JP2020098825A - 配線基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】反り等の変形が発生することを防止または大幅に低減することにより、配線基板の変形に起因して発生する実装不良を低減可能な配線基板を提供すること。【解決手段】絶縁部材の中に複数の配線層を備えた第一配線基板１をコア基板として、その表裏面に絶縁樹脂層６の中に複数の配線層を備えた第二配線基板４を、接着層１４を介して接合してなる配線基板において、絶縁部材はセラミックからなり、接着層は熱可塑性樹脂からなり、第一配線基板の表裏面には、第二配線基板と電気的に接続するパッド電極３を備えており、第二配線基板の第一配線基板と接続する側には、第一配線基板と接続するパッド電極１６を備えており、第二配線基板のもう一方の側には、外部回路と接続可能とする外部接続端子９を備えており、第一配線基板と第二配線基板とは、それぞれのパッド電極が接続可能な位置で、接着層を介して接着されていることを特徴とする配線基板２０。【選択図】図２

Description

本発明は、反り等の変形が生じ難い配線基板及びその製造方法に関する。

近年、半導体チップ及び外部接続部材を用いた半導体装置の小型化、薄型化、高性能化が進められており、これに伴い配線基板の薄型化が求められている。特許文献１には、支持基板に固定された半導体チップの周囲を覆う絶縁層を形成し、当該半導体チップ上及び当該絶縁層上に再配線層及び外部接続端子を有する外部接続部材が形成された半導体装置の製造方法が記載されている。この製造方法では、半導体チップの外縁より外側の周辺領域にも再配線層及び外部接続端子を有する外部接続部材が形成される。当該製造方法によって製造された半導体装置は、Ｆａｎ−ｏｕｔ型のＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ）と呼ばれており、半導体装置の薄型化に有利である。

特許文献２には、コア層を持たないいわゆるコアレス基板の製造方法が開示されている。その製造方法によると、エッチング除去可能な基板上にビルドアップ多層配線層を形成した後に基板を除去することによって、ビルドアップ多層配線層のみからなるコアレス基板を作製する技術が開示されている。コア層を持たない分、半導体パッケージ基板の薄型化が可能となっている。

しかしながら、この様にして配線基板の厚さが薄くなるにつれて、剛性が低下し、配線基板の反りや変形が発生しやすくなって来る為、配線基板の薄型化による電気的性能の向上及びパッケージコストの低減を図ろうとするうえでの障害となっている。

特開２０１１−１８７４７３号公報 特許第３６６４７２０号公報

上記事情に鑑みて、本発明は、反り等の変形が発生することを防止または大幅に低減することにより、配線基板の変形に起因して発生する実装不良を低減可能な配線基板を提供することを課題とする。

本発明は、以下に記載するような解決手段により、前記課題を解決する。

本発明に係る請求項１に記載の発明は、絶縁部材の中に複数の配線層を備えた第一配線基板をコア基板として、その表裏面に絶縁樹脂層の中に複数の配線層を備えた第二配線基板を、接着層を介して接合してなる配線基板において、
絶縁部材はセラミックからなり、
接着層は熱可塑性樹脂からなり、
第一配線基板の表裏面には、第二配線基板と電気的に接続するパッド電極を備えており、
第二配線基板の第一配線基板と接続する側には、第一配線基板と接続するパッド電極を備えており、
第二配線基板のもう一方の側には、外部回路と接続可能とする外部接続端子を備えてお
り、
第一配線基板と第二配線基板とは、それぞれのパッド電極が接続可能な位置で、接着層を介して接着されていることを特徴とする配線基板である。

また、請求項２に記載の発明は、前記セラミックが、低温同時焼成セラミックスであることを特徴とする請求項１に記載の配線基板である。

また、請求項３に記載の発明は、前記絶縁樹脂層が、感光性ポリイミド又は感光性ポリベンズオキサゾールであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の配線基板である。

また、請求項４に記載の発明は、前記第二配線基板の配線層の配線幅が、０．５μｍ〜３．０μｍであることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の配線基板である。

また、請求項５に記載の発明は、前記第二配線基板の配線層の配線厚みが、０．５μｍ〜５．０μｍであることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の配線基板である。

また、請求項６に記載の発明は、ガラス支持体上に形成したビルドアップ多層配線層からなる第二配線基板を、接着層を介して、セラミック多層配線層からなる第一配線基板の少なくとも一方の面に接着する配線基板の製造方法であって、
第二配線基板を製造する工程Ａと、
第二配線基板を予め用意した第一配線基板に接着する工程Ｂと、を備えており、
工程Ａは、
ガラス支持体上に剥離層を形成する工程と、
剥離層上に、外部回路と接続する外部接続端子を形成する工程と、
外部接続端子を包埋する様に絶縁樹脂層ａを形成する工程と、
外部接続端子上の絶縁樹脂層ａの一部を除去して外部接続端子を露出するビアホールａを形成する工程と、
絶縁樹脂層ａ上に、ビアホールａを介して外部接続端子と電気的に接続した配線層ａを形成する工程と、
配線層ａを包埋する様に絶縁樹脂層ｂを形成する工程と、
配線層ａ上の絶縁樹脂層ｂの一部を除去して配線層ａを露出するビアホールｂを形成する工程と、
絶縁樹脂層ｂ上に、ビアホールｂを介して配線層ａと電気的に接続した配線層ｂを形成する工程と、
必要に応じて、配線層ｂを包埋する様に絶縁樹脂層ａ´を形成する工程と、配線層ｂ上の絶縁樹脂層ａ´の一部を除去して配線層ｂを露出するビアホールａ´を形成する工程と、絶縁樹脂層ａ´上に、ビアホールを介して配線層ｂと電気的に接続した配線層ａ´を形成する工程と、その配線層ａ´を包埋する様に絶縁樹脂層ｂ´を形成する工程と、配線層ａ´上の絶縁樹脂層ｂ´の一部を除去して配線層ａ´を露出するビアホールｂ´を形成する工程と、絶縁樹脂層ｂ´上に、ビアホールｂ´を介して配線層ａ´と電気的に接続した配線層ｂ´を形成する工程と、を繰り返す工程と、
最上層の配線層ｂ´または配線層ｂを包埋する様に熱可塑性樹脂からなる接着層を形成する工程と、
第一配線基板に形成されたパッド電極と接続する位置に対応した最上層の配線層ｂ´または配線層ｂ上の接着層を除去して開口部を形成する工程と、
開口部に導電性ペーストを充填し、パッド電極を形成する工程と、を備えており、
工程Ｂは、
第一配線基板の表裏面にそれぞれ形成されているパッド電極と、第一配線基板の表面および裏面に対応した第二配線基板に形成されたパッド電極と、をそれぞれ目合わせしてから加熱圧着する工程と、
ガラス支持体と剥離層を第二配線基板から剥離する工程と、を備えていることを特徴とする配線基板の製造方法である。

また、請求項７に記載の発明は、ガラス支持体上に形成したビルドアップ多層配線層からなる第二配線基板のビルドアップ多層配線層を、接着層を介して、セラミック多層配線層からなる第一配線基板の少なくとも一方の面に接着する配線基板の製造方法であって、
第二配線基板を製造する工程Ａと、
第二配線基板のビルドアップ多層配線層を予め用意した第一配線基板に接着する工程Ｂと、を備えており、
工程Ａは、
ガラス支持体上に剥離層を形成する工程と、
剥離層上に、外部回路と接続する外部接続端子を形成する工程と、
外部接続端子を包埋する様に絶縁樹脂層ａを形成する工程と、
外部接続端子上の絶縁樹脂層ａの一部を除去して外部接続端子を露出するビアホールａを形成する工程と、
絶縁樹脂層ａ上に、ビアホールａを介して外部接続端子と電気的に接続した配線層ａを形成する工程と、
配線層ａを包埋する様に絶縁樹脂層ｂを形成する工程と、
配線層ａ上の絶縁樹脂層ｂの一部を除去して配線層ａを露出するビアホールｂを形成する工程と、
絶縁樹脂層ｂ上に、ビアホールｂを介して配線層ａと電気的に接続した配線層ｂを形成する工程と、
必要に応じて、配線層ｂを包埋する様に絶縁樹脂層ａ´を形成する工程と、配線層ｂ上の絶縁樹脂層ａ´の一部を除去して配線層ｂを露出するビアホールａ´を形成する工程と、絶縁樹脂層ａ´上に、ビアホールを介して配線層ｂと電気的に接続した配線層ａ´を形成する工程と、その配線層ａ´を包埋する様に絶縁樹脂層ｂ´を形成する工程と、配線層ａ´上の絶縁樹脂層ｂ´の一部を除去して配線層ａ´を露出するビアホールｂ´を形成する工程と、絶縁樹脂層ｂ´上に、ビアホールｂ´を介して配線層ａ´と電気的に接続した配線層ｂ´を形成する工程と、を繰り返す工程と、
配線層ｂ´または配線層ｂを包埋する様に接着層を形成する工程と、
第一配線基板に形成されたパッド電極と接続する位置に対応した配線層ｂ´または配線層ｂ上の接着層を除去して開口部を形成する工程と、
開口部に導電性ペーストを充填し、パッド電極を形成する工程と、
上記の工程により形成したビルドアップ多層配線層から剥離層とガラス支持体を剥離する工程と、を備えており、
工程Ｂは、
第一配線基板の表裏面にそれぞれ形成されているパッド電極と、第一配線基板の表面および裏面に対応したビルドアップ多層配線層に形成されたパッド電極と、をそれぞれ目合わせしてから加熱圧着する工程を備えていることを特徴とする配線基板の製造方法である。

また、請求項８に記載の発明は、前記加熱圧着する工程が、２００℃〜４００℃で加熱プレスする工程であることを特徴とする請求項６または請求項７に記載の配線基板の製造方法である。

また、請求項９に記載の発明は、前記ガラス支持体がガラス基板であることを特徴とする請求項６から請求項８のいずれかに記載の配線基板の製造方法である。

本発明の配線基板によれば、コア基板として絶縁部材としてセラミックを使用した多層配線基板を使用し、その表裏面に絶縁樹脂層と配線層を交互に積層したビルドアップ多層配線層を、接着層を介して積層した配線基板である。そのため、コア基板の強い機械的な強度と、ビルドアップ多層配線層を薄く形成することができることから、反り等の変形が発生することを防止または大幅に低減することができる。この事により、配線基板の変形に起因して発生する実装不良を低減可能な配線基板を提供可能となる。

また、本発明の配線基板の製造方法によれば、本発明の配線基板を製造可能とすることができる。

本発明の実施形態に係る第一配線基板の一例を説明する断面図である。 本発明の実施形態に係る第二配線基板の一例を説明する断面図である。 本発明の実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を説明する断面図である。 本発明の実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を説明する断面図である。 本発明の実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を説明する断面図である。 本発明の実施形態に係る第二配線基板の製造工程の一例を説明する断面図である。 本発明の実施形態に係る第二配線基板の製造工程の一例を説明する断面図である。 本発明の実施形態に係る第二配線基板の製造工程の一例を説明する断面図である。 本発明の実施形態に係る第二配線基板の製造工程の一例を説明する断面図である。 本発明の実施形態に係る第二配線基板の製造工程の一例を説明する断面図である。

＜配線基板＞
以下、本発明の配線基板の好ましい実施の形態について、図面を参照しつつ具体的に説明する。
本発明の配線基板は、絶縁部材の中に複数の配線層を備えた第一配線基板をコア基板として、その表裏面に絶縁樹脂層の中に複数の配線層を備えた第二配線基板を、接着層を介して接合してなる配線基板である。

本発明の配線基板における絶縁部材はセラミックからなり、また接着層は熱可塑性樹脂からなる。

第一配線基板の表裏面には、第二配線基板と電気的に接続するパッド電極を備えており、第二配線基板の第一配線基板と接続する側には、第一配線基板と接続するパッド電極を備えている。

第二配線基板のもう一方の側には、外部回路と接続可能とする外部接続端子を備えており、第一配線基板と第二配線基板とは、それぞれのパッド電極が接続可能な位置で、接着層を介して接着されていることを特徴とする。

セラミックが低温同時焼成セラミックスであっても良い。また、絶縁樹脂層が感光性ポリイミド又は感光性ポリベンズオキサゾールであっても良い。

また、第二配線基板の配線層の配線幅が０．５μｍ〜３．０μｍであっても構わない。また第二配線基板の配線厚みが０．５μｍ〜５．０μｍであっても構わない。

以下に、本発明の配線基板について詳しく説明する。

（第一配線基板）
図１は、本発明の実施形態に係る第一配線基板１の一例を示す概略断面図である。第一配線基板１は本発明のコア基板であり、２層以上の配線層２と、第二配線基板と電気的に接続するためのパッド３と、を備えている。また、それらの配線層２とパッド３とは、電気的に層間接続されている。

本発明に於いては、第一配線基板１は、絶縁材料をＬＴＣＣ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ、低温同時焼成セラミックス）とするセラミック多層配線基板である。
第一配線基板１の配線層２と第一配線基板１のパッド３の材料をＣｕ又はＡｇとすることが好ましい。
絶縁材料としてＬＴＣＣを用いれば、配線導体であるＣｕ又はＡｇとセラミック基材を９００℃以下の低温で同時焼成可能であり、基材がセラミックであるため耐熱性・耐湿性に優れる他、高周波回路において良好な損失特性が得られる。また配線パターンを表層・内装に形成できるので多層化が容易であり、配線導体がＣｕ又はＡｇであれば、抵抗損失の少ない配線パターンが形成できる。

また、第一配線基板１は、
セラミック粉末とガラスを一定比率で配合し、混合する工程と、
混合された原料に有機系のバインダーと溶剤を加え、均一になるまで分散させ、スラリーと呼ばれるグリーンシートのもととなる材料を作製する工程と、
スラリーをＰＥＴフィルム上に一定の厚さで塗布し、乾燥させることによりグリーンシートを形成する工程と、
グリーンシートを切断し、ビアとなる穴あけ加工を施す工程と、
ビアとなる穴へ導体充填と、配線パターンを印刷形成する工程と、
異なる配線パターンを数層作製し、積層する工程と、
積層された積層体に圧力を加え、焼成させる工程と、をこの順に行うことで作製することができる。

（第二配線基板）
図２は、コア基板である第一配線基板１に接着させる第二配線基板４を説明する概略断面図である。図２は、ガラス支持体７上に形成された、ガラス支持体７から剥離可能な剥離層８を介して、第二配線基板４がガラス支持体７の片面に形成された状態を例示している。ガラス支持体７より第二配線基板４を剥離する際には、第二配線基板４と共に剥離層８が剥離される。なお、第二配線基板４は、剥離層８の上に外部接続端子９および１層以上の配線層５および第一配線層１のパッド３と接続する第一パッド１６および第一パッド１６と外部接続端子９の表面を除き、それ以外を包埋する絶縁樹脂層６と、第一パッド１６以外の部分を被覆して、第一パッド１６の頭頂部の高さとほぼ同じ高さまで形成された熱可塑性樹脂からなる接着層１４と、をこの順に備えた第二配線基板配線層４´および剥離層８を備えている。

図２に示したように、第二配線基板４は、絶縁樹脂層６と、配線層５と、第一配線基板１と接着させるための熱可塑性樹脂層からなる接着層１４と、第一配線基板１と電気的に接合させるための導電ペーストからなる第一パッド１６を有している。
ここで、第二配線基板４の厚さ、すなわち、図２における剥離層８から最上層の接着層
１４の上面までの厚さが０．０１ｍｍ以上１．００ｍｍ以下であることが望ましい。第二配線基板４の厚さが０．０１ｍｍ以上１．００ｍｍ以下である場合、配線層５間の回路絶縁性を確保しつつ、第二配線基板４を薄型化することができる。第二配線基板４の厚さは、より好ましくは０．０２ｍｍ以上０．５０ｍｍ以下が望ましい。

（第一配線基板と第二配線基板の接着）
次に図３に示したように、第一配線基板１と、ガラス支持体７上の第二配線基板４と、は熱可塑性樹脂からなる接着層１４を介して加熱プレスすることにより接着される。図３では、ガラス支持体７と第二配線基板４を剥離する前に接着しているが、図４のように、ガラス支持体７と第二配線基板を剥離して、第二配線基板配線層４´と第一配線基板１を加熱プレスしても良い。

（接着層）
第一配線基板１と、第二配線基板４と、を接合する熱可塑性樹脂からなる接着層１４としては、例えば、アクリル樹脂、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリエステル樹脂、エチレンアクリレート共重合体、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ブタジエンゴム−スチレン共重合体、フェノキシ樹脂、液晶ポリマー、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリテトラフロロエチレン、ポリフェニレンスルファイド等が挙げられる。このうちスーパーエンジニアリングプラスチックと呼ばれる液晶ポリマー、熱可塑性ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリテトラフロロエチレン、等を挙げることができる。これらの熱可塑性樹脂を用いれば、強度、耐熱性、耐薬品性に優れた接着層とすることができるため望ましい。

（第一パッド）
図２の最上部に形成されている、第一配線基板１と第二配線基板４を電気的に接続させる第一パッド１６は、導電ペーストから形成することができる。導電ペーストは有機、無機の混合材料であり、４００℃以下の温度で形成可能であるものが好ましい。導電ペーストとしては、例えば、樹脂バインダーと金属粒子フィラーを主成分としたものである。金属粒子としてはＡｕ系、Ａｇ系、Ｃｕ系ペーストなどが考えられるが、Ａｇ系ペースト、Ｃｕ系ペーストであれば価格が安いため好ましい。また樹脂バインダーとしては、エポキシ、ポリイミド、フェノール、ビスマレイミド等の熱硬化性樹脂とポリエステル、ポリウレタン、アクリル等の熱可塑性樹脂があるが、接着温度が２００℃〜４００℃のポリエステル系熱可塑性接着剤が金属との密着に優れており、本発明の配線基板の形成プロセスに合致するため望ましい。

（ガラス支持体）
図２に記載のガラス支持体７は、例えば略矩形状、略円形状、又は略楕円形状等であってもよく、ガラス支持体７の外形は特に限定されない。ガラス支持体７はガラス基板を用いることで、安価で、かつ、強度を高くすることができると共に、ガラス支持体７の大型化が容易にできる。また、ガラス支持体７の表面の粗さを容易に調整することができる。

ガラス支持体７の２０℃から２６０℃までの平均線膨張係数は−１ｐｐｍ／℃以上１５ｐｐｍ／℃以下であることが望ましい。ガラス支持体７の線膨張係数が−１ｐｐｍより小さい場合、ガラス支持体７として使用できる材料の選択肢がなくなってしまい現実性がない。ガラス支持体７の線膨張係数が１５ｐｐｍより大きい場合、第二配線基板４を歩留まりよく製造することが困難となる。

ガラス支持体７としては、例えば石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス、ソーダガラス、又はサファイアガラス等を好適に用いることができる。ガラス支持体７の厚みは特に限定されるものではないが、０．２ｍｍ以上３．０ｍｍ以下であれば、製造工
程上のハンドリングがしやすいため望ましい。

（剥離層）
ガラス支持体７上に形成する剥離層８に使用する樹脂としては、例えばエポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂、オキセタン樹脂、及びマレイミド樹脂、アクリル樹脂より選ぶことができる。これらの樹脂の１種又はこれらの樹脂の２種類以上が混合された樹脂を剥離層８として用いても良い。図５に示したように、剥離層８には、第二配線基板配線層４´をガラス支持体７より剥離する機能と、ガラス支持体７と第二配線基板配線層４´とを製造工程で安定して接着、保持する機能と、が必要である。そのため、剥離層８は、第二配線基板配線層４´の絶縁樹脂層６と剥離層８との接着力が、容易に剥離しない程度の強い接着力を有し、且つ第一配線基板１と第二配線基板配線層４´の接着層１４との接着力より弱い接着力を保有していれば良い。

剥離層８の厚さは、例えば２０μｍ〜１００μｍ程度である。剥離層８の材料、厚み、塗布方法については特に限定されるものではなく、公知の方法を採用できる。剥離層８が１００μｍ以上である場合、コストがかかる問題が生じること、および剥離層８自体の硬化収縮等で寸法安定性が低下する懸念がある。また、剥離層８が２０μｍ以下である場合、第二配線基板４を安定的に接着させることが困難となる。

図２に例示したように、ガラス支持体７上に形成された剥離層８上には外部接続端子９が形成されている。剥離層８に面した外部接続端子９、ビア、配線層５は銅より構成されていることが望ましい。それは、簡便に形成でき、且つ電気抵抗が低いためである。また、外部接続端子９及び配線層５の銅層の厚みは、例えば０．５μｍ以上５．０μｍ以下であることが望ましい。

（第二配線基板の配線層）
第二配線基板４の配線層５の幅は０．５μｍ以上３．０μｍ以下であることが望ましい。配線幅が３．０μｍを超える場合、配線を高密度に配置することができなくなる問題が生じる。また配線幅が０．５μｍ未満である場合、第二配線基板４の配線層５を安定的に形成することが困難となる。

（第二配線基板の絶縁樹脂層）
第二配線基板４の絶縁樹脂層６は、外部接続端子９と配線層５との層間及び多層の配線層５の層間に設けられる絶縁樹脂層である。絶縁樹脂層６の材料としては、感光性ポリイミド樹脂、感光性ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンオキシド、液晶ポリマー、又はシリコーン樹脂等の樹脂材料あるいは、これらの複合材料を挙げることができる。感光性ポリイミド樹脂、感光性ポリベンゾオキサゾール樹脂を用いれば微細パターンの形成が容易で耐熱性、電気特性に優れているため望ましい。絶縁樹脂層６の厚みは、例えば０．５μｍ以上３０．０μｍ以下である。

（第二配線基板のビアホール）
ビアホール１２（図７（ｄ）参照）は外部接続端子９と配線層５とを電気的に接続すると共に、配線層同士を電気的に接続するビアを形成するための穴である。ビアホール１２の径は特に限定されるものではないが、２μｍ以上１００μｍ以下であることが望ましい。ビアホール１２の径が２μｍより小さい場合、ビアの接続信頼性が低下する懸念がある。一方、ビアホール１２の径が１００μｍより大きい場合、微細な回路形成に不利となる。ビアは導電体より形成されていれば良いが、より好ましくは配線層５と同じ金属であることが簡便で良い。更に好ましくは、ビアは銅で形成される。ビア内部は、充填構造いわゆるフィルドビア構造であることが、ビアスタック可能で微細回路形成に有利なことから
望ましいが、ビア内部まで導電体金属が充填されていないコンホーマルビアでも良い。以上のように配線層５がビアを介して多層形成されている多層配線を有する配線基板であっても良く、単層回路であっても良い。

図２に示すように、第二配線基板４の最表面には熱可塑性樹脂からなる接着層１４が形成され、接着層１４には第一配線基板１との電気的接続のため開口部１５が設けられている。開口部１５は配線層５上に形成されており、開口部１５に導電ペーストを充填することにより第一パッド１６が形成される。開口部１５に、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｓｎ等のめっき処理を施したり、ＯＳＰ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｏｌｄｅｒａｂｉｌｉｔｙ Ｐｒｅｓｅｒｖａｔｉｖｅ、水溶性プリフラックス）等の有機皮膜処理を施した場合、配線基板間の導電性が向上すると共に、配線層の腐食が抑制されるため望ましい。

＜配線基板の製造方法＞
次に、図６から図１０を参照しながら、本実施形態に係る配線基板の製造方法を説明する。図６から図１０は本実施形態に係る配線基板の製造方法の一例を説明する図であるが、本実施形態に係る配線基板を限定するものではない。

（第二配線基板の製造方法）
以下に、第二配線基板４を、セミアディブ工法を使用して作製する方法を説明する。
まず、図６（ａ）に示したようにガラス支持体７を用意する。

次に、ガラス支持体７の表面に剥離可能な剥離層８を形成する（図６（ｂ））。剥離層８の形成方法としては、先に述べたロールラミネート法、スピンコート法、ダイコート法、カーテンコート法、ローラーコート法、その他公知の方法を採用できる。

次に、ガラス支持体７上に形成された剥離層８上にＴｉとＣｕの薄膜をスパッタコーティングによりシード層１０を形成する（図６（ｃ））。

次に、シード層１０上にフォトレジスト層を形成する。フォトレジストはポジ型あるいはネガ型の液体レジストであってもドライフィルムレジストであっても良いが、ドライフィルムレジストの方が簡便で、安価であるため望ましい。更に、レジスト層を形成した後に所望の外部接続端子９に対応するパターンが描画されているフォトマスク又は所望のパターンを直接描画する直接描画装置を用いて露光し、現像することによりレジストパターン１１を形成する（図６（ｄ））。

次に、電解銅めっきを行うことで外部接続端子９を形成することができる（図６（ｅ））。あらかじめ、露出した外部接続端子の形成部であるシード層１０の表面に表面処理としてＮｉめっき、Ａｕめっき、Ｐｄめっき、又はＳｎめっきを行っても良い。

次に、不要になったレジストパターンを剥離する（図７（ｆ））。

次に、不要になったシード層をエッチングすることによって、外部接続端子９が形成された基板を得る（図７（ｇ））。シード層１０は、剥離層８の上にＴｉとＣｕの薄膜が形成されたものである。ＣｕおよびＴｉはそれぞれウェットエッチングが可能である。またＴｉはドライエッチングを容易に実施できるが、Ｃｕは困難である。そのため、まずＣｕをウェットエッチングにより除去した後、Ｔｉをドライエッチングする方法を実施することができるが、これらに限定する必要はない。

次に、外部接続端子９上に絶縁樹脂層６を形成する（図７（ｈ））。絶縁樹脂層６の材料としては、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂等を挙げる
事ができるが、とりわけ感光性ポリイミド樹脂又は感光性ポリベンゾオキサゾールは、パターン形成性、絶縁性、耐熱性に優れるため望ましい。そのため、本説明においては感光性の絶縁樹脂層６を使用した場合について説明する。
絶縁樹脂層６の厚みは、例えば０．５μｍ以上４０．０μｍ以下である。また、絶縁樹脂層６は印刷法、真空プレス法、真空ラミネート法、ロールラミネート法、スピンコート法、ダイコート法、カーテンコート法、ローラーコート法、又はフォトリソグラフィー法等の公知の方法にて形成することができる。

次に、ビアホール１２を形成する。感光性の絶縁樹脂層６に対してフォトリソグラフィーを行い、絶縁樹脂層６の一部を除去することによって、ビアホール１２を形成することができる（図７（ｉ））。

次に、絶縁樹脂層６上に配線層５を形成する。絶縁樹脂上への回路形成はセミアディティブ法により形成することが微細回路形成に有利であることから望ましい。セミアディティブ法による回路形成を説明する。

まず、ビアホール１２が形成された絶縁樹脂層に薄い金属層（シード層１３）を形成する（図８（ｊ））。この際、シード層１３を形成する前に樹脂表面をＵＶ洗浄、アルゴンプラズマ、あるいは酸素プラズマ処理することによって粗化、あるいはクリーニングを行うことでシード層１３と樹脂層６との密着性向上処理を行っても良い。
シード層１３の材料としてはＮｉ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｓｎ、Ａｕ等が考えられるが、Ｃｕであることが簡便であり望ましい。
シード層１３の形成方法は、スパッタ法、ＣＶＤ法、蒸着法、イオンプレーティング法、無電解めっき法等が挙げられるが、スパッタ法であることが簡便で現実的である。

絶縁樹脂層６上及びビアホール１２の表面および底面にシード層１３を形成した後に、シード層１３上にレジストパターンを形成する（図８（ｋ））。使用する感光性のレジストは液体のポジ型レジストあるいはネガ型レジストであっても良いし、ドライフィルムレジストであっても良い。シード層１３上に形成されたレジスト層に所望のパターンが描画されているフォトマスク又は所望のパターンを直接描画する直接描画装置を用いて露光・現像処理することで、回路部分が露出したレジストパターン１１´を得る。

続いてシード層１３を給電層として電解銅めっき処理を行うことで配線パターンを形成する（図８（ｌ））。

次に、配線パターン形成後に不要になったレジストパターン１１´を剥離処理する（図８（ｍ））。

次に、不要部分のシード層１３をエッチング除去することによって配線層５を得る。続いて配線層５上に熱可塑性樹脂からなる接着層１４を形成する（図８（ｎ））。

次に、レーザー加工により絶縁樹脂層６の所望の位置にビアホール１２´を形成する（図９（ｏ））。

次に、開口部１５に導電ペーストを充填することによって第一パッド１６を形成する（図９（ｐ））。第一パッド１６の製造方法は特に限定されず公知の方法を採用できる。

次に、熱可塑性樹脂からなる接着層１４を、例えば印刷法、真空プレス法、真空ラミネート法、ロールラミネート法、スピンコート法、ダイコート法、カーテンコート法、ローラーコート法又はフォトリソグラフィー法等の公知の方法にて形成する（図９（ｑ））。

次に、開口部１５を、レーザーの照射、又はフォトリソグラフィーを用いて熱可塑性樹脂からなる接着層１４の一部を除去することによって形成する。開口部１５の底面には、表面処理としてＮｉめっき、Ａｕめっき、Ｐｄめっき、又はＳｎめっきを行っても良い（図９（ｒ））。

次に、開口部１５に印刷法により導電ペースト層を設けることによって、開口部１５に導電ペーストを充填することができ、第一パッド１６を得ることができる（図１０（ｓ））。
以上の工程により第二配線基板を製造することができる。

なお、上記で説明した第二配線基板の製造方法は、配線層が２層である場合についての説明であるが、本発明においては、配線層は２層に限定する必要は無い。配線層が３層以上に場合は、図６（ｃ）で例示したシード層１０の形成から図９（ｐ）に至る一連の製造工程を、必要に応じて繰り返せば良い。

（配線基板の製造方法）
次に、図３に例示したように、第一配線基板１の表裏面に第二配線基板４を貼り合わせる事によって、本発明の配線基板２０を製造する事ができる。
具体的には、第一パッド１６形成後に、第一パッド１６と第一配線基板のパッド３の位置を合わせて、加熱プレスにより第一配線基板１と第二配線基板４を貼り合せる。加熱プレスの温度は熱可塑性樹脂が適度に溶融する２００℃〜４００℃であることが望ましい。具体的には、使用する熱可塑性樹脂の特性に合せて設定すれば良い。貼り合わせる方法は、ロールラミネート法、真空ラミネート法等公知の方法を利用することができる。

貼り合わせる別の手法として、図４に例示したように、第一パッド１６を形成後にガラス支持体７より第二配線基板配線層４´を剥離し、第一パッド１６と第一配線基板のパッド３の位置を合わせて加熱プレスにより第一配線基板１と第二配線基板配線層４´を貼り合せる方法もある。

ガラス支持体７から第二配線基板配線層４´を剥離する方法は、第二配線基板４を剥離液に浸して剥離しても良いし、レーザー光を照射させて剥離層８とガラス支持体７の接着する力を弱める方法により剥離しても良い。

次に、剥離層８を除去して外部接続端子９を露出させる。外部接続端子９の表面を露出させた後にクリーニング処理を行っても良い。クリーニング処理は特に限定されず、たとえば温水洗浄、界面活性剤による洗浄、超音波洗浄等が挙げられる。

前述したようにガラス支持体７の熱膨張係数は、−１ｐｐｍ／℃以上１５ｐｐｍ／℃以下である。第一配線基板１はＬＴＣＣ配線基板であることから、第一配線基板１とガラス支持体７の線膨張係数が近い値となる。このためガラス支持体７を加熱プレス後に剥離する場合、ガラス支持体７上に固定された第二配線基板配線層４´を第一配線基板１に搭載した際に発生する位置ずれを抑制することができる。

ガラス支持体７はガラス基板であるため、容易に良好な平坦性を得られ、価格も比較的安価であり、かつ、強度を高くすると共に、ガラス支持体７の大型化が容易にできる。このガラス基板の平坦度ＴＴＶ（Ｔｏｔａｌ Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ Ｖａｒｉａｔｉｏｎ、厚さの最大値と最小値の差）は、第二配線基板を平滑なものにするため、１５μｍ以下であることが望ましい。平坦度ＴＴＶは平坦なチャック面にガラス裏面を全面吸着させたときに、ガラス裏面からの最低厚みを最高厚みから引いた値であり、例えばレーザー変位計
等を用いて測定することができる。

本発明を以下の実施例によりさらに詳細に説明する。

（第一配線基板の作製）
まず、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕなどの導電ペーストと同時焼成できるＬＴＣＣをセラミックス粉末として用いて、それをシート状に成形したグリーンシートを準備した。セラミック粉末は、主成分であるＡｌ、Ｓｉ、Ｓｒ、ＴｉをそれぞれＡｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、ＳｒＯ、ＴｉＯ_２に換算したとき、Ａｌ_２Ｏ_３換算で１０．０〜６０．０質量％、ＳｉＯ_２換算で２５．０〜６０．０質量％、ＳｒＯ換算で７．５〜５０．０質量％、ＴｉＯ_２換算で２０．０質量％以下（０を含む）であるような混合物を使用した。上述の混合物を７００℃〜８５０℃で仮焼（かりやき）し、これを粉砕してレーザー回折／散乱法による体積基準の平均粒径０．６〜２．０μｍの微粉砕粒子からなる誘電体磁器組成物を作製した。この誘電体磁器組成物を有機バインダーおよび可塑剤と混合してセラミックススラリーを形成し、ドクターブレード法により、セラミックススラリーをポリエチレンテレフタレートフィルムのようなキャリアフィルムの上に均一な厚さで塗布した後、セラミックススラリーを乾燥させることにより、厚さ数十μｍから数百μｍのグリーンシートを作製した。

次に、グリーンシートに複数の電極ビアを形成した。グリーンシートは有機バインダーを多く含むので、電極ビアを容易に形成できる。位置精度、加工精度、および加工速度の観点から、炭酸ガスレーザーを使用し、グリーンシートを貫通する直径６０μｍ〜８０μｍの電極ビアを形成した。

次に、マスクとスキージを用いてスクリーン印刷法で電極ビアにペースト状の電極材料を充填した。電極材料としてＡｇを主成分とする導電ペーストを使用した。こうして第一配線基板のパッド３を形成した。

次に、導電ペーストを用いて、スクリーン印刷法でグリーンシートの表面に第一配線基板の配線層２を形成した。本工程は電極材料を電極ビアに充填する工程の後に実施したが、前に実施しても良い。あるいは、マスクとスキージを使用して、電極ビアへの電極材料の充填と同時に実施しても良い。

次に、グリーンシート電極ビアに電極材料を充填することによって得られた電極付きグリーンシートを複数枚積層して、これらを圧着することにより積層グリーンシート体を形成した。各グリーンシートの電極ビアおよび配線層２の形状および配置はシート毎に異なっていても良い。また、グリーンシートを構成するセラミックス粉末の材料組成がシート毎に異なっていても良い。材料組成又は回路パターンが互いに異なる複数のグリーンシートを組み合わせることにより、グリーンシートの面内方向だけでなく厚さ方向も利用した複雑な３次元回路を作製することができる。

複数枚の電極付きグリーンシートを圧着して一体化することにより、積層グリーンシート体を形成した。電極付きグリーンシートは、例えば、油圧ハンドプレス、一軸加圧成形機、ＣＩＰ（冷間等方圧成形機）などを用いて圧着することができる。ＣＩＰを用いると、電極付きグリーンシートを等方的に加圧して均一な圧力で圧着することができ、有益である。

次に、積層グリーンシート体を焼成炉に入れて焼成した。焼成における温度は、電極材料の組成に応じて選択されるセラミックス粉末の材料組成に基づいて決められる。本実施例においては、電極材料にＡｇを選択したため、セラミックス粉末の材料として、１００
０℃以下で電極材料と同時に焼成可能なＬＴＣＣセラミックスを使用した。

次に、セラミックス焼成体の両面の平坦化加工として研削又は研磨を行った。セラミックス焼成体の主面の加工方法は、例えば砥粒を用いてセラミックス焼成体の主面の研削又は研磨を行うことができる。平面研削や大きな径の砥粒の研磨機を用いてセラミックス焼成体の主面を片面ずつ粗加工した後に、小さな径の砥粒の研磨機を用いてセラミックス焼成体の両主面をそれぞれ研磨した。

以上の工程を経ることにより、基板の表面及び裏面に複数のパッド３（表面電極および裏面電極）を有し、表面電極と裏面電極とが配線層２を介して電気的に接続された第一配線基板１を作製した。

（第二配線基板の作製）
図６に示すように、ガラス支持体７上に光分解性樹脂を１μｍ厚でスピンコート法により形成し、１７０℃、６０分で硬化した。その後にＵＶ硬化樹脂を３０μｍ厚でスピンコートすることによって本発明における剥離層８を作製した。使用したガラスはＯＡ−１０Ｇ（日本電気硝子株式会社製）、１．１ｍｍ厚、線膨張係数４ｐｐｍ／℃である。剥離層８としてＬＴＨＣ（スリーエムジャパン株式会社製）とＵＶ硬化樹脂３２００（スリーエムジャパン株式会社製）を使用した。

次に、剥離層８上にシード層１０を形成した。シード層形成は試料表面にイオン化して加速した原子あるいは分子を衝突させることにより、固体表面から固体材料が飛び出してくる現象を利用した成膜装置であるスパッタリング装置を用いて行い、剥離層上にＴｉを５０ｎｍ形成し、Ｔｉ層上にＣｕを３００ｎｍ形成した。

次に、シード層１０上に２５μｍ厚のドライフィルムレジストをラミネートし、外部接続端子９に対応するレジストパターン１１が描画されたフォトマスクを用いて露光処理した後に、１％炭酸ソーダ水溶液にてスプレー現像処理を行った。これにより外部接続端子９の形成箇所に開口部１５を形成した。続いて作製したシード層１０を給電層として１μｍ厚の電解銅めっきを行い、外部接続端子９を形成した。外部接続端子９形成後にドライフィルムレジストを６０℃、３％の水酸化ナトリウム溶液にスプレー剥離処理し、さらに不要部分のシード層１０をエッチング液により除去することにより剥離層８に接続された外部接続端子９を形成した。

次に、絶縁層６とビアホール１２を形成した。具体的には外部接続端子９を硫酸１０％の溶液に浸漬し洗浄した後、ＨＤ−４１０４（日立化成デュポンマイクロシステムズ社製）をスピンコート法によりコートし、プリベーク後に直接描画装置を用いてビアホール１２に対応する箇所以外を露光し、有機現像してからキュアすることで５μｍ厚の絶縁層６とビアホール１２を形成した。ビアホール１２形成後に酸素プラズマ処理を行い、ビアホール１２底部のスミア及び絶縁層表面を粗化処理した。

次に、配線層５を形成した。具体的には、ビアホール１２が形成された絶縁層６上にスパッタリング装置を用いてＴｉ層を５０ｎｍ、Ｃｕ層を３００ｎｍ厚でシード層１３形成し、続いて２５μｍ厚のドライフィルムレジストＣｕ層上にラミネートし、配線回路が描画されたフォトマスクを用いてアライメント露光を行い、レジストパターンを形成した。続いてスパッタリングにより形成したＣｕ層１３を給電層として電解銅めっきを１μｍ厚で行った。さらにドライフィルムレジストをスプレー剥離処理することによって除去し、不要となったＣｕ層、Ｔｉ層を硫酸−過酸化水素水液、Ｔｉ剥離液で除去することによって配線層５を形成した。

次に最外層の配線層５上に２０μｍ厚の熱可塑樹脂層を真空ラミネートにより形成し、接着層１４を形成した。熱可塑性樹脂はスーパーエンジニアリングプラスチックと呼ばれる液晶ポリマーを用いた。ラミネート後に開口部１５を炭酸ガスレーザー照射により設けた。さらにこの熱可塑性樹脂の開口部１５に導電ペーストを充填させ、第一パッド１６を形成した。導電ペーストはポリエステル系熱可塑性接着剤を用いた。こうして実施例に係る第二配線基板４を得た。

（配線基板の作製）
続いて図３のように、作製したガラス支持体７上に形成した第二配線基板配線層を備えた第二配線基板４と、第一配線基板１と、を貼り合わせることにより、配線基板２０を作製した。

具体的には、第一配線基板のパッド３と第二配線基板の第一パッド１６が電気的に接合する位置に合わせて、第一配線基板１と第二配線基板４を３５０℃で加熱プレスすることで第一配線基板１と第二配線基板４上の熱可塑性樹脂と導電ペーストが接着固定され、配線基板積層体を形成した。その後、ガラス支持体７を通して接着層にＵＶレーザー光を照射して、第二配線基板４をガラス支持体７から剥離・分離して配線基板を作製した。

別の方法としては図４のように、ガラス支持体７を介してＵＶレーザー光を照射して、第二配線基板４をガラス支持体７から剥離・分離した後、第一配線基板のパッド３と第二配線基板４の第一パッド１６が電気的に接合する位置に合わせて、第一配線基板１と第二配線基板４を３５０℃で加熱プレスすることで、第一配線基板１と第二配線基板４上の熱可塑性樹脂と導電ペーストが接着固定され、配線基板を作製した。

本発明に係る配線基板及びその製造方法によれば、反り防止に優れたＬＴＣＣコア微細配線基板を提供することができる。

１・・・第一配線基板
２・・・（第一配線基板の）配線層
３・・・（第一配線基板の）パッド
４・・・第二配線基板
４´・・・第二配線基板配線層
５・・・（第二配線基板の）配線層
６・・・（第二配線基板の）絶縁樹脂層
７・・・ガラス支持体
８・・・剥離層
９・・・外部接続端子
１０・・・（剥離層上の）シード層
１１、１１´・・・レジストパターン
１２、１２´・・・ビアホール
１３・・・（絶縁層上の）シード層
１４・・・（熱可塑性樹脂からなる）接着層
１５・・・（接着層の）開口部
１６・・・第一パッド
２０・・・配線基板

Claims (9)

1. 絶縁部材の中に複数の配線層を備えた第一配線基板をコア基板として、絶縁樹脂層の中に複数の配線層を備えた第二配線基板を、前記コア基板の少なくとも一方の面に、接着層を介して接合してなる配線基板において、
   絶縁部材はセラミックからなり、
   接着層は熱可塑性樹脂からなり、
   第一配線基板の表裏面には、第二配線基板と電気的に接続するパッド電極を備えており、
   第二配線基板の第一配線基板と接続する側には、第一配線基板と接続するパッド電極を備えており、
   第二配線基板のもう一方の側には、外部回路と接続可能とする外部接続端子を備えており、
   第一配線基板と第二配線基板とは、それぞれのパッド電極が接続可能な位置で、接着層を介して接着されていることを特徴とする配線基板。
2. 前記セラミックが、低温同時焼成セラミックスであることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
3. 前記絶縁樹脂層が、感光性ポリイミド又は感光性ポリベンズオキサゾールであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の配線基板。
4. 前記第二配線基板の配線層の配線幅が、０．５μｍ〜３．０μｍであることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の配線基板。
5. 前記第二配線基板の配線層の配線厚みが、０．５μｍ〜５．０μｍであることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の配線基板。
6. ガラス支持体上に形成したビルドアップ多層配線層からなる第二配線基板を、接着層を介して、セラミック多層配線層からなる第一配線基板の少なくとも一方の面に接着する配線基板の製造方法であって、
   第二配線基板を製造する工程Ａと、
   第二配線基板を予め用意した第一配線基板に接着する工程Ｂと、を備えており、
   工程Ａは、
   ガラス支持体上に剥離層を形成する工程と、
   剥離層上に、外部回路と接続する外部接続端子を形成する工程と、
   外部接続端子を包埋する様に絶縁樹脂層ａを形成する工程と、
   外部接続端子上の絶縁樹脂層ａの一部を除去して外部接続端子を露出するビアホールａを形成する工程と、
   絶縁樹脂層ａ上に、ビアホールａを介して外部接続端子と電気的に接続した配線層ａを形成する工程と、
   配線層ａを包埋する様に絶縁樹脂層ｂを形成する工程と、
   配線層ａ上の絶縁樹脂層ｂの一部を除去して配線層ａを露出するビアホールｂを形成する工程と、
   絶縁樹脂層ｂ上に、ビアホールｂを介して配線層ａと電気的に接続した配線層ｂを形成する工程と、
   必要に応じて、配線層ｂを包埋する様に絶縁樹脂層ａ´を形成する工程と、配線層ｂ上の絶縁樹脂層ａ´の一部を除去して配線層ｂを露出するビアホールａ´を形成する工程と、絶縁樹脂層ａ´上に、ビアホールを介して配線層ｂと電気的に接続した配線層ａ´を形成する工程と、その配線層ａ´を包埋する様に絶縁樹脂層ｂ´を形成する工程と、配線層ａ´上の絶縁樹脂層ｂ´の一部を除去して配線層ａ´を露出するビアホールｂ´を形成する工程と、絶縁樹脂層ｂ´上に、ビアホールｂ´を介して配線層ａ´と電気的に接続した配線層ｂ´を形成する工程と、を繰り返す工程と、
   最上層の配線層ｂ´または配線層ｂを包埋する様に熱可塑性樹脂からなる接着層を形成する工程と、
   第一配線基板に形成されたパッド電極と接続する位置に対応した最上層の配線層ｂ´または配線層ｂ上の接着層を除去して開口部を形成する工程と、
   開口部に導電性ペーストを充填し、パッド電極を形成する工程と、を備えており、
   工程Ｂは、
   第一配線基板の表裏面にそれぞれ形成されているパッド電極と、第一配線基板の表面および裏面に対応した第二配線基板に形成されたパッド電極と、をそれぞれ目合わせしてから加熱圧着する工程と、
   ガラス支持体と剥離層を第二配線基板から剥離する工程と、を備えていることを特徴とする配線基板の製造方法。
7. ガラス支持体上に形成したビルドアップ多層配線層からなる第二配線基板のビルドアップ多層配線層を、接着層を介して、セラミック多層配線層からなる第一配線基板の少なくとも一方の面に接着する配線基板の製造方法であって、
   第二配線基板を製造する工程Ａと、
   第二配線基板のビルドアップ多層配線層を予め用意した第一配線基板に接着する工程Ｂと、を備えており、
   工程Ａは、
   ガラス支持体上に剥離層を形成する工程と、
   剥離層上に、外部回路と接続する外部接続端子を形成する工程と、
   外部接続端子を包埋する様に絶縁樹脂層ａを形成する工程と、
   外部接続端子上の絶縁樹脂層ａの一部を除去して外部接続端子を露出するビアホールａを形成する工程と、
   絶縁樹脂層ａ上に、ビアホールａを介して外部接続端子と電気的に接続した配線層ａを形成する工程と、
   配線層ａを包埋する様に絶縁樹脂層ｂを形成する工程と、
   配線層ａ上の絶縁樹脂層ｂの一部を除去して配線層ａを露出するビアホールｂを形成する工程と、
   絶縁樹脂層ｂ上に、ビアホールｂを介して配線層ａと電気的に接続した配線層ｂを形成する工程と、
   必要に応じて、配線層ｂを包埋する様に絶縁樹脂層ａ´を形成する工程と、配線層ｂ上の絶縁樹脂層ａ´の一部を除去して配線層ｂを露出するビアホールａ´を形成する工程と、絶縁樹脂層ａ´上に、ビアホールを介して配線層ｂと電気的に接続した配線層ａ´を形成する工程と、その配線層ａ´を包埋する様に絶縁樹脂層ｂ´を形成する工程と、配線層ａ´上の絶縁樹脂層ｂ´の一部を除去して配線層ａ´を露出するビアホールｂ´を形成する工程と、絶縁樹脂層ｂ´上に、ビアホールｂ´を介して配線層ａ´と電気的に接続した配線層ｂ´を形成する工程と、を繰り返す工程と、
   配線層ｂ´または配線層ｂを包埋する様に接着層を形成する工程と、
   第一配線基板に形成されたパッド電極と接続する位置に対応した配線層ｂ´または配線層ｂ上の接着層を除去して開口部を形成する工程と、
   開口部に導電性ペーストを充填し、パッド電極を形成する工程と、
   上記の工程により形成したビルドアップ多層配線層から剥離層とガラス支持体を剥離する工程と、を備えており、
   工程Ｂは、
   第一配線基板の表裏面にそれぞれ形成されているパッド電極と、第一配線基板の表面および裏面に対応したビルドアップ多層配線層に形成されたパッド電極と、をそれぞれ目合
   わせしてから加熱圧着する工程を備えていることを特徴とする配線基板の製造方法。
8. 前記加熱圧着する工程が、２００℃〜４００℃で加熱プレスする工程であることを特徴とする請求項６または請求項７に記載の配線基板の製造方法。
9. 前記ガラス支持体がガラス基板であることを特徴とする請求項６から請求項８のいずれかに記載の配線基板の製造方法。

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