JP2020101769A - 量子ドット含有被膜を製造する方法、及び量子ドット含有被膜形成用の組成物 - Google Patents

量子ドット含有被膜を製造する方法、及び量子ドット含有被膜形成用の組成物 Download PDF

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Abstract

【課題】所望する量子収率を示す量子ドット含有被膜を形成し得る、量子ドット含有被膜を製造する方法と、当該方法に好適に使用し得る量子ドット含有被膜形成用の組成物とを提供すること。【解決手段】表面の材質としてカルコゲン化物を含む量子ドット（Ａ）と、基材成分（Ｃ）と、溶媒（Ｓ）とを含む組成物を用いて量子ドット含有被膜を製造する方法において、表面の材質としてカルコゲン化物を含む量子ドット（Ａ）を用い、溶媒（Ｓ）としてカルコゲン元素を有する有機溶媒（Ｓ１）を用い、大気中よりも低い酸素濃度雰囲気下で量子ドット含有被膜を加熱する加熱工程を実施する。【選択図】なし

Description

本発明は、量子ドット含有被膜を製造する方法と、当該方法に好適に使用し得る量子ドット含有被膜形成用の組成物とに関する。
従来より、電子を閉じ込めるために形成された極小さな粒（ドット）が、量子ドットと称され、各種分野での適用検討がなされてきた。ここで、１粒の量子ドットの大きさは、直径数ナノメートルから数１０ナノメートルである。
かかる量子ドットは、そのサイズを変える（バンドギャップを変える）ことで、発光する蛍光の色（発光波長）を変えることができるため、波長変換材料として用いることができる。このため、近年、量子ドットについて、波長変換材料として表示素子に適用することの検討が鋭意なされてきている（特許文献１、及び２を参照）。
また、種々の光学発光素子や、表示素子における量子ドットを含む光学フィルムの適用も検討されている。例えば、種々の高分子材料からなるマトリックス中に分散された量子ドットを含む量子ドットシートを光学フィルムとして用いることが提案されている（特許文献３を参照）。
例えば、液晶表示素子や有機ＥＬ表示素子等の光源の発光を用いて画像を表示する素子において、光源が発する光線を量子ドットを含む光学フィルムを透過させると、波長変換によって色純度の高い緑色光と赤色光を取り出すことができるため、色相の再現範囲を拡大することができる。
特開２００６−２１６５６０号公報 特開２００８−１１２１５４号公報 韓国公開特許第１０−２０１６−０００４５２４号公報
分散された量子ドットを含む量子ドット含有被膜を形成するためには、樹脂や硬化性の化合物等の基材成分と量子ドットとを含む液状の組成物が用いられることが多い。しかしながら、従来知られる量子ドット含有被膜形成用の分散液を用いる場合、形成される量子ドット含有被膜において、所望する量子収率を得にくい場合があった。
本発明は、上記の課題に鑑みなされたものであって、所望する量子収率を示す量子ドット含有被膜を形成し得る、量子ドット含有被膜を製造する方法と、当該方法に好適に使用し得る量子ドット含有被膜形成用の組成物とを提供することを目的とする。
本発明者らは、表面の材質としてカルコゲン化物を含む量子ドット（Ａ）と、基材成分（Ｃ）と、溶媒（Ｓ）とを含む組成物を用いて量子ドット含有被膜を製造する方法において、表面の材質としてカルコゲン化物を含む量子ドット（Ａ）を用い、溶媒（Ｓ）としてカルコゲン元素を有する有機溶媒（Ｓ１）を用い、大気中よりも低い酸素濃度雰囲気下で量子ドット含有被膜を加熱する加熱工程を実施することにより上記の課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。具体的には、本発明は以下のものを提供する。
本発明の第１の態様は、
量子ドット（Ａ）と、基材成分（Ｃ）と、溶媒（Ｓ）とを含む組成物を用いて量子ドット含有被膜を製造する方法であって、
量子ドット（Ａ）の表面の材質が、カルコゲン化物を含み、
量子ドット（Ａ）の表面には、リガンドが結合していてもよく、
溶媒（Ｓ）が、カルコゲン元素を有する有機溶媒（Ｓ１）を含み、
大気中よりも低い酸素濃度雰囲気下で量子ドット含有被膜を加熱する加熱工程を含む、方法である。
本発明の第２の態様は、
量子ドット（Ａ）と、基材成分（Ｃ）と、有機溶媒（Ｓ）とを含む、量子ドット含有被膜形成用の組成物であって、
量子ドット（Ａ）の表面の材質が、カルコゲン化物を含み、
量子ドット（Ａ）の表面には、リガンドが結合していてもよく、
溶媒（Ｓ）が、カルコゲン元素を有する有機溶媒（Ｓ１）を含む、組成物である。
本発明によれば、所望する量子収率を示す量子ドット含有被膜を形成し得る、量子ドット含有被膜を製造する方法と、当該方法に好適に使用し得る量子ドット含有被膜形成用の組成物とを提供することができる。
≪量子ドット含有被膜を製造する方法≫
量子ドット含有被膜を製造する方法において、量子ドット（Ａ）と、基材成分（Ｃ）と、溶媒（Ｓ）とを含む組成物を用いて量子ドット含有被膜の製造に用いる。
かかる方法は、大気中よりも低い酸素濃度雰囲気下で量子ドット含有被膜を加熱する加熱工程を含む。量子ドット（Ａ）の表面には、リガンドが結合していてもよい。つまり、リガンドは、量子ドット（Ａ）の表面に対して結合する物質であって、量子ドット（Ａ）の表面を構成する材料ではない。
量子ドット（Ａ）としては、その表面の材質が、カルコゲン化物を含む材質からなる量子ドットが使用される。
溶媒（Ｓ）としては、カルコゲン元素を有する有機溶媒（Ｓ１）を含む溶媒が使用される。
このような量子ドット（Ａ）と、溶媒（Ｓ）とを組み合わせて含む組成物を用いて被膜を形成した後、当該被膜を大気中よりも低い酸素濃度雰囲気下で加熱することにより、所望する量子収率を示す量子ドット含有被膜を形成できる。以下、大気中よりも低い酸素濃度雰囲気について「低酸素濃度雰囲気」とも記す。
特に、量子ドット含有被膜が大気等の酸素リッチな雰囲気下に加熱されたり露光されたりする場合に、所望する量子収率を示す量子ドット含有被膜を形成しにくい場合が多い。
しかし、上記の方法によって製造される量子ドット含有被膜を製造すると、量子ドット含有被膜が酸素リッチな雰囲気下に加熱されたり露光されたりすることにより量子収率が低下した場合であっても、低酸素濃度雰囲気下に量子ドット含有被膜を加熱することによって量子収率を回復させ得る。
これは、量子収率が低下した量子ドット含有被膜に含まれる量子ドット（Ａ）に、カルコゲン元素を有する有機溶媒（Ｓ１）が付随することに起因すると思われる。
量子収率が低下した量子ドット含有被膜に含まれる量子ドット（Ａ）では、その表面のカルコゲン化物が酸化されていると考えられる。酸化された量子ドット（Ａ）が、低酸素濃度雰囲気下で加熱されることにより、カルコゲン元素を有する有機溶媒（Ｓ１）と、酸化された量子ドット（Ａ）との間で、量子ドット（Ａ）中の酸素を、カルコゲン元素に置換する反応が生じ、その結果、量子ドット含有被膜が示す量子収率が、高い値に回復されると考えられる。
低酸素濃度雰囲気は、酸素濃度が２０００００ｐｐｍ未満の雰囲気であり、好ましくは１０００００ｐｐｍ以下であり、より好ましくは１ｐｐｍ以上３００ｐｐｍ以下である。また、低酸素濃度雰囲気は、不活性ガス雰囲気下、減圧下、又は真空下が挙げられる。好ましい、低酸素濃度雰囲気としては、窒素雰囲気、フォーミングガス雰囲気、及び水素雰囲気等が挙げられる。
低酸素濃度雰囲気下での加熱温度としては、１００℃以上３００℃以下が好ましく、１１０℃以上２８０℃以下がより好ましく、１２０℃以上２５０℃以下がさらに好ましく、１３０℃以上２００℃以下が特に好ましい。
低酸素濃度雰囲気下での加熱時間としては、５分以上１日以下が好ましく、１０分以上１２時間以下がより好ましく、２０分以上１時間以下が特に好ましい。
以下、量子ドット含有被膜の形成に用いられる組成物と、上記の加熱工程に供される、加熱前の量子ドット含有被膜の形成方法と、量子ドット含有被膜の用途と、について説明する。
＜組成物＞
前述の通り、量子ドット含有被膜の形成に用いられる組成物は、量子ドット（Ａ）、基材成分、及び溶媒（Ｓ）を含む。
かかる組成物は、露光や加熱によって変性し得る光感応性組成物、又は熱感応性組成物であっても、露光や加熱によって変性しない組成物であってもよい。
露光や加熱による変性について特に限定されないが、典型的には、有機溶剤、又は塩基性溶液に対する溶解度の変化である。
また、組成物は、フォトリソグラフィー法によりパターニング可能な光感応性組成物であっても、フォトリソグラフィー法によるパターニングを適用できない非光感応性組成物であってもよい。
量子ドット含有被膜形成に用いられる組成物が、フォトリソグラフィー法によるパターニングに対応し得る光感応性を有する場合、当該組成物の組成として、量子ドット（Ａ）を含有することの他は、フォトリソグラフィー法によるパターニングに適用されている、従来知られる種々の光感応性組成物の組成を採用することができる。
量子ドット含有被膜形成に用いられる組成物が、フォトリソグラフィー法によるパターニングに対応し得る光感応性組成物である場合、当該光感応性組成物は、露光により現像液に対して不溶化するネガ型の組成物であってもよく、露光により現像液に対して可溶化するポジ型の組成物であってもよい。
ネガ型の組成物の好適な典型例としては、基材成分（Ｃ）としてのアルカリ可溶性樹脂、及び光重合性モノマーと、後述する硬化剤（Ｄ）としての光重合開始剤とを含む組成物が挙げられる。
ポジ型の組成物の好適な典型例としては、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤と、基材成分（Ｃ）としての、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂とを含む組成物が挙げられる。
以下、組成物が含み得る、必須、及び任意の成分について説明する。
〔量子ドット（Ａ）〕
量子ドット含有被膜の形成に用いられる組成物は、量子ドット（Ａ）を含む。
量子ドット（Ａ）は、量子ドットとしての機能を奏する微粒子であって、且つ、その表面の材質が、カルコゲン化物を含む材質からなる限りにおいて、その構造やその構成成分は特に限定されない。量子ドット（Ａ）は、量子力学に従う独特の光学特性（後述の量子閉じ込め効果）を有するナノスケールの材料であり、一般的に半導体ナノ粒子のことである。本明細書において、量子ドット（Ａ）は、半導体ナノ粒子表面にさらに発光量子収率を向上させるために被覆されているもの（後述のシェル構造を有するもの）や、量子ドットを安定化させるために表面修飾されているものも含む。
ただし、前述の通り、本出願の明細書において、表面修飾に用いられるリガンド等は、量子ドット（Ａ）とは別個の材料として扱われる。
カルコゲン化物は、量子ドットの成分として周知の無機元素とカルコゲン元素とを含む化合物であれば特に限定されない。ここで、カルコゲン化物に含まれるカルコゲン元素は、６Ｂ族元素（旧ＩＵＰＡＣ）であって、Ｓ、Ｓｅ、及びＴｅをいう。カルコゲン元素としては、Ｓ、及びＳｅがより好ましい。
量子ドット（Ａ）の構造は、１種の化合物からなる均質構造であってもよく、２種以上の化合物からなる複合構造であってもよい。上記化合物の発光量子収率を向上させるために、量子ドット（Ａ）の構造は、コアが、１層以上のシェル層で被覆されたコア−シェル構造であることが好ましく、コアの材質となる化合物の粒子表面を半導体材料でエピタキシャルに被覆した構造であることがより好ましい。
なお、本出願の明細書、及び特許請求の範囲において、コア−シェル構造の量子ドット（Ａ）の製造途中の粒子は、量子ドット（Ａ）に含めない。
例えば、コアの材質としてＩＩ族（２Ａ族及び２Ｂ族（旧ＩＵＰＡＣ））−ＶＩ族（６Ｂ族（旧ＩＵＰＡＣ））のＣｄＳｅを用いた場合、その被覆層（シェル）としてＺｎＳ、ＺｎＳＳｅ等が用いられる。シェルはコアの材質と同じ格子定数であることが好ましく、コア−シェルの格子定数の差の小さい材料の組み合わせが適宜選択される。
量子ドット（Ａ）は、バンドギャップ（価電子帯及び伝導帯のエネルギー差）よりも大きなエネルギーの光子を吸収し、その粒子径に応じた波長の光を放出する半導体ナノ粒子とされているが、量子ドット（Ａ）の材料に含まれる元素としては、例えば、ＩＩ族元素（２Ａ族及び２Ｂ族（旧ＩＵＰＡＣ））、ＩＩＩ族元素（特に３Ｂ族（旧ＩＵＰＡＣ））、ＩＶ族元素（特に４Ｂ族（旧ＩＵＰＡＣ））、Ｖ族元素（特に５Ｂ族（旧ＩＵＰＡＣ））、及びＶＩ族元素（特に６Ｂ族（旧ＩＵＰＡＣ））からなる群から選択される１種以上が挙げられる。量子ドット（Ａ）の材料として好ましい化合物又は元素としては、例えば、ＩＩ−ＶＩ族化合物、ＩＩＩ−Ｖ族化合物、ＩＶ−ＶＩ族化合物、ＩＶ族元素、ＩＶ族化合物及びこれらの組み合わせが挙げられる。
ＩＩ−ＶＩ族化合物としては、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＭｇＳｅ、ＭｇＳ及びこれらの混合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物；ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＳＴｅ、ＨｇＳｅＳ、ＨｇＳｅＴｅ、ＨｇＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＨｇＳ、ＣｄＨｇＳｅ、ＣｄＨｇＴｅ、ＨｇＺｎＳ、ＨｇＺｎＳｅ、ＨｇＺｎＴｅ、ＭｇＺｎＳｅ、ＭｇＺｎＳ及びこれらの混合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物；及びＨｇＺｎＴｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ、ＣｄＨｇＳｅＳ、ＣｄＨｇＳｅＴｅ、ＣｄＨｇＳＴｅ、ＨｇＺｎＳｅＳ、ＨｇＺｎＳｅＴｅ、ＨｇＺｎＳＴｅ及びこれらの混合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物；が挙げられる。
これらは、いずれも、Ｓ、Ｓｅ、及びＴｅから選ばれる少なくとも１種を含むカルコゲン化物である。このため、これらは、いずれも量子ドット（Ａ）の表面を構成する材料として使用し得る。
これらの中では、ＣｄＳｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＭｇＳｅ、ＭｇＳ及びこれらの混合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物；ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＳＴｅ、ＨｇＳｅＳ、ＨｇＳｅＴｅ、ＨｇＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＨｇＳ、ＣｄＨｇＳｅ、ＨｇＺｎＳ、ＨｇＺｎＳｅ、ＭｇＺｎＳｅ、ＭｇＺｎＳ及びこれらの混合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物；及びＨｇＺｎＴｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ、ＣｄＨｇＳｅＳ、ＣｄＨｇＳｅＴｅ、ＣｄＨｇＳＴｅ、ＨｇＺｎＳｅＳ、ＨｇＺｎＳｅＴｅ、ＨｇＺｎＳＴｅ及びこれらの混合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物が好ましい。
ＩＩＩ−Ｖ族化合物としては、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ及びこれらの混合物から選ばれる少なくとも１種の化合物；ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓ、ＧａＮＳｂ、ＧａＰＡｓ、ＧａＰＳｂ、ＡｌＮＰ、ＡｌＮＡｓ、ＡｌＮＳｂ、ＡｌＰＡｓ、ＡｌＰＳｂ、ＩｎＮＰ、ＩｎＮＡｓ、ＩｎＮＳｂ、ＩｎＰＡｓ、ＩｎＰＳｂ、ＧａＡｌＮＰ及びこれらの混合物から選ばれる少なくとも１種の化合物；及びＧａＡｌＮＡｓ、ＧａＡｌＮＳｂ、ＧａＡｌＰＡｓ、ＧａＡｌＰＳｂ、ＧａＩｎＮＰ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＳｂ、ＧａＩｎＰＡｓ、ＧａＩｎＰＳｂ、ＩｎＡｌＮＰ、ＩｎＡｌＮＡｓ、ＩｎＡｌＮＳｂ、ＩｎＡｌＰＡｓ、ＩｎＡｌＰＳｂ及びこれらの混合物から選ばれる少なくとも１種の化合物；が挙げられる。
ＩＶ−ＶＩ族化合物としては、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ及びこれらの混合物から選ばれる少なくとも１種の化合物；ＳｎＳｅＳ、ＳｎＳｅＴｅ、ＳｎＳＴｅ、ＰｂＳｅＳ、ＰｂＳｅＴｅ、ＰｂＳＴｅ、ＳｎＰｂＳ、ＳｎＰｂＳｅ、ＳｎＰｂＴｅ及びこれらの混合物から選ばれる少なくとも１種の化合物；及びＳｎＰｂＳＳｅ、ＳｎＰｂＳｅＴｅ、ＳｎＰｂＳＴｅ及びこれらの混合物から選ばれる少なくとも１種の化合物；が挙げられる。
これらは、いずれも、Ｓ、Ｓｅ、及びＴｅから選ばれる少なくとも１種を含むカルコゲン化物である。このため、これらは、いずれも量子ドット（Ａ）の表面を構成する材料として使用し得る。
これらの中では、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ及びこれらの混合物から選ばれる少なくとも１種の化合物；ＳｎＳｅＳ、ＳｎＳｅＴｅ、ＳｎＳＴｅ、ＰｂＳｅＳ、ＰｂＳｅＴｅ、ＰｂＳＴｅ、ＳｎＰｂＳ、ＳｎＰｂＳｅ及びこれらの混合物から選ばれる少なくとも１種の化合物；及びＳｎＰｂＳＳｅ、ＳｎＰｂＳｅＴｅ、ＳｎＰｂＳＴｅ及びこれらの混合物から選ばれる少なくとも１種の化合物；が好ましい。
ＩＶ族元素としては、Ｓｉ、Ｇｅ及びこれらの混合物から選ばれる少なくとも１種の化合物；が挙げられる。ＩＶ族化合物としては、ＳｉＣ、ＳｉＧｅ及びこれらの混合物から選ばれる少なくとも１種の化合物；が挙げられる。
蛍光効率の点からは、量子ドット（Ａ）が、Ｃｄ又はＩｎを含む化合物を構成成分として含むのが好ましく、安全性を加味するとＩｎを含む化合物を構成成分として含むのがより好ましい。
シェル層を持たない均質構造型の量子ドット（Ａ）の好適な具体例としては、ＡｇＩｎＳ２、及びＺｎがドープされたＡｇＩｎＳ２が挙げられる。
コア−シェル型の量子ドット（Ａ）としては、ＩｎＰ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳＳｅ、ＣｕＩｎＳ２／ＺｎＳ、及び（ＺｎＳ／ＡｇＩｎＳ２）固溶体／ＺｎＳが挙げられる。
なお、上記において、コア−シェル型の量子ドット（Ａ）の材質は、（コアの材質）／（シェル層の材質）として記載されている。
また、安全性と発光量子収率の向上の点で、コア―シェル構造のシェルを多層構造にすることが好ましく、２層にすることがより好ましい。
コア―多層シェル構造の場合、コアの材質として、ＩｎＰ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物であることが好ましく、ＩｎＰを含むことがより好ましい。含有割合としては、コアの総質量のうちＩｎＰが５０質量％以上１００質量％以下であり、６０質量％以上９９質量％以下が好ましく、８２質量％以上９５質量％以下がより好ましい。また、コアの総質量のうち、ＺｎＳ及び／又はＺｎＳｅが０質量％以上５０質量％以下であり、１質量％以上４０質量％以下であることが好ましく、５質量％以上１８質量％以下がより好ましい。
多層シェル構造における第１のシェルの材質は、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、及びＺｎＳＳｅから選択される１種以上であることが好ましい。ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、及びＺｎＳＳｅから選択される１種以上の含有割合としては、第１のシェルの全質量を基準にして、例えば５０質量％以上１００質量％以下であり、７５質量％以上９８質量％以下が好ましく、８０質量％以上９７質量％以下がより好ましい。第１のシェルの材質がＺｎＳ及びＺｎＳｅの混合物である場合、混合比（質量比）は特に限定されず、１／９９以上９９／１以下であり、好ましくは１０／９０以上９０／１０以下である。
多層シェル構造において、第２のシェルを、第１のシェルの表面上に成長させる。第２のシェルの材質は、第１のシェルの材質と同等であることが好ましい（ただし、各材質において、コアに対する格子定数の差が異なる。つまり、各材質において９９％以上同質のものを除く）。ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、及びＺｎＳＳｅから選択される１種以上の含有割合としては、第２のシェルの全質量を基準にして、例えば５０質量％以上１００質量％以下であり、７５質量％以上９８質量％以下が好ましく、８０質量％以上９７質量％以下がより好ましい。第２のシェルの材質がＺｎＳ、ＺｎＳｅ、及びＺｎＳＳｅから選択される２種の混合物である場合、混合比（質量比）は特に限定されず、１／９９以上９９／１以下であり、１０／９０以上９０／１０以下である。
多層シェル構造における第１のシェルと第２のシェルとは、格子定数に差を有する。
例えば、コアと第１のシェルとの間の格子定数差は２％以上８％以下であり、２％以上６％以下が好ましく、３％以上５％以下がより好ましい。
また、コアと第２のシェルとの間の格子定数差は５％以上１３％以下であり、５％以上１２％以下が好ましく、７％以上１０％以下がより好ましく、８％以上１０％以下がさらに好ましい。
また。第１のシェルと第２のシェルの格子定数の差は、例えば、３％以上９％以下であり、３％以上７％以下が好ましく、４％以上６％以下がより好ましい。
これらのコア―多層シェル構造による量子ドット（Ａ）は、４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の範囲（さらには４７０ｎｍ以上６５０ｎｍ以下の範囲、特に５４０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下の範囲）の発光波長（ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ）を有することができる。
これらのコア―多層シェル構造による量子ドット（Ａ）としては、例えば、ＩｎＰ／ＺｎＳ／ＺｎＳｅ、及びＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳが挙げられる。
また量子ドット（Ａ）は表面修飾されていてもよい。例えば、ホスフィン、ホスフィン酸化物、トリアルキルホスフィン類等のリン化合物；ピリジン、アミノアルカン類、第３級アミン類等の有機窒素化合物；メルカプトアルコール、チオール、ジアルキルスルフィド類、ジアルキルスルホキシド類等の有機硫黄化合物；高級脂肪酸、アルコール類等の表面修飾剤（有機リガンド）が挙げられる。
上記の量子ドット（Ａ）は、２種以上を組み合わせて用いてもよく、コア−（多層）シェル型の量子ドット（Ａ）と、均質構造型の量子ドット（Ａ）とを組み合わせて用いてもよい。
量子ドット（Ａ）の平均粒子径は、量子ドットとして機能し得る範囲内であれば特に限定されず、０．５ｎｍ以上２０ｎｍ以下が好ましく、１．０ｎｍ以上１５ｎｍ以下がより好ましく、２ｎｍ以上７ｎｍ以下がさらに好ましい。
コア−（多層）シェル型の量子ドット（Ａ）の場合、コアのサイズは、例えば０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下であり、２ｎｍ以上５ｎｍ以下が好ましい。シェルの平均厚さは、０．４ｎｍ以上２ｎｍ以下が好ましく、０．４ｎｍ以上１．４ｎｍ以下がより好ましい。シェルが、第１のシェルと第２のシェルとからなる場合、第１のシェルの平均厚さは、例えば０．２ｎｍ以上１ｎｍ以下であり、０．２ｎｍ以上０．７ｎｍ以下が好ましい。第２のシェルの平均厚さは、第１のシェルの平均厚さによらず、例えば０．２ｎｍ以上１ｎｍ以下であり、０．２ｎｍ以上０．７ｎｍ以下が好ましい。
かかる範囲内の平均粒子径を有する量子ドット（Ａ）は、量子閉じ込め効果を発揮し量子ドットとして良好に機能するとともに、調製が容易であり、安定な蛍光特性を有する。
なお、量子ドット（Ａ）の平均粒子径は、例えば、量子ドット（Ａ）を含む組成物を、基板上に塗布・乾燥させ、揮発成分を除いた後に、その表面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で観察することによって定義することができる。典型的には、ＴＥＭ画像の画像解析により得られる各粒子の円相当径の数平均径として、この平均粒子径を定義することができる。
量子ドット（Ａ）の形状は特に限定されない。量子ドット（Ａ）の形状の例としては、球状、楕円球状、円柱状、多角柱状、円盤状、及び多面体状等が挙げられる。
これらの中でも、取扱いの容易さ、入手容易性の観点から球状であることが好ましい。
光学フィルムとしての特性や波長変換特性が良好である点から、量子ドット（Ａ）は、５００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の波長域に蛍光極大を有する化合物（Ａ１）、及び６００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長域に蛍光極大を有する化合物（Ａ２）からなる群より選択される１種以上を含むのが好ましく、化合物（Ａ１）及び化合物（Ａ２）からなる群より選択される１種以上からなるのがより好ましい。
量子ドット（Ａ）の製造方法は特に限定されない。周知の種々の方法で製造された量子ドットを、量子ドット（Ａ）として用いることができる。量子ドット（Ａ）の製造方法としては、例えば、配位性の有機溶媒中で有機金属化合物を熱分解する方法を採用ができる。
また、コア−シェル構造型の量子ドット（Ａ）は、反応により均質なコアを形成した後に、分散されたコアの存在下にシェル層の前駆体を反応させてシェル層を形成する方法により製造できる。また例えば、上記コア―多層シェル構造を有する量子ドット（Ａ）は、ＷＯ２０１３／１２７６６２号公報に記載の方法により製造することができる。
なお、市販されている種々の量子ドット（Ａ）を用いることもできる。
〔基材成分（Ｃ）〕
組成物は、基材成分（Ｃ）を含む。基材成分（Ｃ）を含むことにより、組成物は製膜性を有する。基材成分（Ｃ）としては、典型的には高分子化合物からなる樹脂材料や、加熱又は露光により架橋して高分子化合物を生じる反応性の低分子化合物が用いられる。また、基材成分（Ｃ）として使用される樹脂材料は、加熱又は露光により架橋する官能基を有してもよい。つまり、熱硬化性又は光硬化性の樹脂も基材成分（Ｃ）として使用できる。
さらに、基材成分（Ｃ）として使用される樹脂材料は、焼成により硬化する樹脂材料であってもよい。
上記の基材成分（Ｃ）としては、硬度や引張伸度等の物理的特性に優れる成形体を形成しやすいことから、熱硬化性又は光硬化性の基材成分が好ましい。
以下、基材成分（Ｃ）の具体例について、順に説明する。
［樹脂材料］
基材成分（Ｃ）として使用される樹脂材料について説明する。樹脂材料は、硬化性であっても、非硬化性であってもよい。硬化性の樹脂材料については後述する。
（非硬化性の樹脂材料）
非硬化性の樹脂材料は、組成物に成膜性等の賦形性を与える非硬化性の樹脂材料であれば特に限定されない。かかる樹脂材料の具体例としては、ポリアセタール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂（ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリアリレート等）、ＦＲ−ＡＳ樹脂、ＦＲ−ＡＢＳ樹脂、ＡＳ樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、フッ素系樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミドビスマレイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリベンゾチアゾール樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、シリコーン樹脂、ＢＴ樹脂、ポリメチルペンテン、超高分子量ポリエチレン、ＦＲ−ポリプロピレン、（メタ）アクリル樹脂（ポリメチルメタクリレート等）、及びポリスチレン等が挙げられる。
これらの樹脂材料は、２種以上を組み合わせて使用されてもよい。
上記の樹脂材料は、組成物中に溶解しているのが好ましい。上記の樹脂材料は、本発明の目的を阻害しない範囲で、例えば、ラテックスのような懸濁液であってもよい。
（アルカリ可溶性樹脂）
量子ドット含有被膜形成用の組成物がネガ型の組成物である場合、当該組成物は、アルカリ可溶性樹脂を含むのが好ましい。アルカリ可溶性樹脂としては、特に限定されず、従来公知のアルカリ可溶性樹脂を用いることができる。このアルカリ可溶性樹脂は、エチレン性不飽和基を有するものであってもよく、エチレン性不飽和基を有さないものであってもよい。
なお、本明細書においてアルカリ可溶性樹脂とは、樹脂濃度２０質量％の樹脂溶液（溶媒：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）により、膜厚１μｍの樹脂膜を基板上に形成し、２．３８質量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液に１分間浸漬した際に、膜厚０．０１μｍ以上溶解するものをいう。
エチレン性不飽和基を有するアルカリ可溶性樹脂としては、例えば、エポキシ化合物と不飽和カルボン酸との反応物を、さらに多塩基酸無水物と反応させることにより得られる樹脂を用いることができる。このような樹脂としては、後述する式（ｃ７）で表される化合物、又は後述のグリシジルメタクリレートに由来する構成単位に、アクリル酸を反応させた反応物に由来する構成単位を含む樹脂若しくは当該反応物に多塩基酸無水物を反応させて得られる化合物に由来する構成単位を含む樹脂が好ましい。
多塩基酸無水物の具体例としては、無水マレイン酸、無水コハク酸、無水イタコン酸、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３−メチルヘキサヒドロフタル酸無水物、４−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、３−エチルヘキサヒドロ無水フタル酸、４−エチルヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、３−メチルテトラヒドロ無水フタル酸、４−メチルテトラヒドロ無水フタル酸、３−エチルテトラヒドロ無水フタル酸、及び４−エチルテトラヒドロ無水フタル酸等が挙げられる。
エポキシ基を有する構成単位を含むアクリル樹脂に、不飽和カルボン酸を反応させた後に、さらに多塩基酸無水物を反応させるこることにより、エチレン性不飽和基を有するアルカリ可溶性樹脂を得ることもできる。
具体例としては、グリシジルメタクリレートに由来する構成単位に、アクリル酸を反応させると、下記反応式中に示される、水酸基を有する構成単位が生成する。かかる水酸基を有する構成単位に、テトラヒドロフタル酸等の多塩基酸無水物を反応させることにより、カルボキシ基を有する、樹脂にアルカリ可溶性を付与する構成単位が生成する。
Figure 2020101769
また、エチレン性不飽和基を有するアルカリ可溶性樹脂としては、多価アルコール類と一塩基酸又は多塩基酸とを縮合して得られるポリエステルプレポリマーに（メタ）アクリル酸を反応させて得られるポリエステル（メタ）アクリレート；ポリオールと２個のイソシアネート基を持つ化合物とを反応させた後、（メタ）アクリル酸を反応させて得られるポリウレタン（メタ）アクリレート；ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノール又はクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、レゾール型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ポリカルボン酸ポリグリシジルエステル、ポリオールポリグリシジルエステル、脂肪族又は脂環式エポキシ樹脂、アミンエポキシ樹脂、ジヒドロキシベンゼン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂と、（メタ）アクリル酸とを反応させて得られるエポキシ（メタ）アクリレート樹脂等を用いることもできる。
なお、本明細書において、「（メタ）アクリル酸」は、アクリル酸とメタクリル酸との両方を意味する。同様に、「（メタ）アクリレート」は、アクリレートとメタクリレートとの両方を意味する。
一方、エチレン性不飽和基を有さないアルカリ可溶性樹脂としては、不飽和カルボン酸と、他の不飽和化合物とを共重合させて得られる樹脂を用いることができる。他の不飽和化合物としては、エポキシ基含有不飽和化合物、及び脂環式基含有不飽和化合物から選択される少なくとも１種とを用いるのが好ましい。
不飽和カルボン酸としては、（メタ）アクリル酸、クロトン酸等のモノカルボン酸；マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、イタコン酸等のジカルボン酸；これらジカルボン酸の無水物；等が挙げられる。これらの中でも、共重合反応性、得られる樹脂のアルカリ溶解性、入手の容易性等の点から、（メタ）アクリル酸及び無水マレイン酸が好ましい。これらの不飽和カルボン酸は、単独又は２種以上組み合わせて用いることができる。
エポキシ基含有不飽和化合物としては、脂環式基を有さないエポキシ基含有不飽和化合物と、脂環式基を有するエポキシ基含有不飽和化合物とが挙げられる。
脂環式基を有するエポキシ基含有不飽和化合物としては、後述する式（ｃ５−１）〜（ｃ５−１５）で表される化合物が挙げられる。
脂環式基を有さないエポキシ基含有不飽和化合物としては、エポキシ基含有樹脂について後述する、芳香族基を含み、エポキシ基を有する（メタ）アクリル酸エステルや、鎖状脂肪族エポキシ基を有する脂肪族（メタ）アクリル酸エステルを好ましく用いることができる。
脂環式基含有不飽和化合物としては、脂環式基を有する不飽和化合物であれば特に限定されない。脂環式基は、単環であっても多環であってもよい。単環の脂環式基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。また、多環の脂環式基としては、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、トリシクロノニル基、トリシクロデシル基、テトラシクロドデシル基等が挙げられる。具体的に、脂環式基含有不飽和化合物としては、例えば後述の式（ｃ６−１）〜（ｃ６−８）で表される化合物が挙げられる。
不飽和カルボン酸に対して、上記以外の他の化合物をさらに重合させるのも好ましい。このような他の化合物としては、（メタ）アクリル酸エステル類、（メタ）アクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類、スチレン類、マレイミド類等が挙げられる。これらの化合物は、単独又は２種以上組み合わせて用いることができる。
（メタ）アクリル酸エステル類としては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、アミル（メタ）アクリレート、ｔ−オクチル（メタ）アクリレート等の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル（メタ）アクリレート；クロロエチル（メタ）アクリレート、２，２−ジメチルヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンモノ（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、フルフリル（メタ）アクリレート；等が挙げられる。
（メタ）アクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類、スチレン類、及びマレイミド類の具体例については、エポキシ基含有樹脂を与える単量体として詳細に後述する。
また、不飽和カルボン酸に由来する構成単位とともに、後述する光硬化性の低分子化合物との重合可能部位を有する構成単位とを少なくとも有する共重合体、又は不飽和カルボン酸に由来する構成単位と、エポキシ基含有不飽和化合物に由来する構成単位と、後述する光重合性化合物との重合可能部位を有する構成単位とを少なくとも有する共重合体も、アルカリ可溶性樹脂として好適に使用することができる。
上記の光硬化性の低分子化合物との重合可能部位を有する構成単位を有する共重合体は、上述の（メタ）アクリル酸エステル類、（メタ）アクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類、スチレン類、及びマレイミド類等に由来する１種以上の構成単位をさらに有していてもよい。
光硬化性の低分子化合物との重合可能部位を有する構成単位は、光硬化性の低分子化合物との重合可能部位としてエチレン性不飽和基を有するものが好ましい。このような構成単位を有する共重合体は、不飽和カルボン酸の単独重合体に含まれるカルボキシル基の少なくとも一部と、エポキシ基含有不飽和化合物とを反応させることにより、調製することができる。
また、不飽和カルボン酸に由来する構成単位と、エポキシ基含有不飽和化合物に由来する構成単位とを有する共重合体におけるエポキシ基の少なくとも一部と、不飽和カルボン酸とを反応させることでも、光硬化性の低分子化合物との重合可能部位を有する構成単位を有する共重合体を調製することができる。
このアルカリ可溶性樹脂中における上記不飽和カルボン酸に由来する構成単位の割合は、３質量％以上２５質量％以下であることが好ましく、５質量％以上２５質量％以下であることがより好ましい。また、上記エポキシ基含有不飽和化合物に由来する構成単位の割合は、３０質量％以上９５質量％以下であることが好ましく、５０質量％以上９０質量％以下であることがより好ましい。また、上記脂環式基含有不飽和化合物に由来する構成単位の割合は、１質量％以上３０質量％以下であることが好ましく、３質量％以上２５質量％以下であることがより好ましく、５質量％以上２０質量％以下であることがさらに好ましい。上記の範囲とすることにより、得られる樹脂のアルカリ溶解性を適度なものとしながら、量子ドット含有被膜の基板への密着性と強度とを高めることができる。
アルカリ可溶性樹脂の質量平均分子量は、１０００以上４００００以下であることが好ましく、２０００以上３００００以下であることがより好ましい。上記の範囲とすることにより、良好な現像性を得ながら、十分な耐熱性、膜強度を得ることができる。
アルカリ可溶性樹脂の含有量は、組成物の固形分に対して５質量％以上８０質量％以下であることが好ましく、１５質量％以上５０質量％以下であることがより好ましい。上記の範囲とすることにより、現像性のバランスがとりやすい傾向がある。
［熱硬化性の低分子化合物］
基材成分（Ｃ）のうち、加熱により架橋して高分子化合物を生じる、熱硬化性の低分子化合物としては、エポキシ化合物、又はオキセタン化合物が挙げられる。エポキシ化合物やオキセタン化合物を基材成分（Ｃ）として含む組成物が所定の温度以上に加熱されると、エポキシ化合物やオキセタン化合物が有するエポキシ基やオキセタニル基同士が架橋され、耐熱性や機械的特性に優れる硬化膜が得られる。
なお、エポキシ化合物やオキセタン化合物は基本的に熱硬化性の基材成分（Ｃ）として使用されるが、エポキシ化合物やオキセタン化合物を、後述するオニウム塩（Ｄ２）とともに用いる場合、光硬化が可能である。
エポキシ化合物、及びオキセタン化合物としては、特開２０１８−０６１０３４号公報に記載されているエポキシ化合物、及びオキセタン化合物を好適に用いることができる。
なお、エポキシ化合物、及びオキセタン化合物は、特開２０１８−０６１０３４号公報に記載される化合物には限定されない。
（エポキシ化合物）
エポキシ化合物は、単独での加熱や、感熱性の硬化剤又は感光性の硬化剤の作用により硬化可能なエポキシ化合物であれば特に限定されない。エポキシ化合物は、２以上のエポキシ基を有するのが好ましい。また、エポキシ化合物は、オキシラン環以外の環式構造を含むのが好ましい。
このような構造のエポキシ化合物を用いることにより、良好に分散された状態で量子ドット（Ａ）を含有する、蛍光効率が良好な量子ドット含有被膜を形成しやすい。
エポキシ化合物が環式構造を有する場合、エポキシ化合物に含まれる環式構造は、特に限定されない。環式構造は、炭化水素環構造や複素環構造のような、環構成元素として炭素を含有する環式構造であってもよく、環状シロキサン構造のような、環構成元素として炭素を含有しない環式構造であってもよい。
複素環構造に含まれ得るヘテロ原子としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、ケイ素原子等が挙げられる。
環式構造は、単環式構造であっても、多環式構造であってもよい。
環構成元素として炭素を含有する環式構造については、芳香族環構造であっても、脂肪族環構造であってもよく、芳香族環と脂肪族環とが縮合した多環構造であってもよい。
芳香族環構造、又は芳香族環を含む環構造を与える環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、テトラリン環、アセナフテン環、及びフルオレン環等が挙げられる。
脂肪族環構造を与える環としては、モノシクロアルカ環、ビシクロアルカン環、トリシクロアルカン環、テトラシクロアルカン環等が挙げられる。
具体的には、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環、シクロオクタン等のモノシクロアルカン環や、アダマンタン環、ノルボルナン環、イソボルナン環、トリシクロデカン環、テトラシクロドデカン環が挙げられる。
好適に使用できる汎用されるエポキシ化合物の例としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、及びビフェニル型エポキシ樹脂等の２官能エポキシ樹脂；９，９−ビス［４−（グリシジルオキシ）フェニル］−９Ｈ−フルオレン、９，９−ビス［４−［２−（グリシジルオキシ）エトキシ］フェニル］−９Ｈ−フルオレン、９，９−ビス［４−［２−（グリシジルオキシ）エチル］フェニル］−９Ｈ−フルオレン、９，９−ビス［４−（グリシジルオキシ）−３−メチルフェニル］−９Ｈ−フルオレン、９，９−ビス［４−（グリシジルオキシ）−３，５−ジメチルフェニル］−９Ｈ−フルオレン、及び９，９−ビス（６‐グリシジルオキシナフタレン−２−イル）−９Ｈ−フルオレン等のエポキシ基含有フルオレン化合物；テトラグリシジルアミノジフェニルメタン、トリグリシジル−ｐ−アミノフェノール、テトラグリシジルメタキシリレンジアミン、及びテトラグリシジルビスアミノメチルシクロヘキサン等のグリシジルアミン型エポキシ樹脂；フロログリシノールトリグリシジルエーテル、トリヒドロキシビフェニルトリグリシジルエーテル、トリヒドロキシフェニルメタントリグリシジルエーテル、２−［４−（２，３−エポキシプロポキシ）フェニル］−２−［４−［１，１−ビス［４−（２，３−エポキシプロポキシ）フェニル］エチル］フェニル］プロパン、及び１，３−ビス［４−［１−［４−（２，３−エポキシプロポキシ）フェニル］−１−［４−［１−［４−（２，３−エポキシプロポキシ）フェニル］−１−メチルエチル］フェニル］エチル］フェノキシ］−２−プロパノール等の３官能型エポキシ樹脂；テトラヒドロキシフェニルエタンテトラグリシジルエーテル、テトラグリシジルベンゾフェノン、ビスレゾルシノールテトラグリシジルエーテル、及びテトラグリシドキシビフェニル等の４官能型エポキシ樹脂２，２−ビス（ヒドロキシメチル）−１−ブタノールの１，２−エポキシ−４−（２−オキシラニル）シクロヘキサン付加物が挙げられる。２，２−ビス（ヒドロキシメチル）−１−ブタノールの１，２−エポキシ−４−（２−オキシラニル）シクロヘキサン付加物は、ＥＨＰＥ−３１５０（ダイセル社製）として市販される。
また、オリゴマー又はポリマー型の多官能エポキシ化合物も、好ましく用いることができる。
典型的な例としては、フェノールノボラック型エポキシ化合物、臭素化フェノールノボラック型エポキシ化合物、オルソクレゾールノボラック型エポキシ化合物、キシレノールノボラック型エポキシ化合物、ナフトールノボラック型エポキシ化合物、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ化合物、ビスフェノールＡＤノボラック型エポキシ化合物、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂のエポキシ化物、ナフタレン型フェノール樹脂のエポキシ化物等が挙げられる。
好適なエポキシ化合物の他の例として、脂環式エポキシ基を有する多官能の脂環式エポキシ化合物が挙げられる。かかる脂環式エポキシ化合物の具体例としては、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル−５，５−スピロ−３，４−エポキシ）シクロヘキサン−メタ−ジオキサン、ビス（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）アジペート、ビス（３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル）アジペート、３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシル−３’，４’−エポキシ−６’−メチルシクロヘキサンカルボキシレート、ε−カプロラクトン変性３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、トリメチルカプロラクトン変性３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、β−メチル−δ−バレロラクトン変性３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、メチレンビス（３，４−エポキシシクロヘキサン）、エチレングリコールのジ（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）エーテル、エチレンビス（３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート）、及びトリシクロデセンオキサイド基を有する多官能エポキシ化合物や、下記式（ｃ１−１）〜（ｃ１−５）で表される化合物が挙げられる。
これらの脂環式エポキシ化合物は単独で用いても２種以上混合して用いてもよい。
Figure 2020101769
 （式（ｃ１−１）中、Ｚは単結合又は連結基（１以上の原子を有する二価の基）を示す。Ｒｃ１〜Ｒｃ１８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、及び有機基からなる群より選択される基である。）
連結基Ｚとしては、例えば、２価の炭化水素基、−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ２−、−ＣＢｒ２−、−Ｃ（ＣＢｒ３）２−、−Ｃ（ＣＦ３）２−、及び−Ｒｃ１９−Ｏ−ＣＯ−からなる群より選択される２価の基及びこれらが複数個結合した基等を挙げることができる。
連結基Ｚである二価の炭化水素基としては、例えば、炭素原子数が１以上１８以下の直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基、二価の脂環式炭化水素基等を挙げることができる。炭素原子数が１以上１８以下の直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基としては、例えば、メチレン基、メチルメチレン基、ジメチルメチレン基、ジメチレン基、トリメチレン基等を挙げることができる。上記二価の脂環式炭化水素基としては、例えば、１，２−シクロペンチレン基、１，３−シクロペンチレン基、シクロペンチリデン基、１，２−シクロヘキシレン基、１，３−シクロヘキシレン基、１，４−シクロヘキシレン基、シクロヘキシリデン基等のシクロアルキレン基（シクロアルキリデン基を含む）等を挙げることができる。
Ｒｃ１９は、炭素原子数１以上８以下のアルキレン基であり、メチレン基又はエチレン基であるのが好ましい。
Figure 2020101769
（式（ｃ１−２）中、Ｒｃ１〜Ｒｃ１８は、水素原子、ハロゲン原子、及び有機基からなる群より選択される基である。Ｒｃ２及びＲｃ１０は互いに結合して環を形成してもよい。Ｒｃ１３及びＲｃ１６は互いに結合して環を形成してもよい。ｍｃ１は、０又は１である。）
Figure 2020101769
 （式（ｃ１−３）中、Ｒｃ１〜Ｒｃ１０は、水素原子、ハロゲン原子、及び有機基からなる群より選択される基である。Ｒｃ２及びＲｃ８は、互いに結合して環を形成してもよい。）
Figure 2020101769
 （式（ｃ１−４）中、Ｒｃ１〜Ｒｃ１２は、水素原子、ハロゲン原子、及び有機基からなる群より選択される基である。Ｒｃ２及びＲｃ１０は、互いに結合して環を形成してもよい。）
Figure 2020101769
 （式（ｃ１−５）中、Ｒｃ１〜Ｒｃ１２は、水素原子、ハロゲン原子、及び有機基からなる群より選択される基である。）
式（ｃ１−１）〜（ｃ１−５）中、Ｒｃ１〜Ｒｃ１８が有機基である場合、有機基は本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されず、炭化水素基であっても、炭素原子とハロゲン原子とからなる基であっても、炭素原子及び水素原子とともにハロゲン原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、ケイ素原子のようなヘテロ原子を含むような基であってもよい。ハロゲン原子の例としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、及びフッ素原子等が挙げられる。
有機基としては、炭化水素基と、炭素原子、水素原子、及び酸素原子からなる基と、ハロゲン化炭化水素基と、炭素原子、酸素原子、及びハロゲン原子からなる基と、炭素原子、水素原子、酸素原子、及びハロゲン原子からなる基とが好ましい。有機基が炭化水素基である場合、炭化水素基は、芳香族炭化水素基でも、脂肪族炭化水素基でも、芳香族骨格と脂肪族骨格とを含む基でもよい。有機基の炭素原子数は１以上２０以下が好ましく、１以上１０以下がより好ましく、１以上５以下が特に好ましい。
炭化水素基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、及びｎ−イコシル基等の鎖状アルキル基；ビニル基、１−プロペニル基、２−ｎ−プロペニル基（アリル基）、１−ｎ−ブテニル基、２−ｎ−ブテニル基、及び３−ｎ−ブテニル基等の鎖状アルケニル基；シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、及びシクロヘプチル基等のシクロアルキル基；フェニル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基、ビフェニル−４−イル基、ビフェニル−３−イル基、ビフェニル−２−イル基、アントリル基、及びフェナントリル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基、α−ナフチルメチル基、β−ナフチルメチル基、α−ナフチルエチル基、及びβ−ナフチルエチル基等のアラルキル基が挙げられる。
ハロゲン化炭化水素基の具体例は、クロロメチル基、ジクロロメチル基、トリクロロメチル基、ブロモメチル基、ジブロモメチル基、トリブロモメチル基、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基、パーフルオロブチル基、及びパーフルオロペンチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロヘプチル基、パーフルオロオクチル基、パーフルオロノニル基、及びパーフルオロデシル基等のハロゲン化鎖状アルキル基；２−クロロシクロヘキシル基、３−クロロシクロヘキシル基、４−クロロシクロヘキシル基、２，４−ジクロロシクロヘキシル基、２−ブロモシクロヘキシル基、３−ブロモシクロヘキシル基、及び４−ブロモシクロヘキシル基等のハロゲン化シクロアルキル基；２−クロロフェニル基、３−クロロフェニル基、４−クロロフェニル基、２，３−ジクロロフェニル基、２，４−ジクロロフェニル基、２，５−ジクロロフェニル基、２，６−ジクロロフェニル基、３，４−ジクロロフェニル基、３，５−ジクロロフェニル基、２−ブロモフェニル基、３−ブロモフェニル基、４−ブロモフェニル基、２−フルオロフェニル基、３−フルオロフェニル基、４−フルオロフェニル基等のハロゲン化アリール基；２−クロロフェニルメチル基、３−クロロフェニルメチル基、４−クロロフェニルメチル基、２−ブロモフェニルメチル基、３−ブロモフェニルメチル基、４−ブロモフェニルメチル基、２−フルオロフェニルメチル基、３−フルオロフェニルメチル基、４−フルオロフェニルメチル基等のハロゲン化アラルキル基である。
炭素原子、水素原子、及び酸素原子からなる基の具体例は、ヒドロキシメチル基、２−ヒドロキシエチル基、３−ヒドロキシ−ｎ−プロピル基、及び４−ヒドロキシ−ｎ−ブチル基等のヒドロキシ鎖状アルキル基；２−ヒドロキシシクロヘキシル基、３−ヒドロキシシクロヘキシル基、及び４−ヒドロキシシクロヘキシル基等のハロゲン化シクロアルキル基；２−ヒドロキシフェニル基、３−ヒドロキシフェニル基、４−ヒドロキシフェニル基、２，３−ジヒドロキシフェニル基、２，４−ジヒドロキシフェニル基、２，５−ジヒドロキシフェニル基、２，６−ジヒドロキシフェニル基、３，４−ジヒドロキシフェニル基、及び３，５−ジヒドロキシフェニル基等のヒドロキシアリール基；２−ヒドロキシフェニルメチル基、３−ヒドロキシフェニルメチル基、及び４−ヒドロキシフェニルメチル基等のヒドロキシアラルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ−トリデシルオキシ基、ｎ−テトラデシルオキシ基、ｎ−ペンタデシルオキシ基、ｎ−ヘキサデシルオキシ基、ｎ−ヘプタデシルオキシ基、ｎ−オクタデシルオキシ基、ｎ−ノナデシルオキシ基、及びｎ−イコシルオキシ基等の鎖状アルコキシ基；ビニルオキシ基、１−プロペニルオキシ基、２−ｎ−プロペニルオキシ基（アリルオキシ基）、１−ｎ−ブテニルオキシ基、２−ｎ−ブテニルオキシ基、及び３−ｎ−ブテニルオキシ基等の鎖状アルケニルオキシ基；フェノキシ基、ｏ−トリルオキシ基、ｍ−トリルオキシ基、ｐ−トリルオキシ基、α−ナフチルオキシ基、β−ナフチルオキシ基、ビフェニル−４−イルオキシ基、ビフェニル−３−イルオキシ基、ビフェニル−２−イルオキシ基、アントリルオキシ基、及びフェナントリルオキシ基等のアリールオキシ基；ベンジルオキシ基、フェネチルオキシ基、α−ナフチルメチルオキシ基、β−ナフチルメチルオキシ基、α−ナフチルエチルオキシ基、及びβ−ナフチルエチルオキシ基等のアラルキルオキシ基；メトキシメチル基、エトキシメチル基、ｎ−プロポキシメチル基、２−メトキシエチル基、２−エトキシエチル基、２−ｎ−プロポキシエチル基、３−メトキシ−ｎ−プロピル基、３−エトキシ−ｎ−プロピル基、３−ｎ−プロポキシ−ｎ−プロピル基、４−メトキシ−ｎ−ブチル基、４−エトキシ−ｎ−ブチル基、及び４−ｎ−プロポキシ−ｎ−ブチル基等のアルコキシアルキル基；メトキシメトキシ基、エトキシメトキシ基、ｎ−プロポキシメトキシ基、２−メトキシエトキシ基、２−エトキシエトキシ基、２−ｎ−プロポキシエトキシ基、３−メトキシ−ｎ−プロポキシ基、３−エトキシ−ｎ−プロポキシ基、３−ｎ−プロポキシ−ｎ−プロポキシ基、４−メトキシ−ｎ−ブチルオキシ基、４−エトキシ−ｎ−ブチルオキシ基、及び４−ｎ−プロポキシ−ｎ−ブチルオキシ基等のアルコキシアルコキシ基；２−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、及び４−メトキシフェニル基等のアルコキシアリール基；２−メトキシフェノキシ基、３−メトキシフェノキシ基、及び４−メトキシフェノキシ基等のアルコキシアリールオキシ基；ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブタノイル基、ペンタノイル基、ヘキサノイル基、ヘプタノイル基、オクタノイル基、ノナノイル基、及びデカノイル基等の脂肪族アシル基；ベンゾイル基、α−ナフトイル基、及びβ−ナフトイル基等の芳香族アシル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、ｎ−ブチルオキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルカルボニル基、ｎ−ヘプチルオキシカルボニル基、ｎ−オクチルオキシカルボニル基、ｎ−ノニルオキシカルボニル基、及びｎ−デシルオキシカルボニル基等の鎖状アルキルオキシカルボニル基；フェノキシカルボニル基、α−ナフトキシカルボニル基、及びβ−ナフトキシカルボニル基等のアリールオキシカルボニル基；ホルミルオキシ基、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブタノイルオキシ基、ペンタノイルオキシ基、ヘキサノイルオキシ基、ヘプタノイルオキシ基、オクタノイルオキシ基、ノナノイルオキシ基、及びデカノイルオキシ基等の脂肪族アシルオキシ基；ベンゾイルオキシ基、α−ナフトイルオキシ基、及びβ−ナフトイルオキシ基等の芳香族アシルオキシ基である。
Ｒｃ１〜Ｒｃ１８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１以上５以下のアルキル基、及び炭素原子数１以上５以下のアルコキシ基からなる群より選択される基が好ましく、特に機械的特性に優れる硬化膜を形成しやすいことから、Ｒｃ１〜Ｒｃ１８が全て水素原子であるのがより好ましい。
式（ｃ１−２）〜（ｃ１−５）中、Ｒｃ１〜Ｒｃ１８は、式（ｃ１−１）におけるＲｃ１〜Ｒｃ１８と同様である。式（ｃ１−２）及び式（ｃ１−４）において、Ｒｃ２及びＲｃ１０が、互いに結合する場合、式（ｃ１−２）において、Ｒｃ１３及びＲｃ１６が、互いに結合する場合、及び式（ｃ１−３）において、Ｒｃ２及びＲｃ８が、互いに結合する場合、２つの基が結合して形成される２価の基としては、例えば、−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−が挙げられる。
式（ｃ１−１）で表される脂環式エポキシ化合物のうち、好適な化合物の具体例としては、下記式（ｃ１−１ａ）、式（ｃ１−１ｂ）、及び式（ｃ１−１ｃ）で表される脂環式エポキシ化合物や、２，２−ビス（３，４−エポキシシクロヘキサン−１−イル）プロパン［＝２，２−ビス（３，４−エポキシシクロヘキシル）プロパン］等を挙げることができる。
Figure 2020101769
式（ｃ１−２）で表される脂環式エポキシ化合物のうち、好適な化合物の具体例としては、下記式（ｃ１−２ａ）で表されるビシクロノナジエンジエポキシド、又はジシクロノナジエンジエポキシド等が挙げられる。
Figure 2020101769
式（ｃ１−３）で表される脂環式エポキシ化合物のうち、好適な化合物の具体例としては、Ｓスピロ［３−オキサトリシクロ［３．２．１．０２，４］オクタン−６，２’−オキシラン］等が挙げられる。
式（ｃ１−４）で表される脂環式エポキシ化合物のうち、好適な化合物の具体例としては、４−ビニルシクロヘキセンジオキシド、ジペンテンジオキシド、リモネンジオキシド、１−メチル−４−（３−メチルオキシラン−２−イル）−７−オキサビシクロ［４．１．０］ヘプタン等が挙げられる。
式（ｃ１−５）で表される脂環式エポキシ化合物のうち、好適な化合物の具体例としては、１，２，５，６−ジエポキシシクロオクタン等が挙げられる。
さらに、下記式（ｃ１）で表される化合物をエポキシ化合物として好適に使用し得る。
Figure 2020101769
 （式（ｃ１）中、Ｘｃ１、Ｘｃ２、及びＸｃ３は、それぞれ独立に、水素原子、又はエポキシ基を含んでいてもよい有機基であり、Ｘｃ１、Ｘｃ２、及びＸｃ３が有するエポキシ基の総数が２以上である。）
上記式（ｃ１）で表される化合物としては、下記式（ｃ１−６）で表される化合物が好ましい。
Figure 2020101769
 （式（ｃ１−６）中、Ｒｃ２０〜Ｒｃ２２は、直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキレン基、アリーレン基、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＨ−及びこれらの組み合わせからなる基であり、それぞれ同一であってもよいし、異なっていてもよい。Ｅ１〜Ｅ３は、エポキシ基、オキセタニル基、エチレン性不飽和基、アルコキシシリル基、イソシアネート基、ブロックイソシアネート基、チオール基、カルボキシ基、水酸基及びコハク酸無水物基からなる群より選択される少なくとも１種の置換基又は水素原子である。ただし、Ｅ１〜Ｅ３のうち少なくとも２つは、エポキシ基及びオキセタニル基からなる群より選択される少なくとも１種である。）
式（ｃ１−６）中、Ｒｃ２０とＥ１、Ｒｃ２１とＥ２、及びＲｃ２２とＥ３で示される基は、例えば、少なくとも２つが、それぞれ、下記式（ｃ１−６ａ）で表される基であることが好ましく、いずれもが、それぞれ、下記式（ｃ１−６ａ）で表される基であることがより好ましい。１つの化合物に結合する複数の式（ｃ１−６ａ）で表される基は、同じ基であることが好ましい。
−Ｌ−Ｃｃ （ｃ１−６ａ）
（式（ｃ１−６ａ）中、Ｌは直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキレン基、アリーレン基、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＨ−及びこれらの組み合わせからなる基であり、Ｃｃはエポキシ基である。式（ｃ１−６ａ）中、ＬとＣｃとが結合して環状構造を形成していてもよい。）
式（ｃ１−６ａ）中、Ｌとしての直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキレン基としては、炭素原子数１以上１０以下のアルキレン基が好ましく、また、Ｌとしてのアリーレン基としては、炭素原子数５以上１０以下のアリーレン基が好ましい。式（ｃ１−６ａ）中、Ｌは、直鎖状の炭素原子数１以上３以下のアルキレン基、フェニレン基、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＮＨ−及びこれらの組み合わせからなる基であることが好ましく、メチレン基等の直鎖状の炭素原子数１以上３以下のアルキレン基及びフェニレン基の少なくとも１種、又は、これらと、−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−及びＮＨ−の少なくとも１種との組み合わせからなる基が好ましい。
式（ｃ１−６ａ）中、ＬとＣｃとが結合して環状構造を形成している場合としては、例えば、分岐鎖状のアルキレン基とエポキシ基とが結合して環状構造（脂環構造のエポキシ基を有する構造）を形成している場合、下記式（ｃ１−６ｂ）又は（ｃ１−６ｃ）で表される有機基が挙げられる。
Figure 2020101769
 （式（ｃ１−６ｂ）中、Ｒｃ２３は、水素原子又はメチル基である。）
以下、式（ｃ１−６）で表される化合物の例としてオキシラニル基、又は脂環式エポキシ基を有するエポキシ化合物の例を示すが、これらに限定されるものではない。
Figure 2020101769
また、エポキシ化合物として好適に使用し得る化合物としては、分子内に２以上のエポキシ基を有するシロキサン化合物（以下、単に「シロキサン化合物」とも記す。）を挙げることができる。
シロキサン化合物は、シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）により構成されたシロキサン骨格と、２以上のグリシジル基とを分子内に有する化合物である。
シロキサン化合物におけるシロキサン骨格としては、例えば、環状シロキサン骨格やかご型やラダー型のポリシルセスキオキサン骨格を挙げることができる。
シロキサン化合物としては、なかでも、下記式（ｃ１−７）で表される環状シロキサン骨格を有する化合物（以下、「環状シロキサン」という場合がある）が好ましい。
Figure 2020101769
式（ｃ１−７）中、Ｒｃ２４、及びＲｃ２５は、エポキシ基を含有する一価の基又はアルキル基を示す。ただし、式（ｃ１−７）で表される化合物におけるｘ１個のＲｃ２４及びｘ１個のＲｃ２５のうち、少なくとも２個はエポキシ基を含有する一価の基である。また、式（ｃ１−７）中のｘ１は３以上の整数を示す。なお、式（ｃ１−７）で表される化合物におけるＲｃ２４、Ｒｃ２５は同一であってもよいし、異なっていてもよい。また、複数のＲｃ２４は同一であってもよいし、異なっていてもよい。複数のＲｃ２５も同一であってもよいし、異なっていてもよい。
上記エポキシ基を含有する一価の基としては、−Ｄ−Ｏ−Ｒｃ２６で表されるグリシジルエーテル基［Ｄはアルキレン基を示し、Ｒｃ２６はグリシジル基を示す］が好ましい。上記Ｄ（アルキレン基）としては、例えば、メチレン基、メチルメチレン基、ジメチルメチレン基、ジメチレン基、トリメチレン基等の炭素原子数が１以上１８以下の直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基等を挙げることができる。
また、−Ｄ−Ｒｃ２７で表される脂環式エポキシ基含有基も好ましい。Ｒｃ２７は、エポキシシクロアルキル基である。Ｄは前述の通り、アルキレン基である。Ｄとしてのアルキレン基の好ましい例も、前述の通りである。Ｒｃ２７としてのエポキシシクロアルキル基としては、２，３−エポキシシクロペンチル基、３，４−エポキシシクロヘキシル基、及び２，３−エポキシシクロヘキシル基が好ましい。−Ｄ−Ｒｃ２７で表される基としては、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル基が好ましい。
Ｒｃ２４、及びＲｃ２５としてのアルキル基の好ましい例としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基等の炭素原子数１以上１８以下（好ましくは炭素原子数１以上６以下、特に好ましくは炭素原子数１以上３以下）の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を挙げることができる。
式（ｃ１−７）中のｘ１は３以上の整数を示し、なかでも、硬化膜を形成する際の架橋反応性に優れる点で３以上６以下の整数が好ましい。
シロキサン化合物が分子内に有するエポキシ基の数は２個以上であり、硬化膜を形成する際の架橋反応性に優れる点から２個以上６個以下が好ましく、特に好ましくは２個以上４個以下である。
液状組成物は、式（ｃ１−７）で表されるシロキサン化合物以外にも、脂環式エポキシ基含有環状シロキサン、特開２００８−２４８１６９号公報に記載の脂環式エポキシ基含有シリコーン樹脂、及び特開２００８−１９４２２号公報に記載の１分子中に少なくとも２個のエポキシ官能性基を有するオルガノポリシルセスキオキサン樹脂等のシロキサン骨格を有する化合物を含有していてもよい。
シロキサン化合物としては、より具体的には、下記式で表される、分子内に２以上のエポキシ基を有する環状シロキサン等を挙げることができる。また、シロキサン化合物としては、例えば、商品名「Ｘ−４０−２６７０」、「Ｘ−４０−２７０１」、「Ｘ−４０−２７２８」、「Ｘ−４０−２７３８」、「Ｘ−４０−２７４０」（以上、信越化学工業社製）等の市販品を用いることができる。
Figure 2020101769
Figure 2020101769
［熱硬化性の高分子化合物］
基材成分（Ｃ）として使用できる熱硬化性の高分子化合物としては、加熱により、分子内での芳香環形成反応、及び／又は分子間での架橋反応を生じさせる樹脂や、焼成により硬化膜を生成させる樹脂が挙げられる。
組成物が加熱により、分子内での芳香環形成反応、及び／又は分子間での架橋反応を生じさせる樹脂を含む場合、加熱による、分子内での芳香環形成反応及び／又は分子間での架橋反応を促進させる点から、組成物が、特開２０１６−１４５３０８号公報に記載される熱イミダゾール発生剤や、特開２０１７−０２５２２６号公報に記載のイミダゾール化合物を含むの好ましい。
組成物が焼成により硬化膜を生成させる樹脂を含む場合に、組成物が含みうる硬化剤については後述する。
分子内での芳香環形成反応によれば、樹脂を構成する分子鎖の構造が剛直化し、組成物を用いて耐熱性及び機械的特性に優れる硬化膜を得やすい。分子内での芳香環形成反応のうち、好ましい反応としては、例えば、下式（Ｉ）〜（ＶＩ）で示される反応が挙げられる。なお、下式中の反応は芳香環形成反応の一例にすぎず、基材成分（Ｃ）として使用される、加熱により分子内での芳香環形成反応を生じさせる樹脂の構造は、下式中に示される前駆体ポリマーの構造に限定されない。
Figure 2020101769
分子間での架橋反応によれば、樹脂を構成する分子鎖が相互に架橋され、三次元架橋構造が形成される。このため、加熱により架橋反応を生じさせる樹脂を基材成分（Ｃ）として含む組成物を用いると、耐熱性及び機械的特性に優れる硬化膜を得やすい。
加熱により分子間の架橋反応を生じさせる樹脂としては、分子中に、水酸基、カルボン酸無水物基、カルボキシ基、及びエポキシ基から選択される基を有する樹脂が好ましい。このような樹脂を用いる場合、例えば、前述の熱イミダゾール発生剤やイミダゾール化合物の作用によって、以下に記すような架橋が生じる。水酸基を有する樹脂を用いる場合、樹脂に含まれる分子間に水酸基間の脱水縮合による架橋が生じる。カルボン酸無水物基を有する樹脂を用いる場合、酸無水物基の加水分解により生じるカルボキシ基同士が脱水縮合して架橋する。カルボキシ基を有する樹脂を用いる場合、樹脂に含まれる分子間にカルボキシ基間の脱水縮合による架橋が生じる。エポキシ基を有する樹脂を用いる場合、樹脂に含まれる分子間にエポキシ基間の重付加反応による架橋が生じる。
このような加熱により分子内での芳香環形成反応や、分子間での架橋反応を生じさせる化合物の中では、耐熱性に優れる成形体を形成しやすいことから、ポリアミック酸、ポリベンゾオキサゾール前駆体、ポリベンゾチアゾール前駆体、ポリベンゾイミダゾール前駆体、スチレン−マレイン酸共重合体、及びエポキシ基含有樹脂が好ましい。
加熱により分子内での芳香環形成反応や、分子間での架橋反応を生じさせる化合物としての上記化合物としては、公知の材料を特に制限なく用いることができる。
例えば、分子中に、水酸基、カルボン酸無水物基、カルボキシル基、及びエポキシ基から選択される基を有する樹脂、ポリアミック酸、及びポリベンゾオキサゾール前駆体としては、特開２０１８−０６１０３４号公報に記載されている化合物を好適に用いることができる。
なお、これらの化合物は、特開２０１８-０６１０３４号公報に記載される化合物には限定されない。
（エポキシ基含有樹脂）
エポキシ基含有樹脂は、エポキシ基を有する単量体又はエポキシ基を有する単量体を含む単量体混合物を重合させて得られる重合体であってもよい。エポキシ基含有樹脂は、水酸基、カルボキシ基、アミノ基等の反応性を有する官能基を有する重合体に対して、例えばエピクロルヒドリンのようなエポキシ基を有する化合物を用いてエポキシ基を導入したものであってもよい。入手、調製、重合体中のエポキシ基の量の調整等が容易であることから、エポキシ基を有する重合体としては、エポキシ基を有する単量体又はエポキシ基を有する単量体を含む単量体混合物を重合させて得られる重合体が好ましい。
エポキシ基含有樹脂の好ましい一例としては、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、及びビスフェノールＡＤノボラック型エポキシ樹脂等のノボラックエポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂のエポキシ化物等の環式脂肪族エポキシ樹脂；ナフタレン型フェノール樹脂のエポキシ化物等の芳香族エポキシ樹脂が挙げられる。
また、エポキシ基含有樹脂の中では、調製が容易であること等から、エポキシ基を有する（メタ）アクリル酸エステルの単独重合体か、エポキシ基を有する（メタ）アクリル酸エステルと他の単量体との共重合体が好ましい。
エポキシ基を有する（メタ）アクリル酸エステルは、鎖状脂肪族エポキシ基を有する（メタ）アクリル酸エステルであっても、後述するような、脂環式エポキシ基を有する（メタ）アクリル酸エステルであってもよい。また、エポキシ基を有する（メタ）アクリル酸エステルは、芳香族基を含んでいてもよい。エポキシ基を有する（メタ）アクリル酸エステルの中では、鎖状脂肪族エポキシ基を有する脂肪族（メタ）アクリル酸エステルや、脂環式エポキシ基を有する脂肪族（メタ）アクリル酸エステルが好ましく、脂環式エポキシ基を有する脂肪族（メタ）アクリル酸エステルがより好ましい。
芳香族基を含み、エポキシ基を有する（メタ）アクリル酸エステルの例としては、４−グリシジルオキシフェニル（メタ）アクリレート、３−グリシジルオキシフェニル（メタ）アクリレート、２−グリシジルオキシフェニル（メタ）アクリレート、４−グリシジルオキシフェニルメチル（メタ）アクリレート、３−グリシジルオキシフェニルメチル（メタ）アクリレート、及び２−グリシジルオキシフェニルメチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
鎖状脂肪族エポキシ基を有する脂肪族（メタ）アクリル酸エステルの例としては、エポキシアルキル（メタ）アクリレート、及びエポキシアルキルオキシアルキル（メタ）アクリレート等のような、エステル基（−Ｏ−ＣＯ−）中のオキシ基（−Ｏ−）に鎖状脂肪族エポキシ基が結合する（メタ）アクリル酸エステルが挙げられる。このような（メタ）アクリル酸エステルが有する鎖状脂肪族エポキシ基は、鎖中に１又は複数のオキシ基（−Ｏ−）を含んでいてもよい。鎖状脂肪族エポキシ基の炭素原子数は、特に限定されないが、３以上２０以下が好ましく、３以上１５以下がより好ましく、３以上１０以下が特に好ましい。
鎖状脂肪族エポキシ基を有する脂肪族（メタ）アクリル酸エステルの具体例としては、グリシジル（メタ）アクリレート、２−メチルグリシジル（メタ）アクリレート、３，４−エポキシブチル（メタ）アクリレート、６，７−エポキシヘプチル（メタ）アクリレート等のエポキシアルキル（メタ）アクリレート；２−グリシジルオキシエチル（メタ）アクリレート、３−グリシジルオキシ−ｎ−プロピル（メタ）アクリレート、４−グリシジルオキシ−ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、５−グリシジルオキシ−ｎ−ヘキシル（メタ）アクリレート、６−グリシジルオキシ−ｎ−ヘキシル（メタ）アクリレート等のエポキシアルキルオキシアルキル（メタ）アクリレートが挙げられる。
脂環式エポキシ基を有する脂肪族（メタ）アクリル酸エステルの具体例としては、例えば下記式（ｃ５−１）〜（ｃ５−１５）で表される化合物が挙げられる。これらの中でも、下記式（ｃ５−１）〜（ｃ５−５）で表される化合物が好ましく、下記式（ｃ５−１）〜（ｃ５−３）で表される化合物がより好ましい。
Figure 2020101769
Figure 2020101769
Figure 2020101769
上記式中、Ｒｃ４０は水素原子又はメチル基を示し、Ｒｃ４１は炭素原子数１以上６以下の２価の脂肪族飽和炭化水素基を示し、Ｒｃ４２は炭素原子数１以上１０以下の２価の炭化水素基を示し、ｔは０以上１０以下の整数を示す。Ｒｃ４１としては、直鎖状又は分枝鎖状のアルキレン基、例えばメチレン基、エチレン基、プロピレン基、テトラメチレン基、エチルエチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基が好ましい。Ｒｃ４２としては、例えばメチレン基、エチレン基、プロピレン基、テトラメチレン基、エチルエチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、フェニレン基、シクロヘキシレン基が好ましい。
エポキシ基を有する重合体としては、エポキシ基を有する（メタ）アクリル酸エステルの単独重合体、及びエポキシ基を有する（メタ）アクリル酸エステルと他の単量体との共重合体のいずれも用いることができるが、エポキシ基を有する重合体中の、エポキシ基を有する（メタ）アクリル酸エステルに由来する単位の含有量は、７０質量％以上が好ましく、８０質量％以上がより好ましく、９０質量％以上が特に好ましく、１００質量％であるのが最も好ましい。
エポキシ基を有する重合体が、エポキシ基を有する（メタ）アクリル酸エステルと他の単量体との共重合体である場合、他の単量体としては、不飽和カルボン酸、エポキシ基を持たない（メタ）アクリル酸エステル、（メタ）アクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類、スチレン類、及びマレイミド類等が挙げられる。これらの化合物は、単独又は２種以上組み合わせて用いることができる。組成物の保存安定性や、組成物を用いて形成される硬化膜のアルカリ等に対する耐薬品性の点からは、エポキシ基を有する（メタ）アクリル酸エステルと他の単量体との共重合体は、不飽和カルボン酸に由来する単位を含まないのが好ましい。
不飽和カルボン酸の例としては、（メタ）アクリル酸；（メタ）アクリル酸アミド；クロトン酸；マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、イタコン酸、これらジカルボン酸の無水物が挙げられる。
エポキシ基を持たない（メタ）アクリル酸エステルの例としては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、アミル（メタ）アクリレート、ｔ−オクチル（メタ）アクリレート等の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル（メタ）アクリレート；クロロエチル（メタ）アクリレート、２，２−ジメチルヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンモノ（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、フルフリル（メタ）アクリレート；脂環式骨格を有する基を有する（メタ）アクリル酸エステルが挙げられる。エポキシ基を持たない（メタ）アクリル酸エステルの中では、脂環式骨格を有する基を有する（メタ）アクリル酸エステルが好ましい。
脂環式骨格を有する基を有する（メタ）アクリル酸エステルにおいて、脂環式骨格を構成する脂環式基は、単環であっても多環であってもよい。単環の脂環式基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。また、多環の脂環式基としては、ノルボルニル基、イソボルニル基、トリシクロノニル基、トリシクロデシル基、テトラシクロドデシル基等が挙げられる。
脂環式骨格を有する基を有する（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば下記式（ｃ６−１）〜（ｃ６−８）で表される化合物が挙げられる。これらの中では、下記式（ｃ６−３）〜（ｃ６−８）で表される化合物が好ましく、下記式（ｃ６−３）又は（ｃ６−４）で表される化合物がより好ましい。
Figure 2020101769
Figure 2020101769
上記式中、Ｒｃ４３は水素原子又はメチル基を示し、Ｒｃ４４は単結合又は炭素原子数１以上６以下の２価の脂肪族飽和炭化水素基を示し、Ｒｃ４５は水素原子又は炭素原子数１以上５以下のアルキル基を示す。Ｒｃ４４としては、単結合、直鎖状又は分枝鎖状のアルキレン基、例えばメチレン基、エチレン基、プロピレン基、テトラメチレン基、エチルエチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基が好ましい。Ｒｃ４５としては、メチル基、エチル基が好ましい。
（メタ）アクリルアミド類の例としては、（メタ）アクリルアミド、Ｎ−アルキル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−アリール（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジアルキル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−アリール（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ヒドロキシエチル−Ｎ−メチル（メタ）アクリルアミド等が挙げられる。
アリル化合物の例としては、酢酸アリル、カプロン酸アリル、カプリル酸アリル、ラウリン酸アリル、パルミチン酸アリル、ステアリン酸アリル、安息香酸アリル、アセト酢酸アリル、乳酸アリル等のアリルエステル類；アリルオキシエタノール；等が挙げられる。
ビニルエーテル類の例としては、ヘキシルビニルエーテル、オクチルビニルエーテル、デシルビニルエーテル、エチルヘキシルビニルエーテル、メトキシエチルビニルエーテル、エトキシエチルビニルエーテル、クロロエチルビニルエーテル、１−メチル−２，２−ジメチルプロピルビニルエーテル、２−エチルブチルビニルエーテル、ヒドロキシエチルビニルエーテル、ジエチレングリコールビニルエーテル、ジメチルアミノエチルビニルエーテル、ジエチルアミノエチルビニルエーテル、ブチルアミノエチルビニルエーテル、ベンジルビニルエーテル、テトラヒドロフルフリルビニルエーテル等の脂肪族ビニルエーテル；ビニルフェニルエーテル、ビニルトリルエーテル、ビニルクロロフェニルエーテル、ビニル−２，４−ジクロロフェニルエーテル、ビニルナフチルエーテル、ビニルアントラニルエーテル等のビニルアリールエーテル；等が挙げられる。
ビニルエステル類の例としては、ビニルブチレート、ビニルイソブチレート、ビニルトリメチルアセテート、ビニルジエチルアセテート、ビニルバレレート、ビニルカプロエート、ビニルクロロアセテート、ビニルジクロロアセテート、ビニルメトキシアセテート、ビニルブトキシアセテート、ビニルフェニルアセテート、ビニルアセトアセテート、ビニルラクテート、ビニル−β−フェニルブチレート、安息香酸ビニル、サリチル酸ビニル、クロロ安息香酸ビニル、テトラクロロ安息香酸ビニル、ナフトエ酸ビニル等が挙げられる。
スチレン類の例としては、スチレン；メチルスチレン、ジメチルスチレン、トリメチルスチレン、エチルスチレン、ジエチルスチレン、イソプロピルスチレン、ブチルスチレン、ヘキシルスチレン、シクロヘキシルスチレン、デシルスチレン、ベンジルスチレン、クロロメチルスチレン、トリフルオロメチルスチレン、エトキシメチルスチレン、アセトキシメチルスチレン等のアルキルスチレン；メトキシスチレン、４−メトキシ−３−メチルスチレン、ジメトキシスチレン等のアルコキシスチレン；クロロスチレン、ジクロロスチレン、トリクロロスチレン、テトラクロロスチレン、ペンタクロロスチレン、ブロモスチレン、ジブロモスチレン、ヨードスチレン、フルオロスチレン、トリフルオロスチレン、２−ブロモ−４−トリフルオロメチルスチレン、４−フルオロ−３−トリフルオロメチルスチレン等のハロスチレン；等が挙げられる。
マレイミド類としては、Ｎ−メチルマレイミド、Ｎ−エチルマレイミド、Ｎ−ｎ−プロピルマレイミド、Ｎ−イソプロピルマレイミド、Ｎ−ｎ−ブチルマレイミド、Ｎ−ｎ−ペンチルマレイミド、Ｎ−ｎ−ヘキシルマレイミド等の炭素原子数１〜１０のアルキル基でＮ置換されたマレイミド；Ｎ−シクロペンチルマレイミド、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、Ｎ−シクロヘプチルマレイミド等の炭素原子数３〜２０の脂環式基でＮ置換されたマレイミド：Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−α−ナフチルマレイミド、Ｎ−β−ナフチルマレイミド等の炭素原子数６以上２０以下のアリール基でＮ置換されたＮ−アリールマレイミド；Ｎ−ベンジルマレイミド、Ｎ−フェネチルマレイミド等の炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基でＮ置換されたＮ−アラルキルマレイミドが挙げられる。
エポキシ基含有樹脂の分子量は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されないが、ポリスチレン換算の質量平均分子量として、３，０００以上３０，０００以下が好ましく、５，０００以上１５，０００以下がより好ましい。
［光硬化性の低分子化合物］
組成物は、基材成分（Ｃ）として光重合性の低分子化合物（光重合性モノマー）を含んでいてもよい。多官能の光重合性の低分子化合物を含む場合は、組成物が後述の光重合開始剤等を含むことが好ましい。光重合性の低分子化合物には、単官能モノマーと多官能モノマーとがある。以下、単官能モノマー、及び多官能モノマーについて順に説明する。
単官能モノマーとしては、（メタ）アクリルアミド、メチロール（メタ）アクリルアミド、メトキシメチル（メタ）アクリルアミド、エトキシメチル（メタ）アクリルアミド、プロポキシメチル（メタ）アクリルアミド、ブトキシメトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ヒドロキシメチル（メタ）アクリルアミド、（メタ）アクリル酸、フマル酸、マレイン酸、無水マレイン酸、イタコン酸、無水イタコン酸、シトラコン酸、無水シトラコン酸、クロトン酸、２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、ｔｅｒｔ−ブチルアクリルアミドスルホン酸、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、２−フェノキシ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−（メタ）アクリロイルオキシ−２−ヒドロキシプロピルフタレート、グリセリンモノ（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−アミノエチル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、２，２，２−トリフルオロエチル（メタ）アクリレート、２，２，３，３−テトラフルオロプロピル（メタ）アクリレート、フタル酸誘導体のハーフ（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの単官能モノマーは、単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
多官能モノマーとしては、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、２，２−ビス（４−（メタ）アクリロキシジエトキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（メタ）アクリロキシポリエトキシフェニル）プロパン、２−ヒドロキシ−３−（メタ）アクリロイルオキシプロピル（メタ）アクリレート、エチレングリコールジグリシジルエーテルジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジグリシジルエーテルジ（メタ）アクリレート、フタル酸ジグリシジルエステルジ（メタ）アクリレート、グリセリントリアクリレート、グリセリンポリグリシジルエーテルポリ（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート（すなわち、トリレンジイソシアネート）、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネートとヘキサメチレンジイソシアネートと２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートとの反応物、メチレンビス（メタ）アクリルアミド、（メタ）アクリルアミドメチレンエーテル、多価アルコールとＮ−メチロール（メタ）アクリルアミドとの縮合物等の多官能モノマーや、トリアクリルホルマール等が挙げられる。これらの多官能モノマーは、単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
［光重合性の高分子化合物］
組成物は、基材成分（Ｃ）として光重合性の高分子化合物を含んでいてもよい。光重合性の高分子化合物としては、エチレン性不飽和基を含む樹脂が好適に使用される。
エチレン性不飽和基を含む樹脂としては、（メタ）アクリル酸、フマル酸、マレイン酸、フマル酸モノメチル、フマル酸モノエチル、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、エチレングリコールモノメチルエーテル（メタ）アクリレート、エチレングリコールモノエチルエーテル（メタ）アクリレート、グリセロール（メタ）アクリレート、（メタ）アクリルアミド、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、カルドエポキシジアクリレート等が重合したオリゴマー類；多価アルコール類と一塩基酸又は多塩基酸とを縮合して得られるポリエステルプレポリマーに（メタ）アクリル酸を反応させて得られるポリエステル（メタ）アクリレート；ポリオールと２個のイソシアネート基を持つ化合物とを反応させた後、（メタ）アクリル酸を反応させて得られるポリウレタン（メタ）アクリレート；ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノール又はクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、レゾール型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ポリカルボン酸ポリグリシジルエステル、ポリオールポリグリシジルエステル、脂肪族又は脂環式エポキシ樹脂、アミンエポキシ樹脂、ジヒドロキシベンゼン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂と、（メタ）アクリル酸とを反応させて得られるエポキシ（メタ）アクリレート樹脂等が挙げられる。さらに、エポキシ（メタ）アクリレート樹脂に多塩基酸無水物を反応させた樹脂を好適に用いることができる。なお、本明細書において、「（メタ）アクリル」は、「アクリル又はメタクリル」を意味する。
また、エチレン性不飽和基を含む樹脂としては、エポキシ化合物と不飽和基含有カルボン酸化合物との反応物を、さらに多塩基酸無水物と反応させることにより得られる樹脂や、不飽和カルボン酸に由来する単位を含む重合体に含まれるカルボキシ基の少なくとも一部と、脂環式エポキシ基を有する（メタ）アクリル酸エステル及び／又は（メタ）アクリル酸エポキシアルキルエステルとを反応させることにより得られる樹脂（以下、まとめて「エチレン性不飽和基を有する構成単位を含む樹脂」という）を好適に用いることができる。エチレン性不飽和基を有する構成単位におけるエチレン性不飽和基としては、（メタ）アクリロイルオキシ基が好ましい。
その中でも、エチレン性不飽和基を有する構成単位を含む樹脂又は下記式（ｃ７）で表される化合物が好ましい。この式（ｃ７）で表される化合物は、それ自体が、光硬化性が高い点で好ましい。
Figure 2020101769
上記式（ｃ７）中、Ｘｃは、下記一般式（ｃ８）で表される基を表す。
Figure 2020101769
上記式（ｃ８）中、Ｒｃ５０は、それぞれ独立に水素原子、炭素原子数１以上６以下の炭化水素基、又はハロゲン原子を表し、Ｒｃ５１は、それぞれ独立に水素原子、又はメチル基を表し、Ｗは、単結合、又は下記構造式（ｃ９）で表される基を表す。なお、式（ｃ８）、及び式（ｃ９）において「＊」は、２価の基の結合手の末端を意味する。
Figure 2020101769
上記式（ｃ７）中、Ｙｃはジカルボン酸無水物から酸無水物基（−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ−）を除いた残基を表す。ジカルボン酸無水物の例としては、無水マレイン酸、無水コハク酸、無水イタコン酸、無水フタル酸、無水テトラヒドロフタル酸、無水ヘキサヒドロフタル酸、無水メチルエンドメチレンテトラヒドロフタル酸、無水クロレンド酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、無水グルタル酸等が挙げられる。
また、上記式（ｃ７）中、Ｚｃは、テトラカルボン酸二無水物から２個の酸無水物基を除いた残基を表す。テトラカルボン酸二無水物の例としては、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物等が挙げられる。さらに、上記式（ｃ７）中、ｎｃは、０以上２０以下の整数を表す。
エチレン性不飽和基を含む樹脂の酸価は、樹脂固形分で、１０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上１５０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下が好ましく、７０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上１１０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下がより好ましい。酸価を１０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上とすることにより、組成物にフォトリソ特性を付与する場合に、現像液に対する十分な溶解性を有する組成物を得やすいため好ましい。また、酸価を１５０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下とすることにより、十分な硬化性を得ることができ、表面性を良好にすることができるので好ましい。
また、エチレン性不飽和基を含む樹脂の質量平均分子量は、１，０００以上４０，０００以下が好ましく、２，０００以上３０，０００以下がより好ましい。質量平均分子量を１，０００以上とすることにより、良好な耐熱性と、膜強度とを有する硬化膜を形成しやすいので好ましい。また、質量平均分子量を４０，０００以下とすることにより、良好な現像性を得ることができるので好ましい。
〔焼成により硬化膜を生成させる樹脂〕
焼成により硬化膜を生成させる樹脂としては、例えば、ケイ素含有樹脂が挙げられる。ケイ素含有樹脂の好ましい例としては、シロキサン樹脂、及びポリシランから選択される１種以上が挙げられる。これらのケイ素含有樹脂を含む組成物を塗布することでケイ素含有樹脂を含む量子ドット含有被膜が得られ、当該量子ドット含有被膜が焼成されることでシリカ系の量子ドット含有被膜が得られる。
シロキサン樹脂、及びポリシラン等のケイ素含有樹脂の好適な例としては、特開２０１８−１０９７６１号公報の段落［００２２］〜段落［００７０］に記載のケイ素含有樹脂が挙げられる。
組成物中の、ケイ素含有樹脂の含有量は特に限定されず、所望の膜厚に応じて設定すればよい。製膜性の点からは、組成物中のケイ素含有樹脂の含有量は、１質量％以上５０質量％以下が好ましく、５質量％以上４０質量％以下がより好ましく、１０質量％以上３５質量％以下が特に好ましい。
組成物における基材成分（Ｃ）の含有量は、組成物に所望する量の量子ドット（Ａ）が含まれる限り特に限定されず、質量比で（Ａ）：（Ｃ）＝９９：１〜１：９９であることが好ましく、９０：１０〜１０：９０がより好ましい。
〔硬化剤（Ｄ）〕
組成物が、基材成分（Ｃ）として、エポキシ化合物やオキセタン化合物等の成分や、光硬化性の成分や、ケイ素含有樹脂を含む場合、組成物は、基材成分（Ｃ）を硬化させるための成分として、硬化剤（Ｄ）を含むのが好ましい。
ここで、本願明細書において、硬化剤（Ｄ）は、基材成分（Ｃ）を硬化させ得る成分であれば特に限定されない。例えば、所謂光重合開始剤等についても、本願明細書において硬化剤（Ｄ）に含まれる。
なお、組成物に含まれる基材成分（Ｃ）が、カルボキシ基、カルボン酸無水物基や、アミノ基のようなエポキシ基やオキセタニル基との反応性を有する官能基を有するエポキシ化合物又はオキセタン化合物である場合、組成物は、必ずしも、硬化剤を含有する必要はない。
［光重合開始剤（Ｄ１）］
光重合開始剤（Ｄ１）は、不飽和二重結合を有する光硬化性の基材成分（Ｃ）とともに使用され、露光により、光硬化性の基材成分（Ｃ）を硬化させる。光重合開始剤（Ｄ１）としては、特に限定されず、従来公知の光重合開始剤を用いることができる。
光重合開始剤（Ｄ１）として、具体的には、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、１−〔４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル〕−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン、１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、１−（４−ドデシルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、ビス（４−ジメチルアミノフェニル）ケトン、２−メチル−１−〔４−（メチルチオ）フェニル〕−２−モルフォリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタン−１−オン、Ｏ−アセチル−１−［６−（２−メチルベンゾイル）−９−エチル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］エタノンオキシム、（９−エチル−６−ニトロ−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）［４−（２−メトキシ−１−メチルエトキシ）−２−メチルフェニル］メタノンＯ−アセチルオキシム、１，２−オクタンジオン，１−［４−（フェニルチオ）−，２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）］、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド、４−ベンゾイル−４’−メチルジメチルスルフィド、４−ジメチルアミノ安息香酸、４−ジメチルアミノ安息香酸メチル、４−ジメチルアミノ安息香酸エチル、４−ジメチルアミノ安息香酸ブチル、４−ジメチルアミノ−２−エチルヘキシル安息香酸、４−ジメチルアミノ−２−イソアミル安息香酸、ベンジル−β−メトキシエチルアセタール、ベンジルジメチルケタール、１−フェニル−１，２−プロパンジオン−２−（Ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、ｏ−ベンゾイル安息香酸メチル、２，４−ジエチルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２，４−ジメチルチオキサントン、１−クロロ−４−プロポキシチオキサントン、チオキサンテン、２−クロロチオキサンテン、２，４−ジエチルチオキサンテン、２−メチルチオキサンテン、２−イソプロピルチオキサンテン、２−エチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、１，２−ベンズアントラキノン、２，３−ジフェニルアントラキノン、アゾビスイソブチロニトリル、ベンゾイルパーオキシド、クメンヒドロペルオキシド、２−メルカプトベンゾイミダール、２−メルカプトベンゾオキサゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジ（ｍ−メトキシフェニル）−イミダゾリル二量体、ベンゾフェノン、２−クロロベンゾフェノン、ｐ，ｐ’−ビスジメチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ビスジエチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジクロロベンゾフェノン、３，３−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン、ベンジル、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾイン−ｎ−ブチルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾインブチルエーテル、アセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、ｐ−ジメチルアセトフェノン、ｐ−ジメチルアミノプロピオフェノン、ジクロロアセトフェノン、トリクロロアセトフェノン、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルアセトフェノン、ｐ−ジメチルアミノアセトフェノン、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルトリクロロアセトフェノン、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルジクロロアセトフェノン、α，α−ジクロロ−４−フェノキシアセトフェノン、チオキサントン、２−メチルチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、ジベンゾスベロン、ペンチル−４−ジメチルアミノベンゾエート、９−フェニルアクリジン、１，７−ビス−（９−アクリジニル）ヘプタン、１，５−ビス−（９−アクリジニル）ペンタン、１，３−ビス−（９−アクリジニル）プロパン、ｐ−メトキシトリアジン、２，４，６−トリス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−メチル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−（５−メチルフラン−２−イル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−（フラン−２−イル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−（３，４−ジメトキシフェニル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−エトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−ｎ−ブトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２，４−ビス−トリクロロメチル−６−（３−ブロモ−４−メトキシ）フェニル−ｓ−トリアジン、２，４−ビス−トリクロロメチル−６−（２−ブロモ−４−メトキシ）フェニル−ｓ−トリアジン、２，４−ビス−トリクロロメチル−６−（３−ブロモ−４−メトキシ）スチリルフェニル−ｓ−トリアジン、２，４−ビス−トリクロロメチル−６−（２−ブロモ−４−メトキシ）スチリルフェニル−ｓ−トリアジン等が挙げられる。これらの光重合開始剤（Ｄ１）は、単独又は２種以上組み合わせて用いることができる。
これらの中でも、オキシム系の光重合開始剤を用いることが、感度の面で特に好ましい。オキシム系の光重合開始剤の中で、特に好ましいものとしては、Ｏ−アセチル−１−［６−（２−メチルベンゾイル）−９−エチル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］エタノンオキシム、Ｏ−アセチル−１−［６−（２−メチルベンゾイル）−９−エチル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］エタノンオキシム、及び１，２−オクタンジオン，１−［４−（フェニルチオ）−，２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）］が挙げられる。
また、ケイ素含有樹脂用の硬化剤として後述するオキシムエステル化合物も、光重合開始剤として好ましく使用される。
光重合開始剤（Ｄ１）の含有量は、組成物の固形分１００質量部に対して０．５質量部以上３０質量部以下が好ましく、１質量部以上２０質量部以下がより好ましい。
また、この光重合開始剤（Ｄ１）に、光開始助剤を組み合わせてもよい。光開始助剤としては、トリエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、４−ジメチルアミノ安息香酸メチル、４−ジメチルアミノ安息香酸エチル、４−ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、４−ジメチルアミノ安息香酸２−エチルヘキシル、安息香酸２−ジメチルアミノエチル、Ｎ，Ｎ−ジメチルパラトルイジン、４，４’−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、９，１０−ジメトキシアントラセン、２−エチル−９，１０−ジメトキシアントラセン、９，１０−ジエトキシアントラセン、２−エチル−９，１０−ジエトキシアントラセン、２−メルカプトベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾオキサゾール、２−メルカプトベンゾイミダゾール、２−メルカプト−５−メトキシベンゾチアゾール、３−メルカプトプロピオン酸、３−メルカプトプロピオン酸メチル、ペンタエリストールテトラメルカプトアセテート、３−メルカプトプロピオネート等のチオール化合物等が挙げられる。これらの光開始助剤は、単独又は２種以上組み合わせて用いることができる。
［オニウム塩（Ｄ２）］
オニウム塩（Ｄ２）は、エポキシ基含有樹脂、エポキシ化合物、又はオキセタン化合物等とともに使用することができ、光又は熱の作用により、エポキシ基含有樹脂、エポキシ化合物、又はオキセタン化合物等の硬化を促進させる。
オニウム塩としては、例えば、ジアゾニウム塩、アンモニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、オキソニウム塩等が挙げられる。これらの中では、入手の容易性や、良好な硬化の点から、スルホニウム塩、及びヨードニウム塩が好ましい。
オニウム塩（Ｄ２）は、エポキシ基含有樹脂、エポキシ化合物、又はオキセタン化合物等を硬化させる目的で使用されている従来知られるオニウム塩類から適宜選択される。
以下、オニウム塩（Ｄ２）の好ましい例について説明する。
オニウム塩（Ｄ２）の好ましい一例としては、下記式（Ｄ−Ｉ）で表されるスルホニウム塩（以下、「スルホニウム塩（Ｑ）」とも記す。）が挙げられる。
Figure 2020101769
 （式（Ｄ−Ｉ）中、ＲＤ１及びＲＤ２は独立に、ハロゲン原子で置換されていてもよいアルキル基又は下記式（Ｄ−ＩＩ）で表される基を示し、ＲＤ１及びＲＤ２は相互に結合して式中の硫黄原子とともに環を形成してもよく、ＲＤ３は下記式（Ｄ−ＩＩＩ）で表される基又は下記式（Ｄ−ＩＶ）で表される基を示し、ＡＤ１はＳ、Ｏ、又はＳｅを示し、Ｘ−は１価のアニオンを示し、但し、ＲＤ１及びＲＤ２は、同時に、ハロゲン原子で置換されていてもよいアルキル基ではない。）
Figure 2020101769
 （式（Ｄ−ＩＩ）中、環ＺＤ１は芳香族炭化水素環を示し、ＲＤ４はハロゲン原子で置換されていてもよいアルキル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アシロキシ基、アルキルチオ基、チエニル基、チエニルカルボニル基、フラニル基、フラニルカルボニル基、セレノフェニル基、セレノフェニルカルボニル基、複素環式脂肪族基、アルキルスルフィニル基、アルキルスルホニル基、ヒドロキシ（ポリ）アルキレンオキシ基、置換されていてよいアミノ基、シアノ基、ニトロ基、又はハロゲン原子を示し、ｍ１は０以上の整数を示す。）
Figure 2020101769
 （式（Ｄ−ＩＩＩ）中、ＲＤ５はヒドロキシ基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールチオカルボニル基、アシロキシ基、アリールチオ基、アルキルチオ基、アリール基、複素環式基、アリールオキシ基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、ヒドロキシ（ポリ）アルキレンオキシ基、置換されていてよいアミノ基、シアノ基、ニトロ基、若しくはハロゲン原子で置換されていてもよいアルキレン基又は下記式（Ｄ−Ｖ）で表される基を示し、ＲＤ６はヒドロキシ基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールチオカルボニル基、アシロキシ基、アリールチオ基、アルキルチオ基、アリール基、複素環式基、アリールオキシ基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、ヒドロキシ（ポリ）アルキレンオキシ基、置換されていてよいアミノ基、シアノ基、ニトロ基、若しくはハロゲン原子で置換されていてもよいアルキル基又は下記式（Ｄ−ＶＩ）で表される基を示し、ＡＤ２は単結合、Ｓ、Ｏ、スルフィニル基、又はカルボニル基を示し、ｎ１は０又は１を示す。）
Figure 2020101769
 （式（Ｄ−ＩＶ）中、ＲＤ７及びＲＤ８は独立に、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールチオカルボニル基、アシロキシ基、アリールチオ基、アルキルチオ基、アリール基、複素環式基、アリールオキシ基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、ヒドロキシ（ポリ）アルキレンオキシ基、置換されていてよいアミノ基、シアノ基、ニトロ基、若しくはハロゲン原子で置換されていてもよいアルキレン基又は下記式（Ｄ−Ｖ）で表される基を示し、ＲＤ９及びＲＤ１０は独立に、ハロゲン原子で置換されていてもよいアルキル基又は上記式（Ｄ−ＩＩ）で表される基を示し、ＲＤ９及びＲＤ１０は相互に結合して式中の硫黄原子とともに環を形成してもよく、ＡＤ３は単結合、Ｓ、Ｏ、スルフィニル基、又はカルボニル基を示し、Ｘ−は前記の通りであり、ｎ２は０又は１を示し、但し、ＲＤ９及びＲＤ１０は、同時に、ハロゲン原子で置換されていてもよいアルキル基ではない。）
Figure 2020101769
 （式（Ｄ−Ｖ）中、環ＺＤ２は芳香族炭化水素環を示し、ＲＤ１１はハロゲン原子で置換されていてもよいアルキル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールチオカルボニル基、アシロキシ基、アリールチオ基、アルキルチオ基、アリール基、複素環式基、アリールオキシ基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、ヒドロキシ（ポリ）アルキレンオキシ基、置換されていてよいアミノ基、シアノ基、ニトロ基、又はハロゲン原子を示し、ｍ２は０以上の整数を示す。）
Figure 2020101769
 （式（Ｄ−ＶＩ）中、環ＺＤ３は芳香族炭化水素環を示し、ＲＤ１２はハロゲン原子で置換されていてもよいアルキル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールチオカルボニル基、アシロキシ基、アリールチオ基、アルキルチオ基、チエニルカルボニル基、フラニルカルボニル基、セレノフェニルカルボニル基、アリール基、複素環式基、アリールオキシ基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、ヒドロキシ（ポリ）アルキレンオキシ基、置換されていてよいアミノ基、シアノ基、ニトロ基、又はハロゲン原子を示し、ｍ３は０以上の整数を示す。）
（スルホニウム塩（Ｑ））
以下、スルホニウム塩（Ｑ）について説明する。スルホニウム塩（Ｑ）は、上記式（Ｄ−Ｉ）中のベンゼン環において、ＡＤ１が結合する炭素原子に対してオルト位の炭素原子にメチル基が結合していることを特徴とする。スルホニウム塩（Ｑ）は、上記の位置にメチル基を有するため、従来のスルホニウム塩と比較して、紫外線等の活性エネルギー線に対する感度が高い。
上記式（Ｄ−Ｉ）において、ＲＤ１及びＲＤ２のいずれもが上記式（Ｄ−ＩＩ）で表される基であることが好ましい。ＲＤ１及びＲＤ２は互いに同一でも異なっていてもよい。
上記式（Ｄ−Ｉ）において、ＲＤ１及びＲＤ２が相互に結合して式中の硫黄原子とともに環を形成する場合、形成される環を構成する原子数は、硫黄原子を含めて３以上１０以下が好ましく、５以上７以下がより好ましい。形成される環は多環でもよく、環構成原子数が５以上７以下である単環が縮合した多環が好ましい。
上記式（Ｄ−Ｉ）において、ＲＤ１及びＲＤ２が、ともにフェニル基であるのが好ましい。
上記式（Ｄ−Ｉ）において、ＲＤ３は上記式（Ｄ−ＩＩＩ）で表される基であることが好ましい。
上記式（Ｄ−Ｉ）において、ＡＤ１は、Ｓ又はＯであることが好ましく、Ｓであることがより好ましい。
上記式（Ｄ−ＩＩ）において、ＲＤ４は、ハロゲン原子で置換されていてもよいアルキル基、ヒドロキシ基、アルキルカルボニル基、チエニルカルボニル基、フラニルカルボニル基、セレノフェニルカルボニル基、置換されていてよいアミノ基、又はニトロ基であることが好ましく、ハロゲン原子で置換されていてもよいアルキル基、アルキルカルボニル基、又はチエニルカルボニル基であることがより好ましい。
上記式（Ｄ−ＩＩ）において、ｍ１は、環ＺＤ１の種類に応じて選択でき、例えば、０以上４以下の整数、好ましくは０以上３以下の整数、より好ましくは０以上２以下の整数であってもよい。
上記式（Ｄ−ＩＩＩ）において、ＲＤ５は、アルキレン基；ヒドロキシ基、置換されていてよいアミノ基、若しくはニトロ基で置換されたアルキレン基；又は上記式（Ｄ−Ｖ）で表される基であることが好ましく、上記式（Ｄ−Ｖ）で表される基であることがより好ましい。
上記式（Ｄ−ＩＩＩ）において、ＲＤ６は、アルキル基；ヒドロキシ基、置換されていてよいアミノ基、若しくはニトロ基で置換されたアルキル基；又は上記式（Ｄ−ＶＩ）で表される基であることが好ましく、上記式（Ｄ−ＶＩ）で表される基であることがより好ましい。
上記式（Ｄ−ＩＩＩ）において、ＡＤ２はＳ又はＯであることが好ましく、Ｓであることがより好ましい。
上記式（Ｄ−ＩＩＩ）において、ｎ１は０であることが好ましい。
上記式（Ｄ−ＩＶ）において、ＲＤ７及びＲＤ８は独立に、アルキレン基；ヒドロキシ基、置換されていてよいアミノ基、若しくはニトロ基で置換されたアルキレン基；又は上記式（Ｄ−Ｖ）で表される基であることが好ましく、上記式（Ｄ−Ｖ）で表される基であることより好ましい。ＲＤ７及びＲＤ８は互いに同一でも異なっていてもよい。
上記式（Ｄ−ＩＶ）において、ＲＤ９及びＲＤ１０のいずれもが上記式（Ｄ−ＩＩ）で表される基であることが好ましい。ＲＤ９及びＲＤ１０は互いに同一でも異なっていてもよい。
上記式（Ｄ−ＩＶ）において、ＲＤ９及びＲＤ１０が相互に結合して式中の硫黄原子とともに環を形成する場合、形成される環を構成する原子数は、硫黄原子を含めて３以上１０以下が好ましく、５以上７以下がより好ましい。形成される環は多環でもよく、環構成原子数が５以上７以下である単環が縮合した多環が好ましい。
上記式（Ｄ−ＩＶ）において、ＡＤ３は、Ｓ又はＯであることが好ましく、Ｓであることがより好ましい。
上記式（Ｄ−ＩＶ）において、ｎ２は０であることが好ましい。
上記式（Ｄ−Ｖ）において、ＲＤ１１は、ハロゲン原子で置換されていてもよいアルキル基、ヒドロキシ基、置換されていてよいアミノ基、又はニトロ基であることが好ましく、ハロゲン原子で置換されていてもよいアルキル基であることがより好ましい。
上記式（Ｄ−Ｖ）において、ｍ２は、環ＺＤ２の種類に応じて選択でき、例えば、０以上４以下の整数、好ましくは０以上３以下の整数、より好ましくは０以上２以下の整数であってもよい。
上記式（Ｄ−ＶＩ）において、ＲＤ１２は、ハロゲン原子で置換されていてもよいアルキル基、ヒドロキシ基、アルキルカルボニル基、チエニルカルボニル基、フラニルカルボニル基、セレノフェニルカルボニル基、置換されていてよいアミノ基、又はニトロ基であることが好ましく、ハロゲン原子で置換されていてもよいアルキル基、アルキルカルボニル基、又はチエニルカルボニル基であることがより好ましい。
上記式（Ｄ−ＶＩ）において、ｍ３は、環ＺＤ３の種類に応じて選択でき、例えば、０以上４以下の整数、好ましくは０以上３以下の整数、より好ましくは０以上２以下の整数であってもよい。
上記式（Ｄ−Ｉ）において、Ｘ−は１価のアニオンである。Ｘ−としては、１価の多原子アニオンが好適に挙げられ、ＭＹａ −、（Ｒｆ）ｂＰＦ６−ｂ −、Ｒｘ１ ｃＢＹ４−ｃ −、Ｒｘ１ ｃＧａＹ４−ｃ −、Ｒｘ２ＳＯ３ −、（Ｒｘ２ＳＯ２）３Ｃ−、又は（Ｒｘ２ＳＯ２）２Ｎ−で表されるアニオンがより好ましい。また、Ｘ−は、ハロゲンアニオンでもよく、例えば、フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン等が挙げられる。
Ｍは、リン原子、ホウ素原子、又はアンチモン原子を表す。
Ｙはハロゲン原子（フッ素原子が好ましい。）を表す。
Ｒｆは、水素原子の８０モル％以上がフッ素原子で置換されたアルキル基（炭素原子数１以上８以下のアルキル基が好ましい。）を表す。フッ素置換によりＲｆとするアルキル基としては、直鎖アルキル基（メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル及びオクチル等）、分岐鎖アルキル基（イソプロピル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル及びｔｅｒｔ−ブチル等）及びシクロアルキル基（シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル及びシクロヘキシル等）等が挙げられる。Ｒｆにおいてこれらのアルキル基の水素原子がフッ素原子に置換されている割合は、もとのアルキル基が有していた水素原子のモル数に基づいて、８０モル％以上が好ましく、さらに好ましくは９０％以上、特に好ましくは１００％である。フッ素原子による置換割合がこれら好ましい範囲にあると、スルホニウム塩（Ｑ）の光感応性がさらに良好となる。特に好ましいＲｆとしては、ＣＦ３−、ＣＦ３ＣＦ２ −、（ＣＦ３）２ＣＦ−、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ −、ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ −、（ＣＦ３）２ＣＦＣＦ２ −、ＣＦ３ＣＦ２（ＣＦ３）ＣＦ−及び（ＣＦ３）３Ｃ−が挙げられる。ｂ個のＲｆは、相互に独立であり、従って、互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｐはリン原子、Ｆはフッ素原子を表す。
Ｒｘ１は、水素原子の一部が少なくとも１個の元素又は電子求引基で置換されたフェニル基を表す。そのような１個の元素の例としては、ハロゲン原子が含まれ、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子等が挙げられる。電子求引基としては、トリフルオロメチル基、ニトロ基及びシアノ基等が挙げられる。これらのうち、少なくとも１個の水素原子がフッ素原子又はトリフルオロメチル基で置換されたフェニル基が好ましい。ｃ個のＲｘ１は相互に独立であり、従って、互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｂはホウ素原子、Ｇａはガリウム原子を表す。
Ｒｘ２は、炭素原子数１以上２０以下のアルキル基、炭素原子数１以上２０以下のフルオロアルキル基又は炭素原子数６以上２０以下のアリール基を表し、アルキル基及びフルオロアルキル基は直鎖状、分岐鎖状又は環状のいずれでもよく、アルキル基、フルオロアルキル基、又はアリール基は無置換であっても、置換基を有していてもよい。上記置換基としては、例えば、ヒドロキシ基、置換されていてよいアミノ基（例えば、上記式（Ｄ−ＩＩ）〜（Ｄ−ＶＩ）に関する後述の説明中で例示するものが挙げられる。）、ニトロ基等が挙げられる。
また、Ｒｘ２で表されるアルキル基、フルオロアルキル基又はアリール基における炭素鎖は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を有していてもよい。特に、Ｒｘ２で表されるアルキル基又はフルオロアルキル基における炭素鎖は、２価の官能基（例えば、エーテル結合、カルボニル結合、エステル結合、アミノ結合、アミド結合、イミド結合、スルホニル結合、スルホニルアミド結合、スルホニルイミド結合、ウレタン結合等）を有していてもよい。
Ｒｘ２で表されるアルキル基、フルオロアルキル基又はアリール基が上記置換基、ヘテロ原子、又は官能基を有する場合、上記置換基、ヘテロ原子、又は官能基の個数は、１個であっても２個以上であってもよい。
Ｓは硫黄原子、Ｏは酸素原子、Ｃは炭素原子、Ｎは窒素原子を表す。
ａは４以上６以下の整数を表す。
ｂは、１以上５以下の整数が好ましく、さらに好ましくは２以上４以下の整数、特に好ましくは２又は３である。
ｃは、１以上４以下の整数が好ましく、さらに好ましくは４である。
ＭＹａ −で表されるアニオンとしては、ＳｂＦ６ −、ＰＦ６ −又はＢＦ４ −で表されるアニオン等が挙げられる。
（Ｒｆ）ｂＰＦ６−ｂ −で表されるアニオンとしては、（ＣＦ３ＣＦ２）２ＰＦ４ −、（ＣＦ３ＣＦ２）３ＰＦ３ −、（（ＣＦ３）２ＣＦ）２ＰＦ４ −、（（ＣＦ３）２ＣＦ）３ＰＦ３ −、（ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２）２ＰＦ４ −、（ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２）３ＰＦ３ −、（（ＣＦ３）２ＣＦＣＦ２）２ＰＦ４ −、（（ＣＦ３）２ＣＦＣＦ２）３ＰＦ３ −、（ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）２ＰＦ４ −又は（ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）３ＰＦ３ −で表されるアニオン等が挙げられる。これらのうち、（ＣＦ３ＣＦ２）３ＰＦ３ −、（ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２）３ＰＦ３ −、（（ＣＦ３）２ＣＦ）３ＰＦ３ −、（（ＣＦ３）２ＣＦ）２ＰＦ４ −、（（ＣＦ３）２ＣＦＣＦ２）３ＰＦ３ −又は（（ＣＦ３）２ＣＦＣＦ２）２ＰＦ４ −で表されるアニオンが好ましい。
Ｒｘ１ ｃＢＹ４−ｃ −で表されるアニオンとしては、好ましくは
Ｒｘ１ ｃＢＹ４−ｃ −
（式中、Ｒｘ１は水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子又は電子求引基で置換されたフェニル基を示し、Ｙはハロゲン原子を示し、ｃは１以上４以下の整数を示す。）
であり、例えば、（Ｃ６Ｆ５）４Ｂ−、（（ＣＦ３）２Ｃ６Ｈ３）４Ｂ−、（ＣＦ３Ｃ６Ｈ４）４Ｂ−、（Ｃ６Ｆ５）２ＢＦ２ −、Ｃ６Ｆ５ＢＦ３ −又は（Ｃ６Ｈ３Ｆ２）４Ｂ−で表されるアニオン等が挙げられる。これらのうち、（Ｃ６Ｆ５）４Ｂ−又は（（ＣＦ３）２Ｃ６Ｈ３）４Ｂ−で表されるアニオンが好ましい。
Ｒｘ１ ｃＧａＹ４−ｃ −で表されるアニオンとしては、
テトラキス（ノナフルオロビフェニル−４−イル）ガレートアニオン、
テトラキス（ヘプタフルオロナフタレン−１−イル）ガレートアニオン、
テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ガレートアニオン、
テトラキス（３，４，５−トリフルオロフェニル）ガレートアニオン、
テトラキス（ノナフルオロビフェニル−２−イル）ガレートアニオン、
テトラキス（ヘプタフルオロナフタレン−２−イル）ガレートアニオン、
テトラキス（ノナフルオロアントラセン−７−イル）ガレートアニオン、
テトラキス（４’−（メトキシ）オクタフルオロビフェニル−４−イル）ガレートアニオン、
テトラキス（２，４，６−トリス（トリフルオロメチル）フェニル）ガレートアニオン、
テトラキス（３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル）ガレートアニオン、
テトラキス（２，３−ビス（ペンタフルオロエチル）ナフチル）ガレートアニオン、
テトラキス（２−イソプロポキシ−ヘキサフルオロナフチル）ガレートアニオン、
テトラキス（９，１０−ビス（ヘプタフルオロプロピル）ヘプタフルオロアントリル）ガレートアニオン、
テトラキス（９−ノナフルオロフェナントリル）ガレートアニオン、
テトラキス（４−［トリ（イソプロピル）シリル］−テトラフルオロフェニル）ガレートアニオン、
テトラキス（９，１０−ビス（ｐ−トリル）−ヘプタフルオロフェナントリル）ガレートアニオン、
テトラキス（４−［ジメチル（ｔ−ブチル）シリル］−テトラフルオロフェニル）ガレートアニオン、
モノフェニルトリス（ペンタフルオロフェニル）ガレートアニオン、及び
モノパーフルオロブチルトリス（ペンタフルオロフェニル）ガレートアニオン等が挙げられる。より好ましくは、（Ｃ６Ｆ５）４Ｇａ−、（（ＣＦ３）２Ｃ６Ｈ３）４Ｇａ−、（ＣＦ３Ｃ６Ｈ４）４Ｇａ−、（Ｃ６Ｆ５）２ＧａＦ２ −、Ｃ６Ｆ５ＧａＦ３ −又は（Ｃ６Ｈ３Ｆ２）４Ｇａ−で表されるアニオン等が挙げられる。これらのうち、（Ｃ６Ｆ５）４Ｇａ−又は（（ＣＦ３）２Ｃ６Ｈ３）４Ｇａ−で表されるアニオンがさらに好ましい。
Ｒｘ２ＳＯ３ −で表されるアニオンとしては、トリフルオロメタンスルホン酸アニオン、ペンタフルオロエタンスルホン酸アニオン、ヘプタフルオロプロパンスルホン酸アニオン、ノナフルオロブタンスルホン酸アニオン、ペンタフルオロフェニルスルホン酸アニオン、ｐ−トルエンスルホン酸アニオン、ベンゼンスルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオン、メタンスルホン酸アニオン、エタンスルホン酸アニオン、プロパンスルホン酸アニオン及びブタンスルホン酸アニオン等が挙げられる。これらのうち、トリフルオロメタンスルホン酸アニオン、ノナフルオロブタンスルホン酸アニオン、メタンスルホン酸アニオン、ブタンスルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオン、ベンゼンスルホン酸アニオン又はｐ−トルエンスルホン酸アニオンが好ましい。
（Ｒｘ２ＳＯ２）３Ｃ−で表されるアニオンとしては、（ＣＦ３ＳＯ２）３Ｃ−、（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）３Ｃ−、（Ｃ３Ｆ７ＳＯ２）３Ｃ−又は（Ｃ４Ｆ９ＳＯ２）３Ｃ−で表されるアニオン等が挙げられる。
（Ｒｘ２ＳＯ２）２Ｎ−で表されるアニオンとしては、（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−、（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２Ｎ−、（Ｃ３Ｆ７ＳＯ２）２Ｎ−又は（Ｃ４Ｆ９ＳＯ２）２Ｎ−で表されるアニオン等が挙げられる。
一価の多原子アニオンとしては、ＭＹａ −、（Ｒｆ）ｂＰＦ６−ｂ −、Ｒｘ１ ｃＢＹ４−ｃ −、Ｒｘ１ ｃＧａＹ４−ｃ −、Ｒｘ２ＳＯ３ −、（Ｒｘ２ＳＯ２）３Ｃ−又は（Ｒｘ２ＳＯ２）２Ｎ−で表されるアニオン以外に、過ハロゲン酸イオン（ＣｌＯ４ −、ＢｒＯ４ −等）、ハロゲン化スルホン酸イオン（ＦＳＯ３ −、ＣｌＳＯ３ −等）、硫酸イオン（ＣＨ３ＳＯ４ −、ＣＦ３ＳＯ４ −、ＨＳＯ４ −等）、炭酸イオン（ＨＣＯ３ −、ＣＨ３ＣＯ３ −等）、アルミン酸イオン（ＡｌＣｌ４ −、ＡｌＦ４ −等）、ヘキサフルオロビスマス酸イオン（ＢｉＦ６ −）、カルボン酸イオン（ＣＨ３ＣＯＯ−、ＣＦ３ＣＯＯ−、Ｃ６Ｈ５ＣＯＯ−、ＣＨ３Ｃ６Ｈ４ＣＯＯ−、Ｃ６Ｆ５ＣＯＯ−、ＣＦ３Ｃ６Ｈ４ＣＯＯ−等）、アリールホウ酸イオン（Ｂ（Ｃ６Ｈ５）４ −、ＣＨ３ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｂ（Ｃ６Ｈ５）３ −等）、チオシアン酸イオン（ＳＣＮ−）及び硝酸イオン（ＮＯ３ −）等が使用できる。
これらのＸ−のうち、カチオン重合性能の点では、ＭＹａ −、（Ｒｆ）ｂＰＦ６−ｂ −、Ｒｘ１ ｃＢＹ４−ｃ −、Ｒｘ１ ｃＧａＹ４−ｃ −及び（Ｒｘ２ＳＯ２）３Ｃ−で表されるアニオンが好ましく、ＳｂＦ６ −、ＰＦ６ −、（ＣＦ３ＣＦ２）３ＰＦ３ −、（Ｃ６Ｆ５）４Ｂ−、（（ＣＦ３）２Ｃ６Ｈ３）４Ｂ−、（Ｃ６Ｆ５）４Ｇａ−、（（ＣＦ３）２Ｃ６Ｈ３）４Ｇａ−及び（ＣＦ３ＳＯ２）３Ｃ−がより好ましく、Ｒｘ１ ｃＢＹ４−ｃ −がさらに好ましい。
上記式（Ｄ−ＩＩ）、（Ｄ−Ｖ）、及び（Ｄ−ＶＩ）において、芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、縮合多環式芳香族炭化水素環［例えば、縮合二環式炭化水素環（例えば、ナフタレン環等のＣ８−２０縮合二環式炭化水素環、好ましくはＣ１０−１６縮合二環式炭化水素環）、縮合三環式芳香族炭化水素環（例えば、アントラセン環、フェナントレン環等）等の縮合２乃至４環式芳香族炭化水素環］等が挙げられる。芳香族炭化水素環は、ベンゼン環又はナフタレン環であることが好ましく、ベンゼン環であることがより好ましい。
上記式（Ｄ−Ｉ）〜（Ｄ−ＶＩ）において、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子等が挙げられる。
上記式（Ｄ−Ｉ）〜（Ｄ−ＶＩ）において、アルキル基としては、炭素原子数１以上１８以下の直鎖アルキル基（メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ドデシル、ｎ−テトラデシル、ｎ−ヘキサデシル、及びｎ−オクタデシル等）、炭素原子数３以上１８以下の分岐鎖アルキル基（イソプロピル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔｅｒｔ−ペンチル、イソヘキシル、及びイソオクタデシル等）、並びに炭素原子数３以上１８以下のシクロアルキル基（シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、及び４−デシルシクロヘキシル等）等が挙げられる。特に、上記式（Ｄ−Ｉ）、（Ｄ−ＩＩ）、及び（Ｄ−ＩＶ）〜（Ｄ−ＶＩ）において、ハロゲン原子で置換されていてもよいアルキル基とは、アルキル基及びハロゲン原子で置換されたアルキル基を意味する。ハロゲン原子で置換されたアルキル基としては、上記の直鎖アルキル基、分岐鎖アルキル基、又はシクロアルキル基における少なくとも１個の水素原子をハロゲン原子で置換した基（モノフルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル等）等が挙げられる。ハロゲン原子で置換されていてもよいアルキル基のうち、ＲＤ１、ＲＤ２、ＲＤ９、又はＲＤ１０については、トリフルオロメチル基が特に好ましく、ＲＤ４、ＲＤ６、ＲＤ１１、又はＲＤ１２については、メチル基が特に好ましい。
上記式（Ｄ−ＩＩ）〜（Ｄ−ＶＩ）において、アルコキシ基としては、炭素原子数１以上１８以下の直鎖又は分岐鎖アルコキシ基（メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、ヘキシルオキシ、デシルオキシ、ドデシルオキシ、及びオクタデシルオキシ等）等が挙げられる。
上記式（Ｄ−ＩＩ）〜（Ｄ−ＶＩ）において、アルキルカルボニル基におけるアルキル基としては、上述の炭素原子数１以上１８以下の直鎖アルキル基、炭素原子数３以上１８以下の分岐鎖アルキル基又は炭素原子数３以上１８以下のシクロアルキル基が挙げられ、アルキルカルボニル基としては、炭素原子数２以上１８以下の直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキルカルボニル基（アセチル、プロピオニル、ブタノイル、２−メチルプロピオニル、ヘプタノイル、２−メチルブタノイル、３−メチルブタノイル、オクタノイル、デカノイル、ドデカノイル、オクタデカノイル、シクロペンタノイル基、及びシクロヘキサノイル基等）等が挙げられる。
上記式（Ｄ−ＩＩＩ）〜（Ｄ−ＶＩ）において、アリールカルボニル基としては、炭素原子数７以上１１以下のアリールカルボニル基（ベンゾイル及びナフトイル等）等が挙げられる。
上記式（Ｄ−ＩＩ）〜（Ｄ−ＶＩ）において、アルコキシカルボニル基としては、炭素原子数２以上１９以下の直鎖又は分岐鎖アルコキシカルボニル基（メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、イソプロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、イソブトキシカルボニル、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル、オクチルオキシカルボニル、テトラデシルオキシカルボニル、及びオクタデシルオキシカルボニル等）等が挙げられる。
上記式（Ｄ−ＩＩＩ）〜（Ｄ−ＶＩ）において、アリールオキシカルボニル基としては、炭素原子数７以上１１以下のアリールオキシカルボニル基（フェノキシカルボニル及びナフトキシカルボニル等）等が挙げられる。
上記式（Ｄ−ＩＩＩ）〜（Ｄ−ＶＩ）において、アリールチオカルボニル基としては、炭素原子数７以上１１以下のアリールチオカルボニル基（フェニルチオカルボニル及びナフトキシチオカルボニル等）等が挙げられる。
上記式（Ｄ−ＩＩ）〜（Ｄ−ＶＩ）において、アシロキシ基としては、炭素原子数２以上１９以下の直鎖又は分岐鎖アシロキシ基（アセトキシ、エチルカルボニルオキシ、プロピルカルボニルオキシ、イソプロピルカルボニルオキシ、ブチルカルボニルオキシ、イソブチルカルボニルオキシ、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルオキシ、オクチルカルボニルオキシ、テトラデシルカルボニルオキシ、及びオクタデシルカルボニルオキシ等）等が挙げられる。
上記式（Ｄ−ＩＩＩ）〜（Ｄ−ＶＩ）において、アリールチオ基としては、炭素原子数６以上２０以下のアリールチオ基（フェニルチオ、２−メチルフェニルチオ、３−メチルフェニルチオ、４−メチルフェニルチオ、２−クロロフェニルチオ、３−クロロフェニルチオ、４−クロロフェニルチオ、２−ブロモフェニルチオ、３−ブロモフェニルチオ、４−ブロモフェニルチオ、２−フルオロフェニルチオ、３−フルオロフェニルチオ、４−フルオロフェニルチオ、２−ヒドロキシフェニルチオ、４−ヒドロキシフェニルチオ、２−メトキシフェニルチオ、４−メトキシフェニルチオ、１−ナフチルチオ、２−ナフチルチオ、４−［４−（フェニルチオ）ベンゾイル］フェニルチオ、４−［４−（フェニルチオ）フェノキシ］フェニルチオ、４−［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルチオ、４−（フェニルチオ）フェニルチオ、４−ベンゾイルフェニルチオ、４−ベンゾイル−２−クロロフェニルチオ、４−ベンゾイル−３−クロロフェニルチオ、４−ベンゾイル−３−メチルチオフェニルチオ、４−ベンゾイル−２−メチルチオフェニルチオ、４−（４−メチルチオベンゾイル）フェニルチオ、４−（２−メチルチオベンゾイル）フェニルチオ、４−（ｐ−メチルベンゾイル）フェニルチオ、４−（ｐ−エチルベンゾイル）フェニルチオ４−（ｐ−イソプロピルベンゾイル）フェニルチオ、及び４−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルベンゾイル）フェニルチオ等）等が挙げられる。
上記式（Ｄ−ＩＩ）〜（Ｄ−ＶＩ）において、アルキルチオ基としては、炭素原子数１以上１８以下の直鎖又は分岐鎖アルキルチオ基（メチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、イソプロピルチオ、ブチルチオ、イソブチルチオ、ｓｅｃ−ブチルチオ、ｔｅｒｔ−ブチルチオ、ペンチルチオ、イソペンチルチオ、ネオペンチルチオ、ｔｅｒｔ−ペンチルチオ、オクチルチオ、デシルチオ、ドデシルチオ、及びイソオクタデシルチオ等）等が挙げられる。
上記式（Ｄ−ＩＩＩ）〜（Ｄ−ＶＩ）において、アリール基としては、炭素原子数６以上１０以下のアリール基（フェニル、トリル、ジメチルフェニル、及びナフチル等）等が挙げられる。
上記式（Ｄ−ＩＩ）において、複素環式脂肪族基としては、炭素原子数２以上２０以下（好ましくは４以上２０以下）の複素環式基（ピロリジニル、テトラヒドロフラニル、テトラヒドロチエニル、ピペリジニル、テトラヒドロピラニル、テトラヒドロチオピラニル、モルホリニル、等）等が挙げられる。
上記式（Ｄ−ＩＩＩ）〜（Ｄ−ＶＩ）において、複素環式基としては、炭素原子数４以上２０以下の複素環式基（チエニル、フラニル、セレノフェニル、ピラニル、ピロリル、オキサゾリル、チアゾリル、ピリジル、ピリミジル、ピラジニル、インドリル、ベンゾフラニル、ベンゾチエニル、キノリル、イソキノリル、キノキサリニル、キナゾリニル、カルバゾリル、アクリジニル、フェノチアジニル、フェナジニル、キサンテニル、チアントレニル、フェノキサジニル、フェノキサチイニル、クロマニル、イソクロマニル、ジベンゾチエニル、キサントニル、チオキサントニル、及びジベンゾフラニル等）等が挙げられる。
上記式（Ｄ−ＩＩＩ）〜（Ｄ−ＶＩ）において、アリールオキシ基としては、炭素原子数６以上１０以下のアリールオキシ基（フェノキシ及びナフチルオキシ等）等が挙げられる。
上記式（Ｄ−ＩＩ）〜（Ｄ−ＶＩ）において、アルキルスルフィニル基としては、炭素原子数１以上１８以下の直鎖又は分岐鎖スルフィニル基（メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、プロピルスルフィニル、イソプロピルスルフィニル、ブチルスルフィニル、イソブチルスルフィニル、ｓｅｃ−ブチルスルフィニル、ｔｅｒｔ−ブチルスルフィニル、ペンチルスルフィニル、イソペンチルスルフィニル、ネオペンチルスルフィニル、ｔｅｒｔ−ペンチルスルフィニル、オクチルスルフィニル、及びイソオクタデシルスルフィニル等）等が挙げられる。
上記式（Ｄ−ＩＩＩ）〜（Ｄ−ＶＩ）において、アリールスルフィニル基としては、炭素原子数６以上１０以下のアリールスルフィニル基（フェニルスルフィニル、トリルスルフィニル、及びナフチルスルフィニル等）等が挙げられる。
上記式（Ｄ−ＩＩ）〜（Ｄ−ＶＩ）において、アルキルスルホニル基としては、炭素原子数１以上１８以下の直鎖又は分岐鎖アルキルスルホニル基（メチルスルホニル、エチルスルホニル、プロピルスルホニル、イソプロピルスルホニル、ブチルスルホニル、イソブチルスルホニル、ｓｅｃ−ブチルスルホニル、ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル、ペンチルスルホニル、イソペンチルスルホニル、ネオペンチルスルホニル、ｔｅｒｔ−ペンチルスルホニル、オクチルスルホニル、及びオクタデシルスルホニル等）等が挙げられる。
上記式（Ｄ−ＩＩＩ）〜（Ｄ−ＶＩ）において、アリールスルホニル基としては、炭素原子数６以上１０以下のアリールスルホニル基（フェニルスルホニル、トリルスルホニル（トシル基）、及びナフチルスルホニル等）等が挙げられる。
上記式（Ｄ−ＩＩ）〜（Ｄ−ＶＩ）において、ヒドロキシ（ポリ）アルキレンオキシ基としては、ＨＯ（ＡＯ）ｑ−（式中、ＡＯは独立にエチレンオキシ基及び／又はプロピレンオキシ基を表し、ｑは１以上５以下の整数を表す。）で表されるヒドロキシ（ポリ）アルキレンオキシ基等が挙げられる。
上記式（Ｄ−ＩＩ）〜（Ｄ−ＶＩ）において、置換されていてよいアミノ基としては、アミノ基（−ＮＨ２）及び炭素原子数１以上１５以下の置換アミノ基（メチルアミノ、ジメチルアミノ、エチルアミノ、メチルエチルアミノ、ジエチルアミノ、ｎ−プロピルアミノ、メチル−ｎ−プロピルアミノ、エチル−ｎ−プロピルアミノ、ｎ−プロピルアミノ、イソプロピルアミノ、イソプロピルメチルアミノ、イソプロピルエチルアミノ、ジイソプロピルアミノ、フェニルアミノ、ジフェニルアミノ、メチルフェニルアミノ、エチルフェニルアミノ、ｎ−プロピルフェニルアミノ、及びイソプロピルフェニルアミノ等）等が挙げられる。
上記式（Ｄ−ＩＩＩ）及び（Ｄ−ＩＶ）において、アルキレン基としては、炭素原子数１以上１８以下の直鎖又は分岐鎖アルキレン基（メチレン基、１，２−エチレン基、１，１−エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、プロパン−１，１−ジイル基、プロパン−２，２−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ブタン−１，３−ジイル基、ブタン−１，２−ジイル基、ブタン−１，１−ジイル基、ブタン−２，２−ジイル基、ブタン−２，３−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ペンタン−１，４−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基、ヘプタン−１，７−ジイル基、オクタン−１，８−ジイル基、２−エチルヘキサン−１，６−ジイル基、ノナン−１，９−ジイル基、デカン−１，１０−ジイル基、ウンデカン−１，１１−ジイル基、ドデカン−１，１２−ジイル基、トリデカン−１，１３−ジイル基、テトラデカン−１，１４−ジイル基、ペンタデカン−１，１５−ジイル基、及びヘキサデカン−１，１６−ジイル基等）等が挙げられる。
スルホニウム塩（Ｑ）は、例えば、下記スキームに従って合成することができる。具体的には、下記式（Ｄ−１）で表される１−フルオロ−２−メチル−４−ニトロベンゼンに、水酸化カリウム等の塩基の存在下で、下記式（Ｄ−２）で表される化合物を反応させて、下記式（Ｄ−３）で表されるニトロ化合物を得、次いで、還元鉄の存在下で還元を行って、下記式（Ｄ−４）で表されるアミン化合物を得る。このアミン化合物とＭａＮＯ２（式中、Ｍａは金属原子、例えば、ナトリウム原子等のアルカリ金属原子を示す。）で表される亜硝酸塩（例えば、亜硝酸ナトリウム）とを反応させてジアゾ化合物を得、次いで、このジアゾ化合物とＣｕＸ’（式中、Ｘ’は臭素原子等のハロゲン原子を示す。以下、同じ）で表されるハロゲン化第一銅とＨＸ’で表されるハロゲン化水素とを混合し、反応を進行させて、下記式（Ｄ−５）で表されるハロゲン化物を得る。このハロゲン化物及びマグネシウムからグリニャール試薬を調製し、次いで、クロロトリメチルシランの存在下で、このグリニャール試薬と下記式（Ｄ−６）で表されるスルホキシド化合物とを反応させて、下記式（Ｄ−７）で表されるスルホニウム塩を得ることができる。さらに、このスルホニウム塩をＭｂ＋Ｘ”−（式中、Ｍｂ＋は金属カチオン、例えば、カリウムイオン等のアルカリ金属カチオンを示し、Ｘ”−はＸ−で表される１価のアニオン（但し、ハロゲンアニオンを除く。）を示す。）で表される塩と反応させて塩交換を行うことにより、下記式（Ｄ−８）で表されるスルホニウム塩を得ることができる。なお、下記式（Ｄ−２）〜（Ｄ−８）において、ＲＤ１〜ＲＤ３及びＡＤ１は、上記式（Ｄ−Ｉ）と同様である。
＜スキーム＞
Figure 2020101769
上記式（Ｄ−Ｉ）で表されるスルホニウム塩（Ｑ）のカチオン部の具体例としては、以下のものが挙げられる。上記式（Ｄ−Ｉ）で表されるスルホニウム塩（Ｑ）のアニオン部の具体例としては、上記Ｘ−の説明で挙げたもの等、従来公知のものを挙げることができる。上記式（Ｄ−Ｉ）で表されるスルホニウム塩（Ｑ）は上記スキームに従って合成することができ、必要に応じさらに塩交換することにより、カチオン部を所望のアニオン部と組み合わせることができ、特に、Ｒｘ１ ｃＢＹ４−ｃ −（式中、Ｒｘ１は水素原子の少なくとも一部がハロゲン原子又は電子求引基で置換されたフェニル基を示し、Ｙはハロゲン原子を示し、ｃは１以上４以下の整数を示す。）で表されるアニオンとの組み合わせが好ましい。
Figure 2020101769
上記の好ましいカチオン部の群の中では、下記式で表されるカチオン部がより好ましい。
Figure 2020101769
オニウム塩（Ｄ２）が上記のスルホニウム塩（Ｑ）を含む場合、オニウム塩（Ｄ２）は、上記のスルホニウム塩（Ｑ）以外とともに、スルホニウム塩（Ｑ）以外のその他のオニウム塩を含んでいてもよい。
この場合、オニウム塩（Ｄ２）におけるスルホニウム塩（Ｑ）の含有量は特に限定されないが、典型的には、７０質量％以上が好ましく、８０質量％以上がより好ましく、９０質量％以上が特に好ましく、１００質量％が最も好ましい。
なお、組成物が、オニウム塩（Ｄ２）として、ガレートアニオン及び／又はボレートアニオンを含むオニウム塩を含む場合、当該オニウム塩のカチオン部は、上記式（Ｄ−Ｉ）で表されるスルホニウム塩のカチオン部に限定されず、後述のその他の酸発生剤に挙げるカチオン部とのオニウム塩であってもよい。組成物がオニウム塩（Ｄ２）としてガレートアニオン及び／又はボレートアニオンを含むオニウム塩を含むと、組成物の硬化性等の諸特性が良好である。
（その他のオニウム塩）
スルホニウム塩（Ｑ）以外のその他のオニウム塩としては、従来からエポキシ化合物の硬化等の目的で使用されている種々のオニウム塩を特に制限なく使用することができる。
その他のオニウム塩としては、ヨードニウム塩やスルホニウム塩等のオニウム塩が好ましく、スルホニウム塩（Ｑ）以外のその他のスルホニウム塩がより好ましい。
以下、スルホニウム塩（Ｑ）以外のその他のスルホニウム塩について「スルホニウム塩（Ｑ’）」とも記す。
その他のスルホニウム塩（Ｑ’）は、スルホニウム塩（Ｑ）と同じく、１価アニオンＸ−として上述のＲｘ１ ｃＢＹ４−ｃ −で表されるアニオン又は上述のＲｘ１ ｃＧａＹ４−ｃ −で表されるアニオン含むのが好ましい。
Ｒｘ１ ｃＢＹ４−ｃ −で表される１価のアニオンを有するスルホニウム塩（Ｑ’）としては、例えば下記式（Ｄ−Ａ）で表されるスルホニウム塩が挙げられる。Ｒｘ１ ｃＧａＹ４−ｃ −で表される１価のアニオンを有するスルホニウム塩（Ｑ’）としては下記式（Ｄ−Ａ）におけるＢをＧａに置き換えたスルホニウム塩である。
Figure 2020101769
 （式中、ＲＤ１、ＲＤ２、ＲＤ３、ＡＤ１、Ｒｘ１、Ｙ及びｃは上述の通り。）
上記式（Ｄ−Ａ）で表されるスルホニウム塩（Ｑ’）のカチオン部の具体例としては、以下のカチオンが挙げられる。
Figure 2020101769
スルホニウム塩（Ｑ’）のカチオン部の典型的な例としては、また、以下のカチオンが挙げられる。
Figure 2020101769
組成物におけるオニウム塩（Ｄ２）の含有量は、組成物の硬化が良好に進行する限り特に限定されない。組成物を良好に硬化させやすい点から、組成物におけるオニウム塩（Ｄ２）の含有量は、典型的には、エポキシ基含有樹脂、エポキシ化合物、又はオキセタン化合物等のオニウム塩（Ｄ２）により硬化する材料１００質量部に対して、０．０１質量部以上５０質量部以上であり、０．０１質量部以上３０質量部以下が好ましく、０．０１質量部以上２０質量部以下がより好ましく、０．０５質量部以上１５質量部以下がさらに好ましく、１質量部以上１０質量部以下が特に好ましい。
［エポキシ基含有樹脂、エポキシ化合物又はオキセタン化合物用硬化剤（Ｄ３）］
エポキシ基含有樹脂、エポキシ化合物又はオキセタン化合物用硬化剤（Ｄ３）（以下、硬化剤（Ｄ３）とも記す。）は、上記のオニウム塩（Ｄ２）以外の硬化剤であって、従来公知の硬化剤から適宜選択することができる。硬化剤（Ｄ３）は、エポキシ基含有樹脂、エポキシ化合物又はオキセタン化合物とともに使用してもよく、加熱による硬化に寄与する。
硬化剤（Ｄ３）としては、例えば、フェノール系硬化剤、酸無水物系硬化剤、多価アミン系硬化剤、触媒型硬化剤が挙げられる。
フェノール系硬化剤、及び酸無水物系硬化剤の使用量は、組成物中の基材成分（Ｃ）の量（特にエポキシ化合物の量、及びオキセタニル化合物（エポキシ基及び／又はオキセタニル基含有樹脂を含む）の合計量）１００質量部に対して、１質量部以上２００質量部以下が好ましく、５０質量部以上１５０質量部以下がより好ましく、８０質量部以上１２０質量部以下が特に好ましい。フェノール系硬化剤、及び酸無水物系硬化剤は、それぞれ単独で用いられてもよく、２種以上を組み合わせて用いられてもよい。
多価アミン系硬化剤の使用量は、組成物中の基材成分（Ｃ）の量（特にエポキシ化合物、及びオキセタニル化合物（エポキシ基及び／又はオキセタニル基含有樹脂を含む）の合計量）１００質量部に対して、０．１質量部以上５０質量部以下が好ましく、０．５質量部以上３０質量部以下がより好ましく、１質量部１５質量部が特に好ましい。これらの多価アミン系硬化剤は、単独で用いられてもよく、２種以上を組み合わせて用いられてもよい。
触媒型硬化剤の使用量は、組成物中の基材成分（Ｃ）の量（特にエポキシ化合物、及びオキセタニル化合物（エポキシ基及び／又はオキセタニル基含有樹脂を含む）の合計１００質量部に対して、１質量部以上１００質量部以下が好ましく、１質量部以上８０質量部以下がより好ましく、１質量部以上５０質量部以下が特に好ましい。これらの触媒型硬化剤は、単独で用いられてもよく、２種以上を組み合わせて用いられてもよい。
［ケイ素含有樹脂用硬化剤（Ｄ４）］
ケイ素含有樹脂を基材成分（Ｃ）として含む組成物は、ケイ素含有樹脂用硬化剤（Ｄ４）（以下、硬化剤（Ｄ４）とも記す。）を含んでいてもよい。ケイ素含有樹脂を含む組成物が硬化剤（Ｄ４）を含む場合、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等の有機溶媒により、溶解、膨潤、変形したりしにくい、有機溶媒耐性に優れる量子ドット含有被膜を形成しやすい。
硬化剤（Ｄ４）の好適な例としては、塩酸、硫酸、硝酸、ベンゼンスルホン酸、及びｐ−トルエンスルホ酸等のブレンステッド酸；２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール等のイミダゾール類；２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、ベンジルメチルアミン、ＤＢＵ（１，８−ジアザビシクロ〔５．４．０〕−７−ウンデセン）、ＤＣＭＵ（３−（３，４−ジクロロフェニル）−１，１−ジメチル尿素）等の有機アミン類；三塩化リン、三臭化リン、亜リン酸、亜リン酸トリメチル、亜リン酸トリエチル、亜リン酸トリプロピル等のＰＸ３（式中、Ｘはハロゲン原子、水酸基、又は炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基である。）で表されるリン化合物；オキシ三塩化リン、オキシ三臭化リン、リン酸、リン酸トリメチル、リン酸トリエチル、リン酸トリプロピル等のＰＯＸ３（式中、Ｘはハロゲン原子、水酸基、又は炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基である。）で表されるリン化合物；五酸化二リン；ポリリン酸やポリリン酸エステル等の、Ｈ（ＨＰＯ３）ｘＯＨ（式中、ｘは１以上の整数である。）で表されるリン化合物；メチルジクロロホスフィン、エチルジクロロホスフィン、メトキシジクロロホスフィン等のＲＤ０ＰＸ２（式中、ＲＤ０は水素原子又は炭素原子数１以上３０以下の有機基であり、該有機基中の水素原子はハロゲン原子で置換されていてもよい。Ｘはハロゲン原子、水酸基、又は炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基である。）で表されるリン化合物；亜リン酸ジメチル、亜リン酸ジエチル、メチルホスホン酸、メチルホスホン酸ジメチル、メチルホスホン酸ジクロリド、フェニルホスホン酸、フェニルホスホン酸ジクロリド、ベンジルホスホン酸ジエチル等のＲＤ０ＰＯＸ２（式中、ＲＤ０は水素原子又は炭素原子数１以上３０以下の有機基であり、該有機基中の水素原子はハロゲン原子で置換されていてもよい。Ｘはハロゲン原子、水酸基、又は炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基である。）で表されるリン化合物；トリブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリス（ｐ−トリル）ホスフィン、トリス（ｍ−トリル）ホスフィン、トリス（ｏ−トリル）ホスフィン、ジフェニルシクロヘキシルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリス（ジメトキシフェニル）ホスフィン、エチルトリフェニルホスホニウムブロマイド、ベンジルトリフェニルホスホニウムクロライド、１，４−ビスジフェニルホスフィノブタン等の有機リン化合物；三フッ化ホウ素、三塩化ホウ素、ホウ酸、ホウ酸トリメチル、ホウ酸トリエチル、ホウ酸トリプロピル、ホウ酸トリブチル、ホウ酸トリアミル、ホウ酸トリヘキシル、ホウ酸トリシクロペンチル、ホウ酸トリシクロヘキシル、ホウ酸トリアリル、ホウ酸トリフェニル、ホウ酸エチルジメチル等のＢＸ３（式中、Ｘはハロゲン原子、水酸基、又は炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基である。）で表されるホウ素化合物；酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）；フェニルボロン酸、ジイソプロポキシ（メチル）ボラン、メチルボロン酸、シクロヘキシルボロン酸等のＲＤ０ＢＸ２（式中、ＲＤ０は水素原子又は炭素原子数１以上３０以下の有機基であり、該有機基中の水素原子はハロゲン原子で置換されていてもよい。Ｘはハロゲン原子、水酸基、又は炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基である。）で表されるホウ素化合物；トリフェニルホスフィントリフェニルボラン、テトラフェニルホスホニウムテトラ−ｐ−トリルボレート、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムジシアナミド、ｎ−ブチルトリフェニルホスホニウムジシアナミド等の有機リン化合物の複合体；三フッ化ホウ素等のルイス酸の有機アミン錯体（有機アミンとしては例えばピペリジン）；アザビシクロウンデセン、ジアザビシクロウンデセントルエンスルホン酸塩、又はジアザビシクロウンデセンオクチル酸塩等のアミジン類；が挙げられる。
また、基材成分（Ｃ）として上記ポリシランを用いる場合、上記硬化剤（Ｄ４）に加えて又は単独で、光又は熱により塩基成分を発生する硬化剤を用いることが好ましい。
（熱により塩基成分を発生する硬化剤）
熱により塩基成分を発生する硬化剤としては、従来から熱塩基発生剤として使用されている化合物を特に限定なく用いることができる。
例えば、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタン−１−オンを、熱により塩基成分を発生する効果剤として用いることができる。なお、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタン−１−オンは光の作用によっても塩基を発生させる。
また、加熱によりイミダゾール化合物を発生させる化合物（以下、熱イミダゾール発生剤とも記す）も硬化剤として好ましく使用される。かかる熱イミダゾール発生剤としては、特開２０１６−１４５３０８号公報に記載される熱イミダゾール発生剤や、特開２０１７−０２５２２６号公報に記載のイミダゾール化合物が挙げられる。
（オキシムエステル化合物）
オキシムエステル化合物は、光の作用により分解して塩基を発生する。好適なオキシムエステル化合物としては、下記式（ｄ０１）で表される化合物が挙げられる。
Figure 2020101769
上記式（ｄ０１）中、Ｒｄ０１は、炭素原子数１以上１０以下のアルキル基、置換基を有してもよいフェニル基、又は置換基を有してもよいカルバゾリル基を示す。ｔ１は、０又は１である。Ｒｄ０２は、置換基を有してもよい炭素原子数１以上１０以下のアルキル基、置換基を有してもよいフェニル基、又は置換基を有してもよいカルバゾリル基を示す。Ｒｄ０３は、水素原子、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、又は置換基を有していてもよいフェニル基を示す。
Ｒｄ０１が炭素原子数１以上１０以下のアルキル基である場合、アルキル基は直鎖であっても分岐鎖であってもよい。この場合、アルキル基の炭素原子数は、１以上８以下が好ましく、１以上５以下がより好ましい。
Ｒｄ０１が、置換基を有してもよいフェニル基である場合、置換基の種類は本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されない。フェニル基が有していてもよい置換基の好適な例としては、アルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルコキシ基、飽和脂肪族アシル基、アルコキシカルボニル基、飽和脂肪族アシルオキシ基、置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいフェノキシ基、置換基を有してもよいベンゾイル基、置換基を有してもよいフェノキシカルボニル基、置換基を有してもよいベンゾイルオキシ基、置換基を有してもよいフェニルアルキル基、置換基を有してもよいナフチル基、置換基を有してもよいナフトキシ基、置換基を有してもよいナフトイル基、置換基を有してもよいナフトキシカルボニル基、置換基を有してもよいナフトイルオキシ基、置換基を有してもよいナフチルアルキル基、置換基を有してもよいヘテロシクリル基、アミノ基、１、又は２の有機基で置換されたアミノ基、モルホリン−１−イル基、及びピペラジン−１−イル基、ハロゲン、ニトロ基、及びシアノ基等が挙げられる。Ｒｄ０１が、置換基を有してもよいフェニル基であり、フェニル基が複数の置換基を有する場合、複数の置換基は同一であっても異なっていてもよい。
フェニル基が有する置換基がアルキル基である場合、その炭素原子数は、１以上２０以下が好ましく、１以上１０以下がより好ましく、１以上６以下がさらに好ましく、１以上３以下が特に好ましく、１が最も好ましい。また、アルキル基は、直鎖であっても、分岐鎖であってもよい。フェニル基が有する置換基がアルキル基である場合の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ｓｅｃ−ペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、ｎ−ノニル基、イソノニル基、ｎ−デシル基、及びイソデシル基等が挙げられる。また、アルキル基は炭素鎖中にエーテル結合（−Ｏ−）を含んでいてもよい。この場合、フェニル基が有する置換基としては、例えば、アルコキシアルキル基、アルコキシアルコキシアルキル基が挙げられる。フェニル基が有する置換基がアルコキシアルキル基である場合、−Ｒｄ０４−Ｏ−Ｒｄ０５で表される基が好ましい。Ｒｄ０４は、炭素原子数１以上１０以下の直鎖でも分岐鎖であってもよいアルキレン基である。Ｒｄ０５は、炭素原子数１以上１０以下の直鎖でも分岐鎖であってもよいアルキル基である。Ｒｄ０４の炭素原子数は、１以上８以下が好ましく、１以上５以下がより好ましく、１以上３以下が特に好ましい。Ｒｄ０５の炭素原子数は、１以上８以下が好ましく、１以上５以下がより好ましく、１以上３以下が特に好ましく、１が最も好ましい。炭素鎖中にエーテル結合を有するアルキル基の例としては、メトキシエチル基、エトキシエチル基、メトキシエトキシエチル基、エトキシエトキシエチル基、プロピルオキシエトキシエチル基、及びメトキシプロピル基等が挙げられる。
フェニル基が有する置換基がアルコキシ基である場合、その炭素原子数は、１以上２０以下が好ましく、１以上６以下がより好ましい。また、アルコキシ基は、直鎖であっても、分岐鎖であってもよい。フェニル基が有する置換基がアルコキシ基である場合の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ｓｅｃ−ペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、イソオクチルオキシ基、ｓｅｃ−オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、イソノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、及びイソデシルオキシ基等が挙げられる。また、アルコキシ基は炭素鎖中にエーテル結合（−Ｏ−）を含んでいてもよい。炭素鎖中にエーテル結合を有するアルコキシ基の例としては、メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ基、２−メトキシ−１−メチルエトキシ基、メトキシエトキシエトキシ基、エトキシエトキシエトキシ基、プロピルオキシエトキシエトキシ基、及びメトキシプロピルオキシ基等が挙げられる。
フェニル基が有する置換基がシクロアルキル基、又はシクロアルコキシ基である場合、その炭素原子数は、３以上１０以下が好ましく、３以上６以下がより好ましい。フェニル基が有する置換基がシクロアルキル基である場合の具体例としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、及びシクロオクチル基等が挙げられる。フェニル基が有する置換基がシクロアルコキシ基である場合の具体例としては、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロヘプチルオキシ基、及びシクロオクチルオキシ基等が挙げられる。
フェニル基が有する置換基が飽和脂肪族アシル基、又は飽和脂肪族アシルオキシ基である場合、その炭素原子数は、２以上２０以下が好ましく、２以上７以下がより好ましい。フェニル基が有する置換基が飽和脂肪族アシル基である場合の具体例としては、アセチル基、プロパノイル基、ｎ−ブタノイル基、２−メチルプロパノイル基、ｎ−ペンタノイル基、２，２−ジメチルプロパノイル基、ｎ−ヘキサノイル基、ｎ−ヘプタノイル基、ｎ−オクタノイル基、ｎ−ノナノイル基、ｎ−デカノイル基、ｎ−ウンデカノイル基、ｎ−ドデカノイル基、ｎ−トリデカノイル基、ｎ−テトラデカノイル基、ｎ−ペンタデカノイル基、及びｎ−ヘキサデカノイル基等が挙げられる。フェニル基が有する置換基が飽和脂肪族アシルオキシ基である場合の具体例としては、アセチルオキシ基、プロパノイルオキシ基、ｎ−ブタノイルオキシ基、２−メチルプロパノイルオキシ基、ｎ−ペンタノイルオキシ基、２，２−ジメチルプロパノイルオキシ基、ｎ−ヘキサノイルオキシ基、ｎ−ヘプタノイルオキシ基、ｎ−オクタノイルオキシ基、ｎ−ノナノイルオキシ基、ｎ−デカノイルオキシ基、ｎ−ウンデカノイルオキシ基、ｎ−ドデカノイルオキシ基、ｎ−トリデカノイルオキシ基、ｎ−テトラデカノイルオキシ基、ｎ−ペンタデカノイルオキシ基、及びｎ−ヘキサデカノイルオキシ基等が挙げられる。
フェニル基が有する置換基がアルコキシカルボニル基である場合、その炭素原子数は、２以上２０以下が好ましく、２以上７以下がより好ましい。フェニル基が有する置換基がアルコキシカルボニル基である場合の具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロピルオキシカルボニル基、イソプロピルオキシカルボニル基、ｎ−ブチルオキシカルボニル基、イソブチルオキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブチルオキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、イソペンチルオキシカルボニル基、ｓｅｃ−ペンチルオキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基、ｎ−ヘプチルオキシカルボニル基、ｎ−オクチルオキシカルボニル基、イソオクチルオキシカルボニル基、ｓｅｃ−オクチルオキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシカルボニル基、ｎ−ノニルオキシカルボニル基、イソノニルオキシカルボニル基、ｎ−デシルオキシカルボニル基、及びイソデシルオキシカルボニル基等が挙げられる。
フェニル基が有する置換基がフェニルアルキル基である場合、その炭素原子数は、７以上２０以下が好ましく、７以上１０以下がより好ましい。またフェニル基が有する置換基がナフチルアルキル基である場合、その炭素原子数は、１１以上２０以下が好ましく、１１以上１４以下がより好ましい。フェニル基が有する置換基がフェニルアルキル基である場合の具体例としては、ベンジル基、２−フェニルエチル基、３−フェニルプロピル基、及び４−フェニルブチル基が挙げられる。フェニル基が有する置換基がナフチルアルキル基である場合の具体例としては、α−ナフチルメチル基、β−ナフチルメチル基、２−（α−ナフチル）エチル基、及び２−（β−ナフチル）エチル基が挙げられる。フェニル基が有する置換基がフェニルアルキル基、又はナフチルアルキル基である場合、置換基は、フェニル基又はナフチル基上にさらに置換基を有していてもよい。
フェニル基が有する置換基がヘテロシクリル基である場合、ヘテロシクリル基は、１以上のＮ、Ｓ、Ｏを含む５員又は６員の単環であるか、かかる単環同士、又はかかる単環とベンゼン環とが縮合したヘテロシクリル基である。ヘテロシクリル基が縮合環である場合は、環数３までのものとする。かかるヘテロシクリル基を構成する複素環としては、フラン、チオフェン、ピロール、オキサゾール、イソオキサゾール、チアゾール、チアジアゾール、イソチアゾール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、インドール、イソインドール、インドリジン、ベンゾイミダゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、カルバゾール、プリン、キノリン、イソキノリン、キナゾリン、フタラジン、シンノリン、及びキノキサリン等が挙げられる。フェニル基が有する置換基がヘテロシクリル基である場合、ヘテロシクリル基はさらに置換基を有していてもよい。
フェニル基が有する置換基が１又は２の有機基で置換されたアミノ基である場合、有機基の好適な例は、炭素原子数１以上２０以下のアルキル基、炭素原子数３以上１０以下のシクロアルキル基、炭素原子数２以上２０以下の飽和脂肪族アシル基、炭素原子数２以上２０以下の飽和脂肪族アシルオキシ基、置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいベンゾイル基、置換基を有してもよい炭素原子数７以上２０以下のフェニルアルキル基、置換基を有してもよいナフチル基、置換基を有してもよいナフトイル基、置換基を有してもよい炭素原子数１１以上２０以下のナフチルアルキル基、及びヘテロシクリル基等が挙げられる。これらの好適な有機基の具体例としては、フェニル基が有する置換基について上記したものと同様のものが挙げられる。１、又は２の有機基で置換されたアミノ基の具体例としては、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ｎ−プロピルアミノ基、ジ−ｎ−プロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ｎ−ブチルアミノ基、ジ−ｎ−ブチルアミノ基、ｎ−ペンチルアミノ基、ｎ−ヘキシルアミノ基、ｎ−ヘプチルアミノ基、ｎ−オクチルアミノ基、ｎ−ノニルアミノ基、ｎ−デシルアミノ基、フェニルアミノ基、ナフチルアミノ基、アセチルアミノ基、プロパノイルアミノ基、ｎ−ブタノイルアミノ基、ｎ−ペンタノイルアミノ基、ｎ−ヘキサノイルアミノ基、ｎ−ヘプタノイルアミノ基、ｎ−オクタノイルアミノ基、ｎ−デカノイルアミノ基、ベンゾイルアミノ基、α−ナフトイルアミノ基、β−ナフトイルアミノ基、及びＮ−アセチル−Ｎ−アセチルオキシアミノ基等が挙げられる。
フェニル基が有する置換基に含まれる、フェニル基、ナフチル基、及びヘテロシクリル基がさらに置換基を有する場合の置換基としては、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、炭素原子数２以上７以下の飽和脂肪族アシル基、炭素原子数２以上７以下のアルコキシカルボニル基、炭素原子数２以上７以下の飽和脂肪族アシルオキシ基、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を有するモノアルキルアミノ基、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を有するジアルキルアミノ基、モルホリン−１−イル基、ピペラジン−１−イル基、ハロゲン、ニトロ基、及びシアノ基等が挙げられる。フェニル基が有する置換基に含まれる、フェニル基、ナフチル基、及びヘテロシクリル基がさらに置換基を有する場合、その置換基の数は、本発明の目的を阻害しない範囲で限定されないが、１以上４以下が好ましい。フェニル基が有する置換基に含まれる、フェニル基、ナフチル基、及びヘテロシクリル基が、複数の置換基を有する場合、複数の置換基は、同一であっても異なっていてもよい。
以上、Ｒｄ０１が置換基を有してもよいフェニル基である場合の置換基について説明したが、これらの置換基の中では、アルキル基又はアルコキシアルキル基が好ましい。
Ｒｄ０１が置換基を有してもよいフェニル基である場合、置換基の数と、置換基の結合位置とは、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されない。Ｒｄ０１が、置換基を有してもよいフェニル基である場合、塩基の発生効率に優れる点で、置換基を有してもよいフェニル基は、置換基を有していてもよいｏ−トリル基であるのが好ましい。
Ｒｄ０１が置換基を有してもよいカルバゾリル基である場合、置換基の種類は本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されない。カルバゾリル基が炭素原子上に有してもよい好適な置換基の例としては、炭素原子数１以上２０以下のアルキル基、炭素原子数１以上２０以下のアルコキシ基、炭素原子数３以上１０以下のシクロアルキル基、炭素原子数３以上１０以下のシクロアルコキシ基、炭素原子数２以上２０以下の飽和脂肪族アシル基、炭素原子数２以上２０以下のアルコキシカルボニル基、炭素原子数２以上２０以下の飽和脂肪族アシルオキシ基、置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいフェノキシ基、置換基を有してもよいフェニルチオ基、置換基を有してもよいフェニルカルボニル基、置換基を有してもよいベンゾイル基、置換基を有してもよいフェノキシカルボニル基、置換基を有してもよいベンゾイルオキシ基、置換基を有してもよい炭素原子数７以上２０以下のフェニルアルキル基、置換基を有してもよいナフチル基、置換基を有してもよいナフトキシ基、置換基を有してもよいナフチルカルボニル基、置換基を有してもよいナフトイル基、置換基を有してもよいナフトキシカルボニル基、置換基を有してもよいナフトイルオキシ基、置換基を有してもよい炭素原子数１１以上２０以下のナフチルアルキル基、置換基を有してもよいヘテロシクリル基、置換基を有してもよいヘテロシクリルカルボニル基、アミノ基、１又は２の有機基で置換されたアミノ基、モルホリン−１−イル基、及びピペラジン−１−イル基、ハロゲン、ニトロ基、及びシアノ基等が挙げられる。
Ｒｄ０１が置換基を有してもよいカルバゾリル基である場合、カルバゾリル基が窒素原子上に有してもよい好適な置換基の例としては、炭素原子数１以上２０以下のアルキル基、炭素原子数３以上１０以下のシクロアルキル基、炭素原子数２以上２０以下の飽和脂肪族アシル基、炭素原子数２以上２０以下のアルコキシカルボニル基、置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいベンゾイル基、置換基を有してもよいフェノキシカルボニル基、置換基を有してもよい炭素原子数７以上２０以下のフェニルアルキル基、置換基を有してもよいナフチル基、置換基を有してもよいナフトイル基、置換基を有してもよいナフトキシカルボニル基、置換基を有してもよい炭素原子数１１以上２０以下のナフチルアルキル基、置換基を有してもよいヘテロシクリル基、及び置換基を有してもよいヘテロシクリルカルボニル基等が挙げられる。これらの置換基の中では、炭素原子数１以上２０以下のアルキル基が好ましく、炭素原子数１以上６以下のアルキル基がより好ましく、エチル基が特に好ましい。
カルバゾリル基が有してもよい置換基の具体例について、アルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルコキシ基、飽和脂肪族アシル基、アルコキシカルボニル基、飽和脂肪族アシルオキシ基、置換基を有してもよいフェニルアルキル基、置換基を有してもよいナフチルアルキル基、置換基を有してもよいヘテロシクリル基、及び１又は２の有機基で置換されたアミノ基に関しては、Ｒｄ０１が置換基を有してもよいフェニル基である場合の、フェニル基が有する置換基の例と同様である。
Ｒｄ０１において、カルバゾリル基が有する置換基に含まれるフェニル基、ナフチル基、及びヘテロシクリル基がさらに置換基を有する場合の置換基の例としては、炭素原子数１以上６以下のアルキル基；炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基；炭素原子数２以上７以下の飽和脂肪族アシル基；炭素原子数２以上７以下のアルコキシカルボニル基；炭素原子数２以上７以下の飽和脂肪族アシルオキシ基；フェニル基；ナフチル基；ベンゾイル基；ナフトイル基；炭素原子数１以上６以下のアルキル基、モルホリン−１−イル基、ピペラジン−１−イル基、及びフェニル基からなる群より選択される基により置換されたベンゾイル基；炭素原子数１以上６以下のアルキル基を有するモノアルキルアミノ基；炭素原子数１以上６以下のアルキル基を有するジアルキルアミノ基；モルホリン−１−イル基；ピペラジン−１−イル基；ハロゲン；ニトロ基；シアノ基が挙げられる。カルバゾリル基が有する置換基に含まれるフェニル基、ナフチル基、及びヘテロシクリル基がさらに置換基を有する場合、その置換基の数は、本発明の目的を阻害しない範囲で限定されないが、１以上４以下が好ましい。フェニル基、ナフチル基、及びヘテロシクリル基が、複数の置換基を有する場合、複数の置換基は、同一であっても異なっていてもよい。
Ｒｄ０２は、置換基を有してもよい炭素原子数１以上１０以下のアルキル基、置換基を有してもよいフェニル基、又は置換基を有してもよいカルバゾリル基である。
Ｒｄ０２が置換基を有してもよい炭素原子数１以上１０以下のアルキル基である場合、アルキル基は直鎖であっても分岐鎖であってもよい。この場合、アルキル基の炭素原子数は、１以上８以下が好ましく、１以上５以下がより好ましい。
Ｒｄ０２において、アルキル基、フェニル基、又はカルバゾリル基が有する置換基は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されない。
アルキル基が炭素原子上に有してもよい好適な置換基の例としては、炭素原子数１以上２０以下のアルコキシ基、炭素原子数３以上１０以下のシクロアルキル基、炭素原子数３以上１０以下のシクロアルコキシ基、炭素原子数２以上２０以下の飽和脂肪族アシル基、炭素原子数２以上２０以下のアルコキシカルボニル基、炭素原子数２以上２０以下の飽和脂肪族アシルオキシ基、置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいフェノキシ基、置換基を有してもよいフェニルチオ基、置換基を有してもよいベンゾイル基、置換基を有してもよいフェノキシカルボニル基、置換基を有してもよいベンゾイルオキシ基、置換基を有してもよい炭素原子数７以上２０以下のフェニルアルキル基、置換基を有してもよいナフチル基、置換基を有してもよいナフトキシ基、置換基を有してもよいナフトイル基、置換基を有してもよいナフトキシカルボニル基、置換基を有してもよいナフトイルオキシ基、置換基を有してもよい炭素原子数１１以上２０以下のナフチルアルキル基、置換基を有してもよいヘテロシクリル基、置換基を有してもよいヘテロシクリルカルボニル基、アミノ基、１又は２の有機基で置換されたアミノ基、モルホリン−１−イル基、及びピペラジン−１−イル基、ハロゲン、ニトロ基、及びシアノ基等が挙げられる。
フェニル基、及びカルバゾリル基が炭素原子上に有してもよい好適な置換基の例としては、アルキル基が炭素原子上に有してもよい好適な置換基として上記で例示した基に加えて、炭素原子数１以上２０以下のアルキル基が挙げられる。
アルキル基、フェニル基、又はカルバゾリル基が有してもよい置換基の具体例について、アルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルコキシ基、飽和脂肪族アシル基、アルコキシカルボニル基、飽和脂肪族アシルオキシ基、置換基を有してもよいフェニルアルキル基、置換基を有してもよいナフチルアルキル基、置換基を有してもよいヘテロシクリル基、及び１又は２の有機基で置換されたアミノ基に関しては、Ｒｄ０１が置換基を有してもよいフェニル基である場合の、フェニル基が有する置換基の例と同様である。
Ｒｄ０２において、アルキル基、フェニル基、又はカルバゾリル基が有する置換基に含まれるフェニル基、ナフチル基、及びヘテロシクリル基がさらに置換基を有する場合の置換基の例としては、炭素原子数１以上６以下のアルキル基；炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基；炭素原子数２以上７以下の飽和脂肪族アシル基；炭素原子数２以上７以下のアルコキシカルボニル基；炭素原子数２以上７以下の飽和脂肪族アシルオキシ基；フェニル基；ナフチル基；ベンゾイル基；ナフトイル基；炭素原子数１以上６以下のアルキル基、モルホリン−１−イル基、ピペラジン−１−イル基、及びフェニル基からなる群より選択される基により置換されたベンゾイル基；炭素原子数１以上６以下のアルキル基を有するモノアルキルアミノ基；炭素原子数１以上６以下のアルキル基を有するジアルキルアミノ基；モルホリン−１−イル基；ピペラジン−１−イル基；ハロゲン；ニトロ基；シアノ基が挙げられる。アルキル基又はフェニル基が有する置換基に含まれるフェニル基、ナフチル基、及びヘテロシクリル基がさらに置換基を有する場合、その置換基の数は、本発明の目的を阻害しない範囲で限定されないが、１以上４以下が好ましい。フェニル基、ナフチル基、及びヘテロシクリル基が、複数の置換基を有する場合、複数の置換基は、同一であっても異なっていてもよい。
式（ｄ０１）で表される化合物の塩基発生効率の点から、Ｒｄ０２としては、下記式（ｄ０２）：
Figure 2020101769
 で表される基、及び下記式（ｄ０３）：
Figure 2020101769
 で表される基が好ましい。
式（ｄ０２）中、Ｒｄ０６及びＲｄ０７は、それぞれ１価の有機基であり、ｔ２は０又は１である。式（ｄ０３）中、Ｒｄ０８は、１価の有機基、アミノ基、ハロゲン、ニトロ基、及びシアノ基からなる群より選択される基であり、ＡｄはＳ又はＯであり、ｔ３は０以上４以下の整数である。
式（ｄ０２）におけるＲｄ０６は、本発明の目的を阻害しない範囲で、種々の有機基から選択できる。Ｒｄ０６の好適な例としては、炭素原子数１以上２０以下のアルキル基、炭素原子数３以上１０以下のシクロアルキル基、炭素原子数２以上２０以下の飽和脂肪族アシル基、炭素原子数２以上２０以下のアルコキシカルボニル基、置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいベンゾイル基、置換基を有してもよいフェノキシカルボニル基、置換基を有してもよい炭素原子数７以上２０以下のフェニルアルキル基、置換基を有してもよいナフチル基、置換基を有してもよいナフトイル基、置換基を有してもよいナフトキシカルボニル基、置換基を有してもよい炭素原子数１１以上２０以下のナフチルアルキル基、置換基を有してもよいヘテロシクリル基、及び置換基を有してもよいヘテロシクリルカルボニル基等が挙げられる。
Ｒｄ０６の中では、炭素原子数１以上２０以下のアルキル基が好ましく、炭素原子数１以上６以下のアルキル基がより好ましく、エチル基が特に好ましい。
式（ｄ０２）におけるＲｄ０７は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されず、種々の有機基から選択できる。Ｒｄ０７として好適な基の具体例としては、炭素原子数１以上２０以下のアルキル基、置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいナフチル基、及び置換基を有してもよいヘテロシクリル基が挙げられる。Ｒｄ０７として、これらの基の中では置換基を有してもよいフェニル基、及び置換基を有してもよいナフチル基がより好ましく、２−メチルフェニル基及びナフチル基が特に好ましい。
Ｒｄ０６又はＲｄ０７に含まれる、フェニル基、ナフチル基、及びヘテロシクリル基がさらに置換基を有する場合の置換基としては、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、炭素原子数２以上７以下の飽和脂肪族アシル基、炭素原子数２以上７以下のアルコキシカルボニル基、炭素原子数２以上７以下の飽和脂肪族アシルオキシ基、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を有するモノアルキルアミノ基、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を有するジアルキルアミノ基、モルホリン−１−イル基、ピペラジン−１−イル基、ハロゲン、ニトロ基、及びシアノ基等が挙げられる。Ｒｄ０６又はＲｄ０７に含まれる、フェニル基、ナフチル基、及びヘテロシクリル基がさらに置換基を有する場合、その置換基の数は、本発明の目的を阻害しない範囲で限定されないが、１以上４以下が好ましい。Ｒｄ０６又はＲｄ０７に含まれる、フェニル基、ナフチル基、及びヘテロシクリル基が、複数の置換基を有する場合、複数の置換基は、同一であっても異なっていてもよい。
式（ｄ０３）におけるＲｄ０８が有機基である場合、Ｒｄ０８は、本発明の目的を阻害しない範囲で、種々の有機基から選択できる。式（ｄ０３）においてＲｄ０８が有機基である場合の好適な例としては、炭素原子数１以上６以下のアルキル基；炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基；炭素原子数２以上７以下の飽和脂肪族アシル基；炭素原子数２以上７以下のアルコキシカルボニル基；炭素原子数２以上７以下の飽和脂肪族アシルオキシ基；フェニル基；ナフチル基；ベンゾイル基；ナフトイル基；炭素原子数１以上６以下のアルキル基、モルホリン−１−イル基、ピペラジン−１−イル基、及びフェニル基からなる群より選択される基により置換されたベンゾイル基；炭素原子数１以上６以下のアルキル基を有するモノアルキルアミノ基；炭素原子数１以上６以下のアルキル基を有するジアルキルアミノ基；モルホリン−１−イル基；ピペラジン−１−イル基；ハロゲン；ニトロ基；シアノ基；２−メチルフェニルカルボニル基；４−（ピペラジン−１−イル）フェニルカルボニル基；４−（フェニル）フェニルカルボニル基が挙げられる。
Ｒｄ０８の中では、ベンゾイル基；ナフトイル基；炭素原子数１以上６以下のアルキル基、モルホリン−１−イル基、ピペラジン−１−イル基、及びフェニル基からなる群より選択される基により置換されたベンゾイル基；ニトロ基が好ましく、ベンゾイル基；ナフトイル基；２−メチルフェニルカルボニル基；４−（ピペラジン−１−イル）フェニルカルボニル基；４−（フェニル）フェニルカルボニル基がより好ましい。
また、式（ｄ０３）において、ｔ３、０以上３以下の整数が好ましく、０以上２以下の整数がより好ましく、０又は１であるのが特に好ましい。ｔ３が１である場合、Ｒｄ０８の結合する位置は、Ｒｄ０８が結合するフェニル基が硫黄原子と結合する結合手に対して、パラ位であるのが好ましい。
Ｒｄ０３は、水素原子、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、又は置換基を有していてもよいフェニル基である。置換基を有していてもよいフェニル基である場合、フェニル基が有していてもよい置換基は、Ｒｄ０１が置換基を有していてもよいフェニル基である場合と同様である。Ｒｄ０３としては、メチル基、エチル基、又はフェニル基が好ましく、メチル基又はフェニル基がより好ましい。
上記式（ｄ０１）で表される化合物としては、下記式（ｄ０４）で表される化合物が挙げられる。
Figure 2020101769
上記式（ｄ０４）中、ｔ１及びＲｄ０２は上記の通りである。Ｒｄ０９は、１価の有機基、アミノ基、ハロゲン、ニトロ基、及びシアノ基からなる群より選択される基であり、ｔ４は０以上４以下の整数であり、Ｒｄ０１０は、水素原子又は炭素原子数１以上６以下のアルキル基である。
上記式（ｄ０４）中、Ｒｄ０９は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されず、有機基である場合、種々の有機基から適宜選択される。Ｒｄ０９の好適な例としては、アルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルコキシ基、飽和脂肪族アシル基、アルコキシカルボニル基、飽和脂肪族アシルオキシ基、置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいフェノキシ基、置換基を有してもよいベンゾイル基、置換基を有してもよいフェノキシカルボニル基、置換基を有してもよいベンゾイルオキシ基、置換基を有してもよいフェニルアルキル基、置換基を有してもよいナフチル基、置換基を有してもよいナフトキシ基、置換基を有してもよいナフトイル基、置換基を有してもよいナフトキシカルボニル基、置換基を有してもよいナフトイルオキシ基、置換基を有してもよいナフチルアルキル基、置換基を有してもよいヘテロシクリル基、アミノ基、１又は２の有機基で置換されたアミノ基、モルホリン−１−イル基、ピペラジン−１−イル基、ハロゲン、ニトロ基、及びシアノ基等が挙げられる。ｔ４が２以上４以下の整数である場合、Ｒｄ０９は同一であっても異なっていてもよい。また、置換基の炭素原子数には、置換基がさらに有する置換基の炭素原子数を含まない。
Ｒｄ０９がアルキル基である場合、炭素原子数１以上２０以下が好ましく、炭素原子数１以上６以下がより好ましい。また、Ｒｄ０９がアルキル基である場合、直鎖であっても、分岐鎖であってもよい。Ｒｄ０９がアルキル基である場合の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ｓｅｃ−ペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、ｎ−ノニル基、イソノニル基、ｎ−デシル基、及びイソデシル基等が挙げられる。また、Ｒｄ０９がアルキル基である場合、アルキル基は炭素鎖中にエーテル結合（−Ｏ−）を含んでいてもよい。炭素鎖中にエーテル結合を有するアルキル基の例としては、メトキシエチル基、エトキシエチル基、メトキシエトキシエチル基、エトキシエトキシエチル基、プロピルオキシエトキシエチル基、及びメトキシプロピル基等が挙げられる。
Ｒｄ０９がアルコキシ基である場合、炭素原子数１以上２０以下が好ましく、炭素原子数１以上６以下がより好ましい。また、Ｒｄ０９がアルコキシ基である場合、直鎖であっても、分岐鎖であってもよい。Ｒｄ０９がアルコキシ基である場合の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ｓｅｃ−ペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、イソオクチルオキシ基、ｓｅｃ−オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、イソノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、及びイソデシルオキシ基等が挙げられる。また、Ｒｄ０９がアルコキシ基である場合、アルコキシ基は炭素鎖中にエーテル結合（−Ｏ−）を含んでいてもよい。炭素鎖中にエーテル結合を有するアルコキシ基の例としては、メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ基、メトキシエトキシエトキシ基、エトキシエトキシエトキシ基、プロピルオキシエトキシエトキシ基、及びメトキシプロピルオキシ基等が挙げられる。
Ｒｄ０９がシクロアルキル基又はシクロアルコキシ基である場合、炭素原子数３以上１０以下が好ましく、炭素原子数３以上６以下がより好ましい。Ｒｄ０９がシクロアルキル基である場合の具体例としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、及びシクロオクチル基等が挙げられる。Ｒｄ０９がシクロアルコキシ基である場合の具体例としては、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロヘプチルオキシ基、及びシクロオクチルオキシ基等が挙げられる。
Ｒｄ０９が飽和脂肪族アシル基又は飽和脂肪族アシルオキシ基である場合、炭素原子数２以上２０以下が好ましく、炭素原子数２以上７以下がより好ましい。Ｒｄ０９が飽和脂肪族アシル基である場合の具体例としては、アセチル基、プロパノイル基、ｎ−ブタノイル基、２−メチルプロパノイル基、ｎ−ペンタノイル基、２，２−ジメチルプロパノイル基、ｎ−ヘキサノイル基、ｎ−ヘプタノイル基、ｎ−オクタノイル基、ｎ−ノナノイル基、ｎ−デカノイル基、ｎ−ウンデカノイル基、ｎ−ドデカノイル基、ｎ−トリデカノイル基、ｎ−テトラデカノイル基、ｎ−ペンタデカノイル基、及びｎ−ヘキサデカノイル基等が挙げられる。Ｒｄ０９が飽和脂肪族アシルオキシ基である場合の具体例としては、アセチルオキシ基、プロパノイルオキシ基、ｎ−ブタノイルオキシ基、２−メチルプロパノイルオキシ基、ｎ−ペンタノイルオキシ基、２，２−ジメチルプロパノイルオキシ基、ｎ−ヘキサノイルオキシ基、ｎ−ヘプタノイルオキシ基、ｎ−オクタノイルオキシ基、ｎ−ノナノイルオキシ基、ｎ−デカノイルオキシ基、ｎ−ウンデカノイルオキシ基、ｎ−ドデカノイルオキシ基、ｎ−トリデカノイルオキシ基、ｎ−テトラデカノイルオキシ基、ｎ−ペンタデカノイルオキシ基、及びｎ−ヘキサデカノイルオキシ基等が挙げられる。
Ｒｄ０９がアルコキシカルボニル基である場合、炭素原子数２以上２０以下が好ましく、炭素原子数２以上７以下がより好ましい。Ｒｄ０９がアルコキシカルボニル基である場合の具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロピルオキシカルボニル基、イソプロピルオキシカルボニル基、ｎ−ブチルオキシカルボニル基、イソブチルオキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブチルオキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、イソペンチルオキシカルボニル基、ｓｅｃ−ペンチルオキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基、ｎ−ヘプチルオキシカルボニル基、ｎ−オクチルオキシカルボニル基、イソオクチルオキシカルボニル基、ｓｅｃ−オクチルオキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシカルボニル基、ｎ−ノニルオキシカルボニル基、イソノニルオキシカルボニル基、ｎ−デシルオキシカルボニル基、及びイソデシルオキシカルボニル基等が挙げられる。
Ｒｄ０９がフェニルアルキル基である場合、炭素原子数７以上２０以下が好ましく、炭素原子数７以上１０以下がより好ましい。またＲｄ０９がナフチルアルキル基である場合、炭素原子数１１以上２０以下が好ましく、炭素原子数１１以上１４以下がより好ましい。Ｒｄ０９がフェニルアルキル基である場合の具体例としては、ベンジル基、２−フェニルエチル基、３−フェニルプロピル基、及び４−フェニルブチル基が挙げられる。Ｒｄ０９がナフチルアルキル基である場合の具体例としては、α−ナフチルメチル基、β−ナフチルメチル基、２−（α−ナフチル）エチル基、及び２−（β−ナフチル）エチル基が挙げられる。Ｒｄ０９が、フェニルアルキル基、又はナフチルアルキル基である場合、Ｒｄ０９は、フェニル基、又はナフチル基上にさらに置換基を有していてもよい。
Ｒｄ０９がヘテロシクリル基である場合、ヘテロシクリル基は、１以上のＮ、Ｓ、Ｏを含む５員又は６員の単環であるか、かかる単環同士、又はかかる単環とベンゼン環とが縮合したヘテロシクリル基である。ヘテロシクリル基が縮合環である場合は、環数３までのものとする。かかるヘテロシクリル基を構成する複素環としては、フラン、チオフェン、ピロール、オキサゾール、イソオキサゾール、チアゾール、チアジアゾール、イソチアゾール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、インドール、イソインドール、インドリジン、ベンゾイミダゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、カルバゾール、プリン、キノリン、イソキノリン、キナゾリン、フタラジン、シンノリン、及びキノキサリン等が挙げられる。Ｒｄ０９がヘテロシクリル基である場合、ヘテロシクリル基はさらに置換基を有していてもよい。
Ｒｄ０９が１又は２の有機基で置換されたアミノ基である場合、有機基の好適な例は、炭素原子数１以上２０以下のアルキル基、炭素原子数３以上１０以下のシクロアルキル基、炭素原子数２以上２０以下の飽和脂肪族アシル基、置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいベンゾイル基、置換基を有してもよい炭素原子数７以上２０以下のフェニルアルキル基、置換基を有してもよいナフチル基、置換基を有してもよいナフトイル基、置換基を有してもよい炭素原子数１１以上２０以下のナフチルアルキル基、及びヘテロシクリル基等が挙げられる。これらの好適な有機基の具体例は、Ｒｄ０９と同様である。１又は２の有機基で置換されたアミノ基の具体例としては、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ｎ−プロピルアミノ基、ジ−ｎ−プロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ｎ−ブチルアミノ基、ジ−ｎ−ブチルアミノ基、ｎ−ペンチルアミノ基、ｎ−ヘキシルアミノ基、ｎ−ヘプチルアミノ基、ｎ−オクチルアミノ基、ｎ−ノニルアミノ基、ｎ−デシルアミノ基、フェニルアミノ基、ナフチルアミノ基、アセチルアミノ基、プロパノイルアミノ基、ｎ−ブタノイルアミノ基、ｎ−ペンタノイルアミノ基、ｎ−ヘキサノイルアミノ基、ｎ−ヘプタノイルアミノ基、ｎ−オクタノイルアミノ基、ｎ−デカノイルアミノ基、ベンゾイルアミノ基、α−ナフトイルアミノ基、及びβ−ナフトイルアミノ基等が挙げられる。
Ｒｄ０９に含まれる、フェニル基、ナフチル基、及びヘテロシクリル基がさらに置換基を有する場合の置換基としては、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、炭素原子数２以上７以下の飽和脂肪族アシル基、炭素原子数２以上７以下のアルコキシカルボニル基、炭素原子数２以上７以下の飽和脂肪族アシルオキシ基、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を有するモノアルキルアミノ基、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を有するジアルキルアミノ基、モルホリン−１−イル基、ピペラジン−１−イル基、ハロゲン、ニトロ基、及びシアノ基等が挙げられる。Ｒｄ０９に含まれる、フェニル基、ナフチル基、及びヘテロシクリル基がさらに置換基を有する場合、その置換基の数は、本発明の目的を阻害しない範囲で限定されないが、１以上４以下が好ましい。Ｒｄ０９に含まれる、フェニル基、ナフチル基、及びヘテロシクリル基が、複数の置換基を有する場合、複数の置換基は、同一であっても異なっていてもよい。
Ｒｄ０９の中では、化学的に安定であることや、立体的な障害が少なく、オキシムエステル化合物の合成が容易であること等から、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、及び炭素原子数２以上７以下の飽和脂肪族アシル基からなる群より選択される基が好ましく、炭素原子数１以上６以下のアルキルがより好ましく、メチル基が特に好ましい。
Ｒｄ０９がフェニル基に結合する位置は、Ｒｄ０９が結合するフェニル基について、フェニル基とオキシムエステル化合物の主骨格との結合手の位置を１位とし、メチル基の位置を２位とする場合に、４位、又は５位が好ましく、５位がより好ましい。また、ｔ４は、０以上３以下の整数が好ましく、０以上２以下の整数がより好ましく、０又は１が特に好ましい。
上記式（ｄ０４）におけるＲｄ０１０は、水素原子又は炭素原子数１以上６以下のアルキル基である。Ｒｄ０１０としては、メチル基又はエチル基が好ましく、メチル基がより好ましい。
式（ｄ０１）で表されるオキシムエステル化合物として特に好適な化合物の具体例を以下に示す。
Figure 2020101769
下式（ｄ０５）で表される化合物も、オキシムエステル化合物として好適に使用される。
Figure 2020101769
 （Ｒｄ０１１は水素原子、ニトロ基又は１価の有機基であり、Ｒｄ０１２及びＲｄ０１３は、それぞれ、置換基を有してもよい鎖状アルキル基、置換基を有してもよい環状有機基、又は水素原子であり、Ｒｄ０１２及びＲｄ０１３とは相互に結合して環を形成してもよく、Ｒｄ０１４は１価の有機基であり、Ｒｄ０１５は、水素原子、置換基を有してもよい炭素原子数１以上１１以下のアルキル基、又は置換基を有してもよいアリール基であり、ｔ６は０以上４以下の整数であり、ｔ５は０又は１である。）
式（ｄ０５）中、Ｒｄ０１１は、水素原子、ニトロ基又は１価の有機基である。Ｒｄ０１１は、式（ｄ０５）中のフルオレン環上で、−（ＣＯ）ｔ５−で表される基に結合する６員芳香環とは、異なる６員芳香環に結合する。式（ｄ０５）中、Ｒｄ０１１のフルオレン環に対する結合位置は特に限定されない。式（ｄ０５）で表される化合物が１以上のＲｄ０１１を有する場合、式（ｄ０５）で表される化合物の合成が容易であること等から、１以上のＲｄ０１１のうちの１つがフルオレン環中の２位に結合するのが好ましい。Ｒｄ０１１が複数である場合、複数のＲｄ０１１は同一であっても異なっていてもよい。
Ｒｄ０１１が有機基である場合、Ｒｄ０１１は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されず、種々の有機基から適宜選択される。Ｒｄ０１１が有機基である場合の好適な例としては、アルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルコキシ基、飽和脂肪族アシル基、アルコキシカルボニル基、飽和脂肪族アシルオキシ基、置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいフェノキシ基、置換基を有してもよいベンゾイル基、置換基を有してもよいフェノキシカルボニル基、置換基を有してもよいベンゾイルオキシ基、置換基を有してもよいフェニルアルキル基、置換基を有してもよいナフチル基、置換基を有してもよいナフトキシ基、置換基を有してもよいナフトイル基、置換基を有してもよいナフトキシカルボニル基、置換基を有してもよいナフトイルオキシ基、置換基を有してもよいナフチルアルキル基、置換基を有してもよいヘテロシクリル基、置換基を有してもよいヘテロシクリルカルボニル基、１、又は２の有機基で置換されたアミノ基、モルホリン−１−イル基、及びピペラジン−１−イル基等が挙げられる。
Ｒｄ０１１がアルキル基である場合、アルキル基の炭素原子数は、１以上２０以下が好ましく、１以上６以下がより好ましい。また、Ｒｄ０１１がアルキル基である場合、直鎖であっても、分岐鎖であってもよい。Ｒｄ０１１がアルキル基である場合の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ｓｅｃ−ペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、ｎ−ノニル基、イソノニル基、ｎ−デシル基、及びイソデシル基等が挙げられる。また、Ｒｄ０１１がアルキル基である場合、アルキル基は炭素鎖中にエーテル結合（−Ｏ−）を含んでいてもよい。炭素鎖中にエーテル結合を有するアルキル基の例としては、メトキシエチル基、エトキシエチル基、メトキシエトキシエチル基、エトキシエトキシエチル基、プロピルオキシエトキシエチル基、及びメトキシプロピル基等が挙げられる。
Ｒｄ０１１がアルコキシ基である場合、アルコキシ基の炭素原子数は、１以上２０以下が好ましく、１以上６以下がより好ましい。また、Ｒｄ０１１がアルコキシ基である場合、直鎖であっても、分岐鎖であってもよい。Ｒｄ０１１がアルコキシ基である場合の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、ｓｅｃ−ペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、イソオクチルオキシ基、ｓｅｃ−オクチルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、イソノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、及びイソデシルオキシ基等が挙げられる。また、Ｒｄ０１１がアルコキシ基である場合、アルコキシ基は炭素鎖中にエーテル結合（−Ｏ−）を含んでいてもよい。炭素鎖中にエーテル結合を有するアルコキシ基の例としては、メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ基、メトキシエトキシエトキシ基、エトキシエトキシエトキシ基、プロピルオキシエトキシエトキシ基、及びメトキシプロピルオキシ基等が挙げられる。
Ｒｄ０１１がシクロアルキル基又はシクロアルコキシ基である場合、シクロアルキル基又はシクロアルコキシ基の炭素原子数は、３以上１０以下が好ましく、３以上６以下がより好ましい。Ｒｄ０１１がシクロアルキル基である場合の具体例としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、及びシクロオクチル基等が挙げられる。Ｒｄ０１１がシクロアルコキシ基である場合の具体例としては、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロヘプチルオキシ基、及びシクロオクチルオキシ基等が挙げられる。
Ｒｄ０１１が飽和脂肪族アシル基又は飽和脂肪族アシルオキシ基である場合、飽和脂肪族アシル基又は飽和脂肪族アシルオキシ基の炭素原子数は、２以上２１以下が好ましく、２以上７以下がより好ましい。Ｒｄ０１１が飽和脂肪族アシル基である場合の具体例としては、アセチル基、プロパノイル基、ｎ−ブタノイル基、２−メチルプロパノイル基、ｎ−ペンタノイル基、２，２−ジメチルプロパノイル基、ｎ−ヘキサノイル基、ｎ−ヘプタノイル基、ｎ−オクタノイル基、ｎ−ノナノイル基、ｎ−デカノイル基、ｎ−ウンデカノイル基、ｎ−ドデカノイル基、ｎ−トリデカノイル基、ｎ−テトラデカノイル基、ｎ−ペンタデカノイル基、及びｎ−ヘキサデカノイル基等が挙げられる。Ｒｄ０１１が飽和脂肪族アシルオキシ基である場合の具体例としては、アセチルオキシ基、プロパノイルオキシ基、ｎ−ブタノイルオキシ基、２−メチルプロパノイルオキシ基、ｎ−ペンタノイルオキシ基、２，２−ジメチルプロパノイルオキシ基、ｎ−ヘキサノイルオキシ基、ｎ−ヘプタノイルオキシ基、ｎ−オクタノイルオキシ基、ｎ−ノナノイルオキシ基、ｎ−デカノイルオキシ基、ｎ−ウンデカノイルオキシ基、ｎ−ドデカノイルオキシ基、ｎ−トリデカノイルオキシ基、ｎ−テトラデカノイルオキシ基、ｎ−ペンタデカノイルオキシ基、及びｎ−ヘキサデカノイルオキシ基等が挙げられる。
Ｒｄ０１１がアルコキシカルボニル基である場合、アルコキシカルボニル基の炭素原子数は、２以上２０以下が好ましく、２以上７以下がより好ましい。Ｒｄ０１１がアルコキシカルボニル基である場合の具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロピルオキシカルボニル基、イソプロピルオキシカルボニル基、ｎ−ブチルオキシカルボニル基、イソブチルオキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブチルオキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、イソペンチルオキシカルボニル基、ｓｅｃ−ペンチルオキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ペンチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基、ｎ−ヘプチルオキシカルボニル基、ｎ−オクチルオキシカルボニル基、イソオクチルオキシカルボニル基、ｓｅｃ−オクチルオキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−オクチルオキシカルボニル基、ｎ−ノニルオキシカルボニル基、イソノニルオキシカルボニル基、ｎ−デシルオキシカルボニル基、及びイソデシルオキシカルボニル基等が挙げられる。
Ｒｄ０１１がフェニルアルキル基である場合、フェニルアルキル基の炭素原子数は、７以上２０以下が好ましく、７以上１０以下がより好ましい。また、Ｒｄ０１１がナフチルアルキル基である場合、ナフチルアルキル基の炭素原子数は、１１以上２０以下が好ましく、１１以上１４以下がより好ましい。Ｒｄ０１１がフェニルアルキル基である場合の具体例としては、ベンジル基、２−フェニルエチル基、３−フェニルプロピル基、及び４−フェニルブチル基が挙げられる。Ｒｄ０１１がナフチルアルキル基である場合の具体例としては、α−ナフチルメチル基、β−ナフチルメチル基、２−（α−ナフチル）エチル基、及び２−（β−ナフチル）エチル基が挙げられる。Ｒｄ０１１が、フェニルアルキル基、又はナフチルアルキル基である場合、Ｒｄ０１１は、フェニル基、又はナフチル基上にさらに置換基を有していてもよい。
Ｒｄ０１１がヘテロシクリル基である場合、ヘテロシクリル基は、１以上のＮ、Ｓ、Ｏを含む５員又は６員の単環であるか、かかる単環同士、又はかかる単環とベンゼン環とが縮合したヘテロシクリル基である。ヘテロシクリル基が縮合環である場合は、環数３までのものとする。ヘテロシクリル基は、芳香族基（ヘテロアリール基）であっても、非芳香族基であってもよい。かかるヘテロシクリル基を構成する複素環としては、フラン、チオフェン、ピロール、オキサゾール、イソオキサゾール、チアゾール、チアジアゾール、イソチアゾール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、インドール、イソインドール、インドリジン、ベンゾイミダゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、カルバゾール、プリン、キノリン、イソキノリン、キナゾリン、フタラジン、シンノリン、キノキサリン、ピペリジン、ピペラジン、モルホリン、ピペリジン、テトラヒドロピラン、及びテトラヒドロフラン等が挙げられる。Ｒｄ０１１がヘテロシクリル基である場合、ヘテロシクリル基はさらに置換基を有していてもよい。
Ｒｄ０１１がヘテロシクリルカルボニル基である場合、ヘテロシクリルカルボニル基に含まれるヘテロシクリル基は、Ｒｄ０１１がヘテロシクリル基である場合と同様である。
Ｒｄ０１１が１又は２の有機基で置換されたアミノ基である場合、有機基の好適な例は、炭素原子数１以上２０以下のアルキル基、炭素原子数３以上１０以下のシクロアルキル基、炭素原子数２以上２１以下の飽和脂肪族アシル基、置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいベンゾイル基、置換基を有してもよい炭素原子数７以上２０以下のフェニルアルキル基、置換基を有してもよいナフチル基、置換基を有してもよいナフトイル基、置換基を有してもよい炭素原子数１１以上２０以下のナフチルアルキル基、及びヘテロシクリル基等が挙げられる。これらの好適な有機基の具体例は、Ｒｄ０１１と同様である。１、又は２の有機基で置換されたアミノ基の具体例としては、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ｎ−プロピルアミノ基、ジ−ｎ−プロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ｎ−ブチルアミノ基、ジ−ｎ−ブチルアミノ基、ｎ−ペンチルアミノ基、ｎ−ヘキシルアミノ基、ｎ−ヘプチルアミノ基、ｎ−オクチルアミノ基、ｎ−ノニルアミノ基、ｎ−デシルアミノ基、フェニルアミノ基、ナフチルアミノ基、アセチルアミノ基、プロパノイルアミノ基、ｎ−ブタノイルアミノ基、ｎ−ペンタノイルアミノ基、ｎ−ヘキサノイルアミノ基、ｎ−ヘプタノイルアミノ基、ｎ−オクタノイルアミノ基、ｎ−デカノイルアミノ基、ベンゾイルアミノ基、α−ナフトイルアミノ基、及びβ−ナフトイルアミノ基等が挙げられる。
Ｒｄ０１１に含まれる、フェニル基、ナフチル基、及びヘテロシクリル基がさらに置換基を有する場合の置換基としては、炭素原子数１以上６以下のアルキル基、炭素原子数１以上６以下のアルコキシ基、炭素原子数２以上７以下の飽和脂肪族アシル基、炭素原子数２以上７以下のアルコキシカルボニル基、炭素原子数２以上７以下の飽和脂肪族アシルオキシ基、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を有するモノアルキルアミノ基、炭素原子数１以上６以下のアルキル基を有するジアルキルアミノ基、モルホリン−１−イル基、ピペラジン−１−イル基、ハロゲン、ニトロ基、及びシアノ基等が挙げられる。Ｒｄ０１１に含まれる、フェニル基、ナフチル基、及びヘテロシクリル基がさらに置換基を有する場合、その置換基の数は、本発明の目的を阻害しない範囲で限定されないが、１以上４以下が好ましい。Ｒｄ０１１に含まれる、フェニル基、ナフチル基、及びヘテロシクリル基が、複数の置換基を有する場合、複数の置換基は、同一であっても異なっていてもよい。
以上説明した基の中でも、Ｒｄ０１１としては、ニトロ基、又はＲｄ０１６−ＣＯ−で表される基であると、感度が向上する傾向があり好ましい。Ｒｄ０１６は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されず、種々の有機基から選択できる。Ｒｄ０１６として好適な基の例としては、炭素原子数１以上２０以下のアルキル基、置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいナフチル基、及び置換基を有してもよいヘテロシクリル基が挙げられる。Ｒｄ０１６として、これらの基の中では、２−メチルフェニル基、チオフェン−２−イル基、及びα−ナフチル基が特に好ましい。
また、Ｒｄ０１１が水素原子であるのも好ましい。Ｒｄ０１１が水素原子である場合、Ｒｄ０１４が後述の式（ｄ０７）で表される基であるのが好ましい。
式（ｄ０５）中、Ｒｄ０１２及びＲｄ０１３は、それぞれ、置換基を有してもよい鎖状アルキル基、置換基を有してもよい環状有機基、又は水素原子である。Ｒｄ０１２及びＲｄ０１３とは相互に結合して環を形成してもよい。これらの基の中では、Ｒｄ０１２及びＲｄ０１３として、置換基を有してもよい鎖状アルキル基が好ましい。Ｒｄ０１２及びＲｄ０１３が置換基を有してもよい鎖状アルキル基である場合、鎖状アルキル基は直鎖アルキル基でも分岐鎖アルキル基でもよい。
Ｒｄ０１２及びＲｄ０１３が置換基を持たない鎖状アルキル基である場合、鎖状アルキル基の炭素原子数は、１以上２０以下が好ましく、１以上１０以下がより好ましく、１以上６以下が特に好ましい。Ｒｄ０１２及びＲｄ０１３が鎖状アルキル基である場合の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ｓｅｃ−ペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、ｎ−ノニル基、イソノニル基、ｎ−デシル基、及びイソデシル基等が挙げられる。また、Ｒｄ０１２及びＲｄ０１３がアルキル基である場合、アルキル基は炭素鎖中にエーテル結合（−Ｏ−）を含んでいてもよい。炭素鎖中にエーテル結合を有するアルキル基の例としては、メトキシエチル基、エトキシエチル基、メトキシエトキシエチル基、エトキシエトキシエチル基、プロピルオキシエトキシエチル基、及びメトキシプロピル基等が挙げられる。
Ｒｄ０１２及びＲｄ０１３が置換基を有する鎖状アルキル基である場合、鎖状アルキル基の炭素原子数は、１以上２０以下が好ましく、１以上１０以下がより好ましく、１以上６以下が特に好ましい。この場合、置換基の炭素原子数は、鎖状アルキル基の炭素原子数に含まれない。置換基を有する鎖状アルキル基は、直鎖状であるのが好ましい。
アルキル基が有してもよい置換基は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されない。置換基の好適な例としては、シアノ基、ハロゲン原子、環状有機基、及びアルコキシカルボニル基が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。これらの中では、フッ素原子、塩素原子、臭素原子が好ましい。環状有機基としては、シクロアルキル基、芳香族炭化水素基、ヘテロシクリル基が挙げられる。シクロアルキル基の具体例としては、Ｒｄ０１１がシクロアルキル基である場合の好適な例と同様である。芳香族炭化水素基の具体例としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニリル基、アントリル基、及びフェナントリル基等が挙げられる。ヘテロシクリル基の具体例としては、Ｒｄ０１１がヘテロシクリル基である場合の好適な例と同様である。Ｒｄ０１１がアルコキシカルボニル基である場合、アルコキシカルボニル基に含まれるアルコキシ基は、直鎖状でも分岐鎖状でもよく、直鎖状が好ましい。アルコキシカルボニル基に含まれるアルコキシ基の炭素原子数は、１以上１０以下が好ましく、１以上６以下がより好ましい。
鎖状アルキル基が置換基を有する場合、置換基の数は特に限定されない。好ましい置換基の数は鎖状アルキル基の炭素原子数に応じて変わる。置換基の数は、典型的には、１以上２０以下であり、１以上１０以下が好ましく、１以上６以下がより好ましい。
Ｒｄ０１２及びＲｄ０１３が環状有機基である場合、環状有機基は、脂環式基であっても、芳香族基であってもよい。環状有機基としては、脂肪族環状炭化水素基、芳香族炭化水素基、ヘテロシクリル基が挙げられる。Ｒｄ０１２及びＲｄ０１３が環状有機基である場合に、環状有機基が有してもよい置換基は、Ｒｄ０１２及びＲｄ０１３が鎖状アルキル基である場合と同様である。
Ｒｄ０１２及びＲｄ０１３が芳香族炭化水素基である場合、芳香族炭化水素基は、フェニル基であるか、複数のベンゼン環が炭素−炭素結合を介して結合して形成される基であるか、複数のベンゼン環が縮合して形成される基であるのが好ましい。芳香族炭化水素基が、フェニル基であるか、複数のベンゼン環が結合又は縮合して形成される基である場合、芳香族炭化水素基に含まれるベンゼン環の環数は特に限定されず、３以下が好ましく、２以下がより好ましく、１が特に好ましい。芳香族炭化水素基の好ましい具体例としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニリル基、アントリル基、及びフェナントリル基等が挙げられる。
Ｒｄ０１２及びＲｄ０１３が脂肪族環状炭化水素基である場合、脂肪族環状炭化水素基は、単環式であっても多環式であってもよい。脂肪族環状炭化水素基の炭素原子数は特に限定されないが、３以上２０以下が好ましく、３以上１０以下がより好ましい。単環式の環状炭化水素基の例としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、トリシクロノニル基、トリシクロデシル基、テトラシクロドデシル基、及びアダマンチル基等が挙げられる。
Ｒｄ０１２及びＲｄ０１３がヘテロシクリル基である場合、ヘテロシクリル基は、１以上のＮ、Ｓ、Ｏを含む５員又は６員の単環であるか、かかる単環同士、又はかかる単環とベンゼン環とが縮合したヘテロシクリル基である。ヘテロシクリル基が縮合環である場合は、環数３までのものとする。ヘテロシクリル基は、芳香族基（ヘテロアリール基）であっても、非芳香族基であってもよい。かかるヘテロシクリル基を構成する複素環としては、フラン、チオフェン、ピロール、オキサゾール、イソオキサゾール、チアゾール、チアジアゾール、イソチアゾール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、インドール、イソインドール、インドリジン、ベンゾイミダゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、カルバゾール、プリン、キノリン、イソキノリン、キナゾリン、フタラジン、シンノリン、キノキサリン、ピペリジン、ピペラジン、モルホリン、ピペリジン、テトラヒドロピラン、及びテトラヒドロフラン等が挙げられる。
Ｒｄ０１２及びＲｄ０１３とは相互に結合して環を形成してもよい。Ｒｄ２３及びＲｄ２４とが形成する環からなる基は、シクロアルキリデン基であるのが好ましい。Ｒｄ２３及びＲｄ２４とが結合してシクロアルキリデン基を形成する場合、シクロアルキリデン基を構成する環は、５員環〜６員環であるのが好ましく、５員環であるのがより好ましい。
Ｒｄ０１２及びＲｄ０１３とが結合して形成する基がシクロアルキリデン基である場合、シクロアルキリデン基は、１以上の他の環と縮合していてもよい。シクロアルキリデン基と縮合していてもよい環の例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、シクロブタン環、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環、シクロオクタン環、フラン環、チオフェン環、ピロール環、ピリジン環、ピラジン環、及びピリミジン環等が挙げられる。
以上説明したＲｄ０１２及びＲｄ０１３の中でも好適な基の例としては、式−Ａｄ１−Ａｄ２で表される基が挙げられる。式中、Ａｄ１は直鎖アルキレン基であり、Ａｄ２は、アルコキシ基、シアノ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、環状有機基、又はアルコキシカルボニル基である挙げられる。
Ａｄ１の直鎖アルキレン基の炭素原子数は、１以上１０以下が好ましく、１以上６以下がより好ましい。Ａｄ２がアルコキシ基である場合、アルコキシ基は、直鎖状でも分岐鎖状でもよく、直鎖状が好ましい。アルコキシ基の炭素原子数は、１以上１０以下が好ましく、１以上６以下がより好ましい。Ａｄ２がハロゲン原子である場合、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が好ましく、フッ素原子、塩素原子、臭素原子がより好ましい。Ａｄ２がハロゲン化アルキル基である場合、ハロゲン化アルキル基に含まれるハロゲン原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が好ましく、フッ素原子、塩素原子、臭素原子がより好ましい。ハロゲン化アルキル基は、直鎖状でも分岐鎖状でもよく、直鎖状が好ましい。Ａｄ２が環状有機基である場合、環状有機基の例は、Ｒｄ２３及びＲｄ２４が置換基として有する環状有機基と同様である。Ａｄ２がアルコキシカルボニル基である場合、アルコキシカルボニル基の例は、Ｒｄ０１２及びＲｄ０１３が置換基として有するアルコキシカルボニル基と同様である。
Ｒｄ０１２及びＲｄ０１３の好適な具体例としては、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、及びｎ−オクチル基等のアルキル基；２−メトキシエチル基、３−メトキシ−ｎ−プロピル基、４−メトキシ−ｎ−ブチル基、５−メトキシ−ｎ−ペンチル基、６−メトキシ−ｎ−ヘキシル基、７−メトキシ−ｎ−ヘプチル基、８−メトキシ−ｎ−オクチル基、２−エトキシエチル基、３−エトキシ−ｎ−プロピル基、４−エトキシ−ｎ−ブチル基、５−エトキシ−ｎ−ペンチル基、６−エトキシ−ｎ−ヘキシル基、７−エトキシ−ｎ−ヘプチル基、及び８−エトキシ−ｎ−オクチル基等のアルコキシアルキル基；２−シアノエチル基、３−シアノ−ｎ−プロピル基、４−シアノ−ｎ−ブチル基、５−シアノ−ｎ−ペンチル基、６−シアノ−ｎ−ヘキシル基、７−シアノ−ｎ−ヘプチル基、及び８−シアノ−ｎ−オクチル基等のシアノアルキル基；２−フェニルエチル基、３−フェニル−ｎ−プロピル基、４−フェニル−ｎ−ブチル基、５−フェニル−ｎ−ペンチル基、６−フェニル−ｎ−ヘキシル基、７−フェニル−ｎ−ヘプチル基、及び８−フェニル−ｎ−オクチル基等のフェニルアルキル基；２−シクロヘキシルエチル基、３−シクロヘキシル−ｎ−プロピル基、４−シクロヘキシル−ｎ−ブチル基、５−シクロヘキシル−ｎ−ペンチル基、６−シクロヘキシル−ｎ−ヘキシル基、７−シクロヘキシル−ｎ−ヘプチル基、８−シクロヘキシル−ｎ−オクチル基、２−シクロペンチルエチル基、３−シクロペンチル−ｎ−プロピル基、４−シクロペンチル−ｎ−ブチル基、５−シクロペンチル−ｎ−ペンチル基、６−シクロペンチル−ｎ−ヘキシル基、７−シクロペンチル−ｎ−ヘプチル基、及び８−シクロペンチル−ｎ−オクチル基等のシクロアルキルアルキル基；２−メトキシカルボニルエチル基、３−メトキシカルボニル−ｎ−プロピル基、４−メトキシカルボニル−ｎ−ブチル基、５−メトキシカルボニル−ｎ−ペンチル基、６−メトキシカルボニル−ｎ−ヘキシル基、７−メトキシカルボニル−ｎ−ヘプチル基、８−メトキシカルボニル−ｎ−オクチル基、２−エトキシカルボニルエチル基、３−エトキシカルボニル−ｎ−プロピル基、４−エトキシカルボニル−ｎ−ブチル基、５−エトキシカルボニル−ｎ−ペンチル基、６−エトキシカルボニル−ｎ−ヘキシル基、７−エトキシカルボニル−ｎ−ヘプチル基、及び８−エトキシカルボニル−ｎ−オクチル基等のアルコキシカルボニルアルキル基；２−クロルエチル基、３−クロル−ｎ−プロピル基、４−クロル−ｎ−ブチル基、５−クロル−ｎ−ペンチル基、６−クロル−ｎ−ヘキシル基、７−クロル−ｎ−ヘプチル基、８−クロル−ｎ−オクチル基、２−ブロモエチル基、３−ブロモ−ｎ−プロピル基、４−ブロモ−ｎ−ブチル基、５−ブロモ−ｎ−ペンチル基、６−ブロモ−ｎ−ヘキシル基、７−ブロモ−ｎ−ヘプチル基、８−ブロモ−ｎ−オクチル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基、及び３，３，４，４，５，５，５−ヘプタフルオロ−ｎ−ペンチル基等のハロゲン化アルキル基が挙げられる。
Ｒｄ０１２及びＲｄ０１３として、上記の中でも好適な基は、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、２−メトキシエチル基、２−シアノエチル基、２−フェニルエチル基、２−シクロヘキシルエチル基、２−メトキシカルボニルエチル基、２−クロロエチル基、２−ブロモエチル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基、及び３，３，４，４，５，５，５−ヘプタフルオロ−ｎ−ペンチル基である。
Ｒｄ０１４の好適な有機基の例としては、Ｒｄ０１１と同様に、アルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルコキシ基、飽和脂肪族アシル基、アルコキシカルボニル基、飽和脂肪族アシルオキシ基、置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいフェノキシ基、置換基を有してもよいベンゾイル基、置換基を有してもよいフェノキシカルボニル基、置換基を有してもよいベンゾイルオキシ基、置換基を有してもよいフェニルアルキル基、置換基を有してもよいナフチル基、置換基を有してもよいナフトキシ基、置換基を有してもよいナフトイル基、置換基を有してもよいナフトキシカルボニル基、置換基を有してもよいナフトイルオキシ基、置換基を有してもよいナフチルアルキル基、置換基を有してもよいヘテロシクリル基、置換基を有してもよいヘテロシクリルカルボニル基、１、又は２の有機基で置換されたアミノ基、モルホリン−１−イル基、及びピペラジン−１−イル基等が挙げられる。これらの基の具体例は、Ｒｄ０１１について説明したものと同様である。また、Ｒｄ０１４としてはシクロアルキルアルキル基、芳香環上に置換基を有していてもよいフェノキシアルキル基、芳香環上に置換基を有していてもよいフェニルチオアルキル基、も好ましい。フェノキシアルキル基、及びフェニルチオアルキル基が有していてもよい置換基は、Ｒｄ０１１に含まれるフェニル基が有していてもよい置換基と同様である。
有機基の中でも、Ｒｄ０１４としては、アルキル基、シクロアルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、又はシクロアルキルアルキル基、芳香環上に置換基を有していてもよいフェニルチオアルキル基が好ましい。アルキル基としては、炭素原子数１以上２０以下のアルキル基が好ましく、炭素原子数１以上８以下のアルキル基がより好ましく、炭素原子数１以上４以下のアルキル基が特に好ましく、メチル基が最も好ましい。置換基を有していてもよいフェニル基の中では、メチルフェニル基が好ましく、２−メチルフェニル基がより好ましい。シクロアルキルアルキル基に含まれるシクロアルキル基の炭素原子数は、５以上１０以下が好ましく、５以上８以下がより好ましく、５又は６が特に好ましい。シクロアルキルアルキル基に含まれるアルキレン基の炭素原子数は、１以上８以下が好ましく、１以上４以下がより好ましく、２が特に好ましい。シクロアルキルアルキル基の中では、シクロペンチルエチル基が好ましい。芳香環上に置換基を有していてもよいフェニルチオアルキル基に含まれるアルキレン基の炭素原子数は、１以上８以下が好ましく、１以上４以下がより好ましく、２が特に好ましい。芳香環上に置換基を有していてもよいフェニルチオアルキル基の中では、２−（４−クロロフェニルチオ）エチル基が好ましい。
また、Ｒｄ０１４としては、−Ａｄ３−ＣＯ−Ｏ−Ａｄ４で表される基も好ましい。Ａｄ３は、２価の有機基であり、２価の炭化水素基であるのが好ましく、アルキレン基であるのが好ましい。Ａｄ４は、１価の有機基であり、１価の炭化水素基であるのが好ましい。
Ａｄ３がアルキレン基である場合、アルキレン基は直鎖状でも分岐鎖状でもよく、直鎖状が好ましい。Ａｄ３がアルキレン基である場合、アルキレン基の炭素原子数は１以上１０以下が好ましく、１以上６以下がより好ましく、１以上４以下が特に好ましい。
Ａｄ４の好適な例としては、炭素原子数１以上１０以下のアルキル基、炭素原子数７以上２０以下のアラルキル基、及び炭素原子数６以上２０以下の芳香族炭化水素基が挙げられる。Ａｄ４の好適な具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、フェニル基、ナフチル基、ベンジル基、フェネチル基、α−ナフチルメチル基、及びβ−ナフチルメチル基等が挙げられる。
−Ａｄ３−ＣＯ−Ｏ−Ａｄ４で表される基の好適な具体例としては、２−メトキシカルボニルエチル基、２−エトキシカルボニルエチル基、２−ｎ−プロピルオキシカルボニルエチル基、２−ｎ−ブチルオキシカルボニルエチル基、２−ｎ−ペンチルオキシカルボニルエチル基、２−ｎ−ヘキシルオキシカルボニルエチル基、２−ベンジルオキシカルボニルエチル基、２−フェノキシカルボニルエチル基、３−メトキシカルボニル−ｎ−プロピル基、３−エトキシカルボニル−ｎ−プロピル基、３−ｎ−プロピルオキシカルボニル−ｎ−プロピル基、３−ｎ−ブチルオキシカルボニル−ｎ−プロピル基、３−ｎ−ペンチルオキシカルボニル−ｎ−プロピル基、３−ｎ−ヘキシルオキシカルボニル−ｎ−プロピル基、３−ベンジルオキシカルボニル−ｎ−プロピル基、及び３−フェノキシカルボニル−ｎ−プロピル基等が挙げられる。
以上、Ｒｄ０１４について説明したが、Ｒｄ０１４としては、下記式（ｄ０６）又は（ｄ０７）で表される基が好ましい。
Figure 2020101769
 （式（ｄ０６）及び（ｄ０７）中、Ｒｄ０１７及びＲｄ０１８はそれぞれ有機基であり、ｔ７は０以上４以下の整数であり、Ｒｄ０１７及びＲｄ０１８がベンゼン環上の隣接する位置に存在する場合、Ｒｄ０１７とＲｄ０１８とが互いに結合して環を形成してもよく、ｔ８は１以上８以下の整数であり、ｔ９は１以上５以下の整数であり、ｔ１０は０以上（ｔ９＋３）以下の整数であり、Ｒｄ０１９は有機基である。）
式（ｄ０６）中のＲｄ０１７及びＲｄ０１８についての有機基の例は、Ｒｄ０１１と同様である。Ｒｄ０１７としては、アルキル基又はフェニル基が好ましい。Ｒｄ０１７がアルキル基である場合、その炭素原子数は、１以上１０以下が好ましく、１以上５以下がより好ましく、１以上３以下が特に好ましく、１が最も好ましい。つまり、Ｒｄ０１７はメチル基であるのが最も好ましい。Ｒｄ０１７とＲｄ０１８とが結合して環を形成する場合、当該環は、芳香族環でもよく、脂肪族環でもよい。式（ｄ０６）で表される基であって、Ｒｄ０１７とＲｄ０１８とが環を形成している基の好適な例としては、ナフタレン−１−イル基や、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−５−イル基等が挙げられる。上記式（ｄ０６）中、ｔ７は０以上４以下の整数であり、０又は１であるのが好ましく、０であるのがより好ましい。
上記式（ｄ０７）中、Ｒｄ０１９は有機基である。有機基としては、Ｒｄ０１１について説明した有機基と同様の基が挙げられる。有機基の中では、アルキル基が好ましい。アルキル基は直鎖状でも分岐鎖状でもよい。アルキル基の炭素原子数は１以上１０以下が好ましく、１以上５以下がより好ましく、１以上３以下が特に好ましい。Ｒｄ０１９としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等が好ましく例示され、これらの中でも、メチル基であることがより好ましい。
上記式（ｄ０７）中、ｔ９は１以上５以下の整数であり、１以上３以下の整数が好ましく、１又は２がより好ましい。上記式（ｄ０７）中、ｔ１０は０以上（ｔ９＋３）以下であり、０以上３以下の整数が好ましく、０以上２以下の整数がより好ましく、０が特に好ましい。上記式（ｄ０７）中、ｔ８は１以上８以下の整数であり、１以上５以下の整数が好ましく、１以上３以下の整数がより好ましく、１又は２が特に好ましい。
式（ｄ０５）中、Ｒｄ０１５は、水素原子、置換基を有してもよい炭素原子数１以上１１以下のアルキル基、又は置換基を有してもよいアリール基である。ｖがアルキル基である場合に有してもよい置換基としては、フェニル基、ナフチル基等が好ましく例示される。また、Ｒｄ０１１がアリール基である場合に有してもよい置換基としては、炭素原子数１以上５以下のアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子等が好ましく例示される。
式（ｄ０５）中、Ｒｄ０１５としては、水素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、フェニル基、ベンジル基、メチルフェニル基、ナフチル基等が好ましく例示され、これらの中でも、メチル基又はフェニル基がより好ましい。
式（ｄ０５）で表される化合物の製造方法は特に限定されず、公知の方法で得ることができる。
式（ｄ０５）で表される化合物の好適な具体例としては、以下の化合物１〜化合物４１が挙げられる。
Figure 2020101769
Figure 2020101769
組成物中の硬化剤（Ｄ４）は、異なる分類又は種類の硬化剤を２種以上含んでいてもよい。
組成物中の、硬化剤（Ｄ４）の含有量は、典型的には、組成物の固形分の質量に対して、０．０１質量％以上４０質量％以下が好ましく、０．１質量％以上２０質量％以下がより好ましく、１質量％以上１０質量％以下が特に好ましい。
〔溶媒（Ｓ）〕
溶媒（Ｓ）は、量子ドット含有被膜形成用の組成物に含まれる溶媒である。溶媒（Ｓ）は、カルコゲン元素を有する有機溶媒（Ｓ１）を含む。カルコゲン元素については、量子ドット（Ａ）に関してカルコゲン化物に関して説明した通りである。
（有機溶媒（Ｓ１））
有機溶媒（Ｓ１）はカルコゲン元素を有する有機化合物である。カルコゲン元素を有する有機化合物としては、含硫黄化合物、含セレン化合物、及び含テルル化合物が挙げられる。これらの中では、合成又は入手が容易であることや、安価であること等から含硫黄化合物、及び含セレン化合物が好ましく、含硫黄化合物が特に好ましい。
なお、有機溶媒（Ｓ１）は、比較的分子量の低い有機溶媒（Ｓ１）として存在することにより、量子ドット（Ａ）に対する所望する作用を及ぼしやすい。このため、量子ドット含有被膜形成用の組成物は、縮合反応、付加反応、架橋反応等によって有機溶媒（Ｓ１）と重合し得る化合物を含まないのが好ましい。
また、有機溶媒（Ｓ１）と重合し得る化合物を含まない量子ドット含有被膜形成用の組成物は、保管時の安定性にも優れる。
有機溶媒（Ｓ１）としての含硫黄化合物としては、例えば、チオール化合物、スルフィド化合物、ジスルフィド化合物、チオフェン化合物、スルホキシド化合物、スルホン化合物、チオケトン化合物、スルホン酸化合物、スルホン酸エステル化合物、及びスルホン酸アミド化合物等の含硫黄化合物を用いることができる。
量子ドット（Ａ）の表面に対する親和性に優れ、有機溶媒（Ｓ１）を用いることによる所望する効果を得やすい点からは、上記の含硫黄化合物の中では、チオール化合物、スルフィド化合物、及びジスルフィド化合物が好ましい。
有機溶媒（Ｓ１）としての含セレン化合物としては、例えば、セレノール化合物、セレニド化合物、ジセレニド化合物、セレノキシド化合物、及びセレノン化合物等を用いることができる。
量子ドット（Ａ）の表面に対する親和性に優れ、有機溶媒（Ｓ１）を用いることによる所望する効果を得やすい点からは、上記の含セレン化合物の中では、セレノール化合物、セレニド化合物、及びジセレニド化合物が好ましい。
有機溶媒（Ｓ０１）としての含テルル化合物としては、例えば、テルロール化合物、テルリド化合物、及びジテルリド化合物を用いることができる。
以下、有機溶媒（Ｓ０１）として特に好ましい含硫黄化合物の具体例について説明ツ瀬得る。
有機溶媒（Ｓ０１）として好適なチオール化合物としては、例えば、下記式（ｓ１）で表される化合物が挙げられる。
Ｒｓ０１−ＳＨ （ｓ０１）
（式（ｓ０１）中、Ｒｓ０１は、置換基を有していてもよい１価の炭化水素基を表す。）
Ｒｓ０１としての１価の炭化水素基の好適な例としては、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいシクロアルキル基、置換基を有してもよいアルケニル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアラルキル基、及び置換基を有してもよいアルキルアリール基が挙げられる。
置換基を有してもよいアルキル基の炭素原子数は、１以上２０以下が好ましく、１以上１０以下がより好ましく、１以上６以下がさらに好ましい。
置換基を有してもよいシクロアルキル基の炭素原子数は、３以上２０以下が好ましく、３以上１０以下がより好ましく、３以上８以下がさらに好ましい。
置換基を有してもよいアルケニル基の炭素原子数は、２以上２０以下が好ましく、２以上１０以下がより好ましく、２以上６以下がさらに好ましい。
置換基を有してもよいアリール基の炭素原子数は、６以上２０以下が好ましく、６以上１０以下がより好ましく、６以上８以下がさらに好ましい。
置換基を有してもよいアラルキル基の炭素原子数は、７以上２０以下が好ましく、７以上１２以下がより好ましく、７又は８がさらに好ましい。
置換基を有してもよいアルキルアリール基の炭素原子数は、７以上２０以下が好ましく、７以上１２以下がより好ましく、７又は８がさらに好ましい。
これらの炭化水素基が有してもよい置換基としては、水酸基、チオール基、カルボキシ基、ハロゲン原子、及びアミノ基等が挙げられる。炭化水素基が有する置換基の数は、２以上であってもよい。
チオール化合物の具体例としては、チオグリセロール、２−メルカプトエタノール、チオグリコール酸、２，３−ジメルカプト−１−プロパノール、１−プロパンチオール、２−プロパンチオール、２−メチル−２−プロパンチオール、１，２−エタンジチオール、シクロヘキサンチオール、及び１−オクタンチオール等の脂肪族チオール化合物、チオフェノール、ｐ−トルエンチオール、及びアミノベンゼンチオール等の芳香族チオール化合物等が挙げられる。
有機溶媒（Ｓ１）として好適なスルフィド化合物としては、例えば、下記式（ｓ０２）で表される化合物が挙げられる。
Ｒｓ０２−Ｓ−Ｒｓ２ （ｓ０２）
（式（ｓ０２）中、Ｒｓ０２は、置換基を有していてもよい１価の炭化水素基を表す。）
Ｒｂ２としての１価の炭化水素基の好適な例としては、Ｒｓ０１としての１価の炭化水素基の好適な例と同様である。
スルフィド化合物の具体例としては、ジメチルスルフィド、ジエチルスルフィド、ジ−ｎ−プロピルスルフィド、エチルメチルスルフィド、チオアニソール、エチルチオベンゼン、ジフェニルスルフィド、及びジベンジルスルフィド等が挙げられる。
有機溶媒（Ｓ１）として好適なジスルフィド化合物としては、例えば、下記式（ｓ０３）で表される化合物が挙げられる。
Ｒｓ０３−Ｓ−Ｓ−Ｒｓ０３ （ｓ０３）
（式（ｓ０３）中、Ｒｓ０３は、置換基を有していてもよい１価の炭化水素基を表す。）
Ｒｓ０３としての１価の炭化水素基の好適な例としては、Ｒｓ０１としての１価の炭化水素基の好適な例と同様である。
ジスルフィド化合物の具体例としては、炭素原子数１以上１０以下の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を有するジアルキルジスルフィドが挙げられる。このようなジアルキルジスルフィドとしては、ジメチルジスルフィド、ジエチルジスルフィド、ジ−ｎ−プロピルジスフルフィド、ジイソプロピルジスルフィド、ジ−ｎ−ブチルジスルフィド、ジ−ｎ−ペンチルジスルフィド、及びジ−ｎ−ヘキシルジスルフィド等が挙げられる。
上記以外のジスルフィド化合物の好適な例としては、ジアリルジスルフィド、シクロヘキシルジスルフィド、ジフェニルジスルフィド、ジベンジルジスルフィド、ジ（ｐ−トリル）ジスルフィド、４，４’−ジクロロジフェニルスルフィド、ジ（３，４−ジクロロフェニル）ジスルフィド、２，２’−ジチオビス（５−クロロアニリン）、ジ（２，４−キシリル）ジスルフィド、ジ（２，３−キシリル）ジスルフィド、ジ（３，５−キシリル）ジスルフィド、２，４−キシリル−２，６−キシリルジスルフィド、２，２’−ジチオサリチル酸、及び２，２’−ジチオビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）等が挙げられる。
また、有機溶媒（Ｓ１）としては、例えば、脂肪族多価アルコールと、メルカプト基、及び／又はセレノール基を有する脂肪族カルボン酸とが縮合したエステル化合物が好ましい。かかる化合物は、エステル結合と、メルカプト基、及び／又はセレノール基とを有する。これらの結合又は官能基の存在により、有機溶媒（Ｓ１）は、量子ドット（Ａ）の表面に対する親和性に優れる。このため、上記のエステル化合物を有機溶媒（Ｓ１）として用いる場合、有機溶媒（Ｓ１）がもたらす所望する効果を得やすい。
脂肪族多価アルコールの具体例としては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、グリセリン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、ソルビトール、マンニトール、ソルビタン、ジグリセリン、ショ糖、グルコース、マンノース、フルクトース、及びメチルグルコシド等が挙げられる。
メルカプト基、及び／又はセレノール基を有する脂肪族カルボン酸の好適な例としては、チオグリコール酸、及び３−メルカプトプロピオン酸が挙げられる。
上記のエステル化合物の好ましい具体例としては、エチレングリコールジ３−メルカプトプロピオネート、ジエチレングリコールジ３−メルカプトプロピオネート、プロピレングリコールジ３−メルカプトプロピオネート、ジプロピレングリコールジ３−メルカプトプロピオネート、グリセリントリ３−メルカプトプロピオネート、トリメチロールプロパントリ３−メルカプトプロピオネート（ＴＭＭＰ）、及びペンタエリスリトールテトラ３−メルカプトプロピオネート（ＰＥＭＰ）が挙げられる。
上記の有機溶媒（Ｓ１）の大気圧下での沸点は、６０℃以上４００℃以下が好ましく、８０℃以上３５０℃以下がより好ましく、１００℃以上３００℃以下がさらに好ましい。かかる範囲内の沸点を有する有機溶媒（Ｓ１）を用いる場合、濃縮等により組成物の固形分濃度の調製が容易であったり、組成物を用いて製膜を行う際の過剰な有機溶媒（Ｓ１）の除去が容易である。
組成物中の有機溶媒（Ｓ１）の含有量は、所望する効果が得られる限り特に限定されない。組成物中の有機溶媒（Ｓ１）の含有量は、量子ドット（Ａ）１００質量部に対して１０質量部以上２０００質量部以下である量が好ましく、１０質量部以上１５００質量部以下である量がより好ましく、３０質量部以上１２００質量部以下である量がさらにより好ましく、５０質量部以上１０００質量部以下である量が特に好ましい。
溶媒（Ｓ）の総質量における、有機溶媒（Ｓ１）の質量の比率は特に限定されない。溶媒（Ｓ）の総質量における、有機溶媒（Ｓ１）の質量の比率は、有機溶媒（Ｓ１）の使用による所望する効果を得やすい点から、５０質量％以上が好ましく、７０質量％以上がより好ましく、８０質量％以上がさらに好ましく、９０質量％以上が特に好ましく、１００質量％が最も好ましい。
また、量子ドット含有被膜形成用の組成物の総質量における、有機溶媒（Ｓ１）の質量の比率は、有機溶媒（Ｓ１）の使用による所望する効果を得やすい点から、５０質量％以上が好ましく、７０質量％以上がより好ましく、８０質量％以上がさらに好ましい。量子ドット含有被膜形成用の組成物の総質量における、有機溶媒（Ｓ１）の質量の比率は、９０質量％以上であってもよく、９５質量％以上であってもよい。
（有機溶媒（Ｓ２））
溶媒（Ｓ）は、本発明の目的を阻害しない限りにおいて、上記の有機溶媒（Ｓ１）とともに、有機溶媒（Ｓ１）以外の溶媒である有機溶媒（Ｓ２）を含んでいてもよい。
量子ドット（Ａ）の分散安定化の点からは、有機溶媒（Ｓ２）として、環式骨格を有し、且つ水素原子、炭素原子、及びカルコゲン元素の原子以外のヘテロ原子を含む化合物である有機溶媒（Ｓ２ａ）が好ましい。
前述の通り、有機溶媒（Ｓ２ａ）は、ヘテロ原子を含むため被炭化水素溶媒である。有機溶媒（Ｓ２ａ）が含んでいてもよいヘテロ原子としては、Ｎ、Ｏ、Ｐ等が挙げられる。
有機溶媒（Ｓ２ａ）の使用によって、量子ドット（Ａ）の分散促進や分散安定化の効果が得られる理由は定かではない。
例えば、有機溶媒（Ｓ２ａ）が有する環式骨格が、量子ドット（Ａ）に対する凝集阻害の効果を奏していると推測される。
有機溶媒（Ｓ２ａ）が有する環式骨格としては、脂環式骨格が好ましい。ここで、芳香族性を示さない環式骨格を脂環式骨格とする。また、有機溶媒（Ｓ２ａ）が、テトラリン環のように芳香族環骨格と脂環式骨格との双方を有する場合、有機溶媒（Ｓ２ａ）が脂環式骨格を有するとする。
理由は定かではないが、平面的な立体構造を有する芳香族環骨格よりも、脂環式骨格がある程度かさ高いことが、量子ドット（Ａ）の分散促進や分散安定化に良好に寄与すると推測される。
有機溶媒（Ｓ２ａ）は、エステル結合（−ＣＯ−Ｏ−）、アミド結合（−ＣＯ−ＮＨ−）、カーボネート結合（−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−）、ウレイド結合（−ＮＨ−ＣＯ−ＮＨ−）、及びウレタン結合（−Ｏ−ＣＯ−ＮＨ−）からなる群より選択される１種以上の結合を有するのが好ましい。
本願明細書において、単にエステル結合、及びアミド結合と記載する場合、それぞれ「カルボン酸エステル結合」、及び「カルボン酸アミド結合」を意味する。
アミド結合、ウレイド結合、及びウレタン結合において、窒素原子には有機基が結合していてもよい。有機基の種類は特に限定されない。有機基としては、アルキル基が好ましく、炭素原子数１以上６以下のアルキル基がより好ましく、メチル基及びエチル基がさらに好ましい。
また、有機溶媒（Ｓ２ａ）がこれらの結合を含む場合、量子ドット含有被膜形成用の組成物において、樹脂成分やモノマー成分を良好に溶解させやすい。
有機溶媒（Ｓ２ａ）の好ましい例としては、アニソール、フェネトール、プロピルフェニルエーテル、ブチルフェニルエーテル、クレジルメチルエーテル、エチルベンジルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、アセトフェノン、プロピオフェノン、ベンゾフェノン、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、及びピリダジン等の芳香族溶媒；シクロペンタノール、シクロヘキサノール、１，４−シクロヘキサンジオール、１，３−シクロヘキサンジオール、１，４−シクロヘキサンジメタノール、及び１，３−シクロヘキサンジメタノール等の脂環式アルコール；シクロヘキシルメチルエーテル、シクロヘキシルエチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、及びジオキサン等の脂環式エーテル類；シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、２−メチルシクロヘキサノン、１，４−シクロペンタンジオン、及び１，３−シクロペンタンジオン等の脂環式ケトン類；β−プロピオラクトン、γ−ブチロラクトン、β−メチル−γ−ブチロラクトン、δ−バレロラクトン、ε−バレロラクトン、ε−カプロラクトン、α−メチル−ε−カプロラクトン、及びε−メチル−ε−カプロラクトン等のラクトン類；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、及びＮ，Ｎ−ジメチルプロピレン尿素等の環状アミド類又は環状尿素類；炭酸エチレン、及び炭酸プロピレン等の環状カーボネート類等が挙げられる。
また、有機溶媒（Ｓ２ａ）としては、カルボン酸のシクロアルキルエステルが好ましい。カルボン酸のシクロアルキルエステルとしては、下式（ｓ１）：
Figure 2020101769
 （式（ｓ１）中、Ｒｓ１は、炭素原子数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｓ２は、炭素原子数１以上６以下のアルキル基であり、ｐは１以上６以下の整数であり、ｑは０以上（ｐ＋１）以下の整数である。）
で表される、カルボン酸のシクロアルキルエステルが好ましい。
式（ｓ１）中のＲｓ１としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、及びイソプロピル基が挙げられ、メチル基が好ましい。
式（ｓ１）中のＲｓ２としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、及びｎ−ヘキシル基が挙げられる。Ｒｓ２としてのアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、及びｎ−ブチル基が好ましく、メチル基、及びエチル基がより好ましい。
式（ｓ１）で表されるカルボン酸シクロアルキルエステルの好適な例としては、シクロプロピルアセテート、シクロブチルアセテート、シクロペンチルアセテート、シクロヘキシルアセテート、シクロヘプチルアセテート、シクロオクチルアセテート、シクロプロピルプロピオネート、シクロブチルプロピオネート、シクロペンチルプロピオネート、シクロヘキシルプロピオネート、シクロヘプチルプロピオネート、及びシクロオクチルプロピオネートが挙げられる。これらの中では、入手が容易であり、好ましい沸点を有することから、シクロペンチルアセテート、及びシクロヘキシルアセテートが好ましい。
以上説明した有機溶媒（Ｓ２ａ）の中では、式（ｓ１）で表されるカルボン酸シクロアルキルエステルが好ましく、シクロペンチルアセテート、及びシクロヘキシルアセテートが特に好ましい。
有機溶媒（Ｓ２）の、有機溶媒（Ｓ２ａ）以外の例とては、メタノール、エタノール、プロパノール、ｎ−ブタノール等のアルコール類；エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール等の多価アルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、メチル−ｎ−アミルケトン、メチルイソアミルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類；エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、又はジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物；前記多価アルコール類又は前記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル、又はモノフェニルエーテル等のエーテル誘導体；乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類；ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪族炭化水素系有機溶媒；エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、アミルベンゼン、イソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、シメン、メシチレン等の芳香族系有機溶媒；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルウレア、Ｎ，Ｎ，２−トリメチルプロピオンアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ−エチルピロリドン等の窒素含有有機溶媒；が挙げられる。これらの有機溶媒は、２種以上組み合わせて使用してもよい。
溶媒（Ｓ）の使用量は、溶媒（Ｓ）に所望する効果を得るために十分な量の有機溶媒（Ｓ１）が含まれている限り特に限定されない。
溶媒（Ｓ）の使用量は、量子ドット含有被膜形成用の組成物における量子ドット（Ａ）の濃度が０．１質量％以上７０質量％以下となる量が好ましく。１質量％以上６０質量％以下となる量がより好ましく、５質量％以上５０質量％以下となる量がさらに好ましい。
＜その他の成分＞
組成物は、本発明の目的を阻害しない範囲で、量子ドット（Ａ）、基材成分（Ｃ）、硬化剤（Ｄ）、及び溶媒（Ｓ）以外のその他の成分を含んでいてもよい。
その他の成分としては、例えば、シランカップリング剤、密着増強剤、分散剤、界面活性剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、消泡剤、粘度調整剤、樹脂、ゴム粒子、及び着色剤等が挙げられる。
また、組成物がゴム粒子を含む場合、形成される量子ドット含有被膜に弾性が付与され、量子ドット含有被膜の脆さを解消しやすい。
また、組成物は、量子ドット（Ａ）の分散促進や、分散安定化の点からは、イオン液体（Ｉ）を含むのが好ましい。組成物がイオン液体（Ｉ）を含む場合、組成物は、イオン液体（Ｉ）とともに、前述の有機溶媒（Ｓ２ａ）を含むの好ましい。量子ドット含有被膜形成用の組成物が、イオン液体（Ｉ）と、有機溶媒（Ｓ２ａ）とを組み合わせて含むことにより、量子ドット（Ａ）の分散促進や、分散安定化の効果がより高められやすい。
イオン液体（Ｉ）は、有機合成分野や、電池用の電解質等に使用されれているイオン液体を特に制限なく用いることができる。イオン液体（Ｉ）は、典型的には、１４０℃以下の温度領域で融解しうる塩であり、１４０℃以下で液体となる安定な塩であることが好ましい。
イオン液体（Ｉ）の融点は、所望する効果をより確実に達成する観点、及び、イオン性液体（Ｉ）や量子ドット含有被膜形成用の組成物の取り扱い性の観点等から、１２０℃以下が好ましく、１００℃以下がより好ましく、８０℃以下がさらに好ましい。
イオン液体（Ｉ）は、有機カチオンと、アニオンとから構成されることが好ましい。
イオン液体（Ｉ）は、窒素含有有機カチオン、リン含有有機カチオン、又は硫黄含有有機カチオンと、対アニオンとからなるのが好ましく、窒素含有有機カチオン、又はリン含有有機カチオンと、対アニオンとからなるのがより好ましい。
イオン液体（Ｉ）を構成する有機カチオンとしては、溶媒（Ｓ）との親和性が良好であること等から、アルキル鎖四級アンモニウムカチオン、ピペリジニウムカチオン、ピリミジニウムカチオン、ピロリジニウムカチオン、イミダゾリウムカチオン、ピリジニウムカチオン、ピラゾリウムカチオン、グアニジニウムカチオン、モルホリニウムカチオン、ホスホニウムカチオン及びスルホニウムカチオンからなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましく、アルキル鎖四級アンモニウムカチオン、ピペリジニウムカチオン、ピロリジニウムカチオン、イミダゾリウムカチオン、モルホリニウムカチオン、又はホスホニウムカチオンであることがより好ましく、本発明の効果の点で、ピロリジニウムカチオン、イミダゾリウムカチオン、又はホスホニウムカチオンであることがさらに好ましい。
上記アルキル鎖四級アンモニウムカチオンの具体例としては下記式（Ｌ１）で表される四級アンモニウムカチオンが挙げられる。具体的には、例えば、テトラメチルアンモニウムカチオン、エチルトリメチルアンモニウムカチオン、ジエチルジメチルアンモニウムカチオン、トリエチルメチルアンモニウムカチオン、テトラエチルアンモニウムカチオン、オクチルトリメチルアンモニウムカチオン、ヘキシルトリメチルアンモニウムカチオン、メチルトリオクチルアンモニウムカチオン等が挙げられる。
上記ピペリジニウムカチオンの具体例としては下記式（Ｌ２）で表されるピペリジニウムカチオンが挙げられる。具体的には、例えば、１−プロピルピペリジニウムカチオン、１−ペンチルピペリジニウムカチオン、１，１−ジメチルピペリジニウムカチオン、１−メチル−１−エチルピペリジニウムカチオン、１−メチル−１−プロピルピペリジニウムカチオン、１−メチル−１−ブチルピペリジニウムカチオン、１−メチル−１−ペンチルピペリジニウムカチオン、１−メチル−１−ヘキシルピペリジニウムカチオン、１−メチル−１−ヘプチルピペリジニウムカチオン、１−エチル−１−プロピルピペリジニウムカチオン、１−エチル−１−ブチルピペリジニウムカチオン、１−エチル−１−ペンチルピペリジニウムカチオン、１−エチル−１−ヘキシルピペリジニウムカチオン、１−エチル−１−ヘプチルピペリジニウムカチオン、１，１−ジプロピルピペリジニウムカチオン、１−プロピル−１−ブチルピペリジニウムカチオン、１，１−ジブチルピペリジニウムカチオン等が挙げられる。
上記ピリミジニウムカチオンの具体例としては、例えば、１，３−ジメチル−１，４，５，６−テトラヒドロピリミジニウムカチオン、１，２，３−トリメチル−１，４，５，６−テトラヒドロピリミジニウムカチオン、１，２，３，４−テトラメチル−１，４，５，６−テトラヒドロピリミジニウムカチオン、１，２，３，５−テトラメチル−１，４，５，６−テトラヒドロピリミジニウムカチオン、１，３−ジメチル−１，４−ジヒドロピリミジニウムカチオン、１，３−ジメチル−１，６−ジヒドロピリミジニウムカチオン、１，２，３−トリメチル−１，４−ジヒドロピリミジニウムカチオン、１，２，３−トリメチル−１，６−ジヒドロピリミジニウムカチオン、１，２，３，４−テトラメチル−１，４−ジヒドロピリミジニウムカチオン、１，２，３，４−テトラメチル−１，６−ジヒドロピリミジニウムカチオン等が挙げられる。
上記ピロリジニウムカチオンの具体例としては下記式（Ｌ３）で表されるピロリジニウムカチオンが挙げられ、より具体的には、例えば、１，１−ジメチルピロリジニウムカチオン、１−エチル−１−メチルピロリジニウムカチオン、１−メチル−１−プロピルピロリジニウムカチオン、１−メチル−１−ブチルピロリジニウムカチオン、１−メチル−１−ペンチルピロリジニウムカチオン、１−メチル−１−ヘキシルピロリジニウムカチオン、１−メチル−１−ヘプチルピロリジニウムカチオン、１−エチル−１−プロピルピロリジニウムカチオン、１−エチル−１−ブチルピロリジニウムカチオン、１−エチル−１−ペンチルピロリジニウムカチオン、１−エチル−１−ヘキシルピロリジニウムカチオン、１−エチル−１−ヘプチルピロリジニウムカチオン、１，１−ジプロピルピロリジニウムカチオン、１−プロピル−１−ブチルピロリジニウムカチオン、１，１−ジブチルピロリジニウムカチオン等が挙げられる。
上記イミダゾリウムカチオンの具体例としては下記式（Ｌ５）で表されるイミダゾリウムカチオンが挙げられ、より具体的には、例えば、１，３−ジメチルイミダゾリウムカチオン、１，３−ジエチルイミダゾリウムカチオン、１−エチル−３−メチルイミダゾリウムカチオン、１−プロピル−３−メチルイミダゾリウムカチオン、１−ブチル−３−メチルイミダゾリウムカチオン、１−ヘキシル−３−メチルイミダゾリウムカチオン、１−オクチル−３−メチルイミダゾリウムカチオン、１−デシル−３−メチルイミダゾリウムカチオン、１−ドデシル−３−メチルイミダゾリウムカチオン、１−テトラデシル−３−メチルイミダゾリウムカチオン、１，２−ジメチル−３−プロピルイミダゾリウムカチオン、１−エチル−２，３−ジメチルイミダゾリウムカチオン、１−ブチル−２，３−ジメチルイミダゾリウムカチオン、１−ヘキシル−２，３−ジメチルイミダゾリウムカチオン等が挙げられる。
上記ピリジニウムカチオンの具体例としては下記式（Ｌ６）で表されるピリジニウムカチオンが挙げられ、より具体的には、例えば、１−エチルピリジニウムカチオン、１−ブチルピリジニウムカチオン、１−ヘキシルピリジニウムカチオン、１−ブチル−３−メチルピリジニウムカチオン、１−ブチル−４−メチルピリジニウムカチオン、１−ヘキシル−３−メチルピリジニウムカチオン、１−ブチル−３，４−ジメチルピリジニウムカチオン等が挙げられる。
上記ピラゾニウムカチオンの具体例としては、例えば、１，３−ジメチル−１，４，５，６−テトラヒドロピリミジニウムカチオン、１，２，３−トリメチル−１，４，５，６−テトラヒドロピリミジニウムカチオン、１，２，３，４−テトラメチル−１，４，５，６−テトラヒドロピリミジニウムカチオン、１，２，３，５−テトラメチル−１，４，５，６−テトラヒドロピリミジニウムカチオン、１，３−ジメチル−１，４−ジヒドロピリミジニウムカチオン、１，３−ジメチル−１，６−ジヒドロピリミジニウムカチオン、１，２，３−トリメチル−１，４−ジヒドロピリミジニウムカチオン、１，２，３−トリメチル−１，６−ジヒドロピリミジニウムカチオン、１，２，３，４−テトラメチル−１，４−ジヒドロピリミジニウムカチオン、１，２，３，４−テトラメチル−１，６−ジヒドロピリミジニウムカチオン等が挙げられる。
上記ホスホニウムカチオンの具体例としては下記式（Ｌ４）で表されるホスホニウムカチオンが挙げられる。具体的には、テトラブチルホスホニウムカチオン、トリブチルメチルホスホニウムカチオン、トリブチルヘキシルホスホニウムカチオン等のテトラアルキルホスホニウムカチオンや、トリエチル（メトキシメチル）ホスホニウムカチオン等が挙げられる。
上記スルホニウムカチオンの具体例としては、トリエチルスルホニウムカチオン、ジメチルエチルスルホニウムカチオン、トリエチルスルホニウムカチオン、エチルメチルプロピルスルホニウムカチオン、ブチルジメチルスルホニウムカチオン、１‐メチルテトラヒドロチオフェニウムオン、１‐エチルテトラヒドロチオフェニウムカチオン、１−プロピルテトラヒドロチオフェニウムカチオン、１−ブチルテトラヒドロチオフェニウムカチオン、又は１−メチル−［１，４］‐チオキソニウムカチオン等が挙げられる。中でも、上記スルホニウムカチオンとしては、テトラヒドロチオフェニウム系又はヘキサヒドロチオピリリウム系の５員環又は６員環等の環状構造を有しているスルホニウムカチオンが好ましく、環状構造中に酸素原子等のヘテロ原子を有していてもよい。
Figure 2020101769
式（Ｌ１）〜（Ｌ４）中、ＲＬ１〜ＲＬ４は、それぞれ独立に、炭素原子数が１以上２０以下のアルキル基、又はＲＬ７−Ｏ−（ＣＨ２）Ｌｎ−で表わされるアルコキシアルキル基（ＲＬ７は、メチル基、又はエチル基を示し、Ｌｎは１以上４以下の整数を表す。）である。
式（Ｌ５）中、ＲＬ１〜ＲＬ４は、各々独立に、炭素原子数が１以上２０以下のアルキル基、ＲＬ７−Ｏ−（ＣＨ２）Ｌｎ−で表わされるアルコキシアルキル基（ＲＬ７は、メチル基、又はエチル基を示し、Ｌｎは１以上４以下の整数を表す。）、又は水素原子である。
式（Ｌ６）中、ＲＬ１〜ＲＬ６は、各々独立に、炭素原子数が１以上２０以下のアルキル基、ＲＬ７−Ｏ−（ＣＨ２）Ｌｎ−で表わされるアルコキシアルキル基（ＲＬ７は、メチル基、又はエチル基を示し、Ｌｎは１以上４以下の整数を表す）、水素原子である。
イオン液体（Ｉ）を構成するアニオンとしては、有機アニオンであっても、無機アニオンであってもよい。イオン液体（Ｉ）の溶媒（Ｓ）との親和性が良好であることから、有機アニオンが好ましい。
有機アニオンとして、カルボン酸系アニオン、Ｎ−アシルアミノ酸イオン、酸性アミノ酸アニオン、中性アミノ酸アニオン、アルキル硫酸系アニオン、含フッ素化合物系アニオン及びフェノール系アニオンからなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましく、カルボン酸系アニオン又はＮ−アシルアミノ酸イオンであることがより好ましい。
上記カルボン酸系アニオンの具体例としては、酢酸イオン、デカン酸イオン、２−ピロリドン−５−カルボン酸イオン、ギ酸イオン、α−リポ酸イオン、乳酸イオン、酒石酸イオン、馬尿酸イオン、Ｎ−メチル馬尿酸イオン等が挙げられ、中でも、酢酸イオン、２−ピロリドン−５−カルボン酸イオン、ギ酸イオン、乳酸イオン、酒石酸イオン、馬尿酸イオン、Ｎ−メチル馬尿酸イオンが好ましく、酢酸イオン、Ｎ−メチル馬尿酸イオン、ギ酸イオンがより好ましい。
上記Ｎ−アシルアミノ酸イオンの具体例としては、Ｎ−ベンゾイルアラニンイオン、Ｎ−アセチルフェニルアラニンイオン、アスパラギン酸イオン、グリシンイオン、Ｎ−アセチルグリシンイオン等が挙げられ、中でも、Ｎ−ベンゾイルアラニンイオン、Ｎ−アセチルフェニルアラニンイオン、Ｎ−アセチルグリシンイオンが好ましく、Ｎ−アセチルグリシンイオンがより好ましい。
上記酸性アミノ酸アニオンの具体例としては、アスパラギン酸イオン、グルタミン酸イオン等が挙げられ、上記中性アミノ酸アニオンの具体例としては、グリシンイオン、アラニンイオン、フェニルアラニンイオン等が挙げられる。
上記アルキル硫酸系アニオンの具体例としては、メタンスルホン酸イオン等が挙げられ、上記含フッ素化合物系アニオンの具体例としては、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、ヘキサフルオロホスホン酸イオン、トリフルオロトリス（ペンタフルオロエチル）ホスホン酸イオン、ビス（フルオロアルキルスルホニル）イミドイオン（例えば、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドイオン）、トリフルオロ酢酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン等が挙げられ、上記フェノール系アニオンの具体例としては、フェノールイオン、２−メトキシフェノールイオン、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールイオン等が挙げられる。
上記無機アニオンとして、本発明の効果をより確実に達成する観点から、Ｆ−、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、ＢＦ４ −、ＰＦ６ −及びＮ（ＳＯ２Ｆ）２ −からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましく、ＢＦ４ −、ＰＦ６ −又はＮ（ＳＯ２Ｆ）２ −であることがより好ましく、ＢＦ４ −又はＰＦ６ −であることがさらに好ましい。
イオン液体（Ｉ）は、例えば、国際公開第２０１４／１７８２５４号の段落００４５に開示された手法等によって製造することができる。
イオン液体（Ｉ）は単独で用いても２種以上混合して用いてもよい。
イオン液体（Ｉ）の含有量は、量子ドット含有被膜形成用の組成物において量子ドット（Ａ）を分散させる効果が良好であることから、量子ドット（Ａ）１００質量部に対して、１０質量部以上５００質量部以下が好ましく、９０質量部以上４００質量部以下がより好ましく、１００質量部以上３００質量部以下がさらに好ましい。
〔組成物の製造方法〕
以上説明した組成物の製造方法は特に限定されない。上記の組成物は、量子ドット（Ａ）、基材成分（Ｃ）、及び溶媒（Ｓ）と、必要に応じてその他の任意成分とを均一に混合できれば特に限定されない。組成物に含まれる、各種成分を混合する順序は特に限定されない。
前述の組成物の製造において、組成物の製造中、又は製造後に、有機溶媒（Ｓ１）の存在下に、量子ドット（Ａ）が、５０℃以上３００℃以下に加熱されるのが好ましい。加熱温度は、７０℃以上２７０℃以下が好ましく、１００℃以下２５０℃以下がより好ましい。そうすることにより、量子ドット（Ａ）が良好に分散した組成物を製造しやすい。
組成物の製造方法としては、予め調製された量子ドット分散液を、他の成分と混合する方法が好ましい。この場合、量子ドット分散液は、量子ドット（Ａ）と、分散媒（Ｂ）とを含む。分散媒（Ｂ）としては、前述の溶媒（Ｓ）と同様の有機溶媒を用いることができる。また、前述の低酸素濃度雰囲気下での加熱工程により量子ドット含有被膜の量子収率を所望する程度に回復させやすい点から、分散媒（Ｂ）が前述の有機溶媒（Ｓ１）を含むのが好ましい。
量子ドット分散液の製造方法は、量子ドット（Ａ）を、分散媒（Ｂ）に分散させることを含む。量子ドット（Ａ）を分散媒（Ｂ）に分散させる方法は特に限定されない。例えば、量子ドット（Ａ）を分散媒（Ｂ）に分散させる方法は、周知の方法により製造された固体の量子ドット（Ａ）を、分散媒（Ｂ）中に分散させる方法であってよい。
量子ドット（Ａ）を分散媒（Ｂ）に分散させる方法の好ましい一例としては、
量子ドット（Ａ）と、予備分散媒（ｐＢ）を含む予備分散液を準備することと、
予備分散液に含まれる予備分散媒（ｐＢ）の、分散媒（Ｂ）への置換とを含む方法が挙げられる。
ここで、予備分散液は、量子ドット（Ａ）と、分散媒（Ｂ）とを含む量子ドット分散液の調製に用いられる、予備的な分散液である。
予備分散液を準備する方法は特に限定されない。予備分散液としては、市販の量子ドット分散液をそのまま用いることができる。また、市販の量子ドット分散液から、予備分散媒（ｐＢ）を揮発させる等の方法により除いた後、量子ドット（Ａ）を含む残渣に、分散媒（Ｂ）を加えて、量子ドット（Ａ）を分散させる方法によっても予備分散液を調製することができる。
予備分散媒（ｐＢ）としては、溶媒（Ｓ）について説明した、有機溶媒（Ｓ１）以外の他の溶媒（Ｓ２）と同種の溶媒を用いることができる。
予備分散液における量子ドット（Ａ）の濃度は特に限定されない。予備分散液又は量子ドット分散液における量子ドット（Ａ）の濃度は、０．１質量％以上７０質量％以下となる量が好ましく。１質量％以上６０質量％以下となる量がより好ましく、５質量％以上５０質量％以下となる量がさらに好ましい。
予備分散液に含まれる予備分散媒（ｐＢ）の、分散媒（Ｂ）への置換の好ましい方法としては、
予備分散液から予備分散媒（ｐＢ）の少なくとも一部を除去することと、
予備分散媒（ｐＢ）が除去された後に、量子ドット（Ａ）と残余の予備分散媒（ｐＢ）とを含む混合物、又は量子ドット（Ａ）に対して分散媒（Ｂ）を添加することと、を含む方法が挙げられる。
予備分散液（ｐＢ）から、予備分散媒（ｐＢ）の少なくとも一部を除去する方法は特に限定されない。かかる方法の例としては、予備分散媒（ｐＢ）を揮発させる方法が挙げら獲る。予備分散媒（ｐＢ）を揮発させる方法は特に限定されない。
例えば、予備分散媒（ｐＢ）は、大気圧下、又は減圧下での加熱により行われてよい。また、予備分散媒（ｐＢ）の除去は、例えば、遠沈等の方法により量子ドット（Ａ）を容器内に沈降させた後、予備分散媒（ｐＢ）を上澄みとして取り除く方法により除去されてもよい。
量子ドット（Ａ）の材質や粒子径によっては、量子ドット（Ａ）を沈降させることが難しい場合があるため、予備分散媒（ｐＢ）の少なくとも一部を除去する方法としては、予備分散媒（ｐＢ）を揮発させて除去する方法が好ましい。
予備分散媒（ｐＢ）の少なくとも一部を除去する場合、予備分散媒（ｐＢ）の除去量は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されない。除去の前の予備分散媒（ｐＢ）の質量の５０質量％以上でもよく、７０質量％以上でもよく、９０質量％以上でもよく、１００質量％であってもよい。
このようにして予備分散媒（ｐＢ）の少なくとも一部を除去した後に、残渣に分散媒（Ｂ）を添加し、次いで、分散媒（Ｂ）中に量子ドット（Ａ）を分散させることにより、量子ドット分散液が調製される。
分散媒（Ｂ）の使用量は特に限定されない。分散媒（Ｂ）の使用量は、前述の通り、量子ドット分散液中の有機溶媒（Ｂ１）の含有量が、量子ドット（Ａ）１００質量部に対して１０質量部以上２０００質量部以下である量が好ましく、１０質量部以上１５００質量部以下である量がより好ましく、３０質量部以上１２００質量部以下である量がさらにより好ましく、５０質量部以上１０００質量部以下である量が特に好ましい。
また、上記の置換の方法としては、
予備分散液に対して分散媒（Ｂ）を添加して、量子ドット（Ａ）と、分散媒（Ｂ）と、予備分散媒（ｐＢ）とを含む液を調製することと、
量子ドット（Ａ）と、分散媒（Ｂ）と、予備分散媒（ｐＢ）とを含む液から、予備分散媒（ｐＢ）を除去することと、を含む方法も好ましい。
かかる方法によれば、分散媒（Ｂ）が加えられる一方で、予備分散媒（ｐＢ）が留去されるため、予備分散媒（ｐＢ）が分散媒（Ｂ）に置換される。
量子ドット（Ａ）と、分散媒（Ｂ）と、予備分散媒（ｐＢ）とを含む液からの予備分散媒（ｐＢ）の除去は、予備分散媒（ｐＢ）のみの除去であってもよく、予備分散媒（ｐＢ）と分散媒（Ｂ）との除去であってもよい。予備分散媒（ｐＢ）のみの除去は、一般的に困難である場合が多く、典型的には、予備分散媒（ｐＢ）は分散媒（Ｂ）とともに除去される。
予備分散媒（ｐＢ）の除去は、所望する量の予備分散媒（ｐＢ）を除去できる限り、どのような方法で行われてもよい。分散媒（Ｂ）の量の過度の減少を防ぐことができる点で、予備分散媒（ｐＢ）の除去は、分散媒（Ｂ）の除去量よりも、予備分散媒（ｐＢ）の除去量が多い条件にて行われるのが好ましい。
例えば、予備分散媒（ｐＢ）の沸点が、分散媒（Ｂ）の沸点よりも低い場合、予備分散媒（ｐＢ）の沸点以上、分散媒（Ｂ）の沸点未満の温度で、量子ドット（Ａ）と、分散媒（Ｂ）と、予備分散媒（ｐＢ）とを含む液を加熱する方法等によって、予備分散媒（ｐＢ）を優先的に除去することができる。
また、予備分散媒（ｐＢ）の沸点が、分散媒（Ｂ）の沸点よりも高い場合、量子ドット（Ａ）と、分散媒（Ｂ）と、予備分散媒（ｐＢ）とを含む液を加熱して発生した蒸気をコンデンサーに導入し、分散媒（Ｂ）の蒸気が十分に凝縮するが、予備分散媒（ｐＢ）の蒸気が十分に凝縮しにくい温度にて、コンデンサーでの冷却を行って、還流を実施すればよい。そうすることにより、分散媒（Ｂ）リッチな凝縮液を、量子ドット（Ａ）を含む液中に還流させることができる。一方、予備分散媒（ｐＢ）リッチな蒸気は、留去される。
予備分散媒（ｐＢ）とともに留去される分散媒（Ｂ）の量が多すぎる場合には、量子ドット（Ａ）を含む液に分散媒（Ｂ）を追加しながら、上記の方法を実施してもよい。
量子ドット（Ａ）と、分散媒（Ｂ）と、予備分散媒（ｐＢ）とを含む液から予備分散媒（ｐＢ）を除去するための、上記以外の他の方法としては、遠心分離、分子サイズの差を利用する膜分離方法、凝固点の差を利用する方法、フリーズドライ法等が挙げられる。
上記のような方法により、量子ドット（Ａ）と、分散媒（Ｂ）と、予備分散媒（ｐＢ）とを含む液から、予備分散媒（ｐＢ）を除去することにより、量子ドット分散液が得られる。
この場合、量子ドット分散液中の量子ドット（Ａ）の濃度が所望する範囲内であり、所望する量の有機溶媒（Ｂ１）が量子ドット分散液中に存在する限りにおいって、予備分散媒（ｐＢ）の除去量は特に限定されない。
予備分散媒（ｐＢ）の除去量は、除去の前の予備分散媒（ｐＢ）の質量の５０質量％以上でもよく、７０質量％以上でもよく、９０質量％以上でもよく、１００質量％であってもよい。
以上説明した量子ドット分散液の製造方法において、量子ドット分散液の製造中、又は製造後に、有機溶媒（Ｂ１）の存在下に、量子ドット（Ａ）が、５０℃以上３００℃以下に加熱されるのが好ましい。加熱温度は、７０℃以上２７０℃以下が好ましく、１００℃以下２５０℃以下がより好ましい。そうすることにより、量子ドット（Ａ）が良好に分散した量子ドット分散液を製造しやすい。
＜低酸素濃度雰囲気下での加熱工程に供される、加熱前の量子ドット含有被膜の形成方法＞
以上説明した組成物からなる塗布膜を、乾燥及び／又は硬化させることにより量子ドット含有被膜が形成される。
また、量子ドット含有被膜形成用の組成物が、光感応性又は熱感応性である場合、量子ドット含有被膜を製造する方法は、量子ドット含有被膜を露光又は加熱することにより、量子ドット含有被膜の有機溶媒又は塩基性溶液に対する溶解度を変化させることを含むのが好ましい。
そうすると、量子ドット含有被膜の有機溶剤又は塩基性溶液による現像・パターニングが可能となったり、量子ドット含有被膜の有機溶剤又は塩基性溶液に対する耐性が向上したりする。
量子ドット含有被膜の有機溶媒又は塩基性溶液に対する溶解度を変化させるための量子ドット含有被膜を露光又は加熱は、低酸素濃度雰囲気下での加熱工程の前及び後のいずれで行われてもよい。
組成物を硬化させる場合、硬化方法は、特に限定されず、加熱であっても、露光であってもよく、加熱と露光とを組み合わせて行ってもよい。
低酸素濃度雰囲気下での加熱工程に供される量子ドット含有被膜の製造方法の典型例を以下説明する。
量子ドット含有被膜は、積層体や、発光表示素子パネル等において種々の機能層上に直接形成されてもよく、金属基板やガラス基板等の任意の材質の基板上に形成した後、基板から剥離させて使用されてもよい。
また、量子ドット含有被膜は、発光表示素子パネル等において画素を画定する遮光性の隔壁に囲まれた領域内に形成されてもよい。
まず、任意の基板や機能層等の上に、組成物を塗布して塗布膜を形成する。塗布方法としては、ロールコータ、リバースコーター、バーコーター等の接触転写型塗布装置や、スピンナー（回転式塗布装置）、スリットコーター、カーテンフローコーター等の非接触型塗布装置を用いる方法が挙げられる。
また、組成物の粘度を適切な範囲に調整したうえで、インクジェット法、スクリーン印刷法等の印刷法によって組成物の塗布を行って、所望の形状にパターニングされた塗布膜を形成してもよい。
次いで、必要に応じて、溶媒（Ｓ）等の揮発成分を除去して塗布膜を乾燥させる。乾燥方法は特に限定されないが、例えば、真空乾燥装置（ＶＣＤ）を用いて室温にて減圧乾燥し、その後、ホットプレートにて６０℃以上１２０℃以下、好ましくは７０℃以上１００℃以下の温度にて６０秒以上１８０秒以下の間乾燥する方法が挙げられる。
このようにして塗布膜を形成した後、塗布膜に対して露光及び／又は加熱を施す。
露光は、エキシマレーザー光等の活性エネルギー線を照射して行う。照射するエネルギー線量は、組成物の組成によっても異なるが、例えば３０ｍＪ／ｃｍ２以上２０００ｍＪ／ｃｍ２以下が好ましく、５０ｍＪ／ｃｍ２以上５００ｍＪ／ｃｍ２以下がより好ましい。
かかる露光によれば、組成物がネガ型である場合には、露光部が硬化し、組成物がポジ型である場合には、露光部が塩基性溶液等の現像液に対して易溶化する。
加熱を行う際の温度は特に限定されず、１８０℃以上２８０℃以下が好ましく、２００℃以上２６０℃以下がより好ましく、２２０℃以上２５０℃以下が特に好ましい。加熱時間は、典型的には、１分以上６０分以下が好ましく、１０分以上５０分以下がより好ましく、２０分以上４０分以下が特に好ましい。
上記の加熱を行う際の雰囲気は特に限定されない。上記の加熱を行う際の雰囲気は、低酸素雰囲気であってもよい。
組成物が基材成分（Ｃ）としてケイ素含有樹脂を含む場合、量子ドット含有被膜を製造するために、組成物の塗布膜が焼成される。
この場合、基板の材質は、焼成に耐えられる材質であれば特に限定されない。基板の材質の好適な例としては、金属、シリコン、ガラス等の無機材料や、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルスルフォン、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等の耐熱性の材料が挙げられる。基板の厚さは特に限定されず、基板は、フィルムやシートであってもよい。
塗布膜を備える基板は、次いで焼成される。焼成方法は特に限定されないが、典型的には電気炉等を用いて焼成が行われる。焼成温度は、典型的には３００℃以上が好ましく、３５０℃以上がより好ましい。上限は特に限定されないが、例えば、１０００℃以下である。組成物が前述の硬化剤（Ｄ４）を含む場合、焼成温度の下限値を２００℃に下げてもシリカフィルムである量子ドット含有被膜中の残渣（シリカフィルム由来の不純物）を低減できる。焼成雰囲気は特に限定されず、窒素雰囲気又はアルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲下、真空下、又は減圧下であってもよい。大気下であってもよいし、酸素濃度を適宜コントロールしてもよい。
量子ドット含有被膜の膜厚は特に限定されない。量子ドット含有被膜の膜厚は、典型的には、０．１μｍ以上１０μｍ以下であり、０．２μｍ以上５μｍ以下が好ましく、０．５μｍ以上３μｍ以下がより好ましい。
このようにして形成された量子ドット含有被膜に対して、前述の低酸素濃度雰囲気下での加熱工程を施すことにより、所望する量子収率を示す量子ドット含有被膜を製造できる。
≪量子ドット含有被膜≫
上記の方法により製造された量子ドット含有被膜は、有機溶媒（Ｓ１）を含んでいてもよく、含んでいなくてもよい。量子ドット含有被膜の量子収率が低下した場合に、再度、低酸素濃度雰囲気下で量子ドット含有被膜を加熱することにより量子収率を回復させ得る点から、量子ドット含有被膜は有機溶媒（Ｓ１）を含んでいるのが好ましい。
有機溶媒（Ｓ１）の含有量は、特に限定されない。量子ドット含有被膜は、低酸素濃度雰囲気下での加熱により量子収率が向上し得る量の有機溶媒（Ｓ１）を含んでいるのが好ましい。
量子ドット含有被膜は、発光表示素子用の光学フィルムとして好適に使用される。
量子ドット含有被膜の膜厚は特に限定されない。量子ドット含有被膜の膜厚は、典型的には、０．１μｍ以上１０μｍ以下であり、０．２μｍ以上５μｍ以下が好ましく、０．５μｍ以上３μｍ以下がより好ましい。
以上説明した方法により形成される量子ドット（Ａ）を含む量子ドット含有被膜は、良好な量子収率を示すため蛍光効率に優れ発光表示素子用の光学フィルムとして好適に使用できる。また、量子ドット含有被膜は、発光表示素子において好適に用いられる積層体の製造に好適に使用できる。
≪積層体≫
積層体は、上記の方法により製造された量子ドット含有被膜を含む積層体である。かかる積層体は、量子ドット（Ａ）を含有する量子ドット含有被膜のみからなる積層体であってもよく、量子ドット含有被膜と、他の機能層とからなる積層体であってもよい。
＜量子ドット含有被膜の積層体＞
積層体において、例えば、基材成分（Ｃ）に由来する種々のマトリックス材中に分散された量子ドット（Ａ）を含む量子ドット含有被膜が２層以上積層されている。
かかる積層体は、前述の方法により形成された量子ドット含有被膜だけが積層された積層体であってもよく、前述の方法により形成された量子ドット含有被膜と、前述の方法以外の他の方法で形成された、量子ドット（Ａ）を含む他の膜とが積層された積層体であってもよい。
量子ドット含有被膜は、光源からの入射光を波長変換して赤色光を生ずる量子ドットと、光源からの入射光を波長変換して緑色光を生ずる量子ドットを含むのが好ましい。
また、赤色光を生ずる量子ドット含有被膜と、緑色光を生ずる量子ドット含有被膜とを交互に積層するのも好ましい。
このような構成の積層体を発光表示素子パネルに適用することにより、波長変換によって色純度の高い緑色光と赤色光を取り出すことができるため、発光表示素子パネルを備える発光表示装置の色相の再現範囲を拡大することができる。
なお、光源としては、典型的には、青色光や白色光を利用することができる。かかる光源と、上記の積層体とを組み合わせて用いることにより、色純度の高い、赤色光、緑色光、及び青色光を取り出すことができ、良好な色相の鮮明な画像を表示することができる。
発光表示装置としては、光源の発光を用いて画像を表示する装置であれば特に限定されず、液晶表示装置や、有機ＥＬ表示装置等が挙げられる。
＜量子ドット含有被膜と、他の機能層とを含む積層体＞
前述の方法により形成された量子ドット含有被膜は、他の機能層と積層されるのも好ましい。
量子ドット含有被膜は、光源からの入射光を波長変換して赤色光を生ずる量子ドットと、光源からの入射光を波長変換して緑色光を生ずる量子ドットを含むのが好ましい。
また、光源としては、典型的には、青色光や白色光を利用することができる。
他の機能層としては、光線を拡散させる拡散層、量子ドット含有被膜よりも低い屈折率を有する低屈折率層、光源から入射する光の一部を反射させる反射層、光源の発する光を積層体に入射させる導光板等が挙げられる。
また、必要に応じて、積層体内に空隙が設けられてもよい。空隙は、例えば、空気の層や、窒素等の不活性ガスの層であってよい。
拡散層としては、従来、種々の表示装置や光学装置に用いられている種々の拡散層を、特に制限なく用いることができる。典型的な例としては、表面にプリズム等の微細構造が設けられたフィルム、表面にビーズが散布又は埋没されたフィルム、及び微粒子や、光線を散乱させるように構造化された界面又は空隙等を内部に含むフィルムが挙げられる。
低屈折率層は、前述の量子ドット含有被膜よりも低い屈折率を有するフィルムであれば特に限定されず、種々の材質からなるフィルムを用いることができる。
反射層としては、反射性の偏光フィルム、入射光のうちの一部を反射できるように、表面にプリズム等の微細構造が設けられたフィルム、金属箔、多層光学フィルム等が挙げられる。反射層は、入射光の３０％以上を反射させるのが好ましく、４０％以上を反射させるのがより好ましく、５０％以上を反射させるのが特に好ましい。
反射層は、量子ドット含有被膜を通過した光を反射して、反射光を再度、量子ドット含有被膜に入射させるように設けられるのが好ましい。反射層から量子ドット含有被膜に入射した光を、拡散層等により、反射層の方向へ再度反射させることにより、反射層を用いない場合よりも、量子ドット含有被膜から発せられる緑色光、及び赤色光の色純度を高めることができる。
導光板としては、従来、種々の表示装置や光学装置に用いられている種々の導光板を、特に制限なく用いることができる。
量子ドット含有被膜と、他の機能層とを含む積層体の好ましい層構成の典型例としては、以下の１）〜８）の層構成が挙げられる。なお１）〜８）の構成の積層体では、最も左に記載された層に光源が発する光線を入射させ、最も右に記載された層から量子ドット含有被膜により波長変換された光線を取り出す。
通常、積層体から取り出された光線を入射させるようにディスプレイパネルが設けられ、色準との高い赤色光、緑色光、及び青色光を利用して画像の表示が行われる。
１）拡散層／量子ドット含有被膜／低屈折率層／反射層
２）導光板／拡散層／量子ドット含有被膜／低屈折率層／反射層
３）低屈折率層／量子ドット含有被膜／空隙／反射層
４）導光板／低屈折率層／量子ドット含有被膜／空隙／反射層
５）低屈折率層／量子ドット含有被膜／低屈折率層／反射層
６）導光板／低屈折率層／量子ドット含有被膜／低屈折率層／反射層
７）反射層／低屈折率層／量子ドット含有被膜／低屈折率層／反射層
８）導光板／反射層／低屈折率層／量子ドット含有被膜／低屈折率層／反射層
≪発光表示素子パネル、及び発光表示装置≫
前述の組成物を用いて形成された量子ドット含有被膜や、前述の積層体は、種々の発光表示素子パネルに組み込まれ、光源が発する光線から色純度の高い赤色光、緑色光、及び青色光を取り出す目的で好ましく使用される。
ここでは、前述の組成物を用いて形成された量子ドット含有被膜や、前述の積層体の総称について「量子ドットシート」と記載する。
発光表示素子パネルは、典型的には、光源であるバックライトと、量子ドットシートと、ディスプレイパネルとを組み合わせて含む。
量子ドットシートが導光板を備える場合、典型的には、導光板の側面に光線を入射させるように光源が設けられる。導光板の側面から入射した光線は、量子ドットシート内を通過し、ディスプレイパネルに入射する。
量子ドットシートが導光板を備えない場合、面光源から量子ドットシートの主面に光線を入射させ、量子ドットシート内を通過した光線をディスプレイパネルに入射させる。
ディスプレイパネルの種類は、量子ドットシートを通過した光線を用いて画像形成可能であれば特に限定されないが、典型的には液晶ディスプレイパネルである。
光源が発する光線から特に色純度の高い赤色光、緑色光、及び青色光を取り出しやすいことから、量子ドットシートは、前述の積層体であるのが好ましい。
量子ドットシートが積層体である場合の、発光表示素子パネルが備える構成の好ましい組み合わせとしては、以下ａ）〜ｈ）の組み合わせが挙げられる。
下記ａ）〜ｈ）に記載の組み合わせについて、最も左に記載の構成から、記載されている順に積み上げられ、発光表示素子パネルが形成される。
ａ）面光源／拡散層／量子ドットシート／低屈折率層／反射層／ディスプレイパネル
ｂ）光源付導光板／拡散層／量子ドットシート／低屈折率層／反射層／ディスプレイパネル
ｃ）面光源／低屈折率層／量子ドットシート／空隙／反射層／ディスプレイパネル
ｄ）光源付導光板／低屈折率層／量子ドットシート／空隙／反射層／ディスプレイパネル
ｅ）面光源／低屈折率層／量子ドットシート／低屈折率層／反射層／ディスプレイパネル
ｆ）光源付導光板／低屈折率層／量子ドットシート／低屈折率層／反射層／ディスプレイパネル
ｇ）面光源／反射層／低屈折率層／量子ドットシート／低屈折率層／反射層／ディスプレイパネル
ｈ）光源付導光板／反射層／低屈折率層／量子ドットシート／低屈折率層／反射層／ディスプレイパネル
以上説明した発光表示素子パネルを用いることで、色相の再現範囲が広く、良好な色相であり鮮明な画像を表示可能な発光表示装置を製造することができる。
以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されない。
以下、実施例において、有機溶媒（Ｓ１）としては、以下のＰＥＭＰとＴＭＭＰとを用いた。ＰＥＭＰ、及びＴＭＭＰの大気圧下での沸点を以下に記す。
ＰＥＭＰ：ペンタエリスリトールテトラ３−メルカプトプロピオネート（沸点２５０℃）
ＴＭＭＰ：トリメチロールプロパントリ３−メルカプトプロピオネート（沸点２２０℃）
〔調製例１〕
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート中に、ＩｎＰからなるコアが、ＺｎＳからなるシェル層で被覆された粒子に、リガンドが配位した量子ドット（発光極大６３０ｎｍ）からなる量子ドットを濃度２０質量％で含む、予備分散液０．６ｇをガラス容器中に加えた。不活性ガス雰囲気下に、予備分散液を１２０℃で２０分間加熱してプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを留去して、ガラス容器内に固形の量子ドットを得た。
固形の量子ドット０．１２ｇを含むガラス容器内に、有機溶媒（Ｓ１）としてＰＥＭＰ０．５ｇを加え、有機溶媒（Ｓ１）中に量子ドットを分散させて、量子ドット分散液を得た。
〔調製例２〕
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート中に、ＩｎＰからなるコアが、ＺｎＳからなるシェル層で被覆された粒子に、リガンドが配位した量子ドット（発光極大６３０ｎｍからなる量子ドットを濃度２０質量％で含む、予備分散液０．６ｇをガラス容器中に加えた。次いで、ガラス容器中に、有機溶媒（Ｂ１）として、ＰＥＭＰ０．５ｇを加えた。
ガラス容器内の液を、２００℃で１時間加熱してプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを留去させることにより、ＰＥＭＰ０．５ｇ中に量子ドット０．１２ｇを含む量子ドット分散液を得た。
〔調製例３〕
ＰＥＭＰをＴＭＭＰに変えることの他は、調製例２と同様にして量子ドット分散液を得た。
〔調製例４〕
調製例３で用いた量子ドットを、ＩｎＰからなるコアが、ＺｎＳからなるシェル層で被覆された粒子に、リガンドが配位した量子ドット（発光極大６２０ｎｍ）からなる量子ドットに変更することの他は、調製例３と同様にして量子ドット分散液を得た。
〔調製例５〕
調製例３で用いた量子ドットを、ＩｎＰからなるコアが、ＺｎＳからなるシェル層で被覆された粒子に、リガンドが配位した量子ドット（発光極大５３０ｎｍ）からなる量子ドットに変更することの他は、調製例３と同様にして量子ドット分散液を得た。
〔調製例６〕
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート中に、ＩｎＰからなるコアが、ＺｎＳからなるシェル層で被覆された粒子に、リガンドが配位した量子ドット（発光極大６３０ｎｍ）からなる量子ドットを濃度２０質量％で含む、分散液をそのまま用いた。
上記の調製例の量子ドット分散液を用いて、以下の方法に従って、量子収率の評価を行った。
まず、表１に記載の種類の量子ドット分散液０．６ｇを、ネガ型の光感応性組成物０．５ｇに混合して、量子ドットを含む光感応性の膜形成用組成物を調製した。
ネガ型の光感応性組成物として、基材成分（Ｃ）としてのアルカリ可溶性樹脂３５質量部、及びジペンタエリスリトールヘキサアクリレート７質量部と、硬化剤（Ｄ）としての下記構造の光重合開始剤４質量部と、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン０．７質量部と、溶剤（Ｓ）としてのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート５４質量部とからなる組成物を用いた。
アルカリ可溶性樹脂としては、下記の構成単位からなる樹脂を用いた。各構成単位について、括弧の右下の値は、樹脂中の各構成単位のモル比率である。
Figure 2020101769
Figure 2020101769
得られた膜形成用組成物を、ガラス基板上にスピンコート法により塗布し、膜厚５μｍの塗布膜を形成した。形成された塗布膜について、Ｑｕａｎｔａｕｒｕｓ−ＱＹ Ｃ１１３４７（浜松フォトニクス社製）を用いて量子収率を測定した。塗布膜の量子収率についてＱＹ１として表１に記す。
次いで塗布膜を空気中で１００℃でベークした後、露光量５０ｍＪ／ｃｍ２で塗布膜を全面露光し硬化させた。得られた硬化膜について、量子収率を測定した。硬化膜の量子収率についてＱＹ２として表１に記す。
さらに、硬化膜を、窒素雰囲気下で２００℃６０分間ベークした。ベーク後の硬化膜の量子収率を測定した。窒素雰囲気下でのベーク後の硬化膜の量子収率をＱＹ３として表１に記す。
Figure 2020101769
表１によれば、ＱＹ１とＱＹ２との比較から、空気中でのベーク及び露光により量子収率が低下することが分かる。しかし、カルコゲン元素を有する有機溶媒（Ｓ１）を用いて量子ドット含有被膜形成用の組成物を調製したいずれの実施例でも、窒素雰囲気下で硬化膜をベークすることにより量子収率が回復した。
他方、カルコゲン元素を有する有機溶媒（Ｓ１）を含まない量子ドット分散液を用いて調製された量子ドット含有被膜形成用の組成物に関する比較例１では、窒素雰囲気下で硬化膜をベークしても、空気中でのベーク及び露光により低下した量子収率は回復しなかった。

Claims (8)

  1. 量子ドット（Ａ）と、基材成分（Ｃ）と、溶媒（Ｓ）とを含む組成物を用いて量子ドット含有被膜を製造する方法であって、
    前記量子ドット（Ａ）の表面の材質が、カルコゲン化物を含み、
    前記量子ドット（Ａ）の表面には、リガンドが結合していてもよく、
    前記溶媒（Ｓ）が、カルコゲン元素を有する有機溶媒（Ｓ１）を含み、
    大気中よりも低い酸素濃度雰囲気下で前記量子ドット含有被膜を加熱する加熱工程を含む、方法。
  2. 前記組成物の調製中、又は調製後に前記有機溶媒（Ｓ１）の存在下に、量子ドット（Ａ）が、５０℃以上３００℃以下に加熱される、請求項１に記載の量子ドット含有被膜の製造方法。
  3. 前記組成物における、前記有機溶媒（Ｓ１）の含有量が、前記量子ドット（Ａ）１００質量部に対して、１０質量部以上２０００質量部以下である、請求項１又は２に記載の量子ドット含有被膜の製造方法。
  4. 前記溶媒（Ｓ１）の大気圧下での沸点が、６０℃以上４００℃以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の量子ドット含有被膜の製造方法。
  5. 前記組成物が、光感応性又は熱感応性であり、
    前記量子ドット含有被膜の有機溶媒又は塩基性溶液に対する溶解度を、露光又は加熱により変化させることを含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の量子ドット含有被膜の製造方法。
  6. 量子ドット（Ａ）と、基材成分（Ｃ）と、有機溶媒（Ｓ）とを含む、量子ドット含有被膜形成用の組成物であって、
    前記量子ドット（Ａ）の表面の材質が、カルコゲン化物を含み、
    前記量子ドット（Ａ）の表面には、リガンドが結合していてもよく、
    前記溶媒（Ｓ）が、カルコゲン元素を有する有機溶媒（Ｓ１）を含む、組成物。
  7. 前記有機溶媒（Ｓ１）の含有量が、前記量子ドット（Ａ）１００質量部に対して、１０質量部以上２０００質量部以下である、請求項６に記載の量子ドット含有被膜形成用の組成物。
  8. 前記有機溶媒（Ｓ１）の大気圧下での沸点が、６０℃以上４００℃以下である、請求項６又は７に記載の量子ドット含有被膜形成用の組成物。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022162841A1 (ja) * 2021-01-28 2022-08-04 シャープ株式会社 量子ドット、電界発光素子及びその製造方法、発光装置、表示装置及びその制御方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111040514A (zh) * 2019-12-06 2020-04-21 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 量子点墨水、显示面板制作方法及显示面板
KR102679663B1 (ko) * 2020-09-08 2024-06-27 삼성에스디아이 주식회사 감광성 수지 조성물, 이를 이용하여 제조된 감광성 수지막 및 컬러필터
WO2022230326A1 (ja) * 2021-04-28 2022-11-03 住友化学株式会社 硬化膜及び表示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015098906A1 (ja) * 2013-12-24 2015-07-02 富士フイルム株式会社 光学シート部材及び表示装置
JP2017025201A (ja) * 2015-07-22 2017-02-02 国立大学法人名古屋大学 半導体ナノ粒子およびその製造方法
JP2017137451A (ja) * 2016-02-05 2017-08-10 大日本印刷株式会社 光波長変換組成物、波長変換部材、光波長変換シート、バックライト装置、および画像表示装置
JP2017214486A (ja) * 2016-05-31 2017-12-07 大日本印刷株式会社 光波長変換組成物、光波長変換粒子、光波長変換部材、光波長変換シート、バックライト装置、および画像表示装置
JP2019123866A (ja) * 2018-01-11 2019-07-25 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． カドミウムフリー系量子ドット、その製造方法、これを含む組成物と複合体、及び表示素子

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6576155B1 (en) * 1998-11-10 2003-06-10 Biocrystal, Ltd. Fluorescent ink compositions comprising functionalized fluorescent nanocrystals
CN106164219B (zh) * 2014-04-02 2019-03-01 3M创新有限公司 包含硫醚配体的复合纳米粒子

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015098906A1 (ja) * 2013-12-24 2015-07-02 富士フイルム株式会社 光学シート部材及び表示装置
JP2017025201A (ja) * 2015-07-22 2017-02-02 国立大学法人名古屋大学 半導体ナノ粒子およびその製造方法
JP2017137451A (ja) * 2016-02-05 2017-08-10 大日本印刷株式会社 光波長変換組成物、波長変換部材、光波長変換シート、バックライト装置、および画像表示装置
JP2017214486A (ja) * 2016-05-31 2017-12-07 大日本印刷株式会社 光波長変換組成物、光波長変換粒子、光波長変換部材、光波長変換シート、バックライト装置、および画像表示装置
JP2019123866A (ja) * 2018-01-11 2019-07-25 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． カドミウムフリー系量子ドット、その製造方法、これを含む組成物と複合体、及び表示素子

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022162841A1 (ja) * 2021-01-28 2022-08-04 シャープ株式会社 量子ドット、電界発光素子及びその製造方法、発光装置、表示装置及びその制御方法

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