JP2020064119A - Cell for repairment, micro led display, and method for manufacturing cell for repairment - Google Patents

Cell for repairment, micro led display, and method for manufacturing cell for repairment Download PDF

Info

Publication number
JP2020064119A
JP2020064119A JP2018194652A JP2018194652A JP2020064119A JP 2020064119 A JP2020064119 A JP 2020064119A JP 2018194652 A JP2018194652 A JP 2018194652A JP 2018194652 A JP2018194652 A JP 2018194652A JP 2020064119 A JP2020064119 A JP 2020064119A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
micro led
light
cell
repair
blue
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2018194652A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
良勝 柳川
Yoshikatsu Yanagawa
良勝 柳川
貴文 平野
Takafumi Hirano
貴文 平野
梶山 康一
Koichi Kajiyama
康一 梶山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
V Technology Co Ltd
Original Assignee
V Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by V Technology Co Ltd filed Critical V Technology Co Ltd
Priority to JP2018194652A priority Critical patent/JP2020064119A/en
Priority to KR1020217007313A priority patent/KR20210075070A/en
Priority to PCT/JP2019/030188 priority patent/WO2020079921A1/en
Priority to CN201980066997.1A priority patent/CN113039465A/en
Priority to TW108128640A priority patent/TW202029494A/en
Publication of JP2020064119A publication Critical patent/JP2020064119A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/20Filters
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/20Filters
    • G02B5/201Filters in the form of arrays
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements

Abstract

To provide a cell for repairment which enables repairment of a defect in a micro LED display by omitting complicated steps and shortening a tact time.SOLUTION: A cell for repairment 21a used as a replacement of a defective cell comprises: a micro LED 3 including a light emission surface 32 which emits light having a specific spectrum of ultraviolet to blue wavelength band, has electrodes 31a and 31b for light emission on one of surfaces opposite to each other and emits light to the other surface; a plate-like flattening film 4 having a surrounding wall 41 located at a predetermined position in order to hold the micro LED 3 by bonding it to the peripheral side surface thereof, and holding one or more micro LEDs 3 by exhibiting a bonding function by ultraviolet irradiation or heating; and a fluorescent layer 11 provided on the flattening film and obtained by filling a region surrounded with a shading wall 12 with fluorescent material excited by the light emitted from the micro LED 3 according to the number of micro LEDs 3 and wavelength-converted into fluorescence of a corresponding color.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、フルカラー表示を実現するための複数のセルがマトリクス状に配置されたマイクロLED(Light Emitting Diode)ディスプレイにおいて欠陥が発生した欠陥セルの代替として用いるリペア用セルに関し、特に効率良く修復可能とするリペア用セル、上記複数のセルのうち欠陥が発生した欠陥セルを上記リペア用セルで代替したマイクロLEDディスプレイ及びリペア用セルの製造方法に係るものである。   The present invention relates to a repair cell used as a substitute for a defective cell in which a defect has occurred in a micro LED (Light Emitting Diode) display in which a plurality of cells for realizing full-color display are arranged in a matrix, and can be repaired particularly efficiently. The present invention relates to a repair cell, a micro LED display in which a defective cell in which a defect has occurred among the plurality of cells is replaced by the repair cell, and a method for manufacturing the repair cell.

従来より、マイクロメートル(μm)サイズのマイクロLEDを画素としたディスプレイが開示されている(例えば、特許文献1参照)。マイクロLEDを画素としたディスプレイの製造工程においては、光の三原色である赤(R)、緑(G)、青(B)の色を各々発光するマイクロLEDを発光源とし、フルカラー表示を実現するマイクロLEDディスプレイの場合、マイクロLEDの非点灯による欠陥や輝点欠陥が起こり得る。また、紫外〜近紫外の帯域の光を発光するLEDを発光源とし、蛍光材を色変換層として用いて、フルカラー表示を実現するマイクロLEDディスプレイの場合、マイクロLEDの欠陥のみならず、蛍光材の充填後の混色や色抜け等の欠陥も起こり得る。   2. Description of the Related Art Conventionally, a display in which a micrometer (μm) size micro LED is used as a pixel has been disclosed (see, for example, Patent Document 1). In the manufacturing process of a display using micro LEDs as pixels, full color display is realized by using micro LEDs that emit light of the three primary colors of light, red (R), green (G), and blue (B), respectively. In the case of a micro LED display, defects or bright spot defects due to non-lighting of the micro LED may occur. In the case of a micro LED display that realizes full-color display by using an LED that emits light in the ultraviolet to near-ultraviolet band as a light source and using a fluorescent material as a color conversion layer, not only defects of the micro LED but also fluorescent material Defects such as color mixing and color loss after filling may occur.

このような欠陥が発生した場合、欠陥箇所のセル(欠陥セル)を修復することが望ましい。通常、セルの欠陥を修復する場合、欠陥箇所をレーザ加工等で除去した後、回路パターンを復元し、さらにセルを復元するため、その欠陥箇所において、新たなLEDチップの実装等を含む再実装の工程を実施する必要がある。   When such a defect occurs, it is desirable to repair the cell at the defective portion (defective cell). Usually, when repairing a defect of a cell, after removing the defective part by laser processing, etc., the circuit pattern is restored and the cell is further restored. Therefore, at the defective part, remounting including mounting of a new LED chip is performed. It is necessary to perform the process of.

特表2016―512347号公報Japanese Patent Publication No. 2016-512347

しかし、再実装の工程には、その欠陥箇所において、例えば露光、現像、乾燥、硬化等の複雑な工程が必要であり、これらに伴う新たな欠陥が発生するおそれが生じる。   However, the remounting process requires complicated processes such as exposure, development, drying, and curing at the defective portion, which may cause new defects.

そこで、本発明は、このような問題点に対処し、複雑な工程を省略し、タクト時間を短縮して、マイクロLEDディスプレイの欠陥箇所のセルを修復可能とするリペア用セル、欠陥が発生した欠陥セルをそのリペア用セルで代替したマイクロLEDディスプレイ、及びリペア用セルの製造方法を提供することを目的とする。   Therefore, the present invention addresses such a problem, omits complicated steps, shortens the tact time, and repair cells capable of repairing defective cells of a micro LED display, and defects have occurred. An object of the present invention is to provide a micro LED display in which a defective cell is replaced with a repair cell, and a method for manufacturing the repair cell.

上記目的を達成するために、本発明によるリペア用セル(本願の請求項1に係る発明)は、フルカラー表示を実現するための複数のセルがマトリクス状に配置されたマイクロLEDディスプレイにおいて欠陥が発生した欠陥セルの代替として用いるリペア用セルであって、光の三原色である赤(R)、緑(G)、青(B)の何れかの色を発光し、相対向する面の一方の面上に発光用の電極を有し、他方の面に発光した光を放出する光放出面が形成されたマイクロLEDと、平板状に形成され、上記マイクロLEDの周側面と接着して保持するための包囲壁を有し、紫外線照射又は加熱によって接着機能を発現することにより、上記赤(R)、緑(G)、青(B)の発光パターンに応じた数の上記マイクロLEDを保持する平坦化膜と、を備えたものである。   In order to achieve the above object, the repair cell according to the present invention (the invention according to claim 1 of the present application) has a defect in a micro LED display in which a plurality of cells for realizing full color display are arranged in a matrix. Repair cell used as an alternative to the defective cell, which emits any one of the three primary colors of light: red (R), green (G), and blue (B), and one of the opposite surfaces. A micro LED having an electrode for emitting light on the other side and a light emitting surface for emitting emitted light formed on the other surface, and a micro LED formed in a flat plate shape, to be adhered to and held on the peripheral side surface of the micro LED. A flat surface having a surrounding wall of the above and having a number of the micro LEDs corresponding to the above-mentioned red (R), green (G), and blue (B) emission patterns by exhibiting an adhesive function by ultraviolet irradiation or heating. And a chemical film It is intended.

上記目的を達成するために、本発明によるリペア用セル(本願の請求項4に係る発明)は、フルカラー表示を実現するための複数のセルがマトリクス状に配置されたマイクロLEDディスプレイにおいて欠陥が発生した欠陥セルの代替として用いるリペア用セルであって、紫外から青色波長帯までのうちで特定のスペクトルを有する光を発光し、相対向する面の一方の面上に発光用の電極を有し、他方の面に発光した光を放出する光放出面が形成されたマイクロLEDと、平板状に形成され、上記マイクロLEDの周側面と接着して保持するための包囲壁を予め定められた位置に有し、紫外線照射又は加熱によって接着機能を発現することにより上記マイクロLEDを1又は複数保持する平坦化膜と、上記平坦化膜上に設けられ、上記マイクロLEDの数に応じて上記マイクロLEDから放出された光によって励起されて、予め定められた対応色の蛍光に波長変換する蛍光材を、周囲を遮光壁により囲まれた領域に充填した蛍光発光層と、を備えたものである。   In order to achieve the above object, the repair cell according to the present invention (the invention according to claim 4 of the present application) has a defect in a micro LED display in which a plurality of cells for realizing full-color display are arranged in a matrix. A repair cell used as a substitute for the defective cell, which emits light having a specific spectrum in the ultraviolet to blue wavelength band, and has an electrode for light emission on one surface of the opposite surface. , A micro LED having a light emitting surface for emitting the emitted light on the other surface, and a predetermined position of an enclosing wall formed in a flat plate shape and adhered to and holding the peripheral side surface of the micro LED. And a flattening film for holding one or a plurality of the micro LEDs by exhibiting an adhesive function by ultraviolet irradiation or heating, and the microphone provided on the flattening film. A fluorescent light emitting layer in which a region surrounded by a light shielding wall is filled with a fluorescent material that is excited by light emitted from the micro LED according to the number of LEDs to convert the wavelength into fluorescent light of a predetermined corresponding color. And ,.

上記目的を達成するために、本発明によるマイクロLEDディスプレイの(本願の請求項7に係る発明)は、フルカラー表示を実現するための複数のセルがマトリクス状に配置されたマイクロLEDディスプレイであって、上記セルのうち欠陥が発生した欠陥セルを、請求項1〜3の何れか1項に記載のリペア用セルで代替したものである。   In order to achieve the above object, a micro LED display according to the present invention (the invention according to claim 7 of the present application) is a micro LED display in which a plurality of cells for realizing full color display are arranged in a matrix. The defective cell in which a defect has occurred is replaced with the repair cell according to any one of claims 1 to 3.

上記目的を達成するために、本発明によるマイクロLEDディスプレイ(本願の請求項8に係る発明)は、フルカラー表示を実現するための複数のセルがマトリクス状に配置されたマイクロLEDディスプレイであって、上記セルのうち欠陥が発生した欠陥セルを、請求項4〜6の何れか1項に記載のリペア用セルで代替したものである。   In order to achieve the above object, a micro LED display according to the present invention (an invention according to claim 8 of the present application) is a micro LED display in which a plurality of cells for realizing full color display are arranged in a matrix, A defective cell in which a defect has occurred is replaced with the repair cell according to any one of claims 4 to 6.

上記目的を達成するために、本発明によるリペア用セルの製造方法(本願の請求項9に係る発明)は、フルカラー表示を実現するための複数のセルがマトリクス状に配置されたマイクロLEDディスプレイにおいて欠陥が発生した欠陥セルの代替として用いるリペア用セルの製造方法であって、光の三原色である赤(R)、緑(G)、青(B)の何れかの色を発光し、相対向する面の一方の面上に発光用の電極を有し、他方の面に発光した光を放出する光放出面が形成されたマイクロLEDに、上記マイクロLEDの周側面と接着して保持するための包囲壁を有し、紫外線照射又は加熱によって接着機能を発現することにより、上記赤(R)、緑(G)、青(B)の発光パターンに応じた数の上記マイクロLEDを保持する平板状の平坦化膜を一体形成する工程を含む。   In order to achieve the above object, a method for manufacturing a repair cell according to the present invention (an invention according to claim 9 of the present application) is a micro LED display in which a plurality of cells for realizing full color display are arranged in a matrix. A method of manufacturing a repair cell used as an alternative to a defective cell in which a defect has occurred, which emits any one of the three primary colors of light, red (R), green (G), and blue (B), and faces each other. In order to hold the micro LED, which has a light emitting electrode on one surface thereof and a light emitting surface for emitting the emitted light on the other surface, adhered to the peripheral side surface of the micro LED. A flat plate having a surrounding wall and holding the number of the micro LEDs according to the emission patterns of the red (R), green (G), and blue (B) by exhibiting an adhesive function by irradiation with ultraviolet rays or heating. Flattened film Including the step of integrally formed.

上記目的を達成するために、本発明によるリペア用セルの製造方法(本願の請求項10に係る発明)は、フルカラー表示を実現するための複数のセルがマトリクス状に配置されたマイクロLEDディスプレイにおいて欠陥が発生した欠陥セルの代替として用いるリペア用セルの製造方法であって、紫外から青色波長帯までのうちで特定のスペクトルを有する光を発光し、相対向する面の一方の面上に発光用の電極を有し、他方の面に発光した光を放出する光放出面が形成されたマイクロLEDに、上記マイクロLEDの周側面と接着して保持するための包囲壁を予め定められた位置に有し、紫外線照射又は加熱によって接着機能を発現することにより上記マイクロLEDを1又は複数保持する平板状の平坦化膜を一体形成する工程と、上記マイクロLEDの数に応じて上記マイクロLEDから放出された光によって励起されて、予め定められた対応色の蛍光に波長変換する蛍光材を、周囲を遮光壁により囲まれた領域に充填した蛍光発光層を形成する工程と、上記平坦化膜上に上記蛍光発光層を貼り合わせる工程と、を含む。   In order to achieve the above object, a method of manufacturing a repair cell according to the present invention (an invention according to claim 10 of the present application) is a micro LED display in which a plurality of cells for realizing full color display are arranged in a matrix. A method of manufacturing a repair cell used as a substitute for a defective cell in which a defect has occurred, which emits light having a specific spectrum in the ultraviolet to blue wavelength band, and emits light on one of the opposite surfaces. A micro LED having a light emitting surface for emitting emitted light on the other surface of the micro LED, and an enclosing wall for adhering and holding the peripheral side surface of the micro LED at a predetermined position And a step of integrally forming a flat plate-shaped flattening film for holding one or a plurality of the micro LEDs by exhibiting an adhesive function by irradiation with ultraviolet rays or heating. Fluorescence emission in which a region surrounded by a light-shielding wall is filled with a fluorescent material that is excited by the light emitted from the micro LED according to the number of the black LEDs and converts the wavelength into fluorescence of a predetermined corresponding color. A step of forming a layer and a step of adhering the fluorescent light emitting layer on the flattening film are included.

本発明のリペア用セルによれば、複数のセルのうち欠陥が発生した場合であっても、予め製造しておいた本発明によるリペア用セルを使用して修復するので、その分、複雑な工程を省略し、タクト時間を短縮して、マイクロLEDディスプレイの欠陥箇所を修復可能とすることができる。   According to the repair cell of the present invention, even when a defect occurs among a plurality of cells, since repair is performed using the repair cell of the present invention that is manufactured in advance, the repair cell is complicated. The steps can be omitted, the tact time can be shortened, and the defective portion of the micro LED display can be repaired.

また、本発明のマイクロLEDディスプレイによれば、欠陥セルを、本発明によるリペア用セルで代替したので、複雑な工程を省略し、タクト時間を短縮して修復されたマイクロLEDディスプレイを提供することができる。   Further, according to the micro LED display of the present invention, since the defective cell is replaced by the repair cell according to the present invention, a complicated micro process is omitted, and a tact time is shortened to provide a repaired micro LED display. You can

さらに、本発明のリペア用セルの製造方法によれば、複雑な工程を省略し、タクト時間を短縮して、マイクロLEDディスプレイの欠陥箇所を修復可能なリペア用セルを提供することができる。   Furthermore, according to the repair cell manufacturing method of the present invention, it is possible to provide a repair cell capable of repairing a defective portion of a micro LED display by omitting complicated steps and shortening the tact time.

第1実施形態に係るマイクロLEDディスプレイの構成例を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structural example of the micro LED display which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係るリペア用セルの説明図である。It is explanatory drawing of the repair cell which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係るリペア用セルの説明図である。It is explanatory drawing of the repair cell which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係るリペア用セルの製造方法の工程を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the process of the manufacturing method of the repair cell which concerns on 1st Embodiment. LED素子の形成工程を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the formation process of an LED element. LED素子の形成工程を説明する工程図である。FIG. 6 is a process diagram illustrating a process of forming an LED element. LED素子の形成工程を説明する工程図である。FIG. 6 is a process diagram illustrating a process of forming an LED element. LEDの要部拡大図である。It is a principal part enlarged view of LED. レーザリフトオフ後のLEDの要部拡大図である。It is a principal part enlarged view of LED after laser lift-off. 蛍光発光層の形成工程を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the formation process of a fluorescent light emitting layer. 蛍光発光層の形成工程を説明する工程図である。It is a flowchart explaining the formation process of a fluorescence emission layer. 蛍光発光層の形成工程を説明する工程図である。It is a flowchart explaining the formation process of a fluorescence emission layer. 蛍光発光層の形成工程を説明する工程図である。It is a flowchart explaining the formation process of a fluorescence emission layer. 貼り合わせ工程を示すフローチャートである。It is a flow chart which shows a pasting process. 貼り合わせ工程を説明する工程図である。It is a flowchart explaining a pasting process. 貼り合わせ工程を説明する工程図である。It is a flowchart explaining a pasting process. 貼り合わせ工程を説明する工程図である。It is a flowchart explaining a pasting process. 貼り合わせ工程を説明する工程図である。It is a flowchart explaining a pasting process. フィルムへの転写の説明図である。It is an explanatory view of transfer to a film. フィルムへの転写の説明図である。It is an explanatory view of transfer to a film. フィルムに転写されたリペア用セルの構成図である。It is a block diagram of the repair cell transferred to the film. 点灯検査工程を示すフローチャートである。It is a flow chart which shows a lighting inspection process. 点灯検査工程を説明する工程図である。It is a process drawing explaining a lighting inspection process. 点灯検査工程を説明する工程図である。It is a process drawing explaining a lighting inspection process. 検査用基板の構成図であるIt is a block diagram of an inspection board. 検査用基板による点灯検査を説明する図である。It is a figure explaining the lighting inspection by the board | substrate for an inspection. 第1実施形態に係るリペア用セルの変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of the repair cell which concerns on 1st Embodiment. 第2実施形態に係るマイクロLEDディスプレイの一例を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically an example of the micro LED display which concerns on 2nd Embodiment. 第2実施形態に係るリペア用セルの説明図である。It is explanatory drawing of the repair cell which concerns on 2nd Embodiment. 第2実施形態に係るリペア用セルのフィルムへの転写を説明する図である。It is a figure explaining transfer to the film of the repair cell which concerns on 2nd Embodiment. 第2実施形態に係るリペア用セルのフィルムへの転写を説明する図である。It is a figure explaining transfer to the film of the repair cell which concerns on 2nd Embodiment. 第2実施形態に係るリペア用セルの変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of the repair cell which concerns on 2nd Embodiment.

[第1実施形態]
以下、添付された図面を参照し、本発明に係るリペア用セル、マイクロLEDディスプレイ及びリペア用セルの製造方法を実施するための第1実施形態について詳述する。
[マイクロLEDディスプレイ]
図1は、第1実施形態に係るマイクロLEDディスプレイの構成例を模式的に示す図である。図1(a)は、第1実施形態に係るマイクロLEDディスプレイの平面図である。マイクロLEDディスプレイ100は、アレイ基板1とセルアレイ2とを含む。マイクロLEDディスプレイ100は、マイクロLED3(以下、単に「LED3」という)が発光することにより、フルカラー表示を実現するものである。マイクロLEDディスプレイ100は、例えばパッシブマトリクス方式を採用している。
[First Embodiment]
Hereinafter, a first embodiment for carrying out a method for manufacturing a repair cell, a micro LED display, and a repair cell according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
[Micro LED display]
FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration example of the micro LED display according to the first embodiment. FIG. 1A is a plan view of the micro LED display according to the first embodiment. The micro LED display 100 includes an array substrate 1 and a cell array 2. The micro LED display 100 realizes full-color display by emitting light from the micro LED 3 (hereinafter, simply referred to as “LED3”). The micro LED display 100 employs, for example, a passive matrix system.

具体的には、マイクロLEDディスプレイ100は、紫外から青色波長帯までのうちで特定のスペクトルを有する光を発光する複数のLED3を駆動する配線基板6を含むアレイ基板1を備える。なお、図1(a)においては、LED3と、後述する蛍光材層11R、11G、11Bを有する蛍光発光層11との配置を見やすくするため、配線基板6の配線の図示を省略している。   Specifically, the micro LED display 100 includes an array substrate 1 including a wiring substrate 6 that drives a plurality of LEDs 3 that emit light having a specific spectrum in the ultraviolet to blue wavelength band. Note that, in FIG. 1A, the wiring of the wiring board 6 is omitted for easy viewing of the arrangement of the LED 3 and the fluorescent light emitting layer 11 having the fluorescent material layers 11R, 11G, and 11B described later.

また、マイクロLEDディスプレイ100は、そのアレイ基板1上に、LED3と、LED3の数に応じてLED3から放出された光(励起光)によって励起されて、予め定められた対応色の蛍光に波長変換する蛍光材を、周囲を遮光壁により囲まれた領域に充填した蛍光発光層11とを含むセル21がマトリクス状に配置されたセルアレイ2を備える。ここで、予め定められた対応色は、光の三原色である赤(R)、緑(G)、青(B)の何れかの色である。これにより、マイクロLEDディスプレイ100は、フルカラー表示を実現するための複数のセル21がマトリクス状に配置されたことになる。図1(a)では、説明をわかりやすくするため、セルアレイ2について、4行5列の配置としている。   Further, the micro LED display 100 is excited on the array substrate 1 by the LEDs 3 and light (excitation light) emitted from the LEDs 3 according to the number of the LEDs 3, and wavelength conversion into fluorescence of a predetermined corresponding color. A cell array 2 is provided in which cells 21 each including a fluorescent light emitting layer 11 in which a region surrounded by a light shielding wall is filled with a fluorescent material are arranged in a matrix. Here, the predetermined corresponding color is any one of the three primary colors of light: red (R), green (G), and blue (B). As a result, in the micro LED display 100, a plurality of cells 21 for realizing full color display are arranged in a matrix. In FIG. 1A, in order to make the explanation easy to understand, the cell array 2 is arranged in 4 rows and 5 columns.

なお、一般的なマイクロLEDディスプレイは、フラットディスプレイやフレキシブルディスプレイに適用可能である。マイクロLEDディスプレイ100が、例えばフラットディスプレイに適用される場合、図1において、他の構成要素として、例えば保護ガラスの図示が省略されている。   Note that a general micro LED display can be applied to a flat display or a flexible display. When the micro LED display 100 is applied to, for example, a flat display, illustration of a protective glass as another component is omitted in FIG. 1.

アレイ基板1は、セル21の配列位置を規定し、配線基板6を介して電気回路(図示省略)から映像信号を複数のセル21の構成要素である各LED3に供給し、各LED3を個別にオンして点灯及びオフして消灯させることができる。   The array substrate 1 defines the array position of the cells 21 and supplies a video signal from an electric circuit (not shown) to each LED 3 which is a constituent element of the plurality of cells 21 via the wiring substrate 6, and each LED 3 is individually provided. It can be turned on and turned on and turned off and turned off.

配線基板6は、例えば、フレキシブルプリント回路基板(FPC:Flexible Printed Circuits)であって、絶縁性を有するベースフィルム(例えば、ポリイミド)と、電気回路を形成した配線層とからなるフィルム状の基板である。図1(b)は、図1(a)の破線で示す領域R1における配線基板6について説明する図である。但し、図1(b)では、配線のレイアウトをわかりやすくするため、蛍光発光層11や後述する平坦化膜4の図示を省略している。配線基板6には、縦の配線6a及び横の配線6bの交点で囲まれた領域内に各LED3が配置されている。そして、LED3を取り囲んで隔壁12が設けられている。また、各LED3を挟んでLED3のLED電極31a、31b(図2(c)参照)に電気的に接続される引出配線6cの引き出し方向の端部の配線基板6には、後述するリペア用セル21aを実装する目印となるリペア用アライメントマーク6dが設けられている。   The wiring board 6 is, for example, a flexible printed circuit board (FPC), and is a film-like board including an insulating base film (for example, polyimide) and a wiring layer on which an electric circuit is formed. is there. FIG. 1B is a diagram illustrating the wiring board 6 in the region R1 indicated by the broken line in FIG. However, in FIG. 1B, in order to make the layout of the wiring easy to understand, the fluorescent light emitting layer 11 and the flattening film 4 described later are omitted. The LEDs 3 are arranged on the wiring board 6 in a region surrounded by the intersections of the vertical wirings 6a and the horizontal wirings 6b. A partition wall 12 is provided so as to surround the LED 3. In addition, a repair cell, which will be described later, is provided on the wiring board 6 at the end of the lead-out wiring 6c that is electrically connected to the LED electrodes 31a and 31b (see FIG. 2C) of the LED 3 with the LEDs 3 interposed therebetween. An alignment mark 6d for repair, which serves as a mark for mounting 21a, is provided.

セルアレイ2は、LED3と蛍光発光層11とが貼り合されて構成されたセル21が、マトリクス状に配置されたものである。蛍光発光層11は、赤色の蛍光色素を充填した蛍光材層11R、緑色の蛍光色素を充填した蛍光材層11G、青色の蛍光色素を充填した蛍光材層11Bを有している。これらの蛍光色素は、RGB蛍光体の一例である。   The cell array 2 has cells 21 arranged in a matrix, which are configured by bonding the LEDs 3 and the fluorescent light emitting layer 11 together. The fluorescent light emitting layer 11 has a fluorescent material layer 11R filled with a red fluorescent dye, a fluorescent material layer 11G filled with a green fluorescent dye, and a fluorescent material layer 11B filled with a blue fluorescent dye. These fluorescent dyes are examples of RGB phosphors.

第1実施形態においては、例えば、短波長の光を発光するLEDとRGB蛍光体とを組み合わせてフルカラー表示を実現する方式を採用する。そのため、LED3は、上記のスペクトルを有する光を発光するものであり、窒化ガリウム(GaN)を主材料として製造される。具体的には、LED3は、紫外光発光ダイオード(UV−LED)であって、波長が例えば200nm〜380nmの近紫外線を発光するLEDであっても、波長が例えば380nm〜500nmの青色光を発光するLEDであってもよい。波長が例えば200nm〜380nmの近紫外線や波長が例えば380nm〜500nmの青色光は、特定のスペクトルを有する光の一例に相当する。なお、LED3は、例えば、縦30μm、横90μm、高さが10〜30μm程度のサイズを対象とすることができる。   In the first embodiment, for example, a method of realizing full-color display by combining an LED that emits light of a short wavelength and an RGB phosphor is used. Therefore, the LED 3 emits light having the above spectrum and is manufactured using gallium nitride (GaN) as a main material. Specifically, the LED 3 is an ultraviolet light emitting diode (UV-LED), and even if the LED emits near-ultraviolet light having a wavelength of, for example, 200 nm to 380 nm, it emits blue light having a wavelength of, for example, 380 nm to 500 nm. It may be an LED. Near-ultraviolet light having a wavelength of, for example, 200 nm to 380 nm and blue light having a wavelength of, for example, 380 nm to 500 nm correspond to an example of light having a specific spectrum. The LED 3 can be targeted to a size of, for example, 30 μm in length, 90 μm in width, and 10 to 30 μm in height.

[リペア用セル]
図2、図3は、第1実施形態に係るリペア用セルの説明図である。図2(a)は、リペア用セルの平面図、(b)は、図2(a)のA−A線断面図である。(c)は、LED3の正面図である。なお、説明をわかりやすくするため、本実施形態では、一例として、図1に示すマイクロLEDディスプレイ100の製造工程で、領域R2で囲まれたセル21が欠陥セルであることが発見され、リペア用セル21aが交換部品として代替された場合について説明する。なお、リペア用セル21aは、マイクロLEDディスプレイ100の製造工程で欠陥がないと判定されたセル21と同一の部品で構成されている。
[Repair cell]
2 and 3 are explanatory diagrams of the repair cell according to the first embodiment. 2A is a plan view of the repair cell, and FIG. 2B is a sectional view taken along the line AA of FIG. 2A. (C) is a front view of the LED 3. In order to make the description easier to understand, in the present embodiment, as an example, in the manufacturing process of the micro LED display 100 shown in FIG. 1, the cell 21 surrounded by the region R2 was found to be a defective cell, and for repair, A case where the cell 21a is replaced as a replacement part will be described. The repair cell 21a is composed of the same parts as the cell 21 determined to have no defect in the manufacturing process of the micro LED display 100.

具体的には、リペア用セル21aは、マイクロLEDディスプレイ100のセル21の代替として用いるものであって、LED3と、平坦化膜4と、蛍光発光層11と備える。LED3は、図2(c)に示すとおり、レーザリフトオフ用の剥離層、発光層等の複数の階層を含む化合物半導体30を有している。LED3は、化合物半導体30の上面(一方の面上)の予め定められた位置に発光用のLED電極31a、31bを有し、化合物半導体30の下面(他方の面)に光源(発光層)からの光を放出する光放出面32が形成されている。   Specifically, the repair cell 21 a is used as a substitute for the cell 21 of the micro LED display 100, and includes the LED 3, the flattening film 4, and the fluorescent light emitting layer 11. As shown in FIG. 2C, the LED 3 has a compound semiconductor 30 including a plurality of layers such as a peeling layer for laser lift-off and a light emitting layer. The LED 3 has LED electrodes 31a and 31b for light emission at predetermined positions on the upper surface (on one surface) of the compound semiconductor 30, and from the light source (light emitting layer) on the lower surface (the other surface) of the compound semiconductor 30. The light emitting surface 32 that emits the light is formed.

なお、本実施形態では、剥離層側に光放出面32が形成されている。レーザリフトオフは、剥離させたい箇所の界面領域(例えば剥離層)にレーザ光をフォーカスして照射することによって、界面領域の物質を分解して、例えば、サファイア基板上のLED3に対して、そのサファイア基板を剥離させることができる。レーザリフトオフを行なう装置(図示省略)によって、レーザリフトオフを行なう場合、レーザ光Lとしては、例えば、固体UV(Ultra Violet:紫外線)レーザとして、第4高調波(266nm)のピコ秒レーザを使用することが好ましい。   In the present embodiment, the light emitting surface 32 is formed on the release layer side. In the laser lift-off, a laser beam is focused and irradiated on an interface region (for example, a peeling layer) where peeling is desired to decompose a substance in the interface region, and for example, for the LED 3 on the sapphire substrate, the sapphire. The substrate can be peeled off. When laser lift-off is performed by a device (not shown) for performing laser lift-off, a fourth harmonic (266 nm) picosecond laser is used as the laser light L, for example, a solid-state UV (Ultra Violet) laser. It is preferable.

平坦化膜4は、平板状に形成され、LED3の周側面と接着して保持するための包囲壁が予め定められた位置に設けられ、紫外線照射又は加熱によって接着機能を発現するものであって、接着機能を発現することにより、図2(b)に示すとおり、LED3を保持している。なお、LED3と平坦化膜4とが一体形成されたものを、本実施形態では、説明の便宜上、LED素子5と称する。本実施形態では、紫外線硬化型の透明な感光性接着剤を平坦化膜4の形成に用いる。この場合、紫外線照射装置(図示省略)により、感光性接着剤が硬化する波長の紫外線を感光性接着剤に照射して、平坦化膜4を形成する。   The flattening film 4 is formed in a flat plate shape, an enclosing wall for adhering to and holding the peripheral side surface of the LED 3 is provided at a predetermined position, and exhibits an adhering function by ultraviolet irradiation or heating. By exhibiting the adhesive function, the LED 3 is held as shown in FIG. Note that the LED 3 and the flattening film 4 that are integrally formed are referred to as an LED element 5 in the present embodiment for convenience of description. In the present embodiment, an ultraviolet curable transparent photosensitive adhesive is used for forming the flattening film 4. In this case, the flattening film 4 is formed by irradiating the photosensitive adhesive with ultraviolet rays having a wavelength at which the photosensitive adhesive is cured by an ultraviolet irradiation device (not shown).

蛍光発光層11は、赤色、緑色、青色の蛍光色素(蛍光材の一例)がフルカラー表示を実現するための赤(R)、緑(G)、青(B)の蛍光に夫々波長変換するものである。具体的には、LED3から放出された光(励起光)によって、各蛍光材層11R、11G、11Bの蛍光色素が励起状態に遷移し、その後、基底状態に戻るときに、各蛍光材によって各々波長変換された赤(R)、緑(G)、青(B)の可視スペクトルに相当する蛍光を発光する。これらの蛍光材層11R、11G、11Bは金属膜15を表面に有する隔壁12で区画されている。   The fluorescent light emitting layer 11 is a layer in which red, green, and blue fluorescent dyes (an example of a fluorescent material) perform wavelength conversion into red (R), green (G), and blue (B) fluorescence for realizing full-color display. Is. Specifically, the fluorescent dye of each of the fluorescent material layers 11R, 11G, and 11B transitions to an excited state by the light (excitation light) emitted from the LED 3, and then returns to the ground state by each fluorescent material. It emits fluorescence corresponding to the wavelength-converted visible spectrum of red (R), green (G), and blue (B). These fluorescent material layers 11R, 11G, and 11B are partitioned by partition walls 12 having a metal film 15 on the surface.

図3は、リペア用セル21aのより詳細な構成を示しており、RGBの各色対応の蛍光発光層11は、接着剤を介して、LED素子5上に設けられている。具体的には、蛍光発光層11の蛍光材層11Rは、レジスト膜中に数十ミクロンオーダーの粒子径の大きい蛍光色素14aと、数十ナノメートルオーダーの粒子径の小さい蛍光色素14bとを混合、分散させたものである。なお、蛍光材層11Rは、粒子径の大きい蛍光色素14aだけで構成してもよいが、この場合には、蛍光色素14aの充填率が低下し、励起光の表示面側への漏れ光が増してしまう。   FIG. 3 shows a more detailed configuration of the repair cell 21a, and the fluorescent light emitting layer 11 corresponding to each color of RGB is provided on the LED element 5 via an adhesive. Specifically, the fluorescent material layer 11R of the fluorescent light emitting layer 11 is formed by mixing a fluorescent dye 14a having a large particle size of several tens of microns and a fluorescent dye 14b having a small particle size of several tens of nanometers in a resist film. , Dispersed. The fluorescent material layer 11R may be composed of only the fluorescent dye 14a having a large particle size, but in this case, the filling rate of the fluorescent dye 14a is reduced, and the leaked light of the excitation light to the display surface side is reduced. Will increase.

一方、蛍光材層11Rは、粒子径の小さい蛍光色素14bだけで構成した場合には、耐光性等の安定性が劣るという問題がある。したがって、本実施形態では、蛍光材層11Rに関して、粒子径の小さい蛍光色素14bと比較して、粒子径の大きい蛍光色素14aをより多く混合させた混合物で構成することが好ましい。   On the other hand, when the fluorescent material layer 11R is composed of only the fluorescent dye 14b having a small particle diameter, there is a problem that stability such as light resistance is deteriorated. Therefore, in the present embodiment, it is preferable that the fluorescent material layer 11R is composed of a mixture in which the fluorescent dye 14a having a large particle diameter is mixed more than the fluorescent dye 14b having a small particle diameter.

また、蛍光材層11Gは、蛍光材層11Rと同様、粒子径の大きい蛍光色素14cと、粒子径の小さい蛍光色素14dとを混合、分散させたものである。また、蛍光材層11Bは、蛍光材層11Rと同様、粒子径の大きい蛍光色素14eと、粒子径の小さい蛍光色素14fとを混合、分散させたものである。これにより、励起光の表示面側への漏れ光を抑制すると共に、発光効率を向上させることができる。   Further, the fluorescent material layer 11G is, as in the fluorescent material layer 11R, a mixture of a fluorescent dye 14c having a large particle diameter and a fluorescent dye 14d having a small particle diameter, which are dispersed. Further, the fluorescent material layer 11B is, as in the fluorescent material layer 11R, a mixture and dispersion of a fluorescent dye 14e having a large particle diameter and a fluorescent dye 14f having a small particle diameter. As a result, it is possible to suppress the leakage of the excitation light to the display surface side and improve the light emission efficiency.

なお、粒子径の異なる蛍光色素の混合比率は、体積比で粒子径の大きい蛍光色素が50〜90Vol%に対して、粒子径の小さい蛍光色素は10〜50Vol%とし、粒子径の大きい蛍光色素と粒子径の小さい蛍光色素とを併せて100Vol%とするのが望ましい。   The mixing ratio of fluorescent dyes having different particle diameters is 50 to 90 Vol% for fluorescent dyes having a large particle diameter and 10 to 50 Vol% for fluorescent dyes having a small particle diameter in terms of volume ratio. It is desirable that the total amount of the fluorescent dye and the fluorescent dye having a small particle size be 100 Vol%.

また、隔壁12は、遮光壁の一例であって、蛍光材層11R、11G、11Bを互いに隔てるものである。隔壁12は、例えば透明な感光性樹脂で形成されている。本実施形態では、例えば、蛍光材層11R内における粒子径の大きい蛍光色素14aの充填率を上げるためには、隔壁12として、高さ対幅のアスペクト比が3以上を可能とする高アスペクト材料を使用するのが望ましい。蛍光材層11G、11Bも同様である。このような高アスペクト材料としては、一例として日本化薬株式会社製のSU−8 3000のフォトレジストがある。   The partition wall 12 is an example of a light shielding wall and separates the fluorescent material layers 11R, 11G, and 11B from each other. The partition wall 12 is formed of, for example, a transparent photosensitive resin. In the present embodiment, for example, in order to increase the filling rate of the fluorescent dye 14a having a large particle size in the fluorescent material layer 11R, the partition wall 12 has a high aspect ratio that allows an aspect ratio of height to width of 3 or more. Is preferred. The same applies to the fluorescent material layers 11G and 11B. An example of such a high aspect material is SU-83000 photoresist manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.

隔壁12の表面には、図3に示すように、金属膜15が設けられている。この金属膜15は、光放出面32から放出される励起光及び蛍光FLが隔壁12を透過して隣接する他の色の蛍光FLと混色するのを防止するためのものである。蛍光FLは、各蛍光材層11R、11G、11Bの各蛍光色素が励起光により励起されることにより、発光する。金属膜15は、励起光及び蛍光FLを十分に遮断できる厚みで形成されている。この場合、金属膜15としては、励起光を反射し易いアルミニウムやアルミ合金等の薄膜が好適である。   As shown in FIG. 3, a metal film 15 is provided on the surface of the partition wall 12. The metal film 15 is for preventing the excitation light and the fluorescent light FL emitted from the light emitting surface 32 from passing through the partition 12 and being mixed with the adjacent fluorescent light FL of another color. The fluorescent light FL emits light when each fluorescent dye in each of the fluorescent material layers 11R, 11G, and 11B is excited by the excitation light. The metal film 15 is formed with a thickness that can sufficiently block the excitation light and the fluorescence FL. In this case, the metal film 15 is preferably a thin film such as aluminum or aluminum alloy that easily reflects excitation light.

蛍光発光層11は、隔壁12に向かう励起光をアルミニウム等の金属膜15で反射させ、各蛍光材層11R、11G、11Bの発光に利用することができる。そのため、各蛍光材層11R、11G、11Bの発光効率は、向上する。但し、隔壁12の表面に被着される薄膜は、励起光及び蛍光FLを反射する金属膜15に限られず、励起光及び蛍光FLを吸収するものであってもよい。   The fluorescent light emitting layer 11 can reflect the excitation light traveling toward the partition wall 12 by the metal film 15 such as aluminum, and can be used for the light emission of each of the fluorescent material layers 11R, 11G and 11B. Therefore, the luminous efficiency of each of the fluorescent material layers 11R, 11G, and 11B is improved. However, the thin film deposited on the surface of the partition wall 12 is not limited to the metal film 15 that reflects the excitation light and the fluorescence FL, and may be one that absorbs the excitation light and the fluorescence FL.

[リペア用セルの製造方法]
次に、このように構成されたリペア用セルの製造方法について説明する。
図4は、第1実施形態に係るリペア用セルの製造方法の工程を示すフローチャートである。リペア用セルの製造方法では、大きく分けて、マイクロLEDと平坦化膜とを一体形成してなるLED素子の形成(工程S1)と、蛍光発光層の形成(工程S2)と、LED素子と蛍光発光層との貼り合わせ(工程S3)とを実行する。各工程は、さらに複数の工程を含み、以下、具体的に各工程の詳細について説明する。
[Manufacturing method of repair cell]
Next, a method of manufacturing the repair cell thus configured will be described.
FIG. 4 is a flowchart showing steps of the method for manufacturing the repair cell according to the first embodiment. The repair cell manufacturing method is roughly divided into formation of an LED element (step S1) in which a micro LED and a flattening film are integrally formed, formation of a fluorescent light emitting layer (step S2), and LED element and fluorescence. Bonding with the light emitting layer (step S3) is performed. Each step further includes a plurality of steps, and the details of each step will be specifically described below.

(LED素子の形成工程)
図5は、LED素子の形成工程を示すフローチャートである。図6、7は、LED素子の形成工程を説明する工程図である。このLED素子の形成工程は、LED3と平坦化膜4とを一体形成する工程の一例である。
(LED element forming process)
FIG. 5 is a flowchart showing a process of forming an LED element. 6 and 7 are process drawings for explaining the process of forming the LED element. The step of forming the LED element is an example of the step of integrally forming the LED 3 and the flattening film 4.

LED素子の形成工程では、先ず、図6(a)に示すサファイア基板7の一方の面上にマトリクス状に配置された複数のLED3を用いて、図7(e)、(f)に示すLED素子5を形成する。なお、本実施形態では、上述したLED3とRGB蛍光体とを組み合わせてフルカラー表示を実現する方式を採用している。そして、本実施形態では、各蛍光材層11R、11G、11Bが赤(R)、緑(G)、青(B)にそれぞれ対応した蛍光を発光することができるように、蛍光材によって波長変換された赤(R)、緑(G)、青(B)の蛍光の単位を組み合わせて1画素単位としてLED3を3つ保持する平坦化膜4を用いる。具体的には、本実施形態では、平坦化膜4を用いて、4つのLED素子5を形成する場合について説明する。   In the process of forming the LED element, first, by using the plurality of LEDs 3 arranged in a matrix on one surface of the sapphire substrate 7 shown in FIG. 6A, the LEDs shown in FIGS. The element 5 is formed. In the present embodiment, a method of realizing full color display by combining the above-described LED 3 and RGB phosphor is adopted. In the present embodiment, the wavelength conversion is performed by the fluorescent material so that each of the fluorescent material layers 11R, 11G, and 11B can emit fluorescence corresponding to red (R), green (G), and blue (B). The flattening film 4 that holds three LEDs 3 as one pixel unit is formed by combining the red (R), green (G), and blue (B) fluorescence units. Specifically, in the present embodiment, a case will be described in which four LED elements 5 are formed using the flattening film 4.

図6(a)は、LED3が配置されたサファイア基板7の一部を拡大した平面図を示し、図6(b)は、図6(a)のA−A線断面図を示している。なお、図6(d)、(f)についても断面図は、図6(a)のA−A線断面図を表している。図6(a)において、図2(c)に示すLED3の光放出面32がサファイア基板7と接している。   6A is an enlarged plan view of a part of the sapphire substrate 7 on which the LEDs 3 are arranged, and FIG. 6B is a sectional view taken along line AA of FIG. 6A. The cross-sectional views of FIGS. 6D and 6F also show the cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 6A. In FIG. 6A, the light emitting surface 32 of the LED 3 shown in FIG. 2C is in contact with the sapphire substrate 7.

平坦化膜の塗布(工程S11)では、例えば、自動制御によるマイクロディスペンサー(図示省略)を使用して透明な感光性接着剤の樹脂を平坦化膜4として塗布する。この場合、図6(c)、(d)に示すとおり、全てのLED3が、平坦化膜4で覆われる。本実施形態では、均一の高さになるように感光性接着剤の樹脂を塗布するので、平板状の平坦化膜4が形成されることになる。平板状であることの利点は、例えば、図2(b)に示す平坦化膜4の厚みと図2(c)に示すLED電極31a、31bを含めたLED3の高さを一致させることにより、後述する点灯検査やセル21やリペア用セル21aを配線基板6に実装する場合において、LED3のLED電極31a、31bの接触不良を防ぐ効果がある。   In the application of the flattening film (step S11), for example, a resin of a transparent photosensitive adhesive is applied as the flattening film 4 by using a micro dispenser (not shown) controlled automatically. In this case, all the LEDs 3 are covered with the flattening film 4, as shown in FIGS. In the present embodiment, since the resin of the photosensitive adhesive is applied so as to have a uniform height, the flattened flattening film 4 is formed. The advantage of being flat is that, for example, the thickness of the flattening film 4 shown in FIG. 2B and the height of the LED 3 including the LED electrodes 31a and 31b shown in FIG. In the lighting inspection described later or when the cell 21 or the repair cell 21a is mounted on the wiring board 6, there is an effect of preventing contact failure of the LED electrodes 31a and 31b of the LED 3.

平坦化膜の露光(工程S12)では、LED電極31a、31bが平坦化膜4で覆われるため、例えば、図示省略のフォトマスクを使用したフォトリソグラフィー技術により露光することにより、LED電極31a、31bを露出させる。図6(e)、(f)は、LED電極31a、31bが露出した状態を示している(図8参照)。   In the exposure of the flattening film (step S12), since the LED electrodes 31a and 31b are covered with the flattening film 4, for example, the LED electrodes 31a and 31b are exposed by a photolithography technique using a photomask (not shown). Expose. 6E and 6F show a state in which the LED electrodes 31a and 31b are exposed (see FIG. 8).

図8は、LEDの要部拡大図である。図8(a)は、図6(e)の破線で示す領域R3を拡大した平面図であり、図8(b)は、図8(a)のB−B線断面図である。図8(a)、(b)に示すとおり、LED3を覆う領域の平坦化膜4のみが露光により、除去されて、LED電極31a、31bが露出した構造になっている。なお、図8(c)は、平坦化膜4の包囲壁41を説明する図であって、図8(a)に示すLED3の周側面30aを取り囲む領域を示している。   FIG. 8 is an enlarged view of a main part of the LED. 8A is an enlarged plan view of a region R3 indicated by a broken line in FIG. 6E, and FIG. 8B is a cross-sectional view taken along line BB of FIG. 8A. As shown in FIGS. 8A and 8B, only the flattening film 4 in the region covering the LED 3 is removed by exposure, and the LED electrodes 31a and 31b are exposed. 8C is a view for explaining the surrounding wall 41 of the flattening film 4, and shows a region surrounding the peripheral side surface 30a of the LED 3 shown in FIG. 8A.

貼り合わせ(工程S13)では、レーザリフトオフ用に一時的に使用する第1の仮基板8を平坦化膜4上に貼り合わせた後、加圧する。第1の仮基板8は、石英ガラス等の紫外線UV(紫外光)を透過可能とする基板を用いる。なお、第1の仮基板8は、後で、レーザリフトオフにより剥離されるため、レーザ光Lも透過できるものとする。図7(a)は、貼り合わせて加圧した後の状態を示す平面図であり、(b)は、正面図である。図7(b)に示すとおり、貼り合わせて加圧した後、平坦化膜4に紫外線UVを照射することにより、平坦化膜4は接着機能を発現して、硬化する際、LED3の周側面30aと平坦化膜4の包囲壁41とが接着することで、一体形成されて、LED素子5が形成される。   In the bonding (step S13), the first temporary substrate 8 temporarily used for laser lift-off is bonded to the flattening film 4, and then pressure is applied. As the first temporary substrate 8, a substrate such as quartz glass that allows transmission of ultraviolet UV (ultraviolet light) is used. Since the first temporary substrate 8 is later peeled off by the laser lift-off, the laser light L can also be transmitted. FIG. 7A is a plan view showing a state after bonding and pressing, and FIG. 7B is a front view. As shown in FIG. 7B, the flattening film 4 develops an adhesive function by irradiating the flattening film 4 with ultraviolet rays UV after bonding and pressurizing, and when the flattening film 4 is hardened, the peripheral side surface of the LED 3 is cured. 30a and the surrounding wall 41 of the flattening film 4 are bonded to each other so that they are integrally formed and the LED element 5 is formed.

レーザリフトオフ(工程S14)では、サファイア基板7側より、レーザ光Lを照射して、サファイア基板7を剥離する。図7(c)、(d)は、レーザリフトオフを説明する図である。工程S14では、レーザ光Lを照射領域71に対して、レーザ照射することにより、レーザリフトオフを実行する。但し、レーザ光Lのフォーカス位置は、サファイア基板7と平坦化膜4との境界領域としている。   In the laser lift-off (step S14), laser light L is irradiated from the sapphire substrate 7 side to peel off the sapphire substrate 7. 7C and 7D are diagrams for explaining the laser lift-off. In step S14, the laser lift-off is executed by irradiating the irradiation region 71 with the laser light L. However, the focus position of the laser light L is in the boundary region between the sapphire substrate 7 and the planarization film 4.

第1の仮基板への転写(工程S15)では、サファイア基板7の剥離によって、LED素子5が、第1の仮基板8に転写される。図7(e)、(f)は、サファイア基板7の剥離により、LED素子5が、第1の仮基板8に転写された状態を模式的に示している。   In the transfer to the first temporary substrate (step S15), the LED element 5 is transferred to the first temporary substrate 8 by peeling off the sapphire substrate 7. 7E and 7F schematically show a state in which the LED element 5 is transferred to the first temporary substrate 8 by peeling the sapphire substrate 7.

図9は、レーザリフトオフ後のLEDの要部拡大図である。図9(a)は、図7(e)の破線で示す領域R4を拡大した平面図であり、図9(b)は、図9(a)のC−C線断面図である。LED3に着目すると、平坦化膜4に保持されたLED3の光放出面32の反対側の面に設けられているLED電極31a、31bが第1の仮基板8と接している。この場合、図8(b)に示す平坦化膜4の高さと、図9(b)に示す平坦化膜4の高さが異なっているのは、平坦化膜4を加圧して接着させるためである。   FIG. 9 is an enlarged view of a main part of the LED after the laser lift-off. 9A is an enlarged plan view of a region R4 shown by a broken line in FIG. 7E, and FIG. 9B is a cross-sectional view taken along line CC of FIG. 9A. Focusing on the LED 3, the LED electrodes 31 a and 31 b provided on the surface of the LED 3 held by the flattening film 4 on the opposite side of the light emitting surface 32 are in contact with the first temporary substrate 8. In this case, the height of the flattening film 4 shown in FIG. 8B is different from the height of the flattening film 4 shown in FIG. 9B because the flattening film 4 is pressed and bonded. Is.

(蛍光発光層の形成)
図10は、蛍光発光層の形成工程を示すフローチャートである。図11〜13は、蛍光発光層の形成工程を説明する工程図である。蛍光発光層の形成工程は、隔壁の形成(工程S21)、反射膜の形成(工程S22)、反射膜のレーザ加工(工程S23)及び蛍光材の充填(工程S24)からなる。
(Formation of fluorescent light emitting layer)
FIG. 10 is a flowchart showing the steps of forming the fluorescent light emitting layer. 11 to 13 are process diagrams illustrating the process of forming the fluorescent light emitting layer. The step of forming the fluorescent light emitting layer includes formation of partition walls (step S21), formation of a reflective film (step S22), laser processing of the reflective film (step S23), and filling of a fluorescent material (step S24).

先ず、隔壁の形成(工程S21)では、レーザリフトオフ用に一時的に使用する第2の仮基板9上に隔壁12を形成する。図11(a)は、第2の仮基板9に隔壁12を設けた状態を示す平面図、(b)は正面図を示している。ここで、第2の仮基板9は、第1の仮基板8と同様、石英ガラス等の透明な基板であって、紫外線が透過するものとする。また、第2の仮基板9は、レーザリフトオフによって、剥離するため、レーザ光Lも透過するものとする。工程S21では、例えば、第2の仮基板9上に隔壁12用の透明な感光性樹脂を塗布した後、フォトマスクを使用して露光し、現像して各蛍光材層11R、11G、11Bの形成位置に対応させて、開口部12aを設ける。   First, in the formation of the partition (step S21), the partition 12 is formed on the second temporary substrate 9 which is temporarily used for laser lift-off. FIG. 11A is a plan view showing a state in which the partition walls 12 are provided on the second temporary substrate 9, and FIG. 11B is a front view. Here, like the first temporary substrate 8, the second temporary substrate 9 is a transparent substrate made of quartz glass or the like, and ultraviolet rays are transmitted therethrough. Further, the second temporary substrate 9 is peeled off by the laser lift-off, so that the laser light L is also transmitted. In step S21, for example, a transparent photosensitive resin for the partition 12 is applied on the second temporary substrate 9, exposed using a photomask, and developed to form each of the fluorescent material layers 11R, 11G, and 11B. The opening 12a is provided corresponding to the formation position.

そして、工程S21では、高さ対幅のアスペクト比が3以上の透明な隔壁12を1分間当たり20μm程度の高さで形成する。この場合、使用する感光性樹脂は、一例として日本化薬株式会社製のSU−8 3000等の高アスペクト材料が望ましい。   Then, in step S21, the transparent partition 12 having an aspect ratio of height to width of 3 or more is formed with a height of about 20 μm per minute. In this case, the photosensitive resin used is preferably a high aspect material such as SU-83000 manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., for example.

次に、反射膜の形成(工程S22)では、第2の仮基板9上に形成された隔壁12側から、スパッタリング等の成膜技術を適用して例えばアルミニウムやアルミ合金等の金属膜15を所定の厚みに成膜する。なお、工程S22では、メッキにより、金属膜15を所定の厚みに成膜するようにしてもよい。図11(c)は、第2の仮基板9に金属膜15を成膜した後の状態を示す平面図、(d)は正面図を示している。   Next, in the formation of the reflection film (step S22), a film formation technique such as sputtering is applied from the side of the partition wall 12 formed on the second temporary substrate 9 to form the metal film 15 such as aluminum or aluminum alloy. A film is formed to have a predetermined thickness. In step S22, the metal film 15 may be formed to have a predetermined thickness by plating. 11C is a plan view showing a state after the metal film 15 is formed on the second temporary substrate 9, and FIG. 11D is a front view.

続いて、反射膜のレーザ加工(工程S23)では、反射膜のレーザ加工に適した可視光又は紫外光のレーザ光L1の照射により、隔壁12によって囲まれた開口の上部を覆う金属膜15及び、開口内の側面を除く領域にある金属膜15を除去する。これにより、第2の仮基板9と接触している開口の底部に被着した金属膜15も除去される。図11(e)は、レーザ加工後の隔壁12に金属膜15が形成された状態を示す平面図、図11(f)は、図11(e)の正面図であって、レーザ光L1を照射している状態を示している。   Subsequently, in the laser processing of the reflective film (step S23), the metal film 15 covering the upper portion of the opening surrounded by the partition wall 12 is irradiated with the laser light L1 of visible light or ultraviolet light suitable for the laser processing of the reflective film. , The metal film 15 in the region excluding the side surface in the opening is removed. As a result, the metal film 15 deposited on the bottom of the opening that is in contact with the second temporary substrate 9 is also removed. 11E is a plan view showing a state where the metal film 15 is formed on the partition wall 12 after the laser processing, and FIG. 11F is a front view of FIG. 11E, showing the laser beam L1. The state of irradiation is shown.

図12は、反射膜のレーザ加工の説明図である。図12(a)は、図11(e)の隔壁12の拡大平面図であり、図12(b)は、図12(a)のD−D線断面図である。図12に示すとおり、レーザ加工によって、隔壁12のみ金属膜15が成膜されている。   FIG. 12 is an explanatory diagram of laser processing of the reflective film. FIG. 12A is an enlarged plan view of the partition wall 12 of FIG. 11E, and FIG. 12B is a sectional view taken along the line DD of FIG. 12A. As shown in FIG. 12, the metal film 15 is formed only on the partition wall 12 by laser processing.

次に、蛍光材の充填(工程S24)では、RGBの蛍光材として、赤色の蛍光色素を蛍光材層11Rに充填し、緑色の蛍光色素を蛍光材層11Gに充填し、青色の蛍光色素を蛍光材層11Bに充填する。図11(g)は、RGBの蛍光材を充填した後の状態を示す平面図であり、(h)はその正面図である。   Next, in the filling of the fluorescent material (step S24), as the fluorescent material of RGB, the red fluorescent pigment is filled in the fluorescent material layer 11R, the green fluorescent pigment is filled in the fluorescent material layer 11G, and the blue fluorescent pigment is filled. The fluorescent material layer 11B is filled. FIG. 11G is a plan view showing a state after the RGB fluorescent materials are filled, and FIG. 11H is a front view thereof.

図13(a)は、図11(g)、(h)に示す蛍光発光層11の拡大図、図13(b)は、図13(a)のE−E線断面図である。一例として、赤色に対応した開口に対して、図3に示すように赤色の蛍光色素14を含有するレジストを例えばインクジェットにより塗布する。なお、開口は、上述したとおり、隔壁12で囲まれた領域である。   13A is an enlarged view of the fluorescent light emitting layer 11 shown in FIGS. 11G and 11H, and FIG. 13B is a sectional view taken along line EE of FIG. 13A. As an example, as shown in FIG. 3, a resist containing a red fluorescent dye 14 is applied to the opening corresponding to red by inkjet, for example. The opening is a region surrounded by the partition wall 12 as described above.

詳細には、工程S24では、紫外線照射により、赤色の蛍光色素を含有するレジストを硬化させ、赤色の蛍光材層11Rを形成する。なお、工程S24では、第2の仮基板9上を覆って赤色の蛍光色素を含有するレジストを塗布した後、フォトマスクを使用して露光し、現像して、赤色に対応した開口に赤色の蛍光材層11Rを形成してもよい。この場合、上記レジストは、粒子径の大きい蛍光色素14aと粒子径の小さい蛍光色素14bとを混合、分散させたものである。   Specifically, in step S24, the red fluorescent material layer 11R is formed by curing the resist containing the red fluorescent dye by ultraviolet irradiation. In step S24, after coating the second temporary substrate 9 with a resist containing a red fluorescent dye, exposure is performed using a photomask and development is performed, and red openings are formed in openings corresponding to red. The fluorescent material layer 11R may be formed. In this case, the resist is obtained by mixing and dispersing the fluorescent dye 14a having a large particle size and the fluorescent dye 14b having a small particle size.

同様にして、工程S24では、緑色に対応した開口に、緑色の蛍光色素を含有するレジストを例えばインクジェットにより塗布した後、紫外線照射により硬化させ、緑色の蛍光材層11Gを形成する。なお、工程S24では、上記の赤色に対応した開口に赤色の蛍光材層11Rを形成した手法を、同様に適用して、緑色に対応した開口に緑色の蛍光材層11Gを形成してもよい。   Similarly, in step S24, a resist containing a green fluorescent dye is applied to the opening corresponding to green by, for example, an inkjet, and then cured by ultraviolet irradiation to form a green fluorescent material layer 11G. In step S24, the method of forming the red fluorescent material layer 11R in the opening corresponding to red may be similarly applied to form the green fluorescent material layer 11G in the opening corresponding to green. .

さらに同様にして、工程S24では、青色に対応した開口に、青色の蛍光色素を含有するレジストを例えばインクジェットにより塗布した後、紫外線照射により硬化させ、青色の蛍光材層11Bを形成する。なお、工程S24では、上記の赤色に対応した開口に赤色の蛍光材層11Rを形成した手法を、同様に適用して、青色に対応した開口に青色の蛍光材層11Bを形成してもよい。   Similarly, in step S24, a blue fluorescent material layer 11B is formed by applying a resist containing a blue fluorescent dye to the opening corresponding to blue by, for example, an inkjet method, and then curing the resist by ultraviolet irradiation. In step S24, the method of forming the red fluorescent material layer 11R in the opening corresponding to red may be similarly applied to form the blue fluorescent material layer 11B in the opening corresponding to blue. .

(LED素子と蛍光発光層との貼り合わせ)
続いて、本実施形態では、リペア用セル21aを製造するために、LED素子5と蛍光発光層11とを貼り合わせる処理を行なう。これは、平坦化膜4上に蛍光発光層11を貼り合わせる工程の一例である。ここで、貼り合わせ(工程S3)は、LED素子への接着剤の塗布(工程S31)から、全てのリペア用セル21aがフィルムに転写されるまでの処理(工程S38、S39)を含む。
(Lamination of LED element and fluorescent light emitting layer)
Subsequently, in the present embodiment, in order to manufacture the repair cell 21a, a process of bonding the LED element 5 and the fluorescent light emitting layer 11 is performed. This is an example of a step of bonding the fluorescent light emitting layer 11 on the flattening film 4. Here, the bonding (step S3) includes processing (steps S38 and S39) from application of the adhesive to the LED element (step S31) to transfer of all the repair cells 21a to the film.

図14は、貼り合わせ工程を示すフローチャートである。図15〜18は、貼り合わせ工程を説明する工程図である。図15(a)は、第1の仮基板8上に接着されているLED素子5の平面図、(b)は、図15(a)のF−F線断面図を示している。図15(a)では、図4に示すLED素子の形成(工程S1)で形成されたLED素子5を例示している。但し、LED素子5は、現段階において第1の仮基板8上に接着されている。   FIG. 14 is a flowchart showing the bonding process. 15 to 18 are process diagrams illustrating the bonding process. FIG. 15A is a plan view of the LED element 5 bonded on the first temporary substrate 8, and FIG. 15B is a sectional view taken along line FF of FIG. 15A. FIG. 15A illustrates the LED element 5 formed in the formation of the LED element shown in FIG. 4 (step S1). However, the LED element 5 is bonded onto the first temporary substrate 8 at this stage.

そして、LED素子への接着剤の塗布(工程S31)では、LED素子5の平坦化膜4上に接着剤51を塗布する。図15(c)は、LED素子5を含む第1の仮基板8の平面図、(d)は正面図を示している。この接着剤51は、例えば、平坦化膜4と同様、紫外線照射により接着機能を発現する透明な感光性接着剤の樹脂である。なお、接着剤51を全面に塗布しないのは、図2(c)に示すLED3の光放出面32に接着剤51を塗布することを避けるためである。   Then, in the application of the adhesive to the LED element (step S31), the adhesive 51 is applied on the flattening film 4 of the LED element 5. FIG. 15C is a plan view of the first temporary substrate 8 including the LED element 5, and FIG. 15D is a front view thereof. The adhesive 51 is, for example, a resin of a transparent photosensitive adhesive that exhibits an adhesive function by irradiation of ultraviolet rays, like the flattening film 4. The adhesive 51 is not applied to the entire surface in order to avoid applying the adhesive 51 to the light emitting surface 32 of the LED 3 shown in FIG.

蛍光発光層との貼り合わせ(工程S32)では、蛍光発光層11をLED素子5のLED3の光放出面32の上層になるようにして、第1の仮基板8上のLED素子5と、第2の仮基板9上の蛍光発光層11とを貼り合わせる。図15(e)は、図15(c)に示す第1の仮基板8上のLED素子5と、図11(g)、(h)に示す第2の仮基板9上の蛍光発光層11とを貼り合わせた後、紫外線照射により、LED素子5と蛍光発光層11とが接着した状態の平面図を示し、図15(f)は、その正面図を示している。   In the bonding with the fluorescent light emitting layer (step S32), the fluorescent light emitting layer 11 is made to be the upper layer of the light emitting surface 32 of the LED 3 of the LED element 5, and the LED element 5 on the first temporary substrate 8 and the Second, the fluorescent light emitting layer 11 on the temporary substrate 9 is attached. FIG. 15E shows the LED element 5 on the first temporary substrate 8 shown in FIG. 15C and the fluorescent light emitting layer 11 on the second temporary substrate 9 shown in FIGS. 11G and 11H. FIG. 15 (f) is a front view showing a state in which the LED element 5 and the fluorescent light emitting layer 11 are adhered to each other by ultraviolet irradiation after the two are bonded together.

ここで、本実施形態では、点灯検査(工程S33)を実行してもよい。図15(g)は、LED素子5が検査用基板10と接触した状態を例示しているが、詳細は、図22〜図26を用いて後述する。   Here, in the present embodiment, the lighting inspection (step S33) may be executed. FIG. 15G illustrates a state in which the LED element 5 is in contact with the inspection substrate 10, and details will be described later with reference to FIGS. 22 to 26.

蛍光発光層側のレーザリフトオフ(工程S34)では、第2の仮基板9側にレーザ光Lを照射して、レーザリフトオフを行なう。図16(a)、(b)は、レーザリフトオフの処理を模式的に示している。工程S34では、レーザ光Lを照射領域91に対して、レーザ照射することにより、レーザリフトオフを実行する。   In the laser lift-off on the fluorescent light emitting layer side (step S34), laser light L is applied to the second temporary substrate 9 side to perform laser lift-off. 16A and 16B schematically show the process of laser lift-off. In step S34, the laser lift-off is executed by irradiating the irradiation area 91 with the laser light L.

第2の仮基板の剥離(工程S35)では、レーザリフトオフにより、第2の仮基板9が剥離される。これにより、第1の仮基板8上に接着されているリペア用セル21aが製造されることになる。図17(a)は、第2の仮基板9の剥離を実行した後のリペア用セル21aを含む第1の仮基板8の平面図を示し、(b)は正面図を示している。   In the peeling of the second temporary substrate (step S35), the second temporary substrate 9 is peeled off by laser lift-off. As a result, the repair cell 21a bonded to the first temporary substrate 8 is manufactured. FIG. 17A shows a plan view of the first temporary substrate 8 including the repair cell 21a after the second temporary substrate 9 is peeled off, and FIG. 17B shows a front view thereof.

次に、フィルムへの貼り合わせ(工程S36)は、第1の仮基板8上に接着されているリペア用セル21aを順番にフィルムFに転写するため、リペア用セル21aをフィルムFに貼り合わせる。このフィルムFは、例えば、粘着材や接着剤の付いたものであって、リペア用セル21aを固定して保持するための支持用のフィルムである。図18(a)は、フィルムFに第1の仮基板8に接着されているリペア用セル21aを貼り合わせた状態の平面図を示し、(b)は正面図を示している。   Next, in the bonding to the film (step S36), the repair cells 21a adhered on the first temporary substrate 8 are transferred to the film F in order, so the repair cells 21a are bonded to the film F. . The film F has, for example, an adhesive or an adhesive, and is a supporting film for fixing and holding the repair cell 21a. 18A is a plan view showing a state in which the repair cell 21a adhered to the first temporary substrate 8 is attached to the film F, and FIG. 18B is a front view.

続いて、第1の仮基板8側からのレーザリフトオフ(工程S37)では、第1の仮基板8側からレーザ光Lを照射して、レーザリフトオフにより、リペア用セル21aを第1の仮基板8から剥離させる。図18(c)、(d)は、レーザリフトオフの処理を模式的に示しており、工程S37では、レーザ光Lを照射領域81に対して、レーザ照射することにより、レーザリフトオフを実行する。   Subsequently, in the laser lift-off from the first temporary substrate 8 side (step S37), the laser light L is irradiated from the first temporary substrate 8 side, and the repair cell 21a is moved to the first temporary substrate by laser lift-off. Remove from 8. 18C and 18D schematically show the process of laser lift-off, and in step S37, the laser light L is applied to the irradiation region 81 to perform the laser lift-off.

フィルムへの転写(工程S38)では、リペア用セル21aをフィルム側に転写する。以下、工程S39では、全てのリペア用セル21aが、フィルムに転写されたかが判定される。そして、全てのリペア用セル21aが、フィルムFに転写されていない場合(工程S39、No判定)、工程S36〜工程S38の処理(以下、単に「フィルムへの転写処理」という)を繰り返す。図18(e)、(f)は、レーザリフトオフにより、1つのリペア用セル21aがフィルムFに転写された状態を示している。   In the transfer to the film (step S38), the repair cell 21a is transferred to the film side. Hereinafter, in step S39, it is determined whether all repair cells 21a have been transferred to the film. Then, when all the repair cells 21a have not been transferred to the film F (No in step S39), the processing of steps S36 to S38 (hereinafter, simply referred to as "transfer processing to film") is repeated. 18E and 18F show a state in which one repair cell 21a is transferred to the film F by laser lift-off.

図19、20は、フィルムへの転写の説明図である。より詳細に説明すると、図19(a)は、フィルムFの平面図を示しており、一方のフィルム面には、リペア用セル21aを転写させるためのアライメントマークM1〜M4が予め付されている。ここで、フィルムへの転写処理では、第1の仮基板8を例えば自動制御によるロボットアーム(図示省略)を制御して、第1の仮基板8に接着されているリペア用セル21aをアライメントマークM1に位置決めして貼り付ける(図19(b)参照)。その後、フィルムへの転写処理では、アライメントマークM1に位置決めされてフィルムFに貼り付けられたリペア用セル21aと第1の仮基板8の接着面に対して、レーザ光L(図示省略)を照射して、レーザリフトオフにより、そのリペア用セル21aを第1の仮基板8から剥離することにより、フィルムFに転写する(図19(c)参照)。なお、フィルムの横幅は、例えば5〜15mmの範囲から選択した値である。   19 and 20 are explanatory views of transfer to a film. More specifically, FIG. 19A shows a plan view of the film F, and alignment marks M1 to M4 for transferring the repair cell 21a are previously attached to one film surface. . Here, in the transfer process to the film, the first temporary substrate 8 is controlled by, for example, a robot arm (not shown) by automatic control, and the repair cell 21a bonded to the first temporary substrate 8 is aligned with the alignment mark. It is positioned and attached to M1 (see FIG. 19B). After that, in the transfer process to the film, laser light L (not shown) is irradiated to the bonding surface between the repair cell 21a positioned on the alignment mark M1 and attached to the film F and the first temporary substrate 8. Then, the repair cell 21a is peeled from the first temporary substrate 8 by laser lift-off, and transferred to the film F (see FIG. 19C). The width of the film is a value selected from the range of 5 to 15 mm, for example.

続いて、フィルムへの転写処理では、第1の仮基板8のリペア用セル21aをアライメントマークM2に位置決めして貼り付ける(図19(d)参照)。そして、フィルムへの転写処理では、レーザリフトオフにより、そのリペア用セル21aを第1の仮基板8から剥離することにより、フィルムFに転写する(図20(a)参照)。以下、同様の処理により、フィルムへの転写処理が実行されると、図20(b)〜(d)に示すように、最終的に、リペア用セル21aが、アライメントマークM1〜M4の位置に位置決めされてフィルムFに貼り付けられる。なお、アライメントマークM1〜M4の間隔は、例えば、0.5〜1.0mmの範囲から選択した値である。   Subsequently, in the transfer process to the film, the repair cell 21a of the first temporary substrate 8 is positioned and attached to the alignment mark M2 (see FIG. 19D). Then, in the transfer process to the film, the repair cell 21a is peeled off from the first temporary substrate 8 by laser lift-off, and transferred to the film F (see FIG. 20A). Thereafter, when the transfer process to the film is executed by the same process, as shown in FIGS. 20B to 20D, the repair cell 21a is finally positioned at the alignment marks M1 to M4. It is positioned and attached to the film F. The interval between the alignment marks M1 to M4 is a value selected from the range of 0.5 to 1.0 mm, for example.

図21は、フィルムに転写されたリペア用セルの構成図である。図21(a)は、図20(d)の破線で示す領域R5を拡大した平面図であり、(b)は、図21(a)のG−G線断面図である。リペア用セル21aがフィルムFに転写された場合には、リペア用セル21aの蛍光発光層11の上面がフィルムFに貼り合されている。なお、本実施形態では、説明を簡単にするため、4つのリペア用セル21aをフィルムFに転写する場合について例示したが、これに限られず、例えば、フィルムFは、巻き取り式のようなテープ状のものであってもよく、多数のリペア用セル21aを転写する構成にしてもよい。   FIG. 21 is a configuration diagram of a repair cell transferred to a film. 21A is an enlarged plan view of a region R5 indicated by a broken line in FIG. 20D, and FIG. 21B is a sectional view taken along line GG of FIG. 21A. When the repair cell 21a is transferred to the film F, the upper surface of the fluorescent light emitting layer 11 of the repair cell 21a is bonded to the film F. In addition, in this embodiment, in order to simplify the description, the case where the four repair cells 21a are transferred to the film F has been described as an example. However, the present invention is not limited to this. For example, the film F is a tape of a winding type. The repair cell 21a may be in the form of a sheet or a large number of repair cells 21a may be transferred.

(点灯検査)
次に、点灯検査(工程S33)の詳細について説明する。
図22は、点灯検査工程を示すフローチャートである。図23、図24は、点灯検査工程を説明する工程図である。ここで、点灯検査(工程S33)は、第1の仮基板のレーザリフトオフ(工程S41)から第1の仮基板の再貼り付け(工程S45)までの処理を含む。
(Lighting inspection)
Next, details of the lighting inspection (step S33) will be described.
FIG. 22 is a flowchart showing the lighting inspection process. 23 and 24 are process diagrams illustrating the lighting inspection process. Here, the lighting inspection (step S33) includes processing from laser lift-off of the first temporary substrate (step S41) to reattachment of the first temporary substrate (step S45).

点灯検査(工程S33)では、上述した蛍光発光層との貼り合わせ(工程S32)の後に、リペア用セル21aのLED3が正常に点灯するか否かを検査する。図23(a)は、工程S32の後における第1の仮基板8上のLED素子5と、第2の仮基板9上の蛍光発光層11とを貼り合わせた状態を示す平面図であり、(b)はその正面図である。   In the lighting inspection (step S33), it is inspected whether or not the LED 3 of the repair cell 21a is normally turned on after the above-mentioned bonding with the fluorescent light emitting layer (step S32). FIG. 23A is a plan view showing a state in which the LED element 5 on the first temporary substrate 8 and the fluorescent light emitting layer 11 on the second temporary substrate 9 are bonded together after the step S32. (B) is the front view.

第1の仮基板のレーザリフトオフ(工程S41)では、第1の仮基板8側からレーザ光Lを照射し、レーザリフトオフを実行する。図23(c)、(d)は、レーザリフトオフを模式的に示した図である。   In the laser lift-off of the first temporary substrate (step S41), the laser light L is emitted from the first temporary substrate 8 side to perform the laser lift-off. 23C and 23D are diagrams schematically showing laser lift-off.

第1の仮基板の剥離(工程S42)では、レーザリフトオフにより、第1の仮基板8を剥離する。図23(e)は、第1の仮基板8を剥離した状態を示す平面図であり、(f)は正面図である。これにより、LED電極面が露出することになる。   In the peeling of the first temporary substrate (step S42), the first temporary substrate 8 is peeled off by laser lift-off. FIG. 23 (e) is a plan view showing a state where the first temporary substrate 8 is peeled off, and FIG. 23 (f) is a front view. As a result, the LED electrode surface is exposed.

検査用基板との接触(工程S43)では、LED電極31a、31bと検査用基板10の電極10aとが合うように位置決めし、加圧して接触させる。図24(a)は、検査用基板10との接触状態を示す正面図である。そして、工程S43では、検査用基板10のアノードとカソードとの間に電流を流し、LED3の点灯検査を行なう。   In the contact with the inspection substrate (step S43), the LED electrodes 31a and 31b are positioned so as to be aligned with the electrode 10a of the inspection substrate 10, and pressure is applied to bring them into contact with each other. FIG. 24A is a front view showing a contact state with the inspection substrate 10. Then, in step S43, a current is passed between the anode and the cathode of the inspection substrate 10 to perform the lighting inspection of the LED 3.

図25は、検査用基板の構成図である。図25(a)は、検査用基板10の平面図であり、(b)は、図25(a)のH−H線断面図である。図26は、検査用基板による点灯検査を説明する図であって、検査用基板10との接触状態を示す正面図(図24(a))の一部拡大図である。検査用基板10は、アノードパターン10bとカソードパターン10cとを備え、LED電極31a、31bに接続する突起状の電極10a(フォトスペーサ電極)で構成される。   FIG. 25 is a configuration diagram of the inspection board. 25A is a plan view of the inspection substrate 10 and FIG. 25B is a sectional view taken along line HH of FIG. 25A. FIG. 26 is a diagram for explaining the lighting inspection by the inspection board, and is a partially enlarged view of the front view (FIG. 24A) showing the contact state with the inspection board 10. The inspection substrate 10 includes an anode pattern 10b and a cathode pattern 10c, and is composed of projecting electrodes 10a (photospacer electrodes) connected to the LED electrodes 31a and 31b.

点灯確認(工程S44)では、LED3の点灯の有無について、フィルタ10dを介して、観察用の電子カメラ(図示省略)にて画像10eを取得する。図24(b)は、点灯確認(工程S44)の処理を模式的に示した図である。工程S44では、例えば、ライン毎にLED3を一斉点灯する。R(赤)波長のみを透過するフィルタを介して電子カメラで観察し、非点灯、混色(Rセル以外でRが発光)、色抜け(Rの輝度が低い)等を判別する。G(緑)、B(青)もそれぞれフィルタを変えて確認する。   In the lighting confirmation (step S44), regarding the presence or absence of lighting of the LED 3, an image 10e is acquired by an observation electronic camera (not shown) via the filter 10d. FIG. 24B is a diagram schematically showing the lighting confirmation process (step S44). In step S44, for example, the LEDs 3 are simultaneously turned on for each line. Observation with an electronic camera through a filter that transmits only the R (red) wavelength is performed to determine non-lighting, color mixture (R emits light other than the R cell), color loss (low brightness of R), and the like. Check G (green) and B (blue) by changing the filters.

第1の仮基板の再貼り付け(工程S45)では、平坦化膜4の接着領域に接着剤51をつけて第1の仮基板8に貼り合わせ硬化させる。図24(c)は、第1の仮基板8を再貼り付けした状態を示す正面図である。これにより、図15(f)に示すように、蛍光発光層との貼り合わせ(工程S32)を行った後の状態に戻る。そして、LED素子と蛍光発光層との貼り合わせ(工程S3)では、引き続き、上述した蛍光発光層側のレーザリフトオフ(工程S34)に移行することができる。なお、点灯検査で発見された欠陥セルは、フィルムへの転写(工程S38)において、転写しないこととする。   In the re-bonding of the first temporary substrate (step S45), the adhesive 51 is applied to the bonding region of the flattening film 4, and the first temporary substrate 8 is bonded and cured. FIG. 24C is a front view showing a state in which the first temporary substrate 8 is reattached. As a result, as shown in FIG. 15F, the state returns to the state after the bonding with the fluorescent light emitting layer (step S32). Then, in the bonding of the LED element and the fluorescent light emitting layer (step S3), the laser lift-off on the fluorescent light emitting layer side (step S34) can be continued. The defective cells found in the lighting inspection are not transferred in the transfer to the film (step S38).

以上より、第1実施形態に係るリペア用セル21aによれば、紫外光発光ダイオード(UV−LED)であるLED3を保持した平坦化膜4と、その平坦化膜4上に設けられた蛍光発光層11とを備えた構造とした。従来、紫外光発光ダイオード発光源とし、蛍光材を色変換層として用いて、フルカラー表示を実現するマイクロLEDディスプレイの製造段階で欠陥セルが発見された場合、上述したとおり、欠陥箇所をレーザ加工等で除去した後、回路パターンを復元し、さらにセルを復元するため、その欠陥箇所において、新たなLEDチップの実装等を含む再実装の工程を実施する必要があった。これに対し、予め製造しておいたリペア用セル21aを代替すればよいので、上記の再実装の工程を省略することができる。これにより、その分、タクト時間を短縮して、マイクロLEDディスプレイの製造段階で発見された欠陥箇所を修復可能とすることができる。また、上記の再実装の工程が不要となるので、新たな欠陥の発生を避けることができる。   As described above, according to the repair cell 21a according to the first embodiment, the flattening film 4 holding the LED 3 which is the ultraviolet light emitting diode (UV-LED), and the fluorescent light emission provided on the flattening film 4 are provided. And a layer 11. Conventionally, when a defective cell is found in the manufacturing stage of a micro LED display that realizes full-color display by using an ultraviolet light emitting diode light emitting source and a fluorescent material as a color conversion layer, laser processing of the defective portion is performed as described above. In order to restore the circuit pattern and further restore the cell after the removal, it is necessary to carry out a remounting process including mounting a new LED chip at the defective portion. On the other hand, since the repair cell 21a manufactured in advance may be replaced, the above-mentioned remounting step can be omitted. As a result, the tact time can be shortened by that amount, and the defective portion found in the manufacturing stage of the micro LED display can be repaired. Further, since the above-mentioned remounting process is unnecessary, it is possible to avoid the occurrence of new defects.

また、第1実施形態に係るマイクロLEDディスプレイ100によれば、欠陥セルを、リペア用セル21aで代替したので、タクト時間を短縮して修復されたマイクロLEDディスプレイを提供することができる。   Further, according to the micro LED display 100 according to the first embodiment, the defective cell is replaced by the repair cell 21a, so that the repaired micro LED display can be provided by shortening the tact time.

さらに、第1実施形態に係るリペア用セルの製造補法によれば、上記のリペア用セル21aを製造することができる。   Furthermore, the repair cell manufacturing method according to the first embodiment can manufacture the repair cell 21a.

次に、第1実施形態に係るリペア用セルの変形例について説明する。
図27は、第1実施形態に係るリペア用セルの変形例を示す図である。図27(a)は、変形例のリペア用セル21b、21c、21dの平面図、(b)は、図27(a)のI−I線断面図である。(c)は、マイクロLED3a(以下、「LED3a」という)の正面図である。リペア用セル21b、21c、21dは、リペア用セル21aと比較して、平坦化膜4aが、包囲壁41aを有し、紫外線照射又は加熱によって接着機能を発現し、蛍光材によって波長変換された赤(R)、緑(G)、青(B)の蛍光の単位毎に1画素としてマイクロLEDを1つ保持する点が相違する。ここで、LED3aと平坦化膜4aとが一体形成されたものがLED素子5aである。
Next, a modified example of the repair cell according to the first embodiment will be described.
FIG. 27 is a diagram showing a modification of the repair cell according to the first embodiment. 27A is a plan view of repair cells 21b, 21c, and 21d of the modification, and FIG. 27B is a sectional view taken along line I-I of FIG. 27A. (C) is a front view of micro LED3a (henceforth "LED3a"). In the repair cells 21b, 21c, and 21d, as compared with the repair cell 21a, the flattening film 4a has a surrounding wall 41a, exhibits an adhesive function by ultraviolet irradiation or heating, and is wavelength-converted by a fluorescent material. The difference is that one micro LED is held as one pixel for each unit of red (R), green (G), and blue (B) fluorescence. Here, the LED element 5a is formed by integrally forming the LED 3a and the flattening film 4a.

また、図27(a)に示すように、リペア用セル21bの蛍光発光層11aは赤色の蛍光色素を有する蛍光材層11Rを備え、リペア用セル21cの蛍光発光層11bは緑色の蛍光色素を有する蛍光材層11Gを備え、リペア用セル21dの蛍光発光層11cは青色の蛍光色素を有する蛍光材層11Bを備える。また、隔壁12は、各蛍光材層11R、11G、11B毎に周囲を取り囲み、隔壁12の表面には、金属膜15が設けられている。   Further, as shown in FIG. 27A, the fluorescent light emitting layer 11a of the repair cell 21b includes a fluorescent material layer 11R having a red fluorescent dye, and the fluorescent light emitting layer 11b of the repair cell 21c has a green fluorescent dye. The repairing cell 21d includes a fluorescent material layer 11G, and the fluorescent light emitting layer 11c of the repair cell 21d includes a fluorescent material layer 11B having a blue fluorescent dye. The partition 12 surrounds each of the fluorescent material layers 11R, 11G, and 11B, and a metal film 15 is provided on the surface of the partition 12.

LED3aは、LED3と同様の構成であり、化合物半導体30bの上面(一方の面上)の予め定められた位置に発光用のLED電極31c、31dを有し、化合物半導体30bの下面(他方の面)に光源(発光層)からの光を放出する光放出面32aが形成されている。   The LED 3a has the same configuration as the LED 3, has LED electrodes 31c and 31d for light emission at predetermined positions on the upper surface (on one surface) of the compound semiconductor 30b, and lower surface (the other surface) of the compound semiconductor 30b. ) Is formed with a light emitting surface 32a that emits light from the light source (light emitting layer).

ここで、図1に示すマイクロLEDディスプレイ100については、リペア用セル21b、21c、21dと同一の構成のセルで置き換えたものとする。このような各蛍光材層11R、11G、11Bによって各々波長変換される赤(R)、緑(G)、青(B)の各画素単位のリペア用セル21b、21c、21dを採用すると、欠陥箇所において、赤(R)、緑(G)、青(B)の各画素(サブピクセル)単位で、欠陥セルと代替することができる。   Here, in the micro LED display 100 shown in FIG. 1, it is assumed that the repair cells 21b, 21c, and 21d are replaced with cells having the same configuration. If the repair cells 21b, 21c, and 21d for each pixel unit of red (R), green (G), and blue (B) that are wavelength-converted by the respective fluorescent material layers 11R, 11G, and 11B are adopted, defects will occur. At the location, defective cells can be replaced in units of each pixel (subpixel) of red (R), green (G), and blue (B).

[第2実施形態]
次に、本発明に係るリペア用セル、マイクロLEDディスプレイ及びリペア用セルの製造方法を実施するための第2実施形態について詳述する。
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment for carrying out the repair cell, the micro LED display, and the method for manufacturing the repair cell according to the present invention will be described in detail.

[マイクロLEDディスプレイ]
第2実施形態では、第1実施形態のような紫外光発光ダイオード(UV−LED)であるLED3、LED3aを用いるのではなく、光の三原色である赤(R)、緑(G)、青(B)の何れかの色を発光する可視光発光ダイオード(LED)を用いる。
[Micro LED display]
In the second embodiment, the LEDs 3 and 3a which are the ultraviolet light emitting diodes (UV-LEDs) as in the first embodiment are not used, but the three primary colors of light are red (R), green (G), and blue ( A visible light emitting diode (LED) that emits any color of B) is used.

図28は、第2実施形態に係るマイクロLEDディスプレイの一例を模式的に示す平面図である。図28に示すマイクロLEDディスプレイ100aは、フルカラー表示を実現するための複数のセルがマトリクス状に配置されたマイクロLEDディスプレイであって、マトリクス状に配置されたマイクロLED3b、3c、3dを含むセル21eと、各々のマイクロLED3b、3c、3dを駆動する配線基板6eと、を含むアレイ基板1aを備えたものである。   FIG. 28 is a plan view schematically showing an example of the micro LED display according to the second embodiment. A micro LED display 100a shown in FIG. 28 is a micro LED display in which a plurality of cells for realizing full color display are arranged in a matrix, and a cell 21e including micro LEDs 3b, 3c, 3d arranged in a matrix. And an array substrate 1a including a wiring substrate 6e for driving the respective micro LEDs 3b, 3c, 3d.

本実施形態では、一例として、図28に示すマイクロLEDディスプレイ100aの製造工程で、領域R6で囲まれたセル21eが欠陥セルであることが発見され、リペア用セル21fが交換部品として代替された場合について説明する。なお、リペア用セル21fは、マイクロLEDディスプレイ100aの製造工程で欠陥がないと判定されたセル21eと同一の部品で構成されている。   In the present embodiment, as an example, in the manufacturing process of the micro LED display 100a shown in FIG. 28, the cell 21e surrounded by the region R6 was found to be a defective cell, and the repair cell 21f was replaced as a replacement part. The case will be described. The repair cell 21f is composed of the same parts as the cell 21e which is determined to have no defect in the manufacturing process of the micro LED display 100a.

マイクロLED3b(以下、単に「LED3b」という)は、赤(R)色を発光するダイオードであり、マイクロLED3c(以下、単に「LED3c」という)は、緑(G)色を発光するダイオードであり、LED3d(以下、単に「LED3d」という)は、青(B)色を発光するダイオードである。なお、図28では、配線基板6eの配線の図示を省略しているが、図1(b)に示す配線基板6と同様の構成であってよい。セル21e及びリペア用セル21fにおいて、平坦化膜4b(図29参照)が赤(R)、緑(G)、青(B)の発光パターンに応じた数のLED3b、3c、3dを保持する。具体的には、平坦化膜4bは、赤(R)、緑(G)、青(B)の発光の単位を組み合わせて1画素として3つのLED3b、3c、3dを保持する。これにより、マイクロLEDディスプレイ100aは、図1に示す蛍光発光層11を不要としている。   The micro LED 3b (hereinafter, simply referred to as “LED3b”) is a diode that emits red (R) color, and the micro LED 3c (hereinafter, simply referred to as “LED 3c”) is a diode that emits green (G) color, The LED 3d (hereinafter, simply referred to as "LED3d") is a diode that emits blue (B) color. Although the wiring of the wiring board 6e is not shown in FIG. 28, the wiring board 6e may have the same configuration as that of the wiring board 6 shown in FIG. 1B. In the cell 21e and the repair cell 21f, the flattening film 4b (see FIG. 29) holds a number of LEDs 3b, 3c, and 3d corresponding to the emission patterns of red (R), green (G), and blue (B). Specifically, the flattening film 4b holds three LEDs 3b, 3c, and 3d as one pixel by combining units of light emission of red (R), green (G), and blue (B). As a result, the micro LED display 100a does not require the fluorescent light emitting layer 11 shown in FIG.

マイクロLEDディスプレイ100aは、マイクロLEDディスプレイ100と同様、フラットディスプレイやフレキシブルディスプレイに適用可能である。マイクロLEDディスプレイ100aが、例えばフラットディスプレイに適用される場合、図28において、他の構成要素として、例えば保護ガラスの図示が省略されている。   Like the micro LED display 100, the micro LED display 100a can be applied to a flat display or a flexible display. When the micro LED display 100a is applied to, for example, a flat display, in FIG. 28, for example, protective glass is omitted as another component.

[リペア用セル]
図29は、第2実施形態に係るリペア用セルの説明図である。図29(a)は、リペア用セル21fのLED電極側から見た平面図であり、(b)は、図29(a)のJ−J線断面図、(c)は、光放出面32a側から見たリペア用セル21fの平面図である。ここで、第2実施形態のリペア用セル21fは、図29に示すように、マイクロLEDディスプレイ100aの欠陥セルの代替として用いるものであって、LED3b、3c、3dと、平板状に形成され、LED3b、3c、3dの周側面と接着して保持するための包囲壁41bが設けられ、紫外線照射又は加熱によって接着機能を発現する平坦化膜4bと、を備えたものである。LED3bは、相対向する面の一方の面上に発光用のLED電極31e、31fを有し、他方の面に発光した光を放出する光放出面32bを有している。また、LED3cは、LED3bと同様、LED電極31e、31f、光放出面32cを有している。さらに、LED3dは、LED3bと同様、LED電極31e、31f、光放出面32dを有している。
[Repair cell]
FIG. 29 is an explanatory diagram of a repair cell according to the second embodiment. 29A is a plan view seen from the LED electrode side of the repair cell 21f, FIG. 29B is a sectional view taken along line JJ of FIG. 29A, and FIG. 29C is a light emitting surface 32a. It is a top view of repair cell 21f seen from the side. Here, the repair cell 21f of the second embodiment is used as a substitute for the defective cell of the micro LED display 100a, and is formed in a flat plate shape with the LEDs 3b, 3c, 3d, as shown in FIG. An enclosing wall 41b for adhering and holding the peripheral side surfaces of the LEDs 3b, 3c, 3d is provided, and a flattening film 4b that exhibits an adhering function by ultraviolet irradiation or heating is provided. The LED 3b has LED electrodes 31e and 31f for light emission on one of the opposite surfaces, and a light emitting surface 32b for emitting the emitted light on the other surface. The LED 3c has LED electrodes 31e and 31f and a light emitting surface 32c, like the LED 3b. Further, the LED 3d has LED electrodes 31e and 31f and a light emitting surface 32d, like the LED 3b.

平坦化膜4bは、接着機能を発現することにより、赤(R)、緑(G)、青(B)の発光パターンに応じた数のLED3b、3c、3dを保持する。具体的には、平坦化膜4bは、例えば、赤(R)、緑(G)、青(B)の発光の単位を組み合わせて1画素として3つのLED3b、3c、3dを保持する。本実施形態では、平坦化膜4bとLED3b、3c、3dとが一体形成されたものをLED素子5bと称するが、蛍光発光層11を不要とした構成のため、LED素子5b自体が、リペア用セル21fとなる。   The flattening film 4b holds the number of LEDs 3b, 3c, and 3d according to the light emission patterns of red (R), green (G), and blue (B) by exhibiting an adhesive function. Specifically, the flattening film 4b holds, for example, three LEDs 3b, 3c, and 3d as one pixel by combining units of light emission of red (R), green (G), and blue (B). In this embodiment, the flattening film 4b and the LEDs 3b, 3c, and 3d integrally formed are referred to as an LED element 5b. However, since the fluorescent light emitting layer 11 is unnecessary, the LED element 5b itself is for repairing. It becomes the cell 21f.

[リペア用セルの製造方法]
第2実施形態に係るリペア用セルの製造方法は、LED3b、3c、3dと、これらを保持する平板状の平坦化膜4bとを一体形成する。そのため、第2実施形態に係るリペア用セルの製造方法は、使用するLEDを、紫外光発光ダイオード(UV−LED)から可視光発光ダイオード(LED)に変更しただけで、第1実施形態に係るLED素子の形成(工程S21)と同様である。したがって、説明を省略する。
[Manufacturing method of repair cell]
In the method for manufacturing the repair cell according to the second embodiment, the LEDs 3b, 3c and 3d and the flattened flat film 4b that holds them are integrally formed. Therefore, the manufacturing method of the repair cell according to the second embodiment relates to the first embodiment only by changing the LED to be used from the ultraviolet light emitting diode (UV-LED) to the visible light emitting diode (LED). This is the same as the formation of the LED element (step S21). Therefore, the description is omitted.

次に、第2実施形態に係るリペア用セルのフィルムへの転写について説明する。
図30、31は、第2実施形態に係るリペア用セルのフィルムへの転写を説明する図である。図30(a)は、第1の仮基板8に接着されているリペア用セル21fの平面図であり、(b)は正面図である。図30(c)、(d)は、リペア用セル21fにフィルムFを貼り合わせた状態を示している。図30(e)、(f)は、第1の仮基板8にレーザ光Lを照射して、レーザリフトオフした状態を示している。図30(g)、(h)は、第1の仮基板8が剥離された状態を示している。リペア用セル21fのフィルムFの転写については、図19、20で説明した方法と同様である。
Next, transfer of the repair cell to the film according to the second embodiment will be described.
30 and 31 are diagrams for explaining the transfer of the repair cell according to the second embodiment onto the film. FIG. 30A is a plan view of the repair cell 21f bonded to the first temporary substrate 8, and FIG. 30B is a front view. 30C and 30D show a state in which the film F is attached to the repair cell 21f. 30E and 30F show a state where the first temporary substrate 8 is irradiated with the laser light L and the laser is lifted off. 30G and 30H show a state in which the first temporary substrate 8 is peeled off. The transfer of the film F of the repair cell 21f is the same as the method described with reference to FIGS.

図31(a)は、フィルムFにリペア用セル21fが転写された状態の平面図であり、(b)は、図31(a)のK−K線断面図である。リペア用セル21fがフィルムFに転写された場合には、LED電極31e、31f側が表側となり、リペア用セル21fの光放出面がフィルムFに貼り合されている。   31A is a plan view showing a state in which the repair cell 21f is transferred to the film F, and FIG. 31B is a sectional view taken along line KK of FIG. 31A. When the repair cell 21f is transferred to the film F, the LED electrodes 31e and 31f are on the front side, and the light emitting surface of the repair cell 21f is attached to the film F.

以上より、第2実施形態に係るリペア用セル21fによれば、可視光発光ダイオード(LED)であるLED3b、3c、3dと、これらを保持した平坦化膜4bとを備えた構造とした。第2実施形態においても、予め製造しておいたリペア用セル21fを欠陥セルの代替とすることができるので、第1実施形態と同様、上記の再実装の工程を省略することができる。これにより、第2実施形態に係るリペア用セル21fによれば、その分、タクト時間を短縮して、マイクロLEDディスプレイの製造段階で発見された欠陥箇所を修復可能とすることができる。また、上記の再実装の工程が不要となるので、新たな欠陥の発生を避けることができる。   As described above, the repair cell 21f according to the second embodiment has the structure including the LEDs 3b, 3c, and 3d, which are visible light emitting diodes (LEDs), and the flattening film 4b that holds them. In the second embodiment as well, the repair cell 21f manufactured in advance can be used as a substitute for the defective cell, so that the above-mentioned re-mounting step can be omitted as in the first embodiment. As a result, according to the repair cell 21f according to the second embodiment, the tact time can be shortened by that much, and the defective portion found in the manufacturing stage of the micro LED display can be repaired. Further, since the above-mentioned remounting process is unnecessary, it is possible to avoid the occurrence of new defects.

また、第2実施形態に係るマイクロLEDディスプレイ100aによれば、欠陥セルを、リペア用セル21fで代替したので、タクト時間を短縮して修復されたマイクロLEDディスプレイを提供することができる。   Further, according to the micro LED display 100a according to the second embodiment, since the defective cell is replaced with the repair cell 21f, it is possible to provide a repaired micro LED display by shortening the tact time.

さらに、第1実施形態に係るリペア用セルの製造補法によれば、上記のリペア用セル21fを製造することができる。   Furthermore, the repair cell manufacturing method according to the first embodiment can manufacture the repair cell 21f.

次に、第2実施形態に係るリペア用セルの変形例について説明する。この変形例のリペア用セルは、マイクロLEDディスプレイの欠陥セルの代替として用いるリペア用セルであって、マイクロLEDと、平板状に形成され、マイクロLEDの周側面と接着して保持するための包囲壁を有し、紫外線照射又は加熱によって接着機能を発現することにより、赤(R)、緑(G)、青(B)の発光パターンに応じた数のマイクロLEDを保持する平坦化膜と、を備える。具体的には、平坦化膜は、赤(R)、緑(G)、青(B)の発光の単位毎に1画素としてマイクロLEDを保持する。この変形例のリペア用セルは、例えば、図29に示す第2実施形態に係るリペア用セル21fを各画素単位に3つに分割した構成を有するものである。   Next, a modification of the repair cell according to the second embodiment will be described. The repair cell of this modified example is a repair cell used as a substitute for a defective cell of a micro LED display, and is formed in a flat plate shape with the micro LED, and is surrounded by a peripheral side surface of the micro LED for adhesion and holding. A flattening film that has a wall and holds a number of micro LEDs corresponding to the emission patterns of red (R), green (G), and blue (B) by exhibiting an adhesive function by ultraviolet irradiation or heating; Equipped with. Specifically, the planarizing film holds the micro LED as one pixel for each unit of light emission of red (R), green (G), and blue (B). The repair cell of this modification has, for example, a configuration in which the repair cell 21f according to the second embodiment shown in FIG. 29 is divided into three for each pixel unit.

図32は、第2実施形態に係るリペア用セルの変形例を示す図である。図32(a)は、LED電極側から見た、各リペア用セル21g、21h、21iの平面図であり、(b)は、図32(a)のL−L線断面図、(c)は、光放出面側から見た、各リペア用セル21g、21h、21iの平面図である。   FIG. 32 is a diagram showing a modified example of the repair cell according to the second embodiment. 32A is a plan view of the repair cells 21g, 21h, and 21i viewed from the LED electrode side, and FIG. 32B is a sectional view taken along line LL of FIG. 32A. [Fig. 4] is a plan view of each repair cell 21g, 21h, 21i viewed from the light emitting surface side.

リペア用セル21gは、赤(R)色のLED3bと、紫外線照射によって接着機能を発現する平板状の平坦化膜4cとを備え、第1実施形態のリペア用セル21aと同様、一体形成されることにより、平坦化膜4cは包囲壁41cによりLED3bを保持したものである。リペア用セル21hは、緑(G)色のLED3cと平坦化膜4cとを備え、一体形成されることにより、平坦化膜4cは包囲壁41cによりLED3cを保持したものである。リペア用セル21iは、青(G)色のLED3dと平板状の平坦化膜4cとを備え、紫外線照射により一体形成されることにより、平坦化膜4cは包囲壁41cによりLED3dを保持したものである。ここで、図28に示すマイクロLEDディスプレイ100aについては、リペア用セル21g、21h、21iと同一の構成のセルで置き換えたものとする。   The repair cell 21g includes a red (R) color LED 3b and a flat plate-shaped flattening film 4c that exhibits an adhesive function by irradiation with ultraviolet rays, and is integrally formed similarly to the repair cell 21a of the first embodiment. As a result, the flattening film 4c holds the LED 3b by the surrounding wall 41c. The repair cell 21h includes a green (G) LED 3c and a flattening film 4c, and is integrally formed so that the flattening film 4c holds the LED 3c by the surrounding wall 41c. The repair cell 21i is provided with a blue (G) LED 3d and a flat plate-shaped flattening film 4c, and is integrally formed by irradiation with ultraviolet rays, so that the flattening film 4c holds the LED 3d by the surrounding wall 41c. is there. Here, it is assumed that the micro LED display 100a shown in FIG. 28 is replaced with a cell having the same configuration as the repair cells 21g, 21h, and 21i.

以上より、第2実施形態に係るリペア用セルの変形例では、赤(R)、緑(G)、青(B)の各画素単位のリペア用セル21g、21h、21iを採用すると、欠陥箇所において、赤(R)、緑(G)、青(B)の各画素(サブピクセル)単位で、欠陥セルと代替することができる。   As described above, in the modification example of the repair cell according to the second embodiment, when the repair cells 21g, 21h, and 21i for each pixel unit of red (R), green (G), and blue (B) are adopted, the defective portion is defective. In, the defective cells can be replaced in units of each pixel (subpixel) of red (R), green (G), and blue (B).

上記実施形態においては、接着機能を発現する紫外線硬化型の透明な感光性接着剤を平坦化膜4、4a、4b、4cや接着剤51に適用したが、本発明はこれに限られず、接着機能を発現する加熱硬化型の透明な感熱性接着剤を平坦化膜4、4a、4b、4cや接着剤51に適用してもよい。この場合、上記実施形態において、紫外線照射を加熱処理に置き換えればよい。この場合、加熱装置(図示省略)により、感熱性接着剤が硬化する温度の加熱処理を行なえばよい。   In the above-described embodiment, an ultraviolet curable transparent photosensitive adhesive that exhibits an adhesive function is applied to the planarizing films 4, 4a, 4b, 4c and the adhesive 51, but the present invention is not limited to this, and A heat-curable transparent heat-sensitive adhesive exhibiting a function may be applied to the flattening films 4, 4a, 4b, 4c and the adhesive 51. In this case, in the above embodiment, the ultraviolet irradiation may be replaced with the heat treatment. In this case, a heating device (not shown) may be used to perform heat treatment at a temperature at which the heat-sensitive adhesive is cured.

3、3a、3b、3c、3d…マイクロLED
4、4a、4b、4c…平坦化膜
11、11a、11b、11c…蛍光発光層
12…隔壁(遮光壁)
21、21e…セル
21a、21b、21c、21d、21f、21g、21h、21i…リペア用セル
31a、31b、31c、31d、31e、31f…LED電極
32、32a、32b、32c、32d…光放出面
41、41a、41b、41c…包囲壁
100、100a…マイクロLEDディスプレイ
3, 3a, 3b, 3c, 3d ... Micro LED
4, 4a, 4b, 4c ... Planarization film 11, 11a, 11b, 11c ... Fluorescent light emitting layer 12 ... Partition (light shielding wall)
21, 21e ... Cell 21a, 21b, 21c, 21d, 21f, 21g, 21h, 21i ... Repair cell 31a, 31b, 31c, 31d, 31e, 31f ... LED electrode 32, 32a, 32b, 32c, 32d ... Light emission Surface 41, 41a, 41b, 41c ... Enclosing wall 100, 100a ... Micro LED display

Claims (10)

フルカラー表示を実現するための複数のセルがマトリクス状に配置されたマイクロLEDディスプレイにおいて欠陥が発生した欠陥セルの代替として用いるリペア用セルであって、
光の三原色である赤(R)、緑(G)、青(B)の何れかの色を発光し、相対向する面の一方の面上に発光用の電極を有し、他方の面に発光した光を放出する光放出面が形成されたマイクロLEDと、
平板状に形成され、前記マイクロLEDの周側面と接着して保持するための包囲壁を有し、紫外線照射又は加熱によって接着機能を発現することにより、前記赤(R)、緑(G)、青(B)の発光パターンに応じた数の前記マイクロLEDを保持する平坦化膜と、
を備えたことを特徴とするリペア用セル。
A repair cell used as a substitute for a defective cell in which a defect has occurred in a micro LED display in which a plurality of cells for realizing full-color display are arranged in a matrix,
It emits any of the three primary colors of light, red (R), green (G), and blue (B), and has an electrode for light emission on one of the opposite surfaces and the other surface. A micro LED having a light emitting surface for emitting emitted light;
The red (R), green (G), which is formed in a flat plate shape, has an enclosing wall for adhering and holding the peripheral side surface of the micro LED, and develops an adhering function by ultraviolet irradiation or heating, A flattening film for holding a number of the micro LEDs corresponding to a blue (B) emission pattern,
A repair cell, which is characterized by having.
前記平坦化膜は、前記赤(R)、緑(G)、青(B)の発光の単位毎に1画素として前記マイクロLEDを保持する、ことを特徴とする請求項1に記載のリペア用セル。   The repair film according to claim 1, wherein the flattening film holds the micro LED as one pixel for each unit of light emission of the red (R), green (G), and blue (B). cell. 前記平坦化膜は、前記赤(R)、緑(G)、青(B)の発光の単位を組み合わせて1画素として前記マイクロLEDを保持する、ことを特徴とする請求項1に記載のリペア用セル。   The repair according to claim 1, wherein the flattening film holds the micro LED as one pixel by combining the units of light emission of the red (R), green (G), and blue (B). Cell. フルカラー表示を実現するための複数のセルがマトリクス状に配置されたマイクロLEDディスプレイにおいて欠陥が発生した欠陥セルの代替として用いるリペア用セルであって、
紫外から青色波長帯までのうちで特定のスペクトルを有する光を発光し、相対向する面の一方の面上に発光用の電極を有し、他方の面に発光した光を放出する光放出面が形成されたマイクロLEDと、
平板状に形成され、前記マイクロLEDの周側面と接着して保持するための包囲壁を予め定められた位置に有し、紫外線照射又は加熱によって接着機能を発現することにより前記マイクロLEDを1又は複数保持する平坦化膜と、
前記平坦化膜上に設けられ、前記マイクロLEDの数に応じて前記マイクロLEDから放出された光によって励起されて、予め定められた対応色の蛍光に波長変換する蛍光材を、周囲を遮光壁により囲まれた領域に充填した蛍光発光層と、
を備えたことを特徴とするリペア用セル。
A repair cell used as a substitute for a defective cell in which a defect has occurred in a micro LED display in which a plurality of cells for realizing full-color display are arranged in a matrix,
A light emitting surface that emits light having a specific spectrum in the ultraviolet to blue wavelength band, has an electrode for light emission on one of the opposite surfaces, and emits the emitted light on the other surface. A micro LED formed with
The micro LED is formed in a flat plate shape and has an enclosing wall for adhering and holding the peripheral side surface of the micro LED at a predetermined position, and the micro LED is 1 or A planarizing film that holds a plurality of
A fluorescent material that is provided on the flattening film and that is excited by the light emitted from the micro LEDs according to the number of the micro LEDs to convert the wavelength into fluorescence of a predetermined corresponding color is shielded around the periphery. A fluorescent light emitting layer filled in a region surrounded by,
A repair cell, which is characterized by having.
前記蛍光材が波長変換する蛍光の対応色は、光の三原色である赤(R)、緑(G)、青(B)の何れかの色であり、
前記平坦化膜は、前記蛍光材によって波長変換された前記赤(R)、緑(G)、青(B)の蛍光の単位毎に1画素として前記マイクロLEDを保持する、ことを特徴とする請求項4に記載のリペア用セル。
The corresponding color of the fluorescent light whose wavelength is converted by the fluorescent material is any one of the three primary colors of light, red (R), green (G), and blue (B),
The flattening film holds the micro LED as one pixel for each unit of the red (R), green (G), and blue (B) fluorescence wavelength-converted by the fluorescent material. The repair cell according to claim 4.
前記蛍光材が波長変換する蛍光の対応色は、光の三原色である赤(R)、緑(G)、青(B)の何れかの色であり、
前記平坦化膜は、前記蛍光材によって波長変換された前記赤(R)、緑(G)、青(B)の蛍光の単位を組み合わせて1画素単位として前記マイクロLEDを保持する、ことを特徴とする請求項4に記載のリペア用セル。
The corresponding color of the fluorescent light whose wavelength is converted by the fluorescent material is any one of the three primary colors of light, red (R), green (G), and blue (B),
The flattening film holds the micro LED as one pixel unit by combining the red (R), green (G), and blue (B) fluorescent units whose wavelengths are converted by the fluorescent material. The repair cell according to claim 4.
フルカラー表示を実現するための複数のセルがマトリクス状に配置されたマイクロLEDディスプレイであって、
前記セルのうち欠陥が発生した欠陥セルを、請求項1〜3の何れか1項に記載のリペア用セルで代替したことを特徴とするマイクロLEDディスプレイ。
A micro LED display in which a plurality of cells for realizing full color display are arranged in a matrix,
A micro LED display, wherein a defective cell in which a defect has occurred is replaced with the repair cell according to any one of claims 1 to 3.
フルカラー表示を実現するための複数のセルがマトリクス状に配置されたマイクロLEDディスプレイであって、
前記セルのうち欠陥が発生した欠陥セルを、請求項4〜6の何れか1項に記載のリペア用セルで代替したことを特徴とするマイクロLEDディスプレイ。
A micro LED display in which a plurality of cells for realizing full color display are arranged in a matrix,
A micro LED display, wherein a defective cell in which a defect has occurred is replaced by the repair cell according to any one of claims 4 to 6.
フルカラー表示を実現するための複数のセルがマトリクス状に配置されたマイクロLEDディスプレイにおいて欠陥が発生した欠陥セルの代替として用いるリペア用セルの製造方法であって、
光の三原色である赤(R)、緑(G)、青(B)の何れかの色を発光し、相対向する面の一方の面上に発光用の電極を有し、他方の面に発光した光を放出する光放出面が形成されたマイクロLEDに、前記マイクロLEDの周側面と接着して保持するための包囲壁を有し、紫外線照射又は加熱によって接着機能を発現することにより、前記赤(R)、緑(G)、青(B)の発光パターンに応じた数の前記マイクロLEDを保持する平板状の平坦化膜を一体形成する工程を含むことを特徴とするリペア用セルの製造方法。
A method of manufacturing a repair cell, which is used as a substitute for a defective cell in which a defect has occurred in a micro LED display in which a plurality of cells for realizing full-color display are arranged in a matrix,
It emits any of the three primary colors of light, red (R), green (G), and blue (B), and has an electrode for light emission on one of the opposite surfaces and the other surface. In the micro LED on which the light emitting surface for emitting the emitted light is formed, has a surrounding wall for adhering and holding the peripheral side surface of the micro LED, and by exerting an adhesive function by ultraviolet irradiation or heating, A repair cell comprising a step of integrally forming a flat plate-shaped planarizing film holding the number of the micro LEDs corresponding to the red (R), green (G) and blue (B) emission patterns. Manufacturing method.
フルカラー表示を実現するための複数のセルがマトリクス状に配置されたマイクロLEDディスプレイにおいて欠陥が発生した欠陥セルの代替として用いるリペア用セルの製造方法であって、
紫外から青色波長帯までのうちで特定のスペクトルを有する光を発光し、相対向する面の一方の面上に発光用の電極を有し、他方の面に発光した光を放出する光放出面が形成されたマイクロLEDに、前記マイクロLEDの周側面と接着して保持するための包囲壁を予め定められた位置に有し、紫外線照射又は加熱によって接着機能を発現することにより前記マイクロLEDを1又は複数保持する平板状の平坦化膜を一体形成する工程と、
前記マイクロLEDの数に応じて前記マイクロLEDから放出された光によって励起されて、予め定められた対応色の蛍光に波長変換する蛍光材を、周囲を遮光壁により囲まれた領域に充填した蛍光発光層を形成する工程と、
前記平坦化膜上に前記蛍光発光層を貼り合わせる工程と、
を含むことを特徴とするリペア用セルの製造方法。
A method of manufacturing a repair cell, which is used as a substitute for a defective cell in which a defect has occurred in a micro LED display in which a plurality of cells for realizing full-color display are arranged in a matrix,
A light emitting surface that emits light having a specific spectrum in the ultraviolet to blue wavelength band, has an electrode for light emission on one of the opposite surfaces, and emits the emitted light on the other surface. Has a surrounding wall for adhering and holding the peripheral side surface of the micro LED at a predetermined position, and the micro LED is developed by exhibiting an adhering function by ultraviolet irradiation or heating. A step of integrally forming a flat plate-shaped flattening film for holding one or a plurality of layers,
Fluorescent light that is excited by light emitted from the microLEDs according to the number of the microLEDs and is filled with a fluorescent material that converts the wavelength into fluorescent light of a predetermined corresponding color in a region surrounded by a light shielding wall. A step of forming a light emitting layer,
Bonding the fluorescent light emitting layer on the flattening film,
A method of manufacturing a repair cell, comprising:
JP2018194652A 2018-10-15 2018-10-15 Cell for repairment, micro led display, and method for manufacturing cell for repairment Pending JP2020064119A (en)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018194652A JP2020064119A (en) 2018-10-15 2018-10-15 Cell for repairment, micro led display, and method for manufacturing cell for repairment
KR1020217007313A KR20210075070A (en) 2018-10-15 2019-08-01 Repair cell, micro LED display and repair cell manufacturing method
PCT/JP2019/030188 WO2020079921A1 (en) 2018-10-15 2019-08-01 Repair cell, micro led display, and method for manufacturing repair cell
CN201980066997.1A CN113039465A (en) 2018-10-15 2019-08-01 Repair cell, micro LED display, and method for manufacturing repair cell
TW108128640A TW202029494A (en) 2018-10-15 2019-08-12 Repair cell, micro led display, and method for manufacturing repair cell

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018194652A JP2020064119A (en) 2018-10-15 2018-10-15 Cell for repairment, micro led display, and method for manufacturing cell for repairment

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2020064119A true JP2020064119A (en) 2020-04-23

Family

ID=70283932

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018194652A Pending JP2020064119A (en) 2018-10-15 2018-10-15 Cell for repairment, micro led display, and method for manufacturing cell for repairment

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP2020064119A (en)
KR (1) KR20210075070A (en)
CN (1) CN113039465A (en)
TW (1) TW202029494A (en)
WO (1) WO2020079921A1 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113299593A (en) * 2021-05-21 2021-08-24 錼创显示科技股份有限公司 Adhesion layer structure and semiconductor structure
WO2023079620A1 (en) * 2021-11-04 2023-05-11 コニカミノルタ株式会社 Inkjet ink for forming partition, inkjet ink set for forming partition, method for manufacturing led device, and led device
US11735461B2 (en) 2021-05-21 2023-08-22 PlayNitride Display Co., Ltd. Adhesive-layer structure and semiconductor structure

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112652684B (en) * 2020-12-29 2021-10-01 海盐县集佳建材有限公司 Method for replacing LED lamp beads on substrate

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2973715B1 (en) 2013-03-15 2021-10-27 Apple Inc. Light emitting diode display with redundancy scheme
JP6640872B2 (en) * 2015-12-01 2020-02-05 シャープ株式会社 Image forming element
TWI616116B (en) * 2016-12-02 2018-02-21 錼創科技股份有限公司 Display and repair method thereof

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113299593A (en) * 2021-05-21 2021-08-24 錼创显示科技股份有限公司 Adhesion layer structure and semiconductor structure
US11735461B2 (en) 2021-05-21 2023-08-22 PlayNitride Display Co., Ltd. Adhesive-layer structure and semiconductor structure
WO2023079620A1 (en) * 2021-11-04 2023-05-11 コニカミノルタ株式会社 Inkjet ink for forming partition, inkjet ink set for forming partition, method for manufacturing led device, and led device

Also Published As

Publication number Publication date
WO2020079921A1 (en) 2020-04-23
TW202029494A (en) 2020-08-01
KR20210075070A (en) 2021-06-22
CN113039465A (en) 2021-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2020079921A1 (en) Repair cell, micro led display, and method for manufacturing repair cell
US20200243712A1 (en) Inspection method for led chip, inspection device therefor, and manufacturing method for led display
US20200295224A1 (en) Manufacturing method for led display panel
US20200243739A1 (en) Board connection structure, board mounting method, and micro-led display
WO2020116207A1 (en) Microled mounting structure, microled display, and microled display manufacturing method
US20220108978A1 (en) Carrier Film And Apparatus And Method For Repairing LED Display Panel
JP6916525B2 (en) LED display manufacturing method
US20210119098A1 (en) Substrate mounting method and electronic-component-mounted substrate
US20200373350A1 (en) Full-Color Led Display Panel And Method For Manufacturing Same
US20200411588A1 (en) Full-Color Led Diplay Panel And Method For Manufacturing Same
WO2020049896A1 (en) Method for manufacturing led display panel, and led display panel
JP2020013954A (en) Board connection structure, micro led display and component mounting method
JP2021019037A (en) Electronic component mounting structure, electronic component mounting method, and led display panel
US20210313302A1 (en) Surface light source and method of manufacturing surface light source
JP2021148868A (en) Repair tape and manufacturing apparatus and manufacturing method of the repair tape