JP2020076782A - Electronic device, electronic apparatus, and movable body - Google Patents

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Abstract

To provide an electronic device that can increase bond strength by making an interval h2 between a substrate and a lid body constant, and a method for manufacturing the electronic device.SOLUTION: An electronic device of the present invention comprises: a functional element 80 that is joined onto a substrate 10; and a lid body 50 that is joined to a joint part 61 on the substrate 10 with a joint material 60 and covers the functional element 80 to form an internal space with the substrate 10. The electronic device includes gap members 90 that are brought into contact with a surface of the substrate 10 facing the lid body 50 and a surface of the lid body 50 facing the substrate 10, and a height of the gap members 90 is larger than a thickness of the joint material 60.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、電子デバイス、電子デバイスの製造方法、電子機器および移動体に関する。   The present invention relates to an electronic device, a method for manufacturing an electronic device, an electronic device, and a moving body.

従来、例えば、シリコンＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ ＭｅｃｈａｎｉｃａｌＳｙｓｔｅｍｓ）技術を用いて物理量を検出する機能素子を備えた電子デバイスとして、半導体基板あるいはガラス基板などのパッケージ基板（基体）上に、シリコン基板などから形成された機能素子を設けて、封止材によって気密封止された加速度センサーやジャイロセンサーなどが知られている。   Conventionally, for example, as an electronic device having a functional element for detecting a physical quantity using a silicon MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) technology, it is formed from a silicon substrate or the like on a package substrate (base) such as a semiconductor substrate or a glass substrate BACKGROUND ART An acceleration sensor, a gyro sensor, and the like, which are provided with a functional element and hermetically sealed by a sealing material, are known.

このような電子デバイスとして、例えば、特許文献１では、封止材としての低融点ガラスを減圧雰囲気下で流動点以上に加熱して、ベース基板とリッドとを接合してパッケージを製造することが開示されている。特許文献１に記載の低融点ガラスには、ギャップ材が含まれており、このギャップ材によって、ベース基板とリッドとの間隔を一定にして、低融点ガラスを確実に存在させて接合する電子デバイスの製造方法が開示されている。   As such an electronic device, in Patent Document 1, for example, a low-melting-point glass as a sealing material may be heated above a pour point in a reduced pressure atmosphere to bond a base substrate and a lid to manufacture a package. It is disclosed. The low melting point glass described in Patent Document 1 contains a gap material, and the gap material makes the gap between the base substrate and the lid constant, and the low melting point glass is surely present and bonded to the electronic device. Is disclosed.

特開２０１４−３８９６９号公報JP, 2014-38969, A

しかしながら、特許文献１に記載されている電子デバイスの製造方法では、低融点ガラスに接合機能を有していないギャップ材を入れることにより、低融点ガラスに含まれる接合機能を有する成分の含有量が減少し、ベース基板とリッドとの接合強度が低下するおそれがあった。   However, in the method for manufacturing an electronic device described in Patent Document 1, the content of the component having a bonding function contained in the low melting point glass is reduced by adding a gap material having no bonding function to the low melting point glass. There is a risk that the bonding strength between the base substrate and the lid may decrease.

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。   The present invention has been made to solve at least a part of the problems described above, and can be realized as the following modes or application examples.

［適用例１］本適用例に係る電子デバイスは、基体と、前記基体上に接合された機能素子と、接合材を介して前記基体上の接合部に接合され、前記機能素子を覆って前記基体との間に内部空間を形成している蓋体と、を備え、前記基体の前記蓋体側の面と前記蓋体の前記基体側の面とに当接された間隙部材を含んでおり、前記間隙部材の高さは、前記接合材の厚さより大きいことを特徴とする。   Application Example 1 In an electronic device according to this application example, a base body, a functional element bonded to the base body, and a bonding portion on the base body via a bonding material are provided to cover the functional element. A lid that forms an internal space between the base and the base, and includes a gap member that is in contact with the lid-side surface of the base and the base-side surface of the lid, The height of the gap member is greater than the thickness of the bonding material.

この構成によれば、接合材を介して、基体と蓋体とを接合する際に、間隙部材の高さにより、基体と蓋体との間隔が規定される。その結果、接合部に付与される接合材の量によらず、基体と蓋体との間に接合材を一定の高さ（量）で確実に挿入することができる。   With this configuration, when the base body and the lid body are joined via the joining material, the distance between the base body and the lid body is defined by the height of the gap member. As a result, the bonding material can be reliably inserted between the base body and the lid at a constant height (amount) regardless of the amount of the bonding material applied to the bonding portion.

従って、接合部に付与される接合材の量が規定量より多い場合であっても、基体と蓋体との間隔が大きくなることを抑制することができる。また、接合部に付与される接合材の量が規定量より少ない場合であっても、基体と蓋体との間隔が小さくなることを抑制することができる。その結果、基体と蓋体との間隔を一定にして確実に接合することができることから、接合強度の劣化を低減させて、信頼性の高い電子デバイスを得ることができる。   Therefore, even when the amount of the bonding material applied to the bonding portion is larger than the specified amount, it is possible to prevent the distance between the base and the lid from increasing. Further, even when the amount of the bonding material applied to the bonding portion is smaller than the specified amount, it is possible to prevent the gap between the base and the lid from becoming small. As a result, since the space between the base body and the lid can be fixed and the bonding can be performed reliably, deterioration of the bonding strength can be reduced and a highly reliable electronic device can be obtained.

［適用例２］上記適用例に係る電子デバイスにおいて、前記間隙部材の高さは、前記機能素子の厚さと略同じであることを特徴とする。   Application Example 2 In the electronic device according to the application example described above, the height of the gap member is substantially the same as the thickness of the functional element.

この構成によれば、間隙部材と機能素子とを同一基板から容易に一括形成することができ、低コスト化を図ることができる。   According to this configuration, the gap member and the functional element can be easily formed at once from the same substrate, and the cost can be reduced.

［適用例３］上記適用例に係る電子デバイスは、前記間隙部材は、前記機能素子と同じ材料で形成されていることを特徴とする。   Application Example 3 In the electronic device according to the application example described above, the gap member is formed of the same material as the functional element.

この構成によれば、間隙部材を形成するためだけの製造工程を必要としないことで、コストアップさせずに間隙部材を得ることができる。   According to this structure, since the manufacturing process only for forming the gap member is not required, the gap member can be obtained without increasing the cost.

［適用例４］上記適用例に係る電子デバイスは、前記間隙部材は、前記機能素子を囲んで配置されていることを特徴とする。   Application Example 4 In the electronic device according to the application example described above, the gap member is arranged so as to surround the functional element.

この構成によれば、接合材を介して、基体と蓋体とを接合する際に、機能素子の周囲に亘って、間隙部材の高さにより、基体と蓋体との間隔が規定される。その結果、接合部に付与される接合材の量によらず、機能素子の周囲に亘って、基体と蓋体との間に接合材を一定の高さ（量）で確実に挿入することができる。その結果、基体と蓋体とを確実に接合することができる。   According to this configuration, when the base body and the lid body are joined via the joining material, the distance between the base body and the lid body is defined by the height of the gap member over the periphery of the functional element. As a result, it is possible to reliably insert the bonding material at a constant height (amount) between the base body and the lid over the periphery of the functional element regardless of the amount of the bonding material applied to the bonding portion. it can. As a result, it is possible to reliably bond the base body and the lid body.

［適用例５］上記適用例に係る電子デバイスにおいて、前記間隙部材は、シリコンを含んで形成されていることを特徴とする。   Application Example 5 In the electronic device according to the application example described above, the gap member is formed to contain silicon.

この構成によれば、間隙部材を形成する際に、シリコン半導体デバイスの作製に用いられる加工技術の適用が可能となる。その結果、微細かつ高い精度で間隙部材を形成することができる。   According to this configuration, it is possible to apply the processing technique used for manufacturing the silicon semiconductor device when forming the gap member. As a result, the gap member can be formed finely and with high accuracy.

［適用例６］上記適用例に係る電子デバイスにおいて、前記蓋体は、シリコンを含んで形成されていることを特徴とする。   Application Example 6 In the electronic device according to the application example described above, the lid is formed by including silicon.

この構成によれば、蓋体を形成する際に、シリコン半導体デバイスの作製に用いられる加工技術の適用が可能となる。その結果、微細かつ高い精度で蓋体を形成することができる。   According to this configuration, it is possible to apply the processing technique used for manufacturing the silicon semiconductor device when forming the lid body. As a result, the lid can be formed finely and with high accuracy.

［適用例７］上記適用例に係る電子デバイスにおいて、前記間隙部材は、前記蓋体と一体になっていることを特徴とする。   Application Example 7 In the electronic device according to the application example described above, the gap member is integrated with the lid body.

この構成によれば、間隙部材と蓋体とを同一基板から容易に一括形成することができ、低コスト化を図ることができる。   According to this configuration, the gap member and the lid can be easily collectively formed from the same substrate, and the cost can be reduced.

［適用例８］上記適用例に係る電子デバイスにおいて、前記基体は、ガラスを含んで形成されていることを特徴とする。   Application Example 8 In the electronic device according to the application example described above, the base body is formed to include glass.

この構成によれば、基体と機能素子との間に絶縁性を保つ際に、基体に絶縁膜を介在させる必要が無く、容易に絶縁分離をすることができる。   According to this structure, when the insulating property is maintained between the base and the functional element, it is not necessary to interpose an insulating film on the base, and the insulation can be easily separated.

［適用例９］上記適用例に係る電子デバイスは、前記接合材は、低融点ガラスを含んで形成されていることを特徴とする。   Application Example 9 The electronic device according to the application example described above is characterized in that the bonding material includes a low melting point glass.

この構成によれば、基体と蓋体とを接合する際に、樹脂や金属やソーダガラスなどで接合する場合と比較して低温度で接合することができる。その結果、基体と蓋体とが高温にさらされることを低減し、破損を抑制することができる。   According to this configuration, when the base and the lid are joined, the joining can be performed at a lower temperature than in the case of joining with resin, metal, soda glass, or the like. As a result, it is possible to reduce the exposure of the base body and the lid body to a high temperature and suppress the damage.

［適用例１０］本適用例に係る電子デバイスの製造方法は、基体上に、機能素子を接合する第１接合工程と、間隙部材を形成するエッチング工程と、可撓性を有する接合材を介して、前記機能素子を覆って前記基体との間に内部空間を形成するように、前記基体の接合部に蓋体を接合する第２接合工程と、を備え、前記第２接合工程では、前記間隙部材を、前記基体の前記蓋体側の面と前記蓋体の前記基体側の面とに当接させるステップを含み、前記間隙部材の高さは、前記接合材の厚さより大きいことを特徴とする。   Application Example 10 In the method for manufacturing an electronic device according to this application example, the first bonding step of bonding the functional element, the etching step of forming the gap member, and the flexible bonding material are performed on the substrate. And a second joining step of joining a lid to the joining portion of the base so as to form an internal space between the functional element and the base, and in the second joining step, A step of bringing a gap member into contact with the lid-side surface of the base body and the base-side surface of the lid body, wherein the height of the gap member is larger than the thickness of the bonding material. To do.

この方法によれば、接合材を介して、基体と蓋体とを接合する際に、間隙部材の高さにより、基体と蓋体との間隔が規定される。その結果、接合部に付与される接合材の量によらず、基体と蓋体との間に一定の高さで接合材を確実に挿入することができる。   According to this method, the distance between the base body and the lid body is defined by the height of the gap member when the base body and the lid body are joined together via the joining material. As a result, it is possible to reliably insert the bonding material at a constant height between the base body and the lid regardless of the amount of the bonding material applied to the bonding portion.

従って、接合部に付与される接合材の量が規定量より多い場合であっても、基体と蓋体との間隔が大きくなることを抑制することができる。また、接合部に付与される接合材の量が規定量より少ない場合でも、基体と蓋体との間隔が小さくなることを抑制することができる。その結果、基体と蓋体とを確実に接合することができることから、接合強度が劣化することを低減させて、信頼性の高い電子デバイスの製造方法を提供できる。   Therefore, even when the amount of the bonding material applied to the bonding portion is larger than the specified amount, it is possible to prevent the distance between the base and the lid from increasing. Further, even when the amount of the bonding material applied to the bonding portion is smaller than the specified amount, it is possible to prevent the gap between the base and the lid from becoming small. As a result, it is possible to reliably bond the base body and the lid body, and thus it is possible to reduce deterioration of the bonding strength and provide a highly reliable method for manufacturing an electronic device.

［適用例１１］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の電子デバイスを備えたことを特徴とする。   Application Example 11 An electronic apparatus according to this application example includes the electronic device described above.

このような電子機器によれば、上述した電子デバイスが搭載されていることによって、信頼性の高い電子機器を得ることができる。   According to such an electronic device, since the electronic device described above is mounted, a highly reliable electronic device can be obtained.

［適用例１２］本適用例に係る移動体は、上記に記載の電子デバイスを備えたことを特徴とする。   Application Example 12 A moving body according to this application example is equipped with the electronic device described above.

このような移動体によれば、上述した電子デバイスが搭載されていることによって、信頼性の高い移動体を得ることができる。   According to such a moving body, it is possible to obtain a highly reliable moving body by mounting the electronic device described above.

電子デバイスの一例としての加速度センサーの概略構成を模式的に示す平面図。The top view which shows typically the schematic structure of the acceleration sensor as an example of an electronic device. 加速度センサーの概略構成を模式的に示し、図１のＡ−Ａ線における正断面図。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 1, schematically showing the schematic configuration of the acceleration sensor. 図２の間隙部材および突起部を拡大した正断面図。FIG. 3 is an enlarged front sectional view of the gap member and the protrusion of FIG. 2. 本実施形態に係る加速度センサーの製造方法の概略を示すフローチャート。6 is a flowchart showing an outline of a method of manufacturing the acceleration sensor according to the present embodiment. 加速度センサーの製造方法の工程フロー１を示す正断面図。FIG. 6 is a front cross-sectional view showing process flow 1 of the method for manufacturing the acceleration sensor. 加速度センサーの製造方法の工程フロー２，４を示す正断面図。FIG. 7 is a front cross-sectional view showing process flows 2 and 4 of the method for manufacturing the acceleration sensor. 加速度センサーの製造方法の工程フロー３を示す正断面図。FIG. 6 is a front sectional view showing process flow 3 of the method for manufacturing the acceleration sensor. 加速度センサーの製造方法の工程フロー５を示す正断面図。FIG. 8 is a front cross-sectional view showing process flow 5 of the method for manufacturing the acceleration sensor. 加速度センサーの製造方法の工程フロー６を示す正断面図。FIG. 7 is a front cross-sectional view showing process flow 6 of the method for manufacturing the acceleration sensor. 加速度センサーの製造方法の工程フロー７を示す正断面図。FIG. 8 is a front cross-sectional view showing process flow 7 of the method for manufacturing the acceleration sensor. 変形例１に係る加速度センサーを模式的に示し、間隙部材および突起部を拡大した正断面図。FIG. 7 is a front cross-sectional view schematically showing the acceleration sensor according to Modification 1 and enlarging a gap member and a protrusion. 変形例２に係る間隙部材の配置を示す概略平面図。FIG. 9 is a schematic plan view showing the arrangement of gap members according to Modification 2. 変形例３に係る間隙部材の配置を示す概略平面図。FIG. 9 is a schematic plan view showing the arrangement of gap members according to Modification 3. 変形例４に係る間隙部材の配置を示す概略平面図。FIG. 9 is a schematic plan view showing the arrangement of gap members according to Modification 4. 変形例５に係る間隙部材の配置を示す概略平面図。FIG. 9 is a schematic plan view showing the arrangement of gap members according to Modification 5. 変形例６に係る間隙部材の配置を示す概略平面図。FIG. 9 is a schematic plan view showing the arrangement of gap members according to Modification 6. 電子デバイスを備えている電子機器としてのモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を模式的に示す斜視図。FIG. 1 is a perspective view schematically showing the configuration of a mobile (or notebook) personal computer as an electronic device including an electronic device. 電子デバイスを備えている電子機器としての携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を模式的に示す斜視図。The perspective view which shows typically the structure of the mobile telephone (also including PHS) as an electronic device provided with the electronic device. 電子デバイスを備えている電子機器としてのデジタルスチールカメラの構成を模式的に示す斜視図。The perspective view which shows typically the structure of the digital still camera as an electronic device provided with the electronic device. 電子デバイスを備えている移動体の一例としての自動車を模式的に示す斜視図。The perspective view which shows typically the motor vehicle as an example of the mobile body provided with the electronic device.

以下、本実施形態について説明する。なお、以下で説明する本実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、本実施形態で説明される構成の全てが、本発明の必須構成要件であるとは限らない。また、以下では、説明の便宜上、各図において、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸を図示しており、Ｘ軸に平行な方向を「Ｘ軸方向」、Ｙ軸に平行な方向を「Ｙ軸方向」、Ｚ軸に平行な方向を「Ｚ軸方向」という。また、＋Ｚ軸方向側を「上」、−Ｚ軸方向側を「下」という。   The present embodiment will be described below. The present embodiment described below does not unreasonably limit the content of the present invention described in the claims. Moreover, not all of the configurations described in the present embodiment are essential configuration requirements of the invention. Further, in the following, for convenience of description, in each drawing, an X axis, a Y axis, and a Z axis are shown as three axes orthogonal to each other, and a direction parallel to the X axis is an “X axis direction”, a Y axis. The direction parallel to is called the “Y-axis direction”, and the direction parallel to the Z-axis is called the “Z-axis direction”. Further, the + Z axis direction side is referred to as “upper” and the −Z axis direction side is referred to as “lower”.

＜実施形態＞
［加速度センサー］
図１〜図３を用いて、本発明の実施形態に係る電子デバイスとしての加速度センサーの構造について説明する。図１および図２は、本実施形態に係る電子デバイスの一例としての加速度センサーの概略構成を模式的に示しており、図１は、平面図、図２は、図１のＡ−Ａ線における正断面図である。 <Embodiment>
[Accelerometer]
A structure of an acceleration sensor as an electronic device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3. 1 and 2 schematically show a schematic configuration of an acceleration sensor as an example of the electronic device according to the present embodiment. FIG. 1 is a plan view and FIG. 2 is taken along the line AA of FIG. FIG.

図１および図２に示すように、本実施形態に係る加速度センサー１００は、基体１０と、溝部１５と、配線２０と、外部接続端子３０と、蓋体５０と、接合材６０と、機能素子８０と、間隙部材９０と、を含んで構成されている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the acceleration sensor 100 according to the present embodiment includes a base body 10, a groove portion 15, a wiring 20, an external connection terminal 30, a lid 50, a bonding material 60, and a functional element. 80 and a gap member 90.

また、加速度センサー１００は、溝部１６，１７と、配線２２，２４と、外部接続端子３２，３４と、貫通孔５８と、封止部材７０とを含んでいる。なお、便宜上、図１では、蓋体５０、貫通孔５８、および封止部材７０を透視して図示している。   The acceleration sensor 100 also includes groove portions 16 and 17, wirings 22 and 24, external connection terminals 32 and 34, a through hole 58, and a sealing member 70. Note that, for convenience, in FIG. 1, the lid 50, the through hole 58, and the sealing member 70 are seen through.

（基体）
基体１０は、ガラス（ホウ珪酸ガラス）で形成されている。基体１０の材質は、ガラスに限定されることなく、例えば、シリコンであってもよい。図２に示すように、基体１０は、基体１０の上面（以下、第１面１１と呼ぶ）と、第１面１１と反対側の下面（第２面１２と呼ぶ）と、を有している。第１面１１には、凹部１４が設けられている。 (Base)
The base 10 is made of glass (borosilicate glass). The material of the substrate 10 is not limited to glass and may be silicon, for example. As shown in FIG. 2, the base 10 has an upper surface of the base 10 (hereinafter referred to as a first surface 11) and a lower surface opposite to the first surface 11 (referred to as a second surface 12). There is. A recess 14 is provided on the first surface 11.

凹部１４の＋Ｚ軸方向には、機能素子８０の可動部８６および可動電極部８７が配置され、可動部８６および可動電極部８７は、凹部１４によって基体１０に妨害されることなく、所望の方向に可動することができる。Ｚ軸方向から見た平面視において、凹部１４の形状は特に限定されないが、本実施形態では長方形である。   The movable portion 86 and the movable electrode portion 87 of the functional element 80 are arranged in the + Z axis direction of the concave portion 14, and the movable portion 86 and the movable electrode portion 87 are in a desired direction without being disturbed by the concave portion 14 by the base 10. Can be moved to. The shape of the recess 14 is not particularly limited when viewed in a plan view from the Z-axis direction, but is rectangular in the present embodiment.

溝部１５は、基体１０の第１面１１に設けられており、基体１０および蓋体５０によって囲まれる内部空間５６の内側から外側に向かって延在している。溝部１５は、例えば、配線２０および外部接続端子３０の平面形状に対応した平面形状を有している。   The groove portion 15 is provided on the first surface 11 of the base body 10 and extends from the inside to the outside of the internal space 56 surrounded by the base body 10 and the lid 50. The groove 15 has a planar shape corresponding to the planar shapes of the wiring 20 and the external connection terminal 30, for example.

同様に、溝部１６，１７は、基体１０の第１面１１に凹部１４の外周に沿うように設けられている。具体的に説明すると、溝部１６は、外部接続端子３２から−Ｘ軸方向に延在し、凹部１４の外周に沿って、凹部１４の＋Ｙ軸方向側、−Ｘ軸方向側を経て、−Ｙ軸方向側の最も＋Ｘ軸方向側に配置されている固定電極部８８まで設けられている。   Similarly, the grooves 16 and 17 are provided on the first surface 11 of the base 10 so as to extend along the outer periphery of the recess 14. More specifically, the groove portion 16 extends from the external connection terminal 32 in the −X axis direction, and extends along the outer periphery of the recess portion 14 via the + Y axis direction side of the recess portion 14, the −X axis direction side, and the −Y axis direction. The fixed electrode portion 88 is provided up to the + X axis direction side of the axial direction side.

溝部１７は、外部接続端子３４から−Ｘ軸方向に延在し、溝部１６の外側に沿って、凹部１４の＋Ｙ軸方向側、−Ｘ軸方向側を経て、−Ｙ軸方向側の最も＋Ｘ軸方向側に配置されている固定電極部８９まで設けられている。   The groove portion 17 extends in the −X axis direction from the external connection terminal 34, and extends along the outside of the groove portion 16 through the + Y axis direction side and the −X axis direction side of the recess 14 and the most + X on the −Y axis direction side. The fixed electrode portion 89 arranged on the axial side is provided.

溝部１５，１６，１７の深さ（Ｚ軸方向の大きさ）は、配線２０，２２，２４および外部接続端子３０，３２，３４の厚み（Ｚ軸方向の大きさ）よりも大きい。これにより、配線２０，２２，２４および外部接続端子３０，３２，３４が、第１面１１よりも＋Ｚ軸方向に突出することを抑制することができる。   The depth (size in the Z-axis direction) of the groove portions 15, 16, 17 is larger than the thickness (size in the Z-axis direction) of the wirings 20, 22, 24 and the external connection terminals 30, 32, 34. This can prevent the wirings 20, 22, 24 and the external connection terminals 30, 32, 34 from projecting in the + Z-axis direction beyond the first surface 11.

（配線）
配線２０は、溝部１５内に設けられている。具体的には、配線２０は、溝部１５の底面を規定する基体１０の面に設けられている。配線２０は、機能素子８０と外部接続端子３０とを電気的に接続している。配線２０は、溝部１５内に設けられたコンタクト部４０を介して、機能素子８０の固定部８１に接続されている。 (wiring)
The wiring 20 is provided in the groove portion 15. Specifically, the wiring 20 is provided on the surface of the base body 10 that defines the bottom surface of the groove portion 15. The wiring 20 electrically connects the functional element 80 and the external connection terminal 30. The wiring 20 is connected to the fixed portion 81 of the functional element 80 via the contact portion 40 provided in the groove portion 15.

配線２２は、溝部１６内に設けられている。具体的には、配線２２は、溝部１６の底面を規定する基体１０の面に設けられている。配線２２は、機能素子８０と外部接続端子３２とを電気的に接続している。配線２２は、コンタクト部４２を介して、機能素子８０の固定電極部８８に接続されている。   The wiring 22 is provided in the groove 16. Specifically, the wiring 22 is provided on the surface of the base body 10 that defines the bottom surface of the groove portion 16. The wiring 22 electrically connects the functional element 80 and the external connection terminal 32. The wiring 22 is connected to the fixed electrode portion 88 of the functional element 80 via the contact portion 42.

配線２４は、溝部１７内に設けられている。具体的には、配線２４は、溝部１７の底面を規定する基体１０の面に設けられている。配線２４は、機能素子８０と外部接続端子３４とを電気的に接続している。配線２４は、コンタクト部４４を介して、機能素子８０の固定電極部８９に接続されている。   The wiring 24 is provided in the groove portion 17. Specifically, the wiring 24 is provided on the surface of the base 10 that defines the bottom surface of the groove 17. The wiring 24 electrically connects the functional element 80 and the external connection terminal 34. The wiring 24 is connected to the fixed electrode portion 89 of the functional element 80 via the contact portion 44.

外部接続端子３０は、溝部１５内の配線２０上に設けられている。外部接続端子３０は、内部空間５６の外側に配置されており、Ｚ軸方向から見た平面視において、蓋体５０の端子孔５５と重なる位置に設けられている。端子孔５５は、外部装置（図示せず）と外部接続端子３０とを接続するために、蓋体５０をＺ軸方向に貫通させた孔である。   The external connection terminal 30 is provided on the wiring 20 in the groove 15. The external connection terminal 30 is arranged outside the internal space 56, and is provided at a position overlapping the terminal hole 55 of the lid body 50 in a plan view seen from the Z-axis direction. The terminal hole 55 is a hole that penetrates the lid body 50 in the Z-axis direction in order to connect an external device (not shown) and the external connection terminal 30.

同様に、外部接続端子３２は、溝部１６内の配線２２上に設けられており、外部接続端子３４は、溝部１７内の配線２４上に設けられている。外部接続端子３２，３４は、内部空間５６の外側に配置されている。外部接続端子３０，３２，３４は、Ｙ軸方向に沿って並んで配置されている。   Similarly, the external connection terminal 32 is provided on the wiring 22 in the groove portion 16, and the external connection terminal 34 is provided on the wiring 24 in the groove portion 17. The external connection terminals 32 and 34 are arranged outside the internal space 56. The external connection terminals 30, 32, 34 are arranged side by side along the Y-axis direction.

配線２０，２２，２４、および外部接続端子３０，３２，３４の材質は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、アルミニウム、金、白金、チタン、タングステン、クロムなどである。コンタクト部４０，４２，４４の材質は、例えば、金、銅、アルミニウム、白金、チタン、タングステン、クロムなどである。   The material of the wirings 20, 22, 24 and the external connection terminals 30, 32, 34 is, for example, ITO (Indium Tin Oxide), aluminum, gold, platinum, titanium, tungsten, chromium, or the like. The material of the contact portions 40, 42, 44 is, for example, gold, copper, aluminum, platinum, titanium, tungsten, chromium or the like.

配線２０，２２，２４、および外部接続端子３０，３２，３４の材質が、ＩＴＯなどの透明電極材料であると、基体１０が透明である場合に、例えば、配線２０，２２，２４上や外部接続端子３０，３２，３４上に存在する異物を、基体１０の第２面１２側から容易に確認することができる。   When the material of the wirings 20, 22, 24 and the external connection terminals 30, 32, 34 is a transparent electrode material such as ITO, when the substrate 10 is transparent, for example, on the wirings 20, 22, 24 or the outside. Foreign matter present on the connection terminals 30, 32, 34 can be easily confirmed from the second surface 12 side of the base body 10.

なお、上記では、一例として、３つの配線２０，２２，２４および３つの外部接続端子３０，３２，３４を備える加速度センサー１００について説明したが、配線および外部接続端子の数は、機能素子８０の形状や数によって適宜変更することができる。   Although the acceleration sensor 100 including the three wirings 20, 22, and 24 and the three external connection terminals 30, 32, and 34 has been described above as an example, the number of wirings and external connection terminals is the same as that of the functional element 80. It can be appropriately changed depending on the shape and the number.

（蓋体）
蓋体５０は、接合材６０を介して、基体１０の第１面１１上に接合され、機能素子８０を覆って基体１０との間に内部空間５６を形成している。蓋体５０は、シリコンで形成されている。 (Lid)
The lid 50 is bonded to the first surface 11 of the base 10 via a bonding material 60, covers the functional element 80, and forms an internal space 56 with the base 10. The lid 50 is made of silicon.

蓋体５０は、蓋体５０の上面（以下、第３面５１と呼ぶ）と、第３面５１と反対側の下面（第４面５２と呼ぶ）と、を有している。第４面５２には、凹部５７が設けられている。また、蓋体５０の凹部５７は、機能素子８０を収容する内部空間５６を規定する第５面５４を有している。内部空間５６は、例えば、窒素ガスのような不活性ガス雰囲気や減圧状態で密閉されている。   The lid 50 has an upper surface (hereinafter, referred to as a third surface 51) of the lid 50 and a lower surface (called a fourth surface 52) opposite to the third surface 51. A recess 57 is provided on the fourth surface 52. Further, the concave portion 57 of the lid body 50 has a fifth surface 54 that defines an internal space 56 that accommodates the functional element 80. The internal space 56 is sealed, for example, in an inert gas atmosphere such as nitrogen gas or in a reduced pressure state.

突起部５３は、蓋体５０のうち−Ｚ軸方向に突出している部分であり、蓋体５０の外周部に設けられている。   The protruding portion 53 is a portion of the lid body 50 that projects in the −Z-axis direction, and is provided on the outer peripheral portion of the lid body 50.

（接合材）
基体１０と蓋体５０とは、接合部６１において、接合材６０によって接合されている。接合材６０としては、例えば、低融点ガラスが挙げられる。なお、接合材６０は、特に限定されず、例えば、鉛珪酸（ＰｂＯ−ＳｉＯ2）塩、ホウ酸（Ｂ2Ｏ3）塩、リン酸（Ｐ2Ｏ5）塩、ゲルマン酸（ＧｅＯ2）塩、タリウム酸（Ｔｌ2Ｏ）塩、モリブデン酸（ＭｏＯ3）塩、テルル酸（ＴｅＯ2）塩、バナジウム酸（Ｖ2Ｏ5）塩などが挙げられる。 (Bonding material)
The base body 10 and the lid body 50 are joined by the joining material 60 at the joining portion 61. Examples of the bonding material 60 include low melting point glass. The bonding material 60 is not particularly limited, for example, lead silicate (PbO-SiO 2) salt, boric acid (B 2 O 3) salt, phosphoric acid (P 2 O 5) salt, germanate acid (GeO 2) Examples thereof include salts, thallic acid (Tl 2 O) salts, molybdic acid (MoO 3 ) salts, telluric acid (TeO 2 ) salts, vanadate (V 2 O 5 ) salts, and the like.

これらのうちの１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて、つまり、混合または積層して用いることができる。接合材６０の構成材料は、基体１０や蓋体５０の材料に応じて適宜決定すればよい。   One of these may be used alone or in combination of two or more, that is, they may be mixed or laminated and used. The constituent material of the bonding material 60 may be appropriately determined according to the material of the base body 10 and the lid body 50.

（貫通孔）
貫通孔５８は、蓋体５０の第３面５１から第５面５４まで、蓋体５０をＺ軸方向に貫通しており、内部空間５６と連通している。貫通孔５８は、第３面５１から第５面５４に向かうにつれて、開口径が小さくなるテーパー形状になっている。 (Through hole)
The through hole 58 penetrates the lid body 50 in the Z-axis direction from the third surface 51 to the fifth surface 54 of the lid body 50 and communicates with the internal space 56. The through hole 58 has a tapered shape in which the opening diameter decreases from the third surface 51 toward the fifth surface 54.

こうすることによって、後述する半田ボールを溶融する時に、半田ボールの落下を防止することができる。また、第３面５１から第５面５４に向かうにつれて、開口面積が狭くなっていく構造のため、より確実に封止することができる。   This makes it possible to prevent the solder balls from dropping when the solder balls to be described later are melted. Further, since the opening area becomes smaller from the third surface 51 toward the fifth surface 54, more reliable sealing can be achieved.

封止部材７０は、貫通孔５８内に設けられ貫通孔５８を塞いでいる。封止部材７０によって、内部空間５６は、密閉されている。封止部材７０の材質は、例えば、ＡｕＧｅ、ＡｕＳｉ、ＡｕＳｎ、ＳｎＰｂ、ＰｂＡｇ、ＳｎＡｇＣｕ、ＳｎＺｎＢｉなどの合金である。   The sealing member 70 is provided in the through hole 58 and closes the through hole 58. The internal space 56 is sealed by the sealing member 70. The material of the sealing member 70 is, for example, alloy such as AuGe, AuSi, AuSn, SnPb, PbAg, SnAgCu, SnZnBi.

貫通孔５８および封止部材７０が設けられていることにより、貫通孔５８を通して、内部空間５６を、窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気とすることができる。また、貫通孔５８を通して、内部空間５６の真空度を調整することができる。   By providing the through hole 58 and the sealing member 70, the internal space 56 can be made into an inert gas atmosphere such as nitrogen gas through the through hole 58. Further, the degree of vacuum of the internal space 56 can be adjusted through the through hole 58.

（機能素子）
機能素子８０は、内部空間５６に収容されており、基体１０の第１面１１に接合されている。以下では、機能素子８０が、水平方向（Ｘ軸方向）の加速度を検出する加速度センサー素子（静電容量型ＭＥＭＳ加速度センサー素子）である場合について説明する。 (Functional element)
The functional element 80 is housed in the internal space 56 and joined to the first surface 11 of the base 10. Hereinafter, a case will be described where the functional element 80 is an acceleration sensor element (capacitance type MEMS acceleration sensor element) that detects acceleration in the horizontal direction (X-axis direction).

機能素子８０は、固定部８１，８２と、連結部８４，８５と、可動部８６と、可動電極部８７と、固定電極部８８，８９と、を含んでいる。機能素子８０の材質は、例えば、リン、ボロンなどの不純物がドープされることにより導電性が付与されたシリコンである。   The functional element 80 includes fixed portions 81 and 82, connecting portions 84 and 85, a movable portion 86, a movable electrode portion 87, and fixed electrode portions 88 and 89. The material of the functional element 80 is, for example, silicon to which conductivity is imparted by being doped with impurities such as phosphorus and boron.

固定部８１，８２は、基体１０の第１面１１に接合されている。固定部８１，８２は、Ｚ軸方向から見た平面視において、凹部１４の外周縁を跨ぐように設けられている。   The fixing portions 81 and 82 are joined to the first surface 11 of the base body 10. The fixing portions 81 and 82 are provided so as to straddle the outer peripheral edge of the recess 14 in a plan view as seen from the Z-axis direction.

連結部８４，８５は、可動部８６を固定部８１，８２に連結している。連結部８４，８５は、所望のばね定数を持ち、可動部８６がＸ軸方向に変位するように構成されている。   The connecting portions 84 and 85 connect the movable portion 86 to the fixed portions 81 and 82. The connecting portions 84 and 85 have a desired spring constant, and the movable portion 86 is configured to be displaced in the X-axis direction.

連結部８４は、Ｙ軸方向に蛇行しながら、Ｘ軸方向に延びる形状をなす２つの梁８４ａ，８４ｂによって構成されている。同様に、連結部８５は、Ｙ軸方向に蛇行しながら、Ｘ軸方向に延びる形状をなす２つの梁８５ａ，８５ｂによって構成されている。   The connecting portion 84 is configured by two beams 84a and 84b having a shape extending in the X-axis direction while meandering in the Y-axis direction. Similarly, the connecting portion 85 is configured by two beams 85a and 85b having a shape extending in the X-axis direction while meandering in the Y-axis direction.

可動部８６は、固定部８１と固定部８２との間に設けられている。Ｚ軸方向から見た平面視において、可動部８６は、Ｘ軸方向に沿った長辺を有する長方形である。   The movable portion 86 is provided between the fixed portion 81 and the fixed portion 82. When viewed in a plan view from the Z-axis direction, the movable portion 86 is a rectangle having long sides along the X-axis direction.

可動部８６は、Ｘ軸方向の加速度の変化に応じて、連結部８４，８５を弾性変形させながら、＋Ｘ軸方向または−Ｘ軸方向に変位する。このような変位に伴って、可動電極部８７と固定電極部８８との間の隙間の大きさ、および可動電極部８７と固定電極部８９との間の隙間の大きさが変化する。   The movable portion 86 is displaced in the + X axis direction or the −X axis direction while elastically deforming the coupling portions 84 and 85 in accordance with the change in the acceleration in the X axis direction. With such displacement, the size of the gap between the movable electrode portion 87 and the fixed electrode portion 88 and the size of the gap between the movable electrode portion 87 and the fixed electrode portion 89 change.

すなわち、このような変位に伴って、可動電極部８７と固定電極部８８との間の静電容量の大きさ、および可動電極部８７と固定電極部８９との間の静電容量の大きさが変化する。これらの静電容量の変化に基づいて、機能素子８０は、Ｘ軸方向の加速度を検出することができる。   That is, with such displacement, the magnitude of the electrostatic capacitance between the movable electrode portion 87 and the fixed electrode portion 88 and the magnitude of the electrostatic capacitance between the movable electrode portion 87 and the fixed electrode portion 89. Changes. The functional element 80 can detect acceleration in the X-axis direction based on these changes in capacitance.

可動電極部８７は、可動部８６に接続されており、複数設けられている。可動電極部８７は、可動部８６から＋Ｙ軸方向および−Ｙ軸方向に突出し、櫛歯状をなすようにＸ軸方向に沿って並んでいる。   The movable electrode portion 87 is connected to the movable portion 86, and a plurality of movable electrode portions 87 are provided. The movable electrode portions 87 project from the movable portion 86 in the + Y axis direction and the −Y axis direction, and are arranged along the X axis direction so as to form a comb tooth shape.

固定電極部８８，８９は、一方の端部が固定端として、基体１０の第１面１１に接合され、他方の端部が自由端として、可動部８６側へ延出している。固定電極部８８は、配線２２と電気的に接続され、固定電極部８９は、配線２４と電気的に接続されている。   One end of each of the fixed electrode portions 88 and 89 serves as a fixed end and is joined to the first surface 11 of the base body 10, and the other end thereof serves as a free end and extends toward the movable portion 86. The fixed electrode portion 88 is electrically connected to the wiring 22, and the fixed electrode portion 89 is electrically connected to the wiring 24.

固定電極部８８，８９は、櫛歯状をなすようにＸ軸方向に交互にそれぞれ複数並んでいる。固定電極部８８，８９は、可動電極部８７に対して間隔を隔てて対向して設けられ、可動電極部８７の−Ｘ軸方向側に固定電極部８８が配置され、＋Ｘ軸方向側に固定電極部８９が配置されている。   A plurality of fixed electrode portions 88 and 89 are alternately arranged in the X-axis direction so as to form a comb shape. The fixed electrode portions 88 and 89 are provided to face the movable electrode portion 87 with a space therebetween, the fixed electrode portion 88 is arranged on the −X axis direction side of the movable electrode portion 87, and is fixed on the + X axis direction side. The electrode portion 89 is arranged.

固定部８１，８２、連結部８４，８５、可動部８６、および可動電極部８７は、一体で形成されている。   The fixed portions 81 and 82, the connecting portions 84 and 85, the movable portion 86, and the movable electrode portion 87 are integrally formed.

基体１０と機能素子８０（固定部８１，８２および固定電極部８８，８９）との接合方法は、例えば、基体１０の材質がアルカリ金属イオンを有するガラスであり、機能素子８０の材質がシリコンである場合は、陽極接合法を適用することができる。本実施形態においては、陽極接合によって基体１０と機能素子８０とが接合されている。   The method of joining the base 10 and the functional element 80 (fixed portions 81, 82 and fixed electrode portions 88, 89) is, for example, that the base 10 is made of glass containing alkali metal ions and the functional element 80 is made of silicon. In some cases, the anodic bonding method can be applied. In the present embodiment, the base 10 and the functional element 80 are joined by anodic bonding.

加速度センサー１００では、外部接続端子３０，３２を用いることにより、可動電極部８７と固定電極部８８との間の静電容量を測定することができる。さらに、加速度センサー１００では、外部接続端子３０，３４を用いることにより、可動電極部８７と固定電極部８９との間の静電容量を測定することができる。   In the acceleration sensor 100, the capacitance between the movable electrode portion 87 and the fixed electrode portion 88 can be measured by using the external connection terminals 30 and 32. Furthermore, in the acceleration sensor 100, the capacitance between the movable electrode portion 87 and the fixed electrode portion 89 can be measured by using the external connection terminals 30 and 34.

このように加速度センサー１００では、可動電極部８７と固定電極部８８との間の静電容量、および可動電極部８７と固定電極部８９との間の静電容量を別々に測定し、それらの測定結果に基づいて、高精度に加速度を検出することができる。   As described above, in the acceleration sensor 100, the electrostatic capacitance between the movable electrode portion 87 and the fixed electrode portion 88 and the electrostatic capacitance between the movable electrode portion 87 and the fixed electrode portion 89 are separately measured, and those capacitances are measured. Acceleration can be detected with high accuracy based on the measurement result.

なお、上記では、機能素子８０が、Ｘ軸方向の加速度を検出する加速度センサー素子である場合について説明したが、機能素子８０は、Ｙ軸方向の加速度を検出する加速度センサー素子であってもよいし、鉛直方向（Ｚ軸方向）の加速度を検出する加速度センサー素子であってもよい。   In the above description, the functional element 80 is an acceleration sensor element that detects acceleration in the X-axis direction, but the functional element 80 may be an acceleration sensor element that detects acceleration in the Y-axis direction. However, it may be an acceleration sensor element that detects acceleration in the vertical direction (Z-axis direction).

また、機能素子８０は、加速度センサー素子に限定されず、例えば、角速度を検出するジャイロセンサー素子や、圧力を検出する圧力センサー素子であってもよい。また、加速度センサー１００には、このような機能素子８０が複数搭載されていてもよいし、異なる機能を有する素子が組み合わされていてもよい。   The functional element 80 is not limited to the acceleration sensor element, and may be, for example, a gyro sensor element that detects an angular velocity or a pressure sensor element that detects pressure. Further, the acceleration sensor 100 may be equipped with a plurality of such functional elements 80, or may be combined with elements having different functions.

（間隙部材）
次に、間隙部材９０について、図２、図３を用いて説明する。図３は、図２の間隙部材および突起部を拡大した正断面図である。図２および図３に示すように、本実施形態の間隙部材９０は、Ｚ軸方向から見た平面視において、基体１０の第１面１１の機能素子８０の外側に、機能素子８０を挟んで対向する位置に配置されており、基体１０の第１面１１と蓋体５０の第４面５２とに当接して設けられている。 (Gap member)
Next, the gap member 90 will be described with reference to FIGS. 2 and 3. FIG. 3 is an enlarged front sectional view of the gap member and the protrusion of FIG. As shown in FIGS. 2 and 3, in the gap member 90 of the present embodiment, the functional element 80 is sandwiched outside the functional element 80 on the first surface 11 of the base body 10 in a plan view viewed from the Z-axis direction. It is arranged at a position facing each other, and is provided in contact with the first surface 11 of the base body 10 and the fourth surface 52 of the lid body 50.

間隙部材９０のＺ軸方向の長さ（以下、高さという）ｈ１は、接合材６０の高さ、つまり、基体１０と蓋体５０との間隔ｈ２より高くなっている（ｈ１＞ｈ２）。突起部５３の高さｈ３は、間隙部材９０の高さｈ１より低くなっている（ｈ１＞ｈ３）。接合材６０の高さｈ２と突起部５３の高さｈ３とを合わせると、間隙部材９０の高さｈ１に一致している（ｈ１＝ｈ２＋ｈ３）。   The length (hereinafter referred to as height) h1 of the gap member 90 in the Z-axis direction is higher than the height of the bonding material 60, that is, the distance h2 between the base body 10 and the lid 50 (h1> h2). The height h3 of the protrusion 53 is lower than the height h1 of the gap member 90 (h1> h3). When the height h2 of the bonding material 60 and the height h3 of the protruding portion 53 are combined, they match the height h1 of the gap member 90 (h1 = h2 + h3).

接合材６０の高さ（基体１０と蓋体５０との間隔）ｈ２は、基体１０と蓋体５０との接合強度の観点から決定される。本実施形態では、接合材６０の高さ（基体１０と蓋体５０との間隔）ｈ２は、１０μｍ程度である。   The height h2 of the bonding material 60 (the distance between the base body 10 and the lid body 50) is determined from the viewpoint of the bonding strength between the base body 10 and the lid body 50. In the present embodiment, the height h2 of the bonding material 60 (the distance between the base body 10 and the lid body 50) is about 10 μm.

同様に、突起部５３の高さｈ３は、機能素子８０の厚みを考慮して決定される。間隙部材９０の高さｈ１は、接合材６０の高さ（基体１０と蓋体５０との間隔）ｈ２と、突起部５３の高さｈ３とによって、決定される。   Similarly, the height h3 of the protrusion 53 is determined in consideration of the thickness of the functional element 80. The height h1 of the gap member 90 is determined by the height h2 of the bonding material 60 (the distance between the base body 10 and the lid 50) and the height h3 of the protrusion 53.

このとき、間隙部材９０の高さｈ１は、機能素子８０の厚さと同じであってもよい。一例として、接合材６０の高さ（基体１０と蓋体５０との間隔）ｈ２が１０μｍ、突起部５３の高さｈ３が２０μｍの場合には、間隙部材９０の高さｈ１は３０μｍとなる。   At this time, the height h1 of the gap member 90 may be the same as the thickness of the functional element 80. As an example, when the height h2 of the bonding material 60 (the distance between the base body 10 and the lid 50) is 10 μm and the height h3 of the protrusion 53 is 20 μm, the height h1 of the gap member 90 is 30 μm.

また、間隙部材９０のＹ軸方向の長さ（以下、幅という）Ｗ１は、５０μｍ程度であり、接合材６０の幅Ｗ２は２００μｍ程度であり、突起部５３の幅Ｗ３は２００μｍ程度であることが望ましい。   The length (hereinafter referred to as width) W1 of the gap member 90 in the Y-axis direction is about 50 μm, the width W2 of the bonding material 60 is about 200 μm, and the width W3 of the protrusion 53 is about 200 μm. Is desirable.

間隙部材９０の幅Ｗ１、接合材６０の幅Ｗ２、および突起部５３の幅Ｗ３が大きすぎると機能素子８０に接触してしまい、検出精度が低下するおそれがある。一方、間隙部材９０の幅Ｗ１、接合材６０の幅Ｗ２、および突起部５３の幅Ｗ３が小さすぎると、接合材６０の高さ（基体１０と蓋体５０との間隔）ｈ２を規定することが難しい。   If the width W1 of the gap member 90, the width W2 of the bonding material 60, and the width W3 of the protruding portion 53 are too large, the functional element 80 may come into contact with the detection element and the detection accuracy may decrease. On the other hand, if the width W1 of the gap member 90, the width W2 of the bonding material 60, and the width W3 of the protrusion 53 are too small, the height h2 of the bonding material 60 (the distance between the base body 10 and the lid 50) should be defined. Is difficult.

間隙部材９０の材質は、例えば、ガラス（ホウ珪酸ガラス）、シリコンなどを挙げることができる。間隙部材９０は、機能素子８０と同じ材料で形成されていてもよく、例えば、リン、ボロンなどの不純物をドープされることにより導電性が付与されたシリコンで構成されていてもよい。   Examples of the material of the gap member 90 include glass (borosilicate glass) and silicon. The gap member 90 may be made of the same material as that of the functional element 80, and may be made of, for example, silicon to which conductivity is imparted by being doped with impurities such as phosphorus and boron.

［加速度センサーの製造方法］
次に、本実施形態に係る電子デバイスとしての加速度センサー１００の製造方法について、図４〜図１０を参照しながら説明する。図４は、本実施形態に係る加速度センサーの製造方法の概略を示すフローチャートである。図５〜図１０は、加速度センサーの製造方法を示す工程フロー図（各工程における加速度センサーを模式的に示す正断面図）であり、図５は、工程フロー１を示し、図６は、工程フロー２，４を示し、図７は、工程フロー３を示し、図８は、工程フロー５を示し、図９は、工程フロー６を示し、図１０は、工程フロー７を示している。なお、図５〜図１０の各図における断面位置は、図２と同様である。 [Method of manufacturing accelerometer]
Next, a method of manufacturing the acceleration sensor 100 as the electronic device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 4 is a flowchart showing an outline of the method of manufacturing the acceleration sensor according to this embodiment. 5 to 10 are process flow diagrams (a front cross-sectional view schematically showing the acceleration sensor in each process) showing the method of manufacturing the acceleration sensor, FIG. 5 shows the process flow 1, and FIG. Flows 2 and 4 are shown, FIG. 7 shows a process flow 3, FIG. 8 shows a process flow 5, FIG. 9 shows a process flow 6, and FIG. 10 shows a process flow 7. The cross-sectional positions in each of FIGS. 5 to 10 are the same as those in FIG.

図４に示すように、加速度センサー１００の製造方法は、準備工程として、基体準備工程（ステップＳ１０１）と、シリコン基板準備工程（ステップＳ１０２）と、蓋体準備工程（ステップＳ１０３）とを含んでいる。   As shown in FIG. 4, the method of manufacturing the acceleration sensor 100 includes, as preparatory steps, a base body preparatory step (step S101), a silicon substrate preparatory step (step S102), and a lid body preparatory step (step S103). There is.

また、加速度センサー１００の製造方法は、第１接合工程（ステップＳ１０４）と、エッチング工程（ステップＳ１０５）と、第２接合工程（ステップＳ１０６）と、を含んでいる。さらに、加速度センサー１００の製造方法は、封止工程（ステップＳ１０７）を含んでいてもよい。   Moreover, the manufacturing method of the acceleration sensor 100 includes a first bonding step (step S104), an etching step (step S105), and a second bonding step (step S106). Furthermore, the method for manufacturing the acceleration sensor 100 may include a sealing step (step S107).

（１）基体準備工程（ステップＳ１０１）
図５に示すように、基体１０を準備する。基体１０の第１面１１に、凹部１４および溝部１５，１６，１７を形成する（図１参照）。凹部１４および溝部１５，１６，１７は、例えば、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術により形成される。基体１０は、例えば、アルカリ金属イオンを有する、例えば、ホウ珪酸ガラス製で形成されている。 (1) Substrate preparation step (step S101)
As shown in FIG. 5, the base 10 is prepared. The recess 14 and the grooves 15, 16 and 17 are formed on the first surface 11 of the base 10 (see FIG. 1). The recess 14 and the grooves 15, 16 and 17 are formed by, for example, a photolithography technique and an etching technique. The base 10 is made of, for example, borosilicate glass having alkali metal ions.

溝部１５，１６，１７内に、それぞれ配線２０，２２，２４を形成する。次に、基体１０の第１面１１側の配線２０上に、配線２０と電気的に接続されるように、外部接続端子３０およびコンタクト部４０を形成する。   Wirings 20, 22 and 24 are formed in the groove portions 15, 16 and 17, respectively. Next, the external connection terminal 30 and the contact portion 40 are formed on the wiring 20 on the first surface 11 side of the base 10 so as to be electrically connected to the wiring 20.

同様に、配線２２上に、配線２２と電気的に接続されるように、外部接続端子３２およびコンタクト部４２を形成する（図１参照）。また、配線２４上に、配線２４と電気的に接続されるように、外部接続端子３４およびコンタクト部４４を形成する（図１参照）。   Similarly, the external connection terminal 32 and the contact portion 42 are formed on the wiring 22 so as to be electrically connected to the wiring 22 (see FIG. 1). Further, the external connection terminal 34 and the contact portion 44 are formed on the wiring 24 so as to be electrically connected to the wiring 24 (see FIG. 1).

配線２０，２２，２４は、例えば、導電層（図示せず）を、スパッタ法やＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などによって成膜した後、該導電層を、パターニングすることにより形成される。パターニングは、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によって行われる。   The wirings 20, 22, and 24 are formed, for example, by forming a conductive layer (not shown) by a sputtering method, a CVD (Chemical Vapor Deposition) method, or the like, and then patterning the conductive layer. Patterning is performed by photolithography technology and etching technology.

別の方法としては、フォトレジストでパターニング後に導電膜を成膜し、フォトレジストと同時に不要な膜を剥離することで配線を形成するリフトオフ法で行うこともできる。外部接続端子３０，３２，３４およびコンタクト部４０，４２，４４は、例えば、配線２０，２２，２４と同じ方法で形成される。   As another method, a lift-off method may be used in which a conductive film is formed after patterning with a photoresist and an unnecessary film is peeled off at the same time as the photoresist to form wiring. The external connection terminals 30, 32, 34 and the contact portions 40, 42, 44 are formed by the same method as the wirings 20, 22, 24, for example.

以上の工程により、凹部１４、配線２０，２２，２４、外部接続端子３０，３２，３４、およびコンタクト部４０，４２，４４などが設けられた基体１０を準備する。   Through the above steps, the base 10 provided with the recess 14, the wirings 20, 22, 24, the external connection terminals 30, 32, 34, the contact portions 40, 42, 44, etc. is prepared.

（２）シリコン基板準備工程（ステップＳ１０２）
図６に示すように、機能素子８０を形成する元基板としてのシリコン基板８を基体１０上に載置して準備する。 (2) Silicon substrate preparation step (step S102)
As shown in FIG. 6, the silicon substrate 8 as the original substrate on which the functional element 80 is formed is placed on the substrate 10 to be prepared.

（３）蓋体準備工程（ステップＳ１０３）
図７に示すように、蓋体５０を準備する。蓋体５０の材質は、例えば、シリコン、ガラスなどを適用することができる。基体１０と蓋体５０との間に内部空間５６を形成する凹部５７や、第３面５１から第５面５４に貫通する貫通孔５８を形成する。凹部５７や貫通孔５８の形成には、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を適用することができる。 (3) Lid body preparation step (step S103)
As shown in FIG. 7, a lid 50 is prepared. As the material of the lid 50, for example, silicon, glass, or the like can be applied. A concave portion 57 that forms an internal space 56 and a through hole 58 that penetrates from the third surface 51 to the fifth surface 54 are formed between the base body 10 and the lid body 50. A photolithography technique and an etching technique can be applied to the formation of the recess 57 and the through hole 58.

（４）第１接合工程（ステップＳ１０４）
また、図６に示すように、シリコン基板準備工程（ステップＳ１０２）で準備したシリコン基板８を陽極接合によって基体１０に接合する。陽極接合の条件としては、例えば、３００℃程度の加熱を行いながら、８００Ｖから１ｋＶ程度の直流電圧を印加することが好ましい。
なお、陽極接合における加熱温度は、２５０℃から５００℃程度の範囲を適用することができる。よって、基体１０とシリコン基板８の接する部分の領域とが接合される。 (4) First bonding step (step S104)
Further, as shown in FIG. 6, the silicon substrate 8 prepared in the silicon substrate preparing step (step S102) is bonded to the base 10 by anodic bonding. As the conditions for anodic bonding, for example, it is preferable to apply a DC voltage of about 800 V to 1 kV while heating at about 300 ° C.
The heating temperature in the anodic bonding may be in the range of 250 ° C to 500 ° C. Therefore, the base 10 and the region of the contacting portion of the silicon substrate 8 are bonded.

基体１０とシリコン基板８（機能素子８０）とを陽極接合することにより、接合強度を高め、安定した接合を行うことができる。これにより、シリコン基板８に対してエッチングなどを行うことが可能となる。   By anodically bonding the base 10 and the silicon substrate 8 (functional element 80), the bonding strength can be increased and stable bonding can be performed. As a result, the silicon substrate 8 can be etched or the like.

（５）エッチング工程（ステップＳ１０５）
図８に示すように、第１接合工程（ステップＳ１０４）において基体１０に陽極接合されたシリコン基板８にパターニングして、機能素子８０（図１および図２参照）、間隙部材９０（図１および図２参照）を形成する。 (5) Etching process (step S105)
As shown in FIG. 8, the silicon substrate 8 anodically bonded to the base body 10 in the first bonding step (step S104) is patterned to form the functional element 80 (see FIGS. 1 and 2) and the gap member 90 (see FIGS. 1 and 2). (See FIG. 2).

パターニングは、フォトリソグラフィー技術およびドライエッチングもしくはウエットエッチングを用いることができる。好適には、誘電結合プラズマ（ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ））技術を使ったドライエッチング法を用いる。なお、パターニング前にシリコン基板８を所望の厚さに薄くしてもよい。   For patterning, a photolithography technique and dry etching or wet etching can be used. A dry etching method using an inductively coupled plasma (ICP) technique is preferably used. The silicon substrate 8 may be thinned to a desired thickness before patterning.

（６）第２接合工程（ステップＳ１０６）
図９に示すように、蓋体準備工程（ステップＳ１０３）で準備した蓋体５０の突起部５３の下面に接合材６０としての低融点ガラスをスクリーン印刷法を用いて塗布し、蓋体５０を基体１０に接合する。 (6) Second bonding step (step S106)
As shown in FIG. 9, a low melting point glass as a bonding material 60 is applied to the lower surface of the protrusion 53 of the lid body 50 prepared in the lid body preparation step (step S103) by using a screen printing method to form the lid body 50. It is bonded to the base 10.

具体的には、蓋体５０は、エッチング工程（ステップＳ１０５）で形成された機能素子８０を内部空間５６内に収納し、間隙部材９０の一方の端を、基体１０の蓋体５０側の面に当接させ、間隙部材９０の他方の端を、蓋体５０の基体１０側の面とに当接させる。このとき、間隙部材９０の高さは、接合材６０の厚さより大きいことが好ましい。   Specifically, the lid body 50 accommodates the functional element 80 formed in the etching step (step S105) in the internal space 56, and one end of the gap member 90 is attached to the surface of the base body 10 on the lid body 50 side. And the other end of the gap member 90 is brought into contact with the surface of the lid 50 on the base body 10 side. At this time, the height of the gap member 90 is preferably larger than the thickness of the bonding material 60.

その後、低融点ガラスを介して基体１０と蓋体５０とを重ねて熱処理を行う。これにより、低融点ガラスを介して、基体１０と蓋体５０とを接合強度を高め、安定した接合を行うことができる。これにより、蓋体５０による気密封止を確実に行うことができる。   After that, the base 10 and the lid 50 are overlapped with each other through the low melting point glass and heat treatment is performed. This makes it possible to increase the bonding strength between the base body 10 and the lid body 50 through the low melting point glass, and to perform stable bonding. As a result, the hermetically sealing with the lid 50 can be reliably performed.

（７）封止工程（ステップＳ１０７）
図１０に示すように、貫通孔５８によって、内部空間５６の雰囲気を調整し、貫通孔５８を封止部材７０で塞ぐことによって内部空間５６を密封する。このとき、例えば、貫通孔５８を通して、内部空間５６を不活性ガス（窒素ガス）雰囲気にしてもよいし、減圧状態にしてもよい。 (7) Sealing step (step S107)
As shown in FIG. 10, the through hole 58 adjusts the atmosphere of the internal space 56, and the internal space 56 is sealed by closing the through hole 58 with the sealing member 70. At this time, for example, the internal space 56 may be made into an inert gas (nitrogen gas) atmosphere through the through holes 58, or may be in a reduced pressure state.

例えば、機能素子８０が加速度センサー素子である場合、内部空間５６は、減圧状態であることが望ましい。これにより、加速度センサー素子の振動現象が空気粘性によって減衰することを抑制できる。   For example, when the functional element 80 is an acceleration sensor element, it is desirable that the internal space 56 be in a reduced pressure state. Thereby, it is possible to suppress the vibration phenomenon of the acceleration sensor element from being attenuated by the air viscosity.

具体的には、貫通孔５８内に球状の半田ボール（図示せず）を配置し、半田ボールをレーザー光の照射によって溶融させることによって、封止部材７０が形成される。   Specifically, a spherical solder ball (not shown) is placed in the through hole 58, and the solder ball is melted by irradiation with laser light, whereby the sealing member 70 is formed.

なお、貫通孔５８を設けなくても、第２接合工程（ステップＳ１０６）を減圧した雰囲気で実施することにより、内部空間５６は減圧状態にできる。これにより、工程の簡略化を図ることができる。
以上の工程により、加速度センサー１００を製造することができる。 Even if the through hole 58 is not provided, the internal space 56 can be in a reduced pressure state by performing the second bonding step (step S106) in a reduced pressure atmosphere. As a result, the process can be simplified.
Through the above steps, the acceleration sensor 100 can be manufactured.

なお、前述の実施形態では、第１接合工程（ステップＳ１０４）の陽極接合を用いる方法で説明したが、本発明に係る電子デバイスの製造方法は、複数回の陽極接合を行う製造方法に適用可能であり、２回を超える（３回以上）の陽極接合を行う場合についても適用することができる。   In the above embodiment, the method of using anodic bonding in the first bonding step (step S104) has been described, but the method of manufacturing an electronic device according to the present invention can be applied to a manufacturing method of performing anodic bonding a plurality of times. It is also applicable to the case of performing anodic bonding more than twice (three times or more).

また、上述では第１接合工程で陽極接合を用いる方法で説明したが、他の接着物質を用いない接合方法で実施する場合でも、本発明は適用できる。具体的には、低温プラズマ活性化接合などの接合面の平坦度や清浄度が必要な直接接合技術に対しても適用することができる。   Further, although the method of using anodic bonding in the first bonding step has been described above, the present invention can be applied to a case of performing a bonding method using no other adhesive substance. Specifically, it can be applied to a direct bonding technique such as low temperature plasma activation bonding which requires flatness and cleanliness of the bonding surface.

以上のことから、本実施形態に係る加速度センサー１００によれば、以下の効果を得ることができる。
（１）基体１０の蓋体５０側の面１１と蓋体５０の基体１０側の第４面５２とに当接された間隙部材９０を含んでいるので、接合材６０（低融点ガラス）を介して、基体１０と蓋体５０とを接合する際に、間隙部材９０の高さにより、基体１０と蓋体５０との間隔ｈ２が規定される。
その結果、接合部６１に付与される接合材６０の量によらず、基体１０と蓋体５０との間に接合材６０を一定の高さ（量）で確実に挿入することができる。つまり、接合部６１に付与される接合材６０の量が規定量より多い場合であっても、基体１０と蓋体５０との間隔ｈ２が大きくなることを抑制することができる。
また、接合部６１に付与される接合材６０の量が規定量より少ない場合でも、基体１０と蓋体５０との間隔ｈ２が小さくなることを抑制することができる。その結果、基体１０と蓋体５０との間隔ｈ２を一定にして確実に接合することができることから、接合強度が劣化することを低減させて信頼性の高い加速度センサー１００を得ることができる。 From the above, according to the acceleration sensor 100 according to the present embodiment, the following effects can be obtained.
(1) Since the gap member 90 is in contact with the surface 50 of the base body 10 on the lid body 50 side and the fourth surface 52 of the lid body 50 on the base body 10 side, the bonding material 60 (low melting point glass) is used. When the base body 10 and the lid body 50 are bonded to each other, the height h of the gap member 90 defines the distance h2 between the base body 10 and the lid body 50.
As a result, the bonding material 60 can be reliably inserted between the base body 10 and the lid 50 at a constant height (amount) regardless of the amount of the bonding material 60 applied to the bonding portion 61. That is, even when the amount of the bonding material 60 applied to the bonding portion 61 is larger than the specified amount, it is possible to prevent the gap h2 between the base body 10 and the lid 50 from increasing.
Further, even when the amount of the bonding material 60 applied to the bonding portion 61 is smaller than the specified amount, it is possible to suppress the gap h2 between the base body 10 and the lid 50 from becoming small. As a result, since the gap h2 between the base body 10 and the lid 50 can be made constant and reliable bonding can be achieved, deterioration of the bonding strength can be reduced and the highly reliable acceleration sensor 100 can be obtained.

（２）間隙部材９０と機能素子８０とが同じ材料で形成されているので、間隙部材９０を形成するためだけの製造工程を必要としないことで、コストアップさせずに間隙部材９０を得ることができる。   (2) Since the gap member 90 and the functional element 80 are formed of the same material, the gap member 90 can be obtained without increasing the cost by not requiring a manufacturing process only for forming the gap member 90. You can

（３）間隙部材９０と機能素子８０とがシリコンで形成されているので、間隙部材９０と機能素子８０とを同一基板から容易に一括形成することができ、低コスト化を図ることができる。   (3) Since the gap member 90 and the functional element 80 are formed of silicon, the gap member 90 and the functional element 80 can be easily collectively formed from the same substrate, and the cost can be reduced.

（４）間隙部材９０が機能素子８０を囲んで配置されているので、低融点ガラスを介して、基体１０と蓋体５０とを接合する際に、間隙部材９０の高さｈ１により、機能素子８０の周囲に亘って、基体１０と蓋体５０との間隔ｈ２が規定される。
その結果、接合部６１に付与される接合材６０の量によらず、機能素子８０の周囲に亘って、基体１０と蓋体５０との間に接合材６０を一定の高さ（量）で確実に挿入することができる。その結果、基体１０と蓋体５０とを確実に接合することができる。 (4) Since the gap member 90 is arranged so as to surround the functional element 80, when the base member 10 and the lid 50 are joined via the low melting point glass, the height h1 of the gap member 90 allows the functional element to be formed. A space h2 between the base body 10 and the lid 50 is defined over the periphery of 80.
As a result, regardless of the amount of the bonding material 60 applied to the bonding portion 61, the bonding material 60 is kept at a constant height (amount) between the base body 10 and the lid body 50 around the functional element 80. It can be inserted securely. As a result, the base body 10 and the lid body 50 can be reliably joined.

（５）間隙部材９０はシリコンを含んで形成されているので、間隙部材９０を形成する際に、シリコン半導体デバイスの作製に用いられる加工技術の適用が可能となる。その結果、微細かつ高い精度で間隙部材９０を形成することができる。   (5) Since the gap member 90 is formed to contain silicon, when forming the gap member 90, it is possible to apply the processing technique used for manufacturing a silicon semiconductor device. As a result, the gap member 90 can be formed finely and with high accuracy.

（６）蓋体５０はシリコンを含んで形成されているので、蓋体５０を形成する際に、シリコン半導体デバイスの作製に用いられる加工技術の適用が可能となる。その結果、微細かつ高い精度で蓋体５０を形成することができる。   (6) Since the lid body 50 is formed by including silicon, when forming the lid body 50, it is possible to apply a processing technique used for manufacturing a silicon semiconductor device. As a result, the lid 50 can be formed finely and with high accuracy.

（７）基体１０はガラスを含んで形成されているので、基体１０と機能素子８０との間に絶縁性を保つ際に、基体１０に絶縁膜を介在させる必要が無く、容易に絶縁分離をすることができる。   (7) Since the base body 10 is formed by including glass, it is not necessary to interpose an insulating film on the base body 10 when maintaining the insulating property between the base body 10 and the functional element 80, and the insulation separation can be easily performed. can do.

（８）基体１０と蓋体５０とを接合する際に、低融点ガラスで接合するので、低温度で接合することができる。その結果、基体１０と蓋体５０とが高温にさらされることを低減し、破損を抑制することができる。   (8) When the base body 10 and the lid body 50 are joined, they are joined with a low melting point glass, so that they can be joined at a low temperature. As a result, it is possible to reduce the exposure of the base body 10 and the lid body 50 to a high temperature and suppress the damage.

（変形例１）
図１１は、変形例１に係る加速度センサーを模式的に示し、間隙部材および突起部を拡大した正断面図である。上記実施形態では、図２のように、加速度センサー１００は、基体１０の蓋体５０側の面と蓋体５０の基体１０側の面とに当接された間隙部材９０を含んでいる構成であるものとして説明したが、この構成に限定するものではない。
以下、変形例１に係る加速度センサー２００について説明する。なお、実施形態と同一の構成部位については、同一の番号を附し、重複する説明は省略する。 (Modification 1)
FIG. 11 is a front cross-sectional view schematically showing the acceleration sensor according to the modified example 1, in which the gap member and the protrusion are enlarged. In the above-described embodiment, as shown in FIG. 2, the acceleration sensor 100 includes the gap member 90 that is in contact with the surface of the base body 10 on the lid 50 side and the surface of the lid 50 on the base body 10 side. However, the present invention is not limited to this configuration.
Hereinafter, the acceleration sensor 200 according to the first modification will be described. It should be noted that the same components as those in the embodiment are designated by the same reference numerals, and duplicate description will be omitted.

間隙部材２９０は、蓋体２５０と一体に形成されており、材質は、例えば、ガラス（ホウ珪酸ガラス）、シリコンである。   The gap member 290 is formed integrally with the lid 250, and the material thereof is, for example, glass (borosilicate glass) or silicon.

本変形例に係る加速度センサー２００の製造方法では、実施形態で説明したエッチング工程（ステップＳ１０５）では、間隙部材９０を形成せず、蓋体準備工程（ステップＳ１０３）において、間隙部材２９０を形成する。形成には、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を適用することができる。   In the method of manufacturing the acceleration sensor 200 according to the present modification, the gap member 90 is not formed in the etching step (step S105) described in the embodiment, but the gap member 290 is formed in the lid preparation step (step S103). .. Photolithography technology and etching technology can be applied to the formation.

以上述べたように、本変形例に係る加速度センサー２００によれば、実施形態での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。   As described above, according to the acceleration sensor 200 of this modification, the following effects can be obtained in addition to the effects of the embodiment.

間隙部材２９０は、蓋体２５０と一体になっていることによって、間隙部材２９０と蓋体２５０とを同一基板から容易に一括形成することができ、低コスト化を図ることができる。   Since the gap member 290 is integrated with the lid body 250, the gap member 290 and the lid body 250 can be easily formed at once from the same substrate, and the cost can be reduced.

また、上記の実施形態において、機能素子８０を挟んで対向するように間隙部材９０が２辺に配置されることに限定されない。図１２〜図１６は、変形例に係る間隙部材９０の配置を示す概略平面図である。   Further, in the above embodiment, the gap member 90 is not limited to be arranged on two sides so as to face each other with the functional element 80 interposed therebetween. 12 to 16 are schematic plan views showing the arrangement of the gap members 90 according to the modification.

（変形例２）
図１２に示すように、上記の加速度センサーにおいて、間隙部材９０は、機能素子８０の少なくとも１つの角部に沿って、設けられていてもよい。図１２では、間隙部材９０は、機能素子８０の４つの角部の各部に配置されている。 (Modification 2)
As shown in FIG. 12, in the acceleration sensor described above, the gap member 90 may be provided along at least one corner of the functional element 80. In FIG. 12, the gap members 90 are arranged at the four corners of the functional element 80.

（変形例３）
図１３に示すように、上記の加速度センサーにおいて、間隙部材９０は、機能素子８０の対角線上の対向する位置に設けられていてもよい。図１３においては、間隙部材９０が、機能素子８０の＋Ｘ軸方向、かつ＋Ｙ軸方向の角部と、機能素子の−Ｘ軸方向、かつ−Ｙ軸方向の角部に設けられている例を示している。 (Modification 3)
As shown in FIG. 13, in the above-described acceleration sensor, the gap members 90 may be provided at diagonally opposite positions of the functional element 80. In FIG. 13, an example in which the gap members 90 are provided at the corners of the functional element 80 in the + X axis direction and the + Y axis direction and at the corners of the functional element in the −X axis direction and the −Y axis direction. Shows.

（変形例４）
図１４に示すように、上記の加速度センサーにおいて、間隙部材９０は、機能素子８０の周囲に沿って設けられていてもよい。 (Modification 4)
As shown in FIG. 14, in the above acceleration sensor, the gap member 90 may be provided along the periphery of the functional element 80.

（変形例５）
図１５に示すように、上記の加速度センサーにおいて、間隙部材９０は、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に沿って、機能素子８０の外側に設けられていてもよい。 (Modification 5)
As shown in FIG. 15, in the above acceleration sensor, the gap member 90 may be provided outside the functional element 80 along the X-axis direction and the Y-axis direction.

（変形例６）
図１６に示すように、上記の加速度センサーおいて、間隙部材９０は、Ｘ軸方向に沿って、機能素子８０を挟み込む位置に設けられていてもよい。 (Modification 6)
As shown in FIG. 16, in the acceleration sensor described above, the gap member 90 may be provided at a position sandwiching the functional element 80 along the X-axis direction.

［電子機器］
次に、上記の電子デバイスを備えている電子機器について説明する。図１７は、電子デバイスを備えている電子機器としてのモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を模式的に示す斜視図である。 [Electronics]
Next, an electronic device including the above electronic device will be described. FIG. 17 is a perspective view schematically showing the configuration of a mobile (or notebook) personal computer as an electronic apparatus including an electronic device.

図１７に示すように、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１１０１を有する表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター１１００には、上記で説明した電子デバイス（例えば、加速度センサー１００）が内蔵されている。   As shown in FIG. 17, the personal computer 1100 includes a main body 1104 having a keyboard 1102 and a display unit 1106 having a display 1101. The display unit 1106 has a hinge structure portion with respect to the main body 1104. And is rotatably supported. Such a personal computer 1100 incorporates the electronic device described above (for example, the acceleration sensor 100).

図１８は、上記の電子デバイスを備えている電子機器としての携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を模式的に示す斜視図である。図１８に示すように、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１２０１が配置されている。このような携帯電話機１２００には、電子デバイス（例えば、加速度センサー１００）が内蔵されている。   FIG. 18 is a perspective view schematically showing the configuration of a mobile phone (including PHS) as an electronic apparatus including the above electronic device. As illustrated in FIG. 18, the mobile phone 1200 includes a plurality of operation buttons 1202, an earpiece 1204, and a mouthpiece 1206, and a display portion 1201 is provided between the operation buttons 1202 and the earpiece 1204. .. Such a mobile phone 1200 has an electronic device (for example, the acceleration sensor 100) built therein.

図１９は、上記の電子デバイス（例えば、加速度センサー１００）を備えている電子機器としてのデジタルスチールカメラの構成を模式的に示す斜視図である。なお、図１９には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。   FIG. 19 is a perspective view schematically showing a configuration of a digital still camera as an electronic device including the above electronic device (for example, the acceleration sensor 100). Note that FIG. 19 also simply shows the connection with an external device.

ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、デジタルスチールカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。   Here, a normal camera sensitizes a silver salt photographic film with a light image of a subject, whereas the digital still camera 1300 photoelectrically converts a light image of the subject with an image sensor such as a CCD (Charge Coupled Device). An image pickup signal (image signal) is generated.

デジタルスチールカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面（図中手前側）には、表示部１３１０が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部１３１０は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。   A display unit 1310 is provided on the back surface (front side in the drawing) of the case (body) 1302 of the digital still camera 1300, and the display unit 1310 is configured to display based on the image pickup signal from the CCD. It functions as a finder that displays as an electronic image.

また、ケース１３０２の正面側（図中奥側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。撮影者が表示部１３１０に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。   A light receiving unit 1304 including an optical lens (imaging optical system), a CCD, and the like is provided on the front side (back side in the drawing) of the case 1302. When the photographer confirms the subject image displayed on the display unit 1310 and presses the shutter button 1306, the image pickup signal of the CCD at that time is transferred and stored in the memory 1308.

また、このデジタルスチールカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、ビデオ信号出力端子１３１２には、テレビモニター１４３０が、データ通信用の入出力端子１３１４には、パーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。   Further, in this digital still camera 1300, a video signal output terminal 1312 and an input / output terminal 1314 for data communication are provided on the side surface of the case 1302. A television monitor 1430 is connected to the video signal output terminal 1312, and a personal computer 1440 is connected to the input / output terminal 1314 for data communication, if necessary.

さらに、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。このようなデジタルスチールカメラ１３００には、電子デバイスが内蔵されている。   Further, the image pickup signal stored in the memory 1308 is output to the television monitor 1430 or the personal computer 1440 by a predetermined operation. An electronic device is built in such a digital still camera 1300.

このような電子機器は、上述した電子デバイスを備えていることから、上記実施形態で説明した効果が反映され、小型化が図られ信頼性に優れている。   Since such an electronic device includes the above-described electronic device, the effects described in the above embodiments are reflected, the size is reduced, and the reliability is excellent.

なお、上記の電子デバイスを備えている電子機器としては、これら以外に、例えば、インクジェット式吐出装置（例えば、インクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、各種ナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば、電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類、フライトシミュレーターなどが挙げられる。   In addition to the above, as an electronic apparatus including the above electronic device, for example, an inkjet discharge device (for example, an inkjet printer), a laptop personal computer, a television, a video camera, a video tape recorder, various navigation devices, etc. , Pagers, electronic notebooks (including communication functions), electronic dictionaries, calculators, electronic game devices, word processors, workstations, videophones, security TV monitors, electronic binoculars, POS terminals, medical devices (eg, electronic thermometers, blood pressures) Meter, blood glucose meter, electrocardiogram measuring device, ultrasonic diagnostic device, electronic endoscope), fish finder, various measuring devices, measuring instruments, flight simulator and the like.

いずれの場合にも、これらの電子機器は、上記の電子デバイスを備えていることから、上記実施形態で説明した効果が反映され、信頼性に優れている。   In any case, since these electronic devices include the above electronic device, the effects described in the above embodiments are reflected and the reliability is excellent.

［移動体］
次に、上記の電子デバイスを備えている移動体について説明する。図２０は移動体の一例としての自動車を模式的に示す斜視図である。自動車１５００には、上記の電子デバイスが搭載されている。 [Mobile]
Next, a moving body equipped with the above electronic device will be described. FIG. 20 is a perspective view schematically showing an automobile as an example of a moving body. The above electronic device is mounted on a car 1500.

例えば、図２０に示すように、移動体としての自動車１５００には、電子デバイス（例えば、加速度センサー１００）を内蔵して、タイヤ１５０３などを制御する電子制御ユニット１５０２が車体１５０１に搭載されている。これによれば、自動車１５００は、上記の電子デバイスを備えていることから、上記実施形態で説明した効果が反映され、信頼性に優れている。   For example, as shown in FIG. 20, an automobile 1500 as a moving body has an electronic device (for example, the acceleration sensor 100) built therein, and an electronic control unit 1502 for controlling a tire 1503 and the like is mounted on a vehicle body 1501. .. According to this, since the automobile 1500 includes the above electronic device, the effects described in the above embodiments are reflected and the automobile 1500 is excellent in reliability.

なお、上記の電子デバイスは、他にもキーレスエントリー、イモビライザー、カーナビゲーションシステム、カーエアコン、アンチロックブレーキシステム（ＡＢＳ）、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム（ＴＰＭＳ：Ｔｉｒｅ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｍｏｎｉｔｏｒｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ）、エンジンコントロール、ハイブリッド自動車や電気自動車の電池モニター、車体姿勢制御システムなどの電子制御ユニット（ＥＣＵ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｃｏｎｔｒｏｌ Ｕｎｉｔ）に広く適用できる。   In addition, the above-mentioned electronic devices include a keyless entry, an immobilizer, a car navigation system, a car air conditioner, an antilock brake system (ABS), an airbag, a tire pressure monitoring system (TPMS: Tire Pressure Monitoring System), It is widely applicable to electronic control units (ECUs) such as engine controls, battery monitors of hybrid vehicles and electric vehicles, and vehicle body attitude control systems.

上記の電子デバイスは、上記自動車１５００に限らず、自走式ロボット、自走式搬送機器、列車、船舶、飛行機、人工衛星などを含む移動体の姿勢検出センサーなどとして好適に用いることができ、いずれの場合にも、上記実施形態で説明した効果が反映され、信頼性に優れた移動体を提供することができる。   The electronic device is not limited to the automobile 1500, and can be suitably used as a posture detection sensor for a mobile body including a self-propelled robot, a self-propelled carrier device, a train, a ship, an airplane, an artificial satellite, and the like. In any case, the effects described in the above embodiments are reflected, and it is possible to provide a highly reliable mobile body.

なお、上述した電子デバイスは、加速度センサー１００に限定されるものではなく、機能素子が角速度検出機能を備えている角速度センサー、機能素子が圧力検出機能を備えている圧力センサー、機能素子が重量検出機能を備えている重量センサーや、これらのセンサー（加速度センサーを含む）が複合した複合センサーなどであってもよい。
また、電子デバイスは、機能素子が振動片である振動子、発振器、周波数フィルターなどであってもよい。 The electronic device described above is not limited to the acceleration sensor 100, but an angular velocity sensor having a functional element having an angular velocity detection function, a pressure sensor having a functional element having a pressure detection function, and a functional element having a weight detection function. It may be a weight sensor having a function or a composite sensor in which these sensors (including an acceleration sensor) are combined.
Further, the electronic device may be a vibrator whose functional element is a resonator element, an oscillator, a frequency filter, or the like.

８…シリコン基板、１０…基体、１１…第１面、１２…第２面、１４…凹部、１５，１６，１７…溝部、２０，２２，２４…配線、３０，３２，３４…外部接続端子、４０，４２，４４…コンタクト部、５０…蓋体、５１…第３面、５２…第４面、５３…突起部、５４…第５面、５５…端子孔、５６…内部空間、５７…凹部、５８…貫通孔、６０…接合材、６１…接合部、７０…封止部材、８０…機能素子、８１…固定部、８２…固定部、８４…連結部、８４ａ…梁、８５…連結部、８５ａ…梁、８６…可動部、８７…可動電極部、８８…固定電極部、８９…固定電極部、９０…間隙部材、１００…電子デバイスとしての加速度センサー、２００…加速度センサー、２５０…蓋体、２９０…間隙部材、１１００…電子機器としてのパーソナルコンピューター、１１０１…表示部、１１０２…キーボード、１１０４…本体部、１１０６…表示ユニット、１２００…電子機器としての携帯電話機、１２０１…表示部、１２０２…操作ボタン、１２０４…受話口、１２０６…送話口、１３００…電子機器としてのデジタルスチールカメラ、１３０２…ケース、１３０４…受光ユニット、１３０６…シャッターボタン、１３０８…メモリー、１３１０…表示部、１３１２…ビデオ信号出力端子、１３１４…入出力端子、１４３０…テレビモニター、１４４０…パーソナルコンピューター、１５００…移動体としての自動車、１５０１…車体、１５０２…電子制御ユニット、１５０３…タイヤ。   8 ... Silicon substrate, 10 ... Base, 11 ... First surface, 12 ... Second surface, 14 ... Recessed portion, 15, 16, 17 ... Groove portion, 20, 22, 24 ... Wiring, 30, 32, 34 ... External connection terminal , 40, 42, 44 ... Contact portion, 50 ... Lid body, 51 ... Third surface, 52 ... Fourth surface, 53 ... Projection portion, 54 ... Fifth surface, 55 ... Terminal hole, 56 ... Internal space, 57 ... Recesses, 58 ... Through holes, 60 ... Bonding material, 61 ... Bonding part, 70 ... Sealing member, 80 ... Functional element, 81 ... Fixing part, 82 ... Fixing part, 84 ... Connecting part, 84a ... Beam, 85 ... Linking Part, 85a ... Beam, 86 ... Movable part, 87 ... Movable electrode part, 88 ... Fixed electrode part, 89 ... Fixed electrode part, 90 ... Gap member, 100 ... Acceleration sensor as electronic device, 200 ... Acceleration sensor, 250 ... Lid 290 ... Gap member, 1100 ... Personal computer as electronic device, 1101 ... Display unit, 1102 ... Keyboard, 1104 ... Main body unit, 1106 ... Display unit, 1200 ... Mobile phone as electronic device, 1201 ... Display unit, Reference numeral 1202 ... Operation button, 1204 ... Earpiece, 1206 ... Earpiece, 1300 ... Digital still camera as electronic device, 1302 ... Case, 1304 ... Light receiving unit, 1306 ... Shutter button, 1308 ... Memory, 1310 ... Display section, 1312 ... video signal output terminal, 1314 ... input / output terminal, 1430 ... TV monitor, 1440 ... personal computer, 1500 ... automobile as moving body, 1501 ... vehicle body, 1502 ... electronic control unit, 1503 ... tire.

Claims (12)

基体と、
前記基体上に接合された機能素子と、
接合材を介して前記基体上の接合部に接合され、前記機能素子を覆って前記基体との間に内部空間を形成している蓋体と、を備え、
前記基体の前記蓋体側の面と前記蓋体の前記基体側の面とに当接された間隙部材を含んでおり、
前記間隙部材の高さは、前記接合材の厚さより大きいことを特徴とする電子デバイス。 A substrate,
A functional element bonded on the base;
A lid that is bonded to a bonding portion on the base body via a bonding material, covers the functional element, and forms an internal space with the base body,
A cover member side surface of the base body and a base member side surface of the lid body, including a gap member,
An electronic device, wherein the height of the gap member is larger than the thickness of the bonding material. 前記間隙部材の高さは、前記機能素子の厚さと略同じであることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。   The electronic device according to claim 1, wherein the height of the gap member is substantially the same as the thickness of the functional element. 前記間隙部材は、前記機能素子と同じ材料で形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電子デバイス。   The electronic device according to claim 1, wherein the gap member is made of the same material as the functional element. 前記間隙部材は、前記機能素子を囲んで配置されていることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の電子デバイス。   The electronic device according to any one of claims 1 to 3, wherein the gap member is arranged so as to surround the functional element. 前記間隙部材は、シリコンを含んで形成されていることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の電子デバイス。   The electronic device according to any one of claims 1 to 4, wherein the gap member is formed by including silicon. 前記蓋体は、シリコンを含んで形成されていることを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の電子デバイス。   The electronic device according to any one of claims 1 to 5, wherein the lid is formed by including silicon. 前記間隙部材は、前記蓋体と一体になっていることを特徴とする請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の電子デバイス。   The electronic device according to any one of claims 1 to 6, wherein the gap member is integrated with the lid body. 前記基体は、ガラスを含んで形成されていることを特徴とする請求項１から請求項７までのいずれか一項に記載の電子デバイス。   The electronic device according to any one of claims 1 to 7, wherein the base is formed by including glass. 前記接合材は、低融点ガラスを含んで形成されていることを特徴とする請求項１から請求項８までのいずれか一項に記載の電子デバイス。   The electronic device according to any one of claims 1 to 8, wherein the bonding material is formed by including a low melting point glass. 基体上に、機能素子を接合する第１接合工程と、
間隙部材を形成するエッチング工程と、
可撓性を有する接合材を介して、前記機能素子を覆って前記基体との間に内部空間を形成するように、前記基体の接合部に蓋体を接合する第２接合工程と、を備え、
前記第２接合工程では、前記間隙部材を、前記基体の前記蓋体側の面と前記蓋体の前記基体側の面とに当接させるステップを含み、
前記間隙部材の高さは、前記接合材の厚さより大きいことを特徴とする電子デバイスの製造方法。 A first bonding step of bonding the functional element onto the base;
An etching step for forming a gap member,
A second bonding step of bonding the lid to the bonding portion of the base so as to form an internal space between the functional element and the base via a flexible bonding material. ,
The second joining step includes a step of bringing the gap member into contact with the lid-side surface of the base and the base-side surface of the lid,
The method of manufacturing an electronic device, wherein the height of the gap member is larger than the thickness of the bonding material. 請求項１から請求項９までのいずれか一項に記載の電子デバイスを備えたことを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the electronic device according to any one of claims 1 to 9. 請求項１から請求項９までのいずれか一項に記載の電子デバイスを備えたことを特徴とする移動体。   A moving body comprising the electronic device according to claim 1.
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