塗布し、導電層および突起部を無電解メッキによって形成することができる。小さい金属または無機粒子を絶縁性微粒子に付着させることができ、無電解めっきを行って導電層および突起を形成することができる。 The method for producing the conductive particles according to the embodiment of the present invention is not particularly limited. For example, a catalyst material can be applied to the surface of the insulating core, and the conductive layer and the protrusions can be formed by electroless plating. Small metal or inorganic particles can be attached to the insulating microparticles and electroless plating can be performed to form the conductive layers and protrusions.

コア表面を活性化することは、前記触媒材料を塗布する前に実施することができる。活性化表面と接触するように触媒材料を提供することが望ましい。 Activating the core surface can be performed before applying the catalyst material. It is desirable to provide the catalytic material in contact with the activated surface.

活性化処理は、触媒材料を改善された接着力で表面に付与するために行われる。活性化処理は、オゾン処理、電子線照射、またはプラズマもしくはコロナ処理により行うことができる。 オゾンを投入することが反応の間に適用しやすいので好ましい。 The activation treatment is carried out in order to apply the catalytic material to the surface with improved adhesion. The activation treatment can be performed by ozone treatment, electron beam irradiation, or plasma or corona treatment. It is preferable to add ozone because it is easily applied during the reaction.

オゾン処理は、容器、装置、配管の腐食性、処理時間の短縮を考慮して適切な量で実施することができる。導入されるオゾンの量は10から50,000ppmの範囲であり得る。好ましくは50〜25,000ppmの範囲、より好ましくは100〜10,000ppmの範囲であり、この範囲内でコア表面に活性化処理を十分に施すことができる。 The ozone treatment can be carried out in an appropriate amount in consideration of the corrosiveness of the container, the apparatus and the piping and the shortening of the treatment time. The amount of ozone introduced can range from 10 to 50,000 ppm. It is preferably in the range of 50 to 25,000 ppm, more preferably in the range of 100 to 10,000 ppm, and within this range, the core surface can be sufficiently subjected to activation treatment.

本発明の実施形態に係る導電粒子の最外層は絶縁層を有することが好ましい。電子製品の小型化、高集積化に伴い電極のピッチが狭くなり、最外周に絶縁性粒子が存在しない場合には隣接する電極との間で電気的な導通がとられる。絶縁層を形成する方法としては、官能基を用いて絶縁性粒子と導電粒子の最外周とを化学的に結合させる方法、絶縁性溶液を溶媒に溶解させる方法、スプレーまたはディップで塗布する方法が挙げられる。 The outermost layer of the conductive particles according to the exemplary embodiment of the present invention preferably has an insulating layer. With the miniaturization and high integration of electronic products, the pitch of electrodes becomes narrower, and when there are no insulating particles on the outermost periphery, electrical conduction is established between adjacent electrodes. As a method for forming the insulating layer, there are a method of chemically bonding the insulating particles and the outermost periphery of the conductive particles using a functional group, a method of dissolving an insulating solution in a solvent, and a method of applying by spraying or dipping. Can be mentioned.

本発明の実施形態に係る導電層の導電粒子は、防錆処理されていることが好ましい。防食処理は、水との接触角を増大させて高湿度環境下での信頼性を向上させるとともに、不純物が水に溶けて接続部材の性能劣化を低減させる効果があるからである。したがって、防食剤は、疎水性を有することが好ましい。コーティングは、防食剤を溶媒に溶解し、続いて浸漬、噴霧などによって行うことができる。 The conductive particles of the conductive layer according to the embodiment of the present invention are preferably subjected to rust prevention treatment. This is because the anticorrosion treatment has an effect of increasing the contact angle with water to improve reliability in a high-humidity environment, and at the same time, reduces impurities' performance degradation of the connecting member by dissolving in water. Therefore, the anticorrosive agent preferably has hydrophobicity. The coating can be carried out by dissolving the anticorrosive agent in a solvent, followed by dipping, spraying and the like.

導電粒子の粒径は、特に限定されないが、5μm以下が好ましく、4μm以下がより好ましい。 本発明の導電粒子を用いて作製した異方性導電材料を電極間のギャップが極めて小さい場合に使用するため、5Å以上の距離を使用することはめったにない。 The particle size of the conductive particles is not particularly limited, but is preferably 5 μm or less, more preferably 4 μm or less. Since the anisotropic conductive material produced using the conductive particles of the present invention is used when the gap between the electrodes is extremely small, it is rare to use a distance of 5 Å or more.

導電粒子の平均直径は、粒度分析器(BECKMAN MULTISIZER TM 3)を用いて測定された最頻値を用いて決定される。 一例として,測定された導電粒子の数は75,000であった。 The average diameter of the conductive particles is determined using the mode measured using a particle size analyzer (BECKMAN MULTISIZER™ 3). As an example, the number of conductive particles measured was 75,000.

異方性導電材料は、本発明の実施形態に係る導電粒子を結着樹脂中に分散させることにより製造することができる。 異方性導電材料としては、異方性導電ペースト、異方性導電フィルム、異方性導電シートなどが挙げられる。 The anisotropic conductive material can be manufactured by dispersing the conductive particles according to the embodiment of the present invention in a binder resin. Examples of the anisotropic conductive material include an anisotropic conductive paste, an anisotropic conductive film, and an anisotropic conductive sheet.

樹脂バインダーは特に限定されない。例えば、スチレン系、アクリル系、酢酸ビニル系等のビニル系樹脂が挙げられる。ポリオレフィン系、ポリアミド系等の熱可塑性樹脂。ウレタン系樹脂、エポキシ系樹脂等の硬化性樹脂。これらの樹脂は、単独で又は二種以上組み合わせて使用できる。 BPO(Benzoyl Peroxide)などのラジカル開始剤またはTPO(Trimethylbenzoyl Phenylphosphinate)などの光開始剤、あるいはHX3941HPなどのエポキシ潜在性硬化剤は、樹脂の重合または硬化のために単独でまたは組み合わせて使用できる。また、異方性導電材料用結着樹脂には、本発明の目的を達成しない範囲で他の材料を添加してもよい。例えば、着色剤、柔軟剤、熱安定剤、光安定剤、酸化防止剤、および無機粒子。 The resin binder is not particularly limited. For example, vinyl-based resins such as styrene-based, acrylic-based and vinyl acetate-based resins can be used. Thermoplastic resins such as polyolefins and polyamides. Curable resin such as urethane resin and epoxy resin. These resins may be used alone or in combination of two or more. A radical initiator such as BPO (Benzoyl Peroxide) or a photoinitiator such as TPO (Trimethylbenzoyl Phenylphosphinate) or an epoxy latent curing agent such as HX3941HP can be used alone or in combination for polymerizing or curing the resin. Further, other materials may be added to the binder resin for anisotropic conductive material within a range not achieving the object of the present invention. For example, colorants, softeners, heat stabilizers, light stabilizers, antioxidants, and inorganic particles.

本発明の実施形態に係る異方性導電材料の製造方法は特に限定されない。例えば、導電粒子を樹脂バインダー中に均一に分散させて異方性導電ペーストとして使用したり、離型紙の上に薄く広げて異方性フィルムとして使用することができる。 The method for manufacturing the anisotropic conductive material according to the embodiment of the present invention is not particularly limited. For example, the conductive particles can be uniformly dispersed in a resin binder to be used as an anisotropic conductive paste, or can be spread thinly on a release paper and used as an anisotropic film.

本発明の接続構造体は、本発明の実施形態に係る導電粒子または本発明の実施形態に係る異方性導電材料を用いて回路基板間を回路基板間で接続する。例えば、スマートフォンの表示用半導体チップと回路を構成するガラス基板とを接続したり、μ-LEDやmini-LEDを回路基板に接続したりする手段として利用することができる。本発明の接続構造体は、回路の接続不良や急激な抵抗の増加による回路の誤動作を引き起こさない。 The connection structure of the present invention connects the circuit boards to each other using the conductive particles according to the embodiment of the present invention or the anisotropic conductive material according to the embodiment of the present invention. For example, it can be used as a means for connecting a display semiconductor chip of a smartphone to a glass substrate forming a circuit, or connecting a μ-LED or a mini-LED to a circuit board. The connection structure of the present invention does not cause a circuit malfunction due to a circuit connection failure or a sudden increase in resistance.

以下、実施例を挙げ本発明について具体的に開示する。下の実施例は、本発明を例示するためのものであり、本発明をこれらに限定しようとするわけではない。 Hereinafter, the present invention will be specifically disclosed with reference to Examples. The examples below are intended to illustrate the invention and are not intended to limit the invention thereto.

実施例 1
1) 絶縁性コアの合成
750gのモノマーTMPETA(Trimethylolpropane ethoxylate triacrylate)、40gのHDEDA(1,6-Hexanediol ethoxylate diacrylate)および750gのDVB(Divinylbenzene)を3Lガラスビーカーに添加し、そして5gの開始剤BPOを添加し、そして混合物を混合した。これを40kHzの超音波浴中で10分間処理して第一溶液を調製した。
Example 1
1) Synthesis of insulating core
750 g of monomer TMPETA (Trimethylolpropane ethoxylate triacrylate), 40 g of HDEDA (1,6-Hexanediol ethoxylate diacrylate) and 750 g of DVB (Divinylbenzene) were added to a 3 L glass beaker, and 5 g of initiator BPO was added, and the mixture was added. Mixed. This was treated in a 40 kHz ultrasonic bath for 10 minutes to prepare a first solution.

500gの分散安定剤PVP−30K(Polyvinylpyrrolidone-30K)および界面活性剤Solusol(Dioctyl sulfosuccinate sodium salt)を、5LのPPビーカー中の4,000gの脱イオン水に添加して第2の溶液を調製した。 A second solution was prepared by adding 500 g of dispersion stabilizer PVP-30K (Polyvinylpyrrolidone-30K) and surfactant Solusol (Dioctyl sulfosuccinate sodium salt) to 4,000 g of deionized water in a 5 L PP beaker. ..

第一溶液と第二溶液を50Lの反応器に入れ、41,000gの脱イオン水を加えた。溶液を超音波ホモジナイザー(20kHz、600W)で90分間処理し、溶液を120rpmで回転させながら85℃に加熱した。溶液が85℃に達した後、16時間を維持して重合工程の処理をした。 The first and second solutions were placed in a 50 L reactor and 41,000 g deionized water was added. The solution was treated with an ultrasonic homogenizer (20 kHz, 600 W) for 90 minutes and heated to 85° C. while rotating the solution at 120 rpm. After the temperature of the solution reached 85° C., the polymerization process was performed for 16 hours.

重合微粒子を濾過、洗浄、分級、乾燥して、絶縁性コアとしての樹脂微粒子を得た。絶縁性コアの平均直径は、粒度分析器(BECKMAN MULTISIZER TM3)を用いて測定された最頻値(mode)を用いて測定された。測定された絶縁性コアの数は75,000であった。平均直径は2.46 μmでした。 The polymerized fine particles were filtered, washed, classified and dried to obtain resin fine particles as an insulating core. The average diameter of the insulating core was measured using the mode measured using a particle size analyzer (BECKMAN MULTISIZER TM3). The number of insulating cores measured was 75,000. The average diameter was 2.46 μm.

2)粒子めっきプロセス
▲1▼ 触媒処理工程
25gの調製した絶縁性コアを800gの脱イオン水および1gの界面活性剤Triton X100の溶液に入れ、超音波浴で1時間処理して、洗浄および脱脂処理を行い、過剰の未反応モノマーおよび油性成分を除去した。絶縁性コア洗浄および脱脂工程の終わりに、40℃の脱イオン水を用いて水洗工程を3回行った。水洗工程の後、オゾン濃度200ppmの空気を用いて1時間バブリングを行った。溶液を200rpmで撹拌しながらオーバーヘッドスターラー(overhead stirrer)上でインペラーを用いて空気バブリングを行った。オゾン処理後、洗浄工程を1回だけ行った。
2) Particle plating process (1) Catalyst treatment process
25 g of the prepared insulating core was placed in a solution of 800 g of deionized water and 1 g of surfactant Triton X100, treated in an ultrasonic bath for 1 hour, washed and degreased to remove excess unreacted monomer and oiliness. The component was removed. At the end of the insulating core washing and degreasing step, the washing step was performed three times using deionized water at 40°C. After the water washing step, bubbling was performed for 1 hour using air having an ozone concentration of 200 ppm. Air bubbling was performed using an impeller on an overhead stirrer while stirring the solution at 200 rpm. After the ozone treatment, the cleaning process was performed only once.

続いてPd触媒処理。 150gの塩化第一スズおよび300gの35〜37%塩酸を600gの脱イオン水に溶解し、そして洗浄および脱脂した絶縁性コアを装入し、次いで30℃で30分間浸漬および撹拌して増感した。水で3回洗浄する。 Then Pd catalyst treatment. 150 g stannous chloride and 300 g 35-37% hydrochloric acid were dissolved in 600 g deionized water and charged with a washed and defatted insulating core, then sensitized by immersion and stirring for 30 minutes at 30°C. did. Wash 3 times with water.

脱イオン水600gに1gの塩化パラジウム、200gの35〜37%塩酸を添加し、40℃で1時間賦活処理を行った。 活性化処理後、水洗工程を3回行った。 To 600 g of deionized water, 1 g of palladium chloride and 200 g of 35-37% hydrochloric acid were added, and activation treatment was performed at 40° C. for 1 hour. After the activation treatment, a water washing step was performed 3 times.

活性化された絶縁性コアを、100gの35〜37%塩酸, および 600gの脱イオン水の溶液中に入れ、混合物を促進処理のために室温で10分間撹拌した(促進処理)。 促進処理後、3回水洗して無電解めっき用触媒処理絶縁芯材を得た。 The activated insulative core was placed in a solution of 100 g of 35-37% hydrochloric acid, and 600 g of deionized water and the mixture was stirred for 10 minutes at room temperature (accelerated treatment). After the accelerated treatment, it was washed three times with water to obtain a catalyst-treated insulating core material for electroless plating.

▲2▼ メッキ工程
5Lの反応器中で、3500gの脱イオン水、Ni塩としての260gの硫酸ニッケル、錯化剤としての5gの酢酸ナトリウム、2gの乳酸、安定剤としての0.001gのPb − アセテート、0.001gのチオ硫酸ナトリウム、界面活性剤としての1gのPEG − 1200, および0.02gの Triton X − 100を順番に溶解してめっき液を調製した(溶液(a))。触媒処理した絶縁性コアを調製した溶液(a)に入れ、超音波ホモジナイザーを用いて10分間分散させた。分散処理後、溶液(溶液(b))のpHをアンモニア水で5.5に調整した。
(2) Plating process
In a 5 L reactor, 3500 g deionized water, 260 g nickel sulphate as Ni salt, 5 g sodium acetate as complexing agent, 2 g lactic acid, 0.001 g Pb-acetate as stabilizer, 0. A plating solution was prepared by sequentially dissolving 001 g of sodium thiosulfate, 1 g of PEG-1200 as a surfactant, and 0.02 g of Triton X-100 (solution (a)). The catalyst-treated insulating core was put into the prepared solution (a) and dispersed using an ultrasonic homogenizer for 10 minutes. After the dispersion treatment, the pH of the solution (solution (b)) was adjusted to 5.5 with aqueous ammonia.

脱イオン水400g、還元剤として次亜リン酸ナトリウム300g、 安定剤としてチオ硫酸ナトリウム 0.0001gを1Lのビーカーに溶解して溶液(c)を調製した。溶液(c)を55℃の温度で計量ポンプにより毎分10gの量で5Lの反応器(溶液(b))に導入し、そして反応器の温度を加熱しそして30分に70℃に達するまで維持した。 A solution (c) was prepared by dissolving 400 g of deionized water, 300 g of sodium hypophosphite as a reducing agent, and 0.0001 g of sodium thiosulfate as a stabilizer in a 1 L beaker. Solution (c) is introduced into the 5 L reactor (solution (b)) by a metering pump at a temperature of 55° C. in an amount of 10 g/min, and the temperature of the reactor is heated and 30 minutes until 70° C. is reached. Maintained.

溶液(c)の添加が完了し、30分間維持した後、Niメッキ導電粒子を得た。 作製した導電粒子の突起(絶縁性微粒子)の大きさは、最表面の最大点同心円(DH)と最下点同心円(DL)を用いて、FE − SEM写真を用いて以下のようにして求めることができる。 After addition of the solution (c) was completed and maintained for 30 minutes, Ni-plated conductive particles were obtained. The size of the projections (insulating fine particles) of the produced conductive particles is obtained as follows using the FE-SEM photograph using the maximum point concentric circle (DH) and the lowermost point concentric circle (DL) on the outermost surface. be able to.

作製した導電粒子の突起のサイズは112nmであった。 The size of the protrusions of the produced conductive particles was 112 nm.

実施例 2
1500gのHDEDAを使用して絶縁性コアを合成した。 残りの工程は、上記で調製した絶縁性コア24gを使用して、実施例1と同じ方法で実施した。 製造された絶縁性コアの平均直径は2.53μmであった。 作製した導電粒子の突起のサイズは86nmであった。
Example 2
Insulating cores were synthesized using 1500 g HDEDA. The remaining steps were performed in the same manner as in Example 1, using the insulating core 24g prepared above. The average diameter of the produced insulating core was 2.53 μm. The size of the protrusions of the produced conductive particles was 86 nm.

実施例 3
800gのTMPETA、50gのHDEDAおよび800gのDVBを用いて絶縁性コアを合成した。 上記のようにして製造したインシュレータコア40gを用いて、実施例1と同様にして残りの工程を行った。 製造された絶縁性コアは3.04μmの平均直径を有していた。 作製した導電粒子の突起のサイズは135nmであった。
Example 3
An insulating core was synthesized with 800 g of TMPETA, 50 g of HDEDA and 800 g of DVB. The remaining steps were carried out in the same manner as in Example 1 using 40 g of the insulator core manufactured as described above. The insulating core produced had an average diameter of 3.04 μm. The size of the protrusions of the produced conductive particles was 135 nm.

実施例 4
1100gのTMMT(Tetramethylol Methane Tetaacrylate)および400gのDVBを用いて絶縁性コアを合成した。 残りの工程は、上記で調製した絶縁性コア25gを用いて実施例1と同様にして行った。 製造された絶縁性コアは2.96μmの平均直径を有していた。作製した導電粒子の突起のサイズは131nmであった。
Example 4
An insulating core was synthesized using 1100 g of TMMT (Tetramethylol Methane Tetaacrylate) and 400 g of DVB. The remaining steps were performed in the same manner as in Example 1 using 25 g of the insulating core prepared above. The insulating core produced had an average diameter of 2.96 μm. The size of the protrusions of the produced conductive particles was 131 nm.

実施例 5
800gのMMA(Methylmethacrylate)および800gのDVBを用いて絶縁性コアを合成した。 それ以外は実施例1と同様にして、上記で調製したインシュレータコア35gを用いて実施した。 作製したインシュレータコアの平均直径は3.80μmであった。 作製した導電粒子の突起のサイズは173nmであった。
Example 5
An insulating core was synthesized using 800 g of MMA (Methylmethacrylate) and 800 g of DVB. Other than that was performed like Example 1 using 35 g of the insulator cores prepared above. The average diameter of the produced insulator core was 3.80 μm. The size of the protrusions of the produced conductive particles was 173 nm.

実施例 6
1800gのHDEDAを使用して絶縁性コアを合成した。 それ以外は実施例1と同様にして、上記で調製したインシュレータコア35gを用いて実施した。 製造された絶縁性コアは4.80μmの平均直径を有していた。 作製した導電粒子の突起のサイズは153nmであった。
Example 6
An insulating core was synthesized using 1800 g HDEDA. Other than that was performed like Example 1 using 35 g of the insulator cores prepared above. The insulating core produced had an average diameter of 4.80 μm. The size of the protrusions of the produced conductive particles was 153 nm.

実施例 7
1650gのHDEDAを使用して絶縁性コアを合成した。 実施例1の触媒処理は、調製した40gの絶縁性コアを用いて行った。 実施例1と同じ条件のめっき液(a)、(b)、(c)を用い、液温(b)を65℃に保ち、液温(c)を 毎分10gの量の定量ポンプを使用して添加した。
Example 7
The insulating core was synthesized using 1650 g HDEDA. The catalyst treatment of Example 1 was performed using 40 g of the prepared insulating core. Using the plating solutions (a), (b), and (c) under the same conditions as in Example 1, the solution temperature (b) was kept at 65° C., and the solution temperature (c) was 10 g/min. And added.

溶液(c)の添加が完了し、30分間維持した後、Niメッキ導電粒子を得た。 製造された絶縁性コアは平均直径3.75μmを有していた。 作製した導電粒子の突起のサイズは30nmであった。 After addition of the solution (c) was completed and maintained for 30 minutes, Ni-plated conductive particles were obtained. The insulating core produced had an average diameter of 3.75 μm. The size of the protrusions of the produced conductive particles was 30 nm.

実施例 8
1500gのスチレンと250gのDVBを用いて絶縁性コアを合成した。 上記で調製した絶縁性コア45gを用いて、実施例1と同様にして残りの工程を行った。 製造された絶縁性コアは平均直径3.81μmを有していた。 作製した導電粒子の突起のサイズは164nmであった。
Example 8
An insulative core was synthesized using 1500 g styrene and 250 g DVB. The remaining steps were performed in the same manner as in Example 1 using 45 g of the insulating core prepared above. The insulating core produced had an average diameter of 3.81 μm. The size of the protrusions of the produced conductive particles was 164 nm.

実施例 9
前記実施例3の導電粒子を用いて絶縁性コアを被覆した。
1)絶縁性コアの製造
250mlのフラスコに10gのスチレン、3gのBA(Butyl acrylate)および150gの脱イオン水を入れて混合した。 この混合物に2.0gのPVP − 30Kと0.3gのペルオキソ二硫酸カリウム(Potassium peroxodisulfate)を加え、70℃で10時間攪拌した。 次いで、この反応液に3.0gのEGDMA(Ethylene glycol dimethylacrylate)と0.5gのPVA − 150(MW8,000- Polyvinyl Alchol)と30gの脱イオン水を加え、さらに70℃で12時間攪拌した。 反応混合物にさらにヘキサメチレンジアミン(Hexamethylenediamine) 3.0gを加え、50℃で24時間攪拌して平均粒径150nmの絶縁性コアを得た。 絶縁性コアをSEMによって確認し、平均直径を10個の粒子を測定することによって決定した。
Example 9
An insulating core was coated with the conductive particles of Example 3 above.
1) Manufacture of insulating core
A 250 ml flask was charged with 10 g of styrene, 3 g of BA (Butyl acrylate) and 150 g of deionized water and mixed. To this mixture, 2.0 g of PVP-30K and 0.3 g of potassium peroxodisulfate (Potassium peroxodisulfate) were added, and the mixture was stirred at 70° C. for 10 hours. Next, 3.0 g of EGDMA (Ethylene glycol dimethylacrylate), 0.5 g of PVA-150 (MW 8,000-Polyvinyl Alchol) and 30 g of deionized water were added to this reaction solution, and the mixture was further stirred at 70° C. for 12 hours. Hexamethylenediamine (3.0 g) was further added to the reaction mixture, and the mixture was stirred at 50° C. for 24 hours to obtain an insulating core having an average particle size of 150 nm. The insulating core was confirmed by SEM and the average diameter was determined by measuring 10 particles.

2)絶縁性微粒子のコーティング
調製した絶縁性コアを洗浄、濾過した後、メチルアルコール溶媒に投入して固形分5%の分散液を調製した。 500gのメタノール、20gの前記分散液および10gの実施例3の導電粒子を1Lのビーカーに添加し、混合物を50℃の超音波浴中で30分間超音波処理し、10時間撹拌した。絶縁性微粒子で被覆された導電粒子を調製する。
2) Coating of insulating fine particles
The prepared insulating core was washed, filtered, and then put into a methyl alcohol solvent to prepare a dispersion liquid having a solid content of 5%. 500 g of methanol, 20 g of the above dispersion and 10 g of the conductive particles of Example 3 were added to a 1 L beaker, the mixture was sonicated in a 50° C. ultrasonic bath for 30 minutes and stirred for 10 hours. A conductive particle coated with insulating fine particles is prepared.

実施例 10
500gの脱イオン水を20gのSG − 1(商品名:MSC社製)に加え、溶液の温度を60℃に保った。実施例3で調製した10gの導電粒子を入れた。溶液を60℃に保ち、5分間超音波処理した。超音波処理した導電粒子を洗浄、濾過、乾燥して防食性を有する導電粒子を得た。乾燥した防錆導電粒子を純水に投入したところ、純水に浮遊する導電粒子の重量比率が98%以上であることを確認し、防食処理を行った。
Example 10
500 g of deionized water was added to 20 g of SG-1 (trade name: manufactured by MSC), and the temperature of the solution was kept at 60°C. 10 g of conductive particles prepared in Example 3 were added. The solution was kept at 60° C. and sonicated for 5 minutes. The ultrasonically treated conductive particles were washed, filtered, and dried to obtain anticorrosive conductive particles. When the dried anticorrosive conductive particles were poured into pure water, it was confirmed that the weight ratio of the conductive particles floating in the pure water was 98% or more, and anticorrosion treatment was performed.

比較例 1
1600gのMMAおよび250gのDVBを用いて絶縁性コアを合成した。 オゾン処理を行った以外は、実施例1と同様にして、準備した 絶縁性コア40gを用いた以外の工程を行った。 製造された絶縁性コアは4.71μmの平均直径を有していた。 作製した導電粒子の突起のサイズは184nmであった。
Comparative example 1
An insulating core was synthesized with 1600 g MMA and 250 g DVB. In the same manner as in Example 1 except that ozone treatment was performed, steps other than using the prepared insulating core 40g were performed. The insulating core produced had an average diameter of 4.71 μm. The size of the protrusions of the produced conductive particles was 184 nm.

比較例 2
1450gのMMA(Methylmethacrylate)および200gのDVBを用いて絶縁性コアを合成した。 残りの工程は、調製した絶縁性コア45gを用いて実施例1と同様にして行った。 調製された絶縁性コアは3.00μmの平均直径を有していた。 作製した導電粒子の突起のサイズは162nmであった。
Comparative example 2
An insulating core was synthesized using 1450 g of MMA (Methylmethacrylate) and 200 g of DVB. The remaining steps were performed in the same manner as in Example 1 using the prepared insulating core 45g. The prepared insulating core had an average diameter of 3.00 μm. The size of the protrusions of the produced conductive particles was 162 nm.

実験例
実施例1〜10、比較例1〜2で得られた導電粒子の評価を行った。
1)導電粒子サイズの測定
導電粒子の平均粒径は、Particle Size Analyzer(BECKMAN MULTISIZER TM3)を用いて測定された最頻値を用いて求められる。 測定された導電粒子の数は75,000であった。
Experimental Example The conductive particles obtained in Examples 1 to 10 and Comparative Examples 1 and 2 were evaluated.
1) Measurement of conductive particle size The average particle diameter of the conductive particles is determined using the mode value measured using a Particle Size Analyzer (BECKMAN MULTISIZER TM3). The number of conductive particles measured was 75,000.

2) nITと変形量の測定
nITおよび変形量は、一辺の長さが50μmのフラット圧子(Indenter)を用いた微小圧縮試験機(FISHERSCOPE HM2000)で測定した。nITと変形量は合計5個の導電粒子について測定し平均した。 測定条件は、25℃における圧子の下降量が0.33mN /秒、上昇量が10秒で0.1mNであった。 微小圧縮試験機内のソフトウェア(software WinHCU5.1; 微小圧縮試験機の操作解析ソフトウェア)を用いて、nITおよびHmax(最大圧子深さ)の値をとることにより、nITおよび変形量を測定した。
2) Measurement of nIT and amount of deformation The amount of nIT and the amount of deformation were measured with a micro compression tester (FISHERSCOPE HM2000) using a flat indenter (Indenter) having a side length of 50 μm. The nIT and the amount of deformation were measured for a total of 5 conductive particles and averaged. The measurement conditions were as follows: the indenter descending amount at 25° C. was 0.33 mN/sec, and the ascending amount was 0.1 mN at 10 sec. NIT and the amount of deformation were measured by taking the values of nIT and Hmax (maximum indenter depth) using software in the micro compression tester (software WinHCU5.1; operation analysis software of the micro compression tester).

3)接続抵抗の測定
▲1▼ 異方性導電フィルムの製造
ナフタレン系エポキシ樹脂 HP4032D(DIC製、商品名)2gとフェノキシ樹脂 YP−50(東トー化成社製、商品名)20gとアクリルエポキシ樹脂 VR−60(昭和電工社製、商品名)25g、熱硬化剤 HXA−3922HP(旭化成社製、商品名)22g、エポキシシランカップリング剤 A−187(モメンティブ社製、商品名)5gをよくかき混ぜた後、溶媒であるトルエンを用いて固形分50%の配合物を作った。 前記導電粒子を配合物重量比で10%になるように添加した後、プラネタリーミキサーを用いて公転400rpm、自転150rpmの条件で5分間混合して異方性導電ペーストを作った。 前記異方性導電ペーストを用いて離型フィルム上に20μmの厚さのフィルムを作成した後、75℃/5分間熱風乾燥炉を用いて大気中で乾燥して、最終的12μm厚さの異方性導電フィルムを作った。
3) Measurement of connection resistance (1) Production of anisotropic conductive film Naphthalene-based epoxy resin HP4032D (manufactured by DIC, trade name) 2 g and phenoxy resin YP-50 (manufactured by Toto Kasei Co., trade name) 20 g and acrylic epoxy resin VR-60 (Showa Denko KK, trade name) 25 g, thermosetting agent HXA-3922HP (Asahi Kasei KK, trade name) 22 g, epoxy silane coupling agent A-187 (Momentive Co., trade name) 5 g were well mixed. Then, a solvent 50% solids formulation was made using toluene. The conductive particles were added in an amount of 10% by weight of the mixture, and then mixed for 5 minutes using a planetary mixer at a revolution of 400 rpm and a rotation of 150 rpm to prepare an anisotropic conductive paste. A film having a thickness of 20 μm was formed on a release film using the anisotropic conductive paste, and then dried in the atmosphere using a hot air drying oven at 75° C. for 5 minutes to give a final thickness difference of 12 μm. An anisotropic conductive film was made.

▲2▼ 抵抗測定用電極
抵抗測定のための電極は、ガラス基板上にITO(Indium Tin Oxide)を蒸着して透明電極が形成されたガラス基板と電極幅が20μm、電極間隔が50μmのFPCBを用意した。電極のパターンは、Auベースに対してAlで被覆された。
(2) Electrode for resistance measurement The electrode for resistance measurement is a glass substrate on which a transparent electrode is formed by depositing ITO (Indium Tin Oxide) on a glass substrate and an FPCB with an electrode width of 20 μm and an electrode interval of 50 μm. I prepared. The pattern of electrodes was coated with Al against Au base.

▲3▼ 接合(ボンディング)
前記異方性導電フィルムを幅3mmで切断し、幅1mm、長さ3mmの接合治具を用いて、ITOがある遊離基板状に0.2MPa、120℃、10秒加圧着を行った後、FPCBを置き、40MPa、200℃、20秒間接合を実施して接続構造体を作製した。
(3) Bonding
After cutting the anisotropic conductive film with a width of 3 mm and using a bonding jig with a width of 1 mm and a length of 3 mm, a free substrate having ITO was pressure-bonded at 0.2 MPa, 120° C. for 10 seconds, The FPCB was placed, and bonding was performed at 40 MPa, 200° C. for 20 seconds to produce a connection structure.

▲4▼ 初期接続抵抗の測定
前記接続構造体のFPCB電極を用いて抵抗値を測定した。 ADCMT 6871E Digital Multimeter 2probeを用いて抵抗を測定した。
(4) Measurement of initial connection resistance The resistance value was measured using the FPCB electrode of the connection structure. Resistance was measured using an ADCMT 6871E Digital Multimeter 2 probe.

▲5▼ 信頼性抵抗の測定
85℃/85%湿度条件下に100時間放置した後に信頼性の抵抗を測定した。 ADCMT 6871E Digital Multimeter 2probeを用いて抵抗を測定した。
(5) Measurement of reliability resistance The resistance of reliability was measured after leaving it under the condition of 85°C/85% humidity for 100 hours. Resistance was measured using an ADCMT 6871E Digital Multimeter 2 probe.

初期接続抵抗の基準は以下の通りである。
○○○: 2Ω以下
○○: 2Ω超〜3Ω以下
○: 3Ω超〜5Ω以下
×: 5Ω超
The standard of initial connection resistance is as follows.
○○○: 2Ω or less ○○: Over 2Ω to 3Ω or less
○: Over 3Ω ~ 5Ω or less
×: Over 5Ω

また、85℃/85%、100時間信頼性試験後の接続抵抗の増加基準は以下の通りです。
○○○: 2Ω以下の上昇
○○: 2Ω超〜4Ω以下の上昇
○: 4Ω超〜6Ω以下の上昇
×: 6Ω超〜上昇
The standard for increasing the connection resistance after a reliability test at 85°C/85% for 100 hours is as follows.
○○○: Increase of 2Ω or less ○○: Increase of more than 2Ω to 4Ω or less
○: Increase of more than 4Ω to less than 6Ω
×: Over 6Ω~ rise

表1は、各実施形態の変形率に応じた押込加工の弾性部割合を示す。
Table 1 shows the elastic portion ratio of the indentation processing according to the deformation rate of each embodiment.

また、表2において、前述した実施例および比較例の初期抵抗および85/85試験を行って抵抗値を測定した。
Further, in Table 2, the initial resistance and the 85/85 test of the above-described examples and comparative examples were performed to measure the resistance value.

前記表1、表2および関連する図1〜図2の実施例1〜10と比較例1〜2とを比較した結果、酸化皮膜破壊時の導電粒子の変形率は17.4〜70%が好ましく、区間bを通過した区間の変形率に応じた押込加工の弾性部割合の平均変形量c(すなわち、傾き)は−1≦c≦4となるように設計されている。 As a result of comparing Examples 1 to 10 and Comparative Examples 1 to 2 of Tables 1 and 2 and the related FIGS. 1 and 2, the deformation rate of the conductive particles at the time of oxide film destruction was 17.4 to 70%. Preferably, the average deformation amount c (that is, the inclination) of the elastic portion ratio of the indentation processing according to the deformation rate of the section that has passed the section b is designed to be −1≦c≦4.

前記実施形態に示した特徴、構造、効果などは、他の実施形態においても、その実施形態が属する技術分野の当業者によって組み合わせたり修正したりすることができる。したがって、本発明はこれらの組み合わせおよび変更に限定されないことを理解されたい。 The features, structures, effects, and the like shown in the above-described embodiments can be combined and modified in other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the invention is not limited to these combinations and modifications.

Claims (16)

電極間に含まれてい前記電極同士を電気的に接続するための電極間粒子として、前記電極のうち少なくとも一方の電極の表面に酸化皮膜が備えられ、
前記導電粒子は、絶縁性コアと前記コアの表面に設けられた導電層、またはコアの表面に突起を有する導電層を含めて、
微小圧縮試験機を用いて前記導電粒子を25℃で圧縮したときの、導電粒子の変形率をx軸とし、下記[1]として定められる 押込加工の弾性部割合をy軸とする場合にプロットしたグラフにおいて、
第1の不連続点以後に 押込加工の弾性部割合が一定に保たれる区間(a)と、 第2の不連続点以後にx押込加工の弾性部割合が一定に保たれる区間(b)との間の導電粒子の押込加工の弾性部割合と変形率の範囲で、前記導電層または前記突起を有する導電層によって前記酸化皮膜が貫通または破壊されることを特徴とする導電粒子。
As inter-electrode particles for electrically connecting the electrodes contained between the electrodes, an oxide film is provided on the surface of at least one of the electrodes,
The conductive particles include an insulating core and a conductive layer provided on the surface of the core, or a conductive layer having a protrusion on the surface of the core,
Plot when the deformation rate of the conductive particles when compressed with a micro compression tester at 25°C is the x-axis, and the elastic portion ratio of the indenting process defined as [1] below is the y-axis. In the graph
Section (a) in which the elastic portion ratio of indentation is kept constant after the first discontinuity point, and section (b) in which the elastic portion ratio of x indentation is kept constant after the second discontinuity point. The conductive particles are characterized in that the oxide film is penetrated or destroyed by the conductive layer or the conductive layer having the protrusions within the range of the elastic portion ratio and the deformation rate of the indentation processing of the conductive particles.
前記区間bの以後の区間での変形率による押込加工の弾性部割合の平均変形量c(すなわち、傾き)は −1≦c≦4であり、前記区間bの以後の区間で押込加工の弾性部割合は区間aと区間bの間区間の最大押込加工の弾性部割合よりも小さく請求項1に記載の導電粒子。 The average deformation amount c (that is, the slope) of the elastic portion ratio of the indenting process according to the deformation rate in the interval b after the interval b is −1≦c≦4, and the elasticity of the indentation operation is in the interval after the interval b. The conductive particle according to claim 1, wherein the part ratio is smaller than the elastic part ratio of the maximum indentation processing between the section a and the section b. 前記導電粒子の変形率が17.4〜70%の範囲で酸化皮膜が貫通または破壊されるものである請求項1に記載の導電粒子。 The conductive particles according to claim 1, wherein the oxide film penetrates or is destroyed in a deformation ratio of the conductive particles in the range of 17.4 to 70%. 前記絶縁性コアの表面は活性化された面である請求項1に記載の導電粒子。 The conductive particle according to claim 1, wherein the surface of the insulating core is an activated surface. 前記活性化された表面は、オゾン処理、電子線処理、プラズマ処理およびコロナ処理からなる群から選択される処理によって処理された表面である請求項4に記載の導電粒子。 The conductive particles according to claim 4, wherein the activated surface is a surface treated by a treatment selected from the group consisting of ozone treatment, electron beam treatment, plasma treatment and corona treatment. 前記絶縁性コアは、前記活性化処理面に付着した触媒の下で、前記導電層がメッキされたものである請求項4に記載の導電粒子。 The conductive particles according to claim 4, wherein the insulating core is formed by plating the conductive layer under a catalyst attached to the activation-treated surface. 前記絶縁性コアは樹脂微粒子またはハイブリッド粒子である請求項6に記載の導電粒子。 The conductive particles according to claim 6, wherein the insulating core is resin fine particles or hybrid particles. 前記樹脂微粒子は、ウレタン系、スチレン系、アクリレート系、ベンゼン系、エポキシ系、アミン系およびイミド系から選択されるモノマー、またはそれらの変性モノマー、またはモノマーの混合モノマーから提供されるものである請求項7に記載の導電粒子。 The resin fine particles are provided from a monomer selected from urethane series, styrene series, acrylate series, benzene series, epoxy series, amine series and imide series, or a modified monomer thereof, or a mixed monomer of monomers. Item 7. The conductive particles according to Item 7. 前記ハイブリッド粒子は、有機コアと有機コアを取り囲む無機シェルとの構造を有する粒子、または無機コアと無機コアを取り囲む有機シェルとの構造を有する粒子である請求項7に記載の導電粒子。 The conductive particles according to claim 7, wherein the hybrid particles are particles having a structure of an organic core and an inorganic shell surrounding the organic core, or particles having a structure of an inorganic core and an organic shell surrounding the inorganic core. 前記有機コアまたは有機シェルは、ウレタン系、スチレン系、アクリレート系、ベンゼン系、エポキシ系、アミン系およびイミド系から選択されるモノマー、またはそれらの変性モノマー、またはモノマーの混合モノマーから提供されるものである請求項9に記載の導電粒子。 The organic core or shell is provided by a monomer selected from urethane series, styrene series, acrylate series, benzene series, epoxy series, amine series and imide series, or a modified monomer thereof, or a mixed monomer of monomers. The conductive particles according to claim 9, wherein 前記無機コアまたは無機シェルは、Si、Ti、Al、Zr、BaおよびWから選択される金属の酸化物、窒化物または炭化物から提供されるものである請求項9に記載の導電粒子。 The conductive particle according to claim 9, wherein the inorganic core or the inorganic shell is provided from an oxide, nitride or carbide of a metal selected from Si, Ti, Al, Zr, Ba and W. 前記導電層上に、絶縁層または絶縁粒子をさらに含む請求項1に記載の導電粒子。 The conductive particle according to claim 1, further comprising an insulating layer or insulating particles on the conductive layer. 前記導電粒子の最表面に防錆処理を施したものである請求項1に記載の導電粒子。 The conductive particles according to claim 1, wherein the outermost surface of the conductive particles is subjected to rust prevention treatment. 請求項1〜13のいずれかに記載の導電粒子を含む異方性導電材料。 An anisotropic conductive material containing the conductive particles according to claim 1. 請求項1〜13のいずれかに記載の導電粒子を含む接続構造体。 A connection structure containing the conductive particles according to claim 1. 請求項1〜13のいずれかに記載の導電粒子を含む電気電子部品。

An electric/electronic component including the conductive particles according to claim 1.

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