JP2020077816A - Wiring board and manufacturing method of the same - Google Patents
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Abstract
Description
本開示は、例えば高周波帯域における信号伝達を効率よく行うことができる配線を備えた配線基板と、その配線基板の製造方法に関するものである。 The present disclosure relates to a wiring board including wiring that can efficiently perform signal transmission in a high frequency band, and a method for manufacturing the wiring board.
従来、配線基板として、ガラス及びセラミックを材料とするガラスセラミック基板の表面等に、金属を主成分とする配線を備えた配線基板が知られている。
この種の配線基板を製造する方法として、ガラスセラミック基板の材料と配線の材料とを同時焼成する製造方法が知られている。例えば、ガラス及びセラミックを主成分とするグリーンシートの表面に、金属を含む導体ペーストを塗布して配線パターンを形成し、この配線パターンを形成したグリーンシートをセラミック製のセッターに載置して、グリーンシートと配線パターンとを同時焼成することによって、配線基板を製造する方法が知られている。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a wiring board, there is known a wiring board including a glass-ceramic substrate made of glass and ceramic, and a wiring having a metal as a main component on a surface thereof.
As a method of manufacturing this type of wiring board, a manufacturing method is known in which the material of the glass ceramic substrate and the material of the wiring are simultaneously fired. For example, on the surface of a green sheet containing glass and ceramic as a main component, a conductor paste containing metal is applied to form a wiring pattern, and the green sheet on which the wiring pattern is formed is placed on a ceramic setter, A method of manufacturing a wiring board by co-firing a green sheet and a wiring pattern is known.
なお、この同時焼成によって製造される配線基板として、例えば、ＡｇやＣｕに代表されるように、融点は低いが低抵抗の金属を用いたＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）基板が知られている。 As a wiring board manufactured by this co-firing, for example, an LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramics) board using a metal having a low melting point but low resistance is known, as represented by Ag and Cu. There is.
さらに、上述した配線基板に関しては、メタライズ層である配線とガラスセラミック基板との接合強度を高めるために、導体ペーストに低融点のガラス粉末を添加する技術（特許文献１参照）や、低融点のガラス粉末に加えて酸化ビスマスを添加する技術（特許文献２参照）が提案されている。 Further, regarding the above-mentioned wiring board, in order to enhance the bonding strength between the wiring which is the metallization layer and the glass ceramic substrate, a technique of adding a low melting point glass powder to the conductor paste (see Patent Document 1), A technique of adding bismuth oxide in addition to glass powder has been proposed (see Patent Document 2).
しかしながら、上述したように、配線パターンを形成したグリーンシートをセッター上に載置して同時焼成する場合には、焼成の際に、配線パターン（従って配線）の表面にガラス成分が染み出すこと（即ち浮き出ること）があった。 However, as described above, when the green sheet on which the wiring pattern is formed is placed on the setter and simultaneously fired, the glass component oozes out on the surface of the wiring pattern (and thus the wiring) during firing ( That is, there was something that emerged.
その結果、浮き出したガラス成分によって配線がセッターに貼り付いてしまい、セッターから配線基板を取り出す際に、配線の剥がれ（いわゆるメタライズ剥がれ）や配線基板の割れが発生することがあった。 As a result, the wiring sticks to the setter due to the glass component that has risen, and when the wiring board is taken out from the setter, the wiring may peel (so-called metallization peeling) or the wiring board may crack.
また、配線の表面にガラス成分が浮き出ている場合には、ガラス成分の表面にはメッキがされないので、配線の表面にメッキをすることが困難となる。したがって、配線の表面にメッキがされていない状態となり、いわゆるメッキ不良の状態となることがあった。 Further, when the glass component is raised on the surface of the wiring, the surface of the glass component is not plated, and thus it is difficult to plate the surface of the wiring. Therefore, the surface of the wiring is not plated, which may result in so-called defective plating.
本開示は、前記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、配線の表面にガラス成分が浮き出ることを抑制できる配線基板及びその製造方法を提供することにある。 The present disclosure has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a wiring board and a method for manufacturing the wiring board that can suppress the glass component from being raised on the surface of the wiring.
（１）本開示の第１局面は、ベース基板の表面に、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕのうち少なくとも１種の金属を主成分として含む配線を備えた配線基板に関するものである。
この配線基板では、ベース基板は、ガラスセラミックを主成分とし、配線は、酸化ビスマスを含むとともに、ガラス相を含まない。
(1) A first aspect of the present disclosure relates to a wiring board including a wiring that includes, as a main component, at least one metal selected from Au, Ag, and Cu on a surface of a base substrate.
In this wiring board, the base substrate contains glass ceramic as a main component, and the wiring contains bismuth oxide and does not contain a glass phase.
本第１局面の配線基板では、ガラスセラミックからなるベース基板の表面に配線を備えており、その配線は、酸化ビスマスを含んでいるので、配線の密着性が高く、配線はベース基板に強固に密着している。 In the wiring board according to the first aspect, the wiring is provided on the surface of the base substrate made of glass ceramic, and the wiring contains bismuth oxide, so that the wiring has high adhesiveness and the wiring is firmly attached to the base substrate. It is in close contact.
しかも、本第１局面の配線基板では、配線にはガラス相を含んでいない。即ち配線には非晶質のガラス相を構成するガラス成分を含んでいない。従って、配線の表面にはガラス成分が無い（即ち従来のようなガラス成分の浮き出しがない）。 Moreover, in the wiring board of the first aspect, the wiring does not contain a glass phase. That is, the wiring does not contain a glass component forming an amorphous glass phase. Therefore, there is no glass component on the surface of the wiring (that is, there is no protrusion of glass component as in the conventional case).
従って、本第１局面の配線基板では、例えば配線パターンを備えたグリーンシートをセッター上に載置して焼成する際に、配線がセッターに貼り付くことを抑制できる。その結果、配線の剥がれや配線基板の割れを抑制できる。さらに、配線の表面に容易にメッキが可能であるので、メッキ不良の発生を抑制できる。 Therefore, in the wiring board of the first aspect, it is possible to prevent the wiring from sticking to the setter when the green sheet having the wiring pattern is placed on the setter and fired, for example. As a result, peeling of the wiring and cracking of the wiring board can be suppressed. Furthermore, since the surface of the wiring can be easily plated, it is possible to suppress the occurrence of defective plating.
（２）本開示の第２局面では、ベース基板の内部に、内部配線を備えていてもよい。
この内部配線は、前記表面の配線と同様な材料から構成されていてもよいが、他の材料から構成されていてもよい。なお、内部配線としては、ベース基板の平面方向に沿って広がる層状の内部配線層や、ベース基板の厚み方向に延びるビアが挙げられる。
(2) In the second aspect of the present disclosure, internal wiring may be provided inside the base substrate.
The internal wiring may be made of the same material as the wiring on the surface, but may be made of another material. Examples of the internal wiring include a layered internal wiring layer extending along the plane direction of the base substrate and a via extending in the thickness direction of the base substrate.
（３）本開示の第３局面は、上述した配線基板の製造方法に関するものである。
この配線基板の製造方法では、ベース基板のガラスとセラミックとを含む材料からなる中間ベース層と、配線の金属と酸化ビスマスとを含む材料からなり中間ベース層に形成された中間配線層と、を同時焼成して、ベース基板と配線とを作製する。
(3) A third aspect of the present disclosure relates to the method for manufacturing the above-described wiring board.
In this wiring board manufacturing method, an intermediate base layer made of a material containing glass and ceramic for the base substrate and an intermediate wiring layer made of a material containing metal for wiring and bismuth oxide are formed on the intermediate base layer. The base substrate and the wiring are manufactured by co-firing.
本第３局面では、ベース基板の未焼成の材料からなる中間ベース層と配線の未焼成の材料からなる中間配線層とを同時焼成することにより、配線を備えたベース基板である配線基板を製造することができる。 In the third aspect, a wiring board, which is a base board provided with wiring, is manufactured by simultaneously firing an intermediate base layer made of an unfired material of a base board and an intermediate wiring layer made of an unfired material of wiring. can do.
そして、この同時焼成の際には、中間配線層中（即ちメタライズ材料中）に含まれる酸化ビスマスの一部が、ガラスとセラミックの材料からなる中間ベース層（従ってガラスセラミックからなるベース基板）内に拡散することで、メタライズとガラスセラミックとの密着性（即ち配線とベース基板との密着性）が強くなる。 During this co-firing, part of the bismuth oxide contained in the intermediate wiring layer (that is, in the metallized material) is in the intermediate base layer made of glass and ceramic materials (and therefore in the base substrate made of glass ceramic). When the metallization is diffused, the adhesion between the metallization and the glass ceramic (that is, the adhesion between the wiring and the base substrate) becomes stronger.
また、酸化ビスマスは、ガラスのように、メタライズの表面（即ち配線の表面）に濡れて広がることがないので、焼成中に中間配線層（従って配線）がセッターに貼り付くことを抑制できる。その結果、配線の剥がれや配線基板の割れを抑制できる。さらに、配線の表面に容易にメッキが可能であるので、メッキ不良の発生を抑制できる。 Further, unlike glass, bismuth oxide does not wet and spread on the surface of the metallization (that is, the surface of the wiring), so that the intermediate wiring layer (and thus the wiring) can be prevented from sticking to the setter during firing. As a result, peeling of the wiring and cracking of the wiring board can be suppressed. Furthermore, since the surface of the wiring can be easily plated, it is possible to suppress the occurrence of defective plating.
（４）本開示の第４局面は、上述した配線基板の製造方法に関するものである。
この配線基板の製造方法では、ベース基板のガラスとセラミックとを含む材料からなる中間ベース層を焼成してベース基板を作製し、ベース基板に配線の金属と酸化ビスマスとを含む材料からなる中間配線層を形成し、中間配線層を焼成して配線を作製する。
(4) A fourth aspect of the present disclosure relates to a method of manufacturing the wiring board described above.
In this method of manufacturing a wiring board, a base substrate is manufactured by firing an intermediate base layer made of a material containing glass and ceramics of the base substrate, and the intermediate wiring made of a material containing wiring metal and bismuth oxide is formed on the base substrate. A layer is formed, and the intermediate wiring layer is fired to form a wiring.
本第４局面では、焼成品であるベース基板に配線の未焼成の材料からなる中間配線層を形成し、その中間配線層を焼成して配線を作製することにより、配線を備えたベース基板である配線基板を製造することができる。 In the fourth aspect, an intermediate wiring layer made of an unsintered material for wiring is formed on a base substrate that is a fired product, and the intermediate wiring layer is fired to produce wiring, so that a base substrate having wiring is formed. A wiring board can be manufactured.
そして、この焼成（いわゆる２次焼成）の際には、中間配線層中（即ちメタライズ材料中）に含まれる酸化ビスマスの一部が、ガラスセラミックからなるベース基板内に拡散することで、メタライズとガラスセラミックとの密着性（即ち配線とベース基板との密着性）が強くなる。 Then, during this firing (so-called secondary firing), a part of bismuth oxide contained in the intermediate wiring layer (that is, in the metallization material) diffuses into the base substrate made of glass ceramic, whereby metallization is achieved. The adhesion with the glass ceramic (that is, the adhesion between the wiring and the base substrate) becomes stronger.
また、酸化ビスマスは、ガラスのように、メタライズの表面（即ち配線の表面）に濡れて広がることがないので、焼成中に中間配線層（従って配線）がセッターに貼り付くことを抑制できる。その結果、配線の剥がれや配線基板の割れを抑制できる。さらに、配線の表面に容易にメッキが可能であるので、メッキ不良の発生を抑制できる。 Further, unlike glass, bismuth oxide does not wet and spread on the surface of the metallization (that is, the surface of the wiring), so that the intermediate wiring layer (and thus the wiring) can be prevented from sticking to the setter during firing. As a result, peeling of the wiring and cracking of the wiring board can be suppressed. Furthermore, since the surface of the wiring can be easily plated, it is possible to suppress the occurrence of defective plating.
＜以下に、本開示の各構成について説明する＞
・主成分とは、最も量（即ち重量）が多い成分を示している。
・ベース基板は、電気絶縁性を有しており、配線（即ち表面の配線や内部配線）は導電性を有している。
<Description of Each Configuration of the Present Disclosure>
-The main component indicates the component with the largest amount (that is, weight).
The base substrate has electrical insulation, and the wiring (that is, the surface wiring and internal wiring) has conductivity.
・ベース基板は、ガラス成分とセラミック成分とを含む材料からなる基板（つまり、ガラスセラミック基板）である。なお、ガラス成分及びセラミック成分を併せた成分がガラスセラミックであり、このガラスセラミックがベース基板の主成分である。また、ベース基板は、主成分であるガラスセラミック以外に、例えば酸化バリウム、酸化カルシウム、酸化クロム等他の成分を、例えば４０重量％以下の範囲で含んでいてもよい。 The base substrate is a substrate made of a material containing a glass component and a ceramic component (that is, a glass ceramic substrate). It should be noted that the combination of the glass component and the ceramic component is glass ceramic, and this glass ceramic is the main component of the base substrate. Further, the base substrate may contain other components such as barium oxide, calcium oxide, and chromium oxide in the range of, for example, 40% by weight or less, in addition to the glass ceramic as the main component.
ガラス成分とセラミック成分との割合としては、ガラス成分及びセラミック成分の合計を１００重量％とすると、ガラス成分として２０重量％〜８０重量％の範囲を採用できる。
・ガラス成分としては、ホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸鉛ガラスなどを採用できる。つまり、軟化点が１０００℃以下の低軟化点のガラスを採用できる。
As the ratio of the glass component and the ceramic component, when the total of the glass component and the ceramic component is 100% by weight, the range of 20% by weight to 80% by weight can be adopted as the glass component.
-Borosilicate glass, lead borosilicate glass, etc. can be adopted as the glass component. That is, glass having a low softening point of 1000 ° C. or lower can be adopted.
ガラスを構成するガラス成分としては、例えば、ＳｉＯ２、ＢａＣＯ３、ＭｇＣＯ３、Ｍｎ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ３などが挙げられる。なお、本開示では、酸化ビスマスは、ガラス成分でないとする。 Examples of the glass component forming the glass include SiO 2 , BaCO 3 , MgCO 3 , Mn 2 O 5 , and Nb 2 O 3 . In the present disclosure, bismuth oxide is not a glass component.
・ガラス相とは、非晶質の状態のガラスの構成を示している。
・表面の配線や内部配線は、導電性を有する金属を主成分としており、主成分以外に、セラミックなどの他の成分を含んでいてもよい。なお、表面の配線は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕのうちの少なくとも１種の金属を主成分として含んでいる。一方、内部配線は、表面の配線と同様に前記金属を主成分とすることができる。
-The glass phase refers to the composition of glass in an amorphous state.
The surface wiring and the internal wiring have a conductive metal as a main component, and may contain other components such as ceramics in addition to the main component. The wiring on the surface contains at least one metal selected from Au, Ag, and Cu as a main component. On the other hand, the internal wiring can contain the above metal as a main component, like the wiring on the surface.
・配線における酸化ビスマスの割合としては、１重量％〜１０重量％の範囲が挙げられる。 The proportion of bismuth oxide in the wiring may be in the range of 1% by weight to 10% by weight.
次に、本開示の配線基板及びその製造方法の実施形態について説明する。
［１．第１実施形態］
［１−１．配線基板の構成］
まず、第１実施形態の配線基板について説明する。
Next, embodiments of the wiring board and the manufacturing method thereof according to the present disclosure will be described.
[1. First Embodiment]
[1-1. Wiring board configuration]
First, the wiring board of the first embodiment will be described.
図１に示す様に、本第１実施形態の配線基板１は、ベース基板であるガラスセラミック基板３の厚み方向（図１の上下方向）における各表面５に、それぞれ配線（即ち表面配線）７が形成された低温同時焼成セラミック基板（即ちＬＴＣＣ配線基板）である。 As shown in FIG. 1, the wiring board 1 of the first embodiment has wirings (that is, surface wirings) 7 on each surface 5 in the thickness direction (vertical direction in FIG. 1) of the glass ceramic substrate 3 which is a base substrate. Is a low temperature co-fired ceramic substrate (i.e., LTCC wiring substrate) in which is formed.
詳しくは、配線基板１は、ガラスセラミック基板３の厚み方向の一方（図１の上方）の表面（表側の表面：第１表面）５ａに、表側の第１表面配線７ａが形成されるとともに、ガラスセラミック基板３の厚み方向の他方（図１の下方）の表面（裏側の表面：第２表面）５ｂに、裏側の第２表面配線７ｂが形成されたものである。 Specifically, in the wiring board 1, the front surface-side first surface wiring 7a is formed on one surface (front surface: first surface) 5a of the glass ceramic substrate 3 in the thickness direction (upper side in FIG. 1). The other surface (back surface: second surface) 5b of the glass ceramic substrate 3 in the thickness direction (downward in FIG. 1) is provided with the back surface second surface wiring 7b.
この配線基板１は、９００℃〜１１００℃の温度範囲にて、ガラスセラミック基板３となる材料と表面配線７となる材料とが同時焼成されて形成された配線基板である。
前記ガラスセラミック基板３は、例えば、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＣａＯをガラス成分とするガラス（即ちホウケイ酸系ガラス）と、セラミックであるアルミナとを主成分とするガラスセラミックからなり、前記９００℃〜１１００℃の温度範囲にて焼成されて焼結した基板である。
This wiring board 1 is a wiring board formed by co-firing a material to be the glass ceramic substrate 3 and a material to be the surface wiring 7 in a temperature range of 900 ° C to 1100 ° C.
The glass ceramic substrate 3 is, for example, a glass ceramic containing SiO 2 , B 2 O 3 , Al 2 O 3 , and glass containing CaO as a glass component (that is, borosilicate glass) and alumina, which is a ceramic, as main components. And is a substrate that is sintered and sintered in the temperature range of 900 ° C. to 1100 ° C.
このガラスセラミック基板３では、基板全体に対する主成分であるガラス成分及びセラミック成分の割合は、例えば８０重量％〜１００重量％の範囲であり、ガラス成分及びセラミック成分に対するガラスの割合は、例えば３０重量％〜７０重量％の範囲である。 In this glass-ceramic substrate 3, the ratio of the glass component and the ceramic component which are the main components to the whole substrate is, for example, in the range of 80% by weight to 100% by weight, and the ratio of the glass to the glass component and the ceramic component is, for example, 30% by weight. % To 70% by weight.
なお、ここでは、複数（例えば２層）のガラスセラミックス層３ａが積層された多層のガラスセラミック基板３の例を挙げるが、１層のガラスセラミック基板３であってもよい。
また、各表面配線７は、金（Ａｕ）を主成分とし添加物として酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）を含む配線である。各表面配線７（即ち金及び酸化ビスマス）における酸化ビスマスの添加量は、例えば１重量％〜１０重量％の範囲である。
In addition, here, an example of the multilayer glass ceramic substrate 3 in which a plurality (for example, two layers) of glass ceramic layers 3 a is laminated is given, but the glass ceramic substrate 3 may be one layer.
Further, each surface wiring 7 is a wiring containing gold (Au) as a main component and containing bismuth oxide (Bi 2 O 3 ) as an additive. The amount of bismuth oxide added to each surface wiring 7 (that is, gold and bismuth oxide) is, for example, in the range of 1% by weight to 10% by weight.
［１−２．配線基板の製造方法］
次に、配線基板１の製造方法について説明する。
＜グリーンシートの作製工程＞
ガラスセラミックス原料粉末として、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＣａＯからなるホウケイ酸系ガラス粉末と、アルミナ粉末とを用意した。
[1-2. Wiring board manufacturing method]
Next, a method of manufacturing the wiring board 1 will be described.
<Green sheet manufacturing process>
As the glass-ceramic raw material powder, borosilicate glass powder made of SiO 2 , B 2 O 3 , Al 2 O 3 and CaO and alumina powder were prepared.
そして、アルミナ製のポットに、前記ホウケイ酸系ガラス粉末とアルミナ粉末とを、所定割合（例えば重量比で５０：５０）となるように秤量して投入した。
これに、アクリル樹脂と、適当なスラリー粘度とシート強度を持たせるのに必要な量の溶剤及び可塑剤とを、前記ポットに入れ、所定時間混合することにより、ガラスセラミックのスラリーを得た。
Then, the borosilicate glass powder and the alumina powder were weighed and put into an alumina pot so that a predetermined ratio (for example, a weight ratio of 50:50) was obtained.
Acrylic resin, and an amount of a solvent and a plasticizer required to give an appropriate slurry viscosity and sheet strength were placed in the pot and mixed for a predetermined time to obtain a glass ceramic slurry.
次に、図２Ａに示すように、得られたスラリーを用いて、ドクターブレード法により、所定の厚みのグリーンシート９を得た。
＜導体ペーストの作製工程＞
表面配線７を構成する材料として、金粉末と酸化ビスマス粉末とを用意した。また、アクリル樹脂を溶剤に溶解させたビヒクルを用意した。
Next, as shown in FIG. 2A, the obtained slurry was used to obtain a green sheet 9 having a predetermined thickness by a doctor blade method.
<Production process of conductor paste>
Gold powder and bismuth oxide powder were prepared as materials for forming the surface wiring 7. Further, a vehicle in which an acrylic resin was dissolved in a solvent was prepared.
そして、金粉末と酸化ビスマス粉末と混合した混合物にビヒクルを加えて混錬して、金粉末及び酸化ビスマス粉末を含む導体ペーストを得た。なお、酸化ビスマスの添加量は、金と酸化ビスマスとが上述した表面配線７の組成となるように調整した。 Then, the vehicle was added to the mixture of the gold powder and the bismuth oxide powder and kneaded to obtain a conductor paste containing the gold powder and the bismuth oxide powder. The amount of bismuth oxide added was adjusted so that gold and bismuth oxide had the above-described composition of the surface wiring 7.
＜積層体の作製工程＞
次に、図２Ｂに示すように、グリーンシート９の一方の表面に、前記導体ペーストを用いてスクリーン印刷して、配線パターン１３を形成した。なお、この配線パターン１３を形成したグリーンシート９を、２個作製した。
<Production process of laminated body>
Next, as shown in FIG. 2B, the wiring pattern 13 was formed on one surface of the green sheet 9 by screen printing using the conductor paste. Two green sheets 9 having the wiring pattern 13 formed were prepared.
次に、図２Ｃに示すように、配線パターン１３を印刷したグリーンシート９の他方の表面（即ち配線パターン１３を形成しない表面）に溶剤を塗布した。そして、溶剤を塗布した面を合わせるようにして、一対のグリーンシート９を積層して、厚み方向の両面に配線パターン１３を備えた積層体１５を作製した。 Next, as shown in FIG. 2C, a solvent was applied to the other surface of the green sheet 9 on which the wiring pattern 13 was printed (that is, the surface on which the wiring pattern 13 was not formed). Then, a pair of green sheets 9 were laminated so that the surfaces coated with the solvent were aligned, and a laminate 15 having wiring patterns 13 on both surfaces in the thickness direction was produced.
なお、表側（図２Ｃの上側）の配線パターン１３を第１配線パターン１３ａと称し、裏側（図２Ｃの下側）の配線パターン１３を第２配線パターン１３ｂと称する。
なお、これとは別の方法として、グリーンシート９を複数積層して積層体１５を作製し、その積層体１５の厚み方向の両側にそれぞれ配線パターン１３を形成してもよい。
The wiring pattern 13 on the front side (upper side in FIG. 2C) is called the first wiring pattern 13a, and the wiring pattern 13 on the back side (lower side in FIG. 2C) is called the second wiring pattern 13b.
Alternatively, as another method, a plurality of green sheets 9 may be laminated to produce a laminated body 15, and the wiring patterns 13 may be formed on both sides of the laminated body 15 in the thickness direction.
＜焼成工程＞
次に、図２Ｄに示すように、両配線パターン１３を形成した積層体１５を、裏側の第２配線パターン１３ｂを下にしてアルミナ製のセッター１７の上に載置した。
<Firing process>
Next, as shown in FIG. 2D, the laminated body 15 having both wiring patterns 13 formed thereon was placed on the alumina setter 17 with the second wiring pattern 13b on the back side facing down.
そして脱脂した後に、９００℃〜１０００℃の範囲にて１〜３時間焼成し（即ち同時焼成し）、図２Ｅに示すように、ガラスセラミック基板３の表面５（表と裏の表面５ａ、５ｂ）に、各表面配線７を備えた配線基板１を得た。 Then, after degreasing, firing is performed in the range of 900 ° C. to 1000 ° C. for 1 to 3 hours (that is, simultaneous firing), and as shown in FIG. 2E, the surface 5 of the glass ceramic substrate 3 (front and back surfaces 5a, 5b). The wiring board 1 provided with each surface wiring 7 was obtained.
［１−３．効果］
本第１実施形態の配線基板１は、ガラスセラミック基板３の表面に配線７を備えており、その配線７は、酸化ビスマスを含んでいるので、配線７の密着性が高く、配線７はガラスセラミック基板３に強固に密着している。
[1-3. effect]
The wiring board 1 of the first embodiment is provided with the wiring 7 on the surface of the glass ceramic substrate 3. Since the wiring 7 contains bismuth oxide, the wiring 7 has high adhesion and the wiring 7 is made of glass. It firmly adheres to the ceramic substrate 3.
しかも、この配線基板１では、配線７にはガラス相を含んでいない。即ち配線７には非晶質のガラス相を構成するガラス成分を含んでいない。従って、配線７の表面にはガラス成分が無い（即ち従来のようなガラス成分の浮き出しがない）。 Moreover, in this wiring board 1, the wiring 7 does not contain a glass phase. That is, the wiring 7 does not contain a glass component forming an amorphous glass phase. Therefore, there is no glass component on the surface of the wiring 7 (that is, there is no protrusion of glass component as in the conventional case).
従って、配線パターン１３を備えた積層体１５をセッター１７上に載置して、同時焼成する際に、配線７がセッター１７に貼り付くことを抑制できる。つまり、酸化ビスマスは、ガラスのように、メタライズの表面（即ち配線７の表面）に濡れて広がることがないので、同時焼成によって、配線７がセッター１７に貼り付くことを抑制できる。 Therefore, when the laminated body 15 having the wiring pattern 13 is placed on the setter 17 and co-fired, the wiring 7 can be prevented from sticking to the setter 17. That is, since bismuth oxide does not wet and spread on the surface of the metallization (that is, the surface of the wiring 7) unlike glass, the wiring 7 can be prevented from sticking to the setter 17 by co-firing.
その結果、配線の剥がれや配線基板の割れを抑制できる。さらに、配線の表面に容易にメッキが可能であるので、メッキ不良の発生を抑制できる。
また、配線パターン１３の焼成の際には、配線パターン１３に含まれる酸化ビスマスの一部が、ガラスとセラミックの材料からなる積層体１５内に拡散することで、配線７とガラスセラミック基板３との密着性が強くなる。
As a result, peeling of the wiring and cracking of the wiring board can be suppressed. Furthermore, since the surface of the wiring can be easily plated, it is possible to suppress the occurrence of defective plating.
Further, when the wiring pattern 13 is fired, part of the bismuth oxide contained in the wiring pattern 13 diffuses into the laminated body 15 made of glass and ceramic materials, so that the wiring 7 and the glass ceramic substrate 3 are formed. The adhesiveness of becomes stronger.
［１−４．文言の対応関係］
ここで、特許請求の範囲と実施形態とにおける文言の対応関係について説明する。
本第１実施形態の、ガラスセラミック基板３、配線７、配線基板１、グリーンシート９、配線パターン１３は、本開示の、ベース基板、配線、配線基板、中間ベース層、中間配線層の一例に相当する。
[1-4. Correspondence of wording]
Here, the correspondence between the wording in the claims and the embodiment will be described.
The glass ceramic substrate 3, the wiring 7, the wiring substrate 1, the green sheet 9, and the wiring pattern 13 of the first embodiment are examples of the base substrate, the wiring, the wiring substrate, the intermediate base layer, and the intermediate wiring layer of the present disclosure. Equivalent to.
［２．第２実施形態］
次に、第２実施形態について説明するが、第１実施形態と同様な内容の説明は省略又は簡略化する。
[2. Second Embodiment]
Next, the second embodiment will be described, but the description of the same contents as in the first embodiment will be omitted or simplified.
本第２実施形態は、第１実施形態とは、配線基板の製造方法が異なるので、本第２実施形態の製造方法について説明する。なお、第１実施形態と同様な構成については、同様な番号を付す。 The second embodiment is different from the first embodiment in the method of manufacturing the wiring board, and therefore the manufacturing method of the second embodiment will be described. Note that the same numbers are assigned to the same configurations as those in the first embodiment.
＜グリーンシートの作製工程＞
第１実施形態と同様に、ガラスセラミックス原料粉末として、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＣａＯからなるホウケイ酸系ガラス粉末と、アルミナ粉末とを用意した。
<Green sheet manufacturing process>
Similar to the first embodiment, borosilicate glass powder composed of SiO 2 , B 2 O 3 , Al 2 O 3 and CaO and alumina powder were prepared as glass ceramic raw material powder.
そして、アルミナ製のポットに、所定割合のホウケイ酸系ガラス粉末とアルミナ粉末とを投入した。
これに、アクリル樹脂と溶剤と可塑剤とを、前記ポットに入れ、所定時間混合することにより、ガラスセラミックのスラリーを得た。
Then, a predetermined ratio of borosilicate glass powder and alumina powder were put into an alumina pot.
An acrylic resin, a solvent, and a plasticizer were placed in the pot and mixed for a predetermined time to obtain a glass-ceramic slurry.
次に、図３Ａに示すように、得られたスラリーを用いて、ドクターブレード法により、所定の厚みのグリーンシート９を得た。
＜導体ペーストの作製工程＞
第１実施形態と同様に、表面配線７を構成する材料として、金粉末と酸化ビスマス粉末とを用意した。また、アクリル樹脂を溶剤に溶解させたビヒクルを用意した。
Next, as shown in FIG. 3A, the obtained slurry was used to obtain a green sheet 9 having a predetermined thickness by a doctor blade method.
<Production process of conductor paste>
As with the first embodiment, gold powder and bismuth oxide powder were prepared as the materials for forming the surface wiring 7. Further, a vehicle in which an acrylic resin was dissolved in a solvent was prepared.
そして、金粉末と酸化ビスマス粉末と混合した混合物にビヒクルを加えて混錬して、金粉末及び酸化ビスマス粉末を含む導体ペーストを得た。
＜積層体の作製工程＞
次に、図３Ｂに示すように、複数のグリーンシート９を積層して圧着し、積層体１５を作製した。
Then, the vehicle was added to the mixture of the gold powder and the bismuth oxide powder and kneaded to obtain a conductor paste containing the gold powder and the bismuth oxide powder.
<Production process of laminated body>
Next, as shown in FIG. 3B, a plurality of green sheets 9 were laminated and pressure-bonded to each other to produce a laminated body 15.
＜積層体の焼成工程＞
次に、図３Ｃに示すように、積層体１５をセッター１７上に載置し、脱脂した後に、第１実施形態の焼成条件と同様な条件で焼成した。
<Baking process of laminated body>
Next, as shown in FIG. 3C, the laminated body 15 was placed on the setter 17, degreased, and then fired under the same firing conditions as in the first embodiment.
これによって、図３Ｄに示すようなガラスセラミック基板３を得た。
＜配線パターンの作製工程＞
次に、図３Ｅに示すように、ガラスセラミック基板３の表面５（即ち表と裏の表面５ａ、５ｂ）に、それぞれ、前記導体ペーストを用いてスクリーン印刷して、表と裏の配線パターン１３（即ち第１配線パターン１３ａ、第２配線パターン１３ｂ）を形成した。
Thereby, the glass ceramic substrate 3 as shown in FIG. 3D was obtained.
<Wiring pattern manufacturing process>
Next, as shown in FIG. 3E, the conductor paste is screen-printed on the surface 5 (that is, the front and back surfaces 5a and 5b) of the glass ceramic substrate 3 to form the front and back wiring patterns 13. (That is, the first wiring pattern 13a and the second wiring pattern 13b) are formed.
＜配線の作製工程＞
次に、図３Ｆに示すように、両配線パターン１３を形成したガラスセラミック基板３を、裏側の第２配線パターン１３ｂを下にしてセッター１７の上に載置した。
<Wiring production process>
Next, as shown in FIG. 3F, the glass ceramic substrate 3 having both wiring patterns 13 formed thereon was placed on the setter 17 with the second wiring pattern 13b on the back side facing down.
そして脱脂した後に、例えば８００℃にて１０００時間焼成し（即ち２次焼成し）、図３Ｇに示すように、ガラスセラミック基板３の表面５（表と裏の表面５ａ、５ｂ）に、各表面配線７を備えた配線基板１を得た。 Then, after degreasing, baking is performed at 800 ° C. for 1000 hours (that is, secondary baking), and as shown in FIG. 3G, the surface 5 (front and back surfaces 5a and 5b) of the glass ceramic substrate 3 is formed on each surface. The wiring board 1 provided with the wiring 7 was obtained.
本第２実施形態においても、第１実施形態と同様な効果を奏する。
［３．第３実施形態］
次に、第３実施形態について説明するが、第１実施形態と同様な内容の説明は省略又は簡略化する。
Also in the second embodiment, the same effect as that of the first embodiment is obtained.
[3. Third Embodiment]
Next, the third embodiment will be described, but the description of the same contents as in the first embodiment will be omitted or simplified.
本第３実施形態は、第１実施形態とは、配線基板の構造が異なるので、本第３実施形態の配線基板の構造について説明する。なお、第１実施形態と同様な構成については、同様な番号を付す。 The structure of the wiring board of the third embodiment is different from that of the first embodiment, and therefore the structure of the wiring board of the third embodiment will be described. Note that the same numbers are assigned to the same configurations as those in the first embodiment.
図４に示すように、本第３実施形態の配線基板２１では、ガラスセラミック基板３の各表面５（即ち第１表面５ａ、第２表面５ｂ）に、上述した各表面配線７（即ち第１表面配線７ａ、第２表面配線７ｂ）を備えるとともに、ガラスセラミック基板３の内部に、導電性を有する周知の内部配線層２３とビア２５とを備えている。 As shown in FIG. 4, in the wiring board 21 of the third embodiment, each surface wiring 7 (that is, the first surface 5) that is described above (that is, the first surface 5a, the second surface 5b) of the glass ceramic substrate 3 is provided. The surface wiring 7a and the second surface wiring 7b) are provided, and the well-known internal wiring layer 23 having conductivity and the via 25 are provided inside the glass ceramic substrate 3.
詳しくは、ガラスセラミック基板３を構成する両ガラスセラミック層３ａの間に、内部配線層２３を備えている。また、内部配線層２３と第１表面配線７ａとを接続するビア２５（即ち第１ビア２５ａ）を備えるとともに、内部配線層２３と第２表面配線７ｂとを接続するビア２５（即ち第２ビア２５ｂ）を備えている。 Specifically, the internal wiring layer 23 is provided between both glass ceramic layers 3 a forming the glass ceramic substrate 3. In addition, a via 25 (that is, the first via 25a) that connects the internal wiring layer 23 and the first surface wiring 7a is provided, and a via 25 (that is, the second via that connects the internal wiring layer 23 and the second surface wiring 7b). 25b).
なお、内部配線層２３とビア２５を構成する導体（金属）としては、表面配線７と同様な金属を採用することができるが、異なる金属（例えば銅）を採用することができる。また、内部配線層２３とビア２５とには、酸化ビスマスを添加しなくともよい。 As the conductor (metal) forming the internal wiring layer 23 and the via 25, the same metal as the surface wiring 7 can be adopted, but a different metal (for example, copper) can be adopted. Further, it is not necessary to add bismuth oxide to the internal wiring layer 23 and the via 25.
本第３実施形態は、第１実施形態と同様な効果を奏する。
［４．実験例］
次に、本開示の効果を確認するために行った実験例について説明する。
The third embodiment has the same effects as the first embodiment.
[4. Experimental example]
Next, an experimental example performed to confirm the effect of the present disclosure will be described.
＜実験例１＞
この実験例１は、下記に示す３種の配線基板の試料（No.１〜３）に関して、配線の接着強度（即ち接合強度）を調べたものである。つまり、それぞれの試料を作製する際の配線用の導体ペーストを違えて、各配線基板の試料を作製し、配線の接合強度を調べたものである。
<Experimental example 1>
In this experimental example 1, the adhesive strength (that is, the bonding strength) of the wiring was examined for the following three types of wiring board samples (Nos. 1 to 3). That is, the conductor pastes for wiring when preparing the respective samples were changed, the samples of the respective wiring boards were prepared, and the bonding strength of the wiring was examined.
なお、試料No.１〜３のうち、試料No.１、２は（本開示の範囲外の）比較例であり、試料No.３は本開示例である。
ａ）試料の製造方法
ここでは、試料の製造方法を説明するが、下記に記載の内容以外については、第１実施形態の製造方法と同様である。
Note that among the sample Nos. 1 to 3, sample Nos. 1 and 2 are comparative examples (outside the scope of the present disclosure), and sample No. 3 is the present disclosure example.
a) Method of Manufacturing Sample Here, a method of manufacturing a sample will be described. However, except for the contents described below, the method is the same as the manufacturing method of the first embodiment.
（導体ペーストの作製方法）
試料No.１の導体ペーストとして、Ａｕ粉末８８質量部とビヒクル１２質量部とを混練して、Ａｕペーストを作製した。
(Production method of conductor paste)
As the conductor paste of Sample No. 1, 88 parts by mass of Au powder and 12 parts by mass of vehicle were kneaded to prepare an Au paste.
試料No.２の導体ペーストとして、Ａｕ粉末８７質量部とガラス粉末１質量部とビヒクル１２質量部とを混練して、Ａｕペーストを作製した。ガラス粉末は、ＳｉＯ２６３．３質量部、Ｂ２Ｏ３２４．１質量部、Ａｌ２Ｏ３５．７質量部、ＣａＯ６．９質量部の組成を有するホウケイ酸系ガラスであり、軟化点が６００℃〜１０００℃の低軟化ガラスである。 As the conductor paste of Sample No. 2, 87 parts by mass of Au powder, 1 part by mass of glass powder and 12 parts by mass of vehicle were kneaded to prepare an Au paste. The glass powder is a borosilicate glass having a composition of SiO 2 63.3 parts by mass, B 2 O 3 24.1 parts by mass, Al 2 O 3 5.7 parts by mass, and CaO 6.9 parts by mass, and has a softening point. Is a low softening glass of 600 ° C to 1000 ° C.
試料No.３の導体ペーストとして、Ａｕ粉末８７質量部と酸化ビスマス粉末１質量部とビヒクル１２質量部とを混練して、Ａｕペーストを作製した。
（グリーンシートの作製方法）
まず、ＳｉＯ２６３．３質量部、Ｂ２Ｏ３２４．１質量部、Ａｌ２Ｏ３５．７質量部、ＣａＯ６．９質量部の組成を有するガラス粉末５０質量部と、アルミナフィラー（即ちアルミナ粉末）５０質量部とを混合して、ガラスとアルミナの混合粉末を作製した。この混合粉末の平均粒径は２．７μｍであり、アルカリ金属不純物を０．２ｍｏｌ％以下の範囲で含んでいる。
As the conductor paste of Sample No. 3, 87 parts by mass of Au powder, 1 part by mass of bismuth oxide powder, and 12 parts by mass of vehicle were kneaded to prepare an Au paste.
(How to make a green sheet)
First, 50 parts by mass of glass powder having a composition of 63.3 parts by mass of SiO 2 , 24.1 parts by mass of B 2 O 3, 5.7 parts by mass of Al 2 O 3 and 6.9 parts by mass of CaO, and an alumina filler (ie, 50 parts by mass of (alumina powder) was mixed to prepare a mixed powder of glass and alumina. This mixed powder has an average particle diameter of 2.7 μm and contains alkali metal impurities in an amount of 0.2 mol% or less.
次に、アルミナとガラスの混合粉末１００質量部に対して、アクリル樹脂からなるバインダーを１４質量部及びフタル酸ジブチルから成る可塑剤６質量部と、適量のトルエン・イソプロピルアルコール混合溶媒とを加えて、スラリーを作製した。 Next, to 100 parts by mass of the mixed powder of alumina and glass, 14 parts by mass of a binder made of an acrylic resin, 6 parts by mass of a plasticizer made of dibutyl phthalate, and an appropriate amount of a mixed solvent of toluene / isopropyl alcohol were added. , A slurry was prepared.
次に、前記スラリーを用いて、例えばドクターブレード法のシート成形により、厚さ６５μｍ〜２５０μｍ（例えば６５μｍ）のグリーンシート（即ちセラミックグリーンシート）を成形した。このグリーンシートは、比較的低温（ここでは１０００℃をいう）で焼成できる低温焼成用のグリーンシートである。 Next, using the slurry, a green sheet (that is, a ceramic green sheet) having a thickness of 65 μm to 250 μm (for example, 65 μm) was formed by sheet forming by a doctor blade method, for example. This green sheet is a low-temperature green sheet that can be fired at a relatively low temperature (here, 1000 ° C.).
（配線基板の作製方法）
次に、複数（例えば３枚）のグリーンシートを用意し、各グリーンシートの一方の表面の所定位置（各試料の配線の形成位置）に、スクリーン印刷法にて、前記No.１〜３の各試料のＡｕペーストをそれぞれ印刷した。つまり、３種の異なる配線パターンをそれぞれ形成した３種の異なるグリーンシートを作製した。なお、配線パターンは、縦２ｍｍ×横２ｍｍである。
(Method of manufacturing wiring board)
Next, a plurality of (for example, three) green sheets are prepared, and at a predetermined position on one surface of each green sheet (wiring formation position of each sample), the No. The Au paste of each sample was printed, respectively. That is, three different kinds of green sheets each having three different kinds of wiring patterns formed were produced. The wiring pattern has a length of 2 mm and a width of 2 mm.
次に、各配線パターンを印刷した各グリーンシートの他方の表面（即ち配線パターンを形成しない表面）に溶剤を塗布した。そして、溶剤を塗布した面を合わせるようにして、一対のグリーンシートを積層し、外側に両面に配線パターンを備えた積層母材を作製した。なお、積層する一対のグリーンシートの配線パターンは、同じ種類である。 Next, a solvent was applied to the other surface of each green sheet on which each wiring pattern was printed (that is, the surface on which no wiring pattern was formed). Then, a pair of green sheets were laminated so that the surfaces coated with the solvent were aligned, and a laminated base material provided with wiring patterns on both surfaces on the outside was produced. The wiring patterns of the pair of stacked green sheets are of the same type.
次に、前記積層母材を、縦５０ｍｍ×横５０ｍｍに切断し、積層体を作製した。
次に、前記積層体を、アルミナ製のセッター上に載置し、周知のように脱脂した後に、９００℃〜１１００℃の温度範囲で、１〜３時間焼成（即ち同時焼成）を行った。この焼成によって、ガラスセラミック基板の表面にＡｕメタライズを形成した。
Next, the laminated base material was cut into a length of 50 mm and a width of 50 mm to prepare a laminated body.
Next, the laminate was placed on an alumina setter, degreased in a known manner, and then fired at a temperature range of 900 ° C to 1100 ° C for 1 to 3 hours (that is, simultaneous firing). By this firing, Au metallization was formed on the surface of the glass ceramic substrate.
つまり、これによって、ガラスセラミック基板の両側に配線を備えた３種の配線基板（即ち試料No.１〜３に対応した配線基板）を得た。
なお、同時焼成の際に、本開示例の試料No.３の配線基板の配線は、セッターに接着することはなかった。一方、比較例の試料No.１、２の配線基板の配線は、セッターに接着していた。
That is, by doing so, three types of wiring boards (that is, wiring boards corresponding to sample Nos. 1 to 3) having wiring on both sides of the glass ceramic substrate were obtained.
Note that the wiring of the wiring board of Sample No. 3 of the example of the present disclosure was not adhered to the setter during the co-firing. On the other hand, the wirings of the wiring boards of sample Nos. 1 and 2 of the comparative example were adhered to the setter.
ｂ）試料の実験方法
次に、上述した３種の試料の実験方法を説明する。
各試料の配線基板の配線（縦２ｍｍ×横２ｍｍ）の表面に、直径０．５ｍｍの太さの鉄製のワイヤーの先端をハンダ付けた。そして、配線基板を固定した状態で、ワイヤーを上方に引っ張る引張試験を行って配線の接合強度を測定した。
b) Experimental Method of Samples Next, experimental methods of the above-mentioned three kinds of samples will be described.
The tip of a wire made of iron having a diameter of 0.5 mm was soldered to the surface of the wiring (2 mm long × 2 mm wide) of the wiring board of each sample. Then, with the wiring board fixed, a tensile test of pulling the wire upward was performed to measure the bonding strength of the wiring.
具体的には、各試料に接合したワイヤーを引っ張り、その際に配線がガラスセラミック基板から剥離する強度（引張強度）を測定した。その結果を下記表１に記す。
なお、実験では、各試料を６個ずつ用意し、各試料毎の強度の平均値、最大値、最小値を求めた。
Specifically, the wire joined to each sample was pulled, and the strength (tensile strength) at which the wiring was peeled from the glass ceramic substrate was measured. The results are shown in Table 1 below.
In the experiment, six samples were prepared and the average value, maximum value, and minimum value of the intensity of each sample were obtained.
＜実験例２＞
次に、実験例２について説明する。
実験例２は、前記試料No.１〜３の配線基板の配線に、メッキ処理を行って、メッキ不良の発生状態を調べたものである。
<Experimental example 2>
Next, Experimental Example 2 will be described.
In Experimental Example 2, the wiring of the wiring boards of Sample Nos. 1 to 3 was subjected to plating treatment, and the generation state of plating defects was examined.
なお、メッキ処理としては、周知の無電解メッキによって、配線の表面にＮｉメッキ層を形成し、次に、Ｎｉメッキ層の表面に、周知の電解メッキによって金メッキ層を形成するものである。 As the plating process, a Ni plating layer is formed on the surface of the wiring by known electroless plating, and then a gold plating layer is formed on the surface of the Ni plating layer by known electrolytic plating.
そして、試料No.１〜３の配線基板の配線に、前記メッキ処理を行って、配線の外観観察を行ったところ、比較例の試料No.２は、配線の表面にメッキされていない部分を有するメッキ不良が発生し好ましくない。一方、本開示の試料No.３では、十分にメッキ層が形成されており好適である。なお、比較例の試料No.１は、メッキ層が形成されるが、上述のように引張強度が小さいという問題がある。 Then, when the wiring of the wiring boards of Sample Nos. 1 to 3 was subjected to the plating treatment and the appearance of the wiring was observed, Sample No. 2 of the comparative example showed that the surface of the wiring was not plated. This is not preferable because it causes defective plating. On the other hand, Sample No. 3 of the present disclosure is suitable because the plating layer is sufficiently formed. Although the sample No. 1 of the comparative example has a plated layer formed, it has a problem that the tensile strength is small as described above.
＜実験例３＞
次に、実験例３について説明する。
実験例３は、本開示例の試料No.３の配線基板に対して、各種の成分の分布状態を調べたものである。
<Experimental example 3>
Next, Experimental Example 3 will be described.
Experimental Example 3 is an examination of distribution states of various components with respect to the wiring board of Sample No. 3 of the present disclosure example.
具体的には、試料No.３の配線基板を、Ａｕメタライズである配線を含むように厚み方向に破断し、その断面をクロスセクションポリッシャにて表面処理を行った（図５Ａ参照）。 Specifically, the wiring board of Sample No. 3 was fractured in the thickness direction so as to include the wiring made of Au metallization, and the cross section was surface-treated with a cross section polisher (see FIG. 5A).
そして、その断面に対してＥＰＭＡ（Electron Probe Micro Analyzer）にて成分分析を行った。その結果、配線からは、ガラスセラミック基板の成分である、ＡｌやＳｉは観察されなかった（図５Ｂ、図５Ｃ参照）。なお、図５Ｂでは、基板部分の白色等のドットがＡｌを示し、図５Ｃでは、基板部分の白色等のドットがＳｉを示している。 Then, component analysis was performed on the cross section with an EPMA (Electron Probe Micro Analyzer). As a result, Al and Si, which are components of the glass ceramic substrate, were not observed in the wiring (see FIGS. 5B and 5C). Note that in FIG. 5B, white dots in the substrate portion indicate Al, and in FIG. 5C, white dots in the substrate portion indicate Si.
一方、Ｂｉについては、配線からガラスセラミック基板の範囲まで拡散していることが確認された（図５Ｄ参照）。なお、図５Ｄでは、配線部分などの白色のドットがＢｉを示している。 On the other hand, it was confirmed that Bi diffused from the wiring to the glass ceramic substrate (see FIG. 5D). Note that in FIG. 5D, white dots such as wiring portions indicate Bi.
［５．その他の実施形態］
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲において、様々な態様にて実施することが可能である。
[5. Other Embodiments]
Although the embodiments of the present disclosure have been described above, the present disclosure is not limited to the above embodiments and can be implemented in various modes without departing from the scope of the present disclosure.
（１）例えば、ガラスセラミックス基板の組成や配線の組成については、本開示の範囲を逸脱しない範囲において、各種の組成を採用できる。
（２）また、配線基板の構成、例えば表面の配線や内部配線やビアの配置等については、本開示の範囲を逸脱しない範囲において、各種の組成を採用できる。
(1) For example, with respect to the composition of the glass-ceramic substrate and the composition of the wiring, various compositions can be adopted without departing from the scope of the present disclosure.
(2) Further, with regard to the configuration of the wiring board, for example, the layout of the wiring on the surface, the internal wiring, the via, and the like, various compositions can be adopted without departing from the scope of the present disclosure.
（３）なお、上記各実施形態における１つの構成要素が有する機能を複数の構成要素に分担させたり、複数の構成要素が有する機能を１つの構成要素に発揮させたりしてもよい。また、上記各実施形態の構成の一部を、省略してもよい。また、上記各実施形態の構成の少なくとも一部を、他の実施形態の構成に対して付加、置換等してもよい。なお、特許請求の範囲に記載の文言から特定される技術思想に含まれるあらゆる態様が本開示の実施形態である。 (3) Note that the function of one constituent element in each of the above embodiments may be shared by a plurality of constituent elements, or the function of a plurality of constituent elements may be exerted by one constituent element. Further, part of the configuration of each of the above embodiments may be omitted. Further, at least a part of the configuration of each of the above embodiments may be added to or replaced with the configuration of the other embodiments. Note that all aspects included in the technical idea specified by the wording of the claims are the embodiments of the present disclosure.
１、２１…配線基板
３…ガラスセラミック基板
７…配線
９…グリーンシート
１１…積層体
１３…配線パターン
1, 21 ... Wiring substrate 3 ... Glass ceramic substrate 7 ... Wiring 9 ... Green sheet 11 ... Laminated body 13 ... Wiring pattern
Claims (4)
前記ベース基板は、ガラスセラミックを主成分とし、
前記配線は、酸化ビスマスを含むとともに、ガラス相を含まない、
配線基板。 In a wiring board provided with a wiring containing at least one metal selected from Au, Ag, and Cu as a main component on the surface of the base substrate,
The base substrate is mainly composed of glass ceramic,
The wiring contains bismuth oxide and does not contain a glass phase,
Wiring board.
請求項１に記載の配線基板。 Inside the base substrate, provided with internal wiring,
The wiring board according to claim 1.
前記ベース基板のガラスとセラミックとを含む材料からなる中間ベース層と、前記配線の前記金属と前記酸化ビスマスとを含む材料からなり前記中間ベース層に形成された中間配線層と、を同時焼成して、前記ベース基板と前記配線とを作製する、
配線基板の製造方法。 A method of manufacturing a wiring board according to claim 1 or 2, wherein
Simultaneous firing of an intermediate base layer made of a material containing glass and ceramic of the base substrate and an intermediate wiring layer made of a material containing the metal of the wiring and bismuth oxide and formed in the intermediate base layer. To produce the base substrate and the wiring,
Wiring board manufacturing method.
前記ベース基板のガラスとセラミックとを含む材料からなる中間ベース層を焼成して前記ベース基板を作製し、前記ベース基板に前記配線の前記金属と前記酸化ビスマスとを含む材料からなる中間配線層を形成し、該中間配線層を焼成して前記配線を作製する、
配線基板の製造方法。 A method of manufacturing a wiring board according to claim 1 or 2, wherein
An intermediate base layer made of a material containing glass and ceramic of the base substrate is baked to produce the base substrate, and an intermediate wiring layer made of a material containing the metal of the wiring and the bismuth oxide is formed on the base substrate. And forming the wiring by firing the intermediate wiring layer,
Wiring board manufacturing method.
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