JP2020101684A - 表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】表示品位の低下を抑制することが可能な表示装置を提供する。【解決手段】第1透明基板と、第2透明基板と、前記第1透明基板と前記第2透明基板との間に位置する液晶層と、発光素子と、を備え、前記第2透明基板は、前記発光素子と対向する第1側面と、前記第1側面の反対側の第2側面と、を備え、前記第2側面の表面粗さは、前記第1側面の表面粗さより大きい、表示装置。【選択図】 図1
Description
本発明の実施形態は、表示装置に関する。
一対のガラス基板間に液晶層を保持した液晶表示装置について、製造過程におけるガラス基板の割れや欠けを抑制する観点で、ガラス基板の面取りを行うことが提案されている。このような面取りは、例えば回転砥石を用いた研磨装置によって行われる。
本実施形態の目的は、表示品位の低下を抑制することが可能な表示装置を提供することにある。
本実施形態によれば、
第1透明基板と、第2透明基板と、前記第1透明基板と前記第2透明基板との間に位置する液晶層と、発光素子と、を備え、前記第2透明基板は、前記発光素子と対向する第1側面と、前記第1側面の反対側の第2側面と、を備え、前記第2側面の表面粗さは、前記第1側面の表面粗さより大きい、表示装置が提供される。
本実施形態によれば、
第1透明基板と、第2透明基板と、前記第1透明基板と前記第2透明基板との間に位置する液晶層と、発光素子と、を備え、前記第2透明基板は、前記発光素子と対向する第1側面と、前記第1側面の反対側の第2側面と、を備え、前記第2側面は、0.3μmより大きい表面粗さを有し、10%以上のヘイズ値を有している、表示装置が提供される。
本実施形態によれば、
第1透明基板と、第2透明基板と、前記第1透明基板と前記第2透明基板との間に位置する液晶層と、発光素子と、を備え、前記第2透明基板は、前記発光素子と対向する第1側面を備え、前記第1側面は、0.3μm以下の表面粗さを有する粗面であり、10%以上のヘイズ値を有している、表示装置が提供される。
第1透明基板と、第2透明基板と、前記第1透明基板と前記第2透明基板との間に位置する液晶層と、発光素子と、を備え、前記第2透明基板は、前記発光素子と対向する第1側面と、前記第1側面の反対側の第2側面と、を備え、前記第2側面の表面粗さは、前記第1側面の表面粗さより大きい、表示装置が提供される。
本実施形態によれば、
第1透明基板と、第2透明基板と、前記第1透明基板と前記第2透明基板との間に位置する液晶層と、発光素子と、を備え、前記第2透明基板は、前記発光素子と対向する第1側面と、前記第1側面の反対側の第2側面と、を備え、前記第2側面は、0.3μmより大きい表面粗さを有し、10%以上のヘイズ値を有している、表示装置が提供される。
本実施形態によれば、
第1透明基板と、第2透明基板と、前記第1透明基板と前記第2透明基板との間に位置する液晶層と、発光素子と、を備え、前記第2透明基板は、前記発光素子と対向する第1側面を備え、前記第1側面は、0.3μm以下の表面粗さを有する粗面であり、10%以上のヘイズ値を有している、表示装置が提供される。
以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。
図1は、本実施形態の表示装置DSPの一構成例を示す平面図である。一例では、第1方向X、第2方向Y、及び、第3方向Zは、互いに直交しているが、90度以外の角度で交差していてもよい。第1方向X及び第2方向Yは、表示装置DSPを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第3方向Zは、表示装置DSPの厚さ方向に相当する。
本実施形態においては、表示装置DSPの一例として、高分子分散型液晶を適用した液晶表示装置について説明する。表示装置DSPは、表示パネルPNLと、配線基板1と、ICチップ2と、発光素子LDと、を備えている。
表示パネルPNLは、第1基板SUB1と、第2基板SUB2と、液晶層LCと、シールSEと、を備えている。第1基板SUB1及び第2基板SUB2は、平面視で、重畳している。第1基板SUB1及び第2基板SUB2は、シールSEによって接着されている。液晶層LCは、第1基板SUB1と第2基板SUB2との間に保持され、シールSEによって封止されている。図1において、液晶層LC及びシールSEは、異なる斜線で示している。
図1において拡大して模式的に示すように、液晶層LCは、ポリマー31と、液晶分子32と、を含む高分子分散型液晶を備えている。一例では、ポリマー31は、液晶性ポリマーである。ポリマー31は、第1方向Xに沿って延出した筋状に形成されている。液晶分子32は、ポリマー31の隙間に分散され、その長軸が第1方向Xに沿うように配向される。ポリマー31及び液晶分子32の各々は、光学異方性あるいは屈折率異方性を有している。ポリマー31の電界に対する応答性は、液晶分子32の電界に対する応答性より低い。
一例では、ポリマー31の配向方向は、電界の有無にかかわらずほとんど変化しない。一方、液晶分子32の配向方向は、液晶層LCにしきい値以上の高い電圧が印加された状態では、電界に応じて変化する。液晶層LCに電圧が印加されていない状態では、ポリマー31及び液晶分子32のそれぞれの光軸は互いに平行であり、液晶層LCに入射した光は、液晶層LC内でほとんど散乱されることなく透過する(透明状態)。液晶層LCに電圧が印加された状態では、ポリマー31及び液晶分子32のそれぞれの光軸は互いに交差し、液晶層LCに入射した光は、液晶層LC内で散乱される(散乱状態)。
一例では、ポリマー31の配向方向は、電界の有無にかかわらずほとんど変化しない。一方、液晶分子32の配向方向は、液晶層LCにしきい値以上の高い電圧が印加された状態では、電界に応じて変化する。液晶層LCに電圧が印加されていない状態では、ポリマー31及び液晶分子32のそれぞれの光軸は互いに平行であり、液晶層LCに入射した光は、液晶層LC内でほとんど散乱されることなく透過する(透明状態)。液晶層LCに電圧が印加された状態では、ポリマー31及び液晶分子32のそれぞれの光軸は互いに交差し、液晶層LCに入射した光は、液晶層LC内で散乱される(散乱状態)。
表示パネルPNLは、画像を表示する表示部DAと、表示部DAを囲む額縁状の非表示部NDAと、を備えている。シールSEは、非表示部NDAに位置している。表示部DAは、第1方向X及び第2方向Yにマトリクス状に配列された画素PXを備えている。
図1において拡大して示すように、各画素PXは、スイッチング素子SW、画素電極PE、共通電極CE、液晶層LC等を備えている。スイッチング素子SWは、例えば薄膜トランジスタ(TFT)によって構成され、走査線G及び信号線Sと電気的に接続されている。走査線Gは、第1方向Xに並んだ画素PXの各々におけるスイッチング素子SWと電気的に接続されている。信号線Sは、第2方向Yに並んだ画素PXの各々におけるスイッチング素子SWと電気的に接続されている。画素電極PEは、スイッチング素子SWと電気的に接続されている。共通電極CEは、複数の画素電極PEに対して共通に設けられている。液晶層LC(特に、液晶分子32)は、画素電極PEと共通電極CEとの間に生じる電界によって駆動される。容量CSは、例えば、共通電極CEと同電位の電極、及び、画素電極PEと同電位の電極の間に形成される。一例では、走査線G、信号線S、スイッチング素子SW、及び、画素電極PEは、第1基板SUB1に設けられている。共通電極CEは、第2基板SUB2に設けられている。
図1において拡大して示すように、各画素PXは、スイッチング素子SW、画素電極PE、共通電極CE、液晶層LC等を備えている。スイッチング素子SWは、例えば薄膜トランジスタ(TFT)によって構成され、走査線G及び信号線Sと電気的に接続されている。走査線Gは、第1方向Xに並んだ画素PXの各々におけるスイッチング素子SWと電気的に接続されている。信号線Sは、第2方向Yに並んだ画素PXの各々におけるスイッチング素子SWと電気的に接続されている。画素電極PEは、スイッチング素子SWと電気的に接続されている。共通電極CEは、複数の画素電極PEに対して共通に設けられている。液晶層LC(特に、液晶分子32)は、画素電極PEと共通電極CEとの間に生じる電界によって駆動される。容量CSは、例えば、共通電極CEと同電位の電極、及び、画素電極PEと同電位の電極の間に形成される。一例では、走査線G、信号線S、スイッチング素子SW、及び、画素電極PEは、第1基板SUB1に設けられている。共通電極CEは、第2基板SUB2に設けられている。
配線基板1は、第1基板SUB1の延出部Exに電気的に接続されている。配線基板1は、折り曲げ可能なフレキシブルプリント回路基板である。ICチップ2は、配線基板1に電気的に接続されている。ICチップ2は、例えば、画像表示に必要な信号を出力するディスプレイドライバなどを内蔵している。なお、ICチップ2は、延出部Exに電気的に接続されてもよい。
発光素子LDは、平面視で延出部Exに重畳している。複数の発光素子LDは、第1方向Xに沿って間隔をおいて並んでいる。
発光素子LDは、平面視で延出部Exに重畳している。複数の発光素子LDは、第1方向Xに沿って間隔をおいて並んでいる。
第1基板SUB1の透明基板10は、第1方向に沿って延出した一対の側面E11及びE12と、第2方向Yに沿って延出した一対の側面E13及びE14と、を有している。第2基板SUB2の透明基板20は、第1方向に沿って延出した一対の側面E21及びE22と、第2方向Yに沿って延出した一対の側面E23及びE24と、を有している。図1に示した例では、平面視で、側面E12及びE22、側面E13及びE23、側面E14及びE24はそれぞれ重畳し、側面E21は側面E11と表示部DAとの間に位置している。また、側面E21は、第2方向Yにおいて、発光素子LDと対向している。
本実施形態では、第2基板SUB2の透明基板20において、側面E22の表面粗さは、側面E21の表面粗さより大きい。また、側面E23及びE24は、側面E22と同等の表面粗さを有している。つまり、側面E22乃至E24は、微細且つランダムな凹凸を有する粗面である。
また、第1基板SUB1の透明基板10において、側面E12乃至E14は、側面E22と同等の表面粗さを有している。側面E11は、側面E22と同等の表面粗さを有していてもよいし、側面E22より小さい表面粗さを有していてもよい。
また、第1基板SUB1の透明基板10において、側面E12乃至E14は、側面E22と同等の表面粗さを有している。側面E11は、側面E22と同等の表面粗さを有していてもよいし、側面E22より小さい表面粗さを有していてもよい。
本実施形態では、表面粗さとして、算術平均粗さ(Ra)を採用している。この表面粗さRaは、JIS規格JIS B 0601:2001に規定される方法で測定することができる。
例えば、側面E22乃至E24は、0.3μmより大きい表面粗さRaを有している。また、側面E12乃至E14も同様に、0.3μmより大きい表面粗さRaを有している。側面E21は、0.3μm以下の表面粗さを有している。但し、側面E21は、ほとんど凹凸のない鏡面でもよいし、ランダムな凹凸を有する粗面であってもよい。
例えば、側面E22乃至E24は、0.3μmより大きい表面粗さRaを有している。また、側面E12乃至E14も同様に、0.3μmより大きい表面粗さRaを有している。側面E21は、0.3μm以下の表面粗さを有している。但し、側面E21は、ほとんど凹凸のない鏡面でもよいし、ランダムな凹凸を有する粗面であってもよい。
他の観点では、光拡散性の程度を示すヘイズ値に着目すると、第2基板SUB2の透明基板20において、側面E22は、側面E21より大きなヘイズ値を有している。また、側面E23及びE24は、側面E22と同等のヘイズ値を有している。
また、第1基板SUB1の透明基板10において、側面E12乃至E14は、側面E22と同等のヘイズ値を有している。側面E11は、側面E22と同等のヘイズ値を有していてもよいし、側面E22より小さいヘイズ値を有していてもよい。ヘイズ値は、ヘイズメータで測定することができる。
また、第1基板SUB1の透明基板10において、側面E12乃至E14は、側面E22と同等のヘイズ値を有している。側面E11は、側面E22と同等のヘイズ値を有していてもよいし、側面E22より小さいヘイズ値を有していてもよい。ヘイズ値は、ヘイズメータで測定することができる。
例えば、側面E22乃至E24は、10%以上のヘイズ値を有している。また、側面E12乃至E14も同様に、10%以上のヘイズ値を有している。側面E21は、10%未満のヘイズ値を有している。つまり、側面E22乃至E24は、側面E21よりも高い光拡散性を有している。側面E22乃至E24は、目視した際に、スリガラスのようにほぼ不透明に視認される。
このような粗面の側面を備えた表示パネルPNLは、以下のようにして形成することができる。すなわち、シールSEによって第1基板SUB1及び第2基板SUB2を接着した後に、表示パネルPNLをレジストでマスキングする。このとき、側面E11乃至E24、及び、側面E22乃至E24は、レジストから露出している。その後、側面E11乃至E24、及び、側面E22乃至E24をフッ化水素酸によって化学的に加工する。
あるいは、シールSEによって第1基板SUB1及び第2基板SUB2を接着した後に、側面E11乃至E24、及び、側面E22乃至E24を、粒度♯600〜800の回転砥石によって機械的に加工する。
あるいは、シールSEによって第1基板SUB1及び第2基板SUB2を接着した後に、側面E11乃至E24、及び、側面E22乃至E24を、粒度♯600〜800の回転砥石によって機械的に加工する。
これにより、側面E11乃至E24、及び、側面E22乃至E24は、上記の表面粗さあるいはヘイズ値を有する粗面となる。また、重畳する側面E12及びE22は、一括して加工されるため、それぞれの表面粗さあるいはヘイズ値は同等となる。同様に、重畳する側面E13及びE23のそれぞれの表面粗さあるいはヘイズ値は同等であり、また、重畳する側面E14及びE24のそれぞれの表面粗さあるいはヘイズ値は同等である。
側面E21については、上記の如く、化学的あるいは機械的に加工してもよい。例えば、側面E21を機械的に加工する場合、側面E21を、粒度♯1200〜3000の回転砥石によって機械的に加工する。あるいは、側面E21を、ダイサーによって機械的に加工してもよい。これにより、側面E21は、側面E22とは異なる表面粗さを有し、また、側面E22とは異なるヘイズ値を有する。
図2は、図1に示した表示パネルPNLの一構成例を示す断面図である。
第1基板SUB1は、透明基板10と、絶縁膜11及び12と、容量電極13と、スイッチング素子SWと、画素電極PEと、配向膜AL1と、を備えている。透明基板10は、主面(下面)10Aと、主面10Aの反対側の主面(上面)10Bと、を備えている。スイッチング素子SWは、主面10B側に配置されている。絶縁膜11は、スイッチング素子SWを覆っている。なお、図1に示した走査線G及び信号線Sは、透明基板10と絶縁膜11との間に配置されているが、ここでは図示を省略している。容量電極13は、絶縁膜11及び12の間に配置されている。画素電極PEは、絶縁膜12と配向膜AL1との間において、画素PX毎に配置されている。画素電極PEは、容量電極13の開口部OPを介してスイッチング素子SWと電気的に接続されている。画素電極PEは、絶縁膜12を挟んで、容量電極13と重畳し、画素PXの容量CSを形成している。配向膜AL1は、画素電極PEを覆っている。
第1基板SUB1は、透明基板10と、絶縁膜11及び12と、容量電極13と、スイッチング素子SWと、画素電極PEと、配向膜AL1と、を備えている。透明基板10は、主面(下面)10Aと、主面10Aの反対側の主面(上面)10Bと、を備えている。スイッチング素子SWは、主面10B側に配置されている。絶縁膜11は、スイッチング素子SWを覆っている。なお、図1に示した走査線G及び信号線Sは、透明基板10と絶縁膜11との間に配置されているが、ここでは図示を省略している。容量電極13は、絶縁膜11及び12の間に配置されている。画素電極PEは、絶縁膜12と配向膜AL1との間において、画素PX毎に配置されている。画素電極PEは、容量電極13の開口部OPを介してスイッチング素子SWと電気的に接続されている。画素電極PEは、絶縁膜12を挟んで、容量電極13と重畳し、画素PXの容量CSを形成している。配向膜AL1は、画素電極PEを覆っている。
第2基板SUB2は、透明基板20と、遮光層BMと、共通電極CEと、オーバーコート層OCと、配向膜AL2と、を備えている。透明基板20は、主面(下面)20Aと、主面20Aの反対側の主面(上面)20Bと、を備えている。透明基板20の主面20Aは、透明基板10の主面10Bと向かい合っている。遮光層BM及び共通電極CEは、主面20A側に配置されている。遮光層BMは、例えば、スイッチング素子SWの直上、及び、図示しない走査線G及び信号線Sの直上にそれぞれ配置されている。共通電極CEは、複数の画素PXに亘って配置され、第3方向Zにおいて、複数の画素電極PEと対向している。また、共通電極CEは、遮光層BMを覆っている。共通電極CEは、容量電極13と電気的に接続されており、容量電極13とは同電位である。オーバーコート層OCは、共通電極CEを覆っている。配向膜AL2は、オーバーコート層OCを覆っている。
液晶層LCは、第1基板SUB1と第2基板SUB2との間に位置し、配向膜AL1及びAL2に接している。
透明基板10及び20は、ガラス基板やプラスチック基板などの絶縁基板である。絶縁膜11は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物、アクリル樹脂などの透明な絶縁材料によって形成されている。一例では、絶縁膜11は、無機絶縁膜及び有機絶縁膜を含んでいる。絶縁膜12は、シリコン窒化物などの無機絶縁膜である。容量電極13、画素電極PE、及び、共通電極CEは、インジウム錫酸化物(ITO)やインジウム亜鉛酸化物(IZO)などの透明導電材料によって形成された透明電極である。遮光層BMは、例えば、共通電極CEよりも低抵抗な導電層を備えている。一例では、遮光層BMは、モリブデン、アルミニウム、タングステン、チタン、銀などの不透明な金属材料によって形成されている。共通電極CEは、遮光層BMに接しているため、遮光層BMと電気的に接続される。これにより、共通電極CEが低抵抗化される。配向膜AL1及びAL2は、X−Y平面に略平行な配向規制力を有する水平配向膜である。一例では、配向膜AL1及びAL2は、第1方向Xに沿って配向処理されている。なお、配向処理とは、ラビング処理であってもよいし、光配向処理であってもよい。
図3は、本実施形態の表示装置DSPの一構成例を示す断面図である。なお、表示パネルPNLについては、主要部のみを図示している。
発光素子LDは、第2方向Yにおいて、透明基板20の側面E21に対向している。発光素子LDは、配線基板Fに電気的に接続されている。発光素子LDは、例えば、発光ダイオードであり、詳述しないが、赤発光部、緑発光部、及び、青発光部を備えている。なお、発光素子LDと、側面E21との間に、透明な導光体が配置されてもよい。
発光素子LDは、第2方向Yにおいて、透明基板20の側面E21に対向している。発光素子LDは、配線基板Fに電気的に接続されている。発光素子LDは、例えば、発光ダイオードであり、詳述しないが、赤発光部、緑発光部、及び、青発光部を備えている。なお、発光素子LDと、側面E21との間に、透明な導光体が配置されてもよい。
次に、図3を参照しながら、発光素子LDから出射される光L1について説明する。
発光素子LDは、側面E21に向けて光L1を出射する。光L1は、第2方向Yを示す矢印の向きに沿って進行し、側面E21から透明基板20に入射する。透明基板20に入射した光L1は、繰り返し反射されながら、表示パネルPNLの内部を進行する。電圧が印加されていない液晶層LCに入射した光L1は、ほとんど散乱されることなく液晶層LCを透過する。また、電圧が印加された液晶層LCに入射した光L1は、液晶層LCで散乱される。表示装置DSPは、主面10A側から観察可能であるとともに、主面20B側からも観察可能である。また、表示装置DSPは、いわゆる透明ディスプレイであり、主面10A側から観察した場合であっても、主面20B側から観察した場合であっても、表示装置DSPを介して、表示装置DSPの背景を観察可能である。
発光素子LDは、側面E21に向けて光L1を出射する。光L1は、第2方向Yを示す矢印の向きに沿って進行し、側面E21から透明基板20に入射する。透明基板20に入射した光L1は、繰り返し反射されながら、表示パネルPNLの内部を進行する。電圧が印加されていない液晶層LCに入射した光L1は、ほとんど散乱されることなく液晶層LCを透過する。また、電圧が印加された液晶層LCに入射した光L1は、液晶層LCで散乱される。表示装置DSPは、主面10A側から観察可能であるとともに、主面20B側からも観察可能である。また、表示装置DSPは、いわゆる透明ディスプレイであり、主面10A側から観察した場合であっても、主面20B側から観察した場合であっても、表示装置DSPを介して、表示装置DSPの背景を観察可能である。
ここで、側面E12及びE22に到達した光L1に着目する。
比較例として、側面E12及びE22がほとんど凹凸のない鏡面である場合、側面E12及びE22を透過する光の量は、側面E12及びE22で反射される光の量よりも多い。このため、表示パネルPNLにおいて、発光素子LDに近接する側面E21側と、発光素子LDから離間した側面E22側とでの輝度差が大きい。
比較例として、側面E12及びE22がほとんど凹凸のない鏡面である場合、側面E12及びE22を透過する光の量は、側面E12及びE22で反射される光の量よりも多い。このため、表示パネルPNLにおいて、発光素子LDに近接する側面E21側と、発光素子LDから離間した側面E22側とでの輝度差が大きい。
本実施形態によれば、側面E12及びE22は粗面であるため、側面E12及びE22に向かう光L1は、側面E12及びE22にて反射される。側面E12及びE22で反射される光の量は、側面E12及びE22を透過する光の量よりも多い。側面E12及びE22で反射された光L1は、第2方向Yを示す矢印の逆向きに沿って、表示パネルPNLの内部を進行する。つまり、側面E12及びE22に到達した光L1を再利用することができる。したがって、表示パネルPNLにおいて、側面E22側の輝度の低下を抑制することができる。これにより、側面E21側と側面E22側とでの輝度差を低減することができ、表示品位の低下を抑制することができる。
図4は、本実施形態の表示装置DSPの一構成例を示す平面図である。発光素子LDから出射された光のうち、側面E12及びE22に向かう光L1に着目すると、側面E12及びE22で反射される光の量は、側面E12及びE22を透過する光の量よりも多い。
また、本実施形態では、側面E13及びE23と、側面E14及びE24も粗面である。このため、発光素子LDから出射された光のうち、側面E13及びE23に向かう光L2に着目すると、側面E13及びE23で反射される光の量は、側面E13及びE23を透過する光の量よりも多い。また、発光素子LDから出射された光のうち、側面E14及びE24に向かう光L3に着目すると、側面E14及びE24で反射される光の量は、側面E14及びE24を透過する光の量よりも多い。このため、側面E13及びE23に到達した光L2、及び、側面E14及びE24に到達した光L3を再利用することができる。したがって、表示パネルPNLにおける側面E23の近傍の領域、及び、側面E24の近傍の領域において、輝度の低下を抑制することができる。
また、本実施形態では、側面E13及びE23と、側面E14及びE24も粗面である。このため、発光素子LDから出射された光のうち、側面E13及びE23に向かう光L2に着目すると、側面E13及びE23で反射される光の量は、側面E13及びE23を透過する光の量よりも多い。また、発光素子LDから出射された光のうち、側面E14及びE24に向かう光L3に着目すると、側面E14及びE24で反射される光の量は、側面E14及びE24を透過する光の量よりも多い。このため、側面E13及びE23に到達した光L2、及び、側面E14及びE24に到達した光L3を再利用することができる。したがって、表示パネルPNLにおける側面E23の近傍の領域、及び、側面E24の近傍の領域において、輝度の低下を抑制することができる。
次に、透明基板20の側面E22に凹凸が形成されたことによる、効果を検証するためのシミュレーション結果について説明する。
図5は、凹部CCのモデルを説明するための図であり、図5の(A)は凹部CCの平面図であり、図5の(B)は凹部CCの断面図である。このシミュレーションでは、複数の凹部CCは、すべて同一形状を有し、同一の直径Dmを有し且つ同一の深さDpを有するものとする。また、複数の凹部CCは、平面図に示す通り、マトリクス状に規則的に並んでいるものとする。シミュレーションでは、透明基板の側面に図示した凹部CCが形成されているものとし、直径Dmを変更して、側面からの入光効率を算出するが、深さDpは一定としている。
図6は、シミュレーション結果を示す図である。横軸は凹部CCの直径Dmであり、縦軸は入光効率である。入光効率とは、発光素子LDからの出射光が、図5に示した凹部CCを有する側面から透明基板に入射する系において、出射光の量を1としたとき、透明基板に入射した光の量の割合で表している。ここでは、側面が鏡面である場合の入光効率を基準Refとしている。シミュレーション結果によれば、直径Dmが40μmを超える場合の入光効率は基準Refとほとんど変わらず、直径Dmが20μm未満の場合の入光効率は基準Refより減少することが確認された。また、シミュレーション結果によれば、入光効率は、直径Dmが小さくなるほど減少する傾向が確認された。換言すると、側面が鏡面である場合は直径Dmが0μmであるとすると、凹部CCの直径Dmは、0μmより大きく40μm以下であることが好ましい。
このように、凹部CCが形成された側面では、光が散乱されやすく、透過率が減少する。上記のシミュレーションにおける透明基板を、本実施形態の透明基板20に置き換えて換言すると、透明基板20の内部を進行する光は、凹部CCが形成された側面E22に到達した際に、側面E22を透過しにくく、側面E22で反射されやすくなる。つまり、側面E22が鏡面である場合と比較して、側面E22で反射される光の量が増加し、側面E22に到達した光を再利用することができる。
次に、透明基板20の側面E21に凹凸が形成されたことによる効果を説明する。
図7は、本実施形態の表示装置DSPの一構成例を示す断面図である。なお、表示パネルPNLについては、主要部のみを図示している。
発光素子LDからの出射光L1は、側面E21から透明基板20に入射する。このとき、側面E21は粗面であるため、側面E21に入射した光L1は、散乱される。散乱された光L1は、第2方向Yを示す矢印の向きに沿って表示パネルPNLの内部を進行し、側面E12及びE22に向かう。側面E12及びE22で反射された光L1は、第2方向Yを示す矢印の逆向きに沿って表示パネルPNLの内部を進行し、再利用される。
発光素子LDからの出射光L1は、側面E21から透明基板20に入射する。このとき、側面E21は粗面であるため、側面E21に入射した光L1は、散乱される。散乱された光L1は、第2方向Yを示す矢印の向きに沿って表示パネルPNLの内部を進行し、側面E12及びE22に向かう。側面E12及びE22で反射された光L1は、第2方向Yを示す矢印の逆向きに沿って表示パネルPNLの内部を進行し、再利用される。
図8は、本実施形態の表示装置DSPの一構成例を示す平面図である。ここでは、側面E21に凹凸が形成された表示パネルPNLを図示しているが、他の側面E11乃至E14、及び、E22乃至E24に形成される凹凸の図示は省略している。
隣接する発光素子LDから出射された光は、それぞれ側面E21に入射した際に散乱され、X−Y平面において広がる。このため、側面E21の近傍において、隣接する発光素子LDからそれぞれ出射された光が混ざり、輝度を均一化することができる。
隣接する発光素子LDから出射された光は、それぞれ側面E21に入射した際に散乱され、X−Y平面において広がる。このため、側面E21の近傍において、隣接する発光素子LDからそれぞれ出射された光が混ざり、輝度を均一化することができる。
次に、透明基板20の側面E21に凹凸が形成されたことによる、効果を検証するためのシミュレーション結果について説明する。
図9は、凸部CVのモデルを説明するための図である。このシミュレーションでは、複数の凸部CVは、すべて同一形状を有するものであり、それぞれ第1方向Xに沿って延出し、第3方向Zに沿って一定の周期Prで並んでいる。また、凸部CVは、第2方向Yに沿って同一の高さHを有するものとする。シミュレーションでは、周期Prを変更して、側面E21からの入光効率を算出するが、高さHは一定としている。
図10は、シミュレーション結果を示す図である。横軸は凸部CVの周期Prであり、縦軸は入光効率である。ここでの入光効率は、発光素子LDからの出射光の量を1としたとき、側面E21から透明基板20に入射した光の量の割合で表している。側面E21が鏡面である場合の入光効率を基準Refとしている。シミュレーション結果によれば、周期Prが3μmを超えた場合の入光効率は基準Refより増加することが確認された。また、シミュレーション結果によれば、入光効率は、周期Prが大きくなるほど増加する傾向が確認された。
このように、凸部CVが形成された側面E21では、入光効率が増加する。したがって、発光素子LDからの出射光の利用効率を改善することができる。
このように、凸部CVが形成された側面E21では、入光効率が増加する。したがって、発光素子LDからの出射光の利用効率を改善することができる。
≪他の構成例≫
図11は、本実施形態の表示装置DSPの他の構成例を示す断面図である。図11に示した構成例は、図3に示した構成例と比較して、表示装置DSPが透明基板20に接着された透明基板30を備えた点で相違している。透明基板20は、第3方向Zに沿って、液晶層LCと透明基板30との間に位置している。透明基板30は、ガラス基板やプラスチック基板などの絶縁基板であり、透明基板10及び20と同等の屈折率を有する。透明基板30は、主面(下面)30Aと、主面30Aの反対側の主面(上面)30Bと、側面E31及びE32と、を備えている。透明な接着層ADは、透明基板20の主面20Bと透明基板30の主面30Aとの間に介在している。接着層ADは、透明基板20及び30と同等の屈折率を有する。なお、ここでの「同等」とは、屈折率差がゼロの場合に限らず、屈折率差が0.03以下の場合を含む。
図11は、本実施形態の表示装置DSPの他の構成例を示す断面図である。図11に示した構成例は、図3に示した構成例と比較して、表示装置DSPが透明基板20に接着された透明基板30を備えた点で相違している。透明基板20は、第3方向Zに沿って、液晶層LCと透明基板30との間に位置している。透明基板30は、ガラス基板やプラスチック基板などの絶縁基板であり、透明基板10及び20と同等の屈折率を有する。透明基板30は、主面(下面)30Aと、主面30Aの反対側の主面(上面)30Bと、側面E31及びE32と、を備えている。透明な接着層ADは、透明基板20の主面20Bと透明基板30の主面30Aとの間に介在している。接着層ADは、透明基板20及び30と同等の屈折率を有する。なお、ここでの「同等」とは、屈折率差がゼロの場合に限らず、屈折率差が0.03以下の場合を含む。
図11に示した表示装置DSPは、透明基板30を透明基板20に接着した後に、各側面を化学的あるいは機械的に加工している。このため、透明基板30において、側面E32は、側面E12及びE22と同等の表面粗さを有している。また、側面E31は、側面E21と同等の表面粗さを有している。なお、側面E32の表面粗さは、側面E31の表面粗さより大きい。
発光素子LDは、第2方向Yに沿って、透明基板20の側面E21及び透明基板30の側面E31に対向している。このような構成例において、発光素子LDから出射された光L1は、側面E21及びE31から表示パネルPNLに入射する。
このような構成例においても、側面E12、側面E22、及び、側面E32の透過光が減少し、これらの側面での反射光が増加するため、上記の構成例と同様の効果が得られる。
このような構成例においても、側面E12、側面E22、及び、側面E32の透過光が減少し、これらの側面での反射光が増加するため、上記の構成例と同様の効果が得られる。
図12は、本実施形態の表示装置DSPの他の構成例を示す断面図である。図12に示した表示装置DSPは、第1基板SUB1及び第2基板SUB2を貼り合わせた後に、透明基板10及び20の各側面を化学的あるいは機械的に加工し、その後、透明基板30を透明基板20に接着したものである。このため、透明基板30において、側面E31及びE32は、ほとんど凹凸のない鏡面である。つまり、側面E31の表面粗さは、側面E21の表面粗さとは異なり、また、側面E32の表面粗さは、側面E12及びE22の表面粗さとは異なる。なお、側面E32の表面粗さは、側面E31の表面粗さと同等である。
発光素子LDは、第2方向Yに沿って、透明基板20の側面E21及び透明基板30の側面E31に対向している。このような構成例において、発光素子LDから出射された光L1は、側面E21及びE31から表示パネルPNLに入射する。
このような構成例においても、側面E12及びE22の透過光が減少し、これらの側面での反射光が増加するため、上記の構成例と同様の効果が得られる。
このような構成例においても、側面E12及びE22の透過光が減少し、これらの側面での反射光が増加するため、上記の構成例と同様の効果が得られる。
本実施形態においては、透明基板10は第1透明基板に相当し、透明基板20は第2透明基板に相当し、透明基板30は第3透明基板に相当し、側面E21は第1側面に相当し、側面E22は第2側面に相当し、側面E23は第3側面に相当し、側面E24は第4側面に相当し、側面E12は第5側面に相当する。
以上説明したように、本実施形態によれば、表示品位の低下を抑制することが可能な表示装置を提供することができる。
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
本明細書にて開示した構成から得られる表示装置の一例を以下に付記する。
(1)
第1透明基板と、
第2透明基板と、
前記第1透明基板と前記第2透明基板との間に位置する液晶層と、
発光素子と、を備え、
前記第2透明基板は、前記発光素子と対向する第1側面と、前記第1側面の反対側の第2側面と、を備え、
前記第2側面の表面粗さは、前記第1側面の表面粗さより大きい、表示装置。
(2)
前記第2側面は、0.3μmより大きい表面粗さを有している、(1)に記載の表示装置。
(3)
前記第1側面は、0.3μm以下の表面粗さを有する粗面である、(1)または(2)に記載の表示装置。
(4)
前記第2透明基板は、前記第1側面及び前記第2側面とは異なる方向に延出した第3側面及び第4側面を備え、
前記第3側面及び前記第4側面は、前記第2側面と同等の表面粗さを有している、(1)乃至(3)のいずれか1つに記載の表示装置。
(5)
前記第1側面は、10%未満のヘイズ値を有し、
前記第2側面は、10%以上のヘイズ値を有している、(1)乃至(3)のいずれか1つに記載の表示装置。
(6)
前記第2透明基板は、前記第1側面及び前記第2側面とは異なる方向に延出した第3側面及び第4側面を備え、
前記第3側面及び前記第4側面は、前記第2側面と同等のヘイズ値を有している、(5)に記載の表示装置。
(7)
前記第1透明基板は、前記第2側面に重畳する第5側面を備え、
前記第5側面は、前記第2側面と同等の表面粗さを有している、(1)乃至(6)のいずれか1つに記載の表示装置。
(8)
前記液晶層は、ポリマーと、前記ポリマー内に分散された液晶分子と、を含んでいる、(1)乃至(7)のいずれか1つに記載の表示装置。
(9)
前記第1透明基板と前記液晶層との間に位置する画素電極と、
前記液晶層と前記第2透明基板との間に位置する共通電極と、を備える、(1)乃至(8)のいずれか1つに記載の表示装置。
(10)
第1透明基板と、
第2透明基板と、
前記第1透明基板と前記第2透明基板との間に位置する液晶層と、
発光素子と、を備え、
前記第2透明基板は、前記発光素子と対向する第1側面と、前記第1側面の反対側の第2側面と、を備え、
前記第2側面は、0.3μmより大きい表面粗さを有し、10%以上のヘイズ値を有している、表示装置。
(11)
第1透明基板と、
第2透明基板と、
前記第1透明基板と前記第2透明基板との間に位置する液晶層と、
発光素子と、を備え、
前記第2透明基板は、前記発光素子と対向する第1側面を備え、
前記第1側面は、0.3μm以下の表面粗さを有する粗面であり、10%以上のヘイズ値を有している、表示装置。
(12)
第1透明基板と、
第2透明基板と、
前記第1透明基板と前記第2透明基板との間に位置する液晶層と、
発光素子と、を備え、
前記第2透明基板は、前記発光素子と対向する第1側面と、前記第1側面の反対側の第2側面と、を備え、
前記第2側面は、同一形状を有する複数の凹部を有し、
前記凹部の直径は、0μmより大きく40μm以下である、表示装置。
(13)
第1透明基板と、
第2透明基板と、
前記第1透明基板と前記第2透明基板との間に位置する液晶層と、
複数の発光素子と、を備え、
前記第2透明基板は、第1側面を備え、
前記第1側面は、複数の凸部を有し、
前記複数の発光素子は、第1方向に並び、
前記第1側面は、前記第1方向に交差する第2方向において、前記複数の発光素子と対向し、
前記複数の凸部は、それぞれ前記第1方向に沿って延出し、前記第1方向及び前記第2方向に交差する第3方向に沿って一定の周期で並び、
前記凸部の周期は、3μmより大きい、表示装置。
(1)
第1透明基板と、
第2透明基板と、
前記第1透明基板と前記第2透明基板との間に位置する液晶層と、
発光素子と、を備え、
前記第2透明基板は、前記発光素子と対向する第1側面と、前記第1側面の反対側の第2側面と、を備え、
前記第2側面の表面粗さは、前記第1側面の表面粗さより大きい、表示装置。
(2)
前記第2側面は、0.3μmより大きい表面粗さを有している、(1)に記載の表示装置。
(3)
前記第1側面は、0.3μm以下の表面粗さを有する粗面である、(1)または(2)に記載の表示装置。
(4)
前記第2透明基板は、前記第1側面及び前記第2側面とは異なる方向に延出した第3側面及び第4側面を備え、
前記第3側面及び前記第4側面は、前記第2側面と同等の表面粗さを有している、(1)乃至(3)のいずれか1つに記載の表示装置。
(5)
前記第1側面は、10%未満のヘイズ値を有し、
前記第2側面は、10%以上のヘイズ値を有している、(1)乃至(3)のいずれか1つに記載の表示装置。
(6)
前記第2透明基板は、前記第1側面及び前記第2側面とは異なる方向に延出した第3側面及び第4側面を備え、
前記第3側面及び前記第4側面は、前記第2側面と同等のヘイズ値を有している、(5)に記載の表示装置。
(7)
前記第1透明基板は、前記第2側面に重畳する第5側面を備え、
前記第5側面は、前記第2側面と同等の表面粗さを有している、(1)乃至(6)のいずれか1つに記載の表示装置。
(8)
前記液晶層は、ポリマーと、前記ポリマー内に分散された液晶分子と、を含んでいる、(1)乃至(7)のいずれか1つに記載の表示装置。
(9)
前記第1透明基板と前記液晶層との間に位置する画素電極と、
前記液晶層と前記第2透明基板との間に位置する共通電極と、を備える、(1)乃至(8)のいずれか1つに記載の表示装置。
(10)
第1透明基板と、
第2透明基板と、
前記第1透明基板と前記第2透明基板との間に位置する液晶層と、
発光素子と、を備え、
前記第2透明基板は、前記発光素子と対向する第1側面と、前記第1側面の反対側の第2側面と、を備え、
前記第2側面は、0.3μmより大きい表面粗さを有し、10%以上のヘイズ値を有している、表示装置。
(11)
第1透明基板と、
第2透明基板と、
前記第1透明基板と前記第2透明基板との間に位置する液晶層と、
発光素子と、を備え、
前記第2透明基板は、前記発光素子と対向する第1側面を備え、
前記第1側面は、0.3μm以下の表面粗さを有する粗面であり、10%以上のヘイズ値を有している、表示装置。
(12)
第1透明基板と、
第2透明基板と、
前記第1透明基板と前記第2透明基板との間に位置する液晶層と、
発光素子と、を備え、
前記第2透明基板は、前記発光素子と対向する第1側面と、前記第1側面の反対側の第2側面と、を備え、
前記第2側面は、同一形状を有する複数の凹部を有し、
前記凹部の直径は、0μmより大きく40μm以下である、表示装置。
(13)
第1透明基板と、
第2透明基板と、
前記第1透明基板と前記第2透明基板との間に位置する液晶層と、
複数の発光素子と、を備え、
前記第2透明基板は、第1側面を備え、
前記第1側面は、複数の凸部を有し、
前記複数の発光素子は、第1方向に並び、
前記第1側面は、前記第1方向に交差する第2方向において、前記複数の発光素子と対向し、
前記複数の凸部は、それぞれ前記第1方向に沿って延出し、前記第1方向及び前記第2方向に交差する第3方向に沿って一定の周期で並び、
前記凸部の周期は、3μmより大きい、表示装置。
DSP…表示装置 PNL…表示パネル
SUB1…第1基板 SUB2…第2基板
LC…液晶層 31…ポリマー 32…液晶分子
LD…発光素子
PE…画素電極 CE…共通電極
10…透明基板 20…透明基板 30…透明基板
E11乃至E14、E21乃至E24…側面
SUB1…第1基板 SUB2…第2基板
LC…液晶層 31…ポリマー 32…液晶分子
LD…発光素子
PE…画素電極 CE…共通電極
10…透明基板 20…透明基板 30…透明基板
E11乃至E14、E21乃至E24…側面
Claims (13)
- 第1透明基板と、
第2透明基板と、
前記第1透明基板と前記第2透明基板との間に位置する液晶層と、
発光素子と、を備え、
前記第2透明基板は、前記発光素子と対向する第1側面と、前記第1側面の反対側の第2側面と、を備え、
前記第2側面の表面粗さは、前記第1側面の表面粗さより大きい、表示装置。 - 前記第2側面は、0.3μmより大きい表面粗さを有している、請求項1に記載の表示装置。
- 前記第1側面は、0.3μm以下の表面粗さを有する粗面である、請求項1または2に記載の表示装置。
- 前記第2透明基板は、前記第1側面及び前記第2側面とは異なる方向に延出した第3側面及び第4側面を備え、
前記第3側面及び前記第4側面は、前記第2側面と同等の表面粗さを有している、請求項1乃至3のいずれか1項に記載の表示装置。 - 前記第1側面は、10%未満のヘイズ値を有し、
前記第2側面は、10%以上のヘイズ値を有している、請求項1乃至3のいずれか1項に記載の表示装置。 - 前記第2透明基板は、前記第1側面及び前記第2側面とは異なる方向に延出した第3側面及び第4側面を備え、
前記第3側面及び前記第4側面は、前記第2側面と同等のヘイズ値を有している、請求項5に記載の表示装置。 - 前記第1透明基板は、前記第2側面に重畳する第5側面を備え、
前記第5側面は、前記第2側面と同等の表面粗さを有している、請求項1乃至6のいずれか1項に記載の表示装置。 - 前記液晶層は、ポリマーと、前記ポリマー内に分散された液晶分子と、を含んでいる、請求項1乃至7のいずれか1項に記載の表示装置。
- 前記第1透明基板と前記液晶層との間に位置する画素電極と、
前記液晶層と前記第2透明基板との間に位置する共通電極と、を備える、請求項1乃至8のいずれか1項に記載の表示装置。 - 第1透明基板と、
第2透明基板と、
前記第1透明基板と前記第2透明基板との間に位置する液晶層と、
発光素子と、を備え、
前記第2透明基板は、前記発光素子と対向する第1側面と、前記第1側面の反対側の第2側面と、を備え、
前記第2側面は、0.3μmより大きい表面粗さを有し、10%以上のヘイズ値を有している、表示装置。 - 第1透明基板と、
第2透明基板と、
前記第1透明基板と前記第2透明基板との間に位置する液晶層と、
発光素子と、を備え、
前記第2透明基板は、前記発光素子と対向する第1側面を備え、
前記第1側面は、0.3μm以下の表面粗さを有する粗面であり、10%以上のヘイズ値を有している、表示装置。 - 第1透明基板と、
第2透明基板と、
前記第1透明基板と前記第2透明基板との間に位置する液晶層と、
発光素子と、を備え、
前記第2透明基板は、前記発光素子と対向する第1側面と、前記第1側面の反対側の第2側面と、を備え、
前記第2側面は、同一形状を有する複数の凹部を有し、
前記凹部の直径は、0μmより大きく40μm以下である、表示装置。 - 第1透明基板と、
第2透明基板と、
前記第1透明基板と前記第2透明基板との間に位置する液晶層と、
複数の発光素子と、を備え、
前記第2透明基板は、第1側面を備え、
前記第1側面は、複数の凸部を有し、
前記複数の発光素子は、第1方向に並び、
前記第1側面は、前記第1方向に交差する第2方向において、前記複数の発光素子と対向し、
前記複数の凸部は、それぞれ前記第1方向に沿って延出し、前記第1方向及び前記第2方向に交差する第3方向に沿って一定の周期で並び、
前記凸部の周期は、3μmより大きい、表示装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3922969A1 (en) | 2020-06-11 | 2021-12-15 | Toshiba TEC Kabushiki Kaisha | Person presence sensor unit and image processing device comprising the same |
-
2018
- 2018-12-21 JP JP2018239903A patent/JP2020101684A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP3922969A1 (en) | 2020-06-11 | 2021-12-15 | Toshiba TEC Kabushiki Kaisha | Person presence sensor unit and image processing device comprising the same |
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