JP2020096016A - ヒートシンク付絶縁回路基板及び電子部品モジュール - Google Patents
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Abstract
Description
しかし、高出力化かつ小型化が進むことで、LEDの発熱量も大きくなる。このため、十分に放熱させなければ、光量低下や熱暴走によってLEDの故障につながるおそれがある。
そこで、特許文献1のようにヒートシンクを取付けることで放熱性を向上させる工夫がなされている。
また、ヒートシンクのフィンは螺旋状に形成されているので、表面積が大きく、熱交換性能も良好である。
実施形態の電子部品モジュール1は、図1〜図3に示すように、ヒートシンク付絶縁回路基板20に電子部品30が搭載され、ヒートシンク40が熱交換器50に取り付けられたものである。ヒートシンク付絶縁回路基板20は絶縁回路基板10にヒートシンク40が緩衝層15を介して設けられた構成である。以下、これらを詳述する。
セラミックス基板11は、回路層12と金属層13の間の電気的接続を防止する絶縁材であって、例えば窒化アルミニウム(AlN)、アルミナ(Al2O3)窒化珪素(Si3N4)等により形成され、その板厚は0.2mm〜1.5mmである。その平面サイズは5mm以上20mm以下の正方形又は長方形に形成される。
また、回路層12の平面サイズは、5mm以上20mm以下であり、セラミックス基板11の平面内に配置される大きさに形成される。
金属層13は、セラミックス基板11の下面にアルミニウム又はアルミニウム合金からなる板材が接合されることにより形成され、その厚さは、20μm以上50μm以下である。
また、金属層13の平面サイズは、5mm以上20mm以下であり、セラミックス基板11の平面内に配置される大きさに形成される。
回路層12及び金属層13は、同じ材質、同じ厚さ、同じ平面サイズであることが好ましいが、異なる材質、異なる厚さ、異なる平面サイズに形成してもよい。材質としては、必ずしも限定されないが、JISの3000番のアルミニウムが好ましい。
フランジ部41は厚さ1mm以上の板状に形成されており、その平面形状は絶縁回路基板10の平面形状と同じか、それよりも大きく、例えば絶縁回路基板10の外側に2mm程度はみ出す大きさに形成されている。図示例では、フランジ部41は、六角ボルト用の工具(スパナ、レンチ)を係合することができるように、平面視六角形状に形成されている。そして、このフランジ部41が絶縁回路基板10の金属層13に緩衝層15を介して接合されている。
フィン部42は、シャフト43の周囲に螺旋状のフィン44が一体に形成された構造である。各部寸法は必ずしも限定されるものではないが、シャフト43の長さは5mm以上40mm以下で、シャフト43の外径は5mm以上20mm以下とされる。シャフト43の外周面からのフィン44の突出高さが0.5mm以上2mm以下、フィン44のピッチが1mm程度に形成される。
まず、セラミックス基板11の一方の面に回路層12となるアルミニウム板、他方の面に金属層13となるアルミニウム板をろう材を介して積層する。ろう材は、Al−Si系ろう材箔が用いられ、Al−Ge系、Al−Cu系、Al−Mg系、Al−Mn系、又はAl−Si−Mg系ろう材を用いることもできる。
このセラミックス基板11の両面にろう材を介してアルミニウム板を積層した後、その積層体を例えば0.3MPaの加圧力で加圧した状態で真空雰囲気中で加熱する。この場合、アルミニウム板が薄いので、セラミックス基板11とアルミニウム板との界面からアルミニウム板の反対面にろう材成分が染み出さないよう、まず540℃程度で予備加熱した後、610℃程度に昇温する。これにより、セラミックス基板11にアルミニウム板を接合して、セラミックス基板11の表面に回路層12及び金属層13を有する絶縁回路基板10を作製する。
ヒートシンク40は、アルミニウム合金からなる棒状ブロックにプレス成形、切削加工等を施して形成する。
このヒートシンク40のフランジ部41の上面に、Al−Si系ろう材を介して緩衝層15となる純アルミニウム板を積層し、この純アルミニウム板の上にAl−Si系ろう材を介して絶縁回路基板10を積層する。Al−Ge系、Al−Cu系、Al−Mg系、Al−Mn系、又はAl−Si−Mg系ろう材を用いることもできる。
この加圧装置60は、ベースブロック61と、ベースブロック61の上面に垂直に取り付けられた複数のガイドポスト62と、これらガイドポスト62の上端部にガイドポスト62に沿って移動自在に支持されたバックアップ板63と、これらベースブロック61とバックアップ板63との間で上下移動自在にガイドポスト62に支持された加圧板64と、バックアップ板63と加圧板64との間に設けられて加圧板64を下方に付勢するばね等の付勢手段65とを備えている。バックアップ板63および加圧板64は、ベースブロック61の上面に対して平行に配置される。
なお、ベースブロック61及び加圧板64はカーボンにより形成される。
そして、その積層体をベースブロック61と加圧板64とにより挟んだ状態で、ナット66をガイドポスト62のねじ部62aにねじ込むことにより、積層体を積層方向に加圧する。積層方向への加圧力は0.3MPa〜1.5MPaとし、窒素雰囲気内で600℃程度に加熱する。
そして、このヒートシンク付絶縁回路基板20の回路層12の上に、LED等の電子部品30をはんだ付けすることにより、電子部品30が搭載される。
また、ジャケット51の上壁51aを貫通するようにねじ穴54が形成されており、そのねじ穴54にヒートシンク40のフィン部42がねじ込まれるようになっている。このねじ穴54にヒートシンク40のフィン部42をねじ込んで、ジャケット51の上壁51aにヒートシンク40を固定することにより、ジャケット51の上方に絶縁回路基板10に搭載された電子部品30が配置される。
例えば、図5に示すヒートシンク付絶縁回路基板21では、ヒートシンク45がフランジ部41とフィン部42との間におねじ部46が一体に形成されている。このおねじ部46は、その平面サイズがフランジ部41よりも小さいが、フィン部42より大きく形成される。そして、熱交換器50のめねじ穴54を、このおねじ部46が螺合できる大きさに形成しておき、フィン部42を熱交換器50のジャケット51内に挿入し、おねじ部46をねじこむことにより、ヒートシンク付絶縁回路基板21を熱交換器50に取り付け固定することができる。
例えば、実施形態ではヒートシンク40のフランジ部41に一つの絶縁回路基板10を接合したが、複数の絶縁回路基板10を接合してもよい。
熱交換器50を水冷式のものとしたが、熱媒体に空気を用いた空冷式のものとしてもよい。
回路層を、セラミックス基板に接合されたアルミニウム層と、その上に接合された銅層との二層構造としてもよい。
回路層又は金属層のいずれか、あるいはその両方を、銅又は銅合金で形成してもよい。
また、ヒートシンクをアルミニウムより熱伝導性の高い銅又は銅合金によって構成してもよい。ヒートシンクを銅又は銅合金によって構成する場合、水冷式熱交換器50を用いる場合は、腐食防止のため、表面にニッケルめっき等を施すとよい。
10 絶縁回路基板
11 セラミックス基板
12 回路層
13 金属層
15 緩衝層
20,21 ヒートシンク付絶縁回路基板
30 電子部品
40,45 ヒートシンク
41 フランジ部
42 フィン部
43 シャフト
44 フィン
50 熱交換器
51 ジャケット
51a 上壁
52 入口配管
53 出口配管
54 ねじ穴
60 加圧装置
61 ベースブロック
61a 穴
62 ガイドポスト
63 バックアップ板
64 加圧板
65 付勢手段
Claims (4)
- セラミックス基板の表面に回路層が積層状態に接合されているとともに、前記セラミックス基板の前記回路層とは反対側に、前記回路層の積層方向に沿って延びる螺旋状のフィンを有するヒートシンクが接合されていることを特徴とするヒートシンク付絶縁回路基板。
- 前記セラミックス基板と前記ヒートシンクとは純アルミニウムからなる緩衝層を介して接合されていることを特徴とする請求項1記載のヒートシンク付絶縁回路基板。
- 前記ヒートシンクは、前記セラミックス基板側の端部に、前記積層方向と直交する方向に広がるフランジ部が設けられていることを特徴とする請求項1又は2記載のヒートシンク付絶縁回路基板。
- 請求項1から3のいずれか一項記載のヒートシンク付絶縁回路基板を用いた電子部品モジュールであって、前記ヒートシンク付絶縁回路基板の前記回路層に電子部品が搭載されるとともに、前記ヒートシンクの前記フィンが熱交換器の流路内に挿入状態に固定されていることを特徴とする電子部品モジュール。
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