JP2020038855A - 光源装置、調整方法、センシングモジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】垂直共振器面発光レーザによる複数の発光素子を共通の電源電圧に基づき駆動する構成において、それら発光素子の全てを適正に発光可能としながら消費電力の削減を図る。【解決手段】本技術に係る光源装置は、垂直共振器面発光レーザによる発光素子が複数配列された発光部と、発光部における複数の発光素子の駆動に共通に用いられる電源電圧を、発光素子の順方向電圧に応じて調整する電圧調整部とを備える。これにより、発光素子の順方向電圧が高ければ電源電圧を高くし、また発光素子の順方向電圧が低ければ電源電圧を低くする等、電源電圧を発光素子の順方向電圧に応じて適切に調整することが可能とされる。【選択図】図14
Description
本技術は、垂直共振器面発光レーザによる発光素子が複数配列された発光部を備えた光源装置と、それら発光素子の駆動に用いられる電源電圧を調整する調整方法と、前記発光部より発せられ被写体によって反射された光を受光して撮像するイメージセンサを備えたセンシングモジュールとに関する。
レーザ光を発する発光素子として、VCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting LASER:垂直共振器面発光レーザ)としての発光素子が知られている(例えば下記特許文献1、2を参照)。
VCSELとしての発光素子は、共振器が半導体の基板面に対して垂直方向に形成されて、レーザ光を垂直方向に出射するように構成され、近年においては、例えばSTL(Structured Light:構造化光)方式やToF(Time of Flight:光飛行時間)方式による被写体の測距を行う際の光源として広く用いられる。
VCSELとしての発光素子は、共振器が半導体の基板面に対して垂直方向に形成されて、レーザ光を垂直方向に出射するように構成され、近年においては、例えばSTL(Structured Light:構造化光)方式やToF(Time of Flight:光飛行時間)方式による被写体の測距を行う際の光源として広く用いられる。
ここで、被写体の測距としてSTL方式やToF方式による測距を行う場合は、VCSELとしての発光素子を二次元に複数配列した光源装置が用いられる。具体的には、それら複数の発光素子を発光させて得られる光を被写体に照射し、被写体からの反射光を受光して得られる画像に基づいて被写体の測距が行われる。
このとき、発光対象とする複数の発光素子は、共通の電源電圧に基づき駆動することが考えられる。共通の電源電圧を用いることで、電源回路を共用化することができ、回路部品点数の削減や回路実装面積の縮小化等を図ることができる。
しかしながら、VCSELとしての発光素子は順方向電圧(VF)が個体によりばらつく。このため、複数の発光素子を共通の電源電圧に基づき駆動する構成とした場合には、電源電圧の高さを適切に設定しなければ一部の発光素子が発光しなくなる虞がある。例えば、順方向電圧のばらつきを比較的狭く見積もって電源電圧を低めに設定してしまうと、順方向電圧が想定外に高い発光素子が一部に含まれていた場合に、該一部の発光素子を適切に発光させることができない虞がある。一方で、順方向電圧のばらつきを比較的広く見積もって電源電圧を高めに設定することは、全ての発光素子を適切に発光可能とする上では有効であるが、消費電力の増大化を招き望ましくない。
本技術は上記事情に鑑み為されたものであり、垂直共振器面発光レーザによる複数の発光素子を共通の電源電圧に基づき駆動する構成において、それら発光素子の全てを適正に発光可能としながら消費電力の削減を図ることを目的とする。
本技術に係る光源装置は、垂直共振器面発光レーザによる発光素子が複数配列された発光部と、前記発光部における複数の前記発光素子の駆動に共通に用いられる電源電圧を、前記発光素子の順方向電圧に応じて調整する電圧調整部と、を備えるものである。
これにより、発光素子の順方向電圧が高ければ電源電圧を高くし、また発光素子の順方向電圧が低ければ電源電圧を低くする等、電源電圧を発光素子の順方向電圧に応じて適切に調整することが可能とされる。
上記した本技術に係る光源装置においては、前記電圧調整部は、複数の前記発光素子の順方向電圧のうちの最高電圧に応じて前記電源電圧を調整することが望ましい。
これにより、共通の電源電圧が順方向電圧の最も高い発光素子の順方向電圧に応じて調整される。
上記した本技術に係る光源装置においては、前記電源電圧に基づき複数の前記発光素子を個別駆動可能に構成された駆動部を備えたことが望ましい。
これにより、電源電圧を共用する複数の発光素子のうち一部の発光素子をON、他の発光素子をOFFとすることが可能となり、順方向電圧が最高の発光素子がOFFされ得る。順方向電圧が最高の発光素子がOFFされることで、順方向電圧がより低い発光素子の順方向電圧に応じて電源電圧が調整される。
上記した本技術に係る光源装置においては、前記電源電圧に基づき複数の前記発光素子に定電流を流すカレントミラー回路を備えたことが望ましい。
これにより、発光素子に定電流を流すにあたって定電流制御機能付の電源回路を用いる必要がなくなる。
上記した本技術に係る光源装置においては、前記カレントミラー回路が前記発光素子のアノード側に接続され、前記電圧調整部は、前記発光素子のアノードにおける電圧に応じて前記電源電圧を調整することが望ましい。
これにより、カレントミラー回路が発光素子のアノード側に接続される場合において、電源電圧を発光素子の順方向電圧に応じて適切に調整することが可能とされる。
上記した本技術に係る光源装置においては、前記カレントミラー回路が前記発光素子のカソード側に接続され、前記電圧調整部は、前記発光素子のカソードにおける電圧に応じて前記電源電圧を調整することが望ましい。
これにより、カレントミラー回路が発光素子のカソード側に接続される場合において、電源電圧を発光素子の順方向電圧に応じて適切に調整することが可能とされる。
上記した本技術に係る光源装置においては、前記電圧調整部は、前記電源電圧を前記発光素子の順方向電圧と前記カレントミラー回路における駆動素子の動作電圧とに応じて調整することが望ましい。
これにより、カレントミラー回路を設けた場合に対応して、電源電圧が発光素子の順方向電圧と駆動素子の動作電圧とに応じて適切に調整される。
上記した本技術に係る光源装置においては、前記電源電圧に基づき複数の前記発光素子を駆動する駆動部を備え、前記駆動部と前記電圧調整部が同一チップに形成されたことが望ましい。
これにより、電圧調整部が各発光素子の順方向電圧を検出入力するための検出ラインは、チップ内配線により形成することが可能とされる。
上記した本技術に係る光源装置においては、前記発光部は、複数の前記発光素子を含む発光素子群を複数有し、前記電圧調整部は、前記発光素子群ごとに共用される電源電圧について、前記発光素子群ごとに前記順方向電圧に応じた調整を行うことが望ましい。
このように発光素子群ごとに共用される電源電圧を発光素子群ごとに個別に調整する構成とすれば、発光部における全ての発光素子を適切に発光可能とするために、各電源電圧はそれぞれ供給先の発光素子群における順方向電圧の最高電圧に合わせて調整すればよく、発光部内の全発光素子の順方向電圧のうちの最高電圧に合わせて調整する必要はなくなる。
また、本技術に係る調整方法は、垂直共振器面発光レーザによる発光素子が複数配列された発光部における複数の前記発光素子の駆動に共通に用いられる電源電圧を、前記発光素子の順方向電圧に応じて調整する調整方法である。
さらに、本技術に係るセンシングモジュールは、上記した本技術に係る光源装置と、該光源装置が備える発光部より発せられ被写体によって反射された光を受光して撮像するイメージセンサとを備えるものである。
さらに、本技術に係るセンシングモジュールは、上記した本技術に係る光源装置と、該光源装置が備える発光部より発せられ被写体によって反射された光を受光して撮像するイメージセンサとを備えるものである。
このような検出方法やセンシングモジュールによっても、上記した本技術に係る光源装置と同様の作用が得られる。
本技術によれば、垂直共振器面発光レーザによる複数の発光素子を共通の電源電圧に基づき駆動する構成において、それら発光素子の全てを適正に発光可能としながら消費電力の削減を図ることができる。
なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
以下、添付図面を参照し、本技術に係る実施形態を次の順序で説明する。
<1.測距装置の構成>
<2.測距手法について>
<3.発光駆動に係る回路構成について>
<4.基板構成のバリエーション>
<5.VCSELの構造例>
<6.電源電圧の調整>
<7.実施形態のまとめ及び変形例>
<8.本技術>
<1.測距装置の構成>
<2.測距手法について>
<3.発光駆動に係る回路構成について>
<4.基板構成のバリエーション>
<5.VCSELの構造例>
<6.電源電圧の調整>
<7.実施形態のまとめ及び変形例>
<8.本技術>
<1.測距装置の構成>
図1は、本技術に係る光源装置の一実施形態としての測距装置1の構成例を示している。
図示のように測距装置1は、発光部2、駆動部3、電源回路4、発光側光学系5、撮像側光学系6、イメージセンサ7、画像処理部8、制御部9、及び温度検出部10を備えている。
発光部2は、複数の光源により光を発する。後述するように、本例の発光部2は、各光源としてVCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting LASER:垂直共振器面発光レーザ)による発光素子2aを有しており、それら発光素子2aが例えばマトリクス状等の所定態様により配列されて構成されている。
図1は、本技術に係る光源装置の一実施形態としての測距装置1の構成例を示している。
図示のように測距装置1は、発光部2、駆動部3、電源回路4、発光側光学系5、撮像側光学系6、イメージセンサ7、画像処理部8、制御部9、及び温度検出部10を備えている。
発光部2は、複数の光源により光を発する。後述するように、本例の発光部2は、各光源としてVCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting LASER:垂直共振器面発光レーザ)による発光素子2aを有しており、それら発光素子2aが例えばマトリクス状等の所定態様により配列されて構成されている。
駆動部3は、発光部2を駆動するための電気回路を有して構成される。
電源回路4は、例えば測距装置1に設けられた不図示のバッテリ等からの入力電圧(後述する入力電圧Vin)に基づき、駆動部3の電源電圧(後述する電源電圧Vs)を生成する。駆動部3は、該電源電圧に基づいて発光部2を駆動する。
電源回路4は、例えば測距装置1に設けられた不図示のバッテリ等からの入力電圧(後述する入力電圧Vin)に基づき、駆動部3の電源電圧(後述する電源電圧Vs)を生成する。駆動部3は、該電源電圧に基づいて発光部2を駆動する。
発光部2より発せられた光は、発光側光学系5を介して測距対象としての被写体Sに照射される。そして、このように照射された光の被写体Sからの反射光は、撮像側光学系6を介してイメージセンサ7の撮像面に入射する。
イメージセンサ7は、例えばCCD(Charge Coupled Device)センサやCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)センサ等の撮像素子とされ、上記のように撮像側光学系6を介して入射する被写体Sからの反射光を受光し、電気信号に変換して出力する。
イメージセンサ7は、受光した光を光電変換して得た電気信号について、例えばCDS(Correlated Double Sampling)処理、AGC(Automatic Gain Control)処理などを実行し、さらにA/D(Analog/Digital)変換処理を行う。そしてデジタルデータとしての画像信号を、後段の画像処理部8に出力する。
また、本例のイメージセンサ7は、フレーム同期信号Fsを駆動部3に出力する。これにより駆動部3は、発光部2における発光素子2aをイメージセンサ7のフレーム周期に応じたタイミングで発光させることが可能とされる。
イメージセンサ7は、受光した光を光電変換して得た電気信号について、例えばCDS(Correlated Double Sampling)処理、AGC(Automatic Gain Control)処理などを実行し、さらにA/D(Analog/Digital)変換処理を行う。そしてデジタルデータとしての画像信号を、後段の画像処理部8に出力する。
また、本例のイメージセンサ7は、フレーム同期信号Fsを駆動部3に出力する。これにより駆動部3は、発光部2における発光素子2aをイメージセンサ7のフレーム周期に応じたタイミングで発光させることが可能とされる。
画像処理部8は、例えばDSP(Digital Signal Processor)等により画像処理プロセッサとして構成される。画像処理部8は、イメージセンサ7から入力されるデジタル信号(画像信号)に対して、各種の画像信号処理を施す。
制御部9は、例えばCPU(Central Processing Unit)、ROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)等を有するマイクロコンピュータ、或いはDSP等の情報処理装置を備えて構成され、発光部2による発光動作を制御するための駆動部3の制御や、イメージセンサ7による撮像動作に係る制御を行う。
制御部9は、測距部9aとしての機能を有する。測距部9aは、画像処理部8を介して入力される画像信号(つまり被写体Sからの反射光を受光して得られる画像信号)に基づき、被写体Sまでの距離を測定する。本例の測距部9aは、被写体Sの三次元形状の特定を可能とするために、被写体Sの各部について距離の測定を行う
ここで、測距装置1における具体的な測距の手法については後に改めて説明する。
ここで、測距装置1における具体的な測距の手法については後に改めて説明する。
温度検出部10は、発光部2の温度を検出する。温度検出部10としては、例えばダイオードを用いて温度検出を行う構成を採ることができる。
本例では、温度検出部10により検出された温度の情報は駆動部3に供給され、これにより駆動部3は該温度の情報に基づいて発光部2の駆動を行うことが可能とされる。
本例では、温度検出部10により検出された温度の情報は駆動部3に供給され、これにより駆動部3は該温度の情報に基づいて発光部2の駆動を行うことが可能とされる。
<2.測距手法について>
測距装置1における測距手法としては、例えばSTL(Structured Light:構造化光)方式やToF(Time of Flight:光飛行時間)方式による測距手法を採用することができる。
STL方式は、例えばドットパターンや格子パターン等の所定の明暗パターンを有する光を照射された被写体Sを撮像して得られる画像に基づいて距離を測定する方式である。
図2は、STL方式の説明図である。
STL方式では、例えば図2Aに示すようなドットパターンによるパターン光Lpを被写体Sに照射する。パターン光Lpは、複数のブロックBLに分割されており、各ブロックBLにはそれぞれ異なるドットパターンが割当てられている(ブロックBL間でドットパターンが重複しないようにされている)。
図2Bは、STL方式の測距原理についての説明図である。
ここでは、壁Wとその前に配置された箱BXとが被写体Sとされ、該被写体Sに対してパターン光Lpが照射された例としている。図中の「G」はイメージセンサ7による画角を模式的に表している。
また、図中の「BLn」はパターン光Lpにおける或るブロックBLの光を意味し、「dn」はイメージセンサ7による撮像画像に映し出されるブロックBLnのドットパターンを意味している。
ここで、壁Wの前の箱BXが存在しない場合、撮像画像においてブロックBLnのドットパターンは図中の「dn’」の位置に映し出される。すなわち、箱BXが存在する場合と箱BXが存在しない場合とで、撮像画像においてブロックBLnのパターンが映し出される位置が異なるものであり、具体的には、パターンの歪みが生じる。
測距装置1における測距手法としては、例えばSTL(Structured Light:構造化光)方式やToF(Time of Flight:光飛行時間)方式による測距手法を採用することができる。
STL方式は、例えばドットパターンや格子パターン等の所定の明暗パターンを有する光を照射された被写体Sを撮像して得られる画像に基づいて距離を測定する方式である。
図2は、STL方式の説明図である。
STL方式では、例えば図2Aに示すようなドットパターンによるパターン光Lpを被写体Sに照射する。パターン光Lpは、複数のブロックBLに分割されており、各ブロックBLにはそれぞれ異なるドットパターンが割当てられている(ブロックBL間でドットパターンが重複しないようにされている)。
図2Bは、STL方式の測距原理についての説明図である。
ここでは、壁Wとその前に配置された箱BXとが被写体Sとされ、該被写体Sに対してパターン光Lpが照射された例としている。図中の「G」はイメージセンサ7による画角を模式的に表している。
また、図中の「BLn」はパターン光Lpにおける或るブロックBLの光を意味し、「dn」はイメージセンサ7による撮像画像に映し出されるブロックBLnのドットパターンを意味している。
ここで、壁Wの前の箱BXが存在しない場合、撮像画像においてブロックBLnのドットパターンは図中の「dn’」の位置に映し出される。すなわち、箱BXが存在する場合と箱BXが存在しない場合とで、撮像画像においてブロックBLnのパターンが映し出される位置が異なるものであり、具体的には、パターンの歪みが生じる。
STL方式は、このように照射したパターンが被写体Sの物体形状によって歪むことを利用して被写体Sの形状や奥行きを求める方式となる。具体的には、パターンの歪み方から被写体Sの形状や奥行きを求める方式である。
STL方式を採用する場合、イメージセンサ7としては、例えばグローバルシャッタ方式によるIR(Infrared:赤外線)イメージセンサが用いられる。そして、STL方式の場合、測距部9aは、発光部2がパターン光を発光するように駆動部3を制御すると共に、画像処理部8を介して得られる画像信号についてパターンの歪みを検出し、パターンの歪み方に基づいて距離を計算する。
続いて、ToF方式は、発光部2より発された光が対象物で反射されてイメージセンサ7に到達するまでの光の飛行時間(時間差)を検出することで、対象物までの距離を測定する方式である。
ToF方式として、いわゆるダイレクトToF方式を採用する場合、イメージセンサ7としてはSPAD(Single Photon Avalanche Diode)を用い、また発光部2はパルス駆動する。この場合、測距部9aは、画像処理部8を介して入力される画像信号に基づき、発光部2より発せられイメージセンサ7により受光される光について発光から受光までの時間差を計算し、該時間差と光の速度とに基づいて被写体Sの各部の距離を計算する。
なお、ToF方式として、いわゆるインダイレクトToF方式(位相差法)を採用する場合、イメージセンサ7としては例えばIRイメージセンサが用いられる。
ToF方式として、いわゆるダイレクトToF方式を採用する場合、イメージセンサ7としてはSPAD(Single Photon Avalanche Diode)を用い、また発光部2はパルス駆動する。この場合、測距部9aは、画像処理部8を介して入力される画像信号に基づき、発光部2より発せられイメージセンサ7により受光される光について発光から受光までの時間差を計算し、該時間差と光の速度とに基づいて被写体Sの各部の距離を計算する。
なお、ToF方式として、いわゆるインダイレクトToF方式(位相差法)を採用する場合、イメージセンサ7としては例えばIRイメージセンサが用いられる。
<3.発光駆動に係る回路構成について>
図3は、図1に示した発光部2と駆動部3と電源回路4とを有して構成された光源装置100の回路構成例を示している。なお、図3では光源装置100の回路構成例と共に、図1に示したイメージセンサ7と制御部9を併せて示している。
本例では、発光部2と駆動部3と電源回路4は共通の基板(後述する基板B)上に形成されている。ここでは、少なくとも発光部2を含み、発光部2と共通の基板上に形成される構成単位を光源装置100と呼んでいる。
図3は、図1に示した発光部2と駆動部3と電源回路4とを有して構成された光源装置100の回路構成例を示している。なお、図3では光源装置100の回路構成例と共に、図1に示したイメージセンサ7と制御部9を併せて示している。
本例では、発光部2と駆動部3と電源回路4は共通の基板(後述する基板B)上に形成されている。ここでは、少なくとも発光部2を含み、発光部2と共通の基板上に形成される構成単位を光源装置100と呼んでいる。
図示のように光源装置100は、発光部2と駆動部3と電源回路4と共に温度検出部10を備えている。
発光部2は、前述したようにVCSELとしての発光素子2aを複数備えている。図3では図示の都合から発光素子2aの数を「4」としているが、発光部2における発光素子2aの数はこれに限らず、少なくとも2以上とされればよい。
発光部2は、前述したようにVCSELとしての発光素子2aを複数備えている。図3では図示の都合から発光素子2aの数を「4」としているが、発光部2における発光素子2aの数はこれに限らず、少なくとも2以上とされればよい。
電源回路4は、DC/DCコンバータ40と電圧調整部41とを備えている。DC/DCコンバータ40は、直流電圧による入力電圧Vinに基づき、直流電圧による出力電圧Voを生成する。電圧調整部41は、出力電圧Voに基づき、駆動部3が発光部2を駆動するために用いる電源電圧Vsを生成する。ここで、電圧調整部41は電源電圧Vsの調整機能を有するが、これについては後に改めて説明する。
駆動部3は、駆動回路30と駆動制御部31とを備えている。
駆動回路30は、発光素子2aごとに駆動素子Q1及びスイッチSWを有すると共に、電流制御素子Q2と定電流源30aとを有している。
駆動素子Q1及び電流制御素子Q2にはFET(field-effect transistor)が用いられ、本例ではPチャンネル型のMOSFET(MOS:metal-oxide-semiconductor)が用いられている。
駆動回路30は、発光素子2aごとに駆動素子Q1及びスイッチSWを有すると共に、電流制御素子Q2と定電流源30aとを有している。
駆動素子Q1及び電流制御素子Q2にはFET(field-effect transistor)が用いられ、本例ではPチャンネル型のMOSFET(MOS:metal-oxide-semiconductor)が用いられている。
各駆動素子Q1は、電源回路4の出力ライン、すなわち電源電圧Vsの供給ラインに対して並列の関係に接続され、電流制御素子Q2は、駆動素子Q1に対して並列接続されている。
具体的に、各駆動素子Q1及び電流制御素子Q2は、ソースが電源回路4の出力ラインに接続されている。各駆動素子Q1のドレインは、発光部2における発光素子2aのうちそれぞれ対応する一つの発光素子2aのアノードと接続されている。
図示のように各発光素子2aのカソードはグランド(GND)に接続されている。
具体的に、各駆動素子Q1及び電流制御素子Q2は、ソースが電源回路4の出力ラインに接続されている。各駆動素子Q1のドレインは、発光部2における発光素子2aのうちそれぞれ対応する一つの発光素子2aのアノードと接続されている。
図示のように各発光素子2aのカソードはグランド(GND)に接続されている。
電流制御素子Q2は、ドレインが定電流源30aを介してグランドに接続され、ゲートがドレインと定電流源30aとの接続点に接続されている。
各駆動素子Q1のゲートは、それぞれ対応する一つのスイッチSWを介して電流制御素子Q2のゲートに接続されている。
各駆動素子Q1のゲートは、それぞれ対応する一つのスイッチSWを介して電流制御素子Q2のゲートに接続されている。
上記構成による駆動回路30においては、スイッチSWがONとされた駆動素子Q1が導通し、導通した駆動素子Q1に接続された発光素子2aに出力電圧Voに基づく駆動電圧Vdが印加され、該発光素子2aが発光する。
このとき、発光素子2aには駆動電流Idが流れるが、上記構成による駆動回路30においては駆動素子Q1と電流制御素子Q2がカレントミラー回路を構成しており、駆動電流Idの電流値は定電流源30aの電流値に応じた値に制御される。
駆動制御部31は、駆動回路30におけるスイッチSWのON/OFF制御を行うことで、発光素子2aのON/OFFを制御する。図中では、駆動制御部31が各スイッチSWを個別にON/OFF制御するための制御信号ラインをそれぞれ制御信号ラインLsと表記している。
駆動制御部31にはイメージセンサ7よりフレーム同期信号Fsが供給されており、これにより駆動制御部31は発光素子2aのONタイミングやOFFタイミングをイメージセンサ7のフレーム周期に同期させることが可能とされている。
また、駆動制御部31は、発光素子2aのON/OFF制御を制御部9からの指示に基づき行うことが可能に構成されている。
駆動制御部31にはイメージセンサ7よりフレーム同期信号Fsが供給されており、これにより駆動制御部31は発光素子2aのONタイミングやOFFタイミングをイメージセンサ7のフレーム周期に同期させることが可能とされている。
また、駆動制御部31は、発光素子2aのON/OFF制御を制御部9からの指示に基づき行うことが可能に構成されている。
また、駆動制御部31は、温度検出部10により検出された発光部2の温度に基づき発光素子2aのON/OFF制御やDC/DCコンバータ40の動作制御を行うことが可能に構成されている。
図示のように駆動部3には、発光素子2aごとに、発光素子2aに生じる電圧(VF:順方向電圧)を検出するための検出ラインLdが形成されている。具体的に、図3に示す構成においては、各検出ラインLdはそれぞれが対応する発光素子2aのアノードに接続されている。
本例において、電源回路4における電圧調整部41は、各検出ラインLdに得られる電圧を入力する。後述するように、電圧調整部41は、このように各検出ラインLdを介して入力される各発光素子2aの順方向電圧に基づいて電源電圧Vsの調整を行う。
本例において、電源回路4における電圧調整部41は、各検出ラインLdに得られる電圧を入力する。後述するように、電圧調整部41は、このように各検出ラインLdを介して入力される各発光素子2aの順方向電圧に基づいて電源電圧Vsの調整を行う。
ここで、図3では、駆動素子Q1と電流制御素子Q2によるカレントミラー回路を発光素子2aのアノード側に設けた構成を例示したが、図4に示す駆動回路30Aのように、カレントミラー回路を発光素子2aのカソード側に設けた構成とすることもできる。
この場合、発光部2における各発光素子2aは、アノードが電源回路4の出力ラインに接続されている。
この場合、カレントミラー回路を構成する駆動素子Q1及び電流制御素子Q2には、Nチャンネル型のMOSFETが用いられる。電流制御素子Q2は、ドレイン及びゲートが定電流源30aを介して電源回路4の出力ラインに接続され、ソースはグランドに接続される。
各駆動素子Q1は、ドレインが対応する発光素子2aのカソードに接続され、ソースがグランドに接続される。各駆動素子Q1のゲートは、それぞれ対応するスイッチSWを介して電流制御素子Q2のゲートとドレインに接続される。
この場合、発光部2における各発光素子2aは、アノードが電源回路4の出力ラインに接続されている。
この場合、カレントミラー回路を構成する駆動素子Q1及び電流制御素子Q2には、Nチャンネル型のMOSFETが用いられる。電流制御素子Q2は、ドレイン及びゲートが定電流源30aを介して電源回路4の出力ラインに接続され、ソースはグランドに接続される。
各駆動素子Q1は、ドレインが対応する発光素子2aのカソードに接続され、ソースがグランドに接続される。各駆動素子Q1のゲートは、それぞれ対応するスイッチSWを介して電流制御素子Q2のゲートとドレインに接続される。
この場合も駆動制御部31がスイッチSWのON/OFF制御を行うことで、発光素子2aをON/OFFさせることができる。
また、この場合は、カレントミラー回路が発光素子2aのカソード側に接続されたことに対応して、各検出ラインLdは、それぞれ対応する発光素子2aのカソードに対して接続されている。すなわち、この場合の駆動制御部31は、発光素子2aのカソードにおける電圧を検出する。
<4.基板構成のバリエーション>
ここで、光源装置100としては、図5乃至図7に示す構成とすることができる。
光源装置100としては、図5Aに示すように、発光部2としての回路が形成されたチップCp2と、駆動部3としての回路が形成されたチップCp3と、電源回路4が形成されたチップCp4とを同一の基板B上に形成した構成とすることができる。
また、駆動部3と電源回路4は、同一のチップCp34に形成することもでき、その場合、光源装置100は、図5Bに示すようにチップCp2とチップCp34とを同一の基板B上に形成した構成とすることもできる。
ここで、光源装置100としては、図5乃至図7に示す構成とすることができる。
光源装置100としては、図5Aに示すように、発光部2としての回路が形成されたチップCp2と、駆動部3としての回路が形成されたチップCp3と、電源回路4が形成されたチップCp4とを同一の基板B上に形成した構成とすることができる。
また、駆動部3と電源回路4は、同一のチップCp34に形成することもでき、その場合、光源装置100は、図5Bに示すようにチップCp2とチップCp34とを同一の基板B上に形成した構成とすることもできる。
また、チップCpに対して他のチップCpを搭載した構成とすることもできる。
その場合、光源装置100としては、例えば図6Aのように、チップCp2を搭載したチップCp3とチップCp4とを基板B上に形成した構成や、図6BのようにチップCp2とチップCp4とを搭載したチップCp3を基板B上に形成した構成、或いは、図6CのようにチップCp2を搭載したチップCp34を基板B上に形成した構成とすることができる。
その場合、光源装置100としては、例えば図6Aのように、チップCp2を搭載したチップCp3とチップCp4とを基板B上に形成した構成や、図6BのようにチップCp2とチップCp4とを搭載したチップCp3を基板B上に形成した構成、或いは、図6CのようにチップCp2を搭載したチップCp34を基板B上に形成した構成とすることができる。
また、光源装置100は、イメージセンサ7を含む構成とすることもできる。
例えば、図7Aでは、チップCp2、チップCp3、チップCp4と共に、イメージセンサ7としての回路が形成されたチップCp7を同一の基板B上に形成した光源装置100の構成を例示している。
また、図7Bでは、チップCp2を搭載したチップCp34とチップCp7とを同一の基板B上に形成した光源装置100の構成を例示している。
例えば、図7Aでは、チップCp2、チップCp3、チップCp4と共に、イメージセンサ7としての回路が形成されたチップCp7を同一の基板B上に形成した光源装置100の構成を例示している。
また、図7Bでは、チップCp2を搭載したチップCp34とチップCp7とを同一の基板B上に形成した光源装置100の構成を例示している。
ここで、温度検出部10について、ダイオード等の温度検出素子は、例えば図5A、図5B、図7AのようにチップCp2が基板B上に形成されている場合には、基板BにおけるチップCp2の近傍位置(例えば基板B上におけるチップCp2の側方位置等)に形成すればよい。
また、図6A乃至図6Cや図7BのようにチップCp2が他のチップCpに搭載された構成においては、温度検出素子は該他のチップCpにおけるチップCp2の近傍位置(例えばチップCp2の真下となる位置等)に形成すればよい。
また、図6A乃至図6Cや図7BのようにチップCp2が他のチップCpに搭載された構成においては、温度検出素子は該他のチップCpにおけるチップCp2の近傍位置(例えばチップCp2の真下となる位置等)に形成すればよい。
温度検出部10は、ダイオード等の温度検出素子を有する温度センサ10aを複数有する構成とすることもできる。
図8は、温度検出部10が複数の温度センサ10aを有する場合における各温度センサ10aの配置例を示している。
この図8の例では、複数の温度センサ10aを一箇所に集中して位置させず、発光素子2aが配列される面に平行な面内において離散的に配置している。具体的に、複数の温度センサ10aは、例えば縦2×横2=4個等の所定個数の発光素子2aで成る発光ブロックごとに一つずつ配置することができる。このとき、各温度センサ10aは、発光素子2aが配列される面に平行な面内において等間隔に配置することもできる。
なお、図8では、9個の発光素子2aに対し4個の温度センサ10aを配置した例を示しているが、発光素子2a、温度センサ10aの配置数はこれに限定されるものではない。
図8は、温度検出部10が複数の温度センサ10aを有する場合における各温度センサ10aの配置例を示している。
この図8の例では、複数の温度センサ10aを一箇所に集中して位置させず、発光素子2aが配列される面に平行な面内において離散的に配置している。具体的に、複数の温度センサ10aは、例えば縦2×横2=4個等の所定個数の発光素子2aで成る発光ブロックごとに一つずつ配置することができる。このとき、各温度センサ10aは、発光素子2aが配列される面に平行な面内において等間隔に配置することもできる。
なお、図8では、9個の発光素子2aに対し4個の温度センサ10aを配置した例を示しているが、発光素子2a、温度センサ10aの配置数はこれに限定されるものではない。
図8の例のように複数の温度センサ10aを離散的に配置することで、発光部2の面内温度分布を検出することが可能となる。また、発光面におけるエリアごとの温度を検出し分けることができ、さらには、温度センサ10aの配置数を増やすことで発光素子2aごとの温度を検出し分けることも可能である。
<5.VCSELの構造例>
続いて、発光部2が形成されたチップCp2の構造例について図9及び図10を参照して説明しておく。
図9は、図5A、図5B、図5Aのように基板B上に形成される場合のCp2の構造例を示し、図10は、図6A乃至図6Cや図7Bのように他のチップCp上に搭載される場合のCp2の構造例を示している。
なお、図9、図10では一例として、駆動回路30(カレントミラー回路)が発光素子2aのアノード側に挿入された場合(図3参照)に対応した構造例を示す。
続いて、発光部2が形成されたチップCp2の構造例について図9及び図10を参照して説明しておく。
図9は、図5A、図5B、図5Aのように基板B上に形成される場合のCp2の構造例を示し、図10は、図6A乃至図6Cや図7Bのように他のチップCp上に搭載される場合のCp2の構造例を示している。
なお、図9、図10では一例として、駆動回路30(カレントミラー回路)が発光素子2aのアノード側に挿入された場合(図3参照)に対応した構造例を示す。
図9に示すように、チップCp2は、各発光素子2aに対応する部分がメサMとして形成されている。
チップCp2は、その基板として半導体基板20が用いられ、半導体基板20の下層側にはカソード電極Tcが形成されている。半導体基板20には、例えばGaAs(ヒ化ガリウム)基板が用いられる。
チップCp2は、その基板として半導体基板20が用いられ、半導体基板20の下層側にはカソード電極Tcが形成されている。半導体基板20には、例えばGaAs(ヒ化ガリウム)基板が用いられる。
半導体基板20上において、各メサMには、下層側から上層側にかけて順に第一多層膜反射鏡層21、活性層22、第二多層膜反射鏡層25、コンタクト層26、及びアノード電極Taが形成されている。
第二多層膜反射鏡層25の一部(具体的には下端部)には、電流狭窄層24が形成されている。また、活性層22を含み、第一多層膜反射鏡層21と第二多層膜反射鏡層25とに挟まれた部分が共振器23とされる。
第二多層膜反射鏡層25の一部(具体的には下端部)には、電流狭窄層24が形成されている。また、活性層22を含み、第一多層膜反射鏡層21と第二多層膜反射鏡層25とに挟まれた部分が共振器23とされる。
第一多層膜反射鏡層21は、N型導電性を示す化合物半導体で形成され、第二多層膜反射鏡層25はP型導電性を示す化合物半導体で形成されている。
活性層22は、レーザ光を発生させるための層とされ、電流狭窄層24は、活性層22に効率よく電流を注入し、レンズ効果をもたらす層とされる。
電流狭窄層24は、メサMを形成後に、酸化されていない状態で選択酸化が行われ、中心部の酸化領域(又は選択酸化領域という)24aと、酸化領域24aの周囲の酸化されていない未酸化領域24bとを有する。電流狭窄層24においては、これら酸化領域24aと未酸化領域24bとにより電流狭窄構造が形成され、未酸化領域24bとしての電流狭窄領域に電流が導電する。
コンタクト層26は、アノード電極Taとのオーミック接触を確実にするために設けられている。
アノード電極Taは、コンタクト層26上において、基板Bを平面視した際に例えば環状(リング状)等の中央部が開口された形状により形成されている。コンタクト層26において、上部にアノード電極Taが形成されてない部分は開口部26aとされている。
活性層22で発生した光は、共振器23内を往復した後、開口部26aを介して外部に出射される。
アノード電極Taは、コンタクト層26上において、基板Bを平面視した際に例えば環状(リング状)等の中央部が開口された形状により形成されている。コンタクト層26において、上部にアノード電極Taが形成されてない部分は開口部26aとされている。
活性層22で発生した光は、共振器23内を往復した後、開口部26aを介して外部に出射される。
ここで、チップCp2におけるカソード電極Tcは、基板Bにおける配線層に形成されたグランド配線Lgを介してグランドに接続される。
また、図中において、パッドPaは、基板B上に形成されたアノード電極用のパッドを表している。このパッドPaは、基板Bの配線層に形成された配線Ldを介して、駆動回路30が有する何れか一つの駆動素子Q1のドレインと接続されている。
また、図中において、パッドPaは、基板B上に形成されたアノード電極用のパッドを表している。このパッドPaは、基板Bの配線層に形成された配線Ldを介して、駆動回路30が有する何れか一つの駆動素子Q1のドレインと接続されている。
図中では、一つの発光素子2aのみについて、アノード電極Taが、チップCp2上に形成されたアノード配線La及びボンディングワイヤBWを介して一つのパッドPaに接続されることを示しているが、基板Bには発光素子2aごとのパッドPa及び配線Ldが形成され、またチップCp2上には発光素子2aごとのアノード配線Laがそれぞれ形成されており、個々の発光素子2aのアノード電極Taは、それぞれ対応するアノード配線La及びボンディングワイヤBWを介して対応するパッドPaに接続される。
続いて、図10の場合、チップCp2としては裏面照射型のチップCp2を用いる。すなわち、図9の例のように半導体基板20の上層側方向(表面方向)に光を出射するのではなく、半導体基板20の裏面方向に光を出射するタイプのチップCp2を用いる。
この場合、アノード電極Taには、光出射用の開口は形成されず、コンタクト層26に開口部26aは形成されない。
この場合、アノード電極Taには、光出射用の開口は形成されず、コンタクト層26に開口部26aは形成されない。
駆動部3(駆動回路30)が形成されたチップCp3(又はチップCp34:以下、図10の説明において同様)においては、発光素子2aごとに、アノード電極Taとの電気的接続を行うためのパッドPaが形成されている。チップCp3の配線層には、パッドPaごとに配線Ldが形成されている。図示は省略したが、これら配線Ldにより、各パッドPaは、チップCp3内に形成された駆動回路30における対応する一つの駆動素子Q1のドレインと接続される。
また、チップCp2において、カソード電極Tcは、それぞれ配線Lc1、配線Lc2を介して電極Tc1、電極Tc2と接続されている。電極Tc1、電極Tc2は、それぞれチップCp3に形成されたパッドPc1、パッドPc2と接続するための電極とされる。
チップCp3の配線層には、パッドPc1と接続されたグランド配線Lg1、パッドPc2と接続されたグランド配線Lg2が形成されている。図示は省略したが、これらグランド配線Lg1、Lg2はグランドに接続されている。
チップCp3の配線層には、パッドPc1と接続されたグランド配線Lg1、パッドPc2と接続されたグランド配線Lg2が形成されている。図示は省略したが、これらグランド配線Lg1、Lg2はグランドに接続されている。
チップCp2における各アノード電極TaとチップCp3における各パッドPaとの接続、及びチップCp2における電極Tc1、電極Tc2とチップCp3におけるパッドPc1、パッドPc2との接続はそれぞれ半田バンプHbを介して行われている。
つまり、この場合におけるチップCp2のチップCp3に対する実装は、いわゆるフリップチップ実装により行われている。
つまり、この場合におけるチップCp2のチップCp3に対する実装は、いわゆるフリップチップ実装により行われている。
<6.電源電圧の調整>
先の図3等を参照して分かるように、本実施形態では、複数の発光素子2aを共通の電源電圧Vsに基づき駆動する構成を採っている。
この際、VCSELとしての発光素子2aは順方向電圧が個体によりばらつくため、発光部2における全ての発光素子2aを適切に発光可能とするには、電源電圧Vsの高さを全ての発光素子2aの順方向電圧以上の高さに設定することを要する。
先の図3等を参照して分かるように、本実施形態では、複数の発光素子2aを共通の電源電圧Vsに基づき駆動する構成を採っている。
この際、VCSELとしての発光素子2aは順方向電圧が個体によりばらつくため、発光部2における全ての発光素子2aを適切に発光可能とするには、電源電圧Vsの高さを全ての発光素子2aの順方向電圧以上の高さに設定することを要する。
図11は、従来における電源電圧Vsの設定例を説明するための図である。
図3や図4に示した構成では、発光素子2aに一定の駆動電流Idを流すために駆動回路30(カレントミラー回路)を設けているため、電源電圧Vsは各発光素子2aの順方向電圧のみでなく駆動回路30における各駆動素子Q1の動作電圧も考慮して設定されるべきである。
図11Aでは、各発光素子2aの順方向電圧(VF1、VF2、VF3、VF4)と各駆動素子Q1の動作電圧(Vt1、Vt2、Vt3、Vt4)とを考慮した電源電圧Vsの設定例を模式的に表している。なお、各駆動素子Q1の動作電圧は発光素子2aの順方向電圧に対して相当に小さいものである。
図中の例では、3番目の発光素子2aの順方向電圧VF3が最も高いため、この場合の電源電圧Vsは、順方向電圧VF3と動作電圧Vt3(3番目の発光素子2aに接続された駆動素子Q1の動作電圧)とを加算した電圧(図中「Vmax」)以上の高さに設定すればよい。但し、発光素子2aの順方向電圧がどの程度ばらついているかを把握することは困難であるため、実際には、マージンも考慮して電源電圧Vsは電圧Vmaxよりも高く設定されることになる。
図3や図4に示した構成では、発光素子2aに一定の駆動電流Idを流すために駆動回路30(カレントミラー回路)を設けているため、電源電圧Vsは各発光素子2aの順方向電圧のみでなく駆動回路30における各駆動素子Q1の動作電圧も考慮して設定されるべきである。
図11Aでは、各発光素子2aの順方向電圧(VF1、VF2、VF3、VF4)と各駆動素子Q1の動作電圧(Vt1、Vt2、Vt3、Vt4)とを考慮した電源電圧Vsの設定例を模式的に表している。なお、各駆動素子Q1の動作電圧は発光素子2aの順方向電圧に対して相当に小さいものである。
図中の例では、3番目の発光素子2aの順方向電圧VF3が最も高いため、この場合の電源電圧Vsは、順方向電圧VF3と動作電圧Vt3(3番目の発光素子2aに接続された駆動素子Q1の動作電圧)とを加算した電圧(図中「Vmax」)以上の高さに設定すればよい。但し、発光素子2aの順方向電圧がどの程度ばらついているかを把握することは困難であるため、実際には、マージンも考慮して電源電圧Vsは電圧Vmaxよりも高く設定されることになる。
図11Bは、図11Aで説明した手法により電源電圧Vsの高さを設定した場合の消費電力を斜線部により模式的に表している。この図11Bを参照して分かるように、従来の設定手法では消費電力が高まる傾向となる。
本実施形態では、複数の発光素子2aを共通の電源電圧Vsに基づき駆動する構成において、それら発光素子2aの全てを適正に発光可能としながら消費電力の削減を図ることを目的とする。
このため、本実施形態では、電源電圧Vsを発光素子2aの順方向電圧に応じて調整するという手法を採る。具体的には、複数の発光素子2aの順方向電圧のうちの最高電圧に応じて電源電圧Vsを調整する。
このため、本実施形態では、電源電圧Vsを発光素子2aの順方向電圧に応じて調整するという手法を採る。具体的には、複数の発光素子2aの順方向電圧のうちの最高電圧に応じて電源電圧Vsを調整する。
図12は、実施形態としての電源電圧Vsの調整例についての説明図である。
図示のように本実施形態では、電源電圧Vsの高さを電圧Vmaxの高さに合わせるように調整する。具体的には、複数の発光素子2aの順方向電圧のうちの最高電圧と、駆動素子Q1の動作電圧とを加算した電圧の高さに調整する。この調整は、図3に示した電圧調整部41によって行う。
図示のように本実施形態では、電源電圧Vsの高さを電圧Vmaxの高さに合わせるように調整する。具体的には、複数の発光素子2aの順方向電圧のうちの最高電圧と、駆動素子Q1の動作電圧とを加算した電圧の高さに調整する。この調整は、図3に示した電圧調整部41によって行う。
ここで、駆動素子Q1の動作電圧は発光素子2aの順方向電圧(例えば2V〜2.5V程度)に対して相当に小さいものであり、そのばらつき幅も非常に小さい。このため本例では、駆動素子Q1ごとに個別に動作電圧を扱うものとはせず、各駆動素子Q1に共通の動作電圧(以下「動作電圧Vt」と表記する)を扱うこととする。
この際、動作電圧Vtを低めに見積もってしまうと、順方向電圧の最も高い発光素子2aが発光しなくなる虞があるため、動作電圧Vtについてはマージンを考慮して比較的高めに設定する。
この際、動作電圧Vtを低めに見積もってしまうと、順方向電圧の最も高い発光素子2aが発光しなくなる虞があるため、動作電圧Vtについてはマージンを考慮して比較的高めに設定する。
図12Bは、図12Aのように電源電圧Vsを調整した場合の消費電力を斜線部により模式的に表している。
先の図11Bの場合と比較して、電源電圧Vsの高さが最小限に抑えられ、消費電力の削減が図られることが分かる。具体的には、図11Bの場合に対して図中の梨地部分の電力が削減されることになる。
先の図11Bの場合と比較して、電源電圧Vsの高さが最小限に抑えられ、消費電力の削減が図られることが分かる。具体的には、図11Bの場合に対して図中の梨地部分の電力が削減されることになる。
また、本例では、駆動回路30に発光素子2aごと(駆動素子Q1ごと)のスイッチSWが設けられたことで、各発光素子2aを個別にON/OFF制御することが可能とされている。すなわち、各発光素子2aを個別駆動可能とされている。
このように各発光素子2aを個別駆動可能とされていることで、一部の発光素子2aをON、他の発光素子2aをOFFとすることが可能となり、順方向電圧が最高の発光素子2aがOFFされ得る。
一例としては、発光部2を発光パターン(二次元の明暗パターン)の異なる複数の発光モードで発光させる場合を挙げることができる。例えば、第一発光モードでは、図13Aに示すように1番目と3番目の発光素子2aを発光状態、2番目と4番目の発光素子2aを非発光状態とする発光パターンにより発光部2を発光させ、第二発光モードでは、図13Bに示すように2番目と4番目の発光素子2aを発光状態、1番目と3番目の発光素子2aを非発光状態とする発光パターンにより発光部2を発光させるという例が挙げられる。
この場合、図中の例のように3番目の発光素子2aの順方向電圧が最も高かったとすると、図13Bに示す第二発光モード時では3番目の発光素子2aがOFFとされるため、第一発光モード時よりも電源電圧Vsが下げられることになる。具体的に、この場合の第二発光モード時には、順方向電圧がより低い4番目の発光素子2aの順方向電圧に応じて電源電圧Vsが調整される。
このように各発光素子2aを個別駆動可能とされていることで、一部の発光素子2aをON、他の発光素子2aをOFFとすることが可能となり、順方向電圧が最高の発光素子2aがOFFされ得る。
一例としては、発光部2を発光パターン(二次元の明暗パターン)の異なる複数の発光モードで発光させる場合を挙げることができる。例えば、第一発光モードでは、図13Aに示すように1番目と3番目の発光素子2aを発光状態、2番目と4番目の発光素子2aを非発光状態とする発光パターンにより発光部2を発光させ、第二発光モードでは、図13Bに示すように2番目と4番目の発光素子2aを発光状態、1番目と3番目の発光素子2aを非発光状態とする発光パターンにより発光部2を発光させるという例が挙げられる。
この場合、図中の例のように3番目の発光素子2aの順方向電圧が最も高かったとすると、図13Bに示す第二発光モード時では3番目の発光素子2aがOFFとされるため、第一発光モード時よりも電源電圧Vsが下げられることになる。具体的に、この場合の第二発光モード時には、順方向電圧がより低い4番目の発光素子2aの順方向電圧に応じて電源電圧Vsが調整される。
このように複数の発光素子2aを個別駆動可能に構成されていることで、順方向電圧が最高の発光素子2aがOFFされ得るものとなり、電源電圧Vsが下げられる機会が与えられるため、消費電力の削減を図ることができる。
図14は、上記により説明した実施形態としての電源電圧調整を実現するための電圧調整部41の内部構成例を説明するための図である。なお、図14では電圧調整部41の内部構成例と共に、駆動回路30と発光部2とを併せて示している。
図示のように電圧調整部41は、定電流源42、抵抗R1、ダイオードD2、定電流源43、検出ラインLdごとに設けられたダイオードD1、トランジスタQ3、トランジスタQ4、インダクタLo、平滑コンデンサCo、差動アンプ44、コンパレータ45、三角波発生回路46、及びプリドライブ回路47を備えている。
図示のように電圧調整部41は、定電流源42、抵抗R1、ダイオードD2、定電流源43、検出ラインLdごとに設けられたダイオードD1、トランジスタQ3、トランジスタQ4、インダクタLo、平滑コンデンサCo、差動アンプ44、コンパレータ45、三角波発生回路46、及びプリドライブ回路47を備えている。
電圧調整部41において、DC/DCコンバータ40からの出力電圧Voの供給ラインとグランドとの間には、定電流源42、抵抗R1、ダイオードD2、及び定電流源43が直列に挿入されている。図示のように定電流源42は出力電圧Voの供給ラインと抵抗R1の一端との間に挿入され、ダイオードD2は、アノードが抵抗R1の他端と接続され、カソードが定電流源42と接続されている。定電流源42は、ダイオードD2のカソードとグランドとの間に挿入されている。
図示のようにダイオードD1は検出ラインLdごとに挿入され、各ダイオードD1は、それぞれアノードが対応する発光素子2aの電極(この場合はアノード、図4に示した駆動回路30Aを採用する場合はカソードとなる)と接続され、カソードがダイオードD2のカソードと定電流源42との接続点に接続されている。
これらダイオードD1は、出力電圧Voの供給ラインから発光素子2a側に電流が逆流することを防止する逆流防止素子として機能する。
これらダイオードD1は、出力電圧Voの供給ラインから発光素子2a側に電流が逆流することを防止する逆流防止素子として機能する。
また、電圧調整部41において、出力電圧Voの供給ラインとグランドとの間には、上記した定電流源42、抵抗R1、ダイオードD2、及び定電流源43の直列接続回路と並列にトランジスタQ3とトランジスタQ4による直列接続回路が挿入されている。
本例では、これらトランジスタQ3、Q4にはFETが用いられ、トランジスタQ3はPチャンネル型のMOSFET、トランジスタQ4はNチャンネル型のMOSFETとされる。
トランジスタQ3は、ソースが出力電圧Voの供給ラインと定電流源42との接続点に接続され、ドレインがトランジスタQ4のドレインと接続されている。トランジスタQ4のソースはグランドに接続されている。
本例では、これらトランジスタQ3、Q4にはFETが用いられ、トランジスタQ3はPチャンネル型のMOSFET、トランジスタQ4はNチャンネル型のMOSFETとされる。
トランジスタQ3は、ソースが出力電圧Voの供給ラインと定電流源42との接続点に接続され、ドレインがトランジスタQ4のドレインと接続されている。トランジスタQ4のソースはグランドに接続されている。
トランジスタQ3とトランジスタQ4のドレイン同士の接続点は、インダクタLoの一端と接続され、インダクタLoの他端は平滑コンデンサCoの正極端子と接続されている。平滑コンデンサCoの負極端子はグランドに接続されている。この平滑コンデンサCoの両端電圧が電源電圧Vsとして電圧調整部41より出力される。
差動アンプ44は 正極入力端子に電源電圧Vsが入力され、負極入力端子に定電流源42と抵抗R1との接続点に得られる電圧が入力される。
コンパレータ45は、非反転端子に差動アンプ44の出力電圧が、反転端子に三角波発生回路46が出力する三角波信号が入力され、これら差動アンプ44の出力電圧と三角波信号との比較結果に応じたPWM(Pulse Width Modulation)信号を出力する。
プリドライブ回路47は、コンパレータ45より入力されるPWM信号を増幅してトランジスタQ3とトランジスタQ4の各ゲートに出力する。
コンパレータ45は、非反転端子に差動アンプ44の出力電圧が、反転端子に三角波発生回路46が出力する三角波信号が入力され、これら差動アンプ44の出力電圧と三角波信号との比較結果に応じたPWM(Pulse Width Modulation)信号を出力する。
プリドライブ回路47は、コンパレータ45より入力されるPWM信号を増幅してトランジスタQ3とトランジスタQ4の各ゲートに出力する。
上記構成による電圧調整部41においては、図中に「Pd」と示す、抵抗R1とダイオードD2との接続点において、各発光素子2aの順方向電圧のうちの最高電圧が得られる。
このとき、検出ラインLdを介して入力される順方向電圧は、検出ラインLdに挿入された逆流防止用のダイオードD1により一段下げられるが、ダイオードD1と抵抗R1との間に挿入されたダイオードD2によって下げられた分の電圧が回復されるため、接続点Pdには上記最高電圧と同等の高さの電圧が得られる。
このとき、検出ラインLdを介して入力される順方向電圧は、検出ラインLdに挿入された逆流防止用のダイオードD1により一段下げられるが、ダイオードD1と抵抗R1との間に挿入されたダイオードD2によって下げられた分の電圧が回復されるため、接続点Pdには上記最高電圧と同等の高さの電圧が得られる。
そして、電圧調整部41において、抵抗R1は、両端電圧として駆動素子Q1の動作電圧Vtと同等の電圧が得られるように抵抗値が設定されている。このため、差動アンプ44の反転端子には、各発光素子2aの順方向電圧のうちの最高電圧と動作電圧Vtとを加算した電圧、すなわち図12や図13に示した電圧Vmaxが入力される。
これにより、コンパレータ45が出力するPWM信号は、ON又はOFFデューティが電圧Vmaxと電源電圧Vsとの差分に応じて調整される。
これにより、コンパレータ45が出力するPWM信号は、ON又はOFFデューティが電圧Vmaxと電源電圧Vsとの差分に応じて調整される。
電圧調整部41においては、このようにON又はOFFデューティが調整されたPWM信号に基づきトランジスタQ3とトランジスタQ4が交互にON/OFFされる。トランジスタQ3がONとされトランジスタQ4がOFFとされる期間には、出力電圧Voの供給ラインよりインダクタLoを介して平滑コンデンサCoに充電電流が流れ、一方、トランジスタQ3がOFFとされトランジスタQ4がONとされる期間には平滑コンデンサCoは充電されず、放電する。
このような動作が繰り返されることで、電源電圧Vsの高さがPWM信号のON又はOFFデューティに応じて調整される。すなわち、電源電圧Vsの高さが電圧Vmaxと一致するように電源電圧Vsが調整される。
このような動作が繰り返されることで、電源電圧Vsの高さがPWM信号のON又はOFFデューティに応じて調整される。すなわち、電源電圧Vsの高さが電圧Vmaxと一致するように電源電圧Vsが調整される。
ここで、図14に示した電圧調整部41では、複数の検出ラインLdを1本のラインに纏めて該1本のラインにおいて最も高い電圧が得られるようにしているが、このような構成を採ることで、各順方向電圧を比較して最高電圧を判定する回路を設ける必要がなくなり、回路構成の簡略化を図ることができる。
なお、電源電圧Vsを各発光素子2aの順方向電圧のうちの最高電圧に応じて調整するための構成は図14に示したものに限定されず、例えば図15の電圧調整部41Aとして例示するように、各発光素子2aの順方向電圧を差動アンプ44Aに入力する構成を採ることもできる。
図16は、電圧調整部41Aが有する差動アンプ44Aの内部構成例を示している。
差動アンプ44Aとしては、基本的には、複数のトランジスタを組み合わせた一般的な構成を採っている。トランジスタQ5、Q6は差動対を構成するトランジスタとされ、トランジスタQ7、Q8はカレントミラー回路を構成するトランジスタとされる。
本例では、トランジスタQ5、Q6、Q7、Q8にはFETが用いられ、トランジスタQ5、Q6はNチャンネル型MOSFET、トランジスタQ7、Q8にはPチャンネル型MOSFETとされる。図示のようにトランジスタQ7、Q8は、それぞれソースが電源電圧Vssに接続されると共に、各ゲートがトランジスタQ7のドレインと接続されてカレントミラー回路を構成している。
トランジスタQ7のドレインはトランジスタQ5のドレインと接続されている。トランジスタQ5のソースは定電流源48を介してグランドに接続されている。
トランジスタQ5のゲートは、差動アンプ44Aの正極入力端子として機能する。
差動アンプ44Aとしては、基本的には、複数のトランジスタを組み合わせた一般的な構成を採っている。トランジスタQ5、Q6は差動対を構成するトランジスタとされ、トランジスタQ7、Q8はカレントミラー回路を構成するトランジスタとされる。
本例では、トランジスタQ5、Q6、Q7、Q8にはFETが用いられ、トランジスタQ5、Q6はNチャンネル型MOSFET、トランジスタQ7、Q8にはPチャンネル型MOSFETとされる。図示のようにトランジスタQ7、Q8は、それぞれソースが電源電圧Vssに接続されると共に、各ゲートがトランジスタQ7のドレインと接続されてカレントミラー回路を構成している。
トランジスタQ7のドレインはトランジスタQ5のドレインと接続されている。トランジスタQ5のソースは定電流源48を介してグランドに接続されている。
トランジスタQ5のゲートは、差動アンプ44Aの正極入力端子として機能する。
ここで、電圧調整部41Aにおいては、電源電圧Vsを差動アンプ44Aにフィードバック入力するためのライン上に抵抗R1が挿入されている。この場合の抵抗R1は、一端がインダクタLoと平滑コンデンサCoとの接続点に接続され(図15参照)、他端が定電流源42を介してグランドに接続されている。
トランジスタQ5のゲートは、抵抗R1と定電流源42との接続点に接続され、これにより抵抗R1を介して電源電圧Vsがフィードバック入力される。
電圧調整部41Aにおいては、このように抵抗R1を介して差動アンプ44Aに電源電圧Vsをフィードバックする構成としていることで、電源電圧Vsの調整が発光素子2aの順方向電圧と駆動素子Q1の動作電圧Vtとに応じて行われるようにしている。
トランジスタQ5のゲートは、抵抗R1と定電流源42との接続点に接続され、これにより抵抗R1を介して電源電圧Vsがフィードバック入力される。
電圧調整部41Aにおいては、このように抵抗R1を介して差動アンプ44Aに電源電圧Vsをフィードバックする構成としていることで、電源電圧Vsの調整が発光素子2aの順方向電圧と駆動素子Q1の動作電圧Vtとに応じて行われるようにしている。
トランジスタQ6は、ゲートが差動アンプ44Aの負極入力端子として機能する。本例の差動アンプ44Aにおいては、このトランジスタQ6を検出ラインLdごとに設けることで、最高電圧と電源電圧Vs(この場合は動作電圧Vt分が差し引かれている)との差分に応じた出力電圧が得られるようにしている。
具体的に、各トランジスタQ6のゲートには、それぞれ対応する検出ラインLdを介して対応する発光素子2aの順方向電圧が入力される。各トランジスタQ6は、ドレインがトランジスタQ8のドレインと接続され、ソースが定電流源48を介してグランドに接続されている。各トランジスタQ6のドレインとトランジスタQ8のドレインとの接続点が、差動アンプ44Aの出力端子として機能する。
具体的に、各トランジスタQ6のゲートには、それぞれ対応する検出ラインLdを介して対応する発光素子2aの順方向電圧が入力される。各トランジスタQ6は、ドレインがトランジスタQ8のドレインと接続され、ソースが定電流源48を介してグランドに接続されている。各トランジスタQ6のドレインとトランジスタQ8のドレインとの接続点が、差動アンプ44Aの出力端子として機能する。
上記構成による差動アンプ44Aにおいては、トランジスタQ5に電源電圧Vsに基づくゲート電圧が印加されることでトランジスタQ5がON状態とされ、これに伴い、トランジスタQ7及びQ8もON状態とされる。この際、トランジスタQ5のドレイン−ソース間を流れる電流I5とトランジスタQ7のソース−ドレイン間を流れる電流I7は一致し、また、トランジスタQ7及びQ8はカレントミラー回路を構成しているためトランジスタQ8のソース−ドレイン間を流れる電流I8の電流I5及びI7と電流値が一致する。
このとき、差動アンプ44Aの出力端子(各トランジスタQ6とトランジスタQ8のドレイン同士の接続点)と定電流源48との間を流れる電流I6は、各トランジスタQ6のうち順方向電圧の最高電圧が入力されるトランジスタQ6のドレイン−ソース間の電流と一致する。このため、差動アンプ44Aの出力ライン(コンパレータ45との接続ライン)には、電流I6と電流I8(=I5)との差分に応じた電流が流れ、これにより差動アンプ44Aの出力端子には順方向電圧の最高電圧と「電源電圧Vs−動作電圧Dt」による電圧との差分に応じた電圧が生じる。
このとき、差動アンプ44Aの出力端子(各トランジスタQ6とトランジスタQ8のドレイン同士の接続点)と定電流源48との間を流れる電流I6は、各トランジスタQ6のうち順方向電圧の最高電圧が入力されるトランジスタQ6のドレイン−ソース間の電流と一致する。このため、差動アンプ44Aの出力ライン(コンパレータ45との接続ライン)には、電流I6と電流I8(=I5)との差分に応じた電流が流れ、これにより差動アンプ44Aの出力端子には順方向電圧の最高電圧と「電源電圧Vs−動作電圧Dt」による電圧との差分に応じた電圧が生じる。
図16に例示した構成によっても、図14に示した構成と同様、各検出ラインLdに得られる順方向電圧を比較し最高電圧を判定するための回路を設ける必要がなく、回路構成の簡略化を図ることができる。
なお、図16では発光素子2aのアノード側に接続される駆動回路30を用いる構成を例示したが、図4に示したように発光素子2aのカソード側に接続される駆動回路30Aを用いた構成とすることも可能である。
また、電圧調整部41に代えて電圧調整部41Aを用いた構成とすることもできる。
また、電圧調整部41に代えて電圧調整部41Aを用いた構成とすることもできる。
ここで、図14や図16等を参照して分かるように、本実施形態では、電源電圧Vsの調整にあたり、発光素子2aと同数の検出ラインLdを駆動部3と電源回路4(電圧調整部)との間に配設することを要する。図の例では発光素子2aの数を「4」としているが、実際には数百や数千等のより多数の発光素子2aを設けることが想定されている。
この点を考慮すると、例えば図5Aや図7Aのように駆動部3と電源回路4とを別チップとした場合には、多数の検出ラインLdをチップ間に配設することを要し、チップを搭載する基板Bのサイズ拡大化や設計自由度の低下を招来する虞がある。
一方で、図5Bや図7Bのように駆動部3と電源回路4を同一チップ(チップCp34)に形成すれば、各検出ラインLdはチップ内配線により形成することが可能とされるため、検出ラインLdの配線をチップ間に多数配設せずに済み、基板Bのサイズ縮小化や設計自由度向上を図ることができる。
この点を考慮すると、例えば図5Aや図7Aのように駆動部3と電源回路4とを別チップとした場合には、多数の検出ラインLdをチップ間に配設することを要し、チップを搭載する基板Bのサイズ拡大化や設計自由度の低下を招来する虞がある。
一方で、図5Bや図7Bのように駆動部3と電源回路4を同一チップ(チップCp34)に形成すれば、各検出ラインLdはチップ内配線により形成することが可能とされるため、検出ラインLdの配線をチップ間に多数配設せずに済み、基板Bのサイズ縮小化や設計自由度向上を図ることができる。
図17は、変形例としての光源装置100Aの構成例を示している。
光源装置100Aは、発光部2が複数の発光素子群Gを有し、発光素子群Gごとに電源電圧Vsの調整を行うものである。
図示のように光源装置100Aは、電源回路4に代えて電源回路4Aが設けられ、また駆動部3に代えて駆動部3Aが設けられた点が光源装置100と異なる。この場合、発光部2においては、複数の発光素子2aを含む発光素子群Gを複数有している(図の例では発光素子群G21、発光素子群G22の二つ)。なお、各発光素子群Gが含む発光素子2aの数は同数であっても異数であってもよい。
光源装置100Aは、発光部2が複数の発光素子群Gを有し、発光素子群Gごとに電源電圧Vsの調整を行うものである。
図示のように光源装置100Aは、電源回路4に代えて電源回路4Aが設けられ、また駆動部3に代えて駆動部3Aが設けられた点が光源装置100と異なる。この場合、発光部2においては、複数の発光素子2aを含む発光素子群Gを複数有している(図の例では発光素子群G21、発光素子群G22の二つ)。なお、各発光素子群Gが含む発光素子2aの数は同数であっても異数であってもよい。
電源回路4Aは、発光素子群GごとにDC/DCコンバータ40と電圧調整部41を有している。各DC/DCコンバータ40には個別の入力電圧Vinが供給され、図示のように一方のDC/DCコンバータ40には入力電圧Vin1が、他方のDC/DCコンバータ40には入力電圧Vin2が供給される。
各電圧調整部41には、それぞれ対応するDC/DCコンバータ40からの出力電圧Voが入力される。図中では、一方のDC/DCコンバータ40の出力電圧Voを「Vo1」、他方のDC/DCコンバータ40の出力電圧Voを「Vo2」と表記している。また、各電圧調整部41が出力する電源電圧Vsを区別して「Vs1」「Vs2」と表記している。
各電圧調整部41には、それぞれ対応する発光素子群Gにおける各発光素子2aの順方向電圧が対応する検出ラインLdを介して入力される。
各電圧調整部41には、それぞれ対応するDC/DCコンバータ40からの出力電圧Voが入力される。図中では、一方のDC/DCコンバータ40の出力電圧Voを「Vo1」、他方のDC/DCコンバータ40の出力電圧Voを「Vo2」と表記している。また、各電圧調整部41が出力する電源電圧Vsを区別して「Vs1」「Vs2」と表記している。
各電圧調整部41には、それぞれ対応する発光素子群Gにおける各発光素子2aの順方向電圧が対応する検出ラインLdを介して入力される。
駆動部3Aは、それぞれが異なる電圧調整部41からの電源電圧Vsを入力し対応する発光素子群Gの発光素子2aを駆動する複数の駆動回路30を備えている(図17では図示の都合から駆動回路30の内部構成は省略している)。
この場合の駆動制御部31は、各駆動回路30におけるスイッチSWのON/OFF制御を行う。
この場合の駆動制御部31は、各駆動回路30におけるスイッチSWのON/OFF制御を行う。
図17に示す光源装置100Aにおいては、発光素子群Gごとに共用される電源電圧Vsが、各電圧調整部41により発光素子群Gごとに個別に調整される。このような構成により、発光部2における全ての発光素子2aを適切に発光可能とするためには、各電源電圧Vsはそれぞれ供給先の発光素子群Gにおける順方向電圧の最高電圧に合わせて調整すればよく、発光部2内の全ての発光素子2aの順方向電圧のうちの最高電圧に合わせて調整する必要はなくなる。
従って、各発光素子群Gにおいて順方向電圧の最高電圧が同一でなければ、一部の発光素子群Gの電源電圧Vsは、発光部2内の全ての発光素子2aの順方向電圧のうちの最高電圧よりも下げることができ、各発光素子群Gに共通の電源電圧Vsを供給する構成を採る場合と比較して、消費電力の削減効果を高めることができる。
従って、各発光素子群Gにおいて順方向電圧の最高電圧が同一でなければ、一部の発光素子群Gの電源電圧Vsは、発光部2内の全ての発光素子2aの順方向電圧のうちの最高電圧よりも下げることができ、各発光素子群Gに共通の電源電圧Vsを供給する構成を採る場合と比較して、消費電力の削減効果を高めることができる。
ここで、図17に示す構成において、発光部2における発光素子群Gの区別は、発光素子2aの特性や用途等による区別とすることができる。例えば、発光素子群Gごとに発光素子2aの特性が異なる場合には、発光素子群Gごとに発光素子2aの順方向電圧が比較的大きく異なることもある。その場合には、発光素子群G間の電源電圧Vsの差が大きくなり、発光部2内の全ての発光素子2aで電源電圧Vsを共用する場合からの消費電力削減効果を高めることができる。
なお、これまでの説明では、順方向電圧の最高電圧を基準に電源電圧Vsを調整したが、電源電圧Vsの調整は、例えば2番目に高い順方向電圧を基準とする、或いは所定閾値以上の順方向電圧を基準として行う等、最高電圧を基準に行うことに限られない。
例えば、2番目に高い順方向電圧や所定閾値以上の順方向電圧を基準とした場合であっても、それら基準とする順方向電圧に対し動作電圧Vtのようなマージン電圧を加算してフィードバックする構成を採るものとすれば、該マージン電圧の設定により、電源電圧Vsの高さを最高電圧以上とすることが可能である。すなわち、電源電圧Vsを共用する全ての発光素子2aを適切に発光させることが可能となる。
例えば、2番目に高い順方向電圧や所定閾値以上の順方向電圧を基準とした場合であっても、それら基準とする順方向電圧に対し動作電圧Vtのようなマージン電圧を加算してフィードバックする構成を採るものとすれば、該マージン電圧の設定により、電源電圧Vsの高さを最高電圧以上とすることが可能である。すなわち、電源電圧Vsを共用する全ての発光素子2aを適切に発光させることが可能となる。
<7.実施形態のまとめ及び変形例>
上記のように実施形態としての光源装置(測距装置1、光源装置100、100A)は、垂直共振器面発光レーザによる発光素子(同2a)が複数配列された発光部(同2)と、発光部における複数の発光素子の駆動に共通に用いられる電源電圧を、発光素子の順方向電圧に応じて調整する電圧調整部(同41又は41A)と、を備えるものである。
上記のように実施形態としての光源装置(測距装置1、光源装置100、100A)は、垂直共振器面発光レーザによる発光素子(同2a)が複数配列された発光部(同2)と、発光部における複数の発光素子の駆動に共通に用いられる電源電圧を、発光素子の順方向電圧に応じて調整する電圧調整部(同41又は41A)と、を備えるものである。
これにより、発光素子の順方向電圧が高ければ電源電圧を高くし、また発光素子の順方向電圧が低ければ電源電圧を低くする等、電源電圧を発光素子の順方向電圧に応じて適切に調整することが可能とされる。
従って、垂直共振器面発光レーザによる複数の発光素子を共通の電源電圧に基づき駆動する構成において、それら発光素子の全てを適正に発光可能としながら消費電力の削減を図ることができる。
従って、垂直共振器面発光レーザによる複数の発光素子を共通の電源電圧に基づき駆動する構成において、それら発光素子の全てを適正に発光可能としながら消費電力の削減を図ることができる。
また、実施形態としての光源装置においては、電圧調整部は、複数の発光素子の順方向電圧のうちの最高電圧に応じて電源電圧を調整している。
これにより、共通の電源電圧が順方向電圧の最も高い発光素子の順方向電圧に応じて調整される。
従って、電源電圧を共用する全ての発光素子を適切に発光可能としながら、消費電力を最小限に抑えることができる。
従って、電源電圧を共用する全ての発光素子を適切に発光可能としながら、消費電力を最小限に抑えることができる。
さらに、実施形態としての光源装置においては、電源電圧に基づき複数の発光素子を個別駆動可能に構成された駆動部(同3又は3A)を備えている。
これにより、電源電圧を共用する複数の発光素子のうち一部の発光素子をON、他の発光素子をOFFとすることが可能となり、順方向電圧が最高の発光素子がOFFされ得る。順方向電圧が最高の発光素子がOFFされることで、順方向電圧がより低い発光素子の順方向電圧に応じて電源電圧が調整される。
従って、複数の発光素子が個別駆動不能とされる場合と比較して、電源電圧が下げられる機会が与えられるため、消費電力の削減を図ることができる。
従って、複数の発光素子が個別駆動不能とされる場合と比較して、電源電圧が下げられる機会が与えられるため、消費電力の削減を図ることができる。
さらにまた、実施形態としての光源装置においては、電源電圧に基づき複数の発光素子に定電流を流すカレントミラー回路(駆動素子Q1、電流制御素子Q2、及び定電流源30a)を備えている。
これにより、発光素子に定電流を流すにあたって定電流制御機能付の電源回路を用いる必要がなくなる。
従って、回路構成の簡略化を図ることができる。
従って、回路構成の簡略化を図ることができる。
また、実施形態としての光源装置においては、カレントミラー回路が発光素子のアノード側に接続され、電圧調整部は、発光素子のアノードにおける電圧に応じて電源電圧を調整している。
これにより、カレントミラー回路が発光素子のアノード側に接続される場合において、電源電圧を発光素子の順方向電圧に応じて適切に調整することができる。
さらに、実施形態としての光源装置においては、カレントミラー回路が発光素子のカソード側に接続され、電圧調整部は、発光素子のカソードにおける電圧に応じて電源電圧を調整している。
これにより、カレントミラー回路が発光素子のカソード側に接続される場合において、電源電圧を発光素子の順方向電圧に応じて適切に調整することができる。
さらにまた、実施形態としての光源装置においては、電圧調整部は、電源電圧を発光素子の順方向電圧とカレントミラー回路における駆動素子(同Q1)の動作電圧とに応じて調整している。
これにより、カレントミラー回路を設けた場合に対応して、電源電圧が発光素子の順方向電圧と駆動素子の動作電圧とに応じて適切に調整される。
従って、電源電圧を共用する複数の発光素子のうち一部の発光素子(順方向電圧が高い発光素子)が発光しなくなることの防止効果をより高めることができる。
従って、電源電圧を共用する複数の発光素子のうち一部の発光素子(順方向電圧が高い発光素子)が発光しなくなることの防止効果をより高めることができる。
また、実施形態としての光源装置においては、電源電圧に基づき複数の発光素子を駆動する駆動部(同3又は3A)を備え、駆動部と電圧調整部が同一チップに形成されている。
これにより、電圧調整部が各発光素子の順方向電圧を検出入力するための検出ラインは、チップ内配線により形成することが可能とされる。
従って、検出ラインの配線をチップ間に多数配設せずに済むため、チップを搭載する基板のサイズ縮小化や設計自由度向上を図ることができる。
従って、検出ラインの配線をチップ間に多数配設せずに済むため、チップを搭載する基板のサイズ縮小化や設計自由度向上を図ることができる。
さらに、実施形態としての光源装置(同100A)においては、発光部は、複数の発光素子を含む発光素子群(同G)を複数有し、電圧調整部は、発光素子群ごとに共用される電源電圧について、発光素子群ごとに順方向電圧に応じた調整を行っている。
このように発光素子群ごとに共用される電源電圧を発光素子群ごとに個別に調整する構成とすれば、発光部における全ての発光素子を適切に発光可能とするために、各電源電圧はそれぞれ供給先の発光素子群における順方向電圧の最高電圧に合わせて調整すればよく、発光部内の全発光素子の順方向電圧のうちの最高電圧に合わせて調整する必要はなくなる。
従って、各発光素子群において順方向電圧の最高電圧が同一でなければ、一部の発光素子群の電源電圧は、発光部内の全発光素子の順方向電圧のうちの最高電圧よりも下げることができ、各発光素子群に共通の電源電圧を供給する構成を採る場合と比較して、消費電力の削減効果を高めることができる。
従って、各発光素子群において順方向電圧の最高電圧が同一でなければ、一部の発光素子群の電源電圧は、発光部内の全発光素子の順方向電圧のうちの最高電圧よりも下げることができ、各発光素子群に共通の電源電圧を供給する構成を採る場合と比較して、消費電力の削減効果を高めることができる。
また、実施形態としての調整方法は、垂直共振器面発光レーザによる発光素子が複数配列された発光部における複数の前記発光素子の駆動に共通に用いられる電源電圧を、前記発光素子の順方向電圧に応じて調整する調整方法である。
さらに、実施形態としてのセンシングモジュールは、上記した実施形態としての光源装置と、該光源装置が備える発光部(同2)より発せられ被写体によって反射された光を受光して撮像するイメージセンサ(同7)とを備えるものである(例えば、図7に示す構成を参照)。
さらに、実施形態としてのセンシングモジュールは、上記した実施形態としての光源装置と、該光源装置が備える発光部(同2)より発せられ被写体によって反射された光を受光して撮像するイメージセンサ(同7)とを備えるものである(例えば、図7に示す構成を参照)。
このような実施形態としての調整方法やセンシングモジュールによっても、上記した実施形態としての光源装置と同様の作用及び効果を得ることができる。
なお、上記では、発光素子2aごとにスイッチSWを設けて、発光素子2aごとの個別駆動を可能とする構成を例示したが、本技術において、発光素子2aごとの個別駆動を可能に構成することは必須ではない。
また、上記では本技術が測距装置に適用される例を挙げたが、本技術は測距用の光源への適用に限定されるものではない。
なお、本明細書に記載された効果はあくまでも例示であって限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。
<8.本技術>
なお本技術は以下のような構成も採ることができる。
(1)
垂直共振器面発光レーザによる発光素子が複数配列された発光部と、
前記発光部における複数の前記発光素子の駆動に共通に用いられる電源電圧を、前記発光素子の順方向電圧に応じて調整する電圧調整部と、を備える
光源装置。
(2)
前記電圧調整部は、
複数の前記発光素子の順方向電圧のうちの最高電圧に応じて前記電源電圧を調整する
前記(1)に記載の光源装置。
(3)
前記電源電圧に基づき複数の前記発光素子を個別駆動可能に構成された駆動部を備えた
前記(1)又は(2)に記載の光源装置。
(4)
前記電源電圧に基づき複数の前記発光素子に定電流を流すカレントミラー回路を備えた
前記(1)乃至(3)の何れかに記載の光源装置。
(5)
前記カレントミラー回路が前記発光素子のアノード側に接続され、
前記電圧調整部は、
前記発光素子のアノードにおける電圧に応じて前記電源電圧を調整する
前記(4)に記載の光源装置。
(6)
前記カレントミラー回路が前記発光素子のカソード側に接続され、
前記電圧調整部は、
前記発光素子のカソードにおける電圧に応じて前記電源電圧を調整する
前記(4)に記載の光源装置。
(7)
前記電圧調整部は、
前記電源電圧を前記発光素子の順方向電圧と前記カレントミラー回路における駆動素子の動作電圧とに応じて調整する
前記(4)乃至(6)の何れかに記載の光源装置。
(8)
前記電源電圧に基づき複数の前記発光素子を駆動する駆動部を備え、
前記駆動部と前記電圧調整部が同一チップに形成された
前記(1)乃至(7)の何れかに記載の光源装置。
(9)
前記発光部は、複数の前記発光素子を含む発光素子群を複数有し、
前記電圧調整部は、
前記発光素子群ごとに共用される電源電圧について、前記発光素子群ごとに前記順方向電圧に応じた調整を行う
前記(1)乃至(8)の何れかに記載の光源装置。
なお本技術は以下のような構成も採ることができる。
(1)
垂直共振器面発光レーザによる発光素子が複数配列された発光部と、
前記発光部における複数の前記発光素子の駆動に共通に用いられる電源電圧を、前記発光素子の順方向電圧に応じて調整する電圧調整部と、を備える
光源装置。
(2)
前記電圧調整部は、
複数の前記発光素子の順方向電圧のうちの最高電圧に応じて前記電源電圧を調整する
前記(1)に記載の光源装置。
(3)
前記電源電圧に基づき複数の前記発光素子を個別駆動可能に構成された駆動部を備えた
前記(1)又は(2)に記載の光源装置。
(4)
前記電源電圧に基づき複数の前記発光素子に定電流を流すカレントミラー回路を備えた
前記(1)乃至(3)の何れかに記載の光源装置。
(5)
前記カレントミラー回路が前記発光素子のアノード側に接続され、
前記電圧調整部は、
前記発光素子のアノードにおける電圧に応じて前記電源電圧を調整する
前記(4)に記載の光源装置。
(6)
前記カレントミラー回路が前記発光素子のカソード側に接続され、
前記電圧調整部は、
前記発光素子のカソードにおける電圧に応じて前記電源電圧を調整する
前記(4)に記載の光源装置。
(7)
前記電圧調整部は、
前記電源電圧を前記発光素子の順方向電圧と前記カレントミラー回路における駆動素子の動作電圧とに応じて調整する
前記(4)乃至(6)の何れかに記載の光源装置。
(8)
前記電源電圧に基づき複数の前記発光素子を駆動する駆動部を備え、
前記駆動部と前記電圧調整部が同一チップに形成された
前記(1)乃至(7)の何れかに記載の光源装置。
(9)
前記発光部は、複数の前記発光素子を含む発光素子群を複数有し、
前記電圧調整部は、
前記発光素子群ごとに共用される電源電圧について、前記発光素子群ごとに前記順方向電圧に応じた調整を行う
前記(1)乃至(8)の何れかに記載の光源装置。
1 測距装置、2 発光部、2a 発光素子、3,3A 駆動部、4,4A 電源回路、5 発光側光学系、6 撮像側光学系、7 イメージセンサ、8 画像処理部、9 制御部、9a 測距部、Cp2、Cp3、Cp4、Cp34、Cp7 チップ、30、30A 駆動回路、31 駆動制御部、Q1 駆動素子、Q2 電流制御素子、SW スイッチ、40 DC/DCコンバータ、41,41A 電圧調整部、Vs 電源電圧、Vd 駆動電圧、Ld 検出ライン、G21,G22 発光素子群、42,43,48 定電流源、44,44A 差動アンプ、45 コンパレータ、46 三角波発生回路、47 プリドライブ回路、Q3,Q4 スイッチング素子、R1 抵抗、D1,D2 ダイオード、Q5〜Q8 トランジスタ、100,100A 光源装置
Claims (11)
- 垂直共振器面発光レーザによる発光素子が複数配列された発光部と、
前記発光部における複数の前記発光素子の駆動に共通に用いられる電源電圧を、前記発光素子の順方向電圧に応じて調整する電圧調整部と、を備える
光源装置。 - 前記電圧調整部は、
複数の前記発光素子の順方向電圧のうちの最高電圧に応じて前記電源電圧を調整する
請求項1に記載の光源装置。 - 前記電源電圧に基づき複数の前記発光素子を個別駆動可能に構成された駆動部を備えた
請求項1に記載の光源装置。 - 前記電源電圧に基づき複数の前記発光素子に定電流を流すカレントミラー回路を備えた
請求項1に記載の光源装置。 - 前記カレントミラー回路が前記発光素子のアノード側に接続され、
前記電圧調整部は、
前記発光素子のアノードにおける電圧に応じて前記電源電圧を調整する
請求項4に記載の光源装置。 - 前記カレントミラー回路が前記発光素子のカソード側に接続され、
前記電圧調整部は、
前記発光素子のカソードにおける電圧に応じて前記電源電圧を調整する
請求項4に記載の光源装置。 - 前記電圧調整部は、
前記電源電圧を前記発光素子の順方向電圧と前記カレントミラー回路における駆動素子の動作電圧とに応じて調整する
請求項4に記載の光源装置。 - 前記電源電圧に基づき複数の前記発光素子を駆動する駆動部を備え、
前記駆動部と前記電圧調整部が同一チップに形成された
請求項1に記載の光源装置。 - 前記発光部は、複数の前記発光素子を含む発光素子群を複数有し、
前記電圧調整部は、
前記発光素子群ごとに共用される電源電圧について、前記発光素子群ごとに前記順方向電圧に応じた調整を行う
請求項1に記載の光源装置。 - 垂直共振器面発光レーザによる発光素子が複数配列された発光部における複数の前記発光素子の駆動に共通に用いられる電源電圧を、前記発光素子の順方向電圧に応じて調整する
調整方法。 - 垂直共振器面発光レーザによる発光素子が複数配列された発光部と、前記発光部における複数の前記発光素子の駆動に共通に用いられる電源電圧を、前記発光素子の順方向電圧に応じて調整する電圧調整部と、を有する光源装置と、
前記発光部より発せられ被写体によって反射された光を受光して撮像するイメージセンサと、を備える
センシングモジュール。
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JP2016146417A (ja) * | 2015-02-09 | 2016-08-12 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体発光装置及びそれを用いた距離計測装置並びに距離計測装置の駆動方法 |
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- 2018-08-31 JP JP2018163942A patent/JP2020038855A/ja active Pending
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- 2019-07-12 US US17/270,192 patent/US20210313768A1/en active Pending
- 2019-07-12 WO PCT/JP2019/027702 patent/WO2020044818A1/ja active Application Filing
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