JP2020067620A - 垂直配向型液晶表示素子 - Google Patents

Abstract

【課題】低い駆動電圧でも高い光透過性を示すことが可能なＶＡ型液晶表示素子を提供する。【解決手段】対向する第１の基板２および第２の基板３と、上記第１の基板および上記第２の基板の間に設けられた液晶層４と、上記第１の基板および上記第２の基板の少なくとも一方の基板に配置された電極層５，６と、を有し、上記液晶層は、２０℃でのスプレイの弾性定数（Ｋ１１）と２０℃でのベンドの弾性定数（Ｋ３３）とが下記式（１）の関係を満たす液晶組成物で構成されている、ＶＡ型液晶表示素子。Ｋ１１／Ｋ３３≦１．０…（１）【選択図】図１

Description

本発明は垂直配向型液晶表示素子に関する。

液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）は、高い光透過性が要求されており、液晶表示素子の光透過率を向上させる検討がされている。

ここで液晶表示素子は、電圧の印加・無印加により液晶分子の配向状態が変わり、液晶分子の配向状態に応じて光の透過が制御される。液晶表示素子の光透過率を向上させる方法として、例えば閾値電圧を低くする方法が知られている。

特開２００２−１１６４６３号公報 特開平１１−２４０３２号公報

ＬＣＤおよび液晶表示素子に対し更なる光透過性の向上が求められているが、本発明者等は、垂直配向（以下、ＶＡとする場合がある。）型液晶表示素子の場合、閾値電圧の調整だけでは光透過性が十分に改善されないことを知見した。また、閾値電圧を低くする方法は、閾値を小さくして印加電圧−透過率の特性を示すＶ−Ｔ曲線を低電圧側へシフトさせることで、低い電圧条件下での透過率を上げることが可能となる。しかしこの方法では、ＶＡ型液晶表示素子のＶ−Ｔ曲線の傾きが急峻にならず、また、最大透過率が高くならないため、低い駆動電圧で高い光透過性を実現することが困難である。

なお、特許文献１〜２には、広視野の表示性能を向上させる等、液晶表示素子の光学特性を向上させる方法が開示されているが、これらの文献には、ＶＡ型液晶表示素子における上述した課題や、ＶＡ型液晶表示素子の光透過性を向上させる方法について開示等はされていない。

本発明の課題は、上記実情に鑑みてなされたものであり、低い駆動電圧でも高い光透過性を示すことが可能なＶＡ型液晶表示素子を提供することにある。

上記課題について本発明者等が鋭意検討を行った結果、液晶層を構成する液晶組成物のスプレイの弾性定数（Ｋ１１）とベンドの弾性定数（Ｋ３３）との比率を調整することで、ＶＡ型液晶表示素子のＶ−Ｔ曲線が急峻になり、低い駆動電圧でも光透過率を向上させることが可能であることを知見した。なお、本願明細書内において、２０℃でのスプレイの弾性定数（Ｋ１１）および２０℃でのベンドの弾性定数（Ｋ３３）を、それぞれ単にＫ１１およびＫ３３と表す場合がある。

すなわち本発明は、対向する第１の基板および第２の基板と、上記第１の基板および上記第２の基板の間に設けられた液晶層と、上記第１の基板および上記第２の基板の少なくとも一方の基板に配置された電極層と、を有し、上記液晶層は、２０℃でのＫ１１と２０℃でＫ３３とが下記式（１）の関係を満たす液晶組成物で構成されている、ＶＡ型液晶表示素子を提供する。
Ｋ１１／Ｋ３３ ≦ １．０ …（１）

本発明のＶＡ型液晶表示素子は、弾性定数Ｋ１１とＫ３３との間に所定の関係を有する液晶組成物により液晶層が構成されていることで、低い駆動電圧でも高い光透過性を示すことができる。

ＶＡ型液晶表示素子の一実施形態を模式的に示す図である。 図１におけるＩ線で囲まれた領域を拡大した平面図である。 シミュレーションにより得られた実施例１〜２および比較例１〜２のＶＡ型液晶表示素子のＶ−Ｔ曲線を示すグラフである。 シミュレーションにより得られた実施例３〜６および比較例３のＶＡ型液晶表示素子のＶ−Ｔ曲線を示すグラフである。

以下、本発明のＶＡ型液晶表示素子について説明する。本発明のＶＡ型液晶表示素子は、対向する第１の基板および第２の基板と、上記第１の基板および上記第２の基板の間に設けられた液晶層と、上記第１の基板および上記第２の基板の少なくとも一方の基板に配置された電極層と、を有し、上記液晶層は、２０℃でのＫ１１とＫ３３とが下記式（１）の関係を満たす液晶組成物で構成されている。
Ｋ１１／Ｋ３３ ≦ １．０ …（１）

図１は、本発明のＶＡ型液晶表示素子の一実施形態に模式的に示す分解斜視図であり、図２は、図１におけるＩ線で囲まれた領域を拡大した平面図である。なお、図１および図２では、便宜上、各部の寸法およびそれらの比率を誇張して示し、実際とは異なる場合がある。また、以下に示す材料、寸法等は一例であって、本発明は、それらに限定されず、その要旨を変更しない範囲で適宜変更することが可能である。

図１に示すように、本発明のＶＡ型液晶表示素子１は、対向する第１の基板２および第２の基板３と、第１の基板２および第２の基板３の間に設けられた液晶層４と、第１の基板２に配置された電極層（画素電極層５）および第２の基板３に配置された電極層（共通電極層６）と、を有し、液晶層４は、２０℃でのＫ１１とＫ３３とが下記式（１）の関係を満たす液晶組成物で構成されている。
Ｋ１１／Ｋ３３ ≦ １．０ …（１）

図１に示すＶＡ型液晶表示素子１において、第１の基板２の液晶層４側の面には、画素電極層５が設けられており、第１の基板２の液晶層４と反対側の面には、第１の偏光板７が設けられている。また、第２の基板３の液晶層４側の面には、液晶層４側から共通電極層６およびカラーフィルタ９が設けられており、第２の基板３の液晶層４と反対側の面には第２の偏光板８が設けられている。すなわち、図１に示すＶＡ型液晶表示素子１は、第１の偏光板７と、第１の基板２と、画素電極層５と、液晶層４と、共通電極層６と、カラーフィルタ９と、第２の基板３と、第２の偏光板８と、がこの順で積層された構成を有している。

なお、図１に示すように、液晶層４の一方の主面側に位置し、第１の基板２を少なくとも含む積層体を、アクティブマトリックス基板ＡＭとすることができる。図１におけるアクティブマトリックス基板ＡＭは、第１の偏光板７と、第１の基板２と、画素電極層５とを含む。また、液晶層４の他方の主面側に位置し、第２の基板３を少なくとも含む積層体を、カラーフィルタ基板ＣＦとすることができる。図１におけるカラーフィルタ基板ＣＦは、共通電極層６と、カラーフィルタ９と、第２の基板３と、第２の偏光板８とを含む。

本発明のＶＡ型液晶表示素子によれば、液晶層を構成する液晶組成物が、２０℃でのスプレイの弾性定数（Ｋ１１）と２０℃でのベンドの弾性定数（Ｋ３３）とが、式（１）で示す所定の関係を示すことで、液晶の印加電圧−透過率の特性を示すＶ−Ｔ曲線が急峻になり、低い駆動電圧でも高い光透過性を示すことができる。

ここで、ＶＡ型液晶表示素子とは、液晶組成物中の液晶分子の初期配向状態が、基板に対し略垂直である液晶表示素子をいう。このような液晶表示素子として、具体的には、ＰＳＡ（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｕｓｔａｉｎｅｄ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）型、ＰＳＶＡ型、ＶＡ型又はＥＣＢ型等が挙げられる。また、本発明のＶＡ型液晶表示素子は、液晶組成物の組成に応じて、少なくとも一方の基板上に好ましくは対向する２枚の基板上にポリイミド配向膜を有さないＰＩ−ｌｅｓｓ型とすることも可能である。

以下、本発明のＶＡ型液晶表示素子の構成の詳細について説明する。

１．液晶層
本発明における液晶層は、２０℃でのスプレイの弾性定数（Ｋ１１）と２０℃でのベンドの弾性定数（Ｋ３３）とが下記式（１）の関係を満たす液晶組成物で構成される。
Ｋ１１／Ｋ３３ ≦ １．０ …（１）

中でもＫ１１／Ｋ３３の値が０．９５以下であることが好ましく、０．９０以下であることがより好ましい。Ｋ１１／Ｋ３３の値を上記の値以下とすることで、Ｖ−Ｔカーブが急峻になり、低電圧駆動でも高透過率を示すことができるからである。また、Ｋ１１／Ｋ３３の値は、０よりも大きいが、０．７０以上であることが好ましく、より好ましくは０．７１以上であり、０．７５以上であり、０．８０以上であり、０．８５以上である。Ｋ１１／Ｋ３３の値をあまり小さくすると、Ｋ３３の値が大きくなりすぎて閾値電圧が高くなるため、Ｋ１１／Ｋ３３の値は上記以上とすることが、閾値電圧の上昇抑制の観点から好ましい。

本発明において液晶組成物のＫ１１の下限は、好ましくは１０ｐＮであり、１１ｐＮであり、１２ｐＮであり、１３ｐＮである。また、Ｋ１１の上限は、好ましくは２０ｐＮであり、１８ｐＮであり、１６ｐＮであり、１４ｐＮである。液晶組成物のＫ１１の値が上記の範囲にあることで、Ｖ−Ｔカーブを急峻にする事ができ、低電圧駆動でも高透過率を示すことが可能となる。

また、本発明において液晶組成物のＫ３３の下限は、好ましくは１０ｐＮであり、１１ｐＮであり、１２ｐＮであり、１３ｐＮである。また、Ｋ３３の上限は、好ましくは２０ｐＮであり、１８ｐＮであり、１６ｐＮであり、１４ｐＮである。液晶組成物のＫ３３の値が大きすぎると、閾値電圧が高くなり、小さすぎるとＴｏｆｆ応答が遅くなる等の課題があるため、この範囲が好ましい。

なお、液晶組成物のＫ１１およびＫ３３は、例えば東陽テクニカ社製 弾性定数測定システム ＥＣ−１型（液晶物性評価）で測定することができる。

本発明のＶＡ型液晶表示素子は、液晶層を構成する液晶組成物中の液晶分子が、飽和電圧状態では第１および第２基板の主面に対して略垂直配向し（初期配向状態）、閾値以上の電圧印加により第１および第２基板の主面に対して略水平配向することが好ましい。ここで、液晶分子が「基板の主面に対して略垂直配向し」ているとは、基板の主面に対して液晶分子が垂直に配向している状態だけでなく、垂直配向している液晶分子のダイレクターが垂直方向からやや倒れてプレチルト角が付与されている状態も含むことを意味する。液晶分子がホメオトロピック配向（基板の主面に対して完全に垂直配向）している場合、基板の主面に対して完全に平行な方向と、液晶分子のダイレクターの方向と、のなす角度は９０°である。一方、液晶分子が完全にホモジニアス配向（基板の主面に対して水平に配向）している場合、上記角度は０°である。

液晶分子が基板の主面に対して略垂直配向している場合、液晶組成物中の液晶分子のプレチルト角が８９．９°〜８５°の範囲内であることが好ましく、８９．５°〜８７°の範囲内であることがより好ましい。

（１）液晶組成物に含まれる化合物
液晶層を構成する液晶組成物は、少なくとも液晶分子を含有する。中でも、液晶分子を１種類又は２種類以上と、重合性化合物および配向助剤の少なくとも一方を１種類又は２種類以上と、を含有することが好ましく、液晶分子を１種類又は２種類以上と、重合性化合物を１種類又は２種類以上と、配向助剤を１種類又は２種類以上と、を含むことがより好ましい。重合性化合物および配向助剤は、後述するように重合性基を有していることから、総じて重合性基を有する化合物と称することができる。液晶層は、このような重合性基を有する化合物を含む組成物で構成されることで、配向膜が無くても液晶分子が自発的に配向可能となり、また、配向膜を有する場合と比較してＶＡ型液晶表示素子においてＫ１１／Ｋ３３を規定することによる効果をより顕著に発揮することができるからである。

ポリイミドを用いた配向膜により、液晶化合物の垂直配向性を付与する場合、液晶分子に対する配向規制力は大きくなるものの、ラビングによる異物の混入や発生する静電気によるＴＦＴの損傷、また、配向膜形成のための工程の多段階化など問題がある。このような問題を解決する方法として、配向助剤を用いた垂直配向処理があるが、該処理を行った素子の場合、本発明において式（１）で定義する弾性定数Ｋ１１およびＫ３３の要件を満たすことにより、ＶＡ型液晶表示素子の低電圧駆動での光透過率の改善効果がより顕著に発現するため好ましい。

以下、液晶組成物に含まれる各種化合物について説明する。

＜液晶分子＞
液晶層を構成する液晶組成物は、液晶分子を１種類又は２種類以上含有する。液晶分子としては、例えば誘電的に負の異方性を有する化合物が好ましく用いられる。上記化合物は、Δεの符号が負で、その絶対値が２より大きい値を示すことが好ましい。

誘電的に負の異方性を有する化合物としては、例えば一般式（Ｎ−０１）〜一般式（Ｎ−０５）で表される化合物群から選ばれる化合物が挙げられる。これらの化合物は、Δεの符号が負で、その絶対値が２より大きい値を示す。なお、化合物のΔεは、２０℃において誘電的にほぼ中性の組成物に該化合物を添加した組成物の誘電率異方性の測定値から外挿した値である。

式（Ｎ−０１）〜（Ｎ−０５）中、Ｒ^２１及びＲ^２２は、それぞれ独立して、炭素原子数１から８のアルキル基、炭素原子数１から８のアルコキシ基、炭素原子数２から８のアルケニル基、炭素原子数２から８のアルケニルオキシ基を表し、該基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていても良く、Ｚ^１は、それぞれ独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、ｍは、それぞれ独立して、１又は２を表す。

Ｒ^２１は、炭素原子数１から８のアルキル基であることが好ましく、炭素原子数１から５のアルキル基がより好ましく、炭素原子数１から４のアルキル基が更に好ましい。但し、Ｚ^１が単結合以外を表す場合は、Ｒ^２１は、炭素原子数１〜３のアルキル基が好ましい。

Ｒ^２２は、炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数１から８のアルコキシ基であることが好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数１から４のアルコキシ基がより好ましく、炭素原子数１〜４のアルコキシ基が更に好ましい。

Ｒ^２１及びＲ^２２は、アルケニル基であることもでき、式（Ｒ１）から式（Ｒ５）のいずれかで表される基（各式中の黒点は環構造中の炭素原子を表す。）から選ばれることが好ましく、式（Ｒ１）又は式（Ｒ２）が好ましいが、Ｒ^２１及びＲ^２２がアルケニル基である化合物の含有量はできる限り少ない方が良く、重合性化合物とともに使用する場合には含有しない方が好ましい場合が多い。

Ｚ^１は、それぞれ独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表すが、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−が好ましく、単結合又は−ＣＨ_２Ｏ−がより好ましい。

ｍが１のとき、Ｚ^１は単結合であることが好ましい。

ｍが２のとき、Ｚ^１は−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、であることが好ましい。

一般式（Ｎ−０１）、（Ｎ−０２）、（Ｎ−０３）、（Ｎ−０４）及び（Ｎ−０５）で表される化合物は、Δεが負で、その絶対値が３よりも大きな化合物であることが好ましい。具体的には、Ｒ^２２は、炭素原子数１から８のアルコキシ基又は炭素原子数２から８のアルケニルオキシ基を表すことが好ましい。

液晶組成物の総量に対して、一般式（Ｎ−０１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、０％であり、１％であり、５％であり、１０％であり、２０％であり、３０％であり、４０％であり、５０％であり、５５％であり、６０％であり、６５％であり、７０％であり、７５％であり、８０％である。好ましい含有量の上限値は、９５％であり、８５％であり、７５％であり、６５％であり、５５％であり、４５％であり、３５％であり、２５％であり、２０％であり、１５％であり、１０％である。

液晶組成物の総量に対して、一般式（Ｎ−０２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、０％であり、１％であり、５％であり、１０％であり、２０％であり、３０％であり、４０％であり、５０％であり、５５％であり、６０％であり、６５％であり、７０％であり、７５％であり、８０％である。好ましい含有量の上限値は、９５％であり、８５％であり、７５％であり、６５％であり、５５％であり、４５％であり、３５％であり、２５％であり、２０％であり、１５％であり、１０％である。

液晶組成物の総量に対して、一般式（Ｎ−０３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、０％であり、１％であり、５％であり、１０％であり、２０％であり、３０％であり、４０％であり、５０％であり、５５％であり、６０％であり、６５％であり、７０％であり、７５％であり、８０％である。好ましい含有量の上限値は、９５％であり、８５％であり、７５％であり、６５％であり、５５％であり、４５％であり、３５％であり、２５％であり、２０％であり、１５％であり、１０％である。

液晶組成物の総量に対して、一般式（Ｎ−０４）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、０％であり、１％であり、５％であり、１０％であり、２０％であり、３０％であり、４０％であり、５０％であり、５５％であり、６０％であり、６５％であり、７０％であり、７５％であり、８０％である。好ましい含有量の上限値は、９５％であり、８５％であり、７５％であり、６５％であり、５５％であり、４５％であり、３５％であり、２５％であり、２０％であり、１５％であり、１０％である。
液晶組成物の総量に対して、式（Ｎ−０５）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、０％であり、２％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％である。

＜重合性化合物＞
液晶層を構成する液晶組成物は、重合性化合物を１種又は２種以上含有しても良い。重合性化合物は、活性エネルギー線の照射により重合可能な重合性基を有する化合物であればよく、例えば一般式（ＲＭ）で表される化合物を用いることができる。

式（ＲＭ）中、Ｒ^１０１、Ｒ^１０２、Ｒ^１０３、Ｒ^１０４、Ｒ^１０５、Ｒ^１０６、Ｒ^１０７及びＲ^１０８は、それぞれ独立して、Ｐ^１３−Ｓ^１３−、フッ素原子に置換されてもよい炭素原子数１から１８のアルキル基、フッ素原子に置換されてもよい炭素原子数１から１８のアルコキシ基、フッ素原子又は水素原子のいずれかを表し、Ｐ^１１、Ｐ^１２及びＰ^１３は、それぞれ独立して、式（Ｒｅ−１）から式（Ｒｅ−９）

（式（Ｒｅ−１）から式（Ｒｅ−９）中、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４及びＲ^１５は、それぞれ独立して、炭素原子数１から５のアルキル基、フッ素原子又は水素原子のいずれかを表し、ｍ^ｒ５、ｍ^ｒ７、ｎ^ｒ５及びｎ^ｒ７は、それぞれ独立して、０、１、又は２を表すが、ｍ^ｒ５、ｍ^ｒ７、ｎ^ｒ５及び／又はｎ^ｒ７が０を表す場合には単結合を表す。）

で表される重合性基を表し、Ｓ^１１、Ｓ^１２及びＳ^１３は、それぞれ独立して、単結合又は炭素原子数１〜１５のアルキレン基を表し、該アルキレン基中の１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−ＯＣＯ−又は−ＣＯＯ−で置換されても良く、Ｐ^１３及びＳ^１３が複数存在する場合は、それぞれ、同一であっても異なっていても良い。

一般式（ＲＭ）で表される重合性化合物を含む液晶組成物は、ＶＡ型液晶表示素子の中でもＰＳＡ型またはＰＳＶＡ型の液晶表示素子を作製する場合に好適であり、重合性化合物の重合体により、プレチルト角を制御することができる。またＮＰＳ型の液晶表示素子を作製する場合にも好適である。また、ＰＩ配向膜を有さないことを特徴とするＰＩ−ｌｅｓｓ型液晶表示素子を作成する場合にも好適である。

Ｐ^１１、Ｐ^１２及びＰ^１３は、全て同一の重合性基（式（Ｒｅ−１）〜式（Ｒｅ−９））であっても、異なる重合性基でもよい。

＜配向助剤＞
液晶層を構成する液晶組成物は、配向助剤を１種又は２種以上含有しても良い。配向助剤とは、液晶分子を自発的に配向させる機能を有する化合物である。

ここで配向助剤が液晶分子を自発的に配向させる機能を有するとは、配向助剤（自発配向性化合物）が、液晶組成物により構成される液晶層と直接当接する部材（電極（例えば、ＩＴＯ）、基板（例えば、ガラス基板、アクリル基板、透明基板、フレキシブル基板等）、樹脂層（例えば、カラーフィルタ、配向膜、オーバーコート層等）、絶縁膜（例えば、無機材料膜、ＳｉＮｘ等））に対して相互作用し、液晶層に含まれる液晶分子のホメオトロピック配向を誘起する機能を有することをいう。

配向助剤は、重合するための重合性基と、液晶分子と類似するメソゲン基と、液晶層と直接当接する部材と相互作用可能な吸着基（極性基）と、液晶分子の配向を誘起する配向誘導基と、を有することが好ましい。

吸着基及び配向誘導基はメソゲン基に対して結合していることが好ましい。また、重合性基はメソゲン基、吸着基及び配向誘導基に直接又は必要に応じスペーサー基を介して置換していることが好ましい。

配向助剤中の配向誘導基は、液晶分子の配向を誘導する機能を有する。配向誘導基としては、たとえば下記一般式（ＡＫ）で表される基が挙げられる。

（式（ＡＫ）中、Ｒ^ＡＫ１は、直鎖状若しくは分岐状の炭素原子数１〜２０のアルキル基を表す。ただし、アルキル基中の１個又は２個以上の−ＣＨ_２−は、酸素原子が直接結合することなく、それぞれ独立して、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されてもよく、アルキル基中の１個又は２個以上の水素原子は、それぞれ独立して、ハロゲノ基で置換されてもよい。式中の＊は結合手を表す。）。

配向助剤中の重合性基は、Ｐ^ＡＰ１−Ｓｐ^ＡＰ１−で表されることが好ましい。Ｐ^ＡＰ１は、下記一般式（ＡＰ−１）〜一般式（ＡＰ−９）で表される群より選ばれる基であることが好ましい。

式（ＡＰ−１）〜式（ＡＰ−９）中、Ｒ^ＡＰ１及びＲ^ＡＰ２は、それぞれ独立して、水素原子、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数１〜１０のハロゲン化アルキル基を表す。ただし、アルキル基中の１個又は２個以上の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置換されてもよく、アルキル基中の１個又は２個以上の水素原子は、それぞれ独立して、ハロゲン原子又は水酸基で置換されてもよい。
Ｗ^ＡＰ１は、単結合、−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＣＨ_２−を表す。
ｔ^ＡＰ１は、０、１又は２を表す。
Ｓｐ^ＡＰ１は、単結合又は直鎖状若しくは分岐状の炭素原子数１〜２０のアルキレン基を表すことが好ましく、単結合又は直鎖状の炭素原子数１〜２０のアルキレン基を表すことがより好ましく、単結合又は直鎖状の炭素原子数２〜１０のアルキレン基を表すことがさらに好ましい。
また、Ｓｐ^ＡＰ１において、アルキレン基中の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は、それぞれ独立して、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されてもよい。
式中の＊は結合手を表す。

配向助剤において、重合性基（Ｐ^ＡＰ１−Ｓｐ^ＡＰ１−）の数は、１以上５以下であることが好ましく、１以上４以下であることがより好ましく、２以上４以下であることがさらに好ましく、２又は３であることが特に好ましく、２であることが最も好ましい。

Ｐ^ＡＰ１−Ｓｐ^ＡＰ１−中の水素原子は、重合性基、吸着基及び／又は配向誘導基で置換されてもよい。重合性基（Ｐ^ＡＰ１−Ｓｐ^ＡＰ１−）は、重合性基、メソゲン基、吸着基及び／又は配向誘導基に対して結合してもよい。また、重合性基（Ｐ^ＡＰ１−Ｓｐ^ＡＰ１−）は、メソゲン基、吸着基又は配向誘導基に対して結合することが好ましく、メソゲン基又は吸着基に対して結合することがより好ましい。なお、分子内にＰ^ＡＰ１及び／又はＳｐ^ＡＰ１−が複数存在する場合に、それぞれ互いに同一であっても異なってもよい。

配向助剤中のメソゲン基は、剛直な部分を備えた基、例えば環式基を１つ以上備えた基をいい、環式基を２〜４個を備えた基が好ましく、環式基を３〜４個を備えた基がより好ましい。なお、必要に応じて、環式基は、連結基で連結されてもよい。メソゲン基は、液晶層に使用される液晶分子（液晶化合物）と類似の骨格を有することが好ましい。
なお、本明細書中において、「環式基」は、構成する原子が環状に結合した原子団をいい、炭素環、複素環、飽和又は不飽和環式構造、単環、２環式構造、多環式構造、芳香族、非芳香族などを含む。

また、環式基は、少なくとも１つのヘテロ原子を含んでもよく、さらに、少なくとも１つの置換基（ハロゲノ基、重合性基、有機基（アルキル、アルコキシ、アリール等）で置換されてもよい。環式基が単環である場合には、メソゲン基は、２個以上の単環を含んでいることが好ましい。

上記メソゲン基は、例えば、一般式（ＡＬ）で表されることが好ましい。

式（ＡＬ）中、Ｚ^ＡＬ１は、単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ＝Ｃ（ＣＨ_３）ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣ（ＣＨ_３）＝ＣＨ−、−ＣＨ_２−ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ（ＣＨ_３）−ＣＨ_２−、−ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−又は炭素原子数１〜２０のアルキレン基を表す。ただし、アルキレン基中の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されてもよい。
Ａ^ＡＬ１及びＡ^ＡＬ２は、それぞれ独立して、２価の環式基を表す。
Ｚ^ＡＬ１、Ａ^ＡＬ１及びＡ^ＡＬ２中の１個又は２個以上の水素原子は、それぞれ独立して、ハロゲノ基、吸着基、Ｐ^ＡＰ１−Ｓｐ^ＡＰ１−又は１価の有機基で置換されてもよく、分子内にＺ^ＡＬ１及びＡ^ＡＬ１が複数存在する場合に、それぞれ互いに同一であっても異なってもよい。
ｍ^ＡＬ１は、１〜５の整数を表す。式中の＊は結合手を表す。

配向助剤中の吸着基は、基板、膜、電極など液晶組成物と当接する層である吸着媒と吸着する役割を備えた基である。吸着は、吸着媒と吸着質との間で化学結合（共有結合、イオン結合又は金属結合）が形成されることにより吸着する化学吸着であってもよく、化学吸着以外の物理吸着であってもよいが、物理吸着であることが好ましい。吸着基としては、例えば下記一般式（ＡＴ）で表される基が挙げられる。

式（ＡＴ）中、Ｓｐ^ＡＴ１は、単結合、炭素原子数１〜２５の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基を表す。ただし、アルキレン基中の水素原子は、−ＯＨ、−ＣＮ、−Ｗ^ＡＴ１−Ｚ^ＡＴ１又はＰ^ＡＰ１−Ｓｐ^ＡＰ１−で置換されてもよく、アルキレン基中の−ＣＨ_２−は、酸素原子が直接結合しないように環式基、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−ＯＣＯ−ＣＯＯ−で置換されてもよい。
Ｗ^ＡＴ１は、単結合又は下記一般式（ＷＡＴ１）又は（ＷＡＴ２）を表す。
Ｚ^ＡＴ１は、極性要素を含む１価の基を表す。ただし、Ｚ^ＡＴ１中の水素原子は、−ＯＨ、−ＣＮ、−Ｓｐ^ＡＴ１−Ｗ^ＡＴ１−Ｚ^ＡＴ１又はＰ^ＡＰ１−Ｓｐ^ＡＰ１−で置換されてもよい。式中の＊は結合手を表す。

（式（ＷＡＴ１）および（ＷＡＴ２）中、Ｓｐ^ＷＡＴ１及びＳｐ^ＷＡＴ２は、それぞれ独立して、単結合、炭素原子数１〜２５の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基を表し、アルキレン基中の水素原子は、−ＯＨ、−ＣＮ、−Ｓｐ^ＡＴ１−Ｗ^ＡＴ１−Ｚ^ＡＴ１又はＰ^ＡＰ１−Ｓｐ^ＡＰ１−で置換されてもよく、アルキレン基中の−ＣＨ_２−は、酸素原子が直接結合しないように環式基、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＯＣＯ−又は−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されてもよい。式中の＊は結合手を表す。）

＜その他の化合物＞
本発明における液晶組成物は、液晶分子として、誘電的にほぼ中性の化合物（２０℃におけるΔεの値が−２〜２）を１種類又は２種類以上含んでいてもよい。誘電的にほぼ中性の化合物としては、例えば、一般式（Ｌ）で表される化合物が挙げられる。

（式（Ｌ）中、Ｒ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ_２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
ｎ^Ｌ１は０、１、２又は３を表し、
Ａ^Ｌ１、Ａ^Ｌ２及びＡ^Ｌ３はそれぞれ独立して
（ａ） １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ_２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ_２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）及び
（ｂ） １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
（ｃ） ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
Ｚ^Ｌ１及びＺ^Ｌ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
ｎ^Ｌ１が２又は３であってＡ^Ｌ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎ^Ｌ１が２又は３であってＺ^Ｌ３が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良いが、一般式（Ｎ−０１）〜一般式（Ｎ−０５）で表される化合物を除く。）

また、本発明における液晶組成物は、酸化防止剤を含むことができる。中でも上記液晶組成物がヒンダードフェノール系の酸化防止剤を含むことが好ましい。

また、本発明における液晶組成物は、光安定剤を含むことができる。光安定剤としては、Ｔｉｎｕｖｉｎ７７０やＬＡ−５７等のヒンダードアミン系光安定剤（ＨＡＬＳ）を好ましく用いることができる。

（２）物性
本発明における液晶組成物は、ネマチック相−等方性液体相転移温度（Ｔ_ｎｉ）が６０℃から１２０℃の範囲内であることが好ましい。詳しくは、その下限は６５℃が好ましく、７０℃が好ましく、７１℃が好ましく、７２℃が好ましく、７３℃が好ましく、７４℃が好ましく、７５℃が好ましく、その上限は１１０℃が好ましく、１０５℃が好ましく、１００℃が好ましく、９５℃が好ましく、９０℃が好ましく、８８℃が好ましく、８６℃が好ましく、８５℃が好ましく、８４℃が好ましく、８２℃が好ましく、８０℃が好ましい。

本発明における液晶組成物は、２０℃における回転粘性（γ_１）が５０ｍＰａ・ｓから２００ｍＰａ・ｓの範囲内であることが好ましい。詳しくは、その下限は５５ｍＰａ・ｓが好ましく、６０ｍＰａ・ｓが好ましく、６２ｍＰａ・ｓが好ましく、６４ｍＰａ・ｓが好ましく、６６ｍＰａ・ｓが好ましく、６８ｍＰａ・ｓが好ましく、７０ｍＰａ・ｓが好ましく、その上限は１９０ｍＰａ・ｓが好ましく、１８０ｍＰａ・ｓが好ましく、１７０ｍＰａ・ｓが好ましく、１６０ｍＰａ・ｓが好ましく、１５０ｍＰａ・ｓが好ましい。

本発明における液晶組成物は、２０℃における誘電率異方性（Δε）の値が負で、その絶対値が２．０以上であることが好ましい。具体的には、本発明における液晶組成物は、２０℃における誘電率異方性（Δε）が−２．０から−８．０の範囲内であることが好ましい。詳しくは、その下限は−７．０が好ましく、−６．５が好ましく、−６．０が好ましく、−５．５が好ましく、−５．０が好ましく、−４．５が好ましく、−４．０が好ましく、−３．９が好ましく、−３．８が好ましく、−３．７が好ましく、その上限は−２．５が好ましく、−２．６が好ましく、−２．７が好ましく、−２．８が好ましく、−２．９が好ましく、−３．０が好ましい。

本発明における液晶組成物は、２０℃における屈折率異方性（Δｎ）が０．０８から０．２０の範囲内であることが好ましい。詳しくは、その下限は０．０９が好ましく、０．１０が好ましく、０．１１が好ましく、０．１２が好ましく、０．１３が好ましく、その上限は０．１９が好ましく、０．１８が好ましく、０．１７が好ましく、０．１６が好ましく、０．１５が好ましい。更に詳述すると、薄いセルギャップに対応する場合は０．１０から０．２０の範囲内であることが好ましく、厚いセルギャップに対応する場合は０．０８から０．１２の範囲内であることが好ましい。

２．第１の基板および第２の基板
本発明において、第１の基板および第２の基板は、液晶層を介して対向するように配置される。第１の基板および第２の基板は、それぞれ、例えばガラス材料、またはプラスチック材料のような柔軟性（可撓性）を有する材料で形成されている。第１の基板および第２の基板は、双方が透光性を有していてもよく、一方のみが透光性を有していてもよい。透光性を有さない基板は、例えば金属材料、シリコン材料等の不透明な材料で構成することができる。

３．電極層
本発明において電極層は、上記第１の基板および上記第２の基板の少なくとも一方の基板に配置される。通常、第１の基板の液晶層側の面には画素電極層が配置され、第２の基板の液晶層側の面には共通電極層が配置される。

図２に示すように、画素電極層５は、走査信号を供給するための複数のゲートバスライン１１と、表示信号を供給するための複数のデータバスライン１２と、複数の画素電極１３とを有している。なお、図２には、一対のゲートバスライン１１、１１および一対のデータバスライン１２、１２が示されている。複数のゲートバスライン１１と複数のデータバスライン１２とは、互いに交差してマトリクス状に配置され、これらで囲まれた領域により、ＶＡ型液晶表示素子１の単位画素が形成されている。各単位画素内には、１つの画素電極１３が形成されている。

画素電極１３は、互いに直交して十字形状をなす２つの幹部と、各幹部から分岐し、外方に向かって延在する複数の枝部とを備える構造（いわゆるフィッシュボーン構造）を有している。一対のゲートバスライン１１、１１の間には、ゲートバスライン１１とほぼ平行にＣｓ電極１４が設けられている。また、ゲートバスライン１１とデータバスライン１２とが互いに交差する交差部近傍には、ソース電極１５およびドレイン電極１６を含む薄膜トランジスタが設けられている。ドレイン電極１６には、コンタクトホール１７が設けられている。

ゲートバスライン１１およびデータバスライン１２は、それぞれ、例えばＡｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉまたはこれらを含有する合金で形成することが好ましく、Ｍｏ、Ａｌまたはこれらを含有する合金で形成することがより好ましい。

画素電極１３は、例えば、光の透過率を向上させるために透明電極で構成されることが好ましい。透明電極は、ＺｎＯ、ＩｎＧａＺｎＯ、ＳｉＧｅ、ＧａＡｓ、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＳｎＯ、ＴｉＯ、ＡＺＴＯ（ＡｌＺｎＳｎＯ）等の酸化物半導体をスパッタリング等することにより形成することができる。透明電極の平均厚さは、１０ｎｍ〜２００ｎｍ程度であることが好ましい。また、電気的抵抗を低減するために、アモルファスのＩＴＯ膜を焼成することにより多結晶のＩＴＯ膜として透明電極を形成することもできる。

一方、共通電極層６は、例えば、併設された複数のストライプ状の共通電極（透明電極）を有している。この共通電極も、画素電極１３と同様に形成することができる。

４．カラーフィルタ
本発明のＶＡ型液晶表示素子は、通常、第２の基板と共通電極層との間にカラーフィルタを有することができる。カラーフィルタは、例えば、顔料分散法、印刷法、電着法または染色法等によって作成することができる。顔料分散法では、カラーフィルタ用の硬化性着色組成物を、第２の基板上に所定のパターンとなるように供給した後、加熱または光照射することにより硬化させる。この操作を、赤、緑、青の３色について行うことにより、カラーフィルタを得ることができる。なお、カラーフィルタは、第１の基板側に配置してもよい。

５．第１の偏光板および第２の偏光板
本発明のＶＡ型液晶表示素子は、第１の基板の液晶層と反対側の面に、第１の偏光板を設けることができ、第２の基板の液晶層と反対側の面に、第２の偏光板を設けることができる。

第１の偏光板および第２の偏光板は、それらの透過軸の位置関係を調整することにより、視野角やコントラストが良好になるように設計することができる。具体的には、第１の偏光板および第２の偏光板は、それらの透過軸がノーマリブラックモードで作動するように、互いに直行するように配置することが好ましい。特に、第１の偏光板および第２の偏光板のうちのいずれか一方は、その透過軸が電圧無印加時の液晶分子の配向方向と平行となるように配置されることが好ましい。

また、第１の偏光板および第２の偏光板を使用する場合は、コントラストが最大になるように液晶層の屈折率異方性（Δｎ）と液晶層の平均厚さとの積を調整することが好ましい。さらに、ＶＡ型液晶表示素子は、視野角を広げるための位相差フィルムを備えてもよい。

６．ブラックマトリクス
本発明のＶＡ型液晶表示素子は、光の漏れを防止する観点から、ブラックマトリクス（図示せず）を有していてもよい。ブラックマトリクスは、薄膜トランジスタに対応する部分に形成することが好ましい。ブラックマトリクスは、液晶層に対して第２の基板側にカラーフィルタとともに配置してもよく、液晶層に対して第１の基板側にカラーフィルタとともに配置してもよい。また、ブラックマトリクスとカラーフィルタとは別個に配置してもよい。すなわち、ブラックマトリックスは、ブラックマトリクスは液晶層に対して第１の基板側に配置し、カラーフィルタは液晶層に対して第２の基板側に配置してもよい。さらにブラックマトリクスは、カラーフィルタの各色を重ね合わせ、透過率を低下させた部分で構成することもできる。

７．その他の構成
第１の基板および第２の基板は、画素電極層が配置された面および共通電極層が配置された面がそれぞれ液晶層側を向くように対向して配置される。また、第１の基板および第２の基板は、離間して配置され、それらの周縁領域において、エポキシ系熱硬化性組成物等で構成されるシール材（封止材）によって互いに貼り合わされている。第１の基板および第２の基板の平均離間距離（すなわち、液晶層の平均厚さ）は、１μｍ〜１００μｍ程度であることが好ましい。

また、第１の基板および第２の基板の間には、離間距離を保持するスペーサーを配置してもよい。スペーサーとしては、例えばガラス粒子、プラスチック粒子、アルミナ粒子のような粒状スペーサー、フォトリソグラフィー法により形成された樹脂製のスペーサー柱等が挙げられる。

画素電極層上には、画素電極層の一部または全部を被覆する絶縁膜、平坦化膜が配置されていてもよい。また、共通電極層上には、共通電極層の一部または全部を被覆する絶縁膜、平坦化膜が配置されていてもよい。

本発明のＶＡ型液晶表示素子においては、液晶層が直接当接する部材の表面の、極角方向のアンカリングエネルギーが小さいほど好ましい。ＶＡ型液晶表示素子においてＫ１１／Ｋ３３を規定することによる効果がより顕著に発揮されるからである。具体的には、液晶層が直接当接する部材の表面の極角方向のアンカリングエネルギーが、１Ｅ-０Ｊ／ｍ^２〜１Ｅ-５Ｊ／ｍ^２の範囲内であることが好ましく、中でも１Ｅ-２Ｊ／ｍ^２〜１Ｅ-５Ｊ／ｍ^２の範囲内であることが好ましく、特に１Ｅ-３Ｊ／ｍ^２〜１Ｅ-５Ｊ／ｍ^２の範囲内であることが好ましい。極角方向のアンカリングエネルギーは、例えばJapanese Journal of the Applied Physics, Vol47, No12, 2008年, p8892-8897（東北大学 石鍋隆弘著）に記載の方法を用いて測定することができる。

本発明のＶＡ型液晶表示素子は、第１の基板および第２の基板の少なくとも一方の基板に、配向膜を有していてもよく、第１の基板および第２の基板の少なくとも一方の基板に、配向膜を有していなくてもよい。配向膜は、液晶分子を配向させる機能を有するものであり、通常、液晶層と直接接して配置される。上記配向膜としては、ポリイミド膜、ナイロン膜、ポリビニルアルコール膜などの有機高分子膜が好ましく用いられる。

中でも第１の基板および第２の基板の少なくとも一方の基板に、配向膜を有していないことが好ましく、第１の基板および第２の基板の両方の基板に配向膜を有していないことがより好ましい。換言すれば、液晶層の少なくとも一方の主面は、配向膜と接していないことが好ましい。配向膜は、液晶分子の配向を制御する機能を発揮するために、通常、表面の極角方向のアンカリングエネルギーが大きいからである。なお、本発明における配向膜には、上述した重合性化合物および配向助剤の少なくとも一方の化合物の重合物で構成される重合物膜は含まないものとする。

また、本発明のＶＡ型液晶表示素子において、液晶層が直接当接する部材の表面は、配向処理がされていてもよく、配向処理がされていなくてもよい。中でも液晶層が直接当接する部材の表面は配向処理がされていないことが好ましい。表面に配向処理がされた部材は、表面のアンカリングエネルギーが大きいからである。配向処理としては、延伸処理、ラビング処理、偏光紫外可視光照射処理、イオンビーム処理、基材へのＳｉＯ_２の斜方蒸着処理、等が挙げられる。

液晶層を構成する液晶組成物が配向助剤および／または重合性化合物を含む場合、本発明のＶＡ型液晶表示素子は、上記第１の基板および上記第２の基板の間に、上記配向助剤および／または重合性化合物を重合した重合物を備えていてもよい。換言すれば、上記第１の基板および上記第２の基板の間に、重合性基を有する化合物の重合物を備えていてもよい。配向助剤および／または重合性化合物の重合物により、配向膜がなくても液晶分子を配向させることができるからである。重合性基を有する化合物の重合物（配向助剤および／または重合性化合物の重合物）は、第１の基板および第２の基板の少なくとも一方に有していればよく、両方に有していてもよいし、液晶組成物中に存在していても良い。中でも、重合物を構成する上記重合性基を有する化合物は、メソゲン基をさらに有することが好ましい。

なお、第１の基板および第２の基板の間に重合性基を有する化合物の重合物を有する場合、第１の基板および第２の基板は、配向膜を有さないものとすることができるが、第１の基板および第２の基板の少なくとも一方に配向膜を有していてもよい。

８．製造方法
本発明のＶＡ型液晶表示素子は、公知の方法により製造することができ、真空注入により対向する第１の基板および第２の基板の間に液晶組成物を充填する真空注入法を用いて製造してもよく、対向する第１の基板および第２の基板のうち少なくとも一方の基板上に液晶組成物を滴下するＯＤＦ法を用いて製造してもよい。液晶組成物が重合性化合物および配向助剤野少なくとも一方の化合物を含む場合、本発明のＶＡ型液晶表示素子の製造方法は、活性エネルギー線を照射して、重合性化合物や配向助剤を重合させる工程を含む。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

以下に実施例を挙げて本発明を更に詳述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。また、以下の実施例及び比較例の組成物における「％」は『質量％』を意味する。

［実施例１〜２、比較例１〜２］
シミュレーションによりＶＡ型液晶表示素子のＶ−Ｔ曲線を求めた。シミュレーションは、シンテック社のＬＣＤマスター１Ｄを使用し、液晶表示素子の構成は、ベタ形状のＩＴＯ電極層がそれぞれ配置された上下ガラス基板間に液晶層を配置し、各基板の外側（液晶層側とは反対側）には、偏光板をクロスニコルになるよう設定した。上記液晶層の両主面はポリイミド配向膜（アンカリングエネルギー：１Ｅ＋２０［Ｊ／ｍ^２］）に当接していることを想定した設計とした。液晶セル厚は３．２ｕｍとした。上側のガラス基板に配置した偏光板は９０度に透過軸が来る配置とし、下側のガラス基板に配置した偏光板は０度に透過軸が来る配置とした。また、液晶分子は４５度方位にプレチルト角を設定した（極角８９度）。

液晶層を構成する液晶組成物は、上述した液晶分子を含み、上述した重合性化合物および配向助剤を含まない組成物を想定した。液晶層を構成する液晶組成物のＫ１１、Ｋ３３は下記表１のとおりに設定した。また、液晶組成物のＫ１１、Ｋ３３以外の物性値は、下記のとおり設定した。
・Ｋ２２＝（Ｋ１１＋Ｋ３３）／４
・Δε＝−３．３
・Δｎ（５８９ｎｍ）＝０．１１

閾値電圧（Ｖth）は、下記理論式中のＫにＫ３３値を代入して算出された値（２．１４Ｖ）とした。式中のε_０は真空の誘電率を示す。

上下電極層間に０Ｖ〜１０Ｖまで０．１Ｖ刻みで電位差を設け、その各々での液晶分子の配向と光透過率の計算を行った。各シミュレーションにおけるＶＡ型液晶表示素子のＶ−Ｔ曲線を図３に示す。図３の結果から、Ｋ１１／Ｋ３３の値が小さくなるほど、Ｖ−Ｔ曲線の急峻性が向上し、低電圧駆動でも高い光透過性を示すことが確認された。

［実施例３〜６、比較例３］
液晶層を構成する液晶組成物として、上述した液晶分子と、上述した重合性化合物と、上述した配向助剤と、を含む組成物（ＰＩ−ｌｅｓｓ組成物）を想定し、該液晶組成物のＫ１１およびＫ３３、ならびに液晶層と当接する面のアンカリングエネルギーを表２に示す値に設定したこと以外は、実施例１と同様にして、シミュレーションにより各条件でのＶＡ型液晶表示素子のＶ−Ｔ曲線を求めた。なお、実施例４〜６は液晶層の両主面がポリイミド配向膜と当接していないＰＩ−ｌｅｓｓ液晶表示素子の設計とした。また、実施例３〜６および比較例３における液晶組成物のＫ１１、Ｋ３３以外の物性値は、実施例１等と同様とした。各条件でのＶＡ型液晶表示素子のＶ−Ｔ曲線を図４に示す。

図４の結果（特に条件２〜５の結果）から、Ｋ１１／Ｋ３３の値が同じ場合、液晶層が接する面のアンカリングエネルギーが小さいほど、Ｖ−Ｔ曲線が上側（高透過率側）にシフトし、同じ電圧条件下でもより高透過率を示すことが示唆された。

１ ＶＡ型液晶表示素子
ＡＭ アクティブマトリクス基板
ＣＦ カラーフィルタ基板
２ 第１の基板
３ 第２の基板
４ 液晶層
５ 画素電極層
６ 共通電極層
７ 第１の偏光板
８ 第２の偏光板
９ カラーフィルタ

Claims (7)

1. 対向する第１の基板および第２の基板と、
   前記第１の基板および前記第２の基板の間に設けられた液晶層と、
   前記第１の基板および前記第２の基板の少なくとも一方の基板に配置された電極層と、を有し、
   前記液晶層は、２０℃でのスプレイの弾性定数（Ｋ１１）と２０℃でのベンドの弾性定数（Ｋ３３）とが下記式（１）の関係を満たす液晶組成物で構成されている、垂直配向型液晶表示素子。
   Ｋ１１／Ｋ３３ ≦ １．０ …（１）
2. 前記第１の基板および前記第２の基板の間に、重合性基を有する化合物の重合物を備えた、請求項１に記載の垂直配向型液晶表示素子。
3. 前記重合性基を有する化合物は、メソゲン基をさらに有する、請求項２に記載の垂直配向型液晶表示素子。
4. 前記第１の基板および前記第２の基板の少なくとも一方の基板に、配向膜を有していない、請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載の垂直配向型液晶表示素子。
5. 前記液晶組成物の２０℃における誘電率異方性（Δε）の値が負で、その絶対値が２．０以上である、請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載の垂直配向型液晶表示素子。
6. 前記液晶組成物がヒンダードフェノール系の酸化防止剤を含有する、請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載の垂直配向型液晶表示素子。
7. 前記液晶組成物中の液晶分子のプレチルト角が８５°〜８９．９°の範囲内である、請求項１から請求項６までのいずれか１項に記載の垂直配向型液晶表示素子。

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