JP2013101031A - Electronic device, manufacturing method of the same and electronic apparatus - Google Patents

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PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electronic device which suppresses adhesion of a sealing member to functional elements and can obtain excellent characteristics.SOLUTION: An electronic device 100 related to the present invention includes: a first member 10; a second member 20 which is made of silicone, is mounted on the first member 10 and is provided with a hole portion 40 provided on one surface 22 side and a cavity 32 provided on the other surface 24 side; functional elements 102 accommodated in the cavity 32; and a sealing member 60 disposed in the hole portion 40. The hole portion 40 has a polygonal opening 42, in a plan view, and communicates with the cavity 32 via a communication port 70 provided on a part of a bottom surface 41 of the hole portion 40.

Description

本発明は、電子デバイスおよびその製造方法、並びに、電子機器に関する。   The present invention relates to an electronic device, a manufacturing method thereof, and an electronic apparatus.

近年、例えばシリコンMEMS(Micro Electro Mechanical System)技術を用いて物理量を検出する慣性センサーなどの電子デバイスが開発されてきている。このような慣性センサーのうち角速度を検出するジャイロセンサー(角速度センサー)は、デジタルスチルカメラ(DSC)の手ぶれ補正機能や、ゲーム機のモーションセンシング機能などに用いられる。   In recent years, electronic devices such as inertial sensors that detect physical quantities using, for example, silicon MEMS (Micro Electro Mechanical System) technology have been developed. Among such inertial sensors, a gyro sensor (angular velocity sensor) that detects angular velocity is used for a camera shake correction function of a digital still camera (DSC), a motion sensing function of a game machine, or the like.

一般に、構造体を振動させコリオリ力を検出する振動型ジャイロセンサーは、真空雰囲気にて封止されていることが望ましい。振動型ジャイロセンサーはコリオリ力を検知するために常に振動しており、振動型ジャイロセンサーを収容するパッケージ内(キャビティー)に空気(あるいは、その他のガス等)が存在した場合、空気粘性によって、その振動現象が減衰してしまうからである。   Generally, it is desirable that a vibration type gyro sensor that vibrates a structure and detects a Coriolis force is sealed in a vacuum atmosphere. The vibration type gyro sensor constantly vibrates to detect the Coriolis force. When air (or other gas etc.) exists in the package (cavity) that houses the vibration type gyro sensor, This is because the vibration phenomenon is attenuated.

パッケージ内を真空に封止する技術としては、特許文献1等のレーザーを用いた技術が挙げられる。より具体的には、特許文献1に記載の技術では、パッケージに形成された貫通孔内に、球状の封止部材を配置し、レーザーによって封止部材を溶融させることにより、貫通孔内部を埋めてパッケージ内を真空に封止している。   As a technique for sealing the inside of the package in a vacuum, a technique using a laser disclosed in Patent Document 1 can be given. More specifically, in the technique described in Patent Document 1, a spherical sealing member is disposed in the through hole formed in the package, and the sealing member is melted by a laser to fill the inside of the through hole. The inside of the package is sealed in a vacuum.

特開2005−64024号公報JP 2005-64024 A

しかしながら、例えば上記のような技術において封止部材を溶融させる際に、封止部材の一部がパッケージ内に飛散して、慣性センサーなどの機能素子に付着する場合がある。機能素子に封止部材の一部が付着すると、例えば、機能素子の周波数変化やQ値の低下が発生する場合がある。そのため、このような機能素子をパッケージ内に収容してなる電子デバイスの周波数やQ値等の特性が悪化してしまう場合がある。   However, for example, when the sealing member is melted in the above-described technique, a part of the sealing member may be scattered in the package and adhere to a functional element such as an inertial sensor. If a part of the sealing member adheres to the functional element, for example, the frequency of the functional element may change or the Q value may decrease. Therefore, characteristics such as frequency and Q value of an electronic device in which such a functional element is accommodated in a package may be deteriorated.

本発明のいくつかの態様に係る目的の1つは、封止部材が機能素子に付着することを抑制して、良好な特性を得ることができる電子デバイスおよびその製造方法を提供することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の1つは、上記電子デバイスを含む電子機器を提供することにある。   One of the objects according to some embodiments of the present invention is to provide an electronic device that can suppress adhesion of a sealing member to a functional element and obtain good characteristics, and a method for manufacturing the same. . Another object of some aspects of the present invention is to provide an electronic apparatus including the electronic device.

本発明は前述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の態様または適用例として実現することができる。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following aspects or application examples.

[適用例1]
本発明に係る電子デバイスは、
第1部材と、
前記第1部材に載置され、かつ、一方の面側に設けられた孔部と他方の面側に設けられたキャビティーとを備えたシリコン製の第2部材と、
前記キャビティーに収容された機能素子と、
前記孔部に配置された封止部材と、
を含み、
前記孔部は、平面視で多角形の開口を有し、かつ、前記孔部の底面の一部に設けられた連通口によって前記キャビティーに連通している。
[Application Example 1]
An electronic device according to the present invention includes:
A first member;
A second member made of silicon provided on the first member and provided with a hole provided on one surface side and a cavity provided on the other surface side;
A functional element housed in the cavity;
A sealing member disposed in the hole;
Including
The hole has a polygonal opening in plan view, and communicates with the cavity through a communication port provided in a part of the bottom surface of the hole.

このような電子デバイスによれば、孔部に配置された封止部材を溶融させてキャビティーを封止する際に、封止部材の一部がキャビティー内に飛散して機能素子に付着することを抑制できる。その結果、このような電子デバイスは、良好な特性を有することができる。   According to such an electronic device, when the sealing member disposed in the hole is melted to seal the cavity, a part of the sealing member is scattered in the cavity and adheres to the functional element. This can be suppressed. As a result, such an electronic device can have good characteristics.

[適用例2]
本発明に係る電子デバイスにおいて、
前記孔部の底面は、平坦であってもよい。
[Application Example 2]
In the electronic device according to the present invention,
The bottom surface of the hole may be flat.

このような電子デバイスによれば、例えば球状の封止部材を孔部内に配置した状態で、孔部の底面と封止部材との間に、間隙を設けることができる。これにより、キャビティーを減圧状態にする際に、封止部材が飛び出すことを抑制できる。例えば、球状の封止部材を孔部内に配置した状態で、間隙が設けられていないと、パッケージ内外の圧力差によって、封止部材がパッケージ外部に飛び出してしまう場合がある。   According to such an electronic device, for example, a gap can be provided between the bottom surface of the hole and the sealing member in a state where the spherical sealing member is disposed in the hole. Thereby, when making a cavity into a pressure reduction state, it can suppress that a sealing member jumps out. For example, if a gap is not provided in a state where the spherical sealing member is disposed in the hole, the sealing member may jump out of the package due to a pressure difference inside and outside the package.

[適用例3]
本発明に係る電子デバイスにおいて、
前記連通口の面積は、前記開口の面積よりも小さくてもよい。
[Application Example 3]
In the electronic device according to the present invention,
The area of the communication port may be smaller than the area of the opening.

このような電子デバイスによれば、キャビティーに封止部材が飛散したとしても、飛散した封止部材が機能素子に付着することを抑制できる。   According to such an electronic device, even if the sealing member is scattered in the cavity, the scattered sealing member can be prevented from adhering to the functional element.

[適用例4]
本発明に係る電子デバイスにおいて、
前記連通口は、平面視で前記機能素子とは重なっていなくてもよい。
[Application Example 4]
In the electronic device according to the present invention,
The communication port may not overlap the functional element in plan view.

このような電子デバイスによれば、キャビティーに封止部材が飛散したとしても、飛散した封止部材が機能素子に付着することを抑制できる。   According to such an electronic device, even if the sealing member is scattered in the cavity, the scattered sealing member can be prevented from adhering to the functional element.

[適用例5]
本発明に係る電子デバイスにおいて、
前記孔部の側面は、4つの平坦面によって構成されていてもよい。
[Application Example 5]
In the electronic device according to the present invention,
The side surface of the hole may be constituted by four flat surfaces.

このような電子デバイスによれば、例えば球状の封止部材を孔部内に配置した状態で、孔部の側面と封止部材との間に、間隙を設けることができる。これにより、キャビティーを減圧状態にする際に、封止部材が飛び出すことを抑制できる。   According to such an electronic device, for example, a gap can be provided between the side surface of the hole and the sealing member in a state where the spherical sealing member is disposed in the hole. Thereby, when making a cavity into a pressure reduction state, it can suppress that a sealing member jumps out.

[適用例6]
本発明に係る電子デバイスにおいて、
前記第1部材は、絶縁材料が用いられ、
前記機能素子は、シリコンを用いた物理量センサーであってもよい。
[Application Example 6]
In the electronic device according to the present invention,
The first member is made of an insulating material,
The functional element may be a physical quantity sensor using silicon.

このような電子デバイスによれば、ジャイロセンサーをシリコンのMEMS加工で形成する場合に、第1部材をシリコンとすると、例えばジャイロセンサーと第1部材間の絶縁性を保つために絶縁膜を介在させる必要があるが、第1部材を絶縁材料にすることにより絶縁膜を介在させる必要が無く、容易に絶縁分離をすることができる。   According to such an electronic device, when the gyro sensor is formed by silicon MEMS processing, if the first member is silicon, for example, an insulating film is interposed in order to maintain insulation between the gyro sensor and the first member. Although it is necessary, by using an insulating material for the first member, there is no need to interpose an insulating film, and insulation can be easily separated.

[適用例7]
本発明に係る電子デバイスの製造方法は、
第1部材に機能素子を載置する工程と、
一方の面側に設けられた孔部と他方の面側に設けられたキャビティーとを備えたシリコン製の第2部材を前記第1部材に載置して、前記キャビティーに前記機能素子を収容する工程と、
前記孔部に封止部材を配置する工程と、
前記封止部材を溶融して前記孔部を塞ぐ工程と、
を含み、
前記孔部は、平面視で多角形の開口を有し、かつ、前記孔部の底面の一部に設けられた連通口によって前記キャビティーに連通するように形成される。
[Application Example 7]
An electronic device manufacturing method according to the present invention includes:
Placing the functional element on the first member;
A second member made of silicon having a hole provided on one surface side and a cavity provided on the other surface side is placed on the first member, and the functional element is placed in the cavity. A housing process;
Arranging a sealing member in the hole;
Melting the sealing member and closing the hole;
Including
The hole has a polygonal opening in plan view, and is formed so as to communicate with the cavity through a communication port provided in a part of the bottom surface of the hole.

このような電子デバイスの製造方法によれば、孔部に配置された封止部材を溶融させてキャビティーを封止する際に、封止部材の一部がキャビティー内に飛散して機能素子に付着することを抑制できる。その結果、良好な特性を有する電子デバイスを形成することができる。   According to such an electronic device manufacturing method, when the sealing member arranged in the hole is melted to seal the cavity, a part of the sealing member is scattered in the cavity and the functional element It can suppress adhering to. As a result, an electronic device having good characteristics can be formed.

[適用例8]
本発明に係る電子デバイスの製造方法において、
基板の第1面側をエッチングして、前記孔部を形成する工程と、
前記第1面と反対側の前記基板の第2面側をエッチングして、前記キャビティーとなる凹部を形成する工程と、
をさらに含んでいてもよい。
[Application Example 8]
In the method for manufacturing an electronic device according to the present invention,
Etching the first surface side of the substrate to form the hole;
Etching the second surface side of the substrate opposite to the first surface to form a recess to be the cavity;
May further be included.

このような電子デバイスの製造方法によれば、孔部を有する第2部材を、容易に形成することができる。   According to such an electronic device manufacturing method, the second member having the hole can be easily formed.

[適用例9]
本発明に係る電子デバイスの製造方法において、
前記キャビティーを封止する工程では、
前記孔部を通して前記キャビティーを減圧した後に、前記封止部材を溶融してもよい。
[Application Example 9]
In the method for manufacturing an electronic device according to the present invention,
In the step of sealing the cavity,
The sealing member may be melted after decompressing the cavity through the hole.

このような電子デバイスの製造方法によれば、キャビティーを減圧状態として密閉することができる。   According to such an electronic device manufacturing method, the cavity can be sealed in a reduced pressure state.

[適用例10]
本発明に係る電子デバイスの製造方法において、
前記キャビティーを封止する工程では、
前記孔部および前記連通孔を通して前記キャビティーに不活性気体を充填しながら、前記封止部材を溶融してもよい。
[Application Example 10]
In the method for manufacturing an electronic device according to the present invention,
In the step of sealing the cavity,
The sealing member may be melted while filling the cavity with an inert gas through the hole and the communication hole.

このような電子デバイスの製造方法によれば、キャビティーを不活性気体雰囲気として密閉することができる。   According to such an electronic device manufacturing method, the cavity can be sealed as an inert gas atmosphere.

[適用例11]
本発明に係る電子機器は、
本発明に係る電子デバイスを含む。
[Application Example 11]
The electronic device according to the present invention is
An electronic device according to the present invention is included.

このような電子機器によれば、本発明に係る電子デバイスを含むため、良好な特性を有することができる。   According to such an electronic apparatus, since the electronic device according to the present invention is included, it can have good characteristics.

本実施形態に係る電子デバイスを模式的に示す断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing the electronic device according to the embodiment. 本実施形態に係る電子デバイスを模式的に示す平面図。FIG. 2 is a plan view schematically showing the electronic device according to the embodiment. 本実施形態に係る電子デバイスを模式的に示す断面斜視図。1 is a cross-sectional perspective view schematically showing an electronic device according to an embodiment. 本実施形態に係る電子デバイスの機能素子を模式的に示す平面図。The top view which shows typically the functional element of the electronic device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る電子デバイスの機能素子の動作を説明するための図。The figure for demonstrating operation | movement of the functional element of the electronic device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る電子デバイスの機能素子の動作を説明するための図。The figure for demonstrating operation | movement of the functional element of the electronic device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る電子デバイスの機能素子の動作を説明するための図。The figure for demonstrating operation | movement of the functional element of the electronic device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る電子デバイスの機能素子の動作を説明するための図。The figure for demonstrating operation | movement of the functional element of the electronic device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る電子デバイスの製造工程を模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the manufacturing process of the electronic device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る電子デバイスの製造工程を模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the manufacturing process of the electronic device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る電子デバイスの製造工程を模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the manufacturing process of the electronic device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る電子デバイスの製造工程を模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the manufacturing process of the electronic device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る電子デバイスの製造工程を模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the manufacturing process of the electronic device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る電子デバイスの製造工程を模式的に示す断面図および平面図。Sectional drawing and the top view which show typically the manufacturing process of the electronic device which concerns on this embodiment. 本実施形態の変形例に係る電子デバイスを模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the electronic device which concerns on the modification of this embodiment. 本実施形態に係る電子機器を模式的に示す斜視図。The perspective view which shows typically the electronic device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る電子機器を模式的に示す斜視図。The perspective view which shows typically the electronic device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る電子機器を模式的に示す斜視図。The perspective view which shows typically the electronic device which concerns on this embodiment.

以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。   Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

1. 電子デバイス
まず、本実施形態に係る電子デバイスについて、図面を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係る電子デバイス100を模式的に示す断面図である。図2は、本実施形態に係る電子デバイス100を模式的に示す平面図である。図3は、本実施形態に係る電子デバイス100を模式的に示す断面斜視図である。なお、図1は図2のA−A線断面図であり、図3は図2のA−A線断面斜視図である。また、便宜上、図1〜図3では、互いに直交する3つの軸として、X軸、Y軸、Z軸を図示している。
1. Electronic Device First, an electronic device according to the present embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an electronic device 100 according to this embodiment. FIG. 2 is a plan view schematically showing the electronic device 100 according to the present embodiment. FIG. 3 is a cross-sectional perspective view schematically showing the electronic device 100 according to the present embodiment. 1 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 2, and FIG. 3 is a cross-sectional perspective view taken along line AA in FIG. For convenience, FIGS. 1 to 3 illustrate an X axis, a Y axis, and a Z axis as three axes orthogonal to each other.

電子デバイス100は、図1〜図3に示すように、第1部材としての基体10および第2部材としての蓋体20を有するパッケージ30と、封止部材60と、機能素子102と、を含む。電子デバイス100は、さらに、導電層50を含むことができる。なお、便宜上、図1および図2では機能素子102を簡略化して図示している。また、図2では、封止部材60を省略して図示している。また、図3では蓋体20以外の部材の図示を省略している。   As shown in FIGS. 1 to 3, the electronic device 100 includes a package 30 having a base body 10 as a first member and a lid 20 as a second member, a sealing member 60, and a functional element 102. . The electronic device 100 can further include a conductive layer 50. For convenience, the functional element 102 is simplified in FIGS. 1 and 2. In FIG. 2, the sealing member 60 is omitted. In FIG. 3, members other than the lid 20 are not shown.

基体10としては、例えば、ガラス基板、シリコン基板、水晶基板を用いることができる。基体10は、機能素子102を支持している。より具体的には、基体10には、凹部12が形成されており、凹部12の上方に機能素子102が配置されている。凹部12によって、機能素子102は、基体10に妨害されることなく、所望の方向にのみ可動することができる。   As the substrate 10, for example, a glass substrate, a silicon substrate, or a quartz substrate can be used. The base 10 supports the functional element 102. More specifically, a recess 12 is formed in the base 10, and the functional element 102 is disposed above the recess 12. By the recess 12, the functional element 102 can move only in a desired direction without being obstructed by the base 10.

蓋体20は、基体10上に載置されている。蓋体20は、基体10に接合されていてもよい。場合によっては、機能素子102の一部に接合されていてもよい。蓋体20としては、シリコン基板(シリコン製の基板)を用いる。基体10としてガラス基板を用いた場合、基体10と蓋体20とは、陽極接合によって接合されていてもよい。   The lid 20 is placed on the base 10. The lid 20 may be bonded to the base body 10. In some cases, it may be bonded to a part of the functional element 102. As the lid 20, a silicon substrate (silicon substrate) is used. When a glass substrate is used as the substrate 10, the substrate 10 and the lid 20 may be bonded by anodic bonding.

なお、基体10と蓋体20との接合方法は、特に限定されず、例えば、低融点ガラス(ガラスペースト)などの接着剤による接合でもよいし、半田による接合でもよい。または、基体10および蓋体20の各々の接合部分に金属薄膜(図示せず)を形成し、該金属薄膜同士を加熱し共晶接合させることにより、基体10と蓋体20とを接合させてもよい。   In addition, the joining method of the base | substrate 10 and the cover body 20 is not specifically limited, For example, joining by adhesives, such as low melting glass (glass paste), and joining by solder may be sufficient. Alternatively, a metal thin film (not shown) is formed at each joint portion of the base body 10 and the lid body 20, and the base metal film 10 and the lid body 20 are joined by heating and eutectic bonding the metal thin films. Also good.

基体10および蓋体20は、機能素子102を収容するキャビティー32を形成している。図示の例では、蓋体20の第2面24側に凹部が形成されており、該凹部は、基体10によって封止されてキャビティー32となる。基体10および蓋体20の平面形状(Z軸方向から見た形状)は、キャビティー32に機能素子102を収容できれば特に限定されない。基体10および蓋体20の平面形状は、例えば、四角形(より具体的には長方形)である。   The base 10 and the lid 20 form a cavity 32 that houses the functional element 102. In the illustrated example, a concave portion is formed on the second surface 24 side of the lid body 20, and the concave portion is sealed by the base body 10 to become a cavity 32. The planar shape (the shape seen from the Z-axis direction) of the base body 10 and the lid body 20 is not particularly limited as long as the functional element 102 can be accommodated in the cavity 32. The planar shape of the base 10 and the lid 20 is, for example, a quadrangle (more specifically, a rectangle).

キャビティー32は、減圧状態や不活性ガス(例えば窒素ガス)雰囲気で密閉されている。特に、機能素子102として振動型ジャイロセンサーを用いる場合、キャビティー32は、減圧状態であることが望ましい。これにより、振動型ジャイロセンサーの振動現象が空気粘性によって減衰することを抑制できる。   The cavity 32 is sealed in a reduced pressure state or an inert gas (for example, nitrogen gas) atmosphere. In particular, when a vibration gyro sensor is used as the functional element 102, the cavity 32 is desirably in a reduced pressure state. Thereby, it can suppress that the vibration phenomenon of a vibration type gyro sensor attenuate | damps by air viscosity.

なお、図示の例では、キャビティー32となる凹部は、蓋体20に形成されているが、基体10に形成されていてもよく、基体10に形成された凹部を蓋体20によって封止することによって、キャビティー32を形成してもよい。   In the example shown in the figure, the concave portion to be the cavity 32 is formed in the lid body 20, but may be formed in the base body 10, and the concave portion formed in the base body 10 is sealed by the lid body 20. By doing so, the cavity 32 may be formed.

蓋体20の第1面22側には、孔部40が設けられている。孔部40は、蓋体20の第1面22に設けられた開口42を有している。蓋体20の第1面22は、蓋体20の表面であり、パッケージ30の外形を形成する面である。蓋体20の第1面22は、蓋体20の第2面24の反対側の面である。なお、蓋体20の第2面24は、キャビティー32(キャビティーとなる蓋体20の凹部の底面)を規定する面である。孔部40は、底面41から開口42に向かうに従って、徐々に断面積(XY平面における面積)が大きくなる形状を有している。すなわち、開口42の面積は、底面41の面積よりも大きい。   A hole 40 is provided on the first surface 22 side of the lid 20. The hole 40 has an opening 42 provided in the first surface 22 of the lid 20. The first surface 22 of the lid 20 is the surface of the lid 20 and is a surface that forms the outer shape of the package 30. The first surface 22 of the lid 20 is a surface on the opposite side of the second surface 24 of the lid 20. In addition, the 2nd surface 24 of the cover body 20 is a surface which prescribes | regulates the cavity 32 (the bottom face of the recessed part of the cover body 20 used as a cavity). The hole 40 has a shape in which the cross-sectional area (area in the XY plane) gradually increases from the bottom surface 41 toward the opening 42. That is, the area of the opening 42 is larger than the area of the bottom surface 41.

孔部40は、孔部40の底面41の一部に設けられた連通口70によってキャビティー32と連通している。孔部40の底面41は、孔部40の底を規定する蓋体20の面ともいえる。孔部40の底面41は、例えば、平坦である。図示の例では、孔部40の底面41は、蓋体20の第1面22に平行である。連通口70は、キャビティー32側では、第2面24に設けられている。連通口70の面積は、孔部40の開口42の面積よりも小さい。連通口70は、図2に示すように平面視において、孔部40の底面41と蓋体20の第2面24との重ね合わせられた部分で形成されている。更に、連通口70は、機能素子102と、平面視において重ならない位置に配置されている。すなわち、連通口70は、機能素子102の外縁の外側に配置されている。   The hole 40 communicates with the cavity 32 through a communication port 70 provided in a part of the bottom surface 41 of the hole 40. The bottom surface 41 of the hole 40 can be said to be the surface of the lid 20 that defines the bottom of the hole 40. The bottom surface 41 of the hole 40 is, for example, flat. In the illustrated example, the bottom surface 41 of the hole 40 is parallel to the first surface 22 of the lid body 20. The communication port 70 is provided on the second surface 24 on the cavity 32 side. The area of the communication port 70 is smaller than the area of the opening 42 of the hole 40. As shown in FIG. 2, the communication port 70 is formed by an overlapped portion of the bottom surface 41 of the hole 40 and the second surface 24 of the lid 20 in plan view. Further, the communication port 70 is disposed at a position that does not overlap the functional element 102 in plan view. That is, the communication port 70 is disposed outside the outer edge of the functional element 102.

孔部40の開口42の形状は、図2に示すように、多角形である。図示の例では、開口42の形状は、矩形(より具体的には正方形)である。孔部40の底面41の形状は、例えば、多角形であり、図示の例では、開口42と同様に、矩形(より具体的には正方形)である。連通口70の形状は、例えば、多角形である。連通口70の形状は、例えば、開口42の形状と異なっている。図示の例では、連通口70の形状はY軸に沿う長辺を有する長方形であり、開口42の形状は正方形である。   The shape of the opening 42 of the hole 40 is a polygon as shown in FIG. In the illustrated example, the shape of the opening 42 is a rectangle (more specifically, a square). The shape of the bottom surface 41 of the hole 40 is, for example, a polygon. In the illustrated example, like the opening 42, the shape is a rectangle (more specifically, a square). The shape of the communication port 70 is, for example, a polygon. The shape of the communication port 70 is different from, for example, the shape of the opening 42. In the illustrated example, the shape of the communication port 70 is a rectangle having a long side along the Y axis, and the shape of the opening 42 is a square.

孔部40の側面(孔部40の側面を規定する蓋体20の面)は、例えば、4つの平坦面43,44,45,46によって構成されている。(100)シリコン基板からなる蓋体20をウェットエッチングすることによって孔部40を形成する場合、平坦面43,44,45,46は、(111)面である。この場合、平坦面43,44,45,46は、蓋体20の第2面24に対して、所定の角度(54.7°程度)傾いて形成されている。   The side surface of the hole portion 40 (the surface of the lid 20 that defines the side surface of the hole portion 40) is constituted by, for example, four flat surfaces 43, 44, 45, and 46. When the hole 40 is formed by wet-etching the lid 20 made of a (100) silicon substrate, the flat surfaces 43, 44, 45, and 46 are (111) surfaces. In this case, the flat surfaces 43, 44, 45, 46 are formed to be inclined at a predetermined angle (about 54.7 °) with respect to the second surface 24 of the lid 20.

図3に示すように、孔部40の開口42のX軸に沿う長さL1と、孔部40の底面41のX軸に沿う長さL2と、連通口70のX軸に沿う長さL3とは、L3<L2<L1の関係を有する。孔部40の開口42のX軸に沿う長さL1は、例えば、426μm程度である。孔部40の底面41のX軸に沿う長さL2は、例えば、100μmである。連通口70のX軸に沿う長さL3は、例えば、10μm程度である。また、蓋体20の第1面22と第2面24との間の距離Dは、例えば、230μm程度である。キャビティー32の深さ(キャビティーとなる蓋体20の凹部の深さ)Hは、例えば、50μm程度である。   3, the length L1 along the X axis of the opening 42 of the hole 40, the length L2 along the X axis of the bottom surface 41 of the hole 40, and the length L3 along the X axis of the communication port 70 are shown. Has a relationship of L3 <L2 <L1. The length L1 along the X axis of the opening 42 of the hole 40 is, for example, about 426 μm. The length L2 along the X axis of the bottom surface 41 of the hole 40 is, for example, 100 μm. The length L3 along the X axis of the communication port 70 is, for example, about 10 μm. Moreover, the distance D between the 1st surface 22 and the 2nd surface 24 of the cover body 20 is about 230 micrometers, for example. The depth 32 of the cavity 32 (depth of the concave portion of the lid 20 serving as the cavity) H is, for example, about 50 μm.

導電層50は、図1〜図3に示すように、孔部40の側面(平坦面43,44,45,46)および底面41に形成されている。導電層50としては、例えば、孔部40の内面側から、クロム層および金層をこの順で積層されたものを用いることができる。導電層50によって、孔部40の側面および底面と封止部材60との密着性を向上させることができる。導電層50の厚みは、特に限定されないが、例えば、30〜200nm程度である。   As shown in FIGS. 1 to 3, the conductive layer 50 is formed on the side surface (flat surfaces 43, 44, 45, 46) and the bottom surface 41 of the hole 40. As the conductive layer 50, for example, a layer obtained by laminating a chromium layer and a gold layer in this order from the inner surface side of the hole 40 can be used. The conductive layer 50 can improve the adhesion between the side surface and the bottom surface of the hole 40 and the sealing member 60. Although the thickness of the conductive layer 50 is not specifically limited, For example, it is about 30-200 nm.

なお、導電層50の材質は、封止部材60の材質によって、適宜変更されることができる。また、図示はしないが、導電層50は、蓋体20の全面に形成されていてもよい。   The material of the conductive layer 50 can be changed as appropriate depending on the material of the sealing member 60. Although not shown, the conductive layer 50 may be formed on the entire surface of the lid 20.

封止部材60は、孔部40に配置され、キャビティー32を封止している。封止部材60の材質は、例えば、AuGe、AuSi、AuSn、SnPb、PbAg、SnAgCu、SnZnBiなどの合金である。   The sealing member 60 is disposed in the hole 40 and seals the cavity 32. The material of the sealing member 60 is an alloy such as AuGe, AuSi, AuSn, SnPb, PbAg, SnAgCu, SnZnBi, for example.

機能素子102は、基体10上に搭載されている。機能素子102は、基体10および蓋体20によって形成される(基体10および蓋体20に囲まれる)キャビティー32に載置(収容)されている。機能素子102は、例えば、陽極接合や直接接合によって、基体10に接合されていてもよいし、接着剤によって接合されていてもよい。機能素子102の形態としては、減圧状態や不活性ガス雰囲気で密閉されたキャビティー32内で動作するものであれば、特に限定されず、例えば、ジャイロセンサー、加速度センサー、振動子、SAW(弾性表面波)素子、マイクロアクチュエーターなどの各種の機能素子を挙げることができる。   The functional element 102 is mounted on the base 10. The functional element 102 is placed (accommodated) in a cavity 32 formed by the base body 10 and the lid body 20 (enclosed by the base body 10 and the lid body 20). The functional element 102 may be bonded to the base 10 by, for example, anodic bonding or direct bonding, or may be bonded by an adhesive. The form of the functional element 102 is not particularly limited as long as it operates in a cavity 32 sealed in a reduced pressure state or an inert gas atmosphere. For example, a gyro sensor, an acceleration sensor, a vibrator, a SAW (elasticity) Various functional elements such as (surface wave) elements and microactuators can be mentioned.

以下では、機能素子102として、ジャイロセンサーを用いた例について、説明する。図4は、本実施形態に係る電子デバイス100の機能素子102を模式的に示す平面図である。なお、便宜上、図4では、互いに直交する3つの軸として、X軸、Y軸、Z軸を図示している。このことは、後述する図5〜図8でも同様である。   Hereinafter, an example in which a gyro sensor is used as the functional element 102 will be described. FIG. 4 is a plan view schematically showing the functional element 102 of the electronic device 100 according to the present embodiment. For convenience, FIG. 4 shows an X axis, a Y axis, and a Z axis as three axes orthogonal to each other. The same applies to FIGS. 5 to 8 described later.

機能素子102は、図4に示すように、振動系構造体104と、駆動用固定電極130と、検出用固定電極140と、固定部150と、を有することができる。   As shown in FIG. 4, the functional element 102 can include a vibration system structure 104, a driving fixed electrode 130, a detection fixing electrode 140, and a fixing unit 150.

振動系構造体104は、例えば、基体10に接合されたシリコン基板を加工することにより、一体的に形成されている。これにより、シリコン半導体デバイスの製造に用いられる微細な加工技術の適用が可能となり、振動系構造体104の小型化を図ることができる。   The vibration system structure 104 is integrally formed, for example, by processing a silicon substrate bonded to the base 10. Thereby, it is possible to apply a fine processing technique used for manufacturing a silicon semiconductor device, and the vibration system structure 104 can be downsized.

振動系構造体104は、基体10(図1参照)に固定された固定部150によって、支持されており、基体10と離間して配置されている。振動系構造体104は、第1振動体106と、第2振動体108と、を有することができる。第1振動体106および第2振動体108は、X軸に沿って互いに連結されている。   The vibration system structure 104 is supported by a fixing portion 150 fixed to the base body 10 (see FIG. 1), and is disposed apart from the base body 10. The vibration system structure 104 can include a first vibration body 106 and a second vibration body 108. The first vibrating body 106 and the second vibrating body 108 are connected to each other along the X axis.

第1振動体106および第2振動体108は、両者の境界線B(Y軸に沿った直線)に対して、対称となる形状を有することができる。したがって、以下では、第1振動体106の構成について説明し、第2振動体108の構成の説明については、省略する。   The first vibrating body 106 and the second vibrating body 108 can have a shape that is symmetric with respect to a boundary line B (a straight line along the Y axis) of both. Therefore, hereinafter, the configuration of the first vibrating body 106 will be described, and the description of the configuration of the second vibrating body 108 will be omitted.

第1振動体106は、駆動部110と、検出部120と、を有する。駆動部110は、駆動用支持部112と、駆動用バネ部114と、駆動用可動電極116と、を有することができる。   The first vibrating body 106 includes a drive unit 110 and a detection unit 120. The drive unit 110 can include a drive support unit 112, a drive spring unit 114, and a drive movable electrode 116.

駆動用支持部112は、例えば、フレーム状の形状を有し、駆動用支持部112の内側には、検出部120が配置されている。図示の例では、駆動用支持部112は、X軸に沿って延在する第1延在部112aと、Y軸に沿って延在する第2延在部112bと、によって構成されている。   The driving support 112 has, for example, a frame shape, and the detection unit 120 is disposed inside the driving support 112. In the illustrated example, the driving support portion 112 includes a first extension portion 112a extending along the X axis and a second extension portion 112b extending along the Y axis.

駆動用バネ部114は、駆動用支持部112の外側に配置されている。図示の例では、駆動用バネ部114の一端は、駆動用支持部112の角部(第1延在部112aと第2延在部112bとの接続部)近傍に接続されている。駆動用バネ部114の他端は、固定部150に接続されている。   The drive spring portion 114 is disposed outside the drive support portion 112. In the illustrated example, one end of the driving spring portion 114 is connected to the vicinity of the corner portion of the driving support portion 112 (the connecting portion between the first extending portion 112a and the second extending portion 112b). The other end of the driving spring portion 114 is connected to the fixed portion 150.

図示の例では、駆動用バネ部114は、第1振動体106において、4つ設けられている。そのため、第1振動体106は、4つの固定部150によって、支持されている。なお、第1振動体106と第2振動体108との境界線B上の固定部150は、設けられていなくてもよい。   In the illustrated example, four driving spring portions 114 are provided in the first vibrating body 106. Therefore, the first vibrating body 106 is supported by the four fixing parts 150. Note that the fixing portion 150 on the boundary line B between the first vibrating body 106 and the second vibrating body 108 may not be provided.

駆動用バネ部114は、Y軸に沿って往復しながらX軸に沿って延在する形状を有している。複数の駆動用バネ部114は、駆動用支持部112の中心を通るX軸に沿った仮想線(図示せず)、および駆動用支持部112の中心を通るY軸に沿った仮想線(図示せず)に対して、対称に設けられている。駆動用バネ部114を上記のような形状とすることにより、駆動用バネ部114が、Y軸方向およびZ軸方向に変形することを抑制し、駆動用バネ部114を、駆動部110の振動方向であるX軸方向にスムーズに伸縮させることができる。そして、駆動用バネ部114の伸縮に伴い、駆動用支持部112を(駆動部110を)、X軸に沿って振動させることができる。なお、駆動用バネ部114は、駆動用支持部112をX軸に沿って振動させることができれば、その数は特に限定されない。   The drive spring portion 114 has a shape extending along the X axis while reciprocating along the Y axis. The plurality of driving spring portions 114 are imaginary lines (not shown) along the X axis passing through the center of the driving support portion 112 and imaginary lines along the Y axis passing through the center of the driving support portion 112 (see FIG. (Not shown). By making the drive spring portion 114 in the shape as described above, the drive spring portion 114 is prevented from being deformed in the Y-axis direction and the Z-axis direction, and the drive spring portion 114 is vibrated. The direction can be smoothly expanded and contracted in the X-axis direction. As the driving spring portion 114 expands and contracts, the driving support portion 112 (the driving portion 110) can be vibrated along the X axis. The number of the drive spring portions 114 is not particularly limited as long as the drive support portion 112 can vibrate along the X axis.

駆動用可動電極116は、駆動用支持部112の外側に、駆動用支持部112に接続されて配置されている。より具体的には、駆動用可動電極116は、駆動用支持部112の第1延在部112aに接続されている。   The driving movable electrode 116 is disposed outside the driving support 112 and connected to the driving support 112. More specifically, the driving movable electrode 116 is connected to the first extending portion 112 a of the driving support portion 112.

駆動用固定電極130は、駆動用支持部112の外側に配置されている。駆動用固定電極130は、基体10(図1参照)上に固定されている。図示の例では、駆動用固定電極130は、複数設けられ、駆動用可動電極116を介して、対向配置されている。図示の例では、駆動用固定電極130は、櫛歯状の形状を有しており、駆動用可動電極116は、駆動用固定電極130の櫛歯の間に挿入可能な突出部116aを有している。駆動用固定電極130と突出部116aとの距離(ギャップ)を小さくすることにより、駆動用固定電極130と駆動用可動電極116との間に作用する静電力を、大きくすることができる。   The driving fixed electrode 130 is disposed outside the driving support portion 112. The driving fixed electrode 130 is fixed on the base 10 (see FIG. 1). In the example shown in the drawing, a plurality of driving fixed electrodes 130 are provided, and are arranged to face each other via the driving movable electrode 116. In the illustrated example, the driving fixed electrode 130 has a comb-like shape, and the driving movable electrode 116 has a protrusion 116 a that can be inserted between the comb teeth of the driving fixed electrode 130. ing. By reducing the distance (gap) between the driving fixed electrode 130 and the protruding portion 116a, the electrostatic force acting between the driving fixed electrode 130 and the driving movable electrode 116 can be increased.

駆動用固定電極130および駆動用可動電極116に、電圧を印加すると、駆動用固定電極130と駆動用可動電極116との間に静電力を発生させることができる。これにより、駆動用バネ部114がX軸に沿って伸縮し、駆動用支持部112(駆動部110)を、X軸に沿って振動させることができる。   When a voltage is applied to the driving fixed electrode 130 and the driving movable electrode 116, an electrostatic force can be generated between the driving fixed electrode 130 and the driving movable electrode 116. As a result, the drive spring portion 114 expands and contracts along the X axis, and the drive support portion 112 (drive portion 110) can vibrate along the X axis.

なお、図示の例では、駆動用可動電極116は、第1振動体106において、4つ設けられているが、駆動用支持部116をX軸に沿って振動させることができれば、その数は特に限定されない。また、図示の例では、駆動用固定電極130は、駆動用可動電極116を介して、対向配置されているが、駆動用支持部112をX軸に沿って振動させることができれば、駆動用固定電極130は、駆動用可動電極116の一方側にのみ配置されていてもよい。   In the illustrated example, four drive movable electrodes 116 are provided in the first vibrating body 106. However, the number of drive movable electrodes 116 is particularly limited if the drive support 116 can be vibrated along the X axis. It is not limited. In the illustrated example, the driving fixed electrode 130 is disposed to face the driving movable electrode 116. However, if the driving support 112 can be vibrated along the X axis, the driving fixing electrode 130 is fixed. The electrode 130 may be disposed only on one side of the driving movable electrode 116.

検出部120は、駆動部110に連結されている。図示の例では、検出部120は、駆動用支持部112の内側に配置されている。検出部120は、検出用支持部122と、検出用バネ部124と、検出用可動電極126と、を有することができる。なお、図示はしないが、検出部120は、駆動部110に連結されていれば、駆動用支持部112の外側に配置されていてもよい。   The detection unit 120 is connected to the drive unit 110. In the illustrated example, the detection unit 120 is disposed inside the drive support unit 112. The detection unit 120 can include a detection support unit 122, a detection spring unit 124, and a detection movable electrode 126. Although not shown, the detection unit 120 may be disposed outside the drive support unit 112 as long as it is connected to the drive unit 110.

検出用支持部122は、例えば、フレーム状の形状を有している。図示の例では、検出用支持部122は、X軸に沿って延在する第3延在部122aと、Y軸に沿って延在する第4延在部122bと、によって構成されている。   The detection support part 122 has, for example, a frame shape. In the illustrated example, the detection support portion 122 includes a third extension portion 122a that extends along the X axis and a fourth extension portion 122b that extends along the Y axis.

検出用バネ部124は、検出用支持部122の外側に配置されている。検出用バネ部124は、検出用支持部122と駆動用支持部112とを接続している。より具体的には、検出用バネ部124の一端は、検出用支持部122の角部(第3延在部122aと第4延在部122bとの接続部)近傍に接続されている。検出用バネ部124の他端は、駆動用支持部112の第1延在部112aに接続されている。   The detection spring portion 124 is disposed outside the detection support portion 122. The detection spring portion 124 connects the detection support portion 122 and the drive support portion 112. More specifically, one end of the detection spring part 124 is connected to the vicinity of a corner of the detection support part 122 (a connection part between the third extension part 122a and the fourth extension part 122b). The other end of the detection spring portion 124 is connected to the first extending portion 112 a of the drive support portion 112.

検出用バネ部124は、X軸に沿って往復しながらY軸に沿って延在する形状を有している。図示の例では、検出用バネ部124は、第1振動体106において、4つ設けられている。複数の検出用バネ部124は、検出用支持部122の中心を通るX軸に沿った仮想線(図示せず)、および検出用支持部122の中心を通るY軸に沿った仮想線(図示せず)に対して、対称に設けられている。検出用バネ部124を上記のような形状とすることにより、検出用バネ部124が、X軸方向およびZ軸方向に変形することを抑制し、検出用バネ部124を、検出部120の振動方向であるY軸方向にスムーズに伸縮させることができる。そして、検出用バネ部124の伸縮に伴い、検出用支持部122を(検出部120を)、Y軸に沿って振動させることができる。なお、検出用バネ部124は、検出用支持部122をY軸に沿って振動させることができれば、その数は特に限定されない。   The detection spring portion 124 has a shape extending along the Y axis while reciprocating along the X axis. In the illustrated example, four detection spring portions 124 are provided in the first vibrating body 106. The plurality of detection spring portions 124 are imaginary lines (not shown) along the X axis passing through the center of the detection support portion 122 and imaginary lines along the Y axis passing through the center of the detection support portion 122 (see FIG. (Not shown). By forming the detection spring portion 124 as described above, the detection spring portion 124 is prevented from being deformed in the X-axis direction and the Z-axis direction, and the detection spring portion 124 is vibrated by the detection unit 120. Can be smoothly expanded and contracted in the Y-axis direction. As the detection spring part 124 expands and contracts, the detection support part 122 (the detection part 120) can be vibrated along the Y axis. The number of the detection spring portions 124 is not particularly limited as long as the detection support portion 122 can vibrate along the Y axis.

検出用可動電極126は、検出用支持部122の内側に、検出用支持部122に接続されて配置されている。図示の例では、検出用可動電極126は、X軸に沿って延在しており、検出用支持部122の2つの第4延在部122bに、接続されている。   The detection movable electrode 126 is disposed inside the detection support portion 122 and connected to the detection support portion 122. In the illustrated example, the detection movable electrode 126 extends along the X axis and is connected to the two fourth extension portions 122 b of the detection support portion 122.

検出用固定電極140は、検出用支持部122の内側に配置されている。検出用固定電極140は、基体10(図1参照)上に固定されている。図示の例では、検出用固定電極140は、複数設けられ、検出用可動電極126を介して、対向配置されている。   The detection fixed electrode 140 is disposed inside the detection support part 122. The detection fixed electrode 140 is fixed on the substrate 10 (see FIG. 1). In the example shown in the figure, a plurality of detection fixed electrodes 140 are provided and are arranged to face each other via the detection movable electrode 126.

検出用可動電極126および検出用固定電極140の数および形状は、検出用可動電極126と検出用固定電極140との間の静電容量の変化を検出することができれば、特に限定されない。   The number and shape of the detection movable electrode 126 and the detection fixed electrode 140 are not particularly limited as long as a change in electrostatic capacitance between the detection movable electrode 126 and the detection fixed electrode 140 can be detected.

次に、機能素子102の動作について説明する。図5〜図8は、本実施形態に係る電子デバイス100の機能素子102の動作を説明するための図である。なお、便宜上、図5〜図8では、機能素子102の各部分を、簡略化して図示している。   Next, the operation of the functional element 102 will be described. 5-8 is a figure for demonstrating operation | movement of the functional element 102 of the electronic device 100 which concerns on this embodiment. For convenience, in FIG. 5 to FIG. 8, each part of the functional element 102 is illustrated in a simplified manner.

駆動用固定電極130および駆動用可動電極116に、図示しない電源によって、電圧を印加すると、駆動用固定電極130と駆動用可動電極116との間に静電力を発生させることができる。これにより、図5および図6に示すように、駆動用バネ部114をX軸に沿って伸縮させることができ、駆動部110をX軸に沿って振動させることができる。   When a voltage is applied to the driving fixed electrode 130 and the driving movable electrode 116 by a power source (not shown), an electrostatic force can be generated between the driving fixed electrode 130 and the driving movable electrode 116. Accordingly, as shown in FIGS. 5 and 6, the driving spring portion 114 can be expanded and contracted along the X axis, and the driving portion 110 can be vibrated along the X axis.

より具体的には、第1振動体106の駆動用可動電極116と固定電極130との間に第1交番電圧を印加し、第2振動体108の駆動用可動電極116と固定電極130との間に第1交番電圧と位相が180度ずれた第2交番電圧を印加する。これにより、第1振動体106の第1駆動部110a、および第2振動体108の第2駆動部110bを、互いに逆位相でかつ所定の周波数で、X軸に沿って振動させることができる。すなわち、X軸に沿って互いに連結された第1駆動部110aおよび第2駆動部110bは、X軸に沿って、互いに逆位相で振動(第1振動)する。例えば、まず、図5に示すように、第1駆動部110aはα1方向に変位し、第2駆動部110bはα1方向と反対方向のα2方向に変位する。次に、図6に示すように、第1駆動部110aはα2方向に変位し、第2駆動部110bはα1方向に変位する。第1駆動部110aおよび第2駆動部110bは、この動作を繰り返す。このようにして、第1駆動部110aおよび第2駆動部110bは、互いに逆位相で振動する。   More specifically, a first alternating voltage is applied between the driving movable electrode 116 and the fixed electrode 130 of the first vibrating body 106, and the driving movable electrode 116 and the fixed electrode 130 of the second vibrating body 108 are A second alternating voltage having a phase difference of 180 degrees from the first alternating voltage is applied between them. As a result, the first driving unit 110a of the first vibrating body 106 and the second driving unit 110b of the second vibrating body 108 can be vibrated along the X-axis at opposite phases and at a predetermined frequency. That is, the first driving unit 110a and the second driving unit 110b that are coupled to each other along the X axis vibrate in the opposite phase along the X axis (first vibration). For example, as shown in FIG. 5, first, the first drive unit 110a is displaced in the α1 direction, and the second drive unit 110b is displaced in the α2 direction opposite to the α1 direction. Next, as shown in FIG. 6, the first drive unit 110a is displaced in the α2 direction, and the second drive unit 110b is displaced in the α1 direction. The first driving unit 110a and the second driving unit 110b repeat this operation. In this way, the first driving unit 110a and the second driving unit 110b vibrate in mutually opposite phases.

なお、検出部120は、駆動部110に連結されているため、検出部120も駆動部110の振動に伴い、X軸に沿って振動する。すなわち、第1振動体106および第2振動体108は、X軸に沿って、互いに逆位相で振動する。   Since the detection unit 120 is connected to the drive unit 110, the detection unit 120 also vibrates along the X axis in accordance with the vibration of the drive unit 110. That is, the first vibrating body 106 and the second vibrating body 108 vibrate in mutually opposite phases along the X axis.

図7および図8に示すように、駆動部110a,110bが第1振動を行っている状態で、機能素子102にZ軸回りの角速度ωが加わると、コリオリの力が働き、検出部120は、Y軸に沿って変位する。すなわち、第1駆動部110aに連結された第1検出部120a、および第2駆動部110bに連結された第2検出部120bは、第1振動およびコリオリ力によって、Y軸に沿って、互いに反対方向に変位する。例えば、まず、図7に示すように、第1検出部120aはβ1方向に変位し、第2検出部120bはβ1方向と反対方向のβ2方向に変位する。次に、図8に示すように、第1検出部120aはβ2方向に変位し、第2検出部120bはβ1方向に変位する。第1検出部120aおよび第2検出部120bは、コリオリ力を受けている間、この動作を繰り返す。   As shown in FIG. 7 and FIG. 8, when the angular velocity ω around the Z axis is applied to the functional element 102 in a state where the driving units 110 a and 110 b are performing the first vibration, Coriolis force acts, and the detection unit 120 , Along the Y axis. That is, the first detection unit 120a connected to the first drive unit 110a and the second detection unit 120b connected to the second drive unit 110b are opposite to each other along the Y axis due to the first vibration and the Coriolis force. Displace in the direction. For example, first, as shown in FIG. 7, the first detector 120a is displaced in the β1 direction, and the second detector 120b is displaced in the β2 direction opposite to the β1 direction. Next, as shown in FIG. 8, the first detection unit 120a is displaced in the β2 direction, and the second detection unit 120b is displaced in the β1 direction. The first detection unit 120a and the second detection unit 120b repeat this operation while receiving the Coriolis force.

検出部120a,120bがY軸に沿って変位することにより、検出用可動電極126と検出用固定電極140との間の距離Lは、変化する。そのため、検出用可動電極126と検出用固定電極140との間の静電容量は、変化する。機能素子102では、検出用可動電極126および検出用固定電極140に電圧を印加することにより、検出用可動電極126と検出用固定電極140との間の静電容量の変化量を検出し、Z軸回りの角速度ωを求めることができる。   As the detection units 120a and 120b are displaced along the Y axis, the distance L between the detection movable electrode 126 and the detection fixed electrode 140 changes. Therefore, the capacitance between the detection movable electrode 126 and the detection fixed electrode 140 changes. The functional element 102 detects the amount of change in capacitance between the detection movable electrode 126 and the detection fixed electrode 140 by applying a voltage to the detection movable electrode 126 and the detection fixed electrode 140, and Z An angular velocity ω around the axis can be obtained.

なお、上記では、静電力によって、駆動部110を駆動させる形態(静電駆動方式)について説明したが、駆動部110を駆動させる方法は、特に限定されず、圧電駆動方式や、磁場のローレンツ力を利用した電磁駆動方式等を適用することができる。   In addition, although the form (electrostatic drive system) which drives the drive part 110 with an electrostatic force was demonstrated above, the method to drive the drive part 110 is not specifically limited, A piezoelectric drive system or the Lorentz force of a magnetic field It is possible to apply an electromagnetic drive system using

本実施形態に係る電子デバイス100は、例えば、以下の特徴を有する。   The electronic device 100 according to the present embodiment has the following features, for example.

電子デバイス100では、孔部40は、孔部40の底面41の一部に設けられた連通口70によってキャビティー32と連通している。これにより、孔部40に配置された封止部材を溶融させてキャビティー32を封止する際に、例えば孔部40の底面41が蓋体20の第2面24に平面視において含有されるような場合(孔部の底面の全部に連通口が設けられた場合)と比べて、封止部材の一部がキャビティー32内に飛散して機能素子102に付着することを抑制できる。その結果、電子デバイス100は、良好な特性を有することができる。さらに、連通口70の面積を孔部40の底面41の面積より小さくすることができるので、孔部40に配置された封止部材を溶融させてキャビティー32を封止する際に、封止部材から発生したガスがキャビティー32に侵入するのを抑制できる。これにより、機能素子を収容するキャビティーの真空度を高めることができる。   In the electronic device 100, the hole 40 communicates with the cavity 32 through a communication port 70 provided in a part of the bottom surface 41 of the hole 40. Thus, when the sealing member disposed in the hole 40 is melted and the cavity 32 is sealed, for example, the bottom surface 41 of the hole 40 is contained in the second surface 24 of the lid 20 in a plan view. Compared to such a case (when a communication port is provided on the entire bottom surface of the hole), it is possible to suppress a part of the sealing member from scattering into the cavity 32 and adhering to the functional element 102. As a result, the electronic device 100 can have good characteristics. Further, since the area of the communication port 70 can be made smaller than the area of the bottom surface 41 of the hole 40, the sealing member disposed in the hole 40 is melted to seal the cavity 32. The gas generated from the member can be prevented from entering the cavity 32. Thereby, the vacuum degree of the cavity which accommodates a functional element can be raised.

電子デバイス100では、孔部40の側面が、4つの平坦面43,44,45,46によって構成されている。そのため、例えば球状の封止部材60aを孔部40内に配置した状態で、平坦面43,44,45,46と封止部材60aとの間に、間隙48を設けることができる(図14(b)参照)。これにより、キャビティー32を減圧状態にする際に、封止部材60aが飛び出すことを抑制できる。例えば、球状の封止部材を孔部内に配置した状態で、間隙が設けられていないと、パッケージ内外の圧力差によって、封止部材がパッケージ外部に飛び出してしまう場合がある。さらに、電子デバイス100では、孔部40の底面41が平坦である。そのため、例えば球状の封止部材60aを孔部40内に配置した際に、封止部材60aが底面41と接触する部分を小さくすることができ、底面41と封止部材60aとの間に、間隙49を設けることができる(図14(a)参照)。これにより、キャビティー32を減圧状態にする際に、より確実に、封止部材60aが飛び出すことを抑制できる。   In the electronic device 100, the side surface of the hole 40 is constituted by four flat surfaces 43, 44, 45, 46. Therefore, for example, a gap 48 can be provided between the flat surfaces 43, 44, 45, 46 and the sealing member 60a in a state where the spherical sealing member 60a is disposed in the hole 40 (FIG. 14 ( b)). Thereby, when making the cavity 32 into a pressure-reduced state, it can suppress that the sealing member 60a jumps out. For example, if a gap is not provided in a state where the spherical sealing member is disposed in the hole, the sealing member may jump out of the package due to a pressure difference inside and outside the package. Furthermore, in the electronic device 100, the bottom surface 41 of the hole 40 is flat. Therefore, for example, when the spherical sealing member 60a is disposed in the hole 40, the portion where the sealing member 60a contacts the bottom surface 41 can be reduced, and between the bottom surface 41 and the sealing member 60a, A gap 49 can be provided (see FIG. 14A). Thereby, when making the cavity 32 into a pressure-reduced state, it can suppress more reliably that the sealing member 60a jumps out.

さらに、電子デバイス100によれば、キャビティー32を減圧状態にする際に、間隙48,49を介して、キャビティー32内のガスを排出することができる。したがって、キャビティー32の真空度を高めることができる。   Furthermore, according to the electronic device 100, the gas in the cavity 32 can be discharged through the gaps 48 and 49 when the cavity 32 is in a reduced pressure state. Therefore, the degree of vacuum of the cavity 32 can be increased.

電子デバイス100では、孔部40は、連通口40の面積が開口42の面積よりも小さい形状を有しているので、例えば、連通口の面積が開口の面積と同じ場合に比べて、飛散する封止部材の範囲を小さくすることができる。これにより、キャビティー32に封止部材が飛散したとしても、より確実に、飛散した封止部材が機能素子102に付着することを抑制できる。   In the electronic device 100, the hole 40 has a shape in which the area of the communication port 40 is smaller than the area of the opening 42. The range of the sealing member can be reduced. Thereby, even if the sealing member scatters in the cavity 32, it is possible to more reliably suppress the scattered sealing member from adhering to the functional element 102.

電子デバイス100によれば、連通口70と機能素子102とは、平面視において、重なる位置に配置されていない。これにより、キャビティー32に封止部材が飛散したとしても、より確実に、飛散した封止部材が機能素子102に付着することを抑制できる。   According to the electronic device 100, the communication port 70 and the functional element 102 are not arranged at an overlapping position in plan view. Thereby, even if the sealing member scatters in the cavity 32, it is possible to more reliably suppress the scattered sealing member from adhering to the functional element 102.

電子デバイス100によれば、孔部40が形成されている蓋体20は、シリコン基板であることができる。これにより、孔部40を形成する際には、シリコン半導体デバイスの作製に用いられる加工技術の適用が可能となる。その結果、微細かつ高い精度で孔部40を形成することができる。   According to the electronic device 100, the lid 20 in which the hole 40 is formed can be a silicon substrate. Thereby, when forming the hole part 40, the processing technique used for preparation of a silicon semiconductor device can be applied. As a result, the hole 40 can be formed with a fine and high accuracy.

電子デバイス100によれば、基体10の材質は、絶縁材料であり、機能素子102は、シリコンを用いたジャイロセンサーである。そのため、ジャイロセンサーをシリコンのMEMS加工で形成する場合に、基体をシリコンとすると、例えば、ジャイロセンサーと基体間の絶縁性を保つために絶縁膜を介在させる必要があるが、基体10を絶縁材料にすることにより絶縁膜を介在させる必要がなく、容易に絶縁分離することができる。   According to the electronic device 100, the base material 10 is an insulating material, and the functional element 102 is a gyro sensor using silicon. Therefore, when the gyro sensor is formed by MEMS processing of silicon, if the base is made of silicon, for example, an insulating film needs to be interposed in order to maintain insulation between the gyro sensor and the base. Therefore, it is not necessary to interpose an insulating film, and insulation can be easily separated.

2. 電子デバイスの製造方法
次に、本実施形態に係る電子デバイスの製造方法について、図面を参照しながら説明する。図9〜図14は、本実施形態に係る電子デバイス100の製造工程を模式的に示す断面図である。なお、図14では、断面図(図14(a))の他に、電子デバイス100の製造工程を模式的に示す平面図(図14(b))も示している。また、便宜上、図10,13,14では、機能素子102を簡略化して図示している。
2. Next, a method for manufacturing an electronic device according to the present embodiment will be described with reference to the drawings. 9 to 14 are cross-sectional views schematically showing manufacturing steps of the electronic device 100 according to the present embodiment. In addition to the cross-sectional view (FIG. 14A), FIG. 14 also shows a plan view (FIG. 14B) schematically showing the manufacturing process of the electronic device 100. For convenience, the functional element 102 is simplified in FIGS.

図9に示すように、例えばガラス基板をパターニングして、凹部12を形成し、基体10を得る。次に、基体10に、機能素子102となるシリコン基板102aを接合させる。基体10とシリコン基板102aとの接合は、例えば、陽極接合や直接接合、または接着剤を用いて行われる。   As shown in FIG. 9, for example, a glass substrate is patterned to form a recess 12 to obtain a substrate 10. Next, a silicon substrate 102 a to be a functional element 102 is bonded to the base 10. The bonding between the base 10 and the silicon substrate 102a is performed using, for example, anodic bonding, direct bonding, or an adhesive.

図10に示すように、シリコン基板102aを、例えば研削機によって研削して薄膜化した後、所望の形状にパターニングして機能素子102を形成する。これにより、基体10に機能素子102を搭載することができる。パターニングは、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によって行われ、より具体的なエッチング技術として、ボッシュ(Bosch)法を用いることができる。これにより、微細な加工が可能となり、機能素子102の小型化を図ることができる。   As shown in FIG. 10, the silicon substrate 102a is ground by, for example, a grinding machine to form a thin film, and then patterned into a desired shape to form the functional element 102. Thereby, the functional element 102 can be mounted on the base 10. The patterning is performed by a photolithography technique and an etching technique, and a Bosch method can be used as a more specific etching technique. Thereby, fine processing is possible, and the functional element 102 can be miniaturized.

図11に示すように、第1面21aと第2面21bとを備えたシリコン基板20aの第2面21b側をパターニングして、キャビティー32となる凹部32aを形成する。パターニングは、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によって行われ、より具体的なエッチング技術としては、ウェットエッチングを用いることができる。   As shown in FIG. 11, the second surface 21b side of the silicon substrate 20a having the first surface 21a and the second surface 21b is patterned to form a recess 32a that becomes the cavity 32. The patterning is performed by a photolithography technique and an etching technique, and wet etching can be used as a more specific etching technique.

図12に示すように、シリコン基板20aの第2面21bと反対側の第1面21a側をエッチングして、孔部40および連通口70を形成する。孔部40および連通口70は、第1面21a側からウェットエッチングされることにより形成される。連通口70は、このウェットエッチングによって、孔部40の底の一部が凹部32aに到達して、孔部40と凹部32aとが連通することにより形成される(連通口70は、平面視における底面41と第2面24とが重なる部分に形成される)。このウェットエッチングにより、孔部40の側面を、(111)面を有する平坦面とすることができ、開口42の形状を、多角形(より具体的には四角形)とすることができる。また、孔部40を、開口42の面積よりも連通口41の面積の方が小さくなるように形成することができる。また、孔部40の底面41を平坦な面とすることができる。なお、孔部40を形成する工程と凹部32aを形成する工程の順序は特に限定されず。孔部40を形成してから凹部32aを形成してもよい。また、孔部40と凹部32aとは、同時に形成されてもよい。   As shown in FIG. 12, the hole 40 and the communication port 70 are formed by etching the first surface 21a side opposite to the second surface 21b of the silicon substrate 20a. The hole 40 and the communication port 70 are formed by wet etching from the first surface 21a side. The communication port 70 is formed by a part of the bottom of the hole 40 reaching the recess 32a and the communication between the hole 40 and the recess 32a by the wet etching (the communication port 70 is in plan view). (It is formed in a portion where the bottom surface 41 and the second surface 24 overlap). By this wet etching, the side surface of the hole 40 can be a flat surface having a (111) surface, and the shape of the opening 42 can be a polygon (more specifically, a quadrangle). Further, the hole 40 can be formed so that the area of the communication port 41 is smaller than the area of the opening 42. Further, the bottom surface 41 of the hole 40 can be a flat surface. In addition, the order of the process of forming the hole part 40 and the process of forming the recessed part 32a is not specifically limited. The recess 32a may be formed after the hole 40 is formed. Moreover, the hole 40 and the recessed part 32a may be formed simultaneously.

次に、孔部40の内面に導電層50を形成する。導電層50は、例えば、スパッタ法によって導電層(図示せず)を成膜し、該導電層をパターニングすることによって形成される。   Next, the conductive layer 50 is formed on the inner surface of the hole 40. The conductive layer 50 is formed, for example, by forming a conductive layer (not shown) by sputtering and patterning the conductive layer.

図13に示すように、基体10に蓋体20を接合して、基体10および蓋体20によって形成されるキャビティー32に機能素子102を収容する。基体10と蓋体20との接合は、例えば、陽極接合や接着剤等を用いて行われる。基体10と蓋体20との接合は、平面視において、連通口70と機能素子102とが重ならないように行われる。   As shown in FIG. 13, the lid 20 is joined to the base 10, and the functional element 102 is accommodated in the cavity 32 formed by the base 10 and the lid 20. The bonding between the base 10 and the lid 20 is performed using, for example, anodic bonding or an adhesive. The base 10 and the lid 20 are joined so that the communication port 70 and the functional element 102 do not overlap in plan view.

図14に示すように、孔部40に、封止部材60aを配置する。図示の例では、封止部材60aは、球状であり、いわゆる半田ボールである。上述のように、孔部40の側面は、4つの平坦面43,44,45,46で構成されている。そのため、図14(b)に示すように平面視において、封止部材60aを孔部40内に配置した状態で、孔部40の側面と封止部材60aとの間に、間隙48を設けることができる。また、孔部40の底面41は、平坦である。そのため、図14(a)に示すように、封止部材60aを孔部40内に配置した際に、封止部材60aが孔部40の底面41と接触する部分を小さくすることができ、底面41と封止部材60aとの間に、間隙49を設けることができる。図示の例では、封止部材60aは、孔部40の底面41に点で接触している。   As shown in FIG. 14, the sealing member 60 a is disposed in the hole 40. In the illustrated example, the sealing member 60a is spherical and is a so-called solder ball. As described above, the side surface of the hole 40 is composed of the four flat surfaces 43, 44, 45, 46. Therefore, as shown in FIG. 14B, the gap 48 is provided between the side surface of the hole 40 and the sealing member 60 a in a state where the sealing member 60 a is disposed in the hole 40 in a plan view. Can do. Further, the bottom surface 41 of the hole 40 is flat. Therefore, as shown in FIG. 14 (a), when the sealing member 60a is disposed in the hole 40, the portion where the sealing member 60a contacts the bottom surface 41 of the hole 40 can be reduced. A gap 49 can be provided between 41 and the sealing member 60a. In the illustrated example, the sealing member 60 a is in contact with the bottom surface 41 of the hole 40 at a point.

次に、封止部材60aを、エネルギービーム(例えばレーザー)照射によって溶融させ、孔部40を塞いでキャビティー32を封止する(図1参照)。これにより、キャビティー32を密閉することができる。レーザーの種類としては、特に限定されず、例えばYAGレーザーやCOレーザーを用いることができる。封止部材60aの溶融は、例えば、孔部40および連通口70を通してキャビティー32を減圧した後に(真空引きした後に)行われる。例えば、真空チャンバー内で、レーザーを照射して封止部材60aを溶融させ、孔部40を塞いでもよい。 Next, the sealing member 60a is melted by irradiation with an energy beam (for example, laser) to close the hole 40 and seal the cavity 32 (see FIG. 1). Thereby, the cavity 32 can be sealed. The type of laser is not particularly limited, and for example, a YAG laser or a CO 2 laser can be used. The sealing member 60a is melted, for example, after the cavity 32 is decompressed (after evacuation) through the hole 40 and the communication port 70. For example, in the vacuum chamber, the sealing member 60a may be melted by irradiating a laser to close the hole 40.

なお、上記では、基体10に機能素子102を搭載した後に(図10参照)、孔部40およびキャビティー32となる凹部32aを形成して蓋体20を得る例(図11,12参照)について説明したが、まず、孔部40等を形成して蓋体20を得て、次に基体10に機能素子102を搭載してもよい。   In the above description, an example (see FIGS. 11 and 12) in which the lid 20 is obtained by forming the hole 40 and the recess 32a to be the cavity 32 after mounting the functional element 102 on the base body 10 (see FIG. 10). As described above, first, the hole 40 or the like may be formed to obtain the lid 20, and then the functional element 102 may be mounted on the base 10.

また、上述したキャビティー32を封止する工程では、孔部40および連通口70を通してキャビティー32を減圧した後に封止部材60aを溶融させたが、孔部40および連通口70を通してキャビティー32に不活性気体(具体的には窒素ガス)を充填した後に封止部材60aを溶融させてもよい。これにより、キャビティー32を大気圧状態(不活性気体雰囲気)にすることができる。機能素子102として、例えば加速度センサーを用いた場合、キャビティー32は大気圧状態であることが望ましい。加速度センサーの場合は、不活性気体の粘性がダンピング効果として感度特性に大きく寄与するためである。   Further, in the above-described process of sealing the cavity 32, the sealing member 60 a is melted after reducing the pressure of the cavity 32 through the hole 40 and the communication port 70, but the cavity 32 is transmitted through the hole 40 and the communication port 70. Alternatively, the sealing member 60a may be melted after being filled with an inert gas (specifically, nitrogen gas). Thereby, the cavity 32 can be made into an atmospheric pressure state (inert gas atmosphere). For example, when an acceleration sensor is used as the functional element 102, the cavity 32 is preferably in an atmospheric pressure state. This is because in the case of an acceleration sensor, the viscosity of the inert gas greatly contributes to the sensitivity characteristics as a damping effect.

以上の工程により、電子デバイス100を製造することができる。   Through the above steps, the electronic device 100 can be manufactured.

本実施形態に係る電子デバイス100の製造方法は、例えば、以下の特徴を有する。   The method for manufacturing the electronic device 100 according to this embodiment has the following features, for example.

電子デバイス100の製造方法によれば、孔部40が、孔部40の底面41の一部に設けられた連通口70によってキャビティー32と連通するように形成される。これにより、孔部40に配置された封止部材を溶融させてキャビティー32を封止する際に、孔部40の底面41が蓋体20の第2面24に平面視において含有されるような場合(孔部の底面の全部に連通口が設けられた場合)と比べて、封止部材の一部がキャビティー32内に飛散して機能素子102に付着することを抑制できる。その結果、良好な特性を有する電子デバイスを形成することができる。さらに、連通口70の面積を孔部40の底面41の面積より小さくすることができるので、孔部40に配置された封止部材を溶融させてキャビティー32を封止する際に、封止部材から発生したガスがキャビティー32に侵入するのを抑制できる。これにより、機能素子を収容するキャビティーの真空度を高めることができる。   According to the method for manufacturing the electronic device 100, the hole 40 is formed to communicate with the cavity 32 through the communication port 70 provided in a part of the bottom surface 41 of the hole 40. Thus, when the sealing member disposed in the hole 40 is melted and the cavity 32 is sealed, the bottom surface 41 of the hole 40 is included in the second surface 24 of the lid 20 in a plan view. Compared to the case (when the communication port is provided on the entire bottom surface of the hole), it is possible to prevent a part of the sealing member from scattering into the cavity 32 and adhering to the functional element 102. As a result, an electronic device having good characteristics can be formed. Further, since the area of the communication port 70 can be made smaller than the area of the bottom surface 41 of the hole 40, the sealing member disposed in the hole 40 is melted to seal the cavity 32. The gas generated from the member can be prevented from entering the cavity 32. Thereby, the vacuum degree of the cavity which accommodates a functional element can be raised.

電子デバイス100の製造方法によれば、孔部40の側面が、4つの平坦面43,44,45,46によって構成されているため、例えば球状の封止部材60aを孔部40内に配置した状態で、平坦面43,44,45,46と封止部材60aとの間に、間隙48を設けることができる。これにより、キャビティー32を減圧状態にする際に、封止部材60aが飛び出すことを抑制できる。さらに、電子デバイス100の製造方法によれば、孔部40の底面41が平坦である。そのため、例えば球状の封止部材60aを孔部40内に配置した際に、封止部材60aが底面41と接触する部分を小さくすることができ、底面41と封止部材60aとの間に、間隙49を設けることができる。これにより、キャビティー32を減圧状態にする際に、より確実に、封止部材60aが飛び出すことを抑制できる。   According to the method for manufacturing the electronic device 100, the side surface of the hole 40 is configured by the four flat surfaces 43, 44, 45, 46, and thus, for example, a spherical sealing member 60 a is disposed in the hole 40. In this state, a gap 48 can be provided between the flat surfaces 43, 44, 45, 46 and the sealing member 60a. Thereby, when making the cavity 32 into a pressure-reduced state, it can suppress that the sealing member 60a jumps out. Furthermore, according to the method for manufacturing the electronic device 100, the bottom surface 41 of the hole 40 is flat. Therefore, for example, when the spherical sealing member 60a is disposed in the hole 40, the portion where the sealing member 60a contacts the bottom surface 41 can be reduced, and between the bottom surface 41 and the sealing member 60a, A gap 49 can be provided. Thereby, when making the cavity 32 into a pressure-reduced state, it can suppress more reliably that the sealing member 60a jumps out.

さらに、電子デバイス100の製造方法によれば、キャビティー32を減圧状態にする際に、間隙48,49を介して、キャビティー32内のガスを排出することができる。したがって、キャビティー32内の真空度を高めることができる。   Furthermore, according to the method for manufacturing the electronic device 100, the gas in the cavity 32 can be discharged through the gaps 48 and 49 when the cavity 32 is in a reduced pressure state. Therefore, the degree of vacuum in the cavity 32 can be increased.

電子デバイス100の製造方法によれば、蓋部20を形成する工程は、シリコン基板20aの第2面21b側をエッチングして、キャビティー32となる凹部32aを形成する工程と、シリコン基板20aの第1面21a側をエッチングして孔部40および連通口70を形成する工程と、を含む。これにより、蓋部20を容易に形成することができる。   According to the method for manufacturing the electronic device 100, the step of forming the lid 20 includes the step of etching the second surface 21b side of the silicon substrate 20a to form the recess 32a that becomes the cavity 32, and the step of forming the silicon substrate 20a. Etching the first surface 21a side to form the hole 40 and the communication port 70. Thereby, the cover part 20 can be formed easily.

電子デバイス100の製造方法によれば、孔部40を通してキャビティー32を減圧した後に、封止部材60aを溶融することができる。これにより、キャビティー32を減圧状態として密閉することができ、空気粘性によって、機能素子102(より具体的には、ジャイロセンサー)の振動が減衰することを抑制できる。   According to the method for manufacturing the electronic device 100, the sealing member 60 a can be melted after the cavity 32 is decompressed through the hole 40. Thereby, the cavity 32 can be sealed in a reduced pressure state, and the vibration of the functional element 102 (more specifically, the gyro sensor) can be suppressed from being attenuated by the air viscosity.

電子デバイス100の製造方法によれば、平面視において、連通口70と機能素子102とが、重ならないように配置することができる。これにより、封止部材60aを溶融させる際に、封止部材60aの一部がキャビティー32に飛散したとしても、より確実に、飛散した封止部材が機能素子102に付着することを抑制できる。   According to the method for manufacturing the electronic device 100, the communication port 70 and the functional element 102 can be arranged so as not to overlap each other in plan view. Thereby, even when a part of the sealing member 60 a is scattered in the cavity 32 when the sealing member 60 a is melted, the scattered sealing member can be more reliably prevented from adhering to the functional element 102. .

3. 電子デバイスの変形例
次に、本実施形態の変形例に係る電子デバイスについて、図面を参照しながら説明する。図15は、本実施形態の変形例に係る電子デバイス200を模式的に示す断面図であって、図1に対応するものである。以下、本実施形態の変形例に係る電子デバイス200において、本実施形態に係る電子デバイス100の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
3. Next, an electronic device according to a modification of the present embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 15 is a cross-sectional view schematically showing an electronic device 200 according to a modification of the present embodiment, and corresponds to FIG. Hereinafter, in the electronic device 200 according to the modified example of the present embodiment, members having the same functions as the constituent members of the electronic device 100 according to the present embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

電子デバイス100の例では、図1に示すように、孔部40は、蓋体20に形成されていた。これに対し、電子デバイス200では、図15に示すように、孔部40は、基体10に形成されている。   In the example of the electronic device 100, the hole 40 is formed in the lid 20 as shown in FIG. On the other hand, in the electronic device 200, the hole 40 is formed in the base 10 as shown in FIG.

電子デバイス200では、基体10として、シリコン基板を用いることができる。基体10としてシリコン基板を用いることにより、基体10に孔部40を形成する際には、シリコン半導体デバイスの作製に用いられる加工技術の適用が可能となる。その結果、微細かつ高い精度で孔部40を形成することができる。蓋体20としては、例えば、ガラス基板、シリコン基板、水晶基板を用いることができる。   In the electronic device 200, a silicon substrate can be used as the substrate 10. By using a silicon substrate as the base 10, it is possible to apply a processing technique used for manufacturing a silicon semiconductor device when the hole 40 is formed in the base 10. As a result, the hole 40 can be formed with a fine and high accuracy. As the lid 20, for example, a glass substrate, a silicon substrate, or a quartz substrate can be used.

電子デバイス200では、孔部40の開口42は、基体10の第3面14に設けられている。基体10の第3面14は、基体10の表面であり、パッケージ30の外形を形成する面である。孔部40の底面41は、孔部40の底を規定する基体10の面ともいえる。また、電子デバイス200では、キャビティー32となる凹部が基体10に形成されている。   In the electronic device 200, the opening 42 of the hole 40 is provided on the third surface 14 of the base body 10. The third surface 14 of the substrate 10 is the surface of the substrate 10 and is a surface that forms the outer shape of the package 30. It can be said that the bottom surface 41 of the hole 40 is the surface of the base 10 that defines the bottom of the hole 40. In the electronic device 200, a recess that becomes the cavity 32 is formed in the base 10.

電子デバイス200の製造方法としては、上述した電子デバイス100の製造方法を、基本的に適用することができる。よって、その詳細な説明を省略する。   As a manufacturing method of the electronic device 200, the above-described manufacturing method of the electronic device 100 can be basically applied. Therefore, the detailed description is abbreviate | omitted.

電子デバイス200によれば、電子デバイス100と同様に、孔部40は、孔部40の底面41の一部に設けられた連通口70によってキャビティー32と連通している。これにより、孔部40に配置された封止部材を溶融させてキャビティー32を封止する際に、孔部が貫通孔であって底面を有さない場合(孔部の底面の全部に連通口が設けられた場合)と比べて、封止部材の一部がキャビティー32内に飛散して機能素子102に付着することを抑制できる。その結果、電子デバイス200は、良好な特性を有することができる。   According to the electronic device 200, like the electronic device 100, the hole 40 communicates with the cavity 32 through the communication port 70 provided in a part of the bottom surface 41 of the hole 40. Thus, when the sealing member disposed in the hole 40 is melted and the cavity 32 is sealed, the hole is a through hole and does not have a bottom surface (the entire bottom surface of the hole communicates). Compared with a case where a mouth is provided), it is possible to prevent a part of the sealing member from scattering into the cavity 32 and adhering to the functional element 102. As a result, the electronic device 200 can have good characteristics.

4. 電子機器
次に、本実施形態に係る電子機器について、図面を参照しながら説明する。本実施形態に係る電子機器は、本発明に係る電子デバイスを含む。以下では、本発明に係る電子デバイスとして、電子デバイス100を含む電子機器について、説明する。
4). Next, an electronic device according to the present embodiment will be described with reference to the drawings. The electronic apparatus according to the present embodiment includes the electronic device according to the present invention. Below, the electronic device containing the electronic device 100 is demonstrated as an electronic device which concerns on this invention.

図16は、本実施形態に係る電子機器として、モバイル型(またはノート型)のパーソナルコンピューター1100を模式的に示す斜視図である。   FIG. 16 is a perspective view schematically showing a mobile (or notebook) personal computer 1100 as the electronic apparatus according to the present embodiment.

図16に示すように、パーソナルコンピューター1100は、キーボード1102を備えた本体部1104と、表示部1108を有する表示ユニット1106と、により構成され、表示ユニット1106は、本体部1104に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。   As shown in FIG. 16, the personal computer 1100 includes a main body portion 1104 having a keyboard 1102 and a display unit 1106 having a display portion 1108. The display unit 1106 has a hinge structure portion with respect to the main body portion 1104. It is supported so that rotation is possible.

このようなパーソナルコンピューター1100には、電子デバイス100が内蔵されている。   Such a personal computer 1100 incorporates an electronic device 100.

図17は、本実施形態に係る電子機器として、携帯電話機(PHSも含む)1200を模式的に示す斜視図である。   FIG. 17 is a perspective view schematically showing a mobile phone (including PHS) 1200 as an electronic apparatus according to the present embodiment.

図17に示すように、携帯電話機1200は、複数の操作ボタン1202、受話口1204および送話口1206を備え、操作ボタン1202と受話口1204との間には、表示部1208が配置されている。   As shown in FIG. 17, the mobile phone 1200 includes a plurality of operation buttons 1202, an earpiece 1204, and a mouthpiece 1206, and a display unit 1208 is disposed between the operation buttons 1202 and the earpiece 1204. .

このような携帯電話機1200には、電子デバイス100が内蔵されている。   Such a cellular phone 1200 incorporates the electronic device 100.

図18は、本実施形態に係る電子機器として、デジタルスチルカメラ1300を模式的に示す斜視図である。なお、図18には、外部機器との接続についても簡易的に示している。   FIG. 18 is a perspective view schematically showing a digital still camera 1300 as the electronic apparatus according to the present embodiment. Note that FIG. 18 also shows a simple connection with an external device.

ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、デジタルスチルカメラ1300は、被写体の光像をCCD(Charge Coupled Device)などの撮像素子により光電変換して撮像信号(画像信号)を生成する。   Here, an ordinary camera sensitizes a silver salt photographic film with a light image of a subject, whereas a digital still camera 1300 photoelectrically converts a light image of a subject with an imaging device such as a CCD (Charge Coupled Device). An imaging signal (image signal) is generated.

デジタルスチルカメラ1300におけるケース(ボディー)1302の背面には、表示部1310が設けられ、CCDによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部1310は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。   A display unit 1310 is provided on the back of a case (body) 1302 in the digital still camera 1300, and is configured to display based on an imaging signal from the CCD. The display unit 1310 displays an object as an electronic image. Functions as a viewfinder.

また、ケース1302の正面側(図中裏面側)には、光学レンズ(撮像光学系)やCCDなどを含む受光ユニット1304が設けられている。   A light receiving unit 1304 including an optical lens (imaging optical system), a CCD, and the like is provided on the front side (the back side in the drawing) of the case 1302.

撮影者が表示部1310に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン1306を押下すると、その時点におけるCCDの撮像信号が、メモリー1308に転送・格納される。   When the photographer confirms the subject image displayed on the display unit 1310 and presses the shutter button 1306, the CCD image pickup signal at that time is transferred and stored in the memory 1308.

また、このデジタルスチルカメラ1300においては、ケース1302の側面に、ビデオ信号出力端子1312と、データ通信用の入出力端子1314とが設けられている。そして、ビデオ信号出力端子1312には、テレビモニター1430が、データ通信用の入出力端子1314には、パーソナルコンピューター1440が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー1308に格納された撮像信号が、テレビモニター1430や、パーソナルコンピューター1440に出力される構成になっている。   In the digital still camera 1300, a video signal output terminal 1312 and an input / output terminal 1314 for data communication are provided on the side surface of the case 1302. A television monitor 1430 is connected to the video signal output terminal 1312 and a personal computer 1440 is connected to the input / output terminal 1314 for data communication, if necessary. Further, the imaging signal stored in the memory 1308 is output to the television monitor 1430 or the personal computer 1440 by a predetermined operation.

このようなデジタルスチルカメラ1300には、電子デバイス100が内蔵されている。   Such a digital still camera 1300 incorporates the electronic device 100.

以上のような電気機器1100,1200,1300は、良好な特性を有する電子デバイス100を含む。そのため、電気機器1100,1200,1300は、良好な特性を有することができる。   The electric appliances 1100, 1200, and 1300 as described above include the electronic device 100 having good characteristics. Therefore, the electric devices 1100, 1200, and 1300 can have favorable characteristics.

なお、上記電子デバイス100を備えた電子機器は、図16に示すパーソナルコンピューター(モバイル型パーソナルコンピューター)、図17に示す携帯電話機、図18に示すデジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置(例えばインクジェットプリンター)、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、各種ナビゲーション装置、ページャー、電子手帳(通信機能付も含む)、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、POS端末、医療機器(例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡)、魚群探知機、各種測定機器、計器類(例えば、車両、航空機、船舶の計器類)、フライトシミュレーターなどに適用することができる。   Note that the electronic apparatus including the electronic device 100 includes, for example, an ink jet type discharge in addition to the personal computer (mobile personal computer) shown in FIG. 16, the mobile phone shown in FIG. 17, and the digital still camera shown in FIG. Devices (for example, inkjet printers), laptop personal computers, televisions, video cameras, video tape recorders, various navigation devices, pagers, electronic notebooks (including those with communication functions), electronic dictionaries, calculators, electronic game machines, word processors, work Station, video phone, security TV monitor, electronic binoculars, POS terminal, medical equipment (eg electronic thermometer, blood pressure monitor, blood glucose meter, electrocardiogram measuring device, ultrasonic diagnostic device, electronic endoscope), fish detector, various measurements Equipment, instruments (eg If, vehicle, aircraft, gauges of a ship), can be applied to a flight simulator.

上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各実施形態および各変形例を適宜組み合わせることも可能である。   The above-described embodiments and modifications are merely examples, and the present invention is not limited to these. For example, it is possible to appropriately combine each embodiment and each modification.

本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。   The present invention includes configurations that are substantially the same as the configurations described in the embodiments (for example, configurations that have the same functions, methods, and results, or configurations that have the same objects and effects). In addition, the invention includes a configuration in which a non-essential part of the configuration described in the embodiment is replaced. In addition, the present invention includes a configuration that exhibits the same operational effects as the configuration described in the embodiment or a configuration that can achieve the same object. Further, the invention includes a configuration in which a known technique is added to the configuration described in the embodiment.

10 基体(第1部材)、12 凹部、14 第3面、20 蓋体(第2部材)、
20a シリコン基板、21a 第1面、21b 第2面、22 第1面、
24 第2面、30 パッケージ、32 キャビティー、32a 凹部、40 孔部、
41 底面、42 開口、43〜46 平坦面、48 間隙、50 導電層、
60 封止部材、60a 封止部材、70 連通口、100 電子デバイス、
102 機能素子、102a シリコン基板、104 振動系構造体、
106 第1振動体、108 第2振動体、110 駆動部、112 駆動用支持部、
112a 第1延在部、112b 第2延在部、114 駆動用バネ部、
116 駆動用可動電極、116a 突出部、120 検出部、122 検出用支持部、
122a 第3延在部、122b 第4延在部、124 検出用バネ部、
126 検出用可動電極、130 駆動用固定電極、140 検出用固定電極、
150 固定部、200 電子デバイス、1100 パーソナルコンピューター、
1102 キーボード、1104 本体部、1106 表示ユニット、
1108 表示部、1200 携帯電話機、1202 操作ボタン、1204 受話口、
1206 送話口、1208 表示部、1300 デジタルスチルカメラ、
1302 ケース、1304 受光ユニット、1306 シャッターボタン、
1308 メモリー、1310 表示部、1312 ビデオ信号出力端子、
1314 入出力端子、1430 テレビモニター、
1440 パーソナルコンピューター
10 substrate (first member), 12 recess, 14 third surface, 20 lid (second member),
20a silicon substrate, 21a first surface, 21b second surface, 22 first surface,
24 Second surface, 30 package, 32 cavity, 32a recess, 40 hole,
41 bottom surface, 42 opening, 43 to 46 flat surface, 48 gap, 50 conductive layer,
60 sealing member, 60a sealing member, 70 communication port, 100 electronic device,
102 functional element, 102a silicon substrate, 104 vibration system structure,
106 first vibrating body, 108 second vibrating body, 110 driving unit, 112 driving support unit,
112a first extending portion, 112b second extending portion, 114 driving spring portion,
116 movable electrode for driving, 116a protrusion, 120 detector, 122 support for detection,
122a third extension part, 122b fourth extension part, 124 spring part for detection,
126 movable electrode for detection, 130 fixed electrode for driving, 140 fixed electrode for detection,
150 fixed part, 200 electronic device, 1100 personal computer,
1102 Keyboard, 1104 Main unit, 1106 Display unit,
1108 Display unit, 1200 mobile phone, 1202 operation buttons, 1204 earpiece,
1206 Mouthpiece, 1208 Display unit, 1300 Digital still camera,
1302 Case, 1304 Light receiving unit, 1306 Shutter button,
1308 Memory, 1310 Display unit, 1312 Video signal output terminal,
1314 Input / output terminal, 1430 TV monitor,
1440 personal computer

Claims (11)

第1部材と、
前記第1部材に載置され、かつ、一方の面側に設けられた孔部と他方の面側に設けられたキャビティーとを備えたシリコン製の第2部材と、
前記キャビティーに収容された機能素子と、
前記孔部に配置された封止部材と、
を含み、
前記孔部は、平面視で多角形の開口を有し、かつ、前記孔部の底面の一部に設けられた連通口によって前記キャビティーに連通している、電子デバイス。
A first member;
A second member made of silicon provided on the first member and provided with a hole provided on one surface side and a cavity provided on the other surface side;
A functional element housed in the cavity;
A sealing member disposed in the hole;
Including
The hole has a polygonal opening in a plan view, and communicates with the cavity through a communication port provided in a part of the bottom of the hole.
請求項1において
前記孔部の底面は、平坦である、電子デバイス。
The electronic device according to claim 1, wherein a bottom surface of the hole is flat.
請求項1または2において、
前記連通口の面積は、前記開口の面積よりも小さい、電子デバイス。
In claim 1 or 2,
The electronic device has an area of the communication port smaller than an area of the opening.
請求項1ないし3のいずれか1項において、
前記連通口は、平面視で前記機能素子とは重なっていない、電子デバイス。
In any one of Claims 1 thru | or 3,
The communication port is an electronic device that does not overlap the functional element in plan view.
請求項1ないし4のいずれか1項において、
前記孔部の側面は、4つの平坦面によって構成されている、電子デバイス。
In any one of Claims 1 thru | or 4,
The side surface of the hole is an electronic device configured by four flat surfaces.
請求項1ないし5のいずれか1項において、
前記第1部材は、絶縁材料が用いられ、
前記機能素子は、シリコンを用いた物理量センサーである、電子デバイス。
In any one of Claims 1 thru | or 5,
The first member is made of an insulating material,
The functional device is an electronic device which is a physical quantity sensor using silicon.
第1部材に機能素子を載置する工程と、
一方の面側に設けられた孔部と他方の面側に設けられたキャビティーとを備えたシリコン製の第2部材を前記第1部材に載置して、前記キャビティーに前記機能素子を収容する工程と、
前記孔部に封止部材を配置する工程と、
前記封止部材を溶融して前記孔部を塞ぐ工程と、
を含み、
前記孔部は、平面視で多角形の開口を有し、かつ、前記孔部の底面の一部に設けられた連通口によって前記キャビティーに連通するように形成される、電子デバイスの製造方法。
Placing the functional element on the first member;
A second member made of silicon having a hole provided on one surface side and a cavity provided on the other surface side is placed on the first member, and the functional element is placed in the cavity. A housing process;
Arranging a sealing member in the hole;
Melting the sealing member and closing the hole;
Including
The hole has a polygonal opening in plan view, and is formed so as to communicate with the cavity through a communication port provided in a part of the bottom surface of the hole. .
請求項7において、
基板の第1面側をエッチングして、前記孔部を形成する工程と、
前記第1面と反対側の前記基板の第2面側をエッチングして、前記キャビティーとなる凹部を形成する工程と、
をさらに含む、電子デバイスの製造方法。
In claim 7,
Etching the first surface side of the substrate to form the hole;
Etching the second surface side of the substrate opposite to the first surface to form a recess to be the cavity;
A method for manufacturing an electronic device, further comprising:
請求項7または8において、
前記キャビティーを封止する工程では、
前記孔部および前記連通口を通して前記キャビティーを減圧した後に、前記封止部材を溶融する、電子デバイスの製造方法。
In claim 7 or 8,
In the step of sealing the cavity,
A method for manufacturing an electronic device, comprising: depressurizing the cavity through the hole and the communication port, and then melting the sealing member.
請求項7または8において、
前記キャビティーを封止する工程では、
前記孔部および前記連通口を通して前記キャビティーに不活性気体を充填した後に、前記封止部材を溶融する、電子デバイスの製造方法。
In claim 7 or 8,
In the step of sealing the cavity,
An electronic device manufacturing method, wherein the sealing member is melted after the cavity is filled with an inert gas through the hole and the communication port.
請求項1ないし6のいずれか1項に記載の電子デバイスを含む、電子機器。   An electronic apparatus comprising the electronic device according to claim 1.
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