JP2020038160A - 半導体素子、検体ユニット及びイオン濃度測定装置 - Google Patents
半導体素子、検体ユニット及びイオン濃度測定装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020038160A JP2020038160A JP2018166119A JP2018166119A JP2020038160A JP 2020038160 A JP2020038160 A JP 2020038160A JP 2018166119 A JP2018166119 A JP 2018166119A JP 2018166119 A JP2018166119 A JP 2018166119A JP 2020038160 A JP2020038160 A JP 2020038160A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- active layer
- solution
- light
- unit
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Abstract
Description
実施の形態1にかかるイオン濃度測定装置について説明する。図1に、実施の形態1にかかるイオン濃度測定装置100の基本構成を模式的に示す。イオン濃度測定装置100は、検体ユニット10、光源20及び光検出器30を有する。
式(1)において、Cはイオン濃度であり、ΔP2とΔCはそれぞれの微小変化量である。それぞれの変化量が小さいとき、式(1)の分子には[dB]、分母には[pH]という、いずれも対数の単位を適用することで、この式は以下のように変形される。
実施の形態2にかかるイオン濃度測定装置について説明する。図14に、実施の形態2にかかるイオン濃度測定装置200の基本構成を模式的に示す。イオン濃度測定装置200は、実施の形態1にかかるイオン濃度測定装置100の検体ユニット10を、検体ユニット70に置換した構成を有する。検体ユニット70は、溶液保持部である流路を有し、流路内に半導体素子が保持され、流路に溶液SLが流れる流路ユニットとして構成される。
実施の形態3にかかるイオン濃度測定装置について説明する。図16に、実施の形態3にかかるイオン濃度測定装置300の構成を模式的に示す。イオン濃度測定装置300は、図1に示すイオン濃度測定装置100に、フィルタ80を追加した構成を有する。フィルタ80は、センサチップ1や検体ユニット10の各部で反射された励起光P1を遮断し、かつ、放射光P2を透過する波長フィルタである。これにより、図16に示す簡易な構成において、光検出器30への励起光P1の入射を防止し、光検出器30にて放射光P2の強度を正確に検出することが可能となる。
なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、上述の実施の形態では、センサチップ1の活性層5はInGaAsPで構成されるものとして説明したが、溶液のpHによって発光強度が変動するならば、他の組成の化合物半導体材料などの各種の半導体材料を用いてもよい。
2、3 板状部材
4 半導体基板
4A 中空部
5 活性層
5A SQW層
5B、5C 分離閉じ込め層
6 流路セル
7 流路
10、70 検体ユニット
20 光源
30 光検出器
40 溶液供給部
50 光学系
51 レンズ
52 ダイクロイックミラー
60 処理部
80 フィルタ
100 イオン濃度測定装置
CON1、CON2、CON3 制御信号
H 孔部
OUT 出力信号
PC フォトニック結晶領域
P1 励起光
P2 放射光
SL 溶液
UC 単位格子
Claims (12)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に積層され、励起光が照射されることでフォトルミネッセンス又はレーザ発振による放射光を放射する活性層と、を備え、
前記活性層の主面上には複数の六角形の単位格子がハニカム状に配列され、
各単位格子の6つの頂点のそれぞれを中心として、かつ、中心の前記頂点から等しい距離に、前記活性層を貫通する複数の孔部が設けられることで、前記活性層にフォトニック結晶構造が構成される、
半導体素子。 - 各単位格子の6つの頂点のそれぞれを中心として、かつ、中心の前記頂点から等しい距離に、6つの孔部が設けられる、
請求項1に記載の半導体素子。 - 前記単位格子の六角形の辺の長さである格子定数は、420nm以上510nm以下である、
請求項2に記載の半導体素子。 - 前記孔部の中心と前記中心の頂点との距離を、前記格子定数で除算した値は、0.30である、
請求項3に記載の半導体素子。 - 前記孔部の直径を前記格子定数で除算した値は、0.14以上0.23以下である、
請求項3又は4に記載の半導体素子。 - 前記半導体基板は、InPからなり、
前記活性層は、InGaAsPからなる、
請求項1乃至5のいずれか一項に記載の半導体素子。 - 前記活性層の厚みは、150nm以上250nm以下である、
請求項6に記載の半導体素子。 - 前記活性層のうちで前記フォトニック結晶構造が構成されている部分と、前記半導体基板と、の間には、中空部が設けられる、
請求項1乃至7のいずれか一項に記載の半導体素子。 - 前記半導体素子は、溶液中に浸漬された状態で前記励起光が照射される、
請求項1乃至8のいずれか一項に記載の半導体素子。 - 前記放射光は、前記活性層の主面に垂直な方向に出力される、
請求項1乃至9のいずれか一項に記載の半導体素子。 - 溶液が保持可能な溶液保持部と、
前記溶液保持部に保持された前記溶液に浸漬可能に保持された半導体素子と、を備え、
前記半導体素子は、
半導体基板と、
前記半導体基板上に積層され、励起光が照射されることでフォトルミネッセンス又はレーザ発振による放射光を放射する活性層と、を備え、
前記活性層の主面上には複数の六角形の単位格子がハニカム状に配列され、
各単位格子の6つの頂点のそれぞれを中心として、かつ、中心の前記頂点から等しい距離に、前記活性層を貫通する複数の孔部が設けられることで、前記活性層にフォトニック結晶構造が構成される、
検体ユニット。 - 溶液が保持可能な溶液保持部と、前記溶液保持部に保持された前記溶液に浸漬可能に保持された半導体素子と、を有する検体ユニットと、
前記半導体素子に励起光を照射する光源と、
前記半導体素子から放射される放射光の強度を測定する光検出器と、
前記光検出器が測定した前記放射光の強度に基づいて、前記溶液のイオン濃度を検出する処理部と、を備え、
前記半導体素子は、
半導体基板と、
前記半導体基板上に積層され、励起光が照射されることでフォトルミネッセンス又はレーザ発振による放射光を放射する活性層と、を備え、
前記活性層の主面上には複数の六角形の単位格子がハニカム状に配列され、
各単位格子の6つの頂点のそれぞれを中心として、かつ、中心の前記頂点から等しい距離に、前記活性層を貫通する複数の孔部が設けられることで、前記活性層にフォトニック結晶構造が構成される、
イオン濃度測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018166119A JP7076792B2 (ja) | 2018-09-05 | 2018-09-05 | 半導体素子、検体ユニット及びイオン濃度測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018166119A JP7076792B2 (ja) | 2018-09-05 | 2018-09-05 | 半導体素子、検体ユニット及びイオン濃度測定装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020038160A true JP2020038160A (ja) | 2020-03-12 |
JP7076792B2 JP7076792B2 (ja) | 2022-05-30 |
Family
ID=69737838
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018166119A Active JP7076792B2 (ja) | 2018-09-05 | 2018-09-05 | 半導体素子、検体ユニット及びイオン濃度測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7076792B2 (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11186657A (ja) * | 1997-12-22 | 1999-07-09 | Canon Inc | フォトニックバンド構造を有する垂直共振器レーザ |
JP2003227941A (ja) * | 2002-01-31 | 2003-08-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 単一モードフォトニックバンドギャップファイバおよびそのガラス母材 |
JP2008533468A (ja) * | 2005-03-11 | 2008-08-21 | アジレント・テクノロジーズ・インク | 単一のナノ粒子を検出するための装置 |
US20120220841A1 (en) * | 2011-02-24 | 2012-08-30 | Nellcor Puritan Bennett Llc | Medical sensor using photonic crystal led |
JP2017151033A (ja) * | 2016-02-26 | 2017-08-31 | Jxtgエネルギー株式会社 | 光学式センサー及び光学式センサーの製造方法 |
-
2018
- 2018-09-05 JP JP2018166119A patent/JP7076792B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11186657A (ja) * | 1997-12-22 | 1999-07-09 | Canon Inc | フォトニックバンド構造を有する垂直共振器レーザ |
JP2003227941A (ja) * | 2002-01-31 | 2003-08-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 単一モードフォトニックバンドギャップファイバおよびそのガラス母材 |
JP2008533468A (ja) * | 2005-03-11 | 2008-08-21 | アジレント・テクノロジーズ・インク | 単一のナノ粒子を検出するための装置 |
US20120220841A1 (en) * | 2011-02-24 | 2012-08-30 | Nellcor Puritan Bennett Llc | Medical sensor using photonic crystal led |
JP2017151033A (ja) * | 2016-02-26 | 2017-08-31 | Jxtgエネルギー株式会社 | 光学式センサー及び光学式センサーの製造方法 |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
"Estimation of human-hemoglobin using honeycomb structure: An application of photonic crystal", OPTIK, vol. Vol.127, No.6,, JPN7022000659, 2016, pages 3333 - 3336, ISSN: 0004710358 * |
"GaInAsP半導体フォトニック結晶スラブにおけるPL増大とイオン感応型バイオセンサ応用", 第65回応用物理学会春季学術講演会, vol. 20p-C301-3, JPN7022000657, 20 March 2018 (2018-03-20), JP, ISSN: 0004710356 * |
"GaInP半導体ナノレーザのバイオセンシング応用", 電子情報通信学会論文誌, vol. 100, no. 2, JPN7022000658, 2017, pages 61 - 71, ISSN: 0004710357 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7076792B2 (ja) | 2022-05-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9766223B2 (en) | Analysis of bioparticles in an optical microcavity | |
JP4509166B2 (ja) | 微小粒子の測定方法、及び測定装置 | |
JP5250152B2 (ja) | 光分析装置、光分析方法並びに光分析用コンピュータプログラム | |
US8203711B2 (en) | Light irradiation method, light irradiation device, and fine particle analyzing apparatus | |
KR20190010522A (ko) | 수질 분석계 | |
KR20190068645A (ko) | 반도체 챔버 부품들로부터의 나노입자들의 검출 및 분석을 위한 방법들 및 장치 | |
US20150177275A1 (en) | Scanning probe microscope and measuring method using same | |
WO2013080505A1 (ja) | センシング装置およびこれを用いたセンシング方法 | |
JP2009063462A (ja) | 光学測定装置及び微粒子解析装置 | |
JP2010160043A (ja) | 表面増強ラマン分光測定方法及び本方法を用いた表面増強ラマン分光装置 | |
JP7076792B2 (ja) | 半導体素子、検体ユニット及びイオン濃度測定装置 | |
US20200166455A1 (en) | Detection device and detection method | |
CN106404727B (zh) | 感测模块及感测方法 | |
JP2015064205A (ja) | 局在プラズモン共鳴チップ及びこれを用いた局在プラズモン共鳴バイオセンサ | |
JP4361448B2 (ja) | センサおよびそのセンサを用いる試料分析方法 | |
WO2002014842A1 (fr) | Dispositif d'analyse de substances contenant un liquide et procede d'analyse de substances contenant un liquide | |
JP2015111063A (ja) | 表面プラズモン増強蛍光測定方法および表面プラズモン増強蛍光測定装置 | |
JP3923436B2 (ja) | センサチップおよびそれを用いたセンサ並びにセンサチップの作製方法 | |
JP2006125919A (ja) | 分光分析装置及び分光分析方法 | |
JP2005227098A (ja) | 分析装置及びそのプログラム | |
JP2005070031A (ja) | マイクロチップを用いた成分分析装置 | |
JPWO2005119210A1 (ja) | 光増幅素子を搭載した検査チップ | |
JP2020034501A (ja) | 分光装置 | |
JP6586884B2 (ja) | チップおよび表面プラズモン増強蛍光測定方法 | |
Chakravarty et al. | Photonic crystal microcavity source based ion sensor |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210303 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220112 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220222 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220510 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220511 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7076792 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |