JP2020013954A - Board connection structure, micro led display and component mounting method - Google Patents

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Koichi Kajiyama
康一 梶山
康一郎 深谷
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康一郎 深谷
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Abstract

To provide a board connection structure in which an electronic component of micro size, such as a micro LED, and a wiring board are kept in good connection.SOLUTION: A board connection structure connecting multiple electronic components 3 by pressing on a wiring board 4 includes an elastic layer 5 provided on the wiring board 4, and contracting according to the pressing force when the electronic components 3 are pressed, conductive elastic projections 7 provided on electrode pads 6 placed on the elastic layer 5, corresponding to connection terminals 3a provided in respective electronic components 3, and connected with the connection terminals 3a, and an insulating adhesive member 8 provided in a pillar shape at a predetermined position around the elastic projection 7, and bonding the electronic component 3 and the elastic layer 5. When a height difference occurs in the height direction interval of a corresponding connection terminal 3a and the elastic projection 7, at the time of connection of the electronic component 3 and the wiring board 4, the height difference is absorbed by contraction of the elastic layer, the electronic component 3 and the elastic layer 5 are bonded by the adhesive member 8, thus connecting the connection terminal 3a and the elastic projection 7.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、電子部品と配線基板とを接続する基板接続構造に関し、特にマイクロLED(light emitting diode)のような微小なサイズの電子部品の実装を可能にする基板接続構造、その基板接続構造を採用したマイクロLEDディスプレイ、及び電子部品を配線基板に実装する部品実装方法に係るものである。   The present invention relates to a board connection structure for connecting an electronic component to a wiring board, and more particularly to a board connection structure that enables mounting of a small-sized electronic component such as a micro LED (light emitting diode), and a board connection structure for the same. The present invention relates to an adopted micro LED display and a component mounting method for mounting an electronic component on a wiring board.

従来、回路等が形成された基板への発光ダイオード(LED)の接続を容易にするための基板接続構造としては、照明用に用いるサイズのLEDを、異方性導電接着剤(ACA:Anisotropic Conductive Film)を含む接着材料を介して、その基板に接続したものが開示されている(例えば、特許文献1参照)。   2. Description of the Related Art Conventionally, as a substrate connection structure for facilitating connection of a light emitting diode (LED) to a substrate on which a circuit or the like is formed, an LED having a size used for lighting is used by using an anisotropic conductive adhesive (ACA). (Patent Document 1).

特表2013―531378号公報JP 2013-53378 A

しかし、従来例のような基板接続構造を、例えばマイクロLEDディスプレイに組み込まれるマイクロLED(電子部品)に適用しようとすると、基板接続構造についてもマイクロLEDのサイズに応じて微小化する必要が生じる。この場合、上記の異方性導電接着剤に含まれている金属粒子の粒径サイズが、マイクロLEDのサイズに対して無視できない程度になり、基板接続構造の微小化の実現に影響を及ぼす。そのため、マイクロLED用の基板接続構造に上記の異方性導電接着剤を用いるのは、好ましくない。   However, when the substrate connection structure as in the conventional example is applied to, for example, a micro LED (electronic component) incorporated in a micro LED display, the substrate connection structure also needs to be miniaturized according to the size of the micro LED. In this case, the particle size of the metal particles contained in the anisotropic conductive adhesive is not negligible with respect to the size of the micro LED, which affects the miniaturization of the substrate connection structure. Therefore, it is not preferable to use the above-described anisotropic conductive adhesive for the substrate connection structure for the micro LED.

これに加えて、例えば、レーザリフトオフ(LLO:Laser Lift Off)の処理により、各々のマイクロLEDを配線基版上に実装する場合、マイクロLEDと配線基板との間で接続不良が起こり得る。ここで、レーザリフトオフは、例えば、一方の面上に複数のマイクロLEDをマトリクス状に配置したサファイア基板と配線基板とを貼り合わせて、他方の面上にレーザを照射して、そのサファイア基板を剥離して除去することをいう。上記接続不良は、例えば、サファイア基板の反り、即ち、サファイア基板の平面度が均一でない場合に起こり得る。なお、上記接続不良は、サファイア基板の反りに限られず、例えばマイクロLED自体の高さのばらつき等、他の要因によっても起こり得る。   In addition to this, when each micro LED is mounted on the wiring base plate by, for example, laser lift off (LLO) processing, a connection failure may occur between the micro LED and the wiring board. Here, the laser lift-off is performed, for example, by bonding a sapphire substrate in which a plurality of micro LEDs are arranged in a matrix on one surface and a wiring substrate, and irradiating a laser on the other surface to remove the sapphire substrate. It refers to peeling and removing. The poor connection may occur, for example, when the sapphire substrate is warped, that is, when the sapphire substrate has non-uniform flatness. Note that the connection failure is not limited to the warpage of the sapphire substrate, but may be caused by other factors such as a variation in the height of the micro LED itself.

そこで、本発明は、このような問題点に対処し、マイクロLED等の微小なサイズの電子部品と配線基板との接続が良好に保たれた基板接続構造、その基板接続構造を採用したマイクロLEDディスプレイ、及び電子部品を配線基板に実装する部品実装方法を提供することを目的とする。   Therefore, the present invention addresses such a problem, and a substrate connection structure in which the connection between an electronic component having a small size such as a micro LED and a wiring substrate is well maintained, and a micro LED employing the substrate connection structure. It is an object to provide a display and a component mounting method for mounting an electronic component on a wiring board.

上記目的を達成するために、本発明による基板接続構造は、複数の電子部品を、該電子部品を駆動する配線層を含む配線基板上に押圧して接続した基板接続構造であって、上記配線基板上に設けられ、上記電子部品が押圧されたときに該押圧力に応じて収縮する弾性層と、各々の上記電子部品に設けられた接続端子に対応して、上記弾性層上に配置された電極パッド上に設けられ、上記接続端子と接続する導電性の弾性突起部と、上記弾性突起部の周囲の予め定められた位置に柱状に設けられ、上記電子部品と上記弾性層とを接着する絶縁性の接着部材と、を含み、上記電子部品と上記配線基板との接続に際して、対応する上記接続端子と上記弾性突起部との高さ方向の間隔に高低差が生じた場合、該高低差を上記弾性層の収縮により吸収して、上記接着部材で電子部品と上記弾性層とを接着し、上記接続端子と上記弾性突起部とを接続させる。   In order to achieve the above object, a board connection structure according to the present invention is a board connection structure in which a plurality of electronic components are pressed and connected on a wiring board including a wiring layer for driving the electronic components. An elastic layer provided on a substrate and contracting in accordance with the pressing force when the electronic component is pressed, and disposed on the elastic layer corresponding to the connection terminals provided on each of the electronic components. A conductive elastic protrusion that is provided on the electrode pad that is connected to the connection terminal, and is provided in a columnar shape at a predetermined position around the elastic protrusion, and adheres the electronic component and the elastic layer. An insulating adhesive member that performs the connection between the electronic component and the wiring board, if there is a height difference between the corresponding connection terminals and the elastic projections in the height direction, Absorb the difference by contraction of the elastic layer To bond the electronic component and the elastic layer in the adhesive member, thereby connecting the connection terminal and the elastic protrusions.

また、本発明によるマイクロLEDディスプレイは、カラー映像が表示可能なマイクロLEDディスプレイであって、マトリクス状に配置された複数のマイクロLEDと、上記マイクロLEDを駆動する配線層を含む配線基板と、を含むLEDアレイ基板を備え、上記マイクロLEDと上記配線基板との接続は、上記配線基板上に設けられ、上記マイクロLEDが押圧されたときに該押圧力に応じて収縮する弾性層と、各々の上記マイクロLEDに設けられた接続端子に対応して、上記弾性層上に配置された電極パッド上に設けられ、上記接続端子と接続する導電性の弾性突起部と、上記弾性突起部の周囲の予め定められた位置に柱状に設けられ、上記マイクロLEDと上記弾性層とを接着する絶縁性の接着部材と、を含む接続要素によって接続され、上記マイクロLEDと上記配線基板との接続に際して、対応する上記接続端子と上記弾性突起部との高さ方向の間隔に高低差が生じた場合、該高低差を上記弾性層の収縮により吸収して、上記接着部材で上記マイクロLEDと上記弾性層とを接着し、上記接続端子と上記弾性突起部とを接続させる。   The micro LED display according to the present invention is a micro LED display capable of displaying a color image, and includes a plurality of micro LEDs arranged in a matrix and a wiring board including a wiring layer for driving the micro LEDs. Comprising an LED array substrate, wherein the connection between the micro LED and the wiring board is provided on the wiring board, and when the micro LED is pressed, an elastic layer that contracts in accordance with the pressing force; Corresponding to the connection terminal provided on the micro LED, provided on the electrode pad disposed on the elastic layer, a conductive elastic protrusion connected to the connection terminal, and a conductive elastic protrusion around the elastic protrusion. A connecting element that is provided in a columnar shape at a predetermined position and includes an insulating adhesive member that adheres the micro LED and the elastic layer; In connection with the micro LED and the wiring board, when a height difference occurs in a height direction interval between the corresponding connection terminal and the elastic projection, the height difference is caused by contraction of the elastic layer. Absorbing, the micro LED and the elastic layer are adhered by the adhesive member, and the connection terminal and the elastic protrusion are connected.

また、本発明による部品実装方法は、光透過性のウエハの一方の面上にマトリクス状に配置された複数の電子部品を、該電子部品を駆動する配線層を含む配線基板上に位置決めして、上記ウエハの他方の面から上記電子部品を押圧し、上記電子部品を固定した後に、上記ウエハをレーザリフトオフの処理によって剥離することにより、上記電子部品を上記配線基板に実装する部品実装方法であって、上記配線基板上に、上記電子部品が押圧されたときに該圧力に応じて収縮する弾性層を形成する工程と、上記電子部品の接続端子に対応して上記弾性層上に配置された電極パッド上に導電性の弾性突起部をパターニング形成する工程と、上記電子部品の上記接続端子と上記配線基板の上記配線層とをビア接続をする工程と、上記弾性層上に絶縁性の接着剤を塗布したのち露光及び現像をして、上記電極パッドの周囲の予め定められた位置に柱状に接着部材を形成する工程と、上記電子部品を上記配線基板上に位置決めして押圧する工程と、上記接着部材を硬化させて上記電子部品を上記配線基板に接着する工程と、上記ウエハを上記レーザリフトオフの処理により剥離する工程と、を含む。   Also, the component mounting method according to the present invention is a method for positioning a plurality of electronic components arranged in a matrix on one surface of a light-transmitting wafer on a wiring board including a wiring layer for driving the electronic components. By pressing the electronic component from the other surface of the wafer and fixing the electronic component, the wafer is peeled off by a laser lift-off process, so that the electronic component is mounted on the wiring board. A step of forming an elastic layer on the wiring substrate, the elastic layer contracting in response to the pressure when the electronic component is pressed, and disposed on the elastic layer corresponding to a connection terminal of the electronic component. Patterning a conductive elastic projection on the electrode pad, forming a via connection between the connection terminal of the electronic component and the wiring layer of the wiring board, and insulating the elastic layer on the elastic layer. Exposing and developing after applying the adhesive, forming an adhesive member in a columnar shape at a predetermined position around the electrode pad, and positioning and pressing the electronic component on the wiring board A step of curing the adhesive member to adhere the electronic component to the wiring substrate, and a step of peeling the wafer by the laser lift-off process.

本発明の基板接続構造によれば、絶縁性の上記接着部材を設けたことにより異方性導電接着剤の使用を不要とし、また、上記弾性層を設けたことにより、上記電子部品と上記配線基板との接続に際して、上記高低差が生じた場合、該高低差を上記弾性層の収縮により吸収して、上記接続端子と上記弾性突起部とを接続させるので、例えばマイクロLED等の微小なサイズの電子部品と配線基板との接続を良好に保つことができる。   According to the substrate connection structure of the present invention, the use of the anisotropic conductive adhesive is unnecessary by providing the insulating adhesive member, and the electronic component and the wiring are provided by providing the elastic layer. When the height difference occurs at the time of connection with the substrate, the height difference is absorbed by the contraction of the elastic layer, and the connection terminal and the elastic protrusion are connected to each other. Good connection between the electronic component and the wiring board can be maintained.

また、本発明のマイクロLEDディスプレイによれば、上記マイクロLEDと上記配線基板との接続は、上記接続要素により接続されるので、上記マイクロLED等の電子部品と上記配線基板との接続を良好に保つことができる。これにより、上記マイクロLEDディスプレイの製造における上記マイクロLEDの接続不良による歩留りを改善することができる。   Further, according to the micro LED display of the present invention, since the connection between the micro LED and the wiring board is connected by the connection element, the connection between the electronic component such as the micro LED and the wiring board can be improved. Can be kept. Thereby, the yield due to the connection failure of the micro LED in the manufacture of the micro LED display can be improved.

さらに、本発明の部品実装方法によれば、本発明の基板接続構造を形成することにより、上記電子部品と上記配線基板との接続を良好に保つことができる。   Furthermore, according to the component mounting method of the present invention, by forming the board connection structure of the present invention, it is possible to maintain good connection between the electronic component and the wiring board.

本発明によるマイクロLEDディスプレイの実施形態を模式的に示す平面図である。1 is a plan view schematically showing an embodiment of a micro LED display according to the present invention. 本発明による基板接続構造が適用されたLEDアレイ基板を模式的に示す断面図である。1 is a cross-sectional view schematically illustrating an LED array substrate to which a substrate connection structure according to the present invention is applied. 図1の要部拡大断面図である。FIG. 2 is an enlarged sectional view of a main part of FIG. 1. 本発明による部品実装方法を説明する工程図である。FIG. 3 is a process diagram illustrating a component mounting method according to the present invention. 本発明による部品実装方法を説明する工程図である。FIG. 3 is a process diagram illustrating a component mounting method according to the present invention. 本発明による部品実装方法の工程を示すフローチャートである。5 is a flowchart showing steps of a component mounting method according to the present invention. 蛍光発光層アレイの製造について説明する工程図である。It is a flowchart explaining manufacture of a fluorescent light emitting layer array. 蛍光発光層アレイの製造工程を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing process of a fluorescent light emitting layer array. LEDアレイ基板と蛍光発光層アレイとの組立工程について説明する工程図である。It is a process drawing explaining an assembly process of an LED array substrate and a fluorescent light emitting layer array. マイクロLEDと配線基板との間で接続不良を起こす要因を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the factor which causes a connection failure between a micro LED and a wiring board. マイクロLEDと配線基板との間で接続不良を起こす要因を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the factor which causes a connection failure between a micro LED and a wiring board. サファイア基板の平坦性の問題を解決する手段を示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory view showing a means for solving the problem of flatness of a sapphire substrate. マイクロLEDにおける高さのばらつきの問題を解決する手段を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the means which solves the problem of the height dispersion | variation in a micro LED. マイクロLEDの接続端子おける高さばらつきの問題を解決する手段を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the means which solves the problem of the height variation in the connection terminal of a micro LED. 弾性突起部における高さのばらつきの問題を解決する手段を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the means which solves the problem of the height dispersion | variation in an elastic protrusion part. 配線基板の平坦性の問題を解決する手段を示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory view showing a means for solving the problem of flatness of a wiring board. 本発明による基板接続構造の変形例を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification of the board connection structure by this invention typically. 本発明による基板接続構造に対する比較例を説明する図である。It is a figure explaining a comparative example with respect to a substrate connection structure by the present invention. 本発明による基板接続構造に対する比較例を説明する図である。It is a figure explaining a comparative example with respect to a substrate connection structure by the present invention. 本発明によるマイクロLEDディスプレイの変形例の平面図である。FIG. 9 is a plan view of a modification of the micro LED display according to the present invention.

以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。
図1は、本発明によるマイクロLEDディスプレイの実施形態を模式的に示す平面図である。図2は、本発明による基板接続構造が適用されたLEDアレイ基板を模式的に示す断面図である。マイクロLEDディスプレイ100は、LEDアレイ基板1と蛍光発光層アレイ2とを含む。なお、マイクロLEDディスプレイは、フラットディスプレイやフレキシブルディスプレイに適用可能である。マイクロLEDディスプレイ100が、例えばフラットディスプレイに適用される場合、図1において、他の構成要素として、例えば保護ガラスの図示が省略されている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a plan view schematically showing an embodiment of a micro LED display according to the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing an LED array substrate to which the substrate connection structure according to the present invention is applied. The micro LED display 100 includes an LED array substrate 1 and a fluorescent light emitting layer array 2. Note that the micro LED display is applicable to a flat display and a flexible display. When the micro LED display 100 is applied to, for example, a flat display, FIG. 1 omits illustration of, for example, a protective glass as another component.

なお、本発明による基板接続構造は、上述の接続不良を起こす要因が生じない場合にも、適用できる。そこで、説明をわかりやすくするため、先ず、接続不良を起こす要因が生じない場合の適用例について説明し、その次に接続不良を起こす要因が生じる場合の適用例について説明する。   Note that the substrate connection structure according to the present invention can be applied even when the above-described factors causing the connection failure do not occur. Therefore, in order to make the description easy to understand, first, an application example in which a factor causing a connection failure does not occur will be described, and then an application example in a case where a factor causing a connection failure will occur will be described.

LEDアレイ基板1は、図1に示すようにマトリクス状に配置された複数のマイクロLED3と、マイクロLED3を駆動する配線層を含む配線基板4とを含む。LEDアレイ基板1は、駆動回路(図示省略)から映像信号を各マイクロLED3に供給し、各マイクロLED3を個別にオンして点灯及びオフして消灯させることができる。   The LED array substrate 1 includes a plurality of micro LEDs 3 arranged in a matrix as shown in FIG. 1 and a wiring substrate 4 including a wiring layer for driving the micro LEDs 3. The LED array substrate 1 can supply a video signal to each micro LED 3 from a drive circuit (not shown), and turn on and off each micro LED 3 individually to turn it off.

蛍光発光層アレイ2は、赤色(11R)、緑(11G)、青(11B)の蛍光色素の組み合わせで構成される蛍光発光層11を備える。各蛍光発光層11は、蛍光発光層アレイ2において、例えば図1に示すようなストライプ状の開口21が設けられた位置に形成されている。蛍光発光層アレイ2の詳細については、図3を用いて後述する。   The fluorescent light emitting layer array 2 includes a fluorescent light emitting layer 11 composed of a combination of red (11R), green (11G), and blue (11B) fluorescent dyes. Each fluorescent light emitting layer 11 is formed in the fluorescent light emitting layer array 2 at a position where, for example, a stripe-shaped opening 21 as shown in FIG. 1 is provided. Details of the fluorescent light emitting layer array 2 will be described later with reference to FIG.

マイクロLED3は、紫外から青色波長帯の光を発光するものであり、窒化ガリウム(GaN)を主材料として製造される。マイクロLED3は、電子部品の一例であって、波長が例えば200nm〜380nmの近紫外線を発光するLEDであっても、波長が例えば380nm〜500nmの青色光を発光するLEDであってもよい。マイクロLED3は、例えば、外形寸法が10μm×30μm以下のミクロンオーダーのサイズであって、発光が良好なLEDを対象とする。   The micro LED 3 emits light in the ultraviolet to blue wavelength band, and is manufactured using gallium nitride (GaN) as a main material. The micro LED 3 is an example of an electronic component, and may be an LED that emits near-ultraviolet light having a wavelength of, for example, 200 nm to 380 nm, or may be an LED that emits blue light having a wavelength of, for example, 380 nm to 500 nm. The micro LED 3 is, for example, an LED having an outer dimension of 10 μm × 30 μm or less on the order of microns and good light emission.

図2では、図1に示すA−A線断面図において、領域R1で囲まれたLEDアレイ基板1の断面図を示している。LEDアレイ基板1は、マイクロLED3、接続端子3a、配線基板4、弾性層5、電極パッド6、弾性突起部7、及び接着部材8を備える。なお、マイクロLED3と配線基板4との接続は、接続要素Sによって接続される。接続要素Sは、例えば、接続端子3a、弾性層5、電極パッド6、弾性突起部7、及び接着部材8を含んで構成されるものである。接続要素Sは、マイクロLED3と配線基板4との機械的な接続及び電気的な接続を実現させるものである。   FIG. 2 shows a cross-sectional view of the LED array substrate 1 surrounded by a region R1 in the cross-sectional view taken along the line AA shown in FIG. The LED array substrate 1 includes a micro LED 3, a connection terminal 3a, a wiring substrate 4, an elastic layer 5, an electrode pad 6, an elastic protrusion 7, and an adhesive member 8. The connection between the micro LED 3 and the wiring board 4 is connected by a connection element S. The connection element S includes, for example, a connection terminal 3a, an elastic layer 5, an electrode pad 6, an elastic protrusion 7, and an adhesive member 8. The connection element S realizes mechanical connection and electrical connection between the micro LED 3 and the wiring board 4.

接続端子3aは、マイクロLED3に設けられた電極であって、弾性突起部7と接続して電気的な導通が図られる。   The connection terminal 3a is an electrode provided on the micro LED 3, and is connected to the elastic projection 7 to achieve electrical conduction.

配線基板4は、例えば、フレキシブルプリント回路基板(FPC:Flexible Printed Circuits)であって、絶縁性を有するベースフィルム(例えば、ポリイミド)と、電気回路を形成した配線層とからなるフィルム状の基板である。図2に示す配線基板4は、一例として、ポリイミド層41と配線層42とが交互に設けられた多層フレキシブル基板の構造を有している。ビア43は、スルーホールの構造を有し、このスルーホールには、例えば、銅が充填される等して電気的に接続する配線が設けられている。   The wiring substrate 4 is, for example, a flexible printed circuit (FPC), which is a film-shaped substrate including an insulating base film (for example, polyimide) and a wiring layer on which an electric circuit is formed. is there. The wiring board 4 shown in FIG. 2 has, for example, a multilayer flexible board structure in which polyimide layers 41 and wiring layers 42 are provided alternately. The via 43 has a structure of a through-hole, and the through-hole is provided with a wiring that is electrically connected, for example, by being filled with copper.

弾性層5は、配線基板4上に設けられ、マイクロLED3と配線基板4とを接続に際してマイクロLED3が押圧されたときに該押圧力に応じて収縮するものである。具体的には、マイクロLED3と配線基板4とを接続に際して、接続端子3aと弾性突起部7とは対向しており、各々対応する接続端子3aと弾性突起部7との高さ方向の間隔に高低差が生じた場合、該高低差を弾性層5の収縮により吸収する。弾性層5は、例えば、シリコン樹脂で形成されている。但し、弾性層5は、シリコン樹脂に限られず、例えば、シリコン系材料であって、シリコンを主成分にするものであってもよいし、クッション性を有するシリコン樹脂と同様の機能を有するものであってもよい。本実施形態では、上記高低差が生じた場合であっても、その高低差が吸収されることにより、接続端子3aと弾性突起部7とを良好に接続させることができる。なお、弾性層5は、押圧されなくなると、収縮した箇所について元の状態に戻そうとする復元力が作用する。そのため、押圧した状態で、マイクロLED3と配線基板4とを固着させて接続することが好ましい。   The elastic layer 5 is provided on the wiring board 4 and contracts according to the pressing force when the micro LED 3 is pressed when connecting the micro LED 3 and the wiring board 4. Specifically, when connecting the micro LED 3 and the wiring board 4, the connection terminal 3 a and the elastic projection 7 are opposed to each other, and the gap between the corresponding connection terminal 3 a and the elastic projection 7 in the height direction is set. When a height difference occurs, the height difference is absorbed by the contraction of the elastic layer 5. The elastic layer 5 is formed of, for example, a silicone resin. However, the elastic layer 5 is not limited to the silicon resin, and may be, for example, a silicon-based material having silicon as a main component or a material having the same function as a silicone resin having a cushioning property. There may be. In the present embodiment, even when the height difference occurs, the height difference is absorbed, so that the connection terminal 3a and the elastic protrusion 7 can be connected well. When the elastic layer 5 is no longer pressed, a restoring force acts to return the contracted portion to the original state. Therefore, it is preferable to fix and connect the micro LED 3 and the wiring board 4 in a pressed state.

電極パッド6は、電気的に接続させるものであって、マイクロLED3に設けられた接続端子3aに対応して、弾性層5上の予め定められた位置に設けられている。具体的には、電極パッド6は、図2に示すようにマイクロLED3の光取り出し面3bとは反対の面に設けられた接続端子3aに対応して、弾性層5上に設けられている。図2に示すように、マイクロLED3は、電極パッド6上にパターニング形成された導電性の弾性突起部7を介してマイクロLED3の接続端子3aと電極パッド6とが電気接続されるようになっている。   The electrode pad 6 is for electrical connection, and is provided at a predetermined position on the elastic layer 5 corresponding to the connection terminal 3a provided on the micro LED 3. Specifically, the electrode pads 6 are provided on the elastic layer 5 corresponding to the connection terminals 3a provided on the surface opposite to the light extraction surface 3b of the micro LED 3 as shown in FIG. As shown in FIG. 2, in the micro LED 3, the connection terminal 3 a of the micro LED 3 and the electrode pad 6 are electrically connected via the conductive elastic protrusion 7 patterned and formed on the electrode pad 6. I have.

弾性突起部7は、電極パッド6上に設けられ、接続端子3aと電極パッド6とを電気接続させるものであって、配線基板4側に設けられた接続端子である。接続端子3aと弾性突起部7との接する箇所が、接続端子3aの接点(接触面)であり、弾性突起部7の接点(接触面)である。   The elastic projections 7 are provided on the electrode pads 6 to electrically connect the connection terminals 3 a and the electrode pads 6, and are connection terminals provided on the wiring board 4 side. The contact point between the connection terminal 3a and the elastic protrusion 7 is a contact (contact surface) of the connection terminal 3a, and a contact (contact surface) of the elastic protrusion 7.

詳細には、弾性突起部7は、例えば、表面に金やアルミニウム等の良導電性の導電体膜7aを被着させた樹脂製の柱状突起7bである。但し、弾性突起部7は、フォトレジストに銀等の導電性微粒子を添加した導電性フォトレジスト又は導電性高分子を含む導電性フォトレジストで形成した柱状突起で構成されてもよい。なお、図2においては、一例として弾性突起部7として表面に導電体膜7aを被着させた柱状突起7bを形成した場合を示しているが、弾性突起部7は、上記のとおり、導電性フォトレジストで形成したものであってもよい。   More specifically, the elastic projection 7 is, for example, a resin-made columnar projection 7b having a surface coated with a conductive film 7a of good conductivity such as gold or aluminum. However, the elastic protrusion 7 may be formed of a columnar protrusion formed of a conductive photoresist containing conductive fine particles such as silver added to a photoresist or a conductive photoresist containing a conductive polymer. FIG. 2 shows, as an example, a case in which a columnar projection 7b having a conductive film 7a adhered to the surface thereof is formed as the elastic projection 7, but the elastic projection 7 has a conductive property as described above. It may be formed of a photoresist.

接着部材8は、弾性突起部7の周囲の予め定められた位置に柱状に設けられ、マイクロLED3と弾性層5とを接着(接合)するものであって、絶縁性を有する感光性接着剤である。具体的には、図2に示すように、マイクロLED3は、配線基板4の電極パッド6の周囲に設けられた接着部材8を介して弾性層5上に接着により固定されている。この場合、接着部材8は、露光及び現像によりパターニングが可能な感光性接着剤であることが好ましい。但し、接着部材8は、アンダーフィル剤であっても、紫外線硬化型の接着剤であってもよい。要するに、接着部材8は、例えば、異方性導電接着剤(ACA)のような数十ミクロンのサイズの金属粒子を含まないので、接続要素Sに影響を及ぼすことがない。   The bonding member 8 is provided in a columnar shape at a predetermined position around the elastic projection 7 and bonds (joins) the micro LED 3 to the elastic layer 5 and is made of a photosensitive adhesive having an insulating property. is there. Specifically, as shown in FIG. 2, the micro LED 3 is fixed on the elastic layer 5 by an adhesive via an adhesive member 8 provided around the electrode pad 6 of the wiring board 4. In this case, the adhesive member 8 is preferably a photosensitive adhesive that can be patterned by exposure and development. However, the adhesive member 8 may be an underfill agent or an ultraviolet curable adhesive. In short, since the bonding member 8 does not include metal particles having a size of several tens of microns such as, for example, an anisotropic conductive adhesive (ACA), it does not affect the connection element S.

ここで、弾性層5、弾性突起部7、接着部材8に関し、各々の硬さの度合い(ヤング率)は、弾性突起部7>弾性層5>接着部材8とする。つまり、弾性突起部7は、弾性層5、接着部材8よりも硬く、弾性層5は接着部材8よりも硬い。次に、蛍光発光層アレイ2の構造について説明する。   Here, the degree of hardness (Young's modulus) of the elastic layer 5, the elastic protrusion 7, and the adhesive member 8 is set as elastic protrusion 7> elastic layer 5> adhesive member 8. That is, the elastic projection 7 is harder than the elastic layer 5 and the adhesive member 8, and the elastic layer 5 is harder than the adhesive member 8. Next, the structure of the fluorescent light emitting layer array 2 will be described.

図3は、図1の要部拡大断面図である。図3では、図1に示すB−B線断面図において、領域R2で囲まれたマイクロLEDディスプレイ100の要部拡大断面図を示している。なお、図3では、図2に示すLEDアレイ基板1を、マイクロLED3、接続要素S及び配線基板4の構成で簡略化して描いている。   FIG. 3 is an enlarged sectional view of a main part of FIG. FIG. 3 is an enlarged sectional view of a main part of the micro LED display 100 surrounded by a region R2 in the sectional view taken along the line BB shown in FIG. In FIG. 3, the LED array substrate 1 shown in FIG. 2 is illustrated in a simplified manner with the configuration of the micro LED 3, the connection element S, and the wiring substrate 4.

LEDアレイ基板1に配置されたマイクロLED3上には、図3に示すように蛍光発光層アレイ2が設けられている。この蛍光発光層アレイ2は、マイクロLED3から放射される励起光Lにより、対応色の蛍光FLに夫々波長変換する複数の蛍光発光層11を備えたものである。なお、説明の便宜上、励起光L及び蛍光FLを図示しているため、LEDアレイ基板1と蛍光発光層アレイ2とは、後述する図9(b)と比較して、間隔をよりあけて図示されている。   The fluorescent light emitting layer array 2 is provided on the micro LED 3 arranged on the LED array substrate 1 as shown in FIG. The fluorescent light emitting layer array 2 is provided with a plurality of fluorescent light emitting layers 11 that respectively convert wavelengths into fluorescent light FL of a corresponding color by excitation light L emitted from the micro LED 3. Note that, for convenience of explanation, the excitation light L and the fluorescence FL are illustrated, and therefore, the LED array substrate 1 and the fluorescent light emitting layer array 2 are illustrated with a greater interval than in FIG. Have been.

蛍光発光層アレイ2は、赤色、緑色及び青色の各色対応の蛍光発光層11が隔壁12によって仕切られた状態で透明基板13上に設けられている。具体的には、蛍光発光層11は、レジスト膜中に数十ミクロンオーダーの粒子径の大きい蛍光色素14aと、数十ナノメートルオーダーの粒子径の小さい蛍光色素14bとを混合、分散させたものである。なお、蛍光発光層アレイ2は、蛍光発光層11を粒子径の大きい蛍光色素14aだけで構成してもよいが、この場合には、蛍光色素14aの充填率が低下し、励起光Lの表示面側への漏れ光が増してしまう。   The fluorescent light emitting layer array 2 is provided on a transparent substrate 13 in a state where fluorescent light emitting layers 11 corresponding to each of red, green and blue are separated by a partition 12. Specifically, the fluorescent light emitting layer 11 is obtained by mixing and dispersing a fluorescent dye 14a having a large particle diameter of several tens of microns and a fluorescent dye 14b having a small particle diameter of several tens of nanometers in a resist film. It is. In the fluorescent light emitting layer array 2, the fluorescent light emitting layer 11 may be composed of only the fluorescent dye 14a having a large particle diameter. In this case, the filling rate of the fluorescent dye 14a is reduced, and the display of the excitation light L is reduced. Light leakage to the surface side increases.

一方、蛍光発光層アレイ2は、蛍光発光層11を粒子径の小さい蛍光色素14bだけで構成した場合には、耐光性等の安定性が劣るという問題がある。したがって、本実施形態では、上記のように蛍光発光層11を粒子径の大きい蛍光色素14aを、粒子径の小さい蛍光色素14bと比較して、より多く混合させた混合物で構成することが好ましい。これにより、励起光Lの表示面側への漏れ光を抑制すると共に、発光効率を向上させることができる。   On the other hand, in the case of the fluorescent light emitting layer array 2, when the fluorescent light emitting layer 11 is formed only of the fluorescent dye 14 b having a small particle diameter, there is a problem that stability such as light resistance is poor. Therefore, in the present embodiment, as described above, it is preferable that the fluorescent light-emitting layer 11 be formed of a mixture in which the fluorescent dye 14a having a large particle diameter is more mixed than the fluorescent dye 14b having a small particle diameter. Accordingly, it is possible to suppress the leakage of the excitation light L to the display surface side and to improve the luminous efficiency.

なお、粒子径の異なる蛍光色素14の混合比率は、体積比で粒子径の大きい蛍光色素14aが50〜90Vol%に対して、粒子径の小さい蛍光色素14bは10〜50Vol%とし、蛍光色素14aと蛍光色素14bとを併せて100Vol%とするのが望ましい。   The mixing ratio of the fluorescent dyes 14 having different particle diameters is such that the fluorescent dye 14a having a large particle diameter is 50 to 90% by volume, and the fluorescent dye 14b having a small particle diameter is 10 to 50% by volume. It is desirable that the total of the fluorescent dye 14b and the fluorescent dye 14b be 100 Vol%.

本実施形態では、図1において、各色対応の蛍光発光層11をストライプ状に設けた場合について示しているが、各色対応の蛍光発光層11を各マイクロLED3に個別に対応させて設けてもよい。   In the present embodiment, FIG. 1 shows a case where the fluorescent light emitting layers 11 corresponding to each color are provided in a stripe shape. However, the fluorescent light emitting layers 11 corresponding to each color may be provided corresponding to each micro LED 3 individually. .

また、隔壁12は、各色対応の蛍光発光層11を取り囲んで設けられ、各色対応の蛍光発光層11を互いに隔てるものである。隔壁12は、例えば透明な感光性樹脂で形成されている。本実施形態では、蛍光発光層11内における粒子径の大きい蛍光色素14aの充填率を上げるためには、隔壁12として、高さ対幅のアスペクト比が3以上を可能とする高アスペクト材料を使用するのが望ましい。このような高アスペクト材料としては、例えば日本化薬株式会社製のSU−8 3000のフォトレジストがある。   The partition walls 12 are provided so as to surround the fluorescent light emitting layers 11 corresponding to the respective colors, and separate the fluorescent light emitting layers 11 corresponding to the respective colors from each other. The partition 12 is formed of, for example, a transparent photosensitive resin. In the present embodiment, in order to increase the filling rate of the fluorescent dye 14 a having a large particle diameter in the fluorescent light emitting layer 11, a high aspect material that allows an aspect ratio of height to width of 3 or more is used for the partition 12. It is desirable to do. An example of such a high aspect material is SU-83000 photoresist manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.

隔壁12の表面には、図3に示すように、金属膜15が設けられている。この金属膜15は、励起光L及び蛍光FLが隔壁12を透過して隣接する他の色の蛍光発光層11における蛍光FLと混色するのを防止するためのものである。蛍光FLは、蛍光発光層11が励起光Lにより励起されることにより、発光する。金属膜15は、励起光L及び蛍光FLを十分に遮断できる厚みで形成されている。この場合、金属膜15としては、励起光Lを反射し易いアルミニウムやアルミ合金等の薄膜が好適である。   As shown in FIG. 3, a metal film 15 is provided on the surface of the partition wall 12. The metal film 15 is for preventing the excitation light L and the fluorescent light FL from mixing with the fluorescent light FL in the fluorescent light emitting layer 11 of the adjacent other color through the partition 12. The fluorescent light FL emits light when the fluorescent light emitting layer 11 is excited by the excitation light L. The metal film 15 is formed with a thickness that can sufficiently block the excitation light L and the fluorescence FL. In this case, as the metal film 15, a thin film of aluminum, an aluminum alloy, or the like that easily reflects the excitation light L is preferable.

これにより、蛍光発光層アレイ2は、隔壁12に向かって蛍光発光層11を透過した励起光Lをアルミニウム等の金属膜15で蛍光発光層11の内側に反射させ、蛍光発光層11の発光に利用することができる。そのため、蛍光発光層11の発光効率は、向上する。但し、隔壁12の表面に被着される薄膜は、励起光L及び蛍光FLを反射する金属膜15に限られず、励起光L及び蛍光FLを吸収するものであってもよい。   As a result, the fluorescent light emitting layer array 2 reflects the excitation light L transmitted through the fluorescent light emitting layer 11 toward the partition 12 toward the inside of the fluorescent light emitting layer 11 by the metal film 15 such as aluminum. Can be used. Therefore, the luminous efficiency of the fluorescent light emitting layer 11 is improved. However, the thin film deposited on the surface of the partition 12 is not limited to the metal film 15 that reflects the excitation light L and the fluorescence FL, and may be a film that absorbs the excitation light L and the fluorescence FL.

次に、このように構成されたマイクロLEDディスプレイ100の製造方法について説明する。マイクロLEDディスプレイ100の製造方法では、大きく分けて、LEDアレイ基板1の製造工程と、蛍光発光層アレイ2の製造工程と、LEDアレイ基板1と蛍光発光層アレイ2との組立工程が含まれる。そして、LEDアレイ基板1の製造工程では、本発明による部品実装方法が適用される。先ず、LEDアレイ基板1の製造するため、配線基板4へのマイクロLED3の部品実装方法について説明する。   Next, a method of manufacturing the micro LED display 100 configured as described above will be described. The manufacturing method of the micro LED display 100 is roughly divided into a manufacturing process of the LED array substrate 1, a manufacturing process of the fluorescent light emitting layer array 2, and an assembling process of the LED array substrate 1 and the fluorescent light emitting layer array 2. In the manufacturing process of the LED array substrate 1, the component mounting method according to the present invention is applied. First, a method of mounting components of the micro LED 3 on the wiring board 4 for manufacturing the LED array substrate 1 will be described.

図4、5は、本発明による部品実装方法を説明する工程図である。図6は、本発明による部品実装方法の工程を示すフローチャートである。   4 and 5 are process diagrams illustrating a component mounting method according to the present invention. FIG. 6 is a flowchart showing the steps of the component mounting method according to the present invention.

マイクロLED3を配線基板4に実装する部品実装方法は、図4、5に示す工程により実現される。この部品実装方法は、サファイア基板30の一方の面上にマトリクス状に配置された複数のマイクロLED3を、該マイクロLED3を駆動する配線層42を含む配線基板4上に位置決めして、サファイア基板30の他方の面からマイクロLED3を押圧し、マイクロLED3を固定した後に、マイクロLED3をレーザリフトオフの処理によって剥離することにより、マイクロLED3を配線基板4に実装する。なお、サファイア基板30は、光透過性のウエハの一例である。詳細には、部品実装方法は、図6に示すとおり、弾性層の形成(工程S11)、電極パッド及び柱状突起の形成(工程S12)、導電性の弾性突起部の形成(工程S13)、ビア接続(工程S14)、接着部材の形成(工程S15)、位置合わせ(工程S16)、押圧(工程S17)、接着(工程S18)、及びレーザリフトオフ(工程S19)を含む。以下、この順序に従って、説明を続ける。   The component mounting method for mounting the micro LED 3 on the wiring board 4 is realized by the steps shown in FIGS. In this component mounting method, a plurality of micro LEDs 3 arranged in a matrix on one surface of a sapphire substrate 30 are positioned on a wiring substrate 4 including a wiring layer 42 for driving the micro LEDs 3, and the sapphire substrate 30 The micro LED 3 is mounted on the wiring board 4 by pressing the micro LED 3 from the other surface and fixing the micro LED 3 and then peeling off the micro LED 3 by a laser lift-off process. The sapphire substrate 30 is an example of a light transmissive wafer. In detail, as shown in FIG. 6, the component mounting method includes forming an elastic layer (step S11), forming an electrode pad and a columnar protrusion (step S12), forming a conductive elastic protrusion (step S13), and forming a via. Connection (step S14), formation of an adhesive member (step S15), alignment (step S16), pressing (step S17), bonding (step S18), and laser lift-off (step S19) are included. Hereinafter, description will be continued in this order.

弾性層の形成(工程S11)は、予め用意した配線基板4上に弾性層5を形成する。図4(a)は、弾性層5が形成された状態を例示している。なお、配線基板4は、上述した多層フレキシブル基板の構造を有している。工程S11では、例えば、配線基板4上に液状のシリコン樹脂材を塗布して、配線基板4の上面の全体に層状(例えば5〜15μm程度の範囲内)にコーティングし、続いて、所定の温度雰囲気下の元で硬化させることにより弾性層5を形成する。   In the formation of the elastic layer (step S11), the elastic layer 5 is formed on the wiring board 4 prepared in advance. FIG. 4A illustrates a state in which the elastic layer 5 is formed. The wiring board 4 has the structure of the multilayer flexible board described above. In step S11, for example, a liquid silicon resin material is applied on the wiring board 4 to coat the entire upper surface of the wiring board 4 in a layered manner (for example, within a range of about 5 to 15 μm). The elastic layer 5 is formed by curing under an atmosphere.

次に、電極パッド及び柱状突起の形成(工程S12)について説明する。工程S12では、マイクロLED3の接続端子3aに対応させて、電極パッド6を弾性層5上に形成する。電極パッド6は、例えばフォトリソグラフィープロセス等の技術により製造される。   Next, formation of the electrode pads and columnar projections (Step S12) will be described. In step S12, an electrode pad 6 is formed on the elastic layer 5 corresponding to the connection terminal 3a of the micro LED 3. The electrode pad 6 is manufactured by a technique such as a photolithography process.

続いて、工程S12では、弾性層5の上面の全面にフォトスペーサ用のレジストを塗布した後、フォトマスクを使用して露光し、現像して、電極パッド6上に弾性を有する柱状突起7bをパターニング形成する。図4(b)は、電極パッド6及び柱状突起7bが形成された状態を示している。   Subsequently, in step S12, after applying a resist for a photo spacer on the entire upper surface of the elastic layer 5, the resist is exposed and developed using a photomask, and the elastic columnar projections 7b are formed on the electrode pads 6. Patterning is performed. FIG. 4B shows a state in which the electrode pad 6 and the columnar projection 7b are formed.

次に、導電性の弾性突起部の形成(工程S13)では、柱状突起7b上に、金又はアルミニウム等の良導電性の導電体膜7aをスパッタリングや蒸着等により成膜して弾性突起部7を形成する。弾性突起部7は、導電体膜7aと柱状突起7bとで構成される。図4(c)は、電極パッド6及び弾性突起部7が形成された状態を例示している。   Next, in the formation of the conductive elastic protrusion (step S13), a conductive film 7a of good conductivity such as gold or aluminum is formed on the columnar protrusion 7b by sputtering, vapor deposition, or the like, and the elastic protrusion 7 is formed. To form The elastic projection 7 includes a conductor film 7a and a columnar projection 7b. FIG. 4C illustrates a state in which the electrode pads 6 and the elastic protrusions 7 are formed.

具体的には、工程S13では、導電体膜7aを成膜する前に、フォトリソグラフィーにより電極パッド6上を除く周辺部分にレジスト層を形成し、導電体膜7aの成膜後に溶解液でレジスト層を溶解させると共に、レジスト層上の導電体膜7aを除去する。   Specifically, in step S13, before forming the conductor film 7a, a resist layer is formed by photolithography on the peripheral portion except on the electrode pad 6, and after forming the conductor film 7a, the resist layer is formed with a solution. While dissolving the layer, the conductor film 7a on the resist layer is removed.

なお、弾性突起部7は、上述したとおり、フォトレジストに銀等の導電性微粒子を添加した導電性フォトレジスト又は導電性高分子を含む導電性フォトレジストで形成した柱状突起7bあってもよい。この場合は、弾性突起部7は、配線基板4の上面の全面に導電性フォトレジストを予め定められた厚みで塗布した後、フォトマスクを使用して露光し、現像して電極パッド6上に柱状突起7bとしてパターニング形成される。   As described above, the elastic protrusion 7 may be a columnar protrusion 7b formed of a conductive photoresist obtained by adding conductive fine particles such as silver to a photoresist or a conductive photoresist containing a conductive polymer. In this case, the elastic projections 7 are formed by applying a conductive photoresist to the entire surface of the upper surface of the wiring board 4 to a predetermined thickness, exposing it using a photomask, developing it, and developing it on the electrode pads 6. It is patterned and formed as a columnar projection 7b.

このように、弾性突起部7は、例えば、フォトリソグラフィープロセスを適用して形成されるので、マイクロLED3の接続端子3aの間隔が10μm程度より狭くなっても容易に形成することができる。したがって、高精細なマイクロLEDディスプレイ100の製造が可能となる。   As described above, since the elastic projections 7 are formed by, for example, applying a photolithography process, they can be easily formed even if the distance between the connection terminals 3a of the micro LED 3 is narrower than about 10 μm. Therefore, it is possible to manufacture the high-definition micro LED display 100.

次に、ビア接続(工程S14)では、例えば、レーザによる孔形成及びめっき処理により、電極パッド6と配線基板4の配線層42とを電気的に接続する。この場合、弾性層5及び配線基板4の予め定められた箇所にレーザ加工が施されることにより、弾性層5は貫通し、配線基板4内の所定の配線層42上に至るまでビア43(スルーホール)が形成される。このスルーホールは、金属(例えば、銅)めっきにより、金属が充填され、電気的に接続を可能とする。これにより、ビア接続が完了する。   Next, in the via connection (step S14), the electrode pad 6 and the wiring layer 42 of the wiring board 4 are electrically connected, for example, by forming a hole using a laser and plating. In this case, by performing laser processing on a predetermined portion of the elastic layer 5 and the wiring board 4, the elastic layer 5 penetrates and reaches the via 43 (up to a predetermined wiring layer 42 in the wiring board 4). Through holes) are formed. The through holes are filled with metal by metal (for example, copper) plating, and can be electrically connected. Thereby, via connection is completed.

図4(d)は、ビア接続がされた後の状態を示している。なお、ビア接続によるビア43の一方の端部は、電極パッド6及び弾性突起部7と接続しているが、押圧時に、電極パッド6が弾性層5に沈み込んでも、依然として弾性突起部7と接続できる構成になっている。そのため、断線による接続不良を回避することができる。   FIG. 4D shows a state after the via connection has been made. Although one end of the via 43 is connected to the electrode pad 6 and the elastic protrusion 7 by the via connection, even if the electrode pad 6 sinks into the elastic layer 5 during pressing, the elastic protrusion 7 is still in contact with the electrode pad 6. It can be connected. Therefore, it is possible to avoid connection failure due to disconnection.

次に、接着部材の形成(工程S15)では、図4(d)に示す状態で、感光性接着剤を塗布した後、フォトマスクを使用して露光し、現像して弾性突起部7上を含む予め定められた領域の感光性接着剤が除去されるようにパターニングし、接着部材8を形成する。この場合、塗布される感光性接着剤の厚みは、電極パッド6と弾性突起部7とを含む高さ寸法よりも大きくなるようにする。図4(e)は、各々の接着部材8が弾性層5上に形成された状態を示している。   Next, in the formation of the adhesive member (step S15), a photosensitive adhesive is applied in the state shown in FIG. The adhesive member 8 is formed by patterning such that the photosensitive adhesive in a predetermined region including the photosensitive adhesive is removed. In this case, the thickness of the applied photosensitive adhesive is set to be larger than the height including the electrode pad 6 and the elastic projection 7. FIG. 4E shows a state in which each adhesive member 8 is formed on the elastic layer 5.

次に、位置合わせ(工程S16)では、サファイア基板30と配線基板4とを位置合わせするため、図5(a)に示すように、サファイア基板30と配線基板4とを貼り合わせたときに、互いに接続端子3aと弾性突起部7とが接続するように位置決めする。図5(a)は、接続端子3aと弾性突起部7とが位置決めされた状態を示している。   Next, in the alignment (step S16), in order to align the sapphire substrate 30 and the wiring substrate 4, when the sapphire substrate 30 and the wiring substrate 4 are bonded as shown in FIG. Positioning is performed so that the connection terminal 3a and the elastic projection 7 are connected to each other. FIG. 5A shows a state in which the connection terminal 3a and the elastic protrusion 7 are positioned.

具体的には、位置合わせ(工程S16)は、サファイア基板30と配線基板4とを貼り合わせるに際し、位置合わせが可能な機構(図示省略)により、図5(a)に示す接続端子3aの接点(接触面)と、弾性突起部7の接点(接触面)とが接続(接触)するように位置決めする。なお、サファイア基板30において、マイクロLED3が配置されている面を表面とし、反対側の面を裏面とする。後述するレーザリフトオフ(工程S19)では、裏面にレーザを照射する。   More specifically, in the positioning (step S16), when the sapphire substrate 30 and the wiring substrate 4 are bonded to each other, the position of the connection terminal 3a shown in FIG. Positioning is performed so that the (contact surface) and the contact (contact surface) of the elastic projection 7 are connected (contacted). In the sapphire substrate 30, the surface on which the micro LEDs 3 are arranged is referred to as a front surface, and the opposite surface is referred to as a back surface. In a later-described laser lift-off (step S19), the back surface is irradiated with laser.

次に、押圧(工程S17)では、工程S16で位置決めされたサファイア基板30を下降させて、接続端子3aの接点と、弾性突起部7の接点とが接続するように、サファイア基板30の表面と配線基板4とを貼り合わせる。そして、サファイア基板30の裏面から圧力を加えてマイクロLED3を押圧する。図5(b)は、接続要素Sがサファイア基板30と配線基板4とを接続した状態を示している。なお、図5(b)では、説明の便宜上、押圧による圧力を、後述する図12〜図16の場合と比較して低く抑えている。   Next, in the pressing (step S17), the sapphire substrate 30 positioned in step S16 is lowered, and the surface of the sapphire substrate 30 is contacted with the contact of the connection terminal 3a and the contact of the elastic protrusion 7 so as to be connected. The wiring board 4 is bonded. Then, pressure is applied from the back surface of the sapphire substrate 30 to press the micro LED 3. FIG. 5B shows a state where the connection element S connects the sapphire substrate 30 and the wiring substrate 4. In FIG. 5B, for convenience of explanation, the pressure due to the pressing is suppressed to be lower than in the case of FIGS.

接着(工程S18)では、図5(b)に示した状態で、接着部材8を硬化させてマイクロLED3と配線基板4上の弾性層5とを接着して固定する。これにより、マイクロLED3と配線基板4とは接続されることになる。具体的には、工程S18では、紫外光照射手段(図示省略)により、紫外光(UV)を照射して接着部材8を硬化させる。但し、接着部材8は、熱硬化型であってもよい。或いは、紫外硬化及び熱硬化の併用型であってもよい。紫外硬化及び熱硬化の併用型の場合は、工程S18では、例えば、紫外硬化により仮接着をし、その後、熱により本接着させることが好ましい。   In the bonding (step S18), the bonding member 8 is cured and the micro LED 3 and the elastic layer 5 on the wiring board 4 are bonded and fixed in the state shown in FIG. Thus, the micro LED 3 and the wiring board 4 are connected. Specifically, in step S18, the adhesive member 8 is cured by irradiating ultraviolet light (UV) with an ultraviolet light irradiation means (not shown). However, the adhesive member 8 may be a thermosetting type. Alternatively, a combination of ultraviolet curing and heat curing may be used. In the case of a combination type of ultraviolet curing and heat curing, in step S18, for example, it is preferable to perform temporary bonding by ultraviolet curing and then permanently bond by heat.

レーザリフトオフ(工程S19)では、ライン状のレーザビームのレーザ光を、マスクパターンで照射対象のLED群をターゲットとした上で、サファイア基板30の裏面に照射することにより、レーザリフトオフの処理を実行する。図5(c)は、レーザリフトオフにより、サファイア基板30がLEDアレイ基板1から剥離された状態を示している。このようにして、配線基板4へのマイクロLED3の実装が終了し、LEDアレイ基板1が製造される。   In the laser lift-off (step S19), a laser beam of a line-shaped laser beam is irradiated on the back surface of the sapphire substrate 30 by targeting a group of LEDs to be irradiated with a mask pattern, thereby performing a laser lift-off process. I do. FIG. 5C shows a state in which the sapphire substrate 30 has been separated from the LED array substrate 1 by laser lift-off. Thus, the mounting of the micro LED 3 on the wiring board 4 is completed, and the LED array board 1 is manufactured.

次に、蛍光発光層アレイ2の製造について説明する。
図7は、蛍光発光層アレイの製造について説明する工程図である。図8は、蛍光発光層アレイの製造工程を示すフローチャートである。蛍光発光層アレイの製造工程は、開口部の形成(工程S21)と、成膜(工程S22)と、蛍光発光層の形成(工程S23)からなる。
Next, the manufacture of the fluorescent light emitting layer array 2 will be described.
FIG. 7 is a process chart for explaining the manufacture of the fluorescent light emitting layer array. FIG. 8 is a flowchart showing a manufacturing process of the fluorescent light emitting layer array. The manufacturing process of the fluorescent light emitting layer array includes forming an opening (step S21), forming a film (step S22), and forming a fluorescent light emitting layer (step S23).

先ず、開口部の形成(工程S21)では、図7(a)に示すように、透明基板13上に隔壁12用の透明な感光性樹脂を塗布した後、フォトマスクを使用して露光し、現像して各蛍光発光層11の形成位置(図7(b)参照)に対応させて、例えば図1に示すようなストライプ状の開口21を設ける。透明基板13は、少なくとも近紫外から青色波長帯の光を透過するものであって、例えばガラス基板又はアクリル樹脂等のプラスチック基板から成る。開口部の形成(工程S21)では、高さ対幅のアスペクト比が3以上の透明な隔壁12を1分間当たり20μm程度の高さで形成する。この場合、使用する感光性樹脂は、例えば日本化薬株式会社製のSU−8 3000等の高アスペクト材料が望ましい。   First, in the formation of the opening (step S21), as shown in FIG. 7A, a transparent photosensitive resin for the partition 12 is applied on the transparent substrate 13 and then exposed using a photomask. For example, a stripe-shaped opening 21 as shown in FIG. 1 is provided in correspondence with the formation position of each fluorescent light emitting layer 11 (see FIG. 7B). The transparent substrate 13 transmits at least light in the near ultraviolet to blue wavelength band, and is made of, for example, a glass substrate or a plastic substrate such as an acrylic resin. In the formation of the opening (step S21), a transparent partition wall 12 having a height-to-width aspect ratio of 3 or more is formed at a height of about 20 μm per minute. In this case, the photosensitive resin used is desirably a high aspect material such as SU-83000 manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.

次に、成膜(工程S22)では、透明基板13上に形成された隔壁12側から、スパッタリング等の成膜技術を適用して例えばアルミニウムやアルミ合金等の金属膜15を所定の厚みに成膜する。成膜後、隔壁12によって囲まれた開口21の底部の透明基板13に被着した金属膜15は、レーザ照射により除去される。   Next, in film formation (step S22), a metal film 15 of, for example, aluminum or an aluminum alloy is formed to a predetermined thickness from the side of the partition wall 12 formed on the transparent substrate 13 by applying a film forming technique such as sputtering. Film. After the film formation, the metal film 15 attached to the transparent substrate 13 at the bottom of the opening 21 surrounded by the partition 12 is removed by laser irradiation.

又は、成膜(工程S22)では、成膜前に開口21の底部の透明基板13の表面にレジスト等を、例えばインクジェットにより数μmの厚みで塗布し、金属膜15を成膜した後に、レジスト及びレジスト上の金属膜15を剥離して除去してもよい。この場合、除去に使用するレジストの溶解液としては、隔壁12の樹脂を侵さない薬液が選択される。   Alternatively, in the film formation (step S22), before the film formation, a resist or the like is applied to the surface of the transparent substrate 13 at the bottom of the opening 21 with a thickness of several μm by, for example, inkjet, and the metal film 15 is formed. Alternatively, the metal film 15 on the resist may be peeled and removed. In this case, a chemical solution that does not attack the resin of the partition wall 12 is selected as a resist solution used for removal.

次に、蛍光発光層の形成(工程S23)では、一例として、図1に示すように赤色に対応した複数の開口21に対して、図7(b)に示すように赤色の蛍光色素14を含有するレジストを例えばインクジェットにより塗布する。なお、開口21は、上述したとおり、隔壁12で囲まれた領域である。   Next, in the formation of the fluorescent light emitting layer (step S23), as an example, a red fluorescent dye 14 is applied to the plurality of openings 21 corresponding to red as shown in FIG. The contained resist is applied by, for example, inkjet. The opening 21 is a region surrounded by the partition 12 as described above.

その後、工程S23では、紫外線を照射して硬化させ、赤色蛍光発光層11Rを形成する。又は、工程S23では、透明基板13上を覆って赤色の蛍光色素14を含有するレジストを塗布した後、フォトマスクを使用して露光し、現像して、赤色に対応した複数の開口21に赤色蛍光発光層11Rを形成してもよい。この場合、上記レジストは、粒子径の大きい蛍光色素14aと粒子径の小さい蛍光色素14bとを混合、分散させたものである。それらの混合比率は、上述したとおり、体積比で粒子径の大きい蛍光色素14aが50〜90Vol%に対して粒子径の小さい蛍光色素14bが10〜50Vol%となっており、蛍光色素14aと蛍光色素14bとを併せて100Vol%としている。   Thereafter, in step S23, the red fluorescent light emitting layer 11R is formed by irradiating ultraviolet light to cure. Alternatively, in step S23, after applying a resist containing a red fluorescent dye 14 over the transparent substrate 13, the resist is exposed and developed using a photomask, and red is applied to the plurality of openings 21 corresponding to red. The fluorescent light emitting layer 11R may be formed. In this case, the resist is obtained by mixing and dispersing a fluorescent pigment 14a having a large particle diameter and a fluorescent pigment 14b having a small particle diameter. As described above, the mixing ratio of the fluorescent dye 14a having a large particle diameter is 50 to 90% by volume and the fluorescent dye 14b having a small particle diameter is 10 to 50% by volume as described above. The total amount is 100 Vol% with the dye 14b.

同様にして、工程S23では、緑色に対応した複数の開口21に、緑色の蛍光色素14を含有するレジストを例えばインクジェットにより塗布した後、紫外線を照射して硬化させ、緑色蛍光発光層11Gを形成する。又は、工程S23では、上記の赤色に対応した複数の開口21に赤色蛍光発光層11Rを形成した手法を、同様に適用して、緑色に対応した複数の開口21に緑色蛍光発光層11Gを形成してもよい。   Similarly, in step S23, a resist containing a green fluorescent dye 14 is applied to the plurality of openings 21 corresponding to green by, for example, inkjet, and then cured by irradiating ultraviolet rays to form a green fluorescent light emitting layer 11G. I do. Alternatively, in step S23, the above-described method of forming the red fluorescent light emitting layer 11R in the plurality of openings 21 corresponding to red is similarly applied to form the green fluorescent light emitting layer 11G in the plurality of openings 21 corresponding to green. May be.

さらに同様にして、工程S23では、青色に対応した複数の開口21に、青色の蛍光色素14を含有するレジストを例えばインクジェットにより塗布した後、紫外線を照射して硬化させ、青色蛍光発光層11Bを形成する。又は、工程S23では、上記の赤色に対応した複数の開口21に赤色蛍光発光層11Rを形成した手法を、同様に適用して、青色に対応した複数の開口21に青色蛍光発光層11Bを形成してもよい。   In the same manner, in step S23, a resist containing the blue fluorescent dye 14 is applied to the plurality of openings 21 corresponding to blue by, for example, ink jet, and then cured by irradiating ultraviolet light to form the blue fluorescent light emitting layer 11B. Form. Alternatively, in step S23, the above-described method of forming the red fluorescent light emitting layer 11R in the plurality of openings 21 corresponding to red is similarly applied to form the blue fluorescent light emitting layer 11B in the plurality of openings 21 corresponding to blue. May be.

工程S23では、蛍光発光層アレイ2の表示面側に外光の反射を防止する反射防止膜を設けるのがよい。さらには、工程S23では、隔壁12の表示面側の金属膜15上に、黒色塗料を塗布することが好ましい。これらの措置を施すことにより、表示面での外光の反射を低減することができ、コントラストの向上を図ることができる。   In step S23, it is preferable to provide an antireflection film for preventing reflection of external light on the display surface side of the fluorescent light emitting layer array 2. Further, in step S23, it is preferable to apply a black paint on the metal film 15 on the display surface side of the partition wall 12. By taking these measures, the reflection of external light on the display surface can be reduced, and the contrast can be improved.

続いて、本実施形態では、LEDアレイ基板1と蛍光発光層アレイ2との組立てることにより、マイクロLEDディスプレイ100を製造する。図9は、LEDアレイ基板と蛍光発光層アレイとの組立工程について説明する工程図である。なお、図9では、図2に示すLEDアレイ基板1を、図3と同様に簡略化して描いている。   Subsequently, in the present embodiment, the micro LED display 100 is manufactured by assembling the LED array substrate 1 and the fluorescent light emitting layer array 2. FIG. 9 is a process diagram illustrating an assembly process of the LED array substrate and the fluorescent light emitting layer array. In FIG. 9, the LED array substrate 1 shown in FIG. 2 is illustrated in a simplified manner as in FIG.

先ず、組立工程では、図9(a)に示すように、LEDアレイ基板1上に蛍光発光層アレイ2が位置決めされる。具体的には、LEDアレイ基板1上に形成されたアライメントマークと、蛍光発光層アレイ2上に形成されたアライメントマークとを使用して、蛍光発光層アレイ2の各色対応の蛍光発光層11がLEDアレイ基板1上の対応するマイクロLED3上に位置するようにアライメントが実施される。   First, in the assembling process, the fluorescent light emitting layer array 2 is positioned on the LED array substrate 1 as shown in FIG. Specifically, using the alignment marks formed on the LED array substrate 1 and the alignment marks formed on the fluorescent light emitting layer array 2, the fluorescent light emitting layers 11 corresponding to each color of the fluorescent light emitting layer array 2 are used. The alignment is performed so as to be located on the corresponding micro LED 3 on the LED array substrate 1.

組立工程では、LEDアレイ基板1と蛍光発光層アレイ2とのアライメントが終了すると、図9(b)に示すようにLEDアレイ基板1と蛍光発光層アレイ2とが図示省略の接着剤により接合されてマイクロLEDディスプレイ100が完成する。   In the assembly process, when the alignment between the LED array substrate 1 and the fluorescent light emitting layer array 2 is completed, as shown in FIG. 9B, the LED array substrate 1 and the fluorescent light emitting layer array 2 are joined by an adhesive (not shown). Thus, the micro LED display 100 is completed.

次に、接続不良を起こす要因について具体例を説明し、続いて、本発明による部品実装方法の適用例について説明を続ける。   Next, a specific example of the cause of the connection failure will be described, and subsequently, an application example of the component mounting method according to the present invention will be described.

図10、11は、マイクロLEDと配線基板との間で接続不良を起こす要因を示す説明図である。なお、説明の便宜上、接着部材については図示を省略している。また、図10、11では、2つのマイクロLED31、32について、接続端子と弾性突起部との間隔における高低差について説明する。   FIGS. 10 and 11 are explanatory diagrams showing factors that cause a connection failure between the micro LED and the wiring board. The illustration of the adhesive member is omitted for convenience of explanation. 10 and 11, a description will be given of a difference in height between the connection terminals and the elastic protrusions of the two micro LEDs 31 and 32.

(1)サファイア基板の平坦性
図10(a)は、サファイア基板の平坦性が不均一の場合について、一例を示す説明図である。サファイア基板30に反りがあるため、平坦性が不均一であると、マイクロLED31の接続端子31aと弾性突起部71(配線基板4側の接続端子)との間隔h1、マイクロLED32の接続端子32aと弾性突起部72との間隔h2とでは、距離が等しくない。そのため、ばらつきの度合いを示す差分(Δh=|h1−h2|)が、ゼロとならないので、高低差(Δh>0)が生じている。
(1) Flatness of Sapphire Substrate FIG. 10A is an explanatory diagram showing an example of a case where the flatness of the sapphire substrate is not uniform. Since the sapphire substrate 30 is warped, if the flatness is not uniform, the distance h1 between the connection terminal 31a of the micro LED 31 and the elastic projection 71 (the connection terminal on the wiring board 4 side) and the connection terminal 32a of the micro LED 32 The distance is not equal to the distance h2 from the elastic projection 72. Therefore, the difference (Δh = | h1−h2 |) indicating the degree of variation does not become zero, and a height difference (Δh> 0) occurs.

(2)マイクロLEDの高さ
図10(b)は、マイクロLEDの高さのばらつきについて、一例を示す説明図である。マイクロLED31、32の高さにばらつきがあると、上記差分が、ゼロとならないため、高低差が生じている。
(2) Height of Micro LED FIG. 10B is an explanatory diagram showing an example of variation in height of the micro LED. If the heights of the micro LEDs 31 and 32 vary, the difference does not become zero, and a height difference occurs.

(3)マイクロLEDの接続端子の高さ
図10(c)は、マイクロLEDの接続端子31a、32aの高さのばらつきについて、一例を示す説明図である。接続端子31a、32aの高さにばらつきがあると、上記差分が、ゼロとならないため、高低差が生じている。
(3) Height of Connection Terminal of Micro LED FIG. 10C is an explanatory diagram showing an example of variation in height of the connection terminals 31a and 32a of the micro LED. If the heights of the connection terminals 31a and 32a vary, the difference does not become zero, and a height difference occurs.

(4)弾性突起部の高さ
図11(a)は、弾性突起部71、72の高さのばらつきについて、一例を示す説明図である。弾性突起部71、72の高さにばらつきがあると、上記差分が、ゼロとならないため、高低差が生じている。
(4) Height of Elastic Projection FIG. 11A is an explanatory diagram showing an example of variation in height of the elastic projections 71 and 72. If the heights of the elastic projections 71 and 72 vary, the difference does not become zero, and a height difference occurs.

(5)配線基板の平坦性
図11(b)は、配線基板の平坦性が不均一の場合について、一例を示す説明図である。配線基板4の平坦性が不均一の場合、上記差分が、ゼロとならないため、高低差が生じている。
(5) Flatness of Wiring Board FIG. 11B is an explanatory diagram showing an example of a case where the flatness of the wiring board is uneven. When the flatness of the wiring board 4 is not uniform, the difference does not become zero, so that a difference in elevation occurs.

なお、図示していないが、接着部材8の高さについてもばらつきがあると上記差分が、ゼロとならないため、高低差が生じている。   Although not shown, if there is a variation in the height of the bonding member 8 as well, the difference does not become zero, and a height difference occurs.

以上より、図10、11に示すような上記高低差が生じていると、サファイア基板30と配線基板4とを貼り合わせた場合に、高低差に応じて接続不良を起こすという問題が生じ得ることになる。本発明による基板接続構造は、以下に説明するようにこの問題を解決する。   As described above, when the above-described height difference as shown in FIGS. 10 and 11 occurs, when the sapphire substrate 30 and the wiring substrate 4 are bonded to each other, a problem that a connection failure occurs according to the height difference may occur. become. The substrate connection structure according to the present invention solves this problem as described below.

図12は、サファイア基板の平坦性の問題を解決する手段を示す説明図である。図12では、サファイア基板30の平坦性が不均一の場合を例示している。(a)は、サファイア基板30と配線基板4とを位置決めした状態を示している。(b)は、サファイア基板30と配線基板4とを貼り合わせて押圧した後の状態を示している。(c)は、レーザリフトオフにより、サファイア基板30を剥離した状態を示している。なお、(a)〜(c)の状態の設定については、図13〜図16においても、同様とする。   FIG. 12 is an explanatory view showing a means for solving the problem of flatness of the sapphire substrate. FIG. 12 illustrates a case where the flatness of the sapphire substrate 30 is not uniform. (A) shows a state where the sapphire substrate 30 and the wiring substrate 4 are positioned. (B) shows a state after the sapphire substrate 30 and the wiring substrate 4 are bonded and pressed. (C) shows a state where the sapphire substrate 30 is peeled off by laser lift-off. The setting of the states (a) to (c) is the same in FIGS. 13 to 16.

図12(a)に示すとおり、接続端子31aと弾性突起部71との間隔h1、接続端子32aと弾性突起部72との間隔h2とでは、高低差が生じている。本実施形態では、一例として、この高低差が生じている状態で、サファイア基板30を降下させ、先ず、マイクロLED31と接着部材8の上面とが接触する高さで停止させた後に、サファイア基板30の裏面から押圧して圧力を加える。圧力が加わることにより、接着部材8が縮む。これは、上述した硬さの度合いにより、弾性層5の方が接着部材8よりも硬いからである。続いて、図12(b)に示すとおり、接続端子31aと弾性突起部71とが接触すると、マイクロLED31の弾性突起部71が圧力に応じて、一部が弾性層5に沈み込む。これは、上述した硬さの度合いにより、弾性突起部71の方が弾性層5よりも硬いからである。   As shown in FIG. 12A, there is a height difference between the distance h1 between the connection terminal 31a and the elastic protrusion 71 and the distance h2 between the connection terminal 32a and the elastic protrusion 72. In the present embodiment, as an example, the sapphire substrate 30 is lowered in a state where the height difference is generated, and first stopped at a height at which the micro LED 31 and the upper surface of the adhesive member 8 are in contact with each other. Pressure from the back side of When pressure is applied, the adhesive member 8 contracts. This is because the elastic layer 5 is harder than the adhesive member 8 due to the degree of hardness described above. Subsequently, as shown in FIG. 12B, when the connection terminal 31a comes into contact with the elastic protrusion 71, a part of the elastic protrusion 71 of the micro LED 31 sinks into the elastic layer 5 according to the pressure. This is because the elastic projection 71 is harder than the elastic layer 5 due to the degree of hardness described above.

一方、サファイア基板30の裏面からの押圧により、マイクロLED32も押し下がることになるが、このマイクロLED32は、ちょうど接着部材8の上面と接する位置であって、接続端子32aと弾性突起部72とが接続する状態に位置している。これは、一例であって、押圧に応じて、弾性突起部72の一部が弾性層5に沈み込んでいてもよい。要するに、接続端子31aと弾性突起部71、接続端子32aと弾性突起部72とが確実に接続していればよい。つまり、弾性層5は、接続端子31aと弾性突起部71との間、及び、接続端子32aと弾性突起部72との間で生じた高低差を弾性層5の収縮により吸収し、各接続端子と各弾性突起部とを接続させている。高低差を吸収しているとは、各接続端子と各弾性突起部とが各々対応して接続していることを意味する。   On the other hand, the micro LED 32 is also pushed down by the pressing from the back surface of the sapphire substrate 30, but this micro LED 32 is just at the position in contact with the upper surface of the adhesive member 8, and the connection terminal 32 a and the elastic projection 72 are It is located to connect. This is an example, and a part of the elastic projection 72 may sink into the elastic layer 5 in response to the pressing. In short, it is only necessary that the connection terminal 31a and the elastic projection 71 and the connection terminal 32a and the elastic projection 72 are securely connected. That is, the elastic layer 5 absorbs the difference in height between the connection terminal 31a and the elastic protrusion 71 and between the connection terminal 32a and the elastic protrusion 72 due to the contraction of the elastic layer 5 so that each of the connection terminals And each elastic projection are connected. Absorbing the height difference means that each connection terminal and each elastic projection are connected to each other.

続いて、図12(c)に示すとおり、レーザリフトオフの処理により、LEDアレイ基板1が形成される。これにより、サファイア基板の平坦性が不均一の場合に起因する高低差が解消されたLEDアレイ基板1が形成される。なお、マイクロLED31とマイクロLED32とは、高さ方向に段差が生じているが、LED発光の観点からは特に問題はない。   Subsequently, as shown in FIG. 12C, the LED array substrate 1 is formed by a laser lift-off process. As a result, the LED array substrate 1 in which the height difference caused by the unevenness of the sapphire substrate is not formed is formed. The micro LED 31 and the micro LED 32 have a step in the height direction, but there is no particular problem from the viewpoint of LED light emission.

図13は、マイクロLEDにおける高さのばらつきの問題を解決する手段を示す説明図である。(a)に示すとおり、マイクロLED31、32の高さにばらつきがあると、上記高低差が生じる。しかしながら、(b)に示すとおり、サファイア基板30の裏面からの押圧によりマイクロLED31、32を配線基板4上に押圧して接続した状態では、上記高低差が解消されている。そして、(c)に示すとおり、レーザリフトオフの処理により、サファイア基板30が除去される。これにより、マイクロLEDの高さばらつきに起因する高低差が解消されたLEDアレイ基板1が形成される。なお、マイクロLED31、32とは、高さ方向にばらつきが生じるが、LED発光の観点からは特に問題はない。   FIG. 13 is an explanatory diagram showing a means for solving the problem of height variation in the micro LED. As shown in (a), if the heights of the micro LEDs 31 and 32 vary, the above-described height difference occurs. However, as shown in (b), when the micro LEDs 31 and 32 are pressed and connected on the wiring substrate 4 by pressing from the back surface of the sapphire substrate 30, the height difference is eliminated. Then, as shown in (c), the sapphire substrate 30 is removed by the laser lift-off process. Thereby, the LED array substrate 1 in which the height difference caused by the height variation of the micro LED is eliminated is formed. The micro LEDs 31 and 32 vary in the height direction, but there is no particular problem from the viewpoint of LED light emission.

図14は、マイクロLEDの接続端子おける高さばらつきの問題を解決する手段を示す説明図である。(a)に示すとおり、マイクロLEDの接続端子31a、32aの高さにばらつきがあると、上記高低差が生じる。しかしながら、(b)に示すとおり、上記の接続した状態では、上記高低差が解消されている。そして、(c)に示すとおり、レーザリフトオフの処理により、サファイア基板30が除去される。これにより、マイクロLEDの接続端子31a、32aの高さにばらつきに起因する高低差が解消されたLEDアレイ基板1が形成される。   FIG. 14 is an explanatory diagram showing a means for solving the problem of height variation in connection terminals of micro LEDs. As shown in (a), if there is a variation in the height of the connection terminals 31a and 32a of the micro LED, the above-mentioned height difference occurs. However, as shown in (b), in the connected state, the height difference is eliminated. Then, as shown in (c), the sapphire substrate 30 is removed by the laser lift-off process. Thereby, the LED array substrate 1 in which the height difference caused by the variation in the height of the connection terminals 31a and 32a of the micro LED is eliminated is formed.

図15は、弾性突起部における高さのばらつきの問題を解決する手段を示す説明図である。(a)に示すとおり、弾性突起部71、72の高さにばらつきがあると、上記高低差が生じる。しかしながら、(b)に示すとおり、上記の接続した状態では、上記高低差が解消されている。そして、(c)に示すとおり、レーザリフトオフの処理により、サファイア基板30が除去される。これにより、弾性突起部の高さにばらつきに起因する高低差が解消されたLEDアレイ基板1が形成される。   FIG. 15 is an explanatory diagram showing a means for solving the problem of height variations in the elastic projections. As shown in (a), if the heights of the elastic projections 71 and 72 vary, the above-described height difference occurs. However, as shown in (b), in the connected state, the height difference is eliminated. Then, as shown in (c), the sapphire substrate 30 is removed by the laser lift-off process. Thereby, the LED array substrate 1 in which the height difference caused by the variation in the height of the elastic protrusion is eliminated is formed.

図16は、配線基板の平坦性の問題を解決する手段を示す説明図である。(a)に示すとおり、配線基板4の平坦性が不均一の場合、上記高低差が生じる。しかしながら、(b)に示すとおり、上記の接続した状態では、上記高低差が解消されている。そして、(c)に示すとおり、レーザリフトオフの処理により、サファイア基板30が除去される。これにより、平坦性が不均一の場合に起因する高低差が解消されたLEDアレイ基板1が形成される。   FIG. 16 is an explanatory diagram showing a means for solving the problem of the flatness of the wiring board. As shown in (a), when the flatness of the wiring board 4 is not uniform, the above-described height difference occurs. However, as shown in (b), in the connected state, the height difference is eliminated. Then, as shown in (c), the sapphire substrate 30 is removed by the laser lift-off process. Thereby, the LED array substrate 1 in which the difference in elevation due to the unevenness of the flatness is eliminated is formed.

なお、図示していないが、接着部材8の高さについてもばらつきがある場合であっても、上記の接続した状態では、上記高低差が解消され、レーザリフトオフの処理により、サファイア基板30が除去される。これにより、接着部材8の高さにばらつきに起因する高低差が解消されたLEDアレイ基板1が形成される。   Although not shown, even if the height of the adhesive member 8 varies, the height difference is eliminated in the connected state, and the sapphire substrate 30 is removed by the laser lift-off process. Is done. As a result, the LED array substrate 1 in which the height difference caused by the variation in the height of the adhesive member 8 is eliminated is formed.

以上より、本発明による部品実装方法を適用した基板接続構造によれば、接続端子と弾性突起部との間で生じる高低差を弾性層の収縮により吸収するので、接続端子を弾性突起部に接続させることができ、マイクロLEDのような微小な電子部品と配線基板との接続を良好に保つことができる。   As described above, according to the board connection structure to which the component mounting method according to the present invention is applied, the height difference between the connection terminal and the elastic protrusion is absorbed by the contraction of the elastic layer, so that the connection terminal is connected to the elastic protrusion. It is possible to maintain a good connection between a minute electronic component such as a micro LED and a wiring board.

上記実施形態では、接続不良を起こす要因として、サファイア基板の平坦性、マイクロLEDの高さ、マイクロLEDの接続端子の高さ、弾性突起部の高さ、配線基板の平坦性、接着部材の高さについて、個別にとりあげたが、これらの要因が複数発生している場合にも、複数の要因に起因する高低差を、弾性層が吸収することにより、上述した接続不良を起こりにくくすることができる。   In the above embodiment, the causes of the connection failure include the flatness of the sapphire substrate, the height of the micro LED, the height of the connection terminal of the micro LED, the height of the elastic protrusion, the flatness of the wiring board, and the height of the adhesive member. Although the above is described individually, even when a plurality of these factors are generated, the elastic layer absorbs a height difference caused by the plurality of factors, thereby making it difficult to cause the above-described connection failure. it can.

次に、基板接続構造の変形例について、説明する。
図17は、本発明による基板接続構造の変形例を模式的に示す断面図である。なお、図2に示すLEDアレイ基板1と同じ構成については、同じ符号を付与することで説明を省略する。本発明による基板接続構造の変形例が適用されたLEDアレイ基板1aは、図17に示すとおり、配線基板4の下層に、その配線基板4の平坦性の度合いを改善する弾性層5aをさらに設けたことを特徴とする。弾性層5aは、他の弾性層の一例である。
Next, a modified example of the substrate connection structure will be described.
FIG. 17 is a sectional view schematically showing a modified example of the substrate connection structure according to the present invention. In addition, about the structure same as the LED array board 1 shown in FIG. 2, description is abbreviate | omitted by attaching the same code | symbol. As shown in FIG. 17, the LED array substrate 1a to which the modification of the substrate connection structure according to the present invention is applied further includes an elastic layer 5a under the wiring substrate 4 for improving the degree of flatness of the wiring substrate 4 as shown in FIG. It is characterized by having. The elastic layer 5a is an example of another elastic layer.

このような構成により、例えば、図16に示すような配線基板4の全体が波打つように湾曲しているような場合、サファイア基板の裏面から押圧したときに、弾性層5aが、配線基板4の全体に対して、その湾曲を抑制するように作用するので、結果的に局所的なばらつきに起因する高低差も抑制されやすくなるという効果が得られる。また、上述した複数の要因に起因する高低差についても、弾性層5及び弾性層5aで吸収することもできる。   With such a configuration, for example, when the entire wiring substrate 4 is curved in a wavy manner as shown in FIG. 16, when pressed from the back surface of the sapphire substrate, the elastic layer 5 a Since it acts to suppress the curvature of the whole, an effect is obtained that the difference in elevation due to local variation is easily suppressed as a result. Further, the height difference caused by the above-mentioned plurality of factors can be absorbed by the elastic layer 5 and the elastic layer 5a.

次に、本発明による基板接続構造に対する比較例について説明する。比較例では、図10、11で説明したような高低差が生じているときに、実際にサファイア基板30と配線基板4とを貼り合わせた場合ついて説明する。
図18、19は、本発明による基板接続構造に対する比較例を説明する図である。この比較例では、図2に示すLEDアレイ基板1と比較して、配線基板4上に弾性層5が設けられていない構成としている。また、接着部材については、説明の便宜上、図示を省略している。
Next, a comparative example for the substrate connection structure according to the present invention will be described. In the comparative example, a case where the sapphire substrate 30 and the wiring substrate 4 are actually bonded to each other when the height difference as described with reference to FIGS.
18 and 19 are diagrams illustrating a comparative example with respect to the substrate connection structure according to the present invention. This comparative example has a configuration in which the elastic layer 5 is not provided on the wiring board 4 as compared to the LED array substrate 1 shown in FIG. Further, illustration of the adhesive member is omitted for convenience of explanation.

図18(a)は、サファイア基板30の平坦性が不均一の場合であって、接続端子31aと弾性突起部71とが接続しても、依然として、接続端子32aと弾性突起部72との間に間隔(ばらつきの度合いを示す差分(Δh=h3))が存在する。この状態で、サファイア基板30の裏面から押圧しても、ばらつきの度合いを示す差分(Δh=h3)が所定の閾値を超えていると、弾性突起部71の収縮のみでは、高低差が吸収されず接続不良を引き起こすことになる。この所定の閾値は、例えば実験又は数値シミュレーションにより得られた値である。   FIG. 18A shows a case where the flatness of the sapphire substrate 30 is not uniform. Even when the connection terminal 31a and the elastic projection 71 are connected, the gap between the connection terminal 32a and the elastic projection 72 is still large. (A difference indicating the degree of variation (Δh = h3)). In this state, if the difference (Δh = h3) indicating the degree of the variation exceeds a predetermined threshold value even when pressed from the back surface of the sapphire substrate 30, the height difference is absorbed only by the contraction of the elastic projection 71. Connection failure. The predetermined threshold is a value obtained by, for example, an experiment or a numerical simulation.

図18(b)は、マイクロLED31、32の高さにばらつきがある場合であって、接続端子31aと弾性突起部71とが接続しても、依然として、接続端子32aと弾性突起部72との間に間隔が存在する。この状態で、サファイア基板30の裏面から押圧しても、上記差分(Δh=h3)が所定の閾値を超えていると、弾性突起部71の収縮のみでは、高低差が吸収されず接続不良を引き起こすことになる。   FIG. 18B shows a case where the heights of the micro LEDs 31 and 32 vary, and even if the connection terminal 31a and the elastic projection 71 are connected, the connection between the connection terminal 32a and the elastic projection 72 is still present. There are intervals between them. In this state, if the difference (Δh = h3) exceeds a predetermined threshold even if the elastic member 71 is pressed from the back surface of the sapphire substrate 30, only the contraction of the elastic projection 71 does not absorb the height difference, and the connection failure is not caused. Will cause.

図18(c)は、マイクロLEDの接続端子31a、32aの高さにばらつきがある場合であって、接続端子31aと弾性突起部71とが接続しても、依然として、接続端子32aと弾性突起部72との間に間隔が存在する。この状態で、サファイア基板30の裏面から押圧しても、上記差分(Δh=h3)が所定の閾値を超えていると、弾性突起部71の収縮のみでは、高低差が吸収されず接続不良を引き起こすことになる。   FIG. 18C shows a case where the heights of the connection terminals 31a and 32a of the micro LED vary, and even if the connection terminal 31a and the elastic protrusion 71 are connected, the connection terminal 32a and the elastic protrusion still remain. There is an interval between the portion 72. In this state, if the difference (Δh = h3) exceeds a predetermined threshold even if the elastic member 71 is pressed from the back surface of the sapphire substrate 30, only the contraction of the elastic projection 71 does not absorb the height difference, and the connection failure is not caused. Will cause.

図19(a)は、弾性突起部71、72の高さにばらつきがある場合であって、接続端子31aと弾性突起部71とが接続しても、依然として、接続端子32aと弾性突起部72との間に間隔が存在する。この状態で、サファイア基板30の裏面から押圧しても、上記差分(Δh=h3)が所定の閾値を超えていると、弾性突起部71の収縮のみでは、高低差が吸収されず接続不良を引き起こすことになる。   FIG. 19A shows a case where the heights of the elastic protrusions 71 and 72 vary, and even if the connection terminal 31a and the elastic protrusion 71 are connected, the connection terminal 32a and the elastic protrusion 72 are still in contact. There is an interval between In this state, if the difference (Δh = h3) exceeds a predetermined threshold even if the elastic member 71 is pressed from the back surface of the sapphire substrate 30, only the contraction of the elastic projection 71 does not absorb the height difference, and the connection failure is not caused. Will cause.

図19(b)は、配線基板4の平坦性が不均一の場合であって、接続端子32aと弾性突起部72とが接続しても、依然として、接続端子31aと弾性突起部71との間に間隔が存在する。この状態で、サファイア基板30の裏面から押圧しても、上記差分(Δh=h3)が所定の閾値を超えていると、弾性突起部72の収縮のみでは、高低差が吸収されず接続不良を引き起こすことになる。   FIG. 19B shows a case where the flatness of the wiring board 4 is not uniform. Even if the connection terminal 32 a is connected to the elastic projection 72, the connection between the connection terminal 31 a and the elastic projection 71 is still present. There are intervals. In this state, if the difference (Δh = h3) exceeds a predetermined threshold value even when pressed from the back surface of the sapphire substrate 30, only the contraction of the elastic projection 72 does not absorb the difference in height, and a connection failure occurs. Will cause.

以上より、本発明による基板接続構造と、比較例による基板接続構造とを比較した場合、本発明による基板接続構造では、高低差が吸収され接続不良が起こりにくいという効果が得られる。   As described above, when the substrate connection structure according to the present invention is compared with the substrate connection structure according to the comparative example, the substrate connection structure according to the present invention has an effect that the difference in height is absorbed and connection failure hardly occurs.

つまり、本発明による基板接続構造では、弾性突起部でも吸収しきれない高低差を吸収することができる。したがって、弾性突起部でも吸収しきれない高低差が存在していても、本発明による基板接続構造では、該高低差を弾性層の収縮により吸収することにより、各マイクロLEDの各接続端子を各弾性突起部に接続させることができる。   That is, the board connection structure according to the present invention can absorb a height difference that cannot be absorbed even by the elastic projection. Therefore, even if there is a height difference that cannot be completely absorbed by the elastic projections, the board connection structure according to the present invention absorbs the height difference by contraction of the elastic layer, thereby connecting each connection terminal of each micro LED. It can be connected to the elastic projection.

上記実施形態においては、近紫外から青色波長帯の励起光を発光する複数のマイクロLED3を備えたLEDアレイ基板1上に、各色対応の蛍光発光層11を備えた蛍光発光層アレイ2を配置した構造のマイクロLEDディスプレイ100について説明したが、本発明はこれに限られず、LEDアレイ基板1は、赤、緑及び青の各色光を夫々個別に発光する複数のマイクロLED3をマトリクス状に配置して備えたものであってもよい。この場合、蛍光発光層アレイ2は不要である。   In the above embodiment, the fluorescent light emitting layer array 2 including the fluorescent light emitting layers 11 corresponding to each color is disposed on the LED array substrate 1 including the plurality of micro LEDs 3 that emits excitation light in the near ultraviolet to blue wavelength band. Although the micro LED display 100 having the structure has been described, the present invention is not limited to this, and the LED array substrate 1 is configured by arranging a plurality of micro LEDs 3 that individually emit red, green, and blue light, respectively, in a matrix. It may be provided. In this case, the fluorescent light emitting layer array 2 is unnecessary.

図20は、本発明によるマイクロLEDディスプレイの変形例の平面図である。図20に示すマイクロLEDディスプレイ100aは、カラー映像が表示可能なマイクロLEDディスプレイであって、マトリクス状に配置された複数のマイクロLED3と、マイクロLEDを駆動する配線層を含む配線基板4aと、を含むLEDアレイ基板1bを備える。そのため、マイクロLEDディスプレイ100aは、図1に示す蛍光発光層アレイ2を不要としている。但し、赤、緑及び青の各色光を夫々個別に発光する複数のマイクロLED3は、カラー映像を表示可能とするため、予め定められた配置に従って、LEDアレイ基板1b上に設けられている。   FIG. 20 is a plan view of a modification of the micro LED display according to the present invention. The micro LED display 100a shown in FIG. 20 is a micro LED display capable of displaying a color image, and includes a plurality of micro LEDs 3 arranged in a matrix and a wiring board 4a including a wiring layer for driving the micro LEDs. Including the LED array substrate 1b. Therefore, the micro LED display 100a does not require the fluorescent light emitting layer array 2 shown in FIG. However, the plurality of micro LEDs 3 that individually emit red, green, and blue light, respectively, are provided on the LED array substrate 1b according to a predetermined arrangement so that a color image can be displayed.

そして、マイクロLED3と配線基板4とは、図2に示すLEDアレイ基板1と同様の接続要素Sによって接続されている。マイクロLEDディスプレイ100aは、マイクロLEDディスプレイ100と同様、フラットディスプレイやフレキシブルディスプレイに適用可能である。マイクロLEDディスプレイ100aが、例えばフラットディスプレイに適用される場合、図20において、他の構成要素として、例えば保護ガラスの図示が省略されている。   The micro LED 3 and the wiring board 4 are connected by the same connection element S as the LED array board 1 shown in FIG. The micro LED display 100a can be applied to a flat display or a flexible display, like the micro LED display 100. When the micro LED display 100a is applied to, for example, a flat display, FIG. 20 omits illustration of, for example, a protective glass as another component.

以上より、本発明によるマイクロLEDディスプレイ100aによれば、マイクロLEDディスプレイ100と同様、マイクロLED3と配線基板4aとの接続を良好に保つことができる。これにより、マイクロLEDディスプレイ100aの製造におけるマイクロLED3の接続不良による歩留りを改善することができる。   As described above, according to the micro LED display 100a according to the present invention, similarly to the micro LED display 100, the connection between the micro LED 3 and the wiring board 4a can be kept good. Thereby, the yield due to the poor connection of the micro LED 3 in the manufacture of the micro LED display 100a can be improved.

上記実施形態においては、本発明によるマイクロLEDディスプレイ100は、赤、緑及び青色に対応したマイクロLED3のうち、少なくとも1種類が紫外から青色波長帯の励起光を発光するもので、それに対応させて、励起光を対応色の波長に波長変換する蛍光発光層11を配置した構成であってもよい。この場合、上記励起光を発光するマイクロLED3を除く他のマイクロLED3は、蛍光発光層11を必要とせずに対応色の波長帯の光を発光するものである。   In the above embodiment, the micro LED display 100 according to the present invention has at least one of the micro LEDs 3 corresponding to red, green, and blue that emits excitation light in the ultraviolet to blue wavelength band. Alternatively, the fluorescent light emitting layer 11 for converting the wavelength of the excitation light into the wavelength of the corresponding color may be provided. In this case, the other micro LEDs 3 except the micro LED 3 that emits the excitation light emit light in the wavelength band of the corresponding color without requiring the fluorescent light emitting layer 11.

上記実施形態においては、電子部品がマイクロLED3の場合について述べたが、本発明はこれに限られず、電子部品は、例えばマイクロLED3と同程度のサイズの半導体部品であってもよい。   In the above embodiment, the case where the electronic component is the micro LED 3 has been described. However, the present invention is not limited to this, and the electronic component may be, for example, a semiconductor component having the same size as the micro LED 3.

また、上記実施形態の部品実装方法においては、サファイア基板30と配線基板4とを位置決めして貼り合わせたときに、各々のマイクロLED3の点灯検査を行い、点灯検査で接続不良が発見された場合、上記高低差に起因する接続不良がなくなるまで押圧するようにしてもよい。これにより、マイクロLEDの接続不良による歩留りをより改善することができる。   Further, in the component mounting method of the above embodiment, when the sapphire substrate 30 and the wiring substrate 4 are positioned and bonded to each other, the lighting inspection of each micro LED 3 is performed, and a connection failure is found in the lighting inspection. Alternatively, the pressing may be performed until the connection failure caused by the height difference disappears. Thereby, the yield due to the connection failure of the micro LED can be further improved.

1、1a、1b…LEDアレイ基板
2…蛍光発光層アレイ
3、31、32…マイクロLED(電子部品)
3a、31a、32a…接続端子
4、4a…配線基板
5、5a…弾性層
6…電極パッド
7、71、72…弾性突起部
7a…導電体膜
7b…柱状突起
8…接着部材
11…蛍光発光層
S…接続要素
100、100a…マイクロLEDディスプレイ
1, 1a, 1b: LED array substrate 2: Fluorescent light emitting layer array 3, 31, 32: Micro LED (electronic component)
3a, 31a, 32a connection terminal 4, 4a wiring board 5, 5a elastic layer 6 electrode pad 7, 71, 72 elastic projection 7a conductive film 7b columnar projection 8 adhesive member 11 fluorescent emission Layer S: Connection element 100, 100a: Micro LED display

Claims (8)

複数の電子部品を、該電子部品を駆動する配線層を含む配線基板上に押圧して接続した基板接続構造であって、
前記配線基板上に設けられ、前記電子部品が押圧されたときに該押圧力に応じて収縮する弾性層と、
各々の前記電子部品に設けられた接続端子に対応して、前記弾性層上に配置された電極パッド上に設けられ、前記接続端子と接続する導電性の弾性突起部と、
前記弾性突起部の周囲の予め定められた位置に柱状に設けられ、前記電子部品と前記弾性層とを接着する絶縁性の接着部材と、
を含み、
前記電子部品と前記配線基板との接続に際して、対応する前記接続端子と前記弾性突起部との高さ方向の間隔に高低差が生じた場合、該高低差を前記弾性層の収縮により吸収して、前記接着部材で電子部品と前記弾性層とを接着し、前記接続端子と前記弾性突起部とを接続させることを特徴とする基板接続構造。
A board connection structure in which a plurality of electronic components are pressed and connected on a wiring board including a wiring layer for driving the electronic components,
An elastic layer provided on the wiring board and contracting according to the pressing force when the electronic component is pressed,
Corresponding to the connection terminals provided on each of the electronic components, provided on an electrode pad disposed on the elastic layer, a conductive elastic projection connected to the connection terminals,
An insulating adhesive member that is provided in a columnar shape at a predetermined position around the elastic protrusion and adheres the electronic component and the elastic layer,
Including
When connecting the electronic component and the wiring board, when a height difference occurs in a height direction interval between the corresponding connection terminal and the elastic protrusion, the height difference is absorbed by contraction of the elastic layer. An electronic component and the elastic layer are adhered to each other with the adhesive member, and the connection terminal and the elastic protrusion are connected to each other.
前記弾性層は、前記電子部品を前記配線基板上に実装するためのレーザリフトオフの処理に用いられる光透過性のウエハの反り、各々の前記電子部品の高さのばらつき、各々の前記接続端子の高さのばらつき、各々の前記弾性突起部の高さのばらつき、前記配線基板の平坦性の度合い、各々の前記接着部材の高さのばらつきのうちの少なくとも1つに起因して生じた高低差を前記弾性層の収縮により吸収することを特徴とする請求項1に記載の基板接続構造。   The elastic layer has a warp of a light-transmitting wafer used for a laser lift-off process for mounting the electronic component on the wiring board, a variation in height of each of the electronic components, and a thickness of each of the connection terminals. A height difference caused by at least one of a variation in height, a variation in height of each of the elastic protrusions, a degree of flatness of the wiring board, and a variation in height of each of the adhesive members. The substrate connecting structure according to claim 1, wherein the substrate connection structure absorbs the pressure by contracting the elastic layer. 前記配線基板の下層に、前記配線基板の平坦性の度合いを改善する他の弾性層をさらに設けたことを特徴とする請求項1又2に記載の基板接続構造。   3. The board connection structure according to claim 1, further comprising another elastic layer for improving a degree of flatness of the wiring board, below the wiring board. 前記電子部品は、マイクロLEDであることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の基板接続構造。   The substrate connection structure according to claim 1, wherein the electronic component is a micro LED. カラー映像が表示可能なマイクロLEDディスプレイであって、
マトリクス状に配置された複数のマイクロLEDと、前記マイクロLEDを駆動する配線層を含む配線基板と、を含むLEDアレイ基板を備え、
前記マイクロLEDと前記配線基板との接続は、
前記配線基板上に設けられ、前記マイクロLEDが押圧されたときに該押圧力に応じて収縮する弾性層と、
各々の前記マイクロLEDに設けられた接続端子に対応して、前記弾性層上に配置された電極パッド上に設けられ、前記接続端子と接続する導電性の弾性突起部と、
前記弾性突起部の周囲の予め定められた位置に柱状に設けられ、前記マイクロLEDと前記弾性層とを接着する絶縁性の接着部材と、を含む接続要素によって接続され、
前記マイクロLEDと前記配線基板との接続に際して、対応する前記接続端子と前記弾性突起部との高さ方向の間隔に高低差が生じた場合、該高低差を前記弾性層の収縮により吸収して、前記接着部材で前記マイクロLEDと前記弾性層とを接着し、前記接続端子と前記弾性突起部とを接続させることを特徴とするマイクロLEDディスプレイ。
A micro LED display capable of displaying a color image,
An LED array substrate including a plurality of micro LEDs arranged in a matrix and a wiring substrate including a wiring layer for driving the micro LEDs,
The connection between the micro LED and the wiring board,
An elastic layer provided on the wiring board and contracting according to the pressing force when the micro LED is pressed,
Corresponding to the connection terminal provided on each of the micro LEDs, a conductive elastic protrusion provided on the electrode pad disposed on the elastic layer and connected to the connection terminal;
Is provided in a columnar shape at a predetermined position around the elastic protrusion, and is connected by a connection element including an insulating adhesive member that adheres the micro LED and the elastic layer;
When connecting the micro LED and the wiring board, if a height difference occurs in a height direction interval between the corresponding connection terminal and the elastic projection, the height difference is absorbed by contraction of the elastic layer. A micro LED display, wherein the micro LED and the elastic layer are adhered to each other with the adhesive member, and the connection terminal is connected to the elastic projection.
前記LEDアレイ基板上に、前記マイクロLEDから放射される励起光によって励起されることにより、対応色の蛍光に夫々波長変換する複数の蛍光発光層を有する蛍光発光層アレイを、さらに備えたことを特徴とする請求項5に記載のマイクロLEDディスプレイ。   On the LED array substrate, a fluorescent light emitting layer array having a plurality of fluorescent light emitting layers that are each excited by excitation light emitted from the micro LED to convert the wavelength to fluorescence of a corresponding color is further provided. The micro LED display according to claim 5, characterized in that: 光透過性のウエハの一方の面上にマトリクス状に配置された複数の電子部品を、該電子部品を駆動する配線層を含む配線基板上に位置決めして、前記ウエハの他方の面から前記電子部品を押圧し、前記電子部品を固定した後に、前記ウエハをレーザリフトオフの処理によって剥離することにより、前記電子部品を前記配線基板に実装する部品実装方法であって、
前記配線基板上に、前記電子部品が押圧されたときに該圧力に応じて収縮する弾性層を形成する工程と、
前記電子部品の接続端子に対応して前記弾性層上に配置された電極パッド上に導電性の弾性突起部をパターニング形成する工程と、
前記電子部品の前記接続端子と前記配線基板の前記配線層とをビア接続をする工程と、
前記弾性層上に絶縁性の接着剤を塗布したのち露光及び現像をして、前記電極パッドの周囲の予め定められた位置に柱状に接着部材を形成する工程と、
前記電子部品を前記配線基板上に位置決めして押圧する工程と、
前記接着部材を硬化させて前記電子部品を前記配線基板に接着する工程と、
前記ウエハを前記レーザリフトオフの処理により剥離する工程と、
を含むことを特徴とする部品実装方法。
A plurality of electronic components arranged in a matrix on one surface of a light-transmitting wafer are positioned on a wiring board including a wiring layer for driving the electronic components, and the electronic components are positioned from the other surface of the wafer. A component mounting method of mounting the electronic component on the wiring board by pressing a component, fixing the electronic component, and peeling the wafer by a laser lift-off process,
Forming an elastic layer on the wiring board, which contracts in response to the pressure when the electronic component is pressed;
Patterning a conductive elastic protrusion on an electrode pad disposed on the elastic layer corresponding to the connection terminal of the electronic component;
Making a via connection between the connection terminal of the electronic component and the wiring layer of the wiring board;
Exposure and development after applying an insulating adhesive on the elastic layer, forming a columnar adhesive member at a predetermined position around the electrode pad,
A step of positioning and pressing the electronic component on the wiring board,
Curing the adhesive member and bonding the electronic component to the wiring board;
Removing the wafer by the laser lift-off process;
A component mounting method comprising:
前記電子部品は、マイクロLEDであることを特徴とする請求項7に記載の部品実装方法。   The method according to claim 7, wherein the electronic component is a micro LED.
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