JP2020046871A - メモリシステム - Google Patents
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Abstract
Description
図6は、第1の実施形態に係るメモリシステムの概略構成例を示すブロック図である。図6に示すように、メモリシステム1は、メモリコントローラ10と不揮発性メモリ20とを備える。メモリシステム1は、ホスト30と接続可能であり、図6ではホスト30と接続された状態が示されている。ホスト30は、例えば、パーソナルコンピュータ、携帯端末などの電子機器であってよい。
SISO復号器を用いたターボ復号器は、確率情報である外部値を外部値メモリに記憶しておかなければならないため、復号に必要なメモリ量が増大してしまう可能性がある。そこで、復号に必要なメモリ量を削減することが可能なメモリシステムの提供が望まれる。
つぎに、第3の実施形態に係るメモリシステムについて、図面を参照して詳細に説明する。本実施形態における符号化/復号部を含むメモリシステムの構成は、第2の実施形態において図5、図6、および、図12を用いて例示したメモリシステムと同様であってよいため、ここでは重複する説明を省略する。また、本実施形態に係る近似的ターボ復号器の処理フローも第2の実施形態において図13を用いて説明した処理フローと同様であってよいため、ここでは重複する説明を省略する。ただし、本実施形態では、次元1軟判定入力値計算部111および次元2軟判定入力値計算部121の動作フローが、第2の実施形態において図14を用いて例示した動作フローとは異なる。
つぎに、第4の実施形態に係るメモリシステムについて説明する。第2の実施形態において図14を用いて例示した次元1軟判定入力値計算部111および次元2軟判定入力値計算部121の動作フローと、第3の実施形態において図15を用いて例示した次元1軟判定入力値計算部111および次元2軟判定入力値計算部121の動作フローとは、特定の条件で選択的に切り替えて使い分けることが可能である。例えば、次元1または次元2の復号語の信頼度が予め定めておいた閾値より高い場合には、図15に示した動作フローを用いて次元1軟判定入力値または次元2軟判定入力値を求め、それ以外の場合には、図14に示した動作フローを用いて次元1軟判定入力値または次元2軟判定入力値を求めるというように、復号語の信頼度に基づいて実行する動作フローを切り替えるように構成することも可能である。
上記各実施形態では、例えば各次元について共通の信頼度計算関数g(m)を用いていた。信頼度計算関数g(m)は、予め定められた規則に従い変更されてもよい。
(R1)次元1の成分符号を復号する場合と、次元2の成分符号を復号する場合とで、それぞれ異なる信頼度計算関数g(m)を用いる。
(R2)復号語cを得るために複数種類の復号器(例えばBounded Distance Decoder、Chase decoder、Ordered Statistics Decoderなど)が使用されている場合、いずれの復号器から得られた復号語であるかによって、それぞれ異なる信頼度計算関数g(m)を用いる。
(R3)復号語cを得るために複数種類の復号器が使用されている場合、複数種類の復号器の出力した復号語cが一致しているか否かによって、それぞれ異なる信頼度計算関数g(m)を用いる。
(R3−1)復号語cが一致している復号器については、共通の信頼度計算関数g(m)を使用し、不一致の復号器については、各復号器に対して定められた個別の信頼度計算関数g(m)を使用する。
(R3−2)復号語cが一致している復号器については、復号語cが一致している場合の関数として定められた第1の共通の信頼度計算関数g(m)を使用し、不一致の復号器については、復号語cが一致していない場合の関数として定められた第2の共通の信頼度計算関数g(m)を使用する。
(R3−3)すべての復号器の復号語cが一致している場合は、共通の信頼度計算関数g(m)を使用する。復号語cが一致しない復号器が存在する場合は、正しいと推定される復号器のみを用いて、当該復号器に対して定められた信頼度計算関数g(m)を使用する。
更新部(更新部952、更新部152)は、信頼度計算関数g(m)の更新処理を、他の処理の少なくとも一部と並行して実行してもよい。変形例1の(R1)のように次元ごとに異なる信頼度計算関数g(m)を用いる場合であれば、更新部は、複数の次元のうち、いずれかの復号処理を実行中に、他の次元で使用する信頼度計算関数g(m)の更新処理を実行してもよい。
これまでは主に二次元の誤り訂正符号を例に説明したが、三次元以上の誤り訂正符号に対しても同様に上記実施形態を適用できる。また、BCH符号、RS符号などを含む多次元でない誤り訂正符号に対しても上記実施形態を適用しうる。例えば、多次元でない誤り訂正符号に対して複数回の復号処理を実行して最終的な復号結果を出力する構成であって、各復号処理で上記のように信頼性メトリックおよび信頼度を計算する構成に対しても適用しうる。
10 メモリコントローラ
11 制御部
12 データバッファ
13 メモリI/F
14 符号化/復号部
15 ホストI/F
16 内部バス
17 符号化器
18 復号器
20 不揮発性メモリ
30 ホスト
100 ターボ復号器
100−2 近似的ターボ復号器
101 読出し情報メモリ
102 中間値メモリ
111 次元1軟判定入力値計算部
112 次元1成分符号SISO復号器
121 次元2軟判定入力値計算部
122 次元2成分符号SISO復号器
151 参照情報メモリ
152 更新部
181 HIHO復号部
182 SISO復号部
911 次元1加算器
912 次元1SISO復号器
913 次元1外部値メモリ
920 不揮発性メモリ
921 次元2加算器
922 次元2SISO復号器
923 次元2外部値メモリ
941 符号化器
942 復号器
951 参照情報メモリ
952 更新部
962 次元1SISO復号器
972 次元2SISO復号器
Claims (11)
- 誤り訂正符号を記憶する不揮発性メモリと、
前記不揮発性メモリから読出し情報を取得する処理を行い、
少なくとも前記読出し情報に基づいて計算される軟判定入力値と、前記軟判定入力値により復号された復号語と、に基づいて、前記復号語の信頼度と相関を持つ情報である信頼性メトリックを計算し、
複数の前記信頼性メトリックの履歴または前記履歴から求められる統計情報である参照情報を記憶し、
前記信頼性メトリックから前記信頼度を計算するための対応情報を用いて、前記信頼性メトリックから前記信頼度を計算し、
前記復号語および前記信頼度に基づいて、復号情報を計算し、
前記参照情報に基づいて、前記対応情報を更新する、
メモリコントローラと、
を備えるメモリシステム。 - 前記不揮発性メモリは、符号を構成するシンボルのうち少なくとも1つのシンボルが少なくとも第1の成分符号と前記第1の成分符号とは異なる第2の成分符号とによって保護されている多次元の誤り訂正符号を記憶し、
前記メモリコントローラは、少なくとも前記第1の成分符号の復号情報と、前記読出し情報に基づいて、前記第2の成分符号の前記軟判定入力値を計算する、
請求項1に記載のメモリシステム。 - 前記復号情報は、前記第1の成分符号の外部値、および、前記第2の成分符号の外部値である、
請求項2に記載のメモリシステム。 - 前記復号情報は、前記復号語、および、前記復号語の信頼度である
請求項2に記載のメモリシステム。 - 前記メモリコントローラは、
前記第1の成分符号に対して、前記信頼性メトリックから前記信頼度を計算するための第1の対応情報を使用し、前記第2の成分符号に対して、前記信頼性メトリックから前記信頼度を計算するための第2の対応情報を使用する、
請求項2に記載のメモリシステム。 - 前記信頼性メトリックは、前記軟判定入力値と前記復号語との間の距離である、
請求項1に記載のメモリシステム。 - 前記対応情報は、前記復号語が正しい復号語であるという条件下での前記信頼性メトリックの出現確率である第1確率、および、前記復号語が正しい復号語でないという条件下での前記信頼性メトリックの出現確率である第2確率を含み、
前記メモリコントローラは、
前記参照情報を用いて、複数の前記信頼性メトリックを、正しい復号語から計算された前記信頼性メトリックを含む第1集合と、正しくない復号語から計算された前記信頼性メトリックを含む第2集合と、に分類し、
前記第1集合内での前記信頼性メトリックの出現確率から前記第1確率を計算し、
前記第2集合内での前記信頼性メトリックの出現確率から前記第2確率を計算し、
計算した前記第1確率および計算した前記第2確率を用いて、前記対応情報を更新する、
請求項1に記載のメモリシステム。 - 前記対応情報は、前記復号語が正しい復号語である事前確率を示す第3確率、および、前記復号語が正しい復号語でない事前確率を示す第4確率を含み、
前記メモリコントローラは、
複数の前記信頼性メトリックを前記第1集合と前記第2集合とに分類するときに、前記第3確率と前記第4確率を計算し、
計算した前記第3確率および計算した前記第4確率を用いて、前記対応情報を更新する、
請求項7に記載のメモリシステム。 - 前記対応情報は、前記復号語が正しい復号語である事前確率を示す第3確率、および、前記復号語が正しい復号語でない事前確率を示す第4確率を含み、
前記メモリコントローラは、
復号処理の反復回数に基づいて前記第3確率および前記第4確率を推定する、
請求項1に記載のメモリシステム。 - 前記対応情報は、前記復号語が正しい復号語である事前確率を示す第3確率、および、前記復号語が正しい復号語でない事前確率を示す第4確率を含み、
前記メモリコントローラは、
前記読出し情報および前記復号情報に基づいて硬判定値を計算し、前記硬判定値に対して計算したシンドロームに基づいて前記第3確率および前記第4確率を推定する、
請求項1に記載のメモリシステム。 - 前記メモリコントローラは、
前記信頼性メトリックの計算、および、前記信頼度の計算の少なくとも一方と並行して、前記対応情報を更新する処理を実行する、
請求項1に記載のメモリシステム。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220094100A (ko) * | 2020-12-28 | 2022-07-05 | 웨스턴 디지털 테크놀로지스, 인코포레이티드 | 메모리에 대한 물리적 특성에 기초한 에러 정정 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019082944A (ja) * | 2017-10-31 | 2019-05-30 | 富士通株式会社 | 事象調査補助プログラム、事象調査補助方法及び事象調査補助装置 |
KR20220080589A (ko) | 2020-12-07 | 2022-06-14 | 삼성전자주식회사 | Ecc 디코딩을 수행하는 ecc 엔진, 이의 동작 방법 및 ecc 엔진을 포함하는 스토리지 장치 |
CN113064751B (zh) * | 2021-03-26 | 2023-04-25 | 山东英信计算机技术有限公司 | 一种基于纠删池的编解码方法、装置、设备及存储介质 |
KR102345067B1 (ko) | 2021-08-25 | 2021-12-29 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 장치 및 스토리지 컨트롤러의 구동 방법 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010505200A (ja) * | 2006-09-28 | 2010-02-18 | サンディスク コーポレイション | ソフト入力ソフト出力(siso)復号器を有する不揮発性メモリにおける統計ユニットおよび適応操作 |
JP2011180911A (ja) * | 2010-03-02 | 2011-09-15 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶システム |
US20160266972A1 (en) * | 2015-03-10 | 2016-09-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory controller, storage device and decoding method |
JP2019057812A (ja) * | 2017-09-20 | 2019-04-11 | 東芝メモリ株式会社 | メモリシステム |
JP2019160014A (ja) * | 2018-03-15 | 2019-09-19 | 東芝メモリ株式会社 | メモリシステム |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5710475B2 (ja) | 2008-07-01 | 2015-04-30 | エルエスアイ コーポレーション | フラッシュ・メモリにおけるソフト・デマッピングおよびセル間干渉軽減のための方法および装置 |
US9378835B2 (en) | 2008-09-30 | 2016-06-28 | Seagate Technology Llc | Methods and apparatus for soft data generation for memory devices based using reference cells |
US8259857B2 (en) | 2009-12-10 | 2012-09-04 | The Aerospace Corporation | Methods and systems for increased communication throughput |
US9363782B2 (en) | 2011-06-22 | 2016-06-07 | Qualcomm Incorporated | Methods and apparatus for wireless device positioning in multicarrier configurations |
-
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-
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010505200A (ja) * | 2006-09-28 | 2010-02-18 | サンディスク コーポレイション | ソフト入力ソフト出力(siso)復号器を有する不揮発性メモリにおける統計ユニットおよび適応操作 |
JP2011180911A (ja) * | 2010-03-02 | 2011-09-15 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶システム |
US20160266972A1 (en) * | 2015-03-10 | 2016-09-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory controller, storage device and decoding method |
JP2019057812A (ja) * | 2017-09-20 | 2019-04-11 | 東芝メモリ株式会社 | メモリシステム |
JP2019160014A (ja) * | 2018-03-15 | 2019-09-19 | 東芝メモリ株式会社 | メモリシステム |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220094100A (ko) * | 2020-12-28 | 2022-07-05 | 웨스턴 디지털 테크놀로지스, 인코포레이티드 | 메모리에 대한 물리적 특성에 기초한 에러 정정 |
KR102692836B1 (ko) | 2020-12-28 | 2024-08-06 | 웨스턴 디지털 테크놀로지스, 인코포레이티드 | 메모리에 대한 물리적 특성에 기초한 에러 정정 |
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