JP2020096006A - 薄膜トランジスタ - Google Patents
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Abstract
【課題】トップゲート型有機薄膜トランジスタにおいて、撥水、撥油性の高い材料であるフッ素樹脂を絶縁層に用いた場合においても、表面改質を行うことなく、ゲート絶縁層とゲート電極の密着性が高く、歩留まりの高い薄膜トランジスタを提供することを課題とする。【解決手段】絶縁基板10上に、ソース電極11とドレイン電極12と半導体層13とゲート絶縁層14とゲート電極15を備えた薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁層がフッ素樹脂からなり、ゲート絶縁層の上に形成するゲート電極にはフッ素化合物が含まれていることを特徴とする薄膜トランジスタ20。【選択図】図1
Description
本発明は、薄膜トランジスタに関する。
現在、一般的な平面薄型画像表示装置は、非晶質シリコンや多結晶シリコンを半導体層に用いた薄膜トランジスタアレイにより駆動されている。
また、平面薄型画像表示装置のさらなる薄型化、軽量化、耐破損性、フレキシブル化の向上を求めて、ガラス基板の替わりに樹脂基板を用いる試みが近年なされている。
特にマイクロカプセル型電気泳動方式の電子ペーパーにおいては、前面板がフレキシブル性を有するため、背面板となる薄膜トランジスタアレイのフレキシブル化が求められている。
しかし、上述のシリコンを用いる薄膜トランジスタの製造は、比較的高温の熱工程を要し、一般的に耐熱性の低い樹脂基板上に直接形成することは困難である。
そこで、低温形成が可能な有機半導体を用いた薄膜トランジスタ(有機薄膜トランジスタ)の開発が活発に行われている。
さらに、有機半導体は印刷法によってパターニングが可能であるという長所を有する。よって、有機薄膜トランジスタは、半導体層だけでなく、電極やゲート絶縁層を構成する材料についても、印刷法によって形成可能な材料を選択することにより、薄膜トランジスタを構成する層を全て印刷により形成することが可能となる。
印刷法を用いることにより、真空成膜・フォトリソグラフィーにより製造されるシリコン系薄膜トランジスタと比較して製造コストの大幅な削減が期待される。
有機半導体材料としては、縮合多環系の芳香族化合物やπ電子系の高分子材料が多く用いられるが、これらの材料は、シリコンや酸化物半導体と比較して空気中の水分や酸素の影響を受けやすく、耐薬品性に劣るため、半導体層直上に形成する層の材料および形成方法の影響により半導体特性の劣化が生じやすい。
一般的に、有機薄膜トランジスタはトップゲート型構造の方がボトムゲート型構造よりも高い素子特性が得られることが知られている。トップゲート型有機薄膜トランジスタの場合、半導体層の直上にはゲート絶縁層が形成される。ゲート絶縁層に用いられる材料として、半導体に損傷を与えない、フッ素樹脂を用いる技術が知られている(非特許文献1)。
しかし、トップゲート型有機薄膜トランジスタのゲート絶縁層にフッ素樹脂を用いた場合、絶縁層表面は撥水、撥油性が非常に高いため、ゲート絶縁層上にゲート電極を密着性よく形成するのが困難となる。ゲート電極の密着性の低下は、トランジスタの歩留まりの低下を招く。
フッ素樹脂からなるゲート絶縁層の表面に金属電極を形成するための一つの方法として、大気圧プラズマと表面グラフト化により表面改質を行い、その上に金属を含む導電性インクを塗布し、硬化させることで、絶縁層と密着性が高い金属膜を形成する技術が知られている(特許文献1)。
しかし上述の方法では、有機半導体/ゲート絶縁層上に大気圧プラズマを照射することとなり、素子特性の劣化が懸念される。
阿部武文他、「新フッ素性を用いたプリンテッドエレクトロニクス向けプロセス溶媒の選定」、旭硝子研究報告66(2016)
本発明は、以上の点を鑑み、トップゲート型有機薄膜トランジスタにおいて、撥水、撥油性の高い材料であるフッ素樹脂を絶縁層に用いた場合においても、表面改質を行うことなく、ゲート絶縁層とゲート電極の密着性が高く、歩留まりの高い薄膜トランジスタを提供することを課題とする。
上記の課題を解決する手段として、本発明の請求項1に記載の発明は、絶縁基板上に、ソース電極とドレイン電極と半導体層とゲート絶縁層とゲート電極を備えた薄膜トランジスタにおいて、
前記ゲート絶縁層がフッ素樹脂からなり、
前記ゲート絶縁層の上に形成するゲート電極にはフッ素化合物が含まれていることを特徴とする薄膜トランジスタである。
前記ゲート絶縁層がフッ素樹脂からなり、
前記ゲート絶縁層の上に形成するゲート電極にはフッ素化合物が含まれていることを特徴とする薄膜トランジスタである。
請求項2に記載の発明は、前記フッ素化合物が、フッ素基を含有する界面活性剤であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタである。
請求項3に記載の発明は、前記ゲート電極が、0.05重量パーセント以上0.30重量パーセント以下のフッ素化合物を含有することを特徴とする請求項1または2に記載の薄膜トランジスタである。
請求項4に記載の発明は、前記半導体層が有機半導体であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の薄膜トランジスタである。
本発明のゲート絶縁層にフッ素樹脂を用いたトップゲート型有機薄膜トランジスタにおいては、フッ素化合物を含有するゲート電極を用いることにより、ゲート絶縁層の表面を改質せずとも、ゲート絶縁層と密着性の高いゲート電極を形成することができる。そのため、歩留まりの高いトップゲート型有機薄膜トランジスタを実現することができる。
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しつつ説明する。実施の形態において、同一
構成要素には同一符号を付け、実施の形態の間において重複する説明は省略する。
構成要素には同一符号を付け、実施の形態の間において重複する説明は省略する。
<有機薄膜トランジスタ>
図1に本発明の有機薄膜トランジスタ20の断面図の一例を示す。本発明の有機薄膜トランジスタ20は、絶縁基板10上にソース電極11とドレイン電極12が形成されている。それらのソース電極11とドレイン電極12の上から、その両者に跨って有機半導体層13が形成されている。更に、ソース電極11とドレイン電極12と有機半導体層13の上にゲート絶縁層14が形成されている。更に、ゲート絶縁層14の上に、有機半導体層13と、ソース電極11およびドレイン電極12の一部と、に跨る様に、ゲート電極15を備えたトップゲート−ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ20である。ただし、本発明の薄膜トランジスタの構造はトップゲート−トップコンタクト構造等の他の構造でも構わない。
図1に本発明の有機薄膜トランジスタ20の断面図の一例を示す。本発明の有機薄膜トランジスタ20は、絶縁基板10上にソース電極11とドレイン電極12が形成されている。それらのソース電極11とドレイン電極12の上から、その両者に跨って有機半導体層13が形成されている。更に、ソース電極11とドレイン電極12と有機半導体層13の上にゲート絶縁層14が形成されている。更に、ゲート絶縁層14の上に、有機半導体層13と、ソース電極11およびドレイン電極12の一部と、に跨る様に、ゲート電極15を備えたトップゲート−ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ20である。ただし、本発明の薄膜トランジスタの構造はトップゲート−トップコンタクト構造等の他の構造でも構わない。
次に、本発明の有機薄膜トランジスタ20の構成要素について説明する。
(絶縁基板)
本発明の有機薄膜トランジスタ20においては、絶縁基板10として、ガラス基板または樹脂基板を用いることができる。特に有機薄膜トランジスタの利点を活かしたフレキシブルなデバイスを形成する場合は、樹脂基板を用いることが好ましい。
(絶縁基板)
本発明の有機薄膜トランジスタ20においては、絶縁基板10として、ガラス基板または樹脂基板を用いることができる。特に有機薄膜トランジスタの利点を活かしたフレキシブルなデバイスを形成する場合は、樹脂基板を用いることが好ましい。
樹脂基板の材料としては、例えば、ポリイミド、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリエチレンサルファイド、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート(PEN)、シクロオレフィンポリマー、ポリエーテルサルフェン、トリアセチルセルロース、ポリビニルフルオライドフィルム、エチレン-テトラフルオロエチレン共重合樹脂、ガラス繊維強化アクリル樹脂フィルム、ガラス繊維強化ポリカーボネート、フッ素系樹脂、環状ポリオレフィン系樹脂等を使用することができる。これらの材料からなる基板は単独で使用することもできるし、二種以上を積層した複合基板を使用することもできる。
(ソース電極、ドレイン電極)
ソース電極11とドレイン電極12は、Ag、Cu、Au等の金属材料、ITO(酸化インジウム錫)、IZO(酸化インジウム亜鉛)等の金属酸化物材料、PEDOT(ポリエチレンジオキシチオフェン)等の有機導電性材料をインキ状、ペースト状にしたものを、スクリーン印刷、転写印刷、凸版印刷、インクジェット法等の印刷技術で塗布し、焼成することにより形成することができる。また、ソース電極11とドレイン電極12は、スパッタ法等の真空成膜法により成膜したAg、Cu、Au等の金属膜、またはITO(酸化インジウム錫)、IZO(酸化インジウム亜鉛)等の金属酸化物膜を、単層または積層した膜を、フォトリソグラフィー法等の手段を用いてパターニングすることにより得ることもできるが、これらに限定されるものではない。
ソース電極11とドレイン電極12は、Ag、Cu、Au等の金属材料、ITO(酸化インジウム錫)、IZO(酸化インジウム亜鉛)等の金属酸化物材料、PEDOT(ポリエチレンジオキシチオフェン)等の有機導電性材料をインキ状、ペースト状にしたものを、スクリーン印刷、転写印刷、凸版印刷、インクジェット法等の印刷技術で塗布し、焼成することにより形成することができる。また、ソース電極11とドレイン電極12は、スパッタ法等の真空成膜法により成膜したAg、Cu、Au等の金属膜、またはITO(酸化インジウム錫)、IZO(酸化インジウム亜鉛)等の金属酸化物膜を、単層または積層した膜を、フォトリソグラフィー法等の手段を用いてパターニングすることにより得ることもできるが、これらに限定されるものではない。
(電極の表面処理)
ソース電極11とドレイン電極12については、電極の表面処理を行い、電極表面の仕事関数を制御し、有機半導体層13とソース電極11およびドレイン電極12間の電荷注入効率を向上させることにより、薄膜トランジスタの素子特性を向上させる技術が好適に用いられる。表面処理方法としては、表面処理材料がソース電極11およびドレイン電極12と化学的に反応することで表面処理を行う、自己集積化膜(SAM、Self−Assembled Monolayer)を好適に用いることができる。
ソース電極11とドレイン電極12については、電極の表面処理を行い、電極表面の仕事関数を制御し、有機半導体層13とソース電極11およびドレイン電極12間の電荷注入効率を向上させることにより、薄膜トランジスタの素子特性を向上させる技術が好適に用いられる。表面処理方法としては、表面処理材料がソース電極11およびドレイン電極12と化学的に反応することで表面処理を行う、自己集積化膜(SAM、Self−Assembled Monolayer)を好適に用いることができる。
ソース電極11とドレイン電極12のSAMによる表面処理においては、電極の仕事関数をより大きくし、素子特性の向上に効果的であることから、特に、フッ素基を有する有
機分子が好適に用いられる。例えば、フルオロアルキルシラン系のフッ素含有のSAMを挙げることができる。
機分子が好適に用いられる。例えば、フルオロアルキルシラン系のフッ素含有のSAMを挙げることができる。
(有機半導体層)
本発明の有機半導体層13の材料としては、ポリチオフェン、フルオレンビチオフェン共重合体、およびそれらの誘導体のような高分子有機半導体材料、およびペンタセン、テトラセン、銅フタロシアニン、およびそれらの誘導体のような低分子有機半導体材料を用いることができる。また、カーボンナノチューブあるいはフラーレンなどの炭素化合物も半導体層の材料として用いることができるが、これらに限定されるものではない。
本発明の有機半導体層13の材料としては、ポリチオフェン、フルオレンビチオフェン共重合体、およびそれらの誘導体のような高分子有機半導体材料、およびペンタセン、テトラセン、銅フタロシアニン、およびそれらの誘導体のような低分子有機半導体材料を用いることができる。また、カーボンナノチューブあるいはフラーレンなどの炭素化合物も半導体層の材料として用いることができるが、これらに限定されるものではない。
有機半導体層13は、上述の有機半導体材料をテトラリンなどの芳香族系の溶媒に溶解又は分散させてインキ状の溶液又は分散液として、グラビア印刷、凸版印刷、スクリーン印刷およびインクジェット法などを用いて形成することができる。溶媒に適当な分散剤や安定剤等の添加剤を加えてもよい。また有機半導体層13は、蒸着法等の真空成膜法やスピンコート法により有機半導体材料を全面形成した後、フォトリソグラフィー法等によりパターニングを行うという方法を用いて形成することもできるが、これらに限定されるものではない。
(ゲート絶縁層)
ゲート絶縁層14としては、フッ素樹脂を用いる。フッ素樹脂は半導体直上に形成する際に半導体材料にダメージを与えないため、好適に用いられる。
ゲート絶縁層14としては、フッ素樹脂を用いる。フッ素樹脂は半導体直上に形成する際に半導体材料にダメージを与えないため、好適に用いられる。
ゲート絶縁層14は、フッ素樹脂をフッ素系溶媒に溶解させて作製したインクを、スピンコート法、ダイコート法、凸版印刷法、スクリーン印刷法等の方法を用いて形成することができる。
(ゲート電極)
ゲート電極15は、Ag、Cu、Au等の属材料、ITO(酸化インジウム錫)、IZO(酸化インジウム亜鉛)等の金属酸化物材料、PEDOT(ポリエチレンジオキシチオフェン)等の有機導電性材料をインキ状、ペースト状にしたものに、フッ素化合物を添加し、スクリーン印刷、転写印刷、凸版印刷、インクジェット法等で塗布し、焼成することにより形成することができる。ゲート電極15は、上述の材料をスピンコート、スリットコート等で全面塗布した後に、フォトリソグラフィー法等を用いてパターニングすることにより得ることもできるが、これらに限定されるものではない。
ゲート電極15は、Ag、Cu、Au等の属材料、ITO(酸化インジウム錫)、IZO(酸化インジウム亜鉛)等の金属酸化物材料、PEDOT(ポリエチレンジオキシチオフェン)等の有機導電性材料をインキ状、ペースト状にしたものに、フッ素化合物を添加し、スクリーン印刷、転写印刷、凸版印刷、インクジェット法等で塗布し、焼成することにより形成することができる。ゲート電極15は、上述の材料をスピンコート、スリットコート等で全面塗布した後に、フォトリソグラフィー法等を用いてパターニングすることにより得ることもできるが、これらに限定されるものではない。
ゲート電極15に添加するフッ素化合物としては、例えば、含フッ素アクリル樹脂、含フッ素ポリイミド、含フッ素エーテルポリマー、含フッ素環状エーテルポリマーなどの含フッ素ポリマーや含フッ素親水性基含有オリゴマー、含フッ素親油性基含有オリゴマー、含フッ素親水性・親油性基含有オリゴマー、パーフルオロエチレンオキシド付加物、パーフルオロアルキル基含有リン酸エステル、パーフルオロアルキル基含有リン酸エステルアミン中和物、含フッ素親水性・親油性基カルボキシル基含有オリゴマーなどの含フッ素界面活性剤などを挙げることができる。
ゲート電極15に添加するフッ素化合物の濃度は、選択されるゲート電極15の組成にもよるが、重量パーセント濃度において0.05パーセント以上0.30パーセント以下であることが好ましい。濃度が0.05パーセント未満である場合には、ゲート電極15とゲート絶縁層14との間の界面エネルギーを十分下げることができず、密着性を向上させることができない。一方、濃度が0.30パーセントを超える場合には、ゲート電極15の抵抗率が所望の値を超えることとなる。ゲート電極の抵抗率は、1.0×102μΩ・cm以下であることが好ましい。
ゲート電極15を印刷法で形成する際、ゲート電極15を構成する材料(インク)がゲート絶縁層14上に濡れ性が悪くて印刷できない場合において、ゲート電極15を構成する材料(インク)にフッ素化合物を含有させることで濡れ性が良くなり、ゲート絶縁層14上に、ゲート電極15のパターンを良好に形成させることができる。
以下、本発明の有機薄膜トランジスタの具体的な実施例及び比較例について説明する。なお、本発明は各実施例に限るものではない。
<実施例1>
図1に例示した様なトップゲート−ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタを作製した。
絶縁基板10となるポリエチレンナフタレート(PEN)フィルム上に、まず、インクジェット法を用いて、銀ナノ粒子を分散させたインクを吐出して形成したインクのパターンを焼成することにより、ソース電極11とドレイン電極12を形成した。
図1に例示した様なトップゲート−ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタを作製した。
絶縁基板10となるポリエチレンナフタレート(PEN)フィルム上に、まず、インクジェット法を用いて、銀ナノ粒子を分散させたインクを吐出して形成したインクのパターンを焼成することにより、ソース電極11とドレイン電極12を形成した。
次に、6,13−ビス(トリイソプロピルシリルエチニル)ペンタセン(TIPS−ペンタセン)をテトラリンに溶解させた溶液を、凸版印刷法を用いて、ソース電極11とドレイン電極12の間とそれらの電極の一部に跨って印刷し、乾燥させることによって有機半導体層13を形成した。
次に、ソース電極11とドレイン電極12と有機半導体層13の全てを被覆する様に、アモルファスフッ素樹脂材料サイトップ(AGC製)を、スピンコート法を用いて成膜し、焼成して、ゲート絶縁層14を形成した。
次に、低温焼成金属インクFlOW METAL(バンドー化学製)に、フッ素系界面活性剤サーフロン(AGC製)と調整剤を分散させたインキを用いて、オフセット印刷法によりゲート電極となるパターンを、有機半導体13と、ソース電極11およびドレイン電極12の一部に跨る様に印刷し、焼成して、ゲート電極15を形成することにより有機薄膜トランジスタ20を作製した。
なお、含フッ素界面活性剤は、焼成後のゲート電極15に含まれる銀の重量に対してフッ素が0.30wt%となる量を、予めICP発光分析装置で確認し、添加した。
なお、含フッ素界面活性剤は、焼成後のゲート電極15に含まれる銀の重量に対してフッ素が0.30wt%となる量を、予めICP発光分析装置で確認し、添加した。
この様にして作製した有機薄膜トランジスタ20は、ゲート電極15の印刷転写率はほぼ100%であり、ゲート絶縁層14上にほぼ設計通りにゲート電極15のパターンが印刷されていることを確認した。作製したゲート電極15の抵抗率は95μΩ・cmであった。
また、作製した有機薄膜トランジスタ20のゲート電極の密着性試験を、クロスカット試験(JIS K 5600:1999)を用いて行った結果、ゲート絶縁層14とゲート電極15の界面での剥離は観察されなかった。
また、作製した有機薄膜トランジスタ20のゲート電極の密着性試験を、クロスカット試験(JIS K 5600:1999)を用いて行った結果、ゲート絶縁層14とゲート電極15の界面での剥離は観察されなかった。
<実施例2>
図1に例示した様なトップゲート−ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタを作製した。
ゲート電極15を形成する低温焼成金属インクFlOW METAL(バンドー化学製)に、フッ素系界面活性剤サーフロンを、焼成後のゲート電極15に含まれる銀の重量に対してフッ素が0.05wt%となる量を添加したこと以外は実施例1と同様とした。その結果、ゲート電極15の抵抗率が20μΩ・cmとなった。また、実施例1と同様に、作製した有機薄膜トランジスタ20のゲート電極の密着性試験を、クロスカット試験(JIS K 5600:1999)を用いて行った結果、ゲート絶縁層14とゲート電極15の界面での剥離は観察されなかった。
図1に例示した様なトップゲート−ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタを作製した。
ゲート電極15を形成する低温焼成金属インクFlOW METAL(バンドー化学製)に、フッ素系界面活性剤サーフロンを、焼成後のゲート電極15に含まれる銀の重量に対してフッ素が0.05wt%となる量を添加したこと以外は実施例1と同様とした。その結果、ゲート電極15の抵抗率が20μΩ・cmとなった。また、実施例1と同様に、作製した有機薄膜トランジスタ20のゲート電極の密着性試験を、クロスカット試験(JIS K 5600:1999)を用いて行った結果、ゲート絶縁層14とゲート電極15の界面での剥離は観察されなかった。
<比較例>
図1に例示した様なトップゲート−ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタを作製した。
ゲート電極15を形成するインキとして、フッ素系界面活性剤を含まない、低温焼成金属インクFLOW METAL(バンドー化学製)のみからなるインキを使用したこと以外は実施例1と同様とした。
その結果、ゲート電極15の印刷転写率は20%となり、ゲート絶縁層14と、ゲート電極材料である低温焼成金属インクの濡れ性が低いためにゲート絶縁層上に設計通りにパターンを印刷することができないことを確認した。また、作製したゲート電極15の抵抗率は10μΩcmであった。作製した薄膜トランジスタのゲート電極15の密着性試験を、クロスカット試験(JIS K 5600:1999)を用いて行った結果、ゲート絶縁層14とゲート電極15の界面に剥離が観察された。
図1に例示した様なトップゲート−ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタを作製した。
ゲート電極15を形成するインキとして、フッ素系界面活性剤を含まない、低温焼成金属インクFLOW METAL(バンドー化学製)のみからなるインキを使用したこと以外は実施例1と同様とした。
その結果、ゲート電極15の印刷転写率は20%となり、ゲート絶縁層14と、ゲート電極材料である低温焼成金属インクの濡れ性が低いためにゲート絶縁層上に設計通りにパターンを印刷することができないことを確認した。また、作製したゲート電極15の抵抗率は10μΩcmであった。作製した薄膜トランジスタのゲート電極15の密着性試験を、クロスカット試験(JIS K 5600:1999)を用いて行った結果、ゲート絶縁層14とゲート電極15の界面に剥離が観察された。
以上、説明したように、本発明によれば、ゲート絶縁層にフッ素樹脂を用いたトップゲート型有機薄膜トランジスタにおいて、フッ素化合物を含有するゲート電極を用いることにより、フッ素樹脂からなるゲート絶縁層の表面を改質せずとも、ゲート絶縁層と密着性の高いゲート電極を有する薄膜トランジスタを実現することができる。
本発明で作製した薄膜トランジスタは、電子ペーパー表示装置、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置などの表示装置や、圧電センサなどの各種センサに有適用できる。特に有機薄膜トランジスタおよびそれを用いたフレキシブルデバイスへの適用が期待される。
10 絶縁基板
11 ソース電極
12 ドレイン絶縁層
13 有機半導体層
14 ゲート絶縁層
15 ゲート電極
11 ソース電極
12 ドレイン絶縁層
13 有機半導体層
14 ゲート絶縁層
15 ゲート電極
Claims (4)
- 絶縁基板上に、ソース電極とドレイン電極と半導体層とゲート絶縁層とゲート電極を備えた薄膜トランジスタにおいて、
前記ゲート絶縁層がフッ素樹脂からなり、
前記ゲート絶縁層の上に形成するゲート電極にはフッ素化合物が含まれていることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 前記フッ素化合物が、フッ素基を含有する界面活性剤であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記ゲート電極が、0.05重量パーセント以上0.30重量パーセント以下のフッ素化合物を含有することを特徴とする請求項1または2に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記半導体層が有機半導体であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の薄膜トランジスタ。
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