JP2020035814A - Substrate processing device, substrate processing method, and computer program - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板処理装置、基板処理方法、及びコンピュータープログラムに関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a computer program.
特許文献1に記載されている基板処理装置は、複数のペア処理部と、制御部とを備える。ペア処理部の各々は、安全処理部と、非安全処理部と、副搬送機構とを含む。安全処理部は、ロットを待機させることが可能である。非安全処理部は、ロットを待機させることが不可能である。副搬送機構は、安全処理部と非安全処理部との間でのみロットを搬送する。1ロットは複数の基板からなる。 The substrate processing apparatus described in Patent Literature 1 includes a plurality of pair processing units and a control unit. Each of the pair processing units includes a safety processing unit, a non-safe processing unit, and a sub-transport mechanism. The safety processing unit can put the lot on standby. The non-safety processing unit cannot make the lot wait. The sub-transport mechanism transports the lot only between the safety processing section and the non-safe processing section. One lot includes a plurality of substrates.
制御部は、複数のペア処理部ごとに、実体のリソースとは別の仮想リソースを定義する。一方のペア処理部内の非安全処理部による処理に続いて、同じペア処理部内の安全処理部による処理を行うペア内処理の場合には、一方のペア処理部のリソースを使用するとともに、処理期間にわたって同じペア処理部の仮想リソースを使用する。 The control unit defines a virtual resource different from a real resource for each of the plurality of pair processing units. In the case of in-pair processing in which processing is performed by the safety processing unit in the same pair processing unit following processing by the non-safe processing unit in one pair processing unit, the resources of the one pair processing unit are used and the processing period Using the same pair processing unit virtual resources.
また、他方のペア処理部内の非安全処理部による処理に続いて、一方のペア処理部内の安全処理部による処理を行う非ペア内処理の場合には、他方のペア処理部内の非安全処理部のリソースと一方のペア処理部内の安全処理部のリソースとを使用するとともに、他方のペア処理部の仮想リソースを非安全処理部における処理期間にわたって使用し、さらに、異なるペア処理部をまたいだ処理期間にわたって、一方のペア処理部の仮想リソースを使用する。 Further, in the case of non-pair processing in which processing is performed by the safety processing unit in one pair processing unit following processing by the non-safe processing unit in the other pair processing unit, the non-safe processing unit in the other pair processing unit is used. Using the resources of the safety processing unit in one pair processing unit and the virtual resources of the other pair processing unit over the processing period of the non-safe processing unit, and further processing across different pair processing units. Over the period, the virtual resources of one pair processing unit are used.
そして、仮想リソースの重複を排除して各リソースの使用タイミングを決定するが、ペア内処理の直後に非ペア内処理を配置しようとすると、非ペア内処理における一方のペア処理部の仮想リソースと、ペア内処理における一方のペア処理部の仮想リソースとが干渉することになるので、非ペア内処理をペア内処理から間隔をあけなければ配置することができない。 Then, the use timing of each resource is determined by eliminating the duplication of the virtual resources.However, if an attempt is made to arrange the non-intra-pair processing immediately after the in-pair processing, the virtual resource of one pair processing unit in the non-pair processing will be used. Since the virtual resource of one pair processing unit in the in-pair processing interferes, the non-in-pair processing cannot be arranged without an interval from the in-pair processing.
従って、ペア内処理の安全処理部で異常が発生しても、後続する非ペア内処理の非安全処理部にロットを投入することを中止できる余裕が生じる。その結果、安全処理部において異常が生じてもロットに対して過剰処理が行われることを抑制できる。 Therefore, even if an abnormality occurs in the safety processing unit of the in-pair processing, there is a margin that the input of the lot to the non-safe processing unit of the subsequent non-pair processing can be stopped. As a result, even if an abnormality occurs in the safety processing unit, it is possible to prevent the lot from being overprocessed.
しかしながら、特許文献1に記載されている基板処理装置では、非ペア内処理をペア内処理から間隔をあけて配置することで、基板処理装置のスループット(単位時間あたりの基板の処理枚数)を敢えて若干低下させて、ロットの各基板に対する過剰処理を抑制している。 However, in the substrate processing apparatus described in Patent Literature 1, by arranging non-in-pair processing at an interval from in-pair processing, the throughput of the substrate processing apparatus (the number of processed substrates per unit time) is dared. By slightly lowering it, excessive processing for each substrate in the lot is suppressed.
本願の発明者は、基板に対する過剰処理の抑制と、基板処理装置のスループットの低下の抑制との双方に着目して鋭意研究を行った。 The inventor of the present application has conducted intensive studies focusing on both suppression of excessive processing of a substrate and suppression of a decrease in throughput of a substrate processing apparatus.
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板に対して過剰な処理が行われることを抑止しつつ、基板の処理のスループットの低下を可能な限り抑制できる基板処理装置、基板処理方法、及びコンピュータープログラムを提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of suppressing a reduction in the throughput of substrate processing as much as possible while suppressing excessive processing on the substrate. , A substrate processing method, and a computer program.
本発明の一局面によれば、基板処理装置は、複数の基板を一括して処理する。基板処理装置は、複数の槽と、搬送機構と、制御部とを備える。複数の槽は、基板を処理する。搬送機構は、前記複数の槽に対して基板を搬入及び搬出する。制御部は、前記複数の槽及び前記搬送機構を制御する。制御部は、設定部と、スケジューラーと、実行部とを含む。設定部は、前記複数の槽の各々に対して、基板の退避に関する退避制御情報を設定する。スケジューラーは、基板を処理するときの前記複数の槽の使用タイミング及び前記搬送機構の動作タイミングを規定するスケジュールを、前記退避制御情報に基づいて作成する。実行部は、前記搬送機構及び前記複数の槽に、前記スケジュールに従って基板の処理を実行させる。前記退避制御情報は、第1制御情報と、第2制御情報とを含む。第1制御情報は、槽に基板を待機させることが可能か否かを示す。第2制御情報は、槽が他の槽に収容された基板を退避するための場所であるか否かを示す。前記退避制御情報が変更された場合、前記スケジューラーは、変更後の前記退避制御情報に基づいて前記スケジュールを変更する。前記実行部は、変更後の前記スケジュールに従って前記搬送機構及び前記複数の槽に基板の処理を実行させる。 According to one aspect of the present invention, a substrate processing apparatus processes a plurality of substrates collectively. The substrate processing apparatus includes a plurality of tanks, a transfer mechanism, and a control unit. A plurality of vessels process the substrate. The transfer mechanism loads and unloads the substrate from and to the plurality of tanks. The control unit controls the plurality of tanks and the transport mechanism. The control unit includes a setting unit, a scheduler, and an execution unit. The setting unit sets evacuation control information relating to evacuation of the substrate for each of the plurality of tanks. The scheduler creates a schedule that defines the use timing of the plurality of tanks and the operation timing of the transport mechanism when processing the substrate based on the evacuation control information. The execution unit causes the transport mechanism and the plurality of tanks to execute the processing of the substrate according to the schedule. The evacuation control information includes first control information and second control information. The first control information indicates whether it is possible to make the substrate stand by in the tank. The second control information indicates whether or not the tank is a place for evacuating a substrate housed in another tank. When the save control information is changed, the scheduler changes the schedule based on the changed save control information. The execution unit causes the transport mechanism and the plurality of tanks to execute the processing of the substrate according to the changed schedule.
本発明の基板処理装置において、前記第1制御情報は、第1内容及び第2内容のうちのいずれかを示すことが好ましい。前記第1内容は、槽に基板を待機させることが可能であることを示すことが好ましい。前記第2内容は、槽に基板を待機させることが不可能であることを示すことが好ましい。基板を槽から退避させるための退避トリガーの発生前に、前記設定部は、少なくとも1つの前記第1制御情報の内容を前記第1内容から前記第2内容に変更することが好ましい。 In the substrate processing apparatus according to the aspect of the invention, it is preferable that the first control information indicates one of first content and second content. Preferably, the first content indicates that it is possible to make the substrate stand by in the bath. Preferably, the second content indicates that it is impossible to make the substrate wait in the bath. It is preferable that the setting unit changes the content of at least one of the first control information from the first content to the second content before the occurrence of a retreat trigger for retreating the substrate from the tank.
本発明の基板処理装置において、前記複数の槽は、燐酸液を収容する燐酸槽を含むことが好ましい。前記退避トリガーの発生前に、前記設定部は、前記燐酸槽に対して設定された前記第1制御情報の内容を前記第1内容から前記第2内容に変更することが好ましい。 In the substrate processing apparatus of the present invention, it is preferable that the plurality of tanks include a phosphoric acid tank that stores a phosphoric acid solution. It is preferable that before the occurrence of the evacuation trigger, the setting unit changes the content of the first control information set for the phosphoric acid tank from the first content to the second content.
本発明の基板処理装置において、前記第1制御情報は、環境情報に対応して、第1内容及び第2内容のうちのいずれかを示すことが好ましい。前記第1内容は、槽に基板を待機させることが可能であることを示すことが好ましい。前記第2内容は、槽に基板を待機させることが不可能であることを示すことが好ましい。前記環境情報は、前記基板処理装置が置かれた環境を表す情報、又は、前記基板処理装置の状態を表す情報を含むことが好ましい。 In the substrate processing apparatus of the present invention, it is preferable that the first control information indicates one of the first content and the second content in correspondence with the environment information. Preferably, the first content indicates that it is possible to make the substrate stand by in the bath. Preferably, the second content indicates that it is impossible to make the substrate wait in the bath. It is preferable that the environment information includes information indicating an environment where the substrate processing apparatus is placed, or information indicating a state of the substrate processing apparatus.
本発明の基板処理装置において、前記設定部は、前記環境情報を取得して、前記環境情報に基づいて前記第1制御情報の内容を前記第1内容及び前記第2内容のうちのいずれかに設定することが好ましい。 In the substrate processing apparatus of the present invention, the setting unit acquires the environment information and sets the content of the first control information to one of the first content and the second content based on the environment information. It is preferable to set.
本発明の基板処理装置において、前記設定部は、前記環境情報を検出する検出部から前記環境情報を取得して、前記環境情報に基づいて前記第1制御情報の内容を前記第1内容及び前記第2内容のうちのいずれかに設定することが好ましい。 In the substrate processing apparatus of the present invention, the setting unit acquires the environment information from a detection unit that detects the environment information, and sets the content of the first control information to the first content and the content based on the environment information. It is preferable to set any of the second contents.
本発明の基板処理装置は、通信部をさらに備えることが好ましい。通信部は、前記基板処理装置の外部からネットワークを介して前記環境情報を受信することが好ましい。前記設定部は、前記通信部から前記環境情報を取得して、前記環境情報に基づいて前記第1制御情報の内容を前記第1内容及び前記第2内容のうちのいずれかに設定することが好ましい。 It is preferable that the substrate processing apparatus of the present invention further includes a communication unit. It is preferable that the communication unit receives the environment information from outside the substrate processing apparatus via a network. The setting unit may obtain the environment information from the communication unit, and set the content of the first control information to one of the first content and the second content based on the environment information. preferable.
本発明の基板処理装置において、前記実行部は、処理途中の基板に対して変更前の前記スケジュールを適用して、変更前の前記スケジュールに従って前記搬送機構及び前記複数の槽に処理途中の前記基板の処理を続行させることが好ましい。実行部は、未処理の基板に対して変更後の前記スケジュールを適用して、変更後の前記スケジュールに従って前記搬送機構及び前記複数の槽に未処理の前記基板の処理を実行させることが好ましい。 In the substrate processing apparatus of the present invention, the execution unit applies the schedule before the change to the substrate in the process, and processes the substrate in the transport mechanism and the plurality of tanks according to the schedule before the change. Is preferably continued. It is preferable that the execution unit applies the changed schedule to the unprocessed substrate, and causes the transfer mechanism and the plurality of tanks to execute the processing of the unprocessed substrate according to the changed schedule.
本発明の基板処理装置は、操作部をさらに備えることが好ましい。操作部は、ユーザーによって操作され、前記ユーザーから前記退避制御情報を変更する入力を受け付けることが好ましい。前記退避制御情報を変更する入力を前記操作部が受け付けたことに応答して、前記設定部は、前記退避制御情報の内容を変更することが好ましい。 It is preferable that the substrate processing apparatus of the present invention further includes an operation unit. It is preferable that the operation unit is operated by a user and receives an input from the user to change the evacuation control information. It is preferable that the setting unit changes the content of the evacuation control information in response to the operation unit receiving an input for changing the evacuation control information.
本発明の他の局面によれば、基板処理方法は、複数の基板を一括して処理する基板処理装置によって実行される。前記基板処理装置は、複数の槽と、搬送機構とを備える。複数の槽は、基板を処理する。搬送機構は、前記複数の槽に対して基板を搬入及び搬出することが可能である。基板処理方法は、前記複数の槽の各々に対して、基板の退避に関する退避制御情報を設定するステップと、基板を処理するときの前記複数の槽の使用タイミング及び前記搬送機構の動作タイミングを規定するスケジュールを、前記退避制御情報に基づいて作成するステップと、前記搬送機構及び前記複数の槽に、前記スケジュールに従って基板の処理を実行させるステップと、前記退避制御情報が変更された場合、変更後の前記退避制御情報に基づいて前記スケジュールを変更するステップと、変更後の前記スケジュールに従って前記搬送機構及び前記複数の槽に基板の処理を実行させるステップとを含む。前記退避制御情報は、第1制御情報と、第2制御情報とを含む。第1制御情報は、槽に基板を待機させることが可能か否かを示す。第2制御情報は、槽が他の槽に収容された基板を退避するための場所であるか否かを示す。 According to another aspect of the present invention, a substrate processing method is executed by a substrate processing apparatus that collectively processes a plurality of substrates. The substrate processing apparatus includes a plurality of tanks and a transfer mechanism. A plurality of vessels process the substrate. The transfer mechanism is capable of loading and unloading substrates from and to the plurality of tanks. The substrate processing method includes setting evacuation control information relating to evacuation of the substrate for each of the plurality of tanks, and defining a use timing of the plurality of tanks and an operation timing of the transfer mechanism when processing the substrate. Creating a schedule to be performed based on the evacuation control information, causing the transport mechanism and the plurality of tanks to execute the processing of the substrate according to the schedule, and, when the evacuation control information is changed, Changing the schedule based on the evacuation control information, and causing the transport mechanism and the plurality of tanks to execute the processing of the substrate according to the changed schedule. The evacuation control information includes first control information and second control information. The first control information indicates whether it is possible to make the substrate stand by in the tank. The second control information indicates whether or not the tank is a place for evacuating a substrate housed in another tank.
本発明の基板処理方法において、前記第1制御情報は、第1内容及び第2内容のうちのいずれかを示すことが好ましい。前記第1内容は、槽に基板を待機させることが可能であることを示すことが好ましい。前記第2内容は、槽に基板を待機させることが不可能であることを示すことが好ましい。基板を槽から退避させるための退避トリガーの発生前に、少なくとも1つの前記第1制御情報の内容が前記第1内容から前記第2内容に変更されることが好ましい。 In the substrate processing method of the present invention, it is preferable that the first control information indicates one of a first content and a second content. Preferably, the first content indicates that it is possible to make the substrate stand by in the bath. Preferably, the second content indicates that it is impossible to make the substrate wait in the bath. It is preferable that at least one content of the first control information is changed from the first content to the second content before an evacuation trigger for evacuation of the substrate from the bath occurs.
本発明の基板処理方法において、前記複数の槽は、燐酸液を収容する燐酸槽を含むことが好ましい。前記退避トリガーの発生前に、前記燐酸槽に対して設定された前記第1制御情報の内容が前記第1内容から前記第2内容に変更されることが好ましい。 In the substrate processing method of the present invention, it is preferable that the plurality of tanks include a phosphoric acid tank that stores a phosphoric acid solution. It is preferable that the content of the first control information set for the phosphoric acid tank is changed from the first content to the second content before the occurrence of the evacuation trigger.
本発明の基板処理方法において、前記第1制御情報は、第1内容及び第2内容のうちのいずれかを示すことが好ましい。前記第1内容は、槽に基板を待機させることが可能であることを示すことが好ましい。前記第2内容は、槽に基板を待機させることが不可能であることを示すことが好ましい。前記第1制御情報は、環境情報に対応して、前記第1内容及び前記第2内容のうちのいずれかを示すことが好ましい。前記環境情報は、前記基板処理装置が置かれた環境を表す情報、又は、前記基板処理装置の状態を表す情報を含むことが好ましい。 In the substrate processing method of the present invention, it is preferable that the first control information indicates one of a first content and a second content. Preferably, the first content indicates that it is possible to make the substrate stand by in the bath. Preferably, the second content indicates that it is impossible to make the substrate wait in the bath. It is preferable that the first control information indicates one of the first content and the second content according to environment information. It is preferable that the environment information includes information indicating an environment where the substrate processing apparatus is placed, or information indicating a state of the substrate processing apparatus.
本発明の基板処理方法において、前記環境情報を取得して、前記環境情報に基づいて前記第1制御情報の内容が前記第1内容及び前記第2内容のうちのいずれかに設定されることが好ましい。 In the substrate processing method of the present invention, the environment information may be acquired, and the content of the first control information may be set to one of the first content and the second content based on the environment information. preferable.
本発明の基板処理方法において、前記環境情報を検出する検出部から前記環境情報を取得して、前記環境情報に基づいて前記第1制御情報の内容が前記第1内容及び前記第2内容のうちのいずれかに設定されることが好ましい。 In the substrate processing method of the present invention, the environment information is acquired from a detection unit that detects the environment information, and the content of the first control information is selected from the first content and the second content based on the environment information. Is preferably set to either of the following.
本発明の基板処理方法において、前記基板処理装置の外部からネットワークを介して前記環境情報を取得して、前記環境情報に基づいて前記第1制御情報の内容が前記第1内容及び前記第2内容のうちのいずれかに設定されることが好ましい。 In the substrate processing method of the present invention, the environment information is acquired from outside the substrate processing apparatus via a network, and the content of the first control information is changed to the first content and the second content based on the environment information. Is preferably set to any one of the following.
本発明の基板処理方法において、処理途中の基板に対して変更前の前記スケジュールを適用して、変更前の前記スケジュールに従って前記搬送機構及び前記複数の槽に処理途中の前記基板の処理を続行させることが好ましい。未処理の基板に対して変更後の前記スケジュールを適用して、変更後の前記スケジュールに従って前記搬送機構及び前記複数の槽に未処理の前記基板の処理を実行させることが好ましい。 In the substrate processing method of the present invention, the schedule before the change is applied to the substrate being processed, and the processing of the substrate being processed is continued in the transport mechanism and the plurality of tanks according to the schedule before the change. Is preferred. It is preferable that the changed schedule is applied to the unprocessed substrate, and the processing of the unprocessed substrate is performed in the transport mechanism and the plurality of tanks according to the changed schedule.
本発明の基板処理方法において、前記退避制御情報を変更する入力を操作部が受け付けたことに応答して、前記退避制御情報の内容が変更されることが好ましい。 In the substrate processing method of the present invention, it is preferable that the content of the evacuation control information is changed in response to an operation unit receiving an input for changing the evacuation control information.
本発明の更に他の局面によれば、コンピュータープログラムは、コンピューターに上記の基板処理方法を実行させる。 According to still another aspect of the present invention, a computer program causes a computer to execute the above-described substrate processing method.
本発明によれば、基板に対して過剰な処理が行われることを抑止しつつ、基板の処理のスループットの低下を可能な限り抑制できる基板処理方法、及びコンピュータープログラムを提供できる。 According to the present invention, it is possible to provide a substrate processing method and a computer program that can suppress a decrease in the throughput of substrate processing as much as possible while suppressing excessive processing from being performed on the substrate.
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。また、本発明の実施形態において、X軸、Y軸、及びZ軸は互いに直交し、X軸及びY軸は水平方向に平行であり、Z軸は鉛直方向に平行である。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts have the same reference characters allotted, and description thereof will not be repeated. In the embodiment of the present invention, the X axis, the Y axis, and the Z axis are orthogonal to each other, the X axis and the Y axis are parallel to the horizontal direction, and the Z axis is parallel to the vertical direction.
図1〜図11を参照して、本発明の実施形態に係る基板処理装置100を説明する。本実施形態に係る基板処理装置100はバッチ式である。従って、基板処理装置100は、複数の基板Wを一括して処理する。具体的には、基板処理装置100は、複数のロットを処理する。複数のロットの各々は複数の基板Wからなる。例えば、1ロットは25枚の基板Wからなる。本実施形態では、基板処理装置100は、各ロットの基板Wに対して、薬液処理、洗浄処理、及び乾燥処理を実行する。基板Wは、例えば、略円板状である。
A
基板Wは、例えば、半導体ウェハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、電界放出ディスプレイ(Field Emission Display:FED)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、又は、太陽電池用基板である。 The substrate W is, for example, a semiconductor wafer, a substrate for a liquid crystal display, a substrate for a plasma display, a substrate for a field emission display (FED), a substrate for an optical disk, a substrate for a magnetic disk, a substrate for a magneto-optical disk, and a photomask. Substrate, a ceramic substrate, or a solar cell substrate.
まず、図1を参照して基板処理装置100を説明する。図1は、基板処理装置100を示す模式的平面図である。図1に示すように、基板処理装置100は、複数の収納部1と、投入部3と、払出部7と、受け渡し機構11と、バッファユニットBUと、搬送機構CVと、処理部SPと、コンピューターCMとを備える。処理部SPは複数の槽TAを含む。搬送機構CVは、第1搬送機構CTCと、第2搬送機構WTRと、副搬送機構LF1と、副搬送機構LF2と、副搬送機構LF3と、副搬送機構LF4と、副搬送機構LF5と、副搬送機構LF6とを含む。処理部SPは、乾燥処理部17と、第1処理部19と、第2処理部20と、第3処理部21とを含む。乾燥処理部17は、複数の槽TAのうちの槽LPD1及び槽LPD2を含む。第1処理部19は、複数の槽TAのうちの槽ONB1及び槽CHB1を含む。第2処理部20は、複数の槽TAのうちの槽ONB2及び槽CHB2を含む。第3処理部21は、複数の槽TAのうちの槽ONB3及び槽CHB3を含む。
First, the
コンピューターCMは、複数の収納部1、投入部3、払出部7と、受け渡し機構11、バッファユニットBU、搬送機構CV、及び処理部SPを制御する。
The computer CM controls the plurality of storage units 1, the
複数の収納部1の各々は、複数の基板Wを収容する。各基板Wは水平姿勢で収納部1に収容される。収納部1は、例えば、FOUP(Front Opening Unified Pod)である。 Each of the plurality of storage units 1 stores a plurality of substrates W. Each substrate W is stored in the storage unit 1 in a horizontal posture. The storage unit 1 is, for example, a FOUP (Front Opening Unified Pod).
未処理の基板Wを収納する収納部1は、投入部3に載置される。具体的には、投入部3は複数の載置台5を含む。そして、2つの収納部1が、それぞれ、2つの載置台5に載置される。投入部3は、基板処理装置100の長手方向の一方端に配置される。
The storage unit 1 that stores an unprocessed substrate W is placed on the
処理済みの基板Wを収納する収納部1は、払出部7に載置される。具体的には、払出部7は複数の載置台9を含む。そして、2つの収納部1が、それぞれ、2つの載置台9に載置される。払出部7は、処理済みの基板Wを収納部1に収納して収納部1ごと払い出す。払出部7は、基板処理装置100の長手方向の一方端に配置される。払出部7は、投入部3に対して、基板処理装置100の長手方向に直交する方向に対向している。
The storage unit 1 that stores the processed substrate W is placed on the payout unit 7. Specifically, the payout unit 7 includes a plurality of mounting tables 9. Then, the two storage units 1 are respectively mounted on the two mounting tables 9. The payout unit 7 stores the processed substrate W in the storage unit 1 and pays out the entire storage unit 1. The payout unit 7 is disposed at one end in the longitudinal direction of the
バッファユニットBUは、投入部3及び払出部7に隣接して配置される。バッファユニットBUは、投入部3に載置された収納部1を基板Wごと内部に取り込むとともに、棚(不図示)に収納部1を載置する。また、バッファユニットBUは、処理済みの基板Wを受け取って収納部1に収納するとともに、棚に収納部1を載置する。バッファユニットBU内には、受け渡し機構11が配置されている。
The buffer unit BU is arranged adjacent to the
受け渡し機構11は、投入部3及び払出部7と棚との間で収納部1を受け渡す。また、受け渡し機構11は、受け渡し機構11と搬送機構CVとの間で基板Wのみの受け渡しを行う。具体的には、受け渡し機構11は、受け渡し機構11と搬送機構CVとの間でロットの受け渡しを行う。搬送機構CVは、処理部SPに対してロットを搬入及び搬出する。具体的には、搬送機構CVは、処理部SPの槽TAの各々に対してロットを搬入及び搬出する。処理部SPは、ロットに対して、薬液処理、洗浄処理、及び乾燥処理を実行する。
The
具体的には、受け渡し機構11は、受け渡し機構11と搬送機構CVの第1搬送機構CTCとの間でロットの受け渡しを行う。第1搬送機構CTCは、受け渡し機構11から受け取ったロットの複数の基板Wの姿勢を水平姿勢から垂直姿勢に変換した後、第2搬送機構WTRにロットを受け渡す。また、第1搬送機構CTCは、第2搬送機構WTRから処理済みのロットを受け取った後、ロットの複数の基板Wの姿勢を垂直姿勢から水平姿勢へと変換して、ロットを受け渡し機構11に受け渡す。
Specifically, the
第2搬送機構WTRは、基板処理装置100の長手方向に沿って、処理部SPの乾燥処理部17から第3処理部21まで移動可能である。従って、第2搬送機構WTRは、乾燥処理部17、第1処理部19、第2処理部20、及び第3処理部21に対して、ロットを搬入及び搬出する。
The second transport mechanism WTR is movable from the drying
乾燥処理部17はロットに対して乾燥処理を行う。具体的には、乾燥処理部17の槽LPD1及び槽LPD2の各々が、ロットを収納してロットの複数の基板Wに対して乾燥処理を行う。第2搬送機構WTRは、槽LPD1及び槽LPD2の各々に対してロットを搬入及び搬出する。
The drying
乾燥処理部17に隣接して第1処理部19が配置されている。第1処理部19の槽ONB1は、例えば、ロットの複数の基板Wに対してリンス液による洗浄処理を行う。本実施形態では、洗浄処理は、純水による水洗処理である。槽CHB1は、例えば、ロットの複数の基板Wに対して薬液による処理を行う。搬送機構CVの副搬送機構LF1及び副搬送機構LF2は、第1処理部19内でのロットの搬送の他に、第2搬送機構WTRとの間でロットの受け渡しを行う。また、副搬送機構LF1は、ロットを槽ONB1に浸漬したり、ロットを槽ONB1から引き上げたりする。副搬送機構LF2は、ロットを槽CHB1に浸漬したり、ロットを槽CHB1から引き上げたりする。
A
第1処理部19に隣接して第2処理部20が配置されている。第2処理部20の槽ONB2は、例えば、ロットの複数の基板Wに対してリンス液による洗浄処理を行う。本実施形態では、洗浄処理は、純水による水洗処理である。槽CHB2は、例えば、ロットの複数の基板Wに対して薬液による処理を行う。搬送機構CVの副搬送機構LF3及び副搬送機構LF4は、第2処理部20内でのロットの搬送の他に、第2搬送機構WTRとの間でロットの受け渡しを行う。また、副搬送機構LF3は、ロットを槽ONB2に浸漬したり、ロットを槽ONB2から引き上げたりする。副搬送機構LF4は、ロットを槽CHB2に浸漬したり、ロットを槽CHB2から引き上げたりする。
A
第2処理部20に隣接して第3処理部21が配置されている。第3処理部21の槽ONB3は、例えば、ロットの複数の基板Wに対してリンス液による洗浄処理を行う。本実施形態では、洗浄処理は、純水による水洗処理である。槽CHB3は、例えば、ロットの複数の基板Wに対して薬液による処理を行う。搬送機構CVの副搬送機構LF5及び副搬送機構LF6は、第3処理部21内でのロットの搬送の他に、第2搬送機構WTRとの間でロットの受け渡しを行う。また、副搬送機構LF5は、ロットを槽ONB3に浸漬したり、ロットを槽ONB3から引き上げたりする。副搬送機構LF6は、ロットを槽CHB3に浸漬したり、ロットを槽CHB3から引き上げたりする。
A
以上、図1を参照して説明したように、搬送機構CVは、処理部SPの槽TA(槽LPD1、槽LPD2、槽ONB1〜槽ONB3、及び、槽CHB1〜槽CHB3)の各々に対して基板Wを搬入及び搬出する。そして、複数の槽TAの各々は基板Wを処理する。 As described above with reference to FIG. 1, the transport mechanism CV is provided for each of the tanks TA (the tanks LPD1, the LPD2, the tanks ONB1 to ONB3, and the tanks CHB1 to CHB3) of the processing unit SP. The substrate W is loaded and unloaded. Then, each of the plurality of tanks TA processes the substrate W.
次に、図2を参照して基板処理装置100を説明する。図2は、基板処理装置100を示すブロック図である。図2に示すように、基板処理装置100は検出部59をさらに備える。検出部59は環境情報EV1を検出する。検出部59は、有線又は無線により環境情報EV1を制御部51に出力する。環境情報EV1は、基板処理装置100が置かれた環境を表す情報、又は、基板処理装置100の状態を表す情報を含む。
Next, the
例えば、環境情報EV1は大気圧を示す情報を含む。そして、検出部59は、大気圧を検出する気圧計を含む。例えば、環境情報EV1は温度を示す情報を含む。そして、検出部59は、温度を検出する温度計を含む。温度は、例えば、気温である。気温は、例えば、槽TAに供給する薬液を収容する外部タンクの周囲の気温である。例えば、環境情報EV1は湿度を示す情報を含む。そして、検出部59は、湿度を検出する湿度計を含む。なお、大気圧、温度、及び湿度は、それぞれ、例えば、基板処理装置100の置かれた場所の大気圧、温度、及び湿度を示す。
For example, the environment information EV1 includes information indicating the atmospheric pressure. And the
例えば、環境情報EV1は振動を示す情報を含む。そして、検出部59は、振動を検出する振動計を含む。なお、振動は、例えば、基板処理装置100の置かれた場所又は基板処理装置100の振動である。例えば、環境情報EV1は基板処理装置100の傾斜を示す情報を含む。そして、検出部59は、基板処理装置100の傾斜を検出する傾斜計を含む。例えば、環境情報EV1は、基板処理装置100の構成部品の使用頻度を示す情報を含む。「構成部品の使用頻度を示す情報」は、例えば、槽TAのバルブの開閉の回数、又は、槽TAに液体(リンス液又は薬液)を供給するポンプの駆動回数である。
For example, the environment information EV1 includes information indicating vibration. And the
なお、「基板処理装置100の置かれた場所」は、基板処理装置100が設置された建造物の内部でもよいし、基板処理装置100が設置された建造物の外部(例えば、建造物の周囲)でもよい。また、基板処理装置100は検出部59を備えずに、検出部59が基板処理装置100の外部に配置されていてもよい。
The “place where the
基板処理装置100のコンピューターCMは、制御部51と、記憶部53と、通信部55と、操作部57とを含む。制御部51は、CPU(Central Processing Unit)のようなプロセッサーを含む。記憶部53は、記憶装置を含み、データ及びコンピュータープログラムを記憶する。具体的には、記憶部53は、半導体メモリーのような主記憶装置と、半導体メモリー及び/又はハードディスクドライブのような補助記憶装置とを含む。記憶部53は、リムーバブルメディアを含んでいてもよい。制御部51のプロセッサーは、記憶部53の記憶装置が記憶しているコンピュータープログラムを実行して、搬送機構CV、処理部SP、及び検出部59を制御する。
The computer CM of the
通信部55は、有線又は無線でネットワークNWに接続される。ネットワークNWは、例えば、インターネット、LAN(Local Area Network)、及び公衆電話網を含む。通信部55は、通信機であり、例えば、ネットワークインターフェースコントローラーである。通信部55は、ネットワークNWに接続された外部コンピューター300と通信する。制御部51は、通信部55を介して、外部コンピューター300と通信する。
The
外部コンピューター300は、例えば、ホストコンピューター又はサーバーである。ホストコンピューターは複数の基板処理装置100を制御する。外部コンピューター300は、基板処理装置100の外部に設置される。「基板処理装置100の外部」は、基板処理装置100の内部でない限りにおいては、基板処理装置100が設置された建造物の内部であってもよいし、基板処理装置100が設置された建造物の外部であってもよい。
The
通信部55は、基板処理装置100の外部からネットワークNWを介して環境情報EV2を受信する。具体的には、通信部55は、ネットワークNWを経由して外部コンピューター300から環境情報EV2を受信する。
The
環境情報EV2は、基板処理装置100が置かれた環境を表す情報を含む。例えば、環境情報EV2は気象情報を含む。気象情報は例えば台風情報を示す。台風情報は、例えば、台風の進路及び強さの情報を含む。例えば、環境情報EV2は地震予測情報を含む。例えば、環境情報EV2は工場内アラーム情報を含む。工場内アラーム情報は、例えば、基板処理装置100が設置された工場内で、リスクの発生を予測するアラームを示す。
The environment information EV2 includes information indicating an environment where the
以下、環境情報EV1と環境情報EV2とを区別して説明する必要のないときは、環境情報EV1及び環境情報EV2を総称して「環境情報EV」と記載する。 Hereinafter, when it is not necessary to distinguish between the environment information EV1 and the environment information EV2, the environment information EV1 and the environment information EV2 are collectively referred to as “environment information EV”.
操作部57は、ユーザーによって操作され、ユーザーから各種情報の入力を受け付ける。操作部57は、例えば、ディスプレイ及びポインティングデバイス、又は、タッチパネルを含む。
The
引き続き図2を参照して制御部51の詳細を説明する。図2に示すように、制御部51は、搬送機構CV及び複数の槽TAを制御する。以下、説明の便宜上、槽TAにロットを搬入するときの搬送機構CVを「ローダーLD」と記載し、槽TAからロットを搬出するときの搬送機構CVを「アンローダーULD」と記載する場合がある。
The details of the
制御部51は、設定部61と、スケジューラー63と、実行部65とを含む。設定部61は、複数の槽TAの各々に対して、基板Wの退避に関する退避制御情報ESを設定する。退避制御情報ESは、第1制御情報FEと、第2制御情報SEとを含む。
The
第1制御情報FEは、槽TAに基板Wを待機させることが可能か否かを示す。第1制御情報FEは、第1内容A1及び第2内容A2のうちのいずれかを示す。第1内容A1は、槽TAに基板Wを待機させることが可能であることを示す。第2内容A2は、槽TAに基板Wを待機させることが不可能であることを示す。 The first control information FE indicates whether or not the substrate W can be made to wait in the tank TA. The first control information FE indicates one of the first content A1 and the second content A2. The first content A1 indicates that the substrate W can be made to wait in the tank TA. The second content A2 indicates that it is impossible to make the substrate W wait in the tank TA.
第2制御情報SEは、槽TAが他の槽TAに収容された基板Wを退避するための場所であるか否かを示す。第2制御情報SEは、第3内容A3及び第4内容A4のうちのいずれかを示す。第3内容A3は、槽TAが他の槽TAに収容された基板Wを退避するための場所であることを示す。第4内容A4は、槽TAが他の槽TAに収容された基板Wを退避するための場所でないことを示す。 The second control information SE indicates whether or not the tank TA is a place for retreating the substrate W stored in another tank TA. The second control information SE indicates one of the third content A3 and the fourth content A4. The third content A3 indicates that the tank TA is a place for retracting the substrate W stored in another tank TA. The fourth content A4 indicates that the tank TA is not a place for retreating the substrate W stored in another tank TA.
図3は、退避制御情報ESを示す図である。図2及び図3に示すように、設定部61は、複数の槽TA(槽LPD1、槽LPD2、槽ONB1〜槽ONB3、及び、槽CHB1〜槽CHB3)の各々に退避制御情報ES(第1制御情報FE及び第2制御情報SE)を設定する。設定部61は、各槽TAに対して任意の内容の退避制御情報ESを設定可能である。
FIG. 3 is a diagram showing the save control information ES. As shown in FIGS. 2 and 3, the setting
本実施形態では、一例として、設定部61は、乾燥処理行う槽LPD1及び槽LPD2の各々に対して、第1内容A1の第1制御情報FE及び第4内容A4の第2制御情報SEを設定する。また、一例として、設定部61は、洗浄処理行う槽ONB1〜槽ONB3の各々に対して、第1内容A1の第1制御情報FE及び第3内容A3の第2制御情報SEを設定する。さらに、一例として、設定部61は、薬液処理を行う槽CHB1〜槽CHB3の各々に対して、環境情報EVに対応して、第1内容A1又は第2内容A2の第1制御情報FEと、第3内容A3又は第4内容A4の第2制御情報SEとを設定する。各退避制御情報ESは、スケジューラー63によって参照される。
In the present embodiment, as an example, the setting
スケジューラー63は、スケジュールSCをレシピ及び退避制御情報ESに基づいて作成する。スケジュールSCは、複数のロットを処理するときの複数の槽TAの使用タイミング及び搬送機構CVの動作タイミングを規定する。つまり、スケジュールSCは、基板Wを処理するときの複数の槽TAの使用タイミング及び搬送機構CVの動作タイミングを規定する。スケジュールSCは、時間軸上に配置された複数の個別スケジュールを含む。個別スケジュールは、1つのロットを処理するときの複数の槽TAの使用タイミング及び搬送機構CVの動作タイミングを規定する。つまり、個別スケジュールはロットごと定められる。レシピは、ロットの処理内容及び処理手順を規定する。
The
具体的には、スケジューラー63は、退避制御情報ESに応じて、スケジュールSC1か、又は、スケジュールSC2かを作成する。ただし、退避制御情報ESが変更された場合は、スケジューラー63は、退避制御情報ESの変更時刻を考慮したスケジュールSC3を作成する。
Specifically, the
スケジュールSC1は、互いに異なる複数の槽TAが並行して使用されることに規制がなく、複数の槽TAが並行して使用されるスケジュールを示す。従って、スケジュールSC1では、可能な限り複数の槽TAを並行して使用できるため、基板Wの処理のスループットの低下を抑制できる。スループットとは、単位時間あたりの基板Wの処理枚数のことである。 The schedule SC1 indicates a schedule in which a plurality of different tanks TA are used in parallel without any restriction, and the plurality of tanks TA are used in parallel. Therefore, in the schedule SC1, a plurality of tanks TA can be used in parallel as much as possible, so that a decrease in the throughput of processing the substrate W can be suppressed. The throughput is the number of processed substrates W per unit time.
スケジュールSC2は、互いに異なる複数の槽TAが並行して使用されることに規制があり、特定の槽TAの並行した使用が禁止されているスケジュールを示す。従って、スケジュールSC2では、ある槽TAに収容されたロットを退避トリガーTGの発生に応じて直ちに他の槽TA(空いている槽TA)に退避できる。その結果、ロットの各基板Wに対して薬液による過剰な処理が行われることを抑止できる。 The schedule SC2 indicates a schedule in which the use of a plurality of different tanks TA in parallel is restricted, and the parallel use of a specific tank TA is prohibited. Therefore, in the schedule SC2, the lot stored in a certain tank TA can be immediately retreated to another tank TA (vacant tank TA) in response to the occurrence of the retraction trigger TG. As a result, it is possible to prevent an excessive process from being performed on each substrate W of the lot with a chemical solution.
具体的には、スケジュールSC2は、第2内容A2(待機不可)の第1制御情報FEが設定された槽TA(例えば槽CHB1)と、第3内容A3(退避場所)の第2制御情報SEが設定された槽TA(例えば槽ONB1)とが並行して使用されないスケジュールを示す。従って、スケジュールSC2では、第2内容A2(待機不可)の第1制御情報FEが設定された槽TAに収容されたロットを、退避トリガーTGの発生に応じて直ちに、第3内容A3(退避場所)の第2制御情報SEが設定された槽TAに退避できる。 Specifically, the schedule SC2 includes a tank TA (for example, the tank CHB1) in which the first control information FE of the second content A2 (standby is not possible) is set, and the second control information SE of the third content A3 (evacuation place). Indicates a schedule that is not used in parallel with the tank TA (eg, the tank ONB1) in which is set. Therefore, in the schedule SC2, the lot stored in the tank TA in which the first control information FE of the second content A2 (standby is impossible) is set, immediately after the evacuation trigger TG is generated, the third content A3 (the evacuation location). ) Can be evacuated to the tank TA in which the second control information SE is set.
退避トリガーTGとは、基板Wを槽TAから退避させるためのトリガーのことである。具体的には、退避トリガーTGとは、第2内容A2(待機不可)の第1制御情報FEが設定された槽TAに収容された基板Wを槽TAから退避させるためのトリガーのことである。コンピューターCMは、薬液による基板Wの過剰処理を抑制するために基板Wを槽TAから退避させる事態が発生した時に退避トリガーTGを発生する。また、コンピューターCMは、外部コンピューター300から退避トリガーTGを受信してもよい。
The retreat trigger TG is a trigger for retreating the substrate W from the tank TA. Specifically, the retreat trigger TG is a trigger for retreating the substrate W stored in the tank TA in which the first control information FE of the second content A2 (standby is not possible) is set from the tank TA. . The computer CM generates an evacuation trigger TG when a situation occurs in which the substrate W is retracted from the tank TA in order to suppress excessive processing of the substrate W by the chemical solution. Further, the computer CM may receive the evacuation trigger TG from the
スケジュールSC3は、互いに異なる複数の槽TAが並行して使用されることに規制がなくて複数の槽TAが並行して使用される部分と、互いに異なる複数の槽TAが並行して使用されることに規制があって特定の槽TAの並行した使用が禁止されている部分とを有するスケジュールを示す。 In the schedule SC3, there is no restriction on the use of a plurality of different tanks TA in parallel, and a plurality of different tanks TA are used in parallel and a part in which the plurality of tanks TA are used in parallel. In particular, there is shown a schedule having a part where the specific tank TA is restricted and the parallel use of the specific tank TA is prohibited.
なお、スケジュールSC1〜スケジュールSC3は、スケジュールSCの一例である。 The schedules SC1 to SC3 are examples of the schedule SC.
実行部65は、搬送機構CV及び複数の槽TAに、スケジュールSCに従ってロットの処理を実行させる。つまり、実行部65は、搬送機構CV及び複数の槽TAに、スケジュールSCに従って基板Wの処理を実行させる。
The
少なくとも1つの退避制御情報ESが変更された場合、スケジューラー63は、変更後の退避制御情報ESに基づいてスケジュールSCを変更する。本実施形態では、少なくとも1つの第1制御情報FEの内容が変更された場合、スケジューラー63は、変更後の第1制御情報FEを含む退避制御情報ESに基づいてスケジュールSCを変更する。そして、実行部65は、変更後のスケジュールSCに従って搬送機構CV及び複数の槽TAにロットの処理を実行させる。つまり、実行部65は、変更後のスケジュールSCに従って搬送機構CV及び複数の槽TAに基板Wの処理を実行させる。
When at least one piece of evacuation control information ES has been changed, the
すなわち、少なくとも1つの退避制御情報ESが変更された場合、スケジューラー63は、スケジュールSC3を作成する。そして、実行部65は、スケジュールSC3に従って搬送機構CV及び複数の槽TAにロットの処理を実行させる。
That is, when at least one evacuation control information ES is changed, the
具体的には、少なくとも1つの退避制御情報ES(具体的には少なくとも1つの第1制御情報FE)が変更されてスケジュールSCが変更された場合、実行部65は、複数のロットのうち処理途中のロットに対して変更前のスケジュールSCを適用して、変更前のスケジュールSCに従って搬送機構CV及び複数の槽TAに処理途中のロットの処理を続行させる。つまり、実行部65は、処理途中の基板Wに対して変更前のスケジュールSCを適用して、変更前のスケジュールSCに従って搬送機構CV及び複数の槽TAに処理途中の基板Wの処理を続行させる。そして、実行部65は、複数のロットのうち未処理のロットに対して変更後のスケジュールSCを適用して、変更後のスケジュールSCに従って搬送機構CV及び複数の槽TAに未処理のロットの処理を実行させる。つまり、実行部65は、未処理の基板Wに対して変更後のスケジュールSCを適用して、変更後のスケジュールSCに従って搬送機構CV及び複数の槽TAに未処理の基板Wの処理を実行させる。
Specifically, when at least one piece of the evacuation control information ES (specifically, at least one piece of the first control information FE) is changed and the schedule SC is changed, the
従って、本実施形態によれば、ロットの処理途中に退避制御情報ESが変更されてスケジュールSCが変更された場合でも、スケジュールSCが破綻することなく、スケジュールSCに基づくバッチ処理を円滑に継続できる。バッチ処理は、複数のロットを並行して処理することを示す。 Therefore, according to the present embodiment, even when the evacuation control information ES is changed during the processing of the lot and the schedule SC is changed, the batch processing based on the schedule SC can be smoothly continued without the schedule SC breaking down. . Batch processing indicates that a plurality of lots are processed in parallel.
加えて、全てのロットを払い出して基板処理装置100を停止させた後にスケジュールを変更することが要求されないため、基板Wの処理のスループットが低下することを抑制できる。
In addition, since it is not necessary to change the schedule after all the lots are paid out and the
また、薬液による基板Wに対する過剰処理の抑制を優先するスケジュールSC2に従って各ロットを処理している期間に退避トリガーTGが発生した場合、実行部65は、第2内容A2(待機不可)の第1制御情報FEが設定された槽TA(例えば、槽CHB1〜槽CHB3)から、第3内容A3(退避場所)の第2制御情報SEが設定された槽TA(例えば、槽ONB1〜槽ONB3)にロットを退避するように、搬送機構CVを制御する。その結果、ロットの各基板Wが薬液によって過剰処理されることを抑制できる。
When the retreat trigger TG occurs during the processing of each lot in accordance with the schedule SC2 in which the priority is given to the suppression of the excessive processing of the substrate W by the chemical solution, the
以上、図2及び図3を参照して説明したように、本実施形態によれば、複数の槽TAの各々に対して退避制御情報ES(第1制御情報FE及び第2制御情報SE)が設定される。 As described above with reference to FIGS. 2 and 3, according to the present embodiment, the evacuation control information ES (the first control information FE and the second control information SE) is provided for each of the plurality of tanks TA. Is set.
従って、各槽TAに対して設定された第1制御情報FEが第1内容A1(待機可)を示している場合、スケジューラー63は、基板Wの処理のスループットを優先してスケジュールSC1を作成できる。その結果、基板Wの処理のスループットの低下を抑制できる。
Therefore, when the first control information FE set for each tank TA indicates the first content A1 (standby possible), the
一方、ある槽TAに対して設定された第1制御情報FEが第2内容A2(待機不可)を示している場合、スケジューラー63は、槽TAに収容されたロットを退避トリガーTGの発生に応じて直ちに他の槽TAに退避できるようにスケジュールSC2を作成できる。その結果、ロットの各基板Wに対して薬液による過剰な処理が行われることを抑止できる。
On the other hand, when the first control information FE set for a certain tank TA indicates the second content A2 (standby not possible), the
加えて、本実施形態では、退避制御情報ESの内容が変更された場合にスケジュールSCが変更され、変更後のスケジュールSCに従ってロットの処理が実行される。従って、退避制御情報ESの第1制御情報FEが第1内容A1及び第2内容A2のうちのいずれを示すかによって、基板Wの処理のスループットの向上を優先するスケジュールSC1か、又は、薬液による基板Wに対する過剰処理の抑制を優先するスケジュールSC2かが作成される。その結果、退避制御情報ESの内容に応じて適切なスケジュールSCが作成されて、基板Wに対して薬液による過剰な処理が行われることを抑止しつつ、基板Wの処理のスループットの低下を可能な限り抑制できる。 In addition, in this embodiment, when the content of the evacuation control information ES is changed, the schedule SC is changed, and the lot is processed according to the changed schedule SC. Therefore, depending on whether the first control information FE of the evacuation control information ES indicates the first content A1 or the second content A2, the schedule SC1 that gives priority to the improvement of the throughput of the processing of the substrate W, or the chemical liquid is used. A schedule SC2 that prioritizes suppression of excessive processing on the substrate W is created. As a result, an appropriate schedule SC is created in accordance with the content of the evacuation control information ES, and it is possible to reduce the throughput of the processing of the substrate W while suppressing the excessive processing of the substrate W by the chemical solution. It can be suppressed as much as possible.
また、本実施形態では、退避トリガーTGの発生前に、設定部61は、複数の槽TAにそれぞれ設定された複数の第1制御情報FEのうち少なくとも1つの第1制御情報FEの内容を第1内容A1(待機可)から第2内容A2(待機不可)に変更する。従って、退避トリガーTGの発生前に、基板Wに対する過剰処理の抑制を優先するスケジュールSC2が作成され、スケジュールSC2に従ってロットが処理される。その結果、退避トリガーTGの発生時に、槽TAからロットを確実に退避させることができて、ロットの各基板Wに対して薬液による過剰処理が行われることを更に効果的に抑制できる。
In addition, in the present embodiment, before the occurrence of the evacuation trigger TG, the setting
さらに、本実施形態では、第1制御情報FEは、環境情報EVに対応して、第1内容A1(待機可)及び第2内容A2(待機不可)のうちのいずれかを示す。従って、環境情報EVに応じた好適なスケジュールSCが作成されて、環境情報EVに応じたスケジュールSCに従って各ロットが処理される。その結果、各ロットを更に適切に処理できる。 Further, in the present embodiment, the first control information FE indicates one of the first content A1 (standby is possible) and the second content A2 (standby is not possible) corresponding to the environment information EV. Therefore, a suitable schedule SC according to the environment information EV is created, and each lot is processed according to the schedule SC according to the environment information EV. As a result, each lot can be processed more appropriately.
例えば、複数の槽TAは、燐酸液を収容する燐酸槽を含む。具体的には、槽CHB1〜槽CHB3の各々が燐酸槽である。そして、退避トリガーTGの発生前に、設定部61は、燐酸槽に対して設定された第1制御情報FEの内容を第1内容A1(待機可)から第2内容A2(待機不可)に変更する。特に、基板処理装置100が設置されている地域に台風が到来することが予測されている場合において、退避トリガーTGの発生前に、設定部61は、燐酸槽に対して設定された第1制御情報FEの内容を第1内容A1から第2内容A2に変更することが有効である。第1制御情報FEの内容の変更が有効な理由は次の通りである。
For example, the plurality of tanks TA include a phosphoric acid tank containing a phosphoric acid solution. Specifically, each of the tanks CHB1 to CHB3 is a phosphoric acid tank. Then, before the occurrence of the evacuation trigger TG, the setting
すなわち、燐酸液を使用して基板Wをエッチングする場合は、十分なエッチングレートを確保するために、燐酸槽では、燐酸液の沸点に近い温度で基板Wを処理することが要求される。一方、台風が到来したり、台風が接近したりすると、基板処理装置100の周囲の大気圧が低下する。つまり、燐酸槽の周囲の大気圧が低下する。燐酸槽の周囲の大気圧が低下すると、燐酸液の沸点が低下する。従って、燐酸液の加熱温度が大気圧の低下前と同じであると、燐酸液の沸点より高い温度で燐酸液が加熱される。その結果、燐酸液の突沸が生じる可能性が、大気圧の低下前と比較して高くなる。
That is, when the substrate W is etched using a phosphoric acid solution, it is necessary to treat the substrate W in a phosphoric acid bath at a temperature close to the boiling point of the phosphoric acid solution in order to secure a sufficient etching rate. On the other hand, when a typhoon arrives or approaches, the atmospheric pressure around the
そして、燐酸液の突沸が生じる可能性が高くなる環境下では、燐酸槽に対して第1内容A1(待機可)の第1制御情報FEが設定されていると、退避トリガーTGが発生した時に、燐酸槽から基板Wを退避できない可能性がある。その結果、基板Wが燐酸液によって過剰処理される可能性がある。そこで、退避トリガーTGの発生前に、燐酸槽に対して第2内容A2(待機不可)の第1制御情報FEを設定することで、スケジュールSC2を作成して、退避トリガーTGが発生した時に直ちに燐酸槽から基板Wを退避する。その結果、燐酸液による基板Wの過剰処理を抑制できる。 Then, in an environment where the possibility of bumping of the phosphoric acid liquid is high, if the first control information FE of the first content A1 (standby possible) is set for the phosphoric acid tank, when the evacuation trigger TG occurs. There is a possibility that the substrate W cannot be evacuated from the phosphoric acid bath. As a result, the substrate W may be excessively treated with the phosphoric acid solution. Therefore, by setting the first control information FE having the second content A2 (standby not possible) in the phosphoric acid tank before the occurrence of the evacuation trigger TG, the schedule SC2 is created, and immediately when the evacuation trigger TG occurs. The substrate W is retracted from the phosphoric acid bath. As a result, excessive treatment of the substrate W with the phosphoric acid solution can be suppressed.
なお、「基板処理装置100が設置されている地域に台風が到来することが予測されている場合」は、例えば、環境情報EV1が示す大気圧が閾値気圧TH1以下になった場合、環境情報EV2が示す気象情報が台風の接近を示している場合、又は、ユーザーが各種情報に基づいて台風の接近を察知した場合である。
Note that “when a typhoon is expected to arrive in the area where the
さらに、本実施形態では、制御部51は、第1モードと第2モードとを有する。第1モードは、環境情報EV1を取得して、環境情報EV1に基づいて各槽TAに退避制御情報ESを設定するモードを示す。第2モードは、操作部57からの入力に基づいて各槽TAに退避制御情報ESを設定するモードを示す。
Further, in the present embodiment, the
第1モードでは、設定部61は、環境情報EV1を取得して、環境情報EV1に基づいて第1制御情報FEの内容を第1内容A1(待機可)及び第2内容A2(待機不可)のうちのいずれかに設定する。
In the first mode, the setting
従って、第1モードでは、手動ではなく自動で第1制御情報FEの内容が環境情報EV1又は環境情報EV2に応じて設定される。従って、ユーザーによる設定変更の忘却又はリスク予兆の見逃しによって第1制御情報FEの内容が基板処理装置100の置かれた環境に応じて適切に設定されない事態の発生を抑制できる。つまり、ユーザーによる設定変更の忘却又はリスク予兆の見逃しによってスケジュールSCが基板処理装置100の置かれた環境に応じて適切に作成されない事態を抑制できる。
Therefore, in the first mode, the content of the first control information FE is set not automatically but automatically according to the environment information EV1 or EV2. Therefore, it is possible to suppress a situation in which the content of the first control information FE is not appropriately set according to the environment where the
具体的には、第1モードでは、設定部61は、検出部59から環境情報EV1を取得する。そして、設定部61は、環境情報EV1に基づいて第1制御情報FEの内容を第1内容A1及び第2内容A2のうちのいずれかに設定する。従って、本実施形態によれば、設定部61は、検出部59の検出結果である環境情報EV1に応じて第1制御情報FEの内容を適切に設定できる。
Specifically, in the first mode, the setting
例えば、設定部61は、環境情報EV1が示す大気圧が閾値気圧TH1以下になった場合、燐酸槽に対して第2内容A2(待機不可)の第1制御情報FEを設定する。その結果、スケジュールSC2が作成されて、燐酸液による基板Wの過剰処理を抑制できる。一方、設定部61は、環境情報EV1が示す大気圧が閾値気圧TH1より大きくなった場合、燐酸槽に対して第1内容A1(待機可)の第1制御情報FEを設定する。その結果、スケジュールSC1が作成されて、基板Wの処理のスループットの低下を抑制できる。
For example, when the atmospheric pressure indicated by the environment information EV1 becomes equal to or less than the threshold pressure TH1, the setting
例えば、設定部61は、環境情報EV1が示す大気圧の減少が閾値時間TH2継続して発生した場合、燐酸槽に対して第2内容A2(待機不可)の第1制御情報FEを設定する。一方、設定部61は、環境情報EV1が示す大気圧の上昇が閾値時間TH2継続して発生した場合、燐酸槽に対して第1内容A1(待機可)の第1制御情報FEを設定する。
For example, when the decrease in the atmospheric pressure indicated by the environment information EV1 occurs continuously for the threshold time TH2, the setting
なお、閾値気圧TH1及び閾値時間TH2の各々は、退避トリガーTGの発生の可能性を判定するために環境情報EVと比較される判定基準値の一例である。 Each of the threshold pressure TH1 and the threshold time TH2 is an example of a criterion value that is compared with the environment information EV in order to determine the possibility of occurrence of the evacuation trigger TG.
また、第1モードでは、通信部55は、環境情報EV2をネットワークNWから受信する。そして、設定部61は、通信部55から環境情報EV2を取得して、環境情報EV2に基づいて第1制御情報FEの内容を第1内容A1及び第2内容A2のうちのいずれかに設定する。つまり、設定部61は、基板処理装置100の外部からネットワークNWを介して環境情報EV2を取得する。そして、設定部61は、環境情報EV2に基づいて、第1制御情報FEの内容を第1内容A1及び第2内容A2のうちのいずれかに設定する。従って、本実施形態によれば、ネットワークNWから取得した環境情報EV2に基づいて、第1制御情報FEの内容を適切に設定できる。
In the first mode, the
例えば、設定部61は、環境情報EV2が示す気象情報が台風の接近を示している場合、燐酸槽に対して第2内容A2(待機不可)の第1制御情報FEを設定する。その結果、スケジュールSC2が作成されて、燐酸液による基板Wの過剰処理を抑制できる。一方、設定部61は、環境情報EV2が示す気象情報が台風の消滅又は進路変更を示している場合、燐酸槽に対して第1内容A1(待機可)の第1制御情報FEを設定する。その結果、スケジュールSC1が作成されて、基板Wの処理のスループットの低下を抑制できる。
For example, when the weather information indicated by the environment information EV2 indicates the approach of a typhoon, the setting
一方、第2モードでは、操作部57は、ユーザーから退避制御情報ESを変更する入力を受け付ける。そして、退避制御情報ESを変更する入力を操作部57が受け付けたことに応答して、設定部61は、退避制御情報ESの内容を変更する。従って、本実施形態によれば、ユーザーは、基板処理装置100の置かれた環境及びリスク予兆を考慮して、退避制御情報ESを手動で変更できる。
On the other hand, in the second mode, the
特に、本実施形態では、ユーザーが手動で退避制御情報ESを変更してスケジュールSCが変更された場合でも、実行部65は、変更前のスケジュールSCに従って処理途中のロットの処理を実行し、変更後のスケジュールSCに従って未処理のロットの処理を実行する。従って、本実施形態によれば、ロットの処理途中に退避制御情報ESが手動で変更されてスケジュールSCが変更された場合でも、スケジュールSCが破綻することなく、スケジュールSCに基づくバッチ処理を円滑に継続できる。
In particular, in the present embodiment, even when the user manually changes the evacuation control information ES and the schedule SC is changed, the
ここで、例えば、ユーザーが各種情報に基づいて台風の接近を察知した場合、操作部57は、ユーザーから燐酸槽に設定された第1制御情報FEの内容を第1内容A1(待機可)から第2内容A2(待機不可)に変更することを示す入力を受け付ける。そこで、設定部61は、第1制御情報FEの内容を第1内容A1から第2内容A2に変更する。その結果、スケジュールSC2が作成されて、燐酸液による基板Wの過剰処理を抑制できる。
Here, for example, when the user senses the approach of the typhoon based on various information, the
例えば、ユーザーが各種情報に基づいて台風の消滅又は進路変更を察知した場合、操作部57は、燐酸槽に設定された第1制御情報FEの内容を第2内容A2(待機不可)から第1内容A1(待機可)に変更することを示す入力をユーザーから受け付ける。従って、設定部61は、第1制御情報FEの内容を第2内容A2から第1内容A1に変更する。その結果、スケジュールSC1が作成されて、基板Wの処理のスループットの低下を抑制できる。
For example, when the user senses the disappearance of the typhoon or the course change based on various information, the
次に、図2及び図4〜図6を参照してスケジューラー63が作成するスケジュールSC1〜スケジュールSC3を説明する。図4〜図6において、処理工程Pの後の数字は、ロット番号を示し、「−」の後が処理工程の番号を表す。また、縦軸はリソースを示し、横軸は時間tを示す。リソースは制御部51による制御対象を示す。
Next, the schedules SC1 to SC3 created by the
図4は、スケジュールSC1を示すタイムチャートである。スケジュールSC1は、基板Wの処理のスループットを優先している。 FIG. 4 is a time chart showing the schedule SC1. The schedule SC1 gives priority to the processing throughput of the substrate W.
図2及び図4に示すように、スケジュールSC1では、処理工程P1−1〜処理工程P1−5、処理工程P2−1〜処理工程P2−5、処理工程P3−1〜処理工程P3−5、処理工程P4−1〜処理工程P4−5、処理工程P5−1〜処理工程P5−5、処理工程P2−1〜処理工程P2−5、…が時間軸上に配置されている。 As shown in FIGS. 2 and 4, in the schedule SC1, the processing steps P1-1 to P1-5, the processing steps P2-1 to P2-5, the processing steps P3-1 to P3-5, Processing steps P4-1 to P4-5, processing steps P5-1 to P5-5, processing steps P2-1 to P2-5,... Are arranged on a time axis.
処理工程P1−1は、ローダーLDがロットを槽CHB1に搬入する工程を示す。処理工程P1−2は、槽CHB1がロットを薬液によって処理する工程を示す。処理工程P1−3は、槽ONB1がロットをリンス液によって洗浄する工程を示す。処理工程P1−4は、槽LPD1がロットを乾燥する工程を示す。処理工程P1−5は、アンローダーULDがロットを槽LPD1から搬出する工程を示す。 The processing step P1-1 is a step in which the loader LD carries the lot into the tank CHB1. The processing step P1-2 is a step in which the tank CHB1 processes the lot with a chemical. The processing step P1-3 is a step in which the tank ONB1 cleans the lot with a rinsing liquid. Processing step P1-4 shows a step in which the tank LPD1 dries the lot. The processing step P1-5 indicates a step in which the unloader ULD carries out the lot from the tank LPD1.
ロットが異なる点を除き、処理工程P2−1〜処理工程P2−5は、それぞれ、処理工程P1−1〜処理工程P1−5と同様である。この点は、処理工程P3−1〜処理工程P3−5、処理工程P4−1〜処理工程P4−5、処理工程P5−1〜処理工程P5−5、及び、処理工程P6−1〜処理工程P6−5についても同様である。 Except for a different lot, the processing steps P2-1 to P2-5 are the same as the processing steps P1-1 to P1-5, respectively. In this respect, processing steps P3-1 to P3-5, processing steps P4-1 to P4-5, processing steps P5-1 to P5-5, and processing steps P6-1 to P6-1 The same applies to P6-5.
スケジュールSC1では、槽ONB1に対して、第3内容A3(退避場所)の第2制御情報SEが設定されている。一方、スケジュールSC1では、槽CHB1に対して、第1内容A1(待機可)の第1制御情報FEが設定されている。従って、槽CHB1と槽ONB1とが並行して使用される。その結果、基板Wの処理のスループットを向上できる。なお、例えば、第2処理部20及び第3処理部21でもスケジュールSC1が作成され、第1処理部19〜第3処理部21で並行してロットが処理される。
In the schedule SC1, the second control information SE having the third content A3 (evacuation location) is set for the tank ONB1. On the other hand, in the schedule SC1, the first control information FE having the first content A1 (standby possible) is set for the tank CHB1. Therefore, the tank CHB1 and the tank ONB1 are used in parallel. As a result, the throughput of processing the substrate W can be improved. Note that, for example, the schedule SC1 is also created in the
図5は、スケジュールSC2を示すタイムチャートである。スケジュールSC2は、薬液による基板Wの過剰処理の抑制を優先している。 FIG. 5 is a time chart showing the schedule SC2. In the schedule SC2, priority is given to suppression of excessive processing of the substrate W by the chemical solution.
図5に示すように、スケジュールSC2では、図4に示すスケジュールSC1と同様に、処理工程P1−1〜処理工程P1−5、処理工程P2−1〜処理工程P2−5、処理工程P3−1〜処理工程P3−5、処理工程P4−1〜処理工程P4−5、…が時間軸上に配置されている。 As shown in FIG. 5, in the schedule SC2, similarly to the schedule SC1 shown in FIG. 4, the processing steps P1-1 to P1-5, the processing steps P2-1 to P2-5, and the processing step P3-1. To P5-5, P4-1 to P4-5,... Are arranged on a time axis.
ただし、スケジュールSC2では、槽CHB1に対して、第2内容A2(待機不可)の第1制御情報FEが設定されている。また、槽ONB1に対して、第3内容A3(退避場所)の第2制御情報SEが設定されている。従って、槽CHB1と槽ONB1とは並行して使用されない。その結果、退避トリガーTGが発生した時に直ちに槽CHB1の基板Wを槽ONB1に退避できて、薬液による基板Wの過剰処理を抑制できる。なお、例えば、第2処理部20及び第3処理部21でもスケジュールSC2が作成され、第1処理部19〜第3処理部21で並行してロットが処理される。
However, in the schedule SC2, the first control information FE of the second content A2 (standby not possible) is set for the tank CHB1. Further, the second control information SE of the third content A3 (evacuation location) is set for the tank ONB1. Therefore, the tank CHB1 and the tank ONB1 are not used in parallel. As a result, the substrate W in the tank CHB1 can be immediately retracted to the tank ONB1 when the retreat trigger TG occurs, and the excessive processing of the substrate W by the chemical can be suppressed. Note that, for example, the schedule SC2 is also created in the
図6は、スケジュールSC3を示すタイムチャートである。スケジュールSC3は、退避制御情報ESの変更時刻を考慮している。 FIG. 6 is a time chart showing the schedule SC3. The schedule SC3 takes into account the change time of the evacuation control information ES.
図6に示すように、スケジュールSC3では、図4に示すスケジュールSC1及び図5に示すスケジュールSC2と同様に、処理工程P1−1〜処理工程P1−5、処理工程P2−1〜処理工程P2−5、処理工程P3−1〜処理工程P3−5、処理工程P4−1〜処理工程P4−5、処理工程P5−1〜処理工程P5−5、…が時間軸上に配置されている。具体的には、スケジュールSC3は、スケジュールSC1とスケジュールSC2とが複合したスケジュールである。 As shown in FIG. 6, in the schedule SC3, similarly to the schedule SC1 shown in FIG. 4 and the schedule SC2 shown in FIG. 5, the processing steps P1-1 to P1-5, the processing steps P2-1 to P2- 5, processing steps P3-1 to P3-5, processing steps P4-1 to P4-5, processing steps P5-1 to P5-5,... Are arranged on a time axis. Specifically, the schedule SC3 is a composite schedule of the schedule SC1 and the schedule SC2.
時刻tcは、退避制御情報ESが変更された時刻を示す。具体的には、時刻tcでは、第1制御情報FEの内容が、第1内容A1(待機可)から第2内容A2(待機不可)に変更されている。従って、スケジューラー63は、スケジュールSC1をスケジュールSC2に変更する。
The time tc indicates the time at which the evacuation control information ES was changed. Specifically, at time tc, the content of the first control information FE is changed from the first content A1 (standby possible) to the second content A2 (standby impossible). Therefore, the
しかしながら、時刻tcでは、スケジュールSC1に従ってロット番号1のロット及びロット番号2のロットが処理途中である。従って、実行部65は、変更前のスケジュールSC1に従って、搬送機構CV及び槽LPD1、ONB1、CHB1に、処理途中のロット番号1のロット及びロット番号2のロットの処理を続行させる。
However, at the time tc, the lot with the lot number 1 and the lot with the
一方、時刻tcでは、他のロット番号(ロット番号3、4、…)のロットは未処理である。従って、実行部65は、未処理のロット番号(ロット番号3、4、…)のロットに対しては変更後のスケジュールSC2を適用し、変更後のスケジュールSC2に従って、搬送機構CV及び槽LPD1、ONB1、CHB1に、未処理のロット番号(ロット番号3、4、…)のロットの処理を実行させる。
On the other hand, at time tc, lots with other lot numbers (
以上、図6を参照して説明したように、本実施形態によれば、ロットの処理途中の時刻tcに退避制御情報ESが変更されてスケジュールSC1がスケジュールSC2に変更された場合でも、変更後のスケジュールSC2の実行タイミングが調整される。つまり、退避制御情報ES(具体的には第1制御情報FE)の変更は、処理途中のロットの処理に反映されず、未処理のロットの処理に反映される。従って、スケジュールSC1及びスケジュールSC2が破綻することはない。そして、スケジュールSC1とスケジュールSC2とが複合したスケジュールSC3に基づくバッチ処理が円滑に実行される。なお、例えば、第2処理部20及び第3処理部21でもスケジュールSC3が作成され、第1処理部19〜第3処理部21で並行してロットが処理される。
As described above with reference to FIG. 6, according to the present embodiment, even if the evacuation control information ES is changed at the time tc during the processing of the lot and the schedule SC1 is changed to the schedule SC2, The execution timing of the schedule SC2 is adjusted. In other words, the change of the evacuation control information ES (specifically, the first control information FE) is not reflected in the processing of the lot being processed, but is reflected in the processing of the unprocessed lot. Therefore, the schedule SC1 and the schedule SC2 do not fail. Then, a batch process based on the schedule SC3 in which the schedule SC1 and the schedule SC2 are combined is smoothly executed. Note that, for example, the schedule SC3 is also created in the
次に、図2及び図7〜図9を参照して、第1モードで実行される基板処理方法を説明する。図7〜図9は、基板処理装置100の第1モードでの基板処理方法を示すフローチャートである。図7〜図9に示すように、基板処理方法は、ステップS1〜ステップS39を含む。基板処理方法は、基板処理装置100によって実行される。具体的には、コンピューターCMが、コンピュータープログラムを実行することによって、基板処理方法を実行する。
Next, a substrate processing method executed in the first mode will be described with reference to FIG. 2 and FIGS. 7 to 9 are flowcharts illustrating a substrate processing method in the first mode of the
図2及び図7に示すように、ステップS1において、コンピューターCMの制御部51の設定部61は、各槽TAに対して退避制御情報ESを設定する。図7〜図9の説明では、図3に示すように各槽TAに対して退避制御情報ESが設定される。また、槽CHB1〜槽CHB3の各々に対しては第1内容A1(待機可)の第1制御情報FEが設定される。
As shown in FIGS. 2 and 7, in step S1, the setting
ステップS3において、制御部51のスケジューラー63は、レシピ及び退避制御情報ESに基づいてスケジュールSCを作成する。
In step S3, the
ステップS5において、制御部51の実行部65は、スケジュールSCに従ってバッチ処理を実行する。
In step S5, the
ステップS7において、設定部61は、検出部59又は外部コンピューター300から環境情報EVを取得する。
In step S7, the setting
ステップS9において、設定部61は環境情報EVが第1条件FCDを満足するか否かを判定する。第1条件FCDは、退避トリガーTGの発生の可能性を判定するための条件である。第1条件FCDが満足されると、基板処理装置100の置かれた環境において退避トリガーTGの発生の可能性が高いことを示す。一方、第1条件FCDが満足されないと、基板処理装置100の置かれた環境において退避トリガーTGの発生の可能性が低いことを示す。
In step S9, the setting
第1条件FCDは、退避トリガーTGの発生の可能性を判定するために環境情報EVと比較される判定基準値を含む。例えば、第1条件FCDは、槽CHB1〜槽CHB3の各々が燐酸槽である場合に、「環境情報EV1の示す大気圧が閾値気圧TH1以下であること」である。「閾値気圧TH1」は判定基準値の一例に相当する。 The first condition FCD includes a criterion value that is compared with the environment information EV to determine the possibility of the occurrence of the evacuation trigger TG. For example, the first condition FCD is that “the atmospheric pressure indicated by the environment information EV1 is equal to or less than the threshold pressure TH1” when each of the tanks CHB1 to CHB3 is a phosphoric acid tank. The “threshold pressure TH1” corresponds to an example of a determination reference value.
ステップS9で環境情報EVが第1条件FCDを満足しないと判定された場合、処理はステップS11に進む。 If it is determined in step S9 that the environment information EV does not satisfy the first condition FCD, the process proceeds to step S11.
ステップS11において、設定部61は、全ロットの処理が終了したか否かを判定する。
In step S11, the setting
ステップS11で全ロットの処理が終了したと判定された場合、処理は終了する。 If it is determined in step S11 that the processing for all lots has been completed, the processing ends.
一方、ステップS11で全ロットの処理が終了していないと判定された場合、処理はステップS7に進む。 On the other hand, if it is determined in step S11 that the processing for all lots has not been completed, the processing proceeds to step S7.
また、ステップS9で環境情報EVが第1条件FCDを満足すると判定された場合、処理は図8のステップS13に進む。 If it is determined in step S9 that the environment information EV satisfies the first condition FCD, the process proceeds to step S13 in FIG.
図8に示すように、ステップS13において、設定部61は、退避制御情報ESを変更する。具体的には、設定部61は、槽CHB1〜槽CHB3の各々に設定された第1制御情報FEの内容を第1内容A1(待機可)から第2内容A2(待機不可)に変更する。
As shown in FIG. 8, in step S13, the setting
ステップS15において、スケジューラー63は、変更後の退避制御情報ESに基づいてスケジュールSCを変更する。
In step S15, the
ステップS17において、制御部51の実行部65は、未処理のロットの処理タイミングが到来したか否かを判定する。
In step S17, the
ステップS17で未処理のロットの処理タイミングが到来していないと判定された場合、処理はステップS17を繰り返す。従って、実行部65は、変更前のスケジュールSCに従って、搬送機構CV及び各槽TAに処理途中のロットの処理を続行させる。
If it is determined in step S17 that the processing timing of the unprocessed lot has not arrived, the process repeats step S17. Therefore, the
一方、ステップS17で未処理のロットの処理タイミングが到来したと判定された場合、処理はステップS19に進む。 On the other hand, if it is determined in step S17 that the processing timing of the unprocessed lot has arrived, the process proceeds to step S19.
ステップS19において、実行部65は、変更後のスケジュールに従って、搬送機構CV及び各槽TAに未処理のロットの処理を実行させる。
In step S19, the
ステップS21において、設定部61は、検出部59又は外部コンピューター300から環境情報EVを取得する。
In step S21, the setting
ステップS23において、設定部61は環境情報EVが第2条件SCDを満足するか否かを判定する。第2条件SCDは、退避トリガーTGの発生の可能性を判定するための条件である。第2条件SCDが満足されると、基板処理装置100の置かれた環境において退避トリガーTGの発生の可能性が低いことを示す。一方、第2条件SCDが満足されないと、基板処理装置100の置かれた環境において退避トリガーTGの発生の可能性が高いことを示す。
In step S23, the setting
第2条件SCDは、退避トリガーTGの発生の可能性を判定するために環境情報EVと比較される判定基準値を含む。例えば、第2条件SCDは、槽CHB1〜槽CHB3の各々が燐酸槽である場合に、「環境情報EV1の示す大気圧が閾値気圧TH1より大きいこと」である。「閾値気圧TH1」は判定基準値の一例に相当する。 The second condition SCD includes a criterion value that is compared with the environment information EV to determine the possibility of occurrence of the evacuation trigger TG. For example, the second condition SCD is that “the atmospheric pressure indicated by the environment information EV1 is higher than the threshold pressure TH1” when each of the tanks CHB1 to CHB3 is a phosphoric acid tank. The “threshold pressure TH1” corresponds to an example of a determination reference value.
ステップS23で環境情報EVが第2条件SCDを満足しないと判定された場合、処理はステップS25に進む。 If it is determined in step S23 that the environment information EV does not satisfy the second condition SCD, the process proceeds to step S25.
ステップS25において、設定部61は、全ロットの処理が終了したか否かを判定する。
In step S25, the setting
ステップS25で全ロットの処理が終了したと判定された場合、処理は終了する。 If it is determined in step S25 that the processing for all lots has been completed, the processing ends.
一方、ステップS25で全ロットの処理が終了していないと判定された場合、処理はステップS21に進む。 On the other hand, if it is determined in step S25 that the processing for all lots has not been completed, the processing proceeds to step S21.
また、ステップS23で環境情報EVが第2条件SCDを満足すると判定された場合、処理は図9のステップS27に進む。 If it is determined in step S23 that the environment information EV satisfies the second condition SCD, the process proceeds to step S27 in FIG.
図9に示すように、ステップS27において、設定部61は、退避制御情報ESを変更する。具体的には、設定部61は、槽CHB1〜槽CHB3の各々に設定された第1制御情報FEの内容を第2内容A2(待機不可)から第1内容A1(待機可)に変更する。
As shown in FIG. 9, in step S27, the setting
ステップS29において、スケジューラー63は、変更後の退避制御情報ESに基づいてスケジュールSCを変更する。
In step S29, the
ステップS31において、制御部51の実行部65は、未処理のロットの処理タイミングが到来したか否かを判定する。
In step S31, the
ステップS31で未処理のロットの処理タイミングが到来していないと判定された場合、処理はステップS31を繰り返す。従って、実行部65は、変更前のスケジュールSCに従って、搬送機構CV及び各槽TAに処理途中のロットの処理を続行させる。
If it is determined in step S31 that the processing timing of the unprocessed lot has not arrived, the process repeats step S31. Therefore, the
一方、ステップS31で未処理のロットの処理タイミングが到来したと判定された場合、処理はステップS33に進む。 On the other hand, if it is determined in step S31 that the processing timing of the unprocessed lot has arrived, the process proceeds to step S33.
ステップS33において、実行部65は、変更後のスケジュールに従って、搬送機構CV及び各槽TAに未処理のロットの処理を実行させる。
In step S33, the
ステップS35において、設定部61は、検出部59又は外部コンピューター300から環境情報EVを取得する。
In step S35, the setting
ステップS37において、設定部61は、環境情報EVが第1条件FCDを満足するか否かを判定する。
In step S37, the setting
ステップS37で環境情報EVが第1条件FCDを満足しないと判定された場合、処理はステップS39に進む。 If it is determined in step S37 that the environment information EV does not satisfy the first condition FCD, the process proceeds to step S39.
ステップS39において、設定部61は、全ロットの処理が終了したか否かを判定する。
In step S39, the setting
ステップS39で全ロットの処理が終了したと判定された場合、処理は終了する。 If it is determined in step S39 that the processing for all lots has been completed, the processing ends.
一方、ステップS39で全ロットの処理が終了していないと判定された場合、処理はステップS35に進む。 On the other hand, if it is determined in step S39 that the processing for all lots has not been completed, the processing proceeds to step S35.
また、ステップS37で環境情報EVが第1条件FCDを満足すると判定された場合、処理は図8のステップS13に進む。 If it is determined in step S37 that the environment information EV satisfies the first condition FCD, the process proceeds to step S13 in FIG.
以上、図7〜図9を参照して説明したように、第1モードでは、検出部59又は外部コンピューター300から取得した環境情報EVに基づいて自動で退避制御情報ESが変更される。
As described above with reference to FIGS. 7 to 9, in the first mode, the evacuation control information ES is automatically changed based on the environment information EV acquired from the
なお、第1条件FCD及び第2条件SCDに含まれる判定基準値は記憶部53に記憶されている。また、判定基準値は、操作部57からの入力によって変更可能である。
The determination reference values included in the first condition FCD and the second condition SCD are stored in the
次に、図2、図10、及び図11を参照して、第2モードで実行される基板処理方法を説明する。図10及び図11は、基板処理装置100の第2モードでの基板処理方法を示すフローチャートである。図10及び図11に示すように、基板処理方法は、ステップS51〜ステップS65を含む。基板処理方法は、基板処理装置100によって実行される。具体的には、コンピューターCMが、コンピュータープログラムを実行することによって、基板処理方法を実行する。
Next, a substrate processing method executed in the second mode will be described with reference to FIGS. 2, 10, and 11. FIG. 10 and 11 are flowcharts illustrating a substrate processing method of the
図2及び図10に示すように、ステップS51において、コンピューターCMの制御部51の設定部61は、各槽TAに対して退避制御情報ESを設定する。
As shown in FIGS. 2 and 10, in step S51, the setting
ステップS53において、制御部51のスケジューラー63は、レシピ及び退避制御情報ESに基づいてスケジュールSCを作成する。
In step S53, the
ステップS55において、制御部51の実行部65は、スケジュールSCに従ってバッチ処理を実行する。
In step S55, the
ステップS57において、設定部61は、ユーザーの操作による操作部57からの入力によって退避制御情報ESが変更されたか否かを判定する。
In step S57, the setting
ステップS57で退避制御情報ESが変更されていないと判定された場合、処理はステップS59に進む。 If it is determined in step S57 that the evacuation control information ES has not been changed, the process proceeds to step S59.
ステップS59において、設定部61は、全ロットの処理が終了したか否かを判定する。
In step S59, the setting
ステップS59で全ロットの処理が終了したと判定された場合、処理は終了する。 If it is determined in step S59 that the processing for all lots has been completed, the processing ends.
一方、ステップS59で全ロットの処理が終了していないと判定された場合、処理はステップS57に進む。 On the other hand, if it is determined in step S59 that the processing for all lots has not been completed, the processing proceeds to step S57.
また、ステップS57で退避制御情報ESが変更されたと判定された場合、処理は図11のステップS61に進む。 If it is determined in step S57 that the evacuation control information ES has been changed, the process proceeds to step S61 in FIG.
図11に示すように、ステップS61において、スケジューラー63は、変更後の退避制御情報ESに基づいてスケジュールSCを変更する。
As shown in FIG. 11, in step S61, the
ステップS63において、制御部51の実行部65は、未処理のロットの処理タイミングが到来したか否かを判定する。
In step S63, the
ステップS63で未処理のロットの処理タイミングが到来していないと判定された場合、処理はステップS63を繰り返す。従って、実行部65は、変更前のスケジュールSCに従って搬送機構CV及び各槽TAに処理途中のロットの処理を続行させる。
If it is determined in step S63 that the processing timing of the unprocessed lot has not arrived, the process repeats step S63. Therefore, the
一方、ステップS63で未処理のロットの処理タイミングが到来したと判定された場合、処理はステップS65に進む。 On the other hand, if it is determined in step S63 that the processing timing of the unprocessed lot has arrived, the process proceeds to step S65.
ステップS65において、実行部65は、変更後のスケジュールに従って、搬送機構CV及び各槽TAに未処理のロットの処理を実行させる。そして、処理は図10のステップS57に進む。
In step S65, the
以上、図10及び図11を参照して説明したように、第2モードでは、ユーザーの操作による操作部57からの入力に基づいて、手動で退避制御情報ESが変更される。
As described above with reference to FIGS. 10 and 11, in the second mode, the evacuation control information ES is manually changed based on an input from the
次に、図2を参照して、処理部SP及び制御部51の動作を記憶部53と関連付けて説明する。図2に示すように、処理部SPは制御ユニット16をさらに備える。制御ユニット16は、制御部51の制御の下、乾燥処理部17、第1処理部19、第2処理部20、及び第3処理部21を制御する。制御ユニット16は、プロセッサー及び記憶装置を含むコンピューターである。
Next, the operations of the processing unit SP and the
コンピューターCMの記憶部53は、第1領域71と、第2領域73と、退避制御領域75と、レシピ領域77と、プログラム領域79とを有する。退避制御領域75には、複数の槽TAにそれぞれ設定された退避制御情報ESが記憶される。レシピ領域77には、複数のレシピが記憶される。
The
第1領域71には、レシピ領域77からレシピがコピーされ、退避制御領域75から退避制御情報ESがコピーされる。第2領域73には、第1領域71から、レシピ及び退避制御情報ESがコピーされる。
In the
プログラム領域79には、図7〜図11を参照して説明した基板処理方法を実行するコンピュータープログラムが記憶される。記憶部53は、「基板処理方法をコンピューターに実行させるためのコンピュータープログラムを記憶した非一時的コンピューター読取可能記憶媒体」の一例である。
The
まず、第1モードでの制御部51の設定部61の動作の一例を説明する。設定部61は、基板処理装置100の起動時に、レシピ領域77から特定のレシピを読み出して、第1領域71にコピーする。また、設定部61は、基板処理装置100の起動時に、退避制御領域75から退避制御情報ESを読み出して、第1領域71にコピーする。
First, an example of the operation of the
また、設定部61は、検出部59及び外部コンピューター300から所定時間間隔で環境情報EVを取得する。そして、設定部61は、環境情報EVに応じて第1領域71に記憶された退避制御情報ESの内容を変更する。例えば、第1領域71に第1内容A1(待機可)の第1制御情報FEが記憶されている場合に、環境情報EVが第1条件FCDを満足すると、設定部61は、第1制御情報FEの内容を第1内容A1から第2内容A2(待機不可)に変更する。例えば、第1領域71に第2内容A2(待機不可)の第1制御情報FEが記憶されている場合に、環境情報EVが第2条件SCDを満足すると、第1制御情報FEの内容を第2内容A2から第1内容A1(待機可)に変更する。
In addition, the setting
次に、第2モードでの設定部61の動作の一例を説明する。第2モードでの基板処理装置100の起動時の設定部61の動作は、第1モードでの基板処理装置100の起動時の設定部61の動作と同様である。
Next, an example of the operation of the
操作部57は、ユーザーから退避制御情報ESの入力を受け付ける。そして、設定部61は、第1領域71に記憶された退避制御情報ESの内容を、操作部57に入力された退避制御情報ESの内容に変更する。例えば、第1領域71に第1内容A1(待機可)の第1制御情報FEが記憶されている場合に、操作部57に第2内容A2(待機不可)の第1制御情報FEが入力されると、設定部61は、第1領域71に記憶された第1制御情報FEの内容を第1内容A1から第2内容A2に変更する。例えば、第1領域71に第2内容A2(待機不可)の第1制御情報FEが記憶されている場合に、操作部57に第1内容A1(待機可)の第1制御情報FEが入力されると、設定部61は、第1領域71に記憶された第1制御情報FEの内容を第2内容A2から第1内容A1に変更する。
The
次に、第1モード及び第2モードの各々での制御部51のスケジューラー63及び実行部65の動作の一例を説明する。
Next, an example of the operation of the
スケジューラー63は、新たなロットの最初の槽TAへの搬入タイミングが到来するたびに、第1領域71に記憶されたレシピ及び退避制御情報ESを第2領域73にコピーする。換言すれば、新たなロットの最初の槽TAへの搬入タイミングが到来していない場合には、第1領域71に記憶されたレシピ及び退避制御情報ESは第2領域73にコピーされない。「最初の槽TA」は、ロットが最初に投入される槽TAを示す。例えば、図4〜図6の例では、「最初の槽TA」は、槽CHB1である。
The
そして、スケジューラー63は、新たなロットの最初の槽TAへの搬入タイミングが到来するたびに、第2領域73に記憶されたレシピ及び退避制御情報ESに基づいて新たにスケジュールSCを作成する。換言すれば、新たなロットの最初の槽TAへの搬入タイミングが到来していない場合には、新たなスケジュールSCは作成されない。
Then, the
そして、制御部51の実行部65は、最初の槽TAに新たに搬入されたロットに対して新たなスケジュールSCに従って処理が行われるように、搬送機構CV及び制御ユニット16(各槽TA)を制御する。一方、槽TAで処理途中のロットに対しては、処理途中のロットが最初の槽TAに搬入された時に作成されたスケジュールSCに従って処理が行われる。その結果、本実施形態によれば、スケジュールSCが破綻することなく、円滑にバッチ処理を実行できる。
Then, the
以上、図1〜図11を参照して説明したように、本実施形態によれば、基板Wに対して過剰な処理が行われることを抑止しつつ、基板Wの処理のスループットの低下を可能な限り抑制できる。 As described above with reference to FIGS. 1 to 11, according to the present embodiment, it is possible to reduce the throughput of the processing of the substrate W while suppressing the excessive processing performed on the substrate W. It can be suppressed as much as possible.
なお、例えば、制御部51は、各種の環境情報EV1及び環境情報EV2を収集及び解析して、ユーザーによって入力された判定基準値を必要とすることなく、大気圧の低下を予測又は検知してもよい。例えば、制御部51は、気象情報等の環境情報EV2に含まれる言語情報を解析して大気圧の低下を予測又は検知してもよい。例えば、制御部51は、天気図、予想天気図、及び大気圧配置図等の画像情報を解析して大気圧の低下を予測又は検知してもよい。例えば、制御部51は、2つ以上の環境情報EVを受け取るか、1つの環境情報EVに対し2つ以上の判断基準を適用するか、又は、それら組み合わせによって複数パターンの大気圧低下及び上昇の予測を行い、実際の大気圧変化傾向と比較することで最も精度の高い予測方法を学習してもよい。予測方法を学習する際に、制御部51は、実際の大気圧変化傾向を予測方法にフィードバックして予測方法を修正することで学習精度を向上させてもよい。
Note that, for example, the
以上、図面を参照して本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、または、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。 The embodiment of the invention has been described with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the above embodiment, and can be implemented in various modes without departing from the gist thereof. Further, a plurality of constituent elements disclosed in the above embodiment can be appropriately modified. For example, one component of all the components shown in one embodiment may be added to the components of another embodiment, or some configuration of all the components shown in one embodiment may be added. Elements may be omitted from embodiments.
また、図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。 In addition, the drawings schematically show each component as a main body in order to facilitate understanding of the invention, and the thickness, length, number, interval, and the like of each component shown in the drawings are shown in the drawings. For some reasons, it may be different from the actual one. The configuration of each component shown in the above embodiment is an example, and is not particularly limited. Needless to say, various changes can be made without substantially departing from the effects of the present invention. .
本発明は、基板処理装置、基板処理方法、及びコンピュータープログラムに関するものであり、産業上の利用可能性を有する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a computer program, and has industrial applicability.
51 制御部
55 通信部
57 操作部
59 検出部
61 設定部
63 スケジューラー
65 実行部
100 基板処理装置
TA、LPD1、LPD2、CHB1〜CHB3、ONB1〜ONB3 槽
CV 搬送機構
W 基板
ES 退避制御情報
FE 第1制御情報
SE 第2制御情報
A1 第1内容(待機可)
A2 第2内容(待機不可)
A3 第3内容(退避場所)
A4 第4内容(非退避場所)
A2 2nd content (standby not possible)
A3 Third contents (evacuation place)
A4 4th content (non-evacuation place)
Claims (19)
基板を処理する複数の槽と、
前記複数の槽に対して基板を搬入及び搬出する搬送機構と、
前記複数の槽及び前記搬送機構を制御する制御部と
を備え、
前記制御部は、
前記複数の槽の各々に対して、基板の退避に関する退避制御情報を設定する設定部と、
基板を処理するときの前記複数の槽の使用タイミング及び前記搬送機構の動作タイミングを規定するスケジュールを、前記退避制御情報に基づいて作成するスケジューラーと、
前記搬送機構及び前記複数の槽に、前記スケジュールに従って基板の処理を実行させる実行部と
を含み、
前記退避制御情報は、
槽に基板を待機させることが可能か否かを示す第1制御情報と、
槽が他の槽に収容された基板を退避するための場所であるか否かを示す第2制御情報と
を含み、
前記退避制御情報が変更された場合、前記スケジューラーは、変更後の前記退避制御情報に基づいて前記スケジュールを変更し、
前記実行部は、変更後の前記スケジュールに従って前記搬送機構及び前記複数の槽に基板の処理を実行させる、基板処理装置。 A substrate processing apparatus that collectively processes a plurality of substrates,
A plurality of tanks for processing substrates,
A transport mechanism for loading and unloading the substrate from and to the plurality of tanks,
A control unit for controlling the plurality of tanks and the transport mechanism,
The control unit includes:
A setting unit that sets evacuation control information related to evacuation of the substrate for each of the plurality of tanks;
A scheduler that creates a schedule that defines the use timing of the plurality of tanks and the operation timing of the transport mechanism when processing a substrate, based on the evacuation control information,
An execution unit configured to execute the processing of the substrate according to the schedule in the transport mechanism and the plurality of tanks,
The evacuation control information includes:
First control information indicating whether or not it is possible to hold the substrate in the tank;
And second control information indicating whether or not the tank is a place for retreating a substrate housed in another tank.
When the evacuation control information is changed, the scheduler changes the schedule based on the changed evacuation control information,
The substrate processing apparatus, wherein the execution unit causes the transport mechanism and the plurality of tanks to execute the processing of the substrate according to the changed schedule.
前記第1内容は、槽に基板を待機させることが可能であることを示し、
前記第2内容は、槽に基板を待機させることが不可能であることを示し、
基板を槽から退避させるための退避トリガーの発生前に、前記設定部は、少なくとも1つの前記第1制御情報の内容を前記第1内容から前記第2内容に変更する、請求項1に記載の基板処理装置。 The first control information indicates one of first content and second content,
The first content indicates that it is possible to make the substrate stand by in the tank,
The second content indicates that it is impossible to make the substrate wait in the tank,
2. The method according to claim 1, wherein the setting unit changes the content of at least one of the first control information from the first content to the second content before a retreat trigger for retreating the substrate from the tank occurs. 3. Substrate processing equipment.
前記退避トリガーの発生前に、前記設定部は、前記燐酸槽に対して設定された前記第1制御情報の内容を前記第1内容から前記第2内容に変更する、請求項2に記載の基板処理装置。 The plurality of tanks include a phosphoric acid tank containing a phosphoric acid solution,
3. The substrate according to claim 2, wherein before the occurrence of the evacuation trigger, the setting unit changes the content of the first control information set for the phosphoric acid tank from the first content to the second content. 4. Processing equipment.
前記第1内容は、槽に基板を待機させることが可能であることを示し、
前記第2内容は、槽に基板を待機させることが不可能であることを示し、
前記環境情報は、前記基板処理装置が置かれた環境を表す情報、又は、前記基板処理装置の状態を表す情報を含む、請求項1に記載の基板処理装置。 The first control information indicates one of a first content and a second content in accordance with the environment information,
The first content indicates that it is possible to make the substrate stand by in the tank,
The second content indicates that it is impossible to make the substrate wait in the tank,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the environment information includes information indicating an environment where the substrate processing apparatus is placed or information indicating a state of the substrate processing apparatus.
前記設定部は、前記通信部から前記環境情報を取得して、前記環境情報に基づいて前記第1制御情報の内容を前記第1内容及び前記第2内容のうちのいずれかに設定する、請求項5に記載の基板処理装置。 A communication unit that receives the environment information from outside the substrate processing apparatus via a network,
The setting unit acquires the environment information from the communication unit, and sets the content of the first control information to one of the first content and the second content based on the environment information. Item 6. A substrate processing apparatus according to item 5.
処理途中の基板に対して変更前の前記スケジュールを適用して、変更前の前記スケジュールに従って前記搬送機構及び前記複数の槽に処理途中の前記基板の処理を続行させ、
未処理の基板に対して変更後の前記スケジュールを適用して、変更後の前記スケジュールに従って前記搬送機構及び前記複数の槽に未処理の前記基板の処理を実行させる、請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の基板処理装置。 The execution unit,
Applying the schedule before the change to the substrate in the process, causing the transport mechanism and the plurality of tanks to continue the processing of the substrate in the process according to the schedule before the change,
8. The unprocessed substrate is applied with the changed schedule, and the processing of the unprocessed substrate is performed in the transport mechanism and the plurality of tanks according to the changed schedule. The substrate processing apparatus according to claim 1.
前記退避制御情報を変更する入力を前記操作部が受け付けたことに応答して、前記設定部は、前記退避制御情報の内容を変更する、請求項8に記載の基板処理装置。 An operation unit that is operated by a user and further receives an input for changing the evacuation control information from the user,
9. The substrate processing apparatus according to claim 8, wherein the setting unit changes the content of the evacuation control information in response to the operation unit receiving an input to change the evacuation control information.
前記基板処理装置は、
基板を処理する複数の槽と、
前記複数の槽に対して基板を搬入及び搬出する搬送機構と
を備え、
前記複数の槽の各々に対して、基板の退避に関する退避制御情報を設定するステップと、
基板を処理するときの前記複数の槽の使用タイミング及び前記搬送機構の動作タイミングを規定するスケジュールを、前記退避制御情報に基づいて作成するステップと、
前記搬送機構及び前記複数の槽に、前記スケジュールに従って基板の処理を実行させるステップと、
前記退避制御情報が変更された場合、変更後の前記退避制御情報に基づいて前記スケジュールを変更するステップと、
変更後の前記スケジュールに従って前記搬送機構及び前記複数の槽に基板の処理を実行させるステップと
を含み、
前記退避制御情報は、
槽に基板を待機させることが可能か否かを示す第1制御情報と、
槽が他の槽に収容された基板を退避するための場所であるか否かを示す第2制御情報と
を含む、基板処理方法。 A substrate processing method performed by a substrate processing apparatus that collectively processes a plurality of substrates,
The substrate processing apparatus includes:
A plurality of tanks for processing substrates,
A transport mechanism for loading and unloading the substrate to and from the plurality of tanks,
Setting evacuation control information for evacuation of the substrate for each of the plurality of tanks;
Creating a schedule that defines the use timing of the plurality of tanks and the operation timing of the transport mechanism when processing the substrate, based on the evacuation control information,
Causing the transport mechanism and the plurality of tanks to execute processing of the substrate according to the schedule;
When the evacuation control information is changed, changing the schedule based on the changed evacuation control information;
Causing the transport mechanism and the plurality of tanks to perform the processing of the substrate according to the changed schedule.
The evacuation control information includes:
First control information indicating whether or not it is possible to hold the substrate in the tank;
A second control information indicating whether or not the tank is a place for retreating a substrate housed in another tank.
前記第1内容は、槽に基板を待機させることが可能であることを示し、
前記第2内容は、槽に基板を待機させることが不可能であることを示し、
基板を槽から退避させるための退避トリガーの発生前に、少なくとも1つの前記第1制御情報の内容が前記第1内容から前記第2内容に変更される、請求項10に記載の基板処理方法。 The first control information indicates one of first content and second content,
The first content indicates that it is possible to make the substrate stand by in the tank,
The second content indicates that it is impossible to make the substrate wait in the tank,
11. The substrate processing method according to claim 10, wherein at least one content of the first control information is changed from the first content to the second content before an evacuation trigger for evacuation of the substrate from the tank occurs.
前記退避トリガーの発生前に、前記燐酸槽に対して設定された前記第1制御情報の内容が前記第1内容から前記第2内容に変更される、請求項11に記載の基板処理方法。 The plurality of tanks include a phosphoric acid tank containing a phosphoric acid solution,
12. The substrate processing method according to claim 11, wherein the content of the first control information set for the phosphoric acid tank is changed from the first content to the second content before the occurrence of the evacuation trigger.
前記第1内容は、槽に基板を待機させることが可能であることを示し、
前記第2内容は、槽に基板を待機させることが不可能であることを示し、
前記第1制御情報は、環境情報に対応して、前記第1内容及び前記第2内容のうちのいずれかを示し、
前記環境情報は、前記基板処理装置が置かれた環境を表す情報、又は、前記基板処理装置の状態を表す情報を含む、請求項10に記載の基板処理方法。 The first control information indicates one of first content and second content,
The first content indicates that it is possible to make the substrate stand by in the tank,
The second content indicates that it is impossible to make the substrate wait in the tank,
The first control information indicates one of the first content and the second content in accordance with the environment information,
The substrate processing method according to claim 10, wherein the environment information includes information indicating an environment where the substrate processing apparatus is placed or information indicating a state of the substrate processing apparatus.
未処理の基板に対して変更後の前記スケジュールを適用して、変更後の前記スケジュールに従って前記搬送機構及び前記複数の槽に未処理の前記基板の処理を実行させる、請求項10から請求項16のいずれか1項に記載の基板処理方法。 Applying the schedule before the change to the substrate in the process, causing the transport mechanism and the plurality of tanks to continue the processing of the substrate in the process according to the schedule before the change,
17. The unprocessed substrate is applied with the changed schedule, and the processing of the unprocessed substrate is performed in the transport mechanism and the plurality of tanks according to the changed schedule. The substrate processing method according to any one of the above.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018159181A JP7163106B2 (en) | 2018-08-28 | 2018-08-28 | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND COMPUTER PROGRAM |
PCT/JP2019/028664 WO2020044861A1 (en) | 2018-08-28 | 2019-07-22 | Substrate processing device, substrate processing method, and computer program |
TW108126388A TWI727379B (en) | 2018-08-28 | 2019-07-25 | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018159181A JP7163106B2 (en) | 2018-08-28 | 2018-08-28 | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND COMPUTER PROGRAM |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020035814A true JP2020035814A (en) | 2020-03-05 |
JP7163106B2 JP7163106B2 (en) | 2022-10-31 |
Family
ID=69642955
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018159181A Active JP7163106B2 (en) | 2018-08-28 | 2018-08-28 | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND COMPUTER PROGRAM |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7163106B2 (en) |
TW (1) | TWI727379B (en) |
WO (1) | WO2020044861A1 (en) |
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-
2018
- 2018-08-28 JP JP2018159181A patent/JP7163106B2/en active Active
-
2019
- 2019-07-22 WO PCT/JP2019/028664 patent/WO2020044861A1/en active Application Filing
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7163106B2 (en) | 2022-10-31 |
WO2020044861A1 (en) | 2020-03-05 |
TWI727379B (en) | 2021-05-11 |
TW202027124A (en) | 2020-07-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210618 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220705 |
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A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220902 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220920 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221019 |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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